JPH065534A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH065534A JPH065534A JP18447092A JP18447092A JPH065534A JP H065534 A JPH065534 A JP H065534A JP 18447092 A JP18447092 A JP 18447092A JP 18447092 A JP18447092 A JP 18447092A JP H065534 A JPH065534 A JP H065534A
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- JP
- Japan
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- gas
- raw material
- heat treatment
- treatment furnace
- material gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数の半導体ウエハ等の試料に十分な量の原
料ガスを均一に供給することができる熱処理炉を提供す
る。 【構成】 ガス噴射部１４ａは半円筒状であって、石英
ボート２４の周囲に沿って覆うように配置され、またガ
ス噴射部１４ａの凹面状の表面には、原料ガスを噴射す
る噴射孔４４が所定の間隔で格子状に多数設けられてい
る。反応容器１２内には、半導体ウエハ２がその表面が
水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４に
収納される。原料ガスは、ガス噴射部１４ａの内面に設
けられた多数の噴射孔４４から反応容器１２内に噴射さ
れ、半導体ウエハ２と反応した後、ガス排出口３２から
外部に排出される。
料ガスを均一に供給することができる熱処理炉を提供す
る。 【構成】 ガス噴射部１４ａは半円筒状であって、石英
ボート２４の周囲に沿って覆うように配置され、またガ
ス噴射部１４ａの凹面状の表面には、原料ガスを噴射す
る噴射孔４４が所定の間隔で格子状に多数設けられてい
る。反応容器１２内には、半導体ウエハ２がその表面が
水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４に
収納される。原料ガスは、ガス噴射部１４ａの内面に設
けられた多数の噴射孔４４から反応容器１２内に噴射さ
れ、半導体ウエハ２と反応した後、ガス排出口３２から
外部に排出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造工程
において半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理及び
ＣＶＤ法による処理等を行う際に使用される熱処理炉に
関するものである。
において半導体ウエハに対して酸化処理、拡散処理及び
ＣＶＤ法による処理等を行う際に使用される熱処理炉に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の縦型の熱処理炉の概略断面
図を示す。同図において、半導体ウエハ５２は、石英ボ
ート６２に一定の間隔を保って多数収納されている。石
英ボート６２は、反応容器６４の内部に載置される。こ
の反応容器６４は上部が半球形とされた筒状で、その下
端には開放口が設けられている。反応容器６４の周囲に
はヒータ６６が設けられ、このヒータ６６によって半導
体ウエハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
図を示す。同図において、半導体ウエハ５２は、石英ボ
ート６２に一定の間隔を保って多数収納されている。石
英ボート６２は、反応容器６４の内部に載置される。こ
の反応容器６４は上部が半球形とされた筒状で、その下
端には開放口が設けられている。反応容器６４の周囲に
はヒータ６６が設けられ、このヒータ６６によって半導
体ウエハ５２と原料ガスとの反応に必要な加熱を行う。
【０００３】マニホールド６８は、反応容器６４の下部
に取り付けられ、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するためのガス排出口７２が設けてある。また、マニ
ホールド６８においては、原料ガスを反応容器６４内に
供給するためのガス導入管７６をＯリング７４により気
密・支持している。ガス導入管７６は単一の石英管より
なり、反応容器６４の内面に沿って上方に延びる垂直部
分と、水平部分とからなる。ガス導入管７６の垂直部分
には、外部から送られてきた原料ガスが反応容器６４内
の半導体ウエハ５２に向かって水平に噴射されるよう、
多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で一列に設けてあ
る。ガス導入管７６は、反応容器６４の内面上部に設け
られたサポートリング７８によって反応容器６４の内面
と一定の距離を保つようにして支持される。
に取り付けられ、反応に使用された原料ガスを外部へ排
出するためのガス排出口７２が設けてある。また、マニ
ホールド６８においては、原料ガスを反応容器６４内に
供給するためのガス導入管７６をＯリング７４により気
密・支持している。ガス導入管７６は単一の石英管より
なり、反応容器６４の内面に沿って上方に延びる垂直部
分と、水平部分とからなる。ガス導入管７６の垂直部分
には、外部から送られてきた原料ガスが反応容器６４内
の半導体ウエハ５２に向かって水平に噴射されるよう、
多数の噴射孔（不図示）が一定の間隔で一列に設けてあ
る。ガス導入管７６は、反応容器６４の内面上部に設け
られたサポートリング７８によって反応容器６４の内面
と一定の距離を保つようにして支持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、噴射孔は高
精度に加工することが困難であるので、ガス導入管の垂
直部分に一列に設けた各噴射孔の径にばらつきが生じ、
原料ガスが各噴射孔から均一に噴射されないことがあ
る。また、原料ガスとの反応によって生成される反応物
が噴射孔に詰まることがあり、このことによっても原料
ガスが各噴射孔から均一に噴射されないことがある。こ
のようなガス導入管を用いて半導体ウエハ等の試料に処
理を施すと、ある半導体ウエハには十分な量の原料ガス
が供給されないため、すべての半導体ウエハを一様に処
理できず、スループットが低下するという問題があっ
た。
精度に加工することが困難であるので、ガス導入管の垂
直部分に一列に設けた各噴射孔の径にばらつきが生じ、
原料ガスが各噴射孔から均一に噴射されないことがあ
る。また、原料ガスとの反応によって生成される反応物
が噴射孔に詰まることがあり、このことによっても原料
ガスが各噴射孔から均一に噴射されないことがある。こ
のようなガス導入管を用いて半導体ウエハ等の試料に処
理を施すと、ある半導体ウエハには十分な量の原料ガス
が供給されないため、すべての半導体ウエハを一様に処
理できず、スループットが低下するという問題があっ
た。
【０００５】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、多数の半導体ウエハ等の試料に十分な量の原料
ガスを均一に供給することができる熱処理炉を提供する
ことを目的とするものである。
であり、多数の半導体ウエハ等の試料に十分な量の原料
ガスを均一に供給することができる熱処理炉を提供する
ことを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係る熱処理炉は、反応容器と、前記反応容
器内に設けられた、前記反応容器内に原料ガスを噴射す
る多数の開口部を有し、且つ前記開口部が複数列、形成
されているガス噴射手段と、前記反応容器内の原料ガス
を外部に排出する排出手段とを備え、前記原料ガスを前
記開口部から供給して前記反応容器内の試料と反応させ
た後前記排出手段より排出することを特徴とするもので
ある。
めの本発明に係る熱処理炉は、反応容器と、前記反応容
器内に設けられた、前記反応容器内に原料ガスを噴射す
る多数の開口部を有し、且つ前記開口部が複数列、形成
されているガス噴射手段と、前記反応容器内の原料ガス
を外部に排出する排出手段とを備え、前記原料ガスを前
記開口部から供給して前記反応容器内の試料と反応させ
た後前記排出手段より排出することを特徴とするもので
ある。
【０００７】
【作用】本発明は前記の構成によって、ガス噴射手段に
多数の開口部を複数列、形成したことにより、開口部の
加工精度がよくなく、開口部の形状にばらつきが生じた
としても、各試料に十分な量の原料ガスを均一に供給す
ることができる。また、原料ガスとの反応によって生成
される反応物がいくつかの開口部に詰まったとしても、
十分な量の原料ガスを試料に供給することができる。こ
のため、反応容器内に配置したすべての試料を一様に処
理することができる。
多数の開口部を複数列、形成したことにより、開口部の
加工精度がよくなく、開口部の形状にばらつきが生じた
としても、各試料に十分な量の原料ガスを均一に供給す
ることができる。また、原料ガスとの反応によって生成
される反応物がいくつかの開口部に詰まったとしても、
十分な量の原料ガスを試料に供給することができる。こ
のため、反応容器内に配置したすべての試料を一様に処
理することができる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例である熱
処理炉を上から見た概略断面図、図１（ｂ）はその熱処
理炉を横から見た概略断面図である。
して説明する。図１（ａ）は本発明の一実施例である熱
処理炉を上から見た概略断面図、図１（ｂ）はその熱処
理炉を横から見た概略断面図である。
【０００９】図１に示す熱処理炉は、反応容器１２と、
ガス噴射手段１４と、マニホールド１６と、炉蓋１８
と、保温筒２２と、石英ボート２４と、ヒータ２６とを
備えるものである。尚、ここでは、反応容器１２及びヒ
ータ２６を縦に配置した縦型構造の熱処理炉を用いてい
る。
ガス噴射手段１４と、マニホールド１６と、炉蓋１８
と、保温筒２２と、石英ボート２４と、ヒータ２６とを
備えるものである。尚、ここでは、反応容器１２及びヒ
ータ２６を縦に配置した縦型構造の熱処理炉を用いてい
る。
【００１０】反応容器１２は、上部が半球形とされた筒
状で、その下端は開放口とされている。反応容器１２
は、マニホールド１６上に高い精度で垂直に立てられて
いる。ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、ガス
導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは半円筒状
であって、石英ボート２４の略半分の周囲に沿って石英
ボードを覆うように配置される。また、ガス噴射部１４
ａの凹面状の表面には、原料ガスを噴射する噴射孔４４
を所定の間隔で格子状に多数設けている。ガス噴射部１
４ａは、反応容器１２の内面上部に設けられた支持部１
５によって反応容器１２の内面と一定の距離を保つよう
に、着脱可能に支持される。したがって、ガス噴射手段
１４が壊れたり、使用により当初の機能を発揮できなく
なった場合には、ガス噴射手段１４のみを単体で交換す
ることが可能である。
状で、その下端は開放口とされている。反応容器１２
は、マニホールド１６上に高い精度で垂直に立てられて
いる。ガス噴射手段１４は、ガス噴射部１４ａと、ガス
導入管１４ｂとからなる。ガス噴射部１４ａは半円筒状
であって、石英ボート２４の略半分の周囲に沿って石英
ボードを覆うように配置される。また、ガス噴射部１４
ａの凹面状の表面には、原料ガスを噴射する噴射孔４４
を所定の間隔で格子状に多数設けている。ガス噴射部１
４ａは、反応容器１２の内面上部に設けられた支持部１
５によって反応容器１２の内面と一定の距離を保つよう
に、着脱可能に支持される。したがって、ガス噴射手段
１４が壊れたり、使用により当初の機能を発揮できなく
なった場合には、ガス噴射手段１４のみを単体で交換す
ることが可能である。
【００１１】マニホールド１６は反応容器１２の下面に
取り付けられた取付台である。マニホールド１６には、
反応に使用された原料ガスを外部に排出するためのガス
排出口３２が設けてある。また、マニホールド１６にお
いては、ガス導入管１４ｂがＯリング３４により気密・
支持されている。
取り付けられた取付台である。マニホールド１６には、
反応に使用された原料ガスを外部に排出するためのガス
排出口３２が設けてある。また、マニホールド１６にお
いては、ガス導入管１４ｂがＯリング３４により気密・
支持されている。
【００１２】マニホールド１６の底部は炉蓋１８により
密封される。炉蓋１８の上に保温筒２２が載置され、さ
らに保温筒２２の上に、半導体ウエハ２が収容された石
英ボート２４が載置される。半導体ウエハ２はその表面
が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４
内に収納される。尚、保温筒２２は回転可能に構成され
ている。
密封される。炉蓋１８の上に保温筒２２が載置され、さ
らに保温筒２２の上に、半導体ウエハ２が収容された石
英ボート２４が載置される。半導体ウエハ２はその表面
が水平となるように一定の間隔を保って石英ボート２４
内に収納される。尚、保温筒２２は回転可能に構成され
ている。
【００１３】ヒータ２６は、反応容器１２の周囲に設け
られ、これによって半導体ウエハ２と反応容器１２内に
噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行われる。
られ、これによって半導体ウエハ２と反応容器１２内に
噴射される原料ガスとの反応に必要な加熱が行われる。
【００１４】次に、本実施例の熱処理炉の動作について
説明する。まず、半導体ウエハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１６の底部から取り外された炉蓋１８
の上に、保温筒２２及び半導体ウエハ２を収容した石英
ボート２４を載置する。この状態で炉蓋１８を昇降装置
（不図示）により持ち上げ、石英ボート２４を反応容器
１２の内部に挿入し、炉蓋１８をマニホールド１６に固
定する。
説明する。まず、半導体ウエハ２を炉内に収納するため
に、マニホールド１６の底部から取り外された炉蓋１８
の上に、保温筒２２及び半導体ウエハ２を収容した石英
ボート２４を載置する。この状態で炉蓋１８を昇降装置
（不図示）により持ち上げ、石英ボート２４を反応容器
１２の内部に挿入し、炉蓋１８をマニホールド１６に固
定する。
【００１５】次に、半導体ウエハ２に所定の熱処理を施
すには、まず、保温筒２２を回転させ、ヒータ２６を動
作させる。原料ガスをガス導入管１４ｂから供給する
と、原料ガスはガス噴射部１４ａの内面に形成された噴
射孔４４を通じて反応容器１２内に噴射される。ガス噴
射部１４ａは、支持部１５によって反応容器１２の内面
と一定の距離を保つように、且つ噴射孔４４から噴射さ
れた原料ガスが半導体ウエハ２の表面に水平に供給され
るように支持されている。供給された原料ガスは高温雰
囲気中で半導体ウエハ２と反応して、半導体ウエハ２に
所定の処理を施した後に、ガス排出口３２から外部に排
出される。
すには、まず、保温筒２２を回転させ、ヒータ２６を動
作させる。原料ガスをガス導入管１４ｂから供給する
と、原料ガスはガス噴射部１４ａの内面に形成された噴
射孔４４を通じて反応容器１２内に噴射される。ガス噴
射部１４ａは、支持部１５によって反応容器１２の内面
と一定の距離を保つように、且つ噴射孔４４から噴射さ
れた原料ガスが半導体ウエハ２の表面に水平に供給され
るように支持されている。供給された原料ガスは高温雰
囲気中で半導体ウエハ２と反応して、半導体ウエハ２に
所定の処理を施した後に、ガス排出口３２から外部に排
出される。
【００１６】本実施例の熱処理炉では、原料ガスを噴射
する噴射孔を所定の間隔で格子状に多数設けたことによ
り、噴射孔の加工精度があまりよくなく、ガス噴射部に
設けた各噴射孔の径にばらつきが生じたとしても、各半
導体ウエハに十分な量の原料ガスを均一に供給すること
ができる。また、原料ガスとの反応によって生成される
反応物がいくつかの噴射孔に詰まったとしても、同じ高
さに位置する他の噴射孔から十分な量の原料ガスを半導
体ウエハに供給することができる。したがって、石英ボ
ートに収納されたすべての半導体ウエハを一様に処理す
ることができるので、半導体製造工程のスループットを
向上させることができる。
する噴射孔を所定の間隔で格子状に多数設けたことによ
り、噴射孔の加工精度があまりよくなく、ガス噴射部に
設けた各噴射孔の径にばらつきが生じたとしても、各半
導体ウエハに十分な量の原料ガスを均一に供給すること
ができる。また、原料ガスとの反応によって生成される
反応物がいくつかの噴射孔に詰まったとしても、同じ高
さに位置する他の噴射孔から十分な量の原料ガスを半導
体ウエハに供給することができる。したがって、石英ボ
ートに収納されたすべての半導体ウエハを一様に処理す
ることができるので、半導体製造工程のスループットを
向上させることができる。
【００１７】尚、本発明は、上記の実施例に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ガス噴射部
を半円筒状に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ガス噴射部の表面を
平板状に形成したり、複数のガス導入管でガス噴射部を
構成してもよい。また、開口部は孔に限られるものでは
なく、例えばスリット状であってもよい。
ものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形が
可能である。たとえば、上記の実施例では、ガス噴射部
を半円筒状に形成した場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、ガス噴射部の表面を
平板状に形成したり、複数のガス導入管でガス噴射部を
構成してもよい。また、開口部は孔に限られるものでは
なく、例えばスリット状であってもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ガ
ス噴射手段に多数の開口部を複数列、形成したことによ
り、開口部の形状にばらつきが生じたり、原料ガスとの
反応物によっていくつかの開口部が詰まったとしても、
十分な量の原料ガスを均一に各試料に供給できるので、
たとえば半導体製造工程において多数の半導体ウエハを
一様に処理することができ、スループットを向上させる
ことができる熱処理炉を提供することができる。
ス噴射手段に多数の開口部を複数列、形成したことによ
り、開口部の形状にばらつきが生じたり、原料ガスとの
反応物によっていくつかの開口部が詰まったとしても、
十分な量の原料ガスを均一に各試料に供給できるので、
たとえば半導体製造工程において多数の半導体ウエハを
一様に処理することができ、スループットを向上させる
ことができる熱処理炉を提供することができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例である熱処理炉を上
から見た概略断面図、（ｂ）はその熱処理炉を横から見
た概略断面図である。
から見た概略断面図、（ｂ）はその熱処理炉を横から見
た概略断面図である。
【図２】従来の熱処理炉の概略断面図である。
２ 半導体ウエハ １２ 反応容器 １４ ガス噴射手段 １４ａ ガス噴射部 １４ｂ ガス導入管 １５ 支持部 １６ マニホールド １８ 炉蓋 ２２ 保温筒 ２４ 石英ボート ２６ ヒータ ３２ ガス排出口 ３４ Ｏリング ４４ 噴射孔
Claims (4)
- 【請求項１】 反応容器と、前記反応容器内に設けられ
た、前記反応容器内に原料ガスを噴射する多数の開口部
を有し、且つ前記開口部が複数列、形成されているガス
噴射手段と、前記反応容器内の原料ガスを外部に排出す
る排出手段とを備え、前記原料ガスを前記開口部から供
給して前記反応容器内の試料と反応させた後前記排出手
段より排出することを特徴とする熱処理炉。 - 【請求項２】 前記ガス噴射手段の前記開口部は、格子
状に配置されている請求項１記載の熱処理炉。 - 【請求項３】 前記ガス噴射手段の前記開口部は、凹面
状に配置されている請求項１又は２記載の熱処理炉。 - 【請求項４】 前記ガス噴射手段の前記開口部は、前記
試料の周囲の一部に沿って配置されている請求項１，２
又は３記載の熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18447092A JPH065534A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18447092A JPH065534A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065534A true JPH065534A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16153726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18447092A Withdrawn JPH065534A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065534A (ja) |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP18447092A patent/JPH065534A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |