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KR100673616B1 - 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘웨이퍼 - Google Patents

웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘웨이퍼 Download PDF

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KR100673616B1
KR100673616B1 KR1020050117648A KR20050117648A KR100673616B1 KR 100673616 B1 KR100673616 B1 KR 100673616B1 KR 1020050117648 A KR1020050117648 A KR 1020050117648A KR 20050117648 A KR20050117648 A KR 20050117648A KR 100673616 B1 KR100673616 B1 KR 100673616B1
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KR
South Korea
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wafer
power supply
semiconductor
power
silicon wafer
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KR1020050117648A
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안효준
김기원
안주현
남태현
조권구
신휘범
최현칠
조규봉
김태범
류호석
신원철
김종선
Original Assignee
경상대학교산학협력단
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Priority to US12/089,880 priority patent/US7915725B2/en
Priority to PCT/KR2006/004154 priority patent/WO2007066886A1/en
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 종래 활용되지 않는 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치를 제조함으로서 칩 자체에 전원을 갖출 수 있으므로 반도체칩의 전력원으로 사용될 수 있게 되어 반도체칩의 효율을 배가시킬 수 있고 또한 반도체칩이 아니라 웨이퍼에 전원공급장치를 설치함으로써 제조공정이 매우 간단하고 어떤 형태의 칩에도 전지를 장착할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 반도체, 전원공급장치, 전지, 캐패시터

Description

웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼{Silicon wafer for semiconductor with powersupply system on the backside of wafer}
도 1A는 본 발명에서 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 박막공정에 의하여 부착되도록 제작된 실리콘 웨이퍼의 단면도를 나타낸다.
도 1B는 도 1A의 실리콘 웨이퍼를 "가" 방향으로 본 평면도를 나타낸다.
도 1C는 도 1A의 "나" 부분을 확대하여 나타낸 것이다.
도 2A는 도 1의 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩 형태로 제조한 후의 모습을 간략히 나타낸 평면도이다.
도 2B는 도 2A의 "다" 부분을 확대하여 나타낸 것이다.
도 2C는 도 2B의 "라" 단면을 확대하여 보여주는 것이다.
도 3A는 전지와 커패시터를 동시에 사용하는 일례의 단면도이다.
도 3B는 전지와 커패시터를 동시에 사용하는 일례의 단면도이다.
도 3C는 본 발명 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 실리콘 웨이퍼에서 가변회로를 통한 에너지 이동을 간략히 나타낸 것이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 웨이퍼 2: 전원공급장치
2-1: 전지 2-2: 커패시터
2e: 양극 2c: 음극
2d: 전해질 2a 2a': 절연막
2b, 2b': 집전체 3: 절연층
4: 반도체 칩 5: 파워링
7: 전압/전류 가변회로부 9: 폴리이미드 보호층
10a, 10b: 플러그 11: 전원변환장치
12a, 12b, 12c: Variable Power Circuit
본 발명은 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치(electric power supply)를 부착하여 칩 자체에 전원을 갖출 수 있게 하여 전지 내 반도체칩의 전력원으로 사용되어 전원공급이 반도체 디바이스 내에서 이루어질 수 있도록 한 반도체용 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다.
현재의 반도체칩은 전원(power source)은 외부의 전지나 AC전원에 의존하여 작동한다. 반도체칩에 외부 전원을 받아들여 사용하는 장치가 있지만, 반도체칩이 필요한 전원은 전적으로 외부에서 의존하며, 자체적인 전기공급원은 없다. 자체 전원이 있으면, 메모리, 비메모리의 모든 반도체칩의 표준전원, 백업(backup)전원, 대기 전원으로 사용이 가능하다. 특히, 자체전원을 필요로 하는 능동형RFID, SOC(system on a chip), LOC(lab. on a chip), 태양전지등에 활용될 수 있다. 현재는 반도체칩에 사용되는 전원으로, 박막형태의 전지에 대한 개념만 정립되었을 뿐, 반도체내에서의 전원에 대한 보고가 없는 실정이다. 따라서, 전원을 공급할 수 있는 장치를 반도체칩 자체에 내장할 수 있는 시스템 및 개념이 필요하며, 특히 쉽게 제조할 수 있는 공정을 확립하는 것이 필요하다.
현재 반도체 디바이스는 실리콘 웨이퍼의 앞면(front side)에 각종 트랜지스터, 저항, 커패시터를 제조하여 사용하고 있으나, 실리콘 웨이퍼의 뒷면(back side)는 특별한 기능을 부여하지 않고, 단지 지지체로서만 사용하고 있다.
기존의 박막전지 형성방법은 반도체공정 진행시에 전지(battery) 영역을 패터닝(patterning)하고, 증착 및 식각을 하여 제조하게 된다. 따라서, 포토 리소그라피(photo lithography)에 따른 제조비용의 상승 및 전지 소재의 고온열처리에 따른 열수지(heat budget)으로 인한 반도체특성변화의 문제점을 안고 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 상기와 같이 활용되지 않는 웨이퍼의 뒷면, 특히 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치(electric power supply)를 부착하여 칩 자체에 전원을 갖출 수 있게 하여 전지 내 반도체칩의 전력원으로 사용되어 전원공급이 반도체 디바이스 내에서 이루어질 수 있도록 한 것이다.
따라서, 본 발명은 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 상기 목적은 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치(electric power supply)를 부착하여 칩 자체에 전원을 갖출 수 있게 하여 전지 내 반도체칩의 전력원으로 사용되어 전원공급이 반도체 디바이스 내에서 이루어질 수 있도록 함으로써 달성하였다.
이하 본 발명의 구성을 설명한다.
본 발명은 웨이퍼(wafer)의 뒷면(backside)에 전원공급장치(electric power supply)가 부착되어 있는 실리콘 웨이퍼를 제공한다.
본 발명에서 상기 실리콘 웨이퍼는 반도체용 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 발명에서 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치(electric power supply)가 부착됨으로써 칩 자체에 전원을 갖출 수 있게 하여 전원공급이 반도체 디바이스 내에서 이루어질 수 있도록 한 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있다.
본 발명이 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치 즉, 전원공급시스템이 부착되도록 실리콘 웨이퍼를 제공함에 따라 웨이퍼를 절단하여 칩으로 가공시에 전원일체형 칩으로 제조될 수 있는 특징을 가진다.
본 발명에서 웨이퍼라 함은 통상의 웨이퍼를 모두 포함하는 것으로 특히 반도체 웨이퍼가 바람직하다. 통상의 웨이퍼 종류로는 단결정실리콘 웨이퍼, 다결정 실리콘웨이퍼, GaAs 웨이퍼 등이 있다.
본 발명에서 뒷면(backside)이라 함은 웨이퍼의 뒷면(backside)을 일컸는 것 으로, 트랜지스터, 캐패시터, 저항 등이 적층되어 있는 전면(frontside)의 반대면을 말한다.
본 발명에서 전원공급시스템(electric power source)은 전기에너지를 저장 및 변환할 수 있는 시스템을 통칭한다. 특히, 통상의 전지(battery), 커패시터(capacitor), 연료전지 등을 지칭한다. 이 같은 전원공급장치를 웨이퍼 뒷면에 단독으로 제작하거나, 2종류 이상의 전원공급장치를 복합적으로 설치할 수도 있다.
본 발명에서 전원공급시스템과 웨이퍼(반도체 device)는 서로 분리되지 않고 하나의 웨이퍼(특히, Silicon 기판)를 사이에 두고 있는 구조를 가진다.
본 발명에서 전지의 전기를 공급하는 통로는 플러그를 사용한다. 플러그는 반도체 웨이퍼의 전면으로부터 콘택트홀(contact hole)을 식각하여 금속(metal)을 매립하여 형성한다. 이때 사용되는 금속으로는 Cu, Ni, W, Ti, Ta, Pt, Ru, Au 등을 포함한다.
본 발명에서 전원공급장치에 충전된 전기는 플러그를 통해 전원변환장치로 보내지고 다시“Variable Power Circuit"를 통해 반도체 칩 내부로 공급된다. 이렇게 함으로써 전기를 직적접으로 공급하지 않고 가변회로를 거쳐서 공급하게 된다.
본 발명에서 전원공급장치의 (+) 플러그는 전원변환장치의 양극(cathode)에 연결이 되고, (-) 플러그는 전원변환장치의 음극(anode)에 연결되는 구조를 가지며, 이렇게 연결된 전원변환장치는“Variable Power Circuit"에 연결된다.
본 발명에서 “variable power circuit"은 에너지 변환장치의 전압(Voltage) 및 전류(Current)를 원하는 전압 및 전원으로 바꿔주는 가변회로 및 반도체 device 를 보호하는 ESD(Electro Static Discharge) protection circuit으로 구성된다.
본 발명에서 상기 전지, 커패시터 및 연료전지는 양극, 음극, 전해질, 보호피막으로 이루어진 통상의 전지이다. 전지의 형상은 모든 형태가 가능하며, 특히 전극(양극, 음극)과 전해질이 모두 고체로 이루어진 전지를 말하며, 재료로는 금속, 세라믹, 고분자로 구성된다. 또한, 전지, 커패시터, 연료전지의 형상은 박막(thin film)형태 혹은 3차원의 미세구조(3 dimentional micro structure)를 가질 수 있다.
전지의 화학조성은 통상의 전지 화학조성을 사용한다. 바람직한 예로는 리튬전지(리튬이온전지, 리튬폴리머전지, 리튬황전지 등), 나트륨전지, 알칼라인전지, Ni/MH전지, Ni/Cd전지 등을 말한다. 커패시터는 통상적인 커패시터를 말하며, 슈퍼커패시터도 포함된다.
실리콘 웨이퍼의 뒷면에 전지의 제조는 전극이나 절연막, 집전체 등의 진공증착과정이나 전기화학적도금을 통하여 할 수 있다. 진공증착과정은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 진공증착법(evaporation) 등과 플라즈마, 레이저 등과 혼합된 일반적으로 일컬어지는 모든 방법이 가능하다. 전지의 형태는 절연막, 음극, 전해질,양극, 절연막 혹은 보호막으로 이루어진다.
본 발명은 웨이퍼 뒷면(wafer backside)의 전원공급장치의 전원을 반도체 소자에 공급하기 위하여, 웨이퍼의 앞면(wafer front side)로부터 웨이퍼의 뒷면(wafer back side)까지 식각(etch)하여 플러그(Plug) 형태로 양극과 음극 혹은 집 전체에 도선을 연결하는 방법을 제공한다.
본 발명에서 전기를 외부로부터 전원공급장치에 충전할 때는 "power ring"의 형태로 반도체칩(chip) 외곽을 따라서 파워선(power Line)을 형성하고 반도체칩(chip) 외곽에서 안쪽으로 전원을 공급하는 방식을 제공한다.
본 발명은 또한 반도체소자 및 전원공급장치를 동시에 polyimide로 패키징(packaging)하여 이들을 보호하는 방법을 제공한다.
본 발명에서 웨이퍼의 뒷면에 전원 공급 장치가 장착된 웨이퍼(wafer)를 사용하면, 부가적으로 전지 부분을 패터닝(patterning) 할 필요가 없기 때문에, 제조공정이 간단하고, 열수지(heat budget)의 부담을 없애주게 된다.
또한, 웨이퍼 레벨(wafer level)로 전지가 만들어지기 때문에 어떤 형태의 칩에도 전지를 장착할 수 있는 장점이 있다. 예를 들면, 반도체디바이스(메모리반도체, 비메모리반도체), RFID, 태양전지, SOC, LOC 등에 활용될 수 있다.
이하 본 발명의 구체적인 구성 및 작용에 대하여 하기 도면을 참조로 자세하게 설명하기로 한다.
도 1A는 본 발명에서 웨이퍼(1) 뒷면에 전원공급장치(2)가 박막공정에 의하여 부착되도록 제작된 실리콘 웨이퍼의 단면도를 나타낸다.
도 1B는 도 1A의 실리콘 웨이퍼를 "가" 방향으로 본 평면도를 나타낸다.
도 1C는 도 1A의 "나" 부분을 확대하여 나타낸 것이다.
이 때 상기 전원공급장치(2)의 종류로는 통상의 전기를 저장하거나 공급할 수 있는 에너지 저장 및 변환장치가 사용될 수 있다. 예를 들면, 2차 전지, 마이크로 연료전지(micro fuel cell), 커패시터(capacitor) 등이 해당된다. 이 같은 전원공급장치를 웨이퍼 뒷면에 단독으로 제작하거나, 2종류 이상의 전원공급장치를 복합적으로 설치할 수도 있다. 예를 들면, 웨이퍼 뒷면에 2차 전지나 커패시터, 마이크로 연료전지를 단독으로 제작할 수 있고, 혹은 2차 전지와 커패시터, 마이크로 연료전지와 2차 전지를 동시에 설치할 수도 있다.
도 1C를 통해 알 수 있듯이, 전원공급장치(2)는 양극(2e), 음극(2c), 전해질(2d)로 구성되는 3층의 박막형태로 제조할 수도 있고, 또는 막대형 전극과 고체전해질 등의 3차원 형태의 미세구조(3 dimentional micro structure)를 가질 수 있다. 이때 웨이퍼(1) 앞면에 있는 반도체디바이스 부분과 전원공급장치(2)와는 전기적으로 절연이 되어야 하며, 또한 전지 내의 전기화학반응에 참여하는 이온이 이동되어서는 안된다. 따라서 전원공급장치(2)와 반도체 앞면 사이에는 절연막(2a 2a')을 생성하며, 그 재료로는 절연체이면서 결정구조가 조밀한 물질이 모두 가능하며, 특히 SiO, SiO2, SiN, SiON 등이 더욱 바람직하다. 또한 절연막(2a)과 음극(2c), 그리고 절연막(2a')과 양극(2e) 사이에는 집전체(2b, 2b')가 각각 존재한다.
도 2A는 도 1의 웨이퍼(1)를 절단하여 반도체 칩(4) 형태로 제조한 후의 모습을 간략히 나타낸 평면도이다.
도 2B는 도 2A의 "다" 부분을 확대하여 나타낸 것이다.
도 2C는 도 2B의 "라" 단면을 확대하여 보여주는 것이다.
전원공급장치(2)의 외부에는 보호 피막 코팅을 하여서, 수분과 공기를 차단하여야 하며, SiO, SiO2, SiN, SiON, 폴리머(Polymer), 산화물 등이 보호 피막용 물질로서 사용가능하다. 또한 반도체칩(4)을 만든 후에는 폴리이미드(polyimide) 등으로 보호층(9)을 두도록 패키징하여 사용한다.
전원공급장치(2)의 전기를 반도체칩(4)에 공급하는 통로는 플러그(10a, 10b)를 사용한다. 플러그(10a, 10b)는 반도체 웨이퍼(1)의 전면으로부터 콘택트홀(contact hole)을 식각하여 도전성 물질을 매립하여 형성한다. 이때 사용되는 도전성 물질은 순금속 및 합금류, 전도성 고분자 등이 해당된다. 금속은 금속결합을 하는 모든 금속을 칭하며, 특히 Cu, Ni, W, Ti, Ta, Pt, Ru, Au 등을 지칭한다.
반도체 전면에 전원공급장치(2)의 전기를 반도체 칩(4) 내에 공급하는 통로로서 전압/전류 가변회로부(7)을 구비한다. 상기 전압/전류 가변회로부(7)는 전원변환장치(11)와 Variable Power Circuit(12a, 12b, 12c)을 포함한다.
전원공급장치(2)의 양극(2e)과 음극(2c)을 연결할 수 있는 전원변환장치(11)를 상기 전압/전류 가변회로부(7) 내에 설치하며, 양극 플러그(10a)는 전원변환장치(11)의 양극(cathode)에 연결이 되고, 음극 플러그(10b)는 전원변환장치의 음극(anode)에 연결되는 구조이다. 이렇게 연결된 전원변환장치(11)는 Variable Power Circuit(12a, 12b, 12c)에 연결된다. Variable Power Circuit란 에너지 변환장치의 전압(Voltage) 및 전류(Current)를 원하는 전압 및 전원으로 바꿔주는 가변회로 및 반도체 device를 보호하는 ESD(Electro Static Discharge) 보호 회로(protection circuit)로 구성되어 있다.
실리콘 웨이퍼(silicon wafer)(1) 뒷면(backside)에 전원공급장치(2)를 제조하는 공정은 다음과 같다. 전극이나 절연막(2a, 2a'), 집전체(2b, 2b') 등은 진공증착과정이나 전기화학적도금을 통하여 제조한다. 진공증착과정은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착법(chemical vapor deposition), 진공증착법(evaporation) 등과 플라즈마, 레이저 등과 혼합된 일반적으로 일컬어지는 모든 방법이 가능하다.
우선, 실리콘 웨이퍼(1) 뒷면에 절연막(2a, 2a')을 증착한다. 이때, 절연막(2a, 2a')은 SiN, SiO2, 등 전기적으로 절연되어야 하며, 이온이 이동해서도 안된다. 절연막(2a, 2a') 위에 음극 집전체(2b)를 증착한다. 집전체 물질로는 알루미늄, 구리, 금, 은 등의 전기전도성 물질을 사용한다. 상기 음극 집전체(2b) 위에 음극(anode)(2c)을 증착한다. 음극(2c)은 전지에 통상적으로 사용되는 물질을 박막형태로 사용한다. 예를 들면, 니켈/수소전지에서는 수소저장합금(metal hydride)전극, 리튬전지에서는 탄소전극이나 리튬화합물(리튬금속, 리튬합금 등) 등이다. 음극(2c)의 증착 후에는 고체 전해질(2d)을 증착한다. 고체 전해질(2d)은 통상의 고체상태의 전해질을 말하며, 무기물계통인 LiPON, 리튬산화물, 질화물 등이 가능하며, PEO, PMMA 등 고분자 전해질도 가능하다. 무기물계는 통상의 박막증착방법인 진공증착법이나 전기화학적 도금을 사용할 수 있으며, 고분자 전해질은 스핀코팅법 도 가능하다. 전해질(2d) 위에는 양극(2e)을 증착하는데 양극 재료로는 리튬산화물(LiCoO2, LiMnO2 등), 리튬황화물(Li2S, LiFeS2 등), 황화물(FeS2, NiS 등) Ni(OH)2 등 통상의 양극 재료가 가능하다.
도 3A는 전지(2-1)와 커패시터(2-2)를 동시에 사용하는 일례의 단면도이다.
도 3B는 전지(2-1)와 커패시터(2-2)를 동시에 사용하는 일례의 단면도이다.
도 3C는 본 발명 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 실리콘 웨이퍼에서 가변회로를 통한 에너지 이동을 간략히 나타낸 것이다.
본 발명에서는 전지(2-1) 위에 절연층(3)을 코팅한 후 커패시터(2-2)를 증착하는 것이 가능하며, 전지(2-1)와 커패시터(2-2)를 전기적으로 연결하며, 전기적으로 연결하는 것은 플러그를 사용한다. 또한 층층으로 전지(2-1)와 커패시터(2-2)를 증착하여도 된다(도 3B).
반도체 디바이스가 낮은 파워를 요구되면 전지(2-1)를, 큰 파워를 요구할 땐, 커패시터(2-2)를 사용하면 된다.
웨이퍼(1) 뒷면의 전원공급장치(2)의 전원을 반도체 소자에 공급하기 위하여, 전선이 연결되어야 하는데, 웨이퍼(1)의 앞면(front side)으로부터 웨이퍼의 뒷면(back side)까지 식각(etch)하여 플러그(Plug)(10a, 10b) 형태로 양극(2e)과 음극(2c) 혹은 집전체(2b, 2b')에 도선을 연결하는 방법이 가능하다(도 2C 참조).
특히, 본 발명에서는 웨이퍼(1) 뒷면의 전원을 웨이퍼(1) 앞면에 공급할 때, 직접적으로 공급하지 않고 전압/전류 가변회로부(7)를 거쳐서 공급하는 방법을 사 용한다. 여기서 가변회로부(7)란, 전원공급장치(2)의 전압 및 전류를 변화시키는 기능을 하는 회로 전원변환장치(11)와 Variable Power Circuit을 포함한다. 가변회로부(7)에서 반도체 디바이스(Device)로 전원이 공급될 때, 파워링("power ring")(5)의 형태로, 반도체칩(chip)(4) 외곽을 따라서 파워선(power Line)을 형성하고, 반도체 칩(chip)(4) 외곽에서 안쪽으로 전원이 공급되는 형태가 가능하다. 또한, 외부로부터 전기를 전원공급장치에 충전할 때에도 상기 파워링을 통해서 충전이 된다. 이는 가변회로부와 충전 패드(PAD)가 파워링에 모두 묶여 있기 때문이다. 충전시에 파워링에 높은 전압이 걸리더라도 소자가 깨지지 않는데 이는 일반적으로 파워링에서 소자로 들어가는 부분에 상기 문제점을 보완할 장치가 구비되어 있기 때문이다.
아울러, 본 발명은 도체 소자 및 전원공급장치(2)를 동시에 보호층(polyimide 등의 고분자 물질이 가능함)(9)으로 패키징하는 공정을 포함한다.
이상 상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 웨이퍼 뒷면에 전원공급장치가 내장된 반도체용 실리콘 웨이퍼에 관한 것으로, 종래 활용되지 않는 웨이퍼의 뒷면에 전원공급장치를 제조함으로서 칩 자체에 전원을 갖출 수 있으므로 반도체칩의 전력원으로 사용될 수 있게 되어 반도체칩의 효율을 배가시킬 수 있고 또한 반도체칩이 아니라 웨이퍼에 전원공급장치를 설치함으로써 제조공정이 매우 간단하고 어떤 형태의 칩에도 전지를 장착할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있으므로 전기 전자기구 산업상 매우 유용한 것이다.

Claims (7)

  1. 반도체용 실리콘 웨이퍼(wafer)에 있어서, 상기 웨이퍼의 뒷면(backside)에 전원공급장치(electric power supply)가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체용 실리콘 웨이퍼는 상기 웨이퍼의 전면에 위치하여 전원을 공급하는 역할을 하는 가변회로부와, 상기 전원공급장치로부터 상기 가변회로부로 연결되는 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전원공급장치는 전지, 커패시터 및 연료 전지로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상임을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 플러그는 웨이퍼의 전면으로부터 콘택트홀을 식각하여 금속을 매립하여 형성함을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 금속은 Cu, Ni, W, Ti, Ta, Pt, Ru, Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 가변회로부에서의 전원 공급은 파워링(power ring)의 형태로 반도체 칩 외곽을 따라서 파워선을 형성하고 반도체칩 외곽에서 안쪽으로 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 선택되는 어느 한 항 기재의 반도체용 실리콘 웨이퍼 외부 전체를 폴리이미드(polyimide)로 패키징함을 특징으로 하는 반도체용 실리콘 웨이퍼.
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