JPH0833666A

JPH0833666A - 超音波温熱治療装置及びその制御方法

Info

Publication number: JPH0833666A
Application number: JP7011936A
Authority: JP
Inventors: Jacques Dory; ドリジャツク
Original assignee: EDAP International SA
Current assignee: EDAP International SA
Priority date: 1994-01-27
Filing date: 1995-01-27
Publication date: 1996-02-06
Also published as: FR2715313A1; CA2141285A1; US5665054A; IL112369A0; EP0664996A1; IL112369A; FR2715313B1

Abstract

(57)【要約】【目的】超音波温熱治療装置において、治療領域の形
に関係なくエネルギー損失を最小限に抑えると共に、こ
の治療領域以外の組織の損傷を最小限とする温熱治療が
可能となる。【構成】複数の圧電素子２₁〜２_mからなる変換器１
と、この圧電素子２₁〜２_mのそれぞれに高周波信号を
供給する送信器３₁〜３_mと、この送信器３₁〜３_mへ
高周波パイロット信号を供給する高周波パイロット信号
発生器４と、焦点Ｆの複数の移動位置をアドレス指定す
るアドレス発生器５とから構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願発明は超音波を使用した温熱
治療装置の制御方法に関するものである。当該温熱治療
装置は複数の圧電素子が設けられた変換器から構成され
ており、各圧電素子は電気信号で励振される。この温熱
治療装置では焦点に超音波を集束しており、変換器を基
準とする焦点の位置は治療領域から熱エネルギーが散失
する速度よりも早い速度で変化する。

【０００２】

【従来の技術】超音波は人体内を伝播ができると共に容
易に集束させることができるため、外科的介入の必要の
ない非侵襲的治療では、外部のある地点から内部組織に
作用する治療などに利用されている。超音波は焦点と呼
ばれる特定の領域に集束されるが、治療の場合には治療
箇所がこの焦点となる。

【０００３】超音波を集束する温熱治療では焦点部分の
組織に局所的に熱を加えてその組織を破壊する。

【０００４】この温熱治療を行うための装置としては、
ヨーロッパ特許ＥＰ−Ａ−０１６２７３５号（半円
球状カップ型リフレクターで固定焦点の直径は約２ー３
ｍｍである）、ＥＰ−Ａ−０３７０８４１号（機械
的に移動可能な変換器）あるいはＥＰ−Ａ−０１９４
８９７号（機械的に変換器を移動させて治療領域を走
査する）などに記載された装置が周知である。これら従
来の装置の問題点についてはフランス特許出願９４．０
０９０４号（本願の優先権の基礎となる出願）で詳述し
ている。

【０００５】Ｅｂｂｅｎｉらによる論文「深部への温熱
集束用球状超音波フェーズドアレイ」（生物医学工学Ｉ
ＥＥＥ紀要，ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．７，０１／０７／
９１、６３４ー６４３頁）には、複数の圧電素子が内蔵
された球状部アレイを用いた場合の超音波の伝播をコン
ピュータでシミュレートした結果が記載されている。こ
の論文では、円形または２個の同心円に沿って配列され
た複数の制御ポイントに照射を行うため圧電素子の振幅
と位相を変化させて焦点を移動する方法が提案されてい
る。しかしながら、この論文では複数の制御ポイントか
らなる超音波の場を直接生成するほうが望ましいと述べ
ている。

【０００６】米国特許４，９３８，２１７号には複数の
圧電素子からなる変換器を具備した温熱装置が開示され
ている。この温熱装置は励振信号を適切に同調させて変
換器の機械的動作と焦点の深度または変換器から焦点ま
での距離の変化を組み合わせている。このような操作を
アポダイゼーションと呼んでいる。この米国特許では、
変換器の回転の最中に焦点距離を変化させて不規則な形
の領域を走査できるようにしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれら従
来の装置には次のような問題点があった。

【０００８】ＥＰ−Ａ−０，１９４，８９７号にあるよ
うに大きな複数の焦点、つまりＥｂｂｅｎｉらの論文に
ある複数のピークからなる大きな複数の焦点を合成する
のは困難である。これは、まず第１に励振信号の位相及
び振幅の計算が複雑であること、そして第２に適当な数
だけ圧電素子が設けられた実際の治療装置の場合には焦
点の周囲が不規則になってしまい損傷の原因となるため
である。

【０００９】これに対して小さな焦点を複数用いると、
大きな塊からなる患部を治療できなくなってしまう。欧
州特許ＥＰ−Ａ−０，１９４，８９７号あるいは米国特
許４，９３８，２１７号に開示されているように変換器
を移動させて治療領域を機械的に走査させるには変換器
を移動させる機械的手段が必要となり、装置が複雑で大
型になるといった問題がある。また、何度も照射を行う
必要があり、また、治療が必要な領域が患者の呼吸によ
って移動するような場合は、理論的に走査を行った患部
内で超音波による衝撃点が若干ランダムに分散してしま
うといった問題もある。治療領域を完全に走査すること
はできず（隙間があるため）、また衝撃点によっては治
療領域を越えてしまうことさえある。

【００１０】Ｅｂｂｅｎｉらの論文や米国特許４，９３
８，２１７号で提案しているようにアポダイゼーション
を利用した焦点の電子的操作は実現が困難である。特
に、大変早い速度で変化させなくてはならないような場
合には圧電素子のそれぞれから出力される超音波のピー
クパワーを変更するのは実際的に無理である。

【００１１】この他、焦点内にエネルギーをどうやって
分散させるかといった問題もある。Ｅｂｂｅｎｉらの論
文では、一定レベルの温熱を作りだしそれを維持するの
に必要なエネルギーを決めるため腫瘍の塊の中に設けら
れた制御点に蓄積されたエネルギーの時空間的平均値を
算出するよう提案している。このような方法は、いわゆ
る「従来」の温熱治療、すなわち、大きな塊を適度な温
度（４３〜４５℃）で治療するような場合にだけ有用で
ある。

【００１２】米国特許４，９３８，２１７号では腫瘍の
内部温度は一定であるのが望ましく、異常な加熱は避け
るほうが良いとだけ述べている。しかし、この特許では
治療領域内での焦点またはその他の地点でのエネルギー
レベルを選択する方法についての記載はない。従来の装
置では、熱エネルギーの拡散による損失は患者に照射し
たエネルギーのかなりの部分にのぼり、照射エネルギー
の大半は細胞破壊に使用されていない。過剰にエネルギ
ーを照射すると内部組織または皮膚に火傷が発生して損
傷を受けるため問題がある。

【００１３】本願発明は上記従来技術の有する課題に鑑
みてなされたものであり、その目的は、複数の圧電素子
からなる変換器を具備した温熱治療装置を提供すること
にある。

【００１４】また、本願発明の他の目的は電気信号でそ
れぞれ励振する複数の圧電素子からなる変換器を具備し
た超音波温熱治療装置の制御方法を提供することにあ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明の超音波温熱治療装置は複数の電気的励振
信号で励振する複数の圧電素子と前記励振信号を移相さ
せる手段とから構成されており、また、前記励振信号を
前記圧電素子にそれぞれ送信する複数の送信器と、前記
送信器に共通パイロット信号を出力する高周波パイロッ
ト信号源と、アドレス発生器とをさらに備えており、前
記励振信号を移相させる前記手段は、前記送信器にそれ
ぞれ設けられ前記パイロット信号を前記アドレス発生器
から入力されたアドレスの関数として移相させる手段か
ら構成されていることを特徴とする。

【００１６】また、本願発明の電気信号でそれぞれ励振
する複数の圧電素子を有した変換器からなる超音波温熱
治療装置の制御方法は、焦点に超音波を集束する段階と
前記超音波の照射中に前記変換器または前記変換器を支
持する手段を基準とする前記焦点の位置を変化させる段
階とからなり、前記変換器または前記変換器を支持する
前記手段を基準とする前記焦点位置の変化速度は治療領
域の熱エネルギーの拡散速度よりも早く、また、超音波
照射の期間中に前記変換器または前記変換器を支持する
前記手段を基準とする前記焦点の位置を変化させて走査
することにより形成される領域（以下、「擬似焦点」と
称す）中の各点に照射されるエネルギーが前記治療領域
内の組織細胞を破壊するのに必要なエネルギーにほぼ等
しくなるように複数の焦点間の重なり具合と焦点のピー
クパワーを制御することを特徴とする。

【００１７】

【作用および効果】本願発明の超音波温熱治療装置及び
方法は以上のような構成をしており、この装置及び方法
によれば、治療中に照射するエネルギー量は最小限とな
り、治療領域外の組織を損傷させるといった危険がなく
なる。また、本願発明の方法と装置では組織破壊が確実
に行われる。

【００１８】本願発明の好適な実施例において、変換器
に対する焦点位置の変更は、圧電素子を励振する電気励
振信号の相対的な位相を変化させるだけでよい。

【００１９】本願発明の実施態様においては、超音波照
射中は擬似焦点の走査を均一に行う。これは第１回目の
照射の時は特に効果がある。あるいは、１回または複数
回照射して印加したエネルギーに加えてさらなるエネル
ギーを補充するため、照射中の擬似焦点の走査を不均一
に行う。この場合、熱ネルギーの散逸や拡散あるいは近
隣層でのエネルギーの蓄積に注意しなくてはならない。

【００２０】本願発明の他の実施態様においては、照射
中はブランク期間を設けて波列状に超音波ネルギーを出
力し、このブランク期間では変換器を基準とする焦点の
位置を変化させる。

【００２１】本願発明の他の好適な実施態様において、
照射中は超音波エネルギーを連続波列状に出力し、超音
波の照射を妨げずに変換器を基準とする焦点位置を変化
させる。いずれの場合も実施は容易である。

【００２２】本願発明の他の実施態様としては、焦点を
細長い形状にして変換器に対する焦点の位置を略その長
手方向に沿って移動させる。

【００２３】本願発明の超音波温熱治療装置の１実施態
様において、各送信器の内部に設けられているパイロッ
ト信号移相手段はシフトレジスターとメモリー手段から
構成されており、前記メモリー手段は前記アドレス発生
器から入力されたアドレスの関数として前記シフトレジ
スターを制御する。また、前記メモリー手段には該メモ
リー手段と前記シフトレジスターを内蔵している送信器
の位置が関数として予めプログラムされている。

【００２４】この場合、各シフトレジスターは１／１６
周期単位でパイロット信号の位相をずらすことができ
る。他の実施態様においては、前記各シフトレジスター
は１／８周期単位でパイロット信号の位相ずらすことが
できる。

【００２５】以上のように、本願発明の装置によれば治
療領域の形状、大きさに関係なくエネルギー損失を最小
限に抑えて温熱で治療領域を破壊できる。本願発明の装
置は特に発熱治療、すなわち、高温（例えば４８℃以上
の温度）で行う温熱治療に応用することができ、瞬時に
細胞を破壊することが可能である。

【００２６】

【実施例】以下図面を参照しながら本願発明の好適な実
施例を詳細に説明する。

【００２７】図１は欧州特許０，３７０，８４１号に開
示されている従来の超音波温熱治療装置における焦点で
のパワー強度を示した曲線のグラフである。この装置は
半球状の電力変換器から構成されており、この変換器は
その幾何学的中心にある焦点に超音波を集束させる。こ
のように独自の形をしているため、焦点は半球状変換器
の対称軸を中心に回転対称になっている。図１は、半球
状対称軸に垂直な直径方向での焦点のパワー強度を示し
ている。このグラフでｘ軸は半球状変換器の対称軸から
の距離を示しており、一方、Ｙ軸は超音波のパワー強度
を示している。

【００２８】図１の曲線では、焦点の中心部分から端へ
行くに従って超音波のパワー強度が徐々に低下している
のが分かる。焦点の直径は、超音波ビームの対称軸を中
心とする半径ｒ_oの円の直径に等しく、この円内では超
音波のパワーレベルはビーム軸Ｉ上のパワーレベルＩ_o
の半分（６ｄＢとなる直径）以上ある。

【００２９】従来の装置では、治療領域が移動する場合
は焦点内の治療領域を１度の照射で完全に破壊できるよ
う超音波ビームのパワーレベルと照射時間を設定しなく
てはならなかった。このようにビーム強度を設定すれ
ば、焦点の周辺部ではビーム強度がＩ_o／２であるため
１回の照射で治療組織を確実に破壊できた。

【００３０】また、焦点の内側の領域では超音波ビーム
の強度がＩ_o／２以上であり、このＩ_o／２よりも上の
部分のエネルギーは不要なものである。同様に、焦点の
周囲では、細胞を破壊するには十分でないにしてもエネ
ルギーレベルはゼロではない。このためエネルギーが浪
費されるといった問題がある。このように過剰なエネル
ギーを与えると患者の皮膚の火傷の危険性がさらに大き
くなる。また、焦点の周囲の組織の温度が上昇するとい
った作用もある。組織へあまり急激にエネルギーを照射
すると治療領域外が損傷を被ってしまう。

【００３１】図１のような特徴のあるパワーを使用した
従来の装置では、焦点内の組織を破壊するのに必要とさ
れる理論的量の約２．５倍のエネルギーが全体として照
射される。

【００３２】欧州特許０，３７９，８４１号に開示され
る装置の場合のように、説明のため焦点の直径を約２ｍ
ｍとする。整定時間または安定化時間と呼ぶ一定の短い
時間が経過すると、熱の伝播による熱損失が超音波エネ
ルギーの供給によって相殺されるため、焦点内の温度の
増加が停止する。従来の装置では、この安定化時間は音
響パワーが１０ｋＷ前後の場合には約２秒である。音響
パワーが約１０ｋＷの場合は、約０．１秒間の超音波の
照射を１回だけ行えば焦点の位置にある組織は破壊され
てしまう。この照射期間は安定化期間よりも短い。

【００３３】図２は本願発明の方法で制御される超音波
温熱治療装置の概略構成図である。従来の装置と同様
に、図２の装置はｍ個の圧電素子２₁、２₂……２_mか
らなる変換器１で構成されており、この圧電素子は電気
信号でそれぞれ励振される。図２の構成図において、変
換器１は半球状となっているがこの形状にのみ限定され
るものではない。この変換器１は幾つかの部分に分割
し、各部分を複数の圧電素子で構成するようにしてもよ
い。

【００３４】また、この変換器１は欧州特許０，１６
２，７３５号に開示されているように超音波走査法や超
音波検査法などを用いて画像装置に接続するのが好まし
い。この他、例えば変換器１と一体に構成でき弾性膜で
密閉された内部に液体が充填された超音波カップリング
を装着できるような装置（図示せず）を変換器１に設け
てもよい。

【００３５】圧電素子２₁〜２_mから出力される超音波
は焦点に集束される。変換器１が半球状の場合は、圧電
素子に供給される励振信号が全て同相であれば当該半球
状変換器の幾何学的中心Ｆの位置に焦点がくる。

【００３６】変換器１の圧電素子２₁〜２_mはそれぞれ
に対応する送信器３₁〜３_mから供給される高周波信号
で励振される。送信器３₁〜３_mには発生器４からの高
周波パイロット信号がまず入力され、その次にアドレス
発生器５からの信号が入力される。この高周波パイロッ
ト信号発生器４は送信器全てに共通な発生源である高周
波信号を供給しておりこの詳細な説明は後で行う。アド
レス発生器５の動作は図３の説明を参照するとよく理解
できる。

【００３７】図２の超音波温熱治療装置には制御手段
（図示せず）も設けられており、この制御手段が高周波
パイロット信号発生器４とアドレス発生器５の動作を制
御している。この制御手段はオペレーターがプログラム
できる。

【００３８】図３には図２の超音波温熱治療装置の送信
器３_iの例が示されている。この送信器３_iはライン６
_iを介して圧電素子２_iへ励振信号を送出している。ま
た、送信器３_iにはライン７_iを通って高周波パイロッ
ト信号発生器４からパイロット信号が入力される。さら
に、この送信器にはｎ本のライン８_i,1〜８_i,nを介し
てアドレス発生器５からアドレス信号も入力される。

【００３９】送信器３_iは例えばＲＯＭメモリー９
_i（または別のタイプのメモリー）といったメモリー手
段と、シフトレジスター１０_iと、送信装置１１_iから
構成されている。ＲＯＭメモリー９_iにはライン８_i,1
〜８_i,nを介してアドレス発生器５からの信号が入力さ
れ、このメモリー９_iはさらにｐ個のライン１２_i,1〜
１２_i,pを介してシフトレジスター１０_iに制御信号を
出力する。シフトレジスター１０_iへは図１に示す高周
波パイロット信号発生器４からのパイロット信号がライ
ン７_iを通って入力される。このシフトレジスター１０
_iはさらにライン１３_iを介して送信装置１１_iに信号
を出力する。送信装置１１_iはシフトレジスター１０_i
からライン１３_iを通って送られてきた信号を受信し、
ライン６_iをから圧電素子２_iへ励振信号を出力する。

【００４０】上記超音波温熱治療装置は従来の部品で構
成することができ当業者には周知であるのでその説明は
省略する。

【００４１】本願発明によれば、治療中は変換器１から
出力された超音波の焦点の位置は変化する。焦点の位置
は後で説明するように圧電素子に供給される励振信号の
相対位相を変化させれば変化する。

【００４２】送信器３₁〜３_mの全てに高周波パイロッ
ト信号発生器４からパイロット信号が入力される。この
パイロット信号はシフトレジスター１０_iによって各送
信器３_iに入力される。受信された信号はシフトレジス
ター１０_iでδΦ_i移相される。移相処理された信号は
送信装置１１_iによって圧電素子２_iへの送信の制御に
使用される。

【００４３】また、焦点が所定位置にある場合は、焦点
の所望な位置に相当するアドレス信号がアドレス発生器
５からライン８_i,1〜８_i,nに出力される。このアドレ
ス信号はＲＯＭメモリー９_iによって各送信器３_iに入
力される。シフトレジスター１０_iへはＲＯＭメモリー
９_iからアドレス信号に応じて制御信号が出力される。

【００４４】シフトレジスター１０_iの内部でδΦ_iの
位相ずれを発生させる制御信号が当該シフトレジスター
に供給されるよう、対応する圧電素子２_iの位置の関数
として送信器３_iのＲＯＭメモリー９_iを予めプログラ
ムしておく。圧電素子２_iが焦点を所望の位置に配置す
る場合にこの移相は必要であるが、この所望の位置はア
ドレス信号から求められる。

【００４５】本願発明の一実施例において、このメモリ
ーアドレスはアドレス発生器５においてｎ＝１３ビット
でプログラムする。これにより、焦点は２ⁿ＝８１９２
の地点を走査できるようになる。これは目標方向に垂直
な面に設けられた１０２４個の地点を８つの異なる深度
で走査するのに等しい。

【００４６】この場合、シフトレジスター１０_iの精度
は１／１６周期あれば十分であるため整数ｐの値は４と
なる。

【００４７】半球状変換器１の直径が約３００ｍｍでそ
の焦点距離が約３２０ｍｍであり、また直径２０ｍｍの
圧電素子１６０個から構成されている場合、焦点は約６
ｄＢのパワーとなる直径が約２ｍｍである。シフトレジ
スター１０のｐが４とすると、半球状変換器１の対称軸
に垂直な面において約０．５ｍｍの間隔で焦点の位置を
変化させることができる。

【００４８】また、１／８の周期単位精度で移相させる
ことができる。この場合、圧電素子励振信号の位相は１
／８の周期単位で変化する。整数ｐはこの時３である。

【００４９】図２及び図３で説明した装置では変換器１
に対して焦点の位置を変化させることが可能である。本
願発明では、照射中は、一定の領域（以下、「擬似焦
点」と称す）が形成されるよう焦点の位置は変化する。

【００５０】図４ａには上記のタイプの変換器で生成し
た焦点のパワー強度が示されている。図４ａの曲線はｘ
軸方向のスケールが異なる点を除けば図１の曲線と同じ
である。

【００５１】図４ｂは本願発明の装置で生成した擬似焦
点でのパワー強度を示している。

【００５２】パワーが６ｄＢとなる直径ｒ_oが約１ｍｍ
の焦点を形成する変換器を使用した本願発明の超音波温
熱治療装置の例を説明する。超音波の照射中は、約１ｍ
ｓの周期でその半径ｒ_o′と同じ距離だけ焦点を移動さ
せれば変換器を基準とする焦点の位置は変化する。

【００５３】このため、持続期間が１ミリ秒で５マイク
ロ秒のブランク期間で分断され、周波数が約１ＭＨｚの
波列からなる周期信号が高周波パイロット信号発生器４
から出力されている。各ブランク期間中は、アドレス発
生器５を用いながら焦点の位置を変化させることができ
る。高周波パイロット信号発生器４から出力される励振
信号の振幅は常に同じであり、また、アポダイゼーショ
ンは用いられていないため、アドレス発生器５から出力
された信号をＲＯＭメモリー９_iが受け取って次にシフ
トレジスター１０_iにコマンドを送るには５μ秒あれば
十分である。本願発明の超音波温熱治療装置の制御手段
は、焦点面積の約５０倍の面積の円盤状擬似焦点を走査
するようプログラムされている。この擬似焦点は焦点の
位置を１００回変化させて約０．１秒の期間走査され
る。円盤状の擬似焦点を走査すると、走査面積の径は約
１５ｍｍ（√５０ｘ２ｍｍ）となり、隣接する焦点
間の重なりは約５０％の割合である。この期間中に散失
する熱はわずかであり、０．１秒の期間が経過した後の
擬似焦点領域でのパワー強度の特徴が図４ａのグラフと
同じスケールで図４ｂに示されている。

【００５４】図４ｂから分かるように、照射中に焦点の
位置を連続的に変化させるため、擬似焦点内でのパワー
強度分布は最適エネルギー分布に近似しており矩形の分
布状態になっている。

【００５５】このように、Ｉ_oを０．１秒間に細胞を破
壊するのに必要なパワー強度とすると、焦点のピークパ
ワー強度は約１．２Ｉ_oとなる。この場合、上記のよう
に走査しながら目標領域内の細胞を全て確実に破壊でき
る。

【００５６】このようなタイプのパワー強度分布曲線を
もって組織を破壊する場合に照射されるエネルギーは全
体としては理論的に必要とされるエネルギーの約１．２
倍である。このように、本願発明によれば、照射エネル
ギーの量を制限することが可能である。

【００５７】また、本願発明の装置によれば、超音波領
域の周囲に減衰部分を発生させずに大口径の擬似焦点を
得ることができる。擬似焦点内での超音波パワー分布
は、照射されたパワーのほとんど全てが破壊に使用さ
れ、熱エネルギーの分散や拡散による損失が限られるよ
うになっている。このように、本願発明で従来装置に見
られたエネルギー損失を補うための過剰照射といった問
題が解決される。

【００５８】本願発明の他の実施例においては、複数の
波列やブランクからなる周期信号が高周波パイロット信
号発生器から出力されるのではなく、照射期間中は連続
信号が出力される。超音波の送信を中断することなく、
また、隣接する焦点位置で図４ａのパワー強度分布図に
見られるような過剰エネルギーが使用できるような焦点
位置間隔および速度で焦点の位置を移動させる。このよ
うに、前述の例と同様に、６ｄＢとなるｒ_oを直径とす
る距離だけ１ｍｓ毎に焦点を移動させることができる。
この場合、隣接する焦点間の重なりは約８０％である。

【００５９】このように、形、大きさ、エネルギー分布
を適宜調整することが可能な擬似焦点を形成する。焦点
移動の時間的間隔と焦点の移動距離を選択できれば移動
速度は熱エネルギーの分散速度よりも早くなり、擬似焦
点のパワー強度分布は所望の形状になる。この場合、治
療領域の走査期間における熱エネルギー散失はわずかな
ものである。

【００６０】図５ａ〜５ｃは照射後の円形擬似焦点での
経時的温度変化を示したものである。

【００６１】図５ａ〜５ｃにおいて、縦軸は温度で、横
軸（ｘ軸）は半球状変換器の中心軸に直交する軸上の距
離を示している。図５ａは照射直後の温度を示してい
る。図５ａの曲線は図４ｂの曲線に類似しており、温度
上昇は照射パワー強度にほぼ比例している。図５ｂと図
５ｃは照射から２秒経過した時の温度と４秒経過した時
の温度をそれぞれ示している。図５ｂと図５ｃでは温度
に対する熱エネルギーの分散の影響を強調して示してい
る。擬似焦点の周辺部では徐々に温度が低下しているの
に対して中心部分ではほぼ一定である。

【００６２】本願発明では、照射エネルギー量を制限
し、また、擬似焦点全体の温度を一定に保つため、その
後の照射では擬似焦点でのパワー強度分布を変化させる
ようにしている。図５ａ〜５ｃから分かるように、擬似
焦点の周辺部分では温度が低下しているが中心部分では
ほぼ一定に保たれている。このように、本願発明では、
開始時点の最初の照射で擬似焦点領域を完全に走査し、
次の照射期間中は焦点の周辺部にだけ照射して擬似焦点
全体の温度を一定に保つようにしている。

【００６３】図６ａ〜図６ｃは連続照射の場合の擬似焦
点のパワー強度分布を示しており、温度を一定に保つこ
とができることが分かる。図６ａは０．１秒の照射を行
った後の照射パワーを示したものである。図６ａの曲線
は図４ｂの曲線とほぼ同じ形をしており、擬似焦点を均
一に走査した場合に相当する。図６ｂの曲線では最初の
照射が行われて２〜３秒後の間に行われる照射時の照射
パワー強度が示されており、擬似焦点の周辺部を走査し
た様子に相当する。図６ｂのパワー強度では図５ｂに示
されているような熱エネルギーの拡散または分散による
損失を補償することができる。同様に、図６ｃの曲線は
１回目の照射から３〜４秒後に行われる照射時の照射パ
ワー強度を示しており、擬似焦点の周辺部の走査に相当
する。図６ｃの強度分布では図５ｃに示すような熱エネ
ルギーの分散による損失を補償することができる。

【００６４】このように、本願発明の装置によれば、治
療を行っている領域に照射されるエネルギーを制限する
ことができ、このため、１回目の照射の後、散失した熱
を補償するのに必要なだけのエネルギーを供給するだけ
でよい。このように、かなりの期間擬似焦点の温度をほ
ぼ一定に保つことができる。

【００６５】本願発明では三次元の標的を破壊する場合
にも同じ原理を用いる。このような標的の場合は、異な
る層（面）を順次治療する。図７ａ〜図７ｃは擬似焦点
が形成されている面及びそれよりも手前にある面でのパ
ワー強度分布が示されている。図７ａは１回目の照射後
の直径方向面での擬似焦点のパワー強度分布を示してい
る。図７ａは図４ｂ及び図６ａと同じである。図７ｂは
前記直径方向面に並行な他の直径方向面での擬似焦点の
パワー強度分布、すなわち、変換器に近い側でのパワー
強度分布を示している。破壊スレッショルド値に相当す
る前記パワーレベルを図４ａ，４ｂの場合のようにＩ_o
で示す。図７ｂに示すように照射期間中は擬似焦点面の
手前にも一定量のエネルギーが蓄積される。本願発明に
おいては、この擬似焦点面に治療を行う場合はこのよう
な事実も考慮する。すなわち、三次元の標的が含まれて
いる場合は標的を複数層に分割し、１回目の照射では最
も深い層を治療し図４ａ，４ｂに示すように問題の層の
標的全体がカバーされるように焦点の移動回数を選択す
る。ほぼ均一にこの層の走査が終了すると、次の層の治
療が行われる。この層は変換器に近い側の層である。こ
の層の場合、図７ｂに示すように１回目の照射で問題の
層には一定量のエネルギーが蓄積されているということ
を考慮しなくてはならない。従って、第２層目の細胞を
確実に破壊するにはこの蓄積エネルギーを適当に補うだ
けでよい。図７ｃは図７ｂの直径方向面と同じ面での第
２回目の照射期間に照射されたパワー強度分布である。

【００６６】このように、確実かつ効果的に細胞を破壊
しているが、標的へ照射されるエネルギーの全体量は一
層減少している。

【００６７】例えば、１辺が１０ｍｍの立方体の場合は
５つの連続層に分割して治療する。第１層（最も深い
層）は、例えば、第１回目の照射において、焦点を１０
０回移動させながら正方形の面を均一に走査して０．４
秒間治療する。次に２ｍｍ表面に近い側にある第２層は
１回目の照射の直後に２回目の照射を０．２秒間行って
治療する。しかしこの場合は、正方形の面を均一に走査
するのではなくむしろ図７ｃのように正方形の面の周辺
部分に特に照射して１回目の照射期間中に蓄積されたエ
ネルギーに加えてエネルギーの補充を行う。このような
操作をくり返し行うことにより約１秒の間に完全に標的
を治療することができるが、この期間の熱の拡散はわず
かなものである。

【００６８】これは標的全体の破壊が必要な場合の治療
方法である。また、三次元標的の表面だけを治療してそ
の外側を壊死させることもできる。

【００６９】さらに、図６ａ〜６ｃと図７ａ〜７ｃで説
明した本願発明の実施例を組み合わせることもできる。
このように、熱拡散による経時的温度変化や擬似焦点面
外のエネルギーを同時に考慮することができる。

【００７０】本願発明では、治療の標的の形を決定し、
その後、熱エネルギーの分散及び／または擬似焦点面外
のエネルギーを考慮するため、様々な治療照射をコンピ
ューターでシミュレートする。焦点の形が予め決まって
いるため、焦点の各位置について、その次の焦点となる
べき位置の温度がそれまでに行われた照射によるエネル
ギーでどの程度になったかをコンピュータで算出する。
所望の温度が得られるようコンピュータは焦点の次の位
置でのパワー強度を調整する。このため、標的の全ての
点において、過剰エネルギーによる火傷の危険性を減少
させつつ細胞を確実に破壊するのに十分なエネルギー量
を決めることができる。

【００７１】どの照射もその前の照射に関連していると
いう事実を十分に考慮するため、前記コンピュータシミ
ュレーションを繰り返し連続して行う。しかしながら、
パワー強度が正しく調整されていれば、組織は１回目の
照射時に破壊されることもある。このような条件のもと
では、超音波は火傷した部位をほとんど伝播しないた
め、次の照射はすでに火傷した部位にはほとんど影響す
ることがなく、そのため計算は簡単になる。他の算出及
びシミュレーション方法も利用できる。

【００７２】熱拡散による損失に適切に適応させるた
め、擬似焦点の形にかかわりなく照射エネルギーの分布
を変化させることができる。擬似焦点の形は既に述べた
立方体または円形に限られるものではない。このよう
に、照射エネルギー量を制限することにより擬似焦点全
体または標的となっている塊の温度を一定に保つことが
できる。このため、擬似焦点外での温度上昇を制限でき
る。

【００７３】このタイプの治療では擬似焦点でのパワー
強度を変化させることが必要な場合もあり、そのような
場合には、各焦点位置間の間隔を変更することができ
る。上述したように、移動間隔が焦点のパワー強度６ｄ
Ｂとなる箇所の直径に等しい場合に擬似焦点の重なりは
最適となる。

【００７４】さらに、焦点が所定の位置にある時に励振
信号の持続期間を変化させることができる。上述の例で
は、励振信号の持続期間は１ｍｓであるが０．１ｍｓ〜
２０ｍｓの範囲で変化させることができる。

【００７５】最小送信持続期間には次のような制限があ
る。すなわち、波列の開始と終了の部分で見られるよう
な過渡的作動条件の期間よりも長い時間安定した動作が
行われるよう波列の発振数はこの安定動作にとって十分
なものでなくてはならない。

【００７６】このようにすれば、出力波形の振幅と波形
は安定する。つまり、整合のとれたセラミックの場合は
４〜５個の発振の後で振幅と波形が安定する。これは１
ＭＨｚの周波数の場合は約４〜５μｓに等しい。

【００７７】最悪の場合には互いに異なる別々のセラミ
ックから出力された波列が焦点にてかなり重複すること
がある。この期間は約５μｓで、１ＭＨｚの周波数の場
合の５個の発振に相当する。

【００７８】このような状況では、過渡的条件での動作
は最大約１０μｓ間持続する。このように０．１ｍｓの
最小持続期間でも有効な治療を確実に行うことができ
る。

【００７９】次に、焦点が所定地点にある場合の最大送
信持続時間は、当然のことながら、温度分布を変化させ
るような熱エネルギーの分散がほとんど発生しないよう
な短時間のあいだに治療領域全体を走査できなくてはな
らない。例えば、治療領域の大きさの関数としては、全
体として１〜５秒の持続期間が適当である。この期間は
焦点の数及び各点での送信期間によって決まる。

【００８０】焦点の各位置での送信期間はこうして決め
る。位置の数が１０００の場合、送信期間は最大１ｍｓ
まで増加でき、また、位置の数が１００の場合は１０ｍ
ｓとなる。ここでは、最大送信期間は２０ｍｓとするの
が妥当である。

【００８１】最後に、ブランク期間を用いる場合は、焦
点位置の変化期間であるブランク期間を変化させること
ができる。

【００８２】本願発明では、照射強度を変更できるが、
この場合は圧電素子から出力される超音波信号や励振信
号の振幅は変化しない。このため使用装置の構造を著し
く簡略化することができる。

【００８３】図８は図１の超音波温熱治療装置のさらな
る実施例のブロック図である。ここで、図８の送信器３
_iには複数のライン２０_i,1から２０_i,10を介してアド
レス発生器５からの１０ビットのアドレス信号が受信さ
れるがこのアドレス信号は焦点の位置を表している。

【００８４】また、この送信器３_iには高周波パイロッ
ト信号発生器４からの高周波パイロット信号が受信され
る。超音波信号の送信周波数がｆの場合は、すでに説明
したように、圧電素子からの信号は１／１６周期の倍数
分だけ位相がずれてしまう。高周波パイロット信号発生
器４に組み込まれているクロック４０の発振周波数は１
６．ｆで４ビットの十進カウンター４１を駆動する。カ
ウンター４１の出力端の最上位ビット（ＭＳＢ）では周
波数ｆの矩形信号が出力される。

【００８５】送信器３_iには例えばＲＯＭメモリー２１
_i（あるいはその他のタイプのメモリー）のようなメモ
リー手段が設けられており、このメモリー手段の入力端
には焦点の位置を表す信号がライン２０_i,1〜２０_i,10
を介して供給されており、またその出力端からは４ビッ
トの移相信号を出力されている。

【００８６】送信器３_iには２ｘ４ビットの加算器２２
_iが設けられており、この入力端にはＲＯＭメモリー２
１_iからの４ビット出力が入力されており、また、他の
入力端には高周波パイロット信号発生器４のカウンター
４１からの４ビット信号が入力されている（後で図１０
を参照しながら説明するように任意に補助ゲートを介す
る場合もある）。このように、加算器２２_iの出力端の
最上位ビット（ＭＳＢ）では、ＲＯＭメモリー２１_iで
決めた位相ずれに等しい期間だけ遅延された周波数ｆの
クロック信号が得られる。

【００８７】送信器３_iの第２の２ｘ４ビット加算器２
３ｉは第２の一定の位相ずれを行わせることができる。
加算器２３_iの入力端の一つには加算器２２_iからの出
力が入力され、他の入力端には４ビット信号が入力され
る。この信号は２つの制御信号の間の遊び時間を可変す
る。圧電素子２_iに接続されている送信器２５_i用の２
個のプッシュプルトランジスタ駆動信号を分けている遊
び時間にもよるが、遊び時間を決める制御信号は圧電素
子全てについて一定レベルを有している。

【００８８】送信器３_iのゲート２４_iの入力端には加
算器２２_iから出力されたＭＳＢと加算器２３_iから出
力されたＭＳＢが入力される。ゲート２４_iのＡＮＤ及
びＮＯＲ出力端からはプッシュプルトランジスタ駆動信
号を出力して送信器２５_iを制御する。

【００８９】図９は図８の回路図での信号のタイミング
を示したチャートである。図９において、クロック４０
からは周波数は１６．ｆの信号３０が出力されており、
カウンター４１か信号３１〜３４が出力されており、信
号３４は周波数ｆのＭＳＢに等しく、加算器２２_iから
出力されるＭＳＢである信号３５はメモリー２１_iから
出力される遅延信号３４に対して位相がずれており、加
算器２３_iから出力されるＭＳＢである信号３６は遊び
時間に相当分だけ信号３５に対して位相がずれており、
ゲート２４からは信号３７、３８が出力される。

【００９０】図８の回路は単純であるが極めて安定して
いる。この回路は構造が単純であるため変換器の圧電素
子に合わせて複数の回路を簡単に生産することができ
る。

【００９１】図８の回路では、遅延の値は固定であり、
焦点の位置が変化する時だけしかその値は変更されない
ため回路動作は安定している。このように、遅延信号を
フィルター処理できる。同様に、強力な干渉スパイク等
により値が変化するような場合でもその干渉は過渡的な
ものにすぎない。

【００９２】図１０は本願発明のさらなる実施例の超音
波温熱治療装置を示している。図１０には高周波パイロ
ット信号発生器４、１６．ｆの周波数で作動するクロッ
ク４０とカウンター４１が示されている。

【００９３】治療を開始する前にアドレス発生器５の２
個の再プログラム可能メモリー（ＲＡＭまたはＥＥＰＲ
ＯＭ）５１、５２に治療変数を入力する。この治療変数
とはすなわち、全照射時間、焦点の連続した複数の位
置、焦点の各位置での超音波送信期間などコンピュータ
ーシミュレーションの結果求められた変数である。

【００９４】アドレス発生器５のカウンター５３には、
焦点の連続した複数の位置の全てに対する現在の位置を
特定する数字が納められている。メモリー５１、５２に
は現在の焦点の位置を表す信号がカウンター５３から常
に出力されている。

【００９５】治療期間中は、上述したように、ライン８
_i,1〜８_i,n（図３）またはライン２０_i,1〜２０_i,10
（図１０）を介して現在の焦点の位置を表すアドレスが
送信器３_iに出力される。アドレス発生器５にはイネー
ブル回路５４と遅延回路５５も組み込まれている。イネ
ーブル回路５４には、超音波送信の期間と焦点の現在位
置を表すデジタル信号がメモリー５２から入力される。

【００９６】さらに、このイネーブル回路５４には遅延
回路５５とカウンター４１を介して周波数ｆのクロック
信号もクロック４０から入力される。

【００９７】図１１にはこのイネーブル回路５４の内部
構造が示されており、カウンターと比較器が内蔵されて
いる。イネーブル回路５４はメモリー５２から供給され
る持続期間信号の期間はカウントを行っており、イネー
ブル信号を出力する。イネーブル回路５４のカウンター
４１からの出力値がメモリー５２から供給される目標値
に達すると、イネーブル回路５４はイネーブル信号の出
力を停止する。次に、イネーブル回路５４のカウンター
４１をリセットすると、遅延回路５５はクロック４１か
ら出力されているクロック信号を禁止する。また、焦点
の現在位置を特定する数字が納められたカウンター５３
にイネーブル信号の停止が通知されて焦点がある特定の
位置にある時超音波の出力が停止したことが示される。
すると、カウンター５３は焦点の位置に関する次の連番
を表す信号をメモリー５１、５２に出力する。メモリー
５１、５２はそれに相当する位置及び期間を出力する。

【００９８】調整自在なインターバルが経過すると、遅
延回路５５は再びクロック信号をイネーブル回路５４へ
出力させる。

【００９９】ＡＮＤゲート４２の入力端にはイネーブル
回路５４から出力されたイネーブル信号がカウンター４
０からのＭＳＢと一緒に入力される。ＡＮＤゲート４２
からの出力は周波数ｆのクロック信号として送信器３_i
に送出される。このように、超音波の送信期間に等しい
期間、送信器３_iは信号を受信するだけであるが、この
信号の最上位ビットの部分はクロック信号に相当する。
また、送信器３_iで受信する信号の残りのビット（最下
位ビット）はカウンター４１から出力される。

【０１００】遅延回路５５では、焦点をある位置から別
の位置に移動させている最中は送信全てを防止すること
ができ、次に必要であれば焦点の２つの位置での超音波
送信の間隔を増加させたりあるいは減少させて平均的な
パワーに調整することができる。

【０１０１】図１１は図１０のイネーブル回路５４の詳
細なブロック図を示したものである。ここで、イネーブ
ル回路５４のカウンター５７は遅延回路５５で生成され
たクロック信号を受信する。カウンター５７からの出力
は比較器５８の一方の入力端に供給され、また、比較器
５８のもう一方の入力端にはメモリー５２からの持続期
間信号が入力される。比較器５８からの出力はＲＳフリ
ップフロップ回路５９のＳ入力端に出力され、このＲＳ
フリップフロップ回路５９の出力端からはイネーブル回
路５２からのイネーブル信号が出力される。このよう
に、カウンター５７から出力された値がメモリー５２か
ら出力された持続期間に達するとフリップフロップ回路
５９からの出力はリセットされる。

【０１０２】送信後に遅延を行わせるため、フリップフ
ロップ回路５９の出力信号は遅延回路５５にも入力され
る。この出力信号はゲート６０の一方の入力端にも入力
されるが、このゲート６０のもう一方の入力端には遅延
回路５５からの信号が入力される。そして、このゲート
６０の出力はフリップフロップ回路５９のＲ入力端に供
給される。このように、ゲート６０はリセットされると
フリップフロップ回路５９は１に設定される。フリップ
フロップ回路５９からの出力信号はカウンター５７のリ
セット入力端にも供給されており、送信の最後にカウン
ター５７はリセットされる。遅延回路５５がクロック信
号の禁止を停止すると、第１クロック信号のエッジ部分
によりフリップフロップ回路５９は１に設定され、こう
してカウンター５７は再スタートする。

【０１０３】図８〜図１１の装置により、簡単で安定性
のある回路を用いて本願発明を実施することが可能にな
る。

【０１０４】図１２は本願発明の焦点及び擬似焦点の形
の一例を示したものである。図１２の焦点及び擬似焦点
は細長い形状をしており、治療領域が治療中に移動する
場合の影響を軽減できる。図１２の実線は焦点を示して
おり、例えば、図２や図３に示されるような装置を用い
て適当な送信器３_iの位相をずらせば図１２のような細
長い形状の焦点が得られる。この場合、焦点を治療領域
の移動方向に細長い形状となるようにできるといった利
点がある。このため、焦点が円形の場合に比べて走査面
と擬似焦点の表面積の比が小さくなり、治療領域が治療
中に移動することによる影響が軽減される。

【０１０５】本願発明の超音波温熱治療装置は次のよう
に制御する。まず、周知の手段を用いて治療領域の位置
と大きさを判別する。次に、治療に必要な層の数を決定
し、各層の標的の形を判別する。

【０１０６】標的の性質や治療の深さに応じて、超音波
治療波の周波数を決める。

【０１０７】さらに、擬似焦点の大きさ、また適当であ
ればその形を選択する。必要であればこれは各層毎に行
う。こうして選択した擬似焦点について、治療期間、お
よび細胞を確実に破壊するのに必要な超音波パワーを決
定する。治療そのものは従来と同じように行われるが、
移動中の標的を走査する場合に発生するような問題等の
従来の問題はなくなる。ここで、本願発明の擬似焦点は
標的の移動が無視できるくらい高速度で形成される。

【０１０８】焦点の直径が約２ｍｍとなる従来の装置で
は、超音波周波数が１ＭＨｚで音響パワーが約１０ｋＷ
の場合は治療時間は約０．１秒であった。０．１秒の持
続時間は約２秒の安定化時間（熱エネルギーの分散によ
る熱損失が超音波の供給エネルギーを相殺する時間）よ
りも短い。

【０１０９】擬似焦点が大形になれば、直径の増加に従
って安定化時間も増加する。このため、焦点自体よりも
５０倍も表面積が大きく、また、直径が約１５ｍｍもあ
る擬似焦点の場合は安定化時間は約１５秒となる。エネ
ルギー量が上がるため、擬似焦点内の細胞を破壊するの
に必要な時間は５０倍とはならず、周波数とパワーが同
じであれば時間は約２．５秒である。このように、本願
発明によれば治療時間は安定化時間よりもまだ小さい。
また、治療時間が十分小さいため本願発明の装置は治療
領域が移動してもほとんど影響を受けない。

【０１１０】当然のことであるが、本願発明の実施例は
上記のものにのみ限定されるものではなく、他にも様々
な変更例が可能である。

【０１１１】上記のように、本願発明によれば、焦点か
ら擬似焦点を作り出すための走査の方法は複数ある。焦
点は一平面内を移動するが空間を移動することもでき
る。擬似焦点は球形または長円形とすることができ、ま
た、二次元または三次元にもできる。

【０１１２】最後に、移相装置の代わりに遅延線や他の
等価機構を用いて焦点を移動させることができる。この
ように、「位相ずれ」には、位相の変化に等しい遅延を
利用するような場合も含まれる。また、変換器が小型の
場合は、移動ミラーやプリズムなどの機械的装置を用い
て変換器を基準とする焦点の位置を変化させることがで
きる。さらに、この場合は、治療中の患者に固定してお
く変換器を支承する手段に対して焦点を移動させながら
変換器全体を機械的に移動することもできる。選択した
装置がどのようなものであっても、本願発明では異なる
手段を用いて治療領域に対して焦点を移動することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の超音波温熱治療装置における焦点のパワ
ー強度を示したグラフ

【図２】本願発明の方法で制御する超音波温熱治療装置
を示した概略図

【図３】図２の超音波温熱治療装置の送信器の一例を示
す図

【図４】図４ａは本願発明の超音波温熱治療装置の焦点
のパワー強度を示したグラフであり、図４ｂは本願発明
の超音波治療装置で擬似焦点を生成した時のそのパワー
強度を示したグラフ

【図５】図５ａ〜５ｃは本願発明の合成焦点での経時的
温度変化を示したグラフ

【図６】図６ａ〜６ｃは擬似焦点でのパワー強度分布を
示しており、一定の温度を保てることを示したグラフ

【図７】図７ａ〜７ｃは擬似焦点の平面内およびこの焦
点より手前の平面内でのパワー強度分布を示したグラフ

【図８】図１の超音波温熱治療装置の他の実施例を示し
たブロック図

【図９】図８の回路に使用されている信号のタイミング
を示したタイミングチャート

【図１０】本願発明の超音波温熱治療装置のさらにその
他の実施例を示したブロック図

【図１１】図１０のイネーブル回路の一例を詳細に示し
たブロック図

【図１２】本願発明の超音波治療装置で生成される焦点
及び擬似焦点の一例を示した概略図

【符号の説明】

１変換器２圧電素子３送信器４高周波パイロット信号発生器５アドレス発生器９、２１ＲＯＭメモリー１０シフトレジスター１１送信装置２２、２３加算器４０クロック４１、５３、５７カウンター４２ＡＮＤゲート５１、５２再プログラム可能メモリー５４イネーブル回路５５遅延回路５８比較器５９フリップフロップ回路６０ゲート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気信号でそれぞれ励振する複数の圧電
素子を有した変換器からなる超音波温熱治療装置の制御
方法において、焦点に超音波を集束する段階と前記超音
波の照射中に前記変換器または前記変換器を支持する手
段を基準とする前記焦点の位置を変化させる段階とから
なり、前記変換器または前記変換器を支持する前記手段
を基準とする前記焦点位置の変化速度は治療領域の熱エ
ネルギーの拡散速度よりも早く、また、超音波照射の期
間中に前記変換器または前記変換器を支持する前記手段
を基準とする前記焦点の位置を変化させて走査すること
により形成される領域である擬似焦点中の各点に照射さ
れるエネルギーが前記治療領域内の組織細胞を破壊する
のに必要なエネルギーにほぼ等しくなるように複数の焦
点間の重なり具合と焦点のピークパワーを制御すること
を特徴とする超音波温熱治療装置の制御方法。
【請求項２】前記変換器に対する前記焦点の位置を変
化させるには、前記圧電素子を励振する前記電気信号の
相対的な位相を変化させるだけでよいことを特徴とする
請求項１記載の超音波温熱治療装置の制御方法。
【請求項３】照射期間中における前記擬似焦点内を均
一に走査することを特徴とする請求項１または２記載の
超音波温熱治療装置の制御方法。
【請求項４】１または複数回行われたこれまでの照射
ですでに供給されたエネルギーに加えてさらに補充を行
うため、照射期間中における前記擬似焦点内を不均一に
走査することを特徴とする請求項１または２記載の超音
波温熱治療装置の制御方法。
【請求項５】照射期間中は、前記超音波エネルギーは
複数のブランク期間で分断された波列の状態で出力され
ており、また、当該ブランク期間中は前記変換器を基準
とする前記焦点の位置は変化することを特徴とする請求
項１〜４のうちいずれか１項記載の超音波温熱治療装置
の制御方法。
【請求項６】１回の照射期間中に、前記超音波エネル
ギーは連続波の状態で出力され、また、超音波エネルギ
ーの出力を遮断することなく前記変換器に対する前記焦
点の位置が変化することを特徴とする請求項１〜５のう
ちいずれか１項記載の超音波温熱治療装置の制御方法。
【請求項７】前記焦点は細長い形状をしており、前記
変換器のほぼ長手方向に移動することを特徴とする請求
項１〜６のうちいずれか１項記載の超音波温熱治療装置
の制御方法。
【請求項８】複数の電気的励振信号で励振する複数の
圧電素子と、前記励振信号を移相させる手段と、前記励振信号を前記圧電素子にそれぞれ送信する複数の
送信器と、前記送信器に共通パイロット信号を出力する高周波パイ
ロット信号源と、アドレス発生器とを有してなり、前記励振信号を移相させる前記手段は、前記送信器にそ
れぞれ設けられ前記パイロット信号を前記アドレス発生
器から入力されるアドレスの関数として移相させる手段
から構成されていることを特徴とする超音波温熱治療装
置。
【請求項９】前記送信器のそれぞれに設けられている
前記パイロット信号移相手段は、シフトレジスターとメ
モリー手段から構成されており、当該メモリー手段は前
記アドレス発生器から入力される前記アドレスの関数と
して前記シフトレジスターを制御するものであり、ま
た、前記メモリー手段は前記シフトレジスターと前記メ
モリー手段が配設されている前記送信器の位置の関数と
して予めプログラムされていることを特徴とする請求項
８記載の超音波温熱治療装置。
【請求項１０】前記シフトレジスターはそれぞれ１／
１６周期単位で前記パイロット信号の位相をずらすこと
ができることを特徴とする請求項９記載の超音波温熱治
療装置。
【請求項１１】前記シフトレジスターはそれぞれ１／
８周期単位で前記パイロット信号の位相をずらすことが
できることを特徴とする請求項９記載の超音波温熱治療
装置。