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KR100811099B1 - 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리합금의 접합강도를 향상시키는 고온등방가압 접합방법 - Google Patents

코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리합금의 접합강도를 향상시키는 고온등방가압 접합방법 Download PDF

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KR100811099B1
KR100811099B1 KR1020060104986A KR20060104986A KR100811099B1 KR 100811099 B1 KR100811099 B1 KR 100811099B1 KR 1020060104986 A KR1020060104986 A KR 1020060104986A KR 20060104986 A KR20060104986 A KR 20060104986A KR 100811099 B1 KR100811099 B1 KR 100811099B1
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KR
South Korea
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beryllium
layer
copper alloy
bonding
diffusion
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박정용
정용환
박상윤
이명호
최병권
백종혁
김준환
김현길
홍봉근
Original Assignee
한국원자력연구원
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Abstract

본 발명은 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 HIP 접합방법에 관한 것으로, 구체적으로 베릴륨 표면을 전처리하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 전처리된 베릴륨 표면에 확산억제층, 접합촉진층 및 확산층을 형성시키는 단계(단계 2); 구리 합금의 표면을 전처리하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 2의 확산층이 형성된 베릴륨과 상기 단계 3에서 전처리된 구리 합금을 HIP 접합하는 단계(단계 4)를 포함하여 이루어지는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 접합방법은 베릴륨 표면에 확산억제층과 접합촉진층을 코팅한 후 후속열처리를 수행하여 상기 코팅층들 사이에 확산층을 형성함으로써 상기 베릴륨과 구리 합금 사이의 접합강도를 향상시켜 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 핵융합로 제1차 방호벽의 제작시 유용하게 사용될 수 있다.
Be, Cu 합금, HIP 접합, 1차 방호벽, 접합강도

Description

코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 고온등방가압 접합방법{Hot isostatic pressing joining method between Be and Cu alloy by formation of the diffusion layers between coated interlayers}
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 베릴륨과 구리 합금의 접합방법을 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 다른 일실시형태에 따른 베릴륨과 구리 합금의 접합방법을 나타낸 도면이며,
도 3은 본 발명의 또 다른 일실시형태에 따른 베릴륨과 구리 합금의 접합방법을 나타낸 도면이다.
(상기 도면상의 괄호안의 숫자는 베릴륨과 구리합금의 접합체의 공정순서를 나타낸다)
본 발명은 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 고온등방가압(HIP) 접합방법에 관한 것이다.
핵융합로의 제1차 방호벽은 플라즈마 대면 재료가 열제거층에 접합되어 있는 구조를 가지고 있으며 높은 중성자속 및 열속 환경에서도 우수한 성능을 유지해야 한다. 핵융합로 제1차 방호벽은 서로 다른 기능을 수행해야 하는 재료들이 접합을 통하여 최종 부품으로 제조되어야 하며 따라서 이종재료의 접합 기술이 제1차 방호벽 제조의 핵심기술로 고려되고 있다.
일반적으로 핵융합로 제1차 방호벽의 제조에 있어서, 플라즈마 대면 재료로는 베릴륨(Be)이, 열제거층 재료로는 구리(Cu) 합금이 주로 사용되고 있으며, 이러한 층상구조물의 제조에 있어서 접합방법으로는 확산접합의 일종인 고온등방가압(hot isostatic pressing, 이하 HIP) 접합방법이 핵융합로 운전과정에서 예상되는 고중성자 및 고응력상태에서 충분한 기계적 건전성을 실현할 수 있는 유망한 방법으로 고려되고 있다. 다른 상용 접합방법과 비교하여 HIP은 접합 전후 공작물의 치수변화가 적고 복잡한 형상의 접합에 유용한 것으로 보고되고 있다.
그러나 핵융합로 운전조건에서 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 제1차 방호벽의 제조를 위해서는 고온등방가압 접합의 접합강도를 향상시키는 것이 무엇보다 중요하다.
이를 위해, 고온등방가압 접합의 접합강도를 향상시키기 위한 여러가지 연구가 진행되고 있다.
미국등록특허 제6,176,418호, 유럽공개특허 제0901869 A1호 및 일본공개특허 평10-216960호 공보에서는 스테인레스강/구리 합금/베릴륨을 한번의 공정으로 접합하는 방법에 관한 것으로서 베릴륨과 구리 합금 사이에 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 니오븀(Nb)으로 이루어진 중간층을 삽입하는 공정을 개시하고 있다.
또한, 미국등록특허 제6,164,524호 및 일본공개특허 평11-285895호 공보에서는 베릴륨과 구리 합금을 접합하는 데 있어서 상기 베릴륨 표면에 물리 증기 증착(physical vapor deposition, 이하 PVD) 또는 용사법에 의해 티타늄, 크롬(Cr), 몰리브덴 또는 규소(Si)로 이루어진 확산억제층(diffusion inhibition layer)을 형성하고, 필요에 따라 상기 확산억제층의 표면에 접합촉진층으로 구리 또는 니켈(Ni)층을 형성한 후 상기 접합촉진층을 접합면으로 하여 상기 베릴륨과 구리 합금을 접합하는 방법이 개시되어 있다.
나아가, 미국등록특허 제6,824,888호, 유럽공개특허 제1297925 A2호, 일본공개특허 제2003-112269호 공보에서는 베릴륨과 구리 합금을 접합하는 데 있어서, 상기 베릴륨과 구리 합금 사이에 확산억제층으로 티타늄, 크롬, 몰리브덴 및 규소층을 형성하고 상기 확산억제층 표면에 구리층을 형성한 후, 그 위에 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr) 및 구리 등의 확산촉진층을 형성하여 고온등방가압 접합하는 방법을 개시하고 있다.
또한, 미국등록특허 제6,286,750호, 유럽공개특허 제1043111 A2호 및 일본 공개특허 제2001-225176호 공보에서는 베릴륨과 구리 합금을 접합하는 데 있어서, 상기 구리 합금의 표면에 확산억제층으로서 티타늄, 바나듐(V), 니오븀, 크롬, 몰리브덴 또는 규소로 이루어지는 층으로 코팅하고, 상기 코팅된 구리 합금과 베릴륨을 접합하는데 있어서 알루미늄(Al)-마그네슘(Mg) 합금으로 구성된 중간체를 구리와 베릴륨 사이에 위치시키고 상기 구리 및 베릴륨이 삽입체(insert body)를 통하여 확산접합되도록 고온등방가압 접합하는 방법을 개시하고 있다.
그러나 핵융합로 운전조건에서 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 제1차 방호벽의 제조를 위해서는 고온등방가압 접합의 접합강도를 향상시키는 접합방법을 개발하는 것이 끊임없이 요구되고 있다.
이에 본 발명자들은 베릴륨 및 구리 합금 사이의 고온등방가압 접합강도를 향상시키는 접합방법을 연구하던 중, 코팅된 중간층 사이에 확산층을 형성하여 중간층 사이의 접합강도를 향상시킴으로써 상기 베릴륨 및 구리 합금 사이의 고온등방가압 접합강도가 향상됨을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구 리 합금의 접합강도를 향상시키는 고온등방가압 접합방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
베릴륨 표면을 전처리하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 전처리된 베릴륨 표면에 확산억제층, 접합촉진층 및 확산층을 형성시키는 단계(단계 2);
구리 합금의 표면을 전처리하는 단계(단계 3); 및
상기 단계 2의 확산층이 형성된 베릴륨과 상기 단계 3에서 전처리된 구리 합금을 HIP 접합하는 단계(단계 4)를 포함하여 이루어지는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법을 제공한다.
본 명세서에서 "중간층"은 상기 베릴륨과 구리 합금 사이에 형성되는 확산억제층 또는 접합촉진층을 포함한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
먼저 단계 1은 베릴륨 표면을 전처리하는 단계이다.
본 발명에 따른 접합방법에 있어서, 상기 전처리는 상기 베릴륨의 접합부분을 거울면으로 연마한 후, 산세척 및 초음파 세척 후 건조한 다음 이온 스퍼터링을 수행하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 산세척시 사용되는 산(acid)으로는 묽은 질산 등을 사용할 수 있으며, 초음파 세척시 사용되는 용매는 에탄올과 아세톤의 혼합용매 등을 사용할 수 있다.
상기 이온 스퍼터링은 상기 베릴륨 표면에 공기 중에 형성된 산화베릴륨(BeO)의 산화막을 제거하여 추후 일련의 양호한 중간층 형성을 위한 것으로, PVD 방법을 이용하여 10-6 torr 이하의 진공에서 수행되는 것이 바람직하다. 이때 상기 이온 스퍼터링에 사용되는이온으로는 아르곤(Ar) 등을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 이온 스퍼터링은 필요에 따라 베릴륨 타일을 200 ~ 300 ℃로 온도를 증가시킨 후 수행될 수 있다. 이는 베릴륨 표면에 존재할 수 있는 유기물과 가스를 제거하여 추후 중간층의 밀착성을 높이기 위함이다.
다음으로, 단계 2는 상기 단계 1에서 전처리된 베릴륨 표면에 확산억제층, 접합촉진층 및 확산층을 형성시키는 단계이다.
상기 확산억제층을 형성시키는 목적은 베릴륨과 구리 합금이 직접 접합할 때, 베릴륨과 구리의 상호확산으로 인해 계면에 부서지기 쉬운 금속간 화합물이 생성되는 것을 억제하는 데 있다.
본 발명에 따른 접합방법에 있어서, 상기 확산억제층 형성은 10-6 torr 이하의 진공에서 PVD 방법 또는 용사법을 이용하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 확산억제층은 티타늄, 크롬 또는 지르코늄으로 이루어질 수 있으며, 이때 상기 확산억제층의 두께는 0.1 ~ 100 ㎛가 되도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 확산억제층의 두께가 0.1 ㎛ 미만이면 확산억제의 효과가 없으며, 100 ㎛를 초과하면 경제적으로 바람직하지 못하다.
상기 접합촉진층은 상기 확산억제층과 구리 합금 사이의 접합을 촉진하고 HIP 접합시 생성되는 열응력을 수용하여 이로 인해 파괴가 발생되는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 상기 접합촉진층으로는 순수한 구리층을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 접합촉진층의 두께는 0.1 ~ 100 ㎛인 것이 바람직하다. 상기 접합촉진층의 두께가 0.1 ㎛ 미만이면 접합촉진의 효과가 없으며, 100 ㎛를 초과하면 경제적으로 바람직하지 못하다.
상기 접합촉진층 또한 단계 2에서와 같이 10-6 torr 이하의 진공에서 PVD 방법 또는 용사법을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 확산층은 상기 베릴륨 모재 및 코팅에 의하여 형성된 각 층들 사이의 접합성을 향상시켜 이후 구리 합금과의 HIP 접합시 접합강도를 높이기 위하여 후속열처리를 수행함으로써 형성시킬 수 있다. 상기 후속열처리의 수행시기는 제한되지 않으며, 예를 들면 상기 확산억제층을 형성한 후 1회 수행하거나, 확산억제층 및 접합촉진층을 형성한 후 1회 수행하거나, 확산억제층을 형성한 후 1차 수행하고 접합촉진층을 형성한 후 2차 수행할 수 있다.
이때, 상기 후속열처리의 온도는 400 ~ 950 ℃인 것이 바람직하며, 상기 후속열처리를 통해 이루어지는 베릴륨 모재와 확산억제층 또는 확산억제층과 접합촉진층 사이의 확산층의 두께는 0.05 ~ 5 ㎛인 것이 바람직하다. 상기 후속열처리 온도가 400 ℃ 미만이면, 원하는 두께의 확산층을 얻을 수 없고, 950 ℃를 초과하면 확산층의 두께가 과도하게 성장하여 오히려 접합강도를 떨어뜨릴 수 있다.
다음으로, 단계 3은 구리 합금의 표면을 전처리하는 단계이다.
이때 사용되는 구리 합금은 CuCrZr 합금, DS-Cu(dispersion-strengthened Cu) 합금, 순수 구리 등을 들 수 있으며, 접합하기 전에 상기 구리 합금의 접합할 부분의 표면을 곱게 연삭하고, 초음파 세척 후 건조시킨다.
다음으로, 단계 4는 상기 단계 2의 확산층이 형성된 베릴륨과 상기 단계 3에서 전처리된 구리 합금을 HIP 접합하는 단계이다.
구체적으로, 우선 베릴륨과 전처리된 구리 합금을 접촉시키고 스테인레스강 판으로 둘러싸도록 용접하는 캐닝(canning)을 수행한 후 약 450 ℃로 가열하여 10-5 torr 이하의 진공까지 충분히 공기를 뽑아내고 헬륨누출시험 방법을 이용해서 용접부의 건전성을 검증한 후 핀칭(pinching) 방법으로 밀봉한다. 상기 밀봉된 시료는 HIP 접합장비로 이동하게 된다.
HIP 접합은 고순도의 Ar가스 분위기에서 실시되며, 상기 HIP 접합 온도는 400 ~ 650 ℃, HIP 접합 압력은 10 ~ 200 MPa인 것이 바람직하다. 상기 HIP 접합 온도가 400 ℃ 미만이면 접합강도가 저하되고, 650 ℃를 초과하는 경우에는 구리의 강도가 저하될 수 있다. 또한 상기 HIP 접합 압력이 10 MPa 미만이면 접합성능 저하와 같은 문제가 있으며, 200 MPa를 초과하는 경우에는 HIP 접합장비 구성에 안전성의 문제를 야기시킬 수 있다.
이와 같은 방법으로 접합된 접합체는 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같으며, 이들은 베릴륨 표면에 확산억제층과 접합촉진층을 코팅한 후 후속열처리를 수행하여 상기 코팅층들 사이에 확산층을 형성함으로써 상기 베릴륨과 구리 합금 사이의 접합강도를 향상시켜 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 핵융합로 제1차 방호벽의 제작시 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의하여 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예들은 본 발명을 예시하는 것으로, 본 발명의 내용이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1>
베릴륨 타일(S-65C) 표면에 기계적 연마 및 화학적 산세척을 수행한 후, PVD 장치에 장입하여 상기 표면을 고순도(99.999% 이상) 아르곤 이온 스퍼터링 처리함 으로써 표면에 형성된 산화막을 제거하였다. 이후, 상기 PVD 장치에 의하여 상기 베릴륨 표면에 확산억제층으로서 티타늄을 10 ㎛의 두께로 형성시킨 후, 상기 코팅층 사이의 접합성을 향상시키기 위해 후속 열처리를 800 ℃에서 수행하였다. 이후 코팅 및 후속 열처리된 베릴륨 타일 위에 PVD 방법에 의하여 접합촉진층으로서 구리를 10 ㎛의 두께로 형성시킨 뒤, 상기 베릴륨과 구리 합금을 580 ℃의 온도 및 150 MPa의 압력에서 2시간 동안 HIP 접합하였다.
< 실시예 2>
상기 베릴륨 표면에 확산억제층으로서 티타늄 대신 크롬을 1 ㎛의 두께로 형성시킨 것을 제외하고는 실시예 1의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 3>
상기 베릴륨 표면에 확산억제층으로서 티타늄 대신 지르코늄을 10 ㎛의 두께로 형성시킨 것을 제외하고는 실시예 1의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 4>
상기 베릴륨 표면에 접합촉진층 형성 후, 2차 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 5>
상기 베릴륨 표면에 접합촉진층 형성 후, 2차 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 2의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 6>
상기 베릴륨 표면에 접합촉진층 형성 후, 2차 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 3의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 7>
상기 베릴륨 표면에 확산억제층 형성후 후속열처리를 실시한 것 대신 접합촉진층 형성후 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 8>
상기 베릴륨 표면에 확산억제층 형성후 후속열처리를 실시한 것 대신 접합촉진층 형성후 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 2의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 9>
상기 베릴륨 표면에 확산억제층 형성후 후속열처리를 실시한 것 대신 접합촉진층 형성후 후속열처리를 800 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 3의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 비교예 1>
상기 베릴륨에 후속열처리를 수행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 비교예 2>
상기 베릴륨에 후속열처리를 수행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 2의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 비교예 3>
상기 베릴륨에 후속열처리를 수행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 3의 방법과 동일하게 수행하였다.
< 비교예 4>
상기 베릴륨에 확산억제층 형성, 접합촉진층 형성 및 후속열처리를 수행하지 않고 구리 합금과 HIP 접합하였다.
<실험예>
상기 실시예 또는 비교예에서 제작된 HIP 접합체의 접합강도를 평가하기 위 하여 상기 실시예 또는 비교예에서 제작된 HIP 접합체를 JIS R 1624(1995) 절차서에 따라 접합계면을 중심으로 4점의 굽힘시험편을 채취하여 굽힘강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
구분 확산억제층 (두께(㎛)) 1차 후속열처리 (℃) 접합촉진층 (두께(㎛)) 2차 후속열처리 (℃) 굽힘강도 (MPa)
실시예1 Ti(10) 800 Cu(10) - 220
실시예2 Cr(1) 800 Cu(10) - 195
실시예3 Zr(10) 800 Cu(10) - 180
실시예4 Ti(10) 800 Cu(10) 800 210
실시예5 Cr(1) 800 Cu(10) 800 180
실시예6 Zr(10) 800 Cu(10) 800 160
실시예7 Ti(10) - Cu(10) 800 225
실시예8 Cr(1) - Cu(10) 800 200
실시예9 Zr(10) - Cu(10) 800 195
비교예1 Ti(10) - Cu(10) - 120
비교예2 Cr(1) - Cu(10) - 100
비교예3 Zr(10) - Cu(10) - 90
비교예4 - - - - 10
표 1에 나타낸 바와 같이, 코팅 후 후속열처리를 하지 않을 때에는 굽힘강도가 90 ~ 120 MPa로 나타났으나(비교예 1 ~ 4), 후속열처리를 할 때에는 160 ~ 220 MPa로 약 1.8배 향상되는 것을 확인하였다. 또한, 상기 베릴륨 표면에 확산억제층 및 접합촉진층을 코팅하지 않고 구리 합금과 HIP 접합한 경우에는 굽힙강도가 10 MPa로 나타남으로써 접합 강도가 낮아 접합이 어려움을 알 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 접합방법은 베릴륨 표면에 확산억제층과 접합촉진층을 코팅한 후 후속열처리를 수행하여 상기 코팅층들 사이에 확산층을 형성함으로써 상기 베릴륨과 구리 합금 사이의 접합강도를 향상시켜 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 핵융합로 제1차 방호벽의 제작시 유용하게 사용될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 접합방법은 베릴륨 표면에 확산억제층과 접합촉진층을 코팅한 후 후속열처리를 수행하여 상기 코팅층들 사이에 확산층을 형성함으로써 상기 베릴륨과 구리 합금 사이의 접합강도를 향상시켜 신뢰할 수 있는 성능을 보유한 핵융합로 제1차 방호벽의 제작시 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (12)

  1. 베릴륨 표면을 전처리하는 단계(단계 1);
    상기 단계 1에서 전처리된 베릴륨 표면에 확산억제층, 접합촉진층 및 확산층을 형성시키는 단계(단계 2);
    구리 합금의 표면을 전처리하는 단계(단계 3); 및
    상기 단계 2의 확산층이 형성된 베릴륨과 상기 단계 3에서 전처리된 구리 합금을 HIP 접합하는 단계(단계 4)를 포함하여 이루어지는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계 1의 전처리는 상기 베릴륨의 접합부분을 거울면으로 연마한 후, 산세척 및 초음파 세척 후 건조한 다음 이온 스퍼터링을 수행하는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 확산억제층 또는 접합촉진층은 물리 진공 증착 방법 또는 용사법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이 의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 확산억제층은 티타늄, 크롬 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 접합촉진층은 순수한 구리층인 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 확산억제층 또는 접합촉진층의 두께는 0.1 ~ 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 확산층은 후속열처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 후속열처리는 확산억제층을 형성한 후 1회 수행하거나, 확산억제층 및 접합촉진층을 형성한 후 1회 수행하거나, 확산억제층을 형성한 후 1차 수행하고 접합촉진층을 형성한 후 2차 수행하는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 후속열처리의 온도는 400 ~ 950 ℃인 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 확산층의 두께는 0.05 ~ 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 단계 3의 구리 합금 표면의 전처리는 구리 합금의 접합부분의 표면을 연삭하고, 초음파 세척 후 건조하는 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 단계 4의 HIP 접합시 접합 온도는 400 ~ 650 ℃이고, 접합 압력은 10 ~ 200 MPa인 것을 특징으로 하는 코팅된 중간층 사이의 확산층 형성에 의하여 베릴륨과 구리 합금의 접합강도를 향상시키는 베릴륨과 구리 합금의 HIP 접합방법.
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