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KR101135537B1 - 레이저 조사 장치 - Google Patents

레이저 조사 장치 Download PDF

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KR101135537B1
KR101135537B1 KR1020100069153A KR20100069153A KR101135537B1 KR 101135537 B1 KR101135537 B1 KR 101135537B1 KR 1020100069153 A KR1020100069153 A KR 1020100069153A KR 20100069153 A KR20100069153 A KR 20100069153A KR 101135537 B1 KR101135537 B1 KR 101135537B1
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laser light
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slits
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오재환
장영진
최재범
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삼성모바일디스플레이주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 스캔 방향을 따라 레이저광을 조사한다. 그리고 레이저 조사 장치는 상기 복수의 화소 영역들의 일부 영역에 각각 대향되는 복수의 슬릿 그룹들을 각각 포함하는 하나 이상의 레이저 마스크와, 상기 하나 이상의 레이저 마스크의 상기 복수의 슬릿 그룹들을 통과하는 상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부를 포함한다.

Description

레이저 조사 장치{LASER IRRADIATION APPARATUS}
본 발명의 실시예는 레이저 조사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체층에 레이저광을 조사하여 결정화시키는 레이저 조사 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display) 및 액정 표시 장치(liquid crystal display) 등과 같은 대부분의 평판형 표시 장치들은 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 포함한다. 특히, 저온 다결정 규소 박막 트랜지스터(LTPS TFT)는 전자 이동도(carrier mobility)가 우수하여 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성도 가능하다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.
저온 다결정 규소 박막 트랜지스터는 비정질 규소막을 결정화시켜 형성된 다결정 규소막을 포함한다. 비정질 규소막을 결정화하는 방법은 고상 결정화법(solid phase crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(excimer laser crystallization), 및 금속 촉매를 이용한 결정화 방법 등이 있다.
다양한 결정화 방법 중 레이저를 이용한 결정화 방법은 저온 공정이 가능하여 상대적으로 기판에 미치는 열적 영향이 적고, 100cm2/Vs 이상의 상대적으로 높은 전자 이동도를 갖는 우수한 특성의 다결정 규소막을 만들 수 있기 때문에 널리 이용되고 있다.
하지만, 레이저를 이용한 결정화 방법은 슬릿 패턴의 레이저광으로 반도체층을 일일이 스캔하여야 한다. 따라서, 레이저를 이용한 결정화 방법은 다른 결정화 방법에 비해 단위 시간당 처리량이 현저히 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 단위 시간당 처리량을 향상시킨 레이저 조사 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 레이저 조사 장치는 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 스캔 방향을 따라 레이저광을 조사한다. 그리고 레이저 조사 장치는 상기 복수의 화소 영역들의 일부 영역에 각각 대향되는 복수의 슬릿 그룹들을 각각 포함하는 하나 이상의 레이저 마스크와, 상기 하나 이상의 레이저 마스크의 상기 복수의 슬릿 그룹들을 통과하는 상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부를 포함한다.
상기 반도체층의 상기 복수의 화소 영역들은 각각 결정화 영역과 비결정화 영역으로 구분되며, 상기 결정화 영역과 상기 비결정화 영역은 상기 스캔 방향을 따라 교호적으로 배열될 수 있다.
상기 결정화 영역은 상기 복수의 화소 영역들마다 동일한 일부 영역에 위치할 수 있다.
상기 복수의 슬릿 그룹들은 상기 반도체층의 상기 결정화 영역에 대응될 수 있다.
상기 복수의 슬릿 그룹들은 등간격으로 배치되며, 상기 복수의 슬릿 그룹들 간의 간격은 상기 반도체층의 상기 비결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리와 비례할 수 있다.
하나의 상기 슬릿 그룹은 장축이 상기 스캔 방향과 나란한 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다.
상기 반도체층의 상기 결정화 영역에는 상기 스캔 방향과 나란한 방향으로 배열된 결정화 돌기가 형성될 수 있다.
하나의 상기 슬릿 그룹은 상기 스캔 방향과 수직한 방향으로 배열되며 서로 동일한 크기를 갖는 복수의 제1 슬릿들과 복수의 제2 슬릿들을 포함할 수 있다. 그리고 상기 복수의 제1 슬릿들과 상기 복수의 제2 슬릿들은 슬릿 폭의 1/2 만큼 서로 어긋나게 배열될 수 있다.
상기 복수의 제1 슬릿들 및 상기 복수의 제2 슬릿들의 측변은 양 단부가 사선 형태로 좁아지는 형상을 가질 수 있다.
하나의 상기 슬릿 그룹은 장축이 상기 스캔 방향과 수직한 복수의 슬릿들을 포함할 수 있다.
상기 반도체층의 상기 결정화 영역에는 상기 스캔 방향과 교차하는 방향으로 배열된 결정화 돌기가 형성될 수 있다.
상기한 레이저 조사 장치에서, 상기 레이저 발생부는 제1 레이저광을 발진시키는 제1 레이저 발생부와 제2 레이저광을 발진시키는 제2 레이저 발생부를 포함할 수 있다. 그리고 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이광은 각각 분할되어 상기 하나 이상의 레이저 마스크를 향해 조사될 수 있다.
상기 제1 레이저 발생부 및 상기 제2 레이저 발생부는 기설정된 주기를 두고 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광의 발진을 온오프(on-off)시킬 수 있다.
상기 기설정된 주기는 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광의 스캔 속도와 반비례하고 상기 화소 영역의 상기 스캔 방향 길이와 정비례할 수 있다.
상기 기설정된 주기의 일 주기는 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광이 상기 스캔 방향으로 하나의 상기 화소 영역만큼 조사된 거리에 대응할 수 있다.
상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광 중 하나 이상의 발진이 켜진(on) 시간은 상기 반도체층의 상기 결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리에 대응될 수 있다. 그리고 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광 중 하나 이상의 발진이 꺼진(off) 시간은 상기 반도체층의 상기 비결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리에 대응될 수 있다.
상기 제1 레이저광과 상기 제2 레이저광은 시간차를 두고 순차 발진될 수 있다.
상기 제1 레이저광의 상기 스캔 방향과 상기 제2 레이저광의 상기 스캔 방향은 동일할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 레이저 조사 장치는 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 레이저 마스크의 슬릿 그룹을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 레이저 조사 장치에 의해 결정화된 화소 영역들의 평면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1의 레이저 발생부에서 발진되는 레이저광의 발진 주기 및 파형을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 구성도이다.
도 7은 도 6의 레이저 마스크의 슬릿 그룹을 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 6의 레이저 조사 장치에 의해 결정화된 화소 영역들의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 그리고 여러 실시예들에 있어서, 제1 실시예 이외의 제2 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성을 중심으로 설명한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(101)를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(101)는 기판(SS) 상에 형성된 반도체층(SC)에 스캔 방향(SL)을 따라 레이저광(LB1, LB2)을 조사한다. 반도체층(SC)은 복수의 화소 영역들(PX)(도 3에 도시)을 포함한다. 레이저광(LB1, LB2)은 복수의 화소 영역들(PX)(도 3에 도시)마다 일부 영역을 결정화시킨다.
레이저 조사 장치(101)는 레이저 발생부(910)와, 하나 이상의 레이저 마스크(610, 620)를 포함한다. 도 1에서는, 2개의 레이저 마스크(610, 620)가 사용되나, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 레이저 마스크는 1개 또는 3개 이상이 사용될 수도 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 레이저 조사 장치(101)는 반도체층(SC)을 포함하는 기판(SS)과 레이저 마스크(610, 620) 또는 레이저 발생부(910)를 이송시키는 이송부를 더 포함할 수 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 레이저 조사 장치(101)는 레이저 마스크(610, 620)와 반도체층(SC) 사이에 배치된 렌즈부를 더 포함할 수도 있다.
레이저 발생부(910)는 결정화에 사용될 레이저광(LB1, LB2)을 발생시킨다. 레이저 발생부(910)에서 발진된 레이저광(LB1, LB2)은 분할되어 복수의 레이저 마스크들(610, 620)을 각각 통과하여 기판(SS)에 형성된 반도체층(SC)으로 향한다.
본 발명의 제1 실시예에서, 레이저 발생부(910)는 제1 레이저광(LB1)을 발진시키는 제1 레이저 발생부(911)와, 제2 레이저광(LB2)을 발진시키는 제2 레이저 발생부(912)를 포함한다. 제1 레이저광(LB1)은 분할되어 복수의 레이저 마스크들(610, 620)을 향해 각각 조사된다. 제2 레이저광(LB2)도 분할되어 복수의 레이저 마스크들(610, 620)을 향해 각각 조사된다.
복수의 레이저 마스크들(610, 620)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 각각 반도체층(SC)의 복수의 화소 영역들(PX)(도 3에 도시)의 일부 영역과 대향하는 복수의 슬릿 그룹들(615)을 포함한다. 레이저 발생부(910)에서 발진된 레이저광(LB1, LB2)은 레이저 마스크(610)의 슬릿 그룹(615)에 포함된 슬릿(6151, 6152)을 통과하여 반도체층(SC)으로 향하게 된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 화소 영역들(PX)은 각각 결정화 영역(CA)과 비결정화 영역(NCA)으로 구분된다. 결정화 영역(CA)은 레이저광(LB1, LB2)을 조사받아 결정화되고, 비결정화 영역(NCA)은 레이저 마스크(610, 620)에 의해 레이저광(LB1, LB2)이 차폐되어 결정화되지 않는다. 즉, 복수의 레이저 마스크들(610, 620)이 포함하는 복수의 슬릿 그룹들(615, 625)은 화소 영역(PX)의 결정화 영역(CA)과 대응된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 슬릿 그룹들(615)은 등간격으로 배치된다. 그리고 도 2의 복수의 슬릿 그룹들(615) 간의 간격(C)은 도 3의 비결정화 영역(NCA)의 스캔 방향(SL) 거리(C)와 비례한다.
따라서, 결정화 영역(CA)과 비결정화 영역(NCA)은 스캔 방향(SL)을 따라 교호적으로 배열된다. 그리고 결정화 영역(CA)은 복수의 화소 영역들(PX)마다 동일한 일부 영역에 위치한다. 즉, 복수의 화소 영역들(PX)마다 동일한 위치에 결정화 영역(CA)이 형성된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에서, 하나의 슬릿 그룹(615, 625)은 장축이 스캔 방향(SL)과 나란한 복수의 슬릿들(6151, 6152)을 포함한다. 하나의 슬릿 그룹(615, 625)은 스캔 방향(SL)과 수직한 방향으로 배열되며 서로 동일한 크기를 갖는 복수의 제1 슬릿들(6151)과 복수의 제2 슬릿들(6152)을 포함한다. 이때, 복수의 제1 슬릿들(6151)과 복수의 제2 슬릿들(6152)은 슬릿 폭의 1/2 만큼 서로 어긋나게 배열된다. 그리고 복수의 제1 슬릿들(6151) 및 복수의 제2 슬릿들(6152)의 측변은 양 단부가 사선 형태로 좁아지는 형상을 갖는다.
이와 같은 제1 슬릿(6151) 및 제2 슬릿(6152)을 가지는 레이저 마스크(610, 620)를 통해 반도체층(SC)을 결정화시키면, 슬릿(6151, 6152)의 측변이 경사져 있어, 슬릿(6151, 6152)의 가장자리에 대응하는 부분에서 측변에 대하여 수직으로 결정이 성정하더라도 결정립의 성장 방향이 슬릿(6151, 6152)의 중앙에 대응하는 부분에서 성장하는 결정립의 성장 방향과 거의 유사하다. 따라서 슬릿(6151, 6152)의 가장자리에 대응하는 부분에서 성장한 결정이 슬릿(6151, 6152)의 중앙에 대응하는 부분에서 성장하는 결정에 거의 영향을 주지 않게 된다. 따라서, 반도체층(SC)에 상대적으로 균일하게 결정이 성장된다.
또한, 전술한 바와 같은 형상의 레이저 마스크(610, 620)에 의해 결정화된 결정화 영역(CA)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 스캔 방향(SL)과 나란한 방향으로 배열된 결정화 돌기(CP)가 형성된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에서, 복수의 레이저 마스크들은 제1 레이저 마스크(610)와 제2 레이저 마스크(620)를 포함한다. 하지만, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 레이저 조사 장치(101)는 하나 또는 3개 이상의 레이저 마스크들을 포함할 수 있다.
또한, 제1 레이저 발생부(911) 및 제2 레이저 발생부(912)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 기설정된 주기(L)를 두고 각각 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)의 발진을 온오프(on-off)시킨다. 기설정된 주기(L)는 레이저광(LB1, LB2)의 스캔 속도에 따라 달라질 수 있으며, 화소 영역(PX)(도 3에 도시)의 스캔 방향(SL) 길이에 좌우된다. 구체적으로, 기설정된 주기(L)는 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)의 스캔 속도와 반비례하고 복수의 화소 영역들(PX)의 스캔 방향(SL) 길이와 정비례한다. 즉, 스캔 속도가 빠르고 화소 영역(PX)의 스캔 방향(SL) 길이가 짧을수록 기설정된 주기(L)도 짧아지고, 스캔 속도가 느리고 화소 영역(PX)의 스캔 방향(SL) 길이가 길어질수록 기설정된 주기(L)도 길어진다. 기설정된 주기(L)의 일 주기(L)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)이 스캔 방향(SL)으로 하나의 화소 영역(PX) 만큼 조사된 거리(L)에 대응된다.
또한, 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)은 동일한 스캔 방향(SL)을 따라 조사된다. 하지만, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 레이저광(LB1)의 스캔 방향(SL)과 제2 레이저광(LB2)의 스캔 방향(SL)은 서로 다를 수도 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2) 중 하나 이상의 레이저광의 펄스의 지속 시간은 화소 영역(PX)의 결정화 영역(CA)의 스캔 방향(SL) 거리에 대응된다. 그리고 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2) 중 하나 이상의 레이저광의 펄스가 단속된 시간은 화소 영역(PX)의 비결정화 영역(NCA)의 스캔 방향(SL) 거리에 대응된다. 즉, 하나의 화소 영역(PX)의 스캔 방향(SL) 길이는 하나의 결정화 영역(CA)의 스캔 방향(SL) 길이와 하나의 비결정화 영역(NCA)의 스캔 방향(SL) 길이의 합과 같다. 그리고 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)이 온오프되는 일 주기(L)는 하나의 화소 영역(PX)이 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)에 의해 스캔되는 시간과 대응된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)이 시간차를 두고 순차 발진된 수 있다. 이 경우, 결정화 영역(CA)에 레이저광(LB1, LB2)이 조사되는 시간을 안정적으로 확보할 수 있다. 즉, 제1 레이저광(LB1) 및 제2 레이저광(LB2)의 발진이 온오프되는 일 주기(L) 동안 안정적으로 하나의 화소 영역(PX)을 결정화 영역(CA)과 비결정화 영역(NCA)으로 구분하여 결정화시킬 수 있다.
또한, 하나의 화소 영역(PX)에서 결정화 영역(CA)은 박막 트랜지스터의 반도체층으로 사용될 수 있다. 그리고 비결정화 영역(NCA)에는 유기 발광 소자 등이 배치될 수 있다. 캐패시터는 결정화 영역(CA)에 형성될 수도 있으며, 비결정화 영역(NCA)에 형성될 수도 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(101)는 단위 시간당 처리량을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 레이저 조사 장치(101)를 통해 하나의 화소 영역(PX)을 전부 결정화시키지 않고 일부 영역(CA)만 결정화시킬 수 있다. 또한, 복수의 기판들(SS)에 각각 형성된 반도체층(SC)을 함께 결정화시킬 수 있다.
따라서, 선택 결정화를 통해 절약된 에너지로 복수의 기판들(SS)에 각각 형성된 반도체층(SC)을 동시에 결정화 시키는데 활용할 수 있다. 즉, 레이저 발생부(910)에서 발진 레이저광(LB1, LB2)의 총 에너지량에 변화없이 단위 시간당 처리량을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 레이저 발생부들(910, 920)로부터 각각 레이저광(LB1, LB2)을 순차 발진시킴으로써, 효과적으로 선택 결정화시킬 수 있다.
이하, 도 6 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 레이저 조사 장치(102)를 설명한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 레이저 조사 장치(102)에서는 복수의 레이저 마스크들(710. 720)이 포함하는 복수의 슬릿 그룹들(715, 725)이 각각 장축이 스캔 방향과 수직한 복수의 슬릿들(7151)(도 7에 도시)을 포함한다. 즉, 스캔 방향(SL)과 수직한 방향으로 길게 형성된 복수의 슬릿들(7151)이 스캔 방향(SL)으로 배열된다.
전술한 바와 같은 형상의 레이저 마스크(710, 720)에 의해 결정화된 결정화 영역(CA)에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 스캔 방향(SL)과 수직한 방향으로 배열된 결정화 돌기(CP)가 형성된다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 레이저 조사 장치(102)도 단위 시간당 처리량을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 실시예와 제2 실시예는 결정화 영역(CA)에 형성되는 결정화 돌기(CP)의 배열 방향이 다르다. 따라서, 화소 영역(PX)의 결정화 영역(CA)에 형성될 박막 트랜지스터의 구조에 따라 제1 실시예와 제2 실시예를 선택적으로 실시하여 결정화 돌기(CP)의 배열을 박막 트랜지스터의 구조에 유리하도록 형성할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
101, 102: 레이저 조사 장치
610, 710: 제1 레이저 마스크
620, 720: 제2 레이저 마스크
910: 레이저 발생부
911: 제1 레이저 발생부
912: 제2 레이저 발생부
LB1: 제1 레이저광 LB2: 제2 레이저광
CA: 결정화 영역 NCA: 비결정화 영역
PX: 화소 영역 SS: 기판
SC: 반도체층 SL: 스캔 방향

Claims (18)

  1. 복수의 화소 영역들을 포함하는 반도체층에 스캔 방향을 따라 레이저광을 조사하는 레이저 조사 장치에 있어서,
    상기 복수의 화소 영역들의 일부 영역에 각각 대향되는 복수의 슬릿 그룹들을 포함하는 하나 이상의 레이저 마스크; 및
    상기 하나 이상의 레이저 마스크의 상기 복수의 슬릿 그룹들을 통과하는 상기 레이저광을 발생시키는 레이저 발생부
    를 포함하며,
    상기 레이저 발생부는 제1 레이저광을 발진시키는 제1 레이저 발생부와 제2 레이저광을 발진시키는 제2 레이저 발생부를 포함하고,
    상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이광은 각각 분할되어 상기 하나 이상의 레이저 마스크를 향해 조사되는 레이저 조사 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 반도체층의 상기 복수의 화소 영역들은 각각 결정화 영역과 비결정화 영역으로 구분되며,
    상기 결정화 영역과 상기 비결정화 영역은 상기 스캔 방향을 따라 교호적으로 배열되는 레이저 조사 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 결정화 영역은 상기 복수의 화소 영역들마다 동일한 일부 영역에 위치하는 레이저 조사 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 복수의 슬릿 그룹들은 상기 반도체층의 상기 결정화 영역에 대응되는 레이저 조사 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 복수의 슬릿 그룹들은 등간격으로 배치되며,
    상기 복수의 슬릿 그룹들 간의 간격은 상기 반도체층의 상기 비결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리와 비례하는 레이저 조사 장치.
  6. 제5항에서,
    하나의 상기 슬릿 그룹은 장축이 상기 스캔 방향과 나란한 복수의 슬릿들을 포함하는 레이저 조사 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 반도체층의 상기 결정화 영역에는 상기 스캔 방향과 나란한 방향으로 배열된 결정화 돌기가 형성되는 레이저 조사 장치.
  8. 제6항에서,
    하나의 상기 슬릿 그룹은 상기 스캔 방향과 수직한 방향으로 배열되며 서로 동일한 크기를 갖는 복수의 제1 슬릿들과 복수의 제2 슬릿들을 포함하며,
    상기 복수의 제1 슬릿들과 상기 복수의 제2 슬릿들은 슬릿 폭의 1/2 만큼 서로 어긋나게 배열된 레이저 조사 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 복수의 제1 슬릿들 및 상기 복수의 제2 슬릿들의 측변은 양 단부가 사선 형태로 좁아지는 형상을 갖는 레이저 조사 장치.
  10. 제5항에서,
    하나의 상기 슬릿 그룹은 장축이 상기 스캔 방향과 수직한 복수의 슬릿들을 포함하는 레이저 조사 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 반도체층의 상기 결정화 영역에는 상기 스캔 방향과 교차하는 방향으로 배열된 결정화 돌기가 형성되는 레이저 조사 장치.
  12. 제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
    상기 제1 레이저 발생부 및 상기 제2 레이저 발생부는 기설정된 주기를 두고 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광의 발진을 온오프(on-off)시키는 레이저 조사 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 기설정된 주기는 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광의 스캔 속도와 반비례하고 상기 화소 영역의 상기 스캔 방향 길이와 정비례하는 레이저 조사 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 기설정된 주기의 일 주기는 상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광이 상기 스캔 방향으로 하나의 상기 화소 영역만큼 조사된 거리에 대응하는 레이저 조사 장치.
  15. 제12항에서,
    상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광 중 하나 이상의 발진이 켜진(on) 시간은 상기 반도체층의 상기 결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리에 대응되며,
    상기 제1 레이저광 및 상기 제2 레이저광 중 하나 이상의 발진이 꺼진(off) 시간은 상기 반도체층의 상기 비결정화 영역의 상기 스캔 방향 거리에 대응되는 레이저 조사 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 레이저광과 상기 제2 레이저광은 시간차를 두고 순차 발진되는 레이저 조사 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 제1 레이저광의 상기 스캔 방향과 상기 제2 레이저광의 상기 스캔 방향은 동일한 레이저 조사 장치.
  18. 삭제
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