KR101550636B1

KR101550636B1 - 마이크로폰 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101550636B1
Application number: KR1020140126788A
Authority: KR
Inventors: 유일선; 김현수
Original assignee: 현대자동차 주식회사
Priority date: 2014-09-23
Filing date: 2014-09-23
Publication date: 2015-09-07
Anticipated expiration: 2034-09-23
Also published as: DE102014224170A1; CN105704629B; US20160088400A1; CN105704629A; US9693149B2

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰은 관통홀을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 관통홀을 덮고 있는 진동부, 그리고 상기 진동부 위에 배치되어 있으며, 상기 진동부와 이격되어 있는 고정 전극을 포함하고, 상기 진동부는 상기 관통홀 위에 배치되어 있는 제1 부분 및 제2 부분, 상기 기판 위에 배치되어 있는 제3 부분을 포함하고, 상기 제1 부분과 상기 제3 부분은 서로 이격되어 있고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분을 연결하고 있으며, 제1 압전부 및 제2 압전부를 포함한다.

Description

마이크로폰 및 그 제조 방법{MICRO PHONE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

마이크로폰은 음성을 전기적인 신호로 변환하는 것으로, 최근 들어 점점 소형화되어 가고 있으며, 이에 따라 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 마이크로폰이 개발되고 있다.

이러한 MEMS 마이크로폰은 종래의 일렉트렛 콘덴서 마이크로(ECM, Electret Condenser Microphone)이 비해 습기와 열에 대한 내성이 강하고, 소형화 및 신호처리 회로와의 집적화가 가능한 장점이 있다.

한편, 고성능 마이크로폰에 요구되는 사양 중, 최대 입력 음압(Acoustic Overload Point, AOP), 감도(Sensitivity) 및 SNR(Signal-to-Noise Ratio)은 서로 트레이드 오프(trade off) 관계가 있다. 이로 인하여, 고감도의 마이크로폰은 최대 입력 음압이 낮아 큰 소리의 감지에 한계를 가지고, 저감도의 마이크로폰은 최대 입력 음압이 높아 큰 소리의 감지는 가능하지만, 낮은 소리의 감지에는 성능이 좋지 못하는 한계가 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 입력되는 마이크로폰의 음압 측정 범위를 향상시키는 것이다.

상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 절연막, 제2 절연막 및 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막 사이에 배치되어 있는 진동막을 포함할 수 있다.

상기 제1 압전부는 상기 제1 절연막 아래에 배치되어 있고, 상기 제2 압전부는 상기 제2 절연막 위에 배치되어 있을 수 있다.

상기 제1 압전부는 제1 압전 하부 전극, 제1 압전 상부 전극 및 상기 제1 압전 하부 전극과 상기 제1 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제1 압전층을 포함할 수 있다.

상기 제2 압전부는 제2 압전 하부 전극, 제2 압전 상부 전극 및 상기 제2 압전 하부 전극과 상기 제2 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제2 압전층을 포함할 수 있다.

상기 진동막은 폴리실리콘 또는 전도성 물질로 이루어져 있을 수 있다.

상기 기판은 실리콘으로 이루어져 있을 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰은 상기 제3 부분 위에 배치되어 있으며, 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법은 기판에 함몰부를 형성한 후, 상기 기판 위에 산화막을 형성하는 단계, 상기 산화막 위에 진동부를 형성하는 단계, 상기 진동부 위에 상기 진동부와 이격되어 있으며, 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 기판의 배면 및 상기 산화막을 식각하여 상기 진동부의 일부분을 노출하는 관통홀을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 진동부는 상기 관통홀 위에 위치하는 제1 부분 및 제2 부분, 그리고 상기 기판 위에 위치하는 제3 부분을 포함하고, 상기 제1 부분과 상기 제3 부분은 서로 이격되어 있고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분을 연결하고 있으며, 제1 압전부 및 제2 압전부를 포함한다.

상기 진동부를 형성하는 단계는 상기 함몰부 내의 상기 산화막 위에 상기 제1 압전부를 형성하는 단계, 상기 산화막 및 상기 제1 압전부 위에 제1 절연막, 진동막 및 제2 절연막을 차례로 형성한 후 패터닝하는 단계, 그리고 상기 제1 압전부에 대응하는 부분의 상기 제2 절연막 위에 상기 제2 압전부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 고정 전극을 형성하는 단계는 상기 진동부 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 금속층을 형성한 후, 금속층을 패터닝하는 단계, 그리고 상기 희생층의 일부를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 기판은 실리콘을 사용하여 형성할 수 있다.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 진동부에 압전부를 이중으로 배치함에 따라 압전부의 응력을 조절할 수 있으므로, 외부로부터 유입되는 음압의 고저에 따라 능동적으로 감지할 수 있다.

따라서, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 유입되는 음압의 고저에 따라 그 측정 범위를 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로폰의 진동부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법을 도시한 도면이다.

첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.

도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.

그러면, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰에 대해 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 마이크로폰의 진동부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 기판(110), 진동부(200), 그리고 고정 전극(180)을 포함한다.

기판(110)은 실리콘(silicon)으로 이루어져 있을 수 있으며, 관통홀(120)이 형성되어 있다.

기판(110) 위에는 진동부(200)가 배치되어 있다. 진동부(200)는 관통홀(120)을 덮고 있다. 기판(110)과 진동부(200) 사이에는 산화막(130)이 배치되어 있다.

이러한 진동부(200)는 제1 부분(150), 제2 부분(155) 및 제3 부분(158)을 포함한다. 제1 부분(150)과 제3 부분(158)은 서로 이격되어 있다. 제1 부분(150)은 관통홀(120) 위에 배치되어 있고, 제3 부분(158)은 기판(110) 위에 배치되어 있다. 또한, 제2 부분(155)은 관통홀(120) 위에 배치되어 있으며, 제1 부분(150)과 제3 부분(158)을 연결하고 있다.

제1 부분(150) 및 제3 부분(158)은 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 포함한다. 진동막(152)은 폴리실리콘(poly silicon)으로 이루어질 수 있다. 또한, 이에 한정하지 않고, 진동막(152)은 전도성을 가지는 물질로 이루어질 수도 있다. 진동막(152)은 제1 절연막(151) 및 제2 절연막(153) 사이에 배치되어 있다. 제3 부분(158)의 제1 절연막(151)은 산화막(130) 위에 배치되어 있다.

제2 부분(155)은 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 포함한다. 또한, 제2 부분(155)은 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)를 더 포함한다.

제1 압전부(140)는 제1 절연막(151) 아래에 배치되어 있으며, 제1 압전 하부 전극(141), 제1 압전층(142) 및 제1 압전 상부 전극(143)을 포함한다. 제1 압전층(142)은 PZT(lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO₃) 및 로셀염(Rochelle salt)과 같은 압전 물질로 이루어져 있으며, 제1 압전 하부 전극(141) 및 제1 압전 상부 전극(143) 사이에 배치되어 있다. 제1 압전 상부 전극(143)은 제1 절연막(151)과 접하고 있다.

제2 압전부(160)는 제2 절연막(153) 위에 배치되어 있으며, 제2 압전 하부 전극(161), 제2 압전층(162) 및 제2 압전 상부 전극(163)을 포함한다. 제2 압전층(162)은 PZT(lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO₃) 및 로셀염(Rochelle salt)과 같은 압전 물질로 이루어져 있으며, 제2 압전 하부 전극(161) 및 제2 압전 상부 전극(163) 사이에 배치되어 있다. 제2 압전 하부 전극(161)은 제2 절연막(153)과 접하고 있다.

기판(110)에 형성된 관통홀(120)에 의해 진동부(200)의 일부 즉, 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)이 노출되는데, 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)이 외부로부터 전달되는 음향에 따라 진동하게 된다.

진동부(200) 위에는 진동부(200)와 이격되어 있는 고정 전극(180)이 배치되어 있다. 고정 전극(180)은 지지층(172)에 위에 배치되어 있으며, 고정되어 있다. 지지층(172)은 진동부(200)의 제3 부분(158) 위에 배치되어 있고, 고정 전극(180)을 지지한다.

고정 전극(180)과 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155) 사이에는 공기층(171)이 형성되어 있어, 고정 전극(180)과 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)은 소정의 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 또한, 고정 전극(180)에는 복수 개의 공기 유입구(181)가 배치되어 있다.

외부로부터의 음향은 고정 전극(180)에 형성된 공기 유입구(181)를 통하여 유입되어 진동부(200)을 자극시키게 되고, 이에 진동부(200)가 진동하게 된다. 이 때, 관통홀(120)에 위에 배치된 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)이 진동하게 된다.

외부로부터의 음향에 의하여 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)이 진동함에 따라, 진동부(200)의 제1 부분(150)과 고정 전극(180) 사이의 간격이 변하게 된다. 이에 따라, 제1 부분(150)의 진동막(152)과 고정 전극(180) 사이의 정전용량이 변하게 되고, 이렇게 변화된 정전용량을 진동부(200)에 연결된 패드(도시하지 않음)을 통하여 신호처리용 회로(도시하지 않음)에서 전기 신호로 바꾸어 외부로부터의 음향을 감지할 수 있게 된다.

한편, 본 실시예에서는 진동부(200)의 제2 부분(155)이 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)를 포함하고 있고, 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)를 사용하여 진동부(200)의 제2 부분(155)에 선택적으로 응력을 가하여 진동부(200)의 제2 부분(155)을 강성을 조절할 수 있다.

외부로부터의 유입되는 음향은 큰 소리 또는 작은 소리일 수 있다.

큰 소리가 외부로부터 유입될 경우 즉, 외부로부터의 유입되는 음압이 클 경우, 진동부(200)의 제1 부분(150)과 고정 전극(180) 사이의 간격이 변화에 따른 제1 부분(150)의 진동막(152)과 고정 전극(180) 사이의 정전용량의 변화를 측정하여 음향을 감지한다.

작은 소리가 외부로부터 유입될 경우 즉, 외부로부터의 유입되는 음압이 작을 경우, 진동부(200)의 제2 부분(155)의 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)에 전압을 인가하여 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)에 응력을 가한다.

제1 압전부(140)에 전압 인가는 제1 압전 하부 전극(141) 및 제1 압전 상부 전극(143)에 전압을 인가한다. 이 때, 제1 압전 하부 전극(141) 및 제1 압전 상부 전극(143)에 배치된 제1 압전층(142)에 응력이 가해진다.

제2 압전부(160)에 전압 인가는 제2 압전 하부 전극(161) 및 제2 압전 상부 전극(163)에 전압을 인가한다. 이 때, 제2 압전 하부 전극(161) 및 제2 압전 상부 전극(163)에 배치된 제2 압전층(162)에 응력이 가해진다.

이 때, 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)는 각각 제1 절연막(151) 및 제2 절연막(153)을 통하여 진동막(152)과 전기적으로 절연되어 있기 때문에 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)에 전압을 인가하여도 진동막(152)에는 그 영향이 미치지 않는다.

진동부(200)의 제2 부분(155)의 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)에 응력이 가해지면, 진동부(200)의 제2 부분(155)의 스프링 상수가 감소하게 되고, 공진 주파수가 감소하게 된다. 따라서, 작은 소리가 외부로부터 유입되는 경우에도 제1 부분(150)의 진동막(152)과 고정 전극(180) 사이의 정전용량의 변화를 측정하여 음향을 감지한 것이 용이할 수 있다.

이와 같이, 본 실시예서는 진동부(200)의 제2 부분(155)이 제1 압전부(140) 및 제2 압전부(160)를 포함함에 따라, 진동부(200)의 제2 부분(155)에 대한 응력을 조절할 수 있으므로, 외부로부터 유입되는 음압의 고저에 따라 능동적으로 감지할 수 있다.

그러면, 도 3 내지 도 7 및 도 1을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법을 도시한 도면이다.

도 3을 참고하면, 기판(110)을 준비한 후, 기판(110)에 복수의 함몰부(111)를 형성한다. 이어서, 기판(110) 위에 산화막(130)을 형성한다. 여기서, 기판(110)은 실리콘으로 이루어질 수 있다.

도 4를 참고하면, 산화막(130) 위에 제1 압전 하부 전극(141), 제1 압전층(142) 및 제1 압전 상부 전극(143)을 포함하는 제1 압전부(140)를 형성한다. 제1 압전부(140)는 기판(110)의 함몰부(111) 내의 산화막(130) 위에 형성한다.

이러한 제1 압전부(140)는 산화막(130) 위에 제1 압전 하부 전극막, 제1 압전막 및 제1 압전 상부 전극막을 차례로 형성한 다음, 제1 압전 하부 전극막, 제1 압전막 및 제1 압전 상부 전극막을 패터닝 하여 형성한다. 제1 압전막은 PZT(lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO₃) 및 로셀염(Rochelle salt)과 같은 압전 물질로 형성한다.

도 5를 참고하면, 산화막(130) 및 제1 압전부(140) 위에 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 차례로 형성한다. 여기서, 진동막(152)은 폴리실리콘(poly silicon)으로 형성할 수 있다. 또한, 이에 한정하지 않고, 진동막(152)은 전도성을 가지는 물질로 형성할 수도 있다.

이 때, 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 패터닝하여 이 후 설명하는 진동부(200)의 제1 부분(150), 제2 부분(155) 및 제3 부분(158)으로 구분한다.

도 6을 참고하면, 제2 절연막(153) 위에 제2 압전 하부 전극(161), 제2 압전층(162) 및 제2 압전 상부 전극(163)을 포함하는 제2 압전부(160)를 형성한다. 제2 압전부(160)는 제1 압전부(140)에 대응하는 부분에 형성한다.

이러한 제2 압전부(160)는 제2 절연막(153) 위에 제2 압전 하부 전극막, 제2 압전막 및 제2 압전 상부 전극막을 차례로 형성한 다음, 제2 압전 하부 전극막, 제2 압전막 및 제2 압전 상부 전극막을 패터닝 하여 형성한다. 제2 압전막은 PZT(lead zirconate titanate), 티탄산바륨(BaTiO₃) 및 로셀염(Rochelle salt)과 같은 압전 물질로 형성한다.

이에 제1 부분(150), 제2 부분(155) 및 제3 부분(158)을 포함하는 진동부(200)가 형성된다. 도 2를 참고하면, 제1 부분(150)과 제3 부분(158)은 서로 이격되어 있고, 제2 부분(155)은 제1 부분(150 및 제3 부분(158)을 연결하고 있다.

제1 부분(150) 및 제3 부분(158)은 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 포함한다.

제2 부분(155)은 제1 절연막(151), 진동막(152) 및 제2 절연막(153)을 포함한다. 또한, 제2 부분(155)은 제1 절연막(151) 아래에 형성된 제1 압전부(140) 및 제2 절연막(153) 위에 형성된 제2 압전부(160)를 더 포함한다.

도 7을 참고하면, 진동부(200) 위에 희생층(170)을 형성한 후, 희생층(170) 위에 복수의 공기 유입구(181)를 포함하는 고정 전극(180)을 형성한다.

희생층(170)은 감광물질로 형성할 수 있다. 감광물질은 공정 상 열적, 기계적으로 안정한 구조를 가지며, 쉽게 제거될 수 있다. 이러한 감광물질을 사용하여 희생층(170)을 형성함에 따라, 희생층(170)의 형태를 다양하게 구현할 수 있다. 또한, 이에 한정하지 않고, 희생층(170)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물으로 형성할 수도 있다.

복수의 공기 유입구(181)를 포함하는 고정 전극(180)은 희생층(170) 위에 금속층을 형성한 후, 패터닝 하여 형성한다. 여기서, 금속층의 패터닝은 금속층 위에 감광층을 형성한 후, 감광층을 노광 및 현상하여 감광층 패턴을 형성한 다음, 감광층 패턴을 마스크로하여 금속층을 식각하여 실시할 수 있다.

도 1을 참고하면, 기판(110)에 관통홀(120)을 형성하고, 희생층(170)의 일부를 제거하여 공기층(171) 및 지지층(172)을 형성한다.

관통홀(120)을 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)을 노출한다. 관통홀(120)은 기판(110)의 배면을 건식 식각 또는 습식 식각을 실시하여 형성한다. 이 때, 기판(110)의 배면의 식각 시, 산화막(130)의 일부를 식각하여 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155)을 노출한다.

희생층(170)은 공기 유입구(181)를 통하여 식각액을 사용하는 습식 방법으로 제거할 수 있다. 또한, 희생층(170)은 공기 유입구(181)를 통하여 산소 플라즈마(O₂ plazma)에 따른 애싱(ashing)과 같은 건식 방법으로 제거할 수 있다. 습식 또는 건식 제거 방법을 통하여 희생층(170)의 일부가 제거되어 고정 전극(180)과 진동부(200)의 제1 부분(150) 및 제2 부분(155) 사이 공기층(171)을 형성하고, 제거되지 않은 희생층(170)은 고정 전극(180)을 지지하는 지지층(172)을 형성한다. 지지층(172)은 진동부(200)의 제3 부분(158)에 형성된다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

110: 기판 111: 함몰부
120: 관통홀 130: 산화막
140: 제1 압전부 150: 제1 부분
155: 제2 부분 158: 제3 부분
160: 제2 압전부 170: 희생층
171: 공기층 172: 지지층
180: 고정 전극 181: 공기 유입부
200: 진동부

Claims

관통홀을 포함하는 기판,
상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 관통홀을 덮고 있는 진동부, 그리고
상기 진동부 위에 배치되어 있으며, 상기 진동부와 이격되어 있는 고정 전극을 포함하고,
상기 진동부는
상기 관통홀 위에 배치되어 있는 제1 부분 및 제2 부분,
상기 기판 위에 배치되어 있는 제3 부분을 포함하고,
상기 제1 부분과 상기 제3 부분은 서로 이격되어 있고,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분을 연결하고 있으며, 제1 압전부 및 제2 압전부를 포함하는 마이크로폰.
제1항에서,
상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 절연막, 제2 절연막 및 상기 제1 절연막과 상기 제2 절연막 사이에 배치되어 있는 진동막을 포함하는 마이크로폰.
제2항에서,
상기 제1 압전부는 상기 제1 절연막 아래에 배치되어 있고,
상기 제2 압전부는 상기 제2 절연막 위에 배치되어 있는 마이크로폰.
제3항에서,
상기 제1 압전부는 제1 압전 하부 전극, 제1 압전 상부 전극 및 상기 제1 압전 하부 전극과 상기 제1 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제1 압전층을 포함하는 마이크로폰.
제4항에서,
상기 제2 압전부는 제2 압전 하부 전극, 제2 압전 상부 전극 및 상기 제2 압전 하부 전극과 상기 제2 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제2 압전층을 포함하는 마이크로폰.
제2항에서,
상기 진동막은 폴리실리콘 또는 전도성 물질로 이루어져 있는 마이크로폰.
제1항에서,
상기 기판은 실리콘으로 이루어져 있는 마이크로폰.
제1항에서,
상기 제3 부분 위에 배치되어 있으며, 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 더 포함하는 마이크로폰.
기판에 함몰부를 형성한 후, 상기 기판 위에 산화막을 형성하는 단계,
상기 산화막 위에 진동부를 형성하는 단계,
상기 진동부 위에 상기 진동부와 이격되어 있으며, 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 형성하는 단계, 그리고
상기 기판의 배면 및 상기 산화막을 식각하여 상기 진동부의 일부분을 노출하는 관통홀을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 진동부는
상기 관통홀 위에 위치하는 제1 부분 및 제2 부분, 그리고
상기 기판 위에 위치하는 제3 부분을 포함하고,
상기 제1 부분과 상기 제3 부분은 서로 이격되어 있고,
상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분을 연결하고 있으며, 제1 압전부 및 제2 압전부를 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
제9항에서,
상기 진동부를 형성하는 단계는
상기 함몰부 내의 상기 산화막 위에 상기 제1 압전부를 형성하는 단계,
상기 산화막 및 상기 제1 압전부 위에 제1 절연막, 진동막 및 제2 절연막을 차례로 형성한 후 패터닝하는 단계, 그리고
상기 제1 압전부에 대응하는 부분의 상기 제2 절연막 위에 상기 제2 압전부를 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
제10항에서,
상기 제1 압전부는 제1 압전 하부 전극, 제1 압전 상부 전극 및 상기 제1 압전 하부 전극과 상기 제1 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제1 압전층을 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
제11항에서,
상기 제2 압전부는 제2 압전 하부 전극, 제2 압전 상부 전극 및 상기 제2 압전 하부 전극과 상기 제2 압전 상부 전극 사이에 배치되어 있는 제2 압전층을 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
제12항에서,
상기 진동막은 폴리 실리콘 또는 전도성 물질을 사용하여 형성하는 마이크로폰의 제조 방법.
제9항에서,
상기 고정 전극을 형성하는 단계는
상기 진동부 위에 희생층을 형성하는 단계,
상기 희생층 위에 금속층을 형성한 후, 금속층을 패터닝하는 단계, 그리고
상기 희생층의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
제9항에서,
상기 기판은 실리콘을 사용하여 형성하는 마이크로폰의 제조 방법.