KR100817395B1

KR100817395B1 - 절첩 다이폴 안테나 및 이것을 사용한 태그

Info

Publication number: KR100817395B1
Application number: KR1020060038774A
Authority: KR
Inventors: 마나부 가이; 도루 마니와; 다까시 야마가조
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-01-31
Filing date: 2006-04-28
Publication date: 2008-03-31
Anticipated expiration: 2026-04-28
Also published as: TWI314797B; CN101013771A; EP1814190B1; JP4437475B2; CN101013771B; DE602006014791D1; TW200729619A; US7580000B2; KR20070078961A; JP2007208536A; EP1814190A1; US20070176839A1

Abstract

리더 라이터측이 원 편파 특성을 갖고 있어도, 보다 통신 거리를 늘릴 수 있는 절첩 다이폴 안테나와 이것을 사용한 태그를 제공한다. 절첩 다이폴 안테나에서, 슬롯부가 형성되도록, 급전부를 갖는 제1 다이폴부의 양단과 제2 다이폴부의 양단을 접속하고, 그 제1 및 제2 다이폴부가, 그 급전부에 RFID용 칩을 탑재한 것으로 하면, 슬롯 모드(세로 방향)의 직선 편파를 발생시키는 폭을 갖고 있고, 이 절첩 다이폴 안테나의 급전부의 안테나 단자에 칩의 단자를 실제로 접속하여 태그를 실현한다.

다이폴부, 급전부, 인덕턴스부, 임피던스 정합, 랜드 패턴

Description

절첩 다이폴 안테나 및 이것을 사용한 태그{FOLDED DIPOLE ANTENNA AND TAG USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 절첩 다이폴 안테나의 실시예를 도시한 평면도.

도 2는 본 발명에 따른 태그의 실시예[1]을 칩 탑재 부분 부근을 확대하여 도시한 평면도.

도 3은 본 발명에 따른 태그의 동작 설명도.

도 4는 본 발명에서 이용하는 다이폴부의 폭과 통신 거리비와의 관계를 도시한 그래프.

도 5는 본 발명에서 이용하는 인덕턴스부의 길이와 인덕턴스와의 관계를 도시한 그래프.

도 6은 본 발명에 따른 태그의 실시예[2]를 칩 탑재 부분 부근을 확대하여 도시한 평면도.

도 7은 본 발명에 따른 태그의 실시예[3]을 칩 탑재 부분 부근을 확대하여 도시한 평면도.

도 8은 RFID 태그의 일반적인 등가 회로도.

도 9는 RFID에 따른 다양한 안테나를 이용한 어드미턴스 차트(700㎒∼1200㎒ : fo=953㎒)도.

도 10은 RFID 태그용의 안테나예를 도시한 도면.

도 11은 종래부터 알려져 있는 일반적인 RFID 시스템을 도시한 도면.

도 12는 종래부터 알려져 있는 크로스 다이폴을 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 절첩 다이폴 안테나

2_1, 2_2 : 다이폴부

3 : 슬롯부

4 : 접속부

5 : 다이폴 직접 급전부(칩 탑재부)

6 : 인덕턴스부

7 : 슬롯 전자적 결합 급전부

8 : 랜드 패턴

T1, T2 : 안테나 단자

T3 : 모니터 단자

C1 : 내부 용량

[비특허 문헌] 안테나 공학 핸드북 제112페이지(옴사 평성 11년 3월 5일 발행)

[특허 문헌1] 일본 특개2005-236468호 공보

본 발명은, 절첩 다이폴 안테나 및 이것을 사용한 태그에 관한 것으로, 특히 RFID 리더 라이터와 신호 송수신하기 위한 비접촉형의 절첩 다이폴 안테나 및 이것을 사용한 RFID 태그에 관한 것이다.

UHF대(860∼960㎒)의 무선 회선을 이용하여, 리더 라이터로부터 약 1W의 신호를 송신하고, 태그측에서 그 신호를 수신하며, 다시 리더 라이터측에 응답 신호를 돌려보냄으로써, 태그 내의 정보를 리더 라이터로 판독할 수 있는 RFID 시스템이 이미 알려져 있다. 그 통신 주파수는 953㎒로 규정되어 있고, 통신 거리는, 태그측에 설치된 안테나의 게인이나 칩의 동작 전압이나 주위 환경에도 의하지만, 대략 3m 전후이다. 이 태그는, 두께 0.1㎜ 정도의 안테나와, 안테나 급전부에 접속되는 LSI 칩(약 1㎜각이며, 두께 0.2㎜ 정도의 크기)으로 구성된다.

이 LSI 칩(21)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 내부 저항 Rc(예를 들면 1200Ω)와 캐패시턴스 Cc(예를 들면 0.7pF)와의 병렬 회선으로 등가적으로 나타낼 수 있다. 이 칩(21)의 어드미턴스 Yc(=1/Rc+jwCc)는, 도 9의 어드미턴스 차트 상에서는, 위치 A21로 표시된다. 한편, 안테나(22)는, 방사 저항 Ra(예를 들면 500Ω)와, 인덕턴스 La(예를 들면 40nH)의 병렬 회로로 등가적으로 나타낼 수 있다.

이들 칩(21)과 안테나(22)를 병렬 접속함으로써, 캐패시턴스 Cc와 인덕턴스 La가 공진하고, 하기의 수학식 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 원하는 공진 주파수 fo(상기의 953㎒)에서 임피던스 정합하여, 안테나(22)에서의 수신 파워가 칩(21)에 최대로 공급되게 된다.

RFID 태그에 이용하는 기본적인 안테나로서는, 도 10의 (1)에 나타내는 전체 길이 약 145㎜(λ/2)의 다이폴 안테나(31)가 생각되지만, 이 경우의 임피던스는, 도 9에서 궤적 (1)을 그리고, fo=953㎒에서는, Ra=72Ω 및 허수부=0으로 되어, 궤적 (1) 상의 위치 A31로 된다.

그러나, RFID 태그의 안테나에 필요한 방사 저항 Ra는 500∼2000Ω 정도로 매우 높기 때문에, Ra를 72Ω으로부터 올릴 필요가 있다.

따라서, 도 10의 (2)에 나타내는 바와 같은, 전체 길이 145㎜ 정도의 절첩 다이폴 안테나(folded dipole antenna)(32)를 이용함으로써, 선 폭에 따라서도 다르지만, 방사 저항 Ra를, 다이폴 안테나의 경우의 72Ω으로부터, 대략 300Ω∼500Ω 정도까지 끌어올릴 수 있는 것이 잘 알려져 있다(예를 들면, 비특허 문헌1 참조).

도 9에서는, 절첩 다이폴 안테나(32)의 임피던스는, 궤적 (2)를 그리고, fo=953㎒에서는, Ra=500Ω 및 허수부=0으로 되어, 궤적 (2) 상의 위치 A32로 되는 것이 도시되어 있다.

또한, 도 10의 (3)에 나타낸 바와 같이, 도 10의 (2)에 나타낸 절첩 다이폴 안테나(32)에 병렬로 인덕턴스부(33)를 접속함으로써, 도 11의 어드미턴스 차트 상 에서 궤적 (2)를 좌회전시켜, 칩(21)의 어드미턴스의 허수 성분(Bc=ωCc)과 동일한 절대값의 허수 성분(Ba=-1/ωLa)을 갖게 한 궤적 (3) 상의 위치 A33으로 할 수 있다. 이 경우, 인덕턴스부(33)의 길이가 짧을 수록, 인덕턴스 La의 값이 작아지고, 허수 성분이 커지게 되어 회전량이 커진다.

이에 의해, 칩(21)의 허수 성분 Bc와 안테나(22)의 허수 성분 Ba가 동일한 크기를 갖기 때문에, 상호 캔슬되어, 주파수 fo에서 공진하게 된다. 이 허수 성분의 캔슬이 RFID 태그 설계에서 가장 중요한 요소이다. 단, 칩(21)의 내부 저항 Rc와 안테나(22) 방사 저항 Ra는 일치하는 것이 가장 바람직하지만, 엄밀하게 일치시키는 것은 필요하지 않다.

한편, 유전체 시트 상에 도전성 패턴에 의해 형성된 900㎒대에 공진하는 절첩 다이폴 안테나에, 유전체 시트를 사이에 둔 절첩 다이폴 안테나의 반대측에 도전성 패턴에 의해 형성된 2.4㎓대에 공진하는 반파장의 무급전 소자를 배치하고, 2개의 주파수대에 대하여 임피던스 정합을 행함으로써, 2개의 주파수대에서 동작하는 무선 태그가 있다(예를 들면, 특허 문헌1 참조).

상술한 RFID 시스템의 구성예가 도 11에 도시되어 있지만, 리더 라이터(R/W)(11)로부터 케이블(12)을 경유하여 접속된 R/W측 안테나(13)는 원 편파 특성을 갖는 패치 안테나 등이며, 도시한 바와 같이, 리더 라이터(11)로부터의 전계 방향 A가 항상 회전하고 있기 때문에, 통상 직선 편파인 안테나를 구비한 태그(15)는 어떤 방향을 향하고 있어도, 리더 라이터(11)와의 사이에서 전파 전파 경로(14)를 통해 신호를 송수신할 수 있다.

이러한 태그(15)에, 도 10의 (2)에 나타낸 바와 같은 절첩 다이폴 안테나를 이용한 경우, 이 절첩 다이폴 안테나도 역시 직선 편파 특성을 갖고 있기 때문에, 이 절첩 다이폴 안테나에 고유의 직선 편파면과 직교하는 면에 적절한 전계를 발생시킬 수 있으면, 임의의 시점에서 리더 라이터(11)로부터의 전계 방향과 직교하는 편파를 수취할 수 있어, 태그(15)의 통신 거리를 늘릴 수 있다.

한편, 종래부터, 도 12에 도시한 바와 같은 크로스 다이폴이 존재하지만, 이것으로는 태그가 거대화되기 때문에 실용적이지 않다.

따라서 본 발명은, 리더 라이터측이 원 편파 특성을 갖고 있어도, 보다 통신 거리를 늘릴 수 있는 절첩 다이폴 안테나와 이것을 사용한 태그를 제공하는 것을 과제로 한다.

상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 절첩 다이폴 안테나는, 급전부를 갖는 제1 다이폴부와, 슬롯부가 형성되며, 그 제1 다이폴부와 양단이 접속하는 제2 다이폴부를 구비하고, 그 제1 및 제2 다이폴부가, 그 급전부에 칩을 탑재한 것으로 하면, 세로 방향의 직선 편파를 발생시키는 폭을 갖고 있는 것을 특징으로 한다.

즉, 본 발명에서는, 제1 다이폴부와 제2 다이폴부가 슬롯부를 형성하도록 접속되어 있고, 이 상태에서 제1 다이폴부의 급전부에 칩을 탑재한 것으로 하면, 제1 다이폴부와 제2 다이폴부가 슬롯부를 통해 고주파 회로(안테나 단자의 한쪽-제2 다 이폴부-안테나 단자의 다른쪽)를 형성하기 때문에, 제1 다이폴부와 제2 다이폴부 사이에는 슬롯부를 개재하여 급전부가 생기고, 따라서 이들 다이폴부와 슬롯부가 슬롯 안테나로서 기능하며, 제1 다이폴부에 의한 직선 편파면의 방향과 직교한 세로 방향의 직선 편파가 발생하게 된다.

이와 같이, 제1 다이폴부에 의한 가로 방향의 직선 편파(다이폴 모드)와, 이것에 직교하는 세로 방향의 직선 편파(슬롯 모드)가 동시에 기능하여, 적절한 듀얼 모드 편파 특성(실질적인 원 편파 특성 또는 타원 편파 특성)을 부여하는 것이 가능해져, 리더 라이터의 원 편파와 정합하는 정도가 커지게 된다.

또한, 상기의 급전부와 병렬로, 칩과 임피던스 정합을 취하기 위한 인덕턴스부를 제1 다이폴부에 접속해도 된다.

이와 같이 인덕턴스부를 설치함으로써, 시판되는 칩 인덕턴스를 이용하는 경우 에 비해 코스트나 수고를 경감할 수 있게 된다.

또한, 상기의 급전부의 안테나 단자에 칩의 입출력 단자를 접속함으로써 태그가 실현된다.

즉, 상기의 경우에는, 급전부에 칩을 탑재하는 것을 전제로 한 절첩 다이폴 안테나로서, 급전부에 칩은 미탑재 상태이지만, 급전부의 안테나 단자에 칩의 입출력 단자를 실제로 접속함으로써, 칩이 실제로 탑재된 태그가 실현된다.

따라서, 제1 다이폴부에서는 다이폴 모드의 직선 편파가 발생하여, 고주파 회로 형성에 의해 슬롯부에서도 실질적으로 급전부를 탑재한 것과 동등하게 되기 때문에, 제1 다이폴부-제2 다이폴부 사이에는 슬롯 모드의 세로 방향의 직선 편파 가 발생하여, 리더 라이터의 원 편파와 정합하는 정도가 커지게 된다.

상기의 경우에는, 칩의 입출력 단자는 제1 다이폴부의 안테나 단자에만 접속되고, 제2 다이폴부에는 접속되어 있지 않지만, 이러한 칩에는, 예를 들면 모니터 단자 등의 다른 단자가 설치되어 있는 경우가 있으며, 이러한 다른 단자를 제2 다이폴부에 직접 접속함으로써도, 그 다른 단자와 안테나 단자의 한쪽 사이에는 칩 자체의 내부 용량이 개재되기 때문에 고주파적으로 동일 전위로 되며, 따라서 제1 다이폴부-제2 다이폴부 사이에는 상기한 바와 마찬가지로 고주파 회로(안테나 단자의 한쪽-다른 단자-제2 다이폴부-안테나 단자의 다른쪽)가 형성되어, 슬롯부를 통해 슬롯 모드의 직선 편파가 발생하게 된다.

또한, 상기 슬롯부에 랜드 패턴을 형성하고, 이 랜드 패턴에 상기 칩의 다른 단자를 접속하도록 해도 된다.

즉, 상기 칩의 다른 단자를 제2 다이폴부에 접속하는 것이 아니라, 슬롯부에 형성되어 있는 랜드 패턴에 접속함으로써도, 랜드 패턴과 제1 다이폴부의 안테나 단자의 한쪽과의 사이에는 내부 용량에 의해 고주파 결합되어 동일 전위로 되며, 또한 랜드 패턴과 제2 다이폴부 사이도 정전 용량에 의해 고주파 결합이 생기기 때문에, 안테나 단자의 한쪽-랜드 패턴-제2 다이폴부-안테나 단자의 다른쪽의 고주파 회로가 형성되어, 제1 다이폴부-제2 다이폴부 사이에는 실질적인 급전부가 발생하게 되며, 상기한 바와 마찬가지로, 다이폴 모드의 직선 편파 외에, 슬롯 모드의 직선 편파를 발생시키는 것이 가능하게 된다.

상기의 제1 및 제2 다이폴부는, Cu, Ag, 또는 Al을 재료로 하는 도체이며, PET, 필름, 또는 종이를 재료로 하는 시트 상에 고착되어 있는 것으로 할 수 있다.

절첩 다이폴 안테나의 실시예 : 도 1

도 1은 본 발명에 따른 절첩 다이폴 안테나(1)를 도시하고 있고, 이 실시예에서는, 제1 다이폴부(2_1)와 제2 다이폴부(2_2)를, 슬롯부(3)가 형성되도록 접속부(4)에 의해 양단끼리를 접속하고 있다. 그리고, 제1 다이폴부(2_1)의 중간점에서는, RFID용의 칩을 탑재할 수 있는 급전부(5)를 설치함과 함께, 이 급전부(5)와 병렬로, 인덕턴스부(6)를 제1 다이폴부(2_1)에 접속시키고 있다.

이러한 절첩 다이폴 안테나(1)에서, 제1 다이폴부(2_1)의 폭 W1은 약 λ/75= 4㎜, 제2 다이폴부(절첩부)(2_2)의 폭 W2는 약 λ/30=10㎜로 하고, 또한, 슬롯부(3)의 폭 W3은 약 2㎜로 하고 있다. 또한, 그 전체 길이 L1은 λ/2=144㎜로 하고, 인덕턴스부(6)의 길이 L2는, 급전부(5)에 탑재하는 칩의 용량 Cc=0.7pF로 하였을 때에, 이것과 공진하도록, La=40nH로 되는 길이(가로 L2=약 30㎜, 세로 W3=약 4㎜)로 설정하고 있다.

또한, 이러한 절첩 다이폴 안테나(1)의 상기의 치수예에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.

태그의 실시예[1]

도 2는 도 1에 도시한 절첩 다이폴 안테나(1)에서, 실제로 칩을 탑재함으로써, 실현되는 태그(10)의 실시예를 도시한 것이다. 이 실시예 도면은, 도 1에서의 급전부(5)의 부근을 확대하여 도시한 것으로, 급전부(5)의 위치에, 칩을 탑재하고(따라서, 급전부(5)는 칩(5)으로서도 나타냄), 또한 제1 다이폴부(2_1)의 안테나 단 자 T1 및 T2에 칩의 입출력 단자(도시 생략)를 접속하고 있다.

이와 같이, 칩 탑재부인 급전부(5)에 실제로 칩(5)을 탑재하면, 직접 급전되는 제1 다이폴부(2_1)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 직접 급전에 의한 다이폴 모드 DM의 직선 편파, 즉, 지면 가로 방향의 직선 편파가 생기게 된다.

그리고, 제1 다이폴부(2_1) 및 제2 다이폴부(2_2)는, 모두 통상의 절첩 다이폴 안테나보다 폭이 넓게 설정되어 있기 때문에, 슬롯부(3)를 통해, 도 2에 점선으로 나타낸 바와 같이 고주파(예를 들면 953㎒)에서, 제1 다이폴부(2_1)와 제2 다이폴부(2_2)가, 안테나 단자 T2-제2 다이폴부(2_2)-양 다이폴부 사이의 정전 용량-안테나 단자 T1로 이루어지는 회로를 형성하여, 안테나 단자 T2-제2 다이폴부(2_2) 사이에 급전부(7)를 발생시키게 된다. 이와 같이, 급전부(7)가 슬롯부(3)를 걸쳐 형성됨으로써, 도 3에 도시한 바와 같이, 슬롯 모드 SM(지면 세로 방향)의 직선 편파가 발생하게 된다.

이 때의, 슬롯부(3)의 방사 저항은, 시뮬레이션에 의해, 약 1000∼3000Ω으로, 탑재하는 칩(5)의 통상의 임피던스(예를 들면 1200Ω)와 정합하게 된다.

이와 같이 하여, 가로 방향의 다이폴 모드 DM의 직선 편파가 메인으로서 기능하고, 세로 방향의 슬롯 모드 SM의 직선 편파가 보조적으로 기능하여, 태그(10) 전체로서, 적절한 듀얼 모드 편파 특성을 부여하게 되어, 임의의 시점에서의 리더 라이터로부터의 다이폴 직선 편파 외에, 이것과 직교하는 슬롯 모드의 직선 편파도 신호 송수신하는 것이 가능해져, 통신 거리를 증가시킬 수 있다.

여기서, 도 1과 같이 절첩 다이폴 안테나(1)의 각 치수를 채용한 이유에 대 하여 이하에 설명한다.

도 4는 제2 다이폴부(2_2)의 폭 W2와 통신 거리비와의 관계를 제1 다이폴부(2_1)의 폭 W1을 파라미터로 하여 시판되는 전자계 시뮬레이터에 의해 얻어진 그래프를 나타내고 있다. 이 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 통신 거리비는, 제2 다이폴부(2_2)의 폭 W2에 거의 비례하여 커지지만, 제1 다이폴부(2_1)의 폭 W1이 2㎜인 경우보다도 4㎜인 경우쪽이, 보다 통신 거리비를 증대시키는 것을 알 수 있다. 이 그래프에서는, 제1 다이폴부의 폭 W1=4㎜이고 제2 다이폴부의 폭 W2=10㎜일 때에는, 통상의 직선 편파만 발생하는 절첩 다이폴 안테나의 경우의 약 1.4배의 통신 거리가 얻어지는 것을 나타내고 있다.

또한, 도 5에는, 상기한 바와 같이 칩의 용량 Cc=0.7pF로 하여, 역시 시판되는 전자계 시뮬레이터에 의해 얻어진 인덕턴스부(6)의 가로 방향의 길이 L2와, 발생하는 인덕턴스 La[nH]와의 관계가 그래프로 나타내어져 있고, 이것과 공진하도록 인덕턴스 La=40nH로 되기 위해서는, 상술한 바와 같이, 인덕턴스부(6)의 가로의 길이 L2=약 30㎜인 것을 알 수 있다. 이 때의 방사 저항 Ra는 1200Ω이었다.

이러한 루프 형상의 인덕턴스를 형성하지 않아도 시판되는 칩 인덕턴스를 이용해도 되지만 코스트나 수고가 들기 때문에, 통상은 이러한 루프 형상의 패턴으로 인덕턴스부를 형성한다. 또한, 제1 다이폴부의 일부를 인덕턴스로서 이용함으로써, 안테나 전체의 소형화가 도모된다.

이와 같이 하여, 도 1에 도시한 절첩 다이폴 안테나(1)의 치수가 결정되어 있다.

태그의 실시예[2] : 도 6

상기의 실시예[1]의 경우에는, 칩(5)을, 제1 다이폴부(2_1)의 안테나 단자 T1 및 T2에만 직접 접속하고 있지만, 본 실시예[2]의 경우에는, 도시한 바와 같이 칩(5)을 제2 다이폴부(2_2)에도 직접 접속하고 있는 점이 다르다.

즉, 칩(5)에는, 안테나 단자 T1 및 T2에 접속하기 위한 입출력 단자가 설치되어 있음과 함께, 제3 단자로서 모니터 단자 T3과 같은 별도의 단자가 설치되어 있는 경우가 있고, 이러한 경우에는, 이 모니터 단자 T3을 직접 제2 다이폴부(2_2)에 접속한다.

이에 의해, 원래 칩(5)의 내부에 존재하는 용량 C1을 통해 안테나 단자 T1과 모니터 단자 T3이 고주파적으로 동일 전위로 되기 때문에, 안테나 단자 T1-용량 C1-제2 다이폴부(2_2)-안테나 단자 T2의 고주파 회로가 형성되어, 상기의 실시예[1]과 마찬가지로 제1 다이폴부(2_1)의 단자 T2와 제2 다이폴부(2_2) 사이에 슬롯부(3)를 개재하여 급전부(7)가 형성되게 된다. 즉, 이 실시예[2]의 경우에는, 내부 용량 C1을 이용하여 실시예[1]보다, 고주파 회로를 형성하기 쉽게(급전부를 형성하기 쉽게) 하고 있다.

이에 의해, 본 실시예[2]에서도, 도 3에 도시한 바와 같은 다이폴 모드 DM의 직선 편파와 슬롯 모드 SM의 직선 편파가 발생하고, 따라서 리더 라이터와의 신호 송수신을 보다 유효하게 행하여 통신 거리를 증가시키는 것이 가능하게 된다.

태그의 실시예[3] : 도 7

본 실시예[3]은, 상기의 실시예[1]과 [2]의 중간을 채용한 구성을 구비하고 있다.

즉, 도 7에 도시한 바와 같이 슬롯부(3)에는 랜드 패턴(8)이 형성되어 있고, 이 랜드 패턴(8)과 칩(5)의 모니터 단자 T3을 접속한다. 이에 의해, 랜드 패턴(8)의 모니터 단자 T3과 안테나 단자 T1 사이에는 내부 용량 C1로 고주파적으로 동일 전위로 됨과 함께, 랜드 패턴(8)과 제2 다이폴부(2_2) 사이에도, 고주파적으로 정전 용량이 존재하기 때문에, 안테나 단자 T1-내부 용량 C1-모니터 단자 T3-제2 다이폴부(2_2)-안테나 단자 T2로 이루어지는 고주파 회로가 형성되고, 따라서 점선으로 나타낸 바와 같은 급전부(7)가 안테나 단자 T2-제2 다이폴부(2_2) 사이에 형성되게 된다.

따라서, 이 실시예의 경우에도, 상기의 실시예[1] 및 [2]와 마찬가지로, 도 3에 도시한 바와 같은 다이폴 모드 DM의 직선 편파와 슬롯 모드 SM의 직접 편파가 발생하고, 따라서 리더 라이터와의 신호 송수신을 보다 유효하게 실현하는 것이 가능하게 된다.

또한, 상기 실시예에 의해 본 발명은 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위의 기재에 기초하여, 당업자에 의해 다양한 변경이 가능한 것은 자명하다.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 리더 라이터로부터의 임의의 시점에서의 다이폴 모드의 직선 편파 외에, 이것과 직교하는 슬롯 모드의 직선 편파도 송수신할 수 있기 때문에, 리더 라이터로부터의 원 편파와의 정합도를 향상시킬 수 있으며, 따라서 통신 거리가 증가되게 된다.

Claims

급전부를 갖는 제1 다이폴부와,

상기 제1 다이폴부의 양단에 접속되어 슬롯부를 형성하는 양단을 갖는 제2 다이폴부

를 구비하며,

상기 제1 및 제2 다이폴부의 각각에서의, 상기 슬롯부에 대하여 세로 방향의 폭의 합계가, 상기 급전부에 칩을 탑재하였을 때, 상기 세로 방향의 직선 편파가 발생하는 값을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 절첩 다이폴 안테나.
제1항에 있어서,

상기 급전부와 병렬로, 칩과 임피던스 정합을 취하기 위한 인덕턴스부를 상기 제1 다이폴부에 접속한 것을 특징으로 하는 절첩 다이폴 안테나.
제1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 다이폴부가, Cu, Ag, 또는 Al을 재료로 하는 도체이며, PET, 필름, 또는 종이를 재료로 하는 시트 상에 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 절첩 다이폴 안테나.
제1항의 절첩 다이폴 안테나에서,

상기 급전부의 안테나 단자에 칩의 입출력 단자를 접속한 것을 특징으로 하는 태그.
제4항에 있어서,

상기 칩의 다른 단자를 상기 제2 다이폴부에 접속한 것을 특징으로 하는 태그.
제4항에 있어서,

상기 슬롯부에 랜드 패턴을 형성하고, 상기 랜드 패턴에 상기 칩의 다른 단자를 접속한 것을 특징으로 하는 태그.
제4항에 있어서,

상기 제1 및 제2 다이폴부가, Cu, Ag, 또는 Al을 재료로 하는 도체이며, PET, 필름, 또는 종이를 재료로 하는 시트 상에 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 태그.