KR100699146B1

KR100699146B1 - 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100699146B1
Application number: KR1020050123844A
Authority: KR
Inventors: 김근호
Original assignee: 엘지전자 주식회사; 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2005-12-15
Filing date: 2005-12-15
Publication date: 2007-03-21
Anticipated expiration: 2025-12-15

Abstract

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 정전기 또는 역전압으로부터 발광 소자를 보호하기 위한 보호용 소자를 서브 마운트 기판과 반대의 극성을 갖는 활성층을 서브 마운트 기판 하부에 형성함으로써 만들고, 발광 소자를 중앙 영역에 내측면이 일정한 경사를 가지는 홈을 구비하는 서브 마운트 기판에 실장하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 서브 마운트 기판 하부에 상기 서브 마운트 기판과 반대의 극성을 가지는 확산층을 형성하여 상기 확산층과 서브 마운트 기판으로 이루어진 제너 다이오드를 만듦으로써, 발광 소자를 정전기 또는 역전압으로부터 보호하기 위한 보호용 소자를 별도로 제작할 필요가 없으며, 이를 수용하기 위한 공간을 줄일 수 있고, 접합 공정 및 와이어 본딩 공정을 줄일 수 있으므로 제조 공정이 단순해지고 제조 비용을 절감할 수 있게 된다. 그리고, 발광 소자가 내측면에 일정한 경사를 가지고 있고 상기 내측면에 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 제1 및 제2 전극 라인이 형성된 실장용 홈에 실장되므로, 상기 발광 소자로부터 발생한 빛을 전면으로 반사시켜 주어 발광 효율을 향상시킬 수 있게 된다.

발광 소자, 제너 다이오드, 확산, 몰딩부

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{ Light emitting device package and fabricating method thereof }

도 1은 일반적인 발광 다이오드의 단면도.

도 2는 종래 기술에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 패키지의 단면도.

도 3은 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 제1 실시예를 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 제2 실시예를 나타낸 단면도.

도 5는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제3 실시예를 나타낸 단면도.

도 6은 본 발명의 발광 소자 패키지의 제4 실시예를 나타낸 단면도.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제1 실시예의 제조방법을 나타낸 단면도.

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제1 실시예의 다른 제조방법을 나타낸 단면도.

도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제3 실시예의 제조방법을 나타낸 단면도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100, 500 : 서브 마운트 기판 110 : 실장용 홈

120, 520 : 확산층 121, 521 : 제1 확산층

122, 522 : 제2 확산층 130, 530 : 절연막

141 : 제1 전극 라인 142 : 제2 전극 라인

151, 551 : 제1 전극 단자 152, 552 : 제2 전극 단자

210, 610 : 제1 리드 220, 620 : 제2 리드

300, 700 : 발광 소자 450 : 몰딩부

540 : 반사판

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 정전기 또는 역전압으로부터 보호하기 위한 보호용 소자를 서브 마운트 기판과 반대의 극성을 갖는 활성층을 서브 마운트 기판 내에 형성함으로써 만드는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 직접 천이형 화합물 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합합으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.

이러한 기술의 발달로 디스플레이 소자뿐만 아니라 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL : Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.

이러한 목적으로 발광 소자를 응용하기 위해서는 소자의 동작 전압이 낮아야하고 발광 효율과 휘도가 높아야 한다.

도 1은 일반적인 발광 다이오드의 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상부에 버퍼층(11), n-반도체층(12), 활성층(13), p-반도체층(14)이 순차적으로 적층되어 있고;

상기 p-반도체층(14)에서 n-반도체층(12)의 일부분까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 p-반도체층(14) 상부에 투명 전극(15)이 형성되어 있고, 상기 메사 식각된 n-반도체층(12) 상부에 n-전극(16)이 형성되어 있고, 상기 투명 전극(15) 상부에 p-전극(17)이 형성되어 있는 구성으로 이루어져 있다.

이러한 구성을 가지는 발광 다이오드는 외부회로에서 p-전극(17)과 n-전극(16) 사이에 전압이 인가되면, 상기 p-전극(17)과 n-전극(16)으로 정공과 전자가 주입되고, 활성층(13)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 투명 전극(15) 및 기판(10)을 통하여 외부로 방출하게 된다.

상기 발광 다이오드는 패키지에 실장한 후, 다른 부품과 함께 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB)에 접합되어 사용된다.

한편, 반도체 소자용 패키지는 삽입형 패키지와 표면 실장형 패키지로 분류 된다.

상기 표면 실장형 패키지는 삽입형 패키지에 비하여 고집적화가 가능하고 박형으로 구현할 수 있으며, 시스템 통합 패키지의 구현이 가능하므로 발광 다이오드 소자용 패키지로는 표면 실장형 패키지가 주류를 이루고 있다.

도 2는 종래 기술에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 패키지의 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 제1 리드(21) 상부에 발광 다이오드(30)와 제너 다이오드(40)가 실장되어 있으며,

상기 발광 다이오드(30)는 제 1본딩 와이어(52-1)(52-2)에 의해 제2 리드(22) 및 제너 다이오드(40)와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제너 다이오드(40)는 제2 본딩 와이어(54-1)(54-2)에 의해 상기 발광 다이오드(30) 및 제1 리드(21)와 전기적으로 연결되어 있으며,

상기 하부면을 제외한 제1 리드(21) 및 제2 리드(22)와 상기 발광 다이오드(30)와, 상기 제너 다이오드(40)를 감싸며 몰딩부(60)가 형성되어 있는 구조를 가지고 있다.

이와 같은 구성의 표면 실장형 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광 다이오드(30)는 정전기 또는 역전압에 취약하며, 이러한 발광 다이오드(30)의 취약성을 보완하기 위하여 역방향으로 전류가 흐를 수 있는 수단을 제공하고 있다.

상기 수단으로 제너 다이오드(40)가 주로 사용되며, 상기 제너 다이오드(40)를 상기 발광 다이오드(30)와 병렬로 연결하여 정전기 또는 역전압에 효율적으로 대응하도록 하고 있다.

즉, 제너 다이오드(40)를 접합 수지를 이용하여 다이본딩한 후, 발광 다이오드(30)의 n-전극과 제너 다이오드(40)의 p-전극 및 발광 다이오드(30)의 p-전극과 제너 다이오드(40)의 n-전극을 병렬로 연결한다.

상기 제너 다이오드는 역방향 항복 전압(Reverse Breakdown Voltage)을 이용하는 소자로, pn 제너 다이오드의 역방향 브레이크 다운은 낮은 임계 전압에서 발생하는 제너 브레이크 다운과 높은 임계 전압에서 발생하는 애벌런치 브레이크 다운이 있다.

이 중, 제너 브레이크 다운은 반도체 막에 고농도의 불순물을 첨가하면, 작은 폭의 공핍 영역(Depletion Region)이 형성되어 낮은 전압으로도 높은 전기장을 형성하게 된다.

즉, 고농도의 불순물을 첨가하면 역방향으로 바이어스된 경우 낮은 전압에서도 에너지 대역이 서로 엇갈리게 되어, p형 반도체층의 가전자 대역이 n형 반도체층의 전도 대역보다 높은 에너지 준위를 형성하게 된다.

이때, 공핍 영역의 폭이 좁으면 p형 반도체층의 가전자 대역에 가득찬 전자가 n형 반도체층의 전도 대역으로 양자역학적인 터널링을 하게 되어, 다이오드 소자의 저항 값이 극히 낮고 큰 전류가 흐르게 된다.

이러한 원리를 이용하여 제너 항복이 발생하도록 제조된 소자를 제너 다이오드라고 하며, 다이오드에 걸리는 역방향 전압이 제너 항복 전압에 이르게 되면 갑자기 역방향 전류가 크게 증가하나, 단자 전압은 거의 불변이므로 정전압 소자로 사용되게 된다.

상기 제너 다이오드는 pn 제너 다이오드(역방향에서만 제너 항복 발생)의 형태로 사용하거나, 제너 다이오드 두개를 같은 극성끼리 직렬로 연결(pnp 또는 npn)하여 순방향과 역방향의 양쪽 영역에서 제너 항복이 발생하도록 하는 양방향 문턱 전압 특성을 갖는 제너 다이오드(이하, '백투백 제너 다이오드'라 한다)를 이용할 수 있다.

백투백(Back to Back) 제너 다이오드의 경우, 두 개의 전극이 같은 극성을 나타내므로 발광 다이오드(30)와 연결할 때, 극성에 관계없이 병렬로 연결할 수 있다.

이와 같이 제너 다이오드(40)를 발광 다이오드(30)와 병렬로 연결하면, 외부 정전기나 순간적인 고전압이 발생하여 역방향으로 인가되는 경우 정전기 보호용 제너 다이오드(40)에 의해 전류 패스가 형성되어 정전기 등의 고전압으로부터 발광 다이오드(30)를 보호하게 된다.

종래 기술에 따른 표면 실장형 발광 다이오드 패키지의 경우, 제너 다이오드와 같은 보호용 소자를 별도로 패키지에 수용해 주어야 하므로, 리드에 다이 본딩 방식으로 실장하는 공정을 발광 다이오드뿐만 아니라 제너 다이오드에 대하여도 수행하여야 하기 때문에 제조 비용이 많이 드는 문제점이 있다.

그리고, 제너 다이오드와 발광 다이오드의 전기적 연결을 위한 와이어 본딩(Wire Bonding)공정을 여러 번 수행하여야 하므로, 발광 다이오드 패키지의 제작을 위한 부품 수 및 작업 공정의 증가하게 된다.

또한, 발광 다이오드의 측면으로부터 방출된 빛을 전면으로 반사시켜 주기 위한 미러 구조가 없으므로 발광 효율이 저하되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 발광 소자를 정전기 또는 역전압으로부터 보호하기 위한 보호용 소자를 서브 마운트 기판과 반대의 극성을 갖는 활성층을 서브 마운트 기판 내에 형성하여 제조함으로써, 보호용 소자에 대한 접합 공정 및 와이어 본딩 공정을 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 발광 소자를 중앙 영역에 내측면이 일정한 경사를 가지는 홈을 구비하는 서브 마운트 기판에 실장함으로써, 발광 소자로부터 방출된 빛을 전면으로 반사시켜 주는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 발광 소자 패키지의 제1 실시예는, 제1 극성을 가지며, 상부면 중앙 영역에 실장용 홈이 형성되어 있고, 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홈 내측면에서 측면을 감싸는 제1 및 제2 전극 라인이 상기 실장용 홈에서 상호 이격하여 형성되어 있고, 상기 제1 전극 라인 및 활성층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 단자와 상기 제2 전극 라인 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역과 전기적으로 연결되는 제2 전극 단자가 하부에 상호 이격하여 형성되어 있는 서브 마운트 기판과;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자와 각각 접합되는 제1 및 제2 리드와;

상기 서브 마운트 기판의 실장용 홈에 상호 이격되어 있는 제1 및 제2 전극 라인에 플립칩 본딩되는 발광소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 발광 소자 패키지의 제2 실시예는, 제1 극성을 가지며, 중앙 영역에 실장용 홀이 형성되어 있고, 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상기 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홀의 내측면에서 상부면을 감싸며 반사판이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자를 구비하는 서브 마운트 기판과;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자와 각각 접합되는 제1 리드 및 제2 리드와;

상기 제2 리드 상부에 다이본딩되며, 제1 본딩 와이어 및 제2 본딩 와이어를 통하여 제1 리드 및 제2 리드와 각각 와이어 본딩되는 발광 소자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 발광 소자 패키지의 제조방법의 제1 실시예는, 제1 극성을 가지 며, 상부면 중앙 영역에 실장용 홈이 형성되어 있고, 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홈 내측면에서 측면을 감싸는 제1 및 제2 전극 라인이 상기 실장용 홈에서 상호 이격하여 형성되어 있고, 상기 제1 전극 라인 및 활성층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 단자와 상기 제2 전극 라인 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역과 전기적으로 연결되는 제2 전극 단자가 하부에 상호 이격하여 형성되어 있는 서브 마운트 기판을 만드는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자를 통하여 제1 및 제2 리드를 각각 접합하는 단계; 및

상기 서브 마운트 기판의 실장용 홈에 상호 이격되어 있는 제1 및 제2 전극 라인에 발광 소자를 플립칩 본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 발광 소자 패키지의 제조방법의 제2 실시예는, 제1 극성을 가지며, 중앙 영역에 실장용 홀이 형성되어 있고, 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상기 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홀의 내측면에서 상부면을 감싸며 반사판이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자를 구비 하는 서브 마운트 기판을 만드는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자를 통하여 제1 리드 및 제2 리드를 각각 접합하는 단계; 및

상기 제2 리드 상부에 발광 소자를 다이본딩하고, 상기 발광 소자를 제1 본딩 와이어 및 제2 본딩 와이어를 통하여 제1 리드 및 제2 리드와 각각 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 제1 실시예를 나타낸 단면도이다.

이에 도시된 바와 같이, 제1 극성을 가지며, 상부 중앙 영역에 실장용 홈(110)이 형성되어 있고, 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제1 및 제2 확산층(121)(122)이 상호 이격하여 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 확산층(121)(122)이 형성된 영역을 제외한 영역에 절연막(130)이 형성되어 있고, 상기 실장용 홈(110) 내측면에서 측면을 감싸는 제1 전극 라인(141) 및 제2 전극 라인(142)이 상기 실장용 홈(110)에서 상호 이격하여 있고, 상기 제1, 제2 전극 라인(141)(142) 및 상기 제1,제2 확산층(121)(122)과 각각 전기적으로 연결되며, 하부면에서 상호 이격되어 있는 제1 전극 단자(151) 및 제2 전극 단자(152)를 구비하는 서브 마운트 기판(100)과;

상기 서브 마운트 기판(100) 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자(151)(152)와 각각 접합되는 제1 리드(210) 및 제2 리드(220)와;

상기 서브 마운트 기판의 실장용 홈(110)에 상호 이격되어 있는 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)에 플립칩 본딩되어 있는 발광 소자(300)로 구성된다.

그리고, 상기 서브 마운트 기판(100)과, 상기 하부면을 제외한 제1 및 제2 리드(210)(220)와, 상기 발광 소자(300)를 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부(미도시)를 더 형성할 수 있다.

여기서, 상기 서브 마운트 기판(100)의 하부에 상호 이격하여 형성되는 제1 및 제2 확산층(121)(122)은 제1 극성을 가지는 상기 서브 마운트 기판(100)과 반대의 제2 극성을 갖는 불순물을 고농도로 주입하고 확산 공정을 수행하여 형성한다.

즉, 상기 서브 마운트 기판(100)이 p형의 실리콘으로 이루어지는 경우 n형 불순물을 고농도로 주입하여 형성하고, 상기 서브 마운트 기판(100)이 n형의 실리콘으로 이루어지는 경우 p형 불순물을 고농도로 주입하여 형성한다.

이렇게, 상기 제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판(100)과 반대의 제2 극성을 가지는 불순물을 고농도로 주입하고 확산 공정을 수행하면, 상기 서브 마운트 기판(100)과 제1 및 제2 확산층(121)(122)으로 이루어진 제너 다이오드를 형성하게 된다.

즉, 상기 제1 확산층(121), 서브 마운트 기판(100), 제2 확산층(122)이 n⁺-p- n⁺ 또는 p⁺-n-p⁺접합을 이루어 백투백 제너 다이오드가 형성되게 된다.

상기 제1 확산층(121)은 상기 제1 전극 단자(151) 및 제1 전극 라인(141)에 의해 상기 발광 소자(300)의 한 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 확산층(122)은 상기 제2 전극 단자(152) 및 제2 전극 라인(142)에 의해 상기 발광 소자(300)의 다른 전극과 전기적으로 연결된다.

백투백 제너 다이오드의 경우 두 전극이 같은 극성을 나타내므로 상기 발광 소자(300)와 연결될 때 극성에 관계 없이 연결된다.

그리고, 상기 발광 소자(300)는 상기 서브 마운트 기판(100) 상부의 중앙 영역에 형성된 실장용 홈(110)에 실장되는데, 상기 실장용 홈(110)의 내측면에 상호 이격되어 있으며 상기 서브 마운트 기판(100)의 측면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 전극 단자(151)(152)와 각각 연결되는 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)에 플립칩 본딩되어 있다.

상기 발광 소자(300)는 내측면에 일정한 경사를 가지고 있고 상기 내측면에 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)이 형성된 실장용 홈(110)에 실장되기 때문에, 상기 발광 소자(300)의 활성층에서 발생한 빛을 전면으로 반사시켜 줄 수 있게 된다. 따라서, 발광 소자의 발광 효율이 향상된다.

즉, 상기 실장용 홈(110)의 내측면에 형성된 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)은 일종의 반사판으로서 역할을 하게 된다.

이와 같이, 발광 소자(300)를 상기 서브 마운트 기판(100) 상부의 중앙 영역에 형성된 실장용 홈(110)에 실장하게 되면, 상기 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)에 플립칩 본딩이 가능하게 되므로, 와이어 본딩 공정을 줄일 수 있게 된다.

도 4는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 제2 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 도 3에 도시된 구조와 비슷한 구조를 가지고 있으며, 다만 서브 마운트 기판(100) 하부에 확산층(120)이 하나만 형성되어 있다는 차이점을 가지고 있다.

여기서, 상기 확산층(120)은 상기 서브 마운트 기판(100)과 반대의 극성을 가지는 불순물을 고농도로 주입하고 확산 공정을 수행하여 형성하며, 이 경우 상기 확산층(120)과 서브 마운트 기판(100)으로 이루어지는 제너 다이오드를 형성할 수 있다.

즉, 상기 서브 마운트 기판(100), 확산층(120)이 p-n⁺ 또는 n-p⁺접합을 이루어 pn 제너 다이오드(역방향에서만 제너 항복 발생)가 형성되게 된다.

상기 확산층(120)은 제1 전극 단자(151) 및 제1 전극 라인(141)에 의해 발광 소자(300)의 한 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 서브 마운트 기판(100)은 절연막(130)이 제거된 부분(a)에서 제2 전극 단자(152)와 연결되며, 상기 제2 전극 단자(152)와 전기적으로 연결된 제2 전극 라인(142)에 의해 상기 발광 소자(300)의 다른 전극과 전기적으로 연결된다.

이와 같이, 상기 서브 마운트 기판(100) 하부에 상기 서브 마운트 기판(100)과 반대의 극성을 가지는 확산층을 형성하여, 상기 확산층과 서브 마운트 기판(100)으로 이루어진 제너 다이오드를 만들게 되면, 발광 소자(300)를 정전기 또는 역전압으로부터 보호하기 위한 보호용 소자를 별도로 제작할 필요가 없으며, 이를 수용하기 위한 공간을 줄일 수 있고, 접합 공정 및 와이어 본딩 공정을 줄일 수 있으므로 제조 공정이 단순해지고 제조 비용을 절감할 수 있게 된다.

도 5는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제3 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 제1 극성을 가지며, 중앙 영역에 실장용 홀(510)이 형성되어 있고, 하부에 상기 실장용 홀(510)을 사이에 두고 상기 제1 극성과 반대의 극성을 갖는 제1 확산층(521) 및 제2 확산층(522)이 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2 확산층(521)(522)이 형성된 영역을 제외한 영역에 절연막(530)이 형성되어 있고, 상기 실장용 홀(510)의 내측면에서 상부면을 감싸며 반사판(540)이 형성되어 있고, 상기 제1 확산층(521) 및 제2 확산층(552)과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자(551) 및 제2 전극 단자(552)를 구비하는 서브 마운트 기판(500)과;

상기 서브 마운트 기판(500) 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자(551)(552)와 각각 접합되는 제1 리드(610) 및 제2 리드(620)와;

상기 제2 리드(620) 상부에 다이본딩(Die Bonding)되며, 제1 리드(610) 및 제2 리드(620)과 와이어 본딩(Wire Bonding)되어 있는 발광 소자(700)로 구성된다.

그리고, 상기 서브 마운트 기판(500)과, 상기 하부면을 제외한 제1 및 제2 리드(610)(620)와, 상기 발광 소자(700)를 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부(미도시)를 더 형성할 수 있다.

여기서, 상기 서브 마운트 기판(500)의 하부에 상기 실장용 홀(510)을 사이에 두고 형성되는 제1 및 제2 확산층(521)(522)은 제1 극성을 가지는 상기 서브 마운트 기판(500)과 반대의 제2 극성을 갖는 불순물을 고농도로 주입하고 확산 공정을 수행하여 형성하며, 이 경우 상기 서브 마운트 기판(500)과 제1 및 제2 확산층(521)(522)으로 이루어진 백투백 제너 다이오드가 형성되게 된다.

상기 제1 확산층(521)은 상기 제1 전극 단자(551)와 제1 본딩 와이어(711)에 의해 상기 발광 소자(700)의 한 단자와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 확산층(552)은 상기 제2 전극 단자(552)와 제2 본딩 와이어(712)에 의해 상기 발광 소자(700)의 다른 단자와 전기적으로 연결된다.

도 6은 본 발명의 발광 소자 패키지의 제4 실시예를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 도 5에 도시된 구조와 비슷한 구조를 가지고 있으며, 다만 서브 마운트 기판(500) 하부에 확산층(120)이 하나만 형성되어 있다는 차이점을 가지고 있다.

즉, 도 5의 경우는 제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판(500) 하부에 상기 서브 마운트 기판(500)과 반대의 극성을 갖는 제1 및 제2 확산층(521)(522)을 상호 이격하여 형성함으로써, 상기 서브 마운트 기판(500)과 제1 및 제2 확산층(521)(522)으로 이루어지는 백투백 제너 다이오드를 형성한 것이 었으나,

도 6은 서브 마운트 기판(500) 하부에 상기 서브 마운트 기판(500)과 반대의 극성을 갖는 확산층(520)을 하나만 형성함으로써, 상기 서브 마운트 기판(500)과 확산층(520)으로 이루어지는 pn 제너 다이오드(역방향에서만 제너 항복 발생)를 형성한 것이다.

여기서, 상기 확산층(520)은 제1 전극 단자(521) 및 제1 본딩 와이어(711)에 의해 발광 소자(700)의 한 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 서브 마운트 기판(500)은 절연막(130)이 제거된 부분(b)에서 제2 전극 단자(552)와 연결되며, 상기 제2 전극 단자(552)와 전기적으로 연결된 제2 본딩 와이어(712)에 의해 상기 발광 소자(700)의 다른 전극과 전기적으로 연결된다.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제1 실시예의 제조방법을 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 먼저 제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판(100) 상부의 중앙 영역(A)과 그 중앙 영역(A) 양측으로부터 각각 이격된 제1 및 제2 영역들(B1,B2)을 제외하고 서브 마운트 기판(100) 상부에 상부 마스크층(410)을 형성하고,

상기 제1 및 제2 영역들(B1,B2)과 대응되는 서브 마운트 기판(100) 하부의 제3 및 제4 영역들(B3,B4)을 제외하고 서브 마운트 기판(100) 하부에 하부 마스크층(420)을 형성한다(도 7a).

다음으로, 상기 상부 마스크층(410) 및 하부 마스크층(420)으로 노출된 상기 서브 마운트 기판(100)의 제1 내지 제4 영역들(B1,B2,B3,B4)을 식각하여 제1 관통 홀(431) 및 제2 관통홀(432)을 형성하고, 상기 서브 마운트 기판(100) 상부의 중앙 영역(A)을 식각하여 실장용 홈(110)을 형성한다(도 7b).

여기서, 상기 서브 마운트 기판(100)은 실리콘 기판인 것이 바람직하다.

상기 제1 및 제2 관통홀(431)(432)과 상기 실장용 홈(110)은 이방성 습식 식각 공정을 수행하여 형성하는데, 이로써 상기 실장용 홈(110)은 내측면이 중앙을 향하여 경사지게 형성된다.

그리고, 상기 제1 및 제2 관통홀(431)(432)은 상기 서브 마운트 기판(100) 상부에서 하부로 연통되고, 상부에서 중심 영역으로 경사지고, 하부에서 중심 영역으로 경사지게 형성된다.

그 후, 상기 서브 마운트 기판(100) 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 불순물을 주입하고 확산 공정을 수행하여 제2 극성을 갖는 제1 및 제2 확산층(121)(122)을 상호 이격하여 형성한다(도 7c).

이에 대해 자세히 살펴보면, 상기 서브 마운트 기판(100) 전체에 확산 마스크를 증착하고, 확산이 필요한 영역(C1,C2)의 확산 마스크를 패터닝하여 제거한 후, 확산 공정 또는 이온 주입 공정을 수행하여 상기 영역(C1,C2)에 상기 서브 마운트 기판(100)과 반대 극성을 가지는 불순물을 주입한다.

여기서는, 서브 마운트 기판(100) 하부에 상기 서브 마운트 기판(100)과 반 대의 극성을 갖는 제1 및 제2 확산층(121)(122)을 상호 이격하여 형성함으로써, 백투백 제너 다이오드를 형성하였으나, 서브 마운트 기판(100) 하부에 확산층을 하나만 형성함으로써, 역방향으로만 제너 항복이 일어나는 pn 제너 다이오드를 형성할 수도 있다.

이어서, 상기 서브 마운트 기판(100) 전면에 절연막(130)을 형성하고, 상기 실장용 홈(110) 내측면에서 상기 제1 및 제2 관통홀(431)(432) 내부 상측을 감싸고 상기 실장용 홈(110)에서 상호 이격되는 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)을 형성한다(도 7d).

여기서, 상기 절연막(130)은 실리콘으로 이루어지는 상기 서브 마운트 기판(100)과 상기 제1, 제2 전극 라인(141)(142) 및 이후 공정에서 형성될 제1,제2 전극 단자(미도시)와의 전기적 절연을 위한 것이다.

다음으로, 상기 제1,제2 전극 라인(141)(142) 및 제1, 제2 확산층(121)(122)과 연결되도록 상기 제1, 제2 관통홀(431)(432) 내부 하측 및 서브 마운트 기판(100) 하부에 상기 C1,C2 영역 사이의 영역에서 상호 이격된 제1 전극 단자(151) 및 제2 전극 단자(152)를 형성한다(도 7e).

여기서, 상기 제1 전극 단자(151) 및 제2 전극 단자(152)를 형성하기 전에, 상기 C1,C2 영역에 형성된 절연막(130)을 제거하여 상기 제1 및 제2 확산층(121)(122)과 상기 제1 및 제2 전극 단자(151)(152)와의 전기적 연결을 위한 컨택트 홀을 형성한다.

상기 서브 마운트 기판(100) 하부에 있는 제1 및 제2 전극 단자(151)(152)는 상기 서브 마운트 기판(100) 상부에 있는 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)과 상기 제1 및 제2 관통홀(431)(432) 내부에서 각각 전기적으로 연결된다.

연이어, 상기 실장용 홈(110) 내부에 형성된 제1 및 제2 전극 라인(141)(142) 상부에 솔더 패턴(440)을 형성한 후, 상기 솔더 패턴(440)을 이용하여 발광 소자(300)를 상기 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)에 플립칩 본딩한다(도 7f).

즉, 발광 소자(300)를 상기 솔더 패턴(440) 상부에 정렬한 후, 열과 압력을 가하면 상기 솔더 패턴(440)이 용융되어 발광 소자(300)와 접합되게 되고, 다시 온도를 내리면 솔더 패턴(440)이 굳게 되므로 상기 발광 소자(300)와 제1 및 제2 전극 라인(141)(142)이 전기적 및 기계적으로 안정하게 접합되게 된다.

그 후, 상기 서브 마운트 기판(100)을 외부와 전기적으로 연결하기 위한 제1 및 제2 리드(210)(220)와 접합한다(도 7g). 여기서, 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)는 상호 이격되어 있으며, 상기 제1 및 제2 전극 단자(151)(152)와 각각 접합된다.

다음으로, 상기 서브 마운트 기판(100)과, 상기 하부면을 제외한 제1 및 제2 리드(210)(220)와, 상기 발광 소자(300)을 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부(450)를 몰딩(Molding)한다(도 7h).

이때, 수지가 외부 회로와의 전기적 연결을 위한 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)의 하부에 묻는 것을 방지하기 위하여, 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)의 하부면에 테이프를 붙여 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)이 오염되는 것을 방지 한다.

즉, 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)의 하부면을 노출시켜 외부와 전기적으로 연결이 되도록 한다.

이어서, 상기 제1 및 제2 관통홀(431)(432) 내부를 관통하는 수직 선상(D,E)으로 상기 서브 마운트 기판(100)과 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)을 절단하여 낱개의 단일 패키지를 형성한다(도 7i).

도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제1 실시예의 다른 제조방법을 나타낸 단면도이다. 먼저, 도 7a 내지 도 7f의 공정을 수행한 후, 제1 및 제2 관통홀(431)(432) 내부를 관통하는 수직 선상(F,G)으로 서브 마운트 기판(100)을 절단하여 낱개의 서브 마운트 기판(100)을 형성한다(도 8a).

다음으로, 낱개로 절단된 상기 서브 마운트 기판(100) 각각을 제1 및 제2 리드(210)(220)상부에 접합한다(도 8b). 이때, 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)은 제1 및 제2 전극 단자(151)(152) 하부에 각각 접합된다.

그 후, 상기 서브 마운트 기판(100)과, 상기 하부면을 제외한 제1 및 제2 리드(210)(220)와, 상기 발광 소자(300)을 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부(450)를 몰딩(Molding)한다(도 8c). 여기서, 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)의 하부면에 테이프를 붙여 제1 및 제2 리드(210)(220)가 오염되는 것을 방지한다.

이어서, 낱개로 절단된 상기 서브 마운트 기판(100)을 구분하는 수직선상 (F,G)을 기준으로 상기 제1 및 제2 리드(210)(220)을 절단하여 낱개의 단일 패키지를 형성한다(도 8d).

도 7과 도 8의 공정을 비교하여 보면, 도 7의 경우는 웨이퍼 단위로 서브 마운트 기판을 만들고, 이를 웨이퍼 단위의 리드에 접합한 후 절단하여 낱개의 발광 소자 패키지를 만드는 것이고,

도 8의 경우는 웨이퍼 단위의 서브 마운트 기판을 절단하여 낱개의 서브 마운트 기판을 만들고, 이를 웨이퍼 단위의 리드에 접합한 후 절단하여 낱개의 발광 소자 패키지를 만드는 것이다.

도 9a 내지 도 9h는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제3 실시예의 제조방법을 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 먼저 제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판(500) 상부의 중앙 영역을 제외한 영역에 상부 마스크층(810)을 형성하고, 상기 서브 마운트 기판(500) 하부에 하부 마스크층(820)을 형성한다(도 9a).

다음으로, 상기 상부 마스크층(810)으로 노출된 서브 마운트 기판(500) 상부의 중앙 영역을 이방성 습식 식각하여 서브 마운트 기판(500)을 관통하는 실장용 홀(510)을 형성한다(도 9b).

여기서, 상기 서브 마운트 기판(500)은 이방성 습식 식각이 가능한 실리콘 기판인 것이 바람직하다. 상기 실장용 홀(510)은 이방성 습식 식각으로 인하여 내측면이 중심 영역으로 경사지게 형성된다.

그 후, 상기 서브 마운트 기판(500) 하부에 상기 실장용 홀(510)을 사이에 두고 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제1 확산층(521) 및 제2 확산층(522)을 형성한다(도 9c).

여기서, 상기 제1 및 제2 확산층(521)(522)은 상기 제1 극성을 갖는 서브 마운트 기판(500)과 반대 극성을 갖는 불순물을 고농도로 주입하고 확산 공정을 수행하여 형성한다.

여기서는, 서브 마운트 기판(500) 하부에 상기 서브 마운트 기판(100)과 반대의 극성을 갖는 제1 및 제2 확산층(521)(522)을 상기 실장용 홀(510)을 사이에 두고 상호 이격하여 형성함으로써, 백투백 제너 다이오드를 형성하였으나, 서브 마운트 기판(500) 하부에 확산층을 하나만 형성함으로써, 역방향으로만 제너 항복이 일어나는 pn 제너 다이오드를 형성할 수도 있다.

이어서, 상기 서브 마운트 기판(500) 전면에 절연막(530)을 형성하고, 상기 서브 마운트 기판(500) 상부 및 실장용 홀(510)의 내측면에 반사판(540)을 형성한다(도 9d).

다음으로, 상기 제1 및 제2 확산층(521)(522)이 형성된 영역의 절연막(530)을 제거하여 컨택트 홀(Contact Hole)을 형성한 후, 상기 서브 마운트 기판(500) 하부에 상호 이격된 제1 및 제2 전극 단자(551)(552)를 형성한다(도 9e).

그 후, 상기 서브 마운트 기판(500)을 외부와 전기적으로 연결하기 위한 제1 및 제2 리드(610)(620)와 접합한다(도 9f). 여기서, 상기 제1 및 제2 리드(610)(620)는 상호 이격되어 있으며, 상기 제1 및 제2 전극 단자(551)(552) 하부에 각각 접합된다.

이어서, 상기 제1 리드(610) 상부에 발광 소자(700)를 다이본딩하고, 상기 발광 소자(700)의 한 전극을 제1 본딩 와이어(711)를 이용하여 제2 리드(620)과 와이어 본딩한 후, 상기 발광 소자(700)의 다른 전극을 제2 본딩 와이어(712)를 이용하여 제1 리드(610)과 와이어 본딩하여 전기적으로 연결한다(도 9g).

다음으로, 상기 서브 마운트 기판(500)과, 하부면을 제외한 상기 제1 및 제2 리드(610)(620)와, 상기 발광 소자(700)를 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부(450)를 몰딩한다(도 9h).

이때, 상기 제1 및 제2 리드(610)(620)의 하부면에 테이프를 붙여 제1 및 제2 리드(610)(620)이 오염되는 것을 방지한다.

즉, 상기 몰딩 공정 후, 상기 상기 제1 및 제2 리드(610)(620)의 하부면이 노출되도록 하여 외부와 전기적으로 연결되도록 한다.

한편, 상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.

본 발명에 의하면, 서브 마운트 기판 하부에 상기 서브 마운트 기판과 반대의 극성을 가지는 확산층을 형성하여 상기 확산층과 서브 마운트 기판으로 이루어진 제너 다이오드를 만듦으로써, 발광 소자를 정전기 또는 역전압으로부터 보호하 기 위한 보호용 소자를 별도로 제작할 필요가 없으며, 이를 수용하기 위한 공간을 줄일 수 있고, 접합 공정 및 와이어 본딩 공정을 줄일 수 있으므로 제조 공정이 단순해지고 제조 비용을 절감할 수 있게 된다.

그리고, 발광 소자가 내측면에 일정한 경사를 가지고 있고 상기 내측면에 반사율이 높은 금속으로 이루어지는 제1 및 제2 전극 라인이 형성된 실장용 홈에 실장되기 때문에, 상기 발광 소자의 활성층에서 발생한 빛을 전면으로 반사시켜 줄 수 있게 되며, 이로써 발광 소자의 발광 효율이 향상된다.

또한, 서브 마운트 기판 하부에 제1 및 제2 리드를 접합하여 서브 마운트 기판과 인쇄 회로 기판과의 거리를 멀리 떨어지게 할 수 있으므로, 상기 서브 마운트 기판과 인쇄 회로 기판 상의 전극과의 단락을 없앨 수 있다.

Claims

제1 극성을 가지며, 상부면 중앙 영역에 실장용 홈이 형성되어 있고, 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제1 확산층이 형성되어 있고, 상기 제1 확산층 및 상기 제1 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홈 내측면에서 측면을 감싸는 제1 및 제2 전극 라인이 상기 실장용 홈에서 상호 이격하여 형성되어 있고, 상기 제1 전극 라인 및 제1 확산층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 단자와 상기 제2 전극 라인 및 상기 제1 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역과 전기적으로 연결되는 제2 전극 단자가 하부에 상호 이격하여 형성되어 있는 서브 마운트 기판과;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자와 각각 접합되는 제1 및 제2 리드와;

상기 서브 마운트 기판의 실장용 홈에 상호 이격되어 있는 제1 및 제2 전극 라인에 플립칩 본딩되는 발광소자를 포함하여 이루어지는 발광 소자 패키지.
제1항에 있어서, 상기 제1 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역에 형성되며, 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제2 확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
제1 극성을 가지며, 중앙 영역에 실장용 홀이 형성되어 있고, 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제1 확산층이 형성되어 있고, 상기 제1 확산층 및 상기 제1 확산층과 상기 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홀의 내측면에서 상부면을 감싸며 반사판이 형성되어 있고, 상기 제1 확산층 및 상기 제1 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자를 구비하는 서브 마운트 기판과;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자와 각각 접합되는 제1 리드 및 제2 리드와;

상기 제2 리드 상부에 다이본딩되며, 제1 본딩 와이어 및 제2 본딩 와이어를 통하여 제1 리드 및 제2 리드와 각각 와이어 본딩되는 발광 소자를 포함하여 이루어지는 발광 소자 패키지.
제3항에 있어서, 상기 제1 확산층과 상기 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역에 형성되며, 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 제2 확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 서브 마운트 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 극성은 n 타입이 며, 상기 제2 극성은 p 타입인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 서브 마운트 기판, 하부면을 제외한 상기 제1 및 제2 리드, 상기 발광 소자를 감싸며 형성되고, 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
제1 극성을 가지며, 상부면 중앙 영역에 실장용 홈이 형성되어 있고, 하부에 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홈 내측면에서 측면을 감싸는 제1 및 제2 전극 라인이 상기 실장용 홈에서 상호 이격하여 형성되어 있고, 상기 제1 전극 라인 및 활성층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 단자와 상기 제2 전극 라인 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역과 전기적으로 연결되는 제2 전극 단자가 하부에 상호 이격하여 형성되어 있는 서브 마운트 기판을 만드는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자를 통하여 제1 및 제2 리드를 각각 접합하는 단계; 및

상기 서브 마운트 기판의 실장용 홈에 상호 이격되어 있는 제1 및 제2 전극 라인에 발광 소자를 플립칩 본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 발광 소자를 플립칩 본딩한 후, 상기 서브 마운트 기판과, 하부면을 제외한 상기 제1 및 제2 리드와, 상기 발광 소자를 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부를 몰딩(Molding)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 서브 마운트 기판을 만드는 단계는,

제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판 상부의 중앙 영역과 그 중앙 영역 양측으로부터 각각 이격된 제1 및 제2 영역들을 제외하고 서브 마운트 기판 상부에 상부 마스크층을 형성하고, 상기 제1 및 제2 영역들과 대응되는 서브 마운트 기판 하부의 제3 및 제4 영역들을 제외하고 서브 마운트 기판 하부에 하부 마스크층을 형성하는 단계;

상기 상부 마스크층 및 하부 마스크층으로 노출된 상기 서브 마운트 기판의 제1 내지 제4 영역들을 식각하여 제1 및 제2 관통홀을 형성하고, 상기 서브 마운트 기판 상부의 중앙 영역을 식각하여 실장용 홈을 형성하는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층을 형성하는 단계;

상기 서브 마운트 기판 전면에 절연막을 형성한 후, 상기 실장용 홈 내측면에서 상기 제1 및 제2 관통홀 내부 상측을 감싸고 상기 실장용 홈에서 상호 이격되는 제1 및 제2 전극 라인을 형성하는 단계; 및

상기 제1 전극 라인 및 활성층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 단자와 상기 제2 전극 라인 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역과 전기적으로 연결되는 제2 전극 단자를 하부에 상호 이격하여 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제10항에 있어서, 상기 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자는 상기 확산층 및 상기 확산층과 상호 이격되어 하부에 위치하는 소정 영역에 형성된 절연막을 제거한 후 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제1 극성을 가지며, 중앙 영역에 실장용 홀이 형성되어 있고, 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 상기 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역을 제외한 영역에 절연막이 형성되어 있고, 상기 실장용 홀의 내측면에서 상부면을 감싸며 반사판이 형성되어 있고, 상기 확산층 및 상기 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자를 구비하는 서브 마운트 기판을 만드는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 및 제2 전극 단자를 통하여 제1 리드 및 제2 리드를 각각 접합하는 단계; 및

상기 제2 리드 상부에 발광 소자를 다이본딩하고, 상기 발광 소자를 제1 본딩 와이어 및 제2 본딩 와이어를 통하여 제1 리드 및 제2 리드와 각각 와이어 본딩 하는 단계를 포함하여 이루어지는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 발광 소자를 다이본딩 및 와이어 본딩한 후, 상기 서브 마운트 기판과, 하부면을 제외한 상기 제1 및 제2 리드와, 상기 발광 소자를 감싸며 형광체가 분산된 수지로 이루어지는 몰딩부를 몰딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 서브 마운트 기판을 만드는 단계는,

제1 극성을 가지는 서브 마운트 기판 상부의 중앙 영역을 제외한 영역에 상부 마스크층을 형성하고, 상기 서브 마운트 기판 하부에 하부 마스크층을 형성하는 단계;

상기 상부 마스크층으로 노출된 서브 마운트 기판 상부의 중앙 영역을 식각하여 상기 서브 마운트 기판을 관통하는 실장용 홀을 형성하는 단계;

상기 서브 마운트 기판 하부에 상기 제1 극성과 반대의 제2 극성을 갖는 확산층을 형성하는 단계;

상기 서브 마운트 기판 전면에 절연막을 형성한 후, 상기 서브 마운트 기판 상부 및 실장용 홀의 내측면에 반사판을 형성하는 단계;

상기 확산층 및 상기 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역과 각각 전기적으로 연결되며 상호 이격된 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 제1 전극 단자 및 제2 전극 단자는 상기 확산층 및 상기 확산층과 실장용 홀을 사이에 두고 하부에 위치하는 소정 영역에 형성된 절연막을 제거한 후 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제 8항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 상기 서브 마운트 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
제 8항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 극성은 n 타입이며, 상기 제2 극성은 p 타입인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.