[go: up one dir, main page]

KR100824812B1 - 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100824812B1
KR100824812B1 KR1020060061143A KR20060061143A KR100824812B1 KR 100824812 B1 KR100824812 B1 KR 100824812B1 KR 1020060061143 A KR1020060061143 A KR 1020060061143A KR 20060061143 A KR20060061143 A KR 20060061143A KR 100824812 B1 KR100824812 B1 KR 100824812B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
connection terminal
imaging device
substrate
semiconductor chip
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020060061143A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070003699A (ko
Inventor
히로노리 나카조
히로시 요시카와
미치오 사사키
아키히로 호리
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20070003699A publication Critical patent/KR20070003699A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100824812B1 publication Critical patent/KR100824812B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026Wafer-level processing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/804Containers or encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/805Coatings
    • H10F39/8057Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02372Disposition of the redistribution layers connecting to a via connection in the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02377Fan-in arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05005Structure
    • H01L2224/05009Bonding area integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05099Material
    • H01L2224/051Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05541Structure
    • H01L2224/05548Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0615Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13024Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

촬상 장치를 구성하는 반도체 칩은 기판상에 설치되어 있고, 접속 단자와 촬상 소자부를 포함하고 있다. 렌즈부를 갖는 렌즈 시트는 반도체 칩상에 설치되어 있다. 홈은 적어도 기판에 설치되어 있고, 접속 단자를 노출한다. 도체 패턴은 홈 내에 형성되어 있고, 일단부가 접속 단자에 전기적으로 접속되어 있다.

Description

초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법{COMPACT CAMERA MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 제1 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 공정을 모식적으로 도시하는 평면도.
도2는 제1 실시예에 따른 반도체 칩을 모식적으로 도시하는 평면도.
도3a 및 도 3b는 제1 실시예에 따른 카메라 모듈을 모식적으로 도시한 것으로서, 도 3a는 다이싱 이전의 단면도이고 도 3b는 다이싱 이후의 단면도.
도4는 제1 실시예에 따른 카메라 모듈의 제조 공정을 도시하는 흐름도.
도 5는 제2 실시예에 따른 카메라 모듈을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 제3 실시예에 따른 카메라 모듈을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 제1 내지 제3 실시예의 변형예를 모식적으로 도시하는 평면도.
도 8은 제1 내지 제3 실시예의 변형예를 모식적으로 도시하는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판
20: 반도체 웨이퍼
30: 렌즈 어레이 시트
본 발명은 2005년 7월 1일 출원된 일본 특허 출원 번호 제2005-193959호를 우선권으로 주장하며, 이 출원의 전체 내용을 참조를 위해 본원 명세서에 포함한다.
본 발명은 예컨대 CCD 또는 CMOS 센서를 내장한 렌즈 장착 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
통상, 소형 카메라 모듈은 예컨대 촬상 센서, IR(적외선) 커트 필터, 기판, 수동 부품, 광학 렌즈 및 조리개를 갖는다.
최근, 카메라 모듈의 소형화 요구가 점점 강해지고 있다. 소형화의 포인트는 다음과 같이 2개로 볼 수 있다.
(1) 센서 칩이나 사용하는 수동 부품의 소형화
(2) 센서의 화소 축소화와 광학계의 박형화
(1)은 주로 가로 방향의 소형화이고, 부품 및 실장 기술의 진보와 함께 소형화가 가능하다. 특히, 센서 칩과 동일한 사이즈의 기판을 사용한 실장 기술, 예컨대 CSP(chip scale package)가 주목을 받고 있다. 한편, (2)는 주로 세로 방향의 소형화이다. 통상, 센서상에 IR 커트 필터, 조리개, 광학 렌즈 등의 광학 부품을 적층해야 하기 때문에 박형화하는 것이 곤란하였다.
또한, 일본 특허 공개 2001-238103에는 종래의 카메라 모듈로서의 촬상 장치가 개시되어 있다. 이 촬상 장치는 기판상에 촬상 소자를 설치하고, 이 촬상 소자 상에 결합 렌즈부를 갖는 광학 소자를 설치한다. 이 후, 촬상 소자와 기판을 와이어에 의해 전기적으로 접속한다. 또한, 결합 렌즈부를 노출시키도록 수지 봉입하여 기판, 촬상 소자 및 광학 소자를 일체화하고 있다.
그러나, 종래의 카메라 모듈은 렌즈를 지지하는 렌즈 배럴 및 렌즈 홀더, IR 커트 필터를 지지하는 홀더, 기판, 촬상 소자 및 광학 소자로 이루어지는 적층체를 유지하는 케이스, 이 적층체를 봉입하여 봉입 수지 등을 필요로 하고 있다. 또한, 렌즈 배럴 및 렌즈 홀더, IR 커트 필터를 지지하는 홀더, 기판, 촬상 소자 및 광학 소자가 개별 부품으로 되어 있다. 이들 부품은 매우 작기 때문에 조립 및 어셈블리가 용이하지 않다. 또한, 이들 복수의 부품을 조립한 경우, 필요한 사이즈로 소형화 및 박형화하는 것이 곤란하였다. 따라서, 소형화 및 박형화 가능한 고성능의 카메라 모듈 및 그 제조 방법이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 소형화 및 박형화 가능한 고성능의 카메라 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 촬상 장치는 기판; 상기 기판상에 설치되고, 접속 단자와 촬상 소자부를 포함하는 반도체 칩과; 상기 반도체 칩상에 설치된 렌즈부를 갖는 렌즈 시트와; 적어도 상기 기판에 설치되고, 상기 접속 단자를 노출하는 홈; 상기 홈 내에 형성된 도체 패턴으로서, 상기 도체 패턴의 일단부는 상기 접속 단자에 전기적으로 접속되어 있는 도체 패턴을 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 촬상 장치는 표면에 제1 접속 단자와 촬상 소자부를 가지며, 이면에 제2 접속 단자를 포함하고, 내부에 상기 제1 접속 단자와 제2 접속 단자를 접속하는 도체를 포함하는 반도체 칩과; 상기 반도체 칩의 상기 표면상에 설치된 렌즈부를 갖는 렌즈 시트를 포함한다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 촬상 장치의 제조 방법은 기판, 복수의 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼, 및 복수의 렌즈부를 갖는 렌즈 시트를 각각 준비하는 단계로서, 상기 복수의 칩의 각각은 촬상 소자부 및 접속 단자를 갖고 있는 것인 상기 준비하는 단계와; 상기 기판, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 렌즈 시트를 적층함으로써 적층 부재를 형성하는 단계로서, 상기 기판과 상기 반도체 웨이퍼 사이, 및 상기 반도체 웨이퍼와 상기 렌즈 시트 사이에는 접착층이 형성되는 것인 상기 형성 단계와; 적어도 상기 기판에 상기 복수의 칩의 접속 단자를 노출하는 홈을 형성하는 단계와; 상기 적층 부재를 상기 칩마다 다이싱하는 단계를 포함한다.
[실시형태]
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예를 도시하고 있다. 우선 도 1, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기판(10), 반도체 웨이퍼(20), 렌즈 어레이 시트(30)를 준비한다(S11, S12, S13). 기판(10)은 예컨대 세라믹, 유리, 수지 등에 의해 구성되고, 반도체 웨이퍼와 거의 동일한 크기 및 직경을 갖고 있다.
반도체 웨이퍼(20)에는 예컨대 CCD 또는 CMOS 센서와 같은 촬상 소자와, 그 주변 회로를 포함하는 복수의 칩(21)이 형성되어 있다. 도 2는 각 칩의 평면도를 도시하고 있다. 칩(21)의 표면, 또는 거의 중앙부에 감광 화소 영역(22)이 형성되어 있다. 이 칩(21)의 예컨대 이면, 또한 주변부에는 복수의 접속 단자(전극)(23)가 형성되어 있다.
렌즈 어레이 시트(30)는 예컨대 볼록 렌즈로 이루어지는 렌즈부로서의 복수의 촬상 렌즈(31)를 갖고 있다. 이 렌즈 어레이 시트(30)는 시트와 촬상 렌즈(31)를 동일한 재료로 형성할 수도 있고, 별개의 재료로 형성할 수도 있다. 양쪽을 동일한 재료로 형성할 때는 시트에 대하여 촬상 렌즈(31)를 성형, 에칭, 또는 석출 등의 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 시트와 촬상 렌즈(31)를 별개의 재료로 형성할 때, 시트가 되는 예컨대 유리, 열경화성 수지, 투광성 세라믹 등의 광학 재료의 표면에 광학용 투명 수지, 예컨대 페놀계 수지 또는 아크릴계 수지에 의해 볼록 렌즈계의 촬상 렌즈(31)를 형성하면 좋다. 렌즈 어레이 시트(30)에서, 촬상 렌즈(31)는 각 칩의 감광 화소 영역(22)에 대응하여 배치되어 있다.
IR 커트 필터를 렌즈 표면에 형성하는 경우, 렌즈 어레이 시트(30)의 표면에 IR 커트 필터를 형성해 두면 좋다. 또한, 차광 겸 조리개를 형성하는 경우, 렌즈 어레이 시트(30)의 예컨대 표면 및/또는 이면에서 촬상 렌즈(31)에 대응하는 영역 이외의 영역에 차광 막을, 예컨대 분무, 또는 인쇄 등의 방법으로 형성할 수 있다.
다음에, 이들의 기판(10), 반도체 웨이퍼(20) 및 렌즈 어레이 시트(30)를 이 순서로 접착층으로서의 에폭시 수지층(40)을 통해 접착하여 적층 부재(50)를 형성한다(S14). 즉, 기판(10) 위에 에폭시 수지층(40)을 통해 반도체 웨이퍼(20)가 접착되고, 반도체 웨이퍼(20) 위에 에폭시 수지층(40)을 통해 렌즈 어레이 시트(30) 가 접착된다. 이 후, 도 3a에 도시하는 바와 같이, 기판(10)의 이면에서, 각 칩(21)의 접속 단자(23)에 대응하고, 예컨대 단면이 V형인 홈(11)이 형성된다(S15). 이 홈(11)을 형성함으로써, 각 칩(21)의 접속 단자(23)가 홈(11) 내에 노출된다.
이 후, 적층 부재(50)의 이면, 즉 기판(10)의 이면, 및 홈(11)의 측면에 복수의 도체 패턴(51)이 예컨대 스퍼터 등의 방법에 의해 형성된다(S16). 이들 도체 패턴(51)의 일단이 홈(11) 내에 노출되어 있는 접속 단자(23)에 각각 전기적으로 접속된다.
이어서, 각 도체 패턴(51)의 타단부, 즉 기판(10)의 이면에 형성된 부분에 볼범프(12)가 각각 형성된다(S17).
그 다음에, 적층 부재(50)가 홈(11)의 중심을 따라 다이싱되고, 도 3b에 도시한 바와 같이, 개개의 센서 모듈, 즉 카메라 모듈(60)이 완성된다(S18).
도 3b는 형성된 카메라 모듈(60)의 단면 구조를 도시하고 있다. 이 카메라 모듈은 복수의 볼범프(12)를 갖는 기판과, 이면으로부터 표면에 걸쳐 형성된 V형 홈(11)과, 복수의 볼범프(12)를 갖는 기판(10)과, 기판(10)상에 설치되고, 홈(11)으로부터 노출하도록 설치된 접속 단자(23)를 갖는 동시에, 감광 화소 영역(22)을 포함하는 반도체 칩(21)과, 반도체 칩(21)상에 설치되며, 촬상 렌즈(31)를 갖는 렌즈 시트(32)와, 기판(10)에 형성되고, 접속 단자(23)와 볼범프(12)를 전기적으로 접속하는 도체 패턴(51)으로 구성되어 있다.
또한, 렌즈 시트(32)의 표면에는 예컨대 IR 커트 필터(33), 촬상 렌즈(31)의 형성 영역 이외의 영역에 차광막(34)이 형성되어 있다. 또한, 렌즈 시트(32)의 이면에는, 촬상 렌즈(31)의 형성 영역과 대응하는 영역 이외의 영역에 차광막(35)이 형성되어 있다.
상기 제1 실시예에 의하면, 기판(10)에 복수의 칩(21)이 형성된 반도체 웨이퍼(20)를 적층하고, 반도체 웨이퍼(20)에 복수의 촬상 렌즈(31)가 형성된 렌즈 어레이 시트(30)를 적층하며, 이 상태에서, 도체 패턴(51)을 형성하고, 그 후에 다이싱에 의해 카메라 모듈을 형성하고 있다. 이 때문에 종래의 카메라 모듈과 다르게, 카메라 모듈을 구성하는 개별 부품을 개별 상태로 조립하는 공정을 배제할 수 있다. 따라서, 간단한 제조 공정에 의해 초소형화로 고성능 카메라 모듈을 용이하게 실현하는 것이 가능하다. 또한, 종래에 비해 부품 개수를 삭감할 수 있기 때문에 카메라 모듈의 박형화가 가능하다.
도 5는 제2 실시예를 도시하고 있고, 제1 실시예와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 제1 실시예에서, 각 칩(21)의 접속 단자(23)는 반도체 웨이퍼(20)의 이면에 형성되어 있었다. 제2 실시예에서, 접속 단자(23a)는 반도체 웨이퍼(20)의 표면에 형성되어 있다. 이 경우, 홈(11a)은 기판(10)과 반도체 웨이퍼(20)[칩(21)]에 형성되고, 홈(11a) 내에 반도체 웨이퍼(20)의 표면에 형성된 접속 단자(23a)가 노출된다. 도전 패턴(51)은 홈(11a) 내에서 반도체 웨이퍼(20)의 표면까지 형성되고, 접속 단자(23a)와 접속되어 있다. 이와 같이 형성한 후, 홈(11a)의 중앙을 따라 다이싱한다.
제2 실시예의 제조 방법은 제1 실시예와 마찬가지이며, 도 4에 도시하는 제 조 공정에서, 홈(11)의 깊이가 다른 것뿐이다. 제2 실시예에 의해서도 제1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 6은 제3 실시예를 도시하고 있고, 제1 실시예와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 제3 실시예는 제1, 제2 실시예와 다르고, 기판(10)을 갖고 있지 않다. 도 6에서, 반도체 웨이퍼(20)[칩(21)]는 표면에 제1 접속 단자(23a)를 가지며, 이면에 제2 접속 단자(23b)를 갖고 있다. 제2 접속 단자(23b)는 제1 접속 단자(23a)에 대응하는 위치에 형성되고, 제1 접속 단자(23a)보다 면적이 약간 커져 있다. 반도체 웨이퍼(20) 내에는 제1 접속 단자(23a)와 제2 접속 단자(23b)를 전기적으로 접속하는 도체(23c)가 형성되어 있다. 이 도체(23c)는 제1 접속 단자(23a)와 제2 접속 단자(23b) 사이에 위치하는 반도체 웨이퍼(20) 내에 접속 구멍(21a)이 형성되고, 이 접속 구멍(21a) 내에 예컨대 도체 금속이 매립됨으로써 형성된다. 또는 접속 구멍(21a) 내에 도체 금속이 도금됨으로써, 도체(23c)가 형성된다. 제2 접속 단자(23b)에는 각각 볼범프(12)가 형성되어 있다.
제3 실시예의 제조 방법은 기판(10)의 접합 공정을 제외하면, 반도체 웨이퍼(20)와 렌즈 어레이 시트(30)를 접합시키는 공정이 제1 실시예와 동일하다. 즉, 도 1, 도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(20) 및 렌즈 어레이 시트(30)가 준비된다. 이 반도체 웨이퍼(20)의 표면에는 칩(21)마다 감광 화소 영역(22)과 복수의 제1 접속 단자(23a)가 형성되고, 이면에 제2 접속 단자(23b)가 형성되며, 반도체 웨이퍼(20) 내에 도체(23c)가 형성되어 있다. 이 반도체 웨이퍼(20)의 표면에 렌즈 어레이 시트(30)가 접착층으로서의 에폭시 수지층(40)을 통해 접착되고, 적층 부재가 형성된다. 계속해서, 제2 접속 단자(23b)에 볼범프(12)가 형성된다. 이 후, 다이싱되고, 카메라 모듈이 완성된다.
또한, 렌즈 어레이 시트(30)가 고온 처리에 견딜 수 있는 경우, 접합 전의 반도체 웨이퍼(20)에 감광 화소 영역(22)과 복수의 제1 접속 단자(23a)만을 형성하고, 반도체 웨이퍼(20)에 렌즈 어레이 시트(30)를 접합시킨 후, 제2 접속 단자(23b), 도체(23c), 볼범프(12)를 순차 형성하는 것도 가능하다.
제3 실시예에 의하면, 제1, 제2 실시예와 같이 기판(10)이 없기 때문에 제조 공정을 더 간단화할 수 있는 동시에, 제1, 제2 실시예보다 얇은 카메라 모듈을 형성하는 것이 가능하다.
또한, 상기 제1 내지 제3 실시예에서, 촬상 렌즈(31)는 예컨대 회절 렌즈 등의 평면 렌즈로 할 수 있다.
또한, 제1 내지 제3 실시예에서, 반도체 웨이퍼(20)에 렌즈 어레이 시트(30)를 접착하였지만, 이에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 도 7에 도시하는 바와 같이, 렌즈 어레이 시트(30)를 촬상 렌즈(31)마다, 칩(21) 사이즈로 절단하고, 이 개개의 절단된 렌즈 시트(32)를 개별적으로 반도체 웨이퍼(20)의 각 칩(21)상에 접착하더라도 좋다. 이와 같이, 렌즈 시트(32)를 반도체 웨이퍼(20)의 각 칩(21)상에 접착한 후, 상기 제1 내지 제3 실시예와 같은 제조 공정을 실행한다. 이러한 제조 방법에 의해서도, 종래와 같이, 모든 부품을 개별화하여 조립하는 경우에 비해 제조 공정을 간단화할 수 있으면서, 카메라 모듈의 박형화가 가능하다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 렌즈 시트(32)의 표면에 IR 커트 필 터(33), 차광막(34)을 형성하고, 렌즈 시트(30)의 이면에 차광막(35)을 형성하였지만, 이에 한정되는 것이 아니다.
도 8은 제1 내지 제3 실시예의 변형예를 도시한 것으로, 변형예를 제2 실시예에 적용한 경우를 도시하고 있다. 도 8에서, 렌즈 시트(32)의 표면, 및 이면에는 IR 커트 필터나 차광막은 형성되어 있지 않다. 카메라 모듈(60)의 상부에는 차광 재료에 의해 형성된 홀더(70)가 장착되어 있다. 이 홀더(70)의 촬상 렌즈(31)와 대응하는 위치에 개구부(71)가 형성되어 있다. 이 개구부(71)의 직경은 예컨대 촬상 렌즈(31)의 직경과 거의 동일하거나, 촬상 렌즈(31)의 직경보다 작게 되어 있다. 이 개구부(71)를 폐쇄하도록 IR 커트 필터(72)가 설치된다. 이 구성은 촬상 렌즈(31)에 IR 커트 필터나 차광막을 형성하는 것이 곤란한 경우에 유효하고, 이러한 구성에 의해서도 제1 내지 제3 실시예와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다.
여러 변형 및 수정이 본 발명의 범위 내에 있을 수 있다. 따라서, 본 발명은 여기에 설명되고 도시된 상세한 설명 및 실시형태에 한정되지 않는다. 따라서, 청구범위 및 이들의 등가물에 의해 규정되는 본 발명의 일반적인 개념의 사상 또는 범위에 벗어나지 않고 여러 변형이 이루어질 수 있다.
본원 발명의 구성에 따르면, 간단한 제조 공정에 의해 초소형화로 고성능 카메라 모듈을 용이하게 실현할 수 있다. 또한, 종래에 비해 부품 개수를 삭감할 수 있기 때문에 카메라 모듈의 박형화를 실현할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판과;
    상기 기판상에 설치되고, 접속 단자와 촬상 소자부를 포함하는 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩상에 설치된 렌즈부를 갖는 렌즈 시트와;
    적어도 상기 기판에 설치되고, 상기 접속 단자를 노출하는 홈과;
    상기 홈 내에 형성된 도체 패턴으로서, 상기 도체 패턴의 일단부는 상기 접속 단자에 전기적으로 접속되어 있는 것인, 상기 도체 패턴
    을 포함하며, 상기 렌즈 시트는 상기 렌즈부 이외의 부분에 설치된 차광막을 더 포함하는 것인, 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 반도체 칩 사이 및 상기 반도체 칩과 상기 렌즈 시트 사이에 각각 설치되는 접착층을 더 포함하는 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시 수지층인 것인, 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접속 단자는 상기 반도체 칩의 이면에 설치되어 있는 것인, 촬상 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접속 단자는 상기 반도체 칩의 표면에 설치되고, 상기 홈은 상기 기판 및 상기 반도체 칩에 형성되어 있는 것인, 촬상 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도체 패턴의 타단부에 형성된 범프를 더 포함하는 촬상 장치.
  7. 삭제
  8. 표면에 제1 접속 단자와 촬상 소자부를 포함하고, 이면에 제2 접속 단자를 포함하며, 내부에 상기 제1 접속 단자와 상기 제2 접속 단자를 접속하는 도체를 포함하는 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩의 상기 표면상에 설치된 렌즈부를 갖는 렌즈 시트
    를 포함하는 촬상 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체 칩과 상기 렌즈 시트 사이에 설치된 접착층을 더 포함하는 촬상 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시 수지층인 것인, 촬상 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제2 접속 단자에 형성된 범프를 더 포함하는 촬상 장치.
  12. 제8항에 있어서, 상기 렌즈 시트는 상기 렌즈부 이외의 부분에 설치된 차광막을 더 포함하는 촬상 장치.
  13. 기판, 복수의 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼, 및 복수의 렌즈부를 갖는 렌즈 시트를 각각 준비하는 단계로서, 상기 복수의 칩의 각각은 촬상 소자부 및 접속 단자를 포함하고 있는 것인 상기 렌즈 시트의 준비 단계와;
    상기 기판, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 렌즈 시트를 적층함으로써 적층 부재를 형성하는 단계로서, 상기 기판과 상기 반도체 웨이퍼 사이 및 상기 반도체 웨이퍼와 상기 렌즈 시트 사이에 접착층이 형성되는 것인 상기 적층 부재의 형성 단계와;
    적어도 상기 기판에 상기 복수의 칩의 접속 단자를 노출하는 홈을 형성하는 단계와;
    상기 적층 부재를 상기 칩마다 다이싱하는 단계
    를 포함하는 촬상 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 홈 내에 도체 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 도체 패턴의 일단부는 상기 접속 단자에 접속되어 있는 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 도체 패턴의 타단부에 범프를 형성하는 단계를 더 포함하는 촬상 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시 수지층인 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 접속 단자는 상기 반도체 칩의 이면에 설치된 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 접속 단자는 상기 반도체 칩의 표면에 설치되고, 상기 홈은 상기 기판 및 상기 반도체 칩에 형성되는 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 기판과 반도체 웨이퍼는 동일한 직경을 갖는 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
  20. 제13항에 있어서, 상기 렌즈 시트의 상기 복수의 렌즈부는 상기 반도체 웨이퍼의 복수의 칩의 각각에 개별적으로 적층되는 것인, 촬상 장치의 제조 방법.
KR1020060061143A 2005-07-01 2006-06-30 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법 Expired - Fee Related KR100824812B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00193959 2005-07-01
JP2005193959A JP2007012995A (ja) 2005-07-01 2005-07-01 超小型カメラモジュール及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070003699A KR20070003699A (ko) 2007-01-05
KR100824812B1 true KR100824812B1 (ko) 2008-04-30

Family

ID=37610003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060061143A Expired - Fee Related KR100824812B1 (ko) 2005-07-01 2006-06-30 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7728398B2 (ko)
JP (1) JP2007012995A (ko)
KR (1) KR100824812B1 (ko)
CN (1) CN100581216C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101003636B1 (ko) 2008-05-23 2010-12-23 삼성전기주식회사 렌즈 웨이퍼와 그 제조방법 및 이를 이용한 카메라 모듈

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2902530A1 (fr) * 2006-06-19 2007-12-21 St Microelectronics Rousset Procede de fabrication de lentilles, notamment pour imageur comprenant un diaphragme
US8456560B2 (en) * 2007-01-26 2013-06-04 Digitaloptics Corporation Wafer level camera module and method of manufacture
CA2685080A1 (en) * 2007-04-24 2008-11-06 Flextronics Ap Llc Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
CN101681085B (zh) * 2007-04-24 2014-11-19 数字光学公司 采用晶片级光学系统的自动聚焦/变焦模块
KR100860308B1 (ko) * 2007-06-05 2008-09-25 삼성전기주식회사 카메라 모듈 패키지 및 그 제조방법
JP4693827B2 (ja) * 2007-09-20 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
JP2009092860A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Panasonic Corp カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法
TWI382753B (zh) * 2007-12-17 2013-01-11 Omnivision Tech Inc 具有整合式閃光燈之可回銲相機模組
US9118825B2 (en) * 2008-02-22 2015-08-25 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. Attachment of wafer level optics
KR20100129751A (ko) 2008-04-03 2010-12-09 코니카 미노루따 호르딩구스 가부시끼가이샤 촬상 장치, 및 촬상 장치의 제조 방법
US20110026148A1 (en) * 2008-04-08 2011-02-03 Konica Minolta Holdings, Inc. Actuator array sheet
KR20090108233A (ko) * 2008-04-11 2009-10-15 삼성전자주식회사 카메라 모듈의 제조 방법, 이에 의해 제작된 카메라 모듈및 상기 카메라 모듈을 포함하는 전자 시스템
US8717486B2 (en) 2008-10-01 2014-05-06 Konica Minolta Holdings, Inc. Imaging unit and imaging device
JP5422986B2 (ja) * 2008-12-10 2014-02-19 コニカミノルタ株式会社 駆動装置および撮像装置
JP2010166004A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010245292A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Panasonic Corp 光学デバイス、電子機器、及びその製造方法
US9419032B2 (en) * 2009-08-14 2016-08-16 Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing
JP5352392B2 (ja) * 2009-09-14 2013-11-27 富士フイルム株式会社 ウェハレベルレンズアレイの製造方法、ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット
TWI457631B (zh) * 2009-12-25 2014-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鏡頭模組之製備方法
EP2745324A2 (en) * 2011-08-19 2014-06-25 Imi Usa, Inc. Flip-chip bonded imager die
US10178946B2 (en) 2014-09-08 2019-01-15 Location Labs, Inc. Oral monitor
CN106131481B (zh) * 2016-06-24 2018-11-13 上海理工大学 车载多孔径红外夜视仪及其制造方法
JP6847300B2 (ja) * 2017-08-07 2021-03-24 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 カメラモジュール、その製造方法及び対応するスマート端末

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061221A (ko) * 2001-01-15 2002-07-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2003116066A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
WO2005041561A1 (en) * 2003-10-27 2005-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera module and manufacturing method for such a camera module

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5274456A (en) * 1987-12-28 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and video camera unit using it and their manufacturing method
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
JP3651577B2 (ja) 2000-02-23 2005-05-25 三菱電機株式会社 撮像装置
US6384397B1 (en) 2000-05-10 2002-05-07 National Semiconductor Corporation Low cost die sized module for imaging application having a lens housing assembly
US7139028B2 (en) * 2000-10-17 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
US6607941B2 (en) * 2002-01-11 2003-08-19 National Semiconductor Corporation Process and structure improvements to shellcase style packaging technology
US7340181B1 (en) * 2002-05-13 2008-03-04 National Semiconductor Corporation Electrical die contact structure and fabrication method
TWI227550B (en) * 2002-10-30 2005-02-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device manufacturing method
JP4544876B2 (ja) * 2003-02-25 2010-09-15 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3800335B2 (ja) * 2003-04-16 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 光デバイス、光モジュール、半導体装置及び電子機器
US7180149B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Fujikura Ltd. Semiconductor package with through-hole
JP2005332917A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061221A (ko) * 2001-01-15 2002-07-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2003116066A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
WO2005041561A1 (en) * 2003-10-27 2005-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera module and manufacturing method for such a camera module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101003636B1 (ko) 2008-05-23 2010-12-23 삼성전기주식회사 렌즈 웨이퍼와 그 제조방법 및 이를 이용한 카메라 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070003699A (ko) 2007-01-05
US20070019102A1 (en) 2007-01-25
CN1897645A (zh) 2007-01-17
US7728398B2 (en) 2010-06-01
CN100581216C (zh) 2010-01-13
JP2007012995A (ja) 2007-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100824812B1 (ko) 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP5531268B2 (ja) モールド成型されたハウジングを備えたウェハレベルカメラモジュールおよび製造方法
US8605208B2 (en) Small form factor modules using wafer level optics with bottom cavity and flip-chip assembly
TWI236284B (en) Camera module and manufacturing method thereof
US8730369B2 (en) Wafer level camera module and method of manufacture
JP4724145B2 (ja) カメラモジュール
CA2654422C (en) Camera module with premolded lens housing and method of manufacture
US10147750B2 (en) Optical imaging apparatus and methods of making the same
CN101632294B (zh) 摄像装置及摄像装置的制造方法
US20090015706A1 (en) Auto focus/zoom modules using wafer level optics
EP2120451A1 (en) Camera module manufacturing method and camera module
US7539412B2 (en) Camera module with first and second image sensor chips, holders and lens
JP2006032940A (ja) 半導体素子の超薄型モジュール構造及びその製造方法
CN101459165A (zh) 电子元件晶片模块、其制造方法以及电子信息设备
JP2008263550A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
CN105489620A (zh) 固体摄像装置的制造方法以及摄像机模块的制造方法
US8951858B2 (en) Imager device with electric connections to electrical device
CN107403815B (zh) 光学装置和光电模块以及用于制造光学装置和光电模块的方法
JP2007027713A (ja) 透明カバーが付着されている光学装置の製造方法及びそれを利用した光学装置モジュールの製造方法
JP2007273696A (ja) 撮像モジュールの製造方法および撮像モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130403

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140320

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20160424

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20160424

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18 Changes to party contact information recorded

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-5-5-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000