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KR0168841B1 - Metal electronic package and the manufacture method - Google Patents

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KR0168841B1
KR0168841B1 KR1019900000927A KR900000927A KR0168841B1 KR 0168841 B1 KR0168841 B1 KR 0168841B1 KR 1019900000927 A KR1019900000927 A KR 1019900000927A KR 900000927 A KR900000927 A KR 900000927A KR 0168841 B1 KR0168841 B1 KR 0168841B1
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die attach
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몰리커 디팍
에이취.버트 셸든
크래인 제이컵
엠.파스콸로니 안토니
에프.스미스 3세 에드워드
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폴 와인스타인
오린 코포레이션
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Abstract

본 발명은 전자 디바이스가 절단가능한 다이 부착 패드에 부착되는 전자 장치를 둘러싸는 금속 패키지에 관한 것이다. 다이 부착 패드는 열전도성 매체로 패키지의 베이스에 접착된다. 베이스는 밀봉재의 열적 저하를 감소시키기 위해 동시에 다이 부착 패드와 리드프레임에 접착된다.The present invention relates to a metal package surrounding an electronic device to which the electronic device is attached to a cuttable die attach pad. The die attach pad is bonded to the base of the package with a thermally conductive medium. The base is bonded to the die attach pad and leadframe at the same time to reduce thermal degradation of the seal.

Description

금속 전자 패키지 및 그 제조 방법Metal electronic package and manufacturing method thereof

제1도는 종래기술에서 공지된 금속 패키지의 단면도.1 is a cross-sectional view of a metal package known in the prior art.

제2도는 본 발명에 따라 고정된 전자 디바이스를 가진 리드 프레임의 개략도.2 is a schematic representation of a lead frame with an electronic device fixed in accordance with the present invention.

제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속 패키지의 단면도.3 is a cross-sectional view of a metal package according to an embodiment of the present invention.

제4도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 금속 패키지의 단면도.4 is a cross-sectional view of a metal package according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 패키지 14 : 커버 부품10: package 14: cover parts

16 : 리드 프레임 20 : 리드 와이어16: lead frame 20: lead wire

22 : 전자 디바이스 36 : 다이 부착 패드22 electronic device 36 die attach pad

본 발명은 전자 디바이스를 둘러싸는 패키지를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 패키지에 관한 것이다. 이 패키지는 열적 저하에 대한 개선된 내성 및 봉입된 전자 디바이스로부터의 개선된 열 소산에 특징이 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a package surrounding an electronic device and to a package produced thereby. This package is characterized by improved resistance to thermal degradation and improved heat dissipation from the enclosed electronic device.

몇가지 기본적인 패키지 설계들이 집적 회로를 수용하기 위한 전자 산업에 사용되고 있다. 반도체 재료 및 통상 실리콘으로 만들어진 집적 회로는 외부 환경으로부터 보호되어야 하며 또 외부 부품에 전기적으로 접속되어야 한다. 이런 요구에 부응하면서도 패키지 제조 및 조립 비용을 최소화할 필요가 있다.Several basic package designs are used in the electronics industry to accommodate integrated circuits. Integrated circuits, usually made of semiconductor material and silicon, must be protected from the external environment and electrically connected to external components. While meeting these demands, there is a need to minimize package manufacturing and assembly costs.

전자산업은 보통 두가지 방침중 하나, 즉 예를 들면 세라믹 듀얼-인-라인 패키지를 사용한 전자 디바이스의 최대 보호 또는 예를들어 캡슐 봉함된 플라스틱 패키지에 의한 최소 비용중 하나를 일반적으로 따른다. 이들 양 개념에는 뚜렷한 단점이 존재한다.The electronics industry generally follows one of two policies: either the maximum protection of electronic devices using, for example, ceramic dual-in-line packages, or the minimum cost, for example, by encapsulated plastic packages. There are obvious disadvantages to both concepts.

세라믹 듀얼-인-라인 패키지(CERDIP)는 기밀형 인클로저를 형성하는 적합한 납땜 유리로 리드 프레임에 접합되는 2 편의 알루미나 또는 다른 세라믹 유리로 구성된다. CERDIP 에 관련된 문제는 열소산이 빈약하다는 것이다. CERDIP 의 열소산 능력을 최대화 하기 위해, 때때로 베릴륨 산화물이 알루미늄 산화물로 대체된다. 패키지의 열적 능력이 개선되지만 비용도 상당히 상승하게 된다. 일반적으로 CERDIP 는 보통 고도의 전자적 요구, 예를들어 최첨단 기술을 사용한 컴퓨터 혹은 군사적 목적에 사용된다.The ceramic dual-in-line package (CERDIP) consists of two pieces of alumina or other ceramic glass bonded to the lead frame with suitable brazed glass to form a hermetic enclosure. The problem with CERDIP is the poor heat dissipation. To maximize the heat dissipation capacity of CERDIP, beryllium oxide is sometimes replaced by aluminum oxide. The thermal capability of the package is improved but the cost is also significantly increased. In general, CERDIP is usually used for high electronic requirements, for example computer or military purposes using state-of-the-art technology.

일반적으로 플라스틱 패키지는 통상 에폭시와 같은 플라스틱 수지로 캡슐봉함되는 리드 프레임상에 장착된 전자 디바이스를 포함한다. 이 플라스틱 패키지는 CERDIP 보다는 제조 비용이 저렴하며 자동화된 방법에 보다 적합하다. 플라스틱 패키지는 보통 기밀형이 아니며 고도의 전자적 요구에는 적합치 않다. 게다가 플라스틱 패키지는 열소산도 빈약하다.Plastic packages generally include an electronic device mounted on a lead frame that is typically encapsulated with a plastic resin such as epoxy. This plastic package is less expensive to manufacture than CERDIP and is more suitable for automated methods. Plastic packages are usually not hermetic and are not suitable for high electronic requirements. In addition, plastic packages are poor in heat dissipation.

본원 명세서를 통해 기밀형(hermetic) 이라는 용어는 문헌 Military Specification 883B에 따라 사용되고 헬륨 추적 가스를 사용하여 측정했을때, 5 x 10-8㎤/sec 미만의 패키지 공동 누설률로서 정의된다.Throughout this specification the term hermetic is used in accordance with document Military Specification 883B and is defined as a package cavity leak rate of less than 5 × 10 −8 cm 3 / sec as measured using helium tracer gas.

CERDIP 와 플라스틱 패키지의 단점을 극복하려는 패키지가 금속 패키지이다. 금속 패키지는 금속 또는 금속 합금 커버와 베이스 부품 사이에 배치된 리드 프레임으로 구성된다. 리드 프레임은 베이스 및 커버에 전기 절연 접착제, 특히 납땜 유리 또는 폴리머 접착제를 사용하여 접착된다. 일반적으로, 납땜 유리는 기밀형 패키지가 필요할때 사용된다. 납땜 유리를 사용하는 금속 패키지의 예는 모두 버트(Butt)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,524,238 호, 제 4,532,222 호, 제 4,542,259 호, 제 4,607,276 호 및 제 4,656,499 호에서 찾아볼 수 있다.To overcome the shortcomings of CERDIP and plastic packages, there is a metal package. The metal package consists of a lead frame disposed between the metal or metal alloy cover and the base part. The lead frame is bonded to the base and cover using an electrically insulating adhesive, in particular a brazing glass or a polymer adhesive. In general, solder glass is used when a hermetic package is required. Examples of metal packages using brazed glass can be found in US Pat. Nos. 4,524,238, 4,532,222, 4,542,259, 4,607,276 and 4,656,499 to Butt.

금속 패키지와 관련된 문제는 금속부품과 종래의 CERDIP 납땜 유리 사이의 열팽창 계수의 불일치이다. 금속 부품은 구리 또는 구리계 합금이며, 열팽창 계수(CTE)가 160 내지 170 x 10-7℃ 인 반면, 저온 납땜 유리는 원래 알루미늄 산화물 CERDIP 패키지의 CTE 와 일치하도록 설계되며 49 x 10-7℃ 정도의 CTE 를 갖는다. CTE 의 불일치가 10% 를 넘으면 유리는 열사이클중 받는 응력때문에 파괴되고 그 결과 기밀성이 상실된다.A problem associated with metal packages is the mismatch of thermal expansion coefficients between metal parts and conventional CERDIP brazed glass. Metal parts are copper or copper-based alloys and have a coefficient of thermal expansion (CTE) of 160 to 170 x 10 -7 ° C, while low temperature brazed glass is designed to match the CTE of the original aluminum oxide CERDIP package and is about 49 x 10 -7 ° C. Has a CTE of If the CTE mismatch is greater than 10%, the glass breaks due to the stress received during the thermal cycle, resulting in loss of airtightness.

열팽창 계수를 일치시키는 방법은 몰리커(Mahulikar)등에게 허여된 미합중국 특허 제 4,704,626 호에 기술된 것과 같은 개량 시일의 사용과, 또 미합중국 특허 제 4,752,521 호 및 제 4,801,488 호에 기술된 것과 같이 유리의 열팽창 계수를 변경하기 위해 불화 칼슘 같은 적절히 선택된 충전재료의 사용을 포함한다.The method of matching the coefficient of thermal expansion is based on the use of an improved seal, such as described in US Pat. No. 4,704,626 to Mahlikar et al., And also as described in US Pat. Nos. 4,752,521 and 4,801,488. Involves the use of appropriately selected fillers such as calcium fluoride to change the coefficients.

기밀형 금속 패키지는 동작중 전자 디바이스에 의해 발생된 열을 양호하게 소산시키는 장점도 갖는다. 금속 패키지는 공동을 포함하고, 전자 디바이스의 표면은 성형 플라스틱 패키지에서 발생하는 것과 같은 열 사이클중의 응력을 받지 않게 된다.The hermetic metal package also has the advantage of good dissipation of heat generated by the electronic device during operation. The metal package includes a cavity and the surface of the electronic device is not subjected to stresses during thermal cycles such as those occurring in molded plastic packages.

금속 패키지는 또한 플라스틱 패키지내의 부품을 교환하는데도 사용된다. 유리 밀봉된 패키지에서와 같이, 금속 리드 프레임이 금속 또는 금속 합금 베이스와 커버부품 사이에 배치된다. 패키지는 폴리머 접착제, 통상 에폭시로 밀봉된다. 폴리머 접착 밀봉재에 의한 금속 패키지의 예는 버트에게 모두 허여된 미합중국 특허 제 4,461,924 호, 제 4,480,262 호 및 제 4,594,770 호 그리고 하스코(Hascoe)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,105,861 호가 있다.Metal packages are also used to replace parts in plastic packages. As in the glass sealed package, a metal lead frame is disposed between the metal or metal alloy base and the cover part. The package is sealed with a polymer adhesive, usually epoxy. Examples of metal packages with polymeric adhesive seals are US Pat. Nos. 4,461,924, 4,480,262 and 4,594,770, both issued to Bert and US Pat. No. 4,105,861 to Hascoe.

폴리머 접착제는 밀봉 유리보다 유연성이 더 있다. 즉, 접착제에 패키지 부품의 열팽창 계수를 맞출 필요는 없다. 열적으로 유도된 응력은 폴리머 접착제에 의해 흡수되어 감쇠된다. 폴리머 접착제를 사용하는 금속 패키지의 난점은 문헌 Mil. Spec. 883D 에 따른 기밀성을 갖지 않는다는 것이다.Polymer adhesives are more flexible than sealed glass. That is, it is not necessary to match the thermal expansion coefficient of a package component with an adhesive agent. Thermally induced stress is absorbed and attenuated by the polymer adhesive. The difficulty with metal packages using polymer adhesives is described in Mil. Spec. No confidentiality in accordance with 883D.

게다가, 폴리머는 열적으로 안정되어 있지 않고 후 (post)-경화 가열 사이클중 열화되는 경향이 있다. 패키지 밀봉재를 평가하는 한가지 방법은 통상 압력솥 시험으로 불리운다. 이 시험은 121℃, 상대 습도 100%, 압력 2100gm/㎠(30psi)의 압력 솥내에 밀봉된 패키지를 넣는 것이다. 폴리머 접착제로 밀봉된 금속 패키지는 이 시험중 비교적 단시간내에 박리된다는 것을 발견하였다. 이 시험은 가속 환경 시험이며 패키지가 공기 및 습기로부터 전자 디바이스를 얼마나 잘 보호해주는가를 나타낸다.In addition, the polymer is not thermally stable and tends to deteriorate during the post-curing heating cycle. One method of evaluating package seals is commonly referred to as the pressure cooker test. The test involves placing the sealed package in a pressure cooker at 121 ° C., 100% relative humidity, and 2100 gm / cm 2 (30 psi) pressure. The metal package sealed with the polymer adhesive was found to peel off in a relatively short time during this test. This test is an accelerated environmental test and indicates how well the package protects the electronic device from air and moisture.

본 발명에 따르면, 중앙에 위치된 다이 부착 패드를 포함하는 리드 프레임이 제공된다. 전자 디바이스, 특히 실리콘 반도체 칩은 다이 부착 패드에 접착된다. 다이 부착 패드는 패키지 베이스에 접착되고, 베이스와 커버 부품은 리드 프레임에 밀봉된다. 패키지는 종래기술의 패키지보다 적어도 하나 적은 밀봉 사이클을 거치므로 밀봉재의 유효 수명을 상당히 향상시킨다.According to the present invention, there is provided a lead frame comprising a die attach pad located at the center. Electronic devices, in particular silicon semiconductor chips, are bonded to die attach pads. The die attach pad is adhered to the package base and the base and cover parts are sealed to the lead frame. The package undergoes at least one less sealing cycle than prior art packages, which significantly improves the useful life of the seal.

본 발명의 다른 실시예에서는 구멍이 베이스 부품에 제공된다. 다이 부착 패드는 구멍위에서 밀봉된다. 이 실시예는 전자 디바이스로부터 열을 제거하는 것을 향상시킨다.In another embodiment of the present invention, holes are provided in the base part. The die attach pad is sealed over the hole. This embodiment enhances the removal of heat from the electronic device.

따라서 본 발명의 목적은 열적 저하에 보다 내성이 있는 폴리머로 밀봉된 금속 패키지를 제공하는 것이다.It is therefore an object of the present invention to provide a metal package sealed with a polymer that is more resistant to thermal degradation.

본 발명의 다른 목적은 기존의 금속 패키지보다 적은 조립 단계를 요하는 폴리머 밀봉재를 구비한 금속 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a metal package with a polymer seal which requires fewer assembly steps than conventional metal packages.

본 발명의 또다른 목적은 열소산 특성이 개선된 금속 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a metal package with improved heat dissipation characteristics.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 다음의 설명 및 동일부호는 동일 요소를 나타내는 도면을 참조함으로써 더욱 명백해질 것이다.The above and other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following description and the same reference numerals refer to the drawings showing like elements.

제1도는 전자 디바이스(22)를 캡슐 봉함하는 종래 하우징 또는 패키징(10)의 단면도이다. 대표적인 제조 방법은 제 1 접착수단인 제 1 밀봉재(28)를 사용하여 리드 프레임(16)을 베이스 부품(12)에 부착하는 것이다. 제 1 밀봉재는 통상 저융점 납땜 유리 또는 폴리머 접착제이다. 전자 패키지를 밀봉하는데 사용되는 전형적인 납땜 유리는 하나 또는 그 이상의 유리 성분을 포함하는 보론화납 유리 매트릭스이다. 납땜 유리의 한 예는 75 내지 85% 의 PbO, 0.5 내지 16% 의 ZnO 및 8 내지 15% 의 B2O3의 혼합물이다. 적절한 열팽창 계수를 가지는 납땜 유리가 사용될 수 있다. 전형적인 폴리머 밀봉재는 노발락(novalac)과 같은 열경화성 에폭시이다.1 is a cross-sectional view of a conventional housing or packaging 10 that encapsulates an electronic device 22. A typical manufacturing method is to attach the lead frame 16 to the base part 12 using the first sealing material 28 which is the first bonding means. The first seal is usually a low melting braze glass or a polymer adhesive. Typical solder glasses used to seal electronic packages are lead boron glass matrices comprising one or more glass components. One example of brazed glass is a mixture of 75-85% PbO, 0.5-16% ZnO and 8-15% B 2 O 3 . Brazed glass with an appropriate coefficient of thermal expansion can be used. Typical polymer seals are thermoset epoxy such as novalac.

납땜 유리의 전형적인 밀폐 프로파일(profile)은 약 410。 내지 430℃ 에서 10 분간이며, 에폭시에 대한 통상적인 경화 사이클은 약 150。 내지 170℃ 에서 약 30 내지 120 분간이다.Typical sealing profiles for brazed glass are 10 minutes at about 410 ° to 430 ° C., and typical curing cycles for epoxy are about 30 to 120 minutes at about 150 ° to 170 ° C.

제 1 밀봉재가 경화되어 리드 프레임이 적소에 고정된후, 전자 디바이스(22), 종종 실리콘계 반도체 칩이 부착된다. 전자 디바이스는 다이 부착 재료(32)로 베이스 부품(12)에, 또는 베이스 부품에 체결되는 버퍼(도시않음)에 직접 부착된다. 버퍼 시스템은 1986 년 9 월 17 일자 발행된 유럽특허원 제 86 102 059.2 호에 개시되어 있다.After the first seal is cured and the lead frame is secured in place, the electronic device 22, often a silicon-based semiconductor chip, is attached. The electronic device is directly attached to the base component 12 with die attach material 32 or to a buffer (not shown) that is fastened to the base component. The buffer system is disclosed in European Patent Application No. 86 102 059.2 issued September 17, 1986.

베이스 부품 또는 버퍼의 열팽창 계수(CTE)는 사용되는 다이 부착 재료(32)의 종류를 결정한다. 베이스 부품이나 버퍼의 CTE 가 전자 디바이스의 CTE 의 약 10%이내, 즉 49 x 10-7℃ 이내이면, 98% Au/2% Si 와 같은 경질 납땜을 사용할 수 있다. 베이스 부품 또는 버퍼의 CTE 가 전자 디바이스의 CTE 에 가깝지 않으면, 보다 유연한 다이 부착 재료가 사용된다. 예를들어 95% Pb/5% Sn 과 같은 연질땜납 또는 은이 혼합된 에폭시와 같은 전기 도전성 폴리머 접착제가 사용될 수 있다.The coefficient of thermal expansion (CTE) of the base part or buffer determines the type of die attach material 32 used. If the CTE of the base component or buffer is within about 10% of the CTE of the electronic device, that is, within 49 x 10 -7 ° C, a hard solder such as 98% Au / 2% Si can be used. If the CTE of the base part or buffer is not close to the CTE of the electronic device, a more flexible die attach material is used. For example, a soft solder such as 95% Pb / 5% Sn or an electrically conductive polymer adhesive such as silver mixed epoxy may be used.

다이 부착 재료를 활성화하기 위해서는 열처리가 필요하다. Au/Si 땜납이 사용되면 이러한 열처리는 일반적으로 약 420℃ 에서 약 5 초간이다. Pb/Sn 땜납에 대해서는 약 20초동안 약 200℃ 의 온도가 사용되며, 혼합된 폴리머에 대해서는 약 30분동안 약 150℃ 의 온도가 사용된다. 선택된 다이 부착 재료와는 무관하게, 제 1 밀봉재(28)에는 제 2 가열 및 냉각 사이클이 행해진다.Heat treatment is required to activate the die attach material. If Au / Si solder is used, this heat treatment is generally about 5 seconds at about 420 ° C. A temperature of about 200 ° C. is used for about 20 seconds for Pb / Sn solder and a temperature of about 150 ° C. for about 30 minutes for mixed polymers. Regardless of the die attach material selected, the first seal 28 is subjected to a second heating and cooling cycle.

다음에 리드 와이어(20)는 전자 디바이스(22)와 내부 리드부(18)에 접착되어 전자 디바이스를 리드프레임(16)을 통해 외부와 전기 접속시킨다. 리드 와이어는 테이프 자동화 접착(TAB)으로서 공지된 방법이 사용되면, 통상 금 또는 알루미늄 와이어 또는 동박막의 얇은 스트립이다. 접착은 초음파 용접, 열접착 또는 열 압접으로 행해질 수도 있다. 약간의 접착시 발생한 열은 제 1 밀봉재(28)에 다른 열 사이클을 행하여 리드를 통해 전달될 수도 있다. 전형적인 접착 온도는 240℃ 에서 약 5 초간이다.The lead wire 20 is then bonded to the electronic device 22 and the internal lead portion 18 to electrically connect the electronic device to the outside via the lead frame 16. The lead wire is usually a thin strip of gold or aluminum wire or copper foil, if a method known as tape automated bonding (TAB) is used. Bonding may be done by ultrasonic welding, thermal bonding or thermal pressing. The heat generated during some adhesion may be transferred through the lid by performing another heat cycle on the first seal 28. Typical adhesion temperature is 240 ° C. for about 5 seconds.

다음에, 제 2 접착수단인 제 2 밀봉재(26)가 커버 부품(14)에 적용된다. 제 1 밀봉재는 전술한 미합중국 특허 제 4,704,626 호에 기술된 바와 같이 필요치는 않으나 화학적 양립성을 보장하도록 제 1 밀봉재(28)와 동일한 조성을 가지도록 통상 선택된다. 이때 커버 부품(14)은 리드 프레임(16)에 인접하게 위치되어, 베이스 부품의 반대쪽에서 리드프레임의 측면에 접착된다. 제 2 밀봉재(26)를 경화하는데 적당한 밀봉 프로파일이 필요하다. 제 1 밀봉재(28)는 한번 더 열사이클이 행해진다.Next, a second sealing material 26, which is a second bonding means, is applied to the cover part 14. The first seal is not required as described in US Pat. No. 4,704,626, described above, but is typically selected to have the same composition as the first seal 28 to ensure chemical compatibility. The cover part 14 is then positioned adjacent to the lead frame 16 and glued to the side of the lead frame on the opposite side of the base part. A suitable sealing profile is needed to cure the second seal 26. The first seal member 28 is thermally cycled once more.

종래기술의 패키지는 이렇게 완성된다. 제 1 및 제 2 밀봉재(28, 26)가 납땜 유리이면 패키지는 기밀성이 있고 에폭시이면 패키지는 기밀성이 없다. 제 1 밀봉재(28)의 반복 열사이클이 패키지의 완전성에 나쁜 영향을 준다는 것을 알았다. 본 발명의 일실시예는 제 1 밀봉재에 대해 종래기술의 반복 열사이클이 행해지지 않는 전자 디바이스용 하우징 제품을 제공하는 것이다.The prior art package is thus completed. If the first and second seals 28, 26 are brazed glass, the package is airtight and if it is epoxy the package is not airtight. It has been found that repeated thermal cycles of the first seal 28 adversely affect the integrity of the package. One embodiment of the present invention is to provide a housing product for an electronic device in which the repeating thermal cycle of the prior art is not performed on the first seal.

제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 전자 디바이스 (22)용 하우징 즉 패키지(10) 조립체를 도시한다.2 and 3 show a housing or package 10 assembly for an electronic device 22 according to the invention.

제2도를 참조하면, 이 기술분야에서 공지된 것과 같은 리드 프레임(16)의 개략도가 도시되어 있다. 리드 프레임(16)은 통상적으로 전기 도전성 재료로 구성된다. 리드 프레임은 합금 42(58% 철과 42% 니켈 함유 철-니켈 합금), 코바(KOVAR)(54% 철, 29% Ni 및 17% Co 함유 철-니켈-코발트 합금), 구리 또는 구리계 합금으로 만들어진다. 리드 프레임은 밀봉재에의 접착성을 향상시키고, 내식성 및 외관을 개선하기 위해 제 2 재료로 도금 또는 피복될 수 있다. 보통, 금속 패키지용 리드 프레임은 콜(Caule)등에게 허여된 미합중국 특허 제 3,341,369 호 및 제 3,475,227 호에 기술된 C638 또는 카론(Caron)등에게 허여된 미합중국 특허 제 4,594,221 호에 기술된 C724 같은 구리계 합금이다. 합금 C638, C724, C7025 과 유사한 구리계 합금은 납땜 유리에 대한 합금의 접합을 용이하게 하는 내화 산화물층을 형성한다. 대안적으로, 동합금, 본질적으로 소정량의 첨가제를 포함한 순동은 리드 프레임으로도 사용되며, 그 이유는 다른 동합금에 비해 전기 도전성이 높고 순동에 비해 강도가 높기 때문이다. 리드 프레임용으로서 사용되는 전형적인 동합금은 C194(2.35% Fe, 0.03% P, 0.12% Zn 및 나머지 Cu)이다.Referring to FIG. 2, a schematic of a lead frame 16 as shown in the art is shown. The lead frame 16 is typically made of an electrically conductive material. The lead frame consists of alloy 42 (iron-nickel alloy containing 58% iron and 42% nickel), KOVAR (iron-nickel-cobalt alloy containing 54% iron, 29% Ni and 17% Co), copper or copper-based alloy Is made. The lead frame may be plated or coated with a second material to improve adhesion to the seal and to improve corrosion resistance and appearance. Usually, lead frames for metal packages are copper-based, such as C724 as described in US Pat. Nos. 3,341,369 and 3,475,227 to Caule et al. Or C724, US Pat. No. 4,594,221 to Caron et al. Alloy. Copper-based alloys similar to alloys C638, C724, C7025 form a refractory oxide layer that facilitates bonding of the alloy to the braze glass. Alternatively, copper alloys, essentially pure copper with a certain amount of additives, are also used as lead frames because they have higher electrical conductivity than other copper alloys and higher strength than pure copper. Typical copper alloys used for lead frames are C194 (2.35% Fe, 0.03% P, 0.12% Zn and the remaining Cu).

리드 프레임은 전자 디바이스(22)에 접착하기 위한 내부 리드부(18)와 예를 들어 인쇄 회로기판에의 삽입에 의해 외부 디바이스에 전자 디바이스를 전기 접속하기 위한 외부 리드부(19)로 만들어지는 리드 핑거(17)로 구성된다. 리드 프레임은 또한 조립 작업중 리드 핑거(17)를 지지하기 위한 타이 바(34)를 포함한다. 타이 바(34)는 리드 프레임이 적소에 있으면 리드들이 서로 전기 절연되도록 절단된다. 리드 프레임의 몇몇은 또한 다이 부착 패드 지지체(38)에 의해 타이 바에 접속되는 중앙에 배치된 다이 부착 패드(36)를 포함한다. 다이 부착 패드를 가진 리드 프레임은 보통 칩을 장착할 수 있는 장소를 제공하고 칩의 후면에 전기 접점을 제공하기 위해 플라스틱 캡슐 봉함된 패키지에 사용된다. 플라스틱 캡슐 봉함된 패키지에 다이 부착 패드를 사용하는 것은 사까이 등에게 허여된 미합중국 특허 제 4,697,203 호에 기술되어 있다. 금속 패키지와 함께 다이 부착 패드를 사용하는 것은 미합중국 특허 제 4,656,499 호에 기술되어 있다.The lead frame is made of an internal lead portion 18 for adhering to the electronic device 22 and an external lead portion 19 for electrically connecting the electronic device to the external device by insertion into a printed circuit board, for example. It consists of a finger 17. The lead frame also includes tie bars 34 for supporting the lead fingers 17 during the assembly operation. The tie bar 34 is cut so that the leads are electrically isolated from each other when the lead frame is in place. Some of the lead frames also include a centered die attach pad 36 that is connected to the tie bar by a die attach pad support 38. Lead frames with die attach pads are commonly used in plastic encapsulated packages to provide a place to place the chip and provide electrical contacts to the back of the chip. The use of die attach pads in plastic capsule sealed packages is described in US Pat. No. 4,697,203 to Sakai et al. The use of die attach pads with metal packages is described in US Pat. No. 4,656,499.

본 발명에 따르면, 게르마늄 또는 갈륨 비화물과 같은 다른 반도체 재료가 또한 사용될 수 있을지라도 통상 실리콘으로 만들어진 반도체 칩인 전자 디바이스(22)는 다이 부착 재료(32)에 의해 다이 부착 패드(36)에 부착된다. 리드 프레임(16)의 조성 및 리드 프레임의 대응 열 팽창 계수에 따라, 다이 부착 재료는 금계 Au/Si 또는 95% Pb/5% Sn과 같은 납계 공융(eutectic) 땜납, 또는 납계 60% Pb/40% Sn 또는 92.5% Pb/5% Sn/ 2.5% Ag와 같은 연질 땜납, 또는 열경화성 에폭시와 같은 폴리머 접착제이어도 된다. 다이 부착 재료의 목록은 예로써 기술한 것이고, 제한 하려는 것은 아니며, 임의의 적합한 다이 부착 재료가 본 발명의 범위내에서 사용될 수 있다. 에폭시 다이 부착재료를 사용하면, 배면측 전기 접점이 필요한가의 여부에 따라 도전성일수도 절연성일수도 있다. 에폭시는 도전성 금속 (예를들어 은) 분말을 에폭시에 혼합하여 도전성으로 만들 수 있다.According to the present invention, electronic device 22, which is a semiconductor chip usually made of silicon, is attached to die attach pad 36 by die attach material 32, although other semiconductor materials such as germanium or gallium arsenide may also be used. . Depending on the composition of the lead frame 16 and the corresponding coefficient of thermal expansion of the lead frame, the die attach material may be lead-based eutectic solder such as gold-based Au / Si or 95% Pb / 5% Sn, or lead-based 60% Pb / 40. It may be a soft solder such as% Sn or 92.5% Pb / 5% Sn / 2.5% Ag, or a polymer adhesive such as a thermoset epoxy. The list of die attach materials is described by way of example and not by way of limitation, any suitable die attach material may be used within the scope of the present invention. When epoxy die attach material is used, it may be conductive or insulating depending on whether a backside electrical contact is required. Epoxy can be made conductive by mixing conductive metal (eg silver) powder with epoxy.

그후 전자 디바이스(22)는 리드 와이어(20)를 통해 내부 리드부(18)에 접속된다. 이들 와이어는 보통 얇은, 약 0.025mm (0.001 인치) 직경의 금이나 알루미늄 가닥으로 만들어진다. 대안적으로, 동 박막의 얇은 스트립이 번스(Burns)에게 허여된 미합중국 특허 제 4,330,790호에 기술된 바와 같이 TAB 접착을 위해 사용된다. 와이어(20)는 전자 디바이스(22)의 전기작용면상의 접착 장소에 종래의 와이어 본딩 기술에 의해 접착된다. 와이어의 양 단부는 리드 프레임(16)의 내부 리드부(18)에 접착되므로 전자 디바이스(22)와 외부 리드부(19)사이에 전기 접속을 형성한다.The electronic device 22 is then connected to the internal lead 18 through the lead wire 20. These wires are usually made of thin, about 0.025 mm (0.001 inch) diameter gold or aluminum strands. Alternatively, a thin strip of copper thin film is used for TAB adhesion as described in US Pat. No. 4,330,790 to Burns. The wire 20 is bonded by conventional wire bonding techniques to the place of adhesion on the electrical working surface of the electronic device 22. Both ends of the wire are bonded to the inner lead portion 18 of the lead frame 16 to form an electrical connection between the electronic device 22 and the outer lead portion 19.

다이 부착되고 와이어 접착된 전자 디바이스(22)를 포함하는 리드 프레임(16)은 본 발명에 따른 조립을 위해 준비되어 있다. 다음에 본 발명에 따라 조립된 패키지를 도시하는 제3도를 참조하여 설명한다.A lead frame 16 comprising a die attached and wire bonded electronic device 22 is ready for assembly according to the present invention. Next, a description will be given with reference to FIG. 3 showing a package assembled according to the present invention.

제 1 방법 실시예에서, 제 1 밀봉재(28)와 제 3 접착수단인 제 3 밀봉재(40)를 포함하는 베이스 부품(12)이 제공된다. 제 1 밀봉재(28)는 비도전성 납땜 유리, 세라믹, 열경화성 폴리머 및 열가소성 폴리머로 이루어지는 그룹에서 선택된다. 제 3 밀봉재(40)는 납땜 유리, 세라믹, 금속 합금 땜납, 열경화성 폴리머 및 열가소성 폴리머로 이루어지는 그룹에서 선택된다. 칩의 배면측이 패키지 베이스에 전기 접속되었는가 또는 절연되어 있는가에 따라, 제 3 밀봉재(40)는 절연체 혹은 도전체로 된다. 제 3 밀봉재는 보통 도전성 금속 분말을 혼합함으로써 전기 도전성으로 만들어진다. 카본 충전제가 사용될 수도 있다. 제 3 밀봉재(40)는 또한 열전도성이 높은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 적합한 제 3 밀봉재(40)는 은이 혼합된 에폭시 또는 Pb/Sn 같은 연질 땜납이다. 리드 프레임(16)은 베이스 부품의 밀봉재 함유면에 인접 배치된다. 빈번하게 제 1 밀봉재(28)의 두께는 제 3 밀봉재(40)의 두께보다 두꺼우며, 그 차이는 다이 부착 패드 지지체(38)를 다운 세팅(downsetting)하는 것으로 보상된다. 다운 세팅은 또한 내부 리드부와 다이 부착 패드 지지체 사이에 전기적 절연유지를 돕는다. 대안적으로, 제 1 및 제 3 밀봉재 경화후, 다이 부착 패드 지지체(38)는 절단되어도 된다.In a first method embodiment, a base part 12 is provided which comprises a first seal 28 and a third seal 40 which is a third bonding means. The first seal 28 is selected from the group consisting of non-conductive braze glass, ceramics, thermosetting polymers and thermoplastic polymers. The third sealant 40 is selected from the group consisting of brazed glass, ceramics, metal alloy solders, thermosetting polymers and thermoplastic polymers. Depending on whether the back side of the chip is electrically connected to or insulated from the package base, the third sealing material 40 becomes an insulator or a conductor. The third seal is usually made electrically conductive by mixing the conductive metal powder. Carbon fillers may be used. The third sealant 40 is further characterized by high thermal conductivity. The third sealant 40 suitable for the present invention is a soft solder such as epoxy or Pb / Sn mixed with silver. The lead frame 16 is disposed adjacent to the sealing material containing surface of the base part. Frequently the thickness of the first seal 28 is thicker than the thickness of the third seal 40, the difference being compensated for by downsetting the die attach pad support 38. The down setting also helps maintain electrical insulation between the inner lead and the die attach pad support. Alternatively, after curing the first and third sealants, the die attach pad support 38 may be cut.

리드 프레임은 제 1 및 제 3 밀봉재에 대한 적절한 경화 사이클에 의해 베이스 부품에 접착된다. 이하에 기재된 실시예보다 본 실시예의 이점은, 경화 부산물, 예를들어 에폭시로부터의 염화 이온이 대기중으로 빠져나가도록 경화중 패키지가 개방되는 것이다.The lead frame is bonded to the base part by appropriate curing cycles for the first and third seals. An advantage of this embodiment over the embodiments described below is that the package during curing is opened so that chlorine by-products such as chloride ions from the epoxy escape into the atmosphere.

제 1 밀봉재와 동일할 필요는 없으나 제 1 밀봉재(28)와 동일한 그룹에서 선택된 비전도성 제 2 밀봉재(26)를 포함하는 커버 부품(14)은 리드 프레임의 비접착측에 인접 배치된다. 커버 부품은 적절한 열 사이클에 의해 리드 프레임에 밀봉되어, 전자 디바이스용 하우징을 형성한다.The cover part 14, which does not need to be the same as the first seal but comprises a non-conductive second seal 26 selected from the same group as the first seal 28, is disposed adjacent to the non-adhesive side of the lead frame. The cover part is sealed to the lead frame by a suitable heat cycle to form a housing for the electronic device.

종래 기술에 비해 본 발명이 개선된 점은 제 1 밀봉재가 단지 하나의 추가적인 열 사이클이 행해져서, 열적 저하를 감소시킨다는 점이다.An improvement of the present invention over the prior art is that the first seal is subjected to only one additional heat cycle, reducing the thermal degradation.

본 발명의 제 2 실시예는 제 1 및 제 2 밀봉재(28, 26)를 동시에 밀봉한다는 점이다. 이미 다이 부착되고 와이어 본딩된 전자 디바이스(22)를 가진 리드 프레임(16)은 베이스 부품(12)과 커버 부품(14) 사이에 배치된다. 제 1 밀봉재(28)는 리드 프레임의 제 1 측면과 베이스 부품 사이에 배치된다. 제 3 밀봉재(40)는 다이 부착 패드와 베이스 부품사이에 배치된다. 제 2 밀봉재(26)는 커버 부품과 리드 프레임의 제 2 측면 사이에 배치된다. 적당한 열 사이클이 3 개의 밀봉재를 동시에 경화시키도록 선택된다.A second embodiment of the invention is that the first and second seals 28, 26 are sealed at the same time. The lead frame 16 with the electronic device 22 already die attached and wire bonded is disposed between the base part 12 and the cover part 14. The first seal 28 is disposed between the first side of the lead frame and the base part. The third seal 40 is disposed between the die attach pad and the base part. The second seal 26 is disposed between the cover part and the second side of the lead frame. Appropriate heat cycles are selected to cure the three seals simultaneously.

종래기술에 비해 본 발명의 제 2 실시예의 이점은 제 1 밀봉재에 단지 한번의 경화 사이클이 행해지고 과다한 열 사이클이 행해지지 않는다는 것이다. 본 발명에 따라 만들어진 전자 패키지의 구조는 밀폐된 반도체 케이싱 이라는 제목으로 버트에게 허여된 미합중국 특허 제 4,656,499호에 기술된 납땜 유리로 밀폐된 금속 패키지와 유사하다. 그러나, 버트의 조립 방법은 완전히 다르며, 밀봉재의 열적 저하를 감소시키는데 필요한 개선책이 마련되지 않고 있다.An advantage of the second embodiment of the present invention over the prior art is that only one curing cycle is performed on the first seal and no excessive heat cycle is performed. The structure of the electronic package made in accordance with the present invention is similar to the metal package hermetically sealed with solder glass described in US Pat. No. 4,656,499 to Bert under the enclosed semiconductor casing. However, the assembling method of the butts is completely different, and no improvement is required to reduce the thermal degradation of the sealing material.

본 발명의 다른 실시예가 제4도에 도시되어 있다. 전자 디바이스용 하우징은 상술한 실시예중 어느 하나를 사용하여 조립된다. 구멍(42)이 베이스 부품(12)에 제공된다. 이 구멍은 밀폐 사이클중 발생된 반응 부산물이 빠져 나가는 것을 허용한다. 제 1 밀봉재(28), 제 2 밀봉재(26) 및 제 3 밀봉재(40)는 동시에 경화될 수 있고, 하우징의 인클로저(30)내에 잔류하는 축적물은 전술한 실시예보다 적다. 제 3 밀봉재(40)는 구멍(42)을 둘러싸는 링형 시일이다. 밀봉재(40)는 베이스(12)에 다이 부착 패드를 접착한다.Another embodiment of the invention is shown in FIG. The housing for the electronic device is assembled using any of the embodiments described above. Holes 42 are provided in the base part 12. This hole allows the reaction by-products generated during the closure cycle to escape. The first seal 28, the second seal 26 and the third seal 40 can be cured at the same time and the accumulation remaining in the enclosure 30 of the housing is less than in the embodiment described above. The third sealing material 40 is a ring seal surrounding the hole 42. The seal 40 adheres the die attach pad to the base 12.

베이스 부품(12)내에 있는 구멍(42)에 의해 실현되는 제 2의 개선점은 칩의 외부 영향에 대한 근접도이다. 전자 디바이스(22)가 작동되면, 전기는 장치를 통과한다. 전류중 일부는 반도체 회로의 내부 저항으로 인해 열로 변환된다. 이 열은 반도체 칩의 작동 수명을 감소시키므로, 제거되는 것이 바람직하다. 발생된 열을 제거하는 통상적 수단은 칩아래에 배치되어 강제 공기 혹은 강제 냉각 유체를 공급하는 금속 방열기이다. 이들 방열기 수단은 1985 년 4 월판 일렉트로닉 패키징 앤드 프로덕션의 어넬 알.윙클러(Ernel R. Winkler)의 미래의 패키지 열전달은 PCB 디자인에 나쁜 영향을 주게 된다 라는 제목의 기사에서 찾아볼 수 있다.A second improvement realized by the holes 42 in the base part 12 is the proximity to the external influence of the chip. When the electronic device 22 is activated, electricity passes through the device. Some of the current is converted to heat due to the internal resistance of the semiconductor circuit. This heat reduces the operating life of the semiconductor chip and therefore is preferably removed. Conventional means of removing the generated heat is a metal radiator disposed below the chip to supply forced air or forced cooling fluid. These radiator means can be found in an article entitled, `` Ernel R. Winkler's future package heat transfer from the April 1985 edition of Electronics Packaging and Production will adversely affect PCB design.

구멍(42)은 강제 공기 및 강제 유체 냉각 수단이 전자 디바이스(22)에 근접해서 위치되게 한다. 열용량이 큰 냉각재료, 예를들어 헬륨 가스를 사용하면 냉각이 개선되는 결과를 가져 온다. 이러한 냉각을 개선하는 것은 반도체 디바이스상의 전자 회로의 밀도가 증가하여 칩 작동중 더욱 많은 열을 발생시키는 결과를 가져오기 때문에 더욱 중요해 지고 있다.The aperture 42 allows forced air and forced fluid cooling means to be located in proximity to the electronic device 22. The use of cooling materials with large heat capacities, for example helium gas, results in improved cooling. Improving this cooling is becoming increasingly important because the density of electronic circuits on semiconductor devices increases, resulting in more heat generated during chip operation.

액체보다는 열 용량이 큰 고체, 예를들어 동이나 은 등이 구멍(42)에 삽입되어도 되고, 전자 디바이스로부터 열을 전달하는 도관(방열기)으로서 사용되어도 된다.Solids having a larger heat capacity than liquid, such as copper or silver, may be inserted into the holes 42 or may be used as a conduit (heat radiator) for transferring heat from the electronic device.

본 발명의 또다른 실시예는 커버부품(14)내에 제 2 구멍(44)을 포함하고 있다. 이 구멍(44)은 경화 사이클중 발생된 반응 부산물의 배출구이다. 경화 사이클이 종료된후, 헬륨같은 불활성 열전도성 가스나 열적으로 전도성이나 전기적으로 비도전성인 액체 혹은 분말이 선택적으로 전자 디바이스(22)를 위한 부가의 열 소산 수단을 제공하기 위해 패키지 공동(30)에 선택적으로 주입되어도 된다. 그후, 구멍은 적당한 패치(patch), 예를들어 땜납 방울을 커버 부품 외면(46)에 가하여 밀봉된다. 대안적으로, 구멍(44)은 플라스틱과 같은 적절한 수단에 의해 밀봉될 수도 있다. 구멍(42, 44)은 필요에 따라 단독으로 혹은 조합하여 사용될 수도 있다.Another embodiment of the invention comprises a second hole 44 in the cover part 14. This hole 44 is the outlet of the reaction byproduct generated during the curing cycle. After the curing cycle is finished, an inert thermally conductive gas, such as helium, or a thermally conductive or electrically nonconductive liquid or powder is optionally added to the package cavity 30 to provide additional heat dissipation means for the electronic device 22. It may be injected selectively. The hole is then sealed by applying a suitable patch, for example solder drops, to the cover part outer surface 46. Alternatively, the aperture 44 may be sealed by suitable means such as plastic. The holes 42 and 44 may be used alone or in combination as necessary.

본 발명은 금속 패키지에 관하여 서술하였으나, 상술한 기술은 CERDIP와 같은 세라믹 패키지 혹은 플라스틱 패키지에 적합하다.Although the present invention has been described with respect to a metal package, the above technique is suitable for a ceramic package or a plastic package such as CERDIP.

본 발명에 따른 전자 패키지 조립 수단 및 이들 조립 수단의 제품은 상술한 목적, 수단 및 이점을 모두 만족시키는 것을 알 수 있다. 이제까지 본 발명은 그 특정 실시예에 대해 기술하였으나, 상기 설명으로부터 이 기술분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 많은 대안, 변경예 및 변형예가 있을 수 있다는 것이 명백하다. 따라서, 이런 모든 대안, 변경예 및 변형예는 다음의 특허청구범위의 사상 및 범위내에 포함되도록 하는 것이다.It can be seen that the electronic package assembling means and the products of these assembling means according to the present invention satisfy all the above-mentioned objects, means and advantages. While the present invention has been described with respect to specific embodiments thereof, it is apparent from the above description that there are many alternatives, modifications and variations to those skilled in the art. Accordingly, all such alternatives, modifications and variations are intended to fall within the spirit and scope of the following claims.

Claims (37)

전자 디바이스(22)를 둘러싸는 인클로저(30)를 포함하는 패키지(10)를 제조하는 방법에 있어서, 제 1 및 제 2 면을 가지며, 중앙에 배치된 다이 부착 패드(36) 주위에 배치된 복수개의 리드 핑거(17)로 구성되는 전기 전도성 리드 프레임(16)을 제공하는 단계와; 제 1, 제 2 및 제 3 접착 수단(28, 26, 40)을 제공하는 단계와, 베이스 부품(12)을 제공하는 단계와, 커버 부품(14)을 제공하는 단계와, 상기 베이스 부품(12)을 상기 제 1 접착 수단(28)으로 상기 리드 프레임의 제 1 면에 접착하는 동시에, 상기 베이스 부품(12)을 상기 제 3 접착 수단(40)으로 상기 다이 부착 패드(36)에 접착하는 단계와; 상기 커버 부품(14)을 상기 제 2 접착 수단(26)으로 상기 리드 프레임(16)의 상기 제 2 면에 접착하는 단계를 포함하며; 상기 전자 디바이스(22)는 상기 다이 부착 패드(36)에 접착되어 상기 리드핑거(17)에 전기 접속되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.A method of manufacturing a package (10) comprising an enclosure (30) surrounding an electronic device (22), the method comprising: a plurality of circumferential die attach pads (36) having first and second faces Providing an electrically conductive lead frame 16 consisting of two lead fingers 17; Providing the first, second and third bonding means 28, 26, 40, providing the base part 12, providing the cover part 14, and providing the base part 12. ) Attaching the base part 12 to the die attach pad 36 with the third bonding means 40 at the same time as the first bonding means 28. Wow; Bonding the cover part (14) to the second side of the lead frame (16) with the second bonding means (26); And said electronic device (22) is bonded to said die attach pad (36) and electrically connected to said lead finger (17). 제1항에 있어서, 상기 다이 부착 패드(36)는 상기 리드 프레임(16)에 상기 커버부품(14)을 접착하는 단계에 앞서 상기 리드 프레임(16)으로부터 절단되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.The method according to claim 1, wherein the die attach pad (36) is cut from the lead frame (16) prior to the step of adhering the cover part (14) to the lead frame (16). 제2항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 열전도성인 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.3. A method according to claim 2, wherein the third bonding means (40) is thermally conductive. 제3항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 은이 혼합된 에폭시인 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.4. A method according to claim 3, wherein the third bonding means (40) is an epoxy mixed with silver. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 밀봉 유리 또는 폴리머 접착제인 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.Method according to claim 1, characterized in that the first and second bonding means (28, 26) are sealing glass or polymer adhesive. 제5항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 동일한 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.Method according to claim 5, characterized in that the first and second gluing means (28, 26) are identical. 제6항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 열경화성 에폭시인 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.7. A method according to claim 6, wherein the first and second bonding means (28, 26) are thermoset epoxy. 제7항에 있어서, 상기 커버부품(14)은 상기 베이스부품(12)이 상기 리드 프레임(16)의 제 1 면과 상기 다이 부착 패드(36)에 접착됨과 동시에 상기 제 2 접착 수단(26)에 의해 리드 프레임(16)의 제 2 면에 접착되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.8. The cover part (14) according to claim 7, wherein the base part (12) is bonded to the first surface of the lead frame (16) and the die attach pad (36) while the second bonding means (26) Bonded to the second surface of the lead frame (16). 제8항에 있어서, 상기 다이 부착 패드(36)를 접착하기 전에 상기 베이스 부품(12)에 제 1 구멍(42)을 제공하는 단계를 추가로 포함하며, 상기 제 1 구멍(42)은 상기 다이 부착 패드(36)보다 작아서 상기 다이 부착 패드(36)가 상기 제 1 구멍(42)을 밀봉하는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.9. The method of claim 8, further comprising providing a first hole 42 in the base part 12 prior to adhering the die attach pad 36, wherein the first hole 42 is provided to the die. Smaller than the attachment pad (36), the die attach pad (36) seals the first hole (42). 제9항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 링형이며 상기 제 1 구멍 (42)의 가장자리 주위에 배치되고 상기 베이스 부품(12)과 상기 다이 부착 패드(36)사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.10. The method according to claim 9, wherein the third bonding means (40) is ring-shaped and is disposed around the edge of the first hole (42) and between the base part (12) and the die attach pad (36). Package manufacturing method to use. 제1항에 있어서, 제 2 구멍(44)은 상기 커버부품(14)에 제공되며 상기 리드 프레임(16)의 제 2 면에 대해 상기 커버 부품(14)이 밀봉된 후에 상기 제 2 구멍(44)은 밀봉되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.A second hole (44) is provided in said cover part (14) and said second hole (44) after said cover part (14) is sealed with respect to the second face of said lead frame (16). ) Is sealed. 제11항에 있어서, 상기 제 2 구멍(44)을 밀봉하기 전에 열전도성 매체가 상기 제 2 구멍(44)을 통해 상기 인클로저(30)로 도입되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.12. A method according to claim 11, wherein a thermally conductive medium is introduced into the enclosure (30) through the second hole (44) before sealing the second hole (44). 제12항에 있어서, 상기 열전도성 매체는 전기적으로 비도전성인 가스, 액체 또는 분말에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.13. The method of claim 12, wherein the thermally conductive medium is selected from an electrically nonconductive gas, liquid or powder. 제11항에 있어서, 상기 제 2 구멍(44)은 에폭시 또는 납땜 플러그로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.12. The method of claim 11, wherein the second hole (44) is sealed with an epoxy or solder plug. 제14항에 있어서, 상기 제 2 구멍(44)은 납과 주석의 합금으로 이루어진 납땜 플러그로 밀봉되는 것을 특징으로 하는 패키지 제조 방법.15. The method of claim 14, wherein the second hole (44) is sealed with a solder plug made of an alloy of lead and tin. 전자 디바이스(22)를 둘러싸는 인클로저(30)를 포함하는 패키지에 있어서, 제 1 구멍(42)을 포함하는 베이스 부품(12)과; 커버부품(14)과; 상기 베이스 부품(12)과 상기 커버부품(14) 사이에 배치된 제 1 및 제 2 대향 측면을 구비하며, 상기 제 1 구멍(42)을 밀봉하도록 위치되고 상기 리드 핑거(17)에 전기 접속되는 상기 전자 디바이스(22)를 지지하도록 한 중앙에 배치된 다이 부착 패드(36) 주위에 배치된 복수개의 리드 핑거(17)를 포함하는 리드 프레임(16)과; 상기 베이스부품(12)을 상기 리드 프레임(16)의 상기 제 1 측면에 밀봉하기 위한 제 1 접착 수단(28)과; 상기 커버부품(14)을 상기 리드 프레임(16)의 상기 제 2 측면에 밀봉하기 위한 제 2 접착 수단(26)과, 다이 부착 패드(36)를 상기 베이스 부품(12)에 밀봉하기 위한 제 3 접착 수단(40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.A package comprising an enclosure (30) surrounding an electronic device (22), comprising: a base component (12) comprising a first hole (42); A cover part 14; A first and second opposing side surfaces disposed between the base part 12 and the cover part 14, and positioned to seal the first hole 42 and electrically connected to the lead finger 17. A lead frame (16) comprising a plurality of lead fingers (17) arranged around a die attach pad (36) disposed centrally to support the electronic device (22); First bonding means (28) for sealing the base part (12) to the first side of the lead frame (16); Second bonding means 26 for sealing the cover part 14 to the second side of the lead frame 16 and a third for sealing the die attach pad 36 to the base part 12. Package comprising adhesive means (40). 제16항 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 상기 제 1 구멍(42)의 가장자리를 둘러싸며, 상기 베이스 부품(12)과 상기 다이 부착 패드(36)사이에 배치된 것을 특징으로 하는 패키지.17. The package according to claim 16, wherein the third bonding means (40) surrounds the edge of the first hole (42) and is disposed between the base component (12) and the die attach pad (36). . 제17항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 열전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어지는 그룹에서 선택된 것을 특징으로 하는 패키지.18. The package according to claim 17, wherein the third bonding means (40) is thermally conductive and is selected from the group consisting of brazed glass, thermosetting polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제18항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 은이 혼합된 에폭시인 것을 특징으로 하는 패키지.19. The package according to claim 18, wherein the third bonding means (40) is an epoxy mixed with silver. 제19항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 전기적으로 비전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.20. The package according to claim 19, wherein the first and second adhesive means (28, 26) are electrically nonconductive and are selected from the group consisting of brazed glass, thermoset polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제20항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 동일한 것을 특징으로 하는 패키지.21. A package according to claim 20, wherein the first and second bonding means (28, 26) are identical. 제21항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 열경화성 에폭시인 것을 특징으로 하는 패키지.22. A package according to claim 21, wherein the first and second bonding means (28, 26) are thermoset epoxy. 전자 디바이스(22)를 둘러싸는 인클로저(30)를 포함하는 패키지에 있어서, 베이스 부품(12)과; 플러그로 밀봉된 제 2 구멍(44)을 포함하는 커버부품(14)과; 상기 베이스 부품(12)과 커버부품(14) 사이에 배치된 제 1 및 제 2 대향 측면을 가지며, 중앙에 배치된 다이 부착 패드(36) 주위에 배치되고, 상기 리드 핑거(17)에 전기 접속된 상기 전자 디바이스(22)를 지지하도록 된 복수개의 리드 핑거(17)를 포함하는 리드 프레임(16)과; 상기 베이스부품(12)을 상기 리드 프레임(16)의 제 1 측면에 밀봉하기 위한 제 1 접착 수단(28)과; 상기 커버부품(14)을 상기 리드 프레임(16)의 상기 제 2 측면에 밀봉하기 위한 제 2 접착 수단(26)과; 상기 다이 부착 패드(36)를 상기 베이스 부품(12)에 밀봉하기 위한 제 3 접착 수단(40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.A package comprising an enclosure (30) surrounding an electronic device (22), comprising: a base component (12); A cover part (14) comprising a second hole (44) sealed with a plug; A first and second opposing side surfaces disposed between the base component 12 and the cover component 14 and disposed about a die attach pad 36 disposed centrally and electrically connected to the lead finger 17. A lead frame (16) comprising a plurality of lead fingers (17) adapted to support said electronic device (22); First bonding means (28) for sealing the base part (12) to the first side of the lead frame (16); Second bonding means (26) for sealing the cover part (14) to the second side of the lead frame (16); And third adhering means (40) for sealing said die attach pad (36) to said base part (12). 제23항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 열전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어지는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.24. The package according to claim 23, wherein said third bonding means (40) is thermally conductive and is selected from the group consisting of brazed glass, thermosetting polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제24항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 전기적으로 비전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.25. The package according to claim 24, wherein the first and second adhesive means (28, 26) are electrically nonconductive and are selected from the group consisting of brazed glass, thermosetting polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제25항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 동일한 것을 특징으로 하는 패키지.26. A package according to claim 25, wherein the first and second bonding means (28, 26) are identical. 제26항에 있어서, 상기 인클로저(30)는 열전도성 매체로 채워지는 것을 특징으로 하는 패키지.27. The package according to claim 26, wherein the enclosure (30) is filled with a thermally conductive medium. 제27항에 있어서, 상기 열전도성 매체는 전기적으로 비도전성이며, 가스, 액체 및 분말로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.28. The package of Claim 27, wherein the thermally conductive medium is electrically nonconductive and is selected from the group consisting of gas, liquid and powder. 제28항에 있어서, 상기 열전도성 매체는 헬륨인 것을 특징으로 하는 패키지.29. The package of claim 28, wherein said thermally conductive medium is helium. 전자 디바이스(22)를 둘러싸는 인클로저(30)를 포함하는 패키지에 있어서, 제 1 구멍(42)을 갖는 베이스 부품(12)과; 플러그로 밀봉되는 제 2 구멍(44)을 갖는 커버 부품(14)과; 상기 베이스 부품(12)과 상기 커버 부품(14) 사이에 배치된 제 1 및 제 2 대향 측면을 가지며, 상기 제 1 구멍(42)을 밀봉하도록 배치되며 상기 리드 핑거(17)에 전기 접속되는 상기 전자 디바이스(22)를 지지하도록 된 중앙에 배치된 다이 부착 패드(36) 주위에 배치되는 복수개의 리드 핑거(17)를 포함하는 리드 프레임(16)과; 상기 베이스 부품(12)을 상기 리드 프레임(16)의 제 1 측면에 밀봉하기 위한 제 1 접착 수단(28)과, 상기 커버 부품(14)을 상기 리드 프레임(16)의 제 2 측면에 밀봉하기 위한 제 2 접착 수단(26)과, 상기 제 1 구멍(42)의 가장자리 주위에 배치되며 상기 베이스 부품(12)과 상기 다이 부착 패드(36)사이에 배치되는 제 3 접착 수단(40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지.A package comprising an enclosure (30) surrounding an electronic device (22), comprising: a base part (12) having a first hole (42); A cover part 14 having a second hole 44 sealed with a plug; The first and second opposing side surfaces disposed between the base component 12 and the cover component 14 and arranged to seal the first hole 42 and electrically connected to the lead finger 17. A lead frame (16) comprising a plurality of lead fingers (17) disposed around a centrally disposed die attach pad (36) adapted to support the electronic device (22); First bonding means 28 for sealing the base part 12 to the first side of the lead frame 16 and for sealing the cover part 14 to the second side of the lead frame 16. A second bonding means 26 for the purpose and a third bonding means 40 disposed around the edge of the first hole 42 and disposed between the base part 12 and the die attach pad 36. Package characterized in that. 제30항에 있어서, 상기 제 3 접착 수단(40)은 열전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.31. The package according to claim 30, wherein the third bonding means (40) is thermally conductive and is selected from the group consisting of brazed glass, thermosetting polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제31항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 전기적으로 비전도성이며, 납땜 유리, 열경화성 폴리머 접착제 및 열가소성 폴리머 접착제로 이루어진 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패키지.32. A package according to claim 31, wherein the first and second adhesive means (28, 26) are electrically nonconductive and are selected from the group consisting of brazed glass, thermoset polymer adhesives and thermoplastic polymer adhesives. 제32항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 접착 수단(28, 26)은 동일한 것을 특징으로 하는 패키지.33. A package according to claim 32, wherein the first and second bonding means (28, 26) are identical. 제30항에 있어서, 상기 제 2 구멍(44)을 밀봉하는 상기 플러그는 땜납 또는 폴리머 접착제인 특징으로 하는 패키지.31. A package according to claim 30, wherein the plug that seals the second hole (44) is solder or polymer adhesive. 제34항에 있어서, 상기 플러그는 납과 주석으로 이루어진 땜납인 것을 특징으로 하는 패키지.35. The package of Claim 34, wherein the plug is solder consisting of lead and tin. 제30항에 있어서, 상기 인클로저(30)는 열전도성 전기 절연매체로 채워지는 것을 특징으로 하는 패키지.31. A package according to claim 30, wherein the enclosure (30) is filled with a thermally conductive electrical insulating medium. 제36항에 있어서, 상기 인클로저는 헬륨으로 채워지는 것을 특징으로 하는 패키지.37. The package of Claim 36, wherein the enclosure is filled with helium.
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