JPH11186594A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JPH11186594A JPH11186594A JP35795997A JP35795997A JPH11186594A JP H11186594 A JPH11186594 A JP H11186594A JP 35795997 A JP35795997 A JP 35795997A JP 35795997 A JP35795997 A JP 35795997A JP H11186594 A JPH11186594 A JP H11186594A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- Led Devices (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高出力かつ光強度分布が均一な発光ダイオー
ドアレイを提供する。 【解決手段】 発光ダイオードの低抵抗の電極用コンタ
クト層４２を、発光ドット１２の光取出し領域２２の外
側から中央に沿って引き延ばすことにより、光取出し領
域２２内における注入電流が広がり、電極３２を光取出
し領域２２の中心を超えない長さで外側から中央に向か
って凸字形状に引き延ばすことにより、光取出し領域２
２における電極被覆率の増大を抑えることができる。こ
の結果、光取出し領域２２内の光出力の均一化を図るこ
とができ、光出力を大幅に向上させることができる。隣
り合う発光ドット１２の光取出し領域２２の電極３２を
光取出し領域２２の配列方向に対し、垂直な方向にずら
して千鳥配置することにより、光取出し領域２２が略横
一列になるので、光取出し領域２２の配列方向の発光パ
ターンが千鳥状になるのが緩和される。
ドアレイを提供する。 【解決手段】 発光ダイオードの低抵抗の電極用コンタ
クト層４２を、発光ドット１２の光取出し領域２２の外
側から中央に沿って引き延ばすことにより、光取出し領
域２２内における注入電流が広がり、電極３２を光取出
し領域２２の中心を超えない長さで外側から中央に向か
って凸字形状に引き延ばすことにより、光取出し領域２
２における電極被覆率の増大を抑えることができる。こ
の結果、光取出し領域２２内の光出力の均一化を図るこ
とができ、光出力を大幅に向上させることができる。隣
り合う発光ドット１２の光取出し領域２２の電極３２を
光取出し領域２２の配列方向に対し、垂直な方向にずら
して千鳥配置することにより、光取出し領域２２が略横
一列になるので、光取出し領域２２の配列方向の発光パ
ターンが千鳥状になるのが緩和される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイに関する。
レイに関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）の一つにＧａ
ＡｌＡｓ系発光ダイオードがあり、高輝度のためアレイ
化され発光ダイオードアレイとしてＬＥＤプリンタの光
源に用いられている。
ＡｌＡｓ系発光ダイオードがあり、高輝度のためアレイ
化され発光ダイオードアレイとしてＬＥＤプリンタの光
源に用いられている。
【０００３】図４は発光ダイオードアレイの従来例を示
す平面図であり、図５は発光ダイオードアレイの他の従
来例を示す平面図である。
す平面図であり、図５は発光ダイオードアレイの他の従
来例を示す平面図である。
【０００４】発光ダイオードは微細構造を有しており、
発光ドット１０の光取出し領域２０の一辺（周辺部）に
電極（周辺電極）３０を設けた周辺電極型の発光ダイオ
ードアレイ（図４）と、発光ドット１１の光取出し領域
２１の中心部に電極（中心電極）３１を設けた中心電極
型の発光ダイオードアレイ（図５）との２種類に分類さ
れる。いずれの発光ダイオードも電極用コンタクト層４
０，４１を介して電極３０，３１が設けられており、各
電極３０，３１は金属配線５０，５１にそれぞれ接続さ
れている。
発光ドット１０の光取出し領域２０の一辺（周辺部）に
電極（周辺電極）３０を設けた周辺電極型の発光ダイオ
ードアレイ（図４）と、発光ドット１１の光取出し領域
２１の中心部に電極（中心電極）３１を設けた中心電極
型の発光ダイオードアレイ（図５）との２種類に分類さ
れる。いずれの発光ダイオードも電極用コンタクト層４
０，４１を介して電極３０，３１が設けられており、各
電極３０，３１は金属配線５０，５１にそれぞれ接続さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
周辺電極型発光ダイオードは、周辺電極３０が光取出し
領域２０の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し
領域２０の全域に均等に広げることは非常に困難であ
る。その結果、光取出し領域２０で取り出すことができ
る光は周辺電極３０から離れるほど光出力が低下するた
め、光取出し領域２０内での光出力に不均一が生じると
共に高い光出力を得ることができない。また、注入され
た電流の広がり方もわずかな結晶性の違いにより各発光
ダイオードで差が生じやすく、発光ダイオードアレイ内
での各発光ダイオードの光出力のばらつきも大きくな
る。
周辺電極型発光ダイオードは、周辺電極３０が光取出し
領域２０の周辺部にあるため、注入した電流を光取出し
領域２０の全域に均等に広げることは非常に困難であ
る。その結果、光取出し領域２０で取り出すことができ
る光は周辺電極３０から離れるほど光出力が低下するた
め、光取出し領域２０内での光出力に不均一が生じると
共に高い光出力を得ることができない。また、注入され
た電流の広がり方もわずかな結晶性の違いにより各発光
ダイオードで差が生じやすく、発光ダイオードアレイ内
での各発光ダイオードの光出力のばらつきも大きくな
る。
【０００６】また、光強度分布が周辺電極３０に偏るた
め、隣り合う発光ダイオードの光取出し領域２０を横一
列に配置してもＬＥＤプリンタの印字に有効な発光領域
が横一直線状にはならず、千鳥状にずれてしまうという
問題があった。
め、隣り合う発光ダイオードの光取出し領域２０を横一
列に配置してもＬＥＤプリンタの印字に有効な発光領域
が横一直線状にはならず、千鳥状にずれてしまうという
問題があった。
【０００７】これに対して図５に示す中心電極型発光ダ
イオードは、中心電極３１が光取出し領域２１の中央部
にあるため、前述した周辺電極型発光ダイオードの欠点
をカバーすることができる。すなわち注入した電流を光
取出し領域２１の全域に均等に広げることができる。
イオードは、中心電極３１が光取出し領域２１の中央部
にあるため、前述した周辺電極型発光ダイオードの欠点
をカバーすることができる。すなわち注入した電流を光
取出し領域２１の全域に均等に広げることができる。
【０００８】しかしながら、例えば６００ＤＰＩ以上の
高密度発光ダイオードアレイのように、さらに発光ダイ
オードの微細化が進んだ場合に中心電極型構造を用いる
と、信頼性を確保するため、中心電極３１の大きさを小
さくすることができない。このため発光ダイオードの電
極被覆率が増大し、高出力の発光ダイオードを得ること
が困難となる。また、光取出し領域２１が非常に狭くな
ることにより、発光スポット形状にも問題が生じる。
高密度発光ダイオードアレイのように、さらに発光ダイ
オードの微細化が進んだ場合に中心電極型構造を用いる
と、信頼性を確保するため、中心電極３１の大きさを小
さくすることができない。このため発光ダイオードの電
極被覆率が増大し、高出力の発光ダイオードを得ること
が困難となる。また、光取出し領域２１が非常に狭くな
ることにより、発光スポット形状にも問題が生じる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高出力かつ光強度分布が均一な発光ダイオードアレ
イを提供することにある。
し、高出力かつ光強度分布が均一な発光ダイオードアレ
イを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、複数の発光ドットの一部に電極用コンタク
ト層をそれぞれ設け、その電極用コンタクト層に電極を
設けた発光ダイオードアレイにおいて、電極用コンタク
ト層が発光ドットの光取出し領域の外側から中央に向っ
て引き延ばされ、かつ、電極が光取出し領域の外側から
中心を超えない長さで光取出し領域の中心に向かって略
凸字形状に引き延ばされたものである。
に本発明は、複数の発光ドットの一部に電極用コンタク
ト層をそれぞれ設け、その電極用コンタクト層に電極を
設けた発光ダイオードアレイにおいて、電極用コンタク
ト層が発光ドットの光取出し領域の外側から中央に向っ
て引き延ばされ、かつ、電極が光取出し領域の外側から
中心を超えない長さで光取出し領域の中心に向かって略
凸字形状に引き延ばされたものである。
【００１１】本発明は、複数の発光ドットの一部に電極
をそれぞれ設け、かつ、発光ドットの配列方向に対して
垂直な方向に交互に配線を引き出した発光ダイオードア
レイにおいて、隣り合う光取出し領域の電極が光取出し
領域の配列方向に対して垂直な方向にずらして千鳥配置
されたものである。
をそれぞれ設け、かつ、発光ドットの配列方向に対して
垂直な方向に交互に配線を引き出した発光ダイオードア
レイにおいて、隣り合う光取出し領域の電極が光取出し
領域の配列方向に対して垂直な方向にずらして千鳥配置
されたものである。
【００１２】上記構成に加え本発明は、光取出し領域が
形成する発光パターンが直線状になるように配置されて
もよい。
形成する発光パターンが直線状になるように配置されて
もよい。
【００１３】本発明によれば、ＧａＡｓ或いは低Ａｌ混
晶比のＧａＡｌＡｓ層からなる低抵抗の電極用コンタク
ト層を、発光ドットの光取出し領域の外側から中央に沿
って引き延ばすことにより、光取出し領域内における注
入電流が広がり、電極を光取出し領域の中心を超えない
長さで外側から中央に向かって凸字形状に引き延ばすこ
とにより、光取出し領域における電極被覆率の増大を抑
えることができる。すなわち、電極と電極用コンタクト
層とが光取出し領域内における注入電流の広がりに大き
く寄与する。この結果、光取出し領域内の光出力の均一
化を図ることができ、光出力を大幅に向上させることが
できる。
晶比のＧａＡｌＡｓ層からなる低抵抗の電極用コンタク
ト層を、発光ドットの光取出し領域の外側から中央に沿
って引き延ばすことにより、光取出し領域内における注
入電流が広がり、電極を光取出し領域の中心を超えない
長さで外側から中央に向かって凸字形状に引き延ばすこ
とにより、光取出し領域における電極被覆率の増大を抑
えることができる。すなわち、電極と電極用コンタクト
層とが光取出し領域内における注入電流の広がりに大き
く寄与する。この結果、光取出し領域内の光出力の均一
化を図ることができ、光出力を大幅に向上させることが
できる。
【００１４】また、隣り合う発光ドットの光取出し領域
の電極を光取出し領域の配列方向に対し、垂直な方向に
ずらして千鳥配置することにより、光取出し領域が略横
一列になるので、ＬＥＤプリンタの印字に有効な発光領
域が周辺電極側に偏った場合でも光取出し領域の配列方
向の発光パターンが千鳥状になるのが緩和される。
の電極を光取出し領域の配列方向に対し、垂直な方向に
ずらして千鳥配置することにより、光取出し領域が略横
一列になるので、ＬＥＤプリンタの印字に有効な発光領
域が周辺電極側に偏った場合でも光取出し領域の配列方
向の発光パターンが千鳥状になるのが緩和される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１６】図１は本発明の発光ダイオードアレイの一
実施の形態を示す平面図である。
実施の形態を示す平面図である。
【００１７】図１には周辺電極型のＧａＡｌＡｓ系発光
ダイオードアレイ中の隣り合う２つの発光ダイオードが
示されている。この発光ダイオードの構造は、メサ分離
型シングルヘテロ構造をもつＧａＡｌＡｓ系発光ダイオ
ードである。
ダイオードアレイ中の隣り合う２つの発光ダイオードが
示されている。この発光ダイオードの構造は、メサ分離
型シングルヘテロ構造をもつＧａＡｌＡｓ系発光ダイオ
ードである。
【００１８】左側に示されている発光ダイオードＤ１
は、発光ドット１２の光取出し領域２２の一辺（図では
下辺）に電極用コンタクト層４２が設けられ、その電極
用コンタクト層４２に周辺電極３２が形成されている。
電極用コンタクト層４２は光取出し領域２２の外側から
中央に向って引き延ばされ、かつ、周辺電極３２は光取
出し領域２２の外側から中心を超えない長さで光取出し
領域２２の中心に向かって略凸字形状に引き延ばされて
いる。
は、発光ドット１２の光取出し領域２２の一辺（図では
下辺）に電極用コンタクト層４２が設けられ、その電極
用コンタクト層４２に周辺電極３２が形成されている。
電極用コンタクト層４２は光取出し領域２２の外側から
中央に向って引き延ばされ、かつ、周辺電極３２は光取
出し領域２２の外側から中心を超えない長さで光取出し
領域２２の中心に向かって略凸字形状に引き延ばされて
いる。
【００１９】右側に示されている発光ダイオードＤ２
は、光取出し領域２２の一辺（図では上辺）に電極用コ
ンタクト層４２が設けられ、その電極用コンタクト層４
２に周辺電極３２が形成されている。電極用コンタクト
層４２は光取出し領域２２の外側から中央に向って引き
延ばされ、かつ、周辺電極３２は光取出し領域２２の外
側から中心を超えない長さで光取出し領域２２の中心に
向かって略Ｔ字形状に引き延ばされている。すなわち、
発光ダイオードＤ２は、発光ダイオードＤ１を倒立させ
た形状となっている。
は、光取出し領域２２の一辺（図では上辺）に電極用コ
ンタクト層４２が設けられ、その電極用コンタクト層４
２に周辺電極３２が形成されている。電極用コンタクト
層４２は光取出し領域２２の外側から中央に向って引き
延ばされ、かつ、周辺電極３２は光取出し領域２２の外
側から中心を超えない長さで光取出し領域２２の中心に
向かって略Ｔ字形状に引き延ばされている。すなわち、
発光ダイオードＤ２は、発光ダイオードＤ１を倒立させ
た形状となっている。
【００２０】発光ダイオードＤ１の光取出し領域２２の
横幅Ｘは２５μｍであり、縦幅Ｙは３０μｍであり非常
に微細な発光ダイオードに設計されている。周辺電極
（ｎ側電極）３２は、光取出し領域２２内の一辺に設け
られ、Ａｕ等からなる金属配線５２に接続されている。
横幅Ｘは２５μｍであり、縦幅Ｙは３０μｍであり非常
に微細な発光ダイオードに設計されている。周辺電極
（ｎ側電極）３２は、光取出し領域２２内の一辺に設け
られ、Ａｕ等からなる金属配線５２に接続されている。
【００２１】電極用コンタクト層４２は、ｎ側電極３２
と光取出し領域２２との間で良好なオーミック接合をと
るためｎ側電極３２の下に形成されている。この電極用
コンタクト層４２は、ｎ型の低抵抗なＧａＡｓまたはＡ
ｌ混晶比の非常に小さいＧａＡｌＡｓ層で構成され、ｎ
側電極３２との接触部からさらに幅９μｍで光取出し領
域２２の中央に沿って引き延ばされている。また、ｎ側
電極３２は発光ドット１２の周辺部から略凸字形状に約
１０μｍほど光取出し領域２２の中央に向けて引き延ば
されている。さらに発光ダイオードＤ１の光取出し領域
２２に隣り合う発光ダイオードＤ２の光取出し領域２２
は、互いのｎ側電極３２がＹ方向に対して近付くように
５μｍずつ上下にずらされて千鳥配置されている。
と光取出し領域２２との間で良好なオーミック接合をと
るためｎ側電極３２の下に形成されている。この電極用
コンタクト層４２は、ｎ型の低抵抗なＧａＡｓまたはＡ
ｌ混晶比の非常に小さいＧａＡｌＡｓ層で構成され、ｎ
側電極３２との接触部からさらに幅９μｍで光取出し領
域２２の中央に沿って引き延ばされている。また、ｎ側
電極３２は発光ドット１２の周辺部から略凸字形状に約
１０μｍほど光取出し領域２２の中央に向けて引き延ば
されている。さらに発光ダイオードＤ１の光取出し領域
２２に隣り合う発光ダイオードＤ２の光取出し領域２２
は、互いのｎ側電極３２がＹ方向に対して近付くように
５μｍずつ上下にずらされて千鳥配置されている。
【００２２】図２は図１に示した発光ダイオードアレイ
のＡ−Ａ線断面図である。図３は図１に示した発光ダイ
オードアレイのＢ−Ｂ線断面図である。
のＡ−Ａ線断面図である。図３は図１に示した発光ダイ
オードアレイのＢ−Ｂ線断面図である。
【００２３】ｐ型ＧａＡｓ基板６０上に、活性層（ｐ型
ＧａＡｌＡｓ層）６１と、クラッド層（Ａｌ混晶比の高
いｎ型ＧａＡｌＡｓ層）６２とが形成されている。この
活性層６１及びクラッド層６２からなるｐｎ層は、前述
したようにシングルヘテロ構造であり、メサ分離構造と
なっている。ｎ型ＧａＡｌＡｓ層６２上にはｎ型の電極
用コンタクト層（高濃度にドープされて低抵抗とし、か
つ、非常にＡｌ混晶比の低いＧａＡｌＡｓ層）４２が形
成されている。ｎ型ＧａＡｌＡｓ層６２及びＧａＡｌＡ
ｓ層４２の表面には保護用ガラス膜６３と、ｎ側電極３
２とが形成され、ｎ側電極３２には金属配線５２が形成
されている。発光ダイオードＤ１の裏面にはｐ側電極６
４がそれぞれ取付けられている。
ＧａＡｌＡｓ層）６１と、クラッド層（Ａｌ混晶比の高
いｎ型ＧａＡｌＡｓ層）６２とが形成されている。この
活性層６１及びクラッド層６２からなるｐｎ層は、前述
したようにシングルヘテロ構造であり、メサ分離構造と
なっている。ｎ型ＧａＡｌＡｓ層６２上にはｎ型の電極
用コンタクト層（高濃度にドープされて低抵抗とし、か
つ、非常にＡｌ混晶比の低いＧａＡｌＡｓ層）４２が形
成されている。ｎ型ＧａＡｌＡｓ層６２及びＧａＡｌＡ
ｓ層４２の表面には保護用ガラス膜６３と、ｎ側電極３
２とが形成され、ｎ側電極３２には金属配線５２が形成
されている。発光ダイオードＤ１の裏面にはｐ側電極６
４がそれぞれ取付けられている。
【００２４】このような発光ダイオードアレイに通電す
ると、周辺電極構造にもかかわらず、光取出し領域２２
の中央に沿って引き延ばされた電極用コンタクト層４２
としてのｎ型ＧａＡｌＡｓ層が存在し、かつ、周辺電極
としてのｎ側電極３２が発光ドット１２の外側から光取
出し領域２２の中心方向に１０μｍ引き延ばされている
ため、ｎ側電極３２から注入された電流が電極用コンタ
クト層４２を通してｐｎ界面近傍に形成される光取出し
領域２２全域に広がる。
ると、周辺電極構造にもかかわらず、光取出し領域２２
の中央に沿って引き延ばされた電極用コンタクト層４２
としてのｎ型ＧａＡｌＡｓ層が存在し、かつ、周辺電極
としてのｎ側電極３２が発光ドット１２の外側から光取
出し領域２２の中心方向に１０μｍ引き延ばされている
ため、ｎ側電極３２から注入された電流が電極用コンタ
クト層４２を通してｐｎ界面近傍に形成される光取出し
領域２２全域に広がる。
【００２５】従って、光取出し領域２２内での光出力の
均一化が図れると同時に高出力化が達成できる。尚、ｎ
側電極３２の引き延ばし量は、光取出し領域２２の縦の
長さにより決まる。本実施の形態では光取出し領域の縦
の長さが３０μｍであるため、１０μｍに設計されてい
る。
均一化が図れると同時に高出力化が達成できる。尚、ｎ
側電極３２の引き延ばし量は、光取出し領域２２の縦の
長さにより決まる。本実施の形態では光取出し領域の縦
の長さが３０μｍであるため、１０μｍに設計されてい
る。
【００２６】一方、隣り合う光取出し領域２２は、互い
のｎ側電極３２がＹ方向に近付くよう、片側５μｍほど
寄せた千鳥配置となっている。これは光取出し領域２２
内での光強度がもっとも大きくなるｎ側電極３２の近傍
をＹ方向に接近させるためであり、これによりＬＥＤプ
リンタで印字するのに有効な光取出し領域２２の発光パ
ターンが千鳥状に分布するのを防止する効果がある。
のｎ側電極３２がＹ方向に近付くよう、片側５μｍほど
寄せた千鳥配置となっている。これは光取出し領域２２
内での光強度がもっとも大きくなるｎ側電極３２の近傍
をＹ方向に接近させるためであり、これによりＬＥＤプ
リンタで印字するのに有効な光取出し領域２２の発光パ
ターンが千鳥状に分布するのを防止する効果がある。
【００２７】ここで、図５に示した従来の発光ダイオー
ドアレイを、図１に示した発光ダイオードアレイと光取
出し領域を同じ大きさで試作して光出力を比較すると、
図１に示した発光ダイオードアレイは、図５に示した発
光ダイオードアレイの約１．４倍の光出力が得られた。
また、発光ダイオードアレイ中の各発光ダイオードの光
出力のばらつきも従来では±１６％であったのに対し、
図１に示した発光ダイオードでは平均±８％と大幅に改
善することができた。同様に図５に示した発光ダイオー
ドアレイと比較しても約１０％高い光出力が得られた。
ドアレイを、図１に示した発光ダイオードアレイと光取
出し領域を同じ大きさで試作して光出力を比較すると、
図１に示した発光ダイオードアレイは、図５に示した発
光ダイオードアレイの約１．４倍の光出力が得られた。
また、発光ダイオードアレイ中の各発光ダイオードの光
出力のばらつきも従来では±１６％であったのに対し、
図１に示した発光ダイオードでは平均±８％と大幅に改
善することができた。同様に図５に示した発光ダイオー
ドアレイと比較しても約１０％高い光出力が得られた。
【００２８】以上、本実施の形態において、周辺電極を
光取出し領域の周辺よりわずかに光取出し領域の中央に
向って引き延ばし、その周辺電極の低抵抗なコンタクト
層を光取出し領域の中央に沿って引き延ばすことによ
り、中心電極型発光ダイオードアレイと同様な電流分散
効果を持たせることができ、かつ、中心電極型発光ダイ
オードアレイの欠点である光取出し領域中の電極被覆率
の増大を防止することができる。その結果、高出力な高
密度発光ダイオードアレイの製造が可能となる。また、
隣り合う光取出し領域を互いの電極がＹ方向に対し接近
するように千鳥配置にすることにより、従来の周辺電極
型発光ダイオードアレイではＬＥＤプリンタの印字に有
効な発光領域の発光パターンが千鳥状になるという欠点
も解決することができる。
光取出し領域の周辺よりわずかに光取出し領域の中央に
向って引き延ばし、その周辺電極の低抵抗なコンタクト
層を光取出し領域の中央に沿って引き延ばすことによ
り、中心電極型発光ダイオードアレイと同様な電流分散
効果を持たせることができ、かつ、中心電極型発光ダイ
オードアレイの欠点である光取出し領域中の電極被覆率
の増大を防止することができる。その結果、高出力な高
密度発光ダイオードアレイの製造が可能となる。また、
隣り合う光取出し領域を互いの電極がＹ方向に対し接近
するように千鳥配置にすることにより、従来の周辺電極
型発光ダイオードアレイではＬＥＤプリンタの印字に有
効な発光領域の発光パターンが千鳥状になるという欠点
も解決することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３０】(1) 電極用コンタクト層を発光ドットの光
取出し領域の外側から中央に向って引き延ばし、かつ、
周辺電極を光取出し領域の外側から中心を超えない長さ
で光取出し領域の中心に向かって略凸字形状に引き延ば
すことにより、高出力かつ光強度分布が均一な発光ダイ
オードアレイの提供を実現できる。
取出し領域の外側から中央に向って引き延ばし、かつ、
周辺電極を光取出し領域の外側から中心を超えない長さ
で光取出し領域の中心に向かって略凸字形状に引き延ば
すことにより、高出力かつ光強度分布が均一な発光ダイ
オードアレイの提供を実現できる。
【００３１】(2) 隣り合う光取出し領域の電極が光取出
し領域の配列方向に対して垂直な方向に接近するように
ずらして配置することにより、高出力かつ光強度分布が
均一な発光ダイオードアレイの提供を実現できる。
し領域の配列方向に対して垂直な方向に接近するように
ずらして配置することにより、高出力かつ光強度分布が
均一な発光ダイオードアレイの提供を実現できる。
【図１】本発明の発光ダイオードアレイの一実施の形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図１に示した発光ダイオードアレイのＡ−Ａ線
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示した発光ダイオードアレイのＢ−Ｂ線
断面図である。
断面図である。
【図４】発光ダイオードアレイの従来例を示す平面図で
ある。
ある。
【図５】発光ダイオードアレイの他の従来例を示す平面
図である。
図である。
１２ 発光ドット ２２ 光取出し領域 ３２ 電極（周辺電極、ｎ側電極） ４２ 電極用コンタクト層（ＧａＡｌＡｓ層） ５２ 金属配線
フロントページの続き (72)発明者 酒井 勝彦 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 馬渕 浩 茨城県日立市砂沢町880番地 日立電線株 式会社高砂工場内 (72)発明者 山崎 満 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 栗原 清一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 阿部 雄二 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の発光ドットの一部に電極用コンタ
クト層をそれぞれ設け、各電極用コンタクト層に電極を
設けた発光ダイオードアレイにおいて、上記電極用コン
タクト層が上記発光ドットの光取出し領域の外側から中
央に向って引き延ばされ、かつ、上記電極が光取出し領
域の外側から中心を超えない長さで光取出し領域の中心
に向かって略凸字形状に引き延ばされたことを特徴とす
る発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】 複数の発光ドットの一部に電極をそれぞ
れ設け、かつ、発光ドットの配列方向に対して垂直な方
向に交互に配線を引き出した発光ダイオードアレイにお
いて、隣り合う光取出し領域の電極が光取出し領域の配
列方向に対して垂直な方向にずらして千鳥配置されたこ
とを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項３】 上記光取出し領域が形成する発光パター
ンが直線状になるように配置された請求項２に記載の発
光ダイオードアレイ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35795997A JPH11186594A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 発光ダイオードアレイ |
| US09/219,303 US6252351B1 (en) | 1997-12-25 | 1998-12-23 | Light emitting diode array |
| DE19860325A DE19860325B4 (de) | 1997-12-25 | 1998-12-24 | Lichtemittierende Diodenmatrix |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35795997A JPH11186594A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186594A true JPH11186594A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18456830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35795997A Pending JPH11186594A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6252351B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11186594A (ja) |
| DE (1) | DE19860325B4 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP1508157B1 (en) | 2002-05-08 | 2011-11-23 | Phoseon Technology, Inc. | High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture |
| EP1678442B8 (en) * | 2003-10-31 | 2013-06-26 | Phoseon Technology, Inc. | Led light module and manufacturing method |
| WO2005091392A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Phoseon Technology, Inc. | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
| EP1866954B1 (en) * | 2004-12-30 | 2016-04-20 | Phoseon Technology, Inc. | Methods and systems relating to light sources for use in industrial processes |
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| US5994739A (en) * | 1990-07-02 | 1999-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated circuit device |
| JPH07202259A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｌＡｓ系発光ダイオード |
| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
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-
1997
- 1997-12-25 JP JP35795997A patent/JPH11186594A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-23 US US09/219,303 patent/US6252351B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-24 DE DE19860325A patent/DE19860325B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6252351B1 (en) | 2001-06-26 |
| DE19860325B4 (de) | 2010-09-30 |
| DE19860325A1 (de) | 1999-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020423 |