JPH1150256A - Vacuum processing apparatus and vacuum processing method - Google Patents
Vacuum processing apparatus and vacuum processing methodInfo
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- JPH1150256A JPH1150256A JP22309097A JP22309097A JPH1150256A JP H1150256 A JPH1150256 A JP H1150256A JP 22309097 A JP22309097 A JP 22309097A JP 22309097 A JP22309097 A JP 22309097A JP H1150256 A JPH1150256 A JP H1150256A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 120
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 76
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 69
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置およ
び真空処理方法に関し、特に、液晶パネル用のガラス基
板上にプラズマを利用してCVD薄膜を形成するための
真空処理装置および真空処理方法に関する。The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method, and more particularly to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method for forming a CVD thin film on a glass substrate for a liquid crystal panel by using plasma. .
【0002】[0002]
【従来の技術】上記液晶パネル用ガラス基板のサイズは
370×470が現在主流であるが、今後サイズ拡大の
一途にある。2. Description of the Related Art The size of the above-mentioned glass substrate for a liquid crystal panel is 370.times.470 at present, but the size is increasing in the future.
【0003】このようなガラス基板の真空処理を行うた
めの従来の真空処理装置は、例えば、図3に示すような
構成であった。A conventional vacuum processing apparatus for performing such vacuum processing of a glass substrate has, for example, a configuration as shown in FIG.
【0004】すなわち、処理すべきガラス基板が、始め
カセットスタンド80に設置される。ガラス基板は通常
20枚が1つのカセット82に収納され管理される。ガ
ラス基板は、カセットスタンド80に設置され基板を搭
載しているカセット82から、ロボット250により、
リーク後大気中に開放されたロードロック室230に投
入される。その後、ゲートバルブ232が閉じられロー
ドロック室230内が真空排気(エバック)され、ある
真空圧力に到達した後ゲートバルブ234が開放され、
その後搬送室220内のロボット(図示せず。)により
真空処理室(プロセスチャンバ)群10の中の最初のプ
ロセスチャンバ12にガラス基板が搬入され、処理が実
行される。プロセスチャンバ12内における処理終了
後、プロセスチャンバ群10の次のプロセスチャンバ
(図示せず。)に搬入され、そこで処理が行われ、その
後、プロセスチャンバ群10において次々と処理が行わ
れ、最後にプロセスチャンバ群10のプロセスチャンバ
112に搬入されそこで処理される。その後は上述した
搬入の際とは逆の工程によってガラス基板が空のカセッ
ト182に搬出される。That is, a glass substrate to be processed is first set on a cassette stand 80. Usually, 20 glass substrates are stored in one cassette 82 and managed. The glass substrate is moved by a robot 250 from a cassette 82 mounted on a cassette stand 80 and mounting the substrate.
After the leak, it is put into the load lock chamber 230 which is opened to the atmosphere. Thereafter, the gate valve 232 is closed, the inside of the load lock chamber 230 is evacuated (evacuated), and after reaching a certain vacuum pressure, the gate valve 234 is opened.
Thereafter, the glass substrate is carried into the first process chamber 12 in the vacuum processing chamber (process chamber) group 10 by a robot (not shown) in the transfer chamber 220, and the processing is executed. After the process in the process chamber 12, the process is carried into the next process chamber (not shown) of the process chamber group 10, where the process is performed. Then, the process is sequentially performed in the process chamber group 10, and finally. It is carried into the process chamber 112 of the process chamber group 10 and processed there. Thereafter, the glass substrate is carried out to the empty cassette 182 by a process reverse to the above-described case of carrying in.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この従来の真空処理装
置200においては、図4に示すようにロードロック室
230のリーク、エバックを繰り返すことでガラス基板
をプロセスチャンバ群10内へ搬入し、また、ロードロ
ック室330のリーク、エバックを繰り返すことで、ガ
ラス基板をプロセスチャンバ群10から搬出するが、こ
のリーク、エバックの時間が真空処理装置200の稼働
率の低下を引き起こしている。In this conventional vacuum processing apparatus 200, the glass substrate is carried into the process chamber group 10 by repeating the leak and the evac of the load lock chamber 230 as shown in FIG. The glass substrate is carried out of the process chamber group 10 by repeating the leak and the evac of the load lock chamber 330, and the time of the leak and the evac causes a decrease in the operation rate of the vacuum processing apparatus 200.
【0006】従って、本発明の目的は、ロードロック室
のリーク、エバック動作の待ち時間を有効に利用し稼働
率を向上させることができる真空処理装置および方法を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus and method capable of effectively utilizing a waiting time for a leak and an evac operation of a load lock chamber and improving an operation rate.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、被処
理物の搬入部および搬出部を備えた真空処理室と、少な
くとも2つの真空予備室であって、前記真空処理室の前
記搬入部および前記搬出部のうちのいずれか一方に、ま
たは前記搬入部と前記搬出部とが兼用されている場合に
は前記兼用されている前記搬入部および前記搬出部に、
並列に連通可能に設けられた前記少なくとも2つの真空
予備室と、を有することを特徴とする真空処理装置が提
供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing chamber having a loading section and a discharging section for an object to be processed, and at least two vacuum preparatory chambers, wherein the loading of the vacuum processing chamber is performed. Part and the carrying-out part, or, when the carrying-in part and the carrying-out part are shared, the carrying-in part and the carrying-out part that are also used as the combined part,
A vacuum processing apparatus comprising: the at least two pre-vacuum chambers provided so as to be able to communicate in parallel.
【0008】このように真空処理室に少なくとも2つの
真空予備室を並列に連通可能に設ければ、上記少なくと
も2つの真空予備室を交互にまたは順番に使用すること
ができ、装置の稼働率を高め、スループットやコストパ
フォーマンスを高めることができる。[0008] If at least two pre-vacuum chambers are provided in the vacuum processing chamber so as to be able to communicate in parallel, the at least two pre-vacuum chambers can be used alternately or sequentially, and the operation rate of the apparatus can be reduced. And increase the throughput and cost performance.
【0009】また、真空処理室の搬入部と搬出部とが異
なる場合には、搬入部および搬出部の両方にそれぞれ少
なくとも2つの真空予備室を並列に連通可能に設けるこ
とが好ましい。When the carrying-in section and the carrying-out section of the vacuum processing chamber are different from each other, it is preferable to provide at least two vacuum spare chambers in both the carrying-in section and the carrying-out section so that they can communicate in parallel.
【0010】さらに、真空処理装置が複数の真空処理室
からなる真空処理室群を備える場合には、真空処理室群
の最初の真空処理室または最後の真空処理室の少なくと
もいずれか一方に、少なくとも2つの真空予備室を並列
に連通可能に設けることが好ましく、真空処理室群の最
初の真空処理室に少なくとも2つの真空予備室を並列に
連通可能に設けると共に真空処理室群の最後の真空処理
室にも少なくとも2つの真空予備室を並列に連通可能に
設けることがより好ましい。Further, when the vacuum processing apparatus includes a vacuum processing chamber group including a plurality of vacuum processing chambers, at least one of the first vacuum processing chamber and the last vacuum processing chamber in the vacuum processing chamber group includes at least one of the vacuum processing chambers. Preferably, two vacuum preparatory chambers are provided so as to be able to communicate in parallel, and at least two vacuum preparatory chambers are provided so as to be able to communicate in parallel in the first vacuum processing chamber of the vacuum processing chamber group and the last vacuum processing in the vacuum processing chamber group. More preferably, the chamber is also provided with at least two pre-vacuum chambers so that they can communicate in parallel.
【0011】なお、真空予備室としては、好ましくはロ
ードロック室が用いられる。A load lock chamber is preferably used as the pre-vacuum chamber.
【0012】また、請求項2によれば、被処理物の搬入
部分を備える真空処理室と前記真空処理室の前記搬入部
分に並列に接続して設けられた第1および第2の真空予
備室とを有する真空処理装置を用いて前記被処理物の真
空処理を行う真空処理方法であって、(1)大気圧下の
前記第1の真空予備室に第1の被処理物を搬入し、その
後前記第1の被処理物が搬入された前記第1の真空予備
室を真空排気し、その後真空排気された前記第1の真空
予備室から前記真空処理室に前記第1の被処理物を搬入
し、その後前記第1の真空予備室を大気圧にする第1の
搬送手順と、(2)大気圧下の前記第2の真空予備室に
第2の被処理物を搬入し、その後前記第2の被処理物が
搬入された前記第2の真空予備室を真空排気し、前記真
空処理室内で前記第1の真空予備室から搬入された被処
理物が所定の真空処理をされて前記真空処理室内に前記
第2の被処理物が搬入可能になるまでに前記第2の真空
予備室が所定の真空度に到達している場合には前記真空
処理室内に前記第2の被処理物が搬入可能になるまで前
記第2の被処理物を前記第2の真空予備室内に待機さ
せ、前記真空処理室内に前記第2の被処理物が搬入可能
になった後に前記第2の真空予備室から前記真空処理室
に前記第2の被処理物を搬入し、前記真空処理室内で前
記第1の真空予備室から搬入された被処理物が所定の真
空処理をされて前記真空処理室内に前記第2の被処理物
が搬入可能になるまでに前記第2の真空予備室が所定の
真空度に到達していない場合には前記第2の真空予備室
が所定の真空度に到達した後に前記第2の真空予備室か
ら前記真空処理室に前記第2の被処理物を搬入し、前記
第2の真空予備室から前記真空処理室に前記第2の被処
理物を搬入後、前記第2の真空予備室を大気圧にする第
2の搬送手順と、(3)大気圧下の前記第1の真空予備
室に第3の被処理物を搬入し、その後前記第3の被処理
物が搬入された前記第1の真空予備室を真空排気し、前
記真空処理室内で前記第2の真空予備室から搬入された
被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理室内に
前記第3の被処理物が搬入可能になるまでに前記第1の
真空予備室が所定の真空度に到達している場合には前記
真空処理室内に前記第3の被処理物が搬入可能になるま
で前記第3の被処理物を前記第1の真空予備室内に待機
させ、前記真空処理室内に前記第3の被処理物が搬入可
能になった後に前記第1の真空予備室から前記真空処理
室に前記第3の被処理物を搬入し、前記真空処理室内で
前記第2の真空予備室から搬入された被処理物が所定の
真空処理をされて前記真空処理室内に前記第3の被処理
物が搬入可能になるまでに前記第1の真空予備室が所定
の真空度に到達していない場合には前記第1の真空予備
室が所定の真空度に到達した後に前記第1の真空予備室
から前記真空処理室に前記第3の被処理物を搬入し、前
記第1の真空予備室から前記真空処理室に前記第3の被
処理物を搬入後、前記第1の真空予備室を大気圧にする
第3の搬送手順と、を有し、前記第2の搬送手順と前記
第3の搬送手順とを所定回数繰り返すことを特徴とする
真空処理方法が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing chamber having a portion for carrying an object to be processed, and a first and second vacuum preparatory chambers connected in parallel to the loading portion of the vacuum processing chamber. A vacuum processing method of performing vacuum processing of the processing object using a vacuum processing apparatus having: (1) loading the first processing object into the first vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure; Thereafter, the first vacuum preliminary chamber into which the first workpiece has been loaded is evacuated, and then the first vacuum workpiece is transferred from the evacuated first vacuum preliminary chamber to the vacuum processing chamber. A first transfer procedure for bringing the first vacuum preliminary chamber to atmospheric pressure, and (2) carrying a second workpiece to the second vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure, The second vacuum preliminary chamber into which the second workpiece is loaded is evacuated, and The second vacuum preparatory chamber is maintained at a predetermined vacuum level until the object loaded from the first vacuum preparatory chamber is subjected to a predetermined vacuum process and the second workpiece can be loaded into the vacuum processing chamber. If the second processing object has been reached, the second processing object is made to stand by in the second vacuum preparatory chamber until the second processing object can be carried into the vacuum processing chamber. After the second processing object can be carried into the second vacuum processing chamber, the second processing object is loaded into the vacuum processing chamber from the second vacuum preparatory chamber, and the first vacuum protection chamber is loaded in the vacuum processing chamber. The second vacuum preparatory chamber reaches a predetermined degree of vacuum before the object to be processed carried in from the chamber is subjected to a predetermined vacuum processing and the second object to be processed can be carried into the vacuum processing chamber. If not, the second pre-vacuum chamber reaches the predetermined degree of vacuum before the second The second object to be processed is carried into the vacuum processing chamber from the vacuum pre-chamber, and the second object is carried into the vacuum processing chamber from the second vacuum pre-chamber. (2) a second transfer procedure in which the preliminary chamber is brought to atmospheric pressure, and (3) a third workpiece is loaded into the first vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure, and then the third workpiece is loaded. The first vacuum preliminary chamber is evacuated to a vacuum, and the workpiece carried in from the second vacuum preliminary chamber is subjected to a predetermined vacuum process in the vacuum processing chamber, and the third vacuum chamber is placed in the vacuum processing chamber. If the first vacuum preliminary chamber has reached a predetermined degree of vacuum before the processing object can be carried in, the third vacuum processing chamber has reached the third vacuum processing chamber until the third processing object can be carried into the vacuum processing chamber. Can be placed in the first vacuum preliminary chamber, and the third workpiece can be carried into the vacuum processing chamber. After that, the third object to be processed is carried into the vacuum processing chamber from the first vacuum preparatory chamber, and the object to be processed carried from the second vacuum preparatory chamber is moved to a predetermined position in the vacuum processing chamber. If the first vacuum preliminary chamber has not reached a predetermined degree of vacuum before the vacuum processing is performed and the third workpiece can be carried into the vacuum processing chamber, the first vacuum preliminary After the chamber reaches a predetermined degree of vacuum, the third object to be processed is carried into the vacuum processing chamber from the first vacuum preliminary chamber, and the third object is transferred from the first vacuum preliminary chamber to the vacuum processing chamber. And a third transfer procedure for bringing the first vacuum preliminary chamber to the atmospheric pressure after loading the work to be processed, and repeating the second transfer procedure and the third transfer procedure a predetermined number of times. A vacuum processing method is provided.
【0013】このような方法によれば、第1の真空予備
室と第2の真空予備室とを交互に利用して被処理物の搬
入を行うことができ、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができる。According to such a method, the object to be processed can be carried in by alternately using the first vacuum spare chamber and the second vacuum spare chamber, and the throughput and cost performance can be improved. it can.
【0014】また、請求項3によれば、被処理物の搬出
部分を備える真空処理室と前記真空処理室の前記搬出部
分に並列に接続して設けられた第1および第2の真空予
備室とを有する真空処理装置を用いて前記被処理物の真
空処理を行う真空処理方法であって、(1)前記真空処
理装置によって真空処理された第1の被処理物を真空下
の前記第1の真空予備室に搬出し、その後前記第1の被
処理物が搬出された前記第1の真空予備室を大気圧に
し、その後大気圧下の前記第1の真空予備室から前記第
1の被処理物を搬出し、その後前記第1の真空予備室を
真空排気する第1の搬送手順と、(2)前記真空処理室
から前記第1の真空予備室に被処理物が搬出された後
に、前記第2の真空予備室が所定の真空度に到達してい
る場合には前記真空処理装置によって真空処理された第
2の被処理物を前記第2の真空予備室に搬出し、前記第
2の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合に
は前記第2の真空予備室が所定の真空度に到達した後に
前記真空処理装置によって真空処理された第2の被処理
物を前記第2の真空予備室に搬出し、前記第2の被処理
物を前記第2の真空予備室に搬出後、前記第2の真空予
備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記第2の真空予
備室から前記第2の被処理物を搬出し、その後前記第2
の真空予備室を真空排気する第2の搬送手順と、(3)
前記真空処理室から前記第2の真空予備室に被処理物が
搬出された後に、前記第1の真空予備室が所定の真空度
に到達している場合には前記真空処理装置によって真空
処理された第3の被処理物を前記第1の真空予備室に搬
出し、前記第1の真空予備室が所定の真空度に到達して
いない場合には前記第1の真空予備室が所定の真空度に
到達した後に前記真空処理装置によって真空処理された
第3の被処理物を前記第1の真空予備室に搬出し、前記
第3の被処理物を前記第1の真空予備室に搬出後、前記
第1の真空予備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記
第1の真空予備室から前記第3の被処理物を搬出し、そ
の後前記第1の真空予備室を真空排気する第3の搬送手
順と、を有し、前記第2の搬送手順と前記第3の搬送手
順とを所定回数繰り返すことを特徴とする真空処理方法
が提供される。According to a third aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing chamber having an unloading portion for an object to be processed and a first and second vacuum preparatory chambers provided in parallel with the unloading portion of the vacuum processing chamber. A vacuum processing method for performing vacuum processing of the object using a vacuum processing apparatus having: (1) a first processing object vacuum-processed by the vacuum processing apparatus; The first vacuum preparatory chamber, from which the first object to be processed is carried out, is brought to atmospheric pressure, and then the first vacuum preparatory chamber is kept at atmospheric pressure from the first vacuum preparatory chamber. A first transfer procedure for unloading the processing object and then evacuating the first vacuum preliminary chamber; and (2) after the processing object is unloaded from the vacuum processing chamber to the first vacuum preliminary chamber, When the second vacuum preliminary chamber has reached a predetermined degree of vacuum, the vacuum processing The second object to be vacuum-processed by the apparatus is carried out to the second pre-vacuum chamber, and if the second pre-vacuum chamber does not reach a predetermined degree of vacuum, the second pre-vacuum is used. After the chamber reaches a predetermined degree of vacuum, the second object to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus is carried out to the second vacuum preliminary chamber, and the second object to be processed is subjected to the second vacuum. After unloading to the preparatory chamber, the second vacuum preparatory chamber is brought to atmospheric pressure, and then the second workpiece is carried out from the second vacuum preparatory chamber under atmospheric pressure.
A second transfer procedure for evacuating the vacuum preparatory chamber of (3), and (3)
After the object is carried out from the vacuum processing chamber to the second vacuum preparatory chamber, if the first vacuum preparatory chamber has reached a predetermined degree of vacuum, the first vacuum preparatory chamber is vacuum-processed by the vacuum processing apparatus. The third object to be processed is carried out to the first vacuum preliminary chamber, and when the first vacuum preliminary chamber has not reached a predetermined degree of vacuum, the first vacuum preliminary chamber is moved to a predetermined vacuum. The third object to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus is carried out to the first pre-vacuum chamber after the vacuum processing apparatus has reached the predetermined temperature, and the third object is carried out to the first vacuum pre-chamber. Setting the first pre-vacuum chamber to atmospheric pressure, then carrying out the third workpiece from the first pre-vacuum chamber under atmospheric pressure, and then evacuating the first pre-vacuum chamber. And the third transport procedure is repeated a predetermined number of times. The vacuum processing method characterized in that return is provided.
【0015】このような方法によれば、第1の真空予備
室と第2の真空予備室とを交互に利用して被処理物の搬
出を行うことができ、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができる。According to such a method, the object to be processed can be carried out by alternately using the first vacuum preliminary chamber and the second vacuum preliminary chamber, and the throughput and cost performance can be improved. it can.
【0016】なお、上記請求項2、3の方法において、
第1、第2の真空予備室を大気圧とする際には、不活性
ガスが好ましく使用される。It is to be noted that, in the method of the second and third aspects,
When the first and second vacuum preliminary chambers are set to atmospheric pressure, an inert gas is preferably used.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0018】図1は、本発明の一実施の形態の真空処理
装置を説明するための模式的ブロック図であり、図2
は、本発明の一実施の形態の真空処理装置におけるガラ
ス基板のローディング方法を説明するためのシーケンス
図である。FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a sequence diagram for describing a method for loading a glass substrate in the vacuum processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【0019】本発明の真空処理装置100は、プロセス
チャンバ群10と、搬送室20、120と、ロードロッ
ク室30、40、130、140と、ロボット50、1
50と、カセットスタンド80とを備えている。The vacuum processing apparatus 100 of the present invention comprises a process chamber group 10, transfer chambers 20, 120, load lock chambers 30, 40, 130, 140, robots 50, 1
50 and a cassette stand 80.
【0020】プロセスチャンバ群10は最初のプロセス
チャンバ12と最後のプロセスチャンバ112とその間
の少なくとも1つのプロセスチャンバ(図示せず。)を
備え、最初のプロセスチャンバ12から最後のプロセス
チャンバ112に到るまで、連続してガラス基板のプラ
ズマCVD等の真空処理が行われる。The process chamber group 10 includes a first process chamber 12, a last process chamber 112, and at least one process chamber (not shown) therebetween, and extends from the first process chamber 12 to the last process chamber 112. Until then, vacuum processing such as plasma CVD of the glass substrate is continuously performed.
【0021】最初のプロセスチャンバ12にはゲートバ
ルブ14を介して搬送室20が接続されており、搬送室
20内には搬送ロボット(図示せず。)が設けられてい
る。搬送室20には、ロードロック室30およびロード
ロック室40が並列に接続されている。ロードロック室
30およびロードロック室40の両方にアクセス可能に
ロボット50が設けられている。ロードロック室30の
ロボット50側および搬送室側にはゲートバルブ32、
34がそれぞれ設けられ、ロードロック室40のロボッ
ト50側および搬送室20側にはゲートバルブ42、4
4がそれぞれ設けられている。A transfer chamber 20 is connected to the first process chamber 12 through a gate valve 14, and a transfer robot (not shown) is provided in the transfer chamber 20. A load lock chamber 30 and a load lock chamber 40 are connected to the transfer chamber 20 in parallel. A robot 50 is provided so as to access both the load lock chamber 30 and the load lock chamber 40. A gate valve 32 is provided on the robot 50 side and the transfer chamber side of the load lock chamber 30,
Gate valves 42, 4 are provided on the robot 50 side and the transfer chamber 20 side of the load lock chamber 40, respectively.
4 are provided.
【0022】最後のプロセスチャンバ112にはゲート
バルブ114を介して搬送室120が接続されており、
搬送室120内には搬送ロボット(図示せず。)が設け
られている。搬送室120には、ロードロック室130
およびロードロック室140が並列に接続されている。
ロードロック室130およびロードロック室140の両
方にアクセス可能にロボット150が設けられている。
ロードロック室130のロボット150側および搬送室
120側にはゲートバルブ132、134がそれぞれ設
けられ、ロードロック室140のロボット150側およ
び搬送室120側にはゲートバルブ142、144がそ
れぞれ設けられている。A transfer chamber 120 is connected to the last process chamber 112 via a gate valve 114.
A transfer robot (not shown) is provided in the transfer chamber 120. The transfer chamber 120 includes a load lock chamber 130.
And the load lock chamber 140 are connected in parallel.
The robot 150 is provided so that both the load lock chamber 130 and the load lock chamber 140 can be accessed.
Gate valves 132 and 134 are provided on the robot 150 side and the transfer chamber 120 side of the load lock chamber 130, and gate valves 142 and 144 are provided on the robot 150 side and the transfer chamber 120 side of the load lock chamber 140, respectively. I have.
【0023】このように、本実施の形態では、プロセス
チャンバ群10の搬入側および搬出側の両方において、
ロードロック室を1つ追加した。そして2つのロードロ
ック室を交互に動作させる方式を採用した。As described above, in the present embodiment, both the carry-in side and the carry-out side of the process chamber group 10
Added one load lock room. Then, a method in which the two load lock chambers are operated alternately is adopted.
【0024】具体的に説明すると次のような手順で行
う。More specifically, the procedure is performed as follows.
【0025】(I)まず、プロセスチャンバ群10にガ
ラス基板を搬入する場合について説明する。(I) First, a case where a glass substrate is carried into the process chamber group 10 will be described.
【0026】(I−1)20枚のガラス基板を収容した
カセット82をカセットスタンド80に設置する。次
に、カセットスタンド80に設置され、ガラス基板を搭
載しているカセット82から、まず1枚目のガラス基板
を、ロボット50によりカセット82から取り出し、大
気圧下のロードロック室30に搬入する。その後、ゲー
トバルブ32を閉じ、ロードロック室30内を設定され
た圧力まで真空排気する。その後、ゲートバルブ34を
開放し、搬送室20内の搬送ロボット(図示せず。)に
よりガラス基板をロードロック室30から搬出する。そ
の後ゲートバルブ34を閉じ、その後ロードロック室3
0内を不活性ガスにより大気圧に戻す。一方、ロードロ
ック室30から搬出されたガラス基板を搬送室20内の
搬送ロボット(図示せず。)により真空処理室(プロセ
スチャンバ)群10の中の最初のプロセスチャンバ12
に搬入し、その後、ゲートバルブ14を閉じる。プロセ
スチャンバ12内に搬入されたガラス基板に対して、プ
ロセスチャンバ12内においてプラズマCVD等の所定
の真空処理を行う。プロセスチャンバ12内における処
理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群10の次の
プロセスチャンバ(図示せず。)に搬入し、そこで処理
を行う。(I-1) A cassette 82 containing 20 glass substrates is set on a cassette stand 80. Next, the first glass substrate is taken out of the cassette 82 by the robot 50 from the cassette 82 mounted on the cassette stand 80 and mounting the glass substrate, and is carried into the load lock chamber 30 under atmospheric pressure. Thereafter, the gate valve 32 is closed, and the inside of the load lock chamber 30 is evacuated to a set pressure. Thereafter, the gate valve 34 is opened, and the glass substrate is carried out of the load lock chamber 30 by the transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20. Thereafter, the gate valve 34 is closed, and then the load lock chamber 3 is closed.
The inside of the chamber is returned to the atmospheric pressure with an inert gas. On the other hand, the transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20 transfers the glass substrate unloaded from the load lock chamber 30 to the first process chamber 12 in the vacuum processing chamber (process chamber) group 10.
Then, the gate valve 14 is closed. A predetermined vacuum process such as plasma CVD is performed on the glass substrate carried into the process chamber 12 in the process chamber 12. After the process in the process chamber 12 is completed, the glass substrate is carried into a process chamber (not shown) next to the process chamber group 10, where the process is performed.
【0027】(I−2)一方では、このようにロードロ
ック室30を真空排気しその後ガラス基板をロードロッ
ク室30からプロセスチャンバ12に搬入している間
に、ロードロック室40が大気圧でない場合にはロード
ロック室40を大気圧にし、2枚目のガラス基板をロボ
ット50によりカセット82から取り出し大気圧下のロ
ードロック室40に搬入する。その後、ゲートバルブ4
2を閉じ、ロードロック室40内を設定された圧力まで
真空排気する。その後、ゲートバルブ44を開放し、搬
送室20内の搬送ロボット(図示せず。)によりガラス
基板をロードロック室40から搬出する。その後ゲート
バルブ44を閉じ、その後ロードロック室40内を不活
性ガスにより大気圧に戻す。一方、ロードロック室40
から搬出されたガラス基板を搬送室20内の搬送ロボッ
ト(図示せず。)により真空処理室(プロセスチャン
バ)群10の中の最初のプロセスチャンバ12に搬入
し、その後、ゲートバルブ14を閉じる。プロセスチャ
ンバ12内に搬入されたガラス基板に対して、プロセス
チャンバ12内においてプラズマCVD等の所定の真空
処理を行う。プロセスチャンバ12内における処理終了
後、ガラス基板をプロセスチャンバ群10の次のプロセ
スチャンバ(図示せず。)に搬入し、そこで処理を行
う。(I-2) On the other hand, while the load lock chamber 30 is evacuated as described above and the glass substrate is subsequently carried into the process chamber 12 from the load lock chamber 30, the load lock chamber 40 is not at atmospheric pressure. In this case, the load lock chamber 40 is set to the atmospheric pressure, and the second glass substrate is taken out of the cassette 82 by the robot 50 and carried into the load lock chamber 40 under the atmospheric pressure. Then, gate valve 4
2 is closed, and the inside of the load lock chamber 40 is evacuated to a set pressure. Thereafter, the gate valve 44 is opened, and the glass substrate is carried out of the load lock chamber 40 by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20. Thereafter, the gate valve 44 is closed, and then the inside of the load lock chamber 40 is returned to the atmospheric pressure by the inert gas. On the other hand, the load lock chamber 40
The glass substrate carried out of the transfer chamber 20 is carried into the first process chamber 12 in the vacuum processing chamber (process chamber) group 10 by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20, and then the gate valve 14 is closed. A predetermined vacuum process such as plasma CVD is performed on the glass substrate carried into the process chamber 12 in the process chamber 12. After the process in the process chamber 12 is completed, the glass substrate is carried into a process chamber (not shown) next to the process chamber group 10, where the process is performed.
【0028】(I−3)また、一方では、このようにロ
ードロック室40を真空排気しその後ガラス基板をロー
ドロック室40からプロセスチャンバ12に搬入してい
る間に、ロードロック室30を大気圧にし、3枚目のガ
ラス基板をロボット50によりカセット82から取り出
し大気圧下のロードロック室30に搬入する。その後、
ゲートバルブ32を閉じ、ロードロック室30内を設定
された圧力まで真空排気する。その後、ゲートバルブ3
4を開放し、搬送室20内の搬送ロボット(図示せ
ず。)によりガラス基板をロードロック室30から搬出
する。その後ゲートバルブ34を閉じ、その後ロードロ
ック室30内を不活性ガスにより大気圧に戻す。一方、
ロードロック室30から搬出されたガラス基板を搬送室
20内の搬送ロボット(図示せず。)により真空処理室
(プロセスチャンバ)群10の中の最初のプロセスチャ
ンバ12に搬入し、その後、ゲートバルブ14を閉じ
る。プロセスチャンバ12内に搬入されたガラス基板に
対して、プロセスチャンバ12内においてプラズマCV
D等の所定の真空処理を行う。プロセスチャンバ12内
における処理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群
10の次のプロセスチャンバ(図示せず。)に搬入し、
そこで処理を行う。(I-3) On the other hand, while the load lock chamber 40 is evacuated as described above and the glass substrate is subsequently carried into the process chamber 12 from the load lock chamber 40, the load lock chamber 30 is enlarged. The pressure is adjusted to the atmospheric pressure, and the third glass substrate is taken out of the cassette 82 by the robot 50 and carried into the load lock chamber 30 under the atmospheric pressure. afterwards,
The gate valve 32 is closed, and the inside of the load lock chamber 30 is evacuated to a set pressure. After that, gate valve 3
Then, the glass substrate is carried out of the load lock chamber 30 by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20. Thereafter, the gate valve 34 is closed, and then the interior of the load lock chamber 30 is returned to the atmospheric pressure by the inert gas. on the other hand,
The glass substrate carried out of the load lock chamber 30 is carried into the first process chamber 12 in the vacuum processing chamber (process chamber) group 10 by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20, and then the gate valve is provided. Close 14. A plasma CV is applied to the glass substrate carried into the process chamber 12 in the process chamber 12.
A predetermined vacuum process such as D is performed. After the processing in the process chamber 12, the glass substrate is carried into the next process chamber (not shown) of the process chamber group 10,
Then, processing is performed.
【0029】(I−4)以下、上記(I−2)、(I−
3)の手順を所定回数繰り返す。(I-4) Hereinafter, (I-2) and (I-
Step 3) is repeated a predetermined number of times.
【0030】図2に、上記(I−1)乃至(I−3)の
手順の一部を示す。FIG. 2 shows a part of the procedures (I-1) to (I-3).
【0031】なお、上記(I−2)の手順を行う場合に
は、好ましくは、ロードロック室30から搬入されたガ
ラス基板が処理されプロセスチャンバ12から搬出等さ
れて、プロセスチャンバ12内に次のガラス基板が搬入
可能となるまでにロードロック室40が所定の真空度に
達している場合にはプロセスチャンバ12内に次のガラ
ス基板が搬入可能になるまでにガラス基板をロードロッ
ク室40内に待機させ、プロセスチャンバ12内に次の
ガラス基板が搬入可能になった後にゲートバルブ44と
ゲートバルブ14とを開け、ガラス基板を搬送室20内
の搬送ロボット(図示せず。)によりロードロック室4
0からプロセスチャンバ12に搬送し、その後、ゲート
バルブ44、14を閉じ、ロードロック室30から搬入
されたガラス基板が処理されプロセスチャンバ12から
搬出等されて、プロセスチャンバ12内に次のガラス基
板が搬入可能となるまでにロードロック室40が所定の
真空度に達していない場合には、ロードロック室40内
が所定の真空度に到達した後に、ゲートバルブ44とゲ
ートバルブ14とを開け、ガラス基板を搬送室20内の
搬送ロボット(図示せず。)によりロードロック室40
からプロセスチャンバ12に搬送し、その後、ゲートバ
ルブ44、14を閉じる。When the procedure (I-2) is performed, preferably, the glass substrate carried in from the load lock chamber 30 is processed and carried out of the process chamber 12, and the next glass substrate is placed in the process chamber 12. If the load lock chamber 40 has reached a predetermined degree of vacuum before the glass substrate can be carried in, the glass substrate is loaded into the load lock chamber 40 until the next glass substrate can be carried into the process chamber 12. After the next glass substrate can be carried into the process chamber 12, the gate valve 44 and the gate valve 14 are opened, and the glass substrate is load-locked by the transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20. Room 4
0 to the process chamber 12, and thereafter, the gate valves 44 and 14 are closed, the glass substrate carried in from the load lock chamber 30 is processed and carried out of the process chamber 12, and the next glass substrate is placed in the process chamber 12. If the load lock chamber 40 has not reached the predetermined degree of vacuum before the load lock chamber 40 can be carried in, the gate valve 44 and the gate valve 14 are opened after the load lock chamber 40 reaches the predetermined degree of vacuum. The glass substrate is transferred to the load lock chamber 40 by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 20.
To the process chamber 12, and then the gate valves 44 and 14 are closed.
【0032】なお、上記においては、ロードロック室4
0からプロセスチャンバ12にガラス基板を搬送する上
記(I−2)の手順の場合について述べたが、ロードロ
ック室30からプロセスチャンバ12にガラス基板を搬
送する上記(I−3)の手順の場合についても同様であ
る。In the above description, the load lock chamber 4
Although the case of the procedure (I-2) for transferring the glass substrate from 0 to the process chamber 12 has been described, the case of the procedure (I-3) for transferring the glass substrate from the load lock chamber 30 to the process chamber 12 has been described. The same applies to.
【0033】(II)プロセスチャンバ12内における
処理終了後、ガラス基板をプロセスチャンバ群10の次
のプロセスチャンバ(図示せず。)に搬入し、そこで処
理を行い、その後、プロセスチャンバ群10の後続のプ
ロセスチャンバ(図示せず。)において次々と処理を行
い、最後にプロセスチャンバ群10のプロセスチャンバ
112に搬入しそこで処理する。(II) After the process in the process chamber 12 is completed, the glass substrate is carried into the next process chamber (not shown) of the process chamber group 10, where the process is performed. Are performed one after another in a process chamber (not shown), and finally loaded into the process chambers 112 of the process chamber group 10 and processed there.
【0034】(III)プロセスチャンバ112におい
て処理が行われたガラス基板は次のようにしてカセット
182まで搬送される。(III) The glass substrate processed in the process chamber 112 is transferred to the cassette 182 as follows.
【0035】(III−1)まず、プロセスチャンバ1
12においてプラズマCVD等の真空処理が行われた後
に、ゲートバルブ114、134を開き、搬送室120
内の搬送ロボット(図示せず。)により、処理が終わっ
た1枚目のガラス基板を真空下のロードロック室130
内に搬送する。その後、ゲートバルブ114、134を
閉じ、1枚目のガラス基板が搬出されたロードロック室
130を不活性ガスにより大気圧にし、その後ゲートバ
ルブ132を開いて大気圧下のロードロック室130か
らロボット150によりガラス基板を搬出する。その
後、ゲートバルブ132を閉じ、ロードロック室130
を真空排気する。なお、ロードロック室130から搬出
されたガラス基板はロボット150によりカセット18
2に搬送される。(III-1) First, the process chamber 1
After vacuum processing such as plasma CVD is performed at 12, the gate valves 114 and 134 are opened, and the transfer chamber 120 is opened.
The processed first glass substrate is transferred to a load lock chamber 130 under vacuum by a transfer robot (not shown) in the inside.
Conveyed inside. After that, the gate valves 114 and 134 are closed, and the load lock chamber 130 into which the first glass substrate is unloaded is brought to the atmospheric pressure by an inert gas, and then the gate valve 132 is opened to move the load lock chamber 130 under the atmospheric pressure from the load lock chamber 130 to the robot. The glass substrate is carried out by 150. Thereafter, the gate valve 132 is closed and the load lock chamber 130 is closed.
Is evacuated. The glass substrate carried out of the load lock chamber 130 is transferred to the cassette 18 by the robot 150.
2 is transferred.
【0036】(III−2)一方では、このようにロー
ドロック室130を大気圧にし、その後ロードロック室
130からガラス基板をカセット182に搬送している
間に、ゲートバルブ114、144を開き、搬送室12
0内の搬送ロボット(図示せず。)により、処理が終わ
った2枚目のガラス基板を真空下のロードロック室14
0内に搬送する。その後、ゲートバルブ114、144
を閉じ、2枚目のガラス基板が搬出されたロードロック
室140を不活性ガスにより大気圧にし、その後ゲート
バルブ142を開いて大気圧下のロードロック室140
からロボット150によりガラス基板を搬出する。その
後、ゲートバルブ142を閉じ、ロードロック室140
を真空排気する。なお、ロードロック室140から搬出
されたガラス基板はロボット150によりカセット18
2に搬送される。(III-2) On the other hand, the gate valves 114 and 144 are opened while the glass substrate is transferred from the load lock chamber 130 to the cassette 182 after the load lock chamber 130 is brought to the atmospheric pressure. Transfer chamber 12
0, the processed second glass substrate is transferred to the load lock chamber 14 under vacuum by a transfer robot (not shown).
Conveyed within 0. Thereafter, the gate valves 114, 144
Is closed, the load lock chamber 140 from which the second glass substrate has been carried out is brought to atmospheric pressure by an inert gas, and then the gate valve 142 is opened to open the load lock chamber 140 at atmospheric pressure.
Then, the glass substrate is carried out by the robot 150. Thereafter, the gate valve 142 is closed, and the load lock chamber 140 is closed.
Is evacuated. The glass substrate carried out of the load lock chamber 140 is transferred to the cassette 18 by the robot 150.
2 is transferred.
【0037】(III−3)また、一方では、このよう
にロードロック室140を大気圧にし、その後ロードロ
ック室140からガラス基板をカセット182に搬送し
ている間に、ゲートバルブ114、134を開き、搬送
室120内の搬送ロボット(図示せず。)により、処理
が終わった3枚目のガラス基板を真空下のロードロック
室130内に搬送する。その後、ゲートバルブ114、
134を閉じ、3枚目のガラス基板が搬出されたロード
ロック室130を不活性ガスにより大気圧にし、その後
ゲートバルブ132を開いて大気圧下のロードロック室
130からロボット150によりガラス基板を搬出す
る。その後、ゲートバルブ132を閉じ、ロードロック
室130を真空排気する。なお、ロードロック室130
から搬出されたガラス基板はロボット150によりカセ
ット182に搬送される。(III-3) On the other hand, while the load lock chamber 140 is brought to the atmospheric pressure as described above, while the glass substrate is transferred from the load lock chamber 140 to the cassette 182, the gate valves 114 and 134 are operated. Then, the third glass substrate after the processing is transferred into the load lock chamber 130 under vacuum by a transfer robot (not shown) in the transfer chamber 120. Then, the gate valve 114,
134 is closed, the load lock chamber 130 into which the third glass substrate has been carried out is brought to atmospheric pressure by an inert gas, and then the gate valve 132 is opened and the glass substrate is carried out from the load lock chamber 130 under atmospheric pressure by the robot 150. I do. Thereafter, the gate valve 132 is closed, and the load lock chamber 130 is evacuated. The load lock chamber 130
The glass substrate carried out of the robot is transferred to the cassette 182 by the robot 150.
【0038】(III−4)以下、上記(III−
2)、(III−3)の手順を所定回数繰り返す。(III-4) Hereinafter, the above (III-
2) and (III-3) are repeated a predetermined number of times.
【0039】なお、上記(III−2)の手順を行う場
合には、好ましくは、プロセスチャンバ112からロー
ドロック室130にガラス基板が搬出された後に、ロー
ドロック室140が所定の真空度に到達している場合に
はプロセスチャンバ112によって真空処理された次の
ガラス基板をロードロック室140に搬出し、ロードロ
ック室140が所定の真空度に到達していない場合には
ロードロック室140が所定の真空度に到達した後にプ
ロセスチャンバ112によって真空処理された次のガラ
ス基板をロードロック室140に搬出する。なお、プロ
セスチャンバ112からロードロック室130にガラス
基板を搬送する上記(III−3)の手順の場合につい
ても同様である。When performing the above-mentioned procedure (III-2), preferably, after the glass substrate is carried out from the process chamber 112 to the load lock chamber 130, the load lock chamber 140 reaches a predetermined degree of vacuum. If the vacuum lock is performed, the next glass substrate vacuum-processed by the process chamber 112 is carried out to the load lock chamber 140, and if the load lock chamber 140 has not reached the predetermined degree of vacuum, the load lock chamber 140 is reset to the predetermined level. After reaching the degree of vacuum, the next glass substrate vacuum-processed by the process chamber 112 is carried out to the load lock chamber 140. The same applies to the case of the procedure (III-3) for transferring the glass substrate from the process chamber 112 to the load lock chamber 130.
【0040】上述のように、本実施の形態においては、
プロセスチャンバ群10の最初のプロセスチャンバ12
に並列にロードロック室30、40を搬送室20を介し
て連通可能に設け、プロセスチャンバ群10の最後のプ
ロセスチャンバ112に並列にロードロック室130、
140を搬送室120を介して連通可能に設けているの
で、プロセスチャンバ群10内にガラス基板を搬入する
際には、ロードロック室30、40を交互に使用でき、
装置の稼働率を高め、スループットやコストパフォーマ
ンスを高めることができ、また、プロセスチャンバ群1
0からガラス基板を搬出する際には、ロードロック室1
30、140を交互に使用でき、装置の稼働率を高め、
スループットやコストパフォーマンスを高めることがで
きる。As described above, in the present embodiment,
First process chamber 12 of process chamber group 10
The load lock chambers 30 and 40 are provided so as to be able to communicate with each other via the transfer chamber 20 in parallel with the load lock chambers 130 and 40 in parallel with the last process chamber 112 of the process chamber group 10.
Since the glass substrate 140 is provided so as to be communicable via the transfer chamber 120, the load lock chambers 30 and 40 can be used alternately when loading the glass substrate into the process chamber group 10.
The operation rate of the apparatus can be increased, the throughput and cost performance can be increased.
When unloading the glass substrate from the load lock chamber 1
30, 140 can be used alternately, increasing the operation rate of the device,
Throughput and cost performance can be improved.
【0041】ここで、スループットおよびコストパフォ
ーマンスを本実施の形態の真空処理装置100と従来の
真空処理装置200と間で比較するとつぎの表1のよう
になる。The following Table 1 shows a comparison of the throughput and the cost performance between the vacuum processing apparatus 100 of the present embodiment and the conventional vacuum processing apparatus 200.
【0042】[0042]
【表1】 従来 本実施の形態 スループット A KA 真空処理装置本体価格 B B’ 稼働率 α α コストパフォーマンス αA/B KαA/B’ コストパフォーマンス比 1 K・(B/B’)[Table 1] Conventional Embodiment Throughput A KA Vacuum processing unit body price B B 'Operating rate α α Cost performance αA / B KαA / B' Cost performance ratio 1 K · (B / B ')
【0043】すなわち、本実施の形態においては、搬入
側および搬出側においてロードロック室をそれぞれ1つ
追加したので、その分真空処理装置本体の価格がB’と
なり従来の真空処理装置本体の価格Bよりも高くなる
が、スループットが従来のK(K>1)倍となるので、
真空処理装置本体の価格の上昇を十分に打ち消し、その
結果、従来に比べて格段に高いコストパフォーマンスが
得られる。That is, in the present embodiment, since one load lock chamber is added on each of the loading side and the unloading side, the price of the vacuum processing apparatus body becomes B 'accordingly, and the price B of the conventional vacuum processing apparatus body becomes B'. However, since the throughput is K times larger than the conventional one (K> 1),
An increase in the price of the vacuum processing apparatus main body is sufficiently canceled out, and as a result, a significantly higher cost performance can be obtained as compared with the related art.
【0044】[0044]
【発明の効果】本発明の真空処理装置によれば、真空処
理室に少なくとも2つの真空予備室を並列に連通可能に
設けているので、上記少なくとも2つの真空予備室を交
互にまたは順番に使用することができ、装置の稼働率を
高め、スループットやコストパフォーマンスを高めるこ
とができる。According to the vacuum processing apparatus of the present invention, at least two pre-vacuum chambers are provided in the vacuum processing chamber so that they can communicate in parallel, so that the at least two pre-vacuum chambers are used alternately or sequentially. It is possible to increase the operation rate of the apparatus and increase the throughput and cost performance.
【0045】本発明の真空処理方法によれば、第1の真
空予備室と第2の真空予備室とを交互に利用して被処理
物の搬入/搬出を行うことができ、装置の稼働率を高
め、スループットやコストパフォーマンスを高めること
ができる。According to the vacuum processing method of the present invention, the object to be processed can be loaded / unloaded by alternately using the first vacuum preliminary chamber and the second vacuum preliminary chamber. To increase throughput and cost performance.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の一実施の形態の真空処理装置を説明す
るための模式的ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施の形態の真空処理装置における
ガラス基板のローディング方法を説明するためのシーケ
ンス図である。FIG. 2 is a sequence diagram for explaining a glass substrate loading method in the vacuum processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図3】従来の真空処理装置を説明するための模式的ブ
ロック図である。FIG. 3 is a schematic block diagram for explaining a conventional vacuum processing apparatus.
【図4】従来の真空処理装置におけるガラス基板のロー
ディング方法を説明するためのシーケンス図である。FIG. 4 is a sequence diagram illustrating a method for loading a glass substrate in a conventional vacuum processing apparatus.
80…カセットスタンド 82、182…カセット 20、120、220、320…搬送室 30、40、130、140、230、330、…ロー
ドロック室 14、32、34、42、44、114、132、13
4、142、144…ゲートバルブ 50、150、250、350…ロボット 12、112…真空処理室(プロセスチャンバ) 10…真空処理室群(プロセスチャンバ群)80: cassette stand 82, 182: cassette 20, 120, 220, 320 transfer chamber 30, 40, 130, 140, 230, 330, load lock chamber 14, 32, 34, 42, 44, 114, 132, 13
4, 142, 144 ... gate valve 50, 150, 250, 350 ... robot 12, 112 ... vacuum processing chamber (process chamber) 10 ... vacuum processing chamber group (process chamber group)
Claims (3)
空処理室と、 少なくとも2つの真空予備室であって、前記真空処理室
の前記搬入部および前記搬出部のうちのいずれか一方
に、または前記搬入部と前記搬出部とが兼用されている
場合には前記兼用されている前記搬入部および前記搬出
部に、並列に連通可能に設けられた前記少なくとも2つ
の真空予備室と、 を有することを特徴とする真空処理装置。1. A vacuum processing chamber having a loading section and a discharging section for an object to be processed, and at least two vacuum preparatory chambers, one of the loading section and the discharging section of the vacuum processing chamber. In the case where the carry-in part and the carry-out part are also used, the at least two vacuum preparatory chambers provided so as to be able to communicate in parallel with the carry-in part and the carry-out part which are also used, A vacuum processing apparatus comprising:
前記真空処理室の前記搬入部分に並列に接続して設けら
れた第1および第2の真空予備室とを有する真空処理装
置を用いて前記被処理物の真空処理を行う真空処理方法
であって、(1)大気圧下の前記第1の真空予備室に第
1の被処理物を搬入し、その後前記第1の被処理物が搬
入された前記第1の真空予備室を真空排気し、その後真
空排気された前記第1の真空予備室から前記真空処理室
に前記第1の被処理物を搬入し、その後前記第1の真空
予備室を大気圧にする第1の搬送手順と、(2)大気圧
下の前記第2の真空予備室に第2の被処理物を搬入し、
その後前記第2の被処理物が搬入された前記第2の真空
予備室を真空排気し、前記真空処理室内で前記第1の真
空予備室から搬入された被処理物が所定の真空処理をさ
れて前記真空処理室内に前記第2の被処理物が搬入可能
になるまでに前記第2の真空予備室が所定の真空度に到
達している場合には前記真空処理室内に前記第2の被処
理物が搬入可能になるまで前記第2の被処理物を前記第
2の真空予備室内に待機させ、前記真空処理室内に前記
第2の被処理物が搬入可能になった後に前記第2の真空
予備室から前記真空処理室に前記第2の被処理物を搬入
し、前記真空処理室内で前記第1の真空予備室から搬入
された被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理
室内に前記第2の被処理物が搬入可能になるまでに前記
第2の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合
には前記第2の真空予備室が所定の真空度に到達した後
に前記第2の真空予備室から前記真空処理室に前記第2
の被処理物を搬入し、 前記第2の真空予備室から前記真空処理室に前記第2の
被処理物を搬入後、前記第2の真空予備室を大気圧にす
る第2の搬送手順と、(3)大気圧下の前記第1の真空
予備室に第3の被処理物を搬入し、 その後前記第3の被処理物が搬入された前記第1の真空
予備室を真空排気し、前記真空処理室内で前記第2の真
空予備室から搬入された被処理物が所定の真空処理をさ
れて前記真空処理室内に前記第3の被処理物が搬入可能
になるまでに前記第1の真空予備室が所定の真空度に到
達している場合には前記真空処理室内に前記第3の被処
理物が搬入可能になるまで前記第3の被処理物を前記第
1の真空予備室内に待機させ、前記真空処理室内に前記
第3の被処理物が搬入可能になった後に前記第1の真空
予備室から前記真空処理室に前記第3の被処理物を搬入
し、前記真空処理室内で前記第2の真空予備室から搬入
された被処理物が所定の真空処理をされて前記真空処理
室内に前記第3の被処理物が搬入可能になるまでに前記
第1の真空予備室が所定の真空度に到達していない場合
には前記第1の真空予備室が所定の真空度に到達した後
に前記第1の真空予備室から前記真空処理室に前記第3
の被処理物を搬入し、 前記第1の真空予備室から前記真空処理室に前記第3の
被処理物を搬入後、前記第1の真空予備室を大気圧にす
る第3の搬送手順と、を有し、前記第2の搬送手順と前
記第3の搬送手順とを所定回数繰り返すことを特徴とす
る真空処理方法。2. A vacuum processing apparatus comprising: a vacuum processing chamber having a portion into which an object to be processed is loaded; and first and second pre-vacuum chambers provided in parallel with the loading portion of the vacuum processing chamber. A vacuum processing method for performing vacuum processing of the object to be processed, wherein (1) loading the first object to be processed into the first vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure, and thereafter performing the first processing. The first vacuum preliminary chamber into which the object is loaded is evacuated, and then the first workpiece is loaded into the vacuum processing chamber from the evacuated first vacuum preliminary chamber. And (2) loading a second workpiece into the second vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure,
Thereafter, the second vacuum preliminary chamber into which the second workpiece is loaded is evacuated, and the workpiece loaded from the first vacuum preliminary chamber is subjected to a predetermined vacuum processing in the vacuum processing chamber. If the second vacuum preparatory chamber has reached a predetermined degree of vacuum before the second workpiece can be carried into the vacuum processing chamber, the second workpiece is placed in the vacuum processing chamber. The second processing object is made to stand by in the second pre-vacuum chamber until the processing object can be carried in, and after the second processing object can be carried into the vacuum processing chamber, the second processing object The second processing object is carried into the vacuum processing chamber from the vacuum preparatory chamber, and the processing object carried from the first vacuum preparatory chamber is subjected to a predetermined vacuum processing in the vacuum processing chamber to perform the vacuum processing. The second vacuum preparatory chamber until the second workpiece can be carried into the chamber; Wherein from said second lock chamber after the second lock chamber has reached a predetermined degree of vacuum in the vacuum processing chamber when it has not reached a predetermined degree of vacuum second
A second transfer procedure for bringing the second object to be processed into the vacuum processing chamber from the second vacuum auxiliary chamber, and then bringing the second vacuum auxiliary chamber to atmospheric pressure; (3) loading a third object to be processed into the first pre-vacuum chamber under atmospheric pressure, and then evacuating the first pre-vacuum chamber into which the third object is carried; The first object is processed until the object loaded from the second vacuum preparatory chamber in the vacuum processing chamber is subjected to a predetermined vacuum processing and the third object can be loaded into the vacuum processing chamber. When the vacuum preparatory chamber has reached a predetermined degree of vacuum, the third processing object is moved into the first vacuum preparatory chamber until the third processing object can be carried into the vacuum processing chamber. After the third object to be processed can be carried into the vacuum processing chamber, The third processing object is carried into the vacuum processing chamber, and the processing object carried from the second vacuum preparatory chamber is subjected to a predetermined vacuum processing in the vacuum processing chamber, and the third processing object is introduced into the vacuum processing chamber. If the first vacuum preliminary chamber has not reached the predetermined degree of vacuum by the time the workpiece can be carried in, the first vacuum preliminary chamber has reached the predetermined degree of vacuum. From the pre-vacuum chamber to the vacuum processing chamber
And a third transfer procedure for bringing the first vacuum preliminary chamber to atmospheric pressure after loading the third workpiece from the first vacuum preliminary chamber into the vacuum processing chamber. Wherein the second transporting procedure and the third transporting procedure are repeated a predetermined number of times.
前記真空処理室の前記搬出部分に並列に接続して設けら
れた第1および第2の真空予備室とを有する真空処理装
置を用いて前記被処理物の真空処理を行う真空処理方法
であって、(1)前記真空処理装置によって真空処理さ
れた第1の被処理物を真空下の前記第1の真空予備室に
搬出し、その後前記第1の被処理物が搬出された前記第
1の真空予備室を大気圧にし、その後大気圧下の前記第
1の真空予備室から前記第1の被処理物を搬出し、その
後前記第1の真空予備室を真空排気する第1の搬送手順
と、(2)前記真空処理室から前記第1の真空予備室に
被処理物が搬出された後に、前記第2の真空予備室が所
定の真空度に到達している場合には前記真空処理装置に
よって真空処理された第2の被処理物を前記第2の真空
予備室に搬出し、前記第2の真空予備室が所定の真空度
に到達していない場合には前記第2の真空予備室が所定
の真空度に到達した後に前記真空処理装置によって真空
処理された第2の被処理物を前記第2の真空予備室に搬
出し、 前記第2の被処理物を前記第2の真空予備室に搬出後、
前記第2の真空予備室を大気圧にし、 その後大気圧下の前記第2の真空予備室から前記第2の
被処理物を搬出し、 その後前記第2の真空予備室を真空排気する第2の搬送
手順と、(3)前記真空処理室から前記第2の真空予備
室に被処理物が搬出された後に、前記第1の真空予備室
が所定の真空度に到達している場合には前記真空処理装
置によって真空処理された第3の被処理物を前記第1の
真空予備室に搬出し、前記第1の真空予備室が所定の真
空度に到達していない場合には前記第1の真空予備室が
所定の真空度に到達した後に前記真空処理装置によって
真空処理された第3の被処理物を前記第1の真空予備室
に搬出し、 前記第3の被処理物を前記第1の真空予備室に搬出後、
前記第1の真空予備室を大気圧にし、 その後大気圧下の前記第1の真空予備室から前記第3の
被処理物を搬出し、 その後前記第1の真空予備室を真空排気する第3の搬送
手順と、を有し、前記第2の搬送手順と前記第3の搬送
手順とを所定回数繰り返すことを特徴とする真空処理方
法。3. A vacuum processing apparatus comprising: a vacuum processing chamber having an unloading portion for an object to be processed; and first and second pre-vacuum chambers provided in parallel with the unloading portion of the vacuum processing chamber. A vacuum processing method for performing vacuum processing of the object to be processed using: (1) unloading a first object to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus to the first vacuum preliminary chamber under vacuum; Setting the first vacuum preliminary chamber into which the first workpiece has been transported out to atmospheric pressure, and then transporting the first workpiece from the first vacuum preliminary chamber under atmospheric pressure; A first transfer procedure for evacuating the first vacuum preparatory chamber, and (2) the second vacuum preparatory chamber after an object is carried out from the vacuum processing chamber to the first vacuum preparatory chamber. When the vacuum degree reaches a predetermined degree of vacuum, the vacuum processing apparatus performs vacuum processing. The second object to be processed is carried out to the second pre-vacuum chamber, and when the second pre-vacuum chamber has not reached a predetermined degree of vacuum, the second pre-vacuum chamber is set at a predetermined vacuum. The second object to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus is carried out to the second pre-vacuum chamber after the temperature reaches the second vacuum pre-chamber, and the second to-be-processed object is carried out to the second pre-vacuum chamber. ,
Setting the second pre-vacuum chamber to atmospheric pressure, then carrying out the second workpiece from the second pre-vacuum chamber under atmospheric pressure, and then evacuating the second pre-vacuum chamber. And (3) when the first vacuum preliminary chamber has reached a predetermined degree of vacuum after the workpiece is carried out from the vacuum processing chamber to the second vacuum preliminary chamber. The third workpiece to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus is carried out to the first vacuum preliminary chamber, and if the first vacuum preliminary chamber has not reached a predetermined degree of vacuum, the first vacuum preliminary chamber is subjected to the first vacuum preliminary chamber. After the vacuum preparatory chamber reaches a predetermined degree of vacuum, a third object to be vacuum-processed by the vacuum processing apparatus is carried out to the first vacuum preparatory chamber, and the third object to be processed is transferred to the first vacuum preparatory chamber. After unloading to the 1st vacuum spare room,
Setting the first pre-vacuum chamber to atmospheric pressure, then carrying out the third object from the first pre-vacuum chamber under atmospheric pressure, and then evacuating the first pre-vacuum chamber. A vacuum processing method comprising repeating the second transport procedure and the third transport procedure a predetermined number of times.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22309097A JPH1150256A (en) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22309097A JPH1150256A (en) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1150256A true JPH1150256A (en) | 1999-02-23 |
Family
ID=16792686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22309097A Withdrawn JPH1150256A (en) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1150256A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273646A (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Canon Inc | Load lock chamber, processing system and processing method |
| US7367139B2 (en) | 2005-06-20 | 2008-05-06 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Vacuum processing apparatus and method operation thereof |
-
1997
- 1997-08-05 JP JP22309097A patent/JPH1150256A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273646A (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Canon Inc | Load lock chamber, processing system and processing method |
| US7367139B2 (en) | 2005-06-20 | 2008-05-06 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Vacuum processing apparatus and method operation thereof |
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Legal Events
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