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KR100546303B1 - 코로나 전하를 이용한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링방법 - Google Patents

코로나 전하를 이용한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링방법 Download PDF

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KR100546303B1
KR100546303B1 KR1020020001462A KR20020001462A KR100546303B1 KR 100546303 B1 KR100546303 B1 KR 100546303B1 KR 1020020001462 A KR1020020001462 A KR 1020020001462A KR 20020001462 A KR20020001462 A KR 20020001462A KR 100546303 B1 KR100546303 B1 KR 100546303B1
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KR
South Korea
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voltage
unit chip
contact hole
contact holes
saturation
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엄태민
전충삼
양유신
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 코로나 전하를 이용한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 제공한다. 본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩의 전면에 코로나 전하를 전사시킨 후, 상기 단위칩의 표면 전압을 측정한다. 이어서, 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 단위칩의 표면 전압간의 상관 그래프를 얻은 다음, 상기 상관 그래프를 분석하여 상기 단위칩의 표면 전압의 포화 현상 또는 표면 전압의 감소 현상의 발생 유무에 따라 상기 단위칩에 형성된 콘택홀들의 미개구를 판단한다. 이에 따라, 본 발명은 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 주사전자현미경을 사용하지 않고 간편하게 콘택홀의 미개구 발생에 대해 모니터링함으로써 제조 수율이 떨어지지 않게 할 수 있다.

Description

코로나 전하를 이용한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법{Monitoring method of contact hole using corona charge in integrated circuit device}
도 1은 본 발명에 따른 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 수행하기 위한 모니터링 장치의 개략도이고,
도 2a 및 도 2b는 도 1의 코로나 발생기를 확대하여 도시한 도면이고,
도 3은 도 1의 표면 전압 측정 장치를 확대하여 도시한 도면이고,
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 장치를 이용하여 집적회로 소자의 콘택홀을 모니터링하기 위한 샘플을 도시한 도면들이고,
도 5 및 도 6은 도 4a 내지 도 4c의 샘플을 가지고 도 1의 장치를 이용하여 집적회로 소자의 콘택홀을 모니터링한 결과를 도시한 그래프이고,
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이고,
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명은 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 코로나 전하(corona charge)를 이용한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 집적 회로 소자의 제조시 인라인(In-line)에서 콘택홀의 개구/미개구(open/not-open) 검사는 광학현미경이나 주사전자현미형(SEM)을 이용하여 검사를 한다. 그러나, 상기 광학현미경으로 콘택홀을 검사할 경우는 분해능(resolution)의 한계로 인해 미세한 콘택홀의 개구/미개구를 제대로 검사하기 어렵다. 상기 주사전자현미경을 이용하여 콘택홀을 검사할 경우, 반도체 웨이퍼 한 매(장)를 검사하는 데 너무 많은 시간이 소요되기 때문에 반도체 웨이퍼 상의 형성된 전체 칩(전체 다이(die))에 대한 검사는 거의 불가능하다.
따라서, 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 콘택홀의 미개구 발생에 대해 검사를 적절히 진행하지 못하고 있다. 이렇게 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 콘택홀의 개구/미개구를 검사하지 못할 경우 제조 수율이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 간편하게 코로나 전하를 이용하여 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 예에 의한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법은 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩의 전면에 코로나 전하를 전사시킨 다음, 상기 단위칩의 표면 전압을 측정한다. 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 단위칩의 표면 전압간의 상관 그래프를 얻은 다음, 상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화 현상이 발생하지 않을 경우 콘택홀들이 미개구라 판단하고, 포화 현상이 발생할 경우 측정된 표면 포화 전압과 미리 설정되어 있는 포화 전압을 비교하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다.
상기 단위칩은 콘택홀들이 일정한 형태로 형성된 셀 어레이 영역과 그 외의 주변회로 영역을 포함할 수 있다. 상기 콘택홀들의 미개구 판단은 상기 측정된 단위칩의 표면의 포화 전압과 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압간의 차이로 판단할 수 있다.
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또한, 본 발명의 다른 예에 의한 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법은 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩의 전면에 코로나 전하를 전사시킨 다음, 상기 단위칩의 표면 전압을 측정한다. 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 단위칩의 표면 전압간의 상관 그래프를 얻은 다음, 상기 상관 그래프에서 표면 전압이 포화되지 않을 경우 상기 콘택홀은 개구되지 않았다고 판단하고, 포화될 경우는 전압 감소 현상이 발생하는지를 조사한다. 상기 전압 감소 현상이 발생할 경우 상기 전압 감소 현상의 정도 및 주기로 상기 콘택홀들의 미개구를 판단하고, 상기 전압 감소 현상이 발생하지 않을 경우는 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압과 상기 측정된 단위칩의 표면의 포화전압을 비교하여 상기 콘택홀들의 미개구를 판단한다.
상기 단위칩은 콘택홀들이 일정한 형태로 형성된 셀 어레이 영역을 포함할 수 있다. 상기 전압 감소 현상이 발생하지 않을 경우 콘택홀들의 미개구 판단은 상기 측정된 단위칩의 표면 전압의 포화 전압과 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압간의 차이로 판단할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 코로나 전하를 콘택홀들이 형성된 반도체 웨이퍼의 단위칩 전면에 전사한 후 반도체 웨이퍼의 표면 전압을 측정하여 콘택홀의 미개구를 모니터링한다. 이에 따라, 본 발명은 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 콘택홀의 미개구 발생에 대해 주사전자현미경을 사용하지 않고 단위칩에 대해 단순하게 코로나 전하를 조사하여 모니터링할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 수행하기 위한 모니터링 장치의 개략도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 코로나 발생기를 확대하여 도시한 도면이고, 도 3은 도 1의 표면 전압 측정 장치를 확대하여 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명에 적용된 장치는 반도체 웨이퍼(11)가 로딩되고 모터(13)에 의해 회전되는 척(15)과, 상기 반도체 웨이퍼(11) 상에 코로나 전하를 전사하여 표면 전하를 축적시킬 수 있는 코로나 발생기(corona charger, 17)를 포함한다.
상기 코로나 발생기(17)는 도 2a에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(11)의 전면에 코로나 전하(19)를 전사시키는 전면 분사 방식을 채용하는 것과, 도 2b에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(11)의 특정한 측정 부위에만 코로나 전하(19)를 전사시키는 부분 전사 방식을 채용하는 것이 있다. 코로나 전하(19)를 반도체 웨이퍼(11)의 전면에 분사할 경우는 측정 부위 이외의 다른 부분이 코로나 전하(19)에 의한 손상을 받을 수 있기 때문에 측정 부위만을 코로나 전하(19)를 축적시킬 필요가 있을 경우는 부분 전사 방식의 코로나 발생기(17)를 이용한다.
상기 코로나 전하(19)는 DC 전원(21)이 연결되어 있는 코로나 와이어(corona wire: 23)에서 발생하게 되며 전류를 조절하여 코로나 전하량을 조절할 수 있다. 특히, 부분 전사 방식의 코로나 발생기(17)는 도 2b에 도시한 바와 같이 코로나 전하(19)를 집중시킬 수 있는 자계 발생기(magnetic field generator: 25)가 포함되어 있다. 즉, 코로나 와이어(23)에서 발생된 코로나 전하는 반도체 웨이퍼 표면에 전사되어 질 때 원 중심으로 발생하는 자력에 의하여 측정부위에만 집중되어 전사된다. 상기 코로나 발생기(17)로부터 발생된 코로나 전하(19)의 반도체 웨이퍼 내의 균일도를 증가시키기 위해 척(15)을 모터(13)를 이용하여 회전시킬 수도 있다. 상기 코로나 전하중 양 코로나 전하는 (H2O)nH+ 이온을 이용하고, 음 코로나 전하는 CO3 - 이온을 이용한다.
상기 반도체 웨이퍼(11)의 상부에는 전사된 코로나 전하(19)에 따른 표면 전압을 측정할 수 있는 표면 전압 측정 장치(27)가 설치되어 있다. 상기 표면 전압 측정 장치(27)는 도 3에 도시한 바와 같이 표면 전압을 비접촉(non-contact) 방식에 의하여 측정한다. 측정 프로브(probe: 29)는 반도체 웨이퍼(11) 표면에서 일정한 거리에 놓여지며 반도체 웨이퍼(11)와 커패시터를 구성한다. 커패시터에 걸리는 전압은 컨택 포텐셜차(contact potential difference: Vcpd)로 나타내어진다. 표면에 위치한 프로브(29)를 일정한 주파수(w)로 상하로 진동시키게 되면 커패시턴스가 변화되어 전류(J)가 생성되게 된다. 일정한 주파수(w)를 가지고 있는 전류는 록인 증폭기(Lock-in amplifier:전류를 받아서 증폭시키는 범용 장치)를 이용하여 주파수(w)에 따른 신호 변화를 측정하는 록인 검출 시스템(Lock-in detection system)을 사용하여 정확하게 측정되어 진다. 측정된 전류는 접촉 포텐셜차(Vcpd)값과 비례하기 때문에 정확한 보정(calibration)을 거치게 되면 표면에 걸리는 표면 전압을 측정할 수 있다. 이에 대한 식은 J = △Q/△t= Vcpd·△C/△t (여기서, △C는 커패시턴스의 변화량이며, △t는 시간의 변화량이다)로 나타낼 수 있다.
더하여, 상기 반도체 웨이퍼(11) 상에는 반도체 웨이퍼(11) 내의 패턴을 인식할 수 있는 패턴 인식 장치(31)가 설치되어 있다. 상기 패턴 인식 장치(31)는 반도체 웨이퍼(11) 상에 형성된 패턴을 인식하여 특정된 측정부위에 코로나 전하를 전사하고 표면 전압을 측정할 수 있도록 한다. 또한, 상기 패턴 인식 장치(31)는 얼라인시 이미지를 저장하고 이를 분석하여 얼라인 포인트(align point)를 인식할 수 있다. 이에 따라, 미리 지정된 특정 부위만 코로나 전하를 전사하고 표면 전압을 측정할 수 있도록 한다.
그리고, 상기 척(15)에 연결된 모터(13), 코로나 발생기(17), 표면 전압 측정 장치(27), 패턴 인식 장치(31) 등에 연결되어 이를 구동 및 조절하고 측정 데이터를 처리하여 출력할 수 있는 중앙 처리 장치(33)가 설치되어 있다. 상기 중앙 처리 장치(33)는 코로나 발생기(17)의 코로나 전하량을 조절하고 표면 전압의 측정 데이터를 저장하는 시스템 제어부(35)를 포함한다. 상기 표면 전압 측정 장치(27)의 프로브(29)를 진동시키고 척(15)을 패턴 인식 장치(31)의 패턴 인식에 따라 이동시킬 수 있는 운동 조절부(37)를 포함한다. 상기 시스템 제어부(35)에는 반도체 웨이퍼(11)에 전사되는 코로나 전하량과 측정된 표면 전압에 관한 데이터를 처리할 수 있는 데이터 처리부(39)가 연결되어 있다. 특히, 데이터 처리부(39)에서는 코로나 전하량과 표면 전압간의 상관 관계에 관한 데이터를 처리한다. 상기 시스템 제어부(35)에는 데이터 입출력부(41)가 연결되어 있고, 상기 데이터 처리부(39)에는 처리된 데이터를 표시하는 모니터부(43)가 연결되어 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도 1의 장치를 이용하여 집적회로 소자의 콘택홀을 모니 터링하기 위한 샘플을 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 4a 내지 도 4c는 집적 회로 소자의 제조과정 중에 콘택 식각 공정과 관련된 반도체 웨이퍼 상의 하나의 단위칩(단위 다이)중 셀 어레이 영역의 SEM 사진이다. 도 4a는 포토레지스트가 도포되어 있는 상태이고, 도 4b는 정상적으로 콘택 식각을 수행하여 반도체 웨이퍼 상에 복수개의 콘택홀들이 형성된 상태이고, 도 4c는 비정상적으로 콘택 식각을 수행하여 콘택홀에 소량의 산화막이 남아있는 상태이다.
이하에서, 도 4a 내지 도 4c의 샘플을 가지고 도 1의 장치로 코로나 전하를 전사하고 표면 전압을 측정하여 콘택홀의 개구/미개구를 판단하는 모니터링을 수행한다. 상기 콘택홀의 모니터링 수행시 표면 전압 측정은 셀 어레이 영역과 그 외의 주변회로 영역(도 4a 내지 도 4c에 미도시)울 포함한 단위칩에 대해서 수행하였고, 또 셀 어레이 영역만을 포함한 단위칩 영역에 대하여 나누어 수행하였다.
도 5 및 도 6은 도 4a 내지 도 4c의 샘플을 가지고 도 1의 장치를 이용하여 집적회로 소자의 콘택홀을 모니터링한 결과를 도시한 그래프이다. 도 5 및 도 6에서 X축은 코로나 스캔 횟수, 즉 코로나 전하량을 나타내며, Y축은 표면 전압을 나타낸다.
먼저, 도 5는 셀 어레이 영역과 그 외의 주변회로 영역(도 4a 내지 도 4c에 미도시)을 포함한 단위칩에 대해서 코로나 전하를 전사한 후 표면 전압을 측정한 그래프이다. 그 결과, 포토레지스트가 덮여있는 샘플의 경우(●, unstrip으로 표시)는 표면 전압이 포화(saturation)되지 않고 코로나 전하가 축적될수록 표면 전압이 증가하며, 정상 식각한 샘플(◆, normal로 표시), 즉 콘택홀이 개구된 샘플이나 비정상 식각한 샘플(□, unetch로 표시), 즉 콘택홀에 절연물질이 남아있는 경우는 표면 전압의 포화현상이 발생한다.
비정상 식각한 샘플(□)의 경우 정상 식각 샘플(◆)에 비하여 포화 전압이 높게 나타나 콘택홀 내부에 식각되지 않고 남아있는 산화막이 절연체로 작용하여 코로나 전하가 빠져나가는 것을 막아주기 때문인 것으로 판단된다. 따라서, 표면 포화 전압을 비교하여 이용하여 콘택홀의 개구/미개구를 판단할 수 있다. 특히, 정상 식각 샘플(◆)과 비정상 식각 샘플(□)간의 표면 포화 전압의 차이를 비교하면 콘택홀의 미개구 정도를 판단할 수 있다. 실제의 집적 회로 소자의 콘택홀 모니터링시에는 정상 식각 샘플(◆)의 포화 전압을 기준으로 하여 비정상 식각 샘플(□)을 비교함으로써 콘택홀을 모니터링 할 수 있다.
다음에, 도 6은 셀 어레이 영역만을 포함한 단위칩 영역에 대해 코로나 전하를 전사하고 표면전압을 측정한 그래프이다. 그 결과, 포토레지스트가 덮여있는 샘플(□, unstrip로 표시)의 경우는 마찬가지로 표면 전압이 계속적으로 증가하나, 정상 식각한 샘플(◆, normal로 표시)이나 비정상 식각한 샘플(●, unetch로 표시)의 경우 표면 전압의 포화현상이 나타난다.
그러나, 비정상 식각되어 콘택홀이 미개구된 샘플(●)의 경우는 표면 전압이 포화된 후 일정량의 코로나 전하를 더 전사하면 표면 전압이 감소(drop)되는 현상을 나타내었다. 이는 셀 어레이 영역만을 측정할 경우 콘택홀 내부에 남아있는 산화막의 두께가 작아 브레이크다운(breakdown)현상이 나타나면서 코로나 전하가 일제히 빠져 나가면서 나타나는 현상인 것으로 파악된다. 따라서, 셀 어레이 영역만을 측정할 경우에는 표면 전압의 감소 현상이 나타날 수 있고, 표면 전압의 감소 현상의 정도 및 주기로 콘택홀의 미개구 정도를 판단할 수 있다.
상술한 콘택홀들이 형성된 반도체 웨이퍼의 샘플을 가지고 콘택홀을 모니터링한 결과를 토대로 다음과 같은 다양한 형태로 콘택홀을 모니터링 할 수 있다. 그 실시예는 하기와 같다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
구체적으로, 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩(단위 다이(die))의 전면에 도 2a 이나 도 2b와 같은 장치를 이용하여 코로나 전하를 전사시켜 코로나 전하를 축적시킨다(스텝 100). 이어서, 도 3과 같은 표면 전압 측정 장치를 이용하여 콘택홀들이 형성된 단위칩의 표면 전압을 측정한다(스텝 102).
다음에, 도 1의 중앙처리장치를 이용하여 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프를 얻는다(스텝 104).
계속하여, 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프를 분석하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다(스텝 106). 다시 말해, 상기 상관 그래프에서 표면 전압이 포화현상이 발생하는지, 표면 전압의 감소 현상이 발생하는지를 분석하여 콘택홀의 미개구를 판단한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
구체적으로, 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩(단위 다이(die))의 전면에 도 2a 이나 도 2b와 같은 장치를 이용하여 코로나 전하를 전사시켜 코로나 전하를 축적시킨다(스텝 200).
이어서, 도 3과 같은 표면 전압 측정 장치를 이용하여 콘택홀들이 형성된 단위칩의 표면 전압을 측정한다(스텝 202). 다음에, 도 1의 중앙처리장치를 이용하여 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프를 얻는다(스텝 204).
계속하여, 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하는가를 알아본다(스텝 206).
만약, 상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하지 않으면 반도체 웨이퍼 상의 콘택홀이 미개구라고 판단한다(스텝 208). 그리고, 상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하면 미리 설정된 단위칩의 표면 포화 전압, 즉 정상적인 식각에 의한 단위칩의 표면 포화전압과 상기 측정된 단위칩의 표면 포화 전압을 비교하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다(스텝 210). 다시 말해, 상기 측정된 단위칩의 표면 포화 전압과 정상적인 식각에 의한 단위칩의 표면 포화전압간의 차가 적정한지를 판단하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 의한 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
구체적으로, 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩(단위 다이(die))의 전면에 도 2a 이나 도 2b와 같은 장치를 이용하여 코로나 전하를 전사시켜 코로 나 전하를 축적시킨다(스텝 300).
이어서, 도 3과 같은 표면 전압 측정 장치를 이용하여 콘택홀들이 형성된 단위칩의 표면 전압을 측정한다(스텝 302). 다음에, 도 1의 중앙처리장치를 이용하여 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프를 얻는다(스텝 304).
계속하여, 상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 표면 전압간의 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하는가를 알아본다(스텝 306). 만약, 상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하지 않으면 반도체 웨이퍼 상의 콘택홀이 미개구라고 판단한다(스텝 308).
그리고, 상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화현상이 발생하면 표면 전압의 감소 현상이 발생하는지를 알아본다(스텝 310).
만약, 표면 전압의 감소 현상이 발생하지 않으면 미리 설정된 단위칩의 표면 포화 전압, 즉 정상적인 식각에 의한 단위칩의 표면 포화전압과 상기 측정된 단위칩의 표면 포화 전압을 비교하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다(스텝 312). 다시 말해, 상기 측정된 단위칩의 표면 포화 전압과 정상적인 식각에 의한 단위칩의 표면 포화전압간의 차가 적정한지를 판단하여 콘택홀들의 미개구를 판단한다. 그리고, 상기 표면 전압의 감소 현상이 발생하면 표면 전압의 감소 정도 및 주기에 따라 콘택홀의 미개구를 판단한다(스텝 314).
상술한 바와 같이 본 발명은 코로나 전하를 콘택홀들이 형성된 반도체 웨이퍼의 단위칩 전면에 전사한 후 반도체 웨이퍼의 표면 전압을 측정하여 콘택홀의 미개구를 모니터링한다. 특히, 상기 콘택홀의 미개구 판단은 상기 측정된 표면 전압의 포화 전압과 미리 설정된 표면 포화전압간의 차이, 표면 전압의 감소 현상의 유무를 이용하여 수행한다. 이와 같이 본 발명은 집적회로 소자의 제조시 인라인에서 콘택홀의 미개구 발생에 대해 주사전자현미경을 사용하지 않고 단위칩에 대해 단순하게 코로나 전하를 조사하여 모니터링함으로써 제조 수율이 떨어지지 않게 할 수 있다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩의 전면에 코로나 전하를 전사시키는 단계;
    상기 단위칩의 표면 전압을 측정하는 단계;
    상기 전사된 코로나 전하량과 상기 측정된 단위칩의 표면 전압간의 상관 그래프를 얻는 단계; 및
    상기 상관 그래프에서 표면 전압의 포화 현상이 발생하지 않을 경우 콘택홀들이 미개구라 판단하고, 포화 현상이 발생할 경우 측정된 표면 포화 전압과 미리 설정되어 있는 포화 전압을 비교하여 콘택홀들의 미개구를 판단하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 단위칩은 콘택홀들이 일정한 형태로 형성된 셀 어레이 영역과 그 외의 주변회로 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 콘택홀들의 미개구 판단은 상기 측정된 단위칩의 표면의 포화 전압과 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압간의 차이로 판단하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
  6. 반도체 웨이퍼 상에 콘택홀들이 형성된 단위칩의 전면에 코로나 전하를 전사시키는 단계;
    상기 단위칩의 표면 전압을 측정하는 단계;
    상기 전사된 코로나 전하량과 상기 단위칩의 표면 전압간의 상관 그래프를 얻는 단계;
    상기 상관 그래프에서 표면 전압이 포화되지 않을 경우 상기 콘택홀은 개구되지 않았다고 판단하고, 포화될 경우는 전압 감소 현상이 발생하는지를 조사하는 단계; 및
    상기 전압 감소 현상이 발생할 경우 상기 전압 감소 현상의 정도 및 주기로 상기 콘택홀들의 미개구를 판단하고, 상기 전압 감소 현상이 발생하지 않을 경우는 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압과 상기 측정된 단위칩의 표면의 포화전압을 비교하여 상기 콘택홀들의 미개구를 판단하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 단위칩은 콘택홀들이 일정한 형태로 형성된 셀 어레이 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 전압 감소 현상이 발생하지 않을 경우 콘택홀들의 미개구 판단은 상기 측정된 단위칩의 표면 전압의 포화 전압과 미리 설정되어 있는 단위칩의 포화전압간의 차이로 판단하는 것을 특징으로 하는 집적회로 소자의 콘택홀 모니터링 방법.
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