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JPH11135715A - Stacked mounting body - Google Patents

Stacked mounting body

Info

Publication number
JPH11135715A
JPH11135715A JP9297581A JP29758197A JPH11135715A JP H11135715 A JPH11135715 A JP H11135715A JP 9297581 A JP9297581 A JP 9297581A JP 29758197 A JP29758197 A JP 29758197A JP H11135715 A JPH11135715 A JP H11135715A
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JP
Japan
Prior art keywords
heat
film carrier
plate
mounting
mounting body
Prior art date
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Granted
Application number
JP9297581A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3611957B2 (en
Inventor
Yasuo Nakatsuka
康雄 中塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP29758197A priority Critical patent/JP3611957B2/en
Priority to US09/080,454 priority patent/US6208521B1/en
Publication of JPH11135715A publication Critical patent/JPH11135715A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3611957B2 publication Critical patent/JP3611957B2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の積層型実装体と同等の機能を有する新
たなる積層型実装体を提供し、かつ該積層型実装体に対
して各層の半導体素子に発生する熱を外部へ効率よく放
散させること。 【解決手段】 フィルムキャリア要素1(1a〜1c)
が、各々の面が拡張する方向に屈曲部を介して接続され
たフィルムキャリアを形成する。その実装面に設けられ
た実装用接点部に、半導体素子を実装する。素子の実装
後、屈曲部を折り曲げることによって各フィルムキャリ
ア要素をベース要素の上に重ね、全体を1つの積層体9
とする。このとき該積層体の各層間11a、11bのう
ちの少なくとも1つの層間に熱伝導性の吸熱用板20を
挟み込み、該積層体の最上面には熱伝導性の放熱用板3
0を設け、吸熱用板と放熱用板とを互いに接続用部分4
0にて熱伝導可能に接続し、放熱構造を有する積層型実
装体とする。
(57) [Problem] To provide a new stacked mounting body having a function equivalent to that of a conventional stacked mounting body, and to dissipate heat generated in semiconductor elements in each layer to the stacked mounting body to the outside. To dissipate efficiently. SOLUTION: The film carrier element 1 (1a to 1c)
Form a film carrier that is connected via a bend in the direction in which each surface expands. A semiconductor element is mounted on a mounting contact portion provided on the mounting surface. After the mounting of the element, each film carrier element is superimposed on the base element by bending the bent portion, and the whole is formed into one laminate 9.
And At this time, the heat conductive heat absorbing plate 20 is sandwiched between at least one of the layers 11a and 11b of the laminate, and the heat conductive heat radiating plate 3 is placed on the uppermost surface of the laminate.
0, and the heat absorbing plate and the heat radiating plate
At 0, it is connected so as to be able to conduct heat to form a stacked mounting body having a heat dissipation structure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子がフィ
ルムキャリアに実装された状態で積層され層間の配線が
完了した状態のものとして機能する、新たなる積層型実
装体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a new stacked mounting body which functions as a semiconductor device mounted on a film carrier and stacked as a semiconductor device and wiring between layers is completed.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の高性能化、高機能化、小型化
に対応するため、半導体素子(特にウエハから個々に切
り出した裸状態のICのチップ)をフィルムキャリアに
実装し、そのフィルムキャリアを必要枚数だけ外部基板
上に積層し、各層のフィルムキャリアの端子を最下層の
外部基板の端子と接続した積層型実装体が提案されてい
る(特開平2−290048号公報参照)。
2. Description of the Related Art In order to cope with higher performance, higher function, and smaller size of electronic equipment, semiconductor elements (particularly, bare IC chips individually cut out from wafers) are mounted on a film carrier, and the film carrier is mounted on the film carrier. Are laminated on an external substrate by a required number, and a terminal of a film carrier of each layer is connected to a terminal of the lowermost external substrate (see JP-A-2-290048).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような積層型実装体は、次のようにコストを上昇させる
多くの問題点を有する。 半導体素子がフィルムキャリアに実装されても、1つ
の積層体として接続されるまでは互いに別々であり、持
ち運びや保管等の点で不便である。 フィルムキャリアと最下層の外部回路基板とを、各層
毎に個別にリードを折り曲げて接続するために、リード
曲げ加工に高度の技術が必要となる。 各層のフィルムキャリアと、最下層の外部回路基板と
を、電極に関して正確に位置決めして積層しなければな
らない。 外部回路基板の電極とリードとを接続するには特殊な
接合ツール(治具)を使用しなければならない。 TABテープ等のフィルムキャリアは高価であり、上
記構造のように半導体素子を個別にTAB実装する場合
ではコストが上昇する。
However, the above-mentioned stacked mounting body has many problems which increase the cost as follows. Even if the semiconductor elements are mounted on a film carrier, they are separated from each other until they are connected as one laminate, which is inconvenient in terms of carrying and storage. In order to connect the film carrier and the lowermost external circuit board by individually bending the leads for each layer, a sophisticated technique is required for the lead bending process. The film carrier of each layer and the outermost circuit board of the lowermost layer must be laminated with accurate positioning with respect to the electrodes. In order to connect the electrodes of the external circuit board and the leads, a special joining tool (jig) must be used. A film carrier such as a TAB tape is expensive, and when the semiconductor elements are individually TAB-mounted as in the above structure, the cost increases.

【0004】さらに、このような積層型実装体には、各
層の半導体素子に発生する熱を外部へ効率よく放散させ
得る構造が付与されていなかった。
Further, such a stacked mounting body has not been provided with a structure capable of efficiently dissipating heat generated in the semiconductor elements of each layer to the outside.

【0005】本発明の課題は、上記問題を解決し、従来
の積層型実装体と同等の機能を有する新たなる積層型実
装体を提供し、かつ該積層型実装体に対して各層の半導
体素子に発生する熱を外部へ効率よく放散させることで
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to provide a new stacked package having the same function as a conventional stacked package, and to provide a semiconductor device of each layer with respect to the stacked package. To efficiently dissipate the heat generated to the outside.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の積層型実装体
は、下記(A)のフィルムキャリアを有し、該フィルム
キャリア中に含まれるフィルムキャリア要素の実装面に
半導体素子が実装されて屈曲部で折り曲げられ、ベース
要素以外の各フィルムキャリア要素が、半導体素子を実
装された状態でベース要素の接続用面が積層の最下面と
なるようにしてベース要素上に重なり合って1つの積層
体となり、前記積層体の各層間のうちの少なくとも1つ
の層間には熱伝導性の吸熱用板が挟み込まれ、前記積層
体の最上面には熱伝導性の放熱用板が設けられ、吸熱用
板と放熱用板とが互いに熱伝導可能に接続された構造を
有することを特徴とするものである。
The laminated mounting body of the present invention has a film carrier of the following (A), and a semiconductor element is mounted on a mounting surface of a film carrier element included in the film carrier and bent. And each film carrier element other than the base element is overlapped on the base element so that the connection surface of the base element becomes the lowermost surface of the stack in a state where the semiconductor element is mounted, to form one laminate. A heat-conductive heat-absorbing plate is sandwiched between at least one of the layers of the laminate, and a heat-conductive heat-dissipating plate is provided on the uppermost surface of the laminate; The heat radiating plate and the heat radiating plate are connected to each other so as to be able to conduct heat.

【0007】本発明でいう(A)のフィルムキャリアと
は、次に示す本発明独自の新規なフィルムキャリアであ
る。 (A);下記(B)のフィルムキャリア要素が、各々の
面が拡張する方向に屈曲部を介して複数接続され、その
なかの一つのフィルムキャリア要素をベース要素とし、
ベース要素以外のフィルムキャリア要素は、屈曲部を折
り曲げることによってベース要素の上に重なり合い全体
が1つの積層体となることができ、内部の導電回路は屈
曲部内部を通ってベース要素内部の導電回路に接続さ
れ、ベース要素の実装面の裏面である接続用面には外部
基板接続用の接点部が設けられており、該接点部は導電
回路と導通しているフィルムキャリア。
The film carrier (A) referred to in the present invention is a novel film carrier unique to the present invention described below. (A); a plurality of film carrier elements of the following (B) are connected via a bent portion in a direction in which each surface expands, and one of the film carrier elements is used as a base element;
The film carrier element other than the base element can be overlaid on the base element by bending the bend, and the entirety of the film carrier element can be formed into a single laminate. And a connection surface, which is a back surface of the mounting surface of the base element, is provided with a contact portion for connecting an external substrate, and the contact portion is electrically connected to a conductive circuit.

【0008】本発明でいう(B)のフィルムキャリア要
素とは、次に示す一種のフィルムキャリアであって、上
記フィルムキャリア(A)の構成要素である。 (B);絶縁性基板の内部に導電回路が設けられてな
り、絶縁性基板の少なくとも一方の面は半導体素子を実
装するための実装面であり、実装面には実装用接点部が
設けられ、実装用接点部は前記導電回路と導通している
フィルムキャリア要素。
[0008] The film carrier element (B) in the present invention is a kind of the following film carrier, and is a component of the film carrier (A). (B): a conductive circuit is provided inside the insulating substrate, at least one surface of the insulating substrate is a mounting surface for mounting a semiconductor element, and a mounting contact portion is provided on the mounting surface. A film carrier element in which the mounting contact portion is in conduction with the conductive circuit.

【0009】[0009]

【作用】先ず、本発明の積層型実装体は、上記(A)の
フィルムキャリア(以下、「本フィルムキャリア」とも
呼ぶ)を用いているから、半導体素子の実装が一枚のフ
ィルムキャリアに対する実装で完了する。従って、従来
のように半導体素子毎にフィルムキャリアを用意し、段
取り換えをする必要がなく、実装された半導体素子がバ
ラバラになることもない。更に、屈曲部を折り曲げるだ
けで複数の半導体素子を一体的に積層することができ、
各半導体素子の位置合わせも容易に行える。従って、従
来の積層型実装体の問題点が解決される。
First, since the laminated package of the present invention uses the film carrier (A) described above (hereinafter also referred to as "the present film carrier"), the semiconductor element is mounted on one film carrier. Complete with Therefore, it is not necessary to prepare a film carrier for each semiconductor element and change the setup as in the related art, and the mounted semiconductor elements do not fall apart. Furthermore, a plurality of semiconductor elements can be integrally laminated only by bending the bent portion,
Positioning of each semiconductor element can be easily performed. Therefore, the problem of the conventional stacked mounting body is solved.

【0010】本発明の積層型実装体と外部回路基板との
接続は、ベース要素の接続用接点を利用するだけでよ
い。即ち、半導体素子毎にリードで外部回路基板に接続
する必要がないため、リード曲げ加工の高度な技術や手
間、リードと外部回路基板との位置合わせ、特殊ツール
の必要といった従来の問題点を全て解消することがで
き、外部回路基板との接続が容易に行える。
[0010] The connection between the stacked mounting body of the present invention and the external circuit board need only be made by using the connection contacts of the base element. In other words, since there is no need to connect the external circuit board with leads for each semiconductor element, all the conventional problems such as advanced techniques and labor for lead bending, alignment between the leads and the external circuit board, and the need for special tools are all required. The connection with the external circuit board can be easily performed.

【0011】本発明の積層型実装体では、半導体素子が
実装された本フィルムキャリアを折り重ねた時点で層間
の接続が完了している。しかも外部との接続用接点が1
つの面(ベース要素の接続用面)に集中しており、従来
の積層型実装体としての機能が成立している。これを従
来のように外部回路基板上に実装することによって、従
来と互換性のある外部端子を有する積層型実装体とする
ことができる。
In the stacked mounting body of the present invention, the connection between the layers is completed when the film carrier on which the semiconductor element is mounted is folded. Moreover, there is only one contact for external connection.
It is concentrated on one surface (the surface for connecting the base element), and the function as a conventional stacked mounting body is realized. By mounting this on an external circuit board as in the prior art, a laminated mounting body having external terminals compatible with the related art can be obtained.

【0012】さらに、本発明の積層型実装体では、本フ
ィルムキャリアを用いた半導体素子の積層構造に加え
て、放熱のための構造が設けられている。この放熱構造
は、所望の層間(好ましくは全層間)に吸熱用板を挟み
込み、積層構造の最上面には放熱用板を設け、吸熱用板
と放熱用板とを熱伝導可能に接続する構造である。この
放熱構造は、一枚の熱伝導性の板材を折り曲げるだけで
容易に構成することも可能であり、単純で効果的な放熱
構造である。しかも、本フィルムキャリアを用いた半導
体素子の積層構造への組み込みも簡単である。この放熱
構造によって、半導体素子の動作で発生する熱を好適に
放熱用板に伝導させ、最上面から外界に好ましく放熱さ
せることができる。
Further, in the stacked mounting body of the present invention, a structure for heat dissipation is provided in addition to the stacked structure of the semiconductor element using the present film carrier. This heat dissipation structure has a structure in which a heat-absorbing plate is sandwiched between desired layers (preferably all layers), a heat-dissipating plate is provided on the uppermost surface of the laminated structure, and the heat-absorbing plate and the heat-dissipating plate are connected in a heat conductive manner. It is. This heat dissipation structure can be easily formed simply by bending a single thermally conductive plate, and is a simple and effective heat dissipation structure. In addition, it is easy to incorporate a semiconductor element using the present film carrier into a laminated structure. With this heat dissipation structure, heat generated by the operation of the semiconductor element can be suitably conducted to the heat dissipation plate, and can be preferably dissipated from the uppermost surface to the outside.

【0013】本発明でいう「コの字形」とは、所謂「み
ぞ形」であって、コの字の向きを限定するものではな
い。
The “U-shape” in the present invention is a so-called “groove”, and does not limit the direction of the U-shape.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】先ず、本フィルムキャリアを説明
する。以下、上記(B)のフィルムキャリア要素を、単
に「フィルムキャリア要素」と呼んで説明する。本フィ
ルムキャリアは、図1(a)に例示するように、フィル
ムキャリア要素1(1a、1b、1c)が、各々の面が
拡張する方向に屈曲部3を介して複数接続された構造を
有するものである。図1は、3つのフィルムキャリア要
素が、一直線状に屈曲部を介して接続されている例であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the present film carrier will be described. Hereinafter, the film carrier element (B) will be simply referred to as a “film carrier element”. As shown in FIG. 1A, the present film carrier has a structure in which a plurality of film carrier elements 1 (1a, 1b, 1c) are connected via a bent portion 3 in a direction in which each surface expands. Things. FIG. 1 shows an example in which three film carrier elements are connected in a straight line via a bent portion.

【0015】フィルムキャリア要素は、例えば、図1
(b)におけるフィルムキャリア要素1bのように、絶
縁性基板5の内部に導電回路4bが設けられた構造を有
し、絶縁性基板5の少なくとも一方の面(図1の例では
一方の面のみ)は、半導体素子を実装するための実装面
2となっている。実装面2には半導体素子を実装するた
めの実装用接点部6が設けられており、該実装用接点部
6は直下の導通路によって導電回路4bと導通してい
る。
The film carrier element is, for example, shown in FIG.
As in the film carrier element 1b in (b), the conductive circuit 4b is provided inside the insulating substrate 5 and at least one surface of the insulating substrate 5 (only one surface in the example of FIG. 1). ) Is a mounting surface 2 for mounting a semiconductor element. A mounting contact portion 6 for mounting a semiconductor element is provided on the mounting surface 2, and the mounting contact portion 6 is electrically connected to the conductive circuit 4b by a conductive path immediately below.

【0016】接続されたフィルムキャリア要素1a〜1
cのうち、一つのフィルムキャリア要素1aをベース要
素1aとする。ベース要素1aは、絶縁性基板5の一方
の面が半導体素子を実装するための実装面2となってい
る点では他のフィルムキャリア要素と同様であるが、絶
縁性基板5の他方の面が外部回路基板との接続用面とな
っている点で他のフィルムキャリア要素と異なる。ベー
ス要素の接続用面には、外部回路基板への接続用接点部
7が設けられ、該接点部7は内部方向直下の導電回路4
aと導通している。
Connected film carrier elements 1a-1
Of c, one film carrier element 1a is the base element 1a. The base element 1a is similar to the other film carrier elements in that one surface of the insulating substrate 5 is a mounting surface 2 for mounting a semiconductor element, but the other surface of the insulating substrate 5 is It differs from other film carrier elements in that it is a surface for connection to an external circuit board. The connection surface of the base element is provided with a contact portion 7 for connection to an external circuit board, and the contact portion 7 is connected to the conductive circuit 4 just below the inside.
a.

【0017】ベース要素1a以外のフィルムキャリア要
素1b、1cは、屈曲部3を折り曲げることによって、
即ち、屈曲部に折り目がくるように本フィルムキャリア
全体を折り重ねることによって、ベース要素1aの上に
重なり合い、全体が1つの積層体となることができるよ
うになっている。これらのフィルムキャリア要素1b、
1cの内部の導電回路4b、4cは、各々、屈曲部3の
内部を通ってベース要素内部の導電回路4aに接続され
ている。
The film carrier elements 1b and 1c other than the base element 1a are bent by bending the bent portion 3.
That is, by folding the entire film carrier so that the bent portion has a fold, the film carrier overlaps the base element 1a, and the entire film carrier can be formed as one laminate. These film carrier elements 1b,
The conductive circuits 4b and 4c inside 1c are each connected to the conductive circuit 4a inside the base element through the inside of the bent portion 3.

【0018】フィルムキャリア要素の形状は、特に限定
されず、円形、方形やその他の多角形、異形等が挙げら
れる。但し、半導体素子の形状が方形であるため、実装
密度を高めるためには、フィルムキャリア要素の形状も
同様に図1(a)に示すように方形が好ましい。また、
フィルムキャリア要素の形状は、互いに異なる形状であ
ってもよいが、一つの積層体を形成する点から、全て合
同な形状とし、かつ、折り重ねたときに外形が一致する
ような向きで接続するのが好ましい。
The shape of the film carrier element is not particularly limited, and examples thereof include a circle, a square, other polygons, and irregular shapes. However, since the shape of the semiconductor element is rectangular, the shape of the film carrier element is also preferably rectangular as shown in FIG. Also,
The shapes of the film carrier elements may be different from each other, but from the viewpoint of forming one laminated body, all are formed into a congruent shape, and are connected in a direction such that the outer shapes match when folded. Is preferred.

【0019】接続すべきフィルムキャリア要素の数は、
目的の積層の数に応じて決定すればよく、特に限定され
るものではない。また、フィルムキャリア要素の互いの
配置のパターン(接続のパターン)は、ベース要素以外
のフィルムキャリア要素がベース要素上に重なり合い、
全体で一つの積層体となり得るパターンであればよく、
例えば、図1のような一直線状のパターンの他、十字状
のパターンが挙げられる。
The number of film carrier elements to be connected is
What is necessary is just to determine according to the number of target laminations, and it is not specifically limited. Further, the pattern of the arrangement of the film carrier elements (the pattern of connection) is such that the film carrier elements other than the base element overlap on the base element,
Any pattern that can be a single layered body as a whole,
For example, in addition to the linear pattern as shown in FIG.

【0020】ベース要素の外周四辺には、フィルムキャ
リア要素をどのように接続してもよく、接続されたフィ
ルムキャリア要素にさらに他のフィルムキャリア要素を
接続し自在に延長してもよい。また、ベース要素は、必
ずしもフィルムキャリア要素同士の配列の中心に位置す
る必要はなく、端に位置していてもよい。
A film carrier element may be connected to the outer four sides of the base element in any manner, and another film carrier element may be connected to the connected film carrier element and freely extended. Further, the base element does not necessarily need to be located at the center of the arrangement of the film carrier elements, but may be located at the end.

【0021】フィルムキャリア要素を形成する絶縁性基
板の材料は、特に限定されるものではなく、従来のフィ
ルムキャリアに使用されている樹脂材料を利用すること
ができる。屈曲部をフィルムキャリア要素と共通の絶縁
性基板で形成するのであるならば、折り曲げ性、機械的
強度に優れている等の点からポリイミド樹脂が好まし
い。
The material of the insulating substrate forming the film carrier element is not particularly limited, and a resin material used for a conventional film carrier can be used. If the bent portion is formed of an insulating substrate common to the film carrier element, a polyimide resin is preferable from the viewpoint of excellent bending property and mechanical strength.

【0022】フィルムキャリア要素に設けられる導電回
路は、絶縁性基板の内部でありかつ接点部と導通し得る
位置に設けられていればよい。導電回路の形成方法とし
ては公知の回路パターン形成方法が利用できる。ベース
要素以外のフィルムキャリア要素の内部の導電回路は、
屈曲部の内部を通ってベース要素内部の導電回路に接続
される。
The conductive circuit provided in the film carrier element only needs to be provided inside the insulating substrate and at a position where it can conduct with the contact portion. As a method for forming the conductive circuit, a known circuit pattern forming method can be used. The conductive circuit inside the film carrier element other than the base element is
It is connected to the conductive circuit inside the base element through the inside of the bend.

【0023】フィルムキャリア要素は、少なくとも一方
の面、即ち、その片面または両面を実装面とする。ただ
し、ベース要素だけは、一方の面だけが実装面であり、
他方の面は接続用面である。ベース要素以外のフィルム
キャリア要素が片面だけを実装面とする場合、その実装
面をベース要素の実装面に対して同じ側の面とするか裏
面側の面とするかは、フィルムキャリア要素毎に自由で
あり、本フィルムキャリアの折り方や特別な用途に応じ
て選択すればよい。通常は、図1に示すように、全ての
実装面を同じ側の面に揃えた方が、半導体素子を実装す
る上で好ましいものとなる。また、片面だけを実装面と
するフィルムキャリア要素と、両面を実装面とするフィ
ルムキャリア要素とを併用してもよい。
The film carrier element has at least one surface, that is, one or both surfaces, as a mounting surface. However, only one side of the base element is the mounting side,
The other surface is a connection surface. When only one side of the film carrier element other than the base element is used as the mounting surface, whether the mounting surface is the same side as the mounting surface of the base element or the back side is determined for each film carrier element. It is optional and may be selected according to the method of folding the present film carrier or a special use. Normally, as shown in FIG. 1, it is preferable that all the mounting surfaces are aligned on the same side surface in mounting the semiconductor element. Further, a film carrier element having only one mounting surface and a film carrier element having both mounting surfaces may be used in combination.

【0024】フィルムキャリア要素の実装用接点部およ
びベース要素の接続用接点部は、接触対象となる半導体
素子、外部回路基板に対して電気的な接触を行い得るも
のであればよい。これら接点部の態様としては、絶縁性
基板の面から接点材料が半球状・ドーム状に突起した態
様(メッキによるバンプ接点や半田ボールなど)が代表
的であるが、必ずしも絶縁性基板の面から突起する必要
はなく、接続対象の形状や接続の方法に応じて、絶縁性
基板の面と同一面、凹面を形成するものでもよい。さら
には、絶縁性基板の面に開口部を設け、その開口内部に
導電回路の一部を露出させ、露出した導電回路を接点と
して用いる態様であってもよい。
The mounting contact portion of the film carrier element and the connecting contact portion of the base element may be any as long as they can make electrical contact with the semiconductor element and the external circuit board to be contacted. As a mode of these contact portions, a mode in which the contact material protrudes in a hemispherical or dome shape from the surface of the insulating substrate (such as a bump contact or a solder ball by plating) is representative, but not necessarily from the surface of the insulating substrate. There is no need to protrude, and a surface that is the same as the surface of the insulating substrate or a concave surface may be formed according to the shape of the connection target and the connection method. Further, an opening may be provided on the surface of the insulating substrate, a part of the conductive circuit may be exposed inside the opening, and the exposed conductive circuit may be used as a contact.

【0025】バンプ接点の形成方法や、開口内部に導電
回路の一部を露出させた接点の形成方法などは、公知技
術を利用してよい。導電回路は、接点部を形成すべき位
置の内部方向直下または接点部と導通が可能なように接
点部の近傍を通過するように設計される。
A known technique may be used for forming a bump contact or forming a contact in which a part of a conductive circuit is exposed inside an opening. The conductive circuit is designed to pass immediately below the position where the contact portion is to be formed or in the vicinity of the contact portion so as to be able to conduct with the contact portion.

【0026】屈曲部は、ベース要素の内部の導電回路と
それ以外のフィルムキャリア要素の内部の導電回路とを
電気的に接続するための導電回路をその内部に有するも
のであり、折り曲げ可能に構成されたものであればよ
い。
The bent portion has a conductive circuit for electrically connecting the conductive circuit inside the base element and the conductive circuit inside the other film carrier element, and is configured to be bendable. Whatever is done is good.

【0027】屈曲部は、屈曲に好適な材料を用いて基板
を別途形成しフィルムキャリア要素に接続されるもので
あってよいが、図1の例のように、フィルムキャリア要
素の絶縁性基板を延長し、連続した一枚の絶縁性基板と
して一体的に形成される態様が好ましい。このとき、屈
曲部の内部の導電回路は、フィルムキャリア要素内部の
導電回路がそのまま延長されたものとして形成し得る。
The bent portion may be formed separately from a substrate using a material suitable for bending and connected to the film carrier element. However, as shown in the example of FIG. An embodiment in which the substrate is extended and integrally formed as one continuous insulating substrate is preferable. At this time, the conductive circuit inside the bent portion may be formed as an extension of the conductive circuit inside the film carrier element.

【0028】屈曲部の位置は、前述したフィルムキャリ
ア要素の位置関係に合わせて決定すればよい。屈曲部の
長さ(フィルムキャリア要素間の距離)は、実装する半
導体素子の大きさや数、フィルムキャリア要素の厚み、
積層数に応じて決定すればよい。
The position of the bent portion may be determined according to the above-described positional relationship of the film carrier elements. The length of the bent portion (the distance between the film carrier elements) depends on the size and number of the semiconductor elements to be mounted, the thickness of the film carrier element,
What is necessary is just to determine according to the number of laminations.

【0029】次に、半導体素子が実装された本フィルム
キャリアを折り曲げて形成した積層体を説明する。図2
(a)は、本フィルムキャリアを折り曲げる前の状態を
示している。本フィルムキャリアには、図1に示した態
様のものが用いられている。各フィルムキャリア要素1
(1a〜1c)の実装面2には半導体素子8が各々実装
されている。半導体素子8は、実装用接点部6(バンプ
接点)を介して導電回路(4a〜4c)と導通・接続さ
れている。半導体素子と実装面との間隙には接着剤13
が充填され、これらを接着している。
Next, a laminate formed by bending the present film carrier on which the semiconductor element is mounted will be described. FIG.
(A) shows a state before the present film carrier is bent. The film carrier of the embodiment shown in FIG. 1 is used for this film carrier. Each film carrier element 1
The semiconductor elements 8 are mounted on the mounting surfaces 2 of (1a to 1c). The semiconductor element 8 is conductively connected to the conductive circuits (4a to 4c) via the mounting contact 6 (bump contact). An adhesive 13 is applied to the gap between the semiconductor element and the mounting surface.
Are filled, and these are adhered.

【0030】図2(b)は、図2(a)の本フィルムキ
ャリアが屈曲部で折り曲げられて、積層体となった状態
を示している。また、同図では放熱構造は図示していな
い。同図の例では、ベース要素1aの接続用面が積層の
最下面となるようにして、フィルムキャリア要素1b、
1cがベース要素1a上に順次折り重ねられ、一つの積
層体が形成されている。ベース要素1a以外のフィルム
キャリア要素1b、1cは、実装面2をベース要素1a
側に向けて重なりあっている。この積層体は、半導体素
子が実装された従来のフィルムキャリアが単に積層され
ただけのものとは異なり、外部接続用の接点部が接続用
面に確保され、それに対する各層の半導体素子の接続が
完了している。
FIG. 2B shows a state in which the film carrier of FIG. 2A is bent at a bent portion to form a laminate. Further, the heat radiation structure is not shown in FIG. In the example shown in the figure, the connection surface of the base element 1a is the lowermost surface of the stack, and the film carrier element 1b,
1c is sequentially folded on the base element 1a to form one laminated body. The film carrier elements 1b and 1c other than the base element 1a are mounted on the mounting surface 2 with the base element 1a.
They overlap towards the side. This laminated body is different from a conventional film carrier in which a semiconductor element is simply laminated, in that a contact portion for external connection is secured on a connection surface, and connection of the semiconductor element of each layer to the external connection contact part is secured. Completed.

【0031】半導体素子が実装された状態の本フィルム
キャリアをどのように折り重ねるかは、本フィルムキャ
リアの構成次第である。例えば、フィルムキャリア要素
が直列状に接続される場合で説明するならば、実装面が
全て同じ側の面にある場合には、「6」の字形のように
渦巻き状の折り重ね方(図2(b)の例)が挙げられ
る。また、実装面が互いに異なる面にある場合にはS字
形のようにジグザグを基本とする折り重ね方も可能であ
る。さらにこれらを複合した折り重ね方に加えて、フィ
ルムキャリア要素が十字状に接続される態様の折り重
ね、十字状からさらに分岐して接続される態様の折り重
ねを考慮すると、折り重ね方のパターンは無限に存在す
るが、用途に応じて自由に選択してよい。
How to fold the present film carrier with the semiconductor element mounted thereon depends on the configuration of the present film carrier. For example, in the case where the film carrier elements are connected in series, if all the mounting surfaces are on the same surface, a spiral folding method like a “6” (FIG. 2) (B)). When the mounting surfaces are different from each other, a zigzag-based folding method such as an S-shape is also possible. Further, in addition to the folding method in which these are combined, in consideration of the folding in which the film carrier elements are connected in a cross shape, and the folding in which the film carrier elements are further branched and connected from the cross shape, the pattern of the folding method is considered. Exist infinitely, but may be freely selected according to the application.

【0032】次に放熱構造を説明する。図3は、本発明
の積層型実装体に設けられた放熱構造の一例を示す斜視
図である。同図の例では、本フィルムキャリアに半導体
素子が実装されて得られる積層体9は、図2(b)の態
様と同様であり、フィルムキャリア要素1a、1b、1
cが3層となっている。本フィルムキャリア上に実装さ
れた半導体素子などは、全て図示を省略している。各層
1a、1b、1cの層間11a、11bのうちの少なく
とも1つの層間(同図の例では層1aと層1bとの間1
1a)には、熱伝導性の吸熱用板20が挟み込まれてい
る。また、この積層体の最上面には熱伝導性の放熱用板
30が設けられている。これら吸熱用板20と放熱用板
30とが、熱伝導性の接続用部分40によって互いに熱
伝導可能に接続された構造となっている。この放熱構造
によって、フィルムキャリア要素1a、1bに実装され
た半導体素子に発生する熱は、吸熱用板20から放熱用
板30を経て外界へ放散される。
Next, the heat dissipation structure will be described. FIG. 3 is a perspective view showing an example of a heat dissipation structure provided in the stacked mounting body of the present invention. In the example shown in the figure, a laminate 9 obtained by mounting a semiconductor element on the present film carrier is the same as that in the embodiment of FIG. 2B, and the film carrier elements 1a, 1b, 1
c has three layers. All the semiconductor elements and the like mounted on the present film carrier are not shown. At least one of the layers 11a and 11b of each of the layers 1a, 1b and 1c (in the example of FIG.
1a), a heat conductive heat absorbing plate 20 is sandwiched. In addition, a heat conductive heat dissipation plate 30 is provided on the uppermost surface of the laminate. The heat-absorbing plate 20 and the heat-dissipating plate 30 are connected to each other by a heat-conductive connecting portion 40 so as to be thermally conductive with each other. With this heat dissipation structure, heat generated in the semiconductor elements mounted on the film carrier elements 1a and 1b is radiated from the heat absorption plate 20 to the outside via the heat radiation plate 30.

【0033】吸熱用板と放熱用板とは、熱伝導可能であ
ればどの様な態様で接続されてもよい。なかでも、熱伝
導性の板材を用いこれを折り曲げて、吸熱用板となる部
分・放熱用板となる部分・これらを接続する接続用部分
に区分し、積層体に組み込む構造が最も簡単であり、し
かも好ましい放熱性が得られる。以下に、この熱伝導性
の板材を折り曲げて得られる態様の種々のバリエーショ
ンを示す。
The heat absorbing plate and the heat radiating plate may be connected in any manner as long as they can conduct heat. Above all, the simplest structure is to use a thermally conductive plate and bend it into parts that will be heat absorbing plates, parts that will be heat dissipating plates, and connecting parts that connect them, and then incorporate them into a laminate. In addition, favorable heat dissipation is obtained. Hereinafter, various variations of the mode obtained by bending the thermally conductive plate material will be described.

【0034】図4は、図2(b)に示す積層体を対象と
する例であり、該積層体は、図2(b)におけるX−X
断面のうち端面だけを表しており、実装された半導体素
子や内部の導電回路などは全て省略している。図4
(a)は、吸熱用板と放熱用板とを同じ数だけ設け、1
対1で対応させた態様を示す図である。同図の例は、対
応の数だけ(即ち、吸熱用板が設けられる層間の数だ
け)熱伝導性の板材を用意し、個別に折り曲げて、吸熱
用板と放熱用板との接続構造を形成している。板材は各
対応ごとに、吸熱用板となる部分20a(または20
b)と、放熱用板となる部分30a(または30b)
と、これらを接続する接続用部分40a(または40
b)とからなるコの字形に折り曲げられている。この態
様は、各層の発熱が他の層に影響を与えることなく独立
的に放熱用板に伝達される。また、熱伝導性の板材の折
り曲げ、積層体への組み込みも容易であり、最も好まし
い態様である。
FIG. 4 shows an example in which the laminated body shown in FIG. 2B is used.
Only the end face of the cross section is shown, and all the mounted semiconductor elements and internal conductive circuits are omitted. FIG.
(A) shows that the same number of heat-absorbing plates and heat-dissipating plates are provided.
It is a figure showing the mode made to correspond by one. In the example shown in the figure, a corresponding number of heat conductive plates (that is, the number of layers between the layers on which the heat absorbing plates are provided) are prepared and individually bent to form a connection structure between the heat absorbing plates and the heat radiating plates. Has formed. The plate material is a part 20a (or a 20
b) and a portion 30a (or 30b) to be a heat dissipation plate
And a connecting portion 40a (or 40
b). In this embodiment, heat generated in each layer is independently transmitted to the heat dissipation plate without affecting other layers. Further, it is easy to bend the heat conductive plate material and incorporate it into the laminate, which is the most preferable embodiment.

【0035】図4(b)、(c)は、複数の吸熱用板に
1つの放熱用板を対応させた態様を示す図である。図4
(b)の例では、1枚の熱伝導性の板材が渦巻き状に折
り曲げられ、各吸熱用板となる部分20a、20bは、
各々2つの接続用部分40a、40bによって共通の放
熱用板30に接続されている。図4(c)の例では、1
枚の熱伝導性の板材がS字形に折り曲げられ、各吸熱用
板となる部分20a、20bは、1本の経路によって共
通の放熱用板30に接続されている。
FIGS. 4B and 4C are views showing an embodiment in which one heat-dissipating plate is made to correspond to a plurality of heat-absorbing plates. FIG.
In the example of (b), one heat conductive plate material is bent in a spiral shape, and the portions 20a and 20b that become the heat absorbing plates are
Each is connected to the common heat dissipation plate 30 by two connection portions 40a and 40b. In the example of FIG.
The heat conductive plate members are bent in an S-shape, and the portions 20a and 20b serving as the heat absorbing plates are connected to a common heat radiating plate 30 by one path.

【0036】また、図4の例では、各層のフィルムキャ
リア要素からそれに隣接する屈曲部へ向かう方向(「屈
曲部への方向」という)は、紙面に垂直な方向である。
また、吸熱用板となる部分から接続用部分へ向かう方向
(「接続用部分への方向」という)は、紙面を見たとき
に水平の方向である。即ち、積層体に組み込まれた状態
において、「屈曲部への方向」と「接続用部分への方
向」とは直交しており、フィルムキャリアの屈曲部と、
放熱構造の接続用部分とは、互いに重なり合うことな
く、積層体の異なる側面を利用して層間を接続する態様
となっている。このような態様は、放熱構造の接続用部
分が、屈曲部に熱の影響を与えることがなく、接続用部
分においても放熱が良好になされるので、好ましい態様
である。
In the example of FIG. 4, the direction from the film carrier element of each layer to the bent portion adjacent to the film carrier element (referred to as “direction to the bent portion”) is a direction perpendicular to the paper surface.
Further, the direction from the portion that becomes the heat absorbing plate to the connection portion (referred to as “direction to the connection portion”) is a horizontal direction when viewing the paper surface. In other words, in the state of being incorporated in the laminate, the “direction to the bent portion” and the “direction to the connection portion” are orthogonal to each other, and the bent portion of the film carrier,
The connection portion of the heat dissipation structure is configured to connect the layers using different side surfaces of the stacked body without overlapping each other. Such a mode is a preferable mode because the connecting portion of the heat dissipation structure does not affect the bent portion with heat, and the connecting portion can radiate heat well.

【0037】図5の例は、放熱構造そのものは図4の例
と同様であるが、積層体へ組み込む方向において図4の
例とは異なるものであり、「屈曲部への方向」と「接続
用部分への方向」とが一致する態様である。図5では、
積層体を図2(b)と同じ方向から見ており、本フィル
ムキャリアの折り曲げパターンが現れている。図5
(a)の例は、本フィルムキャリアの折り曲げパターン
がS字形の場合である。放熱構造は、図4(a)と同
様、吸熱用板と放熱用板とが1対1で対応し、各対応ご
とに熱伝導性の板材がコの字形に折り曲げられた態様で
ある。図5(b)の例は、本フィルムキャリアの折り曲
げパターンが渦巻き状の場合である。放熱構造は、図4
(c)と同様、複数の吸熱用板に1つの放熱用板を対応
させた態様であって、かつ、1枚の熱伝導性の板材がS
字形に折り曲げられた態様である。
The example of FIG. 5 has the same heat radiation structure as that of FIG. 4, but is different from the example of FIG. 4 in the direction of assembling into the laminate. The direction to the use portion "is the same as the above. In FIG.
The laminate is viewed from the same direction as in FIG. 2 (b), and the folding pattern of the present film carrier appears. FIG.
The example of (a) is a case where the folding pattern of the present film carrier is S-shaped. As in FIG. 4A, the heat dissipation structure is such that the heat absorption plate and the heat dissipation plate are in one-to-one correspondence, and the thermally conductive plate is bent in a U-shape for each correspondence. The example of FIG. 5B is a case where the folding pattern of the present film carrier is spiral. Figure 4 shows the heat dissipation structure.
As in (c), this is an embodiment in which one heat dissipation plate corresponds to a plurality of heat absorption plates, and one heat conductive plate material is S
This is a mode that is bent in a letter shape.

【0038】放熱用板を複数枚設け、最上面に層状に重
ね合わせる場合、それら放熱用板同士を互いに間隔をお
いた状態で保持し、その間隙を外気が流通し得る態様と
することによって放熱性がより良好となる。放熱用板間
の間隔を確保するには、熱伝導性の板材を折り曲げる際
の接続用部分の長さを変化させればよいが、これに加え
て、放熱用板面に適当にスペーサーとなる突起を加工し
てもよい。
When a plurality of heat-dissipating plates are provided and superposed in a layer on the uppermost surface, the heat-dissipating plates are held at an interval from each other, and the gap is formed so that the outside air can flow therethrough. The properties are better. In order to secure the interval between the heat radiating plates, the length of the connecting portion when bending the heat conductive plate material may be changed, but in addition to this, the heat radiating plate surface becomes an appropriate spacer The protrusion may be processed.

【0039】放熱用板には、放熱性を良好とするための
種々の加工を施すことが好ましい。例えば、凹凸(平面
と凹部の組合せ、または平面と凸部の組合せを含む)を
設けることや、パンチングプレートのように貫通孔が設
けられた態様、さらに放熱フィンを別途付与することな
どによって表面積を大きくする態様である。凹凸を設け
る例としては、エンボス加工を施された板や、図6に示
すように放熱用板30a、30bを波板とする態様が挙
げられる。
The heat radiating plate is preferably subjected to various processes for improving heat radiating properties. For example, the surface area is provided by providing irregularities (including a combination of a flat surface and a concave portion or a combination of a flat surface and a convex portion), a mode in which a through hole is provided like a punching plate, and further providing a radiation fin separately. This is a mode of increasing the size. Examples of providing the unevenness include an embossed plate and an embodiment in which the heat dissipation plates 30a and 30b are corrugated plates as shown in FIG.

【0040】熱伝導性を有する板材の材料としては、
銅、アルミニウムなど、軽量で熱伝導性の良好な材料が
好ましい。
As the material of the plate material having thermal conductivity,
Materials such as copper and aluminum that are lightweight and have good thermal conductivity are preferred.

【0041】本発明の積層型実装体を形成するに際して
は、折り重ねられた各層、および挿入された吸熱用板
を、隣合ったもの同士互いに接着するのが好ましい。
In forming the stacked mounting body of the present invention, it is preferable that the folded layers and the inserted heat absorbing plate are bonded to each other adjacent to each other.

【0042】本発明の積層型実装体に対しては、樹脂を
用いて種々の封止を施してもよい。例えば、ベース要素
1aの接続用面および放熱用板だけを露出させ、それ以
外の部分を樹脂で封止しパッケージ化する態様や、半導
体素子をフィルムキャリアに実装した段階で素子毎に個
々に封止する態様が挙げられる。
Various kinds of sealing may be applied to the stacked mounting body of the present invention using a resin. For example, only the connection surface and the heat dissipation plate of the base element 1a are exposed, and the other parts are sealed with resin to form a package, or the semiconductor elements are individually sealed at the stage of being mounted on the film carrier. There is a mode of stopping.

【0043】本発明の積層型実装体は、それ自体単独で
半導体装置として機能するが、これをさらに外部回路基
板に接続することによって、外部接続用の端子配列など
の点で、従来の積層型実装体に対して互換性のある積層
型実装体となる。図6の例は、図4(a)に示す態様の
積層型実装体を、外部回路基板に接続し、全体を従来品
と互換性のある積層型実装体とした例である。同図の例
では、ベース要素の接続用接点部7が、外部回路基板1
0のランド部12(接続用接点部)に接続されて導通し
ている。
Although the laminated mounting body of the present invention functions as a semiconductor device by itself, it is further connected to an external circuit board to provide a conventional laminated mounting structure in terms of an external connection terminal arrangement. A stacked mounting body compatible with the mounting body is obtained. The example of FIG. 6 is an example in which the multilayer mounting body of the embodiment shown in FIG. 4A is connected to an external circuit board, and the whole is a multilayer mounting body compatible with a conventional product. In the example shown in the drawing, the connection contact 7 of the base element is connected to the external circuit board 1.
0 is connected to the land portion 12 (the contact portion for connection) and is conductive.

【0044】[0044]

【実施例】本発明による積層型実装体の一例として3層
のものを実際に製作し、放熱用板の態様や樹脂封止の有
無による放熱性の変化を調べた。 実施例1 本実施例では、図1に示す本フィルムキャリアに半導体
素子を実装し、図4に示す3層の積層型実装体を製作
し、さらに外部回路基板に接続した。本実施例では、
半導体素子は樹脂封止を施さない裸の態様とし、放熱
用板を平板とした。図1に示す本フィルムキャリアは、
フィルムキャリア要素を直列状に接続した態様であり、
フィルム面の寸法を呼ぶに際しては、直列状に接続する
方向の寸法を「長さ」、これに垂直な方向の寸法を
「幅」と呼んで説明する。
EXAMPLE A laminated package having three layers was actually manufactured as an example of the present invention, and changes in heat radiation properties depending on the form of the heat radiation plate and the presence or absence of resin sealing were examined. Example 1 In this example, a semiconductor element was mounted on the present film carrier shown in FIG. 1, a three-layer laminated body shown in FIG. 4 was manufactured, and further connected to an external circuit board. In this embodiment,
The semiconductor element was in a bare mode without resin sealing, and the heat dissipation plate was a flat plate. The present film carrier shown in FIG.
In a mode in which film carrier elements are connected in series,
When referring to the dimensions of the film surface, the dimension in the direction of connecting them in series is referred to as "length", and the dimension in the direction perpendicular thereto is referred to as "width".

【0045】〔本フィルムキャリアの作製〕フィルムキ
ャリア要素の接続は、図1に示すように、3連直列状で
あり、中央のフィルムキャリア要素がベース要素であ
る。各フィルムキャリア要素の大きさを長さ10mm×
幅10mm、2つの屈曲部の大きさを各々長さ3mm×
幅10mmと長さ5mm×幅10mmとし、全体とし
て、絶縁性基板の大きさを、長さ38mm×幅10mm
とした。絶縁性基板は、ポリイミド樹脂からなり、厚み
を0.1mmである。絶縁性基板上に銅からなる導電回
路を設けその上に絶縁性基板と同じ材料の被覆層を設
け、導電回路が絶縁性基板内に埋設された構造とした。
次に、この絶縁性基板の一方の面を実装面とし、フィル
ムキャリア要素となる領域に、実装用接点部としてバン
プ接点を設けた。更に、ベース要素の外部回路基板との
接続用面に接続用接点部としてバンプ接点を設け、本フ
ィルムキャリアを得た。
[Preparation of the present film carrier] As shown in FIG. 1, the connection of the film carrier elements is a three-series connection, and the central film carrier element is the base element. The size of each film carrier element is 10 mm long.
10mm in width, the size of each of the two bends is 3mm in length x
The width is 10 mm, the length is 5 mm, and the width is 10 mm. As a whole, the size of the insulating substrate is 38 mm in length, 10 mm in width.
And The insulating substrate is made of a polyimide resin and has a thickness of 0.1 mm. A conductive circuit made of copper was provided on an insulating substrate, and a coating layer made of the same material as that of the insulating substrate was provided thereon, so that the conductive circuit was embedded in the insulating substrate.
Next, one surface of the insulating substrate was used as a mounting surface, and a bump contact was provided as a mounting contact portion in a region serving as a film carrier element. Further, a bump contact was provided as a connection contact portion on the connection surface of the base element with the external circuit board, to obtain the present film carrier.

【0046】〔半導体素子の実装〕上記で作製したフィ
ルムキャリアにおける各フィルムキャリア要素の実装面
に、半導体素子として外形7mm×7mmのICベアチ
ップを実装した。実装面と半導体素子との接着には熱硬
化性接着剤を使用した。
[Mounting of Semiconductor Element] An IC bare chip having an outer diameter of 7 mm × 7 mm was mounted as a semiconductor element on the mounting surface of each film carrier element in the film carrier prepared above. A thermosetting adhesive was used for bonding between the mounting surface and the semiconductor element.

【0047】〔放熱構造用の部材の形成〕幅(本フィル
ムキャリアの「長さ」の方向となる寸法)8mm、厚さ
0.5mmの銅板の全表面に電解ニッケルめっきを1.
0μm施し、放熱構造用の板材とした。この板材を2枚
用いて各々折り曲げ、コの字形の放熱構造用の部材を2
つ形成した。両方の部材共に、吸熱用板となる部分(外
形8mm×8mm)と、放熱用板となる部分(外形8m
m×8mm)と、これらを接続する接続部分とからなる
コの字形である。接続部分の長さは、積層体の最上面と
層間との距離を考慮し、かつ、最上面と放熱用板との間
隔0.5mm、放熱用板同士の間隔0.5mmを確保し
得るものとした。
[Formation of a Heat Dissipating Structure Member] Electrolytic nickel plating was applied to the entire surface of a copper plate having a width (dimension in the direction of the “length” of the film carrier) of 8 mm and a thickness of 0.5 mm.
0 μm was applied to obtain a plate material for a heat dissipation structure. Each of the plate members is bent using two sheets to form a U-shaped heat dissipation structure member.
One formed. In both members, a portion serving as a heat-absorbing plate (outer size 8 mm × 8 mm) and a portion serving as a heat-dissipating plate (outer size 8 m
m × 8 mm) and a connecting portion for connecting them. The length of the connection portion is such that the distance between the uppermost surface of the laminated body and the interlayer is taken into consideration, and a distance of 0.5 mm between the uppermost surface and the heat radiation plate and a distance of 0.5 mm between the heat radiation plates can be secured. And

【0048】〔積層型実装体の組み立て〕半導体素子が
実装された本フィルムキャリアの屈曲部を、図2(b)
に示すように折り曲げて積層体を形成した。各層間に
は、コの字形の部材のうち吸熱用板の部分を挿入し、各
層と吸熱用板(即ち、半導体素子の上面と吸熱用板、ま
たはフィルムキャリア要素の裏面と吸熱用板)を接着剤
によって接着し、1つの積層体として固定化し、図4
(a)に示す態様の積層型実装体を得た。積層型実装体
の組み立ての作業性は、積層体の形成、放熱構造の組み
込み共に簡単でありながら、完成品の寸法精度、接続の
信頼性、強度上の信頼性は高いものであった。放熱性に
ついては最後に比較検討する(以下の実施例も同様であ
る)。
[Assembly of the stacked mounting body] The bent portion of the present film carrier on which the semiconductor element is mounted is shown in FIG.
To form a laminate. Between each layer, the portion of the heat absorbing plate of the U-shaped member is inserted, and each layer and the heat absorbing plate (that is, the upper surface of the semiconductor element and the heat absorbing plate or the back surface of the film carrier element and the heat absorbing plate) are inserted. FIG.
A laminated mounting body of the embodiment shown in (a) was obtained. The workability of assembling the stacked mounting body was such that the dimensional accuracy, connection reliability, and strength reliability of the finished product were high while the formation of the stacked body and the incorporation of the heat radiation structure were easy. Finally, the heat dissipation will be compared (the same applies to the following examples).

【0049】実施例2 本実施例では、本フィルムキャリアに半導体素子を実装
した段階で、半導体素子毎に個別に樹脂封止を行なった
後に積層体としたこと以外は、実施例1と全く同様に、
本発明の積層型実装体を製作した。
Example 2 This example is exactly the same as Example 1 except that the semiconductor element was mounted on the present film carrier, and the semiconductor element was individually resin-sealed to form a laminate. To
A stacked mounting body of the present invention was manufactured.

【0050】実施例3 本実施例では、放熱用板を波板としたこと以外は、実施
例1と全く同様に、本発明の積層型実装体を製作した。
波板の波の形状は、振幅0.5mm×ピッチ(1周期の
長さ)1.0mmの略サインカーブである。
Example 3 In this example, a laminated package of the present invention was manufactured in exactly the same manner as in Example 1 except that the heat radiation plate was a corrugated plate.
The wave shape of the corrugated plate is a substantially sine curve having an amplitude of 0.5 mm × pitch (length of one cycle) of 1.0 mm.

【0051】実施例4 本実施例では、本フィルムキャリアに半導体素子を実
装した段階で、半導体素子毎に個別に樹脂封止を行なっ
た後に積層体としたこと、および放熱用板を波板とし
たこと以外は、実施例1と全く同様に、本発明の積層型
実装体を製作した。波板の仕様は、実施例3と同様であ
る。
Embodiment 4 In this embodiment, when a semiconductor element is mounted on the present film carrier, the semiconductor element is individually sealed with a resin and then a laminate is formed. Except for this, a laminated mount of the present invention was manufactured in exactly the same manner as in Example 1. The specifications of the corrugated sheet are the same as in the third embodiment.

【0052】比較例1 本比較例では、本発明によるコの字形板の放熱構造を付
与しなかったこと以外は、実施例1と全く同様に積層型
実装体を製作した。
Comparative Example 1 In this comparative example, a laminated mounting body was manufactured in exactly the same manner as in Example 1 except that the heat dissipation structure of the U-shaped plate according to the present invention was not provided.

【0053】比較例2 本比較例では、本フィルムキャリアに半導体素子を実
装した段階で、半導体素子毎に個別に樹脂封止を行なっ
た後に積層体としたこと、および本発明によるコの字
形板の放熱構造を付与しなかったこと以外は、実施例1
と全く同様に積層型実装体を製作した。
Comparative Example 2 In this comparative example, when a semiconductor element was mounted on the present film carrier, each semiconductor element was individually resin-sealed to form a laminate, and a U-shaped plate according to the present invention was used. Example 1 except that the heat dissipation structure was not provided.
In the same manner as in the above, a stacked mounting body was manufactured.

【0054】上記実施例1〜4、および比較例1、2で
得られた積層型実装体の放熱性を熱抵抗風洞実験によっ
て測定し比較した。熱抵抗の測定は、SEMI(G38
−87)に準拠する方法によって行った。熱抵抗風洞実
験の測定条件は次のとおりである。 (ア)空気の温度上昇量:ΔTa=50℃ (イ)空気流速条件:0、1、2、3m/s (ウ)試料である積層型実装体は、SEMI準拠の熱抵
抗測定基板上に実装して評価した。 実験結果を、空気流速〔m/s〕と熱抵抗〔℃/W〕と
の関係を示す線図として、図7のグラフに示す。
The heat radiation performance of the stacked mounting bodies obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 was measured by a heat resistance wind tunnel test and compared. The measurement of the thermal resistance was carried out using SEMI (G38
-87). The measurement conditions of the thermal resistance wind tunnel experiment are as follows. (A) Temperature rise of air: ΔTa = 50 ° C. (a) Air flow rate conditions: 0, 1, 2, 3 m / s (c) The multilayer mounting body as a sample is mounted on a SEMI-compliant thermal resistance measurement board. Implemented and evaluated. The experimental results are shown in the graph of FIG. 7 as a diagram showing the relationship between the air flow rate [m / s] and the thermal resistance [° C./W].

【0055】〔樹脂封止の有無について〕図7のグラフ
において、実施例1と実施例2、実施例3と実施例4、
比較例1と比較例2、の各組内での比較から明らかなよ
うに、積層型実装体の熱抵抗Θjaは、樹脂封止を施した
態様よりも、樹脂封止の無い裸の態様の方が、無風状態
で約10℃/W改善されている。従って、熱抵抗が問題
となる場合には裸の半導体素子の態様で積層型実装体と
するのが有利である。
[Regarding the Presence or Absence of Resin Sealing] In the graph of FIG. 7, the first and second embodiments, the third and fourth embodiments,
As is clear from the comparison in each set of Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the thermal resistance Θja of the stacked mounting body is smaller in the bare mode without resin sealing than in the mode with resin sealing. This is improved by about 10 ° C./W in the windless state. Therefore, when thermal resistance becomes a problem, it is advantageous to form a stacked package in the form of a bare semiconductor element.

【0056】〔放熱構造の有無について〕図7のグラフ
において、実施例1と比較例1との比較では、積層型実
装体の熱抵抗Θjaは、無風状態で60℃/Wから30℃
/Wへ改善され、実施例2と比較例2との比較では無風
状態で50℃/Wから20℃/Wへ改善され、いずれも
30℃/W程度の大幅な改善結果が得られた。
[Regarding the Presence or Absence of a Heat Dissipation Structure] In the graph of FIG. 7, in the comparison between Example 1 and Comparative Example 1, the thermal resistance Δja of the stacked mounting body was 60 ° C./W to 30 ° C. in a no-air condition.
/ W. In the comparison between Example 2 and Comparative Example 2, the temperature was improved from 50 ° C./W to 20 ° C./W in a windless state, and a significant improvement of about 30 ° C./W was obtained in each case.

【0057】〔放熱用板を波板とすることについて〕図
7のグラフにおいて、実施例1と実施例3、実施例2と
実施例4、の各組内での比較から明らかなように、積層
型実装体の熱抵抗Θjaは、放熱用板が平板である態様よ
りも、放熱用板が波板である態様の方が、常に約10℃
/W改善し得ることがわかった。
[Regarding the Use of Corrugated Plate for Heat Dissipation] In the graph of FIG. 7, as is clear from the comparison within each set of the first and third embodiments and the second and fourth embodiments, The thermal resistance Δja of the stacked mounting body is always about 10 ° C. in the mode in which the heat radiating plate is a corrugated plate, compared to the mode in which the heat radiating plate is a flat plate.
/ W can be improved.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明の積層型実装体は、先ず、本フィ
ルムキャリアの特徴によって、従来の積層型実装体にお
ける製造技術上、管理上、部品コスト上の種々の問題を
解決する。さらに、放熱構造の付与によって、各層の半
導体素子に発生する熱を外部へ効率よく放散させること
が可能となっている。
According to the laminated carrier of the present invention, first, the characteristics of the present film carrier solve various problems in production technology, management, and component cost of the conventional laminated carrier. Further, by providing the heat dissipation structure, it is possible to efficiently dissipate the heat generated in the semiconductor elements of each layer to the outside.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本フィルムキャリアの一例を示す図である。図
1(a)は、ベース要素の実装面がある側の面を見た図
(上面図)であり、図1(b)は、図1(a)の本フィ
ルムキャリアを長手方向に切断した場合の断面図であ
る。図1(a)では屈曲部にのみハッチングを施してお
り、図1(b)では導電回路にのみハッチングを施して
いる。
FIG. 1 is a diagram showing an example of the present film carrier. FIG. 1A is a view (top view) of the surface on which the mounting surface of the base element is located, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the film carrier of FIG. 1A in the longitudinal direction. It is sectional drawing in the case. In FIG. 1A, only the bent portion is hatched, and in FIG. 1B, only the conductive circuit is hatched.

【図2】本フィルムキャリアに半導体素子を実装した状
態、および、それを折り曲げて積層体とした状態を示す
断面図である。導電回路にのみハッチングを施してお
り、半導体素子については外形のみを示している。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a state where a semiconductor element is mounted on the present film carrier and a state where the semiconductor element is bent to form a laminate. Only the conductive circuit is hatched, and only the outer shape of the semiconductor element is shown.

【図3】本発明の積層型実装体に設けられた放熱構造の
一例を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic view showing an example of a heat dissipation structure provided in the multilayer mounting body of the present invention.

【図4】本発明の積層型実装体に設けられた放熱構造の
一例として、熱伝導性の板材を折り曲げて得られる態様
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a mode obtained by bending a thermally conductive plate as an example of a heat dissipation structure provided in the stacked mounting body of the present invention.

【図5】本発明の積層型実装体に設けられた放熱構造の
一例として、熱伝導性の板材を折り曲げて得られる態様
の他の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing another example of a mode obtained by bending a thermally conductive plate as an example of a heat dissipation structure provided in the stacked mounting body of the present invention.

【図6】図4(a)に示す態様の積層型実装体を、さら
に外部回路基板に接続した例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example in which the stacked mounting body of the embodiment shown in FIG. 4A is further connected to an external circuit board.

【図7】実施例および比較例において製作した積層型実
装体の放熱性を、空気流速〔m/s〕と熱抵抗〔℃/
W〕との関係として示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the heat radiation performance of the laminated mounting bodies manufactured in the example and the comparative example, based on the air flow rate [m / s] and the thermal resistance [° C. /
W].

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フィルムキャリア要素 2 実装面 3 屈曲部 4 導電回路 5 絶縁性基板 6 実装用接点部 7 接続用接点部 8 半導体素子 9 積層体 10 外部回路基板 11a、11b 層間 20 吸熱用板 30 放熱用板 40 接続用部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film carrier element 2 Mounting surface 3 Bending part 4 Conductive circuit 5 Insulating board 6 Mounting contact part 7 Connection contact part 8 Semiconductor element 9 Stacked body 10 External circuit board 11a, 11b Interlayer 20 Heat absorption plate 30 Heat dissipation plate 40 Connection part

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記(A)のフィルムキャリアを有し、
該フィルムキャリア中に含まれるフィルムキャリア要素
の実装面に半導体素子が実装されて屈曲部で折り曲げら
れ、ベース要素以外の各フィルムキャリア要素が、半導
体素子を実装された状態でベース要素の接続用面が積層
の最下面となるようにしてベース要素上に重なり合って
1つの積層体となり、 前記積層体の各層間のうちの少なくとも1つの層間には
熱伝導性の吸熱用板が挟み込まれ、前記積層体の最上面
には熱伝導性の放熱用板が設けられ、吸熱用板と放熱用
板とが互いに熱伝導可能に接続された構造を有すること
を特徴とする積層型実装体。 (A)下記(B)のフィルムキャリア要素が、各々の面
が拡張する方向に屈曲部を介して複数接続され、そのな
かの一つのフィルムキャリア要素をベース要素とし、ベ
ース要素以外のフィルムキャリア要素は、屈曲部を折り
曲げることによってベース要素の上に重なり合い全体が
1つの積層体となることができ、内部の導電回路は屈曲
部内部を通ってベース要素内部の導電回路に接続され、
ベース要素の実装面の裏面である接続用面には外部基板
接続用の接点部が設けられており、該接点部は導電回路
と導通しているフィルムキャリア。 (B)絶縁性基板の内部に導電回路が設けられてなり、
絶縁性基板の少なくとも一方の面は半導体素子を実装す
るための実装面であり、実装面には実装用接点部が設け
られ、実装用接点部は前記導電回路と導通しているフィ
ルムキャリア要素。
1. A film carrier having the following (A):
The semiconductor element is mounted on the mounting surface of the film carrier element included in the film carrier and bent at the bent portion, and each of the film carrier elements other than the base element is connected to the connection surface of the base element in a state where the semiconductor element is mounted. Are stacked on the base element such that is the lowermost surface of the laminate to form one laminate, and a heat conductive heat absorbing plate is sandwiched between at least one of the layers of the laminate, A laminated mounting body having a structure in which a heat-conducting heat-dissipating plate is provided on the uppermost surface of a body, and the heat-absorbing plate and the heat-dissipating plate are connected to each other so as to be thermally conductive. (A) A plurality of film carrier elements of the following (B) are connected via a bent portion in a direction in which each surface expands, and one of the film carrier elements is used as a base element, and a film carrier element other than the base element is used. Can be folded over the base element by bending the bend so that the whole is in one laminate, the conductive circuit inside is connected to the conductive circuit inside the base element through the inside of the bend,
A film carrier having a contact portion for connection to an external substrate provided on a connection surface which is a back surface of a mounting surface of a base element, and the contact portion is electrically connected to a conductive circuit. (B) a conductive circuit is provided inside the insulating substrate,
At least one surface of the insulating substrate is a mounting surface for mounting a semiconductor element, and a mounting contact portion is provided on the mounting surface, and the mounting contact portion is electrically connected to the conductive circuit.
【請求項2】 上記(B)のフィルムキャリア要素が片
側だけを実装面とするものであって、このフィルムキャ
リア要素が、各々の実装面が互いに同じ側となるように
接続されて上記(A)のフィルムキャリアが形成されて
いる請求項1記載の積層型実装体。
2. The film carrier element of (B) wherein only one side has a mounting surface, and the film carrier elements are connected such that their mounting surfaces are on the same side as each other, and 2. The laminated mount according to claim 1, wherein the film carrier is formed.
【請求項3】 上記(B)のフィルムキャリア要素が直
列状に接続されて上記(A)のフィルムキャリアが形成
されている請求項1記載の積層型実装体。
3. The stacked package according to claim 1, wherein the film carrier elements of (B) are connected in series to form the film carrier of (A).
【請求項4】 実装された半導体素子が、フィルムキャ
リア要素毎に個別に樹脂で封止されている請求項1記載
の積層型実装体。
4. The stacked package according to claim 1, wherein the mounted semiconductor elements are individually sealed with resin for each film carrier element.
【請求項5】 吸熱用板と放熱用板とが熱伝導可能に接
続された構造が、熱伝導性を有する板材を、吸熱用板
となる部分、放熱用板となる部分、前記の接続
用部分、となるように折り曲げることによって得られた
構造である請求項1記載の積層型実装体。
5. A structure in which a heat-absorbing plate and a heat-dissipating plate are connected so as to be able to conduct heat, a heat-conducting plate material is used as a heat-absorbing plate portion, a heat-dissipating plate portion, and the connection member. The multilayer mounting body according to claim 1, wherein the multilayer mounting body has a structure obtained by bending so as to be a part.
【請求項6】 吸熱用板と放熱用板とが同じ数だけ設け
られて1対1で対応し、その対応ごとに個別に吸熱用板
と放熱用板とが熱伝導可能に接続される態様であって、
各対応ごとにおける、吸熱用板と放熱用板とが熱伝導可
能に接続された構造が、熱伝導性を有する1枚の板材
を、吸熱用板となる部分と、放熱用板となる部分
と、前記を接続する部分とからなる「コの字形」
に折り曲げることによって得られた構造である請求項5
記載の積層型実装体。
6. An aspect in which the same number of heat-absorbing plates and heat-dissipating plates are provided so as to correspond one-to-one, and the heat-absorbing plate and the heat-dissipating plate are individually connected in a heat-conducting manner for each correspondence. And
The structure in which the heat-absorbing plate and the heat-dissipating plate are connected in a heat-conducting manner in each of the correspondences includes a heat-conducting plate, a heat-absorbing plate, and a heat-dissipating plate. "U-shaped" consisting of
6. A structure obtained by bending the plate into a plurality of parts.
The stacked mounting body as described in the above.
【請求項7】 吸熱用板が2以上の層間に設けられ、各
吸熱用板に対応する放熱用板同士が、互いに間隔をおい
た状態で層状に重ね合わせられている請求項6記載の積
層型実装体。
7. The lamination according to claim 6, wherein the heat-absorbing plates are provided between two or more layers, and the heat-dissipating plates corresponding to the heat-absorbing plates are superposed in layers at intervals. Type implementation.
【請求項8】 フィルムキャリア要素が直列状に接続さ
れて上記(A)のフィルムキャリアが形成されており、
フィルムキャリア要素からそれに隣接する屈曲部へ向か
う方向と、上記の吸熱用板となる部分から上記の接
続用部分へ向かう方向とが、直交するものである請求項
5記載の積層型実装体。
8. The film carrier of (A), wherein the film carrier elements are connected in series to form the film carrier of the above (A).
6. The multilayer mounting body according to claim 5, wherein a direction from the film carrier element to the bent portion adjacent thereto and a direction from the heat absorbing plate to the connection portion are orthogonal to each other.
【請求項9】 放熱用板に、表面積を大きくするための
凹凸が設けられている請求項1記載の積層型実装体。
9. The multilayer mounting body according to claim 1, wherein the heat radiation plate is provided with irregularities for increasing a surface area.
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