KR100516857B1

KR100516857B1 - Valve device

Info

Publication number: KR100516857B1
Application number: KR1019980043782A
Authority: KR
Inventors: 히데나오 스즈키; 구니아키 호리에; 기와무 츠카모토; 유지 아라키
Original assignee: 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date: 1997-10-20
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 2007-01-18
Anticipated expiration: 2018-10-20
Also published as: TW368579B; EP0911561B1; KR19990037209A; US6116267A; EP0911561A1; JPH11125344A; DE69814296T2; DE69814296D1

Abstract

본 발명의 밸브 장치는 열역학적으로 불안정한 가스를 제어하는 데 사용되는 경우에도, 개폐 또는 유량 제어 작용을 안정적으로 작동시킬 수 있다. 밸브 장치는 처리 유체를 위한 내부 통로를 구비하는 밸브 케이싱을 포함한다. 밸브 본체는 내부 통로의 개방을 조절하도록 밸브대에 대하여 이동가능하고, 밸브 구동 기구는 밸브 본체를 구동할 수 있다. 내부 통로를 포함하는 유체 취급 공간을, 밸브 구동 기구를 수용하는 밸브기구 공간으로부터 분리시키도록 유연성 부재가 제공된다. 열매체 통로가 밸브 기구 공간 안에 형성되어 밸브 본체로 열을 제공하는 열매체를 수용하게 된다.The valve device of the present invention can stably operate the opening and closing or flow control action even when used to control thermodynamically unstable gas. The valve device includes a valve casing having an internal passageway for the processing fluid. The valve body is movable relative to the valve seat to regulate the opening of the internal passageway, and the valve drive mechanism can drive the valve body. A flexible member is provided to separate the fluid handling space including the internal passageway from the valve mechanism space containing the valve drive mechanism. A heat medium passage is formed in the valve mechanism space to receive the heat medium that provides heat to the valve body.

Description

Valve device

본 발명은 강유전성(ferroelectric) 또는 고유전성(highly dielectric) 재료의 박막을 만드는 금속 유기체 화학적 증착(MOCVD) 장치에 사용되는 유기금속 화합물의 기상 원료를 제어하는 밸브장치에 관한 것이다.The present invention relates to a valve arrangement for controlling the vapor phase raw material of an organometallic compound used in a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) apparatus for making thin films of ferroelectric or highly dielectric materials.

최근, 반도체 산업에서 제작되는 집적회로 소자의 회로밀도에 괄목할만한 성장이 있었고, 요즘 유행하는 메가비트급의 DRAM을 대체할 만한 기가비트급의 DRAM을 예견하여 활발한 개발이 진행되고 있다. 과거에 DRAM을 생산하는데 필요한 고용량 소자를 만드는데 사용되는 유전성 박막 재료는 유전상수가 10 이하인 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과, 유전상수가 약 20인 탄탈륨 펜타옥사이드막(Ta2O5)을 포함하였으나; 바륨 티타네이트(BaTiO3)나 스트론튬 티타네이트(SrTiO3) 막, 또는 혼합물인 바륨/스트론튬 티타네이트막 등과 같이 유전상수가 약 300인 금속 산화막이 유망한 것으로 예견되고 있다. 또한 납-아연-티타네이트(PZT), 납-리튬-아연-티타네이트(PLZT) 및 Y1 과 같은 고유전성 재료가 유망시 되고 있다.Recently, there has been a remarkable growth in the circuit density of integrated circuit devices manufactured in the semiconductor industry, and active development is proceeding in anticipation of the gigabit-class DRAM that can replace the megabit-class DRAM. In the past, dielectric thin film materials used to make high-capacity devices required to produce DRAMs include silicon nitride films or silicon oxide films having a dielectric constant of 10 or less and tantalum pentaoxide films (Ta2O5) having a dielectric constant of about 20; A metal oxide film having a dielectric constant of about 300 is promising, such as a barium titanate (BaTiO 3), strontium titanate (SrTiO 3) film, or a barium / strontium titanate film which is a mixture. High dielectric materials such as lead-zinc-titanate (PZT), lead-lithium-zinc-titanate (PLZT) and Y1 are also promising.

이러한 박막을 만드는 다양한 방법 중에서, 특히 유망시되는 것은 금속 유기체 화학적 증착(MOCVD) 방법으로, 이 경우에는, 기상 원료가 안정된 가스 흐름으로 막 증착챔버에 배치된 기판으로 공급되는 것이 필요하다. 이 기상 원료는 정상온도에서 테트라하이드로퓨렌 또는 THF와 같은 몇몇 유기용매 내에서 고체상태인 Ba(DPM)2 또는 Sr(DPM)2 와 같은 재료를 용해시켜 생산된 액체 혼합물을 가열하고 기화시킴으로써 생산된다.Among the various methods of making such thin films, what is particularly promising is the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, in which case the gaseous raw material needs to be supplied to the substrate disposed in the film deposition chamber in a stable gas flow. This gaseous feedstock is produced by heating and vaporizing a liquid mixture produced by dissolving materials such as Ba (DPM) 2 or Sr (DPM) 2 in solid state in some organic solvents such as tetrahydrofurene or THF at normal temperature. .

그러나, 이러한 기상 재료는 좁은 범위의 압력과 온도에서만 열역학적 안정성을 보인다는 심각한 문제점을 가지고 있다. 이것이 의미하는 바는, 시스템 내의 온도가 떨어지거나 압력이 상승하면, 기상 원료 내의 고체 성분이 침전될 수 있고, 대기온도가 상승하면 잔류 고체 입자를 발생시키는 반응이 일어날 수 있다는 것이다. 밸브 본체와 밸브대 사이의 좁은 개구 때문에, 기상 재료가 밸브를 통과할 경우, 단열팽창으로 인하여 밸브 온도가 국부적으로 떨어지게 된다. 처리가스의 온도 및 압력의 변화로 인하여 가스유동 조절 밸브 또는 원료 개폐 밸브와 같은 밸브 장치 상에 잔류 입자가 침전하게 되고, 결국 밸브 장치의 성능의 열화(degradation)를 가져오게 된다.However, this gas phase material has a serious problem of showing thermodynamic stability only in a narrow range of pressures and temperatures. This means that if the temperature in the system drops or the pressure rises, solid components in the gaseous feedstock may precipitate, and if the atmospheric temperature rises, a reaction may occur that generates residual solid particles. Because of the narrow opening between the valve body and the valve stem, when the gaseous material passes through the valve, the valve temperature drops locally due to adiabatic expansion. Changes in temperature and pressure of the process gas cause residual particles to settle on valve devices such as gas flow control valves or raw material open / close valves, resulting in degradation of the performance of the valve device.

본 발명의 목적은 강유전성 또는 고유전성 물질의 박막을 만드는 기상 처리 재료와 같은 열역학적으로 불안정한 가스를 제어하는 데에도 사용될 수 있으며, 개폐 또는 유량 제어 작동을 수행할 수 있도록 안정적으로 작동할 수 있는 밸브 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention can also be used to control thermodynamically unstable gases, such as gaseous treatment materials that make thin films of ferroelectric or highly dielectric materials, and can be operated reliably to perform opening and closing or flow control operations. To provide.

상기 목적은 처리 유체를 위한 내부 통로를 구비한 밸브 케이싱; 상기 내부 통로의 개방을 조절하도록 밸브대에 대하여 이동가능한 밸브 본체; 상기 밸브 본체를 구동하는 밸브 구동 기구; 상기 내부 통로를 포함하는 유체 취급 공간을, 상기 밸브 구동 기구를 수용하는 밸브 기구 공간으로부터 분리시키는 유연성 부재; 및 상기 밸브 기구 공간 내에 형성되어 상기 밸브 본체로 열을 제공하는 열매체를 수용하는 열매체 공간을 포함하는 밸브 장치에 의해 달성된다.The object is a valve casing having an internal passageway for a processing fluid; A valve body movable relative to the valve seat to regulate the opening of the inner passageway; A valve drive mechanism for driving the valve body; A flexible member separating the fluid handling space including the inner passageway from a valve mechanism space containing the valve drive mechanism; And a heat medium space that is formed in the valve mechanism space to receive a heat medium that provides heat to the valve body.

본 발명의 밸브 장치에서, 높은 열용량을 가지면서 열매체 공간 안을 흐르는 열매체에 의해 밸브 본체가 직접 가열되기 때문에, 처리 유체의 단열팽창에 기인한 침전 또는 응축에 의해 발생되는 기계적인 간섭 효과가 방지된다. 높은 열용량의 열매체는 합성 오일과 같은 것이 적당하다. 열매체의 높은 열함량 때문에, 이러한 밸브 장치에 사용하는 증착장치의 상승시간(rise time)이 단축된다.In the valve device of the present invention, since the valve body is directly heated by the heat medium flowing in the heat medium space with high heat capacity, the mechanical interference effect caused by precipitation or condensation due to adiabatic expansion of the processing fluid is prevented. High heat capacity heating medium is suitable as synthetic oil. Due to the high heat content of the heat medium, the rise time of the vapor deposition apparatus used for such a valve apparatus is shortened.

상기 유연성 부재는 밸브 구동 기구에 연결되는 지지 부재에 의해 지지된다. 이러한 경우, 유연성 부재는 밸브 본체로 기능한다. 유연성 부재는 밸브 본체로부터 분리되어 형성되거나 또는 밸브 본체에 부착된다.The flexible member is supported by a support member connected to the valve drive mechanism. In this case, the flexible member functions as a valve body. The flexible member is formed separately from or attached to the valve body.

유연성 부재는 응용에 따라서 멤브레인 부재 또는 벨로우즈로 형성될 수 있다.The flexible member may be formed as a membrane member or a bellows depending on the application.

밸브 구동 기구는 일정한 압력으로 밸브 본체를 가압하는 바이어싱 부재 또는 밸브 본체의 변위를 능동적으로 조절하는 작동 장치를 포함한다.The valve drive mechanism includes a biasing member that pressurizes the valve body at a constant pressure or an actuating device that actively controls displacement of the valve body.

상술된 바와 같이, 응축 또는 침전 입자의 형성을 방지하기 위해, 본 발명의 밸브 장치는 밸브 기구 내의 가열 수단을 통합시켜, MOCVD 에 사용되는 열역학적으로 불안정한 유기 금속 가스와 같은 기상 물질을 위해 사용될 수 있게 한다. 밸브 기구 상에 증착되는 입자에 의해 발생되는 기계적인 간섭을 방지함으로써, CVD 장치가 더 신뢰성 있게 만들어지고 고성능의 진보된 장치의 제작에 기여하게 된다.As mentioned above, in order to prevent the formation of condensation or settling particles, the valve device of the present invention incorporates heating means in the valve mechanism so that it can be used for gaseous materials such as thermodynamically unstable organometallic gases used in MOCVD. do. By avoiding mechanical interference caused by particles deposited on the valve mechanism, the CVD apparatus is made more reliable and contributes to the fabrication of high performance advanced apparatus.

도 1 및 도 2는 본 발명의 멤브레인형 밸브 장치의 제 1 실시예를 도시하는 것으로, 도 1은 멤브레인에 접촉하는 고체 밸브에 의한 밀봉 작용을 제공하는 밸브 장치의 개방 위치를 도시하고 도 2는 폐쇄 위치를 도시한다. 밸브 장치는 하부 밸브 케이싱(10); 상부 밸브 케이싱(12); 하부 및 상부 케이싱(10, 12) 사이에 배치되는 다이아프램(밸브 본체)(14)을 포함한다. 원주방향으로 연장하는 제 1 환상 돌출부(16)(다이아프램 고정부) 및 이 제 1 돌출부(16)의 내부에 형성된 제 2 돌출부(18)(밸브대)가 하부 케이싱(10)의 상부면에 제공된다. 다이아프램(14)은 충분히 얇은 판으로 만들어질 경우에도 유연성 뿐만 아니라 적당한 밀봉 능력을 가질 수 있고, 반복적인 휨에도 파단을 일으키지 않을 수 있는 코발트 합금과 같은 재료로 만들어지는 것이 바람직하다.1 and 2 show a first embodiment of the membrane valve device of the present invention, in which FIG. 1 shows the open position of the valve device providing a sealing action by a solid valve in contact with the membrane and FIG. The closed position is shown. The valve device includes a lower valve casing 10; Upper valve casing 12; A diaphragm (valve body) 14 disposed between the lower and upper casings 10, 12. A first annular protrusion 16 (diaphragm fixing portion) extending in the circumferential direction and a second protrusion 18 (valve stem) formed inside the first protrusion 16 are provided on the upper surface of the lower casing 10. Is provided. The diaphragm 14 is preferably made of a material such as a cobalt alloy that can have not only flexibility but also adequate sealing ability, even when made from a sufficiently thin plate, and which will not cause breakage even with repeated warpage.

처리가스 유입 통로(20)가 하부 케이싱(10)의 왼쪽에 형성되어 중심을 향해 연장하고, 이로부터 다이아프램(14)과 밸브대(18) 사이에 형성되는 주요 공간(22)에 제공된 개구로 상승한다. 가스 유입 통로(20)의 반대편에 배치된 처리 유체 유출 통로(26)는 밸브대(18)와 다이아프램 고정부(16) 사이에 형성되는 환상의 2차 공간(24)에 제공된 개구를 구비하고, 하부 케이싱(10)의 오른쪽을 향해 연장한다. 하부 케이싱(10)의 아래쪽에는, 필요하다면 가스 유입 통로(20) 및 밸브대(18)의 온도를 약간 상승된 온도로 유지시킬 수 있도록 하부케이싱(10)에 열을 제공하는 제 1 열매체 공간(28)이 제공된다. 제 1 열매체 공간(28)에는 한 쌍의 유입 및 유출 포트(29a, 29b)가 제공되어 제 1 열매체 공간(28)에 열매체를 흐르게 한다.A process gas inlet passage 20 is formed on the left side of the lower casing 10 and extends toward the center, from which an opening provided in the main space 22 formed between the diaphragm 14 and the valve seat 18. To rise. The processing fluid outlet passage 26 disposed opposite the gas inlet passage 20 has an opening provided in an annular secondary space 24 formed between the valve stem 18 and the diaphragm fixture 16. It extends toward the right side of the lower casing 10. Below the lower casing 10, a first heating medium space is provided for providing heat to the lower casing 10 so that the temperature of the gas inlet passage 20 and the valve seat 18 can be maintained at a slightly elevated temperature if necessary ( 28) is provided. The first heat medium space 28 is provided with a pair of inlet and outlet ports 29a and 29b to flow the heat medium in the first heat medium space 28.

도 2에 도시된 바와 같이, 밸브 본체(14)를 작동시키는 밸브 구동 기구가 상부 케이싱(12)에 조립된다. 보다 상세히 설명하면, 밸브 개구(30)(도 1 중에 도시)가 상부 케이싱(12)의 중앙에 형성되고, 그 선단부에 부착되는 밸브지지 부재(32)를 구비하는 샤프트 부재(34)가 내부에 삽입되어 수직으로 이동가능하게 된다. 밸브 지지 부재(32)의 선단부는 환상 밸브대(18)와 직경이 거의 동일하고, 평평하거나 큰 곡률의 곡면으로 형성되고, 그 둘레가 매끄럽게 기울어져 경사진 표면(36)을 형성한다. 제 2 열매체 공간(38)이 밸브지지 부재(32)를 둘러싸도록 형성되고, 외부 열매체 순환 파이프로부터 공급되는 열매체가 흐르도록 매체 유입 통로(40) 및 매체 유출 통로(42)로 연통된다.As shown in FIG. 2, a valve drive mechanism for operating the valve body 14 is assembled to the upper casing 12. More specifically, a shaft member 34 having a valve opening 30 (shown in FIG. 1) formed in the center of the upper casing 12 and having a valve support member 32 attached to the tip thereof is provided therein. It is inserted and is movable vertically. The tip portion of the valve support member 32 is almost the same diameter as the annular valve stem 18, and is formed into a curved surface having a flat or large curvature, and the circumference thereof is smoothly inclined to form an inclined surface 36. The second heat medium space 38 is formed to surround the valve support member 32 and communicates with the medium inflow passage 40 and the medium outlet passage 42 so that the heat medium supplied from the external heat medium circulation pipe flows.

본 발명의 밸브 장치는, 밸브지지 부재(32)가 폐쇄 위치를 향하여 소정의 바이어싱력으로 가압 장치에 바이어스 되어, 1차 측의 압력이 바이어싱력에 대응하는 소정의 작동압력을 초과할 경우 1차 측의 처리가스가 2차 측으로 흐르도록 하는 정압형이다. 가압 장치의 두 가지 형태가 본 실시예에 사용되는데, 이는 나선형 스프링 장치(44)와 공기 실린더(46)이다. 더 상세하게는, 스프링 수용 공간(48)이 상부 케이싱(12)의 중간높이 부분에 형성되어 밸브 샤프트(34)를 둘러싼다. 나선형 스프링(52)은 상기 공간(48) 안에 수용되며, 밸브 샤프트(34)가 스프링 스탑(50)을 경유하여 아래쪽으로 내려가도록 한다. 공기 유입/유출 포트(54, 56)를 구비한 공기 실린더 공간(58)이 상부 케이싱(12)의 상단부에 형성되며, 이 케이싱은 필요한 곳에 적절한 밀봉부재를 갖으며 밸브 샤프트 방향을 따라 미끄럼가능한 밸브 샤프트(34)에 부착된 피스톤 판(60)을 수용한다.In the valve device of the present invention, when the valve support member 32 is biased to the pressurizing device with a predetermined biasing force toward the closed position, the primary pressure is increased when the pressure on the primary side exceeds a predetermined operating pressure corresponding to the biasing force. It is a positive pressure type which causes the processing gas on the side to flow to the secondary side. Two types of pressurization devices are used in this embodiment, which are the helical spring device 44 and the air cylinder 46. More specifically, a spring receiving space 48 is formed in the middle height portion of the upper casing 12 to surround the valve shaft 34. The helical spring 52 is received in the space 48 and allows the valve shaft 34 to descend downward via the spring stop 50. An air cylinder space 58 with air inlet / outlet ports 54, 56 is formed at the upper end of the upper casing 12, which has a suitable sealing member where necessary and is slidable along the valve shaft direction. The piston plate 60 attached to the shaft 34 is received.

또한 전체 장치에는 밸브 장치를 작동시키기 위한 가압 기구를 위한 작동 압력을 설정하는 제어부가 제공될 뿐만 아니라 열매체 공간(28, 38) 내를 흐르는 열매체의 온도를 제어하는 열매체 제어기가 제공되지만, 상세한 설명은 생략된다.The whole apparatus is also provided with a control for setting the operating pressure for the pressurizing mechanism for operating the valve arrangement as well as a heating medium controller for controlling the temperature of the heating medium flowing in the heating medium spaces 28, 38, but the detailed description is as follows. It is omitted.

밸브 장치의 작동이 이하에 설명된다. 시스템의 여러 위치에서의 온도 및 압력이 소정 값으로 설정되고, 처리가스 출구(26)는 하류 증착 장치와 연통된다. 처리가스는 액체 원료 기화기와 같은 가스 공급부(도시되지 않음)로부터 가스 유입 통로(20)를 통해 1차 공간(22)으로 도입된다. 처리유체 공급부로부터의 압력이 가압장치(44, 46)에 의해 밸브지지 부재(32)에 인가되는 바이어싱력을 초과할 경우, 밸브지지 부재(32)에 의해 가압되는 밸브 본체와 밸브대(18) 사이에 작은 개구가 형성되고, 처리 유체가 이 작은 개구를 통해 증착 장치를 향하여 2차 공간(24)으로 흐른다.The operation of the valve device is described below. The temperature and pressure at various locations in the system are set to predetermined values, and the process gas outlet 26 is in communication with the downstream deposition apparatus. Process gas is introduced into the primary space 22 through a gas inlet passage 20 from a gas supply (not shown), such as a liquid raw material vaporizer. The valve body and valve stem 18 pressurized by the valve support member 32 when the pressure from the processing fluid supply portion exceeds the biasing force applied to the valve support member 32 by the pressurizing devices 44 and 46. A small opening is formed in between, and the processing fluid flows through the small opening into the secondary space 24 toward the deposition apparatus.

1차 및 2차 공간(22, 24) 사이의 경계부의 2차 측에서, 처리가스 압력은 저압측에서 갑자기 해제된다. 이러한 공정에서, 처리가스는 단열팽창을 거치게 되고, 주위 온도가 떨어지지만, 얇은 벽 다이아프램(14) 아래로 열매체가 흐르기 때문에, 열이 주변 구역으로 즉시 공급되어 처리가스 및 밸브 본체의 온도가 떨어지는 것이 방지된다. 따라서 고체 물질의 응축 또는 침전이 이러한 영역에서 발생되지 않게 되므로, 입자 간섭 효과가 밸브 작동에 영향을 주는 것이 방지된다.On the secondary side of the boundary between the primary and secondary spaces 22 and 24, the process gas pressure is suddenly released on the low pressure side. In this process, the process gas undergoes adiabatic expansion and the ambient temperature drops, but since the heat medium flows down the thin-walled diaphragm 14, heat is immediately supplied to the surrounding zone, causing the temperature of the process gas and the valve body to drop. Is prevented. Therefore, no condensation or precipitation of solid material occurs in this region, so that the particle interference effect is prevented from affecting valve operation.

이러한 구성의 밸브 장치에서는, 장치 내부의 공급 가스 통로가 높은 열용량을 갖는 열매체에 의해 가열되므로, 여러 구역에서 온도의 균일성이 유지될 수 있다. 다른 장점은, 작동온도에서 유지되는 열매체가 열매체 공간(28, 38) 안으로 신속하게 순환하기 때문에 증착 장치의 상승시간이 단축된다는 것이다.In the valve device of such a configuration, since the supply gas passage inside the device is heated by a heat medium having a high heat capacity, temperature uniformity can be maintained in various zones. Another advantage is that the rise time of the deposition apparatus is shortened because the heat medium maintained at the operating temperature circulates rapidly into the heat medium spaces 28 and 38.

도 3은 고체 밸브대(18a)와 접촉하는 고체 밸브 본체(74)에 의해 밀봉 작용이 제공되는 밸브 장치의 제 2 실시예를 도시한다. 제 1 실시예의 밸브 장치에서는, 처리 가스가 흐르는 유체 처리 공간이 다이아프램(14) 자체에 의해 밸브 구동 기구를 수용하는 밸브 기구 공간으로부터 분리되지만, 제 2 실시예에서는 이들이 벨로우즈(72)에 의해 분리된다. 더 상세하게는, 제 1 실시예와 동일한 형상을 갖는 밸브 본체(74)가 밀봉용 밸브 샤프트(34)의 선단부에 부착되고, 벨로우즈(72)의 바닥 가장자리가 밸브 본체(74)의 상부 가장자리에 부착되며, 벨로우즈(72)의 상부 가장자리는 케이싱(76) 내에 형성된 밸브 개구(78)의 내부 표면으로부터 돌출하는 환상 판(80)의 내부 가장자리에 부착된다.3 shows a second embodiment of the valve arrangement in which a sealing action is provided by the solid valve body 74 in contact with the solid valve stem 18a. In the valve device of the first embodiment, the fluid processing space in which the processing gas flows is separated from the valve mechanism space accommodating the valve drive mechanism by the diaphragm 14 itself, but in the second embodiment they are separated by the bellows 72. do. More specifically, a valve body 74 having the same shape as in the first embodiment is attached to the front end of the sealing valve shaft 34 and the bottom edge of the bellows 72 is attached to the upper edge of the valve body 74. The upper edge of the bellows 72 is attached to the inner edge of the annular plate 80 protruding from the inner surface of the valve opening 78 formed in the casing 76.

벨로우즈(72)의 내부 공간은 제 2 열매체 공간(82)의 일부를 구성하고, 열매체 통로(84, 86)를 통해 도입되는 열매체는 밸브 샤프트(34) 뿐만 아니라 밸브 본체(74)로 열을 제공한다. 제 2 실시예에서, 2차 공간(24)은 밸브 본체(74) 및 벨로우즈(72)를 둘러싸는 원통형 공간으로 형성되므로, 밸로우즈 표면은 그 자체로 처리가스를 위한 가열 표면으로서 작용을 할 수 있다.The inner space of the bellows 72 constitutes a part of the second heat medium space 82, and the heat medium introduced through the heat medium passages 84, 86 provides heat to the valve body 74 as well as the valve shaft 34. do. In the second embodiment, the secondary space 24 is formed as a cylindrical space surrounding the valve body 74 and the bellows 72 so that the bellows surface can itself serve as a heating surface for the process gas. have.

상술한 실시예에서, 밸브 본체는 정압 밸브 또는 체크 밸브와 같이 처리 유체에 의해 종동적으로 작동되는 밸브로 구성되었지만, 공기 실린더와 같은 외부 구동 장치에 의해 능동적으로 작동되는 개폐 밸브 또는 유량 제어 밸브를 사용하는 것도 가능하다. 구동 및 제어 장치는 본 발명의 정신에서 벗어남이 없이 개별적인 적용에 변경되어 사용될 수 있다는 것은 명백한 일이다.In the above-described embodiment, the valve body is composed of a valve actuated by the processing fluid, such as a constant pressure valve or a check valve, but a valve or flow control valve actively actuated by an external drive device such as an air cylinder. It is also possible to use. It is obvious that the drive and control device can be used in a separate application without departing from the spirit of the invention.

본 발명에 의하면, 밸브 본체를 효율적으로 가열함으로써, MOCVD 장치 등에서 사용되는 강유전성 또는 고유전성 물질의 박막을 만드는 기상 처리재료와 같은 열역학적으로 불안정한 가스를 제어하는 데에도 사용될 수 있으며, 개폐 또는 유량 제어 작동을 수행할 수 있도록 안정적으로 작동할 수 있는 밸브 장치를 제공할 수 있게 된다.According to the present invention, by efficiently heating the valve body, it can also be used to control thermodynamically unstable gases such as gaseous processing materials that make thin films of ferroelectric or highly dielectric materials used in MOCVD devices, etc. It is possible to provide a valve device that can operate stably to perform.

도 1은 개방위치에 있는 본 발명의 멤브레인형 밸브 장치의 전체 단면도;1 is an overall cross-sectional view of the membrane valve device of the present invention in an open position;

도 2는 폐쇄위치에 있는 멤브레인형 밸브 장치의 확대 단면도;2 is an enlarged cross-sectional view of the membrane valve device in the closed position;

도 3은 개방위치에 있는 벨로우즈형 밸브 장치의 단면도.3 is a sectional view of the bellows-type valve device in the open position;

Claims

Valve casings 10 and 12 with internal passages for processing fluids;

A valve body (14) movable relative to the valve seat (18) to regulate the opening of the inner passage;

Valve drive mechanisms (44,46) for driving the valve body (14);

A first heat medium space 28 formed in the valve casing for receiving heat medium providing heat to the valve casings 10 and 12; And

In the valve device comprising a second heat medium space 38 formed in the valve mechanism space to receive a heat medium that provides heat to the valve body 14,

Said valve body comprising a diaphragm (14) for separating a fluid handling space (22) comprising said interior passageway from a valve mechanism space (38) containing said valve drive mechanism;

Valve casing 76 having an internal passageway for the processing fluid;

A valve body (74) movable relative to the valve seat (18a) to regulate the opening of the inner passage;

Valve drive mechanisms (44,46) for driving the valve body (74);

A first heat medium space 28 formed in the valve casing to receive a heat medium that provides heat to the valve casing 76; And

In the valve device comprising a second heat medium space 82 formed in the valve mechanism space to receive a heat medium that provides heat to the valve body 74,

The valve drive mechanism includes a bellows 72 connected to the valve body 74 to separate the fluid handling space 24 including the inner passageway from the valve mechanism space 82 containing the valve drive mechanism. A valve device, characterized in that;

The method according to claim 1 or 2,

The valve drive mechanism comprises a biasing member (44) for pressurizing the valve body (14; 74) at a constant pressure.

The method according to claim 1 or 2,

The valve drive mechanism is characterized in that it comprises an actuating device (46) for actively adjusting the displacement of the valve body (14; 74).