JPH07117751B2 - 感光剤 - Google Patents
感光剤Info
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- JPH07117751B2 JPH07117751B2 JP31400287A JP31400287A JPH07117751B2 JP H07117751 B2 JPH07117751 B2 JP H07117751B2 JP 31400287 A JP31400287 A JP 31400287A JP 31400287 A JP31400287 A JP 31400287A JP H07117751 B2 JPH07117751 B2 JP H07117751B2
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- JP
- Japan
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- photosensitizer
- light
- compound
- acid
- aliphatic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/016—Diazonium salts or compounds
- G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は感光剤に係り、特に、ポジ形KrFエキシマレー
ザレジストに好適な感光剤に関する。本発明の感光剤
は、アルカリ可溶性樹脂との組成物として、半導体素子
等の製造に必要な微細なパターン形成に利用される。
ザレジストに好適な感光剤に関する。本発明の感光剤
は、アルカリ可溶性樹脂との組成物として、半導体素子
等の製造に必要な微細なパターン形成に利用される。
LSIを製造するためのパターン形成法としては、従来よ
り、ｇ線（436nm）あるいはｃ線（365nm）の光を使った
縮少投影露光法が採用されて来た。しかしながら、これ
らUV光を用いたリソグラフィ技術では、その解像度限界
は、理論的には、4MbDRAMの最少線幅に対応した0.8μｍ
と予感され、16MbDRAMの製造に必要な最少線幅0.8μｍ
を解像することは、従来のリソグラフィ技術を用いては
困難であると考えられている。そこで、0.5μｍを解像
するための新しいレジスト材料・プロセスあるいはハー
ドが近年活発に研究されて来たが、最近、KrFエキシマ
レーザ（249nm）光を用いた縮少投影露光技術が0.5μｍ
以下の線幅を解像するための有力なリソグラフィ技術と
して注目されている。この技術はUV光よりもさらに短波
長の光を用いて解像度を上げようとするものであるが、
使用する光の波長が短波長になるとレジスト材料に大き
な問題が生じる。
り、ｇ線（436nm）あるいはｃ線（365nm）の光を使った
縮少投影露光法が採用されて来た。しかしながら、これ
らUV光を用いたリソグラフィ技術では、その解像度限界
は、理論的には、4MbDRAMの最少線幅に対応した0.8μｍ
と予感され、16MbDRAMの製造に必要な最少線幅0.8μｍ
を解像することは、従来のリソグラフィ技術を用いては
困難であると考えられている。そこで、0.5μｍを解像
するための新しいレジスト材料・プロセスあるいはハー
ドが近年活発に研究されて来たが、最近、KrFエキシマ
レーザ（249nm）光を用いた縮少投影露光技術が0.5μｍ
以下の線幅を解像するための有力なリソグラフィ技術と
して注目されている。この技術はUV光よりもさらに短波
長の光を用いて解像度を上げようとするものであるが、
使用する光の波長が短波長になるとレジスト材料に大き
な問題が生じる。
例えば、遠藤らの報告（電気通信学会技術研究報告.86
巻.139号，第１頁（1987））によれば、従来からUV用と
して実用に供されている溶解阻害型ノボラック系ポジ形
レジスト（ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルの組成物）はKrFエキシマレーザ照射で
は良好なパターンを与えない。これは、ベースポリマで
あるノボラック樹脂が249nmに大きな光吸収帯を持って
いること、および、感光剤であるナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルが249nmにおいてブリーチングしな
いことが原因で、露光光がレジストの底部にまで到達し
ないからである。このように、KrFエキシマレーザ用の
溶解阻害型ポジ形レジストとしては、末だ、特性に優れ
たものは、見い出されておらず、ベースポリマに関して
は、249nmにおける光透過性のいよいポリマが、感光剤
に関しては、249nmにおいてブリーチング作用の大きな
材料の開発が望まれていた。
巻.139号，第１頁（1987））によれば、従来からUV用と
して実用に供されている溶解阻害型ノボラック系ポジ形
レジスト（ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルの組成物）はKrFエキシマレーザ照射で
は良好なパターンを与えない。これは、ベースポリマで
あるノボラック樹脂が249nmに大きな光吸収帯を持って
いること、および、感光剤であるナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルが249nmにおいてブリーチングしな
いことが原因で、露光光がレジストの底部にまで到達し
ないからである。このように、KrFエキシマレーザ用の
溶解阻害型ポジ形レジストとしては、末だ、特性に優れ
たものは、見い出されておらず、ベースポリマに関して
は、249nmにおける光透過性のいよいポリマが、感光剤
に関しては、249nmにおいてブリーチング作用の大きな
材料の開発が望まれていた。
なお、近年、DeepUV用の感光剤として、コール酸−Ｏ−
ニトロベンジルエステル（E.Reichmanis,etal.,J.Vac.S
ui.Technol.,19,1338（1981））や５−ジアゾメルドラ
ム酸（B.D,GranT etal.,IEEE Trans.Electron Deuices,
ED-28,1300（1981））等が研究されているが、前者は芳
香環を含むためブリーチング効果が小さく、また、後者
は、ブリーチング作用は起きるものの、昇華性があり、
溶解性も悪いという問題があった。
ニトロベンジルエステル（E.Reichmanis,etal.,J.Vac.S
ui.Technol.,19,1338（1981））や５−ジアゾメルドラ
ム酸（B.D,GranT etal.,IEEE Trans.Electron Deuices,
ED-28,1300（1981））等が研究されているが、前者は芳
香環を含むためブリーチング効果が小さく、また、後者
は、ブリーチング作用は起きるものの、昇華性があり、
溶解性も悪いという問題があった。
上記したように、従来の溶解阻害型ポジ形レジストは、
ベースポリマに関しては、249nmにおける光透過性が悪
く、また、感光剤に関してはブリーチング作用が起らな
いために、KrFエキシマレーザレジストとしては実用に
供し得ないものであった。
ベースポリマに関しては、249nmにおける光透過性が悪
く、また、感光剤に関してはブリーチング作用が起らな
いために、KrFエキシマレーザレジストとしては実用に
供し得ないものであった。
本発明の目的は、上記問題点のうち、KrFエキシマレー
ザレジストの開発に最も重要となる感光剤、すなわち、
300nm以下の光に対してブリーチング作用が大きく、溶
解性に優れ、昇華性のない感光剤を提供することにあ
る。
ザレジストの開発に最も重要となる感光剤、すなわち、
300nm以下の光に対してブリーチング作用が大きく、溶
解性に優れ、昇華性のない感光剤を提供することにあ
る。
溶解阻害型KrFエキシマレーザポジ形レジスト用の感光
剤に要求される主な特性は、249nmの光吸収が大であ
ること、光反応の量子収率が大であること。光反応
生成物が249nmに吸収を持たないことの他に、一般的に
は、光反応前後でアルカリ溶解阻害効果が大きいことや
ベースポリマとの相溶性が大であること、あるいは、適
度の結晶性を有していることなども重要な因子である。
従来からUV用に使われているナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルは、分子内に芳香環を持っているため
に、要求特性を満足せず、KrFエキシマレーザ用感光
剤としては使用できない。そこで、光反応生成物が249n
mに光吸収を持たないように、芳香環を含まない脂肪族
ジアゾケトンを検討することにした。まず、要求特性
を満足する脂肪族ジアゾケトンを種々検討した結
果、下記一般式（６）で示される化合物が上記特性を満
足する脂肪族ジアゾケトンであることを見い出した。
剤に要求される主な特性は、249nmの光吸収が大であ
ること、光反応の量子収率が大であること。光反応
生成物が249nmに吸収を持たないことの他に、一般的に
は、光反応前後でアルカリ溶解阻害効果が大きいことや
ベースポリマとの相溶性が大であること、あるいは、適
度の結晶性を有していることなども重要な因子である。
従来からUV用に使われているナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステルは、分子内に芳香環を持っているため
に、要求特性を満足せず、KrFエキシマレーザ用感光
剤としては使用できない。そこで、光反応生成物が249n
mに光吸収を持たないように、芳香環を含まない脂肪族
ジアゾケトンを検討することにした。まず、要求特性
を満足する脂肪族ジアゾケトンを種々検討した結
果、下記一般式（６）で示される化合物が上記特性を満
足する脂肪族ジアゾケトンであることを見い出した。
ここで、R1，R4は芳香環を含まない一価の有機基で、具
体的にはR1はC1〜C10のアルキル基や などが挙げられる。また、R4としてはC1〜C10のアルキ
ル基である。しかしながら、これら化合物は、感光剤と
して一般に要求される、光反応前後における大きな溶解
阻害効果の差を出すことは困難であった。そこで、R4と
して、エステル結合で結合できる置換基を種々検討した
結果、母体として、水酸基を側鎖に有する飽和炭化水素
骨格が良いことを見い出した。このような化合物として
は、例えば、（７）〜（15）のような水酸基を有するビ
シクロ化合物や（16）〜（21）のようなリトコール酸，
デオキシコール酸，コール酸，およびこれらの優導体等
が挙げられる。（但し、R2はＨあるいはC1〜C10のアル
キル基である。）感光剤としては、これらの母体に少な
くとも１個の感光基（一般式（１））をエステル結合を
介して結合させれば良い。すなわち、これら母体の水酸
基 のＨを少なくとも１個の一般式（５）に変換すれば良
い。
体的にはR1はC1〜C10のアルキル基や などが挙げられる。また、R4としてはC1〜C10のアルキ
ル基である。しかしながら、これら化合物は、感光剤と
して一般に要求される、光反応前後における大きな溶解
阻害効果の差を出すことは困難であった。そこで、R4と
して、エステル結合で結合できる置換基を種々検討した
結果、母体として、水酸基を側鎖に有する飽和炭化水素
骨格が良いことを見い出した。このような化合物として
は、例えば、（７）〜（15）のような水酸基を有するビ
シクロ化合物や（16）〜（21）のようなリトコール酸，
デオキシコール酸，コール酸，およびこれらの優導体等
が挙げられる。（但し、R2はＨあるいはC1〜C10のアル
キル基である。）感光剤としては、これらの母体に少な
くとも１個の感光基（一般式（１））をエステル結合を
介して結合させれば良い。すなわち、これら母体の水酸
基 のＨを少なくとも１個の一般式（５）に変換すれば良
い。
これらの感光剤は300nm以下の領域に大きな光吸収帯を
持つが、光照射により効率良くカルボン酸に変化して、
光吸収強度が大きく減少し、優れたブリーチング作用を
示す。また、昇華性はなく、溶解性にも優れ、通常のレ
ジスト溶剤である１−アセトキシ−２−エトキシエタン
にも容易に溶解する。さらに、アルカリ可溶性樹脂に対
する溶解阻害効果にも優れ、本発明の感光剤は、アルカ
リ可溶性樹脂との組成物として、KrFエキシマレーザポ
ジ形レジストに使用することができる。
持つが、光照射により効率良くカルボン酸に変化して、
光吸収強度が大きく減少し、優れたブリーチング作用を
示す。また、昇華性はなく、溶解性にも優れ、通常のレ
ジスト溶剤である１−アセトキシ−２−エトキシエタン
にも容易に溶解する。さらに、アルカリ可溶性樹脂に対
する溶解阻害効果にも優れ、本発明の感光剤は、アルカ
リ可溶性樹脂との組成物として、KrFエキシマレーザポ
ジ形レジストに使用することができる。
本発明の感光剤は、脂肪族ジアゾケトンを感光基に用い
ることにより、300nm以下の光に対して、効率の良い優
れたブリーチング作用を発現し、また、上記脂肪族ジア
ゾケトンをエステル結合を介して、水酸基を側鎖に有す
る飽和炭化水素骨格に結合させることにより、優れた溶
解性を生み出し、昇華性もなくなったものと考えられ
る。
ることにより、300nm以下の光に対して、効率の良い優
れたブリーチング作用を発現し、また、上記脂肪族ジア
ゾケトンをエステル結合を介して、水酸基を側鎖に有す
る飽和炭化水素骨格に結合させることにより、優れた溶
解性を生み出し、昇華性もなくなったものと考えられ
る。
以下、本発明を合成例および実施例をもって具体的に説
明するが、本発明はこれらの合成例および実施例に限定
されるものではない。
明するが、本発明はこれらの合成例および実施例に限定
されるものではない。
還流管，滴下ロートおよび攪拌子を備えた100ml三ッ口
フラスコに、コール酸メチル2.11g（5.00mmol）,1,4−
ジオキサン10ml,およびＰ−トルエンスルホン酸水和物
0.14gを入れ、加熱還流する。攪拌しながら、ジケテン
1.68g（200mmol）の1,4−ジオキサン10ml溶液を40分で
滴下し、熟成を４時間行なう。反応終了後、溶媒を減圧
下留下し、残渣をジエチルエーテルに溶解し、水および
飽和食塩水で洗う。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ジエ
チルエーテルを留去し、カラムクロマトグラフィにて標
題化合物を単離する。収量1.56g.収率60.5％。NMRスペ
クトル（60MHz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B:C＝3:2:1。
フラスコに、コール酸メチル2.11g（5.00mmol）,1,4−
ジオキサン10ml,およびＰ−トルエンスルホン酸水和物
0.14gを入れ、加熱還流する。攪拌しながら、ジケテン
1.68g（200mmol）の1,4−ジオキサン10ml溶液を40分で
滴下し、熟成を４時間行なう。反応終了後、溶媒を減圧
下留下し、残渣をジエチルエーテルに溶解し、水および
飽和食塩水で洗う。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ジエ
チルエーテルを留去し、カラムクロマトグラフィにて標
題化合物を単離する。収量1.56g.収率60.5％。NMRスペ
クトル（60MHz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B:C＝3:2:1。
IRスペクトルの特徴的ピーク:1700cm-1,JC＝０。
還流管および攪拌子を備えた二ッ口フラスコに、1,1項
記載の化合物1.56g（2.31mmol），トリエチルアミン0.7
7g（7.62mmol）およびアセトニトリル10mlを加え、さら
に、Ｐ−トルエンスルホニルアジド1.50g（7.62mmol）
のアセトニトリル5ml溶液を滴下する。室温で２時間攪
拌した後、溶媒を減圧下留去し、ジエチルエーテルで抽
出を行なう。ジエチルエーテル溶液を、水酸化カリウム
水溶液，飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥する。ジエチルエーテルを減圧下留去し、エタノ
ールから再結晶することにより、標題化合物を得た。収
量1.38g。収率80.0％。融点139℃。NMRスペクトル（60M
Hz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝3:1。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1730cm-1,1675cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε24,300。
記載の化合物1.56g（2.31mmol），トリエチルアミン0.7
7g（7.62mmol）およびアセトニトリル10mlを加え、さら
に、Ｐ−トルエンスルホニルアジド1.50g（7.62mmol）
のアセトニトリル5ml溶液を滴下する。室温で２時間攪
拌した後、溶媒を減圧下留去し、ジエチルエーテルで抽
出を行なう。ジエチルエーテル溶液を、水酸化カリウム
水溶液，飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥する。ジエチルエーテルを減圧下留去し、エタノ
ールから再結晶することにより、標題化合物を得た。収
量1.38g。収率80.0％。融点139℃。NMRスペクトル（60M
Hz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝3:1。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1730cm-1,1675cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε24,300。
合成例１の1.1項記載のジケテンをコール酸メチルに対
して2.2倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を行な
うことにより、標題化合物を得た。
して2.2倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を行な
うことにより、標題化合物を得た。
合成例１の1.1項記載のジケテンをコール酸メチルに対
して1.1倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を行な
うことにより、標題化合物を得た。
して1.1倍等量使い、以下合成例１と同様の操作を行な
うことにより、標題化合物を得た。
コール酸−ｎ−プロピル5.11g（11.3mmol）ジケテン3.8
1g（45.4mmol）およびＰ−トルエンスルホン酸水和物0.
44gから、合成例１の1.1項と同様の操作でコール酸−ｎ
−プロピルに３個アセト酢酸エステル基を導入した化合
物を合成した後（収量7.25g），カラムクロマトグラフ
ィで単離することなしに、Ｐ−トルエンスルホニルアジ
ド6.09g（30.9mmol）とトリエチルアミン3.14g（30.0mm
ol）を反応させ、合成例１の1.2項と同様の操作でジア
ゾ化を行なった。反応残渣を酢酸エチルとヘキサンの混
合溶媒から再結晶することにより、標題化合物を4.56g
得た。収率63.0％。融点110〜112℃。NMRスペクトル（6
0MHz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝9:2。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1720cm-1,1680cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε23,800 リトコール酸メチル1.95g（5.00mmol），ジケテン0.50g
（6.0mmol），およびＰ−トルエンスルホン酸水和物57m
gを1,2−ジクロロエタン8ml中で、合成例１の1.1項と同
様の操作で反応させ、残渣をメタノールから再結晶する
ことにより、リトコール酸メチルに１個アセト酢酸エス
テルを導入した化合物を合成した後（収量1.44g。収率6
0.7％。融点184〜189℃）,P−トルエンスルホニルアジ
ド0.60g（3.0mmol）とトリエチルアミン0.31g（3.0mmo
l）を、合成例１の1.2項と同様の操作で反応させ、ジア
ゾ化を行なった。反応残渣からカラムクロマトグラフィ
により標題化合物を1.12g得た。収率75.0％。NMRスペク
トル（60MHz,CDCl4）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝1:1。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1755cm-1,1730cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε6,600。
1g（45.4mmol）およびＰ−トルエンスルホン酸水和物0.
44gから、合成例１の1.1項と同様の操作でコール酸−ｎ
−プロピルに３個アセト酢酸エステル基を導入した化合
物を合成した後（収量7.25g），カラムクロマトグラフ
ィで単離することなしに、Ｐ−トルエンスルホニルアジ
ド6.09g（30.9mmol）とトリエチルアミン3.14g（30.0mm
ol）を反応させ、合成例１の1.2項と同様の操作でジア
ゾ化を行なった。反応残渣を酢酸エチルとヘキサンの混
合溶媒から再結晶することにより、標題化合物を4.56g
得た。収率63.0％。融点110〜112℃。NMRスペクトル（6
0MHz,CDCl3）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝9:2。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1720cm-1,1680cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε23,800 リトコール酸メチル1.95g（5.00mmol），ジケテン0.50g
（6.0mmol），およびＰ−トルエンスルホン酸水和物57m
gを1,2−ジクロロエタン8ml中で、合成例１の1.1項と同
様の操作で反応させ、残渣をメタノールから再結晶する
ことにより、リトコール酸メチルに１個アセト酢酸エス
テルを導入した化合物を合成した後（収量1.44g。収率6
0.7％。融点184〜189℃）,P−トルエンスルホニルアジ
ド0.60g（3.0mmol）とトリエチルアミン0.31g（3.0mmo
l）を、合成例１の1.2項と同様の操作で反応させ、ジア
ゾ化を行なった。反応残渣からカラムクロマトグラフィ
により標題化合物を1.12g得た。収率75.0％。NMRスペク
トル（60MHz,CDCl4）の特徴的ピーク： 強度比A:B＝1:1。IRスペクトルの特徴的ピーク：（2160
cm-1;JC＝N2），（1755cm-1,1730cm-1;JC＝０）。UVス
ペクトル（THF中）：λmax 258nm,ε6,600。
実施例１ （ａ） 溶解性 合成例１の化合物は、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶剤，メタノールなどのアルコール系溶剤，アセト
ンなどのケトン系溶剤，酢酸エチルなどのエステル系溶
剤，クロロホルム等のハロゲン系溶剤に容易に溶解し、
通常の有機溶剤に対して優れた溶解性を示した。
ル系溶剤，メタノールなどのアルコール系溶剤，アセト
ンなどのケトン系溶剤，酢酸エチルなどのエステル系溶
剤，クロロホルム等のハロゲン系溶剤に容易に溶解し、
通常の有機溶剤に対して優れた溶解性を示した。
（ｂ） 感光域，およびブリーチング作用 合成例１の化合物は、テトラヒドロフラン中のUVスペク
トルからλmax 258nm,ε24300と300nm以下の領域に感光
域を持つ。さらに、249nmではε22700であり、上記UV測
定サンプルにXe-Hgランプを用いて40秒光照射すると、2
49nmにおいて、ε5400と光吸収強度が約1/4に減少し
た。したがって、合成例１の化合物は300nm以下の光に
効率良く反応して優れたブリーチング作用を示す。
トルからλmax 258nm,ε24300と300nm以下の領域に感光
域を持つ。さらに、249nmではε22700であり、上記UV測
定サンプルにXe-Hgランプを用いて40秒光照射すると、2
49nmにおいて、ε5400と光吸収強度が約1/4に減少し
た。したがって、合成例１の化合物は300nm以下の光に
効率良く反応して優れたブリーチング作用を示す。
（ｃ） 光反応生成物 合成例１の化合物の光反応を、IRスペクトルおよびNMR
スペクトルを用いて追跡した。
スペクトルを用いて追跡した。
IRスペクトルでは、光照射により、ジアゾ基にもとづく
吸収が消失し、新たに、カンボン酸の−OHにもとづく幅
広い吸収が3200cm-1を中心にあらわれる。
吸収が消失し、新たに、カンボン酸の−OHにもとづく幅
広い吸収が3200cm-1を中心にあらわれる。
NMRスペクトルでは、光照射により、 にもとづく吸収が消失し、新たに、カルボン酸にもとづ
く吸収がδ8.25にあらわれた。
く吸収がδ8.25にあらわれた。
以上から、合成例１の化合物は、光照射により、下記の
反応が起こり、カルボン酸が生成する。
反応が起こり、カルボン酸が生成する。
（ｄ） 成膜性，昇華性 合成例１の化合物とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹
脂，ポリビニルフェノール，ポリ（Ｐ−ヒドロキシベン
ジルシルセスキオキサン））は１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン中、種々の配合量で自由に混合し、上記混
合物および合成例１の化合物の１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布した
ところ、均一な膜を形成した。また、熱天秤を用いて、
加熱による重量減少を観察したところ、合成例１の化合
物の昇華性は見られなかった。
脂，ポリビニルフェノール，ポリ（Ｐ−ヒドロキシベン
ジルシルセスキオキサン））は１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン中、種々の配合量で自由に混合し、上記混
合物および合成例１の化合物の１−アセトキシ−２−エ
トキシエタン溶液をシリコンウェハ上にスピン塗布した
ところ、均一な膜を形成した。また、熱天秤を用いて、
加熱による重量減少を観察したところ、合成例１の化合
物の昇華性は見られなかった。
（ｅ） 溶解阻害性 シリコンウェハ上に成膜した、ポリ（Ｐ−ヒドロキシベ
ンジルシルセスキオキサン）（サンプル１）および合成
例１の化合物を20重量部含有させた上記ポリマ（サンプ
ル２）を、0.050規定の（HOCH2CH2）4OH水溶液に浸漬し
たところ、サンプル２の膜厚減少速度はサンプル１に比
べて、約1/19に減少し、合成例１の化合物は優れた溶解
阻害効果を示した。
ンジルシルセスキオキサン）（サンプル１）および合成
例１の化合物を20重量部含有させた上記ポリマ（サンプ
ル２）を、0.050規定の（HOCH2CH2）4OH水溶液に浸漬し
たところ、サンプル２の膜厚減少速度はサンプル１に比
べて、約1/19に減少し、合成例１の化合物は優れた溶解
阻害効果を示した。
実施例２〜５ 合成例２〜５の化合物について、実施例１と同様に、感
光剤としての有用性を調べたところ、溶解性，感光域，
光反応生成物，および昇華性については合成例１の化合
物と同様であった。また、これら化合物のブリーチング
作用，溶解阻害性については、それらの大凡の値を表１
にまとめた。
光剤としての有用性を調べたところ、溶解性，感光域，
光反応生成物，および昇華性については合成例１の化合
物と同様であった。また、これら化合物のブリーチング
作用，溶解阻害性については、それらの大凡の値を表１
にまとめた。
〔発明の効果〕 本発明の感光剤は、300nm以下の光照射により、効率の
良い優れたブリーチング作用を示すばかりでなく、溶解
性，成膜性に優れ、昇華性もない。また、アルカリ可溶
性樹脂に対して大きな溶解阻害効果を有する。したがっ
て、本発明の感光剤は、KrFエキシマレーザ用ポジ形レ
ジスト等の感光剤として、極めて効用の大なるものであ
る。
良い優れたブリーチング作用を示すばかりでなく、溶解
性，成膜性に優れ、昇華性もない。また、アルカリ可溶
性樹脂に対して大きな溶解阻害効果を有する。したがっ
て、本発明の感光剤は、KrFエキシマレーザ用ポジ形レ
ジスト等の感光剤として、極めて効用の大なるものであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水島 明子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭51−3633（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−231534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−122938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−80944（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】コール酸、デオキシコール酸、リトコール
酸およびこれらの誘導体のうちいずれか１つを母体と
し、脂肪族ジアゾケトン基を、母体の水酸基から誘導さ
れるエステル結合を介して母体に結合させてなることを
特徴とする感光剤。 - 【請求項２】上記脂肪族ジアゾケトン基が下記一般式
（１）で示される脂肪族ジアゾケトン基であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の感光剤。 ここで、R1は芳香環を含まない一価の有機基である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400287A JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31400287A JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155337A JPH01155337A (ja) | 1989-06-19 |
| JPH07117751B2 true JPH07117751B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=18048032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31400287A Expired - Lifetime JPH07117751B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 感光剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117751B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8338086B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-25 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
| US8435728B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31400287A patent/JPH07117751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01155337A (ja) | 1989-06-19 |
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