KR102160326B1 - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 단면도를 나타낸 것이다.
| 샘플 | 호스트 | 구동전압(V) | 발광 피크(nm) | 전류효율(cd/A) |
| 실시예 1 | 화합물 1 | 4.3 | 458 | 54.0 |
| 실시예 2 | 화합물 8 | 3.6 | 457 | 59.5 |
| 실시예 3 | 화합물 9 | 3.8 | 458 | 56.5 |
| 실시예 4 | 화합물 14 | 3.8 | 459 | 55.2 |
| 실시예 5 | 화합물 19 | 3.7 | 459 | 54.8 |
| 실시예 6 | 화합물 22 | 3.7 | 457 | 60.5 |
| 실시예 7 | 화합물 24 | 3.9 | 458 | 57.7 |
| 실시예 8 | 화합물 31 | 3.9 | 459 | 58.6 |
| 실시예 9 | 화합물 34 | 4.0 | 458 | 55.9 |
| 실시예 10 | 화합물 41 | 3.8 | 457 | 58.5 |
| 실시예 11 | 화합물 44 | 3.8 | 458 | 59.0 |
| 실시예 12 | 화합물 56 | 3.6 | 458 | 60.0 |
| 실시예 13 | 화합물 79 | 4.1 | 458 | 57.9 |
| 실시예 14 | 화합물 102 | 3.8 | 459 | 58.3 |
| 실시예 15 | 화합물 114 | 3.7 | 458 | 59.3 |
| 실시예 16 | 화합물 123 | 4.1 | 458 | 57.0 |
| 실시예 17 | 화합물 130 | 3.8 | 458 | 59.1 |
| 실시예 18 | 화합물 147 | 3.9 | 458 | 58.0 |
| 실시예 19 | 화합물 170 | 3.7 | 458 | 60.0 |
| 실시예 20 | 화합물 180 | 3.6 | 457 | 58.8 |
| 실시예 21 | 화합물 192 | 3.7 | 459 | 59.4 |
| 비교예 1 | CBP | 5.5 | 459 | 44.2 |
| 샘플 | 전자 수송층 | 구동전압 (V) |
발광피크 (nm) |
전류효율 (cd/A) |
| 실시예 22 | 화합물 1 | 4.1 | 455 | 7.8 |
| 실시예 23 | 화합물 4 | 3.6 | 451 | 8.8 |
| 실시예 24 | 화합물 5 | 3.5 | 452 | 9.0 |
| 실시예 25 | 화합물 9 | 3.4 | 452 | 8.9 |
| 실시예 26 | 화합물 16 | 3.6 | 453 | 8.5 |
| 실시예 27 | 화합물 17 | 3.5 | 451 | 8.8 |
| 실시예 28 | 화합물 52 | 3.8 | 451 | 9.1 |
| 실시예 29 | 화합물 96 | 3.4 | 453 | 8.6 |
| 실시예 30 | 화합물 99 | 3.7 | 452 | 8.8 |
| 실시예 31 | 화합물 100 | 3.6 | 451 | 9.1 |
| 실시예 32 | 화합물 102 | 3.8 | 450 | 8.3 |
| 실시예 33 | 화합물 109 | 3.4 | 452 | 8.8 |
| 실시예 34 | 화합물 110 | 3.8 | 451 | 8.2 |
| 실시예 35 | 화합물 123 | 4.0 | 455 | 8.5 |
| 실시예 36 | 화합물 126 | 3.5 | 451 | 9.0 |
| 실시예 37 | 화합물 127 | 3.6 | 451 | 9.2 |
| 실시예 38 | 화합물 131 | 3.6 | 452 | 8.8 |
| 실시예 39 | 화합물 137 | 3.7 | 452 | 8.5 |
| 실시예 40 | 화합물 139 | 3.7 | 452 | 8.9 |
| 실시예 41 | 화합물 143 | 3.8 | 451 | 8.6 |
| 실시예 42 | 화합물 154 | 3.5 | 451 | 9.0 |
| 실시예 43 | 화합물 157 | 3.6 | 452 | 8.7 |
| 실시예 44 | 화합물 165 | 3.5 | 451 | 9.2 |
| 실시예 45 | 화합물 174 | 3.3 | 452 | 8.8 |
| 실시예 46 | 화합물 177 | 3.4 | 452 | 8.6 |
| 실시예 47 | 화합물 181 | 3.5 | 452 | 8.7 |
| 실시예 48 | 화합물 188 | 3.6 | 452 | 8.8 |
| 실시예 49 | 화합물 189 | 3.5 | 452 | 9.0 |
| 비교예 2 | Alq3 | 4.9 | 458 | 5.6 |
| 비교예 3 | - | 4.8 | 460 | 6.2 |
| 샘플 | 전자 수송 보조층 | 구동 전압(V) | 발광 피크(nm) | 전류효율(cd/A) |
| 실시예 50 | 화합물 8 | 3.6 | 455 | 9.1 |
| 실시예 51 | 화합물 14 | 3.8 | 456 | 8.9 |
| 실시예 52 | 화합물 22 | 3.4 | 455 | 9.2 |
| 실시예 53 | 화합물 24 | 3.8 | 456 | 8.5 |
| 실시예 54 | 화합물 31 | 3.7 | 455 | 8.8 |
| 실시예 55 | 화합물 41 | 3.6 | 455 | 8.6 |
| 실시예 56 | 화합물 56 | 3.5 | 454 | 9.0 |
| 실시예 57 | 화합물 63 | 3.4 | 455 | 8.9 |
| 실시예 58 | 화합물 79 | 3.6 | 454 | 8.2 |
| 실시예 59 | 화합물 86 | 3.9 | 455 | 8.4 |
| 실시예 60 | 화합물 102 | 3.5 | 455 | 9.2 |
| 실시예 61 | 화합물 110 | 3.7 | 454 | 8.7 |
| 실시예 62 | 화합물 114 | 3.4 | 454 | 9.1 |
| 실시예 63 | 화합물 147 | 3.7 | 455 | 8.9 |
| 실시예 64 | 화합물 170 | 3.9 | 454 | 9.0 |
| 실시예 65 | 화합물 180 | 3.5 | 455 | 8.7 |
| 실시예 66 | 화합물 192 | 3.6 | 455 | 8.9 |
| 비교예 4 | - | 4.8 | 458 | 6.0 |
30: 유기층 31: 정공 수송층
32: 발광층 33: 정공 수송 보조층
34: 전자 수송층 35: 전자 수송 보조층
36: 전자 주입층 37: 정공 주입층
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고;
환 Q1는 C6~C30의 아렌 또는 핵원자수 5 내지 30개의 헤테로아렌이고;
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며;
R4와 R5는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R4와 R5 각각이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 R1, R2, R4 및 R5의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
Ar1은 하기 화학식 2로 표시되는 치환기이며;
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
*는 결합이 이루어지는 부분을 의미하고;
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며;
R6은 하기 화학식 7 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 치환기이고,
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 7 내지 9에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미하고;
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 N 또는 C(R8)이나, 적어도 2이상은 N이며;
o는 0 내지 4의 정수이며;
R7은 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R7이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
R8은 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성하고, 상기 R8이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 L1 및 L2의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 R7 내지 R10의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다. - 제1항에 있어서,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 R1 및 R2의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이한 화합물. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 화학식 7로 표시되는 치환기는 하기 화학식 B-1 내지 B-3 중 어느 하나로 표시되는 치환기인, 화합물:
상기 화학식 B-1 내지 B-3에서,
*은 결합이 이루어지는 부분을 의미하고,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 R9 및 R10의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스파닐기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스파닐기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다. - 제1항에 있어서,
상기 R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 R9 및 R10의 알킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이한, 화합물. - 삭제
- 삭제
- (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. - 제13항에 있어서,
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 수송 보조층, 전자 수송층, 전자 수송 보조층 및 발광층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 층을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
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