KR100648813B1 - 수직형 발광소자 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 상호 이격되도록 형성시킨 복수개의 버퍼층들 상부에만 질화갈륨(GaN)계 발광소자 구조물들이 성장되도록 함으로써, 질화갈륨(GaN) 반도체층의 결정 결함 및 격자 부정합 정도를 감소시켜 고품질의 질화갈륨(GaN) 박막 및 발광소자를 얻을 수 있고, 종래의 소자 단위로 아이솔레이션(Isolation) 하기 위한 별도의 식각 공정을 필요로 하지 않으며, 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO) 등의 습식 식각(Wet Etching)을 통해서 기판의 분리가 용이한 장점이 있다.

또한, 본 발명은 복수개의 버퍼층들 측면을 복수개의 돌출부 형상으로 형성함으로써, 광이 생성되는 활성층을 포함하는 발광구조물의 측면에도 돌출부 형상이 전이되도록 하여, 발광구조물의 측면으로 방출되는 광의 반사 및 굴절 효율을 향상시키고, 결과적으로 수직형 발광소자의 광 추출 및 광 출력 효율을 향상시키는 효과가 있다.

버퍼층, 산화아연, ZnO, 수직형, 발광소자

Description

수직형 발광소자 제조방법{Method Of Fabricating Vertical Type Light Emitting Device}

도 1a 내지 도 1h는 일반적인 수직형 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도.

도 2은 일반적인 발광구조물의 구조를 설명하기 위한 단면도.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 바람직한 일 실시 예로써, 수직형 발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도.

도 4는 도 3g에 도시된 수직형 발광소자의 개략적인 사시도.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 측면에 복수개의 돌출부가 형성되어 있으며, 상호 이격된 복수개의 버퍼층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도.

도 6a 내지 도 6c는 각각 도 5a 내지 도 5c의 사시도.

<도면의 주요부분에 대한 설명>

100, 200. 기판 110, 110ab, 210, 210ab. 버퍼층

120, 120ab, 220, 220ab. 발광구조물 121. n-반도체층

122. 활성층 123. p-반도체층

130, 130ab, 230, 230ab. 전류확산층 140, 140ab, 240, 240ab. 지지대

150ab, 250ab. 전극층 215ab. 마스크층

본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 단위 소자 크기로 아이솔레이션(Isolation)하기 위한 식각 공정이 필요없고, 기판 상부에 단위 소자 크기로 형성되어진 복수개의 버퍼층 상부에 발광구조물을 성장시킴으로써 반도체층의 결정결함을 줄일 수 있는, 광 추출 및 광 출력 효율이 향상된 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

질화갈륨(GaN)계 질화물 반도체는 청색, 백색 발광 다이오드나 레이저 다이오드에 적용되어 가정용 형광등, 조명분야에의 응용을 위한 다양한 고휘도 발광소자로서 구현되고 있으며, 고주파, 고온, 고출력 동작이 가능하여 이종접합 전계 효과 트랜지스터등과 같은 전자 소자에 이용되고 있는 매우 다양한 응용을 가지는 광전 소재이다.

이하, 도면을 참조하여 종래의 일반적인 수직형 발광소자 제조방법을 개략적으로 설명한다.

도 1a 내지 도 1h는 일반적인 수직형 발광소자 제조방법에 관한 개략적인 단 면도이다.

도 1a는 기판(100) 상부에 버퍼층(110)을 형성한 단계를 나타낸다.

이때, 상기 기판(100)은 일반적으로 질화갈륨(GaN)계 에피층을 성장시키기 좋은 사파이어 기판을 주로 사용한다.

그리고, 상기 버퍼층(110)은 후속 성장시키는 반도체층 물질과 상기 기판과의 물리적 특성 차이로 인한 반도체층의 결정결함을 줄여 발광소자의 품질을 향상시키기 위해 형성하는 것이다.

한편, 상기 버퍼층(110)으로는 일반적으로 금속 질화막을 사용하는데, 이러한 금속 질화막 상부에 성장시킨 질화갈륨(GaN) 반도체층은 결정결함이 크다는 단점이 있다.

도 1b는 버퍼층(110) 상부에 발광구조물(120)을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 발광구조물(120)은 도 2에 도시된 바와 같이, n-반도체층(121), 활성층(122), p-반도체층(123)이 순차적으로 적층되어 이루어진다.

이때, 상기 n 또는 p 반도체층(121, 123)은 질화갈륨(GaN) 반도체층인 것이 바람직하다.

또한, 상기 활성층(122)은 다중 양자 우물 구조로 만들어지는 것이 바람직하다.

도 1c는 발광구조물(120) 상부에 전류확산층(130)을 형성한 단계를 나타낸 다.

여기서, 발광구조물(120) 상부란, 앞에서 설명한 바와 같이, 발광구조물(120)을 이루고 있는 층들 가운데 제일 상부에 위치하는 상기 p-반도체층 상부를 말한다.

도 1d는 전류확산층(130) 상부로부터 버퍼층(110)까지 식각 공정 등을 통해 단위 소자 크기의 복수개 구조물들로 아이솔레이션(Isolation) 시킨 단계를 나타낸다.

상기 아이솔레이션(Isolation)은 건식 식각(Dry Etching) 공정을 통해 수행하는데, 건식 식각 공정은 일반적으로 여러 가지 복잡한 공정들을 요구한다는 단점이 있다.

도 1e는 단위 소자 크기로 나뉘어진 복수개의 전류확산층(130a, 130b)들 각각의 상부에 일체로 연결되어진 지지대(140)를 부착시킨 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 지지대(140)는 이후 공정인 기판 제거 후에도 웨이퍼 단위 형태의 공정을 수행하는데 있어서, 복수개의 구조물들이 해체되지 않고 핸들링(Handling)이 가능하도록 제거되는 상기 기판(100)을 대신하여 보조 기판으로서의 역할을 한다.

그리고, 웨이퍼 단위의 모든 공정을 마치고 상기 지지대(140)가 각 발광소자들의 상부 전극으로서 역할을 할 수 있도록 상기 전류확산층(130a, 130b) 상부 영 역에만 남기고 식각한다.

따라서, 상기 지지대(140)는 전도성 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.

도 1f는 복수개의 버퍼층(110a, 110b)들 하부로부터 기판을 제거하고, 이어서 복수개의 발광구조물(120a, 120b)들 하부로부터 버퍼층(110a, 110b)들을 제거한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 기판(100)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 방법을 통해 제거한다.

그런데, 이와 같은 기판 제거 방법은 공정이 복잡하고, 고가의 장비를 필요로 하는 등 공정부담이 크기 때문에, 제작공정이 간편하면서도 비용이 저렴한 제조공정의 개발이 요구되고 있다.

또한, 상기 버퍼층(110a, 110b)들은 습식 식각(Wet Etching)을 통해 제거가 가능하다.

도 1g는 복수개의 발광구조물(120a, 120b)들 하부에 각각 전극층(150a, 150b)들을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 전극층(150a, 150b)들은 오믹컨택(Ohmic-Contact)하도록 형성시키는 것이 바람직하다.

도 1h는 복수개의 전류확산층(140a, 140b)들 각각의 상부 영역만 지지대가 남도록 식각하여 수직형 발광소자를 완성시킨 단계를 나타낸다.

정리하자면, 이와 같은 방법으로 수직형 발광소자를 제조하면, 아이솔레이션(Isolation)을 위한 건식 식각 공정과 기판 제거를 위한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정의 공정 부담이 크고, 버퍼층으로 사용하는 금속 질화막으로 인하여 성장시키는 질화갈륨(GaN) 반도체층에 결정결함을 발생시키는 문제점이 있다.

한편, 종래의 수직형 발광소자 제조방법은 발광구조물의 측면을 밋밋하게 형성시키기 때문에, 발광소자의 측면 광 투과율이 낮은 단점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 버퍼층을 형성하고, 그 버퍼층들 각각의 상부에 발광구조물을 성장시킴으로써, 종래의 아이솔레이션(Isolation)을 위한 건식 식각 공정이 필요없는 수직형 발광소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO)와 같은 습식 식각(Wet Etching)을 통해 용이하게 식각할 수 있는 산화아연(ZnO)을 버퍼층으로 사용함으로써, 종래의 금속 질화막을 이용한 버퍼층에 비해서 질화갈륨(GaN) 반도체층의 결정결함을 줄일 수 있고, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정을 통한 기판 제거 방법보다 용이하게 기판을 제거할 수 있는 수직형 발광소자 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 버퍼층 측면에 복수개의 돌출부 형상을 갖도록 형성하고, 그 상부에 발광구조물을 형성시킴으로써, 발광소자의 측면 광 투과율을 향상시킨 수직형 발광소자의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 기판 상부에 복수개의 버퍼층들이 상호 이격되도록 형성하는 단계; 복수개의 버퍼층들 상부에 각각 발광구조물을 형성하는 단계; 발광구조물들 상부에 각각 전류확산층을 형성하는 단계; 전류확산층들 상부가 모두 연결되도록 지지대를 부착시키는 단계; 발광구조물들 하부에서 복수개의 버퍼층들과 기판을 제거하는 단계 및; 발광구조물들 하부에 각각 전극층을 형성하고, 지지대를 식각을 통해 전류확산층 상부 영역만 남기고 제거하여, 소자들을 분리시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 상기 버퍼층은, Zn_xMg_1-xO(0≤x≤1) 또는 Zn_yCd_{1 - y}O(0≤y≤1) 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 상기 기판 상부에 복수개의 버퍼층들이 상호 이격되도록 형성하는 단계에서, 복수개의 버퍼층들 각각의 측면에 복수개의 돌출부를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 기판 상부에 복수개의 측면 돌출부를 가지며 상호 이격되는 복수개의 버퍼층들을 형성하는 방법은, 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; 버퍼층 상부에 복수개의 측면 돌출부를 갖는 복수개의 마스크층을 상호 이격되도록 형성하는 단계 및; 복수개의 마스크층들을 통해 버퍼층을 식각하고, 마스크층들을 제거하여, 복수개의 측면 돌출부를 갖는 상호 이격된 복수개의 버퍼층들을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따른 바람직한 일 실시 예에 대해서 상세히 설명한다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 수직형 발광소자 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3a는 기판(200) 상부에 복수개의 측면 돌출부를 갖는 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들이 상호 이격되도록 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 기판(200)은 사파이어(Al₂O₃), 실리콘(Si), 갈륨아세나이드(GaAs), 실리콘카바이드(SiC) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 기판인 것이 바람직하다.

또한, 상기 버퍼층은 Zn_xMg_{1 - x}O(0≤x≤1) 또는 Zn_yCd_{1 - y}O(0≤y≤1) 와 같은 산 화아연(ZnO)계열 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

왜냐하면, 산화아연(ZnO)계열 물질은 질화갈륨(GaN) 물질과 격자상수 및 격자 부정합의 차이가 작고, 물리적 특성이 비슷하여, 종래의 금속질화막 버퍼층에 비해 후막의 결정결함을 줄일 수 있으며, 산 용액을 사용하여 식각하는 방식인 습식 식각(Wet Etching)을 통해 쉽게 식각되어, 기판과 후막의 분리가 용이하기 때문이다.

한편, 도면상에는 상기 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들의 측면에 복수개의 돌출부 형상이 형성된 모습을 도시하지 않았으나, 도 6c에 도시되어 있는 사시도와 같이 복수개의 버퍼층 측면에 복수개의 돌출부 형상을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.

상기 기판(200) 상부에 복수개의 돌출부를 갖는 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들을 상호 이격되도록 형성하는 구체적인 방법은, 후술할 도 5a 내지 도 5c 및 도 6a 내지 도 6c에서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3b는 복수개의 버퍼층들(210a, 210b) 상부에 각각 발광구조물(220a, 220b)을 형성한 단계를 나타낸다.

앞의 도 2에 대한 설명에서 이미 언급했듯이, 상기 발광구조물(220a, 220b)들도 마찬가지로 n-반도체층, 활성층, p-반도체층이 순차적으로 적층되어 이루어진 구조인 것이 바람직하다.

또한, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN)계 물질을 이용한 반도체층인 것이 바 람직하다.

그리고, 상기 발광구조물(220a, 220b)을 이루고 있는 각 층들은 금속 유기화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 방법을 통해 증착시키는 것이 바람직하다.

도 3c는 발광구조물(220a, 220b)들 상부에 각각 전류확산층(230a, 230b)을 형성한 단계를 나타낸다.

도 3d는 전류확산층(230a, 230b)들 상부가 모두 연결되도록 지지대(240)를 부착시킨 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 지지대(240)는 후속 공정인 기판 제거 공정 이후 기판 상부의 발광구조물들을 발광소자로 완성시키는 공정을 수행하는 동안 발광소자들이 낱개로 해체되는 것을 방지하며, 복수개의 발광구조물들을 웨이퍼(Wafer) 단위로 핸들링(Handling)하기 용이하도록 하기 위해 형성하는 것이다.

또한, 상기 지지대(240)는 수직형 발광소자를 제작하는 모든 공정이 끝난 이후, 수직형 발광소자의 상부 전극으로서 사용하게 되며, 실리콘(Si), 금속(Metal)과 같은 전도성 물질로 형성시키는 것이 바람직하다.

도 3e는 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들을 식각을 통해 제거하여, 발광구조물(220a, 220b)들 하부로부터 기판(200)을 제거시킨 단계를 나타낸다.

이미 언급한 바와 같이 상기 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들은 습식 식각(Wet Etching)을 통해 제거가 용이한 물질로 이루어져 있다.

특히, 여러 가지 습식 식각 방법 가운데서도 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO)를 통해 상기 버퍼층(210a, 210b) 제거 공정을 수행하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 기판(200)은 상기 발광구조물(220a, 220b)들 하부와 상기 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들을 매개로 결합되어 있는 구조이기 때문에, 이와 같이 복수개의 버퍼층들을 제거시킴으로써, 자연스럽게 기판(200)도 분리 또는 제거시킬 수 있게 된다.

이와 같이 버퍼층의 식각 공정을 통해 상기 기판을 분리함으로써, 종래에 비해서 수직형 발광소자의 제작공정 단순화, 생산성 향상, 원가 절감등의 효과를 가져올 수 있고, 앞서 언급했듯이, 산화아연(ZnO) 버퍼층의 사용을 통해 질화갈륨(GaN) 반도체층의 결정결함을 줄일 수 있기 때문에, 고품질, 고효율, 고출력의 수직형 발광소자를 구현할 수 있다.

참고로, 상기 복수개의 버퍼층들을 식각하는 속도는, 습식 식각 용액의 온도또는 농도에 의해 제어할 수 있다.

도 3f는 발광구조물(220a, 220b)들 하부에 각각 전극층(250a, 250b)을 형성한 단계를 나타낸다.

여기서, 상기 전극층(250a, 250b)들은 상기한 지지대와 반대로 수직형 발광소자의 하부 전극 역할을 하는 층이다.

그리고, 상기 전극층(250a, 250b)들은 오믹 접촉(Ohmic Contact)하도록 형성하는 것이 바람직하다.

도 3g는 지지대를 식각 방법을 통해 전류확산층(240a, 240b) 상부 영역만 남기고 제거하여, 낱개 소자들로 분리시킨 단계를 나타낸다.

이상, 본 발명에 따른 수직형 발광소자 제조방법의 바람직한 일 실시 예를 도면을 참조하여 설명하였는데, 발광소자 측면에 복수개의 돌출부가 형성되어 있는 모습은 도시되지 않았다.

그러나, 상기한 바와 같은 공정들을 통해 완성된 발광소자의 측면 형상은, 도 4에 도시된 바와 같이, 버퍼층 측면에 존재하던 복수개의 돌출부 형상들이 위쪽으로 그대로 연장되어 형성된 모습인 것이 바람직하다.

도 4는 상기한 도 3g에서 완성된 수직형 발광소자의 개략적인 사시도를 나타낸 도면이다.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따라 제조된 발광소자는 측면에 복수개의 연속적인 돌출부가 형성되어 있어서, 발광소자 내부에서 측면으로 방출되는 광의 투과율을 개선시키며, 발광소자의 측면으로 방출되는 광 출력 및 광 추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.

참고로, 여기에서는 도 3g에 도시되었던 발광구조물 하부의 전극층(250a, 250b)을 도시하지 않았다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 측면에 복수개의 돌출부가 형성되어 있으며, 상호 이격된 복수개의 버퍼층을 형성하는 과정을 설명하기 위한 단면도를 나타낸다.

도 5a는 기판(200) 상부에 버퍼층(210)을 형성한 단계를 나타낸 단면도이다.

여기서, 상기 버퍼층(210)은 스퍼터링(Sputtering)법, 전자 빔 증착(E-Beam Evaporation)법, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법, MBE(Molecular Beam Epitaxy, MBE)법, 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition, PLD)법 중 어느 하나의 방법을 통해 형성하는 것이 바람직하다.

이때, 상기 버퍼층의 두께는 100nm로 형성하는 것이 바람직하다.

도 5b는 버퍼층(210) 상부에 복수개의 측면 돌출부를 갖는 복수개의 마스크층(215a, 215b)을 상호 이격되도록 형성한 단계를 나타낸 단면도이다.

이때, 상기 버퍼층 상부에 복수개의 마스크층(215a, 215b)들은 포토리소그래피(Photolithography) 공정을 통해 형성하는데, 그러기 위해서, 상기 마스크층(215a, 215b)들을 이루는 물질로는 포토레지스트(Photoresist)를 사용하는 것이 바람직하다.

도 5c는 복수개의 측면돌출부를 갖는 복수개의 마스크층들을 통해 버퍼층을 식각하고, 마스크층들을 제거하여, 복수개의 측면 돌출부를 갖는 상호 이격된 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들을 형성한 단계를 나타낸 단면도이다.

도 6a 내지 도 6c는 각각 도 5a 내지 도 5c의 사시도를 나타낸다.

도 6a는 도 5a에서 기판(200) 상부에 버퍼층(210)을 형성한 모습을 나타낸 사시도이다.

도 6b는 도 5b에서 버퍼층(210) 상부에 복수개의 측면 돌출부를 갖는 복수개의 마스크층(215a, 215b)을 상호 이격되도록 형성한 모습을 나타낸 사시도이다.

도 6c는 도 5c에서 복수개의 측면돌출부를 갖는 복수개의 마스크층들을 통해 버퍼층을 식각하고, 마스크층들을 제거하여, 복수개의 측면 돌출부를 갖는 상호 이격된 복수개의 버퍼층(210a, 210b)들을 형성한 모습을 나타낸 사시도이다.

참고로, 버퍼층 측면의 복수개 돌출부들 각각이 삼각형 형상의 단면을 갖으며, 연속적으로 형성되어 있는 경우의 예만 설명하였지만, 반드시 이에 국한된 것은 아니다.

이미 언급하였듯이, 이와 같은 측면에 복수개의 돌출부를 갖는 버퍼층을 통 해 측면에 돌출부 형상을 갖는 수직형 발광소자를 제조할 수 있고, 이러한 구조의 발광소자는 내부에서 측면으로 방출되는 광의 투과율을 개선시킬 수 있기 때문에, 결과적으로, 발광소자의 측면으로 방출되는 광 출력 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

이상, 본 발명의 실시 예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시 예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.

본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 기판 상부에 상호 이격된 복수개의 버퍼층들을 형성하고, 그 버퍼층들 각각의 상부에만 발광구조물을 성장시키기 때문에, 종래의 아이솔레이션(Isolation)을 위한 건식 식각 공정의 부담을 덜 수 있는 장점이 있다.

또한, 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO)와 같은 습식 식각(Wet Etching)을 통해 용이하게 식각할 수 있는 산화아연(ZnO) 버퍼층을 사용하기 때문에, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off, LLO) 공정을 통한 종래의 기판 제거 시보다 용이하게 기판을 제거할 수 있다.

또한, 산화아연(ZnO) 버퍼층은 종래의 금속 질화막을 이용한 버퍼층에 비해서 질화갈륨(GaN) 반도체층의 결정결함을 줄일 수 있어서, 발광소자의 품질을 보다 향상시킬 수 있다.

또한, 측면에 복수개의 돌출부 형상을 갖는 버퍼층을 통해 복수개의 측면 돌출부 형상을 갖는 발광소자를 제조함으로써, 발광소자 측면으로 방출되는 광 투과율을 높이고, 광 추출 및 광 출력이 향상된 고출력, 고효율의 수직형 발광소자를 구현할 수 있다.

결론적으로, 본 발명의 수직형 발광소자 제조방법에 따르면, 종래보다 고품질, 고출력, 고효율, 고신뢰성의 수직형 발광소자의 제작공정을 단순화시킬 수 있고, 양산성을 향상시킬 수 있으며, 따라서, 제조비용 또한 절감시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

1. 기판 상부에 복수개의 버퍼층들이 상호 이격되도록 형성하는 단계;

   상기 복수개의 버퍼층들 상부에 각각 발광구조물을 형성하는 단계;

   상기 발광구조물들 상부에 각각 전류확산층을 형성하는 단계;

   상기 전류확산층들 상부가 모두 연결되도록 지지대를 부착시키는 단계;

   상기 발광구조물들 하부에서 상기 복수개의 버퍼층들과 상기 기판을 제거하는 단계 및;

   상기 발광구조물들 하부에 각각 전극층을 형성하고, 상기 지지대를 식각을 통해 상기 전류확산층 상부 영역만 남기고 제거하여, 소자들을 분리시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 버퍼층은,

   Zn_xMg_{1 - x}O(0≤x≤1) 또는 Zn_yCd_{1 - y}O(0≤y≤1) 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 기판 상부에 복수개의 버퍼층들이 상호 이격되도록 형성하는 단계에서,

   상기 복수개의 버퍼층들 각각의 측면에 복수개의 돌출부를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
4. 제 3항에 있어서,

   기판 상부에 복수개의 측면 돌출부를 가지며 상호 이격되는 복수개의 버퍼층들을 형성하는 방법은,

   기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계;

   상기 버퍼층 상부에 복수개의 측면 돌출부를 갖는 복수개의 마스크층을 상호 이격되도록 형성하는 단계 및;

   상기 복수개의 마스크층들을 통해 상기 버퍼층을 식각하고, 마스크층들을 제거하여, 복수개의 측면 돌출부를 갖는 상호 이격된 복수개의 버퍼층들을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 기판은,

   사파이어(Al₂O₃), 실리콘(Si), 갈륨아세나이드(GaAs), 실리콘카바이드(SiC) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 버퍼층을 성장시키는 단계는,

   스퍼터링(Sputtering)법, 전자 빔 증착(E-Beam Evaporation)법, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법, MBE(Molecular Beam Epitaxy, MBE)법, 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition, PLD)법 중 어느 하나의 방법을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 발광구조물은,

   n-반도체층, 활성층, p-반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 반도체층은,

   질화갈륨(GaN) 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 지지대는,

   전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
10. 제 1항에 있어서,

    상기 복수개의 버퍼층들은,

    화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off, CLO) 방법을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.
11. 제 1항에 있어서,

    상기 복수개의 버퍼층들은,

    습식 식각(Wet Etching)을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법.

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