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KR100986336B1 - 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 Download PDF

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KR100986336B1
KR100986336B1 KR1020090100654A KR20090100654A KR100986336B1 KR 100986336 B1 KR100986336 B1 KR 100986336B1 KR 1020090100654 A KR1020090100654 A KR 1020090100654A KR 20090100654 A KR20090100654 A KR 20090100654A KR 100986336 B1 KR100986336 B1 KR 100986336B1
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KR
South Korea
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light emitting
emitting device
barrier
device chip
encapsulant
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KR1020090100654A
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English (en)
Inventor
조경우
황정하
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Priority to US12/909,438 priority patent/US8415698B2/en
Priority to CN201010530221.1A priority patent/CN102074643B/zh
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Abstract

실시예는 발광소자 및 그 제조방법과 발광소자 패키지에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩 상에 배리어; 및 상기 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함할 수 있다.
발광소자, 발광소자 패키지, 형광체

Description

발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
한편, 백색(White) 발광소자 패키지를 구현하기 위해서는 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색 발광소자를 조합하거나, 청색 발광소자에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV 발광소자에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있다.
그런데, 종래기술에 의하면 형광체를 이용한 백색 발광소자 패키지에 있어서 봉지재 안의 형광체가 몰딩후 시간이 지남에 따라 발광소자 패키지의 바닥으로 침전되어 발광소자 칩 주위로 형광체가 일정하게 분포하지 않음으로써 색온도 분포가 넓게 형성되는 문제가 있다.
또한, 종래기술에 의하면 형광체의 분포면적이 발광소자의 면적에 비해 상대적으로 큼으로써 형광체가 발광소자 주위에 고르게 분포하지 않을 수 있어 역시 색온도 분포가 넓게 형성되는 문제가 있다.
실시예는 발광소자 주위에 형광체의 분포가 균일한 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩 상에 배리어; 및 상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 발광소자 칩을 형성하는 단계; 상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계; 및 상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서브마운트; 상기 서브마운트 상에 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩 상에 배리어; 및 상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 주위에 배리어를 형성하여 발광소자 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성 되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이며, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 1은 도 2의 I-I'선을 따른 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 서브마운트(submount)(100), 상기 서브마운트 상에 형성된 발광소자 칩(200), 상기 발광소자 칩 상에 형성된 배리어(barrier)(310) 및 상기 발광소자 칩(200) 상에 형광체(미도시)를 포함하는 봉지재(encapsulating material)(400)를 포함할 수 있다.
상기 배리어(310)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 상면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배리어(310)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 연결된 배리어를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 봉지재(400)의 상면이 평면일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 봉지재(400)의 상면이 평면인 경우 면발광을 통해 광학설계가 용이할 수 있다.
상기 봉지재(400)의 상면이 평평하게 형성하되, 상기 봉지재(400)의 상부 표면에 요철(미도시)을 포함함으로써 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 주위에 배리어를 형성하여 발광소자 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 이에 따라 형광체의 조밀도를 증가시켜 발광소자 칩의 색온도 분포를 좁게 만들 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 6a를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 설명한다. 이하의 설명은 발광소자의 패키지에 대해 주로 설명하나 실시예는 이에 한정된 것이 아니며, 도 6d와 같이 실시예는 칩 레벨에서 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하고, 형광체층을 형성할 수도 있다.
우선, 도 2와 같이 서브마운트(submount)(100)를 준비한다.
상기 서브마운트(100)는 열팽창계수가 발광소자 칩 재료의 열팽창계수와 유사하고, 열전도도가 우수한 재질일 수 있다. 예들 들어, 실시예에서 서브마운트(100)로 실리콘(Si)을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 서브마운트(100)는 반사기 컵(reflector cup)(미도시)을 포함할 수 있으며, 상기 서브마운트(100) 내에 제너 다이오드 형태의 정전기(ESD) 방지를 위한 소자를 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 서브마운트(100) 상에 발광소자 칩(200)을 부착한다.
상기 발광소자 칩(200)은 GaN, GaAs, GaAsP, GaP 등의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Green~Blue LED는 GaN(InGaN), Yellow~Red LED는 InGaAIP, AIGaAs 를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4에 도시된 발광소자 칩(200)은 수직형 발광소자 칩이나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4와 같이, 상기 발광소자 칩(200)은 제2 전극(220) 상에 형성된 발광구조물(210)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(220)은 오믹층, 반사층, 결합층, 전도성 기판 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(210)은 제2 도전형 반도체층(212), 활성층(214), 제1 도전형 반도체층(216)을 포함할 수 있다.
다음으로, 상기 발광소자 칩(200)의 상기 서브마운트(100) 상에 부착은 플립칩 방법, 고분자 접착체를 이용하여 발광소자 칩을 접착하는 방법 또는 발광소자 칩에 플레이팅된 우테틱 메탈을 이용하는 방법 등으로 진행될 수 있다.
예를 들어, 공정성이 우수한 실버 전도성 에폭시(Ag conductive epoxy)에 의한 솔더링(soldering)에 의해 발광소자 칩을 부착하거나, 고열전도성이 필요한 경우에는 플립칩 접합방식이나 유테틱 접합방식을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 5와 같이 상기 발광소자 칩(200) 상에 배리어 물질(barrier material)(310a)을 형성한다. 상기 배리어 물질(310a)은 비전도성 물질 또는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비전도성 물질로는 감광막(PR) 물질, 산화막, 질화막 등의 절연물 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 배리어 물질로 전도성 물질을 채용하는 경우, 배리어는 발광소자 칩의 쇼트를 발생시키지 않도록 형성될 수 있다.
다음으로, 도 6a와 같이 상기 배리어 물질(310a)을 일부 제거하여 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 상면에 배리어(310)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 배리어 물질(310a)이 감광막인 경우 노광 및 현상 공정에 의해 배리어(310)를 형성할 수 있고, 배리어 물질(310a)이 절연물인 경우 식각공정에 의해 배리어(310)을 형성할 수 있다.
한편, 실시예에서 상기 배리어(310)는 틱소성이 있는 물질을 이용하여 식각내지 제거공정에 의하지 않고 형성할 수 있다. 예를 들어, 실버(Ag) 에폭시를 이용하여 에폭시가 흘러내리지 않고 틱소성으로 인하여 토출형태를 유지하여 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 상면에 배리어(310)를 형성할 수 있다.
상기 배리어(310)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 연결된 형태로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 주위에 배리어를 형성하여 이후 공정에서 발광소자 칩과 근접하게 형광체를 포함하는 봉지재를 봉지할 수 있고, 이에 따라 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
다음으로, 플립칩 외의 공정에서는 발광소자 칩에 전류를 흘러줄 수 있도록 와이어(미도시) 접합공정을 진행할 수 있다. 예를 들어, 수직형 발광소자 칩은 1개의 와이어 접합공정이, 수평형 발광소자 칩은 2개의 와이어 접합공정이 진행될 수 있다. 와이어는 금 와이어, 구리 와이어, 알루미늄 와이어 중 어느 하나 이상의 와이어를 채용할 수 있으며, 와이어 접합은 볼 와이어 접합방법이나 에지 와이어 접 합 등의 방법으로 진행할 수 있다.
다음으로, 칩을 보호하고 광추출 효율을 증가시키기 위하여 상기 발광소자 칩(200) 상에 형광체(미도시)를 포함하는 봉지재(encapsulating material)(400)로 봉지한다.
상기 봉지재(400)는 에폭시 봉지재나 실리콘 봉지재 등을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 발광소자 칩은 Green~Blue LED, 혹은 Yellow~Red LED 또는 UV LED 등일 수 있으며, 형광체를 봉지재에 추가하여 백색광을 만들 수 있다.
예를 들어, 실시예는 청색 LED에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV LED에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 형광체는 호스트 물질과 활성물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 이트륨 알루미늄 가넷(YAG)의 호스트물질에 세륨(Ce) 활성물질이, 실리게이트 계열의 호스트물질에 유로피움(Eu) 활성물질을 채용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 봉지공정은 배합, 혼합, 토출, 경화의 순으로 진행될 수 있다. 상기 봉지재의 봉지방법으로는 디스펜싱, 캐스팅 몰딩, 트랜스퍼 몰딩방법, 진공프린팅 방법 등으로 진행될 수 있다.
상기 봉지재(400)는 상면이 평면으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 봉지재(400)가 평면으로 발광소자 칩(200) 상에 균일하게 형성됨으로 써 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있고, 면발광을 통해 광학설계가 용이할 수 있다.
한편, 실시예는 상기 봉지재의 표면에 요철(미도시)을 형성하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 봉지공정 후 습식식각공정을 일부 진행하여 봉지재(400) 상면에 일부 요철을 형성할 수 있다. 또는, 요철이 형성된 금형 등을 이용하여 트랜스퍼 몰딩을 진행하여 봉지재 상면에 요철을 형성할 수 있다.
이후, 상기 봉지재(400) 상에 광추출 효과 증대와 와이어(미도시)를 보호 등을 위해 반구 형상의 외부렌즈(미도시)를 형성할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 주위에 배리어를 형성하여 발광소자 칩과 근접하게 형광체를 포함하는 봉지재를 봉지할 수 있고, 이에 따라 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
실시예에서 상기 배리어(310)는 발광소자 칩(200)의 전극패드(미도시) 상에는 형광체를 포함하는 봉지재(400)가 형성되지 않도록 전극패드 외곽을 따라 형성될 수 있다. 또한 상기 배리어(310)는 발광소자 칩(200) 외곽 둘레와 전극 패드를 덮도록 형성하여 형광체를 포함하는 봉지재(400)를 형성한 후 전극패드 위의 배리어만 제거하거나 배리어 전체를 제거할 수도 있다.
도 6b 및 도 6c는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 단면도이다.
실시예는 도 6b와 같이 배리어(312)가 발광소자 칩(200)의 측면에도 형성되어 패시베이션 기능을 겸비할 수 있다.
또한, 실시예는 도 6c와 같이 도 6a 공정 후에 상기 배리어(310)를 제거할 수도 있다.
도 6d는 실시예에 따른 발광소자 단면도이다.
또한, 실시예는 발광소자의 패키지에 대해 한정되는 것이 아니며, 도 6d와 같이 실시예는 칩 레벨에서 발광소자 칩(200) 상에 배리어(310)를 형성하고, 형광체를 포함하는 봉지재(400)를 형성할 수도 있다. 이후, 상기 봉지재(400)와 배리어(310)가 형성된 발광소자 칩(200)을 이용해 패키징 공정을 진행할 수 있다.
도 7은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 7에서 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 단면을 도시하면 도 1과 유사할 수 있다.
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하에서는 제2 실시예의 특징 위주로 기술한다.
제2 실시예에서의 배리어(320)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 상호 분리되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 실시예의 배리어(320)는 상호 분리된 제1 내지 제4 배리어(321, 322, 323, 324)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 실시예에 의하면 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 상호 분리된 배리어(320)를 형성함으로써 발광되는 빛의 차단영역을 최소화 하면서 발광소자 칩과 근접하게 형광체를 포함하는 봉지재를 봉지할 수 있고, 이에 따라 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 8에서 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 단면을 도시하면 도 1과 유사할 수 있다.
제3 실시예는 제1 실시예, 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하에서는 제3 실시예의 특징 위주로 기술한다.
제3 실시예에서의 배리어(330)는 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 상호 분리되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 실시예의 배리어(330)는 상호 분리된 제1 내지 제4 배리어(331, 332, 333, 334)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 제3 실시예에서 상기 상호 분리된 제1 내지 제4 배리어(331, 332, 333, 334) 중 적어도 하나는 패드일 수 있다. 예를 들어, 제4 배리어(334)가 패드일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 이러한 배리어용 패드는 발광소자 칩 공정에서 형성될 수 있다.
한편, 상기 상호 분리된 제1 내지 제4 배리어(331, 332, 333, 334) 중 적어도 하나는 실제 패드일 수 있으며, 나머지 배리어는 더미 패드로 형성될 수도 있다.
제3 실시예에 의하면 패드를 이용하여 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 상호 분리된 배리어(330)를 형성함으로써 발광되는 빛의 차단영역을 최소화 하면서 발광소자 칩과 근접하게 형광체를 포함하는 봉지재를 봉지할 수 있고, 이에 따라 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
도 9는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
제4 실시예는 제1 실시예 내지 제3 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있으며, 이하에서는 제4 실시예의 특징 위주로 기술한다.
제4 실시예에서 상기 봉지재(420)는 반구형으로 형성될 수 있으며, 봉지물질의 표면장력에 의해 봉지재 내에 일정한 형태로 형광체의 분포를 만들어 줄 수 있다.
이에 따라 실시예에 의하면 봉지재를 발광소자 칩(200) 상에 표면장력에 의해 균일하게 형성함으로써 봉지재 내에 균일하게 형광체의 분포를 만들어 줄 수 있고, 이에 따라 형광체의 분포가 균일하며, 나아가 발광소자 칩의 면적과 유사하게 균일하게 분포시킬 수 있다.
실시예에서 봉지재(420)를 발광소자 칩(200) 상에 표면장력에 의해 균일하게 형성하기 위해 발광소자 칩의 표면을 젖음성이 낮은 상태로 형성할 수 있다.
예를 들어, 발광소자 칩(200)의 표면에 요철(미도시)을 형성하면 봉지물질의 젖음성이 낮아져서 반구형상의 봉지재를 형성할 수 있으며, 나아가 광추출 효과도 증가할 수 있다.
제4 실시예는 봉지재(420)를 반구형으로 형성함으로써 광추출 효율을 증대시킬 수 있으며, 상기 발광소자 칩(200)의 외곽 둘레에 배리어(310)를 형성함으로써 발광소자 칩과 근접하게 형광체를 포함하는 봉지재를 봉지할 수 있고, 이에 따라 발광소자 칩 주위의 형광체 분포를 균일하게 할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 3 내지 도 6a는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법에 대한 공정단면도.
도 6b 및 도 6c는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 단면도.
도 6d는 실시예에 따른 발광소자 단면도.
도 7은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 9는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.

Claims (24)

  1. 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩 상에 배리어; 및
    상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함하는 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 배리어는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 상면에 형성된 발광소자.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 배리어는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 연결된 배리어를 포함하는 발광소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 배리어는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 상호 분리된 배리어를 포함하는 발광소자.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 상호 분리된 배리어 중 적어도 하나는 패드인 발광소자.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 상호 분리된 배리어 중 적어도 하나는 더미 패드인 발광소자.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지재의 상면이 평면인 발광소자.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지재의 상면이 평면이되,
    상기 봉지재의 상부 표면에 요철을 포함하는 발광소자.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 봉지재가 반구형인 발광소자.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 배리어는,
    전도성 물질, 비전도성 물질, 틱소성 물질 중 적어도 하나인 발광소자.
  11. 발광소자 칩을 형성하는 단계;
    상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계; 및
    상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계는,
    상기 발광소자 칩 상에 배리어 물질을 형성하는 단계;
    상기 배리어 물질을 일부 제거하여 상기 발광소자 칩의 외곽 상면에 배리어를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 연결된 배리어를 형성하는 발광소자의 제조방법.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 둘레에 상호 분리된 배리어를 형성하는 발광소자의 제조방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 상호 분리된 배리어 중 적어도 하나는 패드 또는 더미 패드인 발광소자의 제조방법.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 봉지재를 형성하는 단계 후에,
    상기 배리어를 제거하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 배리어를 형성하는 단계는,
    전도성 물질, 비전도성 물질, 틱소성 물질 중 적어도 하나로 형성하는 발광소자의 제조방법.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계는,
    상기 봉지재의 상면이 평면인 발광소자의 제조방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 봉지재는
    상기 배리어의 높이 이하로 형성되는 발광소자의 제조방법.
  20. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자 칩 상에 형광체를 포함하는 봉지재를 형성하는 단계는,
    상기 봉지재를 반구형으로 형성하는 발광소자의 제조방법.
  21. 서브마운트;
    상기 서브마운트 상에 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩 상에 배리어; 및
    상기 발광소자 칩 상의 상기 배리어 내측에 형광체를 포함하는 봉지재;를 포함하는 발광소자 패키지.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 배리어는,
    상기 발광소자 칩의 외곽 상면에 형성된 발광소자 패키지.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 봉지재의 상면이 평면인 발광소자 패키지.
  24. 제21 항에 있어서,
    상기 봉지재가 반구형인 발광소자 패키지.
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