KR101175062B1

KR101175062B1 - 무연 솔더 주석-은 도금방법

Info

Publication number: KR101175062B1
Application number: KR1020110141932A
Authority: KR
Inventors: 전진
Original assignee: 주식회사 에이엔씨코리아
Priority date: 2011-12-26
Filing date: 2011-12-26
Publication date: 2012-08-21
Anticipated expiration: 2031-12-26

Abstract

본 발명은 무연 솔더 주석-은 도금방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음극실, 양극실, 및 상기 음극실과 양극실을 분리하는 음이온 교환막이 구비된 도금욕조에서 전기 도금하되, 상기 음극실에는 2가의 주석이온, 1가의 은이온, 전도염, 은이온 착화제, 산화방지제 및 평활제를 포함하는 음극 도금액이 수용되고, 피도금체를 함침하도록 설치되며, 상기 양극실에는 전도염 및 산화방지제를 포함하는 양극 도금액이 수용되고, 양극판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 납을 함유하지 않은 무연 솔더 도금이 가능하여 환경친화적이며, 도금액 안정성이 양호하고, 균질의 도금 피막의 형성이 가능하며, 양극판의 치환 방지 및 위스커 발생 방지 효과가 우수하고, 솔더링 특성이 양호한 고속 주석-은 도금이 가능하다.

Description

무연 솔더 주석-은 도금방법{Method for plating Sn-Ag of lead free solder}

본 발명은 무연 솔더 주석-은 도금방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 납을 함유하지 않은 무연 솔더 도금으로, 양극판의 치환 방지 및 위스커 발생 방지 효과가 우수하고, 고속 주석-은 도금이 가능한 무연 솔더 주석-은 도금방법에 관한 것이다.

납은 중추신경계에 유독하며, 신경 장애 및 학습 장애를 유발하는 것으로 알려져 있다. 폐기된 전자기기가 산성비와 접촉하게 되면 전자 부품으로부터 솔더가 용해되고, 용해된 솔더에 함유된 납 성분이 환경을 오염시킬 우려가 있기 때문에 무연 솔더에 대한 요구가 증대되어 왔다.

미국에서는 2003년에 캘리포니아주 폐기 전자기기 리사이클법이 성립되어 납에 대한 규제를 시작하였으며, 일본에서도 1994년에 폐수 중의 납 함량을 0.1ppm으로 강화하였으며, 2001년에는 가전 리사이클법이 시행되었다. 또한, 유럽에서는 ELV(폐자동차의 환경규제), WEEE(폐기 가전기기의 환경 규제), RoSH(유해물질사용 규제) 등의 법령에 의해 납을 포함하여 유해 물질에 대한 사용이 규제되고 있다. RoSH 법령에 의해 유해물질 규제가 2006년 7월부터 시행된 이후, 중국에서도 중국판 RoSH가 시행되어, 2006년 이후 시장에 출하한 전자정보기기 제품에 대해 유해물질의 사용을 규제하고 있는 실정이다.

종래 일반적으로 사용되던 주석-납 도금은 융점이 낮으며, 융점 변화가 적고, 위스커의 발생이 없으며, 도금액 관리가 용이하며, 솔더링 특성이 우수하다는 장점을 가지고 있었다. 그러나, 납 화합물을 사용하여 인체에 악영향을 미치며, 폐수처리 문제 등 환경에 악영향을 미친다는 문제가 있다. 또한, 주석 도금액은 위스커(whisker)가 발생한다는 단점이 있으며, 주석-비스므스, 주석-동 등의 주석합금 도금액 또한 위스커 발생 등으로 신뢰성에 있어 문제가 있다는 단점이 있다.

특히, 종래 주석-은 도금액의 경우에는 납 화합물을 사용하지 않아 무연 솔더 도금이 가능하다는 잇점이 있으나, 은 이온이 주석 양극판에 치환석출되면서, 도금액 중의 은 이온의 농도가 급격히 감소되고, 이와 더불어 주석-은 도금 피막 중의 은 함유량이 감소하며, 그 결과 위스커의 발생 등 신뢰성에 있어 문제가 있다. 또한, 종래 주석-은 도금액의 경우에는 고속 도금이 불리하다는 단점이 있다.

국내공개특허 제10-2011-0097329호 국내공개특허 제10-2008-0111304호

상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 납을 함유하지 않은 무연 솔더 도금이 가능하여 환경친화적이며, 도금액 안정성이 양호하고, 균질의 도금 피막의 형성이 가능한 무연 솔더 주석-은 도금방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 본 발명은 양극판의 치환 방지 및 위스커 발생 방지 효과가 우수하고, 솔더링 특성이 양호한 고속 주석-은 도금이 가능한 무연 솔더 주석-은 도금방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 음극실, 양극실, 상기 음극실과 양극실에 서로 대향하도록 배치되는 피도전체와 양극판 및 상기 음극실과 양극실을 분리하는 음이온 교환막이 구비된 도금욕조에서 전기 도금하되, 상기 음극실에는 2가의 주석이온, 1가의 은이온, 전도염, 은이온 착화제, 평활제 및 산화방지제를 포함하는 음극 도금액이 수용되고, 상기 양극실에는 전도염 및 산화방지제를 포함하는 양극 도금액이 수용되는 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법을 제공한다.

구체적으로, 상기 음극 도금액은 2가의 주석이온 0.1~0.5M(mol/L), 1가의 은이온 0.002~0.02M(mol/L), 전도염 0.5~5.0M(mol/L), 은이온 착화제 0.002~0.04M(mol/L), 평활제 0.001~0.02M(mol/L) 및 산화방지제 0.001~0.01M(mol/L)를 포함하며, 상기 양극 도금액은 전도염 0.5~5.0M(mol/L) 및 산화방지제 0.001~0.01M(mol/L)를 포함한다.

상기 2가의 주석이온은 메탄설폰산 주석이며, 1가의 은이온은 메탄설폰산 은이며, 전도염은 메탄설폰산인 것이 바람직하다.

상기 은이온 착화제는 2-아민-3-설퍼닐프로피온산, 티오디글리콜에톡실레이트, 티오디페놀 등이 사용될 수 있고, 상기 평활제로는 폴리옥시에틸렌-α-나프톨, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 고급 알킬아민염, 사급 알킬암모늄염 등이 사용될 수 있고, 상기 산화방지제로는 카테콜, 하이드로퀴논(hydroquinone), 아스코르빈산, 아스코르빈산염, 페닐렌 디아민 등이 사용될 수 있다.

본 발명에 따르면 납을 함유하지 않은 무연 솔더 도금이 가능하여 환경친화적이며, 도금액 안정성이 양호하고, 균질의 도금 피막의 형성이 가능하며, 양극판의 치환 방지 및 위스커 발생 방지 효과가 우수하고, 솔더링 특성이 양호한 고속 주석-은 도금이 가능한 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따르면 융점이 낮고, 융점 변화가 적으며, 솔더링 특성이 우수하고, 위스커에 대한 억제 효과가 높으며, 특유의 미세 조직을 가져 접합 강도, 피로 특성면에 있어 우수하기 때문에 자동차용 전자부품, 휴대전화용 전자부품, 고신뢰성 부품 및 반도체 접점용 솔더 범프 재료에 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 무연 솔더 주석-은 도금을 실시하기 위한 도금욕조의 개략도이다.
도 2는 비교예에 따른 주석-은 도금을 실시하기 위한 도금욕조의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 주석-은 도금을 실시한 피도전체의 도금막 사진이다.
도 4는 비교예에 따라 주석-은 도금을 실시한 피도전체의 도금막 사진이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 주석-은 도금을 실시한 도금조직의 SEM 사진이다.
도 6은 비교예에 따라 주석-은 도금을 실시한 도금조직의 SEM 사진이다.

이하 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 유해물질인 납을 사용하지 않은 무연 솔더 도금액으로서, 양극판의 치환 문제가 발생하지 않으며 고속 도금이 가능한 무연 솔더 도금액에 대하여 연구하던 중, 음극실과 양극실, 그리고 상기 음극실과 양극실을 분리하는 음이온 교환막이 구비된 도금욕조에서, 음극실에 2가의 주석이온, 1가의 은이온, 전도염, 은이온 착화제, 산화방지제 및 평활제를 포함하는 음극 도금액을, 양극실에 전도염 및 산화방지제를 포함하는 양극 도금액을 가하여 전기도금한 결과, 양극판 치환과 위스커 발생 방지 효과가 탁월하며, 고속 도금이 가능함을 확인하였다.

본 발명의 무연 솔더 주석-은 도금방법을 자세히 설명하면 다음과 같다.

우선, 본 발명의 무연 솔더 주석-은 도금은 음극실과 양극실, 상기 음극실과 양극실에 서로 대향하도록 배치되는 피도전체와 양극판 그리고 음극실과 양극실을 분리하는 음이온 교환막이 구비된 도금욕조에서 이루어진다.

상기 음극실에는 음극 도금액이 수용되며, 상기 음극 도금액은 2가의 주석이온, 1가의 은이온, 전도염, 은이온 착화제, 산화방지제 및 평활제를 포함한다.

상기 2가의 주석이온은 주석 공급원으로 사용되며, 특히 메탄설폰산 주석을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 2가의 주석이온은 음극 도금액 중 주석 이온의 농도가 0.1~0.5M(mol/L)이 되도록 포함되는 것이 안정적인 도금을 위해 바람직하다. 그 농도가 0.1M 미만일 경우에는 전류 효율이 낮아져 도금 속도가 공업적으로 요구되는 생산성을 만족하지 못하며, 주석-은 도금층의 평활성, 막후 균일성이 손상될 수 있으며, 0.5M을 초과할 경우에는 주석의 전착속도가 너무 빨라 도금층의 막후 제어가 어려워지며, 주석 산화물의 침전이 발생하며, 부식액에 의해 주석이 용출될 수 있다.

상기 1가의 은이온은 은 공급원으로 사용되며, 특히 메탄설폰산은을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 1가의 은이온은 음극 도금액 중 주석 이온의 농도가 0.002~0.02M(mol/L)이 되도록 포함되는 것이 안정적인 도금을 위해 바람직하다. 그 농도가 0.002M 미만일 경우에는 도금속도가 저하되고, 주석-은 도금층이 충분하게 형성되지 못할 수 있으며, 0.02M을 초과할 경우에는 도금액의 분해가 일어나고, 은의 과도한 석출로 인해 형성된 주석-은 도금층 조직에 문제가 있을 수 있다.

상기 전도염은 전기전도도를 향상시키기 위해 사용하는 물질로서, 특히 메탄설폰산을 사용하는 것이 좋다.

상기 전도염은 음극 도금액 중 0.5~5.0M(mol/L)의 농도로 포함되는 것이 바람직하며, 그 농도가 0.5M 미만이거나, 5.0M을 초과할 경우에는 양호한 외관을 얻기 어려우며, 도금액의 pH를 안정시키고 도금액에 안정성을 부여하는 역할을 완수하기 어려울 수 있다.

상기 은이온 착화제로는 2-아민-3-설포닐프로피온산, 티오디글리콜에톡실레이트, 티오디페놀 등이 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 은이온 착화제는 은 이온이 완전히 착화하는데 필요한 양으로 사용되는 것이 좋으며, 음극 도금액 중 0.002~0.04M(mol/L)의 농도로 포함되는 것이 바람직하다. 그 농도가 0.002M 미만일 경우에는 착화되지 않는 은 이온 양이 많아져 도금이 효과적으로 이루어지지 않게 되며, 0.04M을 초과할 경우에는 도금액의 안정성은 증가하나 도금속도가 저하될 수 있다.

상기 평활제는 도금액의 표면 장력을 감소시켜 도금된 도금층의 두께가 균질하게 되도록 하기 위해 사용되는 성분으로, 폴리옥시에틸렌-α-나프톨, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 고급 알킬아민염, 사급 알킬암모늄염 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 평활제는 음극 도금액 중 0.001~0.02M(mol/L)의 농도로 포함되는 것이 바람직하며, 그 농도가 0.001M 미만이거나, 0.02M을 초과할 경우에는 도금액의 표면장력이 증가되어 도금층의 두께가 불균일해질 수 있다.

상기 산화방지제는 주석-은 도금액의 장기 수명화를 위하여 첨가되는 성분으로, 카테콜, 하이드로퀴논(hydroquinone), 아스코르빈산, 아스코르빈산염, 페닐렌 디아민 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 산화방지제는 음이온 도금액 중 0.001~0.01M(mol/L)의 농도로 포함되는 것이 바람직하며, 그 농도가 0.001M 미만일 경우에는 충분한 산화방지 효과를 얻지 못하며, 0.01M을 초과할 경우에는 그 이상의 산화방지 효과를 얻지 못하며, 주석-은 도금액의 품질이 변화되어 장기 수명화를 기대하기 어렵다.

또한, 상기 양극실에는 전도염 및 산화방지제를 포함하는 양극 도금액이 수용된다.

상기 전도염은 양극 도금액에 0.5~5.0M(mol/L)의 농도로, 산화방지제는 0.001~0.01M(mol/L)의 농도로 포함되는 것이 바람직하며, 상기 전도염 및 산화방지제에 대한 구체적인 설명은 음극 도금액에서 설명한 바와 동일하므로, 여기에서는 별도의 설명을 생략하도록 한다.

이하에서는 본 발명의 무연 솔더 주석-은 도금방법을 도 1을 참조하여 자세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 무연 솔더 주석-은 도금을 실시하기 위한 도금욕조로, 도 1에 도시한 바와 같이 무연 솔도 주석-은 도금욕조(1)는 음극 도금액(11)이 수용되는 음극실(10)과 양극 도금액(21)이 수용되는 양극실(20), 상기 음극실(10)과 양극실(20)을 분리하기 위한 음이온 교환막(30), 그리고 상기 음극실(10)과 양극실(20)에 전류를 공급하기 위한 정류기(30)를 구비하여 이루어진다.

또한 상기 음극실(10)과 양극실(20)에는 피도전체(12)와 양극판(22)이 대향하도록 배치되고, 그 사이에 음이온 교환막(30)이 배치되며, 상기 음이온 교환막(30)에 의하여 음극실(10)과 양극실(20)로 구분(격리)된다.

상기 피도전체(12)는 정류기(30)의 일측과 전류선에 의해 연결되며, 음극실(10)에 외부로부터 음극실(10) 하단부 방향으로 설치하되, 음극실(10) 내에 수용된 음극 도금액(11)에 함침되어 피도전체(12)의 표면이 음극 도금액(11)과 접하도록 설치된다.

또한, 상기 양극판(22)은 정류기(30)의 타측과 전류선에 의해 연결되며, 양극실(20)에 외부로부터 양극실(20) 하단부 방향으로 설치하되, 양극실(20) 내에 수용된 양극 도금액(21)에 함침되어 기판(22)의 표면이 양극 도금액(21)과 접하도록 설치된다.

상기 양극판(22)으로는 주석판, 백금판, 불용성 금속 극판 등이 사용될 수 있다.

본 발명의 무연 솔더 주석-은 도금은 도금욕조(1)의 정류기(30)로부터 전류가 인가되게 되면, 하기와 같은 반응식에 의해 피도전체(12)의 표면에 도금이 형성되게 된다.

[반응식]

양극실 반응: Sn -> Sn²⁺ + 2e^-

음극실 반응: Sn²⁺ + 2e^- -> Sn

Ag²⁺ + 2e^- -> Ag

즉, 상기의 반응으로 양극실(20)에는 주석양극에서 주석이 용해되며 음극실(10)에는 주석과 은 이온이 음전하와 결합하여 일정비율로 음극에 전착된다. 이때, 양극으로 주석대신 백금망을 사용하여도 무방하며, 이때에는 주석농도가 내려가므로 주석이온을 메탄설폰산 주석으로 공급하고, 은이온은 메탈설폰산 은으로 공급하는 것이 좋다.

상기 주석-은 도금은 욕온 30~50℃의 조건에서 전류밀도를 1.0~10A/dm²의 범위로 하여 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 욕온이 30℃ 미만인 경우에는 굵은 주석 도금 결정이 석출되며, 평활로 막후 균일성이 뛰어난 주석-은 도금층을 얻기 어려우며, 50℃를 초과할 경우에는 도금액 내의 수분증발이 현저해져 주석-은 도금액의 조성 변동이 격렬해지고 도금액의 수명이 짧아지게 된다. 또한, 전류밀도가 1.0A/dm² 미만인 경우에는 주석의 석출 속도가 늦어져 공업적인 생산성이 만족되지 않으며, 10A/dm²를 초과할 경우에는 주석-은 도금막의 평활성이 손상되게 된다.

상기 주석-은 도금층은 3~10㎛의 두께가 되도록 형성하는 것이 좋다. 상기 주석-은 도금층의 두께가 상기 범위내일 경우에는 주석 및 은 입자가 금속 기판 상에 균질하게 코팅되어 기판에 우수한 전도도를 부여할 수 있어 더욱 좋다.

상기와 같은 방법에 따라 주석-은 도금을 실시하게 되면, 균질의 도금 피막의 형성이 가능하며, 양극판의 치환이나 위스커 발생 없이 솔더링 특성이 양호한 주석-은 도금을 고속으로 실시할 수 있다. 또한, 접합 강도 및 피로 특성이 우수하여 자동차용 전자부품, 휴대전화용 전자부품, 고신뢰성 부품, 특히 반도체 접점용 솔더 범프 재료에 효과적으로 적용할 수 있다.

이하에서는 실시예를 들어 본 발명에 관하여 더욱 상세하게 설명할 것이나. 이들 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.

실시예 1

도 1과 같이 음극 도금액이 수용되며, 음극 도금액에 함침되어 표면이 접하도록 피도전체가 설치된 음극실과 양극 도금액이 수용되며, 양극 도금액에 함침되어 표면이 접하도록 양극판이 설치된 양극실, 그리고 음극실과 양극실을 구분하는 음이온 교환막, 상기 피도전체와 양극판을 연결하며, 전류를 인가하기 위한 정류기가 구비된 도금욕조를 이용하여 주석-은 도금을 실시하였다. 이때, 피도전체로는 동 소재의 기판을 사용하였고, 양극판으로는 주석을 사용하였다.

먼저, 도금욕조의 음극실에 메탄설폰산 주석 0.4M(mol/L), 메탄설폰산 은 0.01M(mol/L), 전도염으로 메탄설폰산 2.5M(mol/L), 착화제로 2-아민-3설포닐프로피온산 0.02M(mol/L), 평활제로 폴리옥시에틸렌-α-나프톨 0.01M(mol/L) 및 산화방지제로 하이드로퀴논 0.01M(mol/L)의 음극 도금액을 첨가하고, 양극실에는 전도염으로 메탄설폰산 3.0M(mol/L) 및 산화방지제로 하이드로퀴논 0.01M(mol/L)의 양극 도금액을 첨가하였다. 그 다음, 욕온을 40℃로 유지하면서 2.5A/dm²의 전류밀도를 인가하여 동 소재의 피도전체 상에 두께 5㎛의 주석-은 도금층을 형성하였다.

비교예 1

도 2에 도시한 바와 같은 도금욕조를 사용하여 통상의 방법에 따라 주석-은 도금을 실시하였다. 이때, 주석-은 도금액으로는 메탄설폰산 주석 0.3M(mol/L), 메탄설폰산 은 0.01M(mol/L), 전도염으로 메탄설폰산 3.0M(mol/L), 착화제로 글루콘산 나트륨 0.02M(mol/L), 평활제로 폴리에틸렌글리콜 0.01M(mol/L) 및 산화방지제로 하이드로퀴논 0.01M(mol/L)을 사용하였다.

상기 실시예 1 및 비교예 1에 따라 주석-은 도금을 실시한 후, 피도전체를 관찰하여 양극의 치환정도를 관찰하고, 그 결과를 도 3 및 도 4에 나타내었다.

일반적으로, 주석-은 도금액은 은의 이온화 경향이 주석보다 매우 낮기 때문에 도금 시 도 4에 나타낸 비교예 1과 같이 양극에 은치환이 발생하게 된다. 그러나, 본 발명에 따라 주석-은 도금을 실시한 실시예 1(도 3)에서는 정상적인 양극의 도금막이 형성되었음을 확인할 수 있었으며, 이같은 결과를 통하여 본 발명에 따르면 양극의 치환을 효과적으로 방지하면서 주석-은 도금층의 형성이 가능함을 알 수 있었으며, 양극치환 방지에 따른 첨가제의 산화방지효과 또한 동반될 수 있음을 알 수 있었다.

또한, 실시예 1 및 비교예 1의 주석-은 도금 시 전류밀도 7.5ASD에서의 피도전체 표면에 형성된 도금조직을 SEM 촬영하고, 그 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다.

도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1의 도금조직이 비교예 1의 도금조직(도 6)과 비교하여 더 균일하고 치밀하며 평활한 형태임을 확인할 수 있었다.

비록 본 발명이 상기에 언급된 바람직한 실시예로서 설명되었으나, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 또한 첨부된 청구 범위는 본 발명의 요지에 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함한다.

Claims

음극실, 양극실, 상기 음극실과 양극실에 서로 대향하도록 배치되는 피도전체와 양극판 및 상기 음극실과 양극실을 분리하는 음이온 교환막이 구비된 도금욕조에서 욕온 30~50℃의 조건에서 전류밀도를 1.0~10A/dm²의 범위로 조절하여 도금막의 두께가 3~10㎛이 되도록 전기 도금하되,
상기 음극실에는 2가의 주석이온 0.1~0.5M(mol/L), 1가의 은이온 0.002~0.02M(mol/L), 전도염 0.5~5.0M(mol/L), 은이온 착화제 0.002~0.04M(mol/L), 평활제 0.001~0.02M(mol/L) 및 산화방지제 0.001~0.01M(mol/L)을 포함하는 음극 도금액이 수용되고,
상기 양극실에는 전도염 0.5~5.0M(mol/L)과 카테콜, 하이드로퀴논(hydroquinone), 아스코르빈산, 아스코르빈산염 및 페닐렌 디아민 중 선택된 어느 하나 이상의 산화방지제 0.001~0.01M(mol/L)을 포함하는 양극 도금액이 수용되는 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
삭제
제1항에 있어서,
상기 2가의 주석이온은 메탄설폰산 주석인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 1가의 은이온은 메탄설폰산은인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 전도염은 메탄설폰산인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 은이온 착화제는 2-아민-3-설포닐프로피온산, 티오디글리콜에톡실레이트 및 티오디페놀 중 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 평활제는 폴리옥시에틸렌-α-나프톨, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 고급 알킬아민염, 사급 알킬암모늄염 중 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 산화방지제는 카테콜, 하이드로퀴논(hydroquinone), 아스코르빈산, 아스코르빈산염 및 페닐렌 디아민 중 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
제1항에 있어서,
상기 양극판은 주석판, 백금판 및 불용성 금속 극판 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무연 솔더 주석-은 도금방법.
삭제
삭제