JPH079036Y2 - 縦型熱処理炉 - Google Patents
縦型熱処理炉Info
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- JPH079036Y2 JPH079036Y2 JP1990118791U JP11879190U JPH079036Y2 JP H079036 Y2 JPH079036 Y2 JP H079036Y2 JP 1990118791 U JP1990118791 U JP 1990118791U JP 11879190 U JP11879190 U JP 11879190U JP H079036 Y2 JPH079036 Y2 JP H079036Y2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
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Description
【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体製造工程における縦型熱処理炉に関す
る。
る。
[従来の技術] 半導体製造工程で、ウェハ上に成膜を行う装置として縦
型熱処理装置がある。縦型熱処理装置はウェハが大口径
化されるに伴い熱処理を行う際に断面均熱を維持して処
理が行えるため多用されている。縦型熱処理装置は第5
図に示すように下端に熱処理が行われるウェハ1を収納
した石英ボート2の搬入出口3を備えた反応管4を備
え、反応管4の外周に鉄、クロム、アルミの合金等の抵
抗発熱体からなるスパイラル状のヒータ5が設けられ
る。ヒータ5は反応管4内のウェハ収納領域を均熱に加
熱できるようにいくつかのゾーンに分割されて設けら
れ、それぞれのゾーンにより所望の発熱温度が得られる
よう各ゾーン毎に端子6が設けられ、端子6から所望の
発熱温度に適した電流を供給するようになっている。こ
れらのヒータ5は断熱材7に包囲されて設けられる。
尚、反応管4のボート搬入出口3は保温筒8を保持する
蓋9で反応管4内を密閉できるようになっている。反応
管4には、さらにウェハ1上に成膜する反応ガス供給体
に接続された反応ガス供給口11及び反応ガス排気口12が
設けられる。
型熱処理装置がある。縦型熱処理装置はウェハが大口径
化されるに伴い熱処理を行う際に断面均熱を維持して処
理が行えるため多用されている。縦型熱処理装置は第5
図に示すように下端に熱処理が行われるウェハ1を収納
した石英ボート2の搬入出口3を備えた反応管4を備
え、反応管4の外周に鉄、クロム、アルミの合金等の抵
抗発熱体からなるスパイラル状のヒータ5が設けられ
る。ヒータ5は反応管4内のウェハ収納領域を均熱に加
熱できるようにいくつかのゾーンに分割されて設けら
れ、それぞれのゾーンにより所望の発熱温度が得られる
よう各ゾーン毎に端子6が設けられ、端子6から所望の
発熱温度に適した電流を供給するようになっている。こ
れらのヒータ5は断熱材7に包囲されて設けられる。
尚、反応管4のボート搬入出口3は保温筒8を保持する
蓋9で反応管4内を密閉できるようになっている。反応
管4には、さらにウェハ1上に成膜する反応ガス供給体
に接続された反応ガス供給口11及び反応ガス排気口12が
設けられる。
[考案が解決しようとする課題] このような縦型熱処理装置において、ヒータ5を支持す
る支持装置は第6図に示すようにヒータ5を内部で移動
できる大きさに形成した略楕円形の支持孔13により上下
から挟持して保持する支持部材14を備え、この支持部材
14を積層して断面C字状の支持体15で保持し、このよう
な支持体15を反応管の外周に例えば8ケ所設けていた
(実開昭63-145291号公報)。また、支持部材13の先端
をS字状に形成し、上下の支持部材13のS字状を互いに
嵌合するようにしたものもあった(実開平1-10921号公
報)。しかし、ヒータ線の発熱は例えば1200℃と高く、
耐熱性を満足するものでなければならなかったため支持
部材13はセラミック製であった。セラミックは熱膨張し
ないため支持体としては好ましいが、ヒータ線の熱膨張
によるスパイラル状ヒータ線の円周方向への膨大に追従
するような柔軟性がなく、ヒータ線の膨張によるスパイ
ラル状ヒータ線直径の膨大を考慮して支持孔13を大きく
しても膨張したヒータ線に引張られひびが入ってしまっ
たりした。特に端子に接続される部分はヒータ線が固定
されているためヒータ線の膨張で支持部材14が破壊さ
れ、破片が生じてウェハの汚染源となってしまったり、
支持体15が破壊され支持部材14がばらばらになってしま
ったり、変形したヒータ線によって反応管を破壊させて
しまうこともあった。
る支持装置は第6図に示すようにヒータ5を内部で移動
できる大きさに形成した略楕円形の支持孔13により上下
から挟持して保持する支持部材14を備え、この支持部材
14を積層して断面C字状の支持体15で保持し、このよう
な支持体15を反応管の外周に例えば8ケ所設けていた
(実開昭63-145291号公報)。また、支持部材13の先端
をS字状に形成し、上下の支持部材13のS字状を互いに
嵌合するようにしたものもあった(実開平1-10921号公
報)。しかし、ヒータ線の発熱は例えば1200℃と高く、
耐熱性を満足するものでなければならなかったため支持
部材13はセラミック製であった。セラミックは熱膨張し
ないため支持体としては好ましいが、ヒータ線の熱膨張
によるスパイラル状ヒータ線の円周方向への膨大に追従
するような柔軟性がなく、ヒータ線の膨張によるスパイ
ラル状ヒータ線直径の膨大を考慮して支持孔13を大きく
しても膨張したヒータ線に引張られひびが入ってしまっ
たりした。特に端子に接続される部分はヒータ線が固定
されているためヒータ線の膨張で支持部材14が破壊さ
れ、破片が生じてウェハの汚染源となってしまったり、
支持体15が破壊され支持部材14がばらばらになってしま
ったり、変形したヒータ線によって反応管を破壊させて
しまうこともあった。
本考案は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、ヒータ線の膨張によりスパイラル状ヒータ線直径
の膨大が生じても支持装置が破壊されず、またたとえ支
持部材がヒータ線の膨張に起因して破壊されたとしても
破壊片が飛散することがない縦型熱処理炉を提供するこ
とを目的とする。
って、ヒータ線の膨張によりスパイラル状ヒータ線直径
の膨大が生じても支持装置が破壊されず、またたとえ支
持部材がヒータ線の膨張に起因して破壊されたとしても
破壊片が飛散することがない縦型熱処理炉を提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため本考案の縦型熱処理炉は、円
筒状の反応管の周囲に巻回される発熱体を2方向から挟
持して支持する支持部材と、前記支持部材を積層して支
持する支持体とを設けた縦型熱処理炉であって、前記支
持部材は隣接する前記支持部材の積層面に前記発熱体を
支持する凹部と、前記支持部材と前記支持体間に挿入さ
れる耐熱性補強柱とを設けたものである。
筒状の反応管の周囲に巻回される発熱体を2方向から挟
持して支持する支持部材と、前記支持部材を積層して支
持する支持体とを設けた縦型熱処理炉であって、前記支
持部材は隣接する前記支持部材の積層面に前記発熱体を
支持する凹部と、前記支持部材と前記支持体間に挿入さ
れる耐熱性補強柱とを設けたものである。
また、円筒状の反応管の周囲に巻回される発熱体を2方
向から挟持して支持する支持部材と、前記支持部材を支
持する支柱とを設けた縦型熱処理炉であって、前記支持
部材に前記支持部材を積層して貫通する前記支柱の貫通
孔を設けたものであってもよい。
向から挟持して支持する支持部材と、前記支持部材を支
持する支柱とを設けた縦型熱処理炉であって、前記支持
部材に前記支持部材を積層して貫通する前記支柱の貫通
孔を設けたものであってもよい。
[作用] 円筒状の処理管の周囲に巻回される発熱体を支持する支
持装置は、発熱体を上下から挟持して支持する支持部材
と、支持部材を積層して支持する支持体と、支持部材と
支持体間に挿入される耐熱性補強柱とから成る。そのた
め、支持部材が発熱体の膨張により引張られても支持体
や支持部材が破壊されることはない。また、もし破壊さ
れたとしても破片が飛散したり支持部材がばらばらにな
ってしまうことがない。
持装置は、発熱体を上下から挟持して支持する支持部材
と、支持部材を積層して支持する支持体と、支持部材と
支持体間に挿入される耐熱性補強柱とから成る。そのた
め、支持部材が発熱体の膨張により引張られても支持体
や支持部材が破壊されることはない。また、もし破壊さ
れたとしても破片が飛散したり支持部材がばらばらにな
ってしまうことがない。
また、支持部材に貫通孔を設け、この貫通孔に耐熱性補
強柱を挿入し、熱膨張に対しても強度を有する支持装置
と伴に支持部材を積層、支持できるため、支持体を設け
なくても支持部材により発熱体を支持することができ
る。
強柱を挿入し、熱膨張に対しても強度を有する支持装置
と伴に支持部材を積層、支持できるため、支持体を設け
なくても支持部材により発熱体を支持することができ
る。
従って熱膨張にも対応し、しかもクリーンなウェハを歩
留りよく製造することができる。
留りよく製造することができる。
[実施例] 本考案の縦型熱処理炉をウェハ製造の縦型熱処理装置に
適用した一実施例を図面を参照して説明する。第5図と
同一部分には同一番号を付して以下説明を行なう。
適用した一実施例を図面を参照して説明する。第5図と
同一部分には同一番号を付して以下説明を行なう。
第1図に示すように、石英ボート2に収納されたウェハ
1に熱処理が行われる耐熱性部材例えば石英からなる円
筒状の反応管4が設けられる。反応管4の下部にはウェ
ハ1を収納した石英ボート2の搬入出口3が備えられ、
石英ボート2を載置する保温筒8が設けられ、保温筒8
は反応管蓋10に載置して設けられ、図示しない上下機構
により蓋10が昇降されるようになっている(第5図)。
反応管4の下部には反応ガスの排気口12が設けられ、反
応管4の上部に設けられた反応ガス供給口11から供給さ
れ、ウェハ1上に成膜した後の反応生成ガスや余剰の反
応ガスを排気するようになっている。反応管4の外周の
断熱材7の内側には例えば8ケ所に断面C字状の支持体
16が設けられる。8ケ所に設けられた支持体16は積層さ
れた支持部材17が支持され、支持部材17は抵抗発熱体例
えば鉄、クロム、アルミニュウムから成るスパイラル状
の発熱体であるヒータ5を挟持する。支持部材17は第2
図の2方向からの側面図(a)及び(b)に示すように
隣接する支持部材17の積層面18にヒータ5を上下から挟
持して支持する凹部19を備える。凹部19の大きさはヒー
タ5の熱膨張を考慮して設けられ上下が当接された時ヒ
ータ5が膨張して円周方向に移動可能な大きさに適する
ようになっている。さらに一方の積層面18-1に設けられ
た凸部20と他方の積層面18-2に設けられた凹部21とで形
成する咬合部22とを備える。またこの積層面18に垂直な
面23には溝24が設けられ、第3図に示すようにこの溝24
と支持体16の断面C字状の先端に形成される係合突起25
とが係合され、支持部材17が支持体16に支持される。
1に熱処理が行われる耐熱性部材例えば石英からなる円
筒状の反応管4が設けられる。反応管4の下部にはウェ
ハ1を収納した石英ボート2の搬入出口3が備えられ、
石英ボート2を載置する保温筒8が設けられ、保温筒8
は反応管蓋10に載置して設けられ、図示しない上下機構
により蓋10が昇降されるようになっている(第5図)。
反応管4の下部には反応ガスの排気口12が設けられ、反
応管4の上部に設けられた反応ガス供給口11から供給さ
れ、ウェハ1上に成膜した後の反応生成ガスや余剰の反
応ガスを排気するようになっている。反応管4の外周の
断熱材7の内側には例えば8ケ所に断面C字状の支持体
16が設けられる。8ケ所に設けられた支持体16は積層さ
れた支持部材17が支持され、支持部材17は抵抗発熱体例
えば鉄、クロム、アルミニュウムから成るスパイラル状
の発熱体であるヒータ5を挟持する。支持部材17は第2
図の2方向からの側面図(a)及び(b)に示すように
隣接する支持部材17の積層面18にヒータ5を上下から挟
持して支持する凹部19を備える。凹部19の大きさはヒー
タ5の熱膨張を考慮して設けられ上下が当接された時ヒ
ータ5が膨張して円周方向に移動可能な大きさに適する
ようになっている。さらに一方の積層面18-1に設けられ
た凸部20と他方の積層面18-2に設けられた凹部21とで形
成する咬合部22とを備える。またこの積層面18に垂直な
面23には溝24が設けられ、第3図に示すようにこの溝24
と支持体16の断面C字状の先端に形成される係合突起25
とが係合され、支持部材17が支持体16に支持される。
そして、この支持部材17が支持体16に接する背面26に凹
部27が設けられ、この凹部27に耐熱性補強柱28が挿入さ
れる。耐熱性補強柱28は強度の大きなニッケル鋼合金等
例えばインコネルで形成される。
部27が設けられ、この凹部27に耐熱性補強柱28が挿入さ
れる。耐熱性補強柱28は強度の大きなニッケル鋼合金等
例えばインコネルで形成される。
このような構成の縦型熱処理装置でウェハ1上に成膜を
行う場合は、石英ボート2に支持されたウェハ1を反応
管4の搬入出口3から挿入し、反応管4内に配置する。
反応管4の上部の反応ガス供給口11から反応ガスを反応
管4内に供給し、ウェハ1に所定の処理を行ない反応後
の処理ガスは反応ガス排気口12から排気される。この時
ヒータ5に通電し反応管4を所望の温度に加熱されてい
る。ヒータ5は熱により膨張、変形しても支持部材17の
凹部19内で移動して支持される。ヒータ5の膨張が部分
的に大きい部所であった場合でも支持部材17は支持体16
中で変位して対応することができる。また、ヒータ5が
固定される端子6部分でヒータ5の膨張による変形のた
め、支持部材17に特に強い力が負荷され、支持部材17が
支持体16を極部的に引張っても強度の強いニッケル鋼合
金の補強柱28を設けたため、支持体16や支持部材17が破
壊されることがない。
行う場合は、石英ボート2に支持されたウェハ1を反応
管4の搬入出口3から挿入し、反応管4内に配置する。
反応管4の上部の反応ガス供給口11から反応ガスを反応
管4内に供給し、ウェハ1に所定の処理を行ない反応後
の処理ガスは反応ガス排気口12から排気される。この時
ヒータ5に通電し反応管4を所望の温度に加熱されてい
る。ヒータ5は熱により膨張、変形しても支持部材17の
凹部19内で移動して支持される。ヒータ5の膨張が部分
的に大きい部所であった場合でも支持部材17は支持体16
中で変位して対応することができる。また、ヒータ5が
固定される端子6部分でヒータ5の膨張による変形のた
め、支持部材17に特に強い力が負荷され、支持部材17が
支持体16を極部的に引張っても強度の強いニッケル鋼合
金の補強柱28を設けたため、支持体16や支持部材17が破
壊されることがない。
また、本考案の他の実施例として第4図に示すように支
持部材17の積層面18に貫通孔29を穿孔し耐熱性補強柱28
を挿入して支持部材17を積層して支持するようにしても
よい。このようにすることで支持体17の係合突起25と係
合する溝24は不要となる。貫通孔29は1つとは限らず複
数設けるようにしてもよい。また支持体17を設けた場合
でも貫通孔29を設けて補強柱28を貫通して設けるように
してもよい。
持部材17の積層面18に貫通孔29を穿孔し耐熱性補強柱28
を挿入して支持部材17を積層して支持するようにしても
よい。このようにすることで支持体17の係合突起25と係
合する溝24は不要となる。貫通孔29は1つとは限らず複
数設けるようにしてもよい。また支持体17を設けた場合
でも貫通孔29を設けて補強柱28を貫通して設けるように
してもよい。
以上の説明は本考案の一実施例であり、本考案はこれに
限定されることなく、縦型熱処理装置のみでなく、他の
加熱装置にも好適に用いることができる。
限定されることなく、縦型熱処理装置のみでなく、他の
加熱装置にも好適に用いることができる。
[考案の効果] 以上の説明からも明らかなように、本考案の縦型熱処理
炉によれば、ヒータを支持する支持体に耐熱性補強柱を
設けたため、ヒータの膨張により支持体や支持部材が破
壊されることがない。従って、支持部材の破壊に起因し
て発生する支持部材の破片が飛散してウェハの汚染源を
発生させず、クリーンな状態を維持でき歩留りのよい製
造を行なうことができる。
炉によれば、ヒータを支持する支持体に耐熱性補強柱を
設けたため、ヒータの膨張により支持体や支持部材が破
壊されることがない。従って、支持部材の破壊に起因し
て発生する支持部材の破片が飛散してウェハの汚染源を
発生させず、クリーンな状態を維持でき歩留りのよい製
造を行なうことができる。
第1図は本考案の縦型熱処理炉を適用した一実施例の断
面図、第2図(a)、第2図(b)及び第3図は第1図
に示す一実施例の要部を示す図、第4図は他の実施例の
要部を示す図、第5図及び第6図は従来例を示す図であ
る。 4……反応管 5……ヒータ(発熱体) 16……支持体 17……支持部材 19……凹部 28……補強柱 29……貫通孔
面図、第2図(a)、第2図(b)及び第3図は第1図
に示す一実施例の要部を示す図、第4図は他の実施例の
要部を示す図、第5図及び第6図は従来例を示す図であ
る。 4……反応管 5……ヒータ(発熱体) 16……支持体 17……支持部材 19……凹部 28……補強柱 29……貫通孔
Claims (2)
- 【請求項1】円筒状の反応管の周囲に巻回される発熱体
を2方向から挟持して支持する支持部材と、前記支持部
材を積層して支持する支持体とを設けた縦型熱処理炉で
あって、前記支持部材は隣接する前記支持部材の積層面
に前記発熱体を支持する凹部と、前記支持部材と前記支
持体間に挿入される耐熱性補強柱とを設けたことを特徴
とする縦型熱処理炉。 - 【請求項2】円筒状の反応管の周囲に巻回される発熱体
を2方向から挟持して支持する支持部材と、前記支持部
材を支持する支柱とを設けた縦型熱処理炉であって、前
記支持部材に前記支持部材を積層して貫通する前記支柱
の貫通孔を設けたことを特徴とする縦型熱処理炉。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990118791U JPH079036Y2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 縦型熱処理炉 |
| KR2019910018975U KR0129363Y1 (ko) | 1990-11-13 | 1991-11-08 | 열처리 장치 |
| US07/791,134 US5187771A (en) | 1990-11-13 | 1991-11-13 | Heat processing apparatus utilizing a plurality of stacked heater holders |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990118791U JPH079036Y2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 縦型熱処理炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474299U JPH0474299U (ja) | 1992-06-29 |
| JPH079036Y2 true JPH079036Y2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14745190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990118791U Expired - Lifetime JPH079036Y2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 縦型熱処理炉 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH079036Y2 (ja) |
| KR (1) | KR0129363Y1 (ja) |
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| US11144075B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-10-12 | Ichor Systems, Inc. | Flow control system, method, and apparatus |
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| DE102017102276B3 (de) | 2017-02-06 | 2018-08-02 | Benteler Automobiltechnik Gmbh | Elektrisches Widerstandsgerät und Verwendung eines elektrischen Widerstandsgeräts |
| WO2022186971A1 (en) | 2021-03-03 | 2022-09-09 | Ichor Systems, Inc. | Fluid flow control system comprising a manifold assembly |
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1990
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-
1991
- 1991-11-08 KR KR2019910018975U patent/KR0129363Y1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-13 US US07/791,134 patent/US5187771A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0129363Y1 (ko) | 1999-02-01 |
| JPH0474299U (ja) | 1992-06-29 |
| US5187771A (en) | 1993-02-16 |
| KR920010376U (ko) | 1992-06-17 |
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