KR100794774B1 - 온도 보상 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 증폭기를 위한 온도 보상 회로로서,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 온도 보상 회로의 상기 출력 전압은 상기 제1 단자 쌍과 상기 제2 단자 쌍으로부터의 전압의 결합인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 컴포넌트 배열은 각각이 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에서 순방향으로 바이어스된, 공지된 온도 의존성을 갖는 컴포넌트인 적어도 하나의 다이오드를 포함하고,상기 컴포넌트 배열은 직렬의 저항기 유닛과 직렬로 결합되고,상기 컴포넌트 배열과 상기 직렬의 저항기 유닛의 직렬 결합부는 병렬 저항기 유닛과 병렬로 결합되고, 상기 병렬 저항기 유닛과 상기 직렬 저항기 유닛은 상기 저항기 결합부의 저항기 유닛인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 컴포넌트 배열은 공지된 온도 의존성을 가진 컴포넌트로서 바이폴러 접합 트랜지스터를 포함하고,제1 저항기 유닛은 상기 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 결합되고,제2 저항기 유닛은 상기 트랜지스터의 베이스와 콜렉터 사이에 결합되고, 상기 제1 및 제2 저항기 유닛은 상기 저항기 결합부의 저항기 유닛인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,조절 가능한 저항기 유닛이 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 의존성에 무관하게 조절 가능한 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하며, 상기 조절 가능한 저항기 유닛은 적어도 하나의 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 5항에 있어서,제한 저항기 유닛이 상기 제1 단자 쌍 사이에서 상기 조절 가능한 저항기 유닛과 직렬로 결합되어, 조절 범위를 제한하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 5항에 있어서,상기 조절 가능한 저항기 유닛은 전자적으로 조절 가능한 저항기 유닛인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 제1 단자 쌍 사이에는 트랜지스터가 결합되고, 상기 트랜지스터의 베이스에는 전자적으로 조절 가능한 저항기 유닛이 결합되고, 상기 전자적으로 조절 가능한 저항기 유닛에는 일정한 전압이 결합되고, 상기 전자적으로 조절 가능한 저항기 유닛은 상기 온도 의존성과는 무관하게 조절 가능한 출력 전압을 제공하기 위해서 상기 트랜지스터의 베이스로 공급되는 전압을 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 8항에 있어서,상기 전자적으로 조절 가능한 저항기 유닛은 상기 증폭기로 공급되는 입력 신호가 없을 때 상기 증폭기를 끄기 위해서 상기 증폭기의 임계 전압 이하로 상기 조절 가능한 출력 전압을 조절하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 온도 보상 회로는 바이폴라 접합 트랜지스터를 더 포함하고, 여기서 상기 바이폴라 접합 트랜지스터의 콜렉터는 전원의 양극 단자에 결합되고 상기 바이폴라 접합 트랜지스터의 베이스는 상기 온도 보상 회로의 출력에 결합되고, 상기 바이폴라 접합 트랜지스터의 에미터는 출력 단자인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,전압의 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 반도체 컴포넌트인 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 제 1항에 있어서,상기 저항기 결합부는 상기 슬로프 계수를 조절하기 위한 조절 가능한 전위 차계를 포함하고, 여기서 상기 조절 가능한 전위차계는 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 조절 가능한 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 상기 온도 보상 회로에 제공하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 증폭기를 위한 온도 보상 회로로서,전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며,상기 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 증폭기를 위한 온도 보상 회로로서,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터의 전압이며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 다이오드를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에서 순방향으로 바이어스되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드는 직렬 저항기와 직렬로 결합되고, 상기 컴포넌트 배열 및 상기 직렬 저항기의 상기 직렬 결합부는 병렬 저항기와 병렬로 결합되고, 상기 병렬 저항기와 상기 직렬 저항기는 상기 저항기 결합부의 상기 저항기이며,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 다이오드의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 온도 보상 회로.
- 온도 보상 회로를 포함하는 증폭기로서, 상기 온도 보상 회로는,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포 넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 전송기로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 전송기.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 기지국으로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포 넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 기지국.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 사용자 단말기로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는,세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고,상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 사용자 단말기.
- 온도 보상 회로를 포함하는 증폭기로서, 상기 온도 보상 회로는,세 개 이상의 단자를 구비하는 전압을 조절하는 수단과, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며,상기 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 증폭기.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 전송기로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는,전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며,상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 전송기.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 기지국으로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는:전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며,상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기지국.
- 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 사용자 단말기로서, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는,전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며;공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며,상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 사용자 단말기.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3430076A (en) | 1966-05-27 | 1969-02-25 | Northern Electric Co | Temperature compensated bias circuit |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3430076A (en) | 1966-05-27 | 1969-02-25 | Northern Electric Co | Temperature compensated bias circuit |
| US6091279A (en) | 1998-04-13 | 2000-07-18 | Lucent Technologies, Inc. | Temperature compensation of LDMOS devices |
| EP1081573A1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-07 | STMicroelectronics S.r.l. | High-precision biasing circuit for a cascoded CMOS stage, particularly for low noise amplifiers |
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