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KR101802458B1 - 금속 나노입자 분산액 - Google Patents

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KR101802458B1
KR101802458B1 KR1020157036443A KR20157036443A KR101802458B1 KR 101802458 B1 KR101802458 B1 KR 101802458B1 KR 1020157036443 A KR1020157036443 A KR 1020157036443A KR 20157036443 A KR20157036443 A KR 20157036443A KR 101802458 B1 KR101802458 B1 KR 101802458B1
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Abstract

금속 나노입자를 포함하는 금속 나노입자 분산액으로서 상기 분산액은 하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다:
<화학식 Ⅰ>
Figure 112015126378647-pct00030

여기서, X는 치환 또는 비치환된 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다. 소량의 상기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물의 존재는 적당한 경화 조건에서 상기 금속 나노입자 분산액으로부터 형성된 금속 층 또는 패턴의 전도도를 증가시킨다.

Description

금속 나노입자 분산액{A metallic nanoparticle dispersion}
본 발명은 금속 나노입자 분산액, 상기 금속 나노입자 분산액의 제조 방법 및 이러한 분산액으로부터 제조된 인쇄 및 코팅 유체에 관한 것으로서, 이를 이용하여 적당한 경화 조건에서 높은 전도성의 패턴 또는 코팅을 형성할 수 있다.
소정의 금속의 벌크(bulk) 특성과 비교하였을 경우, 상기 금속의 금속 나노입자가 갖는 독특한 특성 때문에, 금속 나노입자를 함유하는 인쇄 또는 코팅 유체에 대한 관심은 지난 수십 년간 증가해왔다. 예를 들어, 금속 나노입자의 녹는점은 입자 크기가 감소함에 따라 낮아지는데, 이러한 특성으로 인하여 금속 나노입자는 인쇄 전자장치(printed electronics), 전기 화학 관련(electrochemical), 광학 관련, 자기 관련 및 생물학 관련 적용분야에서 관심의 대상이 되고 있다.
예를 들어, 잉크젯 인쇄 또는 스크린 인쇄에 의해 인쇄되거나 고속으로 코팅될 수 있는, 안정하면서도 농축된 금속 인쇄 또는 코팅 유체를 제조하는 것이 가장 관심받고 있는데, 그 이유는 이렇게 하는 것이 낮은 비용으로 전자 장치를 제조할 수 있게 하기 때문이다.
전형적으로, 금속 나노입자는 Mat.Chem.Phys.114, 549-555에 개시된 폴리올 합성법, 상기 폴리올 합성법으로부터 파생된 방법 또는 다양한 환원제의 존재하에서의 금속 염의 인 시튜 환원(in-situ reduction)에 의해 제조된다. 이러한 방법들은 예를 들어, US2010143591, US2009142482, US20060264518 및 US20080220155, EP2147733, EP2139007, EP803551, EP2012952, EP2030706, EP1683592, EP166617, EP2119747, EP2087490 및 EP2010314, WO2008/151066, WO2006/076603, WO2009/152388 및 WO2009/157393에 개시된다.
이러한 폴리올 합성에 있어서, 소위 캡핑제가 금속 전구체 또는 금속 나노입자를 안정화하기 위하여 종종 사용된다. 이러한 캡핑제는 종종 티올(-SH)기, 카르복실(-COOH)기, 또는 아민(-NH)기와 같은 관능기를 함유한다. 예를 들어 US8197717는 폴리올 합성으로 제조된 금속 나노입자를 포함하는 금속 잉크를 개시하고, 여기서 상기 나노입자는 폴리비닐피롤리돈 (PVP)과 같은 캡핑 재료로 캡핑된다.
금속 인쇄 또는 코팅 유체를 기재 위에 도포한 후, 상승된 온도에서, 경화 단계로도 지칭되는, 소결 단계를 수행함으로써 상기 층들의 도포된 패턴의 전도성을 유발/향상시킨다. 상기 금속 인쇄 또는 코팅 유체의 유기 성분들, 예를 들어 폴리머성 분산제 또는 캡핑제(capping agent)는 소결 효율을 감소시키고 이에 따라 도포된 패턴 또는 층의 전도성을 저하시킬 수 있다. 이러한 이유로, 상기 유기 성분들을 분해하기 위하여, 더 높은 소결 온도 및 더 긴 소결 시간이 종종 요구된다.
이러한 높은 소결 온도는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 폴리카보네이트와 같은 비교적 낮은 유리 전이 온도를 갖는 상용 폴리머 포일(polymer foil)에는 적합하지 않다. 따라서, 전도성 층 또는 패턴을 얻기 위해 요구되는 소결 온도를 낮추는 데 관심이 있다.
EP-A 2468827은 열중량분석법(Thermal Gravimetric Analysis)으로 측정하였을 때, 300℃ 미만의 온도에서 95 중량%의 분해율을 갖는 폴리머성 분산제를 개시한다. 이러한 폴리머성 분산제를 포함하는 금속 인쇄 또는 코팅 유체를 사용함으로써, 소결 온도 및 소결 시간을 감소시킬 수 있다. 모두 2011년 12월 21일에 출원된 EP-A 11194791.7 및 EP-A 11194790.9에서는, 소위 소결 첨가제가 EP-A 2468827의 폴리머성 분산제와 함께 사용되어, 소결 온도를 추가로 낮춘다. 소결 첨가제, 즉 특정 카르복실산 또는 술폰산의 양은 상기 분산액의 총 중량을 기준으로, 2 중량%를 초과한다.
2012년 6월 5일에 출원된 EP-A 12170774.9는 분산매(dispersion medium)를 포함하는 금속 나노입자 분산액을 개시하고, 여기서 상기 분산매는 특정 용매, 예를 들어, 2-피롤리돈을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 용매를 분산매로 사용하는 경우, 안정한 금속 나노입자 분산액을 얻기 위하여 폴리머성 분산제가 필요하지 않다.
US2010/0084599은 은 입자 상에 흡착된 짧은-사슬 및 긴-사슬 캡핑제를 함유하는 은 나노입자 조성물을 개시한다. 상기 캡핑제는 모두 특정 분자량을 갖는 음이온성 고분자 전해질이다.
US7931941는 금속 입자 표면에 결합할 수 있고, 금속 입자를 응집으로부터 안정화할 수 있는 3 내지 7개의 탄소 원자를 포함하는 카르복실산의 존재 하에서 금속 염의 화학적 환원으로 금속 나노입자를 합성하는 방법을 개시한다. 상기 합성은 수중에서 수행된다.
US2010/0090179는 카르복실산-안정화 은 나노입자의 제조 방법을 개시하고, 여기서 은 염 입자는 카르복실산을 함유하는 용액에서 환원된다.
본 발명의 목적은 금속 나노입자 분산액을 제공하는 것이고, 이를 이용하여 높은 전도성의 금속 층 또는 패턴이 적당한 경화 조건에서 제조될 수 있다.
상기 목적은 제1항에 정의된 금속 나노입자 분산액에 의해 실현된다. 상기 금속 나노입자 분산액 내의 소량의 특정 화합물의 존재가 상기 분산액으로 제조된 층 또는 패턴의 전도도를 증가시킨다는 것을 발견하였다.
또한 본 발명의 목적은 상기 금속 나노입자 분산액의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 이점 및 구현예들은 하기의 설명 및 종속항들로부터 명백해질 것이다.
금속 나노입자 분산액
본 발명에 따른 금속 나노입자 분산액은 금속 나노입자 및 하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물을 포함한다:
<화학식 Ⅰ>
Figure 112015126378647-pct00001
여기서,
X는 치환 또는 비치환된 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다.
상기 금속 나노입자는 원소 또는 합금 형태의 적어도 1종의 금속을 포함한다. 상기 금속은 바람직하게는 은, 금, 구리, 니켈, 코발트, 몰리브덴, 팔라듐, 백금, 주석, 아연, 티타늄, 크롬, 탄탈럼, 텅스텐, 철, 로듐, 이리듐, 루테늄, 오스뮴, 알루미늄 및 납으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 은, 구리, 몰리브덴, 알루미늄, 금, 구리 또는 이들의 조합에 기초한 금속 나노입자가 특히 바람직하다. 가장 바람직한 것은 은 나노입자이다.
용어 "나노입자"란 분산액 제조의 종료시에 200 nm 미만의 평균 입자 크기를 갖는 분산된 입자를 지칭한다. 상기 금속 나노입자는 분산액 제조의 종료시에서 200 nm 미만, 바람직하게는 100nm 미만, 더욱 바람직하게는 50 nm 미만, 가장 바람직하게는 30 nm 미만의 평균 입자 크기를 갖는다.
상기 금속 나노입자 분산액은 바람직하게는 500 μmol/g 금속, 더욱 바람직하게는 250 μmol/g 금속 미만, 가장 바람직하게는 150 μmol/g 금속 미만의 하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물을 포함한다.
<화학식 Ⅰ>
Figure 112015126378647-pct00002
여기서,
X는 치환 또는 비치환된 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다.
X는 바람직하게는 치환 또는 비치환된 5원 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다.
상기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물의 농도는 바람직하게는 적어도 10 μmol/g 금속, 더욱 바람직하게는 적어도 25 μmol/g 금속이다.
바람직한 일 구현예에서 상기 금속 나노입자 분산액은 하기 화학식 Ⅱ에 따른 화합물을 포함한다:
<화학식 Ⅱ>
Figure 112015126378647-pct00003
여기서,
Y는 CR5R6 및 O로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R3 내지 R6는 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알카릴기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기 및 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로부터 선택된다.
상기 화학식 Ⅱ에 따른 바람직한 화합물에서, R3 내지 R6는 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로부터 선택된다.
특히 바람직한 구현예에서, 상기 화학식 Ⅱ에 따른 화합물은 아스코르브산 유도체 또는 에리토르브산 유도체이다.
가장 바람직한 구현예에서, 상기 일반식 Ⅱ에 따른 화합물은 아스코르브산 및 에리토르브산으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
상기 화학식 Ⅱ에 따른 화합물의 전형적인 예가 표 1에 제공되나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112015126378647-pct00004
 Red-1
Figure 112015126378647-pct00005
 Red-2
Figure 112015126378647-pct00006
 Red-3
Figure 112015126378647-pct00007
 Red-4
Figure 112015126378647-pct00008
 Red-5
Figure 112015126378647-pct00009
 Red-6
Figure 112015126378647-pct00010
 Red-7
Figure 112015126378647-pct00011
 Red-8
Figure 112015126378647-pct00012
 Red-9
Figure 112015126378647-pct00013
 Red-10
Figure 112015126378647-pct00014
 Red-11
Figure 112015126378647-pct00015
 Red-12
상기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물은 이의 제조 시 임의의 시간에 상기 금속 나노입자 분산액에 첨가될 수 있다. 그러나, 제조 방법의 종료시에 상기 산에 첨가하는 것이 안정성의 이유로 유리할 수 있다. 또한 안정성의 이유로, 상기 분산액을 사용하기 직전, 예를 들어 코팅 또는 인쇄 직전에 상기 산을 상기 금속 나노입자 분산액에 첨가하는 것이 유리할 수 있다.
분산매
상기 분산매는 바람직하게는 하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매를 포함한다:
<화학식 Ⅲ>
Figure 112015126378647-pct00016
여기서,
R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고,
R1 및 R2는 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 Ⅲ 중 용어 "알킬"이란 알킬기 중의 각 개수의 탄소 원자에 대해 가능한 모든 변형물(variant)을 의미하는 데, 즉 3개의 탄소 원자의 경우: n-프로필 및 이소프로필이고; 4개의 탄소 원자의 경우: n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸이고; 5개의 탄소 원자의 경우: n-펜틸, 1,1-디메틸-프로필, 2,2-디메틸프로필 및 2-메틸-부틸 등이다.
바람직한 일 구현예에서, 상기 분산매는 하기 화학식 Ⅳ에 따른 용매를 포함한다:
<화학식 Ⅳ>
Figure 112015126378647-pct00017
여기서,
L은 선택적으로 치환된, 선형 또는 분지형 C2-C11 알킬렌기이다.
더욱 바람직한 일 구현예에서, 상기 분산매는 선택적으로 치환된 2-피롤리돈, β-락탐, γ-락탐, δ-락탐, ε-락탐으로부터 선택된 용매를 포함한다.
더더욱 바람직한 일 구현예에서, 상기 금속 나노입자 분산액은 분산매로서 2-피롤리돈, 4-히드록시-2-피롤리돈, δ-발레로락탐 또는 ε-카프로락탐으로부터 선택된 용매를 포함한다. 가장 바람직한 일 구현예에서 상기 분산매는 2-피롤리돈을 포함한다.
상기 금속 나노입자 분산액은 상기 정의된 바와 같은 용매를 상기 분산액의 총 중량을 기준으로, 1 내지 75 중량%, 바람직하게는 2.5 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 25 중량%의 양으로 포함한다.
상기 금속 나노입자 분산액 중의 분산매는 상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매 이외에, 공용매(co-solvent), 바람직하게는 알코올 또는 케톤을 포함할 수 있다. 상기 공용매는 더욱 바람직하게는 에탄올 또는 메틸에틸 케톤(MEK)이다. 상기 공용매는 상기 금속 나노입자 분산액의 제조 초기부터 존재하거나 상기 제조 동안에 또는 상기 제조의 종료시에 첨가될 수 있다.
폴리머성 분산제
상기 분산매는 분산제, 전형적으로 폴리머성 분산제를 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 폴리머성 분산제 (또는 다른 첨가제)는 낮은 소결 온도에서 상기 금속 나노입자 분산액으로 제조된 코팅의 전도도를 저하시킬 수 있으므로, 이들을 사용하지 않는 것이 바람직하다.
폴리머성 분산제는 전형적으로 아크릴산, 메타크릴산, 비닐 피롤리디논, 비닐 부티랄, 비닐 아세테이트 또는 비닐 알코올 모노머로부터 제조된 호모- 또는 코폴리머이다.
또한, 2010년 12월 21일에 출원된 EP-A 10196244.7에 개시된 폴리머성 분산제로서, 열 중량 분석법으로 측정하였을 때, 300℃ 미만의 온도에서 95 중량%의 분해율을 갖는 폴리머성 분산제가 사용될 수 있다.
그러나, 바람직한 일 구현예에서 본 발명에 따른 금속 나노입자 분산액은 상기 분산액의 총 중량을 기준으로 5 중량% 미만, 더욱 바람직하게는 1 중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.1 중량% 미만의 폴리머성 분산제를 포함한다. 특히 바람직한 일 구현예에서 상기 분산액은 폴리머성 분산제를 전혀 포함하지 않는다.
인쇄 또는 코팅 유체
각각 금속 잉크 또는 금속 코팅 용액으로도 지칭되는, 금속성 인쇄 또는 코팅 유체는 상기 정의된 금속 나노입자 분산액으로부터 제조될 수 있다.
상기 금속 나노입자 분산액은 금속성 인쇄 또는 코팅 유체로서 직접 사용될 수 있다. 그러나, 코팅 또는 인쇄 특성을 최적화하기 위해, 사용되는 응용 분야에 따라, 환원제, 습윤/레벨링제, 탈습윤제(dewetting agent), 레올로지 개질제(rheology modifiers), 접착제, 점착성 부여제, 보습제(humectant), 분사제(jetting agent), 경화제, 살생물제(biocide) 또는 산화방지제와 같은 첨가제가 상기 금속 나노입자 분산액에 첨가될 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물은 상기 금속성 인쇄 또는 코팅 유체의 제조 동안에 첨가될 수 있다.
상기 첨가제의 총량은 상기 금속성 인쇄 또는 코팅 유체의 총 중량을 기준으로, 바람직하게는 20 중량% 미만, 더욱 바람직하게는 10 중량% 미만, 더더욱 바람직하게는 5 중량% 미만이다.
증점제가 상기 인쇄 또는 코팅 유체의 점도를 증가시키기 위해 첨가될 수 있다. 바람직한 증점제는 비정질 실리카, 상이한 분자량을 갖는 폴리비닐피롤리돈 및 셀룰로오스계 증점제로부터 선택될 수 있다. 특히 바람직한 증점제는 하이드록시프로필셀룰로오스이다.
고비점 용매가 바람직하게는 인쇄 동안 상기 잉크의 건조를 방지하기 위해 상기 잉크에 첨가된다. 더욱이, 이러한 고비점 용매는 또한 상기 잉크의 전도도에 긍정적인 영향을 미친다. 바람직한 고비점 용매는 디에틸렌글리콜(DEG), 2-부톡시에탄올 및 1-메톡시-2-프로판올이다.
또한 금속성 인쇄 또는 코팅 유체를 제조하는 경우 희석제가 상기 금속 분산액에 첨가될 수 있다. 이러한 선택적인 희석제의 양은 상기 잉크의 총 중량을 기준으로 바람직하게는 75 중량% 미만, 더욱 바람직하게는 60 중량% 미만이다.
상기 희석제는 알코올류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 에스테르류, 지방족 탄화수소류, 고급 지방산류, 카르비톨류, 셀로솔브류 및 고급 지방산 에스테르로부터 선택될 수 있다. 적절한 알코올류는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 1-부탄올, 1-펜탄올, 2-부탄올, t-부탄올을 포함한다. 적절한 방향족 탄화수소류는 톨루엔, 및 자일렌을 포함한다. 적절한 케톤류는 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 2,4-펜탄디온 및 헥사플루오로아세톤을 포함한다. 또한, 글리콜, 글리콜에테르류, N,N-디메틸-아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드가 사용될 수 있다.
상기 금속성 인쇄 또는 코팅 유체의 제조는 교반, 고전단 혼합, 초음파 처리 또는 이들의 조합과 같은 균질화 기법을 사용함으로써 상기 금속 나노입자 분산액에의 선택적인 첨가제 및/또는 희석제의 첨가를 포함한다. 상기 균질화 단계는 100℃ 이하의 상승된 온도에서 수행될 수 있다. 바람직한 일 구현예에서, 상기 균질화 단계는 60℃ 이하의 온도에서 수행된다.
바람직한 일 구현예에서, 금속성 스크린 인쇄 잉크가 제조된다. 이러한 스크린 인쇄 잉크는 3000 내지 400000 mPa·s, 바람직하게는 5000 내지 100000 mPa·s, 더욱 바람직하게는 10000 내지 50000 mPa·s의 점도를 갖는다. 특히 바람직한 일 구현예에 따르면, 은 스크린 인쇄 잉크가 제조된다.
다른 바람직한 구현예에서, 금속성 플렉소그래피 또는 그라비어 잉크가 제조된다. 이러한 잉크는 50 내지 3000 mPa·s, 바람직하게는 200 내지 1000 mPa·s, 가장 바람직하게는 300 내지 500 mPa·s의 점도를 갖는다. 특히 바람직한 일 구현예에 따르면, 은 플렉소그래피 잉크가 제조된다.
다른 바람직한 구현예에서, 금속성 잉크젯 잉크가 제조된다. 이러한 잉크젯 잉크는 1 내지 50 mPa·s, 바람직하게는 5 내지 30 mPa·s, 더욱 바람직하게는 7 내지 15 mPa·s의 점도를 갖는다. 특히 바람직한 일 구현예에 따르면, 은 잉크젯 잉크가 제조된다.
상기 언급된 점도는 (예를 들어 Texas Instruments의 AR2000 점도계로) 20 내지 25의 온도℃에서 1/s의 전단율에서 측정된다.
금속 층 또는 패턴
상기 금속성 인쇄 또는 코팅 유체로부터 인쇄 또는 코팅된, 금속 층 또는 패턴은 종래의 금속성 인쇄 또는 코팅 유체로 얻어진 금속 층 또는 패턴에 비해 낮은 소결 온도에서 더욱 전도성을 띨 수 있다.
상기 금속 층 또는 패턴은 상술한 바와 같은 인쇄 또는 코팅 유체를 기재 위에 도포하는 단계, 및 이후의 한 단계에서 조합될 수 있는, 건조 및/또는 소결 단계를 포함하는 방법에 의해 제조된다.
다중 금속 층 또는 패턴, 즉, 패턴화 또는 비패턴화된 층들의 스택(stack)이 기재 위에 도포될 수 있다. 따라서, 상기 금속 층 또는 패턴의 제조 방법에서 언급된 기재는 이전에 도포된 금속 층 또는 패턴을 또한 포함한다.
상기 금속 층들 또는 패턴들은 잉크젯 방법, 또는 플렉소 인쇄(flexography), 오프셋, 그라비어 또는 스크린 인쇄와 같은 임의의 종래의 인쇄 기법 또는 스프레이 코팅, 블레이드 코팅, 슬롯 다이 코팅과 같은 임의의 종래의 코팅 기법에 의해 실현될 수 있다. 상기 층들 또는 패턴들이 상기 기재 위에 도포된 후, 경화 단계로도 지칭되는, 소결 단계가 수행된다. 이러한 소결 단계 동안, 용매들은 증발하고 상기 금속 입자들은 함께 소결된다. 연속적인 침투 네트워크(continuous percolating network)가 상기 금속 입자들 사이에 형성되면, 상기 층들 또는 패턴들은 전도성이 된다. 종래의 경화는 열을 가함으로써 수행된다. 경화 온도 및 시간은 사용된 기재 및 금속 층 또는 패턴의 조성에 따라 달라진다. 상기 금속 층을 경화하는 경화 단계는 250℃ 미만, 바람직하게는 200℃ 미만, 더욱 바람직하게는 180℃ 미만, 가장 바람직하게는 160℃ 미만의 온도에서 수행될 수 있다.
경화 시간은 선택된 온도, 기재 및 금속 층의 조성에 따라, 60분 이하, 더욱 바람직하게는 30분 이하, 가장 바람직하게는 15분 이하일 수 있다.
그러나, 열을 가하여 수행되는 종래의 경화 대신에 또는 그와 함께, 대안적인 경화 방법들, 예를 들어, 아르곤 레이저에의 노출, 마이크로파 방사에의 노출, UV 방사에의 노출, 저압 아르곤 플라즈마에의 노출, 광 소성(photonic curing), 플라즈마 또는 플라즈마 강화된, 전자 빔 또는 펄스 전류 소결 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 금속 층은 더 낮은 경화 온도의 사용을 가능하게 하여, 고온에서의 열처리를 견딜 수 없는 폴리머성 기재, 예를 들어, PET를 사용하는 것이 가능하게 한다. 적은 경화 시간은 높은 전도도를 가능하게 한다.
경화 후 및 (상기 금속의) 벌크 전도도의 %로 표현되는, 상기 금속 층 또는 패턴의 전도도는 10% 이상, 더욱 바람직하게는 20% 이상, 가장 바람직하게는 30% 이상이다.
금속 층들 또는 패턴들은, 예를 들어, 유기 광전변환소자(OPV), 무기 광전변환소자(c-Si, a-Si, CdTe, CIGS), OLED 디스플레이, OLED 조명, 무기 조명, RFID, 유기 트랜지스터, 박막 배터리, 터치스크린, 전자페이퍼, LCD, 플라즈마, 센서, 막 스위치 또는 전자기 차폐(electromagnetic shielding)로서 다양한 전자 장치 또는 상기 전자 장치의 부품에 사용될 수 있다.
금속 나노입자 분산액의 제조 방법
상기 금속 나노입자 분산액은 최종 금속 나노입자 분산액의 농도가 바람직하게는 500 μmol/g 금속 미만, 더욱 바람직하게는 250 μmol/g 금속 미만, 가장 바람직하게는 150 μmol/g 금속 미만이도록, 상기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물이 상기 제조 방법 동안 첨가되는 한 이러한 분산액의 임의의 알려진 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.
상기 산이 상기 제조 방법의 초기, 상기 제조 방법 동안 또는 상기 제조 방법의 종료시에 첨가될 수 있다는 것이 관찰되었다. 안정성을 위하여, 상기 산 또는 전구체를 상기 제조 방법의 종료시에 첨가하는 것이 유리할 수 있다.
금속 나노입자 분산액을 제조하는 제1 구현예
금속 나노입자 분산액의 바람직한 제조 방법은 금속 전구체 입자를 하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매를 포함하는 분산매에 분산시키는 단계; 및
<화학식 Ⅲ>
Figure 112015126378647-pct00018
(여기서,
R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고,
R1 및 R2는 고리를 형성할 수 있다),
상기 금속 전구체를 환원제로 환원시켜 금속 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하고,
하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물이 상기 제조 방법 동안 또는 종료시에 첨가된다:
<화학식 Ⅰ>
Figure 112015126378647-pct00019
(여기서,
X는 치환 또는 비치환된 5원 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다).
상기 금속 전구체 분산액은 상기 금속 전구체를 상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매를 포함하는 분산매에 첨가함으로써 제조된다.
상기 금속 전구체 입자는 분말, 플레이크, 입자 또는 응집된 입자로서 전형적으로 입수가능하다. 상기 분산액을 제조하기 이전에 플레이크 또는 분말은 건식 밀링, 습식 밀링, 고전단 분산법 또는 체거름 기법에 의해 축소될 수 있다.
상기 금속 전구체 분산액을 제조하기 위해 침전, 혼합, 밀링, 인 시튜 합성(in-situ synthesis) 또는 이들의 조합과 같은 전형적인 분산 방법이 사용될 수 있다. 온도, 처리 시간, 에너지 투입량 등과 같은 실험 조건은 선택된 방법에 따라 달라진다. 상기 분산 공정은 연속, 배치 또는 세미-배치 방식으로 수행될 수 있다.
혼합 장치는 압력 혼련기(pressure kneader), 개방 혼련기(open kneader), 유성형 믹서(planetary mixer), 디솔버(dissolver), 고전단 스탠드 믹서(high shear stand mixer), 달톤 유니버셜 믹서(Dalton Universal Mixer)를 포함할 수 있다. 적합한 밀링 및 분산 장치는, 볼밀(ball mill), 펄밀(pearl mill), 콜로이드밀(colloid mill), 고속 분산기(high-speed disperser), 이중 롤러(double rollers), 비드밀(bead mill), 페인트 콘디셔너(paint conditioner), 트리플 롤러(triple rollers)이다. 유리, 세라믹, 금속, 및 플라스틱과 같은 많은 다양한 유형의 재료가 밀링 매체(milling media)로서 사용될 수 있다. 또한, 상기 분산액은 초음파 에너지를 사용하여 제조될 수 있다.
중량% 금속으로 표시되는, 상기 금속 전구체 분산액의 농도는 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 25 중량%, 가장 바람직하게는 3 내지 15 중량%이다.
상기 금속 나노입자는 상기 금속 전구체 입자로부터 환원 단계, 예를 들어 상기 금속 산화물의 금속으로의 환원에 의해 제조된다.
금속 전구체 입자는 금속 산화물, 금속 염, 금속 수산화물 및 금속 착물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
바람직한 금속 산화물 입자는 산화은, 산화주석, 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 산화 텅스텐(wolfram oxide), 산화 몰리브덴, 산화 카드뮴, 산화 구리 또는 산화 아연 입자이다.
또한, ZnO:Al, SnO2:F 또는 SnO2:Sb 입자와 같은 도핑된 금속 산화물 입자가 사용될 수 있다.
바람직한 금속 수산화물 입자는 구리 수산화물, 티타늄 수산화물, 지르코늄 수산화물, 텅스텐 수산화물, 몰리브덴 수산화물, 카드뮴 수산화물 또는 아연 수산화물 입자이다.
바람직한 금속 염은 질산염, 탄산염, 염화물, 인산염, 붕산염, 술포네이트 및 황산염과 같은 무기산염과 스테아레이트(stearate), 미리스테이트(myristate) 또는 아세테이트(acetate)와 같은 유기산염을 포함한다.
상술한 바와 같이, 특히 바람직한 금속 나노입자는 은 나노입자이다. 이들은 예를 들어, 산화은, 은 질산염 또는 은 아세테이트의 환원에 의해 제조될 수 있다.
상기 환원 단계에서 사용되는 환원제는 바람직하게는 분산매에 용해된다. 상기 환원제는 하이드록실아민 및 이의 유도체, 포름산, 옥살산, 아스코르브산, 히드라진 및 이의 유도체, 디티오트레이톨(DTT), 포스파이트, 하이드로포스파이트, 인산 및 이의 유도체, 리튬 알루미늄 하이드라이드, 디이소부틸알루미늄 하이드라이드, 소듐 보로하이드라이드, 설파이트, 주석(Ⅱ) 착물, 철(Ⅱ) 착물, 아연 수은 아말감, 나트륨 아말감, 원자 수소 또는 린들라 촉매(Lindlar catalyst)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
바람직한 환원제는 하이드록실아민의 유도체이고, N,N-디에틸하이드록실아민이 특히 바람직하다. 다른 바람직한 환원제는 포름산이다.
상기 환원제 대 금속의 몰비로 표시되는, 사용된 환원제의 양은 바람직하게는 0.6 내지 10, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 8, 가장 바람직하게는 1 내지 6이다.
상기 금속 나노입자에 대한 상기 금속 전구체의 환원도(degree of reduction)는 바람직하게는 60 내지 100%이다.
상기 환원제는 바람직하게는 상기 전구체가 지나치게 빨리 환원되는 것을 방지하기 위하여, 제어된 방식으로 상기 분산액에 첨가된다.
금속 나노입자 분산액을 제조하는 제2 구현예
본 발명에 따른 금속 나노입자 분산액의 다른 바람직한 제조 방법은 금속 전구체를 (a) 하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매, 및 (b) 하기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산을 포함하는 분산매에 첨가하여 금속 전구체 분산액 또는 용액을 형성하는 단계:
<화학식 Ⅲ>
Figure 112015126378647-pct00020
(여기서,
R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고,
R1 및 R2는 고리를 형성할 수 있다),
<화학식 Ⅴ>
R-COOH
(여기서 R은 C2-C7 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 사이클로알킬기이다)
상기 금속 전구체를 환원제로 환원시켜 금속 나노입자를 형성하는 단계; 및
상기 금속 나노입자를 침전시켜 적어도 15 중량%의 금속 나노입자를 포함하는 농축된 금속 나노입자 분산액을 얻는 단계;를 포함하고,
하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물이 상기 제조 방법 동안 또는 제조 방법의 종료시에 첨가된다:
<화학식 Ⅰ>
Figure 112015126378647-pct00021
(여기서,
X는 치환 또는 비치환된 5원 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다).
상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매 및 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산의 조합을 사용함으로써, 금속 나노입자의 미세하고 균질한 침전물(sediment)이 얻어질 수 있고, 상기 침전물은 쉽게 재분산되고 상기 침전물을 이용하여 높은 전도성의 층이 제조될 수 있음이 관찰되었다. 가능한 설명은, 상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매 및 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산 모두 상기 금속 전구체 입자 및/또는 상기 금속 나노입자를 안정화하고 이는 입자의 응집을 초래하지 않을 수 있다는 것일 수 있다. 상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매는 상기 금속 나노입자를 특히 안정화하는 반면, 상기 카르복실산은 상기 금속 전구체 입자를 안정화한다는 암시가 있다.
상기 금속 나노입자 분산액의 바람직한 제조 방법에 사용된 반응 또는 분산매는 하기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산을 포함한다:
<화학식 Ⅴ>
R-COOH
여기서 R은 선택적으로 치환된, C2-C7 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 사이클로알킬기이다.
C2-C7 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 사이클로알킬기은 2 내지 7개의 탄소 원자를 포함한다.
R은 바람직하게는 선택적으로 치환된 C2-C7 알킬이다. 용어 "알킬"이란 알킬기 중의 각 개수의 탄소 원자에 대해 가능한 모든 변형물을 의미하는 데, 즉 3개의 탄소 원자의 경우: n-프로필 및 이소프로필이고; 4개의 탄소 원자의 경우: n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸이고; 5개의 탄소 원자의 경우: n-펜틸, 1,1-디메틸-프로필, 2,2-디메틸프로필 및 2-메틸-부틸 등이다.
바람직하게는 R은 n-알킬기이다. 상기 알킬기의 사슬 길이가 증가하는 경우, 상기 반응 혼합물의 정도가 증가한다는 것이 관찰되었다. 반면에, 더 짧은 알킬기를 갖는 산은 수용할 수 없는 냄새를 갖는다. 상기 화학식 Ⅴ 중의 R 기는 가장 바람직하게는 C4-C6 n-알킬기이다.
특히 바람직한 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산은 펜탄산, 헥산산 및 헵탄산이다.
카르복실산 대 금속의 몰비로 표시되는, 본 발명의 방법에서 사용된 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산의 양은 바람직하게는 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 2 내지 8, 가장 바람직하게는 3 내지 6이다.
상기 금속 전구체 분산액은 상기 개시된 분산 방법에 대하여 기술된 바와 같이 상기 금속 전구체를 상기 분산매에 첨가함으로써 제조된다. 그러나 상기 분산매는 이제 상기 화학식 Ⅰ에 따른 용매 및 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산을 포함한다.
상기 금속 나노입자는 상기 금속 전구체 입자로부터 환원 단계, 예를 들어 상기 금속 산화물의 금속으로의 환원에 의해 제조된다. 상기 환원은 상기 개시된 바와 같이 수행될 수 있다.
적어도 15 중량%의 금속 나노입자를 포함하는 고농축된 금속 나노입자 분산액을 실현하기 위해, 침전 단계가 환원 단계 후 수행된다.
침전 단계 후, 금속 나노입자의 미세하고, 균질한 침전물이 얻어진다. 상기 침전 단계 및 선택적인 세척 단계는 또한 상기 분산액으로부터의 코팅의 전도도에 부정적인 영향을 미칠 수 있는 유기 성분 (용매, 카르복실산, 환원제, 바인더)의 제거를 낳을 수 있다.
바람직하게는, 환원 단계 이후, 상기 분산액은 교반기 및 튜브를 포함하는 침전 용기에 옮겨져서 상청액(supernatant)이 제거된다. 그러나 상청액으로부터 침전물을 분리하기 위한 다른 방법이 또한 사용될 수 있다.
침전은 바람직하게는 혼합물을 일정 시간 동안, 예를 들어 밤새 교반하지 않고 방치함으로써 수행된다. 그러나, 침전은 용매 증발에 의해, 비용매(non-solvent)를 첨가함으로써, 원심 분리에 의해 또는 초원심 분리에 의해 유발되거나 촉진될 수 있다.
침전이 완료되는 경우, 상청액은 침전물로부터 제거된다. 침전물로부터 상청액을 분리하는 동안 침전물을 교란시키지 않는 것이 매우 중요하다.
바람직하게는 하나 이상의 세척 단계가 얻어진 침전물에 수행되어 상기 침전물 내에 여전히 존재하는 원하지 않는 성분을 적어도 부분적으로, 추가로 제거한다.
세척 단계에서, 용매는 상기 침전물에 첨가되고 얻어지는 분산액은 일정 시간 예를 들어, 1 시간 또는 30분 동안 교반된다.
이후, 상기 혼합물은 일정 시간, 예를 들어 1 시간 동안 교반하지 않고 방치하여 침전물 및 상청액이 얻어지도록 한다. 상기 상청액은 이후 제거된다.
몇몇 세척 단계가 동일하거나 상이한 용매를 사용하여 수행될 수 있다.
상기 용매는 상기 침전물로부터의 원하지 않는 성분의 제거 및 상기 용매에서의 금속 나노입자의 침전을 고려하여 선택된다. 상기 금속 나노입자의 가역적인 응집은 상기 침전을 촉진할 수 있다. 즉, 상기 화학식 Ⅲ에 따른 용매 및 상기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산의 존재 하에 본 발명의 방법에 의해 제조된 금속 나노입자는 실제로 이러한 가역적인 응집을 특징으로 하고, 이에 따라 침전을 촉진하지만 쉽게 재분산가능한 침전물을 형성하는 것이 관찰되었다.
또한, 마지막 세척 단계에서 사용되는 용매는 상기 분산액으로부터 제조된 인쇄 또는 코팅 유체의 전도성 및 인쇄 특성을 고려하여 선택된다.
바람직한 일 구현예에서, 4번의 세척 단계가 수행된다. 처음 2번의 세척 단계는 1-메톡시-2프로판올로 수행되고, 마지막 2번의 세척 단계는 DOW CHEMICALS의 ButylcellosolveTM, 부틸글리콜에테르로 수행된다.
본 발명의 방법에 의해 얻어진 고농축된 금속 나노입자 분산액은 상기 분산액의 총 중량을 기준으로, 적어도 15 중량%, 더욱 바람직하게는 적어도 30 중량%, 가장 바람직하게는 적어도 50 중량%의 금속 나노입자를 포함한다. 특히 바람직하게는, 상기 금속 나노입자 분산액은 상기 분산액의 총 중량을 기준으로, 60 내지 80 중량%의 금속 나노입자를 함유한다.
상기 금속 나노입자 분산액이 상기 제조 방법으로 제조되는 경우, 세척 단계 후 또는 고농축된 금속 나노입자 분산액으로부터 코팅 또는 인쇄 유체를 제조하는 동안 상기 산 전구체의 산을 상기 금속 나노입자 분산액에 첨가하는 것이 바람직하다.
실시예
재료
하기 실시예들에서 사용된 모든 재료들은 달리 명시되지 않는 한 ALDRICH CHEMICAL Co.(Belgium) 및 ACROS(Belgium)와 같은 표준 공급원으로부터 용이하게 입수가능하였다. 달리 명시되지 않는 한 모든 재료들을 추가적인 정제 없이 사용하였다.
* ButylcellosolveTM 는 DOW CHEMICALS의 부틸글리콜에테르이다.
* Dowanol PMTM 는 DOW CHEMICALS의 1-메톡시-2-프로판올이다.
* KlucelTM J는 HERCULES의 하이드록시프로필셀룰로오스이다.
* DAPRO DF 6800는 ELEMENTIS의 소포제(소수성으로 개질된 실리카를 함유하는 폴리실록산)이다.
*Disperbyk®-2025는 BYK Additives & Instruments의 습윤 첨가제이다.
* IPA는 이소프로필 알코올이다.
* EtOAc는 에틸아세테이트이다.
* AcOH는 아세트산이다.
* THF는 테트라하이드로퓨란이다.
* MEK는 메틸에틸케톤이다.
* DMA는 N,N-디메틸아세트아미드이다.
* NMP는 N-메틸 피롤리돈이다.
* 산화은은 UMICORE로부터 입수하였다.
실시예 1
은 나노입자 분산액 NPD-01 내지 NPD-03의 제조
산화은 78.0 g을 펜탄산 275.0 g 및 2-피롤리돈 401.0 g를 포함하는 1l 반응기에 교반하면서 서서히 첨가하였다. 혼합물의 온도를 25℃로 유지하였다.
산화은의 첨가가 완료된 후, 현탁액을 25℃에서 밤새 교반하였다.
이후, N,N-디에틸하이드록실아민 300.0 g을 상기 현탁액에 1.5 시간의 시간 범위(time span)로 첨가하였다. 반응 혼합물의 온도를 25℃로 유지하였다. 모든 환원제가 첨가되면, 반응 혼합물을 추가의 1 시간 동안 교반하면서 25℃로 유지하였다.
이후 반응 혼합물을 침전 용기에 공급하고, 여기서 교반하지 않고 밤새 유지하였다. 상청액을 침전물로부터 조심스럽게 제거하였다.
얻어진 침전물을 4회 세척하였는데, 2회는 Dowanol PMTM (547 g)로 세척하였고, 2회는 butylcellosolveTM (547 g)로 세척하였다. 각각의 세척 단계에서, 용매를 상기 침전물에 첨가하고 얻어지는 현탁액을 300 rpm에서 0.5 시간 동안 교반하였다. 이후, 교반하지 않은 현탁액을 추가의 1시간 동안 유지하고, 상청액을 조심스럽게 제거하였다.
butylcellosolveTM에 의한 마지막 세척 단계 후, 침전물을 Rousselet Robatel(France)의 원심 경사기(centrifugal decanter)에서, 3000 rpm으로 0.5 시간 동안 원심 분리하였다.
이에 따라 얻어진 은 나노입자 분산액에, 아스코르브산을 표 2에 나타낸 바와 같은 양으로 첨가하였다.
은 나노입자 분산액을 이후 폴리에스테르 기재 위에 코팅하였다 (블레이드 코터, 코팅 두께는 10 ㎛이었다).
코팅된 층을 150℃에서 30분 동안 건조하고 경화시켰다.
표면 저항(SER)을 4점 공선형 프로브(four point collinear probe)를 사용하여 측정하였다. 표면 또는 시트 저항을 하기 식에 따라 계산하였다:
SER = (π/ln2)*(V/I)
여기서,
SER은 Ω/□로 표시되는 층의 표면 저항이고;
π는 수학적 상수로서, 약 3.14와 동일하고;
ln2는 2의 자연 로그값과 동일한 수학적 상수로서, 약 0.693과 동일하고;
V는 상기 4점 프로브 측정 장치의 전압계에 의해 측정된 전압이고;
I는 상기 4점 프로브 측정 장치에 의해 측정된 전원 전류이다.
각각의 샘플에 대하여, 3개의 측정을 코팅의 상이한 위치에서 수행하고 평균 값을 계산하였다.
코팅의 은 함량 MAg (g/m2)을 WD-XRF에 의해 측정하였다.
코팅된 층의 전도도를 하기 식을 사용하여 은의 벌크 전도도의 비율로서 전도도를 계산함으로써 측정하였다.
Figure 112015126378647-pct00022
여기서
ρAg는 은의 밀도 (10.49 g·cm-3)이고 σAg는 은의 비전도도(specific conductivity) (6.3*105 s/cm와 동일함)이다.
전도도를 표 2에 나타낸다.
μmol 아스코르브산/g Ag % Ag 벌크
NPD-01 (비교예) - 0
NPD-02 (본 발명) 36 7.1
NPD-03 (본 발명) 52 59.4
NPD-04 (본 발명) 91 27.5
소량의 아스코르브산의 첨가가 은 분산액으로부터 얻어진 층의 전도도의 실질적인 증가를 낳는다는 것이 표 2로부터 명백하다.
실시예 2
금속 나노입자 분산액 NPD-05 내지 NPD-06의 제조
산화은 (Umicore로부터 입수함) 25.0 g을 에탄올 45.0 g 및 2-피롤리돈 44.8 g의 혼합물에 교반하면서 첨가하여 예비분산액(pre-dispersion)을 얻었다. 예비분산액을 이후 24 시간 동안 교반하였다.
이후 포름산 1.73 ml을 상기 예비분산액에 교반하면서 첨가하고 (1.25 ml/min) 실온으로 온도를 유지하였다. 90분 후, 두 번째 포름산 1.73 ml를 상기 혼합물에 교반하면서 첨가하고 (1.25 ml/min) 실온으로 온도를 유지하였다. 포름산의 첨가 후, 상기 혼합물을 23-25℃에서 2.5 시간 동안 추가로 교반하였다.
이후, 상기 혼합물을 60 ㎛ 여과포를 사용하여 여과하였다. 이후 여과물을 40℃에서 먼저 110 mbar로 60분 동안 농축하고, 이후 60 mbar로 30분 동안 농축하였다.
이에 따라 얻어진 은 나노입자 분산액에, 아스코르브산을 표 3에 나타낸 바와 같은 양으로 첨가하였다.
은 나노입자 분산액을 이후 폴리에스테르 기재 위에 코팅하였다 (블레이드 코터, 코팅 두께는 10 ㎛이었다).
코팅된 층을 150℃에서 30분 동안 건조하고 경화시켰다.
전도도 측정을 실시예 1과 마찬가지로 수행하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
μmol 아스코르브산/g Ag % Ag 벌크
NPD-05 (비교예) - 0.5
NPD-06 (본 발명) 142 22.3
은 나노입자 분산액에의 소량의 아스코르브산의 첨가가 은 분산액으로부터 얻어진 층의 전도도를 실질적으로 증가시킨다 것은 표 3으로부터 명백하다.

Claims (15)

  1. 은 나노입자를 포함하는 은 나노입자 분산액으로서,
    상기 분산액은 하기 화학식 Ⅱ에 따른 화합물을 500 μmol/g 금속 미만의 농도로 포함하고,
    하기 화학식 Ⅴ에 따른 산을 더 포함하는 은 나노입자 분산액:
    <화학식 Ⅱ>
    Figure 112017073315405-pct00024

    여기서,
    Y는 CR5R6 및 O로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R3 내지 R6는 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알카릴기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기 및 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기로부터 선택되고,
    <화학식 Ⅴ>
    R-COOH
    여기서 R은 C2-C7 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 사이클로알킬기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매를 더 포함하는 은 나노입자 분산액:
    <화학식 Ⅲ>
    Figure 112016000294668-pct00025

    여기서,
    R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고,
    R1 및 R2는 고리(ring)를 형성할 수 있다.
  3. 삭제
  4. 은 나노입자 분산액의 제조 방법으로서, 상기 방법은,
    - 은 전구체 입자를 하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매를 포함하는 분산매에 분산시키는 단계
    <화학식 Ⅲ>
    Figure 112017073315405-pct00031

    (여기서,
    R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고,
    R1 및 R2는 고리를 형성할 수 있다); 및
    - 상기 은 전구체를 하이드록실아민 및 이의 유도체 및 포름산으로 이루어진 군으로부터 선택된 환원제로 환원시켜 은 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하고,
    하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물이 상기 제조 방법 동안 또는 상기 제조 방법의 종료시에 첨가되는 은 나노입자 분산액의 제조 방법:
    <화학식 Ⅰ>
    Figure 112017073315405-pct00032

    (여기서,
    X는 치환 또는 비치환된 5원 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다).
  5. 은 나노입자 분산액의 제조 방법으로서, 상기 방법은
    - 은 전구체를 (a) 하기 화학식 Ⅲ에 따른 용매, 및 (b) 하기 화학식 Ⅴ에 따른 카르복실산을 포함하는 분산매에 첨가하여 은 전구체 분산액 또는 용액을 형성하는 단계
    <화학식 Ⅲ>
    Figure 112017073315405-pct00028

    (여기서,
    R1 및 R2는 선택적으로 치환된 알킬기를 나타내고, R1 및 R2는 고리를 형성할 수 있다),
    <화학식 Ⅴ>
    R-COOH
    (여기서 R은 선택적으로 치환된, C2-C7 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 사이클로알킬기이다);
    - 상기 은 전구체를 하이드록실아민 및 이의 유도체 및 포름산으로 이루어진 군으로부터 선택된 환원제로 환원시켜 은 나노입자를 형성하는 단계; 및
    - 상기 은 나노입자를 침전시켜 적어도 15 중량%의 은 나노입자를 포함하는 고농축된 은 나노입자 분산액을 얻는 단계;를 포함하고,
    하기 화학식 Ⅰ에 따른 화합물이 상기 제조 방법 동안 또는 제조 방법의 종료시에 첨가되는 은 나노입자 분산액의 제조 방법:
    <화학식 Ⅰ>
    Figure 112017073315405-pct00029

    (여기서,
    X는 치환 또는 비치환된 5원 고리를 형성하는 필수 원자를 나타낸다).
  6. 제1항에 정의된 은 나노입자 분산액를 기재 위에 도포하는 단계, 및 이후의 경화 단계를 포함하고, 상기 경화 단계는 160℃ 이하의 온도에서 30분 이하 동안 수행되는 전도성 은 층 또는 패턴의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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