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KR101399652B1 - 실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자 - Google Patents

실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자 Download PDF

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KR101399652B1
KR101399652B1 KR1020070119311A KR20070119311A KR101399652B1 KR 101399652 B1 KR101399652 B1 KR 101399652B1 KR 1020070119311 A KR1020070119311 A KR 1020070119311A KR 20070119311 A KR20070119311 A KR 20070119311A KR 101399652 B1 KR101399652 B1 KR 101399652B1
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KR
South Korea
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light emitting
phosphor
white light
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silicate
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임승재
슈니치 쿠보다
김영식
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 실리케이트 형광체를 제공한다.
<화학식 1>
Lia-xAxSrb-y-z-lByEuzClSic-mDmOd-nEn
상기 식에서, A는 Na1+, K1+, Rb1+, 및 Cs1+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, B는 Mg2+, Ca2+, Ba2+ 및 Zn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, C는 Sc3+, Y3+, La3+, Gd3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+ 및 Bi3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, D는 B3+, Al3+, Ga3+, In3+ 및 Tl3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, E는 F-, Cl-, Br-, 및 I-로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 1.5≤a≤2.5, 1.0≤b≤2.5, 1.0≤c≤2.5, 3≤d≤5, 0≤x<2, 0≤y<1, 0<z≤0.1, 0<l≤0.1, 0<m≤0.1 및 0≤n≤1이다.
본 발명의 실리케이트 형광체는 UV-LED 및 청색-LED형 백색 발광 소자에 사용하기에 적합하며, 우수한 발광 효율을 구현한다. 또한 본 발명에 따른 백색 발광 소자는 연색 지수가 높은 백색광을 구현한다.
실리케이트 형광체, 백색 발광 소자

Description

실리케이트 형광체, 이를 포함하는 백색 발광 소자 {Silicate phosphor and white light emitting device including silicate phosphor}
본 발명은 실리케이트 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 발광 효율을 구현하는 실리케이트 형광체, 높은 연색 지수를 갖는 백색광을 구현하는 상기 실리케이트 형광체를 포함하는 백색 발광 소자에 관한 것이다.
종래 광 시스템으로 형광등 및 백열등이 널리 사용된다. 그러나, 형광등에서 사용되는 Hg은 환경 문제를 야기한다. 또한, 상기 종래 광 시스템들은 수명이 매우 짧을 뿐 아니라, 그 효율도 매우 낮기 때문에 절전 측면에서 바람직하지 못하다. 이에 대하여 최근 많은 연구에 의해 백색 발광 소자의 효율이 증대되었다.
이러한 백색 발광 소자를 구현하는 방법은, UV LED를 광원으로 이용하고 빛의 삼원색인 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 청색 LED를 광원으로 사용하여 적색 및 녹색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방식, 또는 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식으로 구분된다.
상기 세 가지 방법 중에서 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식은 적색의 강도가 떨어서 색 구현 측면에서 문제가 있다.
따라서, 상기 세 가지 방식 중 나머지의 UV 및 청색 LED 및 형광체를 사용하여 광 시스템을 개발하고자 하는 연구가 증가하고 있다. 그런데 이들 방식들은 우수한 색 구현은 가능하나, 효율이 떨어지는 단점이 있다.
한편, 종래 공지된 적색 형광체는 백색 발광 소자에 구현하기에 적합하지 않다. 이들은 캐소드 레이 (cathode ray), VUV (vacuum ultraviolet ray) 및 단파에 대하여 발광 효율이 뛰어나지만, 상기 백색 발광 소자에서 사용되는 UV 및 청색 광에 대하여 그렇지 못하다. 따라서, 백색 발광 소자 기술 분야에서 UV 및 청색 광에 대하여 고효율을 갖는 적색 형광체 개발에 대한 요구가 절실하다.
이러한 상황에서, 실리케이트계 형광체가 개발되었는데, Chem. Mater., Vol. 18, 5267 (2006), IEICE Trans. Electron. Vol. E89-C, 1406 (2006)에서는, Li2SrSiO4:Eu의 오렌지-옐로우 형광체를 개시하면서, 이를 청색 LED 광원으로 여기하여 백색광을 구현하는 백색 발광 소자를 개시하고 있다.
이에 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 우수한 색지수 및 광 효율을 구현할 수 있는 실리케이트 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 실리케이트 형광체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는:
하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 실리케이트 형광체를 제공한다.
<화학식 1>
Lia - xAxSrb -y-z- lByEuzClSic - mDmOd - nEn
상기 식에서, A는 Na1+, K1+, Rb1+, 및 Cs1+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, B는 Mg2+, Ca2+, Ba2+ 및 Zn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, C는 Sc3+, Y3+, La3+, Gd3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+ 및 Bi3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, D는 B3+, Al3+, Ga3+, In3+ 및 Tl3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, E는 F-, Cl-, Br-, 및 I-로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 1.5≤a≤2.5, 1.0≤b≤2.5, 1.0≤c≤2.5, 3≤d≤5, 0≤x<2, 0≤y<1, 0<z≤0.1, 0<l≤0.1, 0<m≤0.1 및 0≤n≤1이다.
또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는,
UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
상기 본 발명에 따른 실리케이트 형광체을 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
또한, 상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는,
청색 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
상기 본 발명에 따른 실리케이트 형광체을 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 실리케이트 형광체를 제공한다.
<화학식 1>
Lia - xAxSrb -y-z- lByEuzClSic - mDmOd - nEn
상기 식에서, A는 Na1+, K1+, Rb1+, 및 Cs1+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, B는 Mg2+, Ca2+, Ba2+ 및 Zn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, C는 Sc3+, Y3+, La3+, Gd3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+ 및 Bi3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, D는 B3+, Al3+, Ga3+, In3+ 및 Tl3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, E는 F-, Cl-, Br-, 및 I-로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 1.5≤a≤2.5, 1.0≤b≤2.5, 1.0≤c≤2.5, 3≤d≤5, 0≤x<2, 0≤y<1, 0<z≤0.1, 0<l≤0.1, 0<m≤0.1 및 0≤n≤1이다.
상기 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물, 실리케이트 형광체는 UV 및 청색 광에 대하여 모두 여기되기 때문에, 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체를 포함하는 백색 발광소자는 UV-LED 및 청색-LED를 여기 광원으로서 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체는 그 금속 이온의 조성에 따라, 즉, 상기 화학식 1 내의 A, B, C, D 및 E로 표시되는 원소들이 변함에 따라 약 300 nm 내지 약 500 nm 파장의 빛을 흡수하여 약 520 nm 내지 약 600 nm 피크 파장의 가시광을 발광할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체는 녹색에서 오렌지에 이르는 넓은 범위에 걸쳐서 우수한 발광을 얻을 수 있는 물질이다. 특히, 580nm 이상의 파장 대역에서 발광을 하는 형광체를 얻을 수 있는데, 이는 높은 연색 지수 (Color Rendering Index)를 갖는 백색광을 구현하는 데에 매우 유용하다. 높은 연색지수를 보이는 백색 조명은 의료용, 식료품 전시용, 박물관, 미술관 등에서 필수 불가결하며 고품질 생활 조명으로 적용 가 능하다.
또한, 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체는 약 300 nm 내지 약 500 nm 파장의 빛을 흡수하기 때문에, 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체는 UV LED를 광원으로 이용하고 적색, 녹색, 청색을 내는 3 개의 형광체를 조합하여 백색을 구현하는 방식 및 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방식의 백색 발광 소자의 유형 모두에 매우 적합하게 사용될 수 있으며, 이러한 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체를 포함하는 백색 발광 소자는 우수한 백색 발광을 구현하면서도, 높은 효율을 구현할 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1에서 C는 Ce이다. 또한, 바람직하게는, D는 Al이다.
상기 화학식 1의 실리케이트 형광체에서, Eu와 Ce의 합의 함량이 일정량 이하일 때, 더욱 고발광 효율을 갖는 형광체를 얻을 수 있다. 바람직하게는, 상기 z+l의 범위는 0<z+l≤0.05이다.
바람직하게는, 상기 화학식 1의 화합물이 Li2Sr1 -p- qEupCeqSi1 - qAlqO4 또는 Li2 -qSr1-p-qEupCeqSiO4고, 0<p+q≤0.05이다.
상기 본 발명에 따른 화학식 1의 실리케이트 형광체의 제조방법은, 특히 제한되지는 않고, 공지된 기술, 고상법, 액상법 또는 기상법 중 어느 것에 의하여도 제조될 수 있다.
예를 들어 고상법에 의할 경우, 상기 화학식 1에 포함된 각 원소들의 전구체를 준비한다. 상기 전구체는 각 원소의 산화물, 탄산화물, 질산화물, 수산화물, 염화물 등이 사용될 수 있다. 이러한 각 원소의 전구체 화합물들의 혼합 분말을 준비한 다음, 이를 약 500℃ 내지 1000℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 대기하에서 1차 소성한 후, 다시 1차 소성 결과물은 수소와 질소의 혼합 가스의 환원 분위기 하에서 약 700℃ 내지 1200℃에서 2차 소결한다. 여기에서 상기 혼합가스에서 수소의 함량은 적어도 5 부피% 정도가 되도록 조절한다.
상기 소결을 2단계에 걸쳐 실시하는 것은 1차 소결은 혼합 원료에 포함된 수분, 유기물 또는 일부염의 착화합물과 같은 불순물을 제거시키면서 결정 성장을 촉진시키는 위함이다. 만약 1차 소결온도가 500℃ 미만이면 결정이 잘 형성되지 않고, 1000℃를 초과하면 혼합 원료의 승화가 일어나 화학양론비가 깨지거나, 혼합 성분 내에서 불필요한 미반응 물질을 형성할 수 있어 오히려 2차상 소결 생성 반응을 방해하게 되어 파장 변환 효율을 저하시키는 문제점이 있다.
상기 2차 소결온도가 700℃ 미만이면 합성 반응이 원할하게 이루어지지 못해서 원하는 발광 세기를 얻을 수 없게 되고 1200℃를 초과하면 목적물이 고온에서 용해되어 유리상이 형성되어 발광 세기가 감소하며 원하는 물성의 분말을 얻기가 어렵게 되므로 바람직하지 못하다.
이렇게 얻은 소결체를 분말로 분쇄하고, 증류수로 세척하여, 원하는 형광체를 얻을 수 있다.
공정 측면에서 살펴볼 때, 질화물 적색 형광체의 경우 우수한 발광 특성에도 불구하고 까다로운 합성 조건으로 제조 단가가 높은 단점이 있으나, 본 발명에서 제시하는 형광체의 경우 고상 반응법, 공침범, 솔젤법 등 용이한 방법으로 제조가 가능하여 높은 경제성을 가진다. 특히 녹는점이 낮아 고상 반응법으로 합성 시 1000℃ 부근, 또는 그 이하의 낮은 온도에서 최적의 합성이 가능하다.
본 발명은 또한, UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및 상기 본 발명에 따른 실리케이트 적색 형광체을 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 UV-LED는 여기 광원이 자외선, 근자외선 영역의 전자기파이다.
더욱 바람직하게는, 상기 백색 발광 소자에 있어서, 상기 UV LED의 여기 광원의 피크 파장 대역이 380 내지 460nm 범위이다.
상기 본 발명에 따른 백색 발광 소자는 청색 형광체, 녹색 형광체 또는 적색 형광체 중 하나, 또는 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 둘 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 청색 형광체의 예를 들면, (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2 +; BaMg2Al16O27:Eu2 +; Sr4Al14O25:Eu2+; BaAl8O13:Eu2 +; BaMgAl10O17:Eu2 + , Sr2Si3O8·2SrCl2:Eu2 +; Ba3MgSi2O8:Eu2 +; (Sr,Ca)10(PO4)6·nB2O3:Eu2 + 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
상기 녹색 형광체의 예를 들면, (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2 +; Ba2MgSi2O7:Eu2 +; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2 +; SrAl2O4:Eu2 +; BaMgAl10O17:Eu2 +, Mn2 + ; BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+ 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
상기 적색 형광체의 예를 들면, CaAlSiN3:Eu2 +; Sr2Si5N8:Eu2 +; (Sr,Ba,Ca)2P2O7:Eu2+,Mn2+; (Ba,Mg)SiO4:Eu2 +,Mn2 +; (Ba,Ca)Ga2O7:Eu2 +,Mn2 +; Ba2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+; 3.5MgO·0.5MgF2·GeO4:Mn4 + 등을 들 수 있으며, 이들을 하나 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 본 발명에 따르는 UV 발광 다이오드를 포함하는 백색 발광 소자에 있어서, 상기 실리케이트 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 565 내지 600 nm이다.
바람직하게는, 상기 청색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 420 내지 480 nm이다.
바람직하게는, 상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 510 내지 560 nm이다.
바람직하게는, 상기 적색 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 610 내 지 670 nm이다.
또한, 본 발명은 청색 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및 상기 본 발명에 따른 실리케이트 형광체을 포함하는 백색 발광 소자를 제공한다.
바람직하게는, 상기 청색-LED는 여기 광원으로서, 420 내지 480 nm 파장 대역을 갖는다.
바람직하게는, 상기 본 발명에 따르는 청색 발광 다이오드를 포함하는 백색 발광 소자에 있어서, 상기 실리케이트 형광체의 방출 스펙트럼에서 피크의 파장은 560 내지 590 nm이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 LED의 구조를 나타낸 개략도로서, 고분자 렌즈 타입의 표면실장형 LED를 도시한 것이다. 여기에서 고분자 렌즈의 일실시예로서 에폭시 렌즈를 사용한다.
도 1을 참조하여, UV LED 칩 (10)을 금 와이어 (20)를 통하여 전기리드선 (30)과 다이본딩되고, 본 발명에 따른 적색 형광체를 함유하는 형광체 조성물 (40)을 포함하도록 에폭시 몰드층 (50)이 형성되어 있다. 그리고 도 1에서 성형몰드 (60)의 내부는 알루미늄 또는 은으로 코팅된 반사막으로 이루어지며, 이는 다이오드에서 방출된 광을 위로 반사시키는 역할 및 적당량의 에폭시를 가두는 역할을 한다.
상기 에폭시 몰드층 (50) 상부에는 에폭시 돔 렌즈 (70)이 형성되어 있고, 이 에폭시 돔 렌즈 (70)는 원하는 지향각에 따라 모양이 변화될 수 있다.
본 발명의 LED는 도 1의 구조로만 한정되는 것을 의미하는 것은 아니며, 이 밖에 다른 구조 예를 들어 LED에 형광체가 실장되는 타입, 포탄형, PCB 타입의 표면 실장형 타입의 구조를 갖는 LED일 수 있다.
한편, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 실리케이트 형광체는 상술한 LED이외에 수은 램프, 크세논 램프 등과 같은 램프 또는 자발광 액정 표시 소자 (LCD)에도 적용가능하다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 발명에 따르는 상기 화학식 1의 실리케이트 형광체가 높은 연색성을 갖는 백색광의 구현이 가능하기 때문에 상기 본 발명에 따르는 백색 발광 소자는 높은 연색 지수를 보이는 백색 조명이 필수 불가결한 의료용, 식료품 전시용, 박물관, 미술관에서 고품질 생활 조명으로서 유용하게 사용될 수 있다. 그 밖에 신호등, 디스플레이 장치의 백라이트, 통신기기 등의 광원으로서도 적용이 가능하다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
고상 반응법을 사용하여 제조하였다. 원료 분말 Li2CO3 9.039 g, SrCO3 16.57 g, SiO2 6.965 g, Eu2O3 0.10 g, CeO2 0.1 g, Al(OH)3 0.045 g을 막자 사발을 이용하여 1 시간 동안 혼합하였다. 혼합된 분말을 알루미나 반응 용기에 담고, 대기 700℃에서 6시간 동안 열처리한 후, 막자 사발을 이용하여 30분 가량 혼합하고, 최종적으로 H2/N2=5/95 혼합 기체 분위기 1000℃에서 8시간 동안 소성하였다. 이와 같이하여 형광체 Li2Sr0 .99Eu0 .005Ce0 .005Si0 .995Al0 .005O4를 얻었다.
비교예 1
고상 반응법을 사용하여 제조하였다. 원료 분말 Li2CO3 9.039 g, SrCO3 16.65 g, SiO2 7 g, Eu2O3 0.103 g을 막자 사발을 이용하여 1 시간 동안 혼합하였다. 혼합된 분말을 알루미나 반응 용기에 담고, 대기 700℃에서 10시간 동안 열처리한 후, 막자 사발을 이용하여 30분 가량 혼합하고, 최종적으로 H2/N2=5/95 혼합 기체 분위기 1000℃에서 8시간 동안 소성하였다. 이와 같이하여 형광체 Li2Sr0.995Eu0.005SiO4를 얻었다.
도 2은 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 형광체의 400 nm에서 여기된 발광 스펙트럼을 도시한 것이다. 실시예 1에서 제조된 형광체의 발광 효율이 월등히 높은 것을 확인할 수 있다.
도 3는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 형광체의 450 nm에서 여기된 발광 스펙트럼을 도시한 것이다. 역시 실시예 1에서 제조된 형광체의 발광 효율이 월등히 높은 것을 확인할 수 있다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 형광체의 흡수 스펙트럼을 도시한 것이다. 실시예 1에서 제조된 형광체가 월등히 빛의 흡수량이 높은 것을 알 수 있 다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10… LED 칩 20… 금 와이어
30… 전기 리드선 40… 형광체 조성물
50… 에폭시 몰딩층 60… 성형 몰드
70… 에폭시 돔 렌즈
도 1은 본 발명의 일 구현예에 의한 LED 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2은 본 발명의 다른 구현예에 의한 형광체와 다른 실리케이트 형광체의 400 nm에서 여기된 발광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 3는 본 발명의 다른 구현예에 의한 형광체와 다른 실리케이트 형광체의 450 nm에서 여기된 발광 스펙트럼을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 구현예에 의한 형광체와 다른 실리케이트 형광체의 흡수 스펙트럼을 도시한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10… LED 칩 20… 금 와이어
30… 전기 리드선 40… 형광체 조성물
50… 에폭시 몰딩층 60… 성형 몰드
70… 에폭시 돔 렌즈

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 실리케이트 형광체:
    <화학식 1>
    Lia-xAxSrb-y-z-lByEuzClSic-mDmOd-nEn
    상기 식에서, A는 Na1+, K1+, Rb1+, 및 Cs1+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, B는 Mg2+, Ca2+, Ba2+ 및 Zn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, C는 Sc3+, Y3+, La3+, Gd3+, Ce3+, Pr3+, Nd3+, Sm3+, Tb3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Tm3+, Yb3+, Lu3+ 및 Bi3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, D는 B3+, Al3+, Ga3+, In3+ 및 Tl3+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, E는 F-, Cl-, Br-, 및 I-로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 1.5≤a≤2.5, 1.0≤b≤2.5, 1.0≤c≤2.5, 3≤d≤5, 0≤x<2, 0≤y<1, 0<z≤0.1, 0<l≤0.1, 0<m≤0.1 및 0≤n≤1이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 C는 Ce이고, D는 Al인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형광체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 z의 범위가 0<z+l≤0.05인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형광체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 Li2Sr1-p-qEupCeqSi1-qAlqO4 이고, 0<p+q≤0.05인 것을 특징으로 하는 실리케이트 형광체.
  5. UV 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
    제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 실리케이트 형광체을 포함하는 백색 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 UV-LED는 여기 광원이 자외선, 근자외선 영역의 전자기파인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 여기 광원이 380 내지 460nm 범위의 피크 파장 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서, 청색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 청색 형광체는 (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2 +; BaMg2Al16O27:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2 +; BaAl8O13:Eu2 +; BaMgAl10O17:Eu2 + , Sr2Si3O8·2SrCl2:Eu2+; Ba3MgSi2O8:Eu2 + 및 (Sr,Ca)10(PO4)6·nB2O3:Eu2 +로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 녹색 형광체는 (Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2 +; Ba2MgSi2O7:Eu2 +; Ba2ZnSi2O7:Eu2+; BaAl2O4:Eu2 +; SrAl2O4:Eu2 +; BaMgAl10O17:Eu2 +, Mn2 + ; 및 BaMg2Al16O27:Eu2+,Mn2+로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  11. 제8항에 있어서, 상기 적색 형광체는 CaAlSiN3:Eu2 +; Sr2Si5N8:Eu2 +; (Sr,Ba,Ca)2P2O7:Eu2+,Mn2+; (Ba,Mg)SiO4:Eu2 +,Mn2 +; (Ba,Ca)Ga2O7:Eu2 +,Mn2 +; Ba2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+ 및 3.5MgO·0.5MgF2·GeO4:Mn4 +로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 실리케이트 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 565 내지 600 nm이고, 상기 청색 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 420 내지 480 nm이고, 상기 녹색 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 510 내지 560 nm이고, 상기 적색 형광체의 방출 스펙트럼 피크 파장이 610 내지 670 nm인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  13. 청색 발광 다이오드 (LED: light emitting diode); 및
    제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 실리케이트 형광체을 포함하는 백색 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 여기 광원이 420 내지 480nm 범위의 파장 대역을 갖는 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
  15. 제5항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 백색 발광 소자는 신호등, 통신 기기의 광원, 디스플레이 장치의 백라이트 또는 조명용인 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
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