JPH042000A - Semiconductor integrated circuit provided with ram test mode - Google Patents
Semiconductor integrated circuit provided with ram test modeInfo
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101100325756 Arabidopsis thaliana BAM5 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150046378 RAM1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100476489 Rattus norvegicus Slc20a2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はRAM (Random Access re
ad writeMemory)及びロジック回路を有
しており、RAMテストモードに切替えて内蔵テスト回
路により前記RAMの良否を検査することが可能なRA
Mテストモードを備えた半導体集積回路に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is applied to RAM (Random Access re
ad writeMemory) and a logic circuit, and can switch to RAM test mode and test the quality of the RAM using a built-in test circuit.
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having an M test mode.
[従来の技術]
第4図は従来のRAMテストモードを備えた半導体集積
回路を示すブロック図である。[Prior Art] FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit equipped with a conventional RAM test mode.
RAMIIの入力端は切替え回路13aの出力端Y1に
接続されている。この切替え回路13aの入力端A、は
ロジック回路12に接続されており、入力端B、はテス
トパターン信号が入力されるテスト信号入力端子14に
接続されている。そして、この切替え回路13aの入力
端S、はテストモード端子15に接続されている。この
切替え回路13aはテストモード端子15にテストモー
ド信号が入力されたときに、入力端B1に入力されたテ
ストパターン信号を出力端Y1を介してRAMIIに送
出し、テストモード信号が入力されていないときには、
入力端A1に入力されたロジック回路12からの信号を
出力端Y1を介してRAMIIに送出するようになって
いる。The input end of RAMII is connected to the output end Y1 of the switching circuit 13a. An input terminal A of this switching circuit 13a is connected to the logic circuit 12, and an input terminal B is connected to a test signal input terminal 14 to which a test pattern signal is input. The input terminal S of this switching circuit 13a is connected to the test mode terminal 15. When the test mode signal is input to the test mode terminal 15, this switching circuit 13a sends out the test pattern signal input to the input terminal B1 to RAMII via the output terminal Y1, and when the test mode signal is not input to the test mode terminal 15, sometimes,
A signal from the logic circuit 12 inputted to the input terminal A1 is sent to the RAM II via the output terminal Y1.
RAMIIの出力端は切替え回路13bの入力端B2に
接続されている。この切替え回路13bの入力端A2は
ロジック回路12の出力端に接続されており、入力端S
2はテストモード端子15に接続されている。そして、
切替え回路13bの出力端Y2は出力端子16に接続さ
れている。The output end of RAM II is connected to the input end B2 of the switching circuit 13b. The input terminal A2 of this switching circuit 13b is connected to the output terminal of the logic circuit 12, and the input terminal S
2 is connected to the test mode terminal 15. and,
An output terminal Y2 of the switching circuit 13b is connected to the output terminal 16.
上述の如く構成された半導体集積回路においては、通常
動作時には、切替え回路13aがロジック回路12の出
力をRAMIIに入力させる状態にある。また、切替え
回路13bもロジック回路12の出力端と出力端子16
とを接続している。In the semiconductor integrated circuit configured as described above, during normal operation, the switching circuit 13a is in a state to input the output of the logic circuit 12 to the RAM II. Further, the switching circuit 13b also connects the output terminal of the logic circuit 12 and the output terminal 16.
is connected to.
一方、RAMIIをテストするときには、テストモード
端子15にテストモード信号を供給する。On the other hand, when testing RAMII, a test mode signal is supplied to the test mode terminal 15.
そうすると、切替え回路13aはRAMIIの入力端を
、入力端A、に接続されたロジック回路12の出力端か
ら入力端B1に接続されたテスト信号入力端子14に切
替えて接続する。また、切替え回路13bも、このテス
トモード信号を入力して、出力端子16を入力端A2に
接続されたロジック回路12の出力端から入力端B2に
接続されたRAMIIの出力端に切替えて接続する。Then, the switching circuit 13a switches and connects the input terminal of RAMII from the output terminal of the logic circuit 12 connected to the input terminal A to the test signal input terminal 14 connected to the input terminal B1. The switching circuit 13b also receives this test mode signal and switches the output terminal 16 from the output terminal of the logic circuit 12 connected to the input terminal A2 to the output terminal of the RAMII connected to the input terminal B2. .
次いで、テスト信号入力端子14に外部のテスターから
テストパターン信号を供給する。RAM11はこのテス
トパターン信号を入力すると、テストパターン信号に対
応した所定の信号を出力する。このRAMIIの出力信
号は出力端子16を介して外部テスターに送出される。Next, a test pattern signal is supplied to the test signal input terminal 14 from an external tester. When the RAM 11 receives this test pattern signal, it outputs a predetermined signal corresponding to the test pattern signal. This RAM II output signal is sent to an external tester via the output terminal 16.
そして、外部テスターは、この信号に基づいてRAMI
Iの良否を判定する。Then, the external tester uses the RAMI based on this signal.
Determine whether I is good or bad.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述のRAMテストモードを備えた半導
体集積回路には、外部のテスターから供給されるテスト
パターン信号によりRAMテストを実施するため、RA
Mテスト時にはテスターが必要であり、RAMテストが
煩雑であるという欠点がある。また、外部テスターを接
続するために、RAM11のビット幅に比例する数のテ
スト信号入力端子14が必要であり、外部接続用端子の
数が多いという欠点もある。例えば、RAMIIが!B
ビット幅であれば、テスト信号入力端子14は少なくと
も16本必要である。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the semiconductor integrated circuit equipped with the above-mentioned RAM test mode, since the RAM test is performed using a test pattern signal supplied from an external tester,
A tester is required for the M test, and the RAM test is complicated. Furthermore, in order to connect an external tester, test signal input terminals 14 are required in a number proportional to the bit width of the RAM 11, and there is also a drawback that the number of external connection terminals is large. For example, RAMII! B
If it is a bit width, at least 16 test signal input terminals 14 are required.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
テスター等の外部装置がなくてもRAMテストを実施す
ることが可能であると共に、外部接続用端子の数を低減
することができるRAMテストモードを備えた半導体集
積回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such problems, and includes:
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode that allows a RAM test to be performed without an external device such as a tester and that can reduce the number of external connection terminals. .
[課題を解決するための手段]
本発明に係るRAMテストモードを備えた半導体集積回
路は、RAMと、ロジック回路と、前記RAMをテスト
してその判定結果を外部に出力するテスト回路と、テス
トモード信号に基づいて前記RAMに前記ロジック回路
の出力及び前記テスト回路の出力のいずれか一方を選択
的に入力させる切替え回路とを有することを特徴とする
。[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode according to the present invention includes a RAM, a logic circuit, a test circuit that tests the RAM and outputs the determination result to the outside, and a test circuit that tests the RAM and outputs the determination result to the outside. The present invention is characterized by comprising a switching circuit that selectively inputs either the output of the logic circuit or the output of the test circuit to the RAM based on a mode signal.
[作用コ
本発明においては、半導体集積回路内にテスト回路及び
切替え回路が設けられており、前記切替え回路はテスト
モード信号に基づいて、RAMにテスト回路の出力を入
力させる。このようにしてRAMテストが実施され、そ
の判定結果はテスト回路から外部に出力される。[Operations] In the present invention, a test circuit and a switching circuit are provided in the semiconductor integrated circuit, and the switching circuit inputs the output of the test circuit to the RAM based on a test mode signal. In this way, the RAM test is carried out, and the determination result is output from the test circuit to the outside.
前記テスト回路は、例えばRAMテスト用のテストパタ
ーン信号を発生するテストパターン発生部及びRAMの
出力とテストパターン信号とを比較して判定信号を出力
する比較部により構成されている。テスト回路がこのよ
うに構成されている場合、テストモード信号が入力され
ると、テストパターン発生部がテストパターン信号を発
生するト共に、前記切替え回路はこのテストパターン信
号をRAMに入力させる。そうすると、RAMはテスト
パターン信号に応じた信号を出力する。比較部は、この
RAMの出力信号とテストパターン信号とを比較し、判
定信号を外部に出力する。The test circuit includes, for example, a test pattern generation section that generates a test pattern signal for RAM testing, and a comparison section that compares the output of the RAM with the test pattern signal and outputs a determination signal. When the test circuit is configured in this way, when a test mode signal is input, the test pattern generating section generates a test pattern signal, and the switching circuit inputs this test pattern signal to the RAM. Then, the RAM outputs a signal according to the test pattern signal. The comparison section compares the output signal of this RAM with the test pattern signal and outputs a determination signal to the outside.
本発明においては、このようにしてRAMの良否を判定
するため、テスター等の外部装置が不要であると共に、
テスター等に接続するための外部接続用端子も不要であ
る。In the present invention, since the quality of the RAM is determined in this way, an external device such as a tester is not required, and
There is also no need for an external connection terminal for connecting to a tester or the like.
[実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の第1の実施例に係るRAMテストモー
ドを備えた半導体集積回路を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode according to a first embodiment of the present invention.
RAM1の入力端は切替え回路3の出力端Ytに接続さ
れている。この切替え回路3は入力端S1に入力された
信号に基づいて、入力端A、に接続されたロジック回路
2の出力又は入力端B1に接続されたテスト回路4の出
力のいずれか一方をRAM1に送出する。The input end of the RAM 1 is connected to the output end Yt of the switching circuit 3. This switching circuit 3 transfers either the output of the logic circuit 2 connected to the input terminal A or the output of the test circuit 4 connected to the input terminal B1 to the RAM 1 based on the signal input to the input terminal S1. Send.
テスト回路4はその入力端Aがテストモード端子5に接
続されている。また、入力端BにはRAM1の出力端が
接続されている。更に、テスト回路4の出力端X及びY
は夫々切替え回路3の入力端B、及びS、に接続されて
おり、出力端Zは出力端子6に接続されている。The test circuit 4 has its input terminal A connected to the test mode terminal 5. Further, the input end B is connected to the output end of the RAM1. Furthermore, the output terminals X and Y of the test circuit 4
are connected to the input terminals B and S of the switching circuit 3, respectively, and the output terminal Z is connected to the output terminal 6.
第2図はテスト回路4の具体的構成を示すブロック図で
ある。FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the test circuit 4. As shown in FIG.
テストモード設定部41は入力端Aに接続されている。The test mode setting section 41 is connected to the input terminal A.
このテストモード設定部41は2つの出力端を有してお
り、テストモード設定部41の一方の出力端はテスト回
路制御部42に接続されていて、他方の出力端はテスト
回路4としての出力端Yに接続されている。そして、こ
のテストモード設定部41は、入力端Aにテストモード
信号が入力されると、このテストモード信号をテスト回
路制御部42及び出力端Yに送出する。This test mode setting section 41 has two output terminals, one output terminal of the test mode setting section 41 is connected to the test circuit control section 42, and the other output terminal is used as the output terminal of the test circuit 4. Connected to end Y. When the test mode signal is input to the input terminal A, the test mode setting section 41 sends this test mode signal to the test circuit control section 42 and the output terminal Y.
また、テスト回路制御部42も2つの出力端を有してお
り、一方の出力端はテストパターン発生部43に接続さ
れ、他方の出力端は比較部45に接続されている。そし
て、このテスト回路制御部42はテストモード設定部4
1からテストモード信号を入力すると、テストパターン
発生部43及び比較部45にテストパターン発生信号を
送出する。Further, the test circuit control section 42 also has two output terminals, one output terminal is connected to the test pattern generation section 43 and the other output terminal is connected to the comparison section 45. This test circuit control section 42 is connected to the test mode setting section 4.
When a test mode signal is input from 1, a test pattern generation signal is sent to a test pattern generation section 43 and a comparison section 45.
更に、テストパターン発生部43は、テスト回路制御部
42からテストパターン発生信号を入力すると所定のテ
ストパターン信号を発生し、このテストパターン信号を
出力端X及び比較部45に送出する。Further, the test pattern generation section 43 generates a predetermined test pattern signal when receiving the test pattern generation signal from the test circuit control section 42 and sends this test pattern signal to the output terminal X and the comparison section 45.
RAM出力保持レジスタ44は入力端Bに入力されたR
AMIの出力信号を入力して一旦保持すると共に、この
信号を比較部45に送出する。比較部45はテスト回路
制御部42からテストパターン発生信号が入力されてい
る間、テストパターン発生部43から入力されたテスト
パターン信号とRAM出力保持レジスタ44から入力さ
れたRAM出力信号とを比較し、両者が相互に同一であ
るときには出力端Zに正常信号を出力し、両者が相互に
異なるときには出力端Zに異常信号を出力する。The RAM output holding register 44 has R input to the input terminal B.
The output signal of the AMI is input and temporarily held, and this signal is sent to the comparison section 45. The comparison unit 45 compares the test pattern signal input from the test pattern generation unit 43 and the RAM output signal input from the RAM output holding register 44 while the test pattern generation signal is input from the test circuit control unit 42. , when both are the same, a normal signal is output to the output terminal Z, and when both are different from each other, an abnormal signal is output to the output terminal Z.
次に、本実施例の動作について説明する。テストモード
端子5にテストモード信号が入力されると、テストモー
ド設定部41は出力端Yを介してこのテストモード信号
を切替え回路3の入力端SIに出力する。これにより、
切替え回路3はRAMIに送出する信号を入力端A、に
接続されたロジック回路2の出力から入力端B、に接続
されたテスト回路4の出力に切替える。Next, the operation of this embodiment will be explained. When a test mode signal is input to the test mode terminal 5, the test mode setting section 41 outputs this test mode signal to the input terminal SI of the switching circuit 3 via the output terminal Y. This results in
The switching circuit 3 switches the signal sent to the RAMI from the output of the logic circuit 2 connected to the input terminal A to the output of the test circuit 4 connected to the input terminal B.
また、テストモード設定部41はテスト回路制御部42
にテストモード信号を出力する。テスト回路制御部42
は、このテストモード信号を入力するとテストパターン
発生信号を発生する。そうすると、テストパターン発生
部43は、このテストパターン発生信号を入力して所定
のテストパターン信号を発生する。このテストパターン
信号は比較部45に入力されると共に、出力端X及び切
替え回路3を介して、RAMIに入力される。The test mode setting section 41 also includes a test circuit control section 42.
Outputs the test mode signal to. Test circuit control section 42
generates a test pattern generation signal when this test mode signal is input. Then, the test pattern generation section 43 receives this test pattern generation signal and generates a predetermined test pattern signal. This test pattern signal is input to the comparator 45 and is also input to the RAMI via the output terminal X and the switching circuit 3.
RAM1はこのテストパターン信号を一旦記憶した後、
記憶したテストパターン信号をテスト回路4の入力端B
に送出する。After RAM1 once stores this test pattern signal,
The stored test pattern signal is input to the input terminal B of the test circuit 4.
Send to.
RAM出力保持レジスタ44はRAM1から出力された
テストパターン信号を入力して一旦保持すると共に、こ
の信号を比較部45に送出する。The RAM output holding register 44 inputs and temporarily holds the test pattern signal output from the RAM 1, and sends this signal to the comparison section 45.
比較部45は、テスト回路制御部42からのテストパタ
ーン発生信号により、テストパターン発生部43の出力
とRAM出力保持レジスタ44の出力とを比較する。そ
して、両者の出力信号が同一であれば、出力端Zを介し
て出力端子6に正常信号を出力し、異なる場合は出力端
子6に異常信号を出力する。このような動作をRAMI
の全てのアドレスに対して繰り返す。これにより、RA
M1の良否の判定を行なうことができる。The comparison section 45 compares the output of the test pattern generation section 43 and the output of the RAM output holding register 44 based on the test pattern generation signal from the test circuit control section 42 . If the two output signals are the same, a normal signal is output to the output terminal 6 via the output terminal Z, and if they are different, an abnormal signal is output to the output terminal 6. This kind of operation can be implemented in RAMI
Repeat for all addresses. This allows R.A.
It is possible to judge whether M1 is good or bad.
本実施例においては、外部からテストモード信号を入力
するだけで、上述したRAMテストを実施することがで
きるため、テスター等の外部装置が不要である。また、
テスター等の外部装置と接続するための接続端子が不要
であるため、外部接続端子の数を低減することができる
。In this embodiment, the above-mentioned RAM test can be carried out simply by inputting a test mode signal from the outside, so an external device such as a tester is not required. Also,
Since a connection terminal for connecting to an external device such as a tester is not required, the number of external connection terminals can be reduced.
第3図は本発明の第2の実施例に係るRAMテストモー
ドを備えた半導体集積回路を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode according to a second embodiment of the present invention.
本実施例が第1の実施例と異なる点は2個のRAMを有
することにあり、その他の構成は基本的には第1の実施
例と同様であるので、第3図において第1図と同一物に
は同一符号を付してその詳しい説明は省略する。This embodiment differs from the first embodiment in that it has two RAMs, and the other configurations are basically the same as the first embodiment. Identical parts will be given the same reference numerals and detailed explanations will be omitted.
本実施例に係る半導体集積回路は2個のRAM1a、l
bを仔している。そして、この2個のRAM1a及び1
bの入力端は、いずれも切替え回路3の出力端Y1に接
続されている。また、これらのRAM1a、1bの出力
端はいずれもテスト回路4の入力端Bに接続されている
。The semiconductor integrated circuit according to this embodiment has two RAMs 1a and 1
I am having a baby b. Then, these two RAMs 1a and 1
The input terminals of the switching circuit 3 are both connected to the output terminal Y1 of the switching circuit 3. Further, the output terminals of these RAMs 1a and 1b are both connected to the input terminal B of the test circuit 4.
本実施例においても、第1の実施例と同様の効果を得る
ことができる。なお、3個以上のRAMを有する半導体
集積回路においても、この第2の実施例と同様にしてR
AMテストを実施することができる。In this embodiment as well, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Incidentally, even in a semiconductor integrated circuit having three or more RAMs, the R
AM tests can be performed.
[発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、RAMをテストす
るテスト回路とRAMの入力を前記テスト回路とロジッ
ク回路との間で切替える切替え回路とを有しているから
、RAMテストをテスター等の外部装置を使用すること
な〈実施することができる。また、半導体集積回路の外
部接続端子の数を従来に比して低減することができると
いう効果も奏する。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention includes a test circuit for testing the RAM and a switching circuit for switching the input of the RAM between the test circuit and the logic circuit. This can be carried out without using an external device such as a tester. Furthermore, the number of external connection terminals of the semiconductor integrated circuit can be reduced compared to the conventional method.
第1図は本発明の第1の実施例に係るRAMテストモー
ドを備えた半導体集積回路を示すブロック図、第2図は
同じくそのテスト回路の具体的構成を示すブロック図、
第3図は本発明の第2の実施例に係るRAMテストモー
ドを備えた半導体集積回路を示すブロック図、第4図は
従来のRAMテストモードを備えた半導体集積回路を示
すブロック図である。
1、 las 1b+ 11 ;RAM12+ 12;
。
シック回路、3.13at 13b;切替え回路、4
;テスト回路、5,15;テストモード端子、e、is
;出力端子、14;テスト信号入力端子、41;テスト
モード設定部、42;テスト回路制御部、43;テスト
パターン発生部、44;RAM出力保持レジスタ、45
;比較部
第1図FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the test circuit.
FIG. 3 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit with a RAM test mode according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit with a RAM test mode. 1, las 1b+ 11; RAM12+ 12;
. Thick circuit, 3.13at 13b; switching circuit, 4
;Test circuit, 5, 15;Test mode terminal, e, is
Output terminal, 14; Test signal input terminal, 41; Test mode setting section, 42; Test circuit control section, 43; Test pattern generation section, 44; RAM output holding register, 45
;Comparison part Figure 1
Claims (2)
してその判定結果を外部に出力するテスト回路と、テス
トモード信号に基づいて前記RAMに前記ロジック回路
の出力及び前記テスト回路の出力のいずれか一方を選択
的に入力させる切替え回路とを有することを特徴とする
RAMテストモードを備えた半導体集積回路。(1) A RAM, a logic circuit, a test circuit that tests the RAM and outputs the determination result to the outside, and an output of the logic circuit and an output of the test circuit to the RAM based on a test mode signal. 1. A semiconductor integrated circuit equipped with a RAM test mode, comprising a switching circuit for selectively inputting one of the two modes.
いて前記RAMをテストするテストパターン信号を発生
するテストパターン発生部と、前記RAMの出力と前記
テストパターン発生部の出力との比較結果に基づいて前
記RAMの判定信号を出力する比較部とを有することを
特徴とする請求項1に記載のRAMテストモードを備え
た半導体集積回路。(2) The test circuit includes a test pattern generation section that generates a test pattern signal for testing the RAM based on the test mode signal, and a test pattern generation section that generates a test pattern signal based on the comparison result between the output of the RAM and the output of the test pattern generation section. 2. The semiconductor integrated circuit with a RAM test mode according to claim 1, further comprising a comparison section that outputs a judgment signal for the RAM.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102515A JPH042000A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Semiconductor integrated circuit provided with ram test mode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102515A JPH042000A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Semiconductor integrated circuit provided with ram test mode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042000A true JPH042000A (en) | 1992-01-07 |
Family
ID=14329499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102515A Pending JPH042000A (en) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | Semiconductor integrated circuit provided with ram test mode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042000A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047152A1 (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit and method for testing memory |
| KR100837077B1 (en) * | 2004-02-20 | 2008-06-13 | 광주과학기술원 | Dielectric Mirror Forming to Increase Reflectance and Filter Forming Method Using Dielectric Mirrors |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2102515A patent/JPH042000A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047152A1 (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit and method for testing memory |
| US6233182B1 (en) | 1997-04-16 | 2001-05-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit and method for testing memory |
| US6467056B1 (en) | 1997-04-16 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit and method of checking memory |
| KR100837077B1 (en) * | 2004-02-20 | 2008-06-13 | 광주과학기술원 | Dielectric Mirror Forming to Increase Reflectance and Filter Forming Method Using Dielectric Mirrors |
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