JPH0888259A - 半導体基板評価のための表面処理方法 - Google Patents
半導体基板評価のための表面処理方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＰＶ法を用いて半導体基板の重金属汚染度
を評価する場合、従来方法では半導体基板を表面処理後
約１週間放置しないとＳＰＶ値が安定しないので、これ
を短時間で安定させることができるようにする。 【構成】 混酸によるエッチングを行ってエピタキシャ
ル層を除去し、ベアなシリコン層表面が露出した半導体
基板に対して、バッファードフッ酸による洗浄とそれに
続くＳＣ−１洗浄とを施す。前記処理後約２時間放置す
るとＳＰＶ値の変化率は約５％と十分に安定し、少数キ
ャリア拡散長を高精度に測定することができる。従っ
て、半導体基板評価のリードタイムは従来方法よりも大
幅に短縮される。
を評価する場合、従来方法では半導体基板を表面処理後
約１週間放置しないとＳＰＶ値が安定しないので、これ
を短時間で安定させることができるようにする。 【構成】 混酸によるエッチングを行ってエピタキシャ
ル層を除去し、ベアなシリコン層表面が露出した半導体
基板に対して、バッファードフッ酸による洗浄とそれに
続くＳＣ−１洗浄とを施す。前記処理後約２時間放置す
るとＳＰＶ値の変化率は約５％と十分に安定し、少数キ
ャリア拡散長を高精度に測定することができる。従っ
て、半導体基板評価のリードタイムは従来方法よりも大
幅に短縮される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板評価のため
の表面処理方法に関する。
の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル成長装置の汚染度を評価
する場合、前記エピタキシャル成長装置を用いてエピタ
キシャル成長を施したシリコンウェーハのエピタキシャ
ル層を除去した後、表面光起電力法（ｓｕｒｆａｃｅ
ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ ｍｅｔｈｏｄ、以下ＳＰＶ
法という）により少数キャリア拡散長を測定し、Ｆｅ，
Ｃｒなどの重金属汚染度を評価する。前記ＳＰＶ法によ
る評価を行うに当たり、前処理としてエピタキシャル層
を除去するため、ＨＦとＨＮＯ3 とからなる混酸あるい
はＨＦとＨＮＯ3 とにＨ2 ＯまたはＣＨ3 ＣＯＯＨを加
えた混酸を用いてシリコンウェーハの表面をエッチング
する。また、アズスライスウェーハ、ラップドウェーハ
など表面に光沢のないシリコン基板に対しては、酸化膜
除去および表面の光沢化のために前記混酸でシリコン基
板の表面をエッチングしている。
する場合、前記エピタキシャル成長装置を用いてエピタ
キシャル成長を施したシリコンウェーハのエピタキシャ
ル層を除去した後、表面光起電力法（ｓｕｒｆａｃｅ
ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ ｍｅｔｈｏｄ、以下ＳＰＶ
法という）により少数キャリア拡散長を測定し、Ｆｅ，
Ｃｒなどの重金属汚染度を評価する。前記ＳＰＶ法によ
る評価を行うに当たり、前処理としてエピタキシャル層
を除去するため、ＨＦとＨＮＯ3 とからなる混酸あるい
はＨＦとＨＮＯ3 とにＨ2 ＯまたはＣＨ3 ＣＯＯＨを加
えた混酸を用いてシリコンウェーハの表面をエッチング
する。また、アズスライスウェーハ、ラップドウェーハ
など表面に光沢のないシリコン基板に対しては、酸化膜
除去および表面の光沢化のために前記混酸でシリコン基
板の表面をエッチングしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記混
酸でシリコン基板の表面をエッチングした直後、あるい
はバッファードフッ酸（以下ＢＨＦという）でシリコン
基板を洗浄した直後は光の照射時間によってＳＰＶ値
（表面光起電力、単位ｍＶ）が変化する。図４は、ＳＰ
Ｖ法による少数キャリア拡散長の測定において、光照射
開始からｔ秒経過した時点のＳＰＶ値Ｖ（ｔ）と光照射
開始時のＳＰＶ値Ｖ（０）との比Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の
変化を時系列的にプロットしたグラフである。混酸によ
るエッチングの場合は光照射開始から１５秒までの間に
前記Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の値が大きく変化し、ＢＨＦで
洗浄した場合は照射時間の経過に対応して変化量が大き
くなる。これに対しＳＣ−１洗浄後１箇月以上経過した
場合は、Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の値が照射時間の経過に対
応して変化するが、その変化率は小さい。図５は、シリ
コン基板の同一測定点に光を照射し、少数キャリア拡散
長を１０回繰り返して測定した結果を示すグラフであ
る。混酸によるエッチング直後、ＢＨＦによる洗浄直後
の測定値は、前記Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の変化の影響を受
けるため安定しない。そこで、前記エッチングを行った
シリコン基板を１週間程度放置してからＳＰＶ法による
測定を行っている。また、ＨＦによる洗浄あるいはＢＨ
Ｆによる洗浄を行ってベアなシリコン表面が露出してい
る基板であっても、洗浄直後はＳＰＶ値が安定せず、こ
れも測定を行う前に１週間程度放置しておく必要があ
る。このため、ＳＰＶ法による重金属汚染度評価のリー
ドタイムが長くなり、半導体基板の生産能率向上を阻害
している。
酸でシリコン基板の表面をエッチングした直後、あるい
はバッファードフッ酸（以下ＢＨＦという）でシリコン
基板を洗浄した直後は光の照射時間によってＳＰＶ値
（表面光起電力、単位ｍＶ）が変化する。図４は、ＳＰ
Ｖ法による少数キャリア拡散長の測定において、光照射
開始からｔ秒経過した時点のＳＰＶ値Ｖ（ｔ）と光照射
開始時のＳＰＶ値Ｖ（０）との比Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の
変化を時系列的にプロットしたグラフである。混酸によ
るエッチングの場合は光照射開始から１５秒までの間に
前記Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の値が大きく変化し、ＢＨＦで
洗浄した場合は照射時間の経過に対応して変化量が大き
くなる。これに対しＳＣ−１洗浄後１箇月以上経過した
場合は、Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の値が照射時間の経過に対
応して変化するが、その変化率は小さい。図５は、シリ
コン基板の同一測定点に光を照射し、少数キャリア拡散
長を１０回繰り返して測定した結果を示すグラフであ
る。混酸によるエッチング直後、ＢＨＦによる洗浄直後
の測定値は、前記Ｖ（ｔ）／Ｖ（０）の変化の影響を受
けるため安定しない。そこで、前記エッチングを行った
シリコン基板を１週間程度放置してからＳＰＶ法による
測定を行っている。また、ＨＦによる洗浄あるいはＢＨ
Ｆによる洗浄を行ってベアなシリコン表面が露出してい
る基板であっても、洗浄直後はＳＰＶ値が安定せず、こ
れも測定を行う前に１週間程度放置しておく必要があ
る。このため、ＳＰＶ法による重金属汚染度評価のリー
ドタイムが長くなり、半導体基板の生産能率向上を阻害
している。
【０００４】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、ＳＰＶ値を短時間で安定させることができ
る半導体基板評価のための表面処理方法を提供すること
を目的としている。
れたもので、ＳＰＶ値を短時間で安定させることができ
る半導体基板評価のための表面処理方法を提供すること
を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体基板評価のための表面処理方法
は、半導体基板におけるＦｅ，Ｃｒなどの重金属汚染度
評価に当たり、混酸を用いたエッチングによりベアなシ
リコン層表面が露出した半導体基板に対して、ＢＨＦに
よる洗浄とそれに続くＳＣ−１洗浄とを施してＳＰＶ法
による少数キャリア拡散長の測定値を安定させることを
特徴とし、ラップドウェーハなど、表面に光沢のない半
導体基板に対して、ＢＨＦによる洗浄とそれに続くＳＣ
−１洗浄とを施してＳＰＶ法による少数キャリア拡散長
の測定値を安定させるようにしてもよい。
め、本発明に係る半導体基板評価のための表面処理方法
は、半導体基板におけるＦｅ，Ｃｒなどの重金属汚染度
評価に当たり、混酸を用いたエッチングによりベアなシ
リコン層表面が露出した半導体基板に対して、ＢＨＦに
よる洗浄とそれに続くＳＣ−１洗浄とを施してＳＰＶ法
による少数キャリア拡散長の測定値を安定させることを
特徴とし、ラップドウェーハなど、表面に光沢のない半
導体基板に対して、ＢＨＦによる洗浄とそれに続くＳＣ
−１洗浄とを施してＳＰＶ法による少数キャリア拡散長
の測定値を安定させるようにしてもよい。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、エピタキシャル層を除去し
たウェーハやアズスライスウェーハ、ラップドウェー
ハ、化研ウェーハに対してＢＨＦによる洗浄とそれに続
くＳＣ−１洗浄とを組み合わせ、これらの洗浄を前記の
順序で実施することにしたので、半導体基板のＳＰＶ値
を短時間のうちに安定させることができる。一方、ＢＨ
Ｆによる洗浄のみ行った場合、ＢＨＦによる洗浄と純水
による煮沸とを組み合わせた場合、および混酸によるエ
ッチングのみを行った場合は、前記ＳＰＶ値を短時間の
うちに安定させることができない。
たウェーハやアズスライスウェーハ、ラップドウェー
ハ、化研ウェーハに対してＢＨＦによる洗浄とそれに続
くＳＣ−１洗浄とを組み合わせ、これらの洗浄を前記の
順序で実施することにしたので、半導体基板のＳＰＶ値
を短時間のうちに安定させることができる。一方、ＢＨ
Ｆによる洗浄のみ行った場合、ＢＨＦによる洗浄と純水
による煮沸とを組み合わせた場合、および混酸によるエ
ッチングのみを行った場合は、前記ＳＰＶ値を短時間の
うちに安定させることができない。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体基板評価のため
の表面処理方法の実施例について、図面を参照して説明
する。図１は、シリコンウェーハにエピタキシャル成長
を施した半導体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャ
リア拡散長を測定する場合の表面処理の手順概要を示す
図で、各ステップの左肩に付した数字はステップ番号で
ある。前記半導体基板に対して、ステップ１でエピタキ
シャル層を除去するため混酸によるエッチングを行う。
この場合、混酸としてＨＦとＨＮＯ3 とからなるものあ
るいはＨＦとＨＮＯ3 とにＨ2 ＯまたはＣＨ3 ＣＯＯＨ
を加えたものを用いる。ステップ２でこの半導体基板を
純水洗浄し、乾燥させた後、ステップ３でＢＨＦによる
洗浄を行う。これをステップ４で純水洗浄し、乾燥させ
る。次に、ステップ５でＳＣ−１洗浄する。前記ＳＣ−
１洗浄には、ＮＨ4 ＯＨとＨ2Ｏ2 とにＨ2 Ｏを加えた
溶液を用いる。その後、ステップ６で半導体基板を純水
洗浄し、乾燥させた上、ステップ７で２時間放置する。
このような処理を施した半導体基板の少数キャリア拡散
長を、ステップ８でＳＰＶ法により測定する。
の表面処理方法の実施例について、図面を参照して説明
する。図１は、シリコンウェーハにエピタキシャル成長
を施した半導体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャ
リア拡散長を測定する場合の表面処理の手順概要を示す
図で、各ステップの左肩に付した数字はステップ番号で
ある。前記半導体基板に対して、ステップ１でエピタキ
シャル層を除去するため混酸によるエッチングを行う。
この場合、混酸としてＨＦとＨＮＯ3 とからなるものあ
るいはＨＦとＨＮＯ3 とにＨ2 ＯまたはＣＨ3 ＣＯＯＨ
を加えたものを用いる。ステップ２でこの半導体基板を
純水洗浄し、乾燥させた後、ステップ３でＢＨＦによる
洗浄を行う。これをステップ４で純水洗浄し、乾燥させ
る。次に、ステップ５でＳＣ−１洗浄する。前記ＳＣ−
１洗浄には、ＮＨ4 ＯＨとＨ2Ｏ2 とにＨ2 Ｏを加えた
溶液を用いる。その後、ステップ６で半導体基板を純水
洗浄し、乾燥させた上、ステップ７で２時間放置する。
このような処理を施した半導体基板の少数キャリア拡散
長を、ステップ８でＳＰＶ法により測定する。
【０００８】エピタキシャル層が形成されていない半導
体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャリア拡散長を
測定する場合は、図１のステップ３以降を実施すればよ
い。
体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャリア拡散長を
測定する場合は、図１のステップ３以降を実施すればよ
い。
【０００９】図２は、上記手順に基づいて表面処理を行
った半導体基板において光照射時間に対するＳＰＶ値の
変化を示すグラフである。同図で明らかなように、混酸
によるエッチング後ＢＨＦ洗浄とＳＣ−１洗浄とを行
い、２時間放置した半導体基板（図中○印）、ＢＨＦ洗
浄とＳＣ−１洗浄とを行い、２時間放置した半導体基板
（図中●印）ともにＳＰＶ値の変化は極めて小さく、参
考までに併記したＳＣ−１洗浄後１箇月以上経過の基板
（図中△印）と同様に安定したＳＰＶ値を得ることがで
きる。なお、図２に記載した各測定値はそれぞれ異なる
半導体基板のものであり、従ってＳＰＶ値も異なってい
る。
った半導体基板において光照射時間に対するＳＰＶ値の
変化を示すグラフである。同図で明らかなように、混酸
によるエッチング後ＢＨＦ洗浄とＳＣ−１洗浄とを行
い、２時間放置した半導体基板（図中○印）、ＢＨＦ洗
浄とＳＣ−１洗浄とを行い、２時間放置した半導体基板
（図中●印）ともにＳＰＶ値の変化は極めて小さく、参
考までに併記したＳＣ−１洗浄後１箇月以上経過の基板
（図中△印）と同様に安定したＳＰＶ値を得ることがで
きる。なお、図２に記載した各測定値はそれぞれ異なる
半導体基板のものであり、従ってＳＰＶ値も異なってい
る。
【００１０】図３は、光照射開始後３分間におけるＳＰ
Ｖ値の変化率を半導体基板の表面処理方法別に比較した
図である。同図において、ＳＰＶ値の変化率とは光照射
開始時のＳＰＶ値をＶ（０分）、光照射開始後３分経過
した時点のＳＰＶ値をＶ（３分）としたとき、 ＳＰＶ値の変化率（％）＝〔Ｖ（３分）−Ｖ（０分）〕
／Ｖ（０分）×１００ で表される。なお、従来方法を用いてＳＣ−１洗浄後１
箇月以上経過した基板（図中△印）は参考として併記し
たもので、ＳＰＶ値の変化率は９．６％である。また、
混酸によるエッチングとＳＣ−１洗浄との組み合わせで
は、処理直後で６６％、処理後２時間経過しても６０％
と高い。これに対し、エッチング後ＢＨＦ洗浄とこれに
続くＳＣ−１洗浄とを行った場合、あるいはＢＨＦ洗浄
とこれに続くＳＣ−１洗浄とを行った場合はいずれも好
結果が得られている。すなわち、処理直後の測定ではＳ
ＰＶ値の変化率がそれぞれ３５％，９５％と高いが、処
理後２時間経過するとそれぞれ５％，６．４％に低下す
る。これらの値は従来方法における変化率９．６％の２
／３以下である。従って、ＢＨＦ洗浄とこれに続くＳＣ
−１洗浄とを行い、２時間程度放置することにより、従
来と同等以上の精度でＳＰＶ法による少数キャリア拡散
長の測定が可能となる。更に、表面処理後の放置期間を
従来の約１週間から約２時間に短縮させることができ
る。
Ｖ値の変化率を半導体基板の表面処理方法別に比較した
図である。同図において、ＳＰＶ値の変化率とは光照射
開始時のＳＰＶ値をＶ（０分）、光照射開始後３分経過
した時点のＳＰＶ値をＶ（３分）としたとき、 ＳＰＶ値の変化率（％）＝〔Ｖ（３分）−Ｖ（０分）〕
／Ｖ（０分）×１００ で表される。なお、従来方法を用いてＳＣ−１洗浄後１
箇月以上経過した基板（図中△印）は参考として併記し
たもので、ＳＰＶ値の変化率は９．６％である。また、
混酸によるエッチングとＳＣ−１洗浄との組み合わせで
は、処理直後で６６％、処理後２時間経過しても６０％
と高い。これに対し、エッチング後ＢＨＦ洗浄とこれに
続くＳＣ−１洗浄とを行った場合、あるいはＢＨＦ洗浄
とこれに続くＳＣ−１洗浄とを行った場合はいずれも好
結果が得られている。すなわち、処理直後の測定ではＳ
ＰＶ値の変化率がそれぞれ３５％，９５％と高いが、処
理後２時間経過するとそれぞれ５％，６．４％に低下す
る。これらの値は従来方法における変化率９．６％の２
／３以下である。従って、ＢＨＦ洗浄とこれに続くＳＣ
−１洗浄とを行い、２時間程度放置することにより、従
来と同等以上の精度でＳＰＶ法による少数キャリア拡散
長の測定が可能となる。更に、表面処理後の放置期間を
従来の約１週間から約２時間に短縮させることができ
る。
【００１１】混酸によるエッチングやＢＨＦ洗浄を行っ
た半導体基板のＳＰＶ測定を行うに当たり、自然酸化膜
を成長させることを目的とした図１の手順を用いること
により、安定したＳＰＶ値が得られ、前記シリコン基板
を表面処理後１週間も放置することなく、ＳＰＶ測定が
可能となる。しかし、ＳＣ−１洗浄を施すことでＳＰＶ
値自体が小さくなるため、測定に必要な１ｍＶ程度以上
の電圧が得られないシリコン基板については、表面処理
後ＳＣ−１洗浄を行わずに１週間程放置することが望ま
しい。
た半導体基板のＳＰＶ測定を行うに当たり、自然酸化膜
を成長させることを目的とした図１の手順を用いること
により、安定したＳＰＶ値が得られ、前記シリコン基板
を表面処理後１週間も放置することなく、ＳＰＶ測定が
可能となる。しかし、ＳＣ−１洗浄を施すことでＳＰＶ
値自体が小さくなるため、測定に必要な１ｍＶ程度以上
の電圧が得られないシリコン基板については、表面処理
後ＳＣ−１洗浄を行わずに１週間程放置することが望ま
しい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ピタキシャル層を除去したウェーハや表面に光沢のない
ラップドウェーハなどに対して、ＢＨＦ洗浄とそれに続
くＳＣ−１洗浄とを組み合わせた表面処理を施すことに
したので、前記処理後約２時間放置するだけでＳＰＶ値
を十分に安定させることができる。従って、ＳＰＶ値の
安定化のために表面処理後約１週間放置しなければなら
なかった従来方法に比べ、半導体基板評価のリードタイ
ムが大幅に短縮され、半導体基板の生産性が向上する。
ピタキシャル層を除去したウェーハや表面に光沢のない
ラップドウェーハなどに対して、ＢＨＦ洗浄とそれに続
くＳＣ−１洗浄とを組み合わせた表面処理を施すことに
したので、前記処理後約２時間放置するだけでＳＰＶ値
を十分に安定させることができる。従って、ＳＰＶ値の
安定化のために表面処理後約１週間放置しなければなら
なかった従来方法に比べ、半導体基板評価のリードタイ
ムが大幅に短縮され、半導体基板の生産性が向上する。
【図１】シリコンウェーハにエピタキシャル成長を施し
た半導体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャリア拡
散長を測定する場合の表面処理手順の概要を示す図であ
る。
た半導体基板に対してＳＰＶ法を用いて少数キャリア拡
散長を測定する場合の表面処理手順の概要を示す図であ
る。
【図２】表面処理を行った半導体基板において光照射時
間に対するＳＰＶ値の変化を示すグラフである。
間に対するＳＰＶ値の変化を示すグラフである。
【図３】光照射開始後３分間におけるＳＰＶ値の変化率
を半導体基板の表面処理方法別に比較した図である。
を半導体基板の表面処理方法別に比較した図である。
【図４】従来の技術による表面処理を施した半導体基板
において、光照射開始からｔ秒後のＳＰＶ値Ｖ（ｔ）と
光照射開始時のＳＰＶ値Ｖ（０）との比を時系列的にプ
ロットしたグラフである。
において、光照射開始からｔ秒後のＳＰＶ値Ｖ（ｔ）と
光照射開始時のＳＰＶ値Ｖ（０）との比を時系列的にプ
ロットしたグラフである。
【図５】従来の技術による表面処理を施した半導体基板
の同一測定点に光を照射し、少数キャリア拡散長を１０
回測定した結果を示すグラフである。
の同一測定点に光を照射し、少数キャリア拡散長を１０
回測定した結果を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板におけるＦｅ，Ｃｒなどの重
金属汚染度評価に当たり、混酸を用いたエッチングによ
りベアなシリコン層表面が露出した半導体基板に対し
て、バッファードフッ酸による洗浄とそれに続くＳＣ−
１洗浄とを施してＳＰＶ法による少数キャリア拡散長の
測定値を安定させることを特徴とする半導体基板評価の
ための表面処理方法。 - 【請求項２】 ラップドウェーハなど、表面に光沢のな
い半導体基板に対して、バッファードフッ酸による洗浄
とそれに続くＳＣ−１洗浄とを施してＳＰＶ法による少
数キャリア拡散長の測定値を安定させることを特徴とす
る半導体基板評価のための表面処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247234A JPH0888259A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体基板評価のための表面処理方法 |
| TW084112407A TW329534B (en) | 1994-09-14 | 1995-11-22 | The surface treatment method for evaluating the semiconductor substrate |
| US08/626,852 US5849603A (en) | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Method of processing a surface of a semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6247234A JPH0888259A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体基板評価のための表面処理方法 |
| US08/626,852 US5849603A (en) | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Method of processing a surface of a semiconductor substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888259A true JPH0888259A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=26538157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6247234A Pending JPH0888259A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体基板評価のための表面処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5849603A (ja) |
| JP (1) | JPH0888259A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270517A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ｐ型シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 |
| JP2021040082A (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 株式会社Sumco | シリコン試料の前処理方法、シリコン試料の金属汚染評価方法、単結晶シリコンインゴット育成工程の評価方法、単結晶シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
| US6429144B1 (en) * | 1999-12-28 | 2002-08-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit manufacture method with aqueous hydrogen fluoride and nitric acid oxide etch |
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|---|---|---|---|---|
| US4333051A (en) * | 1980-05-28 | 1982-06-01 | Rca Corporation | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors |
| US4507334A (en) * | 1983-10-31 | 1985-03-26 | Rca Corporation | Surface preparation for determining diffusion length by the surface photovoltage method |
| US4598249A (en) * | 1984-02-29 | 1986-07-01 | Rca Corporation | Method using surface photovoltage (SPV) measurements for revealing heavy metal contamination of semiconductor material |
| US5238500A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-24 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric and hydrochloric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| JP2581268B2 (ja) * | 1990-05-22 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の処理方法 |
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| US5486266A (en) * | 1994-09-01 | 1996-01-23 | Taiwan Semiconductor Manuf. Company | Method for improving the adhesion of a deposited metal layer |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6247234A patent/JPH0888259A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-02 US US08/626,852 patent/US5849603A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5849603A (en) | 1998-12-15 |
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