JPH0730212A - 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 - Google Patents
導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板Info
- Publication number
- JPH0730212A JPH0730212A JP16934293A JP16934293A JPH0730212A JP H0730212 A JPH0730212 A JP H0730212A JP 16934293 A JP16934293 A JP 16934293A JP 16934293 A JP16934293 A JP 16934293A JP H0730212 A JPH0730212 A JP H0730212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating resin
- conductor
- resin layer
- linear expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
- H05K1/036—Multilayers with layers of different types
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁性樹脂層１０の全面に、３０μｍ以上の
間隔で上記絶縁性樹脂層を厚み方向に貫通する孔径１０
μｍ以上の導通路７が形成されるとともに、上記絶縁性
樹脂層１０の表面には上記導通路７から延びるバンプ状
金属突出物５が形成されている導体−絶縁性樹脂複合
体、この複合体の導体層１に回路加工が施されてなる単
層回路基板の２以上を、直接または絶縁性合成樹脂を介
して、上記複数の単層回路基板の回路Ｐ１とＰ３間を導
通路７ａ，７ｂおよびバンプ状金属突出物５ａ，５ｂを
介して、回路Ｐ２とＰ４間を導通路７ｃ，７ｄおよびバ
ンプ状金属突出物５ｃ，５ｄを介してそれぞれ導通する
構成としてなる多層基板。 【効果】 耐熱性や耐薬品性、耐カール性に優れ、簡単
に、かつ、確実に単層回路基板の回路間の導通がなされ
て導通信頼性が向上する。
間隔で上記絶縁性樹脂層を厚み方向に貫通する孔径１０
μｍ以上の導通路７が形成されるとともに、上記絶縁性
樹脂層１０の表面には上記導通路７から延びるバンプ状
金属突出物５が形成されている導体−絶縁性樹脂複合
体、この複合体の導体層１に回路加工が施されてなる単
層回路基板の２以上を、直接または絶縁性合成樹脂を介
して、上記複数の単層回路基板の回路Ｐ１とＰ３間を導
通路７ａ，７ｂおよびバンプ状金属突出物５ａ，５ｂを
介して、回路Ｐ２とＰ４間を導通路７ｃ，７ｄおよびバ
ンプ状金属突出物５ｃ，５ｄを介してそれぞれ導通する
構成としてなる多層基板。 【効果】 耐熱性や耐薬品性、耐カール性に優れ、簡単
に、かつ、確実に単層回路基板の回路間の導通がなされ
て導通信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に多層配線基板に用
いる導体−絶縁性樹脂複合体およびそれを積層してなる
多層配線基板に関する。
いる導体−絶縁性樹脂複合体およびそれを積層してなる
多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器が軽量化や薄型化、小型
化するのに伴い、配線基板も高性能化し金属に絶縁性樹
脂を直接積層したいわゆる２層フレキシブル配線基板が
多く上市されるようになっている。また、市場ではさら
に高密度化や高性能化のために多層配線基板の開発が要
望されており、各種の多層配線基板構造やその製造方法
が提案されている。一般に多層配線基板は、例えば次に
示す方法によって作製されている。まず、回路パターン
を形成した単層回路基板を複数枚作製し、該回路基板の
所望箇所にドリル等で貫通孔を形成する。ついで、上記
貫通孔に金属物質を適当な方法によって充填し、導通路
およびバンプ状導電性突出物を形成する。その後、絶縁
性樹脂（接着剤）を用いて熱圧着することにより、上記
バンプ状導電性突出物を介して各回路基板間を導通した
多層配線基板が作製されている。
化するのに伴い、配線基板も高性能化し金属に絶縁性樹
脂を直接積層したいわゆる２層フレキシブル配線基板が
多く上市されるようになっている。また、市場ではさら
に高密度化や高性能化のために多層配線基板の開発が要
望されており、各種の多層配線基板構造やその製造方法
が提案されている。一般に多層配線基板は、例えば次に
示す方法によって作製されている。まず、回路パターン
を形成した単層回路基板を複数枚作製し、該回路基板の
所望箇所にドリル等で貫通孔を形成する。ついで、上記
貫通孔に金属物質を適当な方法によって充填し、導通路
およびバンプ状導電性突出物を形成する。その後、絶縁
性樹脂（接着剤）を用いて熱圧着することにより、上記
バンプ状導電性突出物を介して各回路基板間を導通した
多層配線基板が作製されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記多層配線
基板の作製においては、積層する単層回路基板に形成す
る導通路に精密さが要求され、また、その積層時には位
置合わせなどの煩雑な工程を必要とするので、効率的に
多層配線基板を製造できないという問題がある。本発明
の目的は、上記問題を解決し、簡単に単層回路基板が作
製できる導体−絶縁性樹脂複合体を提供することであ
る。また、本発明の他の目的は、簡単に多層配線基板を
作製できる多数の導通路を有する単層回路基板を提供す
ることである。また、本発明のその他の目的は、上記単
層回路基板を複数枚積層してなり、単層回路基板の回路
導体間の導通信頼性に優れる多層配線基板を提供するこ
とである。
基板の作製においては、積層する単層回路基板に形成す
る導通路に精密さが要求され、また、その積層時には位
置合わせなどの煩雑な工程を必要とするので、効率的に
多層配線基板を製造できないという問題がある。本発明
の目的は、上記問題を解決し、簡単に単層回路基板が作
製できる導体−絶縁性樹脂複合体を提供することであ
る。また、本発明の他の目的は、簡単に多層配線基板を
作製できる多数の導通路を有する単層回路基板を提供す
ることである。また、本発明のその他の目的は、上記単
層回路基板を複数枚積層してなり、単層回路基板の回路
導体間の導通信頼性に優れる多層配線基板を提供するこ
とである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意検討した結果、導体−絶縁性樹脂
複合体の絶縁性樹脂層に、特定の間隔を開けて上記絶縁
性樹脂層を厚み方向に貫通する複数の貫通孔を形成し、
該貫通孔に導電性物質を充填して導通路およびおよび上
記絶縁性樹脂層表面にその導通路から延びるバンプ状導
電性突出物を形成するとともに、その導体層に回路加工
を施して単層回路基板を作製し、この複数の単層回路基
板を熱圧着によって積層すると簡単に多層配線基板が作
製できることを見出し、本発明を完成するに至った。即
ち、本発明の導体−絶縁性樹脂複合体は、片面に導体層
が形成された基材の絶縁性樹脂層に、３０μｍ以上の間
隔で上記絶縁性樹脂層を厚み方向に貫通する孔径１０μ
ｍ以上の複数の導通路およびその導通路から延びるバン
プ状導電性突出物が形成されていることを特徴とする。
を達成するために鋭意検討した結果、導体−絶縁性樹脂
複合体の絶縁性樹脂層に、特定の間隔を開けて上記絶縁
性樹脂層を厚み方向に貫通する複数の貫通孔を形成し、
該貫通孔に導電性物質を充填して導通路およびおよび上
記絶縁性樹脂層表面にその導通路から延びるバンプ状導
電性突出物を形成するとともに、その導体層に回路加工
を施して単層回路基板を作製し、この複数の単層回路基
板を熱圧着によって積層すると簡単に多層配線基板が作
製できることを見出し、本発明を完成するに至った。即
ち、本発明の導体−絶縁性樹脂複合体は、片面に導体層
が形成された基材の絶縁性樹脂層に、３０μｍ以上の間
隔で上記絶縁性樹脂層を厚み方向に貫通する孔径１０μ
ｍ以上の複数の導通路およびその導通路から延びるバン
プ状導電性突出物が形成されていることを特徴とする。
【０００５】また、本発明の単層回路基板は、上記導体
−絶縁性樹脂複合体の導体層に回路加工を施してなるも
のである。また、本発明の多層配線基板は、上記単層回
路基板の少なくとも２枚が、直接または絶縁性合成樹脂
を介して積層されてなり、上記各単層基板の回路間を導
通路およびバンプ状導電性突出物を介して導通してなる
ものである。
−絶縁性樹脂複合体の導体層に回路加工を施してなるも
のである。また、本発明の多層配線基板は、上記単層回
路基板の少なくとも２枚が、直接または絶縁性合成樹脂
を介して積層されてなり、上記各単層基板の回路間を導
通路およびバンプ状導電性突出物を介して導通してなる
ものである。
【０００６】
【作用】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体の構成によれ
ば、上記絶縁性樹脂層を厚さ方向に貫通し導体層に通じ
る導通路が、複合体の絶縁性樹脂層に３０μｍ以上の間
隔で多数形成されているので、導体層にいかなる回路パ
ターンが形成されて単層回路基板が作製されても、その
導体回路は上記導通路およびバンプ状導電性突出物と確
実に導通される。また、上記回路パターンが形成された
単層回路基板の上面には、３０μｍ以上の間隔で多数の
バンプ状導電性突出物が形成されているので、単層回路
基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路基板の導体回路パ
ターン側とを相対させ熱圧着させるだけで、上記バンプ
状導電性突出物を介して基板間の回路を確実に導通でき
るようになる。また、絶縁性樹脂層の形成に低線膨張性
樹脂を用い、この低線膨張性樹脂層の片面に導体層が形
成されているので、絶縁性樹脂と導体層の線膨張係数と
の差が小さくなり、熱収縮などによる回路パターンのズ
レや導体層をエッチングした後のカールなどを抑制でき
るようになる。また、絶縁性樹脂層は、低線膨張性樹脂
と熱可塑性樹脂とで形成され、その接着界面においてそ
れぞれの絶縁性樹脂が混在するので、絶縁性樹脂層は接
着性に優れるようになる。
ば、上記絶縁性樹脂層を厚さ方向に貫通し導体層に通じ
る導通路が、複合体の絶縁性樹脂層に３０μｍ以上の間
隔で多数形成されているので、導体層にいかなる回路パ
ターンが形成されて単層回路基板が作製されても、その
導体回路は上記導通路およびバンプ状導電性突出物と確
実に導通される。また、上記回路パターンが形成された
単層回路基板の上面には、３０μｍ以上の間隔で多数の
バンプ状導電性突出物が形成されているので、単層回路
基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路基板の導体回路パ
ターン側とを相対させ熱圧着させるだけで、上記バンプ
状導電性突出物を介して基板間の回路を確実に導通でき
るようになる。また、絶縁性樹脂層の形成に低線膨張性
樹脂を用い、この低線膨張性樹脂層の片面に導体層が形
成されているので、絶縁性樹脂と導体層の線膨張係数と
の差が小さくなり、熱収縮などによる回路パターンのズ
レや導体層をエッチングした後のカールなどを抑制でき
るようになる。また、絶縁性樹脂層は、低線膨張性樹脂
と熱可塑性樹脂とで形成され、その接着界面においてそ
れぞれの絶縁性樹脂が混在するので、絶縁性樹脂層は接
着性に優れるようになる。
【０００７】また、本発明の多層配線基板の構成によれ
ば、表面に導通路から延びる多数のバンプ状導電性突出
物が形成されているので、少なくとも２枚の単層回路基
板を精密な位置合わせを必要とせず、単層回路基板の絶
縁性樹脂層側と回路パターン側とを相対させて単に熱圧
着するだけで、導通路およびバンプ状導電性突出物を介
して該基板回路間の導通が確実になされるようになる。
ば、表面に導通路から延びる多数のバンプ状導電性突出
物が形成されているので、少なくとも２枚の単層回路基
板を精密な位置合わせを必要とせず、単層回路基板の絶
縁性樹脂層側と回路パターン側とを相対させて単に熱圧
着するだけで、導通路およびバンプ状導電性突出物を介
して該基板回路間の導通が確実になされるようになる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例を示す図面に基づき本発明をよ
り具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に
よって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の
導体−絶縁性樹脂複合体の一例を示す断面図である。同
図において、２は低線膨張性絶縁性樹脂層で、片面には
導体層１が他面には熱可塑性絶縁性樹脂層３が形成され
た三層状基材を形成している。上記三層状基材の絶縁性
樹脂層１０には、間隔が３０μｍ以上、好ましくは４０
〜５００μｍで厚み方向に貫通する複数の孔径が１０μ
ｍ以上、好ましくは１５〜２５０μｍの貫通孔が形成さ
れ、該貫通孔内には金属物質が充填されて導通路７が形
成されている。この間隔が３０μｍ以下であれば、隣接
するバンプ状導電性突出物がショートする危険が大きく
なり、一方、孔径が１０μｍ以下であれば、導電性金属
の充填が困難となって好ましくない。したがって、本発
明では、上記導通路７は、複合体１cm2 当たりに４００
〜１１万箇所、好ましくは１６００〜６万箇所に形成さ
れる。なお、上記絶縁性樹脂層１０（２，３）の上面に
は上記導通路７から延びるバンプ状導電性突出物５がそ
れぞれ形成されている。
り具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に
よって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の
導体−絶縁性樹脂複合体の一例を示す断面図である。同
図において、２は低線膨張性絶縁性樹脂層で、片面には
導体層１が他面には熱可塑性絶縁性樹脂層３が形成され
た三層状基材を形成している。上記三層状基材の絶縁性
樹脂層１０には、間隔が３０μｍ以上、好ましくは４０
〜５００μｍで厚み方向に貫通する複数の孔径が１０μ
ｍ以上、好ましくは１５〜２５０μｍの貫通孔が形成さ
れ、該貫通孔内には金属物質が充填されて導通路７が形
成されている。この間隔が３０μｍ以下であれば、隣接
するバンプ状導電性突出物がショートする危険が大きく
なり、一方、孔径が１０μｍ以下であれば、導電性金属
の充填が困難となって好ましくない。したがって、本発
明では、上記導通路７は、複合体１cm2 当たりに４００
〜１１万箇所、好ましくは１６００〜６万箇所に形成さ
れる。なお、上記絶縁性樹脂層１０（２，３）の上面に
は上記導通路７から延びるバンプ状導電性突出物５がそ
れぞれ形成されている。
【０００９】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体に用いる
絶縁性樹脂としては、電気絶縁性に優れる各種合成樹脂
が使用できるが、本発明ではポリイミド樹脂の使用が好
ましく、特に導体層（銅層）の線膨張係数との差が小さ
く、熱収縮などによる回路パターンのズレや導体層をエ
ッチングした後のカールを抑制することができる線膨張
係数が２．０×１０-5cm／cm／℃以下の値を有する低線
膨張性ポリイミド樹脂が好ましい。また、本発明では、
上記ポリイミド樹脂は、塗工作業性や各樹脂層間の接着
性を向上させるために、ポリイミド前駆体溶液として塗
布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミド化する
ことが好ましい。
絶縁性樹脂としては、電気絶縁性に優れる各種合成樹脂
が使用できるが、本発明ではポリイミド樹脂の使用が好
ましく、特に導体層（銅層）の線膨張係数との差が小さ
く、熱収縮などによる回路パターンのズレや導体層をエ
ッチングした後のカールを抑制することができる線膨張
係数が２．０×１０-5cm／cm／℃以下の値を有する低線
膨張性ポリイミド樹脂が好ましい。また、本発明では、
上記ポリイミド樹脂は、塗工作業性や各樹脂層間の接着
性を向上させるために、ポリイミド前駆体溶液として塗
布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミド化する
ことが好ましい。
【００１０】この構成によれば、絶縁性樹脂層に導体層
に通じる多数の導通路が形成されているので、導体層に
いかなる回路パターンが形成されても、その導体回路パ
ターンと導通路とが確実に導通されるようになる。ま
た、複合体は低線膨張性絶縁性樹脂を用いているので、
導体層の線膨張係数との差が小さく、熱収縮などによる
回路パターンのズレや導体層をエッチングした後のカー
ルを抑制できるようになる。また、絶縁性樹脂層が、低
線膨張性絶縁性樹脂層と熱可塑性絶縁性樹脂層とで形成
される複合体は、その接着界面においてそれぞれの樹脂
が混在するようになるので、絶縁性樹脂層間の接着性に
優れるようになる。
に通じる多数の導通路が形成されているので、導体層に
いかなる回路パターンが形成されても、その導体回路パ
ターンと導通路とが確実に導通されるようになる。ま
た、複合体は低線膨張性絶縁性樹脂を用いているので、
導体層の線膨張係数との差が小さく、熱収縮などによる
回路パターンのズレや導体層をエッチングした後のカー
ルを抑制できるようになる。また、絶縁性樹脂層が、低
線膨張性絶縁性樹脂層と熱可塑性絶縁性樹脂層とで形成
される複合体は、その接着界面においてそれぞれの樹脂
が混在するようになるので、絶縁性樹脂層間の接着性に
優れるようになる。
【００１１】上記熱可塑性ポリイミド樹脂は、ガラス転
移温度が１８０℃以上で、しかも３９０℃における溶融
粘度が１０9 ポイズ以下の性質を有するものが好適に使
用できる。このポリイミド樹脂も、前記低線膨張性ポリ
イミド樹脂と同様に、塗工作業性や各樹脂層間の接着性
を向上させるためにポリイミド樹脂前駆体溶液として塗
布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミド化する
ことが好ましい。
移温度が１８０℃以上で、しかも３９０℃における溶融
粘度が１０9 ポイズ以下の性質を有するものが好適に使
用できる。このポリイミド樹脂も、前記低線膨張性ポリ
イミド樹脂と同様に、塗工作業性や各樹脂層間の接着性
を向上させるためにポリイミド樹脂前駆体溶液として塗
布工程に供したのち、加熱、脱水閉環してイミド化する
ことが好ましい。
【００１２】上記低線膨張性ポリイミド樹脂および熱可
塑性ポリイミド樹脂は、上記定義に合致するものであれ
ば特に制限されないが、低線膨張性ポリイミド樹脂とし
てはテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物の少なくとも一種を用い、ジアミン成分
としてはｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、３，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応させた
ものを用いることが好ましい。
塑性ポリイミド樹脂は、上記定義に合致するものであれ
ば特に制限されないが、低線膨張性ポリイミド樹脂とし
てはテトラカルボン酸成分として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物の少なくとも一種を用い、ジアミン成分
としてはｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、３，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノビフェニルの少なくとも一種を用いて重合反応させた
ものを用いることが好ましい。
【００１３】一方、熱可塑性ポリイミド樹脂としてはテ
トラカルボン酸成分としてビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物の少なくとも一種を
用い、ジアミン成分としてはビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフ
ェノンの少なくとも一種を用いて重合反応させたものを
用いることが好ましい。重合には有機溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを用いて上記各
成分を略等モル配合して行う。
トラカルボン酸成分としてビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物の少なくとも一種を
用い、ジアミン成分としてはビス〔４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３’−ジア
ミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノベンゾフ
ェノンの少なくとも一種を用いて重合反応させたものを
用いることが好ましい。重合には有機溶媒としてＮ−メ
チル−２−ピロリドンや、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを用いて上記各
成分を略等モル配合して行う。
【００１４】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体は、例え
ば図２の模式断面図に示す工程にしたがって加工して製
造される。なお、この例では、絶縁性樹脂としてポリイ
ミドを、導体として銅箔をそれぞれ用いて説明してい
る。まず、低線膨張性ポリイミド前駆体を銅箔等の導体
上にロールコーターやコンマコーター、ナイフコータ
ー、ドクターブレードなどの手段によって塗布、乾燥し
て、図２（ａ）に示すように、銅箔１／低線膨張性ポリ
イミド前駆体層２’の構造体を形成する。ついで、低線
膨張性ポリイミド前駆体層２’上に、さらに熱可塑性ポ
リイミド前駆体溶液を塗布乾燥して、図２（ｂ）に示す
ように、銅箔１／低線膨張性ポリイミド前駆体層２’／
熱可塑性ポリイミド前駆体層３’の構造体とする。な
お、このときの乾燥工程は６０〜１８０℃程度の温度下
で行い、溶剤除去のみを行うようにしてポリイミド前駆
体の脱水閉環、イミド化が進行しないようにすることが
好ましい。また、このように熱可塑性ポリイミド前駆体
溶液を重ね塗りすることによって、先に塗布乾燥した低
線膨張性ポリイミド前駆体層の表層部が溶解して各ポリ
イミド前駆体成分が混合されることになり、後の工程で
加熱イミド化した場合に十分な界面接着力が得られるよ
うになる。
ば図２の模式断面図に示す工程にしたがって加工して製
造される。なお、この例では、絶縁性樹脂としてポリイ
ミドを、導体として銅箔をそれぞれ用いて説明してい
る。まず、低線膨張性ポリイミド前駆体を銅箔等の導体
上にロールコーターやコンマコーター、ナイフコータ
ー、ドクターブレードなどの手段によって塗布、乾燥し
て、図２（ａ）に示すように、銅箔１／低線膨張性ポリ
イミド前駆体層２’の構造体を形成する。ついで、低線
膨張性ポリイミド前駆体層２’上に、さらに熱可塑性ポ
リイミド前駆体溶液を塗布乾燥して、図２（ｂ）に示す
ように、銅箔１／低線膨張性ポリイミド前駆体層２’／
熱可塑性ポリイミド前駆体層３’の構造体とする。な
お、このときの乾燥工程は６０〜１８０℃程度の温度下
で行い、溶剤除去のみを行うようにしてポリイミド前駆
体の脱水閉環、イミド化が進行しないようにすることが
好ましい。また、このように熱可塑性ポリイミド前駆体
溶液を重ね塗りすることによって、先に塗布乾燥した低
線膨張性ポリイミド前駆体層の表層部が溶解して各ポリ
イミド前駆体成分が混合されることになり、後の工程で
加熱イミド化した場合に十分な界面接着力が得られるよ
うになる。
【００１５】つぎに、上記銅箔１／低線膨張性ポリイミ
ド前駆体層２’／熱可塑性ポリイミド前駆体層３’の構
造体を、不活性ガス雰囲気下で３００℃以上の温度に加
熱して、上記ポリイミド前駆体層２’，３’を脱水、閉
環させてイミド化する。上記加熱には熱風循環式加熱
炉、遠赤外線加熱炉などの装置が用いられる。この加熱
温度が３００℃以下であると、充分にイミド化が進行せ
ずにポリイミド特有の特性が充分に発揮できない。ま
た、イミド化時に酸素が存在すると導体表面が酸化され
るだけでなく、熱可塑性ポリイミド樹脂が熱分解を起こ
す恐れがあり好ましくない。通常、上記加熱時の酸素濃
度は４％以下、好ましくは２％以下とする。なお、この
工程によって、低線膨張性ポリイミド前駆体層２’／熱
可塑性ポリイミド前駆体層３’が同時にイミド化され、
図２（ｃ）に示すように、銅箔１／低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層２／熱可塑性ポリイミド樹脂層３の構造体が得
られるとともに、その際に両ポリイミド層の接着界面に
おいては、両ポリイミド樹脂が混在する混合層６が形成
される。
ド前駆体層２’／熱可塑性ポリイミド前駆体層３’の構
造体を、不活性ガス雰囲気下で３００℃以上の温度に加
熱して、上記ポリイミド前駆体層２’，３’を脱水、閉
環させてイミド化する。上記加熱には熱風循環式加熱
炉、遠赤外線加熱炉などの装置が用いられる。この加熱
温度が３００℃以下であると、充分にイミド化が進行せ
ずにポリイミド特有の特性が充分に発揮できない。ま
た、イミド化時に酸素が存在すると導体表面が酸化され
るだけでなく、熱可塑性ポリイミド樹脂が熱分解を起こ
す恐れがあり好ましくない。通常、上記加熱時の酸素濃
度は４％以下、好ましくは２％以下とする。なお、この
工程によって、低線膨張性ポリイミド前駆体層２’／熱
可塑性ポリイミド前駆体層３’が同時にイミド化され、
図２（ｃ）に示すように、銅箔１／低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層２／熱可塑性ポリイミド樹脂層３の構造体が得
られるとともに、その際に両ポリイミド層の接着界面に
おいては、両ポリイミド樹脂が混在する混合層６が形成
される。
【００１６】次に、絶縁層であるポリイミド層２，３を
厚み方向に貫通して、図２（ｄ）に示すように、貫通孔
４を形成する。この貫通孔の孔径ｘは、基板を適用する
用途によって随時設定できるが、通常１０〜２００μｍ
程度の大きさが好ましい。また、本発明では、上記貫通
孔をポリイミド層１０に、一定間隔を開けてポリイミド
層全面に複数個形成する。この間隔ｙは、３０μｍ以
上、好ましくは４０〜２００μｍ程度が適当である。し
たがって、例えば縦１０cm、横１０cmの基板では、２５
万〜６２５万個の貫通孔が形成されるようになる。上記
貫通孔の形成方法としては、アルカリ溶液によるウエッ
トエッチング法、レーザーやプラズマなどを照射するド
ライエッチング法、ドリル等で機械的にあける方法が挙
げられるが、加工精度や加工速度などからの点からは４
００ｎｍ以下の波長の紫外レーザー光を用いたアブレー
ション加工、特にエキシマレーザーの照射方法が好まし
い。このとき、予め貫通孔の底部の導体層部分をエッチ
ングして貫通孔に通じるバンプ状溝部を形成しておくこ
とが好ましい。
厚み方向に貫通して、図２（ｄ）に示すように、貫通孔
４を形成する。この貫通孔の孔径ｘは、基板を適用する
用途によって随時設定できるが、通常１０〜２００μｍ
程度の大きさが好ましい。また、本発明では、上記貫通
孔をポリイミド層１０に、一定間隔を開けてポリイミド
層全面に複数個形成する。この間隔ｙは、３０μｍ以
上、好ましくは４０〜２００μｍ程度が適当である。し
たがって、例えば縦１０cm、横１０cmの基板では、２５
万〜６２５万個の貫通孔が形成されるようになる。上記
貫通孔の形成方法としては、アルカリ溶液によるウエッ
トエッチング法、レーザーやプラズマなどを照射するド
ライエッチング法、ドリル等で機械的にあける方法が挙
げられるが、加工精度や加工速度などからの点からは４
００ｎｍ以下の波長の紫外レーザー光を用いたアブレー
ション加工、特にエキシマレーザーの照射方法が好まし
い。このとき、予め貫通孔の底部の導体層部分をエッチ
ングして貫通孔に通じるバンプ状溝部を形成しておくこ
とが好ましい。
【００１７】次いで、該貫通孔４に電解メッキ等の方法
で金属物質を充填して、同２（ｅ）に示すように、導通
路７を形成するとともに、その導通路７からポリイミド
層表面に延びるバンプ状導電性突出物５を形成する。充
填する金属としては導通が取れれば特に問題はなく、
金、銀、銅、ニッケル、クロム、錫、半田、タングステ
ン、ロジウム、インジウムなどの金属、またはこれらの
合金を１種あるいは２種以上積層して用いることができ
る。
で金属物質を充填して、同２（ｅ）に示すように、導通
路７を形成するとともに、その導通路７からポリイミド
層表面に延びるバンプ状導電性突出物５を形成する。充
填する金属としては導通が取れれば特に問題はなく、
金、銀、銅、ニッケル、クロム、錫、半田、タングステ
ン、ロジウム、インジウムなどの金属、またはこれらの
合金を１種あるいは２種以上積層して用いることができ
る。
【００１８】本発明の単層回路基板は、上記構成の銅箔
／低線膨張性ポリイミド樹脂層／熱可塑性ポリイミド樹
脂層からなる導体−絶縁性樹脂複合体の導体層に回路加
工を施し、所望の回路パターンを形成してなるものであ
る。この単層回路基板は、図３の模式断面図に示すよう
に、ポリイミド樹脂層１０には導体１の回路パターンＰ
１に導通する２本の導通路７ａ，７ｂが、回路パターン
Ｐ２に導通する２本の導通路７ｃ，７ｄが形成され、ポ
リイミド層２の表面には、該導通路７ａ，７ｂから延び
るバンプ状導電性突出物５ａ，５ｂ、また、導通路７
ｃ，７ｄから延びるバンプ状導電性突出物５ｃ，５ｄが
形成されている。この回路パターンの形成には、公知の
方法、例えばフォトレジストを銅箔上に塗工して回路パ
ターンの露光、現像、ウエットエッチングするという方
法などが採用される。
／低線膨張性ポリイミド樹脂層／熱可塑性ポリイミド樹
脂層からなる導体−絶縁性樹脂複合体の導体層に回路加
工を施し、所望の回路パターンを形成してなるものであ
る。この単層回路基板は、図３の模式断面図に示すよう
に、ポリイミド樹脂層１０には導体１の回路パターンＰ
１に導通する２本の導通路７ａ，７ｂが、回路パターン
Ｐ２に導通する２本の導通路７ｃ，７ｄが形成され、ポ
リイミド層２の表面には、該導通路７ａ，７ｂから延び
るバンプ状導電性突出物５ａ，５ｂ、また、導通路７
ｃ，７ｄから延びるバンプ状導電性突出物５ｃ，５ｄが
形成されている。この回路パターンの形成には、公知の
方法、例えばフォトレジストを銅箔上に塗工して回路パ
ターンの露光、現像、ウエットエッチングするという方
法などが採用される。
【００１９】本発明の多層配線基板は、図４の模式断面
図に示すように、単層回路基板２０と３０とを、絶縁性
合成樹脂層８を介して積層されてなり、回路パターンＰ
１と回路パターンＰ３とを、単層回路基板３０の導通路
７ａとバンプ状金属突起物５ａ、さらに導通路７ｂとバ
ンプ状金属突起物５ｂを介して、また、回路パターンＰ
２と回路パターンＰ４とを、単層回路基板３０の導通路
７ｃとバンプ状金属突起物５ｃ、さらに導通路７ｄとバ
ンプ状金属突起物５ｄを介して、それぞれ導通してい
る。この多層配線基板は、単層回路基板２０の回路パタ
ーン側と単層回路基板３０のバンプ状金属突起物側とを
絶縁性樹脂層８を介して加熱圧着されて製造される。上
記加熱圧着方法としては、ラミネートロールや熱圧プレ
スなどを用い、熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移温
度より３０〜１５０℃程度高い温度にて１〜５００ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力を加えて加熱圧着して得られる。
図に示すように、単層回路基板２０と３０とを、絶縁性
合成樹脂層８を介して積層されてなり、回路パターンＰ
１と回路パターンＰ３とを、単層回路基板３０の導通路
７ａとバンプ状金属突起物５ａ、さらに導通路７ｂとバ
ンプ状金属突起物５ｂを介して、また、回路パターンＰ
２と回路パターンＰ４とを、単層回路基板３０の導通路
７ｃとバンプ状金属突起物５ｃ、さらに導通路７ｄとバ
ンプ状金属突起物５ｄを介して、それぞれ導通してい
る。この多層配線基板は、単層回路基板２０の回路パタ
ーン側と単層回路基板３０のバンプ状金属突起物側とを
絶縁性樹脂層８を介して加熱圧着されて製造される。上
記加熱圧着方法としては、ラミネートロールや熱圧プレ
スなどを用い、熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移温
度より３０〜１５０℃程度高い温度にて１〜５００ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力を加えて加熱圧着して得られる。
【００２０】上記構成によれば、単層回路基板の絶縁樹
脂層には、３０μｍ以上の間隔で１０μｍ以上の複数の
導通路が形成されるとともに、その表面には該導通路か
ら延びるバンプ状導電性突出物が形成されているので、
積層する単層回路基板の位置合わせを必要とせず、単層
回路基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路基板の導体回
路パターン側とを相対させ熱圧着させるだけで、上記導
通路およびバンプ状導電性突出物を介して各基板の回路
間を確実に導通することができるようになる。なお、上
記加熱圧着の際には熱可塑性ポリイミド樹脂層が、積層
される他の単層回路基板の低線膨張性ポリイミド樹脂層
と隣接するように積層されるが、先の工程で導体をエッ
チング処理して回路を形成する際に低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層の表面も荒れた状態となるので、熱可塑性樹脂
との接着強度が向上する。
脂層には、３０μｍ以上の間隔で１０μｍ以上の複数の
導通路が形成されるとともに、その表面には該導通路か
ら延びるバンプ状導電性突出物が形成されているので、
積層する単層回路基板の位置合わせを必要とせず、単層
回路基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路基板の導体回
路パターン側とを相対させ熱圧着させるだけで、上記導
通路およびバンプ状導電性突出物を介して各基板の回路
間を確実に導通することができるようになる。なお、上
記加熱圧着の際には熱可塑性ポリイミド樹脂層が、積層
される他の単層回路基板の低線膨張性ポリイミド樹脂層
と隣接するように積層されるが、先の工程で導体をエッ
チング処理して回路を形成する際に低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層の表面も荒れた状態となるので、熱可塑性樹脂
との接着強度が向上する。
【００２１】以下、実験例を示し本発明をより具体的に
説明する。 実験例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み９μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した。次に、上記低線膨張性ポリイミド前駆体層の上
に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン中で重合して熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を調製
し、これを上記と同様の方法にて流延塗布し、１００℃
で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成した。得
られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚みは３０μｍ、
熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１０μｍであった。
このようにして得られた三層状基体を、窒素ガス置換に
よって酸素濃度を１．５％以下にした連続加熱炉にて４
５０℃に加熱して、脱水閉環を行いイミド化処理を行っ
た。上記三層状基体の断面を走査型電子顕微鏡にて観察
したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可塑性ポ
リイミド樹脂層との界面は明確に存在せず、各樹脂成分
が混合していることが確認できた。
説明する。 実験例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み９μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した。次に、上記低線膨張性ポリイミド前駆体層の上
に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二
無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン中で重合して熱可塑性ポリイミド前駆体溶液を調製
し、これを上記と同様の方法にて流延塗布し、１００℃
で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層を形成した。得
られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の厚みは３０μｍ、
熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１０μｍであった。
このようにして得られた三層状基体を、窒素ガス置換に
よって酸素濃度を１．５％以下にした連続加熱炉にて４
５０℃に加熱して、脱水閉環を行いイミド化処理を行っ
た。上記三層状基体の断面を走査型電子顕微鏡にて観察
したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可塑性ポ
リイミド樹脂層との界面は明確に存在せず、各樹脂成分
が混合していることが確認できた。
【００２２】次に、上記三層状基体のポリイミド樹脂層
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径５０μｍ、
ピッチ１００μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹
脂層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗
工し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間
浸漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッ
キ浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メ
ッキを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキ
が熱可塑性ポリイミド樹脂層表面にバンプ状に析出した
ところでメッキ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層
表面には、表面から５μｍ突出した金メッキが形成され
ていた。最後に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離し
て銅箔−ポリイミド樹脂複合体を得た。
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径５０μｍ、
ピッチ１００μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹
脂層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗
工し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間
浸漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッ
キ浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メ
ッキを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキ
が熱可塑性ポリイミド樹脂層表面にバンプ状に析出した
ところでメッキ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層
表面には、表面から５μｍ突出した金メッキが形成され
ていた。最後に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離し
て銅箔−ポリイミド樹脂複合体を得た。
【００２３】ついで、上記銅箔−ポリイミド樹脂複合体
の銅箔をエッチングして、銅層回路パターンを形成し
た。この回路パターンを形成した３枚の銅箔−ポリイミ
ド樹脂複合体を、熱可塑性ポリイミド樹脂層側と他の複
合体の銅層回路側とを相対させて、真空熱圧プレスに
て、温度３５０℃、圧力１００kg／cm2 の条件で加熱圧
着して３層構造の多層配線基板を得た。
の銅箔をエッチングして、銅層回路パターンを形成し
た。この回路パターンを形成した３枚の銅箔−ポリイミ
ド樹脂複合体を、熱可塑性ポリイミド樹脂層側と他の複
合体の銅層回路側とを相対させて、真空熱圧プレスに
て、温度３５０℃、圧力１００kg／cm2 の条件で加熱圧
着して３層構造の多層配線基板を得た。
【００２４】この多層配線基板を、９０°ピール法によ
ってその引き剥がし強度を測定したところ１．５kg／cm
であり、剥離はポリイミド樹脂層と銅箔との界面で起こ
り、ポリイミド樹脂層間では生じなかった。また、４０
０℃、３０秒の半田ディップ試験を行ったが、ボイドの
発生はなく耐熱性においても全く問題はなかった。
ってその引き剥がし強度を測定したところ１．５kg／cm
であり、剥離はポリイミド樹脂層と銅箔との界面で起こ
り、ポリイミド樹脂層間では生じなかった。また、４０
０℃、３０秒の半田ディップ試験を行ったが、ボイドの
発生はなく耐熱性においても全く問題はなかった。
【００２５】実験例２ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル（６０：４０モル比）のほぼ等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張
性ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚
み３５μｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗
布し、１００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体
層を形成した。次に、上記低線膨張性ポリイミド前駆体
層の上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物とビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリイミ
ド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方法にて流
延塗布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆
体層を形成した。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層
の厚みは３０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは
１０μｍであった。このようにして得られた三層状基体
を、窒素ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連
続加熱炉にて４２０℃に加熱して、脱水閉環を行いイミ
ド化処理を行った。上記三層状基体の断面を走査型電子
顕微鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂
層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明確に存在せ
ず、各樹脂成分が混在していることが確認できた。
水物と、ｐ−フェニレンジアミン／４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル（６０：４０モル比）のほぼ等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張
性ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚
み３５μｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗
布し、１００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体
層を形成した。次に、上記低線膨張性ポリイミド前駆体
層の上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン二無水物とビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリイミ
ド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方法にて流
延塗布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆
体層を形成した。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層
の厚みは３０μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは
１０μｍであった。このようにして得られた三層状基体
を、窒素ガス置換によって酸素濃度を１．０％にした連
続加熱炉にて４２０℃に加熱して、脱水閉環を行いイミ
ド化処理を行った。上記三層状基体の断面を走査型電子
顕微鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂
層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明確に存在せ
ず、各樹脂成分が混在していることが確認できた。
【００２６】次に、上記三層状基体のポリイミド樹脂層
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径４０μｍ、
ピッチ５０μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹脂
層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗工
し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間浸
漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッキ
浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メッ
キを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキが
熱可塑性ポリイミド樹脂層表面に析出したところでメッ
キ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層表面には、表
面から７μｍ突出した金メッキが形成されていた。最後
に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離して銅箔−ポリ
イミド樹脂複合体を得た。
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径４０μｍ、
ピッチ５０μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹脂
層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗工
し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間浸
漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッキ
浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メッ
キを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキが
熱可塑性ポリイミド樹脂層表面に析出したところでメッ
キ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層表面には、表
面から７μｍ突出した金メッキが形成されていた。最後
に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離して銅箔−ポリ
イミド樹脂複合体を得た。
【００２７】ついで、上記銅箔−ポリイミド樹脂複合体
の銅箔を、実施例１と同様にエッチングして、銅層回路
パターンを形成した。この回路パターンを形成した５枚
の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、熱可塑性ポリイミド
樹脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相対させて、予
め別に作製した熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム（１５
μｍ）を挟み、窒素ガス置換して酸素濃度を１．５％以
下にしたラミネーターにて、温度３７０℃、圧力５０kg
／cm2 の条件で加熱圧着して５層構造の多層配線基板を
得た。この多層配線基板を、実施例１と同様にして測定
した引き剥がし強度は、２．４kg／cmであり、剥離は銅
箔との界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では生じなか
った。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験を行
ったが、ボイドの発生はなく耐熱性においても全く問題
はなかった。
の銅箔を、実施例１と同様にエッチングして、銅層回路
パターンを形成した。この回路パターンを形成した５枚
の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、熱可塑性ポリイミド
樹脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相対させて、予
め別に作製した熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム（１５
μｍ）を挟み、窒素ガス置換して酸素濃度を１．５％以
下にしたラミネーターにて、温度３７０℃、圧力５０kg
／cm2 の条件で加熱圧着して５層構造の多層配線基板を
得た。この多層配線基板を、実施例１と同様にして測定
した引き剥がし強度は、２．４kg／cmであり、剥離は銅
箔との界面で起こり、ポリイミド樹脂層間では生じなか
った。また、４００℃、３０秒の半田ディップ試験を行
ったが、ボイドの発生はなく耐熱性においても全く問題
はなかった。
【００２８】実験例３ ピロメリット酸二無水物と、ｐ−フェニレンジアミン／
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（５０：５０モ
ル比）のほぼ等モルを、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド
中で重合して低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を調製
し、これを電解銅箔（厚み１２μｍ）上にロールコータ
ーを用いて均一に流延塗布し、１２０℃で乾燥して低線
膨張性ポリイミド前駆体層を形成した。次に、上記低線
膨張性ポリイミド前駆体層の上に、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）スルホン二無水物と、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様
の方法にて流延塗布し、１２０℃で乾燥して熱可塑性ポ
リイミド前駆体層を形成した。得られた低線膨張性ポリ
イミド樹脂層の厚みは１５μｍ、熱可塑性ポリイミド樹
脂層の厚みは６μｍであった。このようにして得られた
三層状基体を、窒素ガス置換によって酸素濃度を１．０
％にした連続加熱炉にて５００℃に加熱して、脱水閉環
を行いイミド化処理を行った。上記三層状基体の断面を
走査型電子顕微鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリ
イミド樹脂層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明
確に存在せず、各樹脂成分が混合していることが確認で
きた。
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（５０：５０モ
ル比）のほぼ等モルを、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド
中で重合して低線膨張性ポリイミド前駆体溶液を調製
し、これを電解銅箔（厚み１２μｍ）上にロールコータ
ーを用いて均一に流延塗布し、１２０℃で乾燥して低線
膨張性ポリイミド前駆体層を形成した。次に、上記低線
膨張性ポリイミド前駆体層の上に、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）スルホン二無水物と、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等
モルを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可
塑性ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様
の方法にて流延塗布し、１２０℃で乾燥して熱可塑性ポ
リイミド前駆体層を形成した。得られた低線膨張性ポリ
イミド樹脂層の厚みは１５μｍ、熱可塑性ポリイミド樹
脂層の厚みは６μｍであった。このようにして得られた
三層状基体を、窒素ガス置換によって酸素濃度を１．０
％にした連続加熱炉にて５００℃に加熱して、脱水閉環
を行いイミド化処理を行った。上記三層状基体の断面を
走査型電子顕微鏡にて観察したところ、低線膨張性ポリ
イミド樹脂層と熱可塑性ポリイミド樹脂層との界面は明
確に存在せず、各樹脂成分が混合していることが確認で
きた。
【００２９】次に、上記三層状基体のポリイミド樹脂層
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径５０μｍ、
ピッチ１００μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹
脂層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗
工し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間
浸漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッ
キ浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メ
ッキを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキ
が熱可塑性ポリイミド樹脂層表面に析出したところでメ
ッキ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層表面には、
表面から３μｍ突出した金メッキが形成されていた。最
後に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離して銅箔−ポ
リイミド樹脂複合体を得た。ついで、上記銅箔−ポリイ
ミド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様にエッチング
して、銅層回路パターンを形成した。この回路パターン
を形成した２枚の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、実施
例１と同様にして真空熱圧プレスにて、温度３２０℃、
圧力２５０kg／cm2 の条件で加熱圧着して、図４に示す
２層構造の多層配線基板を得た。この多層配線基板を、
実施例１と同様にして測定した引き剥がし強度は、１．
５kg／cmであり、剥離は銅箔との界面で起こり、ポリイ
ミド樹脂層間では生じなかった。また、４００℃、３０
秒の半田ディップ試験を行ったが、ボイドの発生はなく
耐熱性においても全く問題はなかった。
面に、発振波長２４８nmのKr−Ｆエキシマレーザー光を
マスクを通して照射してドライエッチングを施し、上記
ポリイミド樹脂層を厚み方向に貫通する直径５０μｍ、
ピッチ１００μｍの貫通孔を上記熱可塑性ポリイミド樹
脂層全面に形成した。ついで、銅箔表面にレジストを塗
工し硬化させて絶縁し、化学研磨液中に５０℃で２分間
浸漬した後、水洗した。これを６０℃のシアン化金メッ
キ浴中に浸漬し、銅箔を陰極とし、対極との間に電解メ
ッキを施して貫通孔に金メッキを成長させ、該金メッキ
が熱可塑性ポリイミド樹脂層表面に析出したところでメ
ッキ処理を終了した。上記ポリイミド樹脂層表面には、
表面から３μｍ突出した金メッキが形成されていた。最
後に、銅箔表面に施したレジスト層を剥離して銅箔−ポ
リイミド樹脂複合体を得た。ついで、上記銅箔−ポリイ
ミド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様にエッチング
して、銅層回路パターンを形成した。この回路パターン
を形成した２枚の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、実施
例１と同様にして真空熱圧プレスにて、温度３２０℃、
圧力２５０kg／cm2 の条件で加熱圧着して、図４に示す
２層構造の多層配線基板を得た。この多層配線基板を、
実施例１と同様にして測定した引き剥がし強度は、１．
５kg／cmであり、剥離は銅箔との界面で起こり、ポリイ
ミド樹脂層間では生じなかった。また、４００℃、３０
秒の半田ディップ試験を行ったが、ボイドの発生はなく
耐熱性においても全く問題はなかった。
【００３０】比較例１ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
Ｎ−ジメチルホルムアミド中で重合して低線膨張性ポリ
イミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み９μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した後、窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行った。次に、上記低線膨張性
ポリイミド層の上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物とビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方法にて流延塗
布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層
を形成した。ついでこれを、窒素ガス置換によって酸素
濃度を２．０％にした連続加熱炉にて４５０℃に加熱し
て、脱水閉環を行いイミド化処理を行った。得られた低
線膨張性ポリイミド樹脂層の厚みは２０μｍ、熱可塑性
ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍであった。このように
して得られた三層基体の断面を走査型電子顕微鏡にて観
察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可塑性
ポリイミド樹脂層との界面は明確に存在し、各樹脂成分
が混合されていないことが確認できた。ついで、上記銅
箔−ポリイミド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様に
して銅層回路パターンを形成した。この回路パターンを
形成した３枚の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、熱可塑
性ポリイミド樹脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相
対させて、実施例１と同様にして真空熱圧プレスにて、
温度３５０℃、圧力１００kg／cm2 の条件で加熱圧着し
て３層構造の多層配線基板を得た。この多層配線基板
を、実施例１と同様にして測定した引き剥がし強度は、
０．１kg／cmであり、ポリイミド樹脂層間で容易に剥離
し、接着強度がほとんどないものであった。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
Ｎ−ジメチルホルムアミド中で重合して低線膨張性ポリ
イミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み９μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した後、窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行った。次に、上記低線膨張性
ポリイミド層の上に、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物とビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリイミド前
駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方法にて流延塗
布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層
を形成した。ついでこれを、窒素ガス置換によって酸素
濃度を２．０％にした連続加熱炉にて４５０℃に加熱し
て、脱水閉環を行いイミド化処理を行った。得られた低
線膨張性ポリイミド樹脂層の厚みは２０μｍ、熱可塑性
ポリイミド樹脂層の厚みは５μｍであった。このように
して得られた三層基体の断面を走査型電子顕微鏡にて観
察したところ、低線膨張性ポリイミド樹脂層と熱可塑性
ポリイミド樹脂層との界面は明確に存在し、各樹脂成分
が混合されていないことが確認できた。ついで、上記銅
箔−ポリイミド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様に
して銅層回路パターンを形成した。この回路パターンを
形成した３枚の銅箔−ポリイミド樹脂複合体を、熱可塑
性ポリイミド樹脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相
対させて、実施例１と同様にして真空熱圧プレスにて、
温度３５０℃、圧力１００kg／cm2 の条件で加熱圧着し
て３層構造の多層配線基板を得た。この多層配線基板
を、実施例１と同様にして測定した引き剥がし強度は、
０．１kg／cmであり、ポリイミド樹脂層間で容易に剥離
し、接着強度がほとんどないものであった。
【００３１】比較例２ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み３５μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した後、窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行って、銅箔−ポリイミド樹脂
複合体を得た。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは２０μｍであった。ついで、上記銅箔−ポリイミ
ド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様にして銅層回路
パターンを形成した。一方、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物と、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリ
イミド前駆体溶液を調製し、これをガラス板上に流延塗
布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層
を形成した後、さらにこれを窒素ガス置換した加熱炉に
て４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を行
った。得られた熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１５
μｍであった。ついで前記回路パターンを形成した銅箔
−ポリイミド樹脂複合体２枚を、熱可塑性ポリイミド樹
脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相対させ、その間
に上記熱可塑性ポリイミド樹脂層を挟着させて、実施例
１と同様にして真空熱圧プレスにて、温度３５０℃、圧
力１００kg／cm2 の条件で加熱圧着して２層構造の多層
配線基板を得た。この多層配線基板を、実施例１と同様
にして測定した引き剥がし強度は、０．４kg／cmであ
り、ポリイミド樹脂層間で容易に剥離し、接着強度がほ
とんどないものであった。また、実施例１と同様に４０
０℃の半田ディップを行ったところ、全面に発泡を生じ
た。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを圧延銅箔（厚み３５μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した後、窒素ガス雰囲気下で４５０℃に加熱して脱水閉
環を行いイミド化処理を行って、銅箔−ポリイミド樹脂
複合体を得た。得られた低線膨張性ポリイミド樹脂層の
厚みは２０μｍであった。ついで、上記銅箔−ポリイミ
ド樹脂複合体の銅箔を、実施例１と同様にして銅層回路
パターンを形成した。一方、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物と、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モルを、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性ポリ
イミド前駆体溶液を調製し、これをガラス板上に流延塗
布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイミド前駆体層
を形成した後、さらにこれを窒素ガス置換した加熱炉に
て４５０℃に加熱して脱水閉環を行いイミド化処理を行
った。得られた熱可塑性ポリイミド樹脂層の厚みは１５
μｍであった。ついで前記回路パターンを形成した銅箔
−ポリイミド樹脂複合体２枚を、熱可塑性ポリイミド樹
脂層側と他の複合体の銅層回路側とを相対させ、その間
に上記熱可塑性ポリイミド樹脂層を挟着させて、実施例
１と同様にして真空熱圧プレスにて、温度３５０℃、圧
力１００kg／cm2 の条件で加熱圧着して２層構造の多層
配線基板を得た。この多層配線基板を、実施例１と同様
にして測定した引き剥がし強度は、０．４kg／cmであ
り、ポリイミド樹脂層間で容易に剥離し、接着強度がほ
とんどないものであった。また、実施例１と同様に４０
０℃の半田ディップを行ったところ、全面に発泡を生じ
た。
【００３２】比較例３ ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを電解銅箔（厚み１２μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した。次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性
ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方
法にて流延塗布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイ
ミド前駆体層を形成した。得られた低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層の厚みは１３μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層
の厚みは８μｍであった。このようにして得られた三層
基体を、窒素ガス置換していない（酸素濃度が１８％）
連続加熱炉にて４５０℃に加熱して、脱水閉環を行いイ
ミド化処理を行ったところ、銅層表面が酸化して黒化
し、しかも熱可塑性ポリイミド樹脂層も熱分解によって
黒色化し劣化した。得られた銅箔−ポリイミド樹脂複合
体は、上記実施例のような引き剥がし強度試験や耐熱性
試験が実施できなかった。
水物と、ｐ−フェニレンジアミンのほぼ等モルを、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン中で重合して低線膨張性ポリイ
ミド前駆体溶液を調製し、これを電解銅箔（厚み１２μ
ｍ）上にコンマコーターを用いて均一に流延塗布し、１
００℃で乾燥して低線膨張性ポリイミド前駆体層を形成
した。次に、上記前駆体層の上に、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）エーテル二無水物とビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのほぼ等モル
を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で重合して熱可塑性
ポリイミド前駆体溶液を調製し、これを上記と同様の方
法にて流延塗布し、１００℃で乾燥して熱可塑性ポリイ
ミド前駆体層を形成した。得られた低線膨張性ポリイミ
ド樹脂層の厚みは１３μｍ、熱可塑性ポリイミド樹脂層
の厚みは８μｍであった。このようにして得られた三層
基体を、窒素ガス置換していない（酸素濃度が１８％）
連続加熱炉にて４５０℃に加熱して、脱水閉環を行いイ
ミド化処理を行ったところ、銅層表面が酸化して黒化
し、しかも熱可塑性ポリイミド樹脂層も熱分解によって
黒色化し劣化した。得られた銅箔−ポリイミド樹脂複合
体は、上記実施例のような引き剥がし強度試験や耐熱性
試験が実施できなかった。
【００３３】
【発明の効果】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体によれ
ば、複合体の絶縁性樹脂層全面に３０μｍ以上の間隔で
上記絶縁性樹脂層を厚さ方向に貫通する孔径１０μｍ以
上の複数の貫通孔が形成され、該貫通孔には金属物質が
充填されて多数の導通路が形成されているので、導体層
にいかなる回路パターンが形成されて単層回路基板が作
製されても、その導体回路パターンは、上記導通路で確
実に導通できる。また、単層回路基板には３０μｍ以上
の間隔で多数の導通路が形成され、その表面には該導通
路から延びるバンプ状導電性突出物が形成されているの
で、この単層回路基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路
基板の導体回路側とを相対させて熱圧着するだけで、単
層回路基板間における導体回路と導通路（バンプ状導電
性突出物）との精密な位置合わせすることなく、バンプ
状導電性突出物を介して単層回路基板間の回路を確実に
導通できるようになり、単層回路基板間の回路導通信頼
性を向上できる。また、絶縁性樹脂に低線膨張性絶縁性
樹脂を用い、この低線膨張性絶縁性樹脂層の片面に導体
層が形成されているので、導体層の線膨張係数との差が
小さく、熱収縮などによる回路パターンのズレや導体層
をエッチングした後のカールを抑制することができる。
また、上記低線膨張性絶縁性樹脂層と熱可塑性絶縁性樹
脂層が形成されているので、各絶縁性樹脂層の接着性に
優れ、耐熱性や耐薬品性、耐カール性に優れるようにな
る。したがって、上記複合体から得られる単層回路基板
を２枚以上積層させてなる多層配線基板は、簡単に、か
つ、確実に回路間の導通がなされて導通信頼性が向上
し、また、多層配線基板自体の耐熱性や耐薬品性、耐カ
ール性に優れるものとなる。
ば、複合体の絶縁性樹脂層全面に３０μｍ以上の間隔で
上記絶縁性樹脂層を厚さ方向に貫通する孔径１０μｍ以
上の複数の貫通孔が形成され、該貫通孔には金属物質が
充填されて多数の導通路が形成されているので、導体層
にいかなる回路パターンが形成されて単層回路基板が作
製されても、その導体回路パターンは、上記導通路で確
実に導通できる。また、単層回路基板には３０μｍ以上
の間隔で多数の導通路が形成され、その表面には該導通
路から延びるバンプ状導電性突出物が形成されているの
で、この単層回路基板の絶縁性樹脂層側と他の単層回路
基板の導体回路側とを相対させて熱圧着するだけで、単
層回路基板間における導体回路と導通路（バンプ状導電
性突出物）との精密な位置合わせすることなく、バンプ
状導電性突出物を介して単層回路基板間の回路を確実に
導通できるようになり、単層回路基板間の回路導通信頼
性を向上できる。また、絶縁性樹脂に低線膨張性絶縁性
樹脂を用い、この低線膨張性絶縁性樹脂層の片面に導体
層が形成されているので、導体層の線膨張係数との差が
小さく、熱収縮などによる回路パターンのズレや導体層
をエッチングした後のカールを抑制することができる。
また、上記低線膨張性絶縁性樹脂層と熱可塑性絶縁性樹
脂層が形成されているので、各絶縁性樹脂層の接着性に
優れ、耐熱性や耐薬品性、耐カール性に優れるようにな
る。したがって、上記複合体から得られる単層回路基板
を２枚以上積層させてなる多層配線基板は、簡単に、か
つ、確実に回路間の導通がなされて導通信頼性が向上
し、また、多層配線基板自体の耐熱性や耐薬品性、耐カ
ール性に優れるものとなる。
【図１】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の導体−絶縁性樹脂複合体の製造法を例
示する断面図である。
示する断面図である。
【図３】本発明の単層回路基板の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の多層配線基板の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 導体 ２ 低線膨張性絶縁性樹脂層 ３ 熱可塑性絶縁性樹脂層 ５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ バンプ状導電性突出物 ６ 混合層 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ 導通路 ８ 絶縁性合成樹脂層 ２０，３０ 単層回路基板 Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４ 導体回路パターン
Claims (7)
- 【請求項１】 片面に導体層が形成された基材の絶縁性
樹脂層に、３０μｍ以上の間隔で上記絶縁性樹脂層を厚
み方向に貫通する孔径１０μｍ以上の複数の導通路およ
びその導通路から延びるバンプ状導電性突出物が形成さ
れていることを特徴とする導体−絶縁性樹脂複合体。 - 【請求項２】 基材が低線膨張性絶縁性樹脂層の片面に
導体層および他面に熱可塑性絶縁性樹脂層が形成された
三層状基材である請求項１記載の導体−絶縁性樹脂複合
体。 - 【請求項３】 低線膨張性絶縁性樹脂層と熱可塑性絶縁
性樹脂層との接着界面は、それぞれの絶縁性樹脂成分が
混在している請求項２記載の導体−電気絶縁性樹脂複合
体。 - 【請求項４】 低線膨張性絶縁性樹脂層が、ポリイミド
樹脂前駆体をイミド化して形成されたものである請求項
２または３記載の導体−電気絶縁性樹脂複合体。 - 【請求項５】 熱可塑性絶縁性樹脂層が、ポリイミド樹
脂前駆体をイミド化して形成されたものである請求項２
または３記載の導体−電気絶縁性樹脂複合体。 - 【請求項６】 請求項１記載の導体−電気絶縁性樹脂複
合体の導体層に、回路加工が施されてなる単層回路基
板。 - 【請求項７】 請求項６記載の単層回路基板の少なくと
も２枚が、直接または絶縁性合成樹脂を介して積層され
てなり、上記各単層基板の回路間を導通路およびバンプ
状導電性突出物を介して導通してなる多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16934293A JPH0730212A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16934293A JPH0730212A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730212A true JPH0730212A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15884787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16934293A Pending JPH0730212A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730212A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216522A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sony Chem Corp | フレキシブル基板製造方法、及びフレキシブル基板 |
| JP3708133B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2005-10-19 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線基板の製造方法、多層配線基板の製造装置、および多層配線基板 |
| CN1301045C (zh) * | 2001-07-10 | 2007-02-14 | 株式会社藤仓 | 多层接线板组件制造方法及多层接线板组件 |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP16934293A patent/JPH0730212A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3708133B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2005-10-19 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線基板の製造方法、多層配線基板の製造装置、および多層配線基板 |
| JP2000216522A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sony Chem Corp | フレキシブル基板製造方法、及びフレキシブル基板 |
| CN1301045C (zh) * | 2001-07-10 | 2007-02-14 | 株式会社藤仓 | 多层接线板组件制造方法及多层接线板组件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6591491B2 (en) | Method for producing multilayer circuit board | |
| US6662442B1 (en) | Process for manufacturing printed wiring board using metal plating techniques | |
| JP3961092B2 (ja) | 複合配線基板、フレキシブル基板、半導体装置、および複合配線基板の製造方法 | |
| JP5290455B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| CN101897246B (zh) | 一种制造印刷布线板的方法 | |
| JP2001044589A (ja) | 回路基板 | |
| JP2002280684A (ja) | フレキシブル銅張回路基板とその製造方法 | |
| JP7583362B2 (ja) | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 | |
| JP2783389B2 (ja) | フレキシブル金属箔積層板の製造方法 | |
| JP3059556B2 (ja) | 多層基板およびその製造方法 | |
| JP3565069B2 (ja) | 両面フレキシブルプリント基板の製造方法 | |
| JP4448610B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH06283866A (ja) | 多層回路基板およびその製造方法 | |
| JP3356298B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
| JP3339422B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JPH0730212A (ja) | 導体−絶縁性樹脂複合体、その複合体からなる単層回路基板およびその単層回路基板を用いてなる多層配線基板 | |
| JPH0955568A (ja) | 薄膜配線シート、多層配線基板、およびそれらの製造方法 | |
| JP2005116660A (ja) | 導電性ペースト充填基板およびその製造方法 | |
| JP3142951B2 (ja) | 両面基板の製造方法 | |
| JPH05267810A (ja) | 両面基板およびその製造方法 | |
| JP3704920B2 (ja) | 磁気ヘッドサスペンションの製造方法 | |
| JP2905331B2 (ja) | 両面基板 | |
| JPH05152699A (ja) | 両面基板およびその製造方法 | |
| JP2919672B2 (ja) | 両面回路基板およびその製造方法 | |
| JP2002134925A (ja) | 多層回路基板およびその製造方法 |