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KR100872994B1 - Plasma generator - Google Patents

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KR100872994B1
KR100872994B1 KR1020070042228A KR20070042228A KR100872994B1 KR 100872994 B1 KR100872994 B1 KR 100872994B1 KR 1020070042228 A KR1020070042228 A KR 1020070042228A KR 20070042228 A KR20070042228 A KR 20070042228A KR 100872994 B1 KR100872994 B1 KR 100872994B1
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South Korea
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source gas
plasma
induction pipe
plate structure
lower plate
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신인철
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 상기 유도관의 하단보다 낮게 위치하는 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 상기 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관의 외면을 부분적으로 감싸 상기 소스가스 분사구를 제외한 부분에서 상기 소스가스 이동공간을 차단하는 하판 차단벽을 포함하는 샤워 헤드, 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부 및 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.The plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a top plate structure including a plurality of induction tubes formed below and providing a plasma chamber together with the plasma generating unit below the plasma generating unit, and positioned below the lower end of the induction tube. And a lower plate structure including a plurality of source gas injection holes, wherein the upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas moving space for source gas supply, and the lower plate structure partially surrounds an outer surface of the induction pipe. A shower head including a lower plate blocking wall to block the source gas moving space at portions other than the source gas injection port, a reaction gas supply unit supplying a reaction gas to the plasma generating unit, and a source gas to the source gas moving space in the shower head. It includes a source gas supply unit for supplying.

플라즈마, 리플렉터, 유도관, 차단벽 Plasma, Reflector, Induction Pipe, Barrier Wall

Description

플라즈마 발생장치 {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA}Plasma Generator {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 3;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.FIG. 6 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 5;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200:플라즈마 발생장치 210:플라즈마 발생부200: plasma generator 210: plasma generator

220:지지부 230:반응가스 공급부220: support part 230: reaction gas supply part

240:소스가스 공급부 250:샤워 헤드240: source gas supply part 250: shower head

260:상판구조 262:유도관260 : top plate structure 262 : induction pipe

270:하판구조 278:차단벽270: bottom plate structure 278: barrier wall

본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 표면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly, to a plasma generating apparatus capable of generating a plasma uniformly for surface treatment and thin film formation.

도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.

도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다. Referring to FIG. 1, a conventional plasma generator includes a plasma generator 10, a reaction gas supply unit 30, a source gas supply unit 40, and a shower head 50, and these devices may be disposed on the support unit 20. It is attached to. A plasma chamber for forming plasma is provided between the plasma generator 10 and the shower head 50, and the plasma formed in the plasma chamber is shower head through a plurality of reaction gas injection holes 63 formed in the shower head 50. 50 can be moved to the bottom. As the plasma by the reaction gas passes through the shower head 50, the plasma is converted into a state such as ions or radicals, and the ions or radicals of the converted reaction gas are lowered at the lower end of the induction pipe 62 of the shower head 50. Can be sprayed on.

샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다. The lower portion of the shower head 50 is provided with a processing space, and the processing space may be positioned to perform plasma processing such as thin film formation and cleaning. The plasma generating device and the processing space are generally maintained in a vacuum state, and the object to be processed may be mounted on a heater (not shown).

플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다. The plasma generating unit 10 is composed of an upper plasma plate 12 and a lower plasma plate 14, and associated pipes and source gas of the reaction gas supply unit 30 by the upper plasma plate 12 and the lower plasma plate 14. An oil pipe of the supply part 40 may be formed. The reaction gas supplied through the reaction gas supply unit 30 is converted into a plasma state while passing through the plasma generation electrode 18 mounted on the bottom of the plasma generation unit 10, and a plurality of holes are provided in the plasma generation electrode 18. Can be formed to effectively pass the reaction gas.

종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.In the conventional plasma generator, the shower head 50 is formed by the upper plate structure 60 and the lower plate structure 70, and the induction pipe 62 defining the reaction gas injection hole 63 is formed in the upper plate structure 60. The lower plate structure 70 is provided with a source gas injection port 74 for source gas injection. The reaction gas ions or radicals passing through the reaction gas injection port 63 may react with the source gas passing through the source gas injection port 74, and a thin film or the like may be formed on the object to be processed by the reaction.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 샤워헤드(50)에서 소스가스 분사구(74)가 반응가스 분사구(63)보다 높은 위치에 있다. 일반적으로 소스가스 분사구(74)를 통해서 공급되는 소스가스의 양이 유도관(62)을 통한 반응가스의 양보다 작기 때문에 소스가스의 공급이 반응가스에 의해서 방해를 받을 수 있으며, 그 결과 소스가스가 피처리물까지 도달하기가 어렵다. As shown in FIG. 1, in the conventional shower head 50, the source gas injection hole 74 is located at a position higher than the reaction gas injection hole 63. In general, since the amount of the source gas supplied through the source gas injection port 74 is smaller than the amount of the reaction gas through the induction pipe 62, the supply of the source gas may be interrupted by the reaction gas, and as a result, the source gas Is difficult to reach to the workpiece.

상술한 바와 같이, 소스가스가 피처리물에 정상적으로 도달하지 못하면, 피처리물 상에 형성되는 박막이 얇게 형성되거나 형성되어도 형성되는 박막의 품질이 현저하게 저하될 수가 있다. As described above, if the source gas does not normally reach the workpiece, even if a thin film formed on the workpiece or a thin film is formed, the quality of the thin film formed may be significantly reduced.

본 발명은 반응가스의 분사와 무관하게 소스가스가 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다.The present invention provides a plasma generator that can effectively reach a target gas regardless of injection of a reaction gas.

본 발명은 반응가스를 분사함에 있어서 반응가스가 고루 분사되도록 노즐을 형성할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 효율적으로 혼합될 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention can form a nozzle so that the reaction gas is evenly injected in the injection of the reaction gas, and provides a plasma generator that can be efficiently mixed with the reaction gas and the source gas.

본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있는 여러 방법을 제공한다. The present invention provides several methods that can effectively block the line reaction between the source gas and the reaction gas.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워헤드, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 특히, 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하며, 플라즈마 발생부에 의해서 생성된 플라즈마를 샤워 헤드 하부로 이동시키기 위한 유도관, 샤워 헤드의 저면에 형성되어 소스가스를 분사하는 복수개의 소스가스 분사구 및 소스가스 분사구와 연통하도록 샤워 헤드 내부에 형성된 소스가스 이동공간을 포함한다. 유도관은 샤워 헤드를 상하로 관통하는 반응가스 분사구의 전부 또는 일부를 형성하며, 상기 유도관의 하단은 소스가스 분사구보다 높은 위치에 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a shower head, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit. In particular, the shower head is located below the plasma generator, the induction pipe for moving the plasma generated by the plasma generator to the lower portion of the shower head, a plurality of source gas injection holes formed on the bottom of the shower head to inject the source gas and And a source gas moving space formed inside the shower head to communicate with the source gas injection port. The induction pipe forms all or part of the reaction gas injection hole penetrating the shower head up and down, and the lower end of the induction pipe is located at a higher position than the source gas injection hole.

유도관에 의해서 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스보다 높은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스와 효율적으로 혼합될 수 있다. 또한, 소스가스는 반응가스에 비해 상대적으로 소량으로 분사되는데, 소스가스가 상대적으로 아래 위치에서 분사되기 시작하기 때문에 반응가스에 의해서 종래보다 덜 영향을 받는다. Reaction gas ions or radicals injected by the induction tube start to be injected at a higher position than the source gas, and can be efficiently mixed with the source gas. In addition, the source gas is injected in a relatively small amount compared to the reaction gas, it is less affected by the reaction gas than the conventional because the source gas begins to be injected in a relatively lower position.

소스가스가 반응가스보다 낮은 위치에서 분사되기 시작하기 때문에, 소스가스는 피처리물에 용이하게 도달할 수 있으며, 소스가스가 피처리물로 이동하면서 반응가스에 의해서 이동이 방해를 받는 것을 최소화할 수 있다.Since the source gas starts to be injected at a lower position than the reaction gas, the source gas can easily reach the object to be treated, and minimize the movement of the source gas to the object to be disturbed by the reaction gas. Can be.

실제로 소스가스를 반응가스보다 낮은 위치에 있도록 하기 위해서는 샤워 헤드의 구조를 변경해야 하는 문제점이 있다. 하지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드의 하판구조를 아래로 이동하게 되면, 유도관 주변에서부터 소스가스 이동공간이 개방되어 샤워 헤드가 제 기능을 할 수 없다. 이를 극복하기 위해서 본 발명에서는 하판에 차단벽을 형성하고, 차단벽을 이용하여 하판구조가 상판구조로부터 아래로 이동해도 소스가스 이동공간이 유효하게 차단되도록 할 수 가 있다. In fact, there is a problem in that the structure of the shower head needs to be changed in order to keep the source gas at a lower position than the reaction gas. However, as shown in FIG. 1, when the lower plate structure of the shower head is moved downward, the source gas moving space is opened from around the induction pipe so that the shower head may not function properly. In order to overcome this problem, in the present invention, a barrier wall may be formed on the lower plate, and the source gas moving space may be effectively blocked even when the lower plate structure moves downward from the upper plate structure by using the barrier wall.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치도 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함하지만, 특히, 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 유도관의 하단보다 낮게 위치하는 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 하판구조는 유도관의 외면을 부분적으로 감싸 소스가스 분사구를 제외한 부분에서 소스가스 이동공간을 차단하는 하판 차단벽을 포함한다. According to another preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus also includes a plasma generating unit, a shower head, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit, but in particular, the shower head is positioned below the plasma generating unit and is disposed together with the plasma generating unit. A lower plate structure including a top plate structure including a plurality of induction pipes formed downward and a plurality of source gas injection holes positioned lower than a lower end of the induction pipe, wherein the top plate structure and the bottom plate structure are source gas supplies. To provide a source gas moving space for, the lower plate structure includes a lower plate blocking wall to partially cover the outer surface of the induction pipe to block the source gas moving space in the portion except the source gas injection port.

하판구조에서 하판 차단벽은 유도관보다 길게 형성되어 소스가스 분사구가 유도관의 하단보다 낮게 위치하도록 할 수 있다. 이 외에도 하판 차단벽은 유도관보다 길지 않더라도 유도관 하부를 부분적으로 감쌀 수 있는 길이로 형성되는 것도 가능하다.In the lower plate structure, the lower plate blocking wall may be formed longer than the induction pipe so that the source gas injection hole is located lower than the lower end of the induction pipe. In addition, even if the lower plate blocking wall is not longer than the induction pipe may be formed to a length that can partially wrap the lower portion of the induction pipe.

또한, 하판 차단벽의 내부 단면이 유도관의 내부 단면보다 큰 넓이로 형성되 도록 할 수가 있으며, 유도관 아래로 확장 노즐로서 기능할 수 있는 노즐공간이 제공될 수 있다. 이때 유도관을 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 유도관으로부터 벗어나자마자 노즐공간에 의해서 넓게 분사될 수 있으며, 반응가스는 소스가스와 효과적으로 혼합될 수 있다.In addition, the inner cross section of the lower plate blocking wall may be formed to have a larger area than the inner cross section of the induction pipe, and a nozzle space may be provided below the induction pipe to function as an expansion nozzle. In this case, the reaction gas ions or radicals passing through the induction pipe may be widely injected by the nozzle space as soon as they leave the induction pipe, and the reaction gas may be effectively mixed with the source gas.

본 명세서에서 차단벽 및 유도관은 일반적으로 원통 또는 실린더 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니하며 다각 기둥 형상 등과 같이 다양한 형상으로 형성될 수가 있다. 따라서 본 명세서에서 '내부 단면'은 각 통 또는 기둥 형상의 내부 크기를 의미하며, 차단벽 및 유도관이 원통 또는 실린더 형상으로 형성된 경우에는 내경 등을 기준으로 비교될 수가 있다.In the present specification, the barrier wall and the guide tube may be generally formed in a cylindrical or cylindrical shape, but are not limited thereto and may be formed in various shapes such as a polygonal column shape. Therefore, in the present specification, 'inner cross section' means an inner size of each cylinder or column shape, and when the barrier wall and the guide tube are formed in a cylinder or cylinder shape, they can be compared based on the inner diameter.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by quoting the contents described in other drawings under the above rules, and the contents repeated or deemed apparent to those skilled in the art may be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 2, the plasma generator 100 includes a plasma generator 110, a shower head 150, a reaction gas supply unit 130, and a source gas supply unit 140. The shower head 150 and the plasma generator 110 are mounted on the supporter 120, and the supporter 120 provides an empty hole in the center thereof, so that the plasma generated by the plasma generator 110 may provide an empty hole. Can be delivered to the workpiece.

플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다. The plasma generator 110 includes an upper plasma plate 112, a lower plasma plate 114, and a space plate 116. The upper plasma plate 112 and the lower plasma plate 114 are mounted up and down, and holes or grooves are formed in the upper plasma plate 112 and the lower plasma plate 114 so that the reaction gas supply unit 130 and the source gas supply unit ( A gas flow path of 140 may be formed.

플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)를 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)는 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀(미도시)이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다. The plasma generating unit 110 includes a plasma generating electrode 118, and the plasma generating electrode 118 is mounted on the bottom surface of the lower plasma plate 114. The reaction gas is supplied from the reaction gas supply unit 130 to the plasma generation electrode 118, and a plurality of holes (not shown) are formed in the plasma generation electrode 118 to allow the reaction gas to pass through the plasma chamber. The plasma generating unit 110 may generate plasma according to an inductive coupled plasma (ICP) or capacitive coupling plasma (CCP) scheme, and an RF power source or the like may be applied to the plasma generating electrode 118.

하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다. A space plate 116 is provided at a bottom of the lower plasma plate 114, and the space plate 116 is spaced apart from the lower plasma plate 114 and the shower head 150 by a predetermined interval to provide a chamber for plasma generation. can do. In addition, the space plate 116 may be used as an insulating member for electrically separating the plasma generator 110 and the shower head 150. To this end, the space plate 116 may itself be formed using an insulating material or may have an insulating property by forming an insulating coating on an outer surface thereof.

도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다. As illustrated, a gas flow path as the source gas supply unit 140 may be formed in the space plate 116, and the source gas supply unit 140 may be connected to the periphery of the shower head 150 through the space plate 116. have.

샤워 헤드(150)는 유도관(162), 소스가스 이동공간(152) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 유도관(162)의 아래로 노즐공간(164)이 제공되며, 유도관(162)의 내부 공간 및 노즐공간(164)에 의해서 반응가스 분사구(163)가 제공될 수 있다.The shower head 150 includes an induction pipe 162, a source gas moving space 152, and a source gas injection hole 174. The induction pipe 162 is formed to penetrate up and down to provide a reaction gas injection hole 163. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 150 through the reaction gas injection hole 163, and the plasma may be converted into an ionic or radical state in the process of being delivered. The nozzle space 164 is provided below the induction pipe 162, and the reaction gas injection hole 163 may be provided by the internal space and the nozzle space 164 of the induction pipe 162.

유도관(162)의 하단은 소스가스 분사구(174)보다 높은 위치에 있다. 따라서 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. The lower end of the induction pipe 162 is at a higher position than the source gas injection port 174. Therefore, the source gas starts to be injected at a relatively lower position than the reaction gas, and even if a relatively small amount of the source gas is supplied, the process gas does not interfere with the reaction gas, thereby effectively reaching the target object.

소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 하판구조(170)의 바닥에 형성된 소스가스 분사구(174)를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. When source gas is supplied into the shower head 150 by the source gas supply unit 140, the source gas may be injected through the source gas injection hole 174 formed at the bottom of the lower plate structure 170. The injected source gas can form a thin film or the like on the workpiece with the reaction gas ions.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma generator according to another embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 3 cut out.

도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 3 and 4, the plasma generator 200 includes a plasma generator 210, a shower head 250, a reaction gas supply unit 230, and a source gas supply unit 240. The shower head 250 and the plasma generator 210 are mounted on the supporter 220, and the supporter 220 provides an empty hole in the center thereof, so that the plasma generated by the plasma generator 210 may provide an empty hole. Can be delivered to the workpiece.

플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성된다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다. The plasma generator 210 includes an upper plasma plate 212, a lower plasma plate 214, and a space plate 216, and the upper plasma plate 212 and the lower plasma plate 214 are mounted up and down. Holes or grooves are formed in the upper plasma plate 212 and the lower plasma plate 214 to form gas flow paths of the reaction gas supply unit 230 and the source gas supply unit 240. The plasma generator 210 includes a plasma generator electrode 218 and a space plate 216.

샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀, 소스가스 분사구(274) 및 하판 차단벽(278)을 포함한다. 하판 관통홀을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)보다 아래에 형성되어 있다. The shower head 250 includes an upper plate structure 260 and a lower plate structure 270. The upper plate structure 260 is formed in a disk or other plate shape, and includes a guide tube 262 protruding downward. The induction pipe 262 is formed to penetrate up and down to provide a reaction gas injection hole 263. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 250 through the reaction gas injection hole 263, and in the process, the plasma may be converted into an ionic or radical state. The lower plate structure 270 is mounted below the upper plate structure 260 and includes a lower plate through hole, a source gas injection hole 274, and a lower plate blocking wall 278 corresponding to the induction pipe 262. The lower end of the induction pipe 262 may be exposed to the lower portion of the shower head 250 through the lower plate through hole, and the source gas injection hole 274 is formed below the induction pipe 262.

하판구조(270)에서 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 낮은 위 치에 있다. 따라서 소스가스 분사구(274)로부터 분사되는 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. In the lower plate structure 270, the source gas injection hole 274 is located at a lower position than the lower end of the induction pipe 262. Therefore, the source gas injected from the source gas injection port 274 starts to be injected at a relatively lower position than the reaction gas, and even though a relatively small amount of the source gas is supplied, the process gas is not disturbed by the reaction gas. Can be reached effectively.

또한, 유도관(262) 내경보다 하판 차단벽(278)의 내경이 더 크기 때문에, 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(262)의 아래로 넓은 노즐공간(264)이 형성될 수 있다. 하판 차단벽(278)은 유도관(262)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(278)의 내면은 유도관(262)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 하판 차단벽(278)은 유도관(262)과 하부 외면을 둘러 감싸기 때문에 샤워 헤드(250) 내부의 소스가스 이동공간(252)을 여전히 차단할 수가 있다. 차단벽(278)은 기본적으로 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the inner diameter of the lower plate blocking wall 278 is larger than the inner diameter of the induction pipe 262, a wide nozzle space 264 may be formed around the lower plate through hole, that is, below the induction pipe 262. The lower plate blocking wall 278 is formed in a cylindrical shape corresponding to the shape of the induction pipe 262, and the inner surface of the blocking wall 278 is formed to have substantially the same or finer size to contact the outer surface of the induction pipe 262. . Above all, since the lower plate blocking wall 278 surrounds the induction pipe 262 and the lower outer surface, the source gas moving space 252 inside the shower head 250 may still be blocked. The blocking wall 278 may basically prevent the reaction gas ions or radicals injected through the reaction gas injection hole 263 from entering the shower head 250, and the reaction gas and the source gas may be prevented in advance in an unintentional region. The reaction can be prevented.

여기서 차단벽(278)은 단순히 소스가스 이동공간을 외부와 차단하기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되지 아니하고, 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 아래에 위치하는 것을 가능하게 하는 구조가 될 수 있다. 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)보다 아래에 위치하도록 하기 위해서 하판 차단벽(278)을 유도관(262)보다 길게 형성하여 장착과 동시에 상판구조(260)와 하판구조(270)가 일정 간격 이격되도록 할 수가 있다.Here, the blocking wall 278 is not limited to being simply used to block the source gas moving space from the outside, and the source gas injection hole 274 may be located below the bottom of the induction pipe 262. It can be a structure. In order for the source gas injection hole 274 to be located below the induction pipe 262, the lower plate blocking wall 278 is formed longer than the induction pipe 262 so that the upper plate structure 260 and the lower plate structure 270 are installed at the same time. It can be spaced at regular intervals.

본 실시예에서는 유도관이 상판구조에 형성되지만, 경우에 따라서는 유도관 이 하판구조에 형성되고 상판구조에 관통홀이 제공될 수 있다. 이때 유도관의 하단과 소스가스 분사구 간에 높이 차이를 형성할 수 있으며, 유도관의 하단 아래에 노즐공간 등을 제공할 수 있다.In the present embodiment, the guide tube is formed in the upper plate structure, but in some cases, the guide tube may be formed in the lower plate structure and a through hole may be provided in the upper plate structure. At this time, it is possible to form a height difference between the lower end of the induction pipe and the source gas injection port, it is possible to provide a nozzle space under the lower end of the induction pipe.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 6은 도 5의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 5 is a cross-sectional view of a plasma generator according to another embodiment of the present invention, Figure 6 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 5 cut away.

도 5 및 도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(300)는 플라즈마 발생부(310), 샤워 헤드(350), 차단 플레이트(380), 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)를 포함한다. 샤워 헤드(350) 및 플라즈마 발생부(310)는 지지부(320) 상에 장착되며, 지지부(320)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(310)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 5 and 6, the plasma generator 300 includes a plasma generator 310, a shower head 350, a blocking plate 380, a reaction gas supply unit 330, and a source gas supply unit 340. do. The shower head 350 and the plasma generating unit 310 are mounted on the supporting unit 320, and the supporting unit 320 provides a central empty hole so that the plasma generated by the plasma generating unit 310 may store the empty hole. Can be delivered to the workpiece.

플라즈마 발생부(310)는 상부 플라즈마 플레이트(312), 하부 플라즈마 플레이트(314), 스페이스 플레이트(316)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)의 가스 유로가 형성되지만, 경우에 따라서는 반응가스 공급부와 소스가스 공급부가 별도의 호스 또는 튜브를 통해서 삽입 또는 장착될 수가 있다. 플라즈마 발생부(310)는 플라즈마 발생 전극(318) 및 스페이스 플레이트(316)를 포함한다. The plasma generator 310 includes an upper plasma plate 312, a lower plasma plate 314, and a space plate 316, and the upper plasma plate 312 and the lower plasma plate 314 are mounted up and down. Holes or grooves are formed in the upper plasma plate 312 and the lower plasma plate 314 to form gas flow paths of the reaction gas supply unit 330 and the source gas supply unit 340, but in some cases, the reaction gas supply unit and the source gas may be formed. The supply can be inserted or mounted through a separate hose or tube. The plasma generator 310 includes a plasma generating electrode 318 and a space plate 316.

샤워 헤드(350)는 상판구조(360) 및 하판구조(370)를 포함한다. 상판구조(360)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(362)을 포 함한다. 유도관(362)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(363)를 제공한다. 반응가스 분사구(363)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(350) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(370)는 상판구조(360)의 하부에 장착되며, 유도관(362)에 대응하는 하판 관통홀 및 소스가스 분사구(374)를 포함한다. 소스가스 분사구(374)는 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The shower head 350 includes an upper plate structure 360 and a lower plate structure 370. The upper plate structure 360 is formed in a disk or other plate shape, and includes a guide tube 362 protruding downward. The induction pipe 362 is formed in a shape that penetrates up and down to provide a reaction gas injection hole 363. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 350 through the reaction gas injection hole 363, and the plasma may be converted into an ionic or radical state in the process of being delivered. The lower plate structure 370 is mounted below the upper plate structure 360 and includes a lower plate through hole and a source gas injection hole 374 corresponding to the induction pipe 362. The source gas injection hole 374 may be formed around the lower plate through hole, that is, around the induction pipe 362 to inject the source gas.

하판 관통홀(362)의 주변으로 하판 차단벽(368)이 형성되며, 하판 차단벽(368)은 유도관의 둘레를 감싸도록 형성되어 소스가스 또는 반응가스가 유도관(362)과 하판구조(370) 사이의 틈으로 새어 나가거나 들어오는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반응가스 분사구(363)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. The lower plate blocking wall 368 is formed around the lower plate through-hole 362, and the lower plate blocking wall 368 is formed to surround the circumference of the induction pipe so that the source gas or the reaction gas is formed in the induction pipe 362 and the lower plate structure ( 370 may be prevented from leaking out or entering. Therefore, the reaction gas ions or radicals injected through the reaction gas injection port 363 may be prevented from flowing into the shower head 350, and the reaction gas and the source gas may be prevented from reacting in advance in an unintended region. .

특히, 하판구조(370)에서 소스가스 분사구(374)가 유도관(362)의 하단보다 낮은 위치에 있다. 따라서 분사되는 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. 그 결과 소스가스의 낭비 없이 양질의 박막을 얻을 수 있으며, 소스가스의 부재로 인하여 박막이 불량으로 형성되는 것을 방지할 수 있다.In particular, the source gas injection hole 374 in the lower plate structure 370 is located at a lower position than the lower end of the induction pipe 362. Therefore, the injected source gas starts to be injected at a relatively lower position than the reaction gas, and even if a relatively small amount of the source gas is supplied, the process gas is not disturbed by the reaction gas, thereby effectively reaching the target object. As a result, a thin film of good quality can be obtained without waste of the source gas, and the thin film can be prevented from being formed poorly due to the absence of the source gas.

유도관(362) 내경보다 하판 차단벽(378)의 내경이 더 크기 때문에, 하판 관 통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 아래로 넓은 노즐공간(364)이 형성될 수 있다. 노즐공간은 아래를 향해 확장되는 형상으로 형성될 수 있으며, 구체적으로 나팔관 형상 또는 계단식으로 확장하는 원통 형상 등으로 형성될 수 있다. 반응가스는 유도관(362)으로부터 분사되어 노즐공간(364)을 통해 넓은 영역으로 분사될 수 있으며, 넓게 분사된 반응가스는 소스가스와 효과적으로 혼합될 수 있다.Since the inner diameter of the lower plate blocking wall 378 is larger than the inner diameter of the induction pipe 362, a wide nozzle space 364 may be formed around the lower plate through-hole, that is, below the induction pipe 362. The nozzle space may be formed in a shape extending downward, and specifically, may be formed in a fallopian tube shape or a cylindrical shape extending stepwise. The reaction gas may be injected from the induction pipe 362 and injected into a wide area through the nozzle space 364, and the reaction gas widely injected may be effectively mixed with the source gas.

하판 차단벽(378)은 유도관(362)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(378)의 내면은 유도관(362)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 하판 차단벽(378)은 유도관(362)과 하부 외면을 둘러 감싸기 때문에 샤워 헤드(350) 내부의 소스가스 이동공간(352)을 여전히 차단할 수가 있다. 차단벽(378)은 기본적으로 반응가스 분사구(363)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.The lower plate blocking wall 378 is formed in a cylindrical shape corresponding to the shape of the induction pipe 362, and the inner surface of the blocking wall 378 is formed in substantially the same or finely large dimensions so as to contact the outer surface of the induction pipe 362. . Above all, since the lower plate blocking wall 378 surrounds the induction pipe 362 and the lower outer surface, the source gas moving space 352 inside the shower head 350 may still be blocked. The blocking wall 378 may basically prevent the reaction gas ions or radicals injected through the reaction gas injection hole 363 from entering the shower head 350, and the reaction gas and the source gas may be prevented in advance in an unintentional region. The reaction can be prevented.

도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(340)에 의해서 샤워 헤드(350) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 차단 플레이트(380)를 거쳐 소스가스 분사구(374)를 통해 분사될 수 있다. 차단 플레이트(380)가 상판구조(360) 및 하판구조(370) 사이에 개재되고, 소스가스가 가이드 홀(386)을 통해서만 하판구조(370)로 이동할 수 있기 때문에 우선적으로 중심부로 공급될 수가 있다. As shown, when the source gas is supplied into the shower head 350 by the source gas supply unit 340, the source gas may be injected through the source gas injection hole 374 via the blocking plate 380. The blocking plate 380 is interposed between the upper plate structure 360 and the lower plate structure 370, and since the source gas can move to the lower plate structure 370 only through the guide hole 386, it may be preferentially supplied to the center portion. .

가이드 홀(386)을 통해 공급된 소스가스는 차단 플레이트(380) 하부에서 고루 공급될 수 있으며, 하판구조(370)에서 소스가스 분사구(374)를 통해 소스가스는 균일하게 분사되고, 그 결과 피처리물 상에서 박막은 균일한 두께로 형성될 수 있다.The source gas supplied through the guide hole 386 may be evenly supplied from the blocking plate 380, and the source gas is uniformly injected through the source gas injection hole 374 in the lower plate structure 370. The thin film on the treatment may be formed to a uniform thickness.

차단 플레이트(380)에도 유도관(362)을 통과시키기 위한 중간 관통홀이 형성되어 있으며, 중간 관통홀 주변으로 유도관(362)의 둘레를 감싸기 위한 중간 차단벽(388)이 형성될 수 있다. 유도관(362)은 중간 차단벽(388) 및 하판 차단벽(368)을 통과하여 샤워 헤드(350)의 하부로 노출될 수가 있다. 중간 차단벽(388)은 차단 플레이트(380) 및 유도관(362) 사이의 틈으로 소스가스가 의도하지 않게 하판구조(370)로 전달되는 것을 차단할 수 있다. An intermediate through hole for passing the induction pipe 362 is also formed in the blocking plate 380, and an intermediate blocking wall 388 may be formed around the intermediate through hole to surround the guiding pipe 362. The induction pipe 362 may be exposed to the lower portion of the shower head 350 through the middle barrier wall 388 and the lower plate barrier wall 368. The intermediate blocking wall 388 may prevent the source gas from being unintentionally transferred to the lower plate structure 370 by a gap between the blocking plate 380 and the induction pipe 362.

본 발명의 플라즈마 발생장치에서 소스가스가 분사되는 위치가 반응가스 이온이 분사되는 위치보다 아래에 있기 때문에, 상대적으로 소스가스가 적게 분사되더라도 피처리물에 안정적으로 전달될 수 있다. 따라서 플라즈마 처리에 의한 박막 형성 품질을 향상시킬 수 있다.In the plasma generating apparatus of the present invention, since the position at which the source gas is injected is below the position at which the reaction gas ions are injected, the source gas can be stably delivered to the target object even if relatively less source gas is injected. Therefore, the thin film formation quality by a plasma process can be improved.

또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 유도관 아래에 노즐공간을 형성함으로써, 반응가스를 분사함에 있어 반응가스가 고루 분사되도록 할 수 있다.In addition, in the plasma generating apparatus of the present invention, by forming a nozzle space under the induction pipe, the reaction gas may be evenly injected when the reaction gas is injected.

본 발명의 플라즈마 발생장치는 소스가스가 반응가스에 방해를 받지 않고 피처리물에 도달할 수 있게 하여, 소스가스가 피처리물에 도달하기 전에 발생할 수 있는 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있다.The plasma generating apparatus of the present invention enables the source gas to reach the object to be processed without being disturbed by the reaction gas, thereby efficiently pre-reacting the reaction between the source gas and the reaction gas that may occur before the source gas reaches the object to be processed. Can be blocked by

또한, 하판구조에서 차단벽은 유도관 주변의 틈을 통해 소스가스 또는 반응가스가 통과하여 선반응을 일으키는 것을 차단할 수 있다. 이 외에도 차단벽이 유 도관보다 길게 형성되어 소스가스 분사구가 유도관의 하단보다 낮게 위치하도록 할 수 있다. In addition, the barrier wall in the bottom plate structure can block the source gas or the reaction gas to pass through the gap around the induction pipe to cause a line reaction. In addition, the barrier wall may be formed longer than the induction pipe so that the source gas injection hole may be positioned lower than the lower end of the induction pipe.

또한, 하판 차단벽의 내부 단면이 유도관의 내부 단면보다 큰 넓이로 형성되도록 할 수가 있으며, 유도관 아래로 확장 노즐로서 기능할 수 있는 노즐공간이 제공되어 반응가스 이온 또는 라디칼은 유도관으로부터 벗어나자마자 노즐공간에 의해서 넓게 분사될 수 있다.In addition, the inner cross section of the lower plate blocking wall may be formed to have a larger area than the inner cross section of the induction pipe, and a nozzle space may be provided below the induction pipe to function as an expansion nozzle so that the reaction gas ions or radicals may escape from the induction pipe. As soon as it can be sprayed wide by the nozzle space.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (11)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 플라즈마 발생부;A plasma generator; 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 상기 유도관의 하단보다 낮게 위치하는 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 상기 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관의 외면을 부분적으로 감싸 상기 소스가스 분사구를 제외한 부분에서 상기 소스가스 이동공간을 차단하는 하판 차단벽을 포함하는 샤워 헤드;Located above the plasma generating unit to provide a plasma chamber with the plasma generating unit, and includes a top plate structure including a plurality of induction pipe formed downward and a plurality of source gas injection holes located lower than the lower end of the induction pipe And a lower plate structure, wherein the upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas moving space for source gas supply, and the lower plate structure partially surrounds an outer surface of the induction pipe, except for the source gas injection hole. A shower head including a lower plate blocking wall to block a source gas moving space; 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및A reaction gas supply unit supplying a reaction gas to the plasma generation unit; And 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스 가스 공급부;를 구비하는 플라즈마 발생장치.And a source gas supply unit supplying a source gas to the source gas moving space in the shower head. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유도관 아래로 확장되는 노즐공간이 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And a nozzle space extending below the induction pipe. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 하판 차단벽은 상기 유도관보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And the lower plate blocking wall is formed longer than the induction pipe. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상판구조 및 상기 하판구조 사이에 개재되어 상기 소스가스 이동공간을 상하로 분할하며, 기대하는 소스가스 분포에 대응하여 형성된 가이드 홀을 포함하는 차단 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And a blocking plate interposed between the upper plate structure and the lower plate structure, dividing the source gas moving space up and down, and including a guide hole formed corresponding to an expected source gas distribution. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 차단 플레이트는 상기 유도관에 대응하는 중간 관통홀을 포함하며, 상기 중간 관통홀은 상기 유도관의 외면과 접할 수 있는 크기로 형성되고, 상기 가이드 홀은 중심부에 대응하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The blocking plate includes an intermediate through hole corresponding to the induction pipe, wherein the intermediate through hole is formed to be in contact with the outer surface of the induction pipe, and the guide hole is formed corresponding to the center portion of the plasma. Generator. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 차단 플레이트는 상기 중간 관통홀에 대응하여 위를 향해 형성된 중간 차단벽을 포함하며, 상기 중간 차단벽은 상기 유도관의 외면을 덮는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The blocking plate includes an intermediate blocking wall formed upwardly corresponding to the intermediate through hole, and the intermediate blocking wall covers an outer surface of the induction pipe. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 플라즈마 발생부는 하부에 장착된 플라즈마 발생 전극을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 전극은 복수개의 홀을 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 상기 플라즈마 발생 전극의 상부로 반응가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The plasma generation unit includes a plasma generation electrode mounted below, the plasma generation electrode includes a plurality of holes, and the reaction gas supply unit supplies a reaction gas to the upper portion of the plasma generation electrode. Device.
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