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KR102203099B1 - 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 Download PDF

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KR102203099B1
KR102203099B1 KR1020130096187A KR20130096187A KR102203099B1 KR 102203099 B1 KR102203099 B1 KR 102203099B1 KR 1020130096187 A KR1020130096187 A KR 1020130096187A KR 20130096187 A KR20130096187 A KR 20130096187A KR 102203099 B1 KR102203099 B1 KR 102203099B1
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Abstract

축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 개시된다.

Description

축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Condensed compound and organic light emitting diode comprising the same}
유기 발광 소자용 화합물 및 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
신규 구조를 갖는 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자를 제공한다.
일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112013073559669-pat00001
상기 화학식 1 중,
L1 및 L2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;
a1 및 a2는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고;
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택되고;
R1 내지 R3는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, -Si(Q1)(Q2)(Q3) 및 -N(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택되고;
b1은 1 내지 3의 정수이고;
b2는 1 내지 5의 정수이고;
상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C6-C60아릴옥시기 및 치환된 C6-C60아릴싸이오기 중 적어도 하나의 치환기는,
할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 및
-Si(Q11)(Q12)(Q13) 및 -N(Q14)(Q15) (여기서, Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨); 중에서 선택된다.
또 다른 측면에 따르면, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 수송 영역을 포함하며, 상기 유기층이 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 축합환 화합물을 포함한 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고휘도, 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
상기 축합환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
<화학식 1>
Figure 112013073559669-pat00002
상기 화학식 1 중, L1 및 L2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화하식 1 중 상기 L1 및 L2는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐렌기(phenylene), 치환 또는 비치환된 펜탈레닐렌기(pentalenylene), 치환 또는 비치환된 인데닐렌기(indenylene), 치환 또는 비치환된 나프틸렌기(naphthylene), 치환 또는 비치환된 아줄레닐렌기(azulenylene), 치환 또는 비치환된 헵타레닐렌기(heptalenylene), 치환 또는 비치환된 인다세닐렌기(indacenylene), 치환 또는 비치환된 아세나프틸렌기(acenaphthylene), 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기(fluorenylene), 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 페날레닐렌기(phenalenylene), 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기(phenanthrenylene), 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기(anthracenylene), 치환 또는 비치환된 플루오란테닐렌기(fluoranthenylene), 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기(pyrenylene), 치환 또는 비치환된 크라이세닐렌기(chrysenylene), 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기(naphthacenylene), 치환 또는 비치환된 피세닐렌기(picenylene), 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기(perylenylene), 치환 또는 비치환된 펜타페닐렌기(pentaphenylene), 치환 또는 비치환된 헥사세닐렌기(hexacenylene), 치환 또는 비치환된 피롤일렌기(pyrrolylene), 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기(imidazolylene), 치환 또는 비치환된 피라졸일렌기(pyrazolylene), 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기(pyridinylene), 치환 또는 비치환된 피라지닐렌기(pyrazinylene), 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기(pyrimidinylene), 치환 또는 비치환된 피리다지닐렌기(pyridazinylene), 치환 또는 비치환된 이소인돌일렌기(isoindolylene), 치환 또는 비치환된 인돌일렌기(indolylene), 치환 또는 비치환된 인다졸일렌기(indazolylene), 치환 또는 비치환된 푸리닐렌기(purinylene), 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기(quinolinylene), 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐렌기(benzoquinolinylene), 치환 또는 비치환된 프탈라지닐렌기(phthalazinylene), 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기(naphthyridinylene), 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐렌기(quinoxalinylene), 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기(quinazolinylene), 치환 또는 비치환된 시놀리닐렌기(cinnolinylene), 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기(carbazolylene), 치환 또는 비치환된 페난트리디닐렌기(phenanthridinylene), 치환 또는 비치환된 아크리디닐렌기(acridinylene), 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐렌기(phenanthrolinylene), 치환 또는 비치환된 페나지닐렌기(phenazinylene), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸일렌기(benzoimidazolylene), 치환 또는 비치환된 푸라닐렌기(furanylene), 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐렌기(benzofuranylene), 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기(thiophenylene), 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐렌기(benzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 티아졸일렌기(thiazolylene), 치환 또는 비치환된 이소티아졸일렌기(isothiazolylene), 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일렌기(benzothiazolylene), 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일렌기(isoxazolylene), 치환 또는 비치환된 옥사졸일렌기(oxazolylene), 치환 또는 비치환된 트리아졸일렌기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일렌기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일렌기(oxadiazolylene), 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기(triazinylene), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일렌기(benzooxazolylene), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐렌기(dibenzofuranylene), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기(dibenzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 벤조카바졸일렌기 및 치환 또는 비치환된 디벤조실롤일렌기(dibenzosilolylene) 중에서 선택되고;
상기 치환된 페닐렌기, 치환된 펜탈레닐렌기, 치환된 인데닐렌기, 치환된 나프틸렌기, 치환된 아줄레닐렌기, 치환된 헵타레닐렌기, 치환된 인다세닐렌기, 치환된 아세나프틸렌기, 치환된 플루오레닐렌기, 치환된 스파이로-플루오레닐렌기, 치환된 페날레닐렌기, 치환된 페난트레닐렌기, 치환된 안트라세닐렌기, 치환된 플루오란테닐렌기, 치환된 트리페닐레닐렌기, 치환된 파이레닐렌기, 치환된 크라이세닐렌기, 치환된 나프타세닐렌기, 치환된 피세닐렌기, 치환된 페릴레닐렌기, 치환된 펜타페닐렌기, 치환된 헥사세닐렌기, 치환된 피롤일렌기, 치환된 이미다졸일렌기, 치환된 피라졸일렌기, 치환된 피리디닐렌기, 치환된 피라지닐렌기, 치환된 피리미디닐렌기, 치환된 피리다지닐렌기, 치환된 이소인돌일렌기, 치환된 인돌일렌기, 치환된 인다졸일렌기, 치환된 푸리닐렌기, 치환된 퀴놀리닐렌기, 치환된 벤조퀴놀리닐렌기, 치환된 프탈라지닐렌기, 치환된 나프티리디닐렌기, 치환된 퀴녹살리닐렌기, 치환된 퀴나졸리닐렌기, 치환된 시놀리닐렌기, 치환된 카바졸일렌기, 치환된 페난트리디닐렌기, 치환된 아크리디닐렌기, 비치환된 페난트롤리닐렌기, 치환된 페나지닐렌기, 치환된 벤조옥사졸일렌기, 치환된 벤조이미다졸일렌기 치환된 푸라닐렌기, 치환된 벤조푸라닐렌기, 치환된 티오페닐렌기, 치환된 벤조티오페닐렌기, 치환된 티아졸일렌기, 치환된 이소티아졸일렌기, 치환된 벤조티아졸일렌기, 치환된 이소옥사졸일렌기, 치환된 옥사졸일렌기, 치환된 트리아졸일렌기, 치환된 테트라졸일렌기, 치환된 옥사디아졸일렌기, 치환된 트리아지닐렌기, 치환된 벤조옥사졸일렌기, 치환된 디벤조푸라닐렌기, 치환된 디벤조티오페닐렌기, 치환된 벤조카바졸일렌기 및 치환된 디벤조실롤일렌기 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-28 중 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00003
Figure 112013073559669-pat00004
Figure 112013073559669-pat00005
Figure 112013073559669-pat00006
상기 화학식 2-1 내지 2-28 중,
Y1은 O, S, C(Z3)(Z4), N(Z5) 또는 Si(Z6)(Z7)이고;
Z1 내지 Z7은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 및 이소퀴놀리닐기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택되고;
d1은 1 내지 4의 정수이고; d2는 1 내지 3의 정수이고; d3는 1 내지 6의 정수이고; d4는 1 내지 8의 정수이고; d5는 1 또는 2이고; d6는 1 내지 5의 정수이고; * 및 *"는 이웃한 원자와의 결합 사이트일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 2-1 내지 2-28 중, Z1 내지 Z7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 및 옥틸기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 상기 L1 및 L2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-21 중 하나로 표시될 수 있다:
Figure 112013073559669-pat00007
Figure 112013073559669-pat00008
상기 화학식 3-1 내지 3-21 중 * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
상기 화학식 1 중 a1은 L1의 개수를 나타낸다. a1이 0일 경우 -N(Ar1)(Ar2)는 화학식 1의 코어에 직접(directly) 결합된다. a1이 2 이상일 경우 a1개의 L1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 화학식 1 중 a2는 L2의 개수를 나타낸다. a2가 0일 경우 -N(Ar3)(Ar4)는 화학식 1의 코어에 직접(directly) 결합된다. a2가 2 이상일 경우 a2개의 L2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중, a1은 0이고, a2는 0이거나; a1은 0이고, a2는 1이거나; a1은 0이고, a2는 2이거나; a1은 0이고, a2는 3이거나; a1은 1이고, a2는 0이거나; a1은 1이고, a2는 1이거나; a1은 1이고, a2는 2이거나; a1은 1이고, a2는 3이거나; a1은 2이고, a2는 0이거나; a1은 2이고, a2는 1이거나; 또는 a1은 2이고, a2는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 a1은 0이고, a2는 0이거나; a1은 0이고, a2는 1이거나; a1은 0이고, a2는 1이거나; 또는 a1은 1이고, a2는 1일 수 있다.
상기 화학식 1 중, Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택된다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중, Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기(phenyl), 치환 또는 비치환된 펜탈레닐기(pentalenyl), 치환 또는 비치환된 인데닐기(indenyl), 치환 또는 비치환된 나프틸기(naphthyl), 치환 또는 비치환된 아줄레닐기(azulenyl), 치환 또는 비치환된 헵타레닐기(heptalenyl), 치환 또는 비치환된 인다세닐기(indacenyl), 치환 또는 비치환된 아세나프틸기(acenaphthyl), 치환 또는 비치환된 플루오레닐기(fluorenyl), 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 페날레닐기(phenalenyl), 치환 또는 비치환된 페난트레닐기(phenanthrenyl), 치환 또는 비치환된 안트라세닐기(anthracenyl), 치환 또는 비치환된 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 치환 또는 비치환된 파이레닐기(pyrenyl), 치환 또는 비치환된 크라이세닐기(chrysenyl), 치환 또는 비치환된 나프타세닐기(naphthacenyl), 치환 또는 비치환된 피세닐기(picenyl), 치환 또는 비치환된 페릴레닐기(perylenyl), 치환 또는 비치환된 펜타페닐기(pentaphenyl), 치환 또는 비치환된 헥사세닐기(hexacenyl), 치환 또는 비치환된 피롤일기(pyrrolyl), 치환 또는 비치환된 이미다졸일기(imidazolyl), 치환 또는 비치환된 피라졸일기(pyrazolyl), 치환 또는 비치환된 피리디닐기(pyridinyl), 치환 또는 비치환된 피라지닐기(pyrazinyl), 치환 또는 비치환된 피리미디닐기(pyrimidinyl), 치환 또는 비치환된 피리다지닐기(pyridazinyl), 치환 또는 비치환된 이소인돌일기(isoindolyl), 치환 또는 비치환된 인돌일기(indolyl), 치환 또는 비치환된 인다졸일기(indazolyl), 치환 또는 비치환된 푸리닐기(purinyl), 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기(quinolinyl), 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기(phthalazinyl), 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 치환 또는 비치환된 시놀리닐기(cinnolinyl), 치환 또는 비치환된 카바졸일기(carbazolyl), 치환 또는 비치환된 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 치환 또는 비치환된 아크리디닐기(acridinyl), 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 치환 또는 비치환된 페나지닐기(phenazinyl), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 치환 또는 비치환된 푸라닐기(furanyl), 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 치환 또는 비치환된 티오페닐기(thiophenyl), 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 치환 또는 비치환된 티아졸일기(thiazolyl), 치환 또는 비치환된 이소티아졸일기(isothiazolyl), 치환 또는 비치환된 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 치환 또는 비치환된 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 치환 또는 비치환된 옥사졸일기(oxazolyl), 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 테트라졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기(oxadiazolyl), 치환 또는 비치환된 트리아지닐기(triazinyl), 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 치환 또는 비치환된 디벤조푸라닐기(dibenzofuranyl), 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 치환 또는 비치환된 벤조카바졸일기 및 치환 또는 비치환된 디벤조실롤일기(dibenzosilolyl) 중에서 선택되고;
상기 치환된 페닐기, 치환된 펜탈레닐기, 치환된 인데닐기, 치환된 나프틸기, 치환된 아줄레닐기, 치환된 헵타레닐기, 치환된 인다세닐기, 치환된 아세나프틸기, 치환된 플루오레닐기, 치환된 스파이로-플루오레닐기, 치환된 페날레닐기, 치환된 페난트레닐기, 치환된 안트라세닐기, 치환된 플루오란테닐기, 치환된 트리페닐레닐기, 치환된 파이레닐기, 치환된 크라이세닐기, 치환된 나프타세닐기, 치환된 피세닐기, 치환된 페릴레닐기, 치환된 펜타페닐기, 치환된 헥사세닐기, 치환된 피롤일기, 치환된 이미다졸일기, 치환된 피라졸일기, 치환된 피리디닐기, 치환된 피라지닐기, 치환된 피리미디닐기, 치환된 피리다지닐기, 치환된 이소인돌일기, 치환된 인돌일기, 치환된 인다졸일기, 치환된 푸리닐기, 치환된 퀴놀리닐기, 치환된 벤조퀴놀리닐기, 치환된 프탈라지닐기, 치환된 나프티리디닐기, 치환된 퀴녹살리닐기, 치환된 퀴나졸리닐렌기, 치환된 시놀리닐렌기, 치환된 카바졸일렌기, 치환된 페난트리디닐기, 치환된 아크리디닐기, 비치환된 페난트롤리닐기, 치환된 페나지닐기, 치환된 벤조옥사졸일기, 치환된 벤조이미다졸일기 치환된 푸라닐기, 치환된 벤조푸라닐기, 치환된 티오페닐기, 치환된 벤조티오페닐기, 치환된 티아졸일기, 치환된 이소티아졸일기, 치환된 벤조티아졸일기, 치환된 이소옥사졸일기, 치환된 옥사졸일기, 치환된 트리아졸일기, 치환된 테트라졸일기, 치환된 옥사디아졸일기, 치환된 트리아지닐기, 치환된 벤조옥사졸일기, 치환된 디벤조푸라닐기, 치환된 디벤조티오페닐기, 치환된 벤조카바졸일기 및 치환된 디벤조실롤일기 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 Ar1 내지 Ar4가 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-1 내지 5-14 중에서 선택될 수 있다:
Figure 112013073559669-pat00009
상기 화학식 5-1 내지 5-14 중,
Y31은 O, S, C(Z33)(Z34) 또는 N(Z35)이고;
Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
Si(Q11)(Q12)(Q13)(여기서, Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로 C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트라세닐기임); 중에서 선택되고;
e1은 1 내지 5의 정수이고; e2는 1 내지 7의 정수이고; e3는 1 내지 3의 정수이고; e4는 1 내지 4의 정수이고; e5는 1 또는 2이고; *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 5-1 내지 5-14 중, Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기 및 이소퀴놀리닐기; 및
Si(Q11)(Q12)(Q13)(여기서, Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로 C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트라세닐기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 하기 화학식 6-1 내지 6-24 중에서 선택될 수 있다:
Figure 112013073559669-pat00010
Figure 112013073559669-pat00011
상기 화학식 6-1 내지 6-24 중 *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
상기 화학식 1 중,
Ar1 = Ar2 = Ar3 = Ar4이거나;
Ar1 ≠ Ar2 이고, Ar1 = Ar3 이고, Ar2 = Ar4이거나;
Ar1 ≠ Ar2 이고, Ar1 = Ar3 이고, Ar2 ≠ Ar4이거나; 또는
Ar1 ≠ Ar2 ≠ Ar3 ≠ Ar4일 수 있다.
상기 화학식 1 중 R1 내지 R3은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기 및 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, -Si(Q1)(Q2)(Q3) 및 -N(Q4)(Q5) (여기서, Q1 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기임) 중에서 선택된다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, 상기 R3은,
C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기(phenyl), 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프틸기(naphthyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵타레닐기(heptalenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프틸기(acenaphthyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthryl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 피롤일기(pyrrolyl), 이미다졸일기(imidazolyl), 피라졸일기(pyrazolyl), 피리디닐기(pyridinyl), 피라지닐기(pyrazinyl), 피리미디닐기(pyrimidinyl), 피리다지닐기(pyridazinyl), 이소인돌일기(isoindolyl), 인돌일기(indolyl), 인다졸일기(indazolyl), 푸리닐기(purinyl), 퀴놀리닐기(quinolinyl), 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 프탈라지닐기(phthalazinyl), 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 시놀리닐기(cinnolinyl), 카바졸일기(carbazolyl), 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 아크리디닐기(acridinyl), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 페나지닐기(phenazinyl), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 푸라닐기(furanyl), 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 티오페닐렌기(thiophenyl), 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 티아졸일기(thiazolyl), 이소티아졸일기(isothiazolyl), 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 옥사졸일기(oxazolyl), 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기(oxadiazolylene), 트리아지닐기(triazinylene), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 디벤조푸라닐기(dibenzofuranyl), 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 및 벤조카바졸일기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기로 치환된, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵타레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 벤조옥사졸일기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 및 벤조카바졸일기; 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 상기 R3은,
C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐; 중에서 선택될 수 있다.
한편, 상기 화학식 1 중, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기(phenyl), 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프틸기(naphthyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵타레닐기(heptalenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프틸기(acenaphthyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 피롤일기(pyrrolyl), 이미다졸일기(imidazolyl), 피라졸일기(pyrazolyl), 피리디닐기(pyridinyl), 피라지닐기(pyrazinyl), 피리미디닐기(pyrimidinyl), 피리다지닐기(pyridazinyl), 이소인돌일기(isoindolyl), 인돌일기(indolyl), 인다졸일기(indazolyl), 푸리닐기(purinyl), 퀴놀리닐기(quinolinyl), 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 프탈라지닐기(phthalazinyl), 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 시놀리닐기(cinnolinyl), 카바졸일기(carbazolyl), 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 아크리디닐기(acridinyl), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 페나지닐기(phenazinyl), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 푸라닐기(furanyl), 벤조푸라닐기(benzofuranyl), 티오페닐렌기(thiophenyl), 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 티아졸일기(thiazolyl), 이소티아졸일기(isothiazolyl), 벤조티아졸일기(benzothiazolyl), 이소옥사졸일기(isoxazolyl), 옥사졸일기(oxazolyl), 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기(oxadiazolylene), 트리아지닐기(triazinylene), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 디벤조푸라닐기(dibenzofuranyl), 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 및 벤조카바졸일기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵타레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조옥사졸일기, 벤조이미다졸일기, 푸라닐기, 벤조푸라닐기, 티오페닐기, 벤조티오페닐기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 벤조티아졸일기, 이소옥사졸일기, 옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 벤조옥사졸일기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 및 벤조카바졸일기; 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 R1 및 R2는 모두 수소일 수 있다.
상기 화학식 1 중, b1은 R1의 개수를 나타낸 것으로서 1 내지 3의 정수 중에서 선택된다. b1이 2 이상일 경우 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b1은 1 또는 2일 수 있다.
상기 화학식 1 중, b2는 R2의 개수를 나타낸 것으로서 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다. b2가 2 이상일 경우 2 이상의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b2는 1 또는 2일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 축합환 화합물은, 상기 화학식 1A 내지 1D 중 하나일 수 있다:
<화학식 1A> <화학식 1B>
Figure 112013073559669-pat00012
Figure 112013073559669-pat00013
<화학식 1C> <화학식 1D>
Figure 112013073559669-pat00014
Figure 112013073559669-pat00015
상기 화학식 1A 내지 1D 중, L1, L2, Ar1 내지 Ar4, R1, R2, b1 및 b2는 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 1A 내지 1D 중,
L1 및 L2는 서로 독립적으로, 상기 화학식 2-1 내지 2-28(구체적으로, 상기 화학식 3-1 내지 3-21) 중 하나로 표시되고;
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 상기 화학식 5-1 내지 5-14(구체적으로, 상기 화학식 6-1 내지 6-24) 중에서 선택되고;
R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중에서 선택되고;
R3는
C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐; 중에서 선택되고;
b1 및 b2는 서로 독립적으로 1 또는 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C6-C60아릴옥시기 및 치환된 C6-C60아릴싸이오기 중 적어도 하나의 치환기는,
할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 및
-Si(Q11)(Q12)(Q13) 및 -N(Q14)(Q15) (여기서, Q11 내지 Q15는 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기 및 C2-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨); 중에서 선택될 수 있다.
상기 축합환 화합물은, 하기 화합물 1 내지 60 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00016

Figure 112013073559669-pat00017

Figure 112013073559669-pat00018

Figure 112013073559669-pat00019

Figure 112013073559669-pat00020
상기 화학식 1 중, 코어
Figure 112013073559669-pat00021
는 비공유 전자쌍을 1개 갖는 "N(R3)"를 통하여 벤젠과 나프탈렌 고리가 서로 축합되어 연결된 구조는 갖는다. 이러한 화학식 1 중 상기 코어는 16개의 π-전자(electron)가 비편재화된 구조를 가질 뿐만 아니라, "N(R3)"의 N의 비공유 전자쌍으로부터 부분적으로 여분의 전자를 제공받을 수 있어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 분자 중심에 π-electron이 풍부한 구조가 형성된다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 분자 중 π→ π* transition 및 n→ π* transition의 확률이 높아지게 되어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 발광 효율 증가에 기여하게 된다.
반면, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 중 "N(R3)" 대신 "C(R')(R") (여기서, R' 및 R"은 임의의 치환기임)"를 포함한 가상의 화합물(예를 들면, 후술할 화합물 B 참조)은, 벤젠과 나프탈렌이 비공유 전자쌍이 없는 "C(R')(R")"를 사이에 두고 축합되어 있으므로, 발광 효율 증가를 달성할 수 없다. 뿐만 아니라, "C(R')(R")" 중 탄소에 연결된 R' 및 R"로 인하여, 상기 가상의 화합물 분자 내에 진동 및 회전 에너지 자유도가 증가하고, 이로 인하여, 상기 가상의 화합물 분자의 천이 에너지 손실이 수반되어 바닥 상태로의 복사 전이가 아닌 비복사 전이의 확률이 증가되게 되는 바, 이는 발광 효율 감소의 원인이 될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 -N(Ar1)(Ar2)와 -N(Ar3)(Ar4)를 모두 포함하므로, Ar1 내지 Ar4의 풍부한 π-전자가 화학식 1의 "N(R3)"의 질소가 갖는 1쌍의 비공유전자쌍과 효과적인 공명 구조를 이룰 수 있다. 이로 인하여, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 분자 내에서의 π→ π* transition 및 n→ π* transition의 확률이 증가하게 되고, 이로써, 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 발광 효율 향상에 기여하게 된다.
반면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 -N(Ar1)(Ar2)와 -N(Ar3)(Ar4) 중 하나만 포함한 화합물(예를 들면, 후술할 화합물 C)은 상술한 바와 같은 발광 효율 향상을 달성할 수 없다.
따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고효율, 고휘도 및 장수명의 효과를 가질 수 있다.
상기 화학식 1을 갖는 축합환 화합물의 합성 방법은 하기 합성예를 참조하여, 당업자가 용이하게 인식할 수 있다.
상기 화학식 1의 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 축합환 화합물은 발광층에 사용되거나, 제1전극과 발광층 사이의 정공 수송 영역(예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 수행할 수 있는 기능층 등)에 사용될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 발광층(예를 들면, 발광층 중 도펀트) 또는 정공 수송 영역 재료(예를 들면, 정공 주입층 재료)로 사용될 수 있다.
따라서, 제1전극, 상기 제1전극에 대향된 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층을 포함하되, 상기 유기층은 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시된 축합환 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다. 여기서, 상기 유기층은 상기 제1전극과 발광층 사이의 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 수송 영역을 포함한다. 상기 축합환 화합물은 상기 발광층에 존재할 수 있다.
본 명세서 중 "(유기층이) 축합환 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 축합환 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 축합환 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서, 상기 화합물 2만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 2는 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서, 상기 화합물 30과 화합물 54를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 2와 화합물 50은 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 2와 화합물 50은 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 2는 정공 수송층에 존재하고, 상기 화합물 50은 발광층에 존재함)할 수 있다.
상기 유기층 중 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층(이하, "H-기능층(H-functional layer)"이라 함), 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 한 층을 포함할 수 있고, 상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 층을 가리키는 용어이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
상기 기판(11)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
도 1 중 기판(11)은 제1전극(13) 하부에 배치되어 있으나, 상기 기판(11)은 제1전극(13) 하부 대신 제2전극(17) 상부에 배치될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 제1전극(13)은 기판 상부에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(13)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(13)은 반사형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하면, 상기 제1전극(13)을 반사형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(13)은 단일층 또는 2 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(13)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(13) 상부로는 유기층(15)이 구비되어 있다.
상기 유기층(15)은 정공 주입층 및 정공 수송층을 차례로 포함한 정공 수송 영역; 발광층; 및 전자 수송층 및 전자 주입층을 차례로 포함한 전자 수송 영역;을 포함할 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(13) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입층 재료로서, 상술한 바와 같은 화학식 1의 재료를 사용할 수 있다. 또는, 공지된 정공 주입 물질로는, 예를 들면, N,N′-디페닐-N,N′-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4′-디아민(N,N′-diphenyl-N,N′-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4′-diamine: DNTPD), 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00022
Figure 112013073559669-pat00023
Figure 112013073559669-pat00024
상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 팅법에 의하여 정공 수송층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 정공 수송층 재료로서, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013073559669-pat00025
또는, 상기 정공 수송층 재료로서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 사용할 수 있다.
상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
한편, 유기 발광 소자(10)는, 상기 정공 주입층 및 정공 수송층 대신, 상기 H-기능층(정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층)을 포함할 수 있다. 상기 H-기능층에는 상술한 바와 같은 정공 주입층 물질 및 정공 수송층 물질 중에서 1 이상의 물질이 포함될 수 있으며, 상기 H-기능층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 H-기능층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 및 수성 특성을 얻을 수 있다.
한편, 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 한 층은 하기 화학식 300으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 301으로 표시되는 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다:
<화학식 300>
Figure 112013073559669-pat00026
<화학식 301>
Figure 112013073559669-pat00027
상기 화학식 300 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기일 수 있다.
예를 들어, 상기 Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 300 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고, xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 300 및 301 중, R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C60시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴싸이오기일 수 있다.
예를 들어, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등) 및 C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등);
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 300 중, R109는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 바이페닐기 및 피리딜기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 및 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 바이페닐기 및 피리딜기; 중 하나일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 300으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 300A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 300A>
Figure 112013073559669-pat00028
상기 화학식 300A 중, R101, R111, R112 및 R109에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 정공 주입층, 정공 수송층 및 H-기능층 중 적어도 한 층은 하기 화합물 301 내지 320 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00029
Figure 112013073559669-pat00030
상기 정공 수송 영역에는, 상술한 바와 같은 물질 외에, 막의 도전성 등을 향상시키기 위한 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 200 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 200> <F4-TCNQ>
Figure 112013073559669-pat00031
Figure 112013073559669-pat00032
상기 정공 수송 영역이 전하-생성 물질을 더 포함할 경우, 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역에 균일하게(homogeneous) 분산되거나, 또는 불균일하게 분포될 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
상기 정공 수송 영역은, 정공 수송층과 발광층 사이(또는, H-기능층과 발광층 사이)에 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 상기 버퍼층은 공지된 정공 주입 재료, 정공 수송 재료를 포함할 수 있다. 또는, 상기 버퍼층은 버퍼층 하부에 형성된 정공 수송층(또는 H-기능층)에 포함된 물질 중 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 정공 수송 영역 중 정공 주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 호스트로서, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(DNA), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(디스티릴아릴렌), dmCBP(하기 화학식 참조), 하기 화합물 501 내지 509 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013073559669-pat00033
Figure 112013073559669-pat00034
Figure 112013073559669-pat00035
Figure 112013073559669-pat00036
Figure 112013073559669-pat00037
PVK DNA
Figure 112013073559669-pat00038
Figure 112013073559669-pat00039
Figure 112013073559669-pat00040
Figure 112013073559669-pat00041
또는, 상기 호스트로서, 하기 화학식 400으로 표시되는 안트라센계 화합물을 사용할 수 있다:
<화학식 400>
Figure 112013073559669-pat00042
상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기이고; 상기 Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기 중에서 선택되고; g, h, i 및 j는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 400 중, Ar111 및 Ar112는 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기 및 파이레닐렌기; 및 페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중 하나 이상으로 치환된 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기, 플루오레닐기, 및 파이레닐렌기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 400 중 g, h, i 및 j는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
상기 화학식 400 중, Ar113 내지 Ar116은 서로 독립적으로,
페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기;
중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기; 및
Figure 112013073559669-pat00043
; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 화학식 400으로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00044
Figure 112013073559669-pat00045
Figure 112013073559669-pat00046
Figure 112013073559669-pat00047
Figure 112013073559669-pat00048
또는, 상기 호스트로서, 하기 화학식 401으로 표시되는 안트라센계 화합물을 사용할 수 있다:
<화학식 401>
Figure 112013073559669-pat00049
상기 화학식 401 중 Ar122 내지 Ar125에 대한 상세한 설명은 상기 화학식 400의 Ar113에 대한 설명을 참조한다.
상기 화학식 401 중 Ar126 및 Ar127은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기)일 수 있다.
상기 화학식 401 중 k 및 l은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 k 및 l은 0, 1 또는 2일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 401로 표시된 안트라센계 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00050
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 발광층 중 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물일 수 있다. 이 때, 상기 축합환 화합물은 형광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 형광 도펀트로서의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 축합환 화합물은 청색광을 방출하는 형광 도펀트의 역할을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 외에, 공지의 도펀트로서, 후술하는 바와 같은 도펀트를 더 포함할 수 있다.
에를 들어, 청색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
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Figure 112013073559669-pat00056
DPAVBi
Figure 112013073559669-pat00057
TBPe
에를 들어, 적색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 적색 도펀트로서, 후술한 DCM 또는 DCJTB를 사용할 수도 있다.
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에를 들어, 녹색 도펀트로서는 하기 화합물들 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는 녹색 도펀트로서, 하기 C545T를 사용할 수 있다.
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한편, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트는 후술하는 바와 같은 착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
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또한, 상기 발광층에 포함될 수 있는 도펀트는 후술하는 바와 같은 Os-착체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112013073559669-pat00073
상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 수송층 재료로는 제2전극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 공지의 전자 수송 물질을 이용할 수 있다. 공지의 전자 수송 물질의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate: Bebq2), ADN, 화합물 201, 화합물 202, TmPyPB 등과 같은 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013073559669-pat00074
Figure 112013073559669-pat00075
<화합물 201> <화합물 202>
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Figure 112013073559669-pat00077
Figure 112013073559669-pat00078
BCP
<TmPyPB>
Figure 112013073559669-pat00079
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상기 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체의 비제한적인 예로는, 리튬 퀴놀레이트(LiQ) 또는 하기 화합물 203 등을 들 수 있다:
<화합물 203>
Figure 112013073559669-pat00080
또한 전자 수송층 상부에 제2전극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.
상기 전자 주입층 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
이와 같은 유기층(15) 상부로는 제2전극(17)이 구비되어 있다. 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 발광층에 인광 도펀트를 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 정공 수송층과 발광층 사이 또는 H-기능층과 발광층 사이에에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 될 수 있다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다. 예를 들면, 하기와 같은 BCP를 정공 저지층 재료로 사용할 수 있다.
Figure 112013073559669-pat00081
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 유기 발광 장치에 포함될 수 있다. 따라서, 또 다른 측면에 따르면, 상기 유기 발광 소자 및 트랜지스터를 포함한 유기 발광 장치가 제공될 수 있다. 상기 트랜지스터는 활성층, 소스 및 드레인 전극, 게이트 전극 및 게이트 절연막을 포함할 수 있고, 상기 유기 발광 소자의 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나는 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 트랜지스터의 활성층은 비정질 실리콘, 결정질 실리콘, 산화물 반도체, 유기 화합물 반도체 등 공지된 임의의 활성층 중에서 다양하게 선택될 수 있다.
본 명세서 중, 비치환된 C1-C60알킬기(또는 C1-C60알킬기)의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등과 같은 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 알킬기를 들 수 있고, 치환된 C1-C60알킬기의 적어도 하나의 치환기는, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된 C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기; 및 -N(Q11)(Q12); 및 -Si(Q11)(Q12)(Q13) (여기서, 상기 Q11 및 Q12는 서로 독립적으로, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기이고, Q13 내지 Q15는 서로 독립적으로, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, 또는 C2-C60헤테로아릴기임); 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 비치환된 C1-C60알콕시기(또는 C1-C60알콕시기)는 -OA(단, A는 상술한 바와 같은 비치환된 C1-C60알킬기임)의 화학식을 가지며, 이의 구체적인 예로서, 메톡시, 에톡시, 이소프로필옥시, 등이 있고, 이들 알콕시기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환 가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알케닐기(또는 C2-C60알케닐기)는 상기 비치환된 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 이중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에테닐, 프로페닐, 부테닐 등이 있다. 이들 비치환된 C2-C60알케닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60알키닐기(또는 C2-C60알키닐기)는 상기 정의된 바와 같은 C2-C60알킬기의 중간이나 맨 끝단에 하나 이상의 탄소 삼중결합을 함유하고 있는 것을 의미한다. 예로서는 에티닐(ethynyl), 프로피닐(propynyl), 등이 있다. 이들 알키닐기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
본 명세서 중 비치환된 C6-C60아릴기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 비치환된 C6-C60아릴렌기는 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 아릴기 및 아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 아릴기 및 아릴렌기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 치환된 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예로는 페닐기, C1-C10알킬페닐기(예를 들면, 에틸페닐기), C1-C10알킬비페닐기(예를 들면, 에틸비페닐기), 할로페닐기(예를 들면, o-, m- 및 p-플루오로페닐기, 디클로로페닐기), 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, o-, m-, 및 p-토릴기, o-, m- 및 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 할로나프틸기(예를 들면, 플루오로나프틸기), C1-C10알킬나프틸기(예를 들면, 메틸나프틸기), C1-C10알콕시나프틸기(예를 들면, 메톡시나프틸기), 안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 플루오레닐기, 안트라퀴놀일기, 메틸안트라세닐기, 페난트릴기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 에틸-크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네릴기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기 등을 들 수 있으며, 치환된 C6-C60아릴기의 예는 상술한 바와 같은 비치환된 C6-C60아릴기의 예와 상기 치환된 C1-C60알킬기의 치환기를 참조하여 용이하게 인식할 수 있다. 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
본 명세서 중 비치환된 C2-C60헤테로아릴기는 N, O, P, Si 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P, Si 또는 S 중에서 선택된 1 개 이상의 헤테로원자를 포함하고 나머지 고리원자가 C인 하나 이상의 방향족 고리로 이루어진 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 여기서, 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리는 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기 및 헤테로아릴렌기 중 하나 이상의 수소원자는 상술한 C1-C60알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴기의 예에는, 피라졸일기, 이미다졸일기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조이미다졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 등을 들 수 있다. 상기 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기의 예는 상기 치환 또는 비치환된 C2-C60아릴렌기의 예를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기는 -OA2(여기서, A2는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 치환 또는 비치환된 C5-C60아릴싸이오기는 -SA3(여기서, A3는 상기 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기임)를 가리킨다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'A' 대신 'B'를 사용하였다"란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.
[실시예]
합성예 1 : 화합물 2의 합성
Figure 112013073559669-pat00082
중간체 2-1의 합성
1-브로모-4-클로로-2-니트로벤젠 5.96(23.6mmol)을 THF 100ml에 녹인 후 -78℃에서 n-BuLi 10ml (25.0 mmol, 2.5M in Hexane)을 천천히 적가하고 상기 온도를 유지하면서 1시간 동안 교반한 후, 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥시보로란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 9.3ml (50mmol)을 천천히 적가하고, -78℃에서 1시간 동안 교반한 다음, 추가로 24시간동안 실온에서 교반하였다. 반응 종결 후, 10% HCl 수용액 50ml와 H2O 50ml를 첨가하고 디에틸에테르 80mL로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조시키고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 2-1 6.36g (수율 90%)을 수득하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C13H19BClNO4 : M+ 299.5
중간체 2-2의 합성
중간체 2-1 6.59g (22.0 mmol), 1,4-디브로모나프탈렌 12.4g (44.0 mmol) Pd(PPh3)4 (테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐) 1.27g (1.1mmol) 및 K2CO3 4.5g (33mmol) 을 THF/H2O (2/1 부피비) 혼합용액 200ml에 녹인 후, 70℃에서 5시간 동안 교반한 다음, 실온으로 식힌 후 물 60ml를 가하고 에틸에테르 60ml로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조시키고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 2-2 5.98g (수율 75%)을 수득하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C16H9BrClNO2 : M+ 362.4
중간체 2-3의 합성
중간체 2-2 7.25g (20mmol), 중간체 2-A 8.77g (40.0mmol), Pd2(dba)3 0.37g (0.4mmol), P(tBu)3 0.08g (0.4mmol) 및 KOtBu 5.76g (60mmol)을 톨루엔 90ml에 녹인 후 85℃에서 4시간 동안 교반한 다음, 상온으로 냉각시킨 후, 물 50ml와 디에틸에테르 50ml로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조시키고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 중간체 2-3 10.9g (수율 80%)을 수득하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C48H33N3O2 : M+ 683.2
중간체 2-4의 합성
중간체 2-3 6.85g (10.00mmol)과 트리에틸포스파이트 8.3g (50mmol)을 큐멘 250ml에 녹인 후 질소 분위기에서 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응종료 후 고진공을 이용하여 감압 농축하여 얻은 유기층을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 중간체 2-4 4.04g (수율 62%)을 수득하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C48H33N3 : M+ 651.3
화합물 2의 합성
중간체 2-4 3.25g (5.00mmol), 중간체 2-C (브로모벤젠) 0.95g (6mmol), Pd(OAc)2 0.003g (0.1mmol), P(tBu)3 0.1g (0.5mmol), KOtBu 0.84g (7.5mmol)을 톨루엔 200ml에 녹인 후 질소 분위기에서 24시간 동안 환류 교반한 다음, 상온으로 식힌 후, 물 50ml와 디에틸에테르 50ml로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조시키고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리정제하여 화합물 2 3.02g (수율 83%)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C54H37N3 : M+ 727.3
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ 8.12-8.10 (d,1H), 8.07-8.05 (d, 2H), 8.00-7.96(m, 2H), 7.90-7.86(m, 4H), 7.82-7.80 (m, 2H), 7.75-7.72 (m, 2H), 7.65-7.63(ss, 2H), 7.61-7.59(ss, 1H), 7.48-7.41(m, 8H), 7.35-7.33(m, 1H), 7.29-7.27(ss, 1H), 7.23-7.18 (m, 3H), 7.10-7.00 (m, 7H), 6.98-6.96(m, 1H)
합성예 2 : 화합물 3의 합성
Figure 112013073559669-pat00083
중간체 3-3의 합성
중간체 2-A 대신 중간체 3-A (Phenyl-(4-trimethylsilanyl-phenyl)-amine)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 3-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C46H45N3O2Si2 : M+ 728.1
중간체 3-4의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 3-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 3-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C46H45N3Si2 : M+ 696.2
화합물 3의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 3-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 3 (2.89g, 수율=75%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C52H49N3Si2 : M+ 772.14
1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ 8.12-8.10 (d,1H), 7.85-7.75 (m, 6H), 7.68-7.66(d, 1H), 7.62-7.53(m, 7H), 7.50-7.48 (m, 1H), 7.38-7.30 (m, 5H), 7.28-7.20(m, 2H), 7.18-7.16(m, 1H), 7.14-7.12(m, 2H), 7.10-7.08(m, 4H), 7.06-7.04(d, 1H), 0.24 (s, 18H)
합성예 3 : 화합물 8의 합성
Figure 112013073559669-pat00084
중간체 8-3의 합성
중간체 2-A 대신 중간체 8-A ((5'-Fluoro-[1,1';3',1'']terphenyl-4'-yl)-phenyl-amine)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 8-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C64H43F2N3O2 : M+ 924.0
중간체 8-4의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 8-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 8-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C64H43F2N3 : M+ 892.04
화합물 8의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 8-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성과 동일한 방법을 이용하여 화합물 8 (3.78g, 수율=78%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C70H47F2N3 : M+ 968.14
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.12-8.10 (d,1H), 8.06-8.04 (m, 5H), 7.94-7.91(m, 16H), 7.87-7.74(m, 3H), 7.70-7.60 (m, 11H), 7.52-7.48 (m,4H), 7.42-7.40(m, 1H), 7.27-7.22(m, 4H), 7.15-7.12(m, 2H)
합성예 4 : 화합물 4의 합성
중간체 2-3 합성시 중간체 2-A 대신 비페닐-2-일-디벤조퓨란-4-일-아민(Biphenyl-2-yl-dibenzofuran-4-yl-amine)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 4(3.36g, 수율=70%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C70H45N3O2 : M+ 959.55
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.14-8.12 (m, 2H), 7.95-7.90(m, 3H), 7.86-7.79 (m, 10H), 7.75-7.62(m, 5H), 7.60-7.54 (m, 3H), 7.42-7.38 (m, 7H), 7.32-7.22(m, 9H), 7.10-7.08(m, 2H), 6.95-6.93(d, 1H), 6.88-6.85(m, 3H)
합성예 5 : 화합물 6의 합성
중간체 2-3 합성시, 중간체 2-A 대신 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-나프탈렌-2-일-아민((9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-naphthalen-2-yl-amine)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 6 (3.31g, 수율=69%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C72H53N3 : M+ 960.3
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.11-8.09 (d,1H), 8.03-8.00 (m, 4H), 7.96-7.94(m, 3H), 7.89-7.85(m, 7H), 7.82-7.80 (d, 1H), 7.72-7.68 (m,6H), 7.62-7.60(d, 1H), 7.52-7.42(m, 8H), 7.28-7.26(d, 1H), 7.24-7.22(d, 1H), 7.18-7.15(m, 3H), 7.10-7.08(d, 2H), 7.06-7.04(d, 1H), 7.00-6.98(m, 2H), 1.60(s, 12H)
합성예 6 : 화합물 11의 합성
중간체 2-3 합성시, 중간체 2-A 대신 비페닐-4-일-(2-플루오로-페닐)-아민(Biphenyl-4-yl-(2-fluoro-phenyl)-amine)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 11(3.06g, 수율=75%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C58H39F2N3 : M+ 815.12
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 7.88-7.84 (m,4H), 7.78-7.68 (m, 12H), 7.57-7.55(d, 1H), 7.52-7.48(m, 6H), 7.40-7.36 (m, 4H), 7.30-7.26 (m,2H), 7.20-7.18(d, 1H), 7.12-7.08(m, 4H), 7.05-7.03(m, 2H), 6.98-6.96(m, 2H), 6.95-6.93(d, 1H)
합성예 7 : 화합물 12의 합성
중간체 2-3 합성시, 중간체 2-A 대신 4-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일아미노)-벤조니트릴(4-(9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-ylamino)-benzonitrile)을 사용하였다는 점을 점을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 방법을 이용하여 화합물 12(2.95g, 수율=65%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C66H47N5 : M+ 909.22
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.14-8.12 (d,1H), 8.10-8.08 (d, 2H), 7.87-7.85(d, 1H), 7.82-7.80(d, 1H), 7.75-7.68(m, 8H), 7.62-7.60 (d,1H), 7.54-7.50(m, 8H), 7.38-7.36(m, 2H), 7.30-7.20(m, 6H), 7.12-7.10(m, 2H) 7.07-7.05(d, 1H) 6.95-6.93(m, 2H, 1.60(s, 12H)
합성예 8 : 화합물 14의 합성
Figure 112013073559669-pat00085
중간체 14-3의 합성
중간체 2-A의 사용량을 40mmol에서 20mmol로 변경하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 14-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C32H21ClN2O2 : M+ 500.5
중간체 14-4의 합성
중간체 2-2 대신 중간체 14-3을 사용하고, 40mmol의 중간체 2-A 대신 20mmol의 중간체 14-B를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 14-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C53H39N3O2 : M+ 749.2
중간체 14-5의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 14-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 14-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C53H39N3 : M+ 717.7
화합물 14의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 14-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 14(2.78g, 수율=70%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C59H43N3 : M+ 794.3
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.12-8.10 (d,1H), 8.05-8.02 (m, 2H), 7.94-7.92(ss, 1H), 7.88-7.85(m, 3H), 7.83-7.81(d, 1H), 7.80-7.62 (m, 5H), 7.54-7.44 (m,10H), 7.33-7.23(m, 6H), 7.15-7.01(m, 1H), 6.98-6.96(m, 7H), 1.6(s, 6H)
합성예 9 : 화합물 23의 합성
Figure 112013073559669-pat00086
중간체 23-3의 합성
중간체 2-A 대신 중간체 23-A를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8의 중간체 14-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 23-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C32H21ClN2O2 : M+ 500.4
중간체 23-4의 합성
중간체 14-3 대신 중간체 23-3을 사용하고, 중간체 14-B 대신 중간체 23-B를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8의 중간체 14-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 23-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C56H33D5FN3O2 : M+ 808.7
중간체 23-5의 합성
중간체 14-4 대신 중간체 23-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8의 중간체 14-5의 합성과 동일한 방법을 이용하여 중간체 23-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C56H33D5FN3 : M+ 776.8
화합물 23의 합성
중간체 14-5 대신 중간체 23-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8의 화합물 14의 합성과 동일한 방법을 이용하여 화합물 23 (2.90g, y=68%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C62H37D5FN3 : M+ 853.1
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.18-8.16 (m,1H), 8.12-8.10 (m, 1H), 8.08-8.06(d,1H), 7.96-7.94(m, 2H), 7.90-7.86(m, 3H), 7.82-7.62 (m, 10H), 7.50-7.32 (m,10H), 7.28-7.22(m, 4H), 7.20(d, 1H), 7.16-7.12(m, 2H), 6.96-6.94(m, 2H)
합성예 10 : 화합물 13의 합성
중간체 14-4 합성시, 중간체 14-B 대신 페닐-페닐(d5)-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8과 동일한 방법을 이용하여 화합물 13(2.46g, 수율=72%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C50H30D5N3: M+ 682.11
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.12-8.10 (d,1H), 8.08-8.06 (d, 1H), 7.98-7.96(d, 1H), 7.90-7.86(m, 2H), 7.82-7.80(d, 1H), 7.76-7.70 (m, 3H), 7.66-7.64 (d, 1H), 7.58-7.50(m, 8H), 7.35-7.33(d, 1H), 7.30-7.28(m, 3H), 7.24-7.22(dd, 1H), 7.18-7.14(m, 6H), 7.08-7.06(d, 1H)
합성예 11 : 화합물 18의 합성
중간체 14-3 합성시 중간체 2-A 대신 (5'-플루오로-[1,1';3',1'']터페닐-4'-일)-페닐-아민을 사용하고, 중간체 14-4 합성시 중간체 14-B 대신 (3-플루오로-5-나프탈렌-1-일-페닐)-페닐-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8과 동일한 방법을 이용하여 화합물 18(3.20g, 수율=68%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C68H45F2N3 : M+ 941.42
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.13-8.11 (d,1H), 8.08-8.05 (m, 2H), 8.00-7.96(m, 4H), 7.90-7.81(m, 10H), 7.76-7.72(m, 3H), 7.68-7.64 (m, 1H), 7.60-7.58 (m,1H), 7.56-7.49(m, 10H), 7.44-7.42(m, 1H), 7.30-7.24(m, 3H), 7.20-7.16(m, 4H), 7.10-7.08(m, 2H), 7.04-7.00(m, 3H)
합성예 12 : 화합물 21의 합성
중간체 14-3 합성시 중간체 2-A 대신 (5'-플루오로-[1,1';3',1'']터페닐-4'-일)-나프탈렌-2-일-아민을 사용하고, 중간체 14-4 합성시 중간체 14-B 대신 페닐-(4-트리메틸실라닐-페닐)-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합서예 8과 동일한 방법을 이용하여 화합물 21(3.08g, 수율=67%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C65H50FN3Si : M+ 919.50
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.08-8.06 (d,1H), 8.03-8.01 (d, 1H), 7.98-7.96(m, 2H), 7.92-7.89(m, 3H), 7.85-7.80(m, 8H), 7.75-7.73 (m, 2H), 7.68-7.62 (m, 5H), 7.48-7.46(d, 1H), 7.40-7.36(m, 8H), 7.20-7.14(m, 4H), 7.10-7.08(dd, 1H), 7.06-7.04(m, 2H), 7.02-7.00(m, 2H), 6.98-6.96(d, 1H), 0.24(s, 9H)
합성예 13 : 화합물 24의 합성
중간체 14-3 합성시 중간체 2-A 대신 (5'-플루오로-[1,1';3',1'']터페닐-4'-일)-페닐-아민을 사용하고, 중간체 14-4 합성시 중간체 14-B 대신 비페닐-4-일-페닐-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 8과 동일한 방법을 이용하여 화합물 24 (3.06g, y=70%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C64H44FN3 : M+ 873.51
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.00-7.98. (d,1H), 7.92-7.89 (m, 3H), 7.85-7.81(m, 5H), 7.78-7.72(m, 7H), 7.70-7.68(m, 2H), 7.66-7.64 (m, 2H), 7.62-7.60 (m, 2H), 7.52-7.47(m, 9H), 7.38-7.35(m, 3H), 7.30-7.27(m, 2H), 7.18-7.14(dd, 1H), 7.12-7.10(m, 2H), 7.08-7.06(m, 2H), 7.04-7.02(m, 3H)
합성예 14 : 화합물 30의 합성
Figure 112013073559669-pat00087
중간체 30-1의 합성
40mmol의 중간체 2-A 및 20mmol의 중간체 2-2 대신 20mmol의 디페닐아민 및 20mmol의 2,5-디브로모싸이오펜을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 30-1을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C16H12BrNS : M+ 330.1
중간체 30-B의 합성
1-브로모-4-클로로-2-니트로벤젠 대신 중간체 30-1을 사용했다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 중간체 30-B를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 를 통해 확인하였다.
C22H24BNO2S : M+ 377.2
중간체 30-2의 합성
중간체 30-B 7.55g(20mmol), 중간체 2-2 6.95g (20.0mmol), Pd(OAc) 0.22g (1.0mmol) 및 CsCO3 11.4g(35mmol)을 THF/H2O (2/1 부피비) 혼합용액 200ml에 녹인 후, 70℃에서 5시간 동안 교반한 다음, 실온으로 식힌 후 물 60ml를 가하고 에틸에테르 60ml로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조시키고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 30-2 8.55g (수율 74%)를 수득하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C32H21BrN2O2S : M+ 577.2
중간체 30-3의 합성
중간체 2-2 대신 중간체 30-2를 사용하고, 40mmol의 중간체 2-A 대신 20mmol의 중간체 30-A (디페닐아민)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 30-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다
C44H31N3O2S : M+ 665.5
중간체 30-4의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 30-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 30-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C44H31N3S : M+ 633.6
화합물 30의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 30-4를 사용하고, 중간체 2-C (브로모벤젠) 대신 중간체 30-C (1-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 30 (2.93g, 수율=71%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C59H43N3S : M+ 826.3
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.12-8.10 (d,1H), 8.07-8.02 (m, 2H), 7.96-7.94(ss, 1H), 7.89-7.87(m, 1H), 7.81-7.65 (m, 9H), 7.58-7.40 (m,14H), 7.35-7.33(m, 1H), 7.28-7.26(m, 3H), 7.20-7.18(d, 1H), 7.05-7.03(m, 4H), 1.72 (s, 6H)
합성예 15 : 화합물 25의 합성
중간체 30-B 합성시 중간체 30-1 대신 (4-브로모-페닐)-디페닐-아민을 사용하고, 화합물 30 합성시 중간체 30-C 대신 중간체 2-C를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 14와 동일한 방법을 이용하여 화합물 25 (2.64g, 수율=75%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C52H37N3: M+ 703.41
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.05-8.03 (d,1H), 8.01-7.99 (d, 1H), 7.95-7.92(m, 1H), 7.88-7.86(d, 1H), 7.65-7.63 (m, 1H), 7.60-7.58 (m, 2H), 7.54-7.52(m, 1H), 7.38-7.36(m, 1H), 7.34-7.27(m, 10H), 7.14-7.12(d, 1H), 7.08-7.00(m, 5H), 6.90-6.80(m, 4H), 6.78-6.72(m, 8H)
합성예 16 : 화합물 29의 합성
중간체 30-B 합성시 중간체 30-1 대신 (7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-디페닐-아민을 사용하고, 화합물 30 합성시 중간체 30-C 대신 중간체 2-C를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 14와 동일한 방법을 이용하여 화합물 29 (2.95g, 수율=72%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C61H45N3: M+ 819.51
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.05-8.03 (d,1H), 7.98-7.96 (d, 1H), 7.90-7.85(m, 3H), 7.75-7.73(d, 1H), 7.68-7.63 (m, 2H), 7.58-7.52 (m, 2H), 7.48-7.38(m, 11H), 7.30-7.28(d, 1H), 7.22-7.18(m, 6H), 7.15-7.13(m, 2H), 7.09-7.07(d, 1H), 6.98-6.93(m, 8H), 1.63(s, 6H)
합성예 17 : 화합물 31의 합성
중간체 30-B 합성시 중간체 30-1 대신 (4-브로모-페닐)-(9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-페닐-아민을 사용하고, 중간체 30-3 합성시 중간체 30-A 대신 나프탈렌-2-일-페닐-아민을 사용하고, 화합물 30 합성시 중간체 30-C 대신 중간체 2-C를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 14와 동일한 방법을 이용하여 화합물 31 (3.09g, 수율=71%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C65H47N3: M+ 869.42
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.15-8.11 (m, 2H), 8.08-8.05(m, 3H), 7.98-7.96(d, 1H), 7.92-7.90(d, 1H), 7.84-7.80 (m, 3H), 7.74-7.72 (d, 1H), 7.68-7.64(m, 4H), 7.58-7.54(m, 2H), 7.41-7.29(m, 10H), 7.12-7.08(m, 5H), 7.06-7.02(m, 4H), 6.95-6.93(d, 1H), 6.88-6.84(m, 4H), 1.61(s, 6H)
합성예 18 : 화합물 42의 합성
Figure 112013073559669-pat00088
중간체 42-3의 합성
중간체 2-1 및 1,4-디브로모나프탈렌 대신 중간체 42-A 및 중간체 2-2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 42-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C43H31ClN2O2 : M+ 643.2
중간체 42-4의 합성
40mmol의 중간체 2-A 대신 20mmol의 중간체 42-B (디페닐아민)를 사용하고, 중간체 2-2 대신 중간체 42-3을 각각 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-3의 합성방법과 동일한 방법을 사용하여 중간체 42-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C55H41N3O2 : M+ 775.5
중간체 42-5의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 42-4을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 42-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C55H41N3 : M+ 743.8
화합물 42의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 42-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 42 (2.79g, 수율=68%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C61H45N3 : M+ 820.1
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.18-8.16 (d,1H), 8.12-8.10 (d, 1H), 8.05-8.00(d, 1H), 7.96-7.94(m, 2H), 7.88-7.84 (m, 2H), 7.72-7.70 (m,1H), 7.68-7.66(m, 1H), 7.60-7.54(m, 10H), 7.50-7.48(m, 1H), 7.37-7.30(m, 6H), 7.28-7.26(m, 1H),7.20-7.18(d, 1H), 7.04-6.94(m, 10H), 6.88-6.86(m, 1H), 1.63 (s, 6H)
합성예 19 : 화합물 46의 합성
Figure 112013073559669-pat00089
중간체 46-3의 합성
중간체 42-3 합성시 중간체 42-A 대신 중간체 46-A를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18의 중간체 42-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 46-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C43H31ClN2O2 : M+ 546.2
중간체 46-4의 합성
중간체 42-4 합성시 중간체 42-3 및 중간체 42-B 대신 중간체 46-3 및 중간체 46-B를 각각 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18의 중간체 42-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 46-4를 합성하였다.
C51H33FN4O3 : M+ 768.9
중간체 46-5의 합성
중간체 42-4 대신 중간체 46-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18의 중간체 42-5의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 46-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C51H33FN4O : M+ 736.9
화합물 46의 합성
중간체 42-5 대신 중간체 46-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18의 화합물 42의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 46(2.80g, 수율=69%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C57H37FN4O : M+ 812.8
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.65-8.63 (d,1H), 8.48-8.46 (ss, 1H), 8.34-8.32(ss, 1H), 8.20-8.18 (m,1H), 8.15-8.13 (m,1H), 8.06-8.04(m, 1H), 8.00-7.81(m, 5H), 7.68-7.45(m, 13H), 7.32-7.30(ss, 1H), 7.26-7.16(m, 7H), 7.13-7.11(d, 1H), 7.02-7.00(m, 2H), 6.95-6.93(m, 2H)
합성예 20 : 화합물 37의 합성
중간체 42-3 합성시 중간체 42-A 대신 디페닐-[5-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-피리딘-2-일]-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18과 동일한 방법을 이용하여 화합물 37 (2.36g, 수율=67%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C51H36N4 : M+ 704.35
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.65-8.63 (d,1H), 8.45-8.43 (d, 1H), 8.38-8.36(d, 1H), 8.02-8.00(m, 1H), 7.94-7.92 (m, 2H), 7.82-7.78 (m, 4H), 7.76-7.74(d, 1H), 7.70-7.66(m, 6H), 7.62-7.58(m, 4H), 7.48-7.40(m, 8H), 7.32-7.30(m, 6H), 7.21-7.19(d, 1H)
합성예 21 : 화합물 38의 합성
중간체 42-3 합성시 중간체 42-A 대신 나프탈렌-2-일-페닐-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-페닐]-아민을 사용하고, 중간체 42-4 합성시 중간체 42-B 대신 나프탈렌-2-일-페닐-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18과 동일한 방법을 이용하여 화합물 38 (2.81g, 수율=70%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C60H41N3 : M+ 803.51
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.35-8.33 (d,1H), 7.98.-7.96 (d, 1H), 7.92-7.90(d, 1H), 7.82(s, 1H), 7.78-7.76(m, 2H), 7.65-7.62(m, 4H), 7.57-7.55(m, 2H), 7.52-7.50 (m, 3H), 7.42-7.36 (m, 3H), 7.22-7.14(m, 9H), 7.08-7.06(m, 2H), 7.04-7.02(m, 1H), 6.91-6.85(m, 3H), 6.74-6.67(m, 7H), 6.64(d, 1H)
합성예 22 : 화합물 39의 합성
중간체 42-3 합성시 중간체 42-A 대신 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-페닐l-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일-나프탈렌-1-일]-아민을 사용하고, 중간체 42-4 합성시 중간체 42-B 대신 (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-페닐-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 18과 동일한 방법을 이용하여 화합물 39 (3.21.g, 수율=65%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C74H55N3 : M+ 985.57
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.34-8.32 (d,1H), 8.15.-8.13 (d, 1H), 8.02-8.00(d, 1H), 7.98-7.96(d, 1H), 7.88-7.86(m, 1H), 7.80-7.78(m, 1H), 7.74-7.70(m, 4H), 7.62-7.58(m, 2H), 7.50-7.48(m, 2H), 7.46-7.32(m, 13H), 7.12-7.08 (m, 6H), 7.06-7.04 (d, 1H), 7.00-6.98(d, 1H), 6.96-6.94(d, 1H), 6.92-6.90(d, 1H), 6.88-6.86(m, 2H), 6.83-6.81(m, 2H), 6.79-6.77(m, 2H), 1.61(s, 12H)
합성예 23 : 화합물 50의 합성
Figure 112013073559669-pat00090
중간체 50-3의 합성
중간체 2-1 및 1,4-디브로모나프탈렌 대신 중간체 50-A 및 중간체 2-2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 50-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C38H25ClN2O2 : M+ 577.5
중간체 50-4의 합성
중간체 30-B와 중간체 2-2 대신 중간체 50-B 및 중간체 50-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 14의 중간체 30-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 50-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C60H41N3O2 : M+ 836.3
중간체 50-5의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 50-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 50-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C60H41N3 : M+ 804.2
화합물 50의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 50-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 50 (2.86g, 수율=65%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C66H45N3 : M+ 880.4
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.10-8.05 (m,2H), 8.01-7.96 (m, 3H), 7.88-7.80(m, 3H), 7.67-7.48(m, 14H), 7.40-7.38 (m, 1H), 7.24-7.12 (m, 9H), 7.08-7.04(m, 2H), 7.02-6.95(m, 7H), 6.88-6.84 (m, 4H)
합성예 24 : 화합물 51의 합성
Figure 112013073559669-pat00091
중간체 51-3의 합성
중간체 2-1 및 1,4-디브로모나프탈렌 대신 중간체 51-A 및 중간체 2-2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 51-3을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C37H31ClN2O2Si : M+ 599.5
중간체 51-4의 합성
중간체 30-B와 중간체 2-2 대신 중간체 51-B 및 중간체 51-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 14의 중간체 30-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 51-4를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C58H53N3O2Si2 : M+ 880.6
중간체 51-5의 합성
중간체 2-3 대신 중간체 51-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 중간체 2-4의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 중간체 51-5를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다.
C58H53N3Si2 : M+ 848.4
화합물 51의 합성
중간체 2-4 대신 중간체 51-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 1의 화합물 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 51(3.05g, 수율=66%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C64H57N3Si2 : M+ 924.3
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.15-8.12 (m,2H), 8.08-8.06 (d, 1H), 8.02-8.00(ss, 1H), 7.92-7.78(m, 11H), 7.72-7.70 (m, 1H), 7.62-7.58 (m,6H), 7.50-7.48(m, 2H), 7.35-7.22(m, 3H), 7.18-7.01(m, 8H), 6.92-6.88(m, 4H), 0.24 (s, 18H)
합성예 25 : 화합물 49의 합성
중간체 50-3 합성시 중간체 50-A 대신 디페닐-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보보란-2-일)-페닐]-아민을 사용하고, 중간체 50-4 합성시 중간체 50-B 대신 디페닐-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보보란-2-일)-페닐]-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 23과 동일한 방법을 이용하여 화합물 49 (2.50g, 수율=64%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C58H41N3: M+ 779.12
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.18-8.13 (m, 2H), 8.09-8.07 (m, 1H), 8.03-8.01(m, 1H), 7.85-7.80(m, 6H), 7.75-7.73 (m, 1H), 7.65-7.63 (m, 1H), 7.58-7.53(m, 10H), 7.41-7.36(m, 2H), 7.14-7.10 (m, 5H), 7.05-7.01 (m, 4H),6.97-6.95 (m, 8H)
합성예 26 : 화합물 55의 합성
중간체 50-3 합성시 중간체 50-A 대신 디페닐-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보보란-2-일)-페닐]-아민을 사용하고, 중간체 50-4 합성시 중간체 50-B 대신 디페닐-[6-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-나프탈렌-2-일]-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 23과 동일한 방법을 이용하여 화합물 55 (2.57g, 수율=62%)를 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C62H43N3: M+ 829.15
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.09-8.07 (d, 1H), 8.00-7.98 (d, 1H), 7.98-7.96 (d, 1H), 7.90-7.88(m, 2H), 7.80-7.76(m, 2H), 7.70-7.68 (m, 1H), 7.60-7.55 (m, 5H), 7.49-7.47(m, 1H), 7.37-7.35(m, 1H), 7.30-7.25 (m, 10H), 7.24-7.20 (m, 3H),7.05-7.00 (m, 5H), 6.98-6.96 (m, 2H), 6.85-6.82 (m, 8H)
합성예 27 : 화합물 58의 합성
중간체 50-3 합성시 중간체 50-A 대신 (4-플루오로-페닐)-페닐-[4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-페닐]-아민을 사용하고, 중간체 50-4 합성시 중간체 50-B 대신 [5-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보로란-2-일)-피리딘-2-일]-디-o-톨릴-아민을 사용하였다는 점을 제외하고는, 합성예 23과 동일한 방법을 이용하여 화합물 58 (2.81g, 수율=68%)을 합성하였다. 생성된 화합물은 LC-MS 및 NMR을 통해 확인하였다.
C59H43FN4: M+ 826.54
1H NMR (CDCl3, 400MHz ) δ 8.50-8.48 (d, 1H), 8.14-8.04 (m, 3H), 7.95-7.93 (dd, 1H), 7.78-7.76(dd, 1H), 7.70-7.66(m, 4H), 7.60-7.58 (d, 1H), 7.55-7.53 (m, 1H), 7.50-7.45(m, 8H), 7.42-7.38(m, 6H), 7.29-7.25 (m, 3H), 7.23-7.20 (m, 2H),7.18-7.14 (m, 2H), 7.12-7.10 (m, 2H), 6.98-6.96 (m, 2H), 1.93(s, 6H)
실시예 1
애노드로서 코닝 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 이 유리기판을 설치하였다.
상기 ITO층(애노드) 상부에 2-TNATA를 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 상기 정공 주입층 상부에 NPB를 증착하여 300Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공 수송층 상부에 9,10-디-나프탈렌-2-일-안트라센(DNA, 호스트) 및 하기 화합물 2(도판트)를 중량비 98:2로 공증착하여 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
이 후, 상기 발광층 상부에 Alq3를 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하고, 상기 전자 수송층 상부에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상부에 Al을 증착하여 3000Å 두께의 제2전극(캐소드)을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조하였다.
Figure 112013073559669-pat00092
실시예 2
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 3을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 8을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 4
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 14를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 5
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 23을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 6
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 30을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 7
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 42를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 8
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 46을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 9
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 50을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 10
발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 51을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 11
정공 주입층 형성시 2-TNATA 대신 화합물 2를 사용하고, 발광층 형성시 화합물 2 대신 화합물 A를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 A>
Figure 112013073559669-pat00093
실시예 12
정공 주입층 형성시 화합물 2 대신 화합물 50을 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
발광층 형성시 화합물 2 대신 상기 화합물 A를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 2
발광층 형성시 화합물 2 대신 상기 화합물 B를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 B>
Figure 112013073559669-pat00094

비교예 3
발광층 형성시 화합물 2 대신 상기 화합물 C를 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 C>
Figure 112013073559669-pat00095

평가예 1
실시예 1 내지 12와 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 발광색, 효율 및 반감 수명(@50㎃/㎠)을 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하였다. 그 결과는 하기 표 2와 같다.
정공 주입층 도펀트 구동
전압
(V)		 전류
밀도
(mA/cm2)		 휘도
(cd/m2)		 효율
(cd/A)		 발광색 반감
수명
(hr)
실시예 1 2-TNATA 화합물 2 6.09 50 3250 6.50 청색 358
실시예 2 2-TNATA 화합물 3 6.15 50 3205 6.41 청색 372
실시예 3 2-TNATA 화합물 8 6.20 50 3515 7.03 청색 341
실시예 4 2-TNATA 화합물 14 6.25 50 3210 6.42 청색 343
실시예 5 2-TNATA 화합물 23 6.30 50 3390 6.78 청색 344
실시예 6 2-TNATA 화합물 30 6.12 50 3375 6.75 청색 358
실시예 7 2-TNATA 화합물 42 6.28 50 3510 7.02 청색 379
실시예 8 2-TNATA 화합물 46 6.17 50 3260 6.52 청색 330
실시예 9 2-TNATA 화합물 50 6.30 50 3200 6.40 청색 375
실시예 10 2-TNATA 화합물 51 6.32 50 3190 6.38 청색 388
실시예 11 화합물 2 화합물 A 5.82 50 9130 5.78 청색 324
실시예 12 화합물 50 화합물 A 5.93 50 3190 5.94 청색 309
비교예 1 2-TNATA 화합물 A 7.01 50 2645 5.29 청색 258
비교예 2 2-TNATA 화합물 B 7.35 50 2065 4.13 청색 245
비교예 3 NPB 화합물 C 7.20 50 2515 5.03 청색 240
표 2로부터, 실시예 1 내지 12의 유기 발광 소자는 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자에 비하여 우수한 구동 전압, 휘도, 효율, 색순도 및 수명 특성을 가짐을 확인할 수 있다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물:
    <화학식 1>
    Figure 112020053228556-pat00096

    상기 화학식 1 중,
    L1 및 L2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-28 중 하나로 표시되고;
    a1 및 a2는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고;
    Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-1 내지 5-14 중에서 선택되고;
    R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중에서 선택되고;
    R3는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐기; 및
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;
    b1은 1 내지 3의 정수이고;
    b2는 1 내지 5의 정수이다:
    Figure 112020053228556-pat00123

    Figure 112020053228556-pat00124

    Figure 112020053228556-pat00125

    Figure 112020053228556-pat00126

    상기 화학식 2-1 내지 2-28 중,
    Y1은 O, S, C(Z3)(Z4), N(Z5) 또는 Si(Z6)(Z7)이고;
    Z1 내지 Z7은 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 중에서 선택되고;
    d1은 1 내지 4의 정수이고;
    d2는 1 내지 3의 정수이고;
    d3는 1 내지 6의 정수이고;
    d4는 1 내지 8의 정수이고;
    d5는 1 또는 2이고;
    d6는 1 내지 5의 정수이고;
    * 및 *"는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고;
    Figure 112020053228556-pat00127

    상기 화학식 5-1 내지 5-14 중,
    Y31은 O, S, C(Z33)(Z34) 또는 N(Z35)이고;
    Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀일기, 및 이소퀴놀일기 중 적어도 하나로 치환된, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기; 및
    Si(Q11)(Q12)(Q13)(여기서, Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로 C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트라세닐기임); 중에서 선택되고;
    e1은 1 내지 5의 정수이고;
    e2는 1 내지 7의 정수이고;
    e3는 1 내지 3의 정수이고;
    e4는 1 내지 4의 정수이고;
    e5는 1 또는 2이고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    Z1 내지 Z7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 및 옥틸기 중에서 선택된, 축합환 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 L1 및 L2가 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-21 중 하나로 표시되는, 축합환 화합물:
    Figure 112013073559669-pat00101

    Figure 112013073559669-pat00102

    상기 화학식 3-1 내지 3-21 중 * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  6. 제1항에 있어서,
    a1은 0이고, a2는 0이거나;
    a1은 0이고, a2는 1이거나;
    a1은 0이고, a2는 2이거나;
    a1은 0이고, a2는 3이거나;
    a1은 1이고, a2는 0이거나;
    a1은 1이고, a2는 1이거나;
    a1은 1이고, a2는 2이거나;
    a1은 1이고, a2는 3이거나;
    a1은 2이고, a2는 0이거나;
    a1은 2이고, a2는 1이거나; 또는
    a1은 2이고, a2는 2이거나, 축합환 화합물.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
    페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기 및 이소퀴놀리닐기; 및
    Si(Q11)(Q12)(Q13)(여기서, Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로 C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트라세닐기임); 중에서 선택된, 축합환 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 내지 Ar4가 서로 독립적으로, 하기 화학식 6-1 내지 6-24 중에서 선택된, 축합환 화합물:
    Figure 112013073559669-pat00104

    Figure 112013073559669-pat00105

    상기 화학식 6-1 내지 6-24 중 *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  11. 제1항에 있어서,
    Ar1 = Ar2 = Ar3 = Ar4이거나,
    Ar1 ≠ Ar2 이고, Ar1 = Ar3 이고, Ar2 = Ar4이거나,
    Ar1 ≠ Ar2 이고, Ar1 = Ar3 이고, Ar2 ≠ Ar4이거나,
    Ar1 ≠ Ar2 ≠ Ar3 ≠ Ar4인, 축합환 화합물.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 1A 내지 1D 중 하나로 표시되는, 축합환 화합물:
    <화학식 1A> <화학식 1B>
    Figure 112020053228556-pat00106
    Figure 112020053228556-pat00107

    <화학식 1C> <화학식 1D>
    Figure 112020053228556-pat00108
    Figure 112020053228556-pat00109

    상기 화학식 1A 내지 1D 중,
    R1 내지 R3에 대한 설명은 각각 제1항에 기재된 바를 참조하고,
    L1 및 L2는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-28 중 하나로 표시되고;
    Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-1 내지 5-14 중에서 선택되고;
    b1 및 b2는 서로 독립적으로 1 또는 2이다:
    Figure 112020053228556-pat00110

    Figure 112020053228556-pat00111

    Figure 112020053228556-pat00112

    Figure 112020053228556-pat00113

    상기 화학식 2-1 내지 2-28 중,
    Y1은 O, S, C(Z3)(Z4), N(Z5) 또는 Si(Z6)(Z7)이고;
    Z1 내지 Z7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 및 옥틸기 중에서 선택되고;
    d1은 1 내지 4의 정수이고;
    d2는 1 내지 3의 정수이고;
    d3는 1 내지 6의 정수이고;
    d4는 1 내지 8의 정수이고;
    d5는 1 또는 2이고;
    d6는 1 내지 5의 정수이고;
    * 및 *"는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고;
    Figure 112020053228556-pat00114

    상기 화학식 5-1 내지 5-14 중,
    Y31은 O, S, C(Z33)(Z34) 또는 N(Z35)이고;
    Z31 내지 Z35는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 및 펜톡시기;
    페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기 및 이소퀴놀리닐기; 및
    Si(Q11)(Q12)(Q13)(여기서, Q11 내지 Q13은 서로 독립적으로 C1-C20알킬기, 페닐기, 나프틸기 또는 안트라세닐기임); 중에서 선택되고;
    e1은 1 내지 5의 정수이고;
    e2는 1 내지 7의 정수이고;
    e3는 1 내지 3의 정수이고;
    e4는 1 내지 4의 정수이고;
    e5는 1 또는 2이고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  15. 제1항에 있어서,
    하기 화합물 1 내지 21 및 23 내지 60 중 하나인, 축합환 화합물:
    Figure 112020053228556-pat00128

    Figure 112020053228556-pat00129

    Figure 112020053228556-pat00130

    Figure 112020053228556-pat00131

    Figure 112020053228556-pat00132
  16. 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자 수송 영역을 포함하며, 상기 유기층이 제1항, 제4항 내지 제6항, 제9항 내지 제11항, 제14항 및 제15항 중 어느 한 항의 축합환 화합물을 1종 이상 포함한, 유기 발광 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역이 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 기능층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 전자 수송 영역이 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함한, 유기 발광 소자.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 축합환 화합물이 상기 발광층에 포함되어 있고, 상기 발광층 중 축합환 화합물이 도펀트의 역할을 하고, 상기 발광층이 호스트를 더 포함한, 유기 발광 소자.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 축합환 화합물이 상기 정공 수송 영역에 포함되어 있는, 유기 발광 소자.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역이 하기 화학식 300으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 301로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함한, 유기 발광 소자:
    <화학식 300>
    Figure 112013073559669-pat00120

    <화학식 301>
    Figure 112013073559669-pat00121

    상기 화학식 300 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로,
    페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트릴렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴싸이오기 및 C2-C60헤테로아릴기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트릴렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 중에서 선택되고,
    상기 화학식 300 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0, 1 또는 2이고;
    상기 화학식 300 및 301 중, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
    수소, 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염 및 인산이나 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
    페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및
    중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 중에서 선택되고;
    상기 화학식 300 중, R109는, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 바이페닐기 및 피리딜기; 및 중수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 이의 염, 술폰산기나 이의 염, 인산이나 이의 염, C1-C20알킬기, 및 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 바이페닐기 및 피리딜기; 중에서 선택된다.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102250186B1 (ko) * 2014-05-19 2021-05-10 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102277659B1 (ko) * 2014-07-03 2021-07-15 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN107250087B (zh) 2015-02-03 2022-01-18 株式会社Lg化学 电活性材料
KR102562893B1 (ko) * 2015-11-03 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102698887B1 (ko) * 2016-05-04 2024-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102600472B1 (ko) 2016-09-13 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN112430190B (zh) * 2019-08-26 2023-04-18 北京夏禾科技有限公司 芳香族胺衍生物及包含其的有机电致发光器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012106995A (ja) 2010-10-25 2012-06-07 Sumitomo Chemical Co Ltd アミン含有ホスフィン化合物

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053255B2 (en) 2000-11-08 2006-05-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Substituted diphenylanthracene compounds for organic electroluminescence devices
US7571894B2 (en) 2003-04-28 2009-08-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescence element
US7233019B2 (en) 2004-04-26 2007-06-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent silylated pyrenes, and devices made with such compounds
JP4734921B2 (ja) 2004-11-30 2011-07-27 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子用化合物及び有機ｅｌ素子
KR100701143B1 (ko) 2005-04-04 2007-03-29 후지필름 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
JP2007119454A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 Chisso Corp フェナレン化合物
JP2007123863A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 Chisso Corp 発光素子用材料及びそれを用いた有機電界発光素子
KR20120081539A (ko) 2011-01-11 2012-07-19 (주)씨에스엘쏠라 유기발광화합물 및 이를 이용한 유기 광소자
KR101701246B1 (ko) * 2011-08-05 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20130049075A (ko) * 2011-11-03 2013-05-13 삼성디스플레이 주식회사 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
CN103589421B (zh) * 2013-11-08 2015-05-20 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光材料及其制备方法
CN103614133B (zh) * 2013-11-08 2014-11-05 吉林奥来德光电材料股份有限公司 有机电致发光材料及其制备方法
CN103589420B (zh) * 2013-11-08 2015-04-15 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种绿色有机电致发光材料及其制备方法
CN103614134B (zh) * 2013-11-08 2014-11-05 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光材料及其制备方法
CN103951694A (zh) * 2014-04-14 2014-07-30 上海大学 吖啶或苯并吖啶衍生物及其合成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012106995A (ja) 2010-10-25 2012-06-07 Sumitomo Chemical Co Ltd アミン含有ホスフィン化合物

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