KR100872994B1 - Plasma generator - Google Patents
Plasma generator Download PDFInfo
- Publication number
- KR100872994B1 KR100872994B1 KR1020070042228A KR20070042228A KR100872994B1 KR 100872994 B1 KR100872994 B1 KR 100872994B1 KR 1020070042228 A KR1020070042228 A KR 1020070042228A KR 20070042228 A KR20070042228 A KR 20070042228A KR 100872994 B1 KR100872994 B1 KR 100872994B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source gas
- plasma
- induction pipe
- plate structure
- lower plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 상기 유도관의 하단보다 낮게 위치하는 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 상기 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관의 외면을 부분적으로 감싸 상기 소스가스 분사구를 제외한 부분에서 상기 소스가스 이동공간을 차단하는 하판 차단벽을 포함하는 샤워 헤드, 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부 및 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.The plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a top plate structure including a plurality of induction tubes formed below and providing a plasma chamber together with the plasma generating unit below the plasma generating unit, and positioned below the lower end of the induction tube. And a lower plate structure including a plurality of source gas injection holes, wherein the upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas moving space for source gas supply, and the lower plate structure partially surrounds an outer surface of the induction pipe. A shower head including a lower plate blocking wall to block the source gas moving space at portions other than the source gas injection port, a reaction gas supply unit supplying a reaction gas to the plasma generating unit, and a source gas to the source gas moving space in the shower head. It includes a source gas supply unit for supplying.
플라즈마, 리플렉터, 유도관, 차단벽 Plasma, Reflector, Induction Pipe, Barrier Wall
Description
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 3;
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6은 도 5의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.FIG. 6 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 5;
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
200:플라즈마 발생장치 210:플라즈마 발생부200: plasma generator 210: plasma generator
220:지지부 230:반응가스 공급부220: support part 230: reaction gas supply part
240:소스가스 공급부 250:샤워 헤드240: source gas supply part 250: shower head
260:상판구조 262:유도관260 : top plate structure 262 : induction pipe
270:하판구조 278:차단벽270: bottom plate structure 278: barrier wall
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 표면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly, to a plasma generating apparatus capable of generating a plasma uniformly for surface treatment and thin film formation.
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.
도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다. Referring to FIG. 1, a conventional plasma generator includes a
샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다. The lower portion of the
플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다. The
종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.In the conventional plasma generator, the
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 샤워헤드(50)에서 소스가스 분사구(74)가 반응가스 분사구(63)보다 높은 위치에 있다. 일반적으로 소스가스 분사구(74)를 통해서 공급되는 소스가스의 양이 유도관(62)을 통한 반응가스의 양보다 작기 때문에 소스가스의 공급이 반응가스에 의해서 방해를 받을 수 있으며, 그 결과 소스가스가 피처리물까지 도달하기가 어렵다. As shown in FIG. 1, in the
상술한 바와 같이, 소스가스가 피처리물에 정상적으로 도달하지 못하면, 피처리물 상에 형성되는 박막이 얇게 형성되거나 형성되어도 형성되는 박막의 품질이 현저하게 저하될 수가 있다. As described above, if the source gas does not normally reach the workpiece, even if a thin film formed on the workpiece or a thin film is formed, the quality of the thin film formed may be significantly reduced.
본 발명은 반응가스의 분사와 무관하게 소스가스가 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다.The present invention provides a plasma generator that can effectively reach a target gas regardless of injection of a reaction gas.
본 발명은 반응가스를 분사함에 있어서 반응가스가 고루 분사되도록 노즐을 형성할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 효율적으로 혼합될 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention can form a nozzle so that the reaction gas is evenly injected in the injection of the reaction gas, and provides a plasma generator that can be efficiently mixed with the reaction gas and the source gas.
본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있는 여러 방법을 제공한다. The present invention provides several methods that can effectively block the line reaction between the source gas and the reaction gas.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워헤드, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 특히, 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하며, 플라즈마 발생부에 의해서 생성된 플라즈마를 샤워 헤드 하부로 이동시키기 위한 유도관, 샤워 헤드의 저면에 형성되어 소스가스를 분사하는 복수개의 소스가스 분사구 및 소스가스 분사구와 연통하도록 샤워 헤드 내부에 형성된 소스가스 이동공간을 포함한다. 유도관은 샤워 헤드를 상하로 관통하는 반응가스 분사구의 전부 또는 일부를 형성하며, 상기 유도관의 하단은 소스가스 분사구보다 높은 위치에 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a shower head, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit. In particular, the shower head is located below the plasma generator, the induction pipe for moving the plasma generated by the plasma generator to the lower portion of the shower head, a plurality of source gas injection holes formed on the bottom of the shower head to inject the source gas and And a source gas moving space formed inside the shower head to communicate with the source gas injection port. The induction pipe forms all or part of the reaction gas injection hole penetrating the shower head up and down, and the lower end of the induction pipe is located at a higher position than the source gas injection hole.
유도관에 의해서 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스보다 높은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스와 효율적으로 혼합될 수 있다. 또한, 소스가스는 반응가스에 비해 상대적으로 소량으로 분사되는데, 소스가스가 상대적으로 아래 위치에서 분사되기 시작하기 때문에 반응가스에 의해서 종래보다 덜 영향을 받는다. Reaction gas ions or radicals injected by the induction tube start to be injected at a higher position than the source gas, and can be efficiently mixed with the source gas. In addition, the source gas is injected in a relatively small amount compared to the reaction gas, it is less affected by the reaction gas than the conventional because the source gas begins to be injected in a relatively lower position.
소스가스가 반응가스보다 낮은 위치에서 분사되기 시작하기 때문에, 소스가스는 피처리물에 용이하게 도달할 수 있으며, 소스가스가 피처리물로 이동하면서 반응가스에 의해서 이동이 방해를 받는 것을 최소화할 수 있다.Since the source gas starts to be injected at a lower position than the reaction gas, the source gas can easily reach the object to be treated, and minimize the movement of the source gas to the object to be disturbed by the reaction gas. Can be.
실제로 소스가스를 반응가스보다 낮은 위치에 있도록 하기 위해서는 샤워 헤드의 구조를 변경해야 하는 문제점이 있다. 하지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드의 하판구조를 아래로 이동하게 되면, 유도관 주변에서부터 소스가스 이동공간이 개방되어 샤워 헤드가 제 기능을 할 수 없다. 이를 극복하기 위해서 본 발명에서는 하판에 차단벽을 형성하고, 차단벽을 이용하여 하판구조가 상판구조로부터 아래로 이동해도 소스가스 이동공간이 유효하게 차단되도록 할 수 가 있다. In fact, there is a problem in that the structure of the shower head needs to be changed in order to keep the source gas at a lower position than the reaction gas. However, as shown in FIG. 1, when the lower plate structure of the shower head is moved downward, the source gas moving space is opened from around the induction pipe so that the shower head may not function properly. In order to overcome this problem, in the present invention, a barrier wall may be formed on the lower plate, and the source gas moving space may be effectively blocked even when the lower plate structure moves downward from the upper plate structure by using the barrier wall.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치도 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함하지만, 특히, 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 유도관의 하단보다 낮게 위치하는 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 하판구조는 유도관의 외면을 부분적으로 감싸 소스가스 분사구를 제외한 부분에서 소스가스 이동공간을 차단하는 하판 차단벽을 포함한다. According to another preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus also includes a plasma generating unit, a shower head, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit, but in particular, the shower head is positioned below the plasma generating unit and is disposed together with the plasma generating unit. A lower plate structure including a top plate structure including a plurality of induction pipes formed downward and a plurality of source gas injection holes positioned lower than a lower end of the induction pipe, wherein the top plate structure and the bottom plate structure are source gas supplies. To provide a source gas moving space for, the lower plate structure includes a lower plate blocking wall to partially cover the outer surface of the induction pipe to block the source gas moving space in the portion except the source gas injection port.
하판구조에서 하판 차단벽은 유도관보다 길게 형성되어 소스가스 분사구가 유도관의 하단보다 낮게 위치하도록 할 수 있다. 이 외에도 하판 차단벽은 유도관보다 길지 않더라도 유도관 하부를 부분적으로 감쌀 수 있는 길이로 형성되는 것도 가능하다.In the lower plate structure, the lower plate blocking wall may be formed longer than the induction pipe so that the source gas injection hole is located lower than the lower end of the induction pipe. In addition, even if the lower plate blocking wall is not longer than the induction pipe may be formed to a length that can partially wrap the lower portion of the induction pipe.
또한, 하판 차단벽의 내부 단면이 유도관의 내부 단면보다 큰 넓이로 형성되 도록 할 수가 있으며, 유도관 아래로 확장 노즐로서 기능할 수 있는 노즐공간이 제공될 수 있다. 이때 유도관을 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 유도관으로부터 벗어나자마자 노즐공간에 의해서 넓게 분사될 수 있으며, 반응가스는 소스가스와 효과적으로 혼합될 수 있다.In addition, the inner cross section of the lower plate blocking wall may be formed to have a larger area than the inner cross section of the induction pipe, and a nozzle space may be provided below the induction pipe to function as an expansion nozzle. In this case, the reaction gas ions or radicals passing through the induction pipe may be widely injected by the nozzle space as soon as they leave the induction pipe, and the reaction gas may be effectively mixed with the source gas.
본 명세서에서 차단벽 및 유도관은 일반적으로 원통 또는 실린더 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 아니하며 다각 기둥 형상 등과 같이 다양한 형상으로 형성될 수가 있다. 따라서 본 명세서에서 '내부 단면'은 각 통 또는 기둥 형상의 내부 크기를 의미하며, 차단벽 및 유도관이 원통 또는 실린더 형상으로 형성된 경우에는 내경 등을 기준으로 비교될 수가 있다.In the present specification, the barrier wall and the guide tube may be generally formed in a cylindrical or cylindrical shape, but are not limited thereto and may be formed in various shapes such as a polygonal column shape. Therefore, in the present specification, 'inner cross section' means an inner size of each cylinder or column shape, and when the barrier wall and the guide tube are formed in a cylinder or cylinder shape, they can be compared based on the inner diameter.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by quoting the contents described in other drawings under the above rules, and the contents repeated or deemed apparent to those skilled in the art may be omitted.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 2, the
플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다. The
플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)를 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)는 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀(미도시)이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다. The
하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다. A
도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다. As illustrated, a gas flow path as the source
샤워 헤드(150)는 유도관(162), 소스가스 이동공간(152) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 유도관(162)의 아래로 노즐공간(164)이 제공되며, 유도관(162)의 내부 공간 및 노즐공간(164)에 의해서 반응가스 분사구(163)가 제공될 수 있다.The
유도관(162)의 하단은 소스가스 분사구(174)보다 높은 위치에 있다. 따라서 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. The lower end of the
소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 하판구조(170)의 바닥에 형성된 소스가스 분사구(174)를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. When source gas is supplied into the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다.3 is a cross-sectional view of a plasma generator according to another embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 3 cut out.
도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 3 and 4, the
플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성된다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다. The
샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀, 소스가스 분사구(274) 및 하판 차단벽(278)을 포함한다. 하판 관통홀을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)보다 아래에 형성되어 있다. The
하판구조(270)에서 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 낮은 위 치에 있다. 따라서 소스가스 분사구(274)로부터 분사되는 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. In the
또한, 유도관(262) 내경보다 하판 차단벽(278)의 내경이 더 크기 때문에, 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(262)의 아래로 넓은 노즐공간(264)이 형성될 수 있다. 하판 차단벽(278)은 유도관(262)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(278)의 내면은 유도관(262)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 하판 차단벽(278)은 유도관(262)과 하부 외면을 둘러 감싸기 때문에 샤워 헤드(250) 내부의 소스가스 이동공간(252)을 여전히 차단할 수가 있다. 차단벽(278)은 기본적으로 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the inner diameter of the lower
여기서 차단벽(278)은 단순히 소스가스 이동공간을 외부와 차단하기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되지 아니하고, 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 아래에 위치하는 것을 가능하게 하는 구조가 될 수 있다. 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)보다 아래에 위치하도록 하기 위해서 하판 차단벽(278)을 유도관(262)보다 길게 형성하여 장착과 동시에 상판구조(260)와 하판구조(270)가 일정 간격 이격되도록 할 수가 있다.Here, the blocking
본 실시예에서는 유도관이 상판구조에 형성되지만, 경우에 따라서는 유도관 이 하판구조에 형성되고 상판구조에 관통홀이 제공될 수 있다. 이때 유도관의 하단과 소스가스 분사구 간에 높이 차이를 형성할 수 있으며, 유도관의 하단 아래에 노즐공간 등을 제공할 수 있다.In the present embodiment, the guide tube is formed in the upper plate structure, but in some cases, the guide tube may be formed in the lower plate structure and a through hole may be provided in the upper plate structure. At this time, it is possible to form a height difference between the lower end of the induction pipe and the source gas injection port, it is possible to provide a nozzle space under the lower end of the induction pipe.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 6은 도 5의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 5 is a cross-sectional view of a plasma generator according to another embodiment of the present invention, Figure 6 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 5 cut away.
도 5 및 도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(300)는 플라즈마 발생부(310), 샤워 헤드(350), 차단 플레이트(380), 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)를 포함한다. 샤워 헤드(350) 및 플라즈마 발생부(310)는 지지부(320) 상에 장착되며, 지지부(320)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(310)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 5 and 6, the
플라즈마 발생부(310)는 상부 플라즈마 플레이트(312), 하부 플라즈마 플레이트(314), 스페이스 플레이트(316)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)의 가스 유로가 형성되지만, 경우에 따라서는 반응가스 공급부와 소스가스 공급부가 별도의 호스 또는 튜브를 통해서 삽입 또는 장착될 수가 있다. 플라즈마 발생부(310)는 플라즈마 발생 전극(318) 및 스페이스 플레이트(316)를 포함한다. The
샤워 헤드(350)는 상판구조(360) 및 하판구조(370)를 포함한다. 상판구조(360)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(362)을 포 함한다. 유도관(362)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(363)를 제공한다. 반응가스 분사구(363)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(350) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(370)는 상판구조(360)의 하부에 장착되며, 유도관(362)에 대응하는 하판 관통홀 및 소스가스 분사구(374)를 포함한다. 소스가스 분사구(374)는 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The
하판 관통홀(362)의 주변으로 하판 차단벽(368)이 형성되며, 하판 차단벽(368)은 유도관의 둘레를 감싸도록 형성되어 소스가스 또는 반응가스가 유도관(362)과 하판구조(370) 사이의 틈으로 새어 나가거나 들어오는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반응가스 분사구(363)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. The lower plate blocking wall 368 is formed around the lower plate through-
특히, 하판구조(370)에서 소스가스 분사구(374)가 유도관(362)의 하단보다 낮은 위치에 있다. 따라서 분사되는 소스가스는 반응가스보다 상대적으로 낮은 위치에서 분사되기 시작하며, 소스가스가 상대적으로 적은 양이 공급되어도 반응가스에 의해서 진행이 방해를 받지 않기 때문에 피처리물에 효과적으로 도달할 수 있다. 그 결과 소스가스의 낭비 없이 양질의 박막을 얻을 수 있으며, 소스가스의 부재로 인하여 박막이 불량으로 형성되는 것을 방지할 수 있다.In particular, the source
유도관(362) 내경보다 하판 차단벽(378)의 내경이 더 크기 때문에, 하판 관 통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 아래로 넓은 노즐공간(364)이 형성될 수 있다. 노즐공간은 아래를 향해 확장되는 형상으로 형성될 수 있으며, 구체적으로 나팔관 형상 또는 계단식으로 확장하는 원통 형상 등으로 형성될 수 있다. 반응가스는 유도관(362)으로부터 분사되어 노즐공간(364)을 통해 넓은 영역으로 분사될 수 있으며, 넓게 분사된 반응가스는 소스가스와 효과적으로 혼합될 수 있다.Since the inner diameter of the lower
하판 차단벽(378)은 유도관(362)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(378)의 내면은 유도관(362)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 하판 차단벽(378)은 유도관(362)과 하부 외면을 둘러 감싸기 때문에 샤워 헤드(350) 내부의 소스가스 이동공간(352)을 여전히 차단할 수가 있다. 차단벽(378)은 기본적으로 반응가스 분사구(363)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다.The lower
도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(340)에 의해서 샤워 헤드(350) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 차단 플레이트(380)를 거쳐 소스가스 분사구(374)를 통해 분사될 수 있다. 차단 플레이트(380)가 상판구조(360) 및 하판구조(370) 사이에 개재되고, 소스가스가 가이드 홀(386)을 통해서만 하판구조(370)로 이동할 수 있기 때문에 우선적으로 중심부로 공급될 수가 있다. As shown, when the source gas is supplied into the
가이드 홀(386)을 통해 공급된 소스가스는 차단 플레이트(380) 하부에서 고루 공급될 수 있으며, 하판구조(370)에서 소스가스 분사구(374)를 통해 소스가스는 균일하게 분사되고, 그 결과 피처리물 상에서 박막은 균일한 두께로 형성될 수 있다.The source gas supplied through the
차단 플레이트(380)에도 유도관(362)을 통과시키기 위한 중간 관통홀이 형성되어 있으며, 중간 관통홀 주변으로 유도관(362)의 둘레를 감싸기 위한 중간 차단벽(388)이 형성될 수 있다. 유도관(362)은 중간 차단벽(388) 및 하판 차단벽(368)을 통과하여 샤워 헤드(350)의 하부로 노출될 수가 있다. 중간 차단벽(388)은 차단 플레이트(380) 및 유도관(362) 사이의 틈으로 소스가스가 의도하지 않게 하판구조(370)로 전달되는 것을 차단할 수 있다. An intermediate through hole for passing the
본 발명의 플라즈마 발생장치에서 소스가스가 분사되는 위치가 반응가스 이온이 분사되는 위치보다 아래에 있기 때문에, 상대적으로 소스가스가 적게 분사되더라도 피처리물에 안정적으로 전달될 수 있다. 따라서 플라즈마 처리에 의한 박막 형성 품질을 향상시킬 수 있다.In the plasma generating apparatus of the present invention, since the position at which the source gas is injected is below the position at which the reaction gas ions are injected, the source gas can be stably delivered to the target object even if relatively less source gas is injected. Therefore, the thin film formation quality by a plasma process can be improved.
또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 유도관 아래에 노즐공간을 형성함으로써, 반응가스를 분사함에 있어 반응가스가 고루 분사되도록 할 수 있다.In addition, in the plasma generating apparatus of the present invention, by forming a nozzle space under the induction pipe, the reaction gas may be evenly injected when the reaction gas is injected.
본 발명의 플라즈마 발생장치는 소스가스가 반응가스에 방해를 받지 않고 피처리물에 도달할 수 있게 하여, 소스가스가 피처리물에 도달하기 전에 발생할 수 있는 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있다.The plasma generating apparatus of the present invention enables the source gas to reach the object to be processed without being disturbed by the reaction gas, thereby efficiently pre-reacting the reaction between the source gas and the reaction gas that may occur before the source gas reaches the object to be processed. Can be blocked by
또한, 하판구조에서 차단벽은 유도관 주변의 틈을 통해 소스가스 또는 반응가스가 통과하여 선반응을 일으키는 것을 차단할 수 있다. 이 외에도 차단벽이 유 도관보다 길게 형성되어 소스가스 분사구가 유도관의 하단보다 낮게 위치하도록 할 수 있다. In addition, the barrier wall in the bottom plate structure can block the source gas or the reaction gas to pass through the gap around the induction pipe to cause a line reaction. In addition, the barrier wall may be formed longer than the induction pipe so that the source gas injection hole may be positioned lower than the lower end of the induction pipe.
또한, 하판 차단벽의 내부 단면이 유도관의 내부 단면보다 큰 넓이로 형성되도록 할 수가 있으며, 유도관 아래로 확장 노즐로서 기능할 수 있는 노즐공간이 제공되어 반응가스 이온 또는 라디칼은 유도관으로부터 벗어나자마자 노즐공간에 의해서 넓게 분사될 수 있다.In addition, the inner cross section of the lower plate blocking wall may be formed to have a larger area than the inner cross section of the induction pipe, and a nozzle space may be provided below the induction pipe to function as an expansion nozzle so that the reaction gas ions or radicals may escape from the induction pipe. As soon as it can be sprayed wide by the nozzle space.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
Claims (11)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070042228A KR100872994B1 (en) | 2007-04-30 | 2007-04-30 | Plasma generator |
| TW97115806A TWI406600B (en) | 2007-04-30 | 2008-04-29 | Apparatus for generating plasma |
| CN2008100960814A CN101298668B (en) | 2007-04-30 | 2008-04-30 | Plasma generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070042228A KR100872994B1 (en) | 2007-04-30 | 2007-04-30 | Plasma generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080097083A KR20080097083A (en) | 2008-11-04 |
| KR100872994B1 true KR100872994B1 (en) | 2008-12-09 |
Family
ID=40078617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070042228A Active KR100872994B1 (en) | 2007-04-30 | 2007-04-30 | Plasma generator |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100872994B1 (en) |
| CN (1) | CN101298668B (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
| TWI427183B (en) * | 2010-11-25 | 2014-02-21 | Ind Tech Res Inst | Plasma processing apparatus |
| KR101246170B1 (en) * | 2011-01-13 | 2013-03-25 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Injection member used in manufacturing semiconductor device and plasma processing apparatus having the same |
| CN103866281B (en) * | 2012-12-12 | 2016-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment |
| KR102437018B1 (en) * | 2020-06-29 | 2022-08-26 | 한국과학기술원 | initiated chemical vapor deposition apparatus |
| US20230025809A1 (en) * | 2020-12-24 | 2023-01-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023964A (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-26 | 주성엔지니어링(주) | Remote plasma-Assisted CCP type PECVD apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419756B1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-02-21 | 아넬바 가부시기가이샤 | Thin-film deposition apparatus |
| JP4451684B2 (en) * | 2004-03-17 | 2010-04-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | Vacuum processing equipment |
-
2007
- 2007-04-30 KR KR1020070042228A patent/KR100872994B1/en active Active
-
2008
- 2008-04-30 CN CN2008100960814A patent/CN101298668B/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030023964A (en) * | 2001-09-14 | 2003-03-26 | 주성엔지니어링(주) | Remote plasma-Assisted CCP type PECVD apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101298668B (en) | 2012-07-18 |
| KR20080097083A (en) | 2008-11-04 |
| CN101298668A (en) | 2008-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100872994B1 (en) | Plasma generator | |
| KR100862658B1 (en) | Gas injection device of semiconductor processing system | |
| KR20190125939A (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| KR20060044039A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| US20060196420A1 (en) | High density plasma chemical vapor deposition apparatus | |
| KR20150050638A (en) | Deposition apparatus | |
| KR20190056021A (en) | Deposition apparatus including upper shower head and lower shower head | |
| JP2010538164A (en) | Shower head, substrate processing apparatus including the same, and method of supplying plasma using shower head | |
| KR101430741B1 (en) | Control plate and Apparatus for treating substrate with it | |
| KR20120079962A (en) | Substrate treatment equipment | |
| KR20100043844A (en) | Plasma processing apparatus | |
| CN105793959A (en) | Substrate processing equipment | |
| KR101670804B1 (en) | Showerhead and substrate processing apparatus having the same | |
| KR102568804B1 (en) | Support unit and apparatus for treating a substrate with the support unit | |
| KR20100013190A (en) | Apparatus for supplying gas, apparatus for and method of treating substrate by plasma | |
| KR100874341B1 (en) | Plasma generator | |
| KR20130142673A (en) | Apparatus for processing substrate | |
| KR100874340B1 (en) | Plasma Generator Using Blocking Plate | |
| KR20130005840A (en) | Gas injection assembly and apparatus for processing substrate | |
| KR20090117470A (en) | High Density Plasma Chemical Vapor Deposition Equipment | |
| KR101605719B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| KR100686724B1 (en) | Chemical Vapor Deposition Equipment | |
| KR102310460B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| KR20200017252A (en) | Pressure control ring and plasma processing apparatus including the same | |
| KR101590902B1 (en) | Liner unit and apparatus for treating substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121011 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130910 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140902 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151023 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191119 Year of fee payment: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 13 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 15 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 16 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 17 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 18 |