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KR101036087B1 - 낮은 유전상수 물질에 대한 익스-시튜 후면 폴리머 제거를 포함하는 플라즈마 유전체 식각 프로세스 - Google Patents

낮은 유전상수 물질에 대한 익스-시튜 후면 폴리머 제거를 포함하는 플라즈마 유전체 식각 프로세스 Download PDF

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KR101036087B1
KR101036087B1 KR1020087027241A KR20087027241A KR101036087B1 KR 101036087 B1 KR101036087 B1 KR 101036087B1 KR 1020087027241 A KR1020087027241 A KR 1020087027241A KR 20087027241 A KR20087027241 A KR 20087027241A KR 101036087 B1 KR101036087 B1 KR 101036087B1
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plasma
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hydrogen
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제랄도 에이. 델가디노
인드라짓 라히리
테흐-티엔 수
브리안 시-유안 쉬이흐
아쇽 케이. 신하
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

포토레지스트 마스크를 이용하여 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘 유전체 층을 식각하기 위한 플라즈마 식각 프로세스는 포토레지스트 마스크 상에 보호성 탄화불소 폴리머를 증착하면서, 유전체 층의 노출 부분들을 식각하기 위해 반도체 소재 상에 탄화불소 기반의 식각 프로세스를 수행함으로써 실시된다. 그 다음, 애슁 반응기에서, 반도체 소재를 100℃를 초과하게 가열하는 단계; 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계; 및 반도체 소재의 후면으로부터 폴리머가 제거될 때까지 반도체 소재 상의 폴리머와 포토레지스트에 포함된 탄소를 환원시키기 위해, 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터 생성물들을 제공하는 단계에 의해, 폴리머와 포토레지스트가 제거된다. 프로세스 가스는 주 성분이 수소 가스이긴 하지만, 수소 가스와 수증기를 둘 다 포함하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(반도체 소재) 후면은 웨이퍼 리프트 핀들을 연장함으로써 노출될 수 있다.

Description

낮은 유전상수 물질에 대한 익스-시튜 후면 폴리머 제거를 포함하는 플라즈마 유전체 식각 프로세스{PLASMA DIELECTRIC ETCH PROCESS INCLUDING EX-SITU BACKSIDE POLYMER REMOVAL FOR LOW-DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL}
본 발명은 낮은 유전상수 물질에 대한 익스-시튜(ex-situ) 후면 폴리머 제거를 포함하는 플라즈마 유전체 식각 프로세스에 관한 것이다.
집적회로 성능은 소자 스위칭 속도를 증가시키고, 상호접속 밀도를 증가시키며, 인접 전도체들 간의 누화(cross-talk)를 감소시킴으로써, 지속적으로 개선되고 있다. 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘과 같은 낮은 유전상수를 갖는 새로운 유전체 박막 물질을 사용함으로써 스위칭 속도가 증가되었고 누화가 감소되었다. 상호접속들은 상호접속된 전도층들의 수를 증가시키고 피쳐 크기(예, 라인 폭, 홀 직경)를 감소시킴으로써 증가되었다. 그러한 깊은 층들 간의 접속은 높은 종횡비(깊고 좁은) 전도체 개구들 또는 "비아들(vias)"을 필요로 한다. 그러한 미세한 피쳐들은 보다 짧은 파장들에 적용가능한 포토레지스트(포토리소그래피를 위한)를 요구하였다. 그러한 포토레지스트는 보다 얇아지는 경향이 있고 유전체 식각 프로세스 동안 핀 홀들 또는 줄무늬와 같은 결함들을 형성하기 쉽다. 이러한 문제는 포토레지스트 상에 보호성 탄화불소 폴리머를 증착하기 위해, 유전체 삽입층 절연 막의 플라즈마 식각 동안 탄화불소 화학제를 사용함으로써 해결된다. 폴리머는 웨이퍼 상에 수행되어야 하는 오염있는 이후의 프로세스 단계들을 방지하기 위해 식각 프로세스 이후에 웨이퍼로부터 제거되어야 한다. 따라서, 사후-식각 폴리머 제거 단계가 수행된다. 그러나, 사후-식각 폴리머 제거 단계에서, 증착된 모든 폴리머를 제거하기는 어렵다. 이는 일부 폴리머가 웨이퍼 엣지와 웨이퍼 페디스털 주변의 링 칼라(ring collar) 프로세스 키트 사이의 갭을 통과하여 주변의 웨이퍼 후면 상에 축적되기 때문이다. 그러한 갭은 플라즈마 식각 프로세스의 온도 제어 요구조건들을 충족시키도록 냉각된 표면에 웨이퍼를 가압 클램핑하는 정전척(ESC)과의 간섭을 방지하기 위해 요구된다. 웨이퍼 엣지-대-링 칼라 갭은 플라즈마가 관통하여 사후-식각 폴리머 제거 단계 동안 웨이퍼 후면으로부터 폴리머를 제거하기에는 너무 좁다. 따라서, 이러한 문제에 대한 종래의 방법은 탄소-함유 물질들(폴리머 및 포토레지스트와 같은)을 산화시키기 위해 사후-식각 폴리머 제거 단계에서 산소 플라즈마를 사용한 다음, 액체 HF 산에 웨이퍼를 딥핑하는 것이였다. 이러한 단계는 간단한 원격 플라즈마 소스에 의해 상대적으로 높은 웨이퍼 온도들(예, 300℃ 이상)을 가질 수 있는 가열된 웨이퍼 지지 페디스털을 구비한 비교적 저렴한 별도의 "애슁" 챔버를 이용할 수 있다. 이러한 프로세스는 강력한 물질인 이산화 실리콘과 같은 종래의 유전체 물질에 유해하지 않다. 그러나, 그러한 산화 프로세스는 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘과 같은 보다 새로운 낮은 유전상수 절연체 물질들에 매우 유해하다. 사후-식각 세정 단계의 산화 화학제는 탄소-도핑된 이산화 실리콘 유전체 물질로부터 탄소를 제거하고, 탄소는 대기로부터의 물로 대체된다. 이는 절연체의 유전상수를 크게 증가시켜, 그 주요한 장점이 없어진다. 그러한 손상은 프로파일 이미지에서 보여지는 유전체층 측벽들의 언더컷팅(undercutting)으로서 명백하다. 이러한 언더컷팅은 사후-식각 세정 단계 이후에 희석 산에 웨이퍼를 딥핑할 때 나타난다. 다른 문제는 본 출원인의 조사에 따르면 그러한 산화 프로세스가 60초 이후에도 후면 폴리머를 완전히 제거하지 못한다는 점이다.
따라서, 임의의 연장 프로세스 시간을 요구함 없이 낮은 유전상수 절연체 물질을 손상시키지 않으면서 웨이퍼 후면으로부터 폴리머를 신속하고 완전하게 제거하는 방법이 필요하다.
포토레지스트 마스크를 이용하여 다공성 탄소-도핑된 실리콘 산화물 유전체층을 식각하기 위한 플라즈마 식각 프로세스는 포토레지스트 마스크 상에 보호성 탄화 불소 폴리머를 증착하면서, 유전체층의 노출 부분들을 식각하기 위해 반도체 소재(workpiece) 상에 탄화 불소 기반의 식각 프로세스를 수행함으로써, 식각 반응기 내에서 먼저 수행된다. 그 다음, 애슁 반응기에서, 반도체 소재를 100℃를 초과하게 가열시키고, 상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키며, 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터의 생성물들을 제공하여 폴리머가 상기 반도체 소재의 후면으로부터 제거될 때까지 상기 반도체 소재 상의 폴리머와 포토레지스트에 포함된 탄소를 환원시킴으로써, 폴리머와 포토레지스트가 제거된다. 프로세스 가스는 주 성분이 수소 가스이긴 하지만, 수소 가스와 수증기를 모두 포함하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(반도체 소재) 후면은 웨이퍼 리프트 핀들을 연장함으로써 노출될 수 있다.
도 1은 본 발명을 구현하는 프로세스를 도시하는 블럭 흐름도이다.
도 2는 도 1의 프로세스에 의해 생성되는 소자를 도시한다.
도 3은 본 발명을 수행하기 위한 바람직한 플라즈마 식각 반응기를 도시한다.
도 4A는 애슁 챔버에서 수행되는 본 발명의 프로세스 단계를 도시한다.
도 4B는 리프트 핀들을 연장시킬 필요 없이 웨이퍼 후면 엣지가 노출되는 대안적인 실시예의 애슁 챔버에서 수행되는 본 발명의 프로세스 단계를 도시한다.
도 5는 폴리머 제거 단계 이전(곡선) 및 본 발명(직선)에서 획득된 폴리머 두께의 방사상 분포를 도시하는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 처리 시스템을 도시한다.
본 발명은 사후 식각 폴리머 제거 단계를 포함하는 낮은 유전상수 물질에 대한 식각 프로세스의 발견을 기반으로 하며, 사후 식각 폴리머 제거 단계는 낮은 유전상수 절연층(예, 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘)에 대한 손상 없이 후면 폴리머를 60초 미만에서 완전히 제거한다. 본 발명에 따른 식각 프로세스는 도 1에 도시되고, 도 2는 도 1의 프로세스를 이용하여 형성될 수 있는 박막 구조물의 일 예를 도시한다. 도 2에 도시된 포토레지스트 마스크(10)는 유전체층(12)상에 증착되고, 마스크(10)는 유전체층(12)에서 식각될 피쳐(18)에 대응되는 개구(10a)를 갖 는다. 이는 도 1의 블럭(16)의 단계에 해당한다. 피쳐는 좁은 비아(18)일 수 있다. 비아(18)는 유전체층(12)과 배리어층(20)을 통해 연장하여 구리 라인(22)의 최상부면을 노출시킨다. 유전체층은 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘과 같은 낮은 유전상수 물질이다. 배리어층(20)은 탄화 실리콘일 수 있다. 도 1의 블럭(24)의 단계에서, 도 2의 비아(18)는 탄화불소-함유 프로세스 가스의 플라즈마를 이용하여, 점선 위에 놓이는 유전체 물질(12)의 부분을 식각함으로써 형성된다. 이러한 단계는 웨이퍼(28)를 처리하기 위한 도 3에 도시된 타입의 용량성 결합된 플라즈마 식각 반응기와 같은, 플라즈마 식각 반응기에서 수행된다. 도 3의 식각 반응기는, 측벽(30); 가스 패널(32a)에 의해 공급되고, 임피던스 정합(33b)을 통해 RF 플라즈마 소스 전력 생성기(33a)에 의해 RF-구동되는, 오버헤드 전극/가스 샤워헤드(32); DC 척킹 전압 제어기(36a)에 의해 제어되고, 임피던스 정합(37b)을 통해 RF 바이어스 생성기(37a)에 의해 구동되는, 내부 전극(36)을 구비한 정전 척(34); 및 척(34) 넘어로 연장하는 웨이퍼(28)의 주변 부분 아래에 놓이는 링 칼라(38) 또는 프로세스 키트를 포함한다. 칼라(38)와 웨이퍼(28)의 후면 사이의 갭(39)은 DC 척킹 전압이 전극(36)에 인가될 때 정전 척(34)의 웨이퍼-클램핑 기능에 의해 칼라(38)에 의한 간섭을 방지한다. 도 1의 블럭(24)의 식각 단계 동안, 탄화불소 프로세스 가스는 간단한 탄화불소 식각 종(species), 및 보다 무거운 또는 고탄소(carbon-rich) 폴리머 형성 종으로 분해되어, 도 2의 포토레지스트(10)상에 보호층(11)을 형성한다. 폴리머-형성 종들은 웨이퍼-칼라 갭을 통해 이동하여 웨이퍼(28)의 후면 상에 환형 후면 폴리머 층(40)을 형성한다.
다음 단계인 도 1의 블럭(42)에서, 웨이퍼(28)가 도 3의 식각 챔버로부터 제거되고, 도 4A에 도시된 애슁 챔버(29)에 배치된다. 도 4A의 애슁 챔버(29)의 기본적인 특징은 가열된 웨이퍼 지지부(50)를 갖고, 초고온(예, 400℃) 및 고압(예, 수 Torr)으로 웨이퍼를 가열하도록 설계되며, 상대적으로 저비용의 수단으로서 원격 플라즈마 소스(54)를 사용한다는 점이다. 대조적으로, 도 3의 식각 챔버는 허용가능한 식각 성능을 달성하기 위해 정확한 온도로 웨이퍼를 냉각시켜야 하고, 이에 따라 웨이퍼를 냉각 표면에 클램핑하기 위해 정전 척(34)을 사용해야 하며, 정전 척(34)은 전형적으로 웨이퍼를 단지 60℃로 가열할 수 있고, 반응기는 밀리토르 범위의 매우 낮은 압력들에서 작동한다. 도 4A의 애슁 챔버는 웨이퍼(28)를 수백 ℃로 가열할 수 있는 웨이퍼 지지부(50) 내의 히터(52)를 갖는다. 원격(remote) 플라즈마 소스(54)는 프로세스 가스 공급부(56)에 의해 제공되는 프로세스 가스로부터 플라즈마를 생성한다. 웨이퍼(28)는 종래의 리프트 핀들(58)에 의해 웨이퍼 지지부(50) 위로 하강 및 승강될 수 있다. 도 4A에 도시된 바이어스 전력 생성기(37a), 임피던스 정합부(37b) 및 전극(36)은 선택사항이며 애슁 챔버에 필수적으로 요구되는 것이 아니다. 대안적인 모드로서, 도 4B의 애슁 챔버가 도 4A의 애슁 챔버 대신에 사용될 수 있다. 도 4B의 애슁 챔버는 도 4B에서, 웨이퍼 지지부(50)가 웨이퍼(28)의 직경 미만인 직경을 가지므로 리프트 핀들을 연장할 필요 없이 웨이퍼 후면의 주변부가 노출된다는 점에서, 도 4A의 애슁 챔버와 상이하다. 도 4B의 애슁 챔버는 일반적으로, ESC 전극(36) 및 바이어스 전력 생성기(37a) 또는 정합부(37b)를 필수적으로 포함하지 않을 수 있다. 도 4B의 변형된 애슁 챔버를 사용할 때, 리프트 핀들을 연장하는 블럭(44c)의 단계는 생략될 수 있다.
다음 단계인 도 1의 블럭(44)에서, 도 3의 후면 폴리머 막(3)과 도 2의 포토레지스트 마스크(10)가 제거된다. 이러한 단계는 웨이퍼(28)가 웨이퍼 지지부(50)와 접촉되도록 수축되는 리프트 핀들(58)을 구비한 가열된 웨이퍼 지지부(50) 상에 웨이퍼(28)를 배치한 다음, 웨이퍼(28)를 초고온(예, 200-300℃)으로 가열함으로써 시작되며, 이는 도 1의 블럭(44a)의 단계에 대응된다. 그 다음, 블럭(44b)의 단계에서, 수소 가스와 수증기가 원격 플라즈마 소스(54)로 유입되고, 플라즈마 RF 소스 전력(7500와트의 크기)이 원격 플라즈마 소스(RPS)에 인가되어 플라즈마를 생성한다. RPS(54)로부터의 플라즈마 생성물들(예, 중성자들)은 애슁 챔버(29)의 내부에 도달하여 폴리머가 환원되어(산화되는 것이 아니라) 웨이퍼로부터 제거되는 환경을 생성한다. 환원제는 수소이다. 챔버에서 자유(free) 수소의 분포가 추가적인 수소의 첨가에 의해서 보다는 물의 첨가에 의해 더 증가된다는 것이 발견되었기 때문에, 수소 프로세스 가스에 수증기를 포함시키는 것이 바람직하다. 본 출원인은 수증기의 첨가에 의해 수소 라인 양의 불균형한 증가를 나타내는 이러한 현상을 광 방출 분광계를 통해 관찰하였다. 애슁 챔버에서의 수소의 이러한 증가는 폴리머가 환원되는 비율을 증가시킨다. 그 다음 단계(도 1의 블럭(44c))는 웨이퍼 지지부(50) 위로 웨이퍼(28)를 승강시키기 위해 리프트 핀들(58)을 연장시켜서 웨이퍼 후면을 노출시키는 것이다. 이러한 단계는 매우 짧은 시간 주기 동안(예, 60초) 수행되고, 그 동안 모든 후면 폴리머 막(40)이 완전히 제거된다. 60초 미만에서 후면 폴리머와 포토레지스트를 완전히 제거하기 위해 애슁 반응기(29)에서 환원 화학제(예, 수소-기질)가 사용될 수 있다는 것은 본 발명의 발견이다. 명백하게, 프로세스 가스의 수소는 탄화불소 화합물들을 형성함으로써 폴리머의 탄소를 환원시키지만, 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘 유전체 물질(도 2의 절연층(12))의 탄소를 거의 환원시키지 않거나 전혀 환원시키지 않는다.
보다 낮은 웨이퍼 온도들에서 폴리머 제거 프로세스가 보다 오래 수행되어 그 동안 도 2의 낮은 유전상수 절연층(12)에 대한 손상이 무시가능한 레벨을 초과하여 증가하기 때문에, 블럭(44a)의 웨이퍼 가열 단계가 중요하다는 것을 발견했다.
또 다른 놀라운 점은 환원 또는 수소-기질 화학제가 종래의 산화 화학제보다 후면 폴리머를 보다 완전하고 신속하게 제거하는 것이 발견되었다는 점이다. 상이한 2개의 웨이퍼들로부터 후면 폴리머 두께의 측정치가 도 5의 그래프에 도시된다. 도 5의 급격한 곡선은 폴리머 제거 단계를 수행하기 이전에 웨이퍼의 상태를 나타내며, 60초의 산화 식각 단계 이후 남겨진 많은 양의 후면 폴리머를 나타낸다. 도 5의 평탄한 곡선은 도 1의 방법으로 달성되며, 여기서 환원 화학제가 애슁 반응기(29)에 사용되며, 모든 후면 폴리머의 완전한 제거를 나타낸다. 따라서, 하나의 놀라운 결과는 환원 화학제가 산화 화학제보다 더 빨리 작용한다는 점이다. 다른 놀라운 결과는 환원 화학제가 낮은 유전상수 절연체 물질(12)에 대한 관찰가능한 손상을 초래하지 않는다는 점이다(반면에, 산화 화학제는 낮은 유전상수 절연체 물질에 대한 큰 손상을 초래함). 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘 유전체 박막에 대한 손상은 유전체 식각 단계를 수행한 다음, 후면 폴리머 제거 단계를 수행하고 마지막으로 희석 HF에 웨이퍼를 딥핑함으로써 본 발명의 검사들에서 확인되었다. 그 이후에, 식각 프로파일의 스캐닝 전자 현미경 이미지가 획득되었다. 종래의 산화 사후-식각 폴리머 제거 기술을 이용하여 처리되는 웨이퍼들에 대하여, 식각 프로파일 이미지들은 식각된 구조물들의 많은 언더컷팅을 나타내었다. 그러나, 사후 식각 후면 폴리머 제거 단계에서 환원 화학제를 사용하는 그러한 웨이퍼들에 대하여, 다공성 탄소-도핑된 이산화 실리콘에 대한 손상 또는 언더컷팅은 식각 프로파일의 SEM 이미지들에서 거의 보이지 않았고, 언더컷팅은 겨우 2nm 이하(무시할 수 있을 정도의 양)이다. 이러한 단계는 탄소-기질 막들의 제거에 충분하고 효율적이며, 모든 포토레지스트가 후면 폴리머 제거와 동시에 제거된다.
블럭(42)의 단계에서 웨이퍼(28)를 이송하는 한가지 장점은 각각의 식각 단계를 수행하기 이전에 도 3의 식각 반응기의 내부를 세정하기 위한 기회가 생긴다는 점이다. 세정은 챔버 내부 표면들로부터 폴리머를 신속하게 식각하는 플라즈마 함유 종(산소 또는 암모니아 또는 그 외)을 이용하여 수행될 수 있다. 그러한 개재된 챔버 세정 단계의 장점은 종래의 식각 단계들로부터 폴리머가 챔버에 누적되지 않으므로 후속적인 식각 단계들 동안 불소 또는 다른 물질들을 방출시키지 않는다는 점이다. 따라서, 식각 챔버는 블럭(42)의 웨이퍼 이송 단계의 종료시에 블럭(46)의 단계에서 세정된다.
본 발명은 낮은 유전상수 절연체 막들의 존재에서 후면 폴리머 제거의 문제를 해결하기 위해서 뿐만 아니라, 기본 비용의 불균형한 증가 없이 식각 생산성을 3배 또는 4배 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 종래의 방식에서, 비아 또는 트렌치(예를 들어)를 형성하기 위해 유전체 물질을 식각하는 주요 단계로 시작되고, 애슁 반응기에서 포토레지스트와 폴리머의 제거로 종료되는, 전체 플라즈마 식각 프로세스는 약 400초 동안 수행되며, 여기서 160초는 애슁 반응기에서 소모되고 나머지(240초)는 식각 반응기에서 소모된다. 60초 미만 또는 40초 만큼 짧게 수행되는 폴리머와 포토레지스트 제거 단계의 발견은 기본 비용의 증가 없이 전체 식각 생산성을 3배 또는 4배 증가시킬 수 있게 한다. 도 6은 이것이 어떻게 달성되는지를 나타낸다. 단일 툴에서, 중심 웨이퍼 이송 유닛(100)은 도 4에 도시된 타입의 하나의 애슁 반응기(102), 및 도 3에 도시된 타입의 3개 또는 4개의 식각 반응기들(104a, 104b, 104c, 104d)에 결합된다. 도 6의 툴은 이하의 프로시저에 따라 동작된다: 4개의 식각 반응기들(104)에 의해 수행되는 단일 식각 단계의 240초 시간 주기 동안, 애쉬 반응기는 4개의 식각 반응기들(104)에 의해 이전에 처리된 4개의 상이한 웨이퍼들 상에서 후면 폴리머와 포토레지스트 제거를 연속적으로 수행하고, 식각 반응기들(104)에서 동시에 수행되는 240초의 식각 프로세스의 종료시에, 애쉬 반응기(102)는 4개의 식각 반응기들에 의해 처리되는 현재의 4개의 웨이퍼들의 세트에서 동일한 작업을 반복하기 위해 대기된다.
블럭(44)의 후면 폴리머 제거 단계의 일 예에서, 7500와트의 RF 소스 전력이 애슁 반응기(29)(도 4)의 원격 플라즈마 소스(54)에 인가되면서, 7500sccm의 수소 가스와 350sccm의 수증기가 RPS(54)에 공급되며, 애슁 반응기 챔버 압력은 3 Torr이다. 일반적으로, RPS(54)에서 플라즈마를 생성시키는 프로세스 가스는 주로 순수 수소 가스로서, 적어도 그 일부분은 자유 수소로 해리(dissociate)된다. 수증기 함량은 프로세스 가스의 수소 함량의 분율이며, 수증기 함량은 광 방출 분광계에 의해 나타낸 것처럼, 가스의 자유 수소 함량을 최대화하기 위해 조절된다. 수증기 유속은 전형적으로, RPS(54) 또는 플라즈마 생성 영역으로의 수소 가스 유속의 분율로서, 수소 유속의 1/10 또는 1/20만큼 적다(상기 예에서처럼). 프로세스 가스로부터 수증기를 제거할 수 있지만, 그러한 선택은 바람직하지 않다.

Claims (18)

  1. 플라즈마 식각 프로세스로서,
    다공성 탄소-도핑된 실리콘 산화물 유전체 층을 갖는 반도체 소재(workpiece)를 제공하는 단계;
    상기 반도체 소재의 표면 상에 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계;
    식각 반응기에서, 상기 포토레지스트 마스크 상에 보호성 탄화불소 폴리머를 증착하면서, 상기 유전체 층의 노출 부분들을 식각하기 위해 상기 반도체 소재 상에 탄화불소 기반의 식각 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 반도체 소재를 애슁 반응기로 이송하는 단계;
    상기 애슁 반응기에서,
    상기 반도체 소재를 100℃를 초과하게 가열하는 단계;
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계; 및
    상기 폴리머가 상기 반도체 소재의 후면으로부터 제거될 때까지 상기 반도체 소재 상에서 폴리머와 포토레지스트를 환원시키기 위해, 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터 생성물들을 제공하는 단계
    를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 프로세스 가스는 순수(pure) 수소를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수소 프로세스 가스는 수소 가스 및 수증기를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계는 상기 반도체 소재를 상승시키고 상기 반도체 소재의 후면을 노출시키기 위하여 상기 애슁 반응기의 웨이퍼 지지부에서 리프트 핀들을 연장하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계는 상기 반도체 소재의 직경 미만인 직경을 갖는 상기 애슁 반응기에 웨이퍼 지지부를 제공하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머를 환원시키기 위해 상기 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터 생성물들을 제공하는 단계는 상기 반도체 소재의 후면으로부터 모든 폴리머가 제거될 때까지 수행되는, 플라즈마 식각 프로세스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머를 환원시키기 위해 상기 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터 생성물들을 제공하는 단계는 상기 반도체 소재로부터 모든 폴리머와 포토레지스트가 제거될 때까지 수행되는, 플라즈마 식각 프로세스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    제 1 속도로 수소 가스를 그리고 제 2 속도로 수증기를 플라즈마 생성 영역으로 유동시킴으로써 상기 플라즈마를 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 1 속도는 상기 제 2 속도를 초과하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 속도는 상기 제 2 속도의 10배보다 큰, 플라즈마 식각 프로세스.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 속도는 상기 제 2 속도의 20배보다 큰, 플라즈마 식각 프로세스.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 영역은 상기 애슁 반응기에 결합된 원격(remote) 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 수소 가스와 상기 수증기를 플라즈마 생성 영역으로 유동시키는 단계는 상기 수소 가스와 상기 수증기를 상기 원격 플라즈마 소스로 유동시키는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소재를 상기 애슁 반응기로 이송한 이후, 상기 식각 반응기의 내부 챔버 표면들로부터 폴리머를 제거하기 위해 상기 식각 반응기에서 플라즈마 세정 단계를 수행하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  13. 플라즈마 식각 프로세스로서,
    탄소-도핑된 실리콘 산화물 유전체 층을 각각 갖는 다수의 반도체 소재들을 제공하는 단계;
    각각의 상기 반도체 소재의 표면 상에 포토레지스트 마스크를 형성하는 단계;
    다수의 식각 반응기들에서, 각각의 상기 포토레지스트 마스크 상에 보호성 탄화불소 폴리머를 증착하면서, 각각의 상기 유전체 층들의 노출 부분들을 식각하기 위해, 각각의 상기 식각 반응기들에서 동시적으로 각각의 상기 반도체 소재 상에 탄화불소 기반의 식각 프로세스를 수행하는 단계; 및
    각각의 상기 식각 반응기에서 상기 탄화불소 기반의 식각 프로세스를 한번 수행하는데 요구되는 시간 윈도우를 초과하지 않는 시간 윈도우 동안, 연속하는 상기 다수의 반도체 소재들 상에 하기의 단계들을 애슁 반응기에서 수행하는 단계
    를 포함하고, 상기 하기의 단계들은,
    상기 반도체 소재를 100℃를 초과하게 가열하는 단계;
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계; 및
    상기 폴리머가 상기 반도체 소재의 후면으로부터 제거될 때까지 상기 반도체 소재 상에서 폴리머와 포토레지스트를 환원시키기 위해, 수소 프로세스 가스의 플라즈마로부터 생성물들을 제공하는 단계
    를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 애슁 반응기에서 수행되는 상기 단계들은, 상기 다수의 식각 반응기들에서 연속하는 세트의 상기 반도체 소재들 상에 상기 식각 프로세스가 동시적으로 반복되는 동안 수행되는, 플라즈마 식각 프로세스.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 수소 프로세스 가스는 순수 수소를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 수소 프로세스 가스는 수소 가스 및 수증기를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계는 상기 반도체 소재를 상승시키고 상기 반도체 소재의 후면을 노출시키기 위하여 상기 애슁 반응기의 웨이퍼 지지부의 리프트 핀들을 연장하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 소재의 후면의 주변부를 노출시키는 단계는 상기 반도체 소재의 직경 미만인 직경을 갖는 상기 애슁 반응기의 웨이퍼 지지부를 제공하는 단계를 포함하는, 플라즈마 식각 프로세스.
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