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JPH078860B2 - ピラゾ−ル誘導体およびその製造法 - Google Patents

ピラゾ−ル誘導体およびその製造法

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Publication number
JPH078860B2
JPH078860B2 JP11147986A JP11147986A JPH078860B2 JP H078860 B2 JPH078860 B2 JP H078860B2 JP 11147986 A JP11147986 A JP 11147986A JP 11147986 A JP11147986 A JP 11147986A JP H078860 B2 JPH078860 B2 JP H078860B2
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JP
Japan
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lower alkyl
alkyl group
formula
hydrogen atom
derivative represented
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JP11147986A
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JPS62267267A (ja
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敏明 佐藤
勝之 森本
栄一 大屋
進 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
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Publication of JPH078860B2 publication Critical patent/JPH078860B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、4−アルコキシカルボニルピラゾール−5−
O−チオカルバモイル誘導体、4−アルコキシカルボニ
ルピラゾール−5−S−カルバモイル誘導体および4−
アルコキシカルボニルピラゾール−5−スルホニルクロ
ライド誘導体の製造法に関する。
4−アルコキシカルボニルピラゾール−5−O−チオカ
ルバモイル誘導体、4−アルコキシカルボニルピラゾー
ル−5−S−カルバモイル誘導体および4−アルコキシ
カルボニルピラゾール−5−スルホニルクロライド誘導
体は医薬、農薬等の中間体として有用である。例えば、
特開昭59−122488号公報、特開昭59−219281号公報、ヨ
ーロッパ特許公開87780号公報等に記載の除草剤の中間
体として有用である。
従来の技術 特開昭59−122488号公報には、5−ヒドロキシピラゾー
ル誘導体を原料とする5−クロロスルホニルピラゾール
誘導体の合成法が記載されている。すなわち、4−カル
ボキシ−5−ヒドロキシピラゾール誘導体をオキシ塩化
リンと加熱反応させることによりクロル化し、これに水
硫化ソーダを作用させ、5−メルカプトピラゾール誘導
体を得、更に塩素と反応させることにより4−カルボキ
シピラゾール−5−スルホニルクロライドを得ている。
発明が解決しようとする問題点 前記の従来技術では、問題点として以下のような点があ
げられる。
原料に4位にカルボン酸エステルをもつピラゾールを
用いた場合、エステルの加水分解に由来する4−カルボ
ン酸ピラゾールが副生する。4位−カルボン酸エステル
を目的物とする場合にはさらにエステル化工程を必要と
する。
反応試剤として多量のオキシ塩化燐燐を使用するた
め、反応終了後過剰のオキシ塩化燐を除去処理する必要
がある。経済的に不利なだけでなく、廃液中の燐分処理
が必要となり必ずしも工業的には有利とはいえない。
長時間、高温の反応条件を必要とする。エネルギーコ
ストの面から、工業的に不利である。
収率が低い。
問題点を解決するための手段および発明の態様 本発明者らは、一般式(II): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
ルキル基を示す。〕 で表わされる5−ヒドロキシピラゾール誘導体を塩基の
存在下、ジアルキルチオカルバモイルハライドと反応さ
せることにより一般式(I): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体が得られることを見い出
し、次に一般式(I)で表わされるピラゾール誘導体を
加熱転位させることにより、一般式(III): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体が得られることを見い出
した。更に一般式(III)で表わされるピラゾール誘導
体を、水または水を含む酢酸もしくはハロゲン化炭化水
素等の不活性溶媒の存在下、塩素と反応させることによ
り一般式(IV): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
ルキル基を示す。〕 で表わされるクロロスルホニルピラゾール誘導体が得ら
れることを見い出した。
本発明の製造工程 〔式中R1,R2,R3,R4及びR5は前記と同じ意味を示す。〕 化合物(I)は、ベンゼン、トルエン、アセトン、エチ
ルメチルケトン、アセトニトリル、クロロホルム、二塩
化エタン、テトラハイドロフラン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ピリジン、トリエチルアミ
ン等の溶媒中、塩基の存在下、化合物(II)に対し、1.
0〜3当量、好ましくは、1.2当量のジアルキルチオカル
バモイルハライド類、例えば、ジメチルチオカルバモイ
ルクロライドと化合物(II)を、0℃から溶媒の還流温
度にて、好ましくは80℃付近にて、1時間から1日、通
常、数時間反応させることにより収率良く合成される。
塩基としては、例えば水素化ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、ピリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。反応
後、反応混合物を濃縮したのち、または反応混合物をそ
のまま水または氷水に加え、エーテル、ベンゼン、クロ
ロホルム、酢酸エチル等の不活性溶媒にて抽出し、水洗
することにより化合物(I)を単離することができ、再
結晶等の方法により精製することができる。また、場合
によっては、反応後、不溶性の固定物を濾別し、濾液を
濃縮するだけで、化合物(I)を純度良く単離すること
もできる。
化合物(III)は、高沸点不活性溶媒または無溶媒系に
て、化合物(I)を150〜250℃、好ましくは、200℃付
近にて5分から3時間、加熱することにより合成され
る。通常200℃にて1時間以内で、ほぼ定量的に転位反
応が完結する。化合物(III)は、反応混合物を減圧蒸
留することなどにより単離精製されるが、通常、反応混
合物をそのまま次の反応に使用することができる。
化合物(IV)を得る反応は、化合物(III)を、水、塩
酸、水−酢酸、水−二塩化エタン、水−塩化メチレンあ
るいは水−クロロホルム等の不活性溶媒系に溶解あるい
はけん濁し、化合物(III)に対し、3〜6当量、好ま
しくは、3〜4当量の塩素を、−20〜40℃、好ましく
は、0〜20℃にて加えることにより実施される。化合物
(IV)は、反応混合物を氷水に注ぎ、エーテル、ベンゼ
ン、塩化メチレン、二塩化エタンあるいは、クロロホル
ム等の不活性溶媒を用いて抽出することにより単離する
ことができ、必要な場合には、更に減圧蒸留により精製
することができる。
実施例 以下に本発明の具体的実施例を示すが、本発明は以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例1 O−(4−エトキシカルボニル−1−メチルピラゾール
−5−イル)N,N−ジメチルチオカーバメートの合成 4−エトキシカルボニル−5−ヒドロキシ−1−メチル
ピラゾール10.0g、ジメチルチオカルバモイルクロライ
ド8.0g及びアセトニトリル200mlの混合物に、無水炭酸
カリウム9.7gを加え、加熱還流下7時間撹拌した。放冷
後固体を濾別し、濾液を濃縮すると、粗製の目的物16.4
gを固体として得た。融点102〜103℃ 実施例2 S−(4−エトキシカルボニル−1−メチルピラゾール
−5−イル)N,N−ジメチルチオカーバメートの合成 実施例1で得られた粗製のO−(4−エトキシカルボニ
ル−1−メチルピラゾール−5−イル)N,N−ジメチル
チオカーバメート16.4gを200℃にて1時間加熱し、転位
反応を行ない、粗製の目的物を黒褐色油状物として得
た。
実施例3 4−エトキシカルボニル−1−メチルピラゾール−5−
スルホニルクロライドの合成 実施例2で得られたS−(4−エトキシカルボニル−1
−メチルピラゾール−5−イル)N,N−ジメチルチオカ
ーバメートに酢酸60ml及び水40mlを加え、10〜15℃に
て、塩素を1.5時間にわたり吹込んだ。反応後、反応混
合物を氷水に注ぎ、エーテルにて抽出し、抽出溶液を水
洗、乾燥後、溶媒を留去すると、粗製の目的物13.9gを
油状物として得た。減圧蒸留により精製すると、目的物
10.4g(沸点107〜115℃/0.3mmHg)を得た。(実施例1
からの収率69.8%)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体。
  2. 【請求項2】一般式(II): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示す。〕 で表わされる5−ヒドロキシピラゾール誘導体を塩基の
    存在下、ジアルキルチオカルバモイルハライドと反応さ
    せることを特徴とする一般式(I): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体の製造法。
  3. 【請求項3】一般式(III): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体。
  4. 【請求項4】一般式(I): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾールチオカルバモイル誘導体を加熱
    転位させることを特徴とする一般式(III): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体の製造法。
  5. 【請求項5】一般式(III): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示し、R4,R5はそれぞれ独立して低級アルキ
    ル基を示す。〕 で表わされるピラゾール誘導体を、水または水を含む酢
    酸もしくはハロゲン化炭化水素等の不活性溶媒の存在
    下、塩素と反応させることを特徴とする一般式(IV): 〔式中R1は、低級アルキル基またはフェニル基を示し、
    R2は水素原子または低級アルキル基を示し、R3は低級ア
    ルキル基を示す。〕 で表わされるクロロスルホニルピラゾール誘導体の製造
    法。
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