JPH08115956A - Production of probe pin for checking semiconductor element - Google Patents
Production of probe pin for checking semiconductor elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の電気的特
性の検査に用いられるプローブピンの製造方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a probe pin used for inspecting the electrical characteristics of a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子のパッケージには、フラット
パッケージ（ＦＰ）やテープキャリアパッケージ（ＴＣ
Ｐ）など種々の方式があるが、いずれのパッケージにお
いても、リード部に設けられる電極パッドを介して内部
回路と外部回路が接続される。従って上記電極パッドに
は、配線の際の接合性を確保する為に、予めＳｎメッキ
処理またはハンダ付け処理が施されてＳｎ含有被覆層が
形成されている。2. Description of the Related Art Semiconductor packages include flat packages (FP) and tape carrier packages (TC).
Although there are various methods such as P), in any package, the internal circuit and the external circuit are connected via the electrode pad provided in the lead portion. Therefore, the Sn-containing coating layer is formed on the electrode pad in advance by performing Sn plating treatment or soldering treatment in order to secure the bondability at the time of wiring.
【０００３】前記半導体素子の電気的特性を検査するに
あたっては、複数のプローブピンが配設されたプローブ
カードが用いられており、上記プローブピンを前記電極
パッドに圧接することによって半導体素子とテスターの
導通が得られる様に構成されている。上記プローブカー
ドとして、例えば特開平１−１２８５３５には、図１の
（ａ），（ｂ）に示すようなプローブカードが開示され
ている。図１の（ａ）はプローブカードの平面図、
（ｂ）はプローブカードの側面図であり、１がプローブ
ピン、２がカード基板、３がプローブピン取付部を夫々
示す。尚、上記プローブピン取付部においてはハンダ付
け処理がなされており、プローブピン１はカード基板２
に固着されている。上記プローブピンの材質としては、
高温強度に優れたＷなどが用いられているが、Ｗに数％
のＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元素を加えた合金を用いるこ
とによってＷのハンダ濡れ性の向上を図ることも知られ
ている。In inspecting the electrical characteristics of the semiconductor element, a probe card having a plurality of probe pins is used, and the probe pin is pressed against the electrode pad so that the semiconductor element and the tester are separated from each other. It is configured to obtain continuity. As the probe card, for example, JP-A-1-128535 discloses a probe card as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). FIG. 1A is a plan view of the probe card,
(B) is a side view of the probe card, in which 1 is a probe pin, 2 is a card substrate, and 3 is a probe pin mounting portion. The probe pin mounting portion is soldered, and the probe pin 1 is attached to the card substrate 2
It is stuck to. As the material of the probe pin,
W, which has excellent high-temperature strength, is used, but W has a few%
It is also known to improve the solder wettability of W by using an alloy containing an element such as Ni, Co or Fe.
【０００４】しかしながら、上記のようなプローブピン
を用いて検査を行うと、テスト回数が増えるにつれて、
電極パッドのＳｎ含有被覆層に由来するＳｎがプローブ
ピンの先端に溶着してＳｎ酸化物を形成し、プローブピ
ンと電極パッド間の接触抵抗が大きくなり、やがては良
品も不良品と判定する疑似不良が発生し、安定した検査
結果が得られなくなるという問題を有していた。However, if an inspection is performed using the probe pins as described above, as the number of tests increases,
Sn derived from the Sn-containing coating layer of the electrode pad is welded to the tip of the probe pin to form Sn oxide, the contact resistance between the probe pin and the electrode pad increases, and eventually a good product is also judged as a defective product. However, there is a problem that stable inspection results cannot be obtained.
【０００５】尚、半導体素子の電気的特性の検査は、一
般的に連続生産ラインの一工程として行われているが、
上記プローブピンを用いて検査を行うことにより疑似不
良が発生すると、製品歩留が低下すると共に、連続生産
ラインの稼働率も低下させるという問題を起こしてい
る。Incidentally, the inspection of the electrical characteristics of the semiconductor element is generally performed as one step of a continuous production line.
When a pseudo defect is generated by performing an inspection using the probe pin, there is a problem that the product yield is reduced and the operating rate of the continuous production line is also reduced.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、プローブピンへのＳｎの
溶着を防止して、疑似不良が発生することのないプロー
ブピンの製造方法を提供しようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is a method of manufacturing a probe pin that prevents Sn from adhering to the probe pin so that pseudo defects do not occur. Is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明とは、少なくともＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅのいずれかを含有
するＷ合金、またはＷを素材とする半導体素子チェック
用プローブピンの製造方法であって、アルカリ金属水酸
化物を０．１ｇ／リットル以上含有する溶液に浸漬して
電解を行うか、或いはアルカリ金属またはアルカリ土類
金属の硝酸塩または亜硝酸塩を０．５ｇ／リットル以上
含有する溶液に浸漬して電解を行うことによって、上記
プローブピンの先端に曲面部を形成することを要旨とす
るものである。The present invention, which has solved the above-mentioned problems, refers to a method of manufacturing a probe pin for checking a semiconductor element, which is made of W alloy containing at least any one of Ni, Co and Fe or W. Therefore, electrolysis is carried out by immersing in a solution containing 0.1 g / liter or more of alkali metal hydroxide, or a solution containing 0.5 g / liter or more of alkali metal or alkaline earth metal nitrate or nitrite. The gist of the invention is to form a curved surface portion at the tip of the probe pin by immersing the probe pin in electrolysis.
【０００８】尚、上記溶液の温度は０〜７０℃であるこ
とが好ましく、アルカリ金属水酸化物を含有する溶液を
電解に用いる場合には、電解電圧を０．１Ｖ以上とする
ことによってプローブピンの先端に曲面部を形成するこ
とができ、さらに電解開始時の電圧を０．１Ｖ以上と
し、且つ電解終了時の電圧を電解開始時の電圧より小さ
くしてもよい。The temperature of the above solution is preferably 0 to 70 ° C. When a solution containing an alkali metal hydroxide is used for electrolysis, the electrolysis voltage is set to 0.1 V or more to obtain a probe pin. A curved surface can be formed at the tip of the electrode, the voltage at the start of electrolysis can be 0.1 V or higher, and the voltage at the end of electrolysis can be smaller than the voltage at the start of electrolysis.
【０００９】また、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属の硝酸塩または亜硝酸塩を含有する溶液を電解に用い
る場合には、電解電圧を０．２Ｖ以上とすることによっ
てプローブピンの先端に曲面部を形成することができ、
さらに電解開始時の電圧を０．２Ｖ以上とし、且つ電解
終了時の電圧を電解開始時の電圧より小さくしてもよ
い。When a solution containing a nitrate or nitrite of an alkali metal or alkaline earth metal is used for electrolysis, the curved surface is formed at the tip of the probe pin by setting the electrolysis voltage to 0.2 V or more. It is possible,
Furthermore, the voltage at the start of electrolysis may be 0.2 V or higher, and the voltage at the end of electrolysis may be smaller than the voltage at the start of electrolysis.
【００１０】[0010]
【作用】プローブピンへのＳｎ溶着を招く要因として
は、プローブピンの先端形状と先端部材質が挙げられ
る。即ちプローブピンの先端形状は、図２に示す通り、
先端面が平坦であると共に、側面とで形成される角度ａ
が９５°前後と鋭い形状を呈し、この部分が電極パッド
部上にコンタクトされるものであるから、例えばプロー
ブピン又は半導体素子の位置や角度が多少なりともずれ
ると、コンタクト時の接触面積が非常に小さくなる場合
が発生する。接触面積が小さいと検査時に通電される電
流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇
し、メッキ層中のＳｎが溶融してプローブピンの先端に
溶着する。一方先端部の材質として、Ｗの母材中にＮ
ｉ，Ｃｏ，Ｆｅのいずれか１種以上を含有する場合に
は、Ｓｎ溶着が発生しやすいことが分かっている。The factor that causes Sn welding to the probe pin includes the tip shape of the probe pin and the material of the tip member. That is, the tip shape of the probe pin is as shown in FIG.
The tip surface is flat and the angle a formed with the side surface is a
Has a sharp shape of about 95 °, and this portion is contacted with the electrode pad portion. Therefore, for example, if the position or angle of the probe pin or the semiconductor element deviates somewhat, the contact area at the time of contact becomes extremely large. There are cases where it becomes small. If the contact area is small, the current density applied during inspection increases, and the temperature of the contact portion rises, causing Sn in the plating layer to melt and adhere to the tip of the probe pin. On the other hand, as the material of the tip, N in the base material of W
It has been found that Sn welding is likely to occur when one or more of i, Co, and Fe are contained.
【００１１】上記知見をもとに本発明者らは、プローブ
ピン又は半導体素子が多少ずれた場合であっても、コン
タクト時の接触面積が小さくなることがない様に、上記
プローブピンの先端に曲面部を形成することが重要であ
るとの結論に至った。しかしながら、これまでＷまたは
Ｗ合金を材質とし、しかも先端径Ｒが５０μｍ程度の微
細な先端部を有するプローブピンに良好な曲面部を与え
る様な加工技術は開示されていない。Based on the above knowledge, the present inventors have found that the tip of the probe pin does not have a small contact area even when the probe pin or the semiconductor element is slightly displaced. It was concluded that it is important to form the curved surface. However, no processing technique has been disclosed so far that a probe pin made of W or W alloy and having a fine tip having a tip diameter R of about 50 μm is provided with a good curved surface.
【００１２】そこで本発明者らは鋭意研究を重ねた結
果、アルカリ性溶液を用いて特定の条件で電解を行うこ
とによって、ＷまたはＷ合金からなるプローブピンの微
細な先端部に曲面形成加工を行う方法を見出したもので
ある。Therefore, as a result of intensive studies by the present inventors, a curved surface is formed on a fine tip portion of a probe pin made of W or W alloy by performing electrolysis under a specific condition using an alkaline solution. It is how to find a method.
【００１３】上記アルカリ性溶液としては、ＮａＯＨや
ＫＯＨなどのアルカリ金属水酸化物を含有する溶液か、
或いはＫＮＯ2 ，ＫＮＯ3 ，ＮａＮＯ2 ，Ｃａ（ＮＯ
2 ）2，Ｃａ（ＮＯ3 ）2 などのアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属の硝酸塩または亜硝酸塩（以下、代表し
てアルカリ金属硝酸塩ということがある）を含有する溶
液を用いればよい。The above-mentioned alkaline solution is a solution containing an alkali metal hydroxide such as NaOH or KOH,
Alternatively, KNO 2 , KNO 3 , NaNO 2 , Ca (NO
2 ) A solution containing a nitrate or nitrite of an alkali metal or an alkaline earth metal such as 2 , 2 (Ca (NO 3 ) 2 ) (hereinafter, may be representatively referred to as alkali metal nitrate) may be used.
【００１４】電解条件は、目的の加工形状に応じて溶液
濃度，溶液温度，電解電圧，電解時間などを適宜設定す
ればよいが、アルカリ金属水酸化物を含有する溶液を用
いる場合には、上記アルカリ金属水酸化物を０．１ｇ／
リットル以上含有させることが必要であり、５ｇ／リッ
トル以上が好ましく、飽和状態を上限として濃度は高い
方がより好ましい。またアルカリ金属硝酸塩を含有する
溶液を用いる場合には、上記アルカリ金属硝酸塩を０．
５ｇ／リットル以上含有させることが必要であり、１０
ｇ／リットル以上が好ましく、飽和状態を上限として濃
度は高い方がより好ましい。溶液温度は、０〜７０℃の
範囲が好ましく、１０〜４０℃であるとより望ましい。As the electrolysis conditions, the solution concentration, the solution temperature, the electrolysis voltage, the electrolysis time and the like may be appropriately set according to the desired processed shape, but when a solution containing an alkali metal hydroxide is used, 0.1 g of alkali metal hydroxide /
It is necessary to contain liters or more, preferably 5 g / liter or more, and it is more preferable that the concentration is high with the saturated state being the upper limit. When a solution containing an alkali metal nitrate is used, the alkali metal nitrate is added to 0.2%.
It is necessary to contain 5 g / liter or more, and 10
The concentration is preferably g / liter or more, and more preferably the concentration is high with the saturated state as the upper limit. The solution temperature is preferably in the range of 0 to 70 ° C, more preferably 10 to 40 ° C.
【００１５】また電解電圧は、アルカリ金属水酸化物を
含有する溶液を用いる場合には、０．０１Ｖ以上で行え
ばよく、プローブピンの先端形状を積極的に加工する場
合には０．１Ｖ以上であることが推奨され、好ましくは
０．５Ｖ以上であり、１．０Ｖ以上であるとより望まし
い。アルカリ金属硝酸塩を含有する溶液を用いる場合の
電解電圧は、０．０２Ｖ以上であればよく、プローブピ
ンの先端形状を積極的に加工する場合には０．２Ｖ以上
であることが推奨され、好ましくは０．５Ｖ以上であ
り、１．０Ｖ以上であるとより望ましい。本発明は、電
解電圧の上限を設定するものではないが、高くとも１０
Ｖであれば十分である。The electrolysis voltage may be 0.01 V or higher when a solution containing an alkali metal hydroxide is used, and 0.1 V or higher when the tip shape of the probe pin is positively processed. Is recommended, and preferably 0.5 V or higher, and more preferably 1.0 V or higher. The electrolytic voltage in the case of using a solution containing an alkali metal nitrate may be 0.02 V or more, and 0.2 V or more is recommended when positively processing the tip shape of the probe pin, which is preferable. Is 0.5 V or more, and more preferably 1.0 V or more. The present invention does not set the upper limit of the electrolysis voltage, but at most 10
V is sufficient.
【００１６】尚、電解開始時の電圧は電解終了時の電圧
がより小さくすることが好ましく、まず初期段階では比
較的高い電圧を適用して先端部の全体形状をおおむね目
的に従った形に加工しておき、次に、できるかぎり電圧
を低く設定して緩和な条件で電解を行うことにより、先
端部の表面粗さを小さくして、表面性状の良好なプロー
ブピンが製造できる。It is preferable that the voltage at the start of electrolysis be smaller than that at the end of electrolysis. First, in the initial stage, a relatively high voltage is applied to process the overall shape of the tip to a shape generally according to the purpose. Then, next, by setting the voltage as low as possible and performing electrolysis under mild conditions, it is possible to reduce the surface roughness of the tip portion and manufacture a probe pin with good surface properties.
【００１７】更に、プローブピンの材質としては、前述
の通り、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元素を含有するＷ合金
が用いられたり、またはＷの母材にＮｉなどのメッキ処
理が施されていることがある。Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの
元素はＳｎと化合物をつくりやすくＳｎ溶着を起こしや
すいことから、プローブピンの先端部にＮｉ，Ｃｏ，Ｆ
ｅなどの元素が存在する場合には、電解条件を少なくと
も２段階に設定し、まず全ての元素が溶出する電解条件
に設定してプローブピンの先端に所望形状の曲面部を形
成し、次いでＷは溶出せず、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元
素だけが溶出する条件によって電解を行えばよい。Further, as the material of the probe pin, as described above, a W alloy containing an element such as Ni, Co, Fe or the like is used, or a base material of W is plated with Ni or the like. Sometimes. Since elements such as Ni, Co, and Fe easily form compounds with Sn and easily cause Sn welding, Ni, Co, and F are attached to the tip of the probe pin.
When an element such as e is present, the electrolysis conditions are set in at least two stages, and first, the electrolysis conditions are set so that all the elements are eluted to form a curved surface portion having a desired shape at the tip of the probe pin, and then W Does not elute, but electrolysis may be performed under the condition that only elements such as Ni, Co, and Fe elute.
【００１８】具体的には、アルカリ金属水酸化物を含有
する溶液を用いる場合は、まず０．１〜１０Ｖの電圧で
電解を行い、ついで０．０１〜１．０Ｖの電圧で電解を
行えばよい。一方、アルカリ金属硝酸塩を含有する溶液
を用いる場合には、まず０．２〜１０Ｖで電解を行い、
次いで０．０２〜１．０Ｖの電圧で電解を行えばよい。
この様に、電解電圧は溶液の種類などその他の電解条件
によって、上記の範囲内で適宜設定すればよいが、少な
くとも２段階に設定して最初の電解電圧は、変更後の電
解電圧よりも高くすることにより、プローブピンの先端
を所望の形状に加工すると共に、Ｓｎと化合物をつくり
やすいＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元素を溶出させて、Ｓｎ
溶着を防止することができる。しかも電解途中で電圧を
下げることになるので、表面粗さも小さくできる。Specifically, when a solution containing an alkali metal hydroxide is used, first, electrolysis is performed at a voltage of 0.1 to 10 V, and then electrolysis is performed at a voltage of 0.01 to 1.0 V. Good. On the other hand, when using a solution containing an alkali metal nitrate, electrolysis is first performed at 0.2 to 10 V,
Then, electrolysis may be performed at a voltage of 0.02 to 1.0V.
As described above, the electrolysis voltage may be appropriately set within the above range depending on other electrolysis conditions such as the type of solution, but the electrolysis voltage at the beginning of setting at least two stages is higher than the electrolysis voltage after the change. By doing so, the tip of the probe pin is processed into a desired shape, and elements such as Ni, Co, and Fe that easily form a compound with Sn are eluted, and
It is possible to prevent welding. Moreover, since the voltage is lowered during electrolysis, the surface roughness can be reduced.
【００１９】尚、本発明は電解電圧を変化させる方法に
よって限定されるものではなく、２段階以上の設定電圧
範囲間を連続的に変化させてもよく、また段階的に変化
させてもよい。The present invention is not limited to the method of changing the electrolysis voltage, and it may be continuously changed between two or more set voltage ranges, or may be changed stepwise.
【００２０】また、プローブピンの形状によっても制限
を受けず、図１に例示した湾曲形状プローブピンの他、
直線的に形成され途中で屈曲した形状のもの（例えば特
公平１−４５０２９号公報に記載）や、途中で二股にな
ったもの（例えば特開平５−１４４８９５号公報に記
載）など種々の形状のプローブピンに適用できる。The shape of the probe pin is not limited, and in addition to the curved probe pin illustrated in FIG.
Various shapes such as a linearly formed shape that is bent in the middle (for example, described in Japanese Patent Publication No. 1-45029) and a bifurcated shape (for example, described in JP-A-5-144895) Applicable to probe pins.
【００２１】[0021]
【実施例】実施例１ 表１に示す材質のプローブピンを用いてアルカリ金属水
酸化物を含有する溶液により電解を行い、上記プローブ
ピンの先端に曲面部を形成した。電解に用いた溶液の濃
度および温度，電解電圧，電解時間は表１に併記する。 Example 1 A probe pin made of the material shown in Table 1 was used for electrolysis with a solution containing an alkali metal hydroxide to form a curved surface at the tip of the probe pin. Table 1 also shows the concentration and temperature of the solution used for electrolysis, electrolysis voltage, and electrolysis time.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】本発明方法により先端部を加工した本発明
例Ｎｏ．１〜５と、何ら加工を施していない従来のプロ
ーブピンＮｏ．６，７と、りん酸により電解を行ったＮ
ｏ．８を用いて、ＴＣＰ型半導体素子の連続評価試験
（１００回）を行ったところ、Ｎｏ．６〜８のプローブ
ピンの先端にはＳｎ酸化物の溶着が認められたが、本発
明のプローブピンＮｏ．１〜５の先端にはＳｎ酸化物の
溶着は見られなかった。Inventive Example No. 1 in which the tip portion was processed by the inventive method 1 to 5 and the conventional probe pin No. which is not processed at all. 6,7 and N electrolyzed with phosphoric acid
o. When a continuous evaluation test (100 times) of the TCP type semiconductor element was performed using No. 8, No. Welding of Sn oxide was observed at the tips of the probe pins Nos. 6 to 8. No Sn oxide deposition was observed at the tips of 1 to 5.
【００２４】実施例２ 表２に示す材質のプローブピンを用いて、表２に併記す
るアルカリ金属硝酸塩などを含有する溶液により電解を
行い、上記プローブピンの先端に曲面部を形成した。電
解に用いた溶液の濃度および温度，電解電圧，電解時間
は表２に示す。 Example 2 Using a probe pin made of the material shown in Table 2, electrolysis was performed using a solution containing an alkali metal nitrate as shown in Table 2 to form a curved surface portion on the tip of the probe pin. Table 2 shows the concentration and temperature of the solution used for electrolysis, electrolysis voltage, and electrolysis time.
【００２５】[0025]
【表２】 [Table 2]
【００２６】表２においてＮｏ．１〜６は、本発明の実
施例であり、Ｎｏ．７〜９は比較例であり、Ｎｏ．７，
８は電解を施していない従来のプローブピンであり、Ｎ
ｏ．９は硝酸塩に代えてりん酸塩を電解溶液に用いた比
較例である。上記Ｎｏ．１〜９のプローブピンを用いて
ＴＣＰ型半導体素子の連続評価試験（１００回）を行っ
たところ、比較例Ｎｏ．７〜９のプローブピンの先端に
はＳｎ酸化物の溶着が認められたが、本発明のプローブ
ピンＮｏ．１〜６の先端にはＳｎ酸化物の溶着は見られ
なかった。In Table 2, No. Nos. 1 to 6 are examples of the present invention. Nos. 7 to 9 are comparative examples, and No. 7,
8 is a conventional probe pin that has not been electrolyzed,
o. Reference numeral 9 is a comparative example in which phosphate was used in the electrolytic solution instead of nitrate. The above No. When the continuous evaluation test (100 times) of the TCP type semiconductor element was performed using the probe pins of Nos. 1 to 9, Comparative Example No. Welding of Sn oxide was observed at the tips of the probe pins of Nos. 7 to 9, but the probe pin No. No welding of Sn oxide was observed at the tips of 1 to 6.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、プローブピンの先端にＳｎが溶着することを防止し
て疑似不良を起こすことのないプローブピンの製造方法
が提供できることとなった。Since the present invention is configured as described above, it is possible to provide a method of manufacturing a probe pin that prevents Sn from welding to the tip of the probe pin and does not cause pseudo defects. .
【図１】プローブカードの概略説明図であって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は側面図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view of a probe card, (a)
Is a plan view and (b) is a side view.
【図２】従来のプローブピンの先端部形状を示す図であ
る。FIG. 2 is a view showing a shape of a tip portion of a conventional probe pin.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠本 栄典 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 藤井 秀夫 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Eisuke Kusumoto 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo Kobe Steel Co., Ltd. Kobe Research Institute (72) Hideo Fujii Takatsuka, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo 1-5-5 stand, Kobe Steel, Ltd. Kobe Research Institute
Claims (6)
を含有するＷ合金、またはＷを素材とする半導体素子チ
ェック用プローブピンの製造方法であって、アルカリ金
属水酸化物を０．１ｇ／リットル以上含有する溶液に浸
漬して電解を行うことによって、上記プローブピンの先
端に曲面部を形成することを特徴とする半導体素子チェ
ック用プローブピンの製造方法。1. A method for producing a probe pin for checking a semiconductor device, which is made of W alloy or W containing at least one of Ni, Co and Fe, wherein 0.1 g / liter of alkali metal hydroxide is used. A method for manufacturing a probe pin for checking a semiconductor element, characterized in that a curved portion is formed at the tip of the probe pin by immersing in the solution containing the above and performing electrolysis.
つ電解電圧が０．０１Ｖ以上である請求項１に記載の半
導体素子チェック用プローブピンの製造方法。2. The method for producing a probe pin for checking a semiconductor device according to claim 1, wherein the temperature of the solution is 0 to 70 ° C., and the electrolysis voltage is 0.01 V or more.
電解終了時の電圧が電解開始時の電圧より小さい請求項
１または２に記載の半導体素子チェック用プローブピン
の製造方法。3. The method for producing a probe pin for checking a semiconductor element according to claim 1, wherein the voltage at the start of electrolysis is 0.1 V or higher, and the voltage at the end of electrolysis is smaller than the voltage at the start of electrolysis.
を含有するＷ合金、またはＷを素材とする半導体素子チ
ェック用プローブピンの製造方法であって、アルカリ金
属またはアルカリ土類金属の硝酸塩または亜硝酸塩を
０．５ｇ／リットル以上含有する溶液に浸漬して電解を
行うことによって、上記プローブピンの先端に曲面部を
形成することを特徴とする半導体素子チェック用プロー
ブピンの製造方法。4. A method for producing a probe pin for checking a semiconductor device, which is made of W alloy or W containing at least any one of Ni, Co and Fe, comprising a nitrate of alkali metal or alkaline earth metal or a sub-alloy thereof. A method for producing a probe pin for checking a semiconductor device, characterized in that a curved portion is formed at the tip of the probe pin by immersing in a solution containing 0.5 g / liter or more of nitrate to perform electrolysis.
つ電解電圧が０．０２Ｖ以上である請求項４に記載の半
導体素子チェック用プローブピンの製造方法。5. The method for producing a probe pin for checking a semiconductor device according to claim 4, wherein the temperature of the solution is 0 to 70 ° C., and the electrolysis voltage is 0.02 V or more.
電解終了時の電圧が電解開始時の電圧より小さい請求項
４または５に記載の半導体素子チェック用プローブピン
の製造方法。6. The method for producing a probe pin for checking a semiconductor element according to claim 4, wherein the voltage at the start of electrolysis is 0.2 V or more, and the voltage at the end of electrolysis is smaller than the voltage at the start of electrolysis.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950394A JPH08115956A (en) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | Production of probe pin for checking semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950394A JPH08115956A (en) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | Production of probe pin for checking semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115956A true JPH08115956A (en) | 1996-05-07 |
Family
ID=17193941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24950394A Withdrawn JPH08115956A (en) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | Production of probe pin for checking semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115956A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7274195B2 (en) | 1998-08-31 | 2007-09-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device test probe |
| WO2012067162A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | 株式会社神戸製鋼所 | Contact probe pin and test method |
| KR101321183B1 (en) * | 2011-11-28 | 2013-10-23 | 삼성전기주식회사 | Method for manufacturing Round type Probe Top |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP24950394A patent/JPH08115956A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7274195B2 (en) | 1998-08-31 | 2007-09-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device test probe |
| US7276923B2 (en) | 1998-08-31 | 2007-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device test probe |
| WO2012067162A1 (en) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | 株式会社神戸製鋼所 | Contact probe pin and test method |
| JP2012112681A (en) * | 2010-11-19 | 2012-06-14 | Kobe Steel Ltd | Contact probe pin and inspection method |
| KR101321183B1 (en) * | 2011-11-28 | 2013-10-23 | 삼성전기주식회사 | Method for manufacturing Round type Probe Top |
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