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KR100867610B1 - Array board for reflective transparent liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Array board for reflective transparent liquid crystal display device and manufacturing method thereof Download PDF

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KR100867610B1
KR100867610B1 KR1020020046531A KR20020046531A KR100867610B1 KR 100867610 B1 KR100867610 B1 KR 100867610B1 KR 1020020046531 A KR1020020046531 A KR 1020020046531A KR 20020046531 A KR20020046531 A KR 20020046531A KR 100867610 B1 KR100867610 B1 KR 100867610B1
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Abstract

본 발명은 반사투과형 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 광이용 효율을 높여 고 휘도를 구현할 수 있는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 구조와 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective transmissive liquid crystal display device, and more particularly, to a structure and a manufacturing method of an array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device capable of realizing high brightness by increasing light utilization efficiency.

본 발명에 따른 반사투과형 어레이기판은 화소부에 불규칙하게 반원 형상의 볼록패턴을 형성하여 볼록패턴은 반사부로, 볼록패턴이 존재하지 않는 영역은 투과부로 정의한다.In the reflective array substrate according to the present invention, a semicircular convex pattern is irregularly formed in the pixel portion, so that the convex pattern is a reflection portion, and a region where no convex pattern does not exist is defined as a transmission portion.

이를 위해, 상기 볼록패턴의 표면에는 반사판을 구성하고, 볼록패턴이 위치하지 않는 영역에는 투명 전극을 형성한다.To this end, a reflective plate is formed on the surface of the convex pattern, and a transparent electrode is formed in an area where the convex pattern is not located.

이와 같은 구성으로 반사모드와 투과모드시 모두 고휘도를 구현할 수 있는 반사투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.
With such a configuration, a reflective transmissive liquid crystal display device capable of realizing high luminance in both reflective and transmissive modes can be manufactured.

Description

반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법{An substrate for LCD and method for fabricating the same} Array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device and manufacturing method thereof {An substrate for LCD and method for fabricating the same}             

도 1은 종래의 제 1 예에 따른 반사형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a reflective liquid crystal display device according to a first example of the related art.

도 2는 종래의 제 2 예에 따른 반사형 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a reflective liquid crystal display device according to a second example of the related art.

도 3은 종래의 제 3 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 단면도이고,3 is a cross-sectional view showing a part of an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a third example of the prior art;

도 4는 종래의 제 4 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 단면도이고,4 is a cross-sectional view showing a part of an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a fourth example of the prior art;

도 5는 종래의 제 5 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고,5 is an enlarged plan view showing a part of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a fifth example of the related art;

도 6은 종래의 제 6 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고,FIG. 6 is an enlarged plan view showing a part of an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a sixth example of the related art;

도 7은 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고, 7 is an enlarged plan view showing a portion of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention;                 

도 8a 내지 도 8d는 도 7의 Ⅶ-Ⅶ`,Ⅷ-Ⅷ`을 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
8A to 8D are cross sectional views taken along the lines VII-VII and VII-VII of FIG. 7, and according to the process sequence of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판 102 : 게이트 전극100 substrate 102 gate electrode

104 : 게이트 배선 105 : 게이트 배선의 연장부104: gate wiring 105: extension portion of the gate wiring

108 : 액티브층 112 : 소스 전극 108: active layer 112: source electrode

114 : 드레인 전극 116 : 데이터 배선114: drain electrode 116: data wiring

117 : 금속 패턴 128 : 불투명한 금속패턴117 metal pattern 128 opaque metal pattern

130 : 투명 전극
130: transparent electrode

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로, 특히 반사모드(reflect mode)와 투과모드(transmit mode)를 선택적으로 사용할 수 있고, 높은 광 이용효율을 가지는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device, and in particular, an array for a reflective liquid crystal display device having a high light utilization efficiency, which can selectively use a reflection mode and a transmission mode. A substrate and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(back light)의 빛과 외부의 자연 광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있으므로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.In general, the reflective transmissive liquid crystal display device has the functions of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device at the same time, and it is possible to use both a back light and an external natural light or artificial light source, thereby limiting the surrounding environment. There is an advantage that can reduce the power consumption (power consumption).

이때, 반사 투과형 액정표시장치는 반사형 액정표시장치와 투과형 액정표시장치의 동작을 하도록 구성되었기 때문에 광의 이용효율이 낮은 편이다.In this case, since the reflective transmission liquid crystal display device is configured to operate the reflective liquid crystal display device and the transmission liquid crystal display device, light utilization efficiency is low.

특히, 반사모드로 사용할 경우에는 외부광을 사용하기 때문에 광의 이용효율이 현저히 낮은 편이다. 따라서, 일반적인 반사형 액정표시장치에서 사용되고 있는 방법들을 적용하여 이러한 문제를 해결할 수 있다.In particular, when the reflection mode is used, since the external light is used, the utilization efficiency of the light is considerably low. Therefore, this problem can be solved by applying the methods used in general reflective liquid crystal display devices.

광 이용효율을 증대하기 위한 종래의 반사형 액정표시장치의 구성을 이하, 도면을 참조하여 설명한다.A configuration of a conventional reflective liquid crystal display device for increasing light utilization efficiency will be described below with reference to the drawings.

도 1은 종래의 제 1 예에 따른 반사형 액정표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a reflective liquid crystal display device according to a first example of the related art.

도시한 바와 같이, 반사형 액정표시장치(9)는 액정층(미도시)을 개재하여 합착된 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)으로 구성되고, 제 2 기판(20)과 마주보는 제 1 기판(10)의 일면은 다수의 화소영역(P)으로 정의되고, 화소영역(P)의 일측에는 박막박막트랜지스터(T)가 구성된다.As illustrated, the reflective liquid crystal display device 9 includes a first substrate 10 and a second substrate 20 bonded together through a liquid crystal layer (not shown), and faces the second substrate 20. One surface of the first substrate 10 is defined as a plurality of pixel regions P, and a thin film transistor T is formed at one side of the pixel region P. FIG.

상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(12)과 액티브층(14)과 소스 전극(16)과 드레인 전극(18)으로 구성되며, 상기 게이트 전극(12)과 연결된 게이트 배선(미도시)이 화소영역(P)의 일 측을 지나 연장 형성되고, 상기 소스 전극(16)과 연결된 데이터 배선(20)이 상기 게이트 배선(미도시)이 지나가는 화소영역(P)의 일 측과 평행하지 않은 화소영역(P)의 타 측으로 연장 형성된다. The thin film transistor T includes a gate electrode 12, an active layer 14, a source electrode 16, and a drain electrode 18, and a gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 12 is a pixel. A pixel region extending beyond one side of the region P and not parallel to one side of the pixel region P through which the gate line (not shown) passes through the data line 20 connected to the source electrode 16. It extends to the other side of (P).                         

화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(18)과 접촉하는 반사전극(26)이 구성되는 데, 이때 반사전극(26)의 표면을 요철로 형성한다.In the pixel region P, a reflective electrode 26 is formed in contact with the drain electrode 18. The surface of the reflective electrode 26 is formed with irregularities.

이와 같이 하면, 상기 요철의 볼록패턴(24)에 의해 외부로부터 입사된 빛(L1)이 정반사(正反射)되는 것을 최소화하고, 난반사(亂反射) 되도록 하는 효과가 있다.In this way, it is possible to minimize the specular reflection of light L1 incident from the outside by the convex-convex pattern 24 of the unevenness, and to make the diffuse reflection.

빛이 난반사 되면 넓은 시야각을 확보 할 수 있도록 할 뿐 아니라 전체적으로 휘도가 개선되는 효과가 있다.When the light is diffusely reflected, not only can a wide viewing angle be secured, but the overall luminance is improved.

이러한 이유로 종래에는 상기 반사전극(26)의 표면을 요철로 형성하였다. For this reason, conventionally, the surface of the reflective electrode 26 is formed with irregularities.

이때, 상기 반사전극(26)을 요철로 형성하기 위해서는 반사전극(26)하부의 보호막(24)표면을 요철로 형성하여, 보호막(24)의 상부에 반사전극(26)을 증착하는 방법을 사용하거나, 상기 보호막(26)의 상부에 별도의 감광성 유기막을 패턴하여 이를 요철 형상으로 제작하는 방법을 사용할 수 있다.At this time, in order to form the reflective electrode 26 with irregularities, the surface of the protective film 24 under the reflective electrode 26 is formed with irregularities, and thus the method of depositing the reflective electrode 26 on the protective film 24 is used. Alternatively, a method of fabricating a separate photosensitive organic layer on the passivation layer 26 to form an irregular shape may be used.

상기 제 1 기판(10)과 마주보는 제 2 기판(20)의 일면에는 상기 화소영역(P)에 대응하여 적색(R)과 녹색(G)과 청색(B)을 표현하는 서브 컬러필터(32a,32b,32c)와, 컬러필터 사이에는 블랙매트릭스(34)가 구성되며, 상기 서브 컬러필터(32a,32b,32c)의 상부에는 투명한 공통전극(36)이 구성된다.On one surface of the second substrate 20 facing the first substrate 10, a sub color filter 32a representing red (R), green (G), and blue (B) corresponding to the pixel region (P). A black matrix 34 is formed between the 32b and 32c and the color filters, and a transparent common electrode 36 is formed on the sub color filters 32a, 32b and 32c.

전술한 바와 같은 구성은 상기 보호막(24)을 요철로 형성하는 공정이 복잡하기는 하지만 요철형상의 반사전극(26)에 의해 외부의 광 이용효율을 높일 수 있는 장점이 있다.As described above, although the process of forming the protective film 24 into the unevenness is complicated, the uneven shape of the reflective electrode 26 has the advantage of increasing the external light utilization efficiency.

이하, 도 2를 참조하여, 광 이용효율을 높일 수 있는 또 다른 예를 설명한 다.Hereinafter, another example of improving light utilization efficiency will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 종래의 제 2 예에 따른 반사형 액정표시장치(9)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a reflective liquid crystal display device 9 according to a second conventional example.

대부분의 구성은 종래의 제 1 예의 구성과 동일하므로 자세한 설명한 생략하도록 한다.Since most of the configuration is the same as that of the first example of the related art, a detailed description thereof will be omitted.

도시한 바와 같이, 화소영역(P)에 구성된 반사전극(26)을 요철(볼록패턴)로 형성하지 않는 대신, 상기 제 2 기판(20)의 상부에 산란필름(scattering film)(50)을 구성하는 것이다.As shown, instead of forming the reflective electrode 26 formed in the pixel region P into an unevenness (convex pattern), a scattering film 50 is formed on the second substrate 20. It is.

산란 필름(50)은 앞서 설명한 바와 같은 난반사 효과를 얻을 수 있으므로 고 휘도를 구현할 수 있는 장점이 있다.Scattering film 50 has the advantage that can achieve a high brightness because it can obtain the diffuse reflection effect as described above.

전술한 바와 같은 반사형 액정표시장치의 구성은 이 하 도 5와 도 6에서 설명하는 반사투과형 액정표시장치의 반사부에 적용 가능하다.The configuration of the reflective liquid crystal display device as described above is applicable to the reflecting portion of the reflective liquid crystal display device described below with reference to FIGS. 5 and 6.

이를 설명하기에 앞서 일반적으로 사용하고 있는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 개략적인 단면 구성을 설명한다.Before explaining this, a schematic cross-sectional configuration of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device which is generally used will be described.

도 3과 도 4는 종래의 제 3, 4예에 따른 반사형 액정표시 장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.(데이터 배선을 중심으로 이웃한 화소영역의 단면 구성임.)3 and 4 are cross-sectional views schematically showing the configuration of the reflective liquid crystal display device according to the third and fourth examples of the related art.

도 3과 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(60)과 제 2 기판(80)이 이격하여 합착되고, 제 2 기판(80)과 마주보는 제 1 기판(60)에는 다수의 화소영역(P)이 정의되고, 상기 화소영역(P)의 일측과 이와는 평행하지 않은 타측을 지나 서로 수 직하게 교차하는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(62)이 구성된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the first substrate 60 and the second substrate 80 are spaced apart and bonded to each other, and a plurality of pixel regions are formed on the first substrate 60 facing the second substrate 80. (P) is defined, and a gate line (not shown) and a data line 62 intersect each other vertically through one side of the pixel region P and the other side which is not parallel thereto.

상기 제 1 기판(60)과 마주보는 제 2 기판(80)의 일면에는 적색과 녹색과 청색을 띄는 서브 컬러필터(82a,82b)와 각 서브컬러 필터 사이에는 블랙매트릭스(84)가 구성되고, 상기 서브 컬러필터(82a,82b)와 블랙매트릭스(84)의 상부에는 투명한 공통전극(86)이 구성된다.On one surface of the second substrate 80 facing the first substrate 60, a red matrix, a green matrix, and a blue matrix having a black matrix 84 are formed between each sub-color filter. Transparent common electrodes 86 are formed on the sub color filters 82a and 82b and the black matrix 84.

전술한 구성에서, 상기 화소영역(P)은 다시 반사부(B)와 투과부(D)로 나누어진다.In the above configuration, the pixel region P is further divided into a reflecting portion B and a transmitting portion D. FIG.

일반적으로, 반사부(B)에 대응하여 반사전극(64)을 구성하고 투과부(D)에 대응하여 투명전극(66)을 형성하게 되는데 일반적으로는, 투과홀(H)을 포함하는 반사전극(64)을 투명전극(66)의 상부 또는 하부에 구성함으로서, 투과부(B)와 반사부(D)가 정의되도록 하기도 한다.In general, the reflective electrode 64 is configured to correspond to the reflective portion B and the transparent electrode 66 is formed to correspond to the transmissive portion D. In general, the reflective electrode including the transmissive hole H 64 may be formed above or below the transparent electrode 66 so that the transmission part B and the reflection part D may be defined.

이때, 반사 투과형 액정표시 장치에서 고려되어야 할 부분은 투과부(D)와 반사부(B)에서의 색차를 줄이는 것이다.In this case, a part to be considered in the reflective transmissive liquid crystal display device is to reduce the color difference between the transmissive part D and the reflective part B. FIG.

이러한 점에서, 도 3의 구성은 투과부(D)에 대응한 부분과 반사부(B)에 대응한 부분을 통과하는 빛이 느끼는 거리(액정층을 통과할 때 빛이 느끼는 액정층의 거리)가 다르기 때문에 빛의 편광특성 또한 다르다.In this regard, the configuration of FIG. 3 shows that the distance felt by the light passing through the portion corresponding to the transmissive portion D and the portion corresponding to the reflective portion B (the distance of the liquid crystal layer felt by the light when passing through the liquid crystal layer) Because of the different polarization characteristics of light are also different.

즉, 투과부(D)에 대응하여 통과한 빛이 d의 두께를 가지는 액정층을 통과하였다면, 반사부(B)를 통과하는 빛은 반사전극(62)에 한번은 반사되므로 2d의 두께를 가지는 액정층(미도시)을 통과하는 것과 같다.That is, if the light passing through the transparent part D passes through the liquid crystal layer having a thickness d, the light passing through the reflecting part B is reflected by the reflective electrode 62 once, and thus has a liquid crystal layer having a thickness of 2d. It is like passing through (not shown).

따라서, 투과부(D)와 반사부(B)에 대응하여 통과되는 빛은 그 편광특성이 다 르게 되고, 이로 인해 투과모드와 반사모드에서의 색순도 차이가 발생한다.Therefore, the light passing corresponding to the transmissive portion D and the reflecting portion B has different polarization characteristics, resulting in a difference in color purity in the transmissive mode and the reflective mode.

이를 해결하기 위한 방법으로 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 투과부(D)에 대응하는 하부의 절연막(63)을 식각하여 식각홈(61)을 형성하고, 이 부분에 액정(미도시)을 채우는 방법으로 반사부(B)와 투과부(D)에 대응하여 액정층을 지나가는 빛의 경로를 동일하게 하는 구성이 제안되었다.As a method for solving this problem, as shown in FIG. 4, an etching groove 61 is formed by etching the lower insulating layer 63 corresponding to the transmission part D, and filling liquid crystals (not shown) in this portion. As a method, a configuration in which the path of light passing through the liquid crystal layer is made to correspond to the reflecting portion B and the transmitting portion D is proposed.

전술한 바와 같은 대략적인 단면구성과 상기 도 1과 도 2에 설명한 확산 필름과 요철을 적용한 반사투과형 액정표시장치의 평면 구성을 이하, 도면을 참조하여 설명한다.The planar configuration of the reflective cross-sectional liquid crystal display device to which the above-mentioned rough cross-sectional structure and the diffusion film and the unevenness described in FIGS. 1 and 2 are applied will be described below with reference to the drawings.

도 5는 종래의 제 4 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 확대 평면도이다.FIG. 5 is an enlarged plan view illustrating one pixel of an array substrate for a transflective liquid crystal display according to a fourth example of the related art.

도시한 바와 같이, 기판(60) 상에 일 ??향으로 서로 소정간격 평행하게 이격된 게이트 배선(70)과, 이와는 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(62)이 구성되고, 두 배선(62,70)의 교차지점는 게이트 전극(71)과 액티브층(72)과 소스 전극(74)과 드레인 전극(76)을 포함하는 박막트랜지터(T)가 구성된다.As shown in the drawing, the gate wiring 70 spaced apart from each other in a predetermined distance in one direction on the substrate 60 and the data wiring 62 which vertically intersect with each other to define the pixel region P are constituted. The thin film transistor T including the gate electrode 71, the active layer 72, the source electrode 74, and the drain electrode 76 is formed at the intersection of the two wires 62 and 70.

전술한 구성에서, 상기 화소 영역(P)은 앞서 설명한 바와 같이 반사부(B)와 투과부(D)로 정의되며, 반사부(B)에 대응하는 부분에는 반사전극(64)이 구성되고 상기 투과부(D)에 대응하는 부분에는 투명 전극(66)이 구성된다.In the above-described configuration, the pixel region P is defined as a reflecting portion B and a transmitting portion D as described above, and a reflecting electrode 64 is formed at a portion corresponding to the reflecting portion B, and the transmitting portion The transparent electrode 66 is comprised in the part corresponding to (D).

이때, 상기 투명 전극(66)은 상기 드레인 전극(76)과 접촉하여 구성한다. In this case, the transparent electrode 66 is configured to be in contact with the drain electrode 76.                         

상기 투명 전극과 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(CST)가 게이트 배선(61)의 일부(90) 상부에 구성되며, 이는 게이트 배선의 일부를 스토리지 제 1 전극으로 하고, 스토리지 제 1 전극(90)의 상부에 구성되고 상기 투명전극(66)과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴(92)을 스토리지 제 2 전극으로 한다. A storage capacitor C ST connected in parallel with the transparent electrode is formed on the portion 90 of the gate line 61, which is a portion of the gate line as the storage first electrode, and that of the storage first electrode 90. An island-shaped metal pattern 92 formed on the upper surface and in contact with the transparent electrode 66 is used as a storage second electrode.

전술한 바와 같은 구성의 어레이기판을 가지는 반사투과형 액정표시장치를 반사모드로 사용할 경우에는 외부광의 광 이용효율을 높이기 위해 도시하지는 않았지만 도 2의 구성처럼 산란 필름을 구성하여 휘도를 개선하는 방법을 적용할 수 있다.In the case of using the reflection type liquid crystal display device having the array substrate having the above-described configuration in the reflection mode, a method of improving the brightness by configuring the scattering film as shown in FIG. 2 is not shown in order to increase the light utilization efficiency of external light. can do.

그러나, 산란 필름(미도시)을 구성하게 되면 상기 반사전극(62)에 반사되어 편광된 빛(미도시)이 산란필름(미도시)의 산란층에서 깨어지기 때문에 컨트라스트(contrast)가 낮아져 화질이 저하되는 문제가 발생한다.However, when the scattering film (not shown) is configured, the light reflected by the reflective electrode 62 and the polarized light (not shown) are broken in the scattering layer of the scattering film (not shown). The problem of deterioration arises.

따라서, 공정은 좀 복잡하나 고 휘도(high brightness)와 고 콘트라스트(high contrast ratio)를 구현하는 방법으로 앞서 설명한 요철 형상을 적용하여 제작한 반사 투과형 액정표시자치용 어레이기판을 이하, 도 6을 참조하여 설명한다.Therefore, the process is a little complicated, but the reflection-transmissive liquid crystal display autonomous array substrate fabricated by applying the above-mentioned concave-convex shape as a method of implementing high brightness and high contrast ratio, see FIG. Will be explained.

도 6은 종래의 제 2 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 확대 평면도이다.(대부분의 구성은 도 5와 동일하므로 이에 대한 설명을 생략한다.)FIG. 6 is an enlarged plan view showing one pixel of an array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a second example of the related art. (Most configurations are the same as in FIG. 5, and thus description thereof will be omitted.)

도시한 바와 같이, 반사부(B)에 대응하는 부분에 위치한 반사전극(64)의 표 면에 볼록패턴(A)을 형성한다.As shown in the figure, a convex pattern A is formed on the surface of the reflective electrode 64 positioned at the portion corresponding to the reflecting portion B. As shown in FIG.

이와 같이 하면, 앞서 설명한 바와 같이 반사모드(B)에서 외부로부터 입사된 빛이 정반사(正反射)되는 것을 최소화하고, 난반사(亂反射) 되도록 하는 효과가 있다.In this way, as described above, there is an effect of minimizing the specular reflection of light incident from the outside in the reflection mode B and making the diffuse reflection.

빛이 난반사 되면 넓은 시야각을 확보 할 수 있도록 할 뿐 아니라 전체적으로 휘도가 개선되는 효과가 있다.When the light is diffusely reflected, not only can a wide viewing angle be secured, but the overall luminance is improved.

그러나, 도 6에 도시한 바와 같은 형상으로 한 화소를 투과부와 반사부를 구분하는 경우에는 화소의 면적을 효율적으로 사용하고 있다고 보기는 어렵다.However, when a pixel having a shape as shown in FIG. 6 is divided into a transmission portion and a reflection portion, it is difficult to say that the area of the pixel is effectively used.

우선 반사부(B)를 보면 볼록패턴(A)의 표면으로 입사하는 광은 볼록패턴의 슬로프(slope)각에 의하여 사용자가 원하는 정면쪽의 주 시야각으로 빛을 산란 반사시키지만, 볼록패턴이 형성되지 않은 미러 반사판 영역(E)은 실제 사용자의 디스플레이 사용과는 무관한 거울 반사각으로 입사각을 대부분 반사시킨다.First, when reflecting portion B, light incident on the surface of the convex pattern A reflects and scatters light at the main viewing angle of the front side desired by the slope angle of the convex pattern, but the convex pattern is not formed. The non-mirror reflector area E reflects most of the incident angle at a mirror reflection angle irrelevant to the actual user's display use.

일반적으로 모든 자연계의 반사체는 크게 입사광에 대해서 specula 반사, Haze와 Lambertian의 3가지 성분으로 구성된다. 이때, 입사광에 대한 각도별 반사각의 반사강도의 측면에서 보면 결국 복록부(bump)가 형성되는 부분의 면적만이 Haze에 영향을 주며 이 부분이 결국 주반사 시야각의 반사율의 스펙을 결정하는 인자이다.In general, all natural reflectors consist of three components: specula reflection for incident light, Haze and Lambertian. At this time, in terms of the reflection intensity of the angle of reflection for the incident light, only the area of the part where the bump is formed eventually affects Haze, and this part is a factor that determines the specification of the reflectance of the main reflection field angle. .

반면, 미러 반사체의 부분은 그 반사율이 좋다고 하더라도 사용 환경과는 무관한 거울 반사각으로 소모되는 부분이므로 무용(無用)하다.On the other hand, the part of the mirror reflector is useless even if its reflectance is good because it is consumed at the mirror reflection angle irrelevant to the environment of use.

즉, 반사모드에서 볼록패턴(B)이외의 부분(E)은 화소영역(P)내의 이용효율이 적은 면적이라 할 수 있다.That is, in the reflection mode, the portion E other than the convex pattern B may be an area having low utilization efficiency in the pixel region P. FIG.

이러한 면적을 최소화하여 이용효율을 증대하면 좋으나, 요철의 패터닝(patterning)과 랜덤(random)화 라는 문제 때문에 이러한 영역은 불가피하게 형성될 수밖에 없다.It is good to increase the use efficiency by minimizing such area, but due to the problem of patterning and randomization of irregularities, such an area is inevitably formed.

이러한 이유로 액정패널의 화질이 선명하지 않은 문제가 발생한다.
For this reason, there is a problem that the image quality of the liquid crystal panel is not clear.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 한 화소에 대해 볼록패턴을 랜덤하게 형성하되 볼록패턴을 반사부로 정의하고, 볼록패턴을 제외한 나머지 영역을 투과부로 정의한다.The present invention has been proposed for the purpose of solving the above-described problems, and a convex pattern is randomly formed for one pixel, but the convex pattern is defined as a reflector, and the remaining region except the convex pattern is defined as a transmissive part.

이와 같은 구성은 기존에 비해 거울 반사 영역을 제거할 수 있고, 이를 투과영역으로 확대하여 투과모드에서 휘도를 증가시킬 수 있는 장점과 함께, 기존의 투과부에 반사부를 확대하여 반사부의 밀도를 높일 수 있으므로 반사모드에서도 휘도를 증가시키는 장점이 있다.
Such a configuration can remove the mirror reflection area compared to the conventional one, and can increase the density of the reflection part by expanding the reflection part in the existing transmission part and increasing the luminance in the transmission mode by expanding it to the transmission area. There is an advantage of increasing the luminance even in the reflection mode.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 절연기판과; 상기 절연기판 상에 일 방향으로 서로 이격하여 평행하게 구성된 다수의 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와; 상기 화소영역에 불규칙하게 구성되고, 표면에 불투명한 금속이 증착된 볼록패턴과; 상기 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 패턴이 구성된 영역을 제외한 나머지 화소 영역에 구성된 투명전극을 포함한다.An array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object is an insulating substrate; A plurality of gate wires arranged in parallel on the insulating substrate and spaced apart from each other in one direction; A data line defining a pixel area crossing the gate line; A thin film transistor configured at an intersection point of the gate line and the data line; A convex pattern irregularly formed in the pixel region and having an opaque metal deposited on a surface thereof; It includes a transparent electrode connected to the thin film transistor, and configured in the remaining pixel region other than the region in which the pattern is formed.

상기 볼록패턴의 표면에 구성된 불투명한 금속은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 것을 특징으로 한다.The opaque metal formed on the surface of the convex pattern is characterized in that the aluminum (Al) or aluminum alloy.

상기 불투명한 금속은 볼록패턴의 하단에서 상기 투명전극과 접촉하도록 구성한다.The opaque metal is configured to contact the transparent electrode at the bottom of the convex pattern.

상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함한다.The thin film transistor includes a gate electrode connected to the gate line, an active layer, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode spaced apart from the predetermined distance.

상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 구성한다.The transparent electrode is composed of one selected from the group of transparent conductive metal materials including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).

상기 게이트 배선에서 연장된 연장부와, 상기 연장부의 상부에 구성되고 상기 투명전극과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴이 더욱 구성되며, 상기 게이트 배선의 연장부와 상기 섬형상의 금속패턴 사이에 절연막이 더욱 구성되어 스토리지 캐패시터가 구성된다.And an extension portion extending from the gate wiring, and an island-shaped metal pattern formed on the extension portion and contacting the transparent electrode, and an insulating film between the extension portion of the gate wiring and the island-shaped metal pattern. Further configured, the storage capacitor is configured.

본 발명의 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은 절연기판 상에 일 방향으로 서로 이격하여 평행하게 구성된 다수의 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 화소영역에 불규칙하게 구성되고, 표면에 불투명한 금속이 증착된 볼록패턴을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 볼록패턴이 구성된 영역을 제외한 나머지 화소 영역에 투명전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device, the method including: forming a plurality of gate wires parallel to each other in one direction on a insulating substrate and a gate electrode connected thereto; Forming a data line crossing the gate line to define a pixel area; Forming a thin film transistor at an intersection point of the gate line and the data line; Forming a convex pattern irregularly formed in the pixel region and having an opaque metal deposited on a surface thereof; Forming a transparent electrode connected to the thin film transistor and remaining in the pixel region except for the region in which the convex pattern is formed.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시예들을 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

-- 실시예 --  Example

본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 한 화소를 반사부와 투과부로 정의하되, 화소에 랜덤하게 구성되고 표면에 반사판이 형성된 볼록패턴을 반사부로 하고 볼록패턴을 제외한 나머지 영역을 투과부로 구성하는 것을 특징으로 한다.In the array substrate for a transflective liquid crystal display device according to the present invention, one pixel is defined as a reflector and a transmissive portion. It is characterized by the configuration.

도 7은 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 확대 평면도이다.7 is an enlarged plan view illustrating one pixel of the array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 소정간격 평행하게 이격된 다수의 게이트 배선(104)을 구성하고, 이와는 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(116)을 구성한다. As shown in the drawing, a plurality of gate wirings 104 spaced apart in parallel in a direction by one direction on the substrate 100 and vertically intersect the data wirings 116 defining pixel regions P. Referring to FIG. Configure.

상기 두 배선(104,116)의 교차지점에는 게이트 전극(102)과 액티브층(108)과 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다.The thin film transistor T including the gate electrode 102, the active layer 108, the source electrode 112, and the drain electrode 114 is formed at the intersection of the two wires 104 and 116.

상기 화소영역(P)에 다수의 볼록패턴(126)을 불규칙하게 구성하며, 이러한 볼록패턴(126)의 표면에는 반사판(128)을 형성한다.A plurality of convex patterns 126 are irregularly formed in the pixel region P, and a reflecting plate 128 is formed on the surface of the convex pattern 126.

상기 볼록패턴(126)을 제외한 영역에 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 투 명 전극(130)을 형성한다. 따라서, 상기 볼록패턴(128)은 반사부로 정의되고, 볼록패턴(128)을 제외한 나머지 영역을 투과부로 정의되는 결과를 얻을 수 있다.The transparent electrode 130 in contact with the drain electrode 114 is formed in a region other than the convex pattern 126. Therefore, the convex pattern 128 may be defined as a reflector, and a result of defining the remaining area except the convex pattern 128 as a transmissive part may be obtained.

상기 투명 전극(130)과 회로적으로 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(CST)를 게이트 배선(104)의 상부에 구성하며 이때, 상기 스토리지 캐패시터(CST)의 제 1 전극(스토리지 제 1 전극)으로, 게이트 배선에서 화소영역으로 소정 면적으로 연장된 연장부(105)를 사용하고, 연장부(105)의 상부에 패턴되고 투명 전극(130)과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴(117)을 스토리지 캐패시터(CST)의 제 2 전극(스토리지 제 2 전극)으로 사용한다.The storage capacitor C ST , which is connected in parallel with the transparent electrode 130, is configured on the gate line 104, and is used as a first electrode (storage first electrode) of the storage capacitor C ST . The storage capacitor includes an island portion metal pattern 117 patterned on the extension portion 105 and contacting the transparent electrode 130 by using the extension portion 105 extending from the gate wiring to the pixel area. It is used as the second electrode (the second storage electrode) of (C ST).

이하, 도 8a 내지 도 8d를 참조하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 8A to 8D.

도 8a 내지 도 8d는 도 7의Ⅶ-Ⅶ`,Ⅷ-Ⅷ`을 따라 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.8A to 8D are cross sectional views taken along the line VII-VII` and VII-VII` of FIG. 7 and according to the process sequence of the present invention.

먼저, 도 8a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등의 단일 금속이나 알루미늄(Al)/크롬(Cr)(또는 몰리브덴(Mo))등의 이중 금속층 구조인 게이트전극(102)과, 상기 게이트전극(102)과 전기적으로 연결된 게이트배선(104)을 형성한다.First, as shown in FIG. 8A, a single metal such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), or aluminum (Al) on the substrate 100. A gate electrode 102 having a double metal layer structure such as chromium (Cr) (or molybdenum (Mo)) and a gate wiring 104 electrically connected to the gate electrode 102 are formed.

동시에, 화소영역(P)으로 게이트배선에서 소정면적으로 돌출된 연장부(105)를 형성한다.At the same time, an extension portion 105 protruding a predetermined area from the gate wiring is formed in the pixel region P.

이러한 게이트 전극(102)과 게이트 배선(104)을 형성하는 물질은 액정표시장 치의 동작에 중요하기 때문에 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock)형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로, 알루미늄 배선의 경우는 전술한 바와 같이 합금의 형태로 쓰이거나 적층 구조가 적용된다.Since the material forming the gate electrode 102 and the gate wiring 104 is important for the operation of the liquid crystal display device, aluminum having a low resistance is mainly used to reduce the RC delay. Since corrosion resistance is weak and causes wiring defects due to hillock formation in a subsequent high temperature process, aluminum wiring is used in the form of an alloy or a laminated structure is applied as described above.

다음으로, 상기 게이트배선(104)등이 형성된 기판(100)상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)등이 포함된 무기절연물질 또는 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)등이 포함된 유기절연물질 중 하나를 증착 또는 도포하여 게이트 절연막(106)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material containing silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO 2 ), or the like, or in some cases benzocyclobutene (BCB), on the substrate 100 on which the gate wiring 104 is formed. The gate insulating layer 106 is formed by depositing or applying one of an organic insulating material containing an acrylic resin or the like.

다음으로, 상기 게이트전극(102)상부의 게이트 절연막(106)상에 아몰퍼스 실리콘으로 형성한 액티브층(108)(active layer)과 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘으로 형성한 오믹 콘택층(110)(ohmic contact layer)을 적층하여 형성한다.Next, the active layer 108 formed of amorphous silicon on the gate insulating layer 106 on the gate electrode 102 and the ohmic contact layer 110 formed of amorphous silicon containing impurities (ohmic) contact layer) to form a laminate.

연속하여, 상기 오믹 콘택층(110)상부에 전술한 바와 같은 도전성 금속물질 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 소스 전극(112)과 드레인 전극(114)과, 상기 소스 전극(112)과 수직하여 연장된 데이터배선(116)을 형성한다.Successively, a selected one of the conductive metal materials as described above is deposited and patterned on the ohmic contact layer 110 to be perpendicular to the source electrode 112, the drain electrode 114, and the source electrode 112. An extended data line 116 is formed.

동시에, 상기 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(104)의 연장부(105) 상부에 섬형상의 금속패턴(117)을 형성한다.At the same time, an island-shaped metal pattern 117 is formed on the extension 105 of the gate wiring 104 that defines the pixel region P.

다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(112,114)과 데이터 배선(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX) 또는 산화 실리 콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 1 보호막(118)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8B, silicon nitride (SiN X ) or silicon oxide (SiO 2 ) is included on the entire surface of the substrate 100 on which the source and drain electrodes 112 and 114 and the data line 116 are formed. One selected from the group of inorganic insulating materials is deposited to form the first passivation layer 118.

상기 무기막인 제 1 보호막(118)은 이후 공정에서 형성되는 유기막 보다는 상기 액티브층(108)과의 계면 특성이 좋기 때문에 유기막을 형성하기 전 액티브층과 접촉하도록 형성하는 것이 바람직하다.Since the first protective film 118, which is the inorganic film, has better interface characteristics with the active layer 108 than the organic film formed in a subsequent process, the first protective film 118 is preferably formed to contact the active layer before forming the organic film.

연속하여, 상기 제 1 보호막(118)의 상부에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 제 2 보호막(120)을 형성한다.Subsequently, a second passivation layer 120 is formed by coating one selected from a group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acryl-based resin on the first passivation layer 118. do.

상기 제 2 보호막의 상부에 감광성 유기막을 증착한 후 패턴하여, 상기 화소영역에 대응하여 불규칙하게 볼록패턴(126)을 형성한다.The photosensitive organic film is deposited on the second passivation layer, and then patterned to form a convex pattern 126 irregularly corresponding to the pixel area.

이때, 상기 볼록패턴(126)은 유기막을 사각형상으로 패턴한 후 소정의 열을 가하여 용융하는 방법으로 반원 형상으로 제작한다.At this time, the convex pattern 126 is formed in a semi-circular shape by a method of melting the organic film by applying a predetermined heat after patterning the rectangular shape.

도 8c에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 보호막과 그 하부의 제 1 절연막을 패턴하여 드레인 전극(114)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(122)과, 상기 금속패턴(117)의 일부를 노출하는 스토리지 콘택홀(124)을 형성하다.As shown in FIG. 8C, the drain contact hole 122 exposing a portion of the drain electrode 114 by patterning the second passivation layer and the first insulating layer below the exposing layer, and exposing a portion of the metal pattern 117. The storage contact hole 124 is formed.

연속적인 공정으로, 상기 볼록패턴(126)에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(예를 들면 AlNd)과 은(Ag) 또는 은 합금과 같이 반사율이 띄어난 금속을 증착하여 반사판(128)을 형성한다.In a continuous process, a reflective plate 128 is formed by depositing a metal having high reflectivity such as aluminum (Al) or an aluminum alloy (for example, AlNd), silver (Ag), or a silver alloy on the convex pattern 126. .

즉. 기판(100)의 전면에 전술한 금속을 증착한 후, 포토공정을 거쳐 상기 볼 록패턴(126)에만 금속이 남도록 한다.In other words. After the above-described metal is deposited on the entire surface of the substrate 100, the metal remains only in the convex pattern 126 through a photo process.

다음으로 도 8d에 도시한 바와 같이, 상기 볼록패턴(126)의 표면에만 반사판(128)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속물질을 증착한 후 패턴하여, 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 동시에 화소영역(P)을 거쳐 상기 섬 형상의 금속패턴(117)과 접촉하는 투명전극(130)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8D, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) are formed on the entire surface of the substrate 100 having the reflector 128 formed only on the surface of the convex pattern 126. After depositing and patterning a transparent conductive metal material, the transparent electrode 130 is formed in contact with the drain electrode 114 and in contact with the island-shaped metal pattern 117 through the pixel region (P). .

이때, 상기 투명전극(130)은 상기 요철을 덮지 않고 요철이 형성된 영역 이외의 영역에만 대응하여 형성되도록 한다. 따라서, 상기 반사판(128)과 화소전극(130)은 볼록패턴(126)의 하단부에서 서로 접촉하는 형상이다.In this case, the transparent electrode 130 does not cover the unevenness so as to correspond to only a region other than the uneven region. Accordingly, the reflective plate 128 and the pixel electrode 130 are in contact with each other at the lower end of the convex pattern 126.

전술한 공정에서, 상기 게이트 배선(104)에서 상기 화소영역의 일부로 돌출 연장된 부분(105)을 스토리지 제 1 전극으로 하고, 상기 투명전극(130)과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴(117)을 스토리지 제 2 전극으로 하고, 이들 두 전극사이에 개재된 게이트 절연막(106)을 유전체로 하는 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.In the above-described process, an island-shaped metal pattern 117 in contact with the transparent electrode 130 is formed as a storage first electrode, and the portion 105 protruding and extending from the gate line 104 to a part of the pixel region is formed. A storage capacitor C ST is used as a storage second electrode and a gate insulating film 106 interposed between these two electrodes as a dielectric.

상기 화소영역(P)에 반사판(128)이 형성된 볼록패턴(126)이 랜덤하게 구성되므로, 상기 볼록패턴(128)은 반사부로, 상기 볼록패턴(126)사이의 영역은 투과부로 정의된다.Since the convex pattern 126 in which the reflecting plate 128 is formed in the pixel region P is randomly formed, the convex pattern 128 is defined as a reflecting portion, and the region between the convex patterns 126 is defined as a transmitting portion.

이와 같은 구성은 종래 반사모드에서 볼록패턴(128)사이의 영역에서 광 이용효율이 낮았던 문제를 해결할 수 있는 구성이다.Such a configuration can solve the problem of low light utilization efficiency in the region between the convex patterns 128 in the reflection mode.

즉, 종래와는 달리 반사모드와 투과모드의 광 이용 면적이 더 늘어난 결과가 된다. That is, unlike the conventional art, the light use area of the reflection mode and the transmission mode is further increased.

전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 반사투과형 컬러 액정표시장치용컬러필터 기판을 제작할 수 있다.
According to the above-described process, a color filter substrate for a reflective transmissive color liquid crystal display device can be manufactured.

따라서, 본 발명에 따라 제작된 컬러필터기판을 적용한 반사투과형 액정표시장치는 아래와 같은 특징이 있다.Therefore, the reflective liquid crystal display device to which the color filter substrate manufactured according to the present invention is applied has the following characteristics.

첫째, 화소영역의 전면에 반사판이 형성된 볼록패턴을 랜덤하게 구성함으로서 겨울 반사면적을 제거하고 이를 투과모드로 영역으로 확대함으로서 투과모드시 휘도를 증가시키는 효과가 있다.First, by constructing a convex pattern having a reflective plate formed on the entire surface of the pixel region at random, the winter reflection area is removed and the light is enlarged in the transmissive mode to increase the luminance in the transmissive mode.

셋째, 기존의 투과영역에 까지 반사판이 형성된 볼록패턴을 형성함으로서 반사부의 화소당 밀도를 증가시켜 반사모드시 휘도를 개선할 수 있는 효과가 있다.
Third, by forming a convex pattern in which a reflector is formed in the existing transmission region, the density per pixel of the reflector may be increased, thereby improving luminance in reflection mode.

Claims (22)

절연기판과;An insulating substrate; 상기 절연기판 상에 일 방향으로 서로 이격하여 평행하게 구성된 다수의 게이트 배선과;A plurality of gate wires arranged in parallel on the insulating substrate and spaced apart from each other in one direction; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선과;A data line defining a pixel area crossing the gate line; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;A thin film transistor configured at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 화소영역에 불규칙하게 구성되고, 표면에 불투명한 금속이 증착된 볼록패턴과;A convex pattern irregularly formed in the pixel region and having an opaque metal deposited on a surface thereof; 상기 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 패턴이 구성된 영역을 제외한 나머지 화소 영역에 구성된 투명전극A transparent electrode connected to the thin film transistor and configured in the remaining pixel region except for the region having the pattern 을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.Array substrate for a transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 볼록패턴의 표면에 구성된 불투명한 금속은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금과 은(Ag)과 은 합금을 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.The opaque metal formed on the surface of the convex pattern is one selected from the group of metals including aluminum (Al), aluminum alloy, silver (Ag) and silver alloy. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불투명한 금속이 볼록패턴의 하단에서 상기 투명전극과 접촉하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the opaque metal is in contact with the transparent electrode at a lower end of the convex pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate line, an active layer, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode spaced apart from the predetermined distance. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the transparent electrode is one selected from the group of transparent conductive metal materials including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 배선에서 연장된 연장부와, 상기 연장부의 상부에 구성되고 상 기 투명전극과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴이 더욱 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And an extension portion extending from the gate wiring and an island-shaped metal pattern formed on the extension portion and in contact with the transparent electrode. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 게이트 배선의 연장부와 상기 섬형상의 금속패턴 사이에 절연막이 더욱 구성된 스토리지 캐패시터를 더욱 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And a storage capacitor further comprising an insulating film between the extension portion of the gate wiring and the island-shaped metal pattern. 절연기판 상에 일 방향으로 서로 이격하여 평행하게 구성된 다수의 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;Forming a plurality of gate wires and the gate electrodes connected to the insulating substrate in parallel to be spaced apart from each other in one direction; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a data line crossing the gate line to define a pixel area; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor at an intersection point of the gate line and the data line; 상기 화소영역에 불규칙하게 구성되고, 표면에 불투명한 금속이 증착된 볼록패턴을 형성하는 단계와;Forming a convex pattern irregularly formed in the pixel region and having an opaque metal deposited on a surface thereof; 상기 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 볼록패턴이 구성된 영역을 제외한 나머지 화소 영역에 투명전극을 형성하는 단계Forming a transparent electrode connected to the thin film transistor and in the remaining pixel region except for the region in which the convex pattern is formed. 를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.Array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 볼록패턴 표면의 불투명한 금속은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금과 은과 은 합금을 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The opaque metal on the surface of the convex pattern is formed of one selected from the group of metals including aluminum (Al), aluminum alloy, silver and silver alloy. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 불투명한 금속이 볼록패턴의 하단에서 상기 투명전극과 접촉하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the opaque metal is in contact with the transparent electrode at the lower end of the convex pattern. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The thin film transistor includes a gate electrode connected to the gate line, an active layer, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode spaced apart from the predetermined distance. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The transparent electrode is an array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising one selected from the group of transparent conductive metal materials including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 게이트 배선에서 연장된 연장부와, 상기 연장부의 상부에 구성되고 상기 투명전극과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And forming an extension portion extending from the gate wiring and an island-shaped metal pattern formed on the extension portion and in contact with the transparent electrode. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 게이트 배선의 연장부와 상기 섬형상의 금속패턴 사이에 절연막을 더욱 형성한 스토리지 캐패시터를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And a storage capacitor further formed with an insulating film between the extension portion of the gate wiring and the island-shaped metal pattern. 기판 상에 일 방향으로 서로 이격되어 평행하게 연장된 다수의 게이트 배선과 이에 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와;Forming a plurality of gate wirings and gate electrodes connected thereto, the plurality of gate wirings being spaced apart from each other in one direction in parallel in a direction; 상기 게이트 배선 및 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on a front surface of the substrate on which the gate wiring and the gate electrode are formed; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹 콘택층을 적층하는 단계와;Stacking an active layer and an ohmic contact layer on the gate insulating layer on the gate electrode; 상기 오믹 콘택층과 접촉하는 동시에 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 소스 전극과 연결되는 동시에 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;Forming a source electrode and a drain electrode in contact with the ohmic contact layer and spaced apart from each other, and a data line connected to the source electrode and crossing the gate line to define a pixel region; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에 무기 절연물질로 제 2 절연막을 형성하는 단계와;Forming a second insulating film on an entire surface of the substrate on which the source and drain electrodes are formed, using an inorganic insulating material; 상기 제 2 절연막의 상부에 유기 절연물질로 제 3 절연막을 형성하는 단계와;Forming a third insulating film on the second insulating film using an organic insulating material; 상기 제 3 절연막 상에 감광성 유기막을 도포한 후 패턴하여, 상기 화소영역에 불규칙하게 단면적으로 반원 형상의 볼록패턴을 형성하는 단계와;Forming a semicircular convex pattern on the third insulating layer by patterning the photosensitive organic layer on the third insulating layer and irregularly cross-sectioning the pixel region; 상기 볼록패턴의 표면에만 불투명한 금속으로 반사판을 형성하는 단계와;Forming a reflective plate made of an opaque metal only on the surface of the convex pattern; 상기 드레인 전극과 접촉하면서, 상기 볼록패턴을 제외한 화소영역에 투명 전극을 형성하는 단계Forming a transparent electrode in the pixel region except for the convex pattern while contacting the drain electrode 를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.Array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사판은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금과 은과 은 합금을 포함하는 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the reflecting plate is formed of one selected from a group of metals including aluminum (Al), an aluminum alloy, and a silver and a silver alloy. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사판이 볼록패턴의 하단에서 상기 투명전극과 접촉하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And a reflecting plate is in contact with the transparent electrode at a lower end of the convex pattern. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 2 절연막은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the second insulating film is formed of one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO 2 ). 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제 3 절연막은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법The third insulating film is a method of manufacturing an array substrate for a reflective liquid crystal display device formed of one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acrylic resin (resin). 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 투명전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The transparent electrode is an array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising one selected from the group of transparent conductive metal materials including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 게이트 배선에서 연장된 연장부와, 상기 연장부의 상부에 구성되고 상기 투명전극과 접촉하는 섬 형상의 금속패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And forming an extension portion extending from the gate wiring and an island-shaped metal pattern formed on the extension portion and in contact with the transparent electrode. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 게이트 배선의 연장부와 상기 섬형상의 금속패턴 사이에 절연막을 더욱 형성한 스토리지 캐패시터를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And a storage capacitor further formed with an insulating film between the extension portion of the gate wiring and the island-shaped metal pattern.
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