JPH066565B2

JPH066565B2 - 光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の製造法

Info

Publication number: JPH066565B2
Application number: JP61172285A
Authority: JP
Inventors: 岡田　　稔; 弘一吉田; 清高信
Original assignee: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd
Current assignee: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd
Priority date: 1986-07-21
Filing date: 1986-07-21
Publication date: 1994-01-26
Anticipated expiration: 2009-01-26
Also published as: EP0380144B1; CA1340332C; KR960003810B1; ATE62667T1; EP0380144A1; DE3788878D1; DE3788878T2; DE3769399D1; ATE100444T1; IE871960L; ES2029838T3; IE63344B1; ES2062136T3; JPS6327471A; KR880001583A; EP0257787A1; EP0257787B1

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は下記一般式(I)で示され、昇圧剤として、ある
いは光学活性医薬品の製造中間体として有用な光学活性
なベンゼンスルホンアミド誘導体の新規製造法に関す
る。

（式中、R₁及びR₂は同一又は異って水素原子又は低級ア
ルキル基を、R³は水素原子、低級アルキル基、水酸基、
又は低級アルコキシ基を、R⁴は低級アルキル基を意味す
る）（従来の技術）本発明目的化合物(I)は、本出願人の出願に係る特開昭5
8-18353号公報の記載によりそのほとんどが公知であ
る。すなわち、該公報には、一般式（Ａ−Ｉ）で示される化合物が開示されており、該化合物（Ａ−
Ｉ）の発明にはその光学異性体の全てが包含されると明
記されている（明細書第３頁第12〜15行）。なお、該公
報には化合物（Ａ−Ｉ）が心拍数増加、心悸亢進等の副
作用のない昇圧作用を示し昇圧剤として有用であること
も示されている（明細書第10頁第10行〜第11頁下から第
７行）。

また、同じく本出願人の出願に係る特開昭56-110665号
公報特にその実施例23及び24［61(1986)-127［2387
7］，３(2)−６［524］公報第113〜114頁］には、Ｒ(-)
及びＳ(+)の下記化合物［Ａ−Ｉ−ａ−free，Ｒ(-)又は
Ｓ(+)］を原料とし、α−アドレナリン受容体遮断作用
を有し、血圧低下剤として有用なスルファモイル置換フ
ェネチルアミン誘導体を合成したことが記載されてい
る。

該出願明細書には、この実施例23及び24の光学活性な原
料化合物の製法については記載されていないが、これら
の原料化合物は前記特開昭58-18353号に記載された方法
（下記反応式）により合成されたラセミ体［Ａ−Ｉ−ａ
−，Ｒ(-)とＳ(+)の混合物］の光学分割により製造され
たものである。

（解決すべき問題点）前記本発明目的化合物(I)の公知製法は、ハロアルキル
スルファモイルフェニルケトン類（Ａ−II）から６
工程を経て化合物(I)の塩とする方法であり、多工程を
要し、煩雑であるばかりでなく、化合物(I)の収量が極
めて低いという問題があった。

また、化合物(I)の一方の光学異性体のみを医薬品とし
て供する場合には、公知製法は更に目的物収量を半量以
下に低下させ、更に著しい製造原価の高騰を招く難点が
あった。

さらに、本発明目的化合物(I)を光学活性な医薬品の製
造中間体とする場合、上記の問題は更に著しく、光学活
性体分離に問題のある特開昭56-110665号記載の他の製
造中間体すなわちｍ−（１−ハロ−２−置換アミノアル
キル）−ｏ−置換ベンゼンスルホンアミドと同様、実生
産上の不利は避けられなかった。

（問題点を解決するための手段）そこで、上記問題点に鑑み、光学活性な本発明目的化合
物(I)の有利な製法につき鋭意研究した結果、ジアステ
レオ面区別反応の方法が本発明目的化合物(I)の製造上
最も簡便にして有利な方法でかつ目的物の反応収率、光
学収率も顕著に優れていることを見出し、本発明を完成
した。

すなわち、本発明は一般式(II) （式中、R¹,R²,R³及びR⁴は前記の意味を有し、R⁵は低級
アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低級アルキル
基を、R⁶は置換又は未置換のフェニル基、又は低級アル
コキシカルボニル基を意味する）で示されるｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）
ベンゼンスルホンアミド誘導体を分解して、化合物(I)
を製造する方法である。

前記一般式(II)は、一般式(III) （式中、R¹,R²,R³及びR⁴は前記の意味を有する）で示されるスルファモイル置換ベンジル低級アルキル
ケトン類と、一般式(IV) （式中、R⁵及びR⁶は前記の意味を有する）で示される光
学活性な置換アルキルアミン類とを還元剤の存在下に反
応させて製造するのが最も有利である。

本明細書の一般式で用いられる基の定義において『低
級』なる語は、特に断わらない限り、炭素数が１乃至５
個の直鎖又は分岐状の炭素鎖を意味し、特に不斉炭素原
子を含まない炭素鎖が好適である。

従って、低級アルキル基としては具体的には例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソ
ペンチル基、ネオペンチル基等が、低級アルコキシ基と
しては具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブト
キシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペ
ンチルオキシ基等が挙げられる。特にR⁵が示す低級アル
キル基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソ
ブチル基が有利であり、中でもメチル基が最も好適であ
る。

また、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基として
は、カルボキシ低級アルキル基のカルボキシ基が低級ア
ルカノールでエステル形成された基が挙げられ、具体的
にはメトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニル
メチル基、プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポ
キシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル
基、イソブトキシカルボニルメチル基、tert−ブトキシ
カルボニルメチル基、ペンチルオキシカルボニルメチル
基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニル
エチル基、プロポキシカルボニルエチル基、イソプロポ
キシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル
基、イソブトキシカルボニルエチル基、tert−ブトキシ
カルボニルエチル基、ペンチルオキシカルボニルエチル
基、メトキシカルボニルプロピル基、エトキシカルボニ
ルプロピル基、tert−ブトキシカルボニルプロピル基、
メトキシカルボニルブチル基、エトキシカルボニルブチ
ル基、tert−ブトキシカルボニルブチル基、メトキシカ
ルボニルペンチル基、エトキシカルボニルペンチル基、
tert−ブトキシカルボニルペンチル基等が挙げられる。

また、本発明において『分解』とは、化合物(II)から位
置特異的にR⁵−CH₂−R⁶又はを脱離生成せしめる『分解』を意味する。すなわち、こ
の『分解』には、R⁶が置換又は未置換のフェニル基であ
るときの還元剤による『加水素分解』と、R⁶が低級アル
コキシカルボニル基であるときの『シッフ塩基にしての加水分解』の双方の分解を包括する。

従って、R⁶が示す置換フェニル基における置換基として
は加水素分解によるR⁵−CH₂−R⁶の脱離反応に影響を与
えない基、特にその脱離反応を促進する基が有利であ
り、具体的にはニトロ基や臭素原子などのハロゲン原子
等が挙げられる。

また、『分解』は工程数、目的物の反応収率及び光学収
率等の点から本発明の目的達成の上で『加水素分解』が
より好適である。

R⁶が低級アルコキシカルボニル基であるときは、化合物
(IV)は光学活性なアミノ酸の低級アルキルエステルを意
味し、特に好適に用いられるアミノ酸はアラニンやバリ
ン、アスパラギン酸、グルタミン酸などである。

以下に本発明の製造法のフローチャートを示す。

（反応式中、R¹,R²,R³,R⁴,R⁵及びR⁶は前記の意味を有
し、Phは置換又は未置換のフェニル基を、R⁷は水素原子
又は低級アルコキシカルボニル基を意味する）以下、本発明の製造法を工程毎に詳細に説明する。

第１工程化合物(II)は、化合物(III)と化合物(IV)とを還元剤の
存在下に縮合させることによって製造される。

反応は、メタノール、エタノールなどのアルコールやベ
ンゼン等の有機溶媒中、化合物(III)と化合物(IV)とを
ほぼ等モル、あるいは一方をやや過剰量として、ラネー
ニッケル、白金炭素、パラジウム炭素、酸化白金等を触
媒として必要ならば加圧下に接触還元するか、水素化ア
ルミニウムリチウム、水素化シアノホウ素ナトリウム、
水素化ホウ素ナトリウム、ボラン等により還元するか、
あるいは銅又は白金を陰極として電解還元することによ
り行われる。還元は操作性と光学収率の点から接触還元
が最も有利である。

反応温度や反応時間は、原料化合物(III),(IV)の種類や
量、還元剤の種類、加圧条件等によって異なるが、通常
室温乃至加温下、好ましくは40〜80℃程度に加温し、加
圧下は比較的短時間に、加圧しない条件下では通常１〜
48時間に設定するのが好ましい。

なお、加圧する場合の加圧条件は通常１〜100atmの範囲
内、好ましくは２〜20atmに設定するのが好適である。

なお、この還元的縮合反応によるカルボニル化合物とア
ミンによる第２アミンの合成法は、ディーンスターク
トラップ等を用いる脱水などの脱水反応の後、一旦シ
ッフ塩基を単離して還元反応に付することもできる。

なお、本工程の反応によるときは、目的物(II)のR⁴結合
不斉炭素原子の絶対配置が、化合物(IV)で採用のR⁵,R⁶
結合不斉炭素原子の絶対配置と同一の化合物(II)、具体
的にはR,R体又はS,S体を優先的に採取することができ
る。

なお、本工程の目的物(II)は遊離塩基あるいは酸付加塩
とし、単離するか又はせずして、第２工程の反応に付す
ことができる。

第２工程第１工程で得られた化合物(II)又はその塩は、次いで加
水素分解するか、又は次亜塩素酸tert−ブチルと反応さ
せ次いで加水分解することにより本発明目的化合物(I)
又はその塩とすることができる。

化合物(II)においてR⁶が置換又は未置換のフェニル基で
あるときに適用される加水素分解の反応は、メタノー
ル、エタノール等の溶媒中、パラジウム炭素を触媒とし
て必要ならば加圧条件下理論量の水素を接触させる接触
還元によるのが一般的であり、かつほぼ定量的に本発明
目的化合物を与えるので最も有利である。反応温度は室
温乃至加温下、好ましくは40〜80℃に設定される。ま
た、反応時間は種々の反応条件を考慮して適宜設定され
るが、加圧条件下では比較的短時間に加圧しない条件下
では通常１〜48時間程度に設定される。また、加圧する
場合の加圧条件は通常１〜100atmの範囲内で選択され
る。

一方、R⁶が低級アルコキシカルボニル基である化合物(I
I)、すなわち光学活性アミノ酸のエステルの結合化合物
である場合の反応は、化合物(II)（R⁶≠Ph）とそれに対
しほぼ等モル乃至やや過剰モルの次亜塩素酸tert−ブチ
ルとを、メタノール、エタノール、エーテル、ベンゼン
等の有機溶媒に冷却下添加し、次いでナトリウムエトキ
サイドの如きアルカリ金属アルコラートのような塩基を
添加して実施される。この反応は無水条件下に行われ
る。

次いで溶媒を除去した後次いで酸の存在下に水と接触さ
せる。用いられる酸としては塩酸、硫酸等の酸が適当で
ある。反応は、室温下に実施するのが有利である。

なお、化合物(I)の絶対配置は、化合物(II)の二つの不
斉炭素原子が同一又は相異なる絶対配置であっても、R⁴
の結合した方の不斉炭素原子と同じ絶対配置となる。

これらの方法により得られた本発明目的化合物は遊離化
合物又はその塩として単離精製される。単離・精製は
過、結晶化、再結晶等通常用いられる化学操作を適用し
て行われる。

（発明の効果）本発明の目的化合物である光学活性なベンゼンスルホン
アミド誘導体(I)は、それ自身昇圧剤として、あるいは
特開昭560-110665号公報や特開昭57-136561号公報に記
載のα−アドレナリン受容体遮断作用物質でｍ位に側鎖を有する化合物の製造中間体として有用である。

本発明の製造法によれば、光学純度が極めて高い前記有
用な光学活性ベンゼンスルホンアミド誘導体(I)を、公
知製法に比し遥かに高い反応収率で、従って優れた光学
収率でもって製造することが初めて可能となった。

すなわち、公知製法によるときは、化合物（Ａ−II）か
ら本発明目的化合物(I)の一方の光学異性体を製造する
まで、６工程（塩酸塩）、ないし７工程（遊離化合物）
を要し、その通算反応収率も６工程で約10.5％、７工程
で約９％であった。それに対し、本発明の製造法は化合
物(III)から本発明目的化合物(I)の一方の光学異性体を
取得するまで２乃至４工程（R⁶＝Ph塩酸塩２工程、R⁶遥
Ph塩酸塩とR⁶＝Ph遊離化合物３工程、R⁶遥Ph遊離化合物
４工程）であり、工程の相違や反応条件の相違によって
若干のバラつきがあるものの良好な方法によるときは、
通算収率約51.3％（塩酸塩）、約43.0％（遊離化合物）
と従来法に比し４〜５倍もの高反応収率で該目的物とす
ることができる。

しかも、本発明の製造法によるときは、99.8％以上もの
極めて高い光学純度で、従って優れた光学収率で目的物
(I)製造することができる（以上実施例１〜３参照）。

本発明の製造法は、工程が短いので、簡便である上、反
応条件の選択によってはさらに反応収率を高める余地が
ある。また、本発明製造法の反応条件は温和な条件を選
択しても充分目的を達成でき、取り扱いが容易かつ有利
である。さらに、この製造法によるときは、大量に仕込
んでも収率の低下はみられず、実生産に好適な方法であ
る。

本発明の目的化合物(I)を原料として、α−アドレナリ
ン受容体遮断作用を有する化合物を製造する方法は以下
のとおりである。

（反応式中R¹,R²,R³,R⁴は前記と同じ意味を有し、Ｘは
式で示される基又はホルミル基、Halはハロゲン原子を、R
⁸,R¹⁰R¹¹は同一又は異って、水素原子又は低級アルキル
基を、Ｙはメチレン基又は酸素原子を、R⁹は水素原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級アルケニル
オキシ基を意味する）こゝにHalが示すハロゲン原子としては、ヨウ素原子、
臭素原子、塩素原子等が、またR¹¹が示す低級アルケニ
ルオキシ基としては、ビニルオキシ基、アリルオキシ
基、ブテニルオキシ基、イソブテニルオキシ基、ペンテ
ニルオキシ基等が挙げられる。

一般式(VII)で示されるα−アドレナリン受容体遮断作
用を有し血圧低下剤として有用な光学活性ｍ−（置換ア
ミノアルキル）ベンゼンスルホン酸アミド誘導体は、本
発明目的化合物(I)の遊離化合物と、一般式(VI)のハラ
イドとを反応させるか又は一般式(VI)のホルミル化合物
との還元的縮合により製造される。従って本発明目的化
合物(I)が酸付加塩として得られた場合は、遊離化合物
とした後前記反応に供する。

なお、R⁸の結合した炭素原子、R¹⁰及びR¹¹の結合した炭
素原子は不斉炭素原子でない方が好ましいが、不斉炭素
原子であるときは、分離された光学活性な化合物(VI)を
反応に供する。

Ｘが式で示される化合物(VI)を用いる反応は、無溶媒下あるい
はベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミ
ド、ジクロルメタン、ジクロルエタン、メタノール、エ
タノール等の反応に関与しない有機溶媒中、化合物（I
−free）に対して化合物(VI)を等モル乃至やや過剰モル
用いて、室温乃至加温下、あるいは加熱還流して実施す
るのが有利である。

この反応に際し、ピリジン、ピコリン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン、トリメチルアミ
ン、トリエチルアミン、ジメチルアミン等の二、三級塩
基や炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウ
ム等の無機塩基を添加することが反応を円滑に進行させ
る上で有利な場合がある。

原料化合物(VI)としてホルミル化合物を使用する反応は
本願の第１工程の反応とほぼ同様にして実施される。

（実施例）以下に実施例を掲記し、本発明の製造法を更に詳細に説
明する。

実施例1. ［Ａ］法５−アセトニル−２−メトキシベンゼンスルホンアミド
194.4g、Ｒ−(+)−α−メチルベンジルアミン96.8gおよ
び酸化白金0.8gにメタノール４を加え、50〜52℃で常
圧下水素雰囲気中20時間還元反応に付した（反応液中で
のR,S比は85：15）。酸化白金を去後、塩化水素エタ
ノールを加え、酸性とした後、減圧下溶媒を留去した。
残渣にアセトン800mlを加え、結晶化させた後、１時間
加熱還流に付し、冷後、得られる結晶を取し、粗製の
2R,1R−２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジ
ルアミノ）プロピル］ベンゼンスルホンアミド塩酸塩25
0ｇを得た。このもののR,R体光学純度は94.5％であっ
た。粗製結晶にアセトン2.5を加え、懸濁状態で２時
間加熱還流した後、冷却し、取する。この操作を４回
繰り返し、光学純度98.0％の結晶215ｇを得た。

さらに、この結晶に水80ml、およびアセトニトリル160m
lを加え、加熱溶解する。次にアセトニトリル1850mlを
加え、結晶を析出させた後さらに30分間加熱還流を続け
た後、冷却し、結晶を取する。この操作を３回繰り返
し、目的物164gを得た。

収率53％融点232〜236℃（分解） ▲［α］²³ _D▼＋33.5（Ｃ＝1.04,MeOH）元素分析値（C₁₈H₂₅ClN₂O₃Sとして）Ｃ（％）Ｈ（％）Ｎ（％） Cl（％）Ｓ
（％）理論値 56.17 6.55 7.28 9.21 8.33 実験値 56.10 6.59 7.30 9.29 8.31 ［Ｂ］法５−アセトニル−２−メトキシベンゼンスルホンアミド
24.3g、Ｒ−(+)−α−メチルベンジルアミン12.1ｇおよ
びラネーニッケル15ｇ(wet)にメタノール500mlを加え50
〜52℃で常圧下、水素雰囲気中20時間還元反応に付した
（反応液中でのR,S比は92：8）。ラネーニッケルを去
後、塩化水素−エタノールを加え、酸性とした後、減圧
下溶媒を留去した。残渣にアセトニトリル200mlを加
え、結晶化させた後、１時間加熱還流に付した。冷後、
得られる結晶を取し、粗製の2R,1R−２−メトキシ−
５−［２−（１−メチルベンジルアミノ）プロピル］ベ
ンゼンスルホンアミド塩酸塩26.9ｇを得た。このものの
R,R体光学純度は、98.3％であった。この粗製結晶に水1
1mlおよびアセトニトリル25mlを加え加熱溶解した後ア
セトニトリル520mlを加えた。結晶が析出した後、さら
に30分間加熱還流し、冷後結晶を取した。この操作を
３回繰り返し目的物19.6ｇを得た。

収率51％［Ｃ］法５−アセトニル−２−メトキシ−ベンゼンスルホンアミ
ド9.72g、Ｒ−(+)−α−メチルベンジルアミン4.84gお
よびラネーニッケル５g(wet)にメタノール200mlを加え5
8〜60℃で水素雰囲気中10kg/cm²の圧力下20時間反応さ
せた（反応液中でのR,S比は92：8）。ラネーニッケルを
去後、塩化水素エタノールを加え酸性とした後、減圧
下溶媒を留去した。残渣にアセトニトリル80mlを加え、
結晶化させた後、１時間加熱還流に付し、冷後得られる
結晶を取し、粗製の2R,1R−２−メトキシ−５−［２
−（１−メチルベンジルアミン）プロピル］ベンゼンス
ルホンアミド塩酸塩11.38ｇを得た。このもののR,R体光
学純度は98.2％であった。この粗製結晶に水５mlおよび
アセトニトリル10mlを加え、加熱溶解した後、アセトニ
トリル220mlを加えた。結晶が析出した後、さらに30分
間加熱還流し、冷後、結晶を取した。この操作を３回
繰り返し目的物8.31ｇを得た。

収率54％これら［Ａ］，［Ｂ］及び［Ｃ］法で得られた2R,1R−
２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジルアミ
ノ）プロピル］ベンゼンスルホンアミド塩酸塩を高速液
体クロマトグラフィーに付し（カラム：YM C-Pack Ａ
−302(ODS)15cm×4.6mmID、カラム温度：室温、移動
相：リン酸一水素カリウム（1.0ｇ）、リン酸二水素カ
リウム（1.0ｇ）の水溶液／メタノール／テトラヒドロ
フラン（65：30：5v/v）、流速：毎分１ml、紫外線検出
器（λ285mm））たところ、保持時間７分を示す 2R,1R
−２−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジルアミ
ノ）プロピル］ベンゼンスルホンアミド塩酸塩の光学純
度はいずれも99.8％以上であった。

実施例2. 2R,1R−メトキシ−５−［２−（１−メチルベンジルア
ミノ）プロピル］ベンゼンスルホンアミド塩酸塩28ｇ
（光学純度99.8％以上）のメタノール溶液560mlに10％
パラジウム炭素2.8ｇを加え、45〜50℃で常圧下、水素
雰囲気中理論量の水素を消費するまで還元反応に付し
た。パラジウム炭素を去後、溶媒を減圧下留去し、得
られる結晶をアセトンで洗浄して目的とする(R)−(-)−
５−（２−アミノプロピル）−２−メトキシベンゼンス
ルホンアミド塩酸塩19.4gを得た。

収率95％融点 276〜278℃（分解） ▲［α］²² _D▼−7.1（Ｃ＝1.0,MeOH）元素分析値（C₁₀H₁₇ClN₂O₃Sとして）Ｃ（％）Ｈ（％）Ｎ（％） Cl（％）Ｓ
（％）理論値 42.78 6.10 9.98 12.63 11.42 実験値 42.82 5.96 9.71 12.56 11.40 ここで得た(R)−(-)−５−（２−アミノプロピル）−２
−メトキシベンゼンスルホンアミド塩酸塩１mgをミクロ
チューブにとり、５％トリエチルアミン−Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド溶液100μｌを溶かし、次にMCF試薬
（トルエン中0.1Ｍ(-)−メンチルクロロホルメート含
有、レジス社製）300μ１を加えて時々振り混ぜなが
ら、30分間反応したのち、メタノール50μ１を加えて反
応を停止した。

このものを高速液体クロマトグラフィーに付し［カラ
ム：ヌクレオジル５C₁₈30cm×4.6mmID、カラム温度：
室温、移動相：アセトニトリル／メタノール／0.01Ｍリ
ン酸二水素カリウム（50：15：40v/v）、流速：毎分１m
l、紫外線検出器（λ284mm）］たところ、保持時間20分
を示す(R)−(-)−５−（２−アミノプロピル）−２−メ
トキシベンゼンスルホンアミド塩酸塩の光学純度は99.8
％以上であった。

実施例3. ［Ａ］法 (R)−(-)−５−（２−アミノプロピル）−２−メトキシ
ベンゼンスルホンアミド塩酸塩20gに水140mlを加えてと
かし、このものに飽和炭酸カリウム水溶液50mlを加え
た。結晶が析出した後、室温で２時間かくはんした。結
晶を取し、水75mlより再結晶して、目的とする(R)−
(-)−５−（２−アミノプロピル）−２−メトキシベン
ゼンスルホンアミド14.2ｇを得た。収率82％融点 166〜167℃ ▲［α］²³ _D▼−17.3゜（Ｃ＝1.7,MeOH) 元素分析値(C₁₀H₁₆N₂O₃Sとして）Ｃ（％）Ｈ（％）Ｎ（％）Ｓ（％）計算値 49.16 6.60 11.47 13.12 実験値 49.08 6.49 11.26 13.02 ［Ｂ］法 (R)−(-)−５−（２−アミノプロピル）−２−メトキシ
ベンゼンスルホンアミド塩酸塩4.31ｇに水30mlを加えて
溶かす。このものに、無水炭酸カリウム21ｇを加え、室
温で２時間かくはんした。析出する結晶を取し、水20
mlより再結晶して、目的物3.14ｇを得た。収率84％

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(II) （式中、R¹及びR²は同一又は異って、水素原子又は低級
アルキル基を、R³は水素原子、低級アルキル基、水酸基
又は低級アルコキシ基を、R⁴は低級アルキル基を、R⁵は
低級アルキル基、又は低級アルコキシカルボニル低級ア
ルキル基を、R⁶は置換又は未置換のフェニル基、又は低
級アルコキシカルボニル基を意味する）で示されるｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）
ベンゼンスルホンアミド誘導体を分解することを特徴と
する一般式（Ｉ）（式中、R¹，R²，R³及びR⁴は前記の意味を有する）で示される光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の
製造法。
【請求項２】一般式(III) （式中、R¹及びR²は同一又は異って、水素原子又は低級
アルキル基を、R³は水素原子、低級アルキル基、水酸基
又は低級アルコキシ基を、R⁴は低級アルキル基を意味す
る）で示されるスルファモイル置換ベンジル低級アルキル
ケトン類と、一般式(IV) （式中、R⁵は低級アルキル基、又は低級アルコキシカル
ボニル低級アルキル基を、R⁶は置換又は未置換のフェニ
ル基、又は低級アルコキシカルボニル基を意味する）で示される光学活性な置換アルキルアミン類とを還元剤
の存在下に反応させて、一般式(II) （式中、R¹,R²,R³,R⁴,R⁵及びR⁶は前記と同じ意味を有す
る）で示されるｍ−（２−置換アルキルアミノアルキル）ベ
ンゼンスルホンアミド誘導体となし、次いでこれを分解
することを特徴とする一般式(I) （式中、R¹,R²,R³及びR⁴は前記と同じ意味を有する）で示される光学活性なベンゼンスルホンアミド誘導体の
製造法。