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KR100932522B1 - 마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서 - Google Patents

마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적증착방법 및 이를 이용한 가스센서 Download PDF

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KR100932522B1
KR100932522B1 KR1020070126490A KR20070126490A KR100932522B1 KR 100932522 B1 KR100932522 B1 KR 100932522B1 KR 1020070126490 A KR1020070126490 A KR 1020070126490A KR 20070126490 A KR20070126490 A KR 20070126490A KR 100932522 B1 KR100932522 B1 KR 100932522B1
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metal oxide
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micro heater
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이홍열
박소정
곽준혁
맹성렬
박강호
김종대
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법과 이를 이용한 가스 센서에 관한 것이다. 가스센서의 감지물질로서 나노 소재를 이용하기 위해, 본 발명은 마이크로 히터를 이용하여 기판의 일부분에만 금속 산화물 나노 소재의 성장 온도를 유지함으로써 나노 소재를 선택적으로 성장시키는 증착방법 및 이를 이용한 가스센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법은, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 상기 감지 전극 상부에 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 단계를 포함한다.
반도체식 가스센서, 금속 산화물, 나노 소재

Description

마이크로 히터를 이용한 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법 및 이를 이용한 가스센서{method for selective growth of metal oxide nano material using micro heater and gas sensor using the method}
본 발명은 가스 센서에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법과 이를 이용한 가스 센서에 관한 것이다.
본 발명은 정보통신부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-006-02, 과제명: 유비쿼터스 단말용 부품 모듈].
가스센서에 대한 연구는 오래 전부터 이루어져 왔으며 현재 많은 종류의 가스센서가 실용화되어 있다. 가스센서의 기본적인 원리는 검출소자의 표면에서 검출 대상 가스의 화학적 검출을 수행하고 이것에 동반하는 화학적 변화를 전기신호로 변환하는 것이다. 가스센서의 검출원리에 따라, 가스 센서 분야는 광학식, 전기화학식, 압전식, 반도체식 가스센서 등으로 분류할 수 있으며 그 중에서도 반도체식 가스센서 기술은 구조가 간단하여 공정이 용이하며 크기가 작고 전력소모가 작아 개인 휴대형 단말기기에 장착될 수 있는 유용한 기술이다.
반도체식 가스센서는 기체성분이 반도체의 표면에 흡착하거나 또는 미리 흡착해 있던 산소 등과 같은 흡착가스와 반응할 때 흡착분자와 반도체 표면과의 사이에 전자수수가 일어나고 반도체의 도전율과 표면전위 등이 변화하게 되는데 이러한 변화를 검출하는 원리이며, 반도체식 가스센서 소자를 제작하는데 벌크나 후막, 박막 그리고 나노 소재를 이용하는 것이 연구되고 있다. 나노 소재는 고집적도와 고감도, 고선택성 그리고 간단한 구조로 소자 구현이 가능하여 트랜지스터, 광전소자, 논리회로, 센서 등 많은 응용 분야에서 활발하게 연구되고 있고, 특히 환경 오염 문제와 웰빙 문화에 따른 가스 센서 응용 부분에 대해 많은 연구가 진행중이다.
반도체식 가스센서의 제작에 있어서, 벌크나 후막 소자의 경우, 상대적으로 소자가 커지고 전력 소모가 많아지는 반면 박막의 경우는 상대적으로 가스 감지 특성이 떨어진다. 이에 비해 나노 소재는 체적에 대해 큰 표면적 비를 가지므로 작은 감지 면적으로도 우수한 감도 특성이 기대되어 초소형 저전력 가스센서의 구현에 유리하다. 하지만 대량 생산을 위한 일괄 공정이 가능한 실리콘 기반의 기술과 호환되는 성장이나 배열 기술에 대해서는 아직 많은 연구가 필요한 실정이다.
반도체식 가스센서에 쓰이는 물질로서 박막을 증착하는 기술로, Cavicchi 등 에 의한 미국 특허등록번호 5,356,756 에서는 마이크로 핫플레이트가 내장된 마이크로 기판을 이용하여 박막을 증착하는 기술을 개시하고 있다. 여기에서는 주로 스퍼터링이나 기화법(evaporation), 화학적 증착법을 이용하여 박막을 증착하는 기술을 제안하는데, 가스센서에 쓰이는 박막 소재는 나노 소재에 비해 감도나 반응 속도가 떨어지는 단점이 있고 또한 선택적으로 증착하기 위해서는 사진공정 등을 통해 감광제 등의 유기물 구조물을 만들고 박막 증착 후 유기물을 제거해야 하는 공정을 더 거쳐야한다는 문제점이 있었다.
따라서, 가스센서의 감지물질로서 나노 소재를 이용하기 위해, 본 발명은 마이크로 히터를 이용하여 기판의 일부분에만 금속 산화물 나노 소재의 성장 온도를 유지함으로써 나노 소재를 선택적으로 성장시키는 증착방법 및 이를 이용한 가스센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법은, 중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와, 상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와, 상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와, 상기 감지 전극 상부에 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일측면에 따라, 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 방법은 금속 산화물 전구체에 촉매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계와, 그 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 침수시키는 단계와, 마이크로히터 전극을 통해 기판에서 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열함으로써 금속 산화물 나노 소재를 성장시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 방법은 금속 산화물 전구체 용액을 제조하는 단계와, 스핀 코터 등을 통해 마이크로히터가 내장된 기판 위에 전구체 용액을 균일하게 도포하는 단계와, 마이크로히터 전극을 통해 기판에서 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열함으로써 금속 산화물 나노 소재를 성장시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 방법은 발열체를 갖는 반응로 내부에 기판과 반응소스를 이격시켜 배치하는 단계와, 발열체를 통해 반응소스를 가열하고 마이크로히터 전극을 통해 기판에서 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와, 반응로에 비활성 운반가스를 유입하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 금속 산화물 나노 소재를 증착하는 방법은 진공 챔버내부에 기판과 타겟을 이격시켜 배치하는 단계와, 비활성가스 또는 산화성 가스로 진공 챔버를 채우는 단계와, 마이크로히터 전극을 통해 기판에서 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와, 레이져를 타겟에 입사하여 플룸을 발생시키는 단계를 포함한다.
전술한 본 발명의 증착방법에 따르면, 후막 또는 박막을 이용하는 종래 기술에 비해 감도가 높고 저온에서도 동작할 수 있는 가스센서를 구현할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 공정은 반도체 공정을 이용할 수 있어 대량 생산이 가능하며 센서의 구동에 필요한 회로와 함께 집적하여 제작할 수 있다. 또한 나노 소재의 선택적 증착이 가능하므로 공정이 단순해지고 이로 인해 센서 생산 단가를 낮출수 있는 효과가 있다.
이하에서는 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 가스센서의 개략적인 단면도로서, 가스센서(1)는 중앙영역이 제거된 기판(10)과, 기판(10) 상부의 멤브레인(20)과, 중앙영역 부분의 멤브레인(20) 상부에 형성된 마이크로히터 전극(40)과, 마이크로히터 전극(40)을 감싸며 멤브레인(20) 상부에 형성된 절연막(30)과, 마이크로히터 전극(40) 부분의 절연막(30) 상부에 형성된 감지 전극(50)을 포함한다. 도 1의 확대도를 참조하면, 감지 전극(50) 상부에 성장된 나노 소재가 나타나있다. 기판(10)은 Al2O3, MgO, quartz, GaN, GaAs, Si/SiNx, Si/SiO2 중 하나일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 마이크로히터 전극(40)은 인터디지탈, 갭 모양 등일 수 있으며 전극은 Au, W, Pt, Pd 등을 이용하며 접촉력을 높이기 위해 Cr, Ti 등을 부착층(adhesion layer)으로 사용하고 스퍼터링(sputtering), 전자빔(e-beam), 기화법(evaporation) 등의 방법을 이용하여 멤브레인(20)상에 증착한다. 감지 전극(50)은 가스 감지 물질용으로 형성되며 나노 소재가 그 위에 성장된다.
본 발명에 따른 나노 소재의 선택적 증착방법은 나노 소재의 증착을 원하는 곳에만 마이크로히터를 통해 나노 소재 성장에 필요한 온도를 유지함으로써 반응소스들의 반응이나 분해를 통해 이뤄진다. 이러한 반응은 졸-겔(sol-gel)법, 열화학기상증착법, 레이져증착법 등을 이용하여 이뤄질 수 있으며, 그 원리는 졸-겔법의 경우 반응소스로서 금속 산화물 전구체를 혼합한 용액에 기판을 담가서 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서 금속 산화물 나노 소재의 합성이 가능하게 하거나, 금속 산화물 전구체 용액을 기판상에 균일하게 도포하여 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서 금속 산화물 나노 소재의 합성이 가능하도록 한다. 열화학기상증착법의 경우 금속을 포함하는 고상, 액상 또는 기상의 반응소스를 반응로에 투입하여 상압 또는 저압 상태에서 저항발열체 영역에서 열분해시키고 아르곤(Ar) 등의 캐리어 가스에 의해 운반되어 온 반응소스와 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서 금속 산화물 나노 소재의 합성이 이루어지는 것이다. 레이져증착법의 경우 입사된 레이져에 의해 떨어져나온 금속 산화물이나 금속 등이 분위기 가스와의 접촉이나 반응 등을 통해 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서 금속 산화물 나노 소재의 합성이 이루어지는 것이다.
이하에서는, 본 발명에 따른 4가지 실시예를 통해 나노 소재의 선택적 증착방법에 대해 더욱 상세히 설명한다.
실시예1
금속 산화물 전구체와 촉매를 혼합하여 용액을 제조하고 그 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 침수시킨 후 마이크로히터를 통해 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 기판의 일부를 가열함으로써 나노 소재를 성장시킨다.
예를 들어, ZnO 나노선의 경우, Zinc nitrate hexagydrate(Zn(NO3)26H2O)와 methenamine(C6H12N4) 파우더를 초순수(ultra pure water)와 혼합하여 같은 비율의 수용액으로 만든다. 시약병에 두 수용액을 섞은 후 기판을 침수시킨다(도 2 참조). 그 다음 마이크로히터를 통해 ZnO 나노선이 성장될 부분에만 특정 온도(100℃ 이하)를 유지하면서 ZnO 나노선을 성장시킨다. 또한 ZnO 나노선은 Zinc chloride 와 Ammonia 를 섞어서 혼합한 용액에서도 성장시킬 수 있다.
SnO2 나노선의 경우 SnC2O4·2H20 와 poly(vinylprrolidone)(PVP), ethylene glycol(EG) 등을 섞어서 혼합한 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 넣고 마이크로히터를 통해 나노선이 성장될 부분에만 특정 온도를 유지하면서 SnO2 나노선을 성장시킨다.
In2O3 나노선의 경우 In(O2C8H15)(OiPr)2 와 poly(vinylprrolidone)(PVP), ethylene glycol(EG) 등을 섞어서 혼합한 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 넣고 마이크로히터를 통해 나노선이 성장될 부분에만 특정 온도를 유지하면서 In2O3 나노선을 성장시킨다.
TiO2 나노선의 경우 Ti(OBu)4 와 poly(vinylprrolidone)(PVP), ethylene glycol(EG) 등을 섞어서 혼합한 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 넣고 마이크로히터를 통해 나노선이 성장될 부분에만 특정 온도를 유지하면서 TiO2 나노선을 성장시킨다.
WO3 나노선의 경우 W(CO)6 와 Me3NO·2H2O, oleylamine 등을 섞어서 혼합한 용액에 마이크로히터가 내장된 기판을 넣고 마이크로히터를 통해 나노선이 성장될 부분에만 특정 온도를 유지하면서 WO3 나노선을 성장시킨다.
금속 산화물 나노선이 성장되는 동안에 두 용액이 반응하여 생기는 부산물들도 만들어지게 되는데, 기판위에 성장한 나노선들은 반데르발스힘(van der waals force)에 의해서 강하게 붙어 있기 때문에 잘 떨어지지 않으므로 합성이 끝난 뒤 곧바로 증류수를 이용하여 이러한 부산물들을 제거할 수 있다.
금속 산화물 나노선은 수용액 상태에서 성장했기 때문에 유기물 제거를 위해 산소 플라즈마나 UV/O3 처리 등을 할 수도 있다. 또한, 전극 위에 나노선이 놓여져 있어서 전극과 나노선 사이의 전기적인 접촉이 좋지 않을 수 있으나, 마이크로히터를 이용한 다양한 대기 분위기에서의 급속 열처리를 통해 다양한 특성 향상을 이뤄낼 수 있다. 예를 들어, 고온의 진공 상태에서 성장한 나노선의 경우 결정성이 좋지만, 졸-겔 합성의 경우에는 결정성이 나쁠 수 있다. 이러한 경우 마이크로히터를 이용한 급속 열처리로 결정성을 향상시킬 수 있으며, 나노선 표면에 흡착되어 있는 수분을 제거함으로써 전도도 또한 향상시킬 수 있다.
실시예2
금속 산화물 전구체 용액을 제조하고 그 전구체 용액을 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터를 통해 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열함으로써 나노 소재를 성장시킨다.
예를 들어, ZnO 나노 소재의 경우, Zinc acetate 와 ethanol 등을 섞은 전구체 용액을 여러 열처리 과정과 혼합 과정 등을 통해 균일한 용액으로 만든 후 스핀 코팅 등의 방법을 통해 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서만 금속 산화물 나노 소재의 결정화가 가능하도록 한다.
SnO2 나노 소재의 경우, SnCl4와 NH4OH 등을 섞은 전구체 용액을 여러 열처리 과정과 혼합 과정 등을 통해 균일한 용액으로 만든 후 스핀 코팅 등의 방법을 통해 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서만 금속 산화물 나노 소재의 결정화가 가능하도록 한다.
In2O3 나노 소재의 경우, Indium nitrate와 ammonia 등을 섞은 전구체 용액을 여러 열처리 과정과 혼합 과정 등을 통해 균일한 용액으로 만든 후 스핀 코팅 등의 방법을 통해 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서만 금속 산화물 나노 소재의 결정화가 가능하도록 한다.
TiO2 나노 소재의 경우, TITANIUM(IV) ISOPROPOXIDE 와 Acetic acid, 2-PROPANOL 등을 섞은 전구체 용액을 여러 열처리 과정과 혼합 과정 등을 통해 균일한 용액으로 만든 후 스핀 코팅 등의 방법을 통해 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서만 금속 산화물 나노 소재의 결정화가 가능하도록 한다.
WO3 나노 소재의 경우,Na2WO4 와 HCl 등을 섞은 전구체 용액을 여러 열처리 과정과 혼합 과정 등을 통해 균일한 용액으로 만든 후 스핀 코팅 등의 방법을 통해 마이크로히터가 내장된 기판상에 균일하게 도포한 후 마이크로히터가 있는 기판의 일부분에서만 금속 산화물 나노 소재의 결정화가 가능하도록 한다.
실시예3
마이크로히터가 내장되어 있는 기판 위에 있는 가스 감지 물질용으로 형성된 전극 위에 금속산화물 나노 소재를 열화학기상증착법으로 성장시킨다. 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 발열체를 갖는 반응로 내부에 배치되는 반응소스는 금속산화물 분말이나 금속산화물의 성분요소인 금속 분말이 사용되며, 금속 산화물 나노 소재가 생성될 기판이 반응로에 놓인다. 저항 발열체에 금속 산화물 또는 금속 분말을 위치시키고 고온(약 800~1000℃)으로 가열하여 기상의 반응소스를 발생시키며, 저항 발열체로부터 거리가 떨어진 반응로 중앙에 마이크로히터가 내장된 기판을 위치시킨다. 반응소스의 운반을 위해 비활성 운반가스(예를 들어, Ar)를 사용하며 유량은 성장조건에 따라 다르지만 성장하고 있는 동안에는 일정하게 유지한다. 금속산화물 나노 소재가 성장되기 위해서는 열이 공급되어야 하므로 반응로의 저항 발열체와 동일한 시간으로 기판에 내장된 마이크로히터를 이용하여 성장에 필요한 열을 공급한다. 온도를 유지하는 시간, 온도를 올리거나 내리는 시간 등은 나노 소재의 종류나 성장 조건에 따라 조절한다.
실시예4
마이크로히터가 내장되어 있는 기판 위에 있는 가스 감지 물질용으로 형성된 전극 위에 금속산화물 나노 소재를 레이져증착법으로 성장시킨다. 구체적으로는, 도 4에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(반응로)내에 금속산화물 분말이나 금속산화물의 성분요소인 금속 분말로 이루어진 타겟과, 마이크로히터가 내장된 기판을 타겟과 일정 거리를 두고 위치시킨다. 비활성가스 또는 산화성 가스로 진공 챔버를 채운 뒤 레이져를 타겟에 입사하여 플룸을 발생시킨다. 금속산화물 나노 소재의 성장조건에 따라 진공 챔버내의 비활성가스와 산화성 가스의 비율, 압력 등을 조정하지만 성장하고 있는 동안에는 일정하게 유지한다. 금속산화물 나노 소재가 성장되기 위해서는 열이 공급되어야 하므로 반응로의 저항 발열체와 동일한 시간으로 기판에 내장된 마이크로히터를 이용하여 성장에 필요한 열을 공급한다. 온도를 유지하는 시간, 온도를 올리거나 내리는 시간 등은 나노 소재의 종류나 성장 조건에 따라 조절한다.
전술한 실시예들은 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위한 목적이다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 의도 및 범위에 포함되는 다양한 변화, 변경이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 가스센서의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 기판상에 나노 소재를 증착하기 위하여, 시약병에 Zn(NO3)26H2O) 수용액과 C6H12N4수용액을 섞은 후 기판을 침수시킨 것을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 기판상에 나노 소재를 증착하기 위하여, 미리 만든 금속 산화물 나노 소재의 전구체 용액을 스핀 코터를 이용하여 균일하게 도포하는 것을 나타낸다.
도 4는 본발명의 일실시예에 따라 기판상에 나노 소재를 증착하기 위하여, 기판과 반응소스를 반응로내에 배치시킨 것을 나타낸다.
도 5는 본발명의 일실시예에 따라 기판상에 나노 소재를 증착하기 위하여, 기판과 타겟을 진공 챔버내에 배치시킨 것을 나타낸다.

Claims (11)

  1. 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서,
    중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와,
    상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와,
    상기 금속 산화물 나노 소재에 대응하는 금속 산화물 전구체와 촉매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계와,
    상기 용액에 상기 기판을 침수시키는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 특정 온도를 유지함으로써 상기 금속 산화물 나노 소재를 성장시키는 단계와,
    성장된 상기 금속 산화물 나노 소재에 대해 산소 플라즈마 또는 UV/O3 처리를 수행하는 단계
    를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    성장된 상기 금속 산화물 나노 소재에 대해 상기 마이크로히터 전극을 이용한 급속 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  5. 삭제
  6. 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서,
    중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와,
    상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와,
    발열체를 갖는 반응로 내부에 상기 기판과 반응소스를 이격시켜 배치하는 단계와,
    상기 발열체를 통해 상기 반응소스를 가열하고 상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 기판에서 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와,
    상기 반응로에 비활성 운반가스를 유입하는 단계
    를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반응소스는 금속산화물 분말 또는 금속산화물의 성분요소인 금속 분말이며, 상기 반응소스의 가열 온도는 800~1000℃ 인, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 비활성 운반가스는 아르곤(Ar)이며, 상기 비활성 운반가스의 유량은 성 장 시간동안 일정하게 유지되는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  9. 마이크로 히터를 이용하여 금속 산화물 나노 소재를 선택적으로 증착하는 방법에 있어서,
    중앙영역이 제거된 기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계와,
    상기 중앙영역 부분의 상기 멤브레인 상부에 마이크로히터 전극을 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극을 감싸는 절연막을 상기 멤브레인의 상부에 형성하는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극 부분의 절연막 상부에 감지 전극을 형성하는 단계와,
    진공 챔버내부에 상기 기판과 타겟을 이격시켜 배치하는 단계와,
    비활성가스 또는 산화성 가스로 상기 진공 챔버를 채우는 단계와,
    상기 마이크로히터 전극을 통해 상기 기판에서 상기 금속 산화물 나노 소재가 성장될 부분에만 가열하는 단계와,
    레이져를 상기 타겟에 입사하여 플룸을 발생시키는 단계
    를 포함하는, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 타겟은 금속산화물 분말 또는 금속산화물의 성분요소인 금속 분말인, 금속 산화물 나노 소재의 선택적 증착방법.
  11. 제1항, 제4항, 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 증착된 금속 산화물 나노 소재를 이용하는 가스센서.
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