JPH11326603A - マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 - Google Patents
マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置Info
- Publication number
- JPH11326603A JPH11326603A JP10153796A JP15379698A JPH11326603A JP H11326603 A JPH11326603 A JP H11326603A JP 10153796 A JP10153796 A JP 10153796A JP 15379698 A JP15379698 A JP 15379698A JP H11326603 A JPH11326603 A JP H11326603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- master
- microlens array
- manufacturing
- light
- transmitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 4
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 4
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 benzoin alkyl ether Chemical class 0.000 description 4
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)-2,2,2-trichloroethanone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(=O)C(Cl)(Cl)Cl)C=C1 IMDHDEPPVWETOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMCRQYHCDSXNLW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)-2,2-dichloroethanone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(=O)C(Cl)Cl)C=C1 VMCRQYHCDSXNLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-oxo-3h-naphthalen-1-olate Chemical class C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])CC(=O)C2=C1 UWQPDVZUOZVCBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVRHNZGZWMKMNE-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-[2-(2-methylpropyl)phenyl]-2-phenylethanone Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 WVRHNZGZWMKMNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylprop-2-enoyloxy)hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)=C SAPGBCWOQLHKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N [2,2-bis(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxypropyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C CQHKDHVZYZUZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N [2,2-dimethyl-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(C)COC(=O)C(C)=C ULQMPOIOSDXIGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N butane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CC(O)CCO OUWGYAHTVDEVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical class CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N methoxymethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCOC DKJCSMHIPYRALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0031—Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な原盤の製造頻度を低減することによ
り、マイクロレンズアレイを安価に製造する方法及びそ
の方法により製造されるマイクロレンズアレイを提供す
ることにある。 【解決手段】 複数の曲面部19を有する原盤10を形
成する第1工程と、曲面部19から転写された複数の曲
面部26を有する複製盤20を形成する第2工程と、曲
面部26から転写された複数のレンズ32を有する光透
過性層30を形成する第3工程と、を含む。
り、マイクロレンズアレイを安価に製造する方法及びそ
の方法により製造されるマイクロレンズアレイを提供す
ることにある。 【解決手段】 複数の曲面部19を有する原盤10を形
成する第1工程と、曲面部19から転写された複数の曲
面部26を有する複製盤20を形成する第2工程と、曲
面部26から転写された複数のレンズ32を有する光透
過性層30を形成する第3工程と、を含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロレンズア
レイ及びその製造方法並びに表示装置に関する。
レイ及びその製造方法並びに表示装置に関する。
【0002】
【発明の背景】これまでに、複数の微小なレンズが並べ
られて構成されるマイクロレンズアレイが、例えば液晶
パネルに適用されてきた。マイクロレンズアレイを適用
することで、各レンズによって各画素に入射する光が集
光するので、表示画面を明るくすることができる。
られて構成されるマイクロレンズアレイが、例えば液晶
パネルに適用されてきた。マイクロレンズアレイを適用
することで、各レンズによって各画素に入射する光が集
光するので、表示画面を明るくすることができる。
【0003】また、マイクロレンズアレイを製造する方
法として、ドライエッチング法又はウェットエッチング
法を適用する方法が知られている。しかし、これらの方
法によれば、個々のマイクロレンズアレイを製造する毎
に、リソグラフィ工程が必要であってコストが高くな
る。
法として、ドライエッチング法又はウェットエッチング
法を適用する方法が知られている。しかし、これらの方
法によれば、個々のマイクロレンズアレイを製造する毎
に、リソグラフィ工程が必要であってコストが高くな
る。
【0004】そこで、特開平3−198003号公報に
開示されるように、レンズに対応する球面が形成された
原盤に樹脂を滴下し、この樹脂を固化させて剥離するこ
とで、マイクロレンズアレイを製造する方法が開発され
ている。
開示されるように、レンズに対応する球面が形成された
原盤に樹脂を滴下し、この樹脂を固化させて剥離するこ
とで、マイクロレンズアレイを製造する方法が開発され
ている。
【0005】この方法は、要するに、原盤を型としてマ
イクロレンズアレイを転写形成することで、製品毎のリ
ソグラフィエ程を不要とする方法である。原盤は、一旦
製造すればその後、耐久性の許す限り繰り返し使用でき
るため、原盤の耐久性が高いほどー製品あたりに占める
原盤コストが低減し、製品の低コスト化に繋がる。
イクロレンズアレイを転写形成することで、製品毎のリ
ソグラフィエ程を不要とする方法である。原盤は、一旦
製造すればその後、耐久性の許す限り繰り返し使用でき
るため、原盤の耐久性が高いほどー製品あたりに占める
原盤コストが低減し、製品の低コスト化に繋がる。
【0006】しかしながら、この製造方法においては、
製品毎に原盤を使用するので、原盤の汚染や磨耗、パタ
ーン形状の変形といった劣化が早いという問題点を有す
る。原盤はリソグラフィエ程を応用することにより製造
されるため、原盤を製造し直すには高いコストを要し、
原盤の製造頻度の増大は製品の高コスト化の要因となっ
てしまう。
製品毎に原盤を使用するので、原盤の汚染や磨耗、パタ
ーン形状の変形といった劣化が早いという問題点を有す
る。原盤はリソグラフィエ程を応用することにより製造
されるため、原盤を製造し直すには高いコストを要し、
原盤の製造頻度の増大は製品の高コスト化の要因となっ
てしまう。
【0007】本発明は、このような問題点を解決するも
ので、その目的は、高価な原盤の製造頻度を低減するこ
とにより、マイクロレンズアレイを安価に製造する方法
及びその方法により製造されるマイクロレンズアレイを
提供することにある。
ので、その目的は、高価な原盤の製造頻度を低減するこ
とにより、マイクロレンズアレイを安価に製造する方法
及びその方法により製造されるマイクロレンズアレイを
提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係るマイ
クロレンズアレイの製造方法は、複数の第1の曲面部を
有する原盤を形成する第1工程と、前記第1の曲面部か
ら転写された複数の第2の曲面部を有する複製盤を形成
する第2工程と、前記第2の曲面部から転写された複数
のレンズを有する光透過性層を形成する第3工程と、を
含む。
クロレンズアレイの製造方法は、複数の第1の曲面部を
有する原盤を形成する第1工程と、前記第1の曲面部か
ら転写された複数の第2の曲面部を有する複製盤を形成
する第2工程と、前記第2の曲面部から転写された複数
のレンズを有する光透過性層を形成する第3工程と、を
含む。
【0009】本発明は、要するに、曲面部を有する原盤
から複製盤を複製し、その複製盤を製品ごとに用いて、
複数のレンズを有するマイクロレンズアレイを製造する
方法である。
から複製盤を複製し、その複製盤を製品ごとに用いて、
複数のレンズを有するマイクロレンズアレイを製造する
方法である。
【0010】本発明によれば、高価な原盤は複製盤の製
造時にのみ用いるので、原盤が劣化して製造し直す頻度
が減少し、マイクロレンズアレイの製造コストを低減す
ることができる。
造時にのみ用いるので、原盤が劣化して製造し直す頻度
が減少し、マイクロレンズアレイの製造コストを低減す
ることができる。
【0011】(2)前記複製盤は、前記原盤の前記第1
の曲面部が形成された面上に、電気鋳造法により金属層
を形成し、前記金属層を前記原盤から剥離して得られる
ようにしてもよい。
の曲面部が形成された面上に、電気鋳造法により金属層
を形成し、前記金属層を前記原盤から剥離して得られる
ようにしてもよい。
【0012】電気鋳造法(電気メッキ法)を利用するこ
とで、簡単に複製盤を製造することができる。
とで、簡単に複製盤を製造することができる。
【0013】(3)本発明に係るマイクロレンズアレイ
の製造方法は、複数の第1の曲面部を有する原盤を形成
する第1工程と、前記第1の曲面部から転写された複数
の第2の曲面部を有する中間盤を形成する第2工程と、
前記第2の曲面部から転写された複数の第3の曲面部を
有する複製盤を形成する第3工程と、前記第3の曲面部
から転写された複数のレンズを有する光透過性層を形成
する第4工程と、を含む。
の製造方法は、複数の第1の曲面部を有する原盤を形成
する第1工程と、前記第1の曲面部から転写された複数
の第2の曲面部を有する中間盤を形成する第2工程と、
前記第2の曲面部から転写された複数の第3の曲面部を
有する複製盤を形成する第3工程と、前記第3の曲面部
から転写された複数のレンズを有する光透過性層を形成
する第4工程と、を含む。
【0014】このように、原盤から中間盤を介して複製
盤を形成する方法では、原盤及び複製盤を構成する材料
や複製盤を形成するための方法の自由度が増すため、精
度の高い曲面部形状の転写や原盤及び複製盤の耐久性の
更なる向上が容易となる。
盤を形成する方法では、原盤及び複製盤を構成する材料
や複製盤を形成するための方法の自由度が増すため、精
度の高い曲面部形状の転写や原盤及び複製盤の耐久性の
更なる向上が容易となる。
【0015】(4)前記中間盤の形成工程は、前記原盤
の前記第1の曲面部が形成された面上に中間盤前駆体を
塗布する工程と、前記中間盤前駆体を固化して前記中間
盤を形成する工程と、前記原盤から前記中間盤を剥離す
る工程と、を含んでもよい。
の前記第1の曲面部が形成された面上に中間盤前駆体を
塗布する工程と、前記中間盤前駆体を固化して前記中間
盤を形成する工程と、前記原盤から前記中間盤を剥離す
る工程と、を含んでもよい。
【0016】(5)前記中間盤前駆体は、エネルギーの
付与により硬化可能な物質を含んでもよい。
付与により硬化可能な物質を含んでもよい。
【0017】(6)前記エネルギーとして、光及び熱の
少なくともいずれか一方が挙げられる。
少なくともいずれか一方が挙げられる。
【0018】(7)前記中間盤前駆体は、熱可塑性を有
する物質であってもよい。
する物質であってもよい。
【0019】(8)前記中間盤は、樹脂から形成されて
もよい。
もよい。
【0020】(9)前記複製盤は、前記中間盤の前記第
2の曲面部が形成された面上に、電気鋳造法により金属
層を形成し、前記金属層を前記原盤から剥離して得られ
るようにしてもよい。
2の曲面部が形成された面上に、電気鋳造法により金属
層を形成し、前記金属層を前記原盤から剥離して得られ
るようにしてもよい。
【0021】(10)前記光透過性層の形成工程は、前
記複製盤の前記曲面部が形成された面上に光透過性層前
駆体を塗布する工程と、前記光透過性層前駆体を固化し
て光透過性層を形成する工程と、前記複製盤から前記光
透過性層を剥離する工程と、を含んでもよい。
記複製盤の前記曲面部が形成された面上に光透過性層前
駆体を塗布する工程と、前記光透過性層前駆体を固化し
て光透過性層を形成する工程と、前記複製盤から前記光
透過性層を剥離する工程と、を含んでもよい。
【0022】(11)前記光透過性層前駆体は、エネル
ギーの付与により硬化可能な物質を含んでもよい。
ギーの付与により硬化可能な物質を含んでもよい。
【0023】(12)前記エネルギーとして、光及び熱
の少なくともいずれか一方が挙げられる。
の少なくともいずれか一方が挙げられる。
【0024】(13)前記光透過性層前駆体は、熱可塑
性を有する物質であってもよい。
性を有する物質であってもよい。
【0025】(14)前記光透過性層は、樹脂から形成
されてもよい。
されてもよい。
【0026】(15)前記原盤の前記第1の曲面部は、
リソグラフィ法を介するエッチングにて形成されてもよ
い。
リソグラフィ法を介するエッチングにて形成されてもよ
い。
【0027】リソグラフィ法を介するエッチングは、精
度の高い加工方法として周知である。第1の曲面部は、
レンズの元となるため、このようなエッチングによる加
工は効果的である。
度の高い加工方法として周知である。第1の曲面部は、
レンズの元となるため、このようなエッチングによる加
工は効果的である。
【0028】(16)前記原盤は、シリコン又は石英か
ら形成されてもよい。シリコン又は石英は、平坦性に優
れ、リソグラフィ法を介するエッチングを行うときに加
工性が良い。
ら形成されてもよい。シリコン又は石英は、平坦性に優
れ、リソグラフィ法を介するエッチングを行うときに加
工性が良い。
【0029】(17)本発明に係るマイクロレンズアレ
イは、上記方法により製造される。
イは、上記方法により製造される。
【0030】(18)本発明に係る表示装置は、上記マ
イクロレンズアレイと、前記マイクロレンズアレイに向
けて光を照射する光源と、を有する。
イクロレンズアレイと、前記マイクロレンズアレイに向
けて光を照射する光源と、を有する。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【0032】(第1実施形態)図1(A)〜図3(C)
は、本発明の第1実施形態を説明する図である。そし
て、図1(A)〜図1(E)は、第1実施形態における
原盤を製造する工程を示す図である。
は、本発明の第1実施形態を説明する図である。そし
て、図1(A)〜図1(E)は、第1実施形態における
原盤を製造する工程を示す図である。
【0033】まず、図1(A)に示すように、基板12
上にレジスト層14を形成する。基板12は、表面をエ
ッチングして原盤10(図1(E)参照)とするための
もので、エッチング可能な材料であれば特に限定される
ものではないが、シリコン又は石英は、エッチングによ
り高精度の曲面部19(図1(E)参照)の形成が容易
であるため、好適である。
上にレジスト層14を形成する。基板12は、表面をエ
ッチングして原盤10(図1(E)参照)とするための
もので、エッチング可能な材料であれば特に限定される
ものではないが、シリコン又は石英は、エッチングによ
り高精度の曲面部19(図1(E)参照)の形成が容易
であるため、好適である。
【0034】レジスト層14を形成する物質としては、
例えば、半導体デバイス製造において一般的に用いられ
ている、クレゾールノボラック系樹脂に感光剤としてジ
アゾナフトキノン誘導体を配合した市販のポジ型のレジ
ストをそのまま利用できる。ここで、ポジ型のレジスト
とは、所定のパターンに応じて放射線に暴露することに
より、放射線によって暴露された領域が現像液により選
択的に除去可能となる物質のことである。
例えば、半導体デバイス製造において一般的に用いられ
ている、クレゾールノボラック系樹脂に感光剤としてジ
アゾナフトキノン誘導体を配合した市販のポジ型のレジ
ストをそのまま利用できる。ここで、ポジ型のレジスト
とは、所定のパターンに応じて放射線に暴露することに
より、放射線によって暴露された領域が現像液により選
択的に除去可能となる物質のことである。
【0035】レジスト層14を形成する方法としては、
スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、
ロールコート法、バーコート法等の方法を用いることが
可能である。
スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法、
ロールコート法、バーコート法等の方法を用いることが
可能である。
【0036】次に、図1(B)に示すように、マスク1
6をレジスト層14の上に配置し、マスク16を介して
レジスト層14の所定領域のみを放射線18によって暴
露する。
6をレジスト層14の上に配置し、マスク16を介して
レジスト層14の所定領域のみを放射線18によって暴
露する。
【0037】マスク16は、図1(E)に示す曲面部1
9の形成領域に対応した領域においてのみ、放射線18
が透過するようにパターン形成されたものである。
9の形成領域に対応した領域においてのみ、放射線18
が透過するようにパターン形成されたものである。
【0038】また、放射線としては波長200nm〜5
00nmの領域の光を用いることが好ましい。この波長
領域の光の利用は、液晶パネルの製造プロセス等で確立
されているフォトリソグラフィの技術及びそれに利用さ
れている設備の利用が可能となり、低コスト化を図るこ
とができる。
00nmの領域の光を用いることが好ましい。この波長
領域の光の利用は、液晶パネルの製造プロセス等で確立
されているフォトリソグラフィの技術及びそれに利用さ
れている設備の利用が可能となり、低コスト化を図るこ
とができる。
【0039】そして、レジスト層14を放射線18によ
って暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、
図1(C)に示すように、放射線18の暴露領域17の
レジスト層14のみが選択的に除去されて基板12の表
面が露出し、それ以外の領域はレジスト層14により覆
われたままの状態となる。
って暴露した後に所定の条件により現像処理を行うと、
図1(C)に示すように、放射線18の暴露領域17の
レジスト層14のみが選択的に除去されて基板12の表
面が露出し、それ以外の領域はレジスト層14により覆
われたままの状態となる。
【0040】こうしてレジスト層14がパターン化され
ると、図1(D)に示すように、このレジスト層14を
マスクとして基板12を所定の深さエッチングする。詳
しくは、基板12におけるレジスト層14から露出した
領域に対して、どの方向にも同じ速度でエッチングが進
む等方性エッチングを行う。例えば、ウエットエッチン
グを適用して、化学溶液に基板12を浸すことで、等方
性エッチングを行うことができる。等方性エッチングを
行うことで、基板12には、凹状の曲面部19が形成さ
れる。なお、曲面部19は、最終的に製造する光透過性
層30のレンズ32(図3(C)参照)の形状に等し
く、球面の一部の反転形状となっている。
ると、図1(D)に示すように、このレジスト層14を
マスクとして基板12を所定の深さエッチングする。詳
しくは、基板12におけるレジスト層14から露出した
領域に対して、どの方向にも同じ速度でエッチングが進
む等方性エッチングを行う。例えば、ウエットエッチン
グを適用して、化学溶液に基板12を浸すことで、等方
性エッチングを行うことができる。等方性エッチングを
行うことで、基板12には、凹状の曲面部19が形成さ
れる。なお、曲面部19は、最終的に製造する光透過性
層30のレンズ32(図3(C)参照)の形状に等し
く、球面の一部の反転形状となっている。
【0041】次に、エッチングの完了後に、図1(E)
に示すように、レジスト層14を除去すると、基板12
に曲面部19が形成されており、これが原盤10とな
る。
に示すように、レジスト層14を除去すると、基板12
に曲面部19が形成されており、これが原盤10とな
る。
【0042】この原盤10は、本実施形態では、一旦製
造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できる
ため経済的である。また、原盤10の製造工程は、2枚
目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略
でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができ
る。
造すればその後、耐久性の許す限り何度でも使用できる
ため経済的である。また、原盤10の製造工程は、2枚
目以降のマイクロレンズアレイの製造工程において省略
でき、工程数の減少および低コスト化を図ることができ
る。
【0043】上記実施の形態では、基板12上に曲面部
19を形成するに際し、ポジ型のレジストを用いたが、
放射線に暴露された領域が現像液に対して不溶化し、放
射線に暴露されていない領域が現像液により選択的に除
去可能となるネガ型のレジストを用いても良く、この場
合には、上記マスク16とはパターンが反転したマスク
が用いられる。あるいは、マスクを使用せずに、レーザ
光あるいは電子線によって直接レジストをパターン状に
暴露しても良い。
19を形成するに際し、ポジ型のレジストを用いたが、
放射線に暴露された領域が現像液に対して不溶化し、放
射線に暴露されていない領域が現像液により選択的に除
去可能となるネガ型のレジストを用いても良く、この場
合には、上記マスク16とはパターンが反転したマスク
が用いられる。あるいは、マスクを使用せずに、レーザ
光あるいは電子線によって直接レジストをパターン状に
暴露しても良い。
【0044】次に、図2(A)に示すように、原盤10
の曲面部19側の表面を導体化するため、金属膜22を
形成する。金属膜22としては、例えば、ニッケル(N
i)を500〜1000オングストローム(10-10m
)の厚みで形成すればよい。金属膜22の形成方法と
しては、スパッタリング、CVD、蒸着、無電解メッキ
法等の方法を用いることが可能である。なお、原盤20
の曲面部19側の表面が導電性を有していれば、この工
程は不要である。
の曲面部19側の表面を導体化するため、金属膜22を
形成する。金属膜22としては、例えば、ニッケル(N
i)を500〜1000オングストローム(10-10m
)の厚みで形成すればよい。金属膜22の形成方法と
しては、スパッタリング、CVD、蒸着、無電解メッキ
法等の方法を用いることが可能である。なお、原盤20
の曲面部19側の表面が導電性を有していれば、この工
程は不要である。
【0045】そして、この金属膜22を陰極とし、チッ
プ状あるいはボール状のNiを陽極として電気鋳造法に
よりさらにNiを電着させて、図2(B)に示すよう
に、厚い金属層24を形成する。電気メッキ液の一例を
以下に示す。
プ状あるいはボール状のNiを陽極として電気鋳造法に
よりさらにNiを電着させて、図2(B)に示すよう
に、厚い金属層24を形成する。電気メッキ液の一例を
以下に示す。
【0046】 スルファミン酸ニッケル:550g/l ホウ酸 : 35g/l 塩化ニッケル : 5g/l レベリング剤 :20mg/l 次いで、図2(C)に示すように、金属層24及び金属
膜22を原盤10から剥離し、必要があれば洗浄する等
して、これを複製盤20とする。この複製盤20には、
原盤10の曲面部19に対応して、曲面部26が形成さ
れる。曲面部26は、図3(C)に示すレンズ32を転
写により形成するための反転パターンとなっている。
膜22を原盤10から剥離し、必要があれば洗浄する等
して、これを複製盤20とする。この複製盤20には、
原盤10の曲面部19に対応して、曲面部26が形成さ
れる。曲面部26は、図3(C)に示すレンズ32を転
写により形成するための反転パターンとなっている。
【0047】なお、原盤10が金属から形成される場合
には、金属膜22(導体化処理していない場合には金属
層24)が原盤10と強く密着してしまい、原盤10か
らの剥離が困難になることがある。このような場合に
は、金属膜22(導体化処理していない場合には金属層
24)を原盤10の曲面部19上に形成する前に、原盤
10の曲面部19側の面を剥離処理することが好まし
い。剥離処理としては、例えば、原盤10がニッケルか
ら形成されている場合には、酸素プラズマ処理や陽極酸
化処理等が効果的である。
には、金属膜22(導体化処理していない場合には金属
層24)が原盤10と強く密着してしまい、原盤10か
らの剥離が困難になることがある。このような場合に
は、金属膜22(導体化処理していない場合には金属層
24)を原盤10の曲面部19上に形成する前に、原盤
10の曲面部19側の面を剥離処理することが好まし
い。剥離処理としては、例えば、原盤10がニッケルか
ら形成されている場合には、酸素プラズマ処理や陽極酸
化処理等が効果的である。
【0048】また、金属膜22は、必要に応じて剥離処
理を施して、複製盤20から除去してもよい。
理を施して、複製盤20から除去してもよい。
【0049】次に、図3(A)〜図3(C)は、複数の
レンズを有する光透過性層を形成する工程を示す図であ
る。
レンズを有する光透過性層を形成する工程を示す図であ
る。
【0050】まず、図3(A)に示すように、複製盤2
0の曲面部26を有する面上に、光透過性層前駆体28
を載せる。そして、補強板34を、この光透過性層前駆
体28を介して複製盤20と密着させることにより、光
透過性層前駆体28を所定領域まで塗り拡げて、図3
(B)に示すように、複製盤20と補強板34の間に光
透過性層前駆体28からなる層を形成する。
0の曲面部26を有する面上に、光透過性層前駆体28
を載せる。そして、補強板34を、この光透過性層前駆
体28を介して複製盤20と密着させることにより、光
透過性層前駆体28を所定領域まで塗り拡げて、図3
(B)に示すように、複製盤20と補強板34の間に光
透過性層前駆体28からなる層を形成する。
【0051】ここでは、光透過性層前駆体28を複製盤
20上に載せたが、補強板34に載せるか、複製盤20
及び補強板34の両方に載せてもよい。また、スピンコ
ート法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコー
ト法、ディッピング法等の方法により、複製盤20及び
補強板34のいずれか一方、または、両方に、予め光透
過性層前駆体28を所定領域まで塗り拡げてもよい。
20上に載せたが、補強板34に載せるか、複製盤20
及び補強板34の両方に載せてもよい。また、スピンコ
ート法、スプレーコート法、ロールコート法、バーコー
ト法、ディッピング法等の方法により、複製盤20及び
補強板34のいずれか一方、または、両方に、予め光透
過性層前駆体28を所定領域まで塗り拡げてもよい。
【0052】また、必要に応じて、複製盤20と補強板
34を光透過性層前駆体28を介して密着させる際に、
複製盤20及び補強板34のいずれか一方を介して光透
過性層前駆体28を加圧しても良い。
34を光透過性層前駆体28を介して密着させる際に、
複製盤20及び補強板34のいずれか一方を介して光透
過性層前駆体28を加圧しても良い。
【0053】ここで、光透過性層前駆体28は、液状あ
るいは液状化可能な物質であることが好ましい。液状と
することで、複製盤20上の複数の曲面部26間へ、光
透過性層前駆体28を充填することが容易となる。液状
の物質としては、エネルギーの付与により硬化可能な物
質が利用でき、液状化可能な物質としては、可塑性を有
する物質が利用できる。
るいは液状化可能な物質であることが好ましい。液状と
することで、複製盤20上の複数の曲面部26間へ、光
透過性層前駆体28を充填することが容易となる。液状
の物質としては、エネルギーの付与により硬化可能な物
質が利用でき、液状化可能な物質としては、可塑性を有
する物質が利用できる。
【0054】また、光透過性層前駆体28は、光透過性
層30を形成した際に、光透過性を有するものであれば
特に限定されるものではないが、樹脂であることが好ま
しい。樹脂は、エネルギー硬化性を有するもの、あるい
は可塑性を有するものが容易に得られ、好適である。
層30を形成した際に、光透過性を有するものであれば
特に限定されるものではないが、樹脂であることが好ま
しい。樹脂は、エネルギー硬化性を有するもの、あるい
は可塑性を有するものが容易に得られ、好適である。
【0055】エネルギー硬化性を有する樹脂としては、
光及び熱の少なくともいずれかー方の付与により硬化可
能であることが望ましい。光や熱の利用は、汎用の露光
装置、ベイク炉やホットプレート等の加熱装置を利用す
ることができ、省設備コスト化を図ることが可能であ
る。
光及び熱の少なくともいずれかー方の付与により硬化可
能であることが望ましい。光や熱の利用は、汎用の露光
装置、ベイク炉やホットプレート等の加熱装置を利用す
ることができ、省設備コスト化を図ることが可能であ
る。
【0056】このようなエネルギー硬化性を有する樹脂
としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、
メラミン系樹脂、ポリイミド系樹脂等が利用できる。特
に、アクリル系樹脂は、市販品の様々な前駆体や感光剤
(光重合開始剤)を利用することで、光の照射で短時間
に硬化し、優れた光学特性を有する光透過性層30を形
成することが可能であるため好適である。
としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、
メラミン系樹脂、ポリイミド系樹脂等が利用できる。特
に、アクリル系樹脂は、市販品の様々な前駆体や感光剤
(光重合開始剤)を利用することで、光の照射で短時間
に硬化し、優れた光学特性を有する光透過性層30を形
成することが可能であるため好適である。
【0057】光硬化性のアクリル系樹脂の基本組成の具
体例としては、プレポリマーまたはオリゴマー、モノマ
ー、光重合開始剤があげられる。
体例としては、プレポリマーまたはオリゴマー、モノマ
ー、光重合開始剤があげられる。
【0058】プレポリマーまたはオリゴマーとしては、
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。
例えば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレー
ト類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアク
リレート類、スピロアセタール系アクリレート類等のア
クリレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメ
タクリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリ
エーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利
用できる。
【0059】モノマーとしては、例えば、2−エチルヘ
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジア
クリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート等の
二官能性モノマー、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート等の多官能性モノマーが
利用できる。
【0060】光重合開始剤としては、例えば、2,2−
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフ
ェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イ
ソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン等のブ
チルフェノン類、p−tert−ブチルジクロロアセト
フェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェ
ノン、α,α−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノ
ン等のハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフェノン、
N,N−テトラエチル−4,4−ジアミノベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジルジメチル
ケタール等のベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインアル
キルエーテル等のベンゾイン類、1−フェニル−1,2
−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オ
キシム等のオキシム類、2−メチルチオキサントン、2
−クロロチオキサントン等のキサントン類、ベンゾイン
エーテル、イソブチルベンゾインエーテル等のベンゾイ
ンエーテル類、ミヒラーケトン、ベンジルメチルケター
ル等のラジカル発生化合物が利用できる。
ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン等のアセトフ
ェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p−イ
ソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノン等のブ
チルフェノン類、p−tert−ブチルジクロロアセト
フェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェ
ノン、α,α−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノ
ン等のハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフェノン、
N,N−テトラエチル−4,4−ジアミノベンゾフェノ
ン等のベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジルジメチル
ケタール等のベンジル類、ベンゾイン、ベンゾインアル
キルエーテル等のベンゾイン類、1−フェニル−1,2
−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オ
キシム等のオキシム類、2−メチルチオキサントン、2
−クロロチオキサントン等のキサントン類、ベンゾイン
エーテル、イソブチルベンゾインエーテル等のベンゾイ
ンエーテル類、ミヒラーケトン、ベンジルメチルケター
ル等のラジカル発生化合物が利用できる。
【0061】なお、必要に応じて、酸素による硬化阻害
を防止する目的でアミン類等の化合物を添加したり、塗
布を容易にする目的で溶剤成分を添加してもよい。溶剤
成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有
機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エト
キシエチルプロピオネート、エチルラクテート、エチル
ピルビネート、メチルアミルケトン等が利用可能であ
る。
を防止する目的でアミン類等の化合物を添加したり、塗
布を容易にする目的で溶剤成分を添加してもよい。溶剤
成分としては、特に限定されるものではなく、種々の有
機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エト
キシエチルプロピオネート、エチルラクテート、エチル
ピルビネート、メチルアミルケトン等が利用可能であ
る。
【0062】このようなエネルギー硬化性を有する樹脂
を、図3(B)に示すように、上記の方法により、複製
盤20と補強板34の間に挟み込み、その樹脂に応じた
硬化処理を施す。例えば、光硬化性の樹脂を用いた場合
であれば、所定の条件で光を照射することにより固化さ
せると、光透過性層30が形成される。
を、図3(B)に示すように、上記の方法により、複製
盤20と補強板34の間に挟み込み、その樹脂に応じた
硬化処理を施す。例えば、光硬化性の樹脂を用いた場合
であれば、所定の条件で光を照射することにより固化さ
せると、光透過性層30が形成される。
【0063】なお、光硬化性の物質にて光透過性層30
を形成するときには、補強板34及び複製盤20のうち
少なくとも一方が、光透過性を有することが必要とな
る。
を形成するときには、補強板34及び複製盤20のうち
少なくとも一方が、光透過性を有することが必要とな
る。
【0064】また、可塑性を有する樹脂としては、例え
ば、ポリカーボネート系樹脂、ポリメチルメタクリレー
ト系樹脂、アモルファスポリオレフィン系樹脂等の熱可
塑性を有する樹脂が利用できる。このような樹脂を軟化
点温度以上に加温することにより可塑化させて液状と
し、図3(B)に示すように、複製盤20と補強板34
の間に挟み込んだ後、可塑化させた樹脂を冷却すること
により固化させると、光透過性層30が形成される。
ば、ポリカーボネート系樹脂、ポリメチルメタクリレー
ト系樹脂、アモルファスポリオレフィン系樹脂等の熱可
塑性を有する樹脂が利用できる。このような樹脂を軟化
点温度以上に加温することにより可塑化させて液状と
し、図3(B)に示すように、複製盤20と補強板34
の間に挟み込んだ後、可塑化させた樹脂を冷却すること
により固化させると、光透過性層30が形成される。
【0065】このように、光透過性層前駆体28を、エ
ネルギーの付与により硬化可能な物質あるいは可塑性を
有する物質から形成することで、これを複製盤20に塗
布して密着させた際に、複製盤20に形成されている曲
面部26間の微細部にまで、光透過性層前駆体28が充
填される。そして、この光透過性層前駆体28に応じた
固化処理を施すことにより固化させて光透過性層30を
形成すると、複製盤20の曲面部26を精密に光透過性
層30に転写させることができる。
ネルギーの付与により硬化可能な物質あるいは可塑性を
有する物質から形成することで、これを複製盤20に塗
布して密着させた際に、複製盤20に形成されている曲
面部26間の微細部にまで、光透過性層前駆体28が充
填される。そして、この光透過性層前駆体28に応じた
固化処理を施すことにより固化させて光透過性層30を
形成すると、複製盤20の曲面部26を精密に光透過性
層30に転写させることができる。
【0066】また、補強板34としては、マイクロレン
ズアレイとして要求される光透過性等の光学的な物性
や、機械的強度等の特性を満足するものであれば特に限
定されるものではなく、例えば、石英やガラス、あるい
は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
サルフォン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、アモルファスポリオレフィン等のプラ
スチック製の基板あるいはフィルムを利用することが可
能である。なお、光透過性層30単独で、マイクロレン
ズアレイとして要求される機械的強度等の特性を満足す
ることが可能であれば、補強板34は不要である。
ズアレイとして要求される光透過性等の光学的な物性
や、機械的強度等の特性を満足するものであれば特に限
定されるものではなく、例えば、石英やガラス、あるい
は、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテル
サルフォン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、アモルファスポリオレフィン等のプラ
スチック製の基板あるいはフィルムを利用することが可
能である。なお、光透過性層30単独で、マイクロレン
ズアレイとして要求される機械的強度等の特性を満足す
ることが可能であれば、補強板34は不要である。
【0067】このようにして光透過性層30が複製盤2
0上に形成されると、図3(C)に示すように、光透過
性層30と補強板34を一体的に複製盤20から剥離す
る。そうすると、光透過性層30は、曲面部26から転
写された複数のレンズ32を有しており、マイクロレン
ズアレイ1となる。レンズ32は、凹レンズである。
0上に形成されると、図3(C)に示すように、光透過
性層30と補強板34を一体的に複製盤20から剥離す
る。そうすると、光透過性層30は、曲面部26から転
写された複数のレンズ32を有しており、マイクロレン
ズアレイ1となる。レンズ32は、凹レンズである。
【0068】本実施形態は、要するに、曲面部19を有
する原盤10から複製盤20を複製し、その複製盤20
を製品ごとに用いて、レンズ32を有するマイクロレン
ズアレイを形成する方法である。これによれば、高価な
原盤10は複製盤20の製造時にのみ用いるので、原盤
10が劣化して製造し直す頻度が減少し、マイクロレン
ズアレイの製造コストを低減することができる。
する原盤10から複製盤20を複製し、その複製盤20
を製品ごとに用いて、レンズ32を有するマイクロレン
ズアレイを形成する方法である。これによれば、高価な
原盤10は複製盤20の製造時にのみ用いるので、原盤
10が劣化して製造し直す頻度が減少し、マイクロレン
ズアレイの製造コストを低減することができる。
【0069】(第2実施形態)図4(A)〜図6(C)
は、本発明の第2実施形態を説明する図である。そのう
ち、図4(A)〜図4(C)は中間盤を形成する工程を
示す図である。
は、本発明の第2実施形態を説明する図である。そのう
ち、図4(A)〜図4(C)は中間盤を形成する工程を
示す図である。
【0070】本実施形態では、第1実施形態で使用され
た原盤10が使用される。まず、図4(A)に示すよう
に、原盤10の曲面部19を有する面上に、中間盤前駆
体42を載せる。そして、補強板40を、この中間盤前
駆体42を介して原盤10と密着させることにより、中
間盤前駆体42を所定領域まで塗り拡げて図4(B)に
示すように、原盤10と補強板40の間に中間盤前駆体
42からなる層を形成する。
た原盤10が使用される。まず、図4(A)に示すよう
に、原盤10の曲面部19を有する面上に、中間盤前駆
体42を載せる。そして、補強板40を、この中間盤前
駆体42を介して原盤10と密着させることにより、中
間盤前駆体42を所定領域まで塗り拡げて図4(B)に
示すように、原盤10と補強板40の間に中間盤前駆体
42からなる層を形成する。
【0071】ここでは、中間盤前駆体42を原盤10上
に載せたが、補強板40に載せるか、原盤10及び補強
板40の両方に載せてもよい。また、スピンコート法、
スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法、デ
ィッピング法等の方法により、原盤10及び補強板40
のいずれか一方、または、両方に、予め中間盤前駆体4
2を所定領域まで塗り拡げてもよい。
に載せたが、補強板40に載せるか、原盤10及び補強
板40の両方に載せてもよい。また、スピンコート法、
スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法、デ
ィッピング法等の方法により、原盤10及び補強板40
のいずれか一方、または、両方に、予め中間盤前駆体4
2を所定領域まで塗り拡げてもよい。
【0072】補強板40は、中間盤44を補強するため
のもので、中間盤44を作製する工程や中間盤44から
複製盤50を作製する工程において、プロセス耐性を有
するものであれば特に限定されるものではなく、例え
ば、石英、ガラス、樹脂、金属又はセラミック製等の基
板が利用できる。なお、中間盤44単独で、上記プロセ
ス耐性を満足できれば、補強板40は不要である。
のもので、中間盤44を作製する工程や中間盤44から
複製盤50を作製する工程において、プロセス耐性を有
するものであれば特に限定されるものではなく、例え
ば、石英、ガラス、樹脂、金属又はセラミック製等の基
板が利用できる。なお、中間盤44単独で、上記プロセ
ス耐性を満足できれば、補強板40は不要である。
【0073】中間盤前駆体42としては、原盤10から
の離型性及び曲面部19の転写性が良好であり、かつ、
この後のエ程の中間盤44(図4(C)参照)から複製
盤50(図5(C)参照)を形成するエ程において、プ
ロセス耐性を有し、中間盤44から複製盤50への曲面
部46の転写性が良好な物質であれば特に限定されな
い。例えば、第1実施形態の光透過性層前駆体28とし
て選択可能な物質から選ぶことができる。これらの物質
によれば、高精度のエッチングが可能な点で原盤材料と
して優れているシリコン又は石英からの離型性が良好で
あるため好適である。
の離型性及び曲面部19の転写性が良好であり、かつ、
この後のエ程の中間盤44(図4(C)参照)から複製
盤50(図5(C)参照)を形成するエ程において、プ
ロセス耐性を有し、中間盤44から複製盤50への曲面
部46の転写性が良好な物質であれば特に限定されな
い。例えば、第1実施形態の光透過性層前駆体28とし
て選択可能な物質から選ぶことができる。これらの物質
によれば、高精度のエッチングが可能な点で原盤材料と
して優れているシリコン又は石英からの離型性が良好で
あるため好適である。
【0074】このような中間盤前駆体42を介して原盤
10と補強板40を密着させることで、中間盤前駆体4
2は原盤10の曲面部19に対応する形状になる。な
お、必要に応じて、原盤10と補強板40とを貼り合わ
せる際に、原盤10及び補強板40の少なくともいずれ
かー方を介して加圧しても良い。加圧することで、中間
盤前駆体42が原盤10の曲面部19に応じて変形する
時間が短縮できることで作業性が向上し、かつ、曲面部
19への充填が確実となる。
10と補強板40を密着させることで、中間盤前駆体4
2は原盤10の曲面部19に対応する形状になる。な
お、必要に応じて、原盤10と補強板40とを貼り合わ
せる際に、原盤10及び補強板40の少なくともいずれ
かー方を介して加圧しても良い。加圧することで、中間
盤前駆体42が原盤10の曲面部19に応じて変形する
時間が短縮できることで作業性が向上し、かつ、曲面部
19への充填が確実となる。
【0075】そして、中間盤前駆体42に応じた固化処
理を施すことにより中間盤前駆体42を固化させて、図
4(B)に示すように、中間盤44を形成する。
理を施すことにより中間盤前駆体42を固化させて、図
4(B)に示すように、中間盤44を形成する。
【0076】次いで、図4(C)に示すように、原盤1
0から中間盤44及び補強板40を剥離する。こうして
得られた中間盤44には、原盤10の凹状の曲面部19
に対応して、凸状の曲面部46が形成されている。
0から中間盤44及び補強板40を剥離する。こうして
得られた中間盤44には、原盤10の凹状の曲面部19
に対応して、凸状の曲面部46が形成されている。
【0077】図5(A)〜図5(C)は、中間盤から複
製盤を形成する工程を示す図である。まず、図5(A)
に示すように、中間盤44上に形成された曲面部46上
に金属膜52を形成し、図5(B)に示すように、金属
膜52の上にさらに金属層54を形成し、図5(C)に
示すように、金属膜52及び金属層54を、中間盤44
から剥離することで、複製盤50が得られる。
製盤を形成する工程を示す図である。まず、図5(A)
に示すように、中間盤44上に形成された曲面部46上
に金属膜52を形成し、図5(B)に示すように、金属
膜52の上にさらに金属層54を形成し、図5(C)に
示すように、金属膜52及び金属層54を、中間盤44
から剥離することで、複製盤50が得られる。
【0078】なお、この工程は、図2(A)〜図2
(C)に示す工程と同様であるため、詳しい説明を省略
する。また、この工程において、中間盤44は、耐久性
の許す限り繰り返し利用可能である。
(C)に示す工程と同様であるため、詳しい説明を省略
する。また、この工程において、中間盤44は、耐久性
の許す限り繰り返し利用可能である。
【0079】次に、図6(A)〜図6(C)は、複数の
レンズを有する光透過性層を形成する工程を示す図であ
る。
レンズを有する光透過性層を形成する工程を示す図であ
る。
【0080】まず、図6(A)から図6(B)にかけて
示すように、複製盤50と補強板64とを、光透過性層
前駆体58を介して密着させる。この工程は、図3
(A)から図3(B)にかけて示す工程と同様であり、
光透過性層前駆体58も、図3(A)に示す光透過性層
前駆体28として選択可能な物質から選ぶことができ
る。また、補強板64も、図3(A)に示す補強板34
として選択可能な物質から選ぶことができ、光透過性層
60単独で、マイクロレンズアレイとして要求される機
械的強度等の特性を満足することが可能であれば、補強
板64は不要である。
示すように、複製盤50と補強板64とを、光透過性層
前駆体58を介して密着させる。この工程は、図3
(A)から図3(B)にかけて示す工程と同様であり、
光透過性層前駆体58も、図3(A)に示す光透過性層
前駆体28として選択可能な物質から選ぶことができ
る。また、補強板64も、図3(A)に示す補強板34
として選択可能な物質から選ぶことができ、光透過性層
60単独で、マイクロレンズアレイとして要求される機
械的強度等の特性を満足することが可能であれば、補強
板64は不要である。
【0081】そして、図6(B)に示すように、複製盤
20と補強板34の間に挟み込まれた光透過性層前駆体
58に、その性質に応じた硬化処理を施して、光透過性
層60を形成する。この工程は、図3(B)に示す工程
と同様である。
20と補強板34の間に挟み込まれた光透過性層前駆体
58に、その性質に応じた硬化処理を施して、光透過性
層60を形成する。この工程は、図3(B)に示す工程
と同様である。
【0082】続いて、図6(C)に示すように、光透過
性層60と補強板64を一体的に複製盤50から剥離す
る。そうすると、光透過性層60は、曲面部56から転
写された複数のレンズ62を有しており、マイクロレン
ズアレイ2となる。レンズ62は、凸レンズである。
性層60と補強板64を一体的に複製盤50から剥離す
る。そうすると、光透過性層60は、曲面部56から転
写された複数のレンズ62を有しており、マイクロレン
ズアレイ2となる。レンズ62は、凸レンズである。
【0083】本実施形態によれば、第1実施形態と同様
の効果に加えて、中間盤44が複製盤50の製造工程に
使用される。したがって、原盤10から複製盤50を直
接剥離しないので、両者の材料選択の幅が広がり、曲面
部46、56の形状を高い精度で転写することができ、
複製盤50を形成するための方法の自由度が増す。さら
に、原盤10及び複製盤50の耐久性の更なる向上が容
易となる。
の効果に加えて、中間盤44が複製盤50の製造工程に
使用される。したがって、原盤10から複製盤50を直
接剥離しないので、両者の材料選択の幅が広がり、曲面
部46、56の形状を高い精度で転写することができ、
複製盤50を形成するための方法の自由度が増す。さら
に、原盤10及び複製盤50の耐久性の更なる向上が容
易となる。
【0084】(第3実施形態)図7(A)〜図8(C)
は、本発明の第3実施形態を説明する図である。第1及
び第2実施形態では、凹状の曲面部19を有する原盤1
0が使用されたが、本実施形態は、凸状の曲面部を有す
る原盤の形成方法に関する。
は、本発明の第3実施形態を説明する図である。第1及
び第2実施形態では、凹状の曲面部19を有する原盤1
0が使用されたが、本実施形態は、凸状の曲面部を有す
る原盤の形成方法に関する。
【0085】まず、図7(A)に示すように、基板11
2上にレジスト層114を形成する。この工程並びに基
板112及びレジスト層114の材料については、第1
実施形態(図1(A)参照)と同様である。
2上にレジスト層114を形成する。この工程並びに基
板112及びレジスト層114の材料については、第1
実施形態(図1(A)参照)と同様である。
【0086】次に、図7(B)に示すように、マスク1
16をレジスト層114の上に配置し、マスク116を
介してレジスト層114の所定領域のみを放射線118
によって暴露する。マスク116は、図7(C)に示す
曲面部119の形成領域を除く領域においてのみ、放射
線118が透過するようにパターン形成されたものであ
る。
16をレジスト層114の上に配置し、マスク116を
介してレジスト層114の所定領域のみを放射線118
によって暴露する。マスク116は、図7(C)に示す
曲面部119の形成領域を除く領域においてのみ、放射
線118が透過するようにパターン形成されたものであ
る。
【0087】そして、レジスト層114を放射線118
によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行う
と、図7(C)に示すように、放射線118の暴露領域
117のレジスト層114のみが選択的に除去されて基
板112の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層
114により覆われたままの状態となる。
によって暴露した後に所定の条件により現像処理を行う
と、図7(C)に示すように、放射線118の暴露領域
117のレジスト層114のみが選択的に除去されて基
板112の表面が露出し、それ以外の領域はレジスト層
114により覆われたままの状態となる。
【0088】こうしてレジスト層114がパターン化さ
れると、リフロー工程で、レジスト層114を加熱す
る。そして、レジスト層114が溶融されると、表面張
力により、図7(D)に示すようにレジスト層114の
表面は、曲面形状をなす。
れると、リフロー工程で、レジスト層114を加熱す
る。そして、レジスト層114が溶融されると、表面張
力により、図7(D)に示すようにレジスト層114の
表面は、曲面形状をなす。
【0089】続いて、図7(D)に示すように、このレ
ジスト層114をマスクとして、エッチャント120に
よって、基板112を所定の深さエッチングを行う。詳
しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチ
ングなどのドライエッチングを行う。
ジスト層114をマスクとして、エッチャント120に
よって、基板112を所定の深さエッチングを行う。詳
しくは、異方性エッチング、例えば反応性イオンエッチ
ングなどのドライエッチングを行う。
【0090】図8(A)〜図8(C)は、基板がエッチ
ングされる過程を示す図である。基板112は、部分的
に、曲面形状をなすレジスト層114によって覆われて
いる。基板112は、まず、レジスト層114に覆われ
ていない領域においてエッチングされる。そして、レジ
スト層114は、エッチャント120によりエッチング
されて、図8(A)及び図8(B)に示すように、二点
鎖線で示す領域から実線で示す領域へと徐々に小さくな
る。ここで、レジスト層114は曲面形状をなしている
ので、この形状のレジスト層114が徐々に小さくなる
と、基板112は徐々に露出していき、この露出した領
域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、
基板112が連続的に徐々にエッチングされるので、エ
ッチング後の基板112の表面形状は曲面となる。最後
には、図8(C)に示すように、基板112に凸状の曲
面部119が形成されて、原盤110となる。
ングされる過程を示す図である。基板112は、部分的
に、曲面形状をなすレジスト層114によって覆われて
いる。基板112は、まず、レジスト層114に覆われ
ていない領域においてエッチングされる。そして、レジ
スト層114は、エッチャント120によりエッチング
されて、図8(A)及び図8(B)に示すように、二点
鎖線で示す領域から実線で示す領域へと徐々に小さくな
る。ここで、レジスト層114は曲面形状をなしている
ので、この形状のレジスト層114が徐々に小さくなる
と、基板112は徐々に露出していき、この露出した領
域が連続的に徐々にエッチングされていく。こうして、
基板112が連続的に徐々にエッチングされるので、エ
ッチング後の基板112の表面形状は曲面となる。最後
には、図8(C)に示すように、基板112に凸状の曲
面部119が形成されて、原盤110となる。
【0091】この原盤110も、一旦製造すればその
後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的で
ある。また、原盤110の製造工程は、2枚目以降のマ
イクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程
数の減少および低コスト化を図ることができる。
後、耐久性の許す限り何度でも使用できるため経済的で
ある。また、原盤110の製造工程は、2枚目以降のマ
イクロレンズアレイの製造工程において省略でき、工程
数の減少および低コスト化を図ることができる。
【0092】図9は、本発明を適用したマイクロレンズ
アレイを適用した液晶プロジェクタの一部を示す図であ
る。この液晶プロジェクタは、上述した第2の実施形態
に係る方法により製造されたマイクロレンズアレイ2を
組み込んだライトバルブ201と、光源としてのランプ
202とを有する。
アレイを適用した液晶プロジェクタの一部を示す図であ
る。この液晶プロジェクタは、上述した第2の実施形態
に係る方法により製造されたマイクロレンズアレイ2を
組み込んだライトバルブ201と、光源としてのランプ
202とを有する。
【0093】マイクロレンズアレイ2は、レンズ62を
ランプ202の反対方向に向けて配置されている。そし
て、レンズ62上に保護膜203が形成され、保護膜2
03上にはブラックマトリクス204が設けられてい
る。さらに、ブラックマトリクス204上には、透明な
共通電極205及び配向膜206が積層されている。な
お、保護膜203を構成する材料の光屈折率は、マイク
ロレンズアレイ2を構成する光透過性層の光屈折率より
も小さくなっている。
ランプ202の反対方向に向けて配置されている。そし
て、レンズ62上に保護膜203が形成され、保護膜2
03上にはブラックマトリクス204が設けられてい
る。さらに、ブラックマトリクス204上には、透明な
共通電極205及び配向膜206が積層されている。な
お、保護膜203を構成する材料の光屈折率は、マイク
ロレンズアレイ2を構成する光透過性層の光屈折率より
も小さくなっている。
【0094】ライトバルブ201には、配向膜206か
らギャップをあけて、TFT基板211が設けられてい
る。TFT基板211には、透明な個別電極209及び
薄膜トランジスタ210が設けられており、これらの上
に配向膜208が形成されている。また、TFT基板2
11は、配向膜208を配向膜206に対向させて配置
されている。
らギャップをあけて、TFT基板211が設けられてい
る。TFT基板211には、透明な個別電極209及び
薄膜トランジスタ210が設けられており、これらの上
に配向膜208が形成されている。また、TFT基板2
11は、配向膜208を配向膜206に対向させて配置
されている。
【0095】配向膜206、208間には、液晶207
が封入されており、薄膜トランジスタ210によって制
御される電圧によって、液晶207が駆動されるように
なっている。
が封入されており、薄膜トランジスタ210によって制
御される電圧によって、液晶207が駆動されるように
なっている。
【0096】この液晶プロジェクタによれば、ランプ2
02から照射された光212が、各画素毎にレンズ62
にて集光するので、明るい画面を表示することができ
る。
02から照射された光212が、各画素毎にレンズ62
にて集光するので、明るい画面を表示することができ
る。
【0097】
【図1】図1(A)〜図1(E)は、第1実施形態にお
ける原盤を製造する工程を示す図である。
ける原盤を製造する工程を示す図である。
【図2】図2(A)〜図2(C)は、第1実施形態にお
いて原盤から複製盤を製造する工程を示す図である。
いて原盤から複製盤を製造する工程を示す図である。
【図3】図3(A)〜図3(C)は、第1実施形態に係
るマイクロレンズアレイを製造する工程を示す図であ
る。
るマイクロレンズアレイを製造する工程を示す図であ
る。
【図4】図4(A)〜図4(C)は、第2実施形態にお
いて原盤から中間盤を製造する工程を示す図である。
いて原盤から中間盤を製造する工程を示す図である。
【図5】図5(A)〜図5(C)は、第2実施形態にお
いて中間盤から複製盤を製造する工程を示す図である。
いて中間盤から複製盤を製造する工程を示す図である。
【図6】図6(A)〜図6(C)は、第2実施形態に係
るマイクロレンズアレイを製造する工程を示す図であ
る。
るマイクロレンズアレイを製造する工程を示す図であ
る。
【図7】図7(A)〜図7(E)は、第3実施形態に係
る原盤の製造方法を示す図である。
る原盤の製造方法を示す図である。
【図8】図8(A)〜図8(C)は、第3実施形態にお
けるエッチングの過程を示す図である。
けるエッチングの過程を示す図である。
【図9】図9は、本発明を適用したマイクロレンズアレ
イを備える電子機器を示す図である。
イを備える電子機器を示す図である。
1、2 マイクロレンズアレイ 10 原盤 19 曲面部 20、50 複製盤 24、54 金属層 26、56 曲面部 28、58 光透過性層前駆体 30、60 光透過性層 32、62 レンズ 42 中間盤前駆体 44 中間盤
Claims (18)
- 【請求項1】 複数の第1の曲面部を有する原盤を形成
する第1工程と、 前記第1の曲面部から転写された複数の第2の曲面部を
有する複製盤を形成する第2工程と、 前記第2の曲面部から転写された複数のレンズを有する
光透過性層を形成する第3工程と、 を含むマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のマイクロレンズアレイの
製造方法において、 前記複製盤は、前記原盤の前記第1の曲面部が形成され
た面上に、電気鋳造法により金属層を形成し、前記金属
層を前記原盤から剥離して得られるマイクロレンズアレ
イの製造方法。 - 【請求項3】 複数の第1の曲面部を有する原盤を形成
する第1工程と、 前記第1の曲面部から転写された複数の第2の曲面部を
有する中間盤を形成する第2工程と、 前記第2の曲面部から転写された複数の第3の曲面部を
有する複製盤を形成する第3工程と、 前記第3の曲面部から転写された複数のレンズを有する
光透過性層を形成する第4工程と、 を含むマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項4】 請求項3記載のマイクロレンズアレイの
製造方法において、 前記中間盤の形成工程は、前記原盤の前記第1の曲面部
が形成された面上に中間盤前駆体を塗布する工程と、前
記中間盤前駆体を固化して前記中間盤を形成する工程
と、前記原盤から前記中間盤を剥離する工程と、を含む
マイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項5】 請求項4記載のマイクロレンズアレイの
製造方法において、 前記中間盤前駆体は、エネルギーの付与により硬化可能
な物質を含むマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項6】 請求項5記載のマイクロレンズアレイの
製造方法において、 前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方
であるマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項7】 請求項4記載のマイクロレンズアレイの
製造方法において、 前記中間盤前駆体は、熱可塑性を有する物質であるマイ
クロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項8】 請求項3から請求項7のいずれかに記載
のマイクロレンズアレイの製造方法において、 前記中間盤は、樹脂からなるマイクロレンズアレイの製
造方法。 - 【請求項9】 請求項3から請求項8のいずれかに記載
のマイクロレンズアレイの製造方法において、 前記複製盤は、前記中間盤の前記第2の曲面部が形成さ
れた面上に、電気鋳造法により金属層を形成し、前記金
属層を前記原盤から剥離して得られるマイクロレンズア
レイの製造方法。 - 【請求項10】 請求項1から請求項9のいずれかに記
載のマイクロレンズアレイの製造方法において、 前記光透過性層の形成工程は、前記複製盤の前記曲面部
が形成された面上に光透過性層前駆体を塗布する工程
と、前記光透過性層前駆体を固化して光透過性層を形成
する工程と、前記複製盤から前記光透過性層を剥離する
工程と、を含むマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項11】 請求項10記載のマイクロレンズアレ
イの製造方法において、 前記光透過性層前駆体は、エネルギーの付与により硬化
可能な物質を含むマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項12】 請求項11記載のマイクロレンズアレ
イの製造方法において、 前記エネルギーは、光及び熱の少なくともいずれか一方
であるマイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項13】 請求項10記載のマイクロレンズアレ
イの製造方法において、 前記光透過性層前駆体は、熱可塑性を有する物質である
マイクロレンズアレイの製造方法。 - 【請求項14】 請求項1から請求項13のいずれかに
記載のマイクロレンズアレイの製造方法において、 前記光透過性層は、樹脂からなるマイクロレンズアレイ
の製造方法。 - 【請求項15】 請求項1から請求項14のいずれかに
記載のマイクロレンズアレイの製造方法において、 前記原盤の前記第1の曲面部は、リソグラフィ法を介す
るエッチングにて形成されるマイクロレンズアレイの製
造方法。 - 【請求項16】 請求項15記載のマイクロレンズアレ
イの製造方法において、 前記原盤は、シリコン又は石英からなるマイクロレンズ
アレイの製造方法。 - 【請求項17】 請求項1から請求項16のいずれかに
記載の方法により製造されるマイクロレンズアレイ。 - 【請求項18】 請求項17記載のマイクロレンズアレ
イと、前記マイクロレンズアレイに向けて光を照射する
光源と、を有する表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153796A JPH11326603A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
| US09/314,280 US6411439B2 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-18 | Microlens array, a manufacturing method therefor, and a display apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153796A JPH11326603A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326603A true JPH11326603A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15570326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10153796A Withdrawn JPH11326603A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6411439B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11326603A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166167A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層及びその製造方法並びに光・電気配線基板及びその製造法並びに実装基板 |
| JP2001296442A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Canon Inc | フォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子 |
| KR100313902B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2001-11-15 | 구자홍 | 마이크로-렌즈 제조방법 |
| KR20030019654A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | 일진다이아몬드(주) | 마이크로렌즈 제조용 몰드 및 이를 이용한 마이크로렌즈의제조방법 |
| US6730459B2 (en) * | 2000-07-27 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Microlens array, method for fabricating the same and optical devices |
| JP2004212695A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 凸レンズ、凸レンズアレーおよびそれらの製造方法 |
| JPWO2004017106A1 (ja) * | 2002-08-13 | 2005-12-08 | 日本ゼオン株式会社 | レンズアレイシート |
| KR100537938B1 (ko) * | 2003-12-05 | 2005-12-21 | 한국전자통신연구원 | 격자렌즈 제작용 스탬퍼 제작 방법 및 이를 이용한격자렌즈 제작 방법 |
| KR100559528B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2006-03-10 | 일진디스플레이(주) | 투과율이 향상된 액정디스플레이 패널 |
Families Citing this family (89)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE522114C2 (sv) * | 1998-08-18 | 2004-01-13 | Ericsson Telefon Ab L M | Metalliska byggelement för optoelektronik |
| US7640083B2 (en) | 2002-11-22 | 2009-12-29 | Monroe David A | Record and playback system for aircraft |
| US20030119203A1 (en) | 2001-12-24 | 2003-06-26 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Lateral flow assay devices and methods for conducting assays |
| US8367013B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-02-05 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Reading device, method, and system for conducting lateral flow assays |
| US7771922B2 (en) * | 2002-05-03 | 2010-08-10 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Biomolecule diagnostic device |
| US7485453B2 (en) | 2002-05-03 | 2009-02-03 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Diffraction-based diagnostic devices |
| US7223368B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-05-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Diffraction-based diagnostic devices |
| US7223534B2 (en) * | 2002-05-03 | 2007-05-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Diffraction-based diagnostic devices |
| US7214530B2 (en) | 2002-05-03 | 2007-05-08 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Biomolecule diagnostic devices and method for producing biomolecule diagnostic devices |
| US7118855B2 (en) | 2002-05-03 | 2006-10-10 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Diffraction-based diagnostic devices |
| US7091049B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-08-15 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Enhanced diffraction-based biosensor devices |
| US7285424B2 (en) | 2002-08-27 | 2007-10-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Membrane-based assay devices |
| US7432105B2 (en) | 2002-08-27 | 2008-10-07 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Self-calibration system for a magnetic binding assay |
| US7314763B2 (en) | 2002-08-27 | 2008-01-01 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Fluidics-based assay devices |
| US7169550B2 (en) | 2002-09-26 | 2007-01-30 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Diffraction-based diagnostic devices |
| US7247500B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-07-24 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Reduction of the hook effect in membrane-based assay devices |
| US7186004B2 (en) * | 2002-12-31 | 2007-03-06 | Karlton David Powell | Homogenizing optical sheet, method of manufacture, and illumination system |
| JP4231702B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2009-03-04 | 日東電工株式会社 | マイクロレンズアレイ |
| US20040197819A1 (en) | 2003-04-03 | 2004-10-07 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Assay devices that utilize hollow particles |
| US7851209B2 (en) | 2003-04-03 | 2010-12-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Reduction of the hook effect in assay devices |
| US6934065B2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
| US7239445B2 (en) * | 2003-10-09 | 2007-07-03 | Merlin Technology Limited Liability Company | Projection-receiving surface that functions in ambient light |
| CN100449351C (zh) * | 2003-11-18 | 2009-01-07 | 莫林技术有限公司 | 可变光阵列和该可变光学阵列的制作方法 |
| US7619824B2 (en) * | 2003-11-18 | 2009-11-17 | Merlin Technology Limited Liability Company | Variable optical arrays and variable manufacturing methods |
| US7268950B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-09-11 | Merlin Technology Limited Liability Company | Variable optical arrays and variable manufacturing methods |
| US7943395B2 (en) | 2003-11-21 | 2011-05-17 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Extension of the dynamic detection range of assay devices |
| US7713748B2 (en) | 2003-11-21 | 2010-05-11 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of reducing the sensitivity of assay devices |
| US20050112703A1 (en) | 2003-11-21 | 2005-05-26 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Membrane-based lateral flow assay devices that utilize phosphorescent detection |
| US7583862B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-09-01 | Aptina Imaging Corporation | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
| US7943089B2 (en) | 2003-12-19 | 2011-05-17 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Laminated assay devices |
| EP1548856A3 (en) * | 2003-12-26 | 2012-08-08 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
| KR100741772B1 (ko) * | 2004-02-05 | 2007-07-24 | 엘지전자 주식회사 | 액정표시장치용 반투과 반사 시트 및 그 제조방법 |
| US7253397B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
| US20050244953A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Techniques for controlling the optical properties of assay devices |
| US7815854B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-10-19 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Electroluminescent illumination source for optical detection systems |
| US20060019265A1 (en) * | 2004-04-30 | 2006-01-26 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Transmission-based luminescent detection systems |
| US7796266B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-09-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Optical detection system using electromagnetic radiation to detect presence or quantity of analyte |
| US7253957B2 (en) * | 2004-05-13 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers |
| US8092734B2 (en) * | 2004-05-13 | 2012-01-10 | Aptina Imaging Corporation | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers |
| US7280278B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for manufacturing positive or negative microlenses |
| US20050275750A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Salman Akram | Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging |
| US7498647B2 (en) | 2004-06-10 | 2009-03-03 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
| US7262405B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Prefabricated housings for microelectronic imagers |
| US7199439B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-04-03 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
| US7232754B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices |
| US7294897B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-11-13 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
| US7521226B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-04-21 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | One-step enzymatic and amine detection technique |
| US7416913B2 (en) * | 2004-07-16 | 2008-08-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs |
| US7189954B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers |
| US7402453B2 (en) * | 2004-07-28 | 2008-07-22 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
| US20060023107A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Bolken Todd O | Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers |
| US7364934B2 (en) | 2004-08-10 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
| US7223626B2 (en) * | 2004-08-19 | 2007-05-29 | Micron Technology, Inc. | Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers |
| US7397066B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-07-08 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers |
| US7115961B2 (en) * | 2004-08-24 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices |
| US7425499B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-09-16 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects |
| US7429494B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-09-30 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers |
| US7276393B2 (en) * | 2004-08-26 | 2007-10-02 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
| US20070148807A1 (en) * | 2005-08-22 | 2007-06-28 | Salman Akram | Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers |
| US7511262B2 (en) * | 2004-08-30 | 2009-03-31 | Micron Technology, Inc. | Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly |
| US7646075B2 (en) * | 2004-08-31 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers having front side contacts |
| US7300857B2 (en) | 2004-09-02 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers |
| US20070121113A1 (en) * | 2004-12-22 | 2007-05-31 | Cohen David S | Transmission-based optical detection systems |
| US7214919B2 (en) * | 2005-02-08 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units |
| US7303931B2 (en) * | 2005-02-10 | 2007-12-04 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces |
| US7190039B2 (en) * | 2005-02-18 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers |
| US7795134B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids |
| US20060290001A1 (en) * | 2005-06-28 | 2006-12-28 | Micron Technology, Inc. | Interconnect vias and associated methods of formation |
| US7262134B2 (en) | 2005-09-01 | 2007-08-28 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces |
| US7622377B2 (en) | 2005-09-01 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation |
| US7288757B2 (en) * | 2005-09-01 | 2007-10-30 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements |
| JP2007133153A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ用型の製造方法 |
| JP2007219303A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ用型の製造方法 |
| DE102006045704A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Element und optoelektronisches Bauelement mit solch einem optischen Element |
| KR100915759B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2009-09-04 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 소자의 형성 방법 |
| US20100194465A1 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Ali Salih | Temperature compensated current source and method therefor |
| JP5678958B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2015-03-04 | コニカミノルタ株式会社 | ウェハレンズの製造方法 |
| JP5741114B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用文字板および時計 |
| JP2012198396A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | スクリーンの製造方法、及び部分スクリーン |
| JP2012230289A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Seiko Epson Corp | アレイ基板の製造方法及びアレイ基板並びにスクリーンの製造方法及びスクリーン |
| US8917579B2 (en) * | 2011-08-18 | 2014-12-23 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of timepiece dial, timepiece dial, and timepiece |
| RU2515672C1 (ru) * | 2012-12-18 | 2014-05-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (НИУ ИТМО) | Способ изготовления микрооптического растра |
| RU2540727C1 (ru) * | 2013-10-16 | 2015-02-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики | Способ формирования массива микрооптических элементов |
| KR102700185B1 (ko) * | 2015-04-15 | 2024-08-27 | 호야 옵티칼 랩스 오브 아메리카, 인코포레이티드 | 등급화된 마이크로렌즈를 이용한 난시 렌즈 |
| CN105093368B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-02-27 | 宁波长阳科技股份有限公司 | 一种背光模组用反射膜的制备方法 |
| CN108730921B (zh) * | 2018-04-28 | 2020-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 导光模组、全反射式显示装置和制造导光模组的方法 |
| KR20220010653A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN115365348B (zh) * | 2022-10-24 | 2023-02-03 | 佛山高谱机械科技有限公司 | 一种基于激光作用构建锁油微结构阵列的管材弯曲方法 |
| CN118778155B (zh) * | 2024-07-23 | 2025-04-15 | 苏州苏纳光电有限公司 | 异形微透镜的制作方法及异形微透镜 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1294470C (en) * | 1986-07-26 | 1992-01-21 | Toshihiro Suzuki | Process for the production of optical elements |
| JPH0355501A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズアレイ板 |
| US5225935A (en) * | 1989-10-30 | 1993-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical device having a microlens and a process for making microlenses |
| JPH03198003A (ja) | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Ricoh Co Ltd | マイクロレンズアレイの製造方法 |
| US5298366A (en) * | 1990-10-09 | 1994-03-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for producing a microlens array |
| DE69320716T3 (de) * | 1992-06-30 | 2011-05-19 | Canon K.K. | Gerät zur Detektion von Verschiebungsinformation |
| JPH07225303A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Sharp Corp | マイクロレンズ基板及びそれを用いた液晶表示素子ならびに液晶プロジェクタ装置 |
| JP3198003B2 (ja) | 1993-12-24 | 2001-08-13 | 学校法人桐蔭学園 | 耐光性フィブロイン−天然色素複合体 |
| US5550663A (en) * | 1994-05-24 | 1996-08-27 | Omron Corporation | Method of manufacturing optical low-pass filter |
| US5630902A (en) * | 1994-12-30 | 1997-05-20 | Honeywell Inc. | Apparatus for use in high fidelty replication of diffractive optical elements |
| DE19518797A1 (de) * | 1995-05-22 | 1996-11-28 | Hoechst Ag | Verfahren zum Reinigen von Inertgasen |
| US6211916B1 (en) * | 1996-03-11 | 2001-04-03 | Eastman Kodak Company | Solid state imager with inorganic lens array |
| JPH11123771A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Micro Opt:Kk | 平板型マイクロレンズアレイ製造用スタンパ及び平板型マイクロレンズアレイの製造方法 |
| US6297911B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-10-02 | Seiko Epson Corporation | Micro lens array, method of fabricating the same, and display device |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP10153796A patent/JPH11326603A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-18 US US09/314,280 patent/US6411439B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100313902B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2001-11-15 | 구자홍 | 마이크로-렌즈 제조방법 |
| JP2001166167A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-22 | Toppan Printing Co Ltd | 光配線層及びその製造方法並びに光・電気配線基板及びその製造法並びに実装基板 |
| JP2001296442A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | Canon Inc | フォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子 |
| US6730459B2 (en) * | 2000-07-27 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Microlens array, method for fabricating the same and optical devices |
| KR20030019654A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | 일진다이아몬드(주) | 마이크로렌즈 제조용 몰드 및 이를 이용한 마이크로렌즈의제조방법 |
| KR100559528B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2006-03-10 | 일진디스플레이(주) | 투과율이 향상된 액정디스플레이 패널 |
| JPWO2004017106A1 (ja) * | 2002-08-13 | 2005-12-08 | 日本ゼオン株式会社 | レンズアレイシート |
| JP2004212695A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 凸レンズ、凸レンズアレーおよびそれらの製造方法 |
| KR100537938B1 (ko) * | 2003-12-05 | 2005-12-21 | 한국전자통신연구원 | 격자렌즈 제작용 스탬퍼 제작 방법 및 이를 이용한격자렌즈 제작 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020001132A1 (en) | 2002-01-03 |
| US6411439B2 (en) | 2002-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11326603A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 | |
| CN100409034C (zh) | 微透镜阵列基片及其制造方法和显示器 | |
| JP3968545B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JP2001277260A (ja) | マイクロレンズアレイ、その製造方法及びその製造用原盤並びに表示装置 | |
| US6730459B2 (en) | Microlens array, method for fabricating the same and optical devices | |
| JP3687366B2 (ja) | 光学基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
| JP2001201609A (ja) | 平板状マイクロレンズの製造方法及びこの方法で製造された平板状マイクロレンズ | |
| CN113238306B (zh) | 提高集成成像3d显示景深的多焦距微透镜阵列及制备方法 | |
| JP3965541B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JP3577903B2 (ja) | 樹脂板製造用鋳型の製造方法および樹脂板の製造方法 | |
| JPH05228946A (ja) | 光学部品の製造法および光学部品複製用母型 | |
| JP4069337B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JP3968548B2 (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JP2001096636A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに光学装置 | |
| JPH10235748A (ja) | 導光体の製造方法 | |
| JP2000221305A (ja) | 光学基板及び光学基板製造用原盤、これらの製造方法並びに表示装置 | |
| JP4196139B2 (ja) | 光学基板の製造方法 | |
| JP2001042104A (ja) | マイクロレンズアレイ、その製造方法及びその製造用原盤並びに表示装置 | |
| JP2000266909A (ja) | マイクロレンズアレーの製造方法 | |
| JP2001215305A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 | |
| JPH11271775A (ja) | カラーフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2000131504A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 | |
| KR100531975B1 (ko) | 마이크로 렌즈 어레이 기판 및 표시 장치 | |
| JP2001277259A (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JP2001188105A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070606 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070803 |