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KR100516405B1 - 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 - Google Patents

웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 Download PDF

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KR100516405B1
KR100516405B1 KR10-2003-0012791A KR20030012791A KR100516405B1 KR 100516405 B1 KR100516405 B1 KR 100516405B1 KR 20030012791 A KR20030012791 A KR 20030012791A KR 100516405 B1 KR100516405 B1 KR 100516405B1
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South Korea
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wafer
edge
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최선용
전충삼
이동춘
윤광준
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삼성전자주식회사
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Abstract

웨이퍼의 에지 노광 영역의 결함을 자동적으로 검사하기 위한 장치가 개시되어 있다. 광학 유닛은 회전하는 웨이퍼의 에지 부위로 레이저빔을 조사하고, 검출기는 상기 에지 부위로부터 반사된 광을 검출한다. 검출기는 검출된 광을 전기적 신호로 변환하여 프로세싱 유닛으로 전송한다. 프로세싱 유닛은 상기 전기적 신호를 분석하여 상기 에지 부위의 반사율을 측정하고, 측정된 반사율을 기준 반사율과 비교하여 에지 노광 영역의 폭을 산출한다. 또한, 프로세싱 유닛은 산출된 폭을 기준 폭과 비교하여 에지 노광 영역의 결함을 검출한다.

Description

웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치{Apparatus for inspecting an edge exposure area of wafer}
본 발명은 웨이퍼의 에지 노광 영역(edge exposure area of wafer; EEW)을 검사하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 웨이퍼의 에지와 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막의 에지 사이의 폭을 측정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 반도체 기판의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 포토리소그래피 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴은 식각 공정의 수행 전에 마이크로스코프 검사 공정을 통해 검사된다. 마이크로스코프는 포토리소그래피 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴의 결함 검사 공정, 반도체 기판의 에지 부위에 형성된 에지 노광 영역 검사 공정 등에 사용된다.
상기 검사 공정을 수행하기 위한 장치의 일 예로서, 미합중국 등록특허 제5,917,588(issued to Addiego)에는 명시야 조명(bright field illumination)과 암시야 조명(dark field illumination)을 사용하여 반도체 기판의 결함을 찾는 검사 시스템 및 검사 장치가 개시되어 있고, 미합중국 등록특허 제6,215,551호(issued to Nikoonahad et al.)에는 포커싱된 레이저빔을 반도체 기판에 조사하여 반도체 기판으로부터 산란된 광을 통해 반도체 기판의 결함을 찾는 표면 검사 장치가 개시되어 있다. 또한, 일본 공개특허 제2000-207562호에는 조명부와 CCD(charge coupled device) 카메라에 의해 획득된 웨이퍼의 이미지 데이터로부터 웨이퍼의 결함을 찾는 매크로 검사 장치가 개시되어 있다.
상기 에지 노광 공정(edge exposure process)은 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 에지 부위를 제거하기 위한 공정으로, 상기 포토레지스트 막의 에지 부위는 자외선을 이용한 노광 공정과 현상액을 이용한 현상 공정에 의해 반도체 기판의 에지 부위로부터 제거된다. 에지 노광 영역은 웨이퍼의 에지와 포토레지스트 막의 에지 사이의 링 형상의 영역을 의미한다.
상기 마이크로스코프를 이용한 에지 노광 영역 검사 공정은 에지 노광 영역의 폭을 검사하기 위해 수행되며, 숙련된 작업자에 의해 수행된다. 그러나, 상기 에지 노광 영역 검사 공정은 작업자의 숙련도에 크게 의존하므로 신뢰도가 낮다는 문제점이 있으며, 작업자에 의해 웨이퍼가 핸들링되므로 웨이퍼의 오염이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 이미지 획득 유닛을 갖는 에지 노광 영역 검사 장치가 개발되었다. 상기 에지 노광 영역 검사 장치는 웨이퍼의 에지 부위의 이미지를 획득하고, 상기 이미지를 분석하여 에지 노광 영역의 폭을 산출한다. 상기 이미지는 상기 웨이퍼의 에지 부위로부터 산란된 광으로부터 획득되므로, 포토레지스트 막의 에지를 검출하기가 용이하지 않다. 따라서, 종래의 에지 노광 영역 검사 장치를 사용하여 다양한 막들과 패턴들이 형성된 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 공정을 수행하는 경우 상기 에지 노광 영역 검사 공정의 신뢰도가 저하된다는 단점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 높은 신뢰도를 갖는 웨이퍼의 에지 노광 영역의 검사 공정을 자동적으로 수행할 수 있는 에지 노광 영역 검사 장치를 제공하는데 있다.
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상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 에지 노광 영역 검사 장치는, 웨이퍼를 지지하고, 회전시키기 위한 회전척과, 상기 회전척에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지 부위에 레이저빔을 조사하기 위하여 레이저빔을 발생시키기 위한 레이저 소스와 상기 레이저빔을 상기 웨이퍼의 에지 부위로 향하게 하기 위한 편향 부재를 포함하는 광학 유닛과, 상기 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광을 검출하기 위한 검출 유닛과, 상기 검출 유닛에 의해 검출된 광으로부터 상기 웨이퍼의 에지 부위의 반사율을 측정하고 측정된 반사율과 기준 반사율을 비교하여 상기 웨이퍼의 에지 노광 영역의 폭을 산출하기 위한 프로세싱 유닛을 포함할 수 있다.
상기 프로세싱 유닛은 상기 측정된 반사율과 기준 반사율을 비교하여 상기 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 막의 에지를 검출하고, 상기 웨이퍼의 에지와 상기 포토레지스트 막의 에지 사이의 폭을 산출한다. 또한, 상기 산출된 폭을 기준 폭과 비교함으로써 상기 웨이퍼의 에지 노광 영역의 결함을 검출한다.
상기 반사율은 웨이퍼 상에 형성된 다양한 막들과 포토레지스트 막에 따라 변화되므로 상기 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치는 웨이퍼 상에 단일막이 형성되어 있는 경우뿐만 아니라 다양한 막들 및 패턴들이 형성되어 있는 경우에도 높은 신뢰도를 갖는 에지 노광 영역 검사 공정을 자동적으로 수행할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 에지 노광 영역 검사 장치(100)는 회전척(110), 광학 유닛(120), 검출 유닛(130), 프로세싱 유닛(140), 이미지 프로세서(150) 및 디스플레이 유닛(160)을 포함한다. 상기 광학 유닛(120)은 레이저 소스(122), 빔 확장기(124) 및 편향 부재(126)를 포함한다.
회전척(110)은 웨이퍼(10)를 수평 방향으로 지지하며, 웨이퍼(10)를 회전시킨다. 회전척(10)의 하부면에는 회전력을 전달하기 위한 회전축(112)이 연결되어 있고, 회전축(112)은 모터와 같은 구동 유닛(미도시)과 연결되어 있다. 도시되지는 않았으나, 회전척(110)의 상부면에는 웨이퍼(10)를 흡착하기 위한 진공이 제공되는 진공 채널이 형성되어 있으며, 상기 진공 채널은 회전축(112)을 통해 형성된 진공 라인과 연결되어 있다.
레이저 소스(122)는 회전척(110)에 지지된 웨이퍼(10)의 일측에 배치되며, 웨이퍼(10)의 상부면과 평행한 방향으로 레이저빔을 발생시키며, 빔 확장기(124)는 레이저 소스(122)로부터 발생된 레이저빔의 단면적을 확장시킨다. 확장된 레이저빔의 폭은 웨이퍼(10)의 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)보다 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 설정된 웨이퍼(10)의 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)이 5mm인 경우 확장된 레이저빔의 폭은 6 내지 12mm인 것이 바람직하다.
한편, 자외선 영역의 파장을 갖는 레이저빔은 웨이퍼(10) 상의 포토레지스트 막(16)의 특성을 변화시킬 수 있으므로, 웨이퍼(10)의 에지 부위로 조사되는 레이저빔의 파장은 600 내지 700nm인 것이 바람직하다.
편향 부재(126)는 회전척(110) 상에 지지된 웨이퍼(10)의 에지 부위의 상부에 배치되며, 편향 부재(126)는 확장된 레이저빔을 회전척(110)에 지지된 웨이퍼(10)의 에지 부위를 향하게 한다. 편향 부재(126)는 확장된 레이저빔의 일부를 회전척(110)에 지지된 웨이퍼(10)의 에지 부위를 향해 반사시키고, 나머지를 투과시키는 하프 미러를 포함한다. 편향 부재(126)로부터 반사된 레이저빔은 웨이퍼(10)의 에지 부위에 수직 방향으로 조사된다.
상기 웨이퍼(10)의 에지 부위로 조사된 레이저빔의 제1부분은 상기 에지 부위의 표면으로부터 반사되고, 제2부분은 산란되며, 나머지 부분은 웨이퍼(10) 상에 형성된 막(14)들 또는 포토레지스트 막(16)으로 굴절되거나 흡수된다.
상기 웨이퍼(10)의 에지 부위로부터 반사된 광의 일부는 편향 부재(126)를 통해 검출 유닛(130)에 의해 검출되며, 나머지는 편향 부재(126)에 의해 반사된다.
검출 유닛(130)은 편향 부재(126)의 상부에 배치되며, 상기 반사된 광의 일부를 검출하여 전기적 신호로 변환시킨다. 상기 검출 유닛(130)은 광의 세기를 전기적 신호로 변환하는 CCD(charge coupled device) 센서를 포함한다.
프로세싱 유닛(140)은 검출 유닛(130)과 연결되어 있으며, 상기 전기적 신호를 분석하여 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위의 반사율을 측정하고, 측정된 반사율을 기준 반사율과 비교하여 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)을 산출한다. 구체적으로 설명하면, 프로세싱 유닛(140)은 측정된 반사율을 기준 반사율과 비교하여 웨이퍼(10)의 에지와 포토레지스트 막(16)의 에지를 검출하고, 상기 웨이퍼(10)의 에지와 포토레지스트 막(16)의 에지 사이의 폭을 산출한다.
또한, 프로세싱 유닛(140)은 산출된 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)과 기준 폭을 비교하여 에지 노광 영역(12)의 결함을 검출한다.
상기 기준 폭은 웨이퍼(10)의 크기에 따라 변경될 수 있으며, 웨이퍼(10)로부터 가장 많은 반도체 칩을 획득할 수 있도록 설정된다. 기준 반사율은 기준 폭에 대응하는 반사율을 의미하며, 다수의 기준 웨이퍼들에 대한 에지 노광 영역 검사 공정을 수행하여 획득될 수 있다.
반사율은 웨이퍼(10) 상에 형성된 다수의 막(14)들 및 포토레지스트 막(16)에 따라 변화되며, 상기 다수의 막(14)들 및 포토레지스트 막(16)은 고유의 굴절률 및 흡수율을 각각 갖는다. 따라서, 웨이퍼(10)의 에지 부위로부터 반사된 광의 반사율로부터 측정된 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)은 높은 신뢰도를 갖는다.
이미지 프로세서(150)는 검출 유닛(130)과 연결되어 있으며, 검출 유닛(130)으로부터 전송된 전기적 신호를 영상 신호로 변환하여 디스플레이 유닛(160)으로 전송하고, 디스플레이 유닛(160)은 상기 영상 신호에 기초하여 웨이퍼(10)의 에지 부위 이미지를 디스플레이한다.
한편, 도시되지는 않았으나, 상기 에지 노광 영역 검사 장치(100)는 상기 영상 신호를 저장하기 위한 메모리 유닛을 더 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼(10)가 회전척(110) 상에 놓여지기 전에 웨이퍼(10)를 정렬하기 위한 프리 얼라이너(pre-aligner)와 회전척(110) 상에 놓여진 웨이퍼(10)를 정렬하기 위한 얼라이너 및 레이저빔의 파워를 조절하기 위한 감쇠기(attenuator)를 더 포함할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 에지 노광 영역 검사 장치를 사용하는 에지 노광 영역 검사 공정을 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 에지 노광 영역 검사 공정을 설명하기 위한 웨이퍼의 단면도이다. 도 4는 프로세싱 유닛에 의해 측정된 반사율을 보여주기 위한 그래프이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 웨이퍼(10)를 회전척(110) 상에 수평 방향으로 로딩한다.(단계 S100) 회전척(110) 상에 지지된 웨이퍼(10)는 얼라이너(미도시)와 리프팅 유닛(미도시)에 의해 정렬된다. 즉, 웨이퍼(10)의 중심은 상기 얼라이너와 리프팅 유닛에 의해 회전축(110)의 중심축에 일치된다. 여기서, 웨이퍼(10) 상에는 다수의 막(14)들과 패턴(15)들 및 포토레지스트 막(16)이 형성되어 있다.
회전척(110)은 진공을 이용하여 웨이퍼(10)를 흡착하고, 회전척(110)에 흡착된 웨이퍼(10)는 회전축(112)으로부터 전달된 회전력에 의해 회전된다.(단계 S110)
광학 유닛(120)은 회전척(110)에 의해 회전하는 웨이퍼(10)의 에지 부위로 레이저빔을 조사한다.(단계 S120) 세부적으로 설명하면, 레이저 소스(122)는 웨이퍼(10)의 상부면과 평행한 방향으로 레이저빔을 발생시키고, 빔 편향기(124)는 레이저 소스(110)로부터 발생된 레이저빔의 단면적을 확장시킨다. 편향 부재(126)는 확장된 레이저빔이 회전하는 웨이퍼(10)의 에지 부위로 조사되도록 확장된 레이저빔을 편향시킨다. 이때, 편향 부재(126)는 확장된 레이저빔의 일부를 웨이퍼(10)의 에지 부위를 향해 반사시키고, 나머지를 투과시킨다. 확장된 레이저빔의 파장은 600 내지 700nm인 것이 바람직하며, 확장된 레이저빔의 폭은 6 내지 12mm인 것이 바람직하다.
웨이퍼(10)의 에지 부위로부터 반사된 광을 검출한다.(단계 S130) 세부적으로 설명하면, 웨이퍼(10)의 에지 부위로부터 반사된 광의 일부는 편향 부재(126)를 통해 검출 유닛(130)에 의해 검출되며, 나머지는 편향 부재(126)에 의해 반사된다. 검출 유닛(130)은 상기 반사된 광을 전기적 신호로 변환하고, 상기 전기적 신호를 프로세싱 유닛(140) 및 이미지 프로세서(150)로 전송한다.
프로세싱 유닛(140)은 검출된 광으로부터 웨이퍼(10)의 에지 부위의 반사율을 측정한다.(단계 S140) 프로세싱 유닛(140)은 검출 유닛(130)으로부터 전송된 전기적 신호를 분석하여 에지 부위의 반사율을 측정한다.
프로세싱 유닛(140)은 측정된 반사율과 기준 반사율을 비교하여 포토레지스트 막(16)의 에지(16a)를 검출한다.(단계 S150)
프로세싱 유닛(140)은 웨이퍼(10)의 에지(10a)와 포토레지스트 막(16)의 에지(16a) 사이의 폭(12a)을 산출한다.(단계 S160)
구체적으로 설명하면, 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위로 조사된 레이저빔(20)의 제1부분(20a)은 상기 에지 부위의 표면 및 포토레지스트 막(16)의 표면으로부터 반사되고, 제2부분(20b)은 산란되며, 나머지 부분(20c)은 웨이퍼(10) 상에 형성된 막(14)들 또는 포토레지스트 막(16)으로 굴절되거나 흡수된다. 포토레지스트 막(16)은 상기 다수의 막(14)들에 비하여 광 흡수율이 높기 때문에 포토레지스트 막(16)이 형성된 부위로부터 반사된 광의 반사율은 다수의 막(14)들이 형성된 부위로부터 반사된 광의 반사율보다 상대적으로 낮다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 에지 부위로부터 반사된 광의 반사율은 포토레지스트 막(16)의 에지(16a)와 대응하는 피크값('A', a peak in the intensity)을 가지며, 웨이퍼(10)의 에지(10a)와 대응하는 상기 반사된 광의 반사율은 '0'('B', zero)이다. 이때, 상기 반사된 광의 반사율은 웨이퍼(10) 상에 형성된 다수의 막(14)들에 의해 다수의 피크값을 갖는다. 프로세싱 유닛(140)은 상기 다수의 피크값들 중에서 기준 반사율과 대응하는 피크값을 선택하고, 선택된 피크값과 대응하는 위치로부터 상기 웨이퍼(10)의 에지(10a)와 대응하는 위치 사이의 폭을 산출한다.
그러나, 웨이퍼(10) 상에 형성된 다수의 막(14)들의 특성들에 따라 포토레지스트 막(16)의 에지(16a)와 대응하는 피크가 발생하지 않을 수도 있다. 즉, 기준 반사율과 대응하는 피크값이 없는 경우, 기준 반사율과 동일한 반사율이 검출되는 위치로부터 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)을 산출할 수 있다.
이어서, 프로세싱 유닛(140)은 산출된 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)을 기준 폭과 비교하여 에지 노광 영역(12)의 결함을 검출한다.(단계 S170) 프로세싱 유닛(140)은 검출된 에지 노광 영역(12)의 폭(12a)과 기준 폭 사이의 차이값이 기 설정된 허용치보다 큰 경우, 에지 노광 영역(12)의 결함이 검출된 위치 정보 및 상기 차이값을 저장하고, 디스플레이 유닛(160)은 상기 결함의 위치 및 차이값을 디스플레이한다.
이미지 프로세서(150)는 검출 유닛(130)에 의해 검출된 광으로부터 웨이퍼(10)의 에지 부위 이미지를 획득한다.(단계 S180) 즉, 이미지 프로세서(150)는 검출 유닛(130)으로부터 전송된 전기적 신호를 영상 신호로 변환하여 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위 이미지를 획득한다.
디스플레이 유닛(150)은 상기 웨이퍼(10)의 에지 부위 이미지를 디스플레이한다.(단계 S190) 또한, 디스플레이 유닛(150)은 프로세싱 유닛(140)에 의해 측정된 반사율, 포토레지스트 막(16)의 에지(16a) 및 에지 노광 영역(12)의 폭(12a) 등을 디스플레이한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 웨이퍼 에지 노광 영역의 폭은 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광의 반사율을 측정하고, 측정된 반사율을 기준 반사율과 비교함으로써 측정된다. 측정된 반사율은 웨이퍼 상에 형성된 막들 및 포토레지스트 막의 특성에 따라 고유한 값을 가지므로 웨이퍼 에지 노광 영역 검사 공정의 신뢰도가 향상된다.
또한, 상기 에지 노광 영역 검사 공정은 상술한 바와 같은 에지 노광 영역 검사 장치에 의해 자동적으로 수행되므로 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 에지 노광 영역 검사 장치를 사용하는 에지 노광 영역 검사 공정을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 에지 노광 영역 검사 공정을 설명하기 위한 웨이퍼의 단면도이다.
도 4는 프로세싱 유닛에 의해 측정된 반사율을 보여주기 위한 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 웨이퍼 12 : 에지 노광 영역
14 : 막 16 : 포토레지스트 막
20 : 레이저빔 100 : 에지 노광 영역 검사 장치
110 : 회전척 120 : 광학 유닛
122 : 레이저 소스 124 : 빔 확장기
126 : 편향 부재 130 : 검출 유닛
140 : 프로세싱 유닛 150 : 이미지 프로세서
160 : 디스플레이 유닛

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  13. 웨이퍼를 지지하고, 회전시키기 위한 회전척;
    상기 회전척에 의해 회전하는 웨이퍼의 에지 부위에 레이저빔을 조사하기 위하여 레이저빔을 발생시키기 위한 레이저 소스와, 상기 레이저빔을 상기 웨이퍼의 에지 부위로 향하게 하기 위한 편향 부재를 포함하는 광학 유닛;
    상기 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광을 검출하기 위한 검출 유닛; 및
    상기 검출 유닛에 의해 검출된 광으로부터 상기 웨이퍼의 에지 부위의 반사율을 측정하고, 측정된 반사율과 기준 반사율을 비교하여 상기 웨이퍼의 에지 노광 영역의 폭을 산출하기 위한 프로세싱 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  14. 삭제
  15. 제13항에 있어서, 상기 광학 유닛은 상기 레이저빔의 단면적을 확장시키기 위한 빔 확장기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 편향 부재는 상기 회전척에 지지된 웨이퍼의 에지 부위의 상부에 배치되고, 상기 레이저 소스로부터 발생된 레이저빔의 일부를 상기 웨이퍼의 에지 부위를 향해 반사시키고, 나머지를 투과시키는 하프 미러(half mirror)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 레이저빔의 일부는 상기 웨이퍼의 에지 부위에 수직 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 검출 유닛은 상기 하프 미러의 상부에 배치되며, 상기 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광은 상기 하프 미러를 투과하여 상기 검출 유닛으로 향하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 노광 영역 검사 장치.
  19. 제13항에 있어서, 상기 프로세싱 유닛은 산출된 에지 노광 영역의 폭과 기준 폭을 비교하여 상기 웨이퍼의 에지 노광 영역의 결함을 검출하는 기능을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  20. 제13항에 있어서, 상기 검출 유닛은 검출된 광을 전기적 신호로 변환하기 위한 CCD(charge coupled device) 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 전기적 신호를 영상 신호로 변환하기 위한 이미지 프로세서와 상기 영상 신호에 따라 상기 웨이퍼의 에지 부위 이미지를 디스플레이하기 위한 디스플레이 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치.
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