[go: up one dir, main page]

KR100721565B1 - 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100721565B1
KR100721565B1 KR1020040094365A KR20040094365A KR100721565B1 KR 100721565 B1 KR100721565 B1 KR 100721565B1 KR 1020040094365 A KR1020040094365 A KR 1020040094365A KR 20040094365 A KR20040094365 A KR 20040094365A KR 100721565 B1 KR100721565 B1 KR 100721565B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
host material
light emitting
organic
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1020040094365A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060055061A (ko
Inventor
이준엽
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040094365A priority Critical patent/KR100721565B1/ko
Priority to JP2005151497A priority patent/JP4744931B2/ja
Priority to US11/272,680 priority patent/US7579772B2/en
Priority to CNB2005101233122A priority patent/CN100565962C/zh
Publication of KR20060055061A publication Critical patent/KR20060055061A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100721565B1 publication Critical patent/KR100721565B1/ko
Priority to US12/385,309 priority patent/US7959993B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판, 애노드 전극, 적어도 하나의 발광층을 포함하는 유기막층 및 캐소드 전극을 포함하며, 상기 발광층은 인광 도판트, 제 1호스트 물질 및 결정화 발생을 억제하며, 전자 수송 특성을 갖는 제 2호스트 물질의 혼합물로 형성되는 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다.
유기 전계 발광 소자, 결정화, 레이저 열전사법, 호스트, 인광 도판트

Description

저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법{low molecular organic electro-luminescence device and method for fabricating the same}
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 실시예 1 및 비교예 4에 따른 유기전계발광소자의 제작 공정에 있어서, 레이저 열전사법에 의해 발광층 패턴의 마이크로소프트 사진이다.
- 도면부호에 대한 간단한 설명 -
100 : 기판 101: 절연기판
102 : 제 1전극 104 : 제 2전극
200 : 도너기판 201 : 기재층
202 : 광-열 변환층 203 : 전사층
203': 유기막층
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인광 도판트와 적어도 2이상의 호스트의 혼합 물질을 사용하여 제조되는 저분자 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
오늘날 고도의 정보화 시대가 도래함에 따라 신속, 정확한 정보를 손안에서 얻고자 하는 소비자의 요구가 많아지면서, 가볍고 얇아서 휴대하기가 편하고 정보 처리 속도가 빠른 디스플레이 장치에 대한 개발이 급속하게 이루어지고 있다. 그 중에 유기 전계 발광 소자는 유기 발광층을 포함한 유기막에 전압를 인가하여 줌으로써 전자와 정공이 유기 발광층내에서 재결합하여 빛을 발생하는 자체발광형으로서 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화 시킬수 있으며, 응답속도 또한 CRT와 같은 수준이며, 저전압 구동, 높은 발광 효율, 넓은 시야각으로 인하여 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.
여기서, 상기 유기막, 특히 유기 발광층의 재료에 따라 저분자형 유기전계발광소자와 고분자형 유기전계발광소자로 분류되어진다.
상기 고분자형 유기전계발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극사이에 유기발광층으로 이루어진 단층 구조이거나 정공수송층을 포함하는 이중구조로 이루어질 수 있어 두께가 얇은 유기전계발광소자를 제조할 수 있으나, 상기 저분자형 유기전계발광소자에 비해 완성된 디바이스 소자의 안정성이 떨어져 수명이 짧다는 단점이 있다. 상기 저분자형 유기전계발광소자는 발광재료를 한 물질로 적용하는 경우 색순도와 발광효율이 떨어지는 단점이 있어 색순도 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위해 호스트/도판트계를 적용할 수 있다. 이때, 호스트 재료로 저분자 재료는 이를테면, 일반적으로 사용되는 카바졸 단위를 포함하는 호스트는 열에 의하여 쉽게 결정화되는 문제점을 가지고 있다. 이로 인하여 소자의 작동시 발생할 수 있는 열로 인해 쉽게 결정화를 일으켜 소자의 파괴를 일으킬 수 있다.
또한 유기전계발광소자의 제작공정에 있어서, 이를테면 단색 소자를 제작하는 경우에 있어서, 고분자를 이용한 유기전계발광소자는 스핀코팅공정을 이용하여 간단하게 소자를 제작할 수 있으나 저분자 유기전계발광소자보다 수명 및 효율이 떨어지며, 반면에 저분자 유기전계발광소자는 고분자 유기전계발광소자보다 소자 특성은 우수하나, 증착 공정에 의해 복잡한 공정을 거쳐 소자를 제작해야 한다는 어려움이 있다. 또한 풀칼라 소자인 경우도 마찬가지로, 상기의 유기 전계 발광 소자에 R, G 및 B의 삼원색을 나타내는 발광층을 패터닝함으로서 풀칼라를 구현할 수 있는데, 고분자형 유기전계발광소자의 발광층의 패터닝은 잉크젯 프린팅 또는 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)에 의해 이루어질 수 있다. 이 중에서 레이저 열전사법은 스핀 코팅특성을 그대로 이용할 수 있어 대면적화를 이루었을 때 픽셀 내부 균일도가 우수하다. 또한 레이저 열전사법은 습식 공정이 아니라 건식 공정이므로 용매에 의한 수명이 저하되는 문제점을 해결할 수 있으며, 또한 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있다. 또한, 저분자 재료를 이용한 저분자 유기 전계 발광 소자는 증착 공정을 이용하여 적어도 발광층을 포함하는 다수의 유기막층을 적층하고 섀도우 마스크를 사용하여 풀칼라를 구현하는 경우에는 R, G, B를 구현하는 발광층을 적층하여 패터닝한다. 이때, 저분자 재료를 사용하는 경우에는 증착 공정에 의해 다층막을 형성하므로 효율과 수명은 고분자 유기 전계 발광 소자보다는 뛰어나지만 풀칼라를 형성하기 위해서는 증착 공정 중에 섀도우 마스크를 이용하여 R, G, B 각 발광층을 따로 따로 픽셀 영역에 적층하므로 공정이 복잡하고, 또 하나 큰 면적의 대형 디바이스를 제작하는 경우에는 섀도우 마스크가 쳐지게 되어 미스 얼라인이 발생할 수도 있으며, 마스크 사이가 쉽게 오염될 수 있으므로 자주 세정을 해야하는 등 대형화와 양산성의 문제점을 발생할 수 있다. 이와 같이, 저분자 유기전계발광소자는 고분자 발광소자에 비해 소작 특성이 뛰어나다는 장점은 있으나, 제작 공정에 어려움이 있다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 고분자 유기전계발광소자와 같이 레이저 전사법을 적용하여 저분자 유기전계발광소자를 제작함으로써 소자 특성이 우수한 대화소 영역을 구비하는 소자를 보다 간편하게 제작할 수 있다. 그러나 상술한바와 같이 저분자 유기전계발광소자를 레이저 열전사법에 의해 제작하는 경우, 열에 의해 쉽게 결정화를 이루는 저분자 재료의 특성상 쉽게 결정화되는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 저분자형 유기전계발광소자에 있어서 소자의 작동시 발생할 수 있는 결정화에 의한 디바이스의 특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 유기전계발광소자를 제공하는 것이다.
또한, 레이저 열전사법에 의해 저분자형 유기전계발광소자를 제작함에 있어 결정화 발생에 의해 전사특성이 떨어지는 것을 방지할 수 있는 도너 기판을 제공하고, 상기 도너 기판을 이용하는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여,
절연 기판, 제 1전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2전극을 포 함하며,
상기 발광층은 적어도 하나의 인광 도판트와 2종 이상의 호스트 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은
기판이 제공되는 단계와;
상기 기판에 제 1전극을 형성하는 단계와;
상기 제 1전극상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;
상기 유기막층 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 발광층은 적어도 하나의 인광 도판트와 두가지이상의 호스트 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 기재층과;
상기 기재층 상부에 형성된 광-열 변환층과;
상기 광-열 변환층 상에 형성된 전사층을 포함하며,
상기 전사층은 적어도 하나의 인광 도판트, 제 1호스트 물질 및 제 2호스트물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도너 기판을 제공한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1a에서와 같이, 절연기판(101)이 제공되고 상기 절연기판상에 제 1전극(102)을 패터닝하여 형성한다.
여기서, 상기 제 1전극(102)은 애노드 전극이거나 캐소드 전극일 수 있다.상기 제 1전극(102)이 애노드일 경우, 일함수가 높은 금속으로서 ITO이거나 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 반사전극일 수 있다. 또한, 상기 제 1전극(102)이 캐소드일 경우, 일함수가 낮은 금속으로서 Mg, Ca, Al, Ag, Ba 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택하되 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 반사전극일 수 있다.
이어서, 상기 제 1 전극상에 R, G, B 화소영역을 정의하는 화소정의막(103)을 형성하여, 기판(100)을 제조한다.
단, 도 1a는 유기전계발광소자의 한 부화소(sub-pixel)를 나타낸 것으로서, 상기와 같은 부화소(sub-pixel)가 여러 개 정렬되어 있을 수 있으며, 또한, 여기서, 도에는 도시하지 않았으나 상기 기판(100)은 다수의 박막트랜지스터, 절연막 및 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 화소영역의 제 1전극상에 적어도 발광층으로 이루어진 유기막층을 형성한다. 상기 발광층은 인광 도판트 및 적어도 2가지 이상의 호스트 물질을 혼합한 물질로 형성된다. 이때, 상기 호스트 물질은 제 1호스트물질과 제 2호스트 물질로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
상기 제 1호스트 물질은 통상적으로 이용되는 저분자 호스트 물질로서, 인광 도판트에게 에너지를 전달할 수 있는 물질로 형성된다. 이를테면, 카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스타버스트계에서 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 제 1호스트 물질은 카바졸계로 물질로서, 더욱 상세하게는 1,3,5-트리스카바졸리벤젠(1,3,5-triscarbazolylbenzene), 4,4'-비스카바졸리비페닐(4,4'-biscarbazolylbiphenyl), 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), m-비스카바졸리페닐(m-biscarbazolylphenyl), 4,4'-비스카바졸리-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-biscarbazolyl-2,2'-dimethylbiphenyl), 4,4',4"-트리(N-카바졸리)트리페닐아민(4,4',4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine), 1,3,5-트리스(2-카바졸리페틸)벤젠(1,3,5-tris(2-carbazolylphenyl)benzene), 1,3,9-트리스(2-카바졸리-5-메톡시페닐)벤젠(1,3,5-tris(2-carbazolyl-5-methoxyphenyl)benzene) 및 비(4-카바졸리페닐)실란(bi(4-carbazolylphenyl)silane)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다.
이때, 상기 제 1호스트 물질은 열에 의하여 쉽게 결정화를 발생한다는 단점을 가지고 있어 완성된 디바이스의 특성을 저하시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 결정화를 억제할 수 있으며, 무정형 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 상기 제 1호스트 물질은 통상적으로 정공수송특성을 가지고 있으므로, 상기 제 2호스트 물질은 전자 수송 특성을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이로써, 디바이스의 효율을 향상시킬수 있다. 이를 테면, 상기 제 2호스트 물질은 유기금속계, 옥사디아졸계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 더욱 상세하게는 유기금속계는 Al, Zn, Be, Ga 및 Al중에 하나의 금속을 포함하는 유기계 금속으로서 예를 들면, 비스(8-하이드록시퀴노레토)비페녹시 알루미늄(bis(8-hydroxyquinolato)biphenoxy aluminum), 비스(8-하이드록시퀴노레토)페톡시 알루미늄(bis(8-hydroxyquinolato)phenoxy aluminum), 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)비페녹시 알루미늄(bis(2-methyl-8-hydroxyquinolato)biphenoxy aluminum), 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)페톡시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)페녹시 알루미늄(bis(2-methyl-8-hydroxyquinolato)phenoxy aluminum) 및 비스(2-(2-하이드록시페틸)퀴놀레토)아연(bis(2-(2-hydroxyphenyl)quinolato) zinc)의 물질들일 수 있다. 상기 옥사디아졸계는 (4-비페닐일)-5-(4-터트부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸((4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)일 수 있다. 상기 트리아졸계는 3-페닐-4-(1'-나프틸)-5-페틸-1,2,4-트리아졸)(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)일 수 있으며, 상기 트리아진계는 2,9-디메틸-4,7-디페닐-9,10-페날쓰롤린(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-9,10-phenanthroline) 및 2,4,6-트리스(디아릴아미노)-1,3,5-트라진일 수 있다. 상기 스피로 플루오렌계는 1,4-비스스피로 플로렌리 벤젠(1,4-bisspirofluorenylbenzene)의 물질일 수 있다.
이로 인하여, 열에 의해 제 1호스트 물질이 결정화가 발생하는 경우에 있어서, 제 2호스트 물질의 존재로 인하여 결정화 발생을 억제할 수 있다.
여기서 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.1 내지 10의 중량비로 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 상기 제 2호스트 물질이 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.1미만으로 혼합하게 되면 결정화가 진행될 수 있으며, 반면에 10을 초과하여 혼합하게 되면 제 2호스트 물질의 결정화가 진행되는 문제점을 일으킬 수 있다.
이때, 디바이스 특성을 더욱 향상시키기기 위해서 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.3 내지 3의 중량비로 혼합하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 인광 도판트는 현재까지 알려진 Pt, Ir, Tb, Pt 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성될 수 있다.
이로써, 정공수송 특성을 가진 제 1호스트 물질과 전자수송 특성을 가진 제 2호스트 물질을 혼합하여 사용함으로써 디바이스의 효율 및 수명을 향상시킬수 있다. 또한 완성된 디바이스에 있어서, 결정화 발생을 억제하는 제 2호스트 물질을 첨가함으로써, 디바이스의 작동에 의해 발생하는 열에 의해 결정화가 발생하여 디바이스의 특성 및 소자를 파괴를 일으키는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 상기 발광층은 레이저 열전사법, 진공 증착, 스프레이 코팅 및 잉크젯 프린팅 방법 중에 하나의 방식을 선택하여 형성되어 질 수 있다. 이때, 상기 발광층은 레이저 열전사법에 의해 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 레이저 열전사법은 스핀 코팅특성을 그대로 이용할 수 있어 대면적화를 이루었을 때 픽셀 내부 균일도가 우수하다. 또한 레이저 열전사법은 습식 공정이 아니라 건식 공정이므로 용매에 의한 수명이 저하되는 문제점을 해결할 수 있으며, 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있다.
이하, 도 1b를 참조하여 레이저 열전사법에 의해 발광층을 형성하는 것을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저 기판(100)이 제공되고, 이후에 기재층(201)상에 광-열 변환층(202) 및 전사층(203)을 순차적으로 적층하여 형성된 도너 기판(200)을 상기 제 1전극상의 화소영역상과 상기 도너 기판의 전사층이 대향하도록 하여 라미네이션한다.
여기서, 상기 기재층(201)은 상기 기재층의 상에 레이저가 조사되어 상기 광-열 변환층(202)으로 전달되므로 투명성의 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이를테면, 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 하나이상의 고분자 물질이거나 유리기판일 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(201)은 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용할 수 있다.
상기 기재층(201)의 상에 형성되는 상기 광-열 변환층(202)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광-열 변환층(202)는 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함하는 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필림 코팅 방법으로서, 롤 코팅, 그라비아, 압출, 스핀 코팅 및 나이프 코팅 방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 광-열 변환층(202)상부에 형성되는 상기 전사층(203)은 인광도판트, 적어도 2가지 이상의 호스트 물질을 혼합하여 스프레이 코팅방식, 딥 코팅 방식, 그라비아 코팅 방식, 롤 코팅 방식, 스핀 코팅방식 및 진공증착방식중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
이때, 상기 호스트 물질은 제 1호스트물질과 제 2호스트 물질로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
상기 제 1호스트 물질은 통상적으로 이용되는 저분자 호스트 물질로서, 인광 도판트에게 에너지를 전달할 수 있는 물질로 형성된다. 이를테면, 카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스타버스트계에서 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 제 1호스트 물질은 카바졸계로 물질로서, 더욱 상세하게는 1,3,5-트리스카바졸리벤젠(1,3,5-triscarbazolylbenzene), 4,4'-비스카바졸리비페닐(4,4'-biscarbazolylbiphenyl), 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), m-비스카바졸리페닐(m-biscarbazolylphenyl), 4,4'-비스카바졸리-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-biscarbazolyl-2,2'-dimethylbiphenyl), 4,4',4"-트리(N-카바졸리)트리페닐아민(4,4',4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine), 1,3,5-트리스(2-카바졸리페틸)벤젠(1,3,5-tris(2-carbazolylphenyl)benzene), 1,3,9-트리스(2-카바졸리-5-메톡시페닐)벤젠(1,3,5-tris(2-carbazolyl-5-methoxyphenyl)benzene) 및 비(4-카바졸리페닐)실란(bi(4-carbazolylphenyl)silane)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다.
이때, 상기 제 1호스트 물질은 열에 의하여 쉽게 결정화를 발생한다는 단점을 가지고 있어 완성된 디바이스의 특성을 저하시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 제 2호스트는 제 1호스트 물질의 결정화를 억제할 수 있으며, 무정형 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2호스트는 전자 수송 특성을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이를테면 상기 제 2호스트 물질은 유기금속 계, 옥사디아졸계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질일 수 있다. 더욱 상세하게는 유기금속계는 Al, Zn, Be, Ga 및 Al중에 하나의 금속을 포함하는 유기계 금속으로서 예를 들면, 비스(8-하이드록시퀴노레토)비페녹시 알루미늄(bis(8-hydroxyquinolato)biphenoxy aluminum), 비스(8-하이드록시퀴노레토)페톡시 알루미늄(bis(8-hydroxyquinolato)phenoxy aluminum), 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)비페녹시 알루미늄(bis(2-methyl-8-hydroxyquinolato)biphenoxy aluminum), 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)페톡시 알루미늄, 비스(2-메틸-8-하이드록시퀴노레토)페녹시 알루미늄(bis(2-methyl-8-hydroxyquinolato)phenoxy aluminum) 및 비스(2-(2-하이드록시페틸)퀴놀레토)아연(bis(2-(2-hydroxyphenyl)quinolato) zinc)의 물질들일 수 있다. 상기 옥사디아졸계는 (4-비페닐일)-5-(4-터트부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸((4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)일 수 있다. 상기 트리아졸계는 3-페닐-4-(1'-나프틸)-5-페틸-1,2,4-트리아졸)(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)일 수 있으며, 상기 트리아진계는 2,9-디메틸-4,7-디페닐-9,10-페날쓰롤린(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-9,10-phenanthroline) 및 2,4,6-트리스(디아릴아미노)-1,3,5-트라진일 수 있다. 상기 스피로 플루오렌계는 1,4-비스스피로 플로렌리 벤젠(1,4-bisspirofluorenylbenzene)의 물질일 수 있다.
이로 인하여, 열에 의해 제 1호스트 물질이 결정화가 발생하는 경우에 있어서, 제 2호스트 물질의 존재로 인하여 결정화 발생을 억제할 수 있다.
여기서 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.1 내지 10의 중량비로 혼합하여 사용한다. 이때, 상기 제 2호스트 물질이 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.1미만으로 혼합하게 되면 결정화가 진행될 수 있으며, 반면에 10을 초과하여 혼합하게 되면 제 2호스트 물질의 결정화가 진행되는 문제점을 일으킬 수 있다. 이때, 디바이스 특성을 더욱 향상시키기기 위해서 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.3 내지 3의 중량비로 혼합하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
이에 따라, 레이저 열전사법에 의해 유기전계발광소자를 제작하는 과정에 있어 상술한바와 같이 통상적으로 사용되는 제 1호스트 물질은 열에 의해 쉽게 결정화를 일으키며, 정공수송특성을 가지고 있어, 단독으로 쓰는 경우와 달리 제 1호스트 물질의 결정화를 억제할 수 있으며, 전자수송특성을 갖는 무정형의 제 2호스트 물질을 혼합하여 사용함으로써 열에 의한 결정화 발생을 억제할뿐만 아니라 발광 효율과 같은 디바이스의 특성을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상기 인광 도판트는 현재까지 알려진 Pt, Ir, Tb, Pt 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성될 수 있다.
상기 광-열 변환층(202)과 전사층(203)사이에 전사 특성을 향상시키기 위해 가스생성층, 버퍼층 및 금속반사막중에 하나 이상을 더 형성할 수 있다.
여기서, 상기 가스생성층은 광 또는 열을 흡수하면 분해반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스등을 방출함으로서 전사에너지를 제공하는 역할을 수행하며, 사질산펜타에리트리트 또는 트리니트로톨루엔등으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 버퍼층은 광-열 흡수성 물질이 후속 공정에서 형성되는 전사층의 오염 또는 손상시키는 것을 방지하고 전사층과의 접착력을 제어하여 전사 패턴 특성을 향상시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 버퍼층은 금속산화물, 비금속 무기 화합물 또는 불활성 고분자로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 금속반사막은 도너 기판의 기재층에 조사된 레이저를 반사시킴으로서 광-열 변환층에 더 많은 에너지가 전달되도록 하는 역할을 할 뿐만 아니라 가스생성층이 도입되는 경우에 있어서, 상기 가스생성층으로부터 발생되는 가스가 전사층으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이후, 도 1c에서와 같이, 상기 기판(100)의 화소영역과 접착된 상기 도너 기판에 레이저를 조사하여, 상기 기판(100)의 화소영역에 발광물질인 전사층이 전사되면, 상기 도너 기판(200)을 제거함으로서 발광층(203')을 형성할 수 있다.
여기서, 상기와 같이 각각의 R, G, B화소 영역에 각각의 R, G, B 유기발광물질을 가지는 도너 기판을 이용하여 레이저를 조사하여 R, G, B의 발광층을 형성함으로서 풀칼라 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
또한, 상기 제 1전극이 애노드 전극일 경우에 있어서, 상기 발광층(203')을 형성하기전 제 1전극상에 정공주입층 및/또는 정공수송층을 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 발광층 상부에 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층중에 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
이와 달리, 상기 제 1전극이 캐소드 전극일 경우에 있어서, 상기 발광층을 형성하기전 제 1전극상에 전자수송층 및/또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 발광층 상부에 정공주입층 및/또는 정공수송층을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 정공주입층은 애노드전극의 상부에 위치하며, 상기 애노드전극과 계면 접착력이 높고 이온화 에너지가 낮은 재료로 정공주입층을 형성함으로서 정공 주입을 용이하게 하며 소자의 수명을 증가시킬 수 있다. 상기 정공주입층은 아릴 아민계 화합물, 포피린계의 금속착체 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페틸아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어 질 수 있다.
상기 정공수송층은 정공을 쉽게 발광층으로 운반시킬 뿐만 아니라 상기 제 2전극으로부터 발생한 전자를 발광영역으로 이동되는 것을 억제시켜 줌으로서 발광효율을 높일수 있는 역할을 한다. 상기 정공수송층은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐 디아민 유도체 및 사다리형 화합물등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.
상기 정공억제층은 유기발광층내에서 전자 이동도보다 정공 이동도가 크고 삼중항 상태의 수명이 길기 때문에 발광층에서 형성되는 여기자가 넓은 영역에 걸쳐 분포하므로 발광 효율이 떨어지는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 정공 억제층은 2-비페닐-4-일-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥시디아졸(PBD), spiro-PBD 및 3-(4'-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4'-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층은 상기 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며 캐소드전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)로 이루어질 수 있다.
상기 전자주입층은 1,3,4-옥사디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되 하나이상의 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기와 같은 유기막은 스핀 코팅이나 증착법에 의해 형성될 수 있거나, 상기 도너 기판의 전사층 형성시 유기발광층과 상기 유기막중에 하나를 적층하여 레이저 전사시 동시에 형성할 수 있다.
이후에 도 1d에서와 같이, 상기 유기막상에 제 2전극(104)을 형성한다. 여기서, 제 2전극은 애노드 전극이거나 캐소드 전극일 수 있다.
상기 제 2전극(104)이 애노드인 경우에 있어서, 일함수가 높은 금속으로서, ITO 또는 IZO로 이루어진 투명전극이거나, Pt, Au, Ir, Cr, Mg, Ag, Ni, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 반사전극일 수 있다.
상기 제 2 전극(104)이 캐소드인 경우에 있어서, 상기 유기막(270)의 상부에 형성되며 일함수가 낮은 도전성의 금속으로 Mg, Ca, Al, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로서 얇은 두께를 갖는 투명전극이거나, 두꺼운 두께를 갖는 반사전극으로 형성된다.
그리고 나서, 상부에 메탈캔 및 봉지기판으로 밀봉함으로서 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있다.
상기 실시예에서 레이저 열전사법에 의해 발광층을 형성하였으나 이에 한정 되지는 않으며, 상기 발광층은 진공 증착, 스프레이 코팅 및 잉크젯 프린팅 방법중에 하나의 방식을 선택하여 실행할수도 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 4
세정 및 건조 과정을 거친 ITO 투명 전극 위에 유기 전계 발광 소자의 정공 주입층과 정공수송층의 역할을 하는 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(NPD)을 10-6 Torr의 진공 하에서 50 nm의 두께로 증착하였다. N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(NPD)을 증착한다.
한편, 레이저 전사용 도너기판에 4,4'-비스카바졸리비페닐(4,4'-biscarbazolylbiphenyl)(CBP)과 비페녹시-비(8-퀴놀리노라토)알루미늄을 하기의 표 1의 제시된 비율에 따라 혼합한 호스트물질에 인광 도판트인 이리듐비스(1-페닐퀴놀린)아세틸아세토네이트(Iridium bis(2-phenylquinoline); Ir(pq)2acac)을 5 % 농도로 도핑한 발광층을 30 nm두께로 형성하여 레이저 전사용 도너기판을 제조하였다. 이어서, 상기 기판의 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(NPD)막의 상에 상기 도너기판의 전사층을 마주보도록 라미네이션하고, 상기 도너 기판상에 레이저를 조사함으로써, 상기 도너 기판의 전사층 즉 발광층이 상기 기판에 전사된다. 이후에 상기 발광층 상에 정공 저지층으로 비페녹시-비(8-퀴놀리노라토)알루미늄(biphenoxy-bi(8-quinolinolato)aluminium; BAlq)을 5 nm로 증착한 후 전자 수송층으로 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄(tris(8-quinolinolato)aluminium; Alq)을 20nm 두께로 증착한 후, 리튬 플로라이드(lithium fluoride)를 10-6 Torr의 진공하에서 1 nm 두께로 증착하였다. 마지막으로 금속 전극으로 Al을 리튬 플로라이드(lithium fluoride) 전자 주입층 위에 300 nm의 두께로 증착한 후 금속 캔 및 산화바륨을 이용하여 봉지하였다.
도 2a 및 도 2b는 상기 실시예 1 및 비교예 4에 따른 유기전계발광소자의 제작 공정에 있어서, 레이저 열전사법에 의해 발광층 패턴의 마이크로소프트 사진이다.
도 2a를 참조하면, 비교예 4에서와 같이 단독 호스트 물질로 이루어진 전사층이 전사되어 형성된 발광층 패턴은 결정화가 발생됨을 확인할 수 있었으나, 도 2b를 참조하면, 실시예 1에서와 같이 두 가지의 혼합 호스트 물질로 이루어진 전사층이 전사되어 형성된 발광층 패턴은 결정화가 형성되지 않음을 확인할 수 있었다. 또한, 비교예 4에서보다 실시예 1에서의 발광층의 패턴이 균일하게 형성됨을 확인할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 유기전계발광소자의 특성을 하기 표1에 나타내었다.
발광층 재료 효율 cd/A 수명 (@1000cd/㎡)
제 1호스트 물질 (CBP) 제 2호스트 물질 (Balq)
실시예 1 25 75 9 5000 h
실시예 2 50 50 8 4000 h
실시예 3 75 25 7 3500 h
비교예 1 0 100 2 50 h
비교예 2 5 95 2 70 h
비교예 3 95 5 2 50 h
비교예 4 0 100 2 50 h
상기 표 1에서와 같이 실시예 1 내지 실시예 3에서 제작된 유기전계발광소자가 비교예 1 내지 비교예 4에서 제작된 유기전계발광소자 보다 수명은 70배 내지 100배, 효율은 3배이상 증가함을 확인할 수 있었다. 즉, 저분자 인광 유기전계발광소자에 있어서, 두 가지의 혼합물로 이루어진 호스트를 포함하는 소자가 단독의 호스트를 포함하는 소자보다 현저히 뛰어난 수명 특성을 갖았으며, 특히, 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량비 1에 대하여 0.3 내지 3의 중량비로 혼합하여 사용할 때 디바이스의 특성이 향상됨을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 적어도 두 가지 이상의 호스트 물질을 혼합하여 발광층을 형성함으로써, 소자의 제작 공정시 또는 작동시에 발생할 수 있는 결정화를 방지함으로써 소자의 특성 저하 및 소자의 파괴에 의한 불량품을 감소시킬수 있다.
또한, 전자수송특성을 갖는 호스트 물질으로 첨가함으로써, 수명 및 효율이 뛰어난 유기전계발광소자를 제작할 수 있다.
또한, 레이저 열전사법에 의해 저분자 유기전계발광소자를 제작함으로서 발생하는 결정화 문제점을 해결함에 따라 화질의 품질이 우수하며, 소자의 특성이 보다 향상된 대면적의 화소 영역을 확보할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제조할 수 있다.

Claims (24)

  1. 절연 기판, 제 1전극, 적어도 하나의 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2전극을 포함하며,
    상기 발광층은 적어도 하나의 인광 도판트;
    카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스타버스트계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 1호스트 물질; 및
    상기 제 1호스트 물질의 결정화 발생을 억제하고 전자 수송 특성을 가지는 유기금속계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 2호스트 물질로 이루어지며,
    상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량 1을 기준으로 0.3 내지 3의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 인광 도판트는 Pt, Ir, Tb, Pt 및 Eu로 이루어진 군에서 선택되는 한가지 물질을 포함하는 유기금속착물로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 유기막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 정공억제층 및 전 자 수송층중에 1이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 기판이 제공되는 단계와;
    상기 기판에 제 1전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1전극상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하는 단계와;
    상기 유기막층 상부에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 발광층은 적어도 하나의 인광 도판트;
    카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스트버스트계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 1호스트 물질; 및
    상기 제 1호스트 물질의 결정화 발생을 억제하고 전자 수송 특성을 가지는 유기금속계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 2호스트 물질로 이루어지며,
    상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 발광층은 레이저 열전사법, 진공 증착, 스프레이 코팅 및 잉크젯 프린팅 방법중에 하나의 방식을 선택하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 레이저 열전사법은
    상기 제 1전극이 형성된 기판의 화소영역과 도너 기판을 대향하여 배치하고,
    상기 도너 기판에 선택적으로 레이저를 조사하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막을 형성하며,
    상기 도너 기판은 적어도 하나의 인광 도판트;
    카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스트버스트계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 1호스트 물질; 및
    상기 제 1호스트 물질의 결정화 발생을 억제하고 전자 수송 특성을 가지는 유기금속계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 2호스트 물질로 이루어지며,
    상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 첨가되어 이루어지는 전사층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 전사층은 스프레이 코팅방식, 딥 코팅 방식, 그라비아 코팅 방식, 롤 코팅 방식, 스핀 코팅방식 및 진공증착방식중에 하나의 방법을 선택하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 2호스트 물질은 제 1호스트물질의 중량 1을 기준으로 0.33 내지 3의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  17. 제 10항에 있어서,
    상기 유기막층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 정공억제층 및 전자 수송층중에 1이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  18. 제 10항에 있어서,
    상기 유기막층은 진공 증착, 스프레이 코팅 또는 발광층 형성시에 레이저 열전사법에 의해 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  19. 기재층과;
    상기 기재층 상부에 형성된 광-열 변환층과;
    상기 광-열 변환층 상에 형성된 전사층을 포함하며,
    상기 전사층은 적어도 하나의 인광 도판트;
    카바졸계, 아릴아민계, 히드라존계 및 스트버스트계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 1호스트 물질; 및
    상기 제 1호스트 물질의 결정화 발생을 억제하고 전자 수송 특성을 가지는 유기금속계, 트리아졸계, 트리아진계 및 스피로 플루오렌계로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 제 2호스트 물질로 이루어지며,
    상기 제 2호스트 물질은 제 1호스트 물질의 중량 1을 기준으로 0.1 내지 10의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 도너 기판.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 레이저 열전사용 도너 기판은 상기 광-열 변환층 상에 가스생성층, 버퍼층 및 금속 박막층 중에 적어도 하나의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도 너 기판.
KR1020040094365A 2004-11-17 2004-11-17 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 Expired - Lifetime KR100721565B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040094365A KR100721565B1 (ko) 2004-11-17 2004-11-17 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2005151497A JP4744931B2 (ja) 2004-11-17 2005-05-24 低分子有機電界発光素子及びその製造方法
US11/272,680 US7579772B2 (en) 2004-11-17 2005-11-15 Small molecular organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
CNB2005101233122A CN100565962C (zh) 2004-11-17 2005-11-17 小分子有机场致发光显示装置及其制造方法
US12/385,309 US7959993B2 (en) 2004-11-17 2009-04-03 Small molecular organic electroluminescent display device and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040094365A KR100721565B1 (ko) 2004-11-17 2004-11-17 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060055061A KR20060055061A (ko) 2006-05-23
KR100721565B1 true KR100721565B1 (ko) 2007-05-23

Family

ID=36385554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040094365A Expired - Lifetime KR100721565B1 (ko) 2004-11-17 2004-11-17 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7579772B2 (ko)
JP (1) JP4744931B2 (ko)
KR (1) KR100721565B1 (ko)
CN (1) CN100565962C (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172046B1 (en) 2014-06-09 2015-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10305041B2 (en) 2014-11-10 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10784447B2 (en) 2015-04-24 2020-09-22 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic compound, composition, and organic optoelectronic diode
US10978643B2 (en) 2014-12-19 2021-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11038113B2 (en) 2014-11-19 2021-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11177441B2 (en) 2014-01-24 2021-11-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic compound, composition, organic optoelectronic device, and display device

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI297353B (en) * 2005-11-10 2008-06-01 Au Optronics Corp Phosphorescent organic light-emitting diodes
JP2007142111A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Takasago Internatl Corp 発光素子及び表示装置
KR100752375B1 (ko) * 2005-12-07 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조 방법
US20070275265A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Au Optronics Corporation Organic light emitting layer with a reduced phosphorescent dopant concentration and applications of same
TWI477195B (zh) * 2007-04-27 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 發光裝置的製造方法
JP5466150B2 (ja) 2007-06-01 2014-04-09 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光材料
CN101679207B (zh) * 2007-06-01 2014-05-28 E.I.内穆尔杜邦公司 用于深蓝色发光应用的*
WO2008150942A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Blue luminescent materials
CN101679853B (zh) * 2007-06-01 2013-10-30 E.I.内穆尔杜邦公司 用于绿色发光应用的*
JP2009187810A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法
JPWO2009107574A1 (ja) * 2008-02-25 2011-06-30 昭和電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法およびその用途
EP2350230A4 (en) * 2008-11-19 2012-08-22 Du Pont CHRYSENE COMPOUNDS FOR BLUE OR GREEN LUMINESCENCE APPLICATIONS
CN102239230B (zh) * 2008-12-12 2014-06-25 E.I.内穆尔杜邦公司 光敏组合物和用所述组合物制得的电子器件
US8263973B2 (en) * 2008-12-19 2012-09-11 E I Du Pont De Nemours And Company Anthracene compounds for luminescent applications
US20110198580A1 (en) * 2008-12-22 2011-08-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive composition and electronic device made with the composition
US8531100B2 (en) 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
US8795852B2 (en) 2009-02-27 2014-08-05 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent device with host materials having same or similar IP, EA and T1 values
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
JP5567656B2 (ja) * 2009-04-03 2014-08-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
EP2674469A1 (en) 2009-05-19 2013-12-18 E. I. du Pont de Nemours and Company Chrysene compounds for luminescent applications
EP2449054A4 (en) 2009-07-01 2013-05-29 Du Pont CHRYSEN COMPOUNDS FOR LIGHT APPLICATIONS
JP5567675B2 (ja) * 2009-08-13 2014-08-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー クリセン誘導体材料
WO2011040939A1 (en) * 2009-09-29 2011-04-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
KR101761435B1 (ko) 2009-10-29 2017-07-25 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 응용을 위한 중수소화된 화합물
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
JP5590897B2 (ja) * 2010-01-28 2014-09-17 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR102132102B1 (ko) * 2010-08-20 2020-07-09 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Ｏｌｅｄ를 위한 바이카르바졸 화합물
TWI445446B (zh) * 2010-12-29 2014-07-11 Au Optronics Corp 白光電致發光元件
US9293716B2 (en) 2010-12-20 2016-03-22 Ei Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
TWI532822B (zh) * 2011-04-29 2016-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
WO2012160859A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
EP2760059A4 (en) * 2011-09-21 2015-08-05 Konica Minolta Inc ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
US8884274B2 (en) * 2011-10-12 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
CN107994062B (zh) 2011-11-11 2022-07-01 三菱化学株式会社 发光层形成用组合物和有机电致发光器件的制造方法
TWI432418B (zh) * 2011-12-19 2014-04-01 Au Optronics Corp 電子傳輸材料及有機發光元件
KR20140059376A (ko) * 2012-11-07 2014-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기막 형성 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101820865B1 (ko) 2013-01-17 2018-01-22 삼성전자주식회사 유기광전자소자용 재료, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20140118000A (ko) 2013-03-27 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102238852B1 (ko) * 2013-07-02 2021-04-09 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계 발광 소자용 스피로-축합 락탐 화합물
KR101649683B1 (ko) * 2013-09-06 2016-08-19 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101812581B1 (ko) 2013-10-11 2017-12-27 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 유기합화물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US9978961B2 (en) 2014-01-08 2018-05-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN104009173A (zh) * 2014-06-17 2014-08-27 江苏生美工业技术集团有限公司 一种柔性小分子oled
CN104009190A (zh) * 2014-06-17 2014-08-27 江苏生美工业技术集团有限公司 一种柔性oled的加工方法
CN104009189A (zh) * 2014-06-17 2014-08-27 江苏生美工业技术集团有限公司 一种以印刷小分子油墨技术加工柔性oled的方法
KR102328675B1 (ko) 2014-07-24 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102432080B1 (ko) * 2014-12-08 2022-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
EP3032605B1 (en) 2014-12-08 2019-08-21 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR101958833B1 (ko) * 2015-09-21 2019-03-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2017115596A1 (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子
KR102396293B1 (ko) * 2015-12-29 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105633302B (zh) * 2015-12-29 2017-08-04 昆山国显光电有限公司 一种图形化有机功能层的制备方法及应用
KR102018682B1 (ko) * 2016-05-26 2019-09-04 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2017204556A1 (ko) * 2016-05-26 2017-11-30 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US12384796B2 (en) * 2016-06-03 2025-08-12 Lg Chem, Ltd. Electroactive compounds
KR101915716B1 (ko) * 2016-12-20 2018-11-08 희성소재 (주) 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
DE102017114372B3 (de) * 2017-06-28 2018-10-11 Cynora Gmbh Organische moleküle, insbesondere zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
KR102393153B1 (ko) * 2017-07-27 2022-05-02 에스에프씨주식회사 저전압 구동이 가능하며, 고효율 및 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자
US11910699B2 (en) * 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11462697B2 (en) * 2017-08-22 2022-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6720272B2 (ja) * 2017-11-08 2020-07-08 サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 特にオプトエレクトロニクスデバイスにおける使用のための有機分子
KR102421769B1 (ko) * 2017-11-13 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치
KR102637793B1 (ko) * 2018-02-28 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102637792B1 (ko) * 2018-03-22 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
KR102252293B1 (ko) * 2018-06-19 2021-05-14 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 유기물층용 조성물
KR102258085B1 (ko) * 2018-10-04 2021-05-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US20220029104A1 (en) * 2018-12-06 2022-01-27 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof
EP3894657B1 (en) 2018-12-12 2023-11-01 FMC Technologies, Inc. Rotating indexing coupling (ric) assembly for installation and orientation of a subsea production tree
US11760769B2 (en) * 2019-03-29 2023-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition and organic light-emitting device including the same
KR102804493B1 (ko) 2019-04-30 2025-05-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
TW202114987A (zh) * 2019-09-30 2021-04-16 日商日鐵化學材料股份有限公司 有機電場發光元件及其製造方法
KR102555503B1 (ko) * 2019-11-14 2023-07-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102857112B1 (ko) * 2019-12-12 2025-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
US12063850B2 (en) 2019-12-24 2024-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including the same and electronic apparatus including the organic light-emitting device
KR102806407B1 (ko) * 2020-02-14 2025-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
US20210384438A1 (en) * 2020-05-29 2021-12-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20220085924A (ko) 2020-12-15 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
EP4056577A1 (en) * 2021-03-12 2022-09-14 SFC Co., Ltd. Polycyclic compound and organic electroluminescent device using the same
CN113764604B (zh) * 2021-04-13 2022-06-03 陕西莱特光电材料股份有限公司 一种组合物及包含其的电子元件和电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200397363Y1 (ko) * 2005-07-02 2005-10-04 양원동 토르 말린 이 함유된 벽돌

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100195175B1 (ko) * 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
US6392250B1 (en) 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
JP4006266B2 (ja) * 2001-06-15 2007-11-14 キヤノン株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US6699597B2 (en) 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
KR100577179B1 (ko) 2001-10-30 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
US20030162108A1 (en) * 2002-01-30 2003-08-28 Eastman Kodak Company Using spacer elements to make electroluminscent display devices
US6610455B1 (en) * 2002-01-30 2003-08-26 Eastman Kodak Company Making electroluminscent display devices
TWI314947B (en) 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
KR100483986B1 (ko) 2002-06-20 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 인광 재료의 혼합물을 발광 재료로 사용한 고분자 유기전계 발광 소자
US6939660B2 (en) * 2002-08-02 2005-09-06 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer
US7271406B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-18 3M Innovative Properties Company Electron transport agents for organic electronic devices
US7175922B2 (en) * 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
US7045952B2 (en) * 2004-03-04 2006-05-16 Universal Display Corporation OLEDs with mixed host emissive layer
KR100667067B1 (ko) * 2004-09-08 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200397363Y1 (ko) * 2005-07-02 2005-10-04 양원동 토르 말린 이 함유된 벽돌

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11177441B2 (en) 2014-01-24 2021-11-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic compound, composition, organic optoelectronic device, and display device
US9172046B1 (en) 2014-06-09 2015-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10305041B2 (en) 2014-11-10 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11038113B2 (en) 2014-11-19 2021-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10978643B2 (en) 2014-12-19 2021-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10784447B2 (en) 2015-04-24 2020-09-22 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic compound, composition, and organic optoelectronic diode

Also Published As

Publication number Publication date
US7959993B2 (en) 2011-06-14
JP2006148045A (ja) 2006-06-08
KR20060055061A (ko) 2006-05-23
US7579772B2 (en) 2009-08-25
US20090197497A1 (en) 2009-08-06
CN100565962C (zh) 2009-12-02
CN1780019A (zh) 2006-05-31
JP4744931B2 (ja) 2011-08-10
US20060103298A1 (en) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100721565B1 (ko) 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7776457B2 (en) Organic electroluminescent device
JP4161262B2 (ja) 有機電界発光素子、及びそれを用いた発光又は表示装置
US7161294B2 (en) Organic lights-emitting device with doped emission layer
JP4889765B2 (ja) 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法
KR100899423B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100560789B1 (ko) 풀칼라유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR101270169B1 (ko) 유기 발광 소자
JP2001319780A (ja) 発光素子
US20040132228A1 (en) Method and system for fabricating an OLED
US8486857B2 (en) Donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating organic light emitting diode using the same
EP1852921A2 (en) Donor substrate for a flat panel display and method of fabricating an organic light emitting diode (OLED) display using the same
KR20010050455A (ko) 유기전계발광장치 및 그것을 이용한 패널
US8044577B2 (en) Full-color electroluminescent display device with multiple emission layers and method of fabricating the same
JP2009088525A (ja) 有機発光素子
US20100051925A1 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR100731728B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법
KR100752383B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100685413B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법
KR100667068B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20060017415A (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법
KR20060020043A (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법
WO2004059604A2 (en) Method and system for fabricating an oled

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20041117

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20060620

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20061214

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20060620

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20070115

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20061214

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20070320

Appeal identifier: 2007101000480

Request date: 20070115

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20070214

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20070115

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20060821

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20070320

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20070226

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20070517

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20070518

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
PG1701 Publication of correction
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100426

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110502

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120427

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130430

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140430

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150430

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180502

Start annual number: 12

End annual number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190429

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200428

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210503

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220425

Start annual number: 16

End annual number: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230424

Start annual number: 17

End annual number: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240423

Start annual number: 18

End annual number: 18

PC1801 Expiration of term

Termination date: 20250517

Termination category: Expiration of duration