[go: up one dir, main page]

JP7702320B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents

Substrate Processing Equipment Download PDF

Info

Publication number
JP7702320B2
JP7702320B2 JP2021154405A JP2021154405A JP7702320B2 JP 7702320 B2 JP7702320 B2 JP 7702320B2 JP 2021154405 A JP2021154405 A JP 2021154405A JP 2021154405 A JP2021154405 A JP 2021154405A JP 7702320 B2 JP7702320 B2 JP 7702320B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating liquid
temperature
plate member
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021154405A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2023045818A (en
Inventor
正晃 古川
茂宏 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2021154405A priority Critical patent/JP7702320B2/en
Priority to CN202210914572.5A priority patent/CN115910842A/en
Priority to TW111129809A priority patent/TWI846004B/en
Priority to KR1020220105987A priority patent/KR102745592B1/en
Publication of JP2023045818A publication Critical patent/JP2023045818A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7702320B2 publication Critical patent/JP7702320B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spray Control Apparatus (AREA)

Description

本発明は、基板の上面に塗布膜を形成する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that forms a coating film on the upper surface of a substrate.

半導体基板、液晶表示装置もしくは有機EL(Electro Luminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。 Substrate processing equipment is used to perform various processes on substrates such as semiconductor substrates, substrates for FPDs (Flat Panel Displays) such as liquid crystal displays or organic EL (Electro Luminescence) displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, or substrates for solar cells.

基板処理装置の一例として、特許文献1には、基板にレジスト膜を形成する回転式基板処理装置が記載されている。その基板処理装置においては、水平姿勢で保持されて回転する基板の中心部にレジスト液が供給される。供給されたレジスト液が基板の周縁部に向かって広がることにより、基板の上面全体にレジスト液の膜が形成される。レジスト液の膜が形成された基板に、乾燥処理等の所定の処理が施される。それにより、基板の上面にレジスト膜が形成される。 As an example of a substrate processing apparatus, Patent Document 1 describes a rotary substrate processing apparatus that forms a resist film on a substrate. In this substrate processing apparatus, resist liquid is supplied to the center of a substrate that is held in a horizontal position and rotates. The supplied resist liquid spreads toward the peripheral edge of the substrate, forming a film of resist liquid over the entire upper surface of the substrate. The substrate with the resist liquid film formed thereon is subjected to a predetermined process such as a drying process. As a result, a resist film is formed on the upper surface of the substrate.

上記のように、回転する基板の上面に塗布液(レジスト液)を供給することにより基板の上面に塗布膜(レジスト膜)を形成する方法は、スピン塗布と呼ばれる。スピン塗布により形成されるレジスト膜には、ストリエーション等の塗布むらが発生しやすいことが知られている。ストリエーションとは、基板上に塗布膜が形成される際に膜厚の差によって発生する模様であり、基板の中心から外周部に向かって放射状に形成される。 As described above, the method of forming a coating film (resist film) on the top surface of a rotating substrate by supplying a coating liquid (resist liquid) to the top surface of the substrate is called spin coating. It is known that resist films formed by spin coating are prone to coating unevenness such as striations. Striations are patterns that occur due to differences in film thickness when a coating film is formed on a substrate, and are formed radially from the center of the substrate to the outer periphery.

特開2019-046850号公報JP 2019-046850 A

塗布膜の形成方法としては、上記のスピン塗布の他、スリット状の吐出口を有する塗布液ノズルを基板上で走査することにより基板上に塗布膜を形成する方法がある。この塗布膜の形成方法は、スリット塗布と呼ばれる。スリット塗布により塗布膜を形成する場合、形成される塗布膜にストリエーションは発生しない。しかしながら、スリット塗布によって基板上に形成される塗布膜の厚みのばらつきは、スピン塗布によって基板上に形成される塗布膜の厚みのばらつきに比べて大きい。 In addition to the above-mentioned spin coating, there is another method for forming a coating film on a substrate by scanning a coating liquid nozzle having a slit-shaped discharge port over the substrate. This method for forming a coating film is called slit coating. When a coating film is formed by slit coating, striations do not occur in the coating film that is formed. However, the variation in thickness of a coating film formed on a substrate by slit coating is greater than the variation in thickness of a coating film formed on a substrate by spin coating.

本発明の目的は、膜厚の均一性が向上された塗布膜を、基板上に形成することを可能にする基板処理装置を提供することである。 The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that enables the formation of a coating film on a substrate with improved uniformity of film thickness.

(1)第1の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、液供給部から吐出される塗布液により第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に塗布液の膜が形成されるように、第1のプレート部材と液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、温度調整部は、液供給部において吐出口に導かれる塗布液の温度調整を行う場合に、基板の周縁部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度を、基板の中央部に供給される塗布液の温度から異ならせる。 (1) A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes a first plate member on which a substrate having at least a portion of a circular outer periphery is placed, the first plate member being configured to hold the substrate placed on the first plate member in a predetermined fixed position; a liquid supply unit provided at a position above the first substrate holding unit, having a slit-shaped discharge port, and discharging a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate; a relative movement unit configured to relatively move the first plate member and the liquid supply unit so that a film of coating liquid is formed over the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the coating liquid discharged from the liquid supply unit; and a temperature adjustment unit configured to adjust the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate , and when adjusting the temperature of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit, the temperature adjustment unit makes the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the peripheral portion of the substrate different from the temperature of the coating liquid supplied to the central portion of the substrate .

その基板処理装置においては、第1のプレート部材上に基板が保持された状態で、第1のプレート部材と液供給部とが相対的に移動する。このとき、液供給部のスリット状の吐出口から基板の上面に塗布液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布液の膜が形成される。このように、スリット状の吐出口を有する液供給部を基板上で走査することにより塗布膜を形成する方法によれば、塗布むらの発生を低減することができる。 In the substrate processing apparatus, the first plate member and the liquid supply unit move relative to each other while the substrate is held on the first plate member. At this time, the coating liquid is discharged from the slit-shaped discharge port of the liquid supply unit onto the upper surface of the substrate, forming a film of the coating liquid over the entire upper surface of the substrate. In this way, the method of forming a coating film by scanning the liquid supply unit having a slit-shaped discharge port over the substrate can reduce the occurrence of coating unevenness.

また、上記の基板処理装置においては、液供給部において吐出口に導かれる塗布液、および基板上に塗布された塗布液に対して温度調整が行われる。換言すれば、基板に供給される前の塗布液および基板に供給された後の塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対して温度調整が行われる。それにより、基板上に形成される塗布膜の厚みを均一化することが可能になる。 In addition, in the above-mentioned substrate processing apparatus, temperature adjustment is performed on the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply section and the coating liquid applied onto the substrate. In other words, temperature adjustment is performed on at least one of the coating liquid before it is supplied to the substrate and the coating liquid after it is supplied to the substrate. This makes it possible to make the thickness of the coating film formed on the substrate uniform.

(2)第2の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、液供給部から吐出される塗布液により第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に塗布液の膜が形成されるように、第1のプレート部材と液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、液供給部は、塗布液供給系から供給される塗布液を吐出口に導く塗布液流路を含み、温度調整部は、液供給部の吐出口の複数の部分から吐出される塗布液の流量分布が予め定められた流量分布となるように、塗布液流路を通して吐出口の複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整する塗布液調整部を含む。 (2) A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention has a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, the first plate member holding the substrate placed on the first plate member in a predetermined fixed position, a liquid supply unit provided at a position above the first substrate holding unit, the liquid supply unit having a slit-shaped discharge port and discharging a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate, and a liquid supply unit connecting the first plate member and the liquid supply unit so that a film of the coating liquid is formed over the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the coating liquid discharged from the liquid supply unit. the liquid supply unit includes a coating liquid flow path that guides the coating liquid supplied from the coating liquid supply system to the discharge port, and the temperature adjustment unit includes a coating liquid adjustment unit that adjusts the temperature of each of the coating liquids guided to the multiple portions of the discharge port through the coating liquid flow path so that the flow rate distribution of the coating liquid discharged from the multiple portions of the discharge port of the liquid supply unit becomes a predetermined flow rate distribution .

塗布液の粘度は、塗布液の温度が高いほど低く、塗布液の温度が低いほど高い。単位時間当たりに塗布液流路を流れる塗布液の量、すなわち塗布液の流量は、塗布液の粘度が低いほど大きく、塗布液の粘度が高いほど小さくなる。 The viscosity of the coating liquid is lower as the temperature of the coating liquid is higher, and higher as the temperature of the coating liquid is lower. The amount of coating liquid flowing through the coating liquid flow path per unit time, i.e., the flow rate of the coating liquid, is higher as the viscosity of the coating liquid is lower, and is lower as the viscosity of the coating liquid is higher.

したがって、上記の構成によれば、塗布液流路の複数の部分を流れる塗布液の温度が調整されることにより、吐出口の複数の部分から基板の複数の部分に予め定められた量の塗布液が供給される。それにより、吐出口の複数の部分から吐出される塗布液についての予め定められた流量分布が適切に定められることにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。 Therefore, according to the above configuration, the temperature of the coating liquid flowing through the multiple parts of the coating liquid flow path is adjusted, and a predetermined amount of coating liquid is supplied to multiple parts of the substrate from the multiple parts of the discharge port. This allows the predetermined flow rate distribution of the coating liquid discharged from the multiple parts of the discharge port to be appropriately determined, thereby improving the uniformity of the film thickness of the coating film formed on the substrate.

(3)塗布液調整部は、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が、基板の中央部に供給される塗布液の温度よりも低くなるように、吐出口の複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整してもよい。 (3) The coating liquid adjustment unit may adjust the temperature of the coating liquid guided to each of the multiple portions of the discharge port so that the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the center of the substrate.

上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が低くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の粘度は高くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の量を他の部分に供給される塗布液の量に比べて小さくすることができる。その結果、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。 According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is lowered, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is increased. This allows the amount of coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate to be smaller than the amount of coating liquid supplied to other portions. As a result, the thickness of the coating film formed on at least a portion of the outer periphery of the substrate is prevented from being larger than the other portions.

(4)液供給部は、吐出口が第1の方向に延びるように配置され、相対的移動部は、第1の基板保持部に基板が固定姿勢で保持された状態で、液供給部の吐出口が基板上の空間を通過するように、第1の方向に交差する第2の方向に液供給部と第1の基板保持部とを相対的に移動させ、第1のプレート部材に載置された基板には、外周端部を含む一定幅の円環状領域と、円環状領域の内側の中央領域とが定義され、塗布液調整部は、相対的移動部による液供給部と第1の基板保持部との間の相対的な移動時に、液供給部の吐出口の複数の部分のうち平面視で第1のプレート部材に載置された基板の円環状領域に重なる部分から吐出される塗布液の温度を予め定められた第1の温度に調整し、液供給部の吐出口の複数の部分のうち平面視で第1のプレート部材に載置された基板の円環状領域に重ならない部分から吐出される塗布液の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に調整してもよい。 (4) The liquid supply unit is disposed so that the outlet extends in a first direction, and the relative movement unit relatively moves the liquid supply unit and the first substrate holding unit in a second direction intersecting the first direction so that the outlet of the liquid supply unit passes through a space above the substrate while the substrate is held in a fixed position by the first substrate holding unit, and a circular region of a constant width including the outer peripheral end and a central region inside the circular region are defined on the substrate placed on the first plate member, and the coating liquid adjustment unit may adjust the temperature of the coating liquid discharged from the portions of the multiple portions of the outlet of the liquid supply unit that overlap the circular region of the substrate placed on the first plate member in a planar view to a predetermined first temperature during the relative movement between the liquid supply unit and the first substrate holding unit by the relative movement unit, and adjust the temperature of the coating liquid discharged from the portions of the multiple portions of the outlet of the liquid supply unit that do not overlap the circular region of the substrate placed on the first plate member in a planar view to a second temperature higher than the first temperature.

上記の構成によれば、基板の円環状領域に供給される塗布液の温度が基板の中央領域に供給される塗布液の温度に比べて低くなる。したがって、基板の円環状領域に供給される塗布液の粘度は、基板の中央領域に供給される塗布液の粘度に比べて高くなる。それにより、基板の円環状領域に供給される塗布液の量を基板の中央領域に供給される塗布液の量に比べて小さくすることができる。その結果、基板の外周部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。 According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to the annular region of the substrate is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the central region of the substrate. Therefore, the viscosity of the coating liquid supplied to the annular region of the substrate is higher than the viscosity of the coating liquid supplied to the central region of the substrate. This allows the amount of coating liquid supplied to the annular region of the substrate to be smaller than the amount of coating liquid supplied to the central region of the substrate. As a result, the thickness of the coating film formed on the outer periphery of the substrate is prevented from becoming larger than other portions.

(5)第3の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、液供給部から吐出される塗布液により第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に塗布液の膜が形成されるように、第1のプレート部材と液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、第1のプレート部材は、複数の領域を有し、温度調整部は、第1のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整する第1のプレート調整部を含む。 (5) A substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention includes a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, and a first substrate holding unit that holds the substrate placed on the first plate member in a predetermined fixed position; a liquid supply unit that is provided at a position above the first substrate holding unit, has a slit-shaped discharge port, and discharges a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate; a relative movement unit that moves the first plate member and the liquid supply unit relatively so that a film of coating liquid is formed over the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the coating liquid discharged from the liquid supply unit; and a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate, wherein the first plate member has a plurality of regions, and the temperature adjustment unit includes a first plate adjustment unit that adjusts the temperature of each of the plurality of regions of the first plate member.

上記の構成によれば、第1のプレート部材の複数の領域の温度が適切に調整されることにより、基板の円環状領域に位置する塗布液の粘度が高くなることを抑制することができる。それにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。 According to the above configuration, the temperature of the multiple regions of the first plate member is appropriately adjusted, so that the viscosity of the coating liquid located in the annular region of the substrate can be prevented from increasing. This can improve the uniformity of the thickness of the coating film formed on the substrate.

(6)第1のプレート部材の複数の領域は、第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第1の領域と、第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第2の領域とを含み、基板の半径方向における複数の第1の領域の各々の寸法は、基板の半径方向における複数の第2の領域の各々の寸法よりも小さくてもよい。 (6) The multiple regions of the first plate member include multiple first regions overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the first plate member and multiple second regions overlapping a central portion of the substrate placed on the first plate member, and the dimension of each of the multiple first regions in the radial direction of the substrate may be smaller than the dimension of each of the multiple second regions in the radial direction of the substrate.

この場合、基板の中央部上に供給される塗布液の温度に比べて、基板の外周部上に供給される塗布液の温度をより高い精度で調整することができる。 In this case, the temperature of the coating liquid supplied to the outer periphery of the substrate can be adjusted with greater precision than the temperature of the coating liquid supplied to the center of the substrate.

(7)第1のプレート調整部は、第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、第1のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整してもよい。 (7) The first plate adjustment unit may adjust the temperature of each of the multiple regions of the first plate member so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the first plate member is higher than the temperature of a portion overlapping the center of the substrate placed on the first plate member.

上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が高くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給された塗布液の粘度は低くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に位置する塗布液の粘度が高くなることに起因して、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。 According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is increased, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is decreased. This prevents the thickness of the coating film formed on at least a portion of the outer periphery of the substrate from becoming larger than other portions due to the increased viscosity of the coating liquid located on at least a portion of the outer periphery of the substrate.

(8)基板処理装置は、基板に塗布液を塗布する塗布装置と、塗布装置により基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥装置とを備え、塗布装置は、第1の基板保持部、液供給部および相対的移動部を含み、液膜乾燥装置は、塗布装置により塗布液の膜が形成された基板が載置される第2のプレート部材を有し、第2のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第2の基板保持部と、第2の基板保持部を収容する内部空間を有するチャンバと、第2の基板保持部により基板が保持された状態で、チャンバ内部の空間を減圧することにより第2の基板保持部により保持された基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥部とを含み、第2のプレート部材は、複数の領域を有し、温度調整部は、第2のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整する第2のプレート調整部を含んでもよい。 (8) The substrate processing apparatus includes a coating device that coats a substrate with a coating liquid, and a liquid film drying device that dries a film of the coating liquid formed on the substrate by the coating device, the coating device including a first substrate holding unit, a liquid supply unit, and a relative movement unit, the liquid film drying device includes a second plate member on which a substrate on which a film of the coating liquid has been formed by the coating device is placed, a second substrate holding unit that holds the substrate placed on the second substrate member in a predetermined fixed position, a chamber having an internal space that accommodates the second substrate holding unit, and a liquid film drying unit that dries the film of the coating liquid formed on the substrate held by the second substrate holding unit by reducing the pressure in the space inside the chamber while the substrate is held by the second substrate holding unit, the second plate member has multiple regions, and the temperature adjustment unit may include a second plate adjustment unit that adjusts the temperature of each of the multiple regions of the second plate member.

この場合、液膜乾燥装置においては、チャンバ内の第2のプレート部材上に基板が保持された状態で、チャンバの内部空間が減圧されることにより、基板上の塗布液の膜が乾燥される。このとき、第2のプレート部材の複数の領域の温度がそれぞれ調整される。したがって、第2のプレート部材の複数の領域の温度が適切に調整されることにより、基板の円環状領域に位置する塗布液の粘度が高くなることを抑制することができる。それにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。 In this case, in the liquid film drying device, the internal space of the chamber is depressurized while the substrate is held on the second plate member in the chamber, thereby drying the film of coating liquid on the substrate. At this time, the temperature of each of the multiple regions of the second plate member is adjusted. Therefore, by appropriately adjusting the temperature of each of the multiple regions of the second plate member, it is possible to prevent the viscosity of the coating liquid located in the annular region of the substrate from increasing. This makes it possible to improve the uniformity of the thickness of the coating film formed on the substrate.

(9)第2のプレート部材の複数の領域は、第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第3の領域と、第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第4の領域とを含み、基板の半径方向における複数の第3の領域の寸法は、基板の半径方向における複数の第4の領域の寸法よりも小さくてもよい。 (9) The multiple regions of the second plate member may include multiple third regions overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the second plate member and multiple fourth regions overlapping a central portion of the substrate placed on the second plate member, and the dimensions of the multiple third regions in the radial direction of the substrate may be smaller than the dimensions of the multiple fourth regions in the radial direction of the substrate.

この場合、基板の中央部上に供給される塗布液の温度に比べて、基板の外周部上に供給される塗布液の温度をより高い精度で調整することができる。 In this case, the temperature of the coating liquid supplied to the outer periphery of the substrate can be adjusted with greater precision than the temperature of the coating liquid supplied to the center of the substrate.

(10)第2のプレート調整部は、第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、第2のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整してもよい。 (10) The second plate adjustment unit may adjust the temperature of each of the multiple regions of the second plate member so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the second plate member is higher than the temperature of a portion overlapping the center of the substrate placed on the second plate member.

上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が高くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給された塗布液の粘度は低くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に位置する塗布液の粘度が高くなることに起因して、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。 According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is increased, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is decreased. This prevents the thickness of the coating film formed on at least a portion of the outer periphery of the substrate from becoming larger than other portions due to the increased viscosity of the coating liquid located on at least a portion of the outer periphery of the substrate.

本発明によれば、膜厚の均一性が向上された塗布膜を、基板上に形成することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to form a coating film on a substrate with improved uniformity of film thickness.

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の基本構成図である。1 is a basic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention; 図1の塗布装置の模式的な外観斜視図である。FIG. 2 is a schematic external perspective view of the coating apparatus of FIG. 1 . 通常のスリット塗布により発生する膜厚のばらつきの傾向を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining the tendency of film thickness variation occurring in normal slit coating. 図2のノズル装置の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the nozzle device of FIG. 2 . 図2のノズル装置の外観斜視図および縦断面図である。3A and 3B are an external perspective view and a longitudinal sectional view of the nozzle device of FIG. 2. ノズルブロックの変形例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a modified example of the nozzle block. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図4のノズル装置を用いた基板の塗布処理の具体例を示す図である。5A to 5C are diagrams showing a specific example of a coating process for a substrate using the nozzle device of FIG. 4. 図2のステージ装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the stage device of FIG. 2 . 図2のステージ装置の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the stage device of FIG. 2 . 図14のステージ装置に取り付けられる温度調整用の補助装置の一例を示す図である。15 is a diagram showing an example of an auxiliary device for temperature adjustment attached to the stage device of FIG. 14. ステージ装置の他の構成例を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing another example of the configuration of the stage device. 塗布装置の制御系統の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a control system of the coating apparatus. 図1の液膜乾燥装置の模式的な外観斜視図である。FIG. 2 is a schematic external perspective view of the liquid film drying device of FIG. 液膜乾燥装置の制御系統の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of a control system of the liquid film drying device.

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機EL(Electro Luminescence)表示装置等に用いられるFPD(Flat Panel Display)用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下に説明する基板は、平面視でノッチの形成部分を除いて円形状を有する。 A substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, the term "substrate" refers to a substrate for an FPD (Flat Panel Display) used in a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a semiconductor substrate, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In addition, the substrate described below has a circular shape in a plan view, excluding the portion where the notch is formed.

[1]基板処理装置の基本構成
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の基本構成図である。図1に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置1は、塗布装置100、液膜乾燥装置200、後処理装置300、搬送装置400および制御装置500を備える。
[1] Basic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is shown in Fig. 1. As shown in Fig. 1, a substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a coating apparatus 100, a liquid film drying apparatus 200, a post-processing apparatus 300, a transport apparatus 400, and a control apparatus 500.

塗布装置100は、未処理の基板Wの上面に所定の塗布液を供給し、塗布液の液膜を形成する。本実施の形態に係る塗布液はレジスト膜用の塗布液(レジスト液)または反射防止膜用の塗布液(反射防止液)である。塗布装置100の構成および動作の詳細は後述する。 The coating apparatus 100 supplies a predetermined coating liquid to the upper surface of an unprocessed substrate W to form a liquid film of the coating liquid. The coating liquid in this embodiment is a coating liquid for a resist film (resist liquid) or a coating liquid for an anti-reflective film (anti-reflective liquid). The configuration and operation of the coating apparatus 100 will be described in detail below.

液膜乾燥装置200には、塗布装置100により塗布液の液膜が形成された基板Wが搬入される。液膜乾燥装置200は、基板W上に形成された液膜の乾燥処理を行う。それにより、基板W上に塗布膜FFが形成される。液膜乾燥装置200の詳細は後述する。 The substrate W on which a liquid film of the coating liquid has been formed by the coating device 100 is carried into the liquid film drying device 200. The liquid film drying device 200 performs a drying process on the liquid film formed on the substrate W. As a result, a coating film FF is formed on the substrate W. Details of the liquid film drying device 200 will be described later.

後処理装置300には、液膜乾燥装置200により塗布膜FFが形成された基板Wが搬入される。後処理装置300は、塗布膜FFが形成された基板Wに対して予め定められた所定の処理を行う。例えば、図1の後処理装置300は、スピンチャック310、カップ320、エッジリンスノズル331および複数(本例では2つ)のバックリンスノズル332を備える。 The substrate W on which the coating film FF has been formed by the liquid film drying device 200 is carried into the post-processing device 300. The post-processing device 300 performs a predetermined process on the substrate W on which the coating film FF has been formed. For example, the post-processing device 300 in FIG. 1 includes a spin chuck 310, a cup 320, an edge rinse nozzle 331, and multiple (two in this example) back rinse nozzles 332.

この場合、スピンチャック310は、塗布膜FFが形成された基板Wの下面中央部を吸着することにより、当該基板Wを水平姿勢で保持しつつ上下方向の軸の周りで回転させる。 In this case, the spin chuck 310 holds the substrate W in a horizontal position by adsorbing the central portion of the lower surface of the substrate W on which the coating film FF is formed, and rotates the substrate W around a vertical axis.

エッジリンスノズル331は、スピンチャック310により回転する基板Wの上面周縁部に、塗布膜FFを溶解する除去液を吐出する。これにより、基板Wの上面周縁部から外周端部に形成された塗布膜FFの一部が除去される。複数のバックリンスノズル332は、スピンチャック310により回転する基板Wの下面周縁部に、除去液を吐出する。これにより、基板Wの下面周縁部に付着した塗布液の析出物等が除去される。 The edge rinse nozzle 331 ejects a removing liquid that dissolves the coating film FF onto the peripheral portion of the upper surface of the substrate W rotated by the spin chuck 310. This removes a portion of the coating film FF formed from the peripheral portion of the upper surface to the outer periphery of the substrate W. The multiple back rinse nozzles 332 eject a removing liquid onto the peripheral portion of the lower surface of the substrate W rotated by the spin chuck 310. This removes deposits of the coating liquid adhering to the peripheral portion of the lower surface of the substrate W.

カップ320は、スピンチャック310を取り囲むように設けられている。カップ320は、エッジリンスノズル331またはバックリンスノズル332から基板Wに向けて除去液が供給される際に、基板Wから飛散する液体を受け止める。受け止められた液体は、回収または廃棄される。 The cup 320 is provided to surround the spin chuck 310. The cup 320 receives the liquid that splashes from the substrate W when the removal liquid is supplied from the edge rinse nozzle 331 or the back rinse nozzle 332 toward the substrate W. The received liquid is recovered or discarded.

なお、後処理装置300においては、有機溶剤(例えばシンナー)を用いた基板Wの乾燥処理が行われてもよい。あるいは、後処理装置300は、上記の例に限らず、塗布膜FFが形成された基板Wに熱処理を行うことが可能に構成されてもよいし、塗布膜FFが形成された基板Wの一部または全てに露光処理を行うことが可能に構成されてもよい。 In addition, in the post-processing device 300, a drying process of the substrate W may be performed using an organic solvent (e.g., thinner). Alternatively, the post-processing device 300 is not limited to the above example, and may be configured to be capable of performing a heat treatment on the substrate W on which the coating film FF is formed, or may be configured to be capable of performing an exposure process on a part or all of the substrate W on which the coating film FF is formed.

搬送装置400は、塗布装置100、液膜乾燥装置200および後処理装置300の間で基板Wを搬送する。制御装置500は、例えばCPU(中央演算処理装置)およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、塗布装置100、液膜乾燥装置200、後処理装置300および搬送装置400に、基板処理に関する各種指令信号を与える。 The transport device 400 transports the substrate W between the coating device 100, the liquid film drying device 200, and the post-processing device 300. The control device 500 includes, for example, a CPU (central processing unit) and a memory, or a microcomputer, and provides various command signals related to substrate processing to the coating device 100, the liquid film drying device 200, the post-processing device 300, and the transport device 400.

[2]塗布装置100の構成および基本動作
図2は、図1の塗布装置100の模式的な外観斜視図である。図2に示すように、塗布装置100は、主として制御部110、2つのステージ支持体120、ステージ装置130、2つのノズル支持体140およびノズル装置150から構成され、図示しない筐体内に収容されている。図2および後述する所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
[2] Configuration and Basic Operation of Coating Apparatus 100 Fig. 2 is a schematic perspective view of the exterior of the coating apparatus 100 in Fig. 1. As shown in Fig. 2, the coating apparatus 100 is mainly composed of a control unit 110, two stage supports 120, a stage device 130, two nozzle supports 140, and a nozzle device 150, and is housed in a housing not shown. In Fig. 2 and certain figures described later, arrows indicating mutually orthogonal X-direction, Y-direction, and Z-direction are attached to clarify the positional relationship. The X-direction and the Y-direction are mutually orthogonal in a horizontal plane, and the Z-direction corresponds to the vertical direction.

制御部110は、図1の制御装置500からの指令信号等に応答して塗布装置100の各部の動作を制御する。制御部110の詳細は後述する。2つのステージ支持体120の各々は、一方向に延びる直方体形状を有し、X方向に沿って延びるように、図示しない筐体の底面上に設けられている。各ステージ支持体120の上面には、当該ステージ支持体120の長手方向に沿って延びるガイドレール121が設けられている。また、2つのステージ支持体120は、Y方向に並ぶように配置されている。 The control unit 110 controls the operation of each part of the coating device 100 in response to command signals and the like from the control device 500 in FIG. 1. The control unit 110 will be described in detail later. Each of the two stage supports 120 has a rectangular parallelepiped shape extending in one direction, and is provided on the bottom surface of a housing (not shown) so as to extend along the X direction. A guide rail 121 extending along the longitudinal direction of the stage support 120 is provided on the upper surface of each stage support 120. The two stage supports 120 are also arranged so as to be aligned in the Y direction.

ステージ装置130は、Y方向において2つのステージ支持体120の間に位置し、2つのステージ支持体120により支持されている。ステージ装置130は、プレート部材131、プレート調整部132、複数の支持ピン133、ピン昇降駆動部134および吸引駆動部135を含む。 The stage device 130 is located between the two stage supports 120 in the Y direction and is supported by the two stage supports 120. The stage device 130 includes a plate member 131, a plate adjustment unit 132, a plurality of support pins 133, a pin lifting drive unit 134, and a suction drive unit 135.

プレート部材131は、矩形の平板形状を有する石材により形成され、ステージ装置130の上面部分を構成する。プレート部材131の一部には、処理対象となる基板Wが載置される。基板Wが載置されるプレート部材131の部分(以下、基板載置部分と呼ぶ。)には、当該プレート部材131をZ方向に貫通するように、図示しない複数の吸気孔および複数のピン挿入孔が形成されている。 The plate member 131 is made of stone having a rectangular flat plate shape, and constitutes the upper surface of the stage device 130. The substrate W to be processed is placed on a part of the plate member 131. The part of the plate member 131 on which the substrate W is placed (hereinafter referred to as the substrate placement part) has a number of air intake holes and a number of pin insertion holes (not shown) formed so as to penetrate the plate member 131 in the Z direction.

ステージ装置130においては、プレート部材131の下部にプレート調整部132、複数の支持ピン133、ピン昇降駆動部134および吸引駆動部135が設けられている。プレート調整部132は、プレート部材131の基板載置部分の温度を調整する。プレート調整部132の詳細は後述する。 In the stage device 130, a plate adjustment unit 132, a plurality of support pins 133, a pin lifting drive unit 134, and a suction drive unit 135 are provided below a plate member 131. The plate adjustment unit 132 adjusts the temperature of the portion of the plate member 131 where the substrate is placed. Details of the plate adjustment unit 132 will be described later.

複数の支持ピン133は、上下方向に延びるようにかつ平面視で基板載置部分に設けられた複数のピン挿入孔にそれぞれ重なるようにピン昇降駆動部134により支持されている。ピン昇降駆動部134は、制御部110の制御に基づいて、複数の支持ピン133を上下方向に移動させる。それにより、複数の支持ピン133の上端部は、プレート部材131よりも上方のピン上昇位置と、プレート部材131よりも下方のピン下降位置との間を移動する。 The multiple support pins 133 are supported by the pin lift drive unit 134 so that they extend in the vertical direction and overlap with multiple pin insertion holes provided in the substrate placement portion in a plan view. The pin lift drive unit 134 moves the multiple support pins 133 in the vertical direction based on the control of the control unit 110. As a result, the upper ends of the multiple support pins 133 move between a pin lift position above the plate member 131 and a pin lower position below the plate member 131.

これにより、塗布装置100における基板Wの搬入時には、複数の支持ピン133の上端部がピン上昇位置にある状態で、図1の搬送装置400により保持された未処理の基板Wが複数の支持ピン133上に渡される。また、塗布装置100における基板Wの搬出時には、複数の支持ピン133の上端部がピン上昇位置にある状態で、複数の支持ピン133上に支持された処理済の基板Wが図1の搬送装置400により受け取られる。さらに、塗布装置100における基板Wの塗布処理時には、複数の支持ピン133の上端部がピン下降位置にある状態で、プレート部材131の基板載置部分に載置された基板Wに塗布液が供給される。 As a result, when the substrate W is loaded into the coating apparatus 100, the unprocessed substrate W held by the transport device 400 in FIG. 1 is transferred onto the support pins 133 with the upper ends of the support pins 133 in the pin-up position. When the substrate W is unloaded from the coating apparatus 100, the processed substrate W supported on the support pins 133 is received by the transport device 400 in FIG. 1 with the upper ends of the support pins 133 in the pin-up position. Furthermore, when the substrate W is coated in the coating apparatus 100, the coating liquid is supplied to the substrate W placed on the substrate placement portion of the plate member 131 with the upper ends of the support pins 133 in the pin-down position.

プレート部材131に形成された複数の吸気孔は、吸引駆動部135および図示しない吸気系を通して工場の排気設備等に接続されている。吸引駆動部135は、制御部110の制御に基づいて、複数の吸気孔と吸気系との間に形成される吸気経路を連通状態と遮断状態との間で切り替える。このような構成により、プレート部材131の基板載置部分に基板Wが載置された状態で、吸引駆動部135は、吸気経路を連通状態とすることにより当該基板Wを基板載置部分に吸着保持させることができる。また、基板載置部分に基板Wが吸着保持された状態で、吸引駆動部135は、吸気経路を遮断状態とすることにより当該基板Wをプレート部材131から解放させることができる。 The multiple intake holes formed in the plate member 131 are connected to the exhaust equipment of the factory through the suction drive unit 135 and an intake system (not shown). The suction drive unit 135 switches the intake path formed between the multiple intake holes and the intake system between an open state and a blocked state based on the control of the control unit 110. With this configuration, when a substrate W is placed on the substrate placement portion of the plate member 131, the suction drive unit 135 can open the intake path to adsorb and hold the substrate W on the substrate placement portion. Also, when the substrate W is adsorbed and held on the substrate placement portion, the suction drive unit 135 can release the substrate W from the plate member 131 by blocking the intake path.

2つのステージ支持体120の上面には、2つのノズル支持体140がそれぞれ設けられている。2つのノズル支持体140は、Y方向に並ぶように配置されている。2つのノズル支持体140の各々は、当該ノズル支持体140が設けられたステージ支持体120のガイドレール121に沿ってX方向に移動可能となっている。 Two nozzle supports 140 are provided on the upper surfaces of the two stage supports 120, respectively. The two nozzle supports 140 are arranged so as to be aligned in the Y direction. Each of the two nozzle supports 140 is movable in the X direction along the guide rail 121 of the stage support 120 on which the nozzle support 140 is provided.

ノズル装置150は、Y方向において2つのノズル支持体140の間に位置し、2つのノズル支持体140により支持されている。2つノズル支持体140のうち少なくとも一方には、X方向駆動部141、Z方向駆動部142および液供給部143が内蔵されている。 The nozzle device 150 is located between the two nozzle supports 140 in the Y direction and is supported by the two nozzle supports 140. At least one of the two nozzle supports 140 incorporates an X-direction drive unit 141, a Z-direction drive unit 142, and a liquid supply unit 143.

ノズル装置150は、ノズルブロック151およびノズル調整部152を含む。ノズルブロック151は、一方向に延びる直方体形状を有し、下面に当該一方向に延びるスリット状の吐出口14(図4)を有する。また、ノズルブロック151は、ノズル支持体140に設けられた液供給部143を介して図示しない塗布液供給系に接続されている。ノズルブロック151の内部には、吐出口14につながる塗布液流路13(図4)が形成されている。ノズル支持体140の液供給部143は、例えばポンプおよびバルブを含み、制御部110の制御に基づいて、塗布液供給系から供給される塗布液をさらにノズルブロック151に供給する。それにより、ノズルブロック151においては、液供給部143から供給された塗布液が、塗布液流路13を通して吐出口14から吐出される。あるいは、液供給部143は、制御部110の制御に基づいて、塗布液供給系から供給される塗布液がノズルブロック151に供給されることを停止する。 The nozzle device 150 includes a nozzle block 151 and a nozzle adjustment unit 152. The nozzle block 151 has a rectangular parallelepiped shape extending in one direction, and has a slit-shaped discharge port 14 (FIG. 4) extending in that direction on the lower surface. The nozzle block 151 is connected to a coating liquid supply system (not shown) via a liquid supply unit 143 provided in the nozzle support 140. Inside the nozzle block 151, a coating liquid flow path 13 (FIG. 4) connected to the discharge port 14 is formed. The liquid supply unit 143 of the nozzle support 140 includes, for example, a pump and a valve, and further supplies the coating liquid supplied from the coating liquid supply system to the nozzle block 151 based on the control of the control unit 110. As a result, in the nozzle block 151, the coating liquid supplied from the liquid supply unit 143 is discharged from the discharge port 14 through the coating liquid flow path 13. Alternatively, the liquid supply unit 143 stops the coating liquid supplied from the coating liquid supply system from being supplied to the nozzle block 151 based on the control of the control unit 110.

本例では、ノズルブロック151は、当該ノズルブロック151の吐出口14がY方向に延びるように、2つのノズル支持体140により支持されている。ノズル調整部152は、ノズルブロック151内の塗布液流路13を流れる塗布液の温度を調整可能に構成されている。ノズル装置150の詳細については後述する。 In this example, the nozzle block 151 is supported by two nozzle supports 140 so that the discharge port 14 of the nozzle block 151 extends in the Y direction. The nozzle adjustment unit 152 is configured to be able to adjust the temperature of the coating liquid flowing through the coating liquid flow path 13 in the nozzle block 151. Details of the nozzle device 150 will be described later.

X方向駆動部141は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部110の制御に基づいて、ノズル支持体140をステージ支持体120のガイドレール121上でX方向に移動させる。Z方向駆動部142は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部110の制御に基づいて、ノズル支持体140によって支持されるノズル装置150をZ方向に移動させる。これにより、塗布装置100においては、図2に白抜きの矢印AX,AYに示すように、ステージ装置130上に載置された基板W上で、ノズル装置150をX方向およびZ方向に移動させることが可能となっている。 The X-direction drive unit 141 includes an actuator such as a motor, and moves the nozzle support 140 in the X direction on the guide rail 121 of the stage support 120 based on the control of the control unit 110. The Z-direction drive unit 142 includes an actuator such as a motor, and moves the nozzle device 150 supported by the nozzle support 140 in the Z direction based on the control of the control unit 110. This makes it possible for the coating apparatus 100 to move the nozzle device 150 in the X and Z directions above the substrate W placed on the stage device 130, as shown by the white arrows AX and AY in FIG. 2.

基板Wの塗布処理時には、プレート部材131上に基板Wが吸着保持された状態で、ノズル装置150が基板Wの上方の空間をX方向に移動する。このとき、ノズル装置150のZ方向の位置(高さ)は、例えばノズルブロック151内の塗布液が毛細管現象により吐出口14からノズルブロック151と基板Wとの間の隙間に引き出されるように、ノズル装置150の吐出口14が基板Wの上面に十分に近づけられる。このように、ノズルの吐出口から毛細管現象を利用して基板W上に塗布液を供給する方法は、キャピラリ塗布と呼ばれる。 During the coating process of the substrate W, the nozzle device 150 moves in the X direction in the space above the substrate W while the substrate W is held by suction on the plate member 131. At this time, the position (height) of the nozzle device 150 in the Z direction is such that, for example, the outlet 14 of the nozzle device 150 is brought sufficiently close to the top surface of the substrate W so that the coating liquid in the nozzle block 151 is drawn from the outlet 14 into the gap between the nozzle block 151 and the substrate W by capillary action. This method of supplying the coating liquid from the nozzle outlet onto the substrate W by utilizing capillary action is called capillary coating.

[3]スリット塗布による膜厚分布のばらつき
スリット状の吐出口を有する塗布液ノズル(いわゆるスリットノズル)を基板W上で走査する塗布方法は、スリット塗布と呼ばれる。上記のキャピラリ塗布はスリット塗布の一例である。ここで、発明が解決しようとする課題において説明したように、スリット塗布により基板W上に形成される塗布膜FFは、その膜厚にばらつきが生じやすい。
[3] Variation in film thickness distribution by slit coating A coating method in which a coating liquid nozzle having a slit-shaped discharge port (a so-called slit nozzle) is scanned over a substrate W is called slit coating. The above-mentioned capillary coating is an example of slit coating. Here, as explained in the problem to be solved by the invention, the coating film FF formed on the substrate W by slit coating is prone to variation in its film thickness.

図3は、通常のスリット塗布により発生する膜厚のばらつきの傾向を説明するための図である。図3の上段に示すように、基板Wの上面に対して例えば一定速度でスリットノズルSNを走査しつつ、スリットノズルSNから基板Wに塗布液を吐出する場合を想定する。ここで、図3の例においては、基板Wに対してスリットノズルSNが移動する方向をスキャン方向D1と呼び、スキャン方向D1に直交する方向をスキャン直交方向D2と呼ぶ。 Figure 3 is a diagram for explaining the tendency of film thickness variation that occurs during normal slit coating. As shown in the upper part of Figure 3, assume that the slit nozzle SN is scanned over the top surface of the substrate W at a constant speed, for example, while the coating liquid is ejected from the slit nozzle SN onto the substrate W. Here, in the example of Figure 3, the direction in which the slit nozzle SN moves relative to the substrate W is called the scan direction D1, and the direction perpendicular to the scan direction D1 is called the scan perpendicular direction D2.

図3の中段右に、図3の上段の方法で基板Wの上面に形成された塗布膜FFについて、スキャン方向D1に平行で基板Wの中心を通る直線L1上の膜厚分布が示される。図3の中段右のグラフにおいては、縦軸が塗布膜FFの膜厚を示し、横軸が図3の中段左の模式図における直線L1上の基板Wの位置p10,p11,p12を示す。位置p10は、基板Wの中心に位置する。位置p11は、スキャン方向D1における基板Wの一端部に位置する。位置p12は、スキャン方向D1における基板Wの他端部に位置する。さらに、位置p11,p10,p12は、この順でスキャン方向D1に並んでいる。 The middle right of Figure 3 shows the film thickness distribution on a line L1 that is parallel to the scanning direction D1 and passes through the center of the substrate W for a coating film FF formed on the upper surface of the substrate W by the method in the upper part of Figure 3. In the graph in the middle right of Figure 3, the vertical axis indicates the film thickness of the coating film FF, and the horizontal axis indicates positions p10, p11, and p12 of the substrate W on the line L1 in the schematic diagram in the middle left of Figure 3. Position p10 is located at the center of the substrate W. Position p11 is located at one end of the substrate W in the scanning direction D1. Position p12 is located at the other end of the substrate W in the scanning direction D1. Furthermore, positions p11, p10, and p12 are arranged in this order in the scanning direction D1.

図3の中段右のグラフによれば、基板W上の膜厚は、位置p11,p12において局所的に大きくなっている。一方、位置p11と位置p12との間では、基板W上の膜厚は、スキャン方向D1における上流から下流に向かってなだらかに減少している。この場合、例えばスリットノズルSNの移動速度を基板W上の位置に応じて適宜変化させることにより、塗布膜FFの直線L1上の膜厚を均一化することが可能である。 According to the graph in the middle right of Figure 3, the film thickness on the substrate W is locally large at positions p11 and p12. On the other hand, between positions p11 and p12, the film thickness on the substrate W gradually decreases from upstream to downstream in the scanning direction D1. In this case, for example, by appropriately changing the moving speed of the slit nozzle SN depending on the position on the substrate W, it is possible to uniformize the film thickness on the straight line L1 of the coating film FF.

図3の下段右に、図3の上段の方法で基板Wの上面に形成された塗布膜FFについて、スキャン直交方向D2に平行で基板Wの中心を通る直線L2上の膜厚分布が示される。図3の下段右のグラフにおいては、縦軸が塗布膜FFの膜厚を示し、横軸が図3の下段左の模式図における直線L2上の基板Wの位置p10,p21,p22を示す。位置p10は、基板Wの中心に位置する。位置p21は、スキャン直交方向D2における基板Wの一端部に位置する。位置p22は、スキャン直交方向D2における基板Wの他端部に位置する。さらに、位置p21,p10,p22は、この順でスキャン直交方向D2に並んでいる。 The lower right of Figure 3 shows the film thickness distribution on a line L2 that is parallel to the scan orthogonal direction D2 and passes through the center of the substrate W for a coating film FF formed on the upper surface of the substrate W by the method in the upper part of Figure 3. In the graph in the lower right of Figure 3, the vertical axis indicates the film thickness of the coating film FF, and the horizontal axis indicates positions p10, p21, and p22 of the substrate W on the line L2 in the schematic diagram in the lower left of Figure 3. Position p10 is located at the center of the substrate W. Position p21 is located at one end of the substrate W in the scan orthogonal direction D2. Position p22 is located at the other end of the substrate W in the scan orthogonal direction D2. Furthermore, positions p21, p10, and p22 are arranged in this order in the scan orthogonal direction D2.

図3の下段右のグラフによれば、基板W上の膜厚は、基板Wの外周端部の位置p21,p22で局所的に大きくなり、基板Wの外周端部を除く部分で比較的均一である。直線L2上の膜厚のばらつきは、スキャン方向D1に平行な直線L1上の膜厚のばらつきとは異なり、スリットノズルSNの移動速度を調整しても低減することができない。 According to the graph on the lower right of Figure 3, the film thickness on the substrate W is locally large at positions p21 and p22 on the outer circumferential edge of the substrate W, and is relatively uniform in the rest of the substrate W except for the outer circumferential edge. The film thickness variation on the line L2 is different from the film thickness variation on the line L1 parallel to the scan direction D1, and cannot be reduced by adjusting the movement speed of the slit nozzle SN.

上記のように、基板Wの外周端部およびその近傍に形成される塗布膜FFの厚みは、基板Wの中央部に形成される塗布膜FFの厚みよりも大きくなりやすい。この現象は、基板Wの外周部に形成される塗布液の液膜が基板Wの中央部に形成される塗布液の液膜よりも早く冷却されることにより、両者の塗布液の間に粘度の差が生じることに起因すると考えられる。 As described above, the thickness of the coating film FF formed at and near the outer peripheral edge of the substrate W tends to be greater than the thickness of the coating film FF formed in the central portion of the substrate W. This phenomenon is believed to be due to the difference in viscosity between the two coating liquids, which occurs as the liquid film of the coating liquid formed on the outer peripheral portion of the substrate W cools faster than the liquid film of the coating liquid formed in the central portion of the substrate W.

これらの点を考慮して、本実施の形態に係る塗布装置100においては、ステージ装置130およびノズル装置150に、基板W上に形成される塗布液の液膜の膜厚を均一化させるための工夫が施されている。以下、ステージ装置130およびノズル装置150の詳細を説明する。 Taking these points into consideration, in the coating apparatus 100 according to this embodiment, the stage device 130 and the nozzle device 150 are designed to make the thickness of the liquid film of the coating liquid formed on the substrate W uniform. The stage device 130 and the nozzle device 150 are described in detail below.

[4]ノズル装置150
図4は、図2のノズル装置150の分解斜視図である。図5は、図2のノズル装置150の外観斜視図および縦断面図である。図5では、上段に、ノズル装置150の外観斜視図が示される。また、下段に、上段の二点鎖線で示される仮想面VSで切断されたノズル装置150の縦断面図が示される。
[4] Nozzle device 150
Fig. 4 is an exploded perspective view of the nozzle device 150 of Fig. 2. Fig. 5 is an external perspective view and a longitudinal sectional view of the nozzle device 150 of Fig. 2. In Fig. 5, the upper part shows an external perspective view of the nozzle device 150. Also, the lower part shows a longitudinal sectional view of the nozzle device 150 cut along an imaginary plane VS indicated by a two-dot chain line in the upper part.

上述のように、ノズルブロック151は、一方向(本例ではY方向)に延びる直方体形状を有し、例えば金属等の高い熱伝導性を有する材料により形成されている。ノズルブロック151の内部には、液導入路11、塗布液バッファ部12および塗布液流路13が形成されている。塗布液バッファ部12は、ノズルブロック151の中心部よりもやや上方に位置し、一定量の塗布液を貯留可能に形成されている。 As described above, the nozzle block 151 has a rectangular parallelepiped shape extending in one direction (the Y direction in this example) and is formed of a material with high thermal conductivity, such as metal. Inside the nozzle block 151, a liquid introduction path 11, a coating liquid buffer section 12, and a coating liquid flow path 13 are formed. The coating liquid buffer section 12 is located slightly above the center of the nozzle block 151 and is formed to be able to store a certain amount of coating liquid.

ノズルブロック151の上面から塗布液バッファ部12にかけて、Z方向に延びるように、液導入路11が形成されている。ノズルブロック151の上面には、液導入路11の上端部開口に塗布液を供給するための配管153の一端が接続されている。配管153の他端は、図2の液供給部143に接続される。 The liquid introduction passage 11 is formed so as to extend in the Z direction from the upper surface of the nozzle block 151 to the coating liquid buffer section 12. One end of a pipe 153 for supplying coating liquid to the upper end opening of the liquid introduction passage 11 is connected to the upper surface of the nozzle block 151. The other end of the pipe 153 is connected to the liquid supply section 143 in FIG. 2.

上述のように、ノズルブロック151の下面には、スリット状の吐出口14が形成されている。吐出口14から塗布液バッファ部12にかけて、Z方向に延びるように、塗布液流路13が形成されている。 As described above, a slit-shaped discharge port 14 is formed on the lower surface of the nozzle block 151. A coating liquid flow path 13 is formed so as to extend in the Z direction from the discharge port 14 to the coating liquid buffer section 12.

ここで、ノズルブロック151の複数の側面のうち、塗布装置100内に設けられた状態でX方向に直交する一面をノズル前面151sと呼ぶ。また、ノズルブロック151においては、図5の下段に示すように、Y方向に見て吐出口14および塗布液流路13がノズル前面151sの近傍に位置するものとする。ノズル調整部152は、ノズル前面151sのうちX方向に見て塗布液流路13に重なる部分に取り付けられる。 Here, of the multiple side surfaces of the nozzle block 151, one surface perpendicular to the X direction when installed in the coating device 100 is referred to as the nozzle front surface 151s. In addition, in the nozzle block 151, as shown in the lower part of FIG. 5, the discharge port 14 and the coating liquid flow path 13 are located near the nozzle front surface 151s when viewed in the Y direction. The nozzle adjustment unit 152 is attached to a portion of the nozzle front surface 151s that overlaps with the coating liquid flow path 13 when viewed in the X direction.

図4に示すように、ノズル調整部152は、複数(本例では10個)の熱電素子e1~e10、複数(本例では10個)の温度センサtsおよび冷却プレート21を備える。熱電素子e1~e10の各々は、例えばマイカヒータまたはペルチェ素子等で構成される。また、熱電素子e1,e2,e3,e4,e5,e6,e7,e8,e9,e10は、図4に白抜きの矢印A1で示すように、X方向に見て塗布液流路13に重なりかつこの順でY方向に並ぶようにノズルブロック151のノズル前面151sに貼り付けられる。 As shown in FIG. 4, the nozzle adjustment unit 152 includes a plurality of (10 in this example) thermoelectric elements e1 to e10, a plurality of (10 in this example) temperature sensors ts, and a cooling plate 21. Each of the thermoelectric elements e1 to e10 is, for example, a mica heater or a Peltier element. Furthermore, the thermoelectric elements e1, e2, e3, e4, e5, e6, e7, e8, e9, and e10 are attached to the nozzle front surface 151s of the nozzle block 151 so as to overlap the coating liquid flow path 13 when viewed in the X direction and to be aligned in this order in the Y direction, as shown by the outlined arrow A1 in FIG. 4.

熱電素子e1~e10の各々には、当該熱電素子を発熱させるための駆動回路152c(図17)が接続されている。駆動回路152c(図17)により熱電素子e1~e10がそれぞれ発熱すると、ノズルブロック151の塗布液流路13内に存在する塗布液が加熱される。複数の温度センサtsは、熱電素子e1~e10にそれぞれ取り付けられている。 A drive circuit 152c (Fig. 17) is connected to each of the thermoelectric elements e1 to e10 to cause the thermoelectric elements to generate heat. When the drive circuit 152c (Fig. 17) causes each of the thermoelectric elements e1 to e10 to generate heat, the coating liquid present in the coating liquid flow path 13 of the nozzle block 151 is heated. A plurality of temperature sensors ts are attached to each of the thermoelectric elements e1 to e10.

冷却プレート21は、熱伝導性に優れた材料で形成された長尺状の板部材であり、図4に白抜きの矢印A2で示すように、ノズルブロック151のノズル前面151sに貼り付けられる。これにより、ノズル前面151s上では、複数の熱電素子e1~e10および温度センサtsが、図5に示すように、冷却プレート21によって覆われる。 The cooling plate 21 is a long plate member made of a material with excellent thermal conductivity, and is attached to the nozzle front surface 151s of the nozzle block 151 as shown by the white arrow A2 in FIG. 4. As a result, the multiple thermoelectric elements e1 to e10 and the temperature sensor ts on the nozzle front surface 151s are covered by the cooling plate 21 as shown in FIG. 5.

図4に示すように、冷却プレート21の内部には、冷却水流路22が形成されている。冷却プレート21の端部には、冷却水流路22の入口および出口が形成されている。冷却プレート21における冷却水流路22の入口部分には、冷却水の導入配管23が接続されている。冷却プレート21における冷却水流路22の出口部分には、冷却水の導出配管24が接続されている。 As shown in FIG. 4, a cooling water flow path 22 is formed inside the cooling plate 21. An inlet and an outlet of the cooling water flow path 22 are formed at the end of the cooling plate 21. A cooling water inlet pipe 23 is connected to the inlet portion of the cooling water flow path 22 in the cooling plate 21. A cooling water outlet pipe 24 is connected to the outlet portion of the cooling water flow path 22 in the cooling plate 21.

冷却プレート21の冷却水流路22には、冷却設備から導入配管23を通して冷却水が供給される。冷却水流路22を流れる冷却水は、導出配管24を通して冷却プレート21の外部に設けられた冷却設備に送られる。これにより、複数の熱電素子e1~e10の発熱時に、複数の熱電素子e1~e10の過剰な温度上昇を抑制することができる。 Cooling water is supplied from the cooling equipment to the cooling water flow path 22 of the cooling plate 21 through the inlet pipe 23. The cooling water flowing through the cooling water flow path 22 is sent to the cooling equipment provided outside the cooling plate 21 through the outlet pipe 24. This makes it possible to suppress excessive temperature rise of the multiple thermoelectric elements e1 to e10 when the multiple thermoelectric elements e1 to e10 generate heat.

上記のノズル装置150においては、複数の熱電素子e1~e10が予め定められた温度で発熱するように、対応する温度センサtsにより検出される温度に基づいて駆動回路152c(図17)が制御される。それにより、吐出口14の複数の部分から吐出される塗布液の温度をそれぞれ所望の温度に調整することができる。 In the nozzle device 150 described above, the drive circuit 152c (Figure 17) is controlled based on the temperature detected by the corresponding temperature sensor ts so that the thermoelectric elements e1 to e10 generate heat at a predetermined temperature. This allows the temperature of the coating liquid discharged from the multiple parts of the discharge port 14 to be adjusted to the desired temperature.

図2の塗布装置100においては、図4のノズルブロック151に代えて以下の構成を有するノズルブロックが設けられてもよい。図6は、ノズルブロック151の変形例を示す図である。図6のノズルブロック151が図4のノズルブロック151と異なる点を説明する。 In the coating device 100 of FIG. 2, a nozzle block having the following configuration may be provided instead of the nozzle block 151 of FIG. 4. FIG. 6 is a diagram showing a modified example of the nozzle block 151. The differences between the nozzle block 151 of FIG. 6 and the nozzle block 151 of FIG. 4 will be described.

図6の上段に示すように、本例のノズルブロック151においては、塗布液流路13内に複数の伝熱部15が設けられている。図6では、複数の伝熱部15の形状の理解を容易にするために、複数の伝熱部15の部分にハッチングが施されている。伝熱部15は、ノズルブロック151と同様に、金属等の高い熱伝導性を有する材料により形成され、塗布液流路13内部でZ方向に延びるようにかつY方向に並ぶように設けられている。なお、伝熱部15は、ノズルブロック151と同じ材料で形成されてもよい。この場合、ノズルブロック151および伝熱部15は単一部材で構成されてもよい。 As shown in the upper part of FIG. 6, in the nozzle block 151 of this example, multiple heat transfer sections 15 are provided within the coating liquid flow path 13. In FIG. 6, the multiple heat transfer sections 15 are hatched to make it easier to understand the shape of the multiple heat transfer sections 15. Like the nozzle block 151, the heat transfer sections 15 are formed from a material with high thermal conductivity such as metal, and are provided so as to extend in the Z direction and be aligned in the Y direction inside the coating liquid flow path 13. Note that the heat transfer sections 15 may be formed from the same material as the nozzle block 151. In this case, the nozzle block 151 and the heat transfer sections 15 may be composed of a single member.

伝熱部15を備えるノズルブロック151においては、図6の下段に示すように、塗布液流路13の内部で複数の伝熱部15の間を通過するように塗布液が流れる。この場合、塗布液流路13を流れる塗布液には、図5の熱電素子e1~e10で発生する熱がノズルブロック151および複数の伝熱部15を通して効率よく伝達される。 In the nozzle block 151 equipped with the heat transfer section 15, as shown in the lower part of FIG. 6, the coating liquid flows so as to pass between the multiple heat transfer sections 15 inside the coating liquid flow path 13. In this case, the heat generated by the thermoelectric elements e1 to e10 in FIG. 5 is efficiently transferred to the coating liquid flowing through the coating liquid flow path 13 through the nozzle block 151 and the multiple heat transfer sections 15.

ここで、塗布液の粘度は、塗布液の温度が高いほど低く、塗布液の温度が低いほど高い。また、一定の断面積を有する流路内を塗布液が流れる場合、塗布液の粘度が高いと、当該流路内を流れる塗布液の流量は減少する。一方、塗布液の粘度が低いと、当該流路内を流れる塗布液の流量は増加する。したがって、上記のように、吐出口14の複数の部分から吐出される塗布液の温度を調整すれば、吐出口14の複数の部分から吐出される塗布液の流量を制御することができる。 Here, the viscosity of the coating liquid is lower as the temperature of the coating liquid is higher, and higher as the temperature of the coating liquid is lower. Furthermore, when the coating liquid flows through a flow path having a constant cross-sectional area, if the viscosity of the coating liquid is high, the flow rate of the coating liquid flowing through the flow path decreases. On the other hand, if the viscosity of the coating liquid is low, the flow rate of the coating liquid flowing through the flow path increases. Therefore, as described above, by adjusting the temperature of the coating liquid discharged from multiple parts of the discharge port 14, the flow rate of the coating liquid discharged from multiple parts of the discharge port 14 can be controlled.

そこで、本実施の形態では、基板Wの外周部に供給される塗布液の温度が他の部分に供給される塗布液の温度に比べて低くなるように、ノズル装置150において塗布液の温度が調整される。この場合、基板Wの外周部に供給される塗布液の量が基板Wの他の部分(中央部等)に供給される塗布液の量よりも少なくなる。その結果、スリット塗布を採用する場合においても、基板Wの外周部で他の領域に比べて塗布液の膜厚が大きくなることを防止することができる。 In this embodiment, therefore, the temperature of the coating liquid is adjusted in the nozzle device 150 so that the temperature of the coating liquid supplied to the outer periphery of the substrate W is lower than the temperature of the coating liquid supplied to other portions. In this case, the amount of coating liquid supplied to the outer periphery of the substrate W is less than the amount of coating liquid supplied to other portions (such as the center) of the substrate W. As a result, even when slit coating is employed, it is possible to prevent the film thickness of the coating liquid from being larger on the outer periphery of the substrate W than in other regions.

図7~図12は、図4のノズル装置150を用いた基板Wの塗布処理の具体例を示す図である。図7~図12では、塗布処理中の基板Wに対するノズル装置150の動作が時系列順に平面図で示される。また、図7~図12に示される基板Wにおいては、当該基板Wの外周端部を含む一定幅の領域が円環状領域RRとして定義され、円環状領域RRの内側の領域が中央領域IRとして定義されている。さらに、Y方向においては、ノズル調整部152の複数の熱電素子e1,e2,e3,e4,e5,e6,e7,e8,e9,e10は、基板Wの一端部から他端部までの範囲をカバーするように等間隔で並んでいる。 Figures 7 to 12 are diagrams showing a specific example of coating processing of a substrate W using the nozzle device 150 of Figure 4. In Figures 7 to 12, the operation of the nozzle device 150 on the substrate W during coating processing is shown in plan view in chronological order. In addition, in the substrate W shown in Figures 7 to 12, a region of a certain width including the outer peripheral edge of the substrate W is defined as an annular region RR, and the region inside the annular region RR is defined as a central region IR. Furthermore, in the Y direction, the multiple thermoelectric elements e1, e2, e3, e4, e5, e6, e7, e8, e9, and e10 of the nozzle adjustment unit 152 are arranged at equal intervals so as to cover the range from one end of the substrate W to the other end.

本例では、基板Wに対するノズル装置150の走査時に、吐出口14のうち平面視で基板Wの円環状領域RRに重なる部分から吐出される塗布液の温度が予め定められた第1の温度に調整される。また、吐出口14のうち平面視で基板Wの円環状領域RRに重ならない部分から吐出される塗布液の温度が第1の温度よりも高い第2の温度に調整される。 In this example, when the nozzle device 150 scans the substrate W, the temperature of the coating liquid discharged from the portion of the discharge port 14 that overlaps with the annular region RR of the substrate W in a planar view is adjusted to a predetermined first temperature. In addition, the temperature of the coating liquid discharged from the portion of the discharge port 14 that does not overlap with the annular region RR of the substrate W in a planar view is adjusted to a second temperature that is higher than the first temperature.

そのため、吐出口14の少なくとも一部が基板Wの円環状領域RRに重なる場合には、平面視で円環状領域RRに重なる吐出口14の部分に対応する一部の熱電素子の温度が他の熱電素子の温度よりも低くなるように、駆動回路152c(図17)が制御される。図7~図12では、複数の熱電素子のうち発熱量が低く設定される一部の熱電素子が濃いハッチングで示される。 Therefore, when at least a portion of the discharge port 14 overlaps with the annular region RR of the substrate W, the drive circuit 152c (Figure 17) is controlled so that the temperature of some of the thermoelectric elements corresponding to the portion of the discharge port 14 that overlaps with the annular region RR in a plan view is lower than the temperature of the other thermoelectric elements. In Figures 7 to 12, some of the multiple thermoelectric elements that are set to have a low heat generation amount are indicated by dark hatching.

具体的には、図7の状態で、吐出口14の全ての部分は基板Wの円環状領域RRから外れている。この場合、全ての熱電素子e1~e10の温度が例えば第2の温度に設定される。 Specifically, in the state shown in FIG. 7, all parts of the discharge port 14 are outside the annular region RR of the substrate W. In this case, the temperatures of all the thermoelectric elements e1 to e10 are set to, for example, the second temperature.

また、図8の状態で、吐出口14の中央部分が円環状領域RRに重なる。この場合、熱電素子e1~e10のうち吐出口14の中央部分に対応する熱電素子e5,e6の温度が例えば第1の温度に設定され、他の熱電素子e1~e4,e7~e10の温度が例えば第2の温度に設定される。 In the state shown in FIG. 8, the central portion of the discharge port 14 overlaps with the annular region RR. In this case, the temperature of the thermoelectric elements e5 and e6 that correspond to the central portion of the discharge port 14 among the thermoelectric elements e1 to e10 is set to, for example, a first temperature, and the temperatures of the other thermoelectric elements e1 to e4 and e7 to e10 are set to, for example, a second temperature.

また、図9の状態で、吐出口14の2つの部分が円環状領域RRに重なる。この場合、熱電素子e1~e10のうち吐出口14の2つの部分に対応する熱電素子e2,e9の温度が例えば第1の温度に設定され、他の熱電素子e1,e3~e8,e10の温度が例えば第2の温度に設定される。 In the state shown in FIG. 9, two portions of the discharge port 14 overlap with the annular region RR. In this case, the temperatures of the thermoelectric elements e2 and e9, which correspond to the two portions of the discharge port 14 among the thermoelectric elements e1 to e10, are set to, for example, a first temperature, and the temperatures of the other thermoelectric elements e1, e3 to e8, and e10 are set to, for example, a second temperature.

また、図10の状態で、吐出口14の両端部が円環状領域RRに重なる。この場合、熱電素子e1~e10のうち吐出口14の両端部に対応する熱電素子e1,e10の温度が例えば第1の温度に設定され、他の熱電素子e2~e9の温度が例えば第2の温度に設定される。 In addition, in the state shown in FIG. 10, both ends of the discharge port 14 overlap with the annular region RR. In this case, the temperatures of the thermoelectric elements e1 and e10 that correspond to both ends of the discharge port 14 among the thermoelectric elements e1 to e10 are set to, for example, a first temperature, and the temperatures of the other thermoelectric elements e2 to e9 are set to, for example, a second temperature.

また、図11の状態で、吐出口14の2つの部分が円環状領域RRに重なる。この場合、熱電素子e1~e10のうち吐出口14の2つの部分に対応する熱電素子e2,e9の温度が例えば第1の温度に設定され、他の熱電素子e1,e3~e8,e10の温度が例えば第2の温度に設定される。 In the state shown in FIG. 11, two portions of the discharge port 14 overlap with the annular region RR. In this case, the temperatures of the thermoelectric elements e2 and e9, which correspond to the two portions of the discharge port 14 among the thermoelectric elements e1 to e10, are set to, for example, a first temperature, and the temperatures of the other thermoelectric elements e1, e3 to e8, and e10 are set to, for example, a second temperature.

さらに、図12の状態で、吐出口14の中央部分が円環状領域RRに重なる。この場合、熱電素子e1~e10のうち吐出口14の中央部分に対応する熱電素子e5,e6の温度が例えば第1の温度に設定され、他の熱電素子e1~e4,e7~e10の温度が例えば第2の温度に設定される。 Furthermore, in the state shown in FIG. 12, the central portion of the discharge port 14 overlaps with the annular region RR. In this case, the temperatures of the thermoelectric elements e5 and e6, which correspond to the central portion of the discharge port 14 among the thermoelectric elements e1 to e10, are set to, for example, a first temperature, and the temperatures of the other thermoelectric elements e1 to e4 and e7 to e10 are set to, for example, a second temperature.

上記の具体例によれば、基板Wの円環状領域RRに供給される塗布液の温度が基板Wの中央領域IRに供給される塗布液の温度に比べて低くなる。それにより、基板Wの円環状領域RRに供給される塗布液の量を基板Wの中央領域IRに供給される塗布液の量に比べて小さくすることができる。その結果、基板Wの外周部に形成される塗布膜FFの厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。 According to the above specific example, the temperature of the coating liquid supplied to the annular region RR of the substrate W is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the central region IR of the substrate W. This makes it possible to make the amount of coating liquid supplied to the annular region RR of the substrate W smaller than the amount of coating liquid supplied to the central region IR of the substrate W. As a result, the thickness of the coating film FF formed on the outer periphery of the substrate W is prevented from becoming larger than other portions.

なお、複数の熱電素子e1~e10の温度は、基板Wの塗布処理中、熱電素子ごとに予め定められた一定の値で維持されるように設定されてもよい。この場合、例えばノズル装置150の走査方向(X方向)に直交する方向(Y方向)で、温度勾配が設けられるように各熱電素子の設定温度を定める。具体的には、Y方向において基板Wの中心から外方に向かうにつれて設定温度が低くなるように各熱電素子の設定温度を定める。それにより、ノズル装置150の走査速度を調整することによりX方向における基板W上の膜厚制御を行いつつ、複数の熱電素子e1~e10を用いた温度制御によりY方向における基板W上の塗布液の膜厚制御を行うことができる。 The temperatures of the thermoelectric elements e1 to e10 may be set to be maintained at a constant value determined in advance for each thermoelectric element during the coating process of the substrate W. In this case, the set temperature of each thermoelectric element is determined so that a temperature gradient is provided, for example, in a direction (Y direction) perpendicular to the scanning direction (X direction) of the nozzle device 150. Specifically, the set temperature of each thermoelectric element is determined so that the set temperature decreases from the center of the substrate W to the outside in the Y direction. This makes it possible to control the film thickness of the coating liquid on the substrate W in the Y direction by controlling the temperature using the thermoelectric elements e1 to e10, while controlling the film thickness on the substrate W in the X direction by adjusting the scanning speed of the nozzle device 150.

上記のノズルブロック151が金属により形成される場合、ノズルブロック151のうち塗布液が接触する可能性がある部分には、耐腐食性を有する材料をコーティングしておくことが好ましい。それにより、塗布液として、金属を腐食するような薬液を用いることが可能になる。 When the nozzle block 151 is made of metal, it is preferable to coat the parts of the nozzle block 151 that may come into contact with the coating liquid with a material that is corrosion resistant. This makes it possible to use a chemical solution that corrodes metal as the coating liquid.

[5]ステージ装置130
図13は、図2のステージ装置130の平面図である。図14は、図2のステージ装置130の分解斜視図である。以下の説明では、図2のステージ装置130について、主としてプレート部材131およびプレート調整部132の構成を説明する。そのため、図13および図14では、プレート部材131に形成される複数の吸気孔および複数のピン挿入孔の図示を省略する。また、プレート部材131の下部に設けられる複数の支持ピン133、ピン昇降駆動部134および吸引駆動部135の図示を省略する。
[5] Stage device 130
Fig. 13 is a plan view of the stage device 130 of Fig. 2. Fig. 14 is an exploded perspective view of the stage device 130 of Fig. 2. In the following description, the configuration of the plate member 131 and the plate adjustment unit 132 of the stage device 130 of Fig. 2 will be mainly described. Therefore, in Figs. 13 and 14, the illustration of the multiple intake holes and multiple pin insertion holes formed in the plate member 131 is omitted. Also, the illustration of the multiple support pins 133, the pin lifting drive unit 134, and the suction drive unit 135 provided on the lower part of the plate member 131 is omitted.

本実施の形態に係るステージ装置130においては、プレート部材131の基板載置部分に、複数の領域arが設定されている。図13の例では、複数の領域arは、基板Wの中心を基準として半径方向に放射状に並ぶようにかつ基板Wの周方向に等角度間隔で並ぶように設定されている。プレート部材131上に載置される基板Wの半径方向において、基板Wの外周部に重なる複数の領域arの各々の寸法は、基板Wの中央部に重なる複数の領域arの各々の寸法よりも小さい。 In the stage device 130 according to this embodiment, a plurality of regions ar are set on the substrate placement portion of the plate member 131. In the example of FIG. 13, the plurality of regions ar are set so as to be radially arranged with the center of the substrate W as a reference and to be arranged at equal angular intervals in the circumferential direction of the substrate W. In the radial direction of the substrate W placed on the plate member 131, the dimensions of each of the plurality of regions ar overlapping the outer periphery of the substrate W are smaller than the dimensions of each of the plurality of regions ar overlapping the center of the substrate W.

また、本実施の形態においては、複数の領域arのうち最外周に位置する複数の領域arの外縁は、平面視でプレート部材131上に載置される基板Wの外周端部に重なるかまたは基板Wの外周端部を取り囲む。プレート部材131上に載置される基板Wの半径方向において、複数の領域arのうち最外周に位置する複数の領域arの内縁と、プレート部材131上に載置される基板Wの外周端部との間の距離dd(図13)は、例えば20mm以下であることが好ましい。 In addition, in this embodiment, the outer edges of the multiple regions ar located on the outermost periphery of the multiple regions ar overlap or surround the outer periphery of the substrate W placed on the plate member 131 in a plan view. In the radial direction of the substrate W placed on the plate member 131, the distance dd (FIG. 13) between the inner edge of the multiple regions ar located on the outermost periphery of the multiple regions ar and the outer periphery of the substrate W placed on the plate member 131 is preferably, for example, 20 mm or less.

図14に示すように、プレート部材131の下部には、プレート調整部132が設けられる。プレート調整部132は、複数の温度センサts、複数の熱電素子teおよび冷却プレート136を含む。複数の温度センサtsは、プレート部材131の複数の領域arにそれぞれ対応し、プレート部材131の下面に取り付けられる。複数の熱電素子teは、平面視でプレート部材131に設定された複数の領域arにそれぞれ重なるように、プレート部材131の下方に設けられている。複数の熱電素子teの各々は、例えばマイカヒータまたはペルチェ素子等で構成される。 As shown in FIG. 14, a plate adjustment unit 132 is provided on the lower part of the plate member 131. The plate adjustment unit 132 includes a plurality of temperature sensors ts, a plurality of thermoelectric elements te, and a cooling plate 136. The plurality of temperature sensors ts correspond to the plurality of regions ar of the plate member 131, respectively, and are attached to the lower surface of the plate member 131. The plurality of thermoelectric elements te are provided below the plate member 131 so as to overlap the plurality of regions ar set on the plate member 131 in a plan view. Each of the plurality of thermoelectric elements te is composed of, for example, a mica heater or a Peltier element.

複数の熱電素子teの各々には、当該熱電素子を発熱させるための駆動回路132c(図17)が接続されている。駆動回路132c(図17)により複数の熱電素子teがそれぞれ発熱すると、各熱電素子teの直上に位置するプレート部材131の領域arが加熱される。それにより、プレート部材131の複数の領域ar上に位置する基板Wの複数の部分が、複数の熱電素子teのそれぞれの発熱状態に応じて加熱される。したがって、基板W上に塗布液の液膜が形成される際には、さらにプレート部材131の複数の領域ar上に位置する塗布液の液膜が、複数の熱電素子teのそれぞれの発熱状態に応じて加熱される。 A drive circuit 132c (FIG. 17) is connected to each of the thermoelectric elements te for causing the thermoelectric element to generate heat. When the drive circuit 132c (FIG. 17) causes each of the thermoelectric elements te to generate heat, the area ar of the plate member 131 located directly above each thermoelectric element te is heated. As a result, multiple portions of the substrate W located on the multiple areas ar of the plate member 131 are heated according to the heat generation state of each of the multiple thermoelectric elements te. Therefore, when a liquid film of the coating liquid is formed on the substrate W, the liquid film of the coating liquid located on the multiple areas ar of the plate member 131 is further heated according to the heat generation state of each of the multiple thermoelectric elements te.

冷却プレート136は、熱伝導性に優れた材料で形成された円形の板部材であり、複数の熱電素子teがプレート部材131と冷却プレート136との間に挟み込まれるように、複数の熱電素子teを下方から支持する。冷却プレート136の内部には、冷却水流路136aが設けられている。 The cooling plate 136 is a circular plate member made of a material with excellent thermal conductivity, and supports the thermoelectric elements te from below so that the thermoelectric elements te are sandwiched between the plate member 131 and the cooling plate 136. A cooling water flow path 136a is provided inside the cooling plate 136.

冷却プレート136の冷却水流路136aには、冷却設備から冷却水が供給される。また、冷却プレート136の冷却水流路136aを流れた冷却水は、冷却プレート21の外部に設けられた冷却設備に送られる。これにより、複数の熱電素子teの発熱時に、複数の熱電素子teの過剰な温度上昇を抑制することができる。 Cooling water is supplied from the cooling equipment to the cooling water flow path 136a of the cooling plate 136. In addition, the cooling water that flows through the cooling water flow path 136a of the cooling plate 136 is sent to the cooling equipment provided outside the cooling plate 21. This makes it possible to suppress excessive temperature rise of the multiple thermoelectric elements te when the multiple thermoelectric elements te generate heat.

上記のステージ装置130においては、複数の熱電素子teが予め定められた温度で発熱するように、対応する温度センサtsにより検出される温度に基づいて複数の熱電素子teの駆動回路132c(図17)が制御される。それにより、プレート部材131上に吸着保持された基板W上に塗布液が供給された場合に、基板W上の塗布液の温度を所望の温度に調整することができる。 In the above-mentioned stage device 130, the drive circuits 132c (FIG. 17) of the multiple thermoelectric elements te are controlled based on the temperatures detected by the corresponding temperature sensors ts so that the multiple thermoelectric elements te generate heat at a predetermined temperature. As a result, when the coating liquid is supplied onto the substrate W held by suction on the plate member 131, the temperature of the coating liquid on the substrate W can be adjusted to a desired temperature.

具体的には、本例では、複数の熱電素子teの駆動回路132c(図17)は、基板Wの外周部に位置する塗布液の温度が基板Wの中央部に位置する塗布液の温度よりも著しく低くならないように制御される。あるいは、複数の熱電素子teの駆動回路132c(図17)は、基板Wの外周部に位置する塗布液の温度が基板Wの中央部に位置する塗布液の温度と同じかその温度よりも高くなるように制御される。 Specifically, in this example, the drive circuit 132c (Figure 17) of the multiple thermoelectric elements te is controlled so that the temperature of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is not significantly lower than the temperature of the coating liquid located in the center of the substrate W. Alternatively, the drive circuit 132c (Figure 17) of the multiple thermoelectric elements te is controlled so that the temperature of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is the same as or higher than the temperature of the coating liquid located in the center of the substrate W.

この場合、基板Wの外周部に位置する塗布液の粘度が、基板Wの中央部に位置する塗布液の粘度に比べて著しく低くなることが抑制される。それにより、基板Wの外周部に形成される塗布膜FFの厚みが、基板Wの中央部に形成される塗布膜FFの厚みよりも大きくなることが抑制される。 In this case, the viscosity of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is prevented from becoming significantly lower than the viscosity of the coating liquid located on the center of the substrate W. This prevents the thickness of the coating film FF formed on the outer periphery of the substrate W from becoming greater than the thickness of the coating film FF formed on the center of the substrate W.

なお、冷却プレート136に供給される冷却水の温度は、ステージ装置130において温度調整が行われるべき温度範囲の下限値よりも低く設定されている必要がある。 The temperature of the cooling water supplied to the cooling plate 136 must be set lower than the lower limit of the temperature range in which temperature adjustment is to be performed in the stage device 130.

上記のステージ装置130においては、図14のプレート調整部132に加えて、プレート部材131上に吸着保持される基板Wの外周部上の塗布液の温度をより大きく調整するための補助装置が設けられてもよい。 In the above-mentioned stage device 130, in addition to the plate adjustment unit 132 of FIG. 14, an auxiliary device may be provided to more greatly adjust the temperature of the coating liquid on the outer periphery of the substrate W that is adsorbed and held on the plate member 131.

図15は、図14のステージ装置130に取り付けられる温度調整用の補助装置の一例を示す図である。図15に示すように、本例の補助装置137は、例えばプレート部材131の下方の位置で、プレート調整部132のさらに下方に設けられる。あるいは、補助装置137は、例えばプレート部材131の下方の位置で、プレート調整部132を取り囲むように設けられる。 Figure 15 is a diagram showing an example of an auxiliary device for temperature adjustment attached to the stage device 130 of Figure 14. As shown in Figure 15, the auxiliary device 137 of this example is provided, for example, below the plate member 131, further below the plate adjustment unit 132. Alternatively, the auxiliary device 137 is provided, for example, below the plate member 131, so as to surround the plate adjustment unit 132.

ここで、補助装置137は、例えばヒータ線または冷却水配管を含む。補助装置137としてヒータ線が用いられる場合には、プレート部材131上に載置される基板Wの外周部上の塗布液をより大きな出力で加熱することができる。一方、補助装置137として冷却水配管が用いられる場合には、プレート部材131上に載置される基板Wの外周部上の塗布液をより大きな出力で冷却することができる。 Here, the auxiliary device 137 includes, for example, a heater wire or a cooling water pipe. When a heater wire is used as the auxiliary device 137, the coating liquid on the outer periphery of the substrate W placed on the plate member 131 can be heated with a larger output. On the other hand, when a cooling water pipe is used as the auxiliary device 137, the coating liquid on the outer periphery of the substrate W placed on the plate member 131 can be cooled with a larger output.

[6]ステージ装置130の他の構成例
図16は、ステージ装置130の他の構成例を示す平面図である。本例では、プレート部材131に、Y方向に並ぶ複数の矩形状の領域arが設定されている。複数の矩形状の領域arの各々はX方向に延びている。各領域arのX方向の長さは、基板Wの直径よりも長い。
16 is a plan view showing another example of the configuration of the stage device 130. In this example, a plurality of rectangular regions ar aligned in the Y direction are set on a plate member 131. Each of the rectangular regions ar extends in the X direction. The length of each region ar in the X direction is longer than the diameter of the substrate W.

プレート部材131の下部には、プレート調整部132が設けられる。本例のプレート調整部132は、各領域arに対応する温度調整部材138と、各領域arに対応する温度センサtsと、図示しない冷却プレートとを含む。温度調整部材138は、例えばヒータ線である。 A plate adjustment unit 132 is provided below the plate member 131. In this example, the plate adjustment unit 132 includes a temperature adjustment member 138 corresponding to each area ar, a temperature sensor ts corresponding to each area ar, and a cooling plate (not shown). The temperature adjustment member 138 is, for example, a heater wire.

本例では、各領域arに設けられる温度センサtsにより検出される温度に基づいて複数の温度調整部材138が駆動される。このとき、ノズル装置150の走査方向(X方向)に直交する方向(Y方向)で温度勾配が設けられるように、各温度調整部材138の設定温度が定められる。それにより、Y方向における基板W上の塗布液の膜厚制御を行うことができる。 In this example, multiple temperature adjustment members 138 are driven based on the temperature detected by a temperature sensor ts provided in each area ar. At this time, the set temperature of each temperature adjustment member 138 is determined so that a temperature gradient is provided in a direction (Y direction) perpendicular to the scanning direction (X direction) of the nozzle device 150. This makes it possible to control the film thickness of the coating liquid on the substrate W in the Y direction.

[7]塗布装置100の制御系
図17は塗布装置100の制御系統の構成を示すブロック図である。制御部110は、CPU、RAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM(リードオンリメモリ)および記憶装置を含む。RAMは、CPUの作業領域として用いられる。CPUが記憶装置に記憶された塗布処理プログラムをRAM上で実行することにより塗布装置100の各部の動作が制御される。
[7] Control System of Coating Apparatus 100 Fig. 17 is a block diagram showing the configuration of the control system of coating apparatus 100. The control unit 110 includes a CPU, a RAM (random access memory), a ROM (read only memory), and a storage device. The RAM is used as a working area for the CPU. The CPU executes a coating process program stored in the storage device on the RAM to control the operation of each part of coating apparatus 100.

制御部110は、ピン昇降駆動部134、吸引駆動部135、X方向駆動部141、Z方向駆動部142および液供給部143を制御する。それにより、ピン昇降駆動部134は、例えば塗布装置100における基板Wの搬入および搬出時に複数の支持ピン133を上下動させる。吸引駆動部135は、基板Wをプレート部材131上に吸着保持する。 The control unit 110 controls the pin lift drive unit 134, the suction drive unit 135, the X-direction drive unit 141, the Z-direction drive unit 142, and the liquid supply unit 143. As a result, the pin lift drive unit 134 moves the multiple support pins 133 up and down, for example, when the substrate W is loaded and unloaded from the coating apparatus 100. The suction drive unit 135 suctions and holds the substrate W on the plate member 131.

X方向駆動部141は、ノズル装置150をX方向に移動させる。Z方向駆動部142は、ノズル装置150をZ方向に移動させる。液供給部143は、ノズル装置150のノズルブロック151に塗布液を供給する。 The X-direction drive unit 141 moves the nozzle device 150 in the X-direction. The Z-direction drive unit 142 moves the nozzle device 150 in the Z-direction. The liquid supply unit 143 supplies the coating liquid to the nozzle block 151 of the nozzle device 150.

制御部110には、基板Wの円環状領域RRに吐出されるべき塗布液の温度(第1の温度)と基板Wの中央領域IRに吐出されるべき塗布液の温度(第2の温度)とを示す情報が予めノズル温度情報として記憶されている。制御部110は、ノズル温度情報とノズル調整部152の複数の温度センサtsにより検出される温度とに基づいて駆動回路152cを制御する。それにより、基板Wの塗布処理中に、熱電素子e1~e10の各々が第1および第2の温度のいずれかに対応する温度で発熱する。 In the control unit 110, information indicating the temperature (first temperature) of the coating liquid to be discharged onto the annular region RR of the substrate W and the temperature (second temperature) of the coating liquid to be discharged onto the central region IR of the substrate W is stored in advance as nozzle temperature information. The control unit 110 controls the drive circuit 152c based on the nozzle temperature information and the temperatures detected by the multiple temperature sensors ts of the nozzle adjustment unit 152. As a result, during the coating process of the substrate W, each of the thermoelectric elements e1 to e10 generates heat at a temperature corresponding to either the first or second temperature.

制御部110には、プレート部材131の複数の領域arの各々について調整されるべき目標温度を含む情報が予めプレート温度情報として記憶されている。制御部110は、プレート温度情報とプレート調整部132の複数の温度センサtsにより検出される温度とに基づいて駆動回路132cを制御する。それにより、基板Wの塗布処理中に、複数の熱電素子teの各々が、当該熱電素子teに対応する領域arの目標温度で発熱する。 Information including the target temperature to be adjusted for each of the multiple regions ar of the plate member 131 is stored in advance as plate temperature information in the control unit 110. The control unit 110 controls the drive circuit 132c based on the plate temperature information and the temperatures detected by the multiple temperature sensors ts of the plate adjustment unit 132. As a result, during the coating process of the substrate W, each of the multiple thermoelectric elements te generates heat at the target temperature of the region ar corresponding to that thermoelectric element te.

[8]液膜乾燥装置200の構成および基本動作
図18は、図1の液膜乾燥装置200の模式的な外観斜視図である。図18に示すように、液膜乾燥装置200は、主として制御部210、ベース部材220、ステージ装置230、蓋部材240および蓋昇降装置250から構成され、図示しない筐体内に収容されている。
[8] Configuration and basic operation of the liquid film drying device 200 Fig. 18 is a schematic external perspective view of the liquid film drying device 200 in Fig. 1. As shown in Fig. 18, the liquid film drying device 200 is mainly composed of a control unit 210, a base member 220, a stage device 230, a lid member 240, and a lid lifting device 250, and is housed in a housing (not shown).

制御部210は、図1の制御装置500からの指令信号等に応答して液膜乾燥装置200の各部の動作を制御する。制御部210の詳細は後述する。ベース部材220は、図示しない筐体の底面上に設けられている。ベース部材220上にステージ装置230が設けられている。ステージ装置230には、液膜乾燥装置200に搬入される基板Wが載置される。ステージ装置230の詳細については後述する。 The control unit 210 controls the operation of each part of the liquid film drying apparatus 200 in response to command signals and the like from the control device 500 in FIG. 1. The control unit 210 will be described in detail later. The base member 220 is provided on the bottom surface of a housing (not shown). The stage device 230 is provided on the base member 220. The substrate W to be carried into the liquid film drying apparatus 200 is placed on the stage device 230. The stage device 230 will be described in detail later.

蓋部材240は、ベース部材220の上方の位置で蓋昇降装置250により上下方向に移動可能に支持されている。蓋部材240は、ステージ装置230を収容可能でかつ下方に向かって開放された内部空間ISを有する。また、ベース部材220および蓋部材240は、上下方向において互いに対向する当接面220s,240sを有する。当接面220s,240sは、平面視でステージ装置230を取り囲むように形成されている。当接面220s,240sのうち少なくとも一方には、Oリング等の図示しないシール部材が設けられている。 The lid member 240 is supported by the lid lifting device 250 at a position above the base member 220 so as to be movable in the vertical direction. The lid member 240 has an internal space IS that can accommodate the stage device 230 and is open downward. The base member 220 and the lid member 240 also have abutment surfaces 220s, 240s that face each other in the vertical direction. The abutment surfaces 220s, 240s are formed so as to surround the stage device 230 in a plan view. At least one of the abutment surfaces 220s, 240s is provided with a sealing member (not shown), such as an O-ring.

蓋昇降装置250は、例えばモータまたはエアシリンダ等のアクチュエータを含み、制御部210の制御に基づいて蓋部材240を上下方向に移動させる。これにより、蓋部材240が下降してベース部材220および蓋部材240の当接面220s,240sが接触すると、蓋部材240の内部空間ISにステージ装置230が収容された状態で当該内部空間ISが気密状態となる。一方、蓋部材240が上昇してベース部材220および蓋部材240の当接面220s,240sが互いに離間すると、蓋部材240の内部空間ISが開放状態となり、ステージ装置230に対して外部からのアクセスが可能になる。このように、液膜乾燥装置200においては、ベース部材220および蓋部材240により1つのチャンバCHが構成される。 The lid lifting device 250 includes an actuator such as a motor or an air cylinder, and moves the lid member 240 up and down based on the control of the control unit 210. As a result, when the lid member 240 descends and the abutment surfaces 220s, 240s of the base member 220 and the lid member 240 come into contact, the internal space IS of the lid member 240 becomes airtight with the stage device 230 housed in the internal space IS. On the other hand, when the lid member 240 rises and the abutment surfaces 220s, 240s of the base member 220 and the lid member 240 move away from each other, the internal space IS of the lid member 240 becomes open, and the stage device 230 becomes accessible from the outside. In this way, in the liquid film drying device 200, one chamber CH is formed by the base member 220 and the lid member 240.

ステージ装置230は、プレート部材231、プレート調整部232、複数の支持ピン233、ピン昇降駆動部234および減圧装置235を含む。プレート部材231は、塗布装置100のプレート部材131と基本的に同じ構成を有する。プレート部材231がプレート部材131と異なる点は、プレート部材231には複数の吸気孔が形成されない点、プレート部材231の上面に基板Wを支持するための図示しない複数の支持片が設けられている点である。複数の支持片は、例えば、セラミックにより形成された半球状のプロキシミティボールである。また、プレート部材231は、石材により形成される必要はなく、金属または樹脂等で形成されていてもよい。 The stage device 230 includes a plate member 231, a plate adjustment unit 232, a plurality of support pins 233, a pin lifting and lowering drive unit 234, and a pressure reducing device 235. The plate member 231 has basically the same configuration as the plate member 131 of the coating device 100. The plate member 231 differs from the plate member 131 in that the plate member 231 does not have a plurality of intake holes formed therein, and that the upper surface of the plate member 231 is provided with a plurality of support pieces (not shown) for supporting the substrate W. The plurality of support pieces are, for example, hemispherical proximity balls made of ceramic. In addition, the plate member 231 does not need to be made of stone, and may be made of metal, resin, or the like.

ステージ装置230においては、プレート部材231の下部にプレート調整部232、複数の支持ピン233、ピン昇降駆動部234および減圧装置235が設けられている。 In the stage device 230, a plate adjustment unit 232, a plurality of support pins 233, a pin lifting drive unit 234, and a pressure reduction device 235 are provided below the plate member 231.

複数の支持ピン233は、上下方向に延びるようにかつ平面視で基板載置部分に設けられた複数のピン挿入孔にそれぞれ重なるようにピン昇降駆動部234により支持されている。ピン昇降駆動部234は、制御部210の制御に基づいて複数の支持ピン233を上下方向に移動させる。それにより、複数の支持ピン233の上端部は、プレート部材231よりも上方のピン上昇位置と、プレート部材231よりも下方のピン下降位置との間を移動する。 The multiple support pins 233 are supported by the pin lift drive unit 234 so that they extend in the vertical direction and overlap with multiple pin insertion holes provided in the substrate placement portion in a plan view. The pin lift drive unit 234 moves the multiple support pins 233 in the vertical direction based on the control of the control unit 210. As a result, the upper ends of the multiple support pins 233 move between a pin lift position above the plate member 231 and a pin lower position below the plate member 231.

これにより、液膜乾燥装置200における基板Wの搬入時には、複数の支持ピン233の上端部がピン上昇位置にある状態で、図1の搬送装置400により搬送される基板Wが複数の支持ピン233上に渡される。また、液膜乾燥装置200における基板Wの搬出時には、複数の支持ピン233の上端部がピン上昇位置にある状態で、複数の支持ピン233上に支持された基板Wが図1の搬送装置400により受け取られる。さらに、液膜乾燥装置200における基板Wの乾燥処理時には、複数の支持ピン233の上端部がピン下降位置にある状態で、プレート部材231の基板載置部分に基板Wが支持される。 As a result, when the substrate W is loaded into the liquid film drying apparatus 200, the substrate W is transferred by the transport device 400 in FIG. 1 onto the support pins 233 with the upper ends of the support pins 233 in the pin-up position. When the substrate W is unloaded from the liquid film drying apparatus 200, the substrate W supported on the support pins 233 is received by the transport device 400 in FIG. 1 with the upper ends of the support pins 233 in the pin-up position. Furthermore, when the substrate W is dried in the liquid film drying apparatus 200, the substrate W is supported on the substrate placement portion of the plate member 231 with the upper ends of the support pins 233 in the pin-down position.

液膜乾燥装置200のプレート部材231には、塗布装置100のプレート部材131と同様に、基板載置部分に複数の領域arが設定されている。図18では、プレート部材231に設定された複数の領域arが吹き出し内に示される。液膜乾燥装置200のプレート調整部232は、塗布装置100のプレート調整部132と同じ構成を有し、プレート調整部132と同様に、制御部210の制御に基づいて、プレート部材231の複数の領域arの温度を調整する。 The plate member 231 of the liquid film drying device 200 has a plurality of areas ar set in the substrate placement portion, similar to the plate member 131 of the coating device 100. In FIG. 18, the plurality of areas ar set in the plate member 231 are shown in a balloon. The plate adjustment unit 232 of the liquid film drying device 200 has the same configuration as the plate adjustment unit 132 of the coating device 100, and adjusts the temperature of the plurality of areas ar of the plate member 231 based on the control of the control unit 210, similar to the plate adjustment unit 132.

具体的には、プレート調整部232が備える複数の熱電素子teの駆動回路132cは、基板Wの外周部に位置する塗布液の温度が基板Wの中央部に位置する塗布液の温度よりも著しく低くならないように制御される。あるいは、プレート調整部232が備える複数の熱電素子teの駆動回路132cは、基板Wの外周部に位置する塗布液の温度が基板Wの中央部に位置する塗布液の温度と同じかその温度よりも高くなるように制御される。 Specifically, the drive circuit 132c of the multiple thermoelectric elements te provided in the plate adjustment unit 232 is controlled so that the temperature of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is not significantly lower than the temperature of the coating liquid located in the center of the substrate W. Alternatively, the drive circuit 132c of the multiple thermoelectric elements te provided in the plate adjustment unit 232 is controlled so that the temperature of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is the same as or higher than the temperature of the coating liquid located in the center of the substrate W.

この場合、基板Wの外周部に位置する塗布液の粘度が、基板Wの中央部に位置する塗布液の粘度に比べて著しく低くなることが抑制される。それにより、基板Wの外周部に形成される塗布膜FFの厚みが、基板Wの中央部に形成される塗布膜FFの厚みよりも大きくなることが抑制される。 In this case, the viscosity of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W is prevented from becoming significantly lower than the viscosity of the coating liquid located on the center of the substrate W. This prevents the thickness of the coating film FF formed on the outer periphery of the substrate W from becoming greater than the thickness of the coating film FF formed on the center of the substrate W.

減圧装置235は、真空ポンプ、バルブおよび複数の配管等を含み、蓋部材240がベース部材220に接触する状態、すなわちチャンバCHが閉じた状態で、内部空間ISの圧力を調整可能に構成される。減圧装置235は、ステージ装置230とは別体でベース部材220に設けられてもよい。 The pressure reducing device 235 includes a vacuum pump, a valve, and multiple pipes, and is configured to be able to adjust the pressure of the internal space IS when the cover member 240 is in contact with the base member 220, i.e., when the chamber CH is closed. The pressure reducing device 235 may be provided on the base member 220 separately from the stage device 230.

具体的には、減圧装置235は、塗布液の液膜が形成された基板Wがプレート部材231上に載置されかつチャンバCHが閉じられた状態で、内部空間ISの雰囲気を吸引し、内部空間ISの絶対圧力を100Paよりも低くなるように減圧する。これにより、基板W上の塗布液の揮発が促進されて、基板W上の液膜が乾燥し、塗布膜FFが形成される。 Specifically, when the substrate W on which the coating liquid film has been formed is placed on the plate member 231 and the chamber CH is closed, the pressure reducing device 235 sucks the atmosphere in the internal space IS and reduces the absolute pressure in the internal space IS to less than 100 Pa. This promotes the evaporation of the coating liquid on the substrate W, dries the liquid film on the substrate W, and forms a coating film FF.

また、減圧装置235は、基板Wの乾燥処理の終了時に、減圧された内部空間ISを大気圧に戻すために、図示しない不活性ガス供給部から供給される不活性ガスを内部空間ISに導入する。それにより、チャンバCHが開放され、塗布膜FFの形成された基板Wが液膜乾燥装置200から搬出される。 In addition, at the end of the drying process of the substrate W, the pressure reducing device 235 introduces an inert gas supplied from an inert gas supply unit (not shown) into the internal space IS in order to return the reduced pressure internal space IS to atmospheric pressure. This causes the chamber CH to be opened, and the substrate W on which the coating film FF has been formed is transported out of the liquid film drying device 200.

[9]液膜乾燥装置200の制御系
図19は液膜乾燥装置200の制御系統の構成を示すブロック図である。制御部210は、CPU、RAM、ROMおよび記憶装置を含む。RAMは、CPUの作業領域として用いられる。CPUが記憶装置に記憶された乾燥処理プログラムをRAM上で実行することにより液膜乾燥装置200の各部の動作が制御される。
[9] Control system of the liquid film drying device 200 Fig. 19 is a block diagram showing the configuration of the control system of the liquid film drying device 200. The control unit 210 includes a CPU, a RAM, a ROM, and a storage device. The RAM is used as a working area for the CPU. The CPU executes the drying processing program stored in the storage device on the RAM to control the operation of each part of the liquid film drying device 200.

制御部210は、ピン昇降駆動部234、減圧装置235、蓋昇降装置250およびプレート調整部232を制御する。それにより、ピン昇降駆動部234は、例えば液膜乾燥装置200における基板Wの搬入および搬出時に複数の支持ピン233を上下動させる。減圧装置235は、チャンバCHが閉じられた状態で蓋部材240の内部空間ISを大気圧から減圧する。あるいは、減圧装置235は、チャンバCHが閉じられた状態で蓋部材240の内部空間ISを減圧された状態から大気圧に戻す。 The control unit 210 controls the pin lifting drive unit 234, the pressure reducing device 235, the lid lifting device 250, and the plate adjustment unit 232. As a result, the pin lifting drive unit 234 moves the multiple support pins 233 up and down, for example, when the substrate W is loaded and unloaded in the liquid film drying apparatus 200. The pressure reducing device 235 reduces the pressure in the internal space IS of the lid member 240 from atmospheric pressure when the chamber CH is closed. Alternatively, the pressure reducing device 235 returns the pressure in the internal space IS of the lid member 240 from the reduced pressure state to atmospheric pressure when the chamber CH is closed.

制御部210には、プレート部材231の複数の領域arの各々について調整されるべき目標温度を含む情報が予めプレート温度情報として記憶されている。制御部210は、プレート温度情報とプレート調整部232の複数の温度センサtsにより検出される温度とに基づいて駆動回路132cを制御する。それにより、基板Wの塗布処理中に、複数の熱電素子teの各々が、当該熱電素子teに対応する領域arの目標温度で発熱する。 The control unit 210 stores information including the target temperature to be adjusted for each of the multiple regions ar of the plate member 231 in advance as plate temperature information. The control unit 210 controls the drive circuit 132c based on the plate temperature information and the temperatures detected by the multiple temperature sensors ts of the plate adjustment unit 232. As a result, during the coating process of the substrate W, each of the multiple thermoelectric elements te generates heat at the target temperature of the region ar corresponding to that thermoelectric element te.

[10]効果
(1)上記の塗布装置100においては、プレート部材131上に基板Wが保持された状態で、プレート部材131上をノズル装置150が移動する。このとき、ノズル装置150のスリット状の吐出口14から基板Wの上面に塗布液が吐出される。それにより、基板Wの上面全体に塗布液の膜が形成される。このような塗布液の膜の形成方法(スリット塗布)によれば、塗布むらの発生を抑制することができる。
[10] Effects (1) In the coating apparatus 100 described above, the nozzle device 150 moves over the plate member 131 with the substrate W held on the plate member 131. At this time, the coating liquid is discharged from the slit-shaped discharge port 14 of the nozzle device 150 onto the upper surface of the substrate W. As a result, a film of the coating liquid is formed over the entire upper surface of the substrate W. According to this method of forming a film of the coating liquid (slit coating), the occurrence of coating unevenness can be suppressed.

また、上記の基板処理装置1においては、基板W上の位置に応じて基板Wに供給される前の塗布液または基板Wに供給された後の塗布液に対する温度調整が行われる。具体的には、塗布装置100のノズル装置150において、ノズル装置150の移動時に、基板W上の位置に応じて吐出口14の複数の部分に導かれる塗布液の温度が調整される。これにより、基板W上の複数の部分に、塗布膜FFを均一化させるためにそれぞれ適切な量の塗布液を供給することが可能になる。 In addition, in the above-mentioned substrate processing apparatus 1, the temperature of the coating liquid before being supplied to the substrate W or the coating liquid after being supplied to the substrate W is adjusted according to the position on the substrate W. Specifically, in the nozzle device 150 of the coating apparatus 100, the temperature of the coating liquid guided to multiple portions of the discharge port 14 is adjusted according to the position on the substrate W when the nozzle device 150 moves. This makes it possible to supply appropriate amounts of coating liquid to multiple portions on the substrate W in order to uniformize the coating film FF.

また、塗布装置100のステージ装置130において、プレート部材131上に基板Wが載置された状態で、プレート部材131の複数の領域arの温度が、塗布膜FFを均一化させるためにそれぞれ適切な温度に調整される。さらに、液膜乾燥装置200のステージ装置230において、プレート部材231上に基板Wが載置された状態で、プレート部材231の複数の領域arの温度が、塗布膜FFを均一化させるためにそれぞれ適切な温度に調整される。これらの結果、基板W上に形成される塗布膜FFの厚みが均一化される。 In addition, in the stage device 130 of the coating apparatus 100, with the substrate W placed on the plate member 131, the temperatures of the multiple regions ar of the plate member 131 are adjusted to appropriate temperatures to uniformize the coating film FF. Furthermore, in the stage device 230 of the liquid film drying apparatus 200, with the substrate W placed on the plate member 231, the temperatures of the multiple regions ar of the plate member 231 are adjusted to appropriate temperatures to uniformize the coating film FF. As a result, the thickness of the coating film FF formed on the substrate W is made uniform.

(2)上記のように、プレート部材131,231上に載置される基板Wの半径方向において、基板Wの外周部に重なる複数の領域arの各々の寸法は、基板Wの中央部に重なる複数の領域arの各々の寸法よりも小さい。この場合、基板Wの中央部上に位置する塗布液の温度に比べて、基板Wの外周部上に位置する塗布液の温度をより高い精度で調整することができる。 (2) As described above, in the radial direction of the substrate W placed on the plate members 131, 231, the dimensions of each of the multiple regions ar overlapping the outer periphery of the substrate W are smaller than the dimensions of each of the multiple regions ar overlapping the central portion of the substrate W. In this case, the temperature of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate W can be adjusted with higher accuracy than the temperature of the coating liquid located on the central portion of the substrate W.

[11]他の実施の形態
(1)上記実施の形態に係る基板処理装置1においては、塗布装置100のノズル装置150にノズル調整部152が設けられなくてもよい。さらに、基板処理装置1には、液膜乾燥装置200が設けられなくてもよい。このような場合でも、塗布装置100においては、プレート調整部132による基板W上の塗布液の温度調整が行われることにより、基板W上の塗布液の液膜の厚みが不均一になることが低減される。したがって、塗布膜FFの厚みが均一化される。
[11] Other embodiments (1) In the substrate processing apparatus 1 according to the above embodiment, the nozzle adjustment unit 152 may not be provided in the nozzle device 150 of the coating apparatus 100. Furthermore, the substrate processing apparatus 1 may not be provided with the liquid film drying device 200. Even in such a case, in the coating apparatus 100, the plate adjustment unit 132 adjusts the temperature of the coating liquid on the substrate W, thereby reducing unevenness in the thickness of the liquid film of the coating liquid on the substrate W. Therefore, the thickness of the coating film FF is made uniform.

(2)上記実施の形態に係る基板処理装置1においては、塗布装置100のステージ装置130にプレート調整部132が設けられなくてもよい。さらに、基板処理装置1には、液膜乾燥装置200が設けられなくてもよい。このような場合でも、塗布装置100においては、ノズル調整部152による塗布液の温度調整が行われることにより、基板W上の塗布液の液膜の厚みが不均一になることが低減される。したがって、塗布膜FFの厚みが均一化される。 (2) In the substrate processing apparatus 1 according to the above embodiment, the stage device 130 of the coating apparatus 100 does not need to be provided with a plate adjustment unit 132. Furthermore, the substrate processing apparatus 1 does not need to be provided with a liquid film drying device 200. Even in such a case, in the coating apparatus 100, the nozzle adjustment unit 152 adjusts the temperature of the coating liquid, thereby reducing unevenness in the thickness of the liquid film of the coating liquid on the substrate W. Therefore, the thickness of the coating film FF is made uniform.

(3)上記実施の形態に係る基板処理装置1においては、塗布装置100のノズル装置150にノズル調整部152が設けられなくてもよい。また、塗布装置100のステージ装置130にプレート調整部132が設けられなくてもよい。このような場合でも、液膜乾燥装置200においては、プレート調整部232による基板W上の塗布液の温度調整が行われることにより、基板W上の塗布液の液膜の厚みが不均一になることが低減される。したがって、塗布膜FFの厚みが均一化される。 (3) In the substrate processing apparatus 1 according to the above embodiment, the nozzle device 150 of the coating apparatus 100 does not have to be provided with a nozzle adjustment unit 152. In addition, the stage device 130 of the coating apparatus 100 does not have to be provided with a plate adjustment unit 132. Even in such a case, in the liquid film drying apparatus 200, the plate adjustment unit 232 adjusts the temperature of the coating liquid on the substrate W, thereby reducing unevenness in the thickness of the liquid film of the coating liquid on the substrate W. Therefore, the thickness of the coating film FF is made uniform.

(4)上記実施の形態に係る基板処理装置1においては、塗布装置100が設けられなくてもよい。このような場合でも、液膜乾燥装置200においては、プレート調整部232による基板W上の塗布液の温度調整が行われることにより、基板W上の塗布液の液膜の厚みが不均一になることが低減される。したがって、塗布膜FFの厚みが均一化される。 (4) In the substrate processing apparatus 1 according to the above embodiment, the coating device 100 does not need to be provided. Even in such a case, in the liquid film drying apparatus 200, the plate adjustment unit 232 adjusts the temperature of the coating liquid on the substrate W, thereby reducing unevenness in the thickness of the liquid film of the coating liquid on the substrate W. Therefore, the thickness of the coating film FF is made uniform.

[12]請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
[12] Correspondence between each component of the claims and each element of the embodiment The following describes examples of the correspondence between each component of the claims and each element of the embodiment, but the present invention is not limited to the following examples. Various other elements having the configuration or function described in the claims can also be used as each component of the claims.

上記実施の形態においては、プレート部材131が第1のプレート部材の例であり、ステージ装置130が第1の基板保持部の例であり、吐出口14が吐出口の例であり、ノズル装置150が液供給部の例であり、ノズル支持体140、X方向駆動部141およびZ方向駆動部142が相対的移動部の例であり、ノズル調整部152およびプレート調整部132が温度調整部の例であり、基板処理装置1が基板処理装置の例である。 In the above embodiment, the plate member 131 is an example of a first plate member, the stage device 130 is an example of a first substrate holding unit, the discharge port 14 is an example of a discharge port, the nozzle device 150 is an example of a liquid supply unit, the nozzle support 140, the X-direction drive unit 141 and the Z-direction drive unit 142 are examples of relative movement units, the nozzle adjustment unit 152 and the plate adjustment unit 132 are examples of a temperature adjustment unit, and the substrate processing device 1 is an example of a substrate processing device.

また、塗布液流路13が塗布液流路の例であり、ノズル調整部152が塗布液調整部の例であり、Y方向が第1の方向の例であり、X方向が第2の方向の例であり、円環状領域RRが円環状領域の例であり、中央領域IRが中央領域の例であり、複数の領域arが複数の領域の例であり、プレート調整部132が第1のプレート調整部の例である。 In addition, the coating liquid flow path 13 is an example of a coating liquid flow path, the nozzle adjustment unit 152 is an example of a coating liquid adjustment unit, the Y direction is an example of a first direction, the X direction is an example of a second direction, the annular region RR is an example of a annular region, the central region IR is an example of a central region, the multiple regions ar are an example of multiple regions, and the plate adjustment unit 132 is an example of a first plate adjustment unit.

また、塗布装置100が塗布装置の例であり、液膜乾燥装置200が液膜乾燥装置の例であり、プレート部材231が第2のプレート部材およびプレート部材の例であり、ステージ装置230が第2の基板保持部および基板保持部の例であり、チャンバCHがチャンバの例であり、減圧装置235が液膜乾燥部の例であり、プレート調整部232が第2のプレート調整部および温度調整部の例である。
[13]参考形態
(1)第1の参考形態に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、液供給部から吐出される塗布液により第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に塗布液の膜が形成されるように、第1のプレート部材と液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された塗布液のうち少なくとも一方に対する温度調整を行う温度調整部とを備える。
その基板処理装置においては、第1のプレート部材上に基板が保持された状態で、第1のプレート部材と液供給部とが相対的に移動する。このとき、液供給部のスリット状の吐出口から基板の上面に塗布液が吐出されることにより、基板の上面全体に塗布液の膜が形成される。このように、スリット状の吐出口を有する液供給部を基板上で走査することにより塗布膜を形成する方法によれば、塗布むらの発生を低減することができる。
また、上記の基板処理装置においては、液供給部において吐出口に導かれる塗布液、および基板上に塗布された塗布液に対して温度調整が行われる。換言すれば、基板に供給される前の塗布液および基板に供給された後の塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対して温度調整が行われる。それにより、基板上に形成される塗布膜の厚みを均一化することが可能になる。
(2)液供給部は、塗布液供給系から供給される塗布液を吐出口に導く塗布液流路を含み、温度調整部は、液供給部の吐出口の複数の部分から吐出される塗布液の流量分布が予め定められた流量分布となるように、塗布液流路を通して吐出口の複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整する塗布液調整部を含んでもよい。
塗布液の粘度は、塗布液の温度が高いほど低く、塗布液の温度が低いほど高い。単位時間当たりに塗布液流路を流れる塗布液の量、すなわち塗布液の流量は、塗布液の粘度が低いほど大きく、塗布液の粘度が高いほど小さくなる。
したがって、上記の構成によれば、塗布液流路の複数の部分を流れる塗布液の温度が調整されることにより、吐出口の複数の部分から基板の複数の部分に予め定められた量の塗布液が供給される。それにより、吐出口の複数の部分から吐出される塗布液についての予め定められた流量分布が適切に定められることにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
(3)塗布液調整部は、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が、基板の中央部に供給される塗布液の温度よりも低くなるように、吐出口の複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整してもよい。
上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が低くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の粘度は高くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の量を他の部分に供給される塗布液の量に比べて小さくすることができる。その結果、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。
(4)液供給部は、吐出口が第1の方向に延びるように配置され、相対的移動部は、第1の基板保持部に基板が固定姿勢で保持された状態で、液供給部の吐出口が基板上の空間を通過するように、第1の方向に交差する第2の方向に液供給部と第1の基板保持部とを相対的に移動させ、第1のプレート部材に載置された基板には、外周端部を含む一定幅の円環状領域と、円環状領域の内側の中央領域とが定義され、塗布液調整部は、相対的移動部による液供給部と第1の基板保持部との間の相対的な移動時に、液供給部の吐出口の複数の部分のうち平面視で第1のプレート部材に載置された基板の円環状領域に重なる部分から吐出される塗布液の温度を予め定められた第1の温度に調整し、液供給部の吐出口の複数の部分のうち平面視で第1のプレート部材に載置された基板の円環状領域に重ならない部分から吐出される塗布液の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に調整してもよい。
上記の構成によれば、基板の円環状領域に供給される塗布液の温度が基板の中央領域に供給される塗布液の温度に比べて低くなる。したがって、基板の円環状領域に供給される塗布液の粘度は、基板の中央領域に供給される塗布液の粘度に比べて高くなる。それにより、基板の円環状領域に供給される塗布液の量を基板の中央領域に供給される塗布液の量に比べて小さくすることができる。その結果、基板の外周部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。
(5)第1のプレート部材は、複数の領域を有し、温度調整部は、第1のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整する第1のプレート調整部を含んでもよい。
上記の構成によれば、第1のプレート部材の複数の領域の温度が適切に調整されることにより、基板の円環状領域に位置する塗布液の粘度が高くなることを抑制することができる。それにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
(6)第1のプレート部材の複数の領域は、第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第1の領域と、第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第2の領域とを含み、基板の半径方向における複数の第1の領域の各々の寸法は、基板の半径方向における複数の第2の領域の各々の寸法よりも小さくてもよい。
この場合、基板の中央部上に供給される塗布液の温度に比べて、基板の外周部上に供給される塗布液の温度をより高い精度で調整することができる。
(7)第1のプレート調整部は、第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、第1のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整してもよい。
上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が高くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給された塗布液の粘度は低くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に位置する塗布液の粘度が高くなることに起因して、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。
(8)基板処理装置は、基板に塗布液を塗布する塗布装置と、塗布装置により基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥装置とを備え、塗布装置は、第1の基板保持部、液供給部および相対的移動部を含み、液膜乾燥装置は、塗布装置により塗布液の膜が形成された基板が載置される第2のプレート部材を有し、第2のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第2の基板保持部と、第2の基板保持部を収容する内部空間を有するチャンバと、第2の基板保持部により基板が保持された状態で、チャンバ内部の空間を減圧することにより第2の基板保持部により保持された基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥部とを含み、第2のプレート部材は、複数の領域を有し、温度調整部は、第2のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整する第2のプレート調整部を含んでもよい。
この場合、液膜乾燥装置においては、チャンバ内の第2のプレート部材上に基板が保持された状態で、チャンバの内部空間が減圧されることにより、基板上の塗布液の膜が乾燥される。このとき、第2のプレート部材の複数の領域の温度がそれぞれ調整される。したがって、第2のプレート部材の複数の領域の温度が適切に調整されることにより、基板の円環状領域に位置する塗布液の粘度が高くなることを抑制することができる。それにより、基板上に形成される塗布膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
(9)第2のプレート部材の複数の領域は、第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第3の領域と、第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第4の領域とを含み、基板の半径方向における複数の第3の領域の寸法は、基板の半径方向における複数の第4の領域の寸法よりも小さくてもよい。
この場合、基板の中央部上に供給される塗布液の温度に比べて、基板の外周部上に供給される塗布液の温度をより高い精度で調整することができる。
(10)第2のプレート調整部は、第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、第2のプレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整してもよい。
上記の構成によれば、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が高くなるので、基板の外周部の少なくとも一部に供給された塗布液の粘度は低くなる。それにより、基板の外周部の少なくとも一部に位置する塗布液の粘度が高くなることに起因して、基板の外周部の少なくとも一部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。
(11)第2の参考形態に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有するとともに、塗布液の膜が形成された基板が載置されるプレート部材を有し、プレート部材に載置された基板を一定姿勢で保持する基板保持部と、基板保持部を収容する内部空間を有するチャンバと、基板保持部により基板が保持された状態で、チャンバ内部の空間を減圧することにより基板保持部により保持された基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥部と、基板上に塗布された塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、プレート部材は、複数の領域を有し、温度調整部は、プレート部材の複数の領域の温度をそれぞれ調整する。
その基板処理装置においては、少なくとも一部が円形状の外周部を有するとともに塗布液の膜が形成された基板が、チャンバ内のプレート部材上に保持される。この状態で、チャンバの内部空間が減圧されることにより、基板上の塗布液の膜が乾燥される。このとき、プレート部材の複数の領域の温度がそれぞれ調整される。したがって、プレート部材の複数の領域の温度が適切に調整されることにより、基板の外周部に位置する塗布液の粘度が高くなることを抑制することができる。それにより、基板の外周部に形成される塗布膜の厚みが他の部分に比べて大きくなることが抑制される。
上記の基板処理装置においては、基板に供給された後の塗布液に対して温度調整が行われる。それにより、基板上に形成される塗布膜の厚みを均一化することが可能になる。
In addition, the coating apparatus 100 is an example of a coating apparatus, the liquid film drying apparatus 200 is an example of a liquid film drying apparatus, the plate member 231 is an example of a second plate member and a plate member, the stage device 230 is an example of a second substrate holding unit and a substrate holding unit, the chamber CH is an example of a chamber, the pressure reducing device 235 is an example of a liquid film drying unit, and the plate adjustment unit 232 is an example of a second plate adjustment unit and a temperature adjustment unit.
[13] Reference form
(1) A substrate processing apparatus according to a first reference embodiment includes a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, and a first substrate holding unit that holds the substrate placed on the first plate member in a predetermined fixed position; a liquid supply unit that is provided at a position above the first substrate holding unit, has a slit-shaped discharge port, and discharges a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate; a relative movement unit that moves the first plate member and the liquid supply unit relatively so that a film of coating liquid is formed over the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit by the coating liquid discharged from the liquid supply unit; and a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate.
In the substrate processing apparatus, the first plate member and the liquid supply unit move relative to each other while the substrate is held on the first plate member. At this time, the coating liquid is discharged onto the upper surface of the substrate from the slit-shaped discharge port of the liquid supply unit, thereby forming a film of the coating liquid over the entire upper surface of the substrate. In this way, the method of forming a coating film by scanning the liquid supply unit having a slit-shaped discharge port over the substrate can reduce the occurrence of coating unevenness.
In addition, in the above-mentioned substrate processing apparatus, the temperature of the coating liquid introduced to the discharge port in the liquid supply unit and the temperature of the coating liquid applied onto the substrate are adjusted. In other words, the temperature of at least one of the coating liquid before being supplied to the substrate and the coating liquid after being supplied to the substrate is adjusted. This makes it possible to make the thickness of the coating film formed on the substrate uniform.
(2) The liquid supply unit may include a coating liquid flow path that guides the coating liquid supplied from the coating liquid supply system to the discharge port, and the temperature adjustment unit may include a coating liquid adjustment unit that adjusts the temperature of the coating liquid guided to the multiple portions of the discharge port through the coating liquid flow path so that the flow rate distribution of the coating liquid discharged from the multiple portions of the discharge port of the liquid supply unit becomes a predetermined flow rate distribution.
The viscosity of the coating liquid decreases as the temperature of the coating liquid increases, and increases as the temperature of the coating liquid decreases. The amount of the coating liquid flowing through the coating liquid flow path per unit time, i.e., the flow rate of the coating liquid, increases as the viscosity of the coating liquid decreases, and decreases as the viscosity of the coating liquid increases.
Therefore, according to the above configuration, the temperature of the coating liquid flowing through the multiple parts of the coating liquid flow path is adjusted, so that a predetermined amount of coating liquid is supplied to multiple parts of the substrate from the multiple parts of the discharge port, and the predetermined flow rate distribution of the coating liquid discharged from the multiple parts of the discharge port is appropriately determined, thereby improving the uniformity of the thickness of the coating film formed on the substrate.
(3) The coating liquid adjustment unit may adjust the temperature of the coating liquid guided to each of the multiple portions of the outlet so that the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the center of the substrate.
According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is lowered, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is increased. This makes it possible to make the amount of coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate smaller than the amount of coating liquid supplied to other portions. As a result, the thickness of the coating film formed on at least a portion of the outer periphery of the substrate is prevented from being larger than that of other portions.
(4) The liquid supply unit is arranged so that the outlet extends in a first direction, and the relative movement unit relatively moves the liquid supply unit and the first substrate holding unit in a second direction intersecting the first direction so that the outlet of the liquid supply unit passes through a space above the substrate while the substrate is held in a fixed position by the first substrate holding unit, and a circular annular region of a constant width including an outer peripheral end portion and a central region inside the circular annular region are defined on the substrate placed on the first plate member, and the coating liquid adjustment unit may adjust a temperature of the coating liquid discharged from a portion of the multiple portions of the outlet of the liquid supply unit that overlaps with the circular annular region of the substrate placed on the first plate member in a planar view to a predetermined first temperature during the relative movement between the liquid supply unit and the first substrate holding unit by the relative movement unit.
According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to the annular region of the substrate is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the central region of the substrate. Therefore, the viscosity of the coating liquid supplied to the annular region of the substrate is higher than the viscosity of the coating liquid supplied to the central region of the substrate. This makes it possible to make the amount of coating liquid supplied to the annular region of the substrate smaller than the amount of coating liquid supplied to the central region of the substrate. As a result, the thickness of the coating film formed on the outer periphery of the substrate is prevented from becoming larger than other portions.
(5) The first plate member may have a plurality of regions, and the temperature adjustment unit may include a first plate adjustment unit that adjusts the temperatures of the plurality of regions of the first plate member, respectively.
According to the above-mentioned configuration, the temperature of the multiple regions of the first plate member is appropriately adjusted, so that the viscosity of the coating liquid located in the annular region of the substrate can be prevented from increasing, thereby improving the uniformity of the thickness of the coating film formed on the substrate.
(6) The multiple regions of the first plate member may include multiple first regions overlapping at least a portion of an outer periphery of a substrate placed on the first plate member and multiple second regions overlapping a central portion of the substrate placed on the first plate member, and a dimension of each of the multiple first regions in the radial direction of the substrate may be smaller than a dimension of each of the multiple second regions in the radial direction of the substrate.
In this case, the temperature of the coating liquid supplied onto the outer periphery of the substrate can be adjusted with higher accuracy than the temperature of the coating liquid supplied onto the center of the substrate.
(7) The first plate adjustment unit may adjust the temperatures of multiple regions of the first plate member respectively so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the first plate member is higher than the temperature of a portion overlapping a central portion of the substrate placed on the first plate member.
According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a part of the outer periphery of the substrate is increased, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a part of the outer periphery of the substrate is decreased. This prevents the thickness of the coating film formed on at least a part of the outer periphery of the substrate from becoming thicker than other parts due to the increased viscosity of the coating liquid located on at least a part of the outer periphery of the substrate.
(8) A substrate processing apparatus includes a coating device that applies a coating liquid to a substrate, and a liquid film drying device that dries a film of the coating liquid formed on the substrate by the coating device, the coating device including a first substrate holding unit, a liquid supply unit, and a relative movement unit, the liquid film drying device has a second plate member on which a substrate on which a film of the coating liquid has been formed by the coating device is placed, and includes a second substrate holding unit that holds the substrate placed on the second substrate member in a predetermined fixed position, a chamber having an internal space to accommodate the second substrate holding unit, and a liquid film drying unit that dries the film of the coating liquid formed on the substrate held by the second substrate holding unit by reducing the pressure inside the chamber while the substrate is held by the second substrate holding unit, the second plate member having a plurality of regions, and the temperature adjustment unit may include a second plate adjustment unit that adjusts the temperatures of the plurality of regions of the second plate member, respectively.
In this case, in the liquid film drying device, the internal space of the chamber is decompressed while the substrate is held on the second plate member in the chamber, thereby drying the coating liquid film on the substrate. At this time, the temperature of each of the multiple regions of the second plate member is adjusted. Therefore, by appropriately adjusting the temperature of each of the multiple regions of the second plate member, it is possible to prevent the viscosity of the coating liquid located in the annular region of the substrate from increasing. This makes it possible to improve the uniformity of the thickness of the coating film formed on the substrate.
(9) The multiple regions of the second plate member may include multiple third regions overlapping at least a portion of the outer periphery of a substrate placed on the second plate member and multiple fourth regions overlapping a central portion of a substrate placed on the second plate member, and the dimensions of the multiple third regions in the radial direction of the substrate may be smaller than the dimensions of the multiple fourth regions in the radial direction of the substrate.
In this case, the temperature of the coating liquid supplied onto the outer periphery of the substrate can be adjusted with higher accuracy than the temperature of the coating liquid supplied onto the center of the substrate.
(10) The second plate adjustment unit may adjust the temperatures of multiple regions of the second plate member respectively so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the second plate member is higher than the temperature of a portion overlapping a central portion of the substrate placed on the second plate member.
According to the above configuration, the temperature of the coating liquid supplied to at least a part of the outer periphery of the substrate is increased, and therefore the viscosity of the coating liquid supplied to at least a part of the outer periphery of the substrate is decreased. This prevents the thickness of the coating film formed on at least a part of the outer periphery of the substrate from becoming thicker than other parts due to the increased viscosity of the coating liquid located on at least a part of the outer periphery of the substrate.
(11) A substrate processing apparatus according to a second reference embodiment has a plate member having at least a partially circular outer periphery and on which a substrate having a film of coating liquid formed thereon is placed, and is equipped with a substrate holding section that holds the substrate placed on the plate member in a fixed position, a chamber having an internal space to accommodate the substrate holding section, a liquid film drying section that dries the film of coating liquid formed on the substrate held by the substrate holding section by reducing the pressure inside the chamber while the substrate is held by the substrate holding section, and a temperature adjustment section that adjusts the temperature of the coating liquid applied to the substrate, wherein the plate member has multiple regions, and the temperature adjustment section adjusts the temperatures of each of the multiple regions of the plate member.
In the substrate processing apparatus, a substrate having at least a partially circular outer periphery and having a film of coating liquid formed thereon is held on a plate member in a chamber. In this state, the internal space of the chamber is depressurized to dry the film of coating liquid on the substrate. At this time, the temperature of each of the multiple regions of the plate member is adjusted. Therefore, by appropriately adjusting the temperature of each of the multiple regions of the plate member, it is possible to prevent the viscosity of the coating liquid located on the outer periphery of the substrate from becoming high. This prevents the thickness of the coating film formed on the outer periphery of the substrate from becoming thicker than other portions.
In the above-mentioned substrate processing apparatus, the temperature of the coating liquid is adjusted after it is supplied to the substrate, thereby making it possible to make the thickness of the coating film formed on the substrate uniform.

1…基板処理装置,11…液導入路,12…塗布液バッファ部,13…塗布液流路,14…吐出口,15…伝熱部,21…冷却プレート,22…冷却水流路,23…導入配管,24…導出配管,100…塗布装置,110,210…制御部,120…ステージ支持体,121…ガイドレール,130,230…ステージ装置,131,231…プレート部材,132,232…プレート調整部,132c,152c…駆動回路,133,233…支持ピン,134,234…ピン昇降駆動部,135…吸引駆動部,136…冷却プレート,136a…冷却水流路,137…補助装置,138…温度調整部材,140…ノズル支持体,141…X方向駆動部,142…Z方向駆動部,143…液供給部,150…ノズル装置,151…ノズルブロック,151s…ノズル前面,152…ノズル調整部,153…配管,200…液膜乾燥装置,220…ベース部材,220s,240s…当接面,235…減圧装置,240…蓋部材,250…蓋昇降装置,300…後処理装置,310…スピンチャック,320…カップ,331…エッジリンスノズル,332…バックリンスノズル,400…搬送装置,500…制御装置,CH…チャンバ,FF…塗布膜,IR…中央領域,IS…内部空間,RR…円環状領域,SN…スリットノズル,VS…仮想面,W…基板,ar…領域,dd…距離,e1~e10,te…熱電素子,ts…温度センサ 1...substrate processing apparatus, 11...liquid introduction path, 12...coating liquid buffer section, 13...coating liquid flow path, 14...discharge port, 15...heat transfer section, 21...cooling plate, 22...cooling water flow path, 23...introduction pipe, 24...outlet pipe, 100...coating apparatus, 110, 210...control section, 120...stage support, 121...guide rail, 130, 230...stage apparatus, 131, 231...plate member, 132, 232...plate adjustment section, 132c, 152c...drive circuit, 133, 233...support pin, 134, 234...pin lifting drive section, 135...suction drive section, 136...cooling plate, 136a...cooling water flow path, 137...auxiliary device, 138...temperature adjustment member, 140...nozzle support, 141...X-direction drive section, 142...Z-direction Directional drive unit, 143...liquid supply unit, 150...nozzle device, 151...nozzle block, 151s...nozzle front surface, 152...nozzle adjustment unit, 153...piping, 200...liquid film drying device, 220...base member, 220s, 240s...contact surface, 235...pressure reducing device, 240...lid member, 250...lid lifting device, 300...post-treatment device, 310...spin chuck, 320...cup, 331...edge rinse nozzle, 332...back rinse nozzle, 400...transport device, 500...control device, CH...chamber, FF...coating film, IR...center region, IS...internal space, RR...annular region, SN...slit nozzle, VS...virtual surface, W...substrate, ar...region, dd...distance, e1-e10, te...thermoelectric element, ts...temperature sensor

Claims (10)

少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、前記第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、
前記第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、前記吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、
前記液供給部から吐出される前記塗布液により前記第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に前記塗布液の膜が形成されるように、前記第1のプレート部材と前記液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、
前記液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された前記塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え
前記温度調整部は、前記液供給部において前記吐出口に導かれる前記塗布液の温度調整を行う場合に、基板の周縁部の少なくとも一部に供給される前記塗布液の温度を、基板の中央部に供給される前記塗布液の温度から異ならせる、基板処理装置。
a first substrate holder having a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, the first plate member holding the substrate in a predetermined fixed position;
a liquid supply unit that is provided at a position above the first substrate holding unit, has a slit-shaped discharge port, and discharges a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate;
a relative movement unit that moves the first plate member and the liquid supply unit relatively so that a film of the coating liquid discharged from the liquid supply unit is formed on the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit; and
a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate ,
The temperature adjustment unit, when adjusting the temperature of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit, makes the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the peripheral portion of the substrate different from the temperature of the coating liquid supplied to the central portion of the substrate .
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、前記第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、
前記第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、前記吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、
前記液供給部から吐出される前記塗布液により前記第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に前記塗布液の膜が形成されるように、前記第1のプレート部材と前記液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、
前記液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された前記塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、
前記液供給部は、塗布液供給系から供給される塗布液を前記吐出口に導く塗布液流路を含み、
前記温度調整部は、前記液供給部の前記吐出口の複数の部分から吐出される塗布液の流量分布が予め定められた流量分布となるように、前記塗布液流路を通して前記吐出口の複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整する塗布液調整部を含む、基板処理装置。
a first substrate holder having a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, the first plate member holding the substrate in a predetermined fixed position;
a liquid supply unit that is provided at a position above the first substrate holding unit, has a slit-shaped discharge port, and discharges a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate;
a relative movement unit that moves the first plate member and the liquid supply unit relatively so that a film of the coating liquid discharged from the liquid supply unit is formed on the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit; and
a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate,
the liquid supply unit includes a coating liquid flow path that guides the coating liquid supplied from a coating liquid supply system to the discharge port;
The temperature adjustment unit of the substrate processing apparatus includes a coating liquid adjustment unit that adjusts the temperature of the coating liquid guided to the multiple portions of the discharge port through the coating liquid flow path so that the flow rate distribution of the coating liquid discharged from the multiple portions of the discharge port of the liquid supply unit becomes a predetermined flow rate distribution.
前記塗布液調整部は、基板の外周部の少なくとも一部に供給される塗布液の温度が、基板の中央部に供給される塗布液の温度よりも低くなるように、前記吐出口の前記複数の部分に導かれる塗布液の温度をそれぞれ調整する、請求項2記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the coating liquid adjustment unit adjusts the temperature of the coating liquid guided to each of the multiple portions of the discharge port so that the temperature of the coating liquid supplied to at least a portion of the outer periphery of the substrate is lower than the temperature of the coating liquid supplied to the center of the substrate. 前記液供給部は、前記吐出口が第1の方向に延びるように配置され、
前記相対的移動部は、前記第1の基板保持部に基板が前記固定姿勢で保持された状態で、前記液供給部の前記吐出口が基板上の空間を通過するように、前記第1の方向に交差する第2の方向に前記液供給部と前記第1の基板保持部とを相対的に移動させ、
前記第1のプレート部材に載置された基板には、外周端部を含む一定幅の円環状領域と、前記円環状領域の内側の中央領域とが定義され、
前記塗布液調整部は、
前記相対的移動部による前記液供給部と前記第1の基板保持部との間の相対的な移動時に、前記液供給部の前記吐出口の複数の部分のうち平面視で前記第1のプレート部材に載置された基板の前記円環状領域に重なる部分から吐出される塗布液の温度を予め定められた第1の温度に調整し、前記液供給部の前記吐出口の複数の部分のうち平面視で前記第1のプレート部材に載置された基板の前記円環状領域に重ならない部分から吐出される塗布液の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度に調整する、請求項2記載の基板処理装置。
The liquid supply unit is disposed such that the discharge port extends in a first direction,
the relative movement unit relatively moves the liquid supply unit and the first substrate holding unit in a second direction intersecting the first direction such that the discharge port of the liquid supply unit passes through a space above the substrate while the substrate is held by the first substrate holding unit in the fixed attitude;
A substrate placed on the first plate member is defined to have a circular annular region of a certain width including an outer peripheral edge and a central region inside the circular annular region;
The coating liquid adjusting unit includes:
3. The substrate processing apparatus of claim 2, wherein during relative movement between the liquid supply unit and the first substrate holding unit by the relative movement unit, a temperature of the coating liquid ejected from a portion of the multiple portions of the discharge port of the liquid supply unit that overlaps with the annular region of the substrate placed on the first plate member in a planar view is adjusted to a predetermined first temperature, and a temperature of the coating liquid ejected from a portion of the multiple portions of the discharge port of the liquid supply unit that does not overlap with the annular region of the substrate placed on the first plate member in a planar view is adjusted to a second temperature higher than the first temperature.
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板が載置される第1のプレート部材を有し、前記第1のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第1の基板保持部と、
前記第1の基板保持部よりも上方の位置に設けられ、スリット状の吐出口を有し、前記吐出口から基板の上面に塗布液を吐出する液供給部と、
前記液供給部から吐出される前記塗布液により前記第1の基板保持部に保持された基板の上面全体に前記塗布液の膜が形成されるように、前記第1のプレート部材と前記液供給部とを相対的に移動させる相対的移動部と、
前記液供給部において吐出口に導かれる塗布液および基板上に塗布された前記塗布液のうち少なくとも一方の塗布液に対する温度調整を行う温度調整部とを備え、
前記第1のプレート部材は、複数の領域を有し、
前記温度調整部は、前記第1のプレート部材の前記複数の領域の温度をそれぞれ調整する第1のプレート調整部を含む、基板処理装置。
a first substrate holder having a first plate member on which a substrate having at least a partially circular outer periphery is placed, the first plate member holding the substrate in a predetermined fixed position;
a liquid supply unit that is provided at a position above the first substrate holding unit, has a slit-shaped discharge port, and discharges a coating liquid from the discharge port onto an upper surface of the substrate;
a relative movement unit that moves the first plate member and the liquid supply unit relatively so that a film of the coating liquid discharged from the liquid supply unit is formed on the entire upper surface of the substrate held by the first substrate holding unit; and
a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of at least one of the coating liquid guided to the discharge port in the liquid supply unit and the coating liquid applied onto the substrate,
the first plate member having a plurality of regions;
The temperature adjustment unit includes a first plate adjustment unit that adjusts temperatures of the plurality of regions of the first plate member, respectively.
前記第1のプレート部材の前記複数の領域は、
前記第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第1の領域と、
前記第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第2の領域とを含み、
基板の半径方向における前記複数の第1の領域の各々の寸法は、基板の半径方向における前記複数の第2の領域の各々の寸法よりも小さい、請求項5記載の基板処理装置。
The plurality of regions of the first plate member include:
a plurality of first regions overlapping at least a portion of an outer periphery of a substrate placed on the first plate member;
a plurality of second regions overlapping a central portion of a substrate placed on the first plate member;
The substrate processing apparatus of claim 5 , wherein a dimension of each of the plurality of first regions in a radial direction of the substrate is smaller than a dimension of each of the plurality of second regions in the radial direction of the substrate.
前記第1のプレート調整部は、前記第1のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、前記第1のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、前記第1のプレート部材の前記複数の領域の温度をそれぞれ調整する、請求項5または6記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the first plate adjustment unit adjusts the temperature of each of the multiple regions of the first plate member so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the first plate member is higher than the temperature of a portion overlapping the center of the substrate placed on the first plate member. 基板に塗布液を塗布する塗布装置と、
前記塗布装置により基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥装置とを備え、
前記塗布装置は、前記第1の基板保持部、前記液供給部および前記相対的移動部を含み、
前記液膜乾燥装置は、
前記塗布装置により前記塗布液の膜が形成された基板が載置される第2のプレート部材を有し、前記第2のプレート部材に載置された基板を予め定められた固定姿勢で保持する第2の基板保持部と、
前記第2の基板保持部を収容する内部空間を有するチャンバと、
前記第2の基板保持部により基板が保持された状態で、前記チャンバ内部の空間を減圧することにより前記第2の基板保持部により保持された基板上に形成された前記塗布液の膜を乾燥させる液膜乾燥部とを含み、
前記第2のプレート部材は、複数の領域を有し、
前記温度調整部は、前記第2のプレート部材の前記複数の領域の温度をそれぞれ調整する第2のプレート調整部を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A coating device that applies a coating liquid to a substrate;
a liquid film drying device that dries a film of the coating liquid formed on the substrate by the coating device,
the coating apparatus includes the first substrate holding unit, the liquid supply unit, and the relative movement unit;
The liquid film drying device is
a second substrate holding section having a second plate member on which a substrate on which a film of the coating liquid has been formed by the coating device is placed, the second plate member holding the substrate placed on the second plate member in a predetermined fixed position;
a chamber having an internal space for accommodating the second substrate holder;
a liquid film drying unit that dries a film of the coating liquid formed on the substrate held by the second substrate holding unit by reducing the pressure in the space inside the chamber while the substrate is held by the second substrate holding unit,
the second plate member having a plurality of regions;
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjustment section includes a second plate adjustment section that adjusts temperatures of the plurality of regions of the second plate member, respectively.
前記第2のプレート部材の前記複数の領域は、
前記第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる複数の第3の領域と、
前記第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる複数の第4の領域とを含み、
基板の半径方向における前記複数の第3の領域の寸法は、基板の半径方向における前記複数の第4の領域の寸法よりも小さい、請求項8記載の基板処理装置。
The plurality of regions of the second plate member include:
a plurality of third regions overlapping at least a portion of an outer periphery of a substrate placed on the second plate member;
a plurality of fourth regions overlapping a central portion of a substrate placed on the second plate member;
The substrate processing apparatus of claim 8 , wherein a dimension of the plurality of third regions in a radial direction of the substrate is smaller than a dimension of the plurality of fourth regions in the radial direction of the substrate.
前記第2のプレート調整部は、前記第2のプレート部材上に載置された基板の外周部の少なくとも一部に重なる部分の温度が、前記第2のプレート部材上に載置された基板の中央部に重なる部分の温度よりも高くなるように、前記第2のプレート部材の前記複数の領域の温度をそれぞれ調整する、請求項8または9記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8 or 9, wherein the second plate adjustment unit adjusts the temperature of each of the multiple regions of the second plate member so that the temperature of a portion overlapping at least a portion of the outer periphery of the substrate placed on the second plate member is higher than the temperature of a portion overlapping the center of the substrate placed on the second plate member.
JP2021154405A 2021-09-22 2021-09-22 Substrate Processing Equipment Active JP7702320B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021154405A JP7702320B2 (en) 2021-09-22 2021-09-22 Substrate Processing Equipment
CN202210914572.5A CN115910842A (en) 2021-09-22 2022-08-01 Substrate processing apparatus
TW111129809A TWI846004B (en) 2021-09-22 2022-08-09 Substrate processing apparatus
KR1020220105987A KR102745592B1 (en) 2021-09-22 2022-08-24 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021154405A JP7702320B2 (en) 2021-09-22 2021-09-22 Substrate Processing Equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023045818A JP2023045818A (en) 2023-04-03
JP7702320B2 true JP7702320B2 (en) 2025-07-03

Family

ID=85752096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021154405A Active JP7702320B2 (en) 2021-09-22 2021-09-22 Substrate Processing Equipment

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7702320B2 (en)
KR (1) KR102745592B1 (en)
CN (1) CN115910842A (en)
TW (1) TWI846004B (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186577A (en) 2002-12-05 2004-07-02 Shimadzu Corp Slit coater system
JP2007118007A (en) 2001-09-19 2007-05-17 Tokyo Electron Ltd Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
JP2016036797A (en) 2014-08-11 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate treatment apparatus
JP2018114487A (en) 2017-01-21 2018-07-26 東レエンジニアリング株式会社 Coating apparatus and coating method
JP2021072449A (en) 2019-10-31 2021-05-06 セメス カンパニー,リミテッド Apparatus and method for treating substrate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521701B1 (en) * 1996-11-27 2006-01-12 동경 엘렉트론 주식회사 Coating film forming apparatus and coating film forming method
JP3548375B2 (en) * 1997-04-07 2004-07-28 キヤノン株式会社 Coating method and apparatus
JP3722629B2 (en) * 1997-12-05 2005-11-30 大日本スクリーン製造株式会社 Developer discharge nozzle and developer supply apparatus
JP3453073B2 (en) * 1998-10-14 2003-10-06 東京エレクトロン株式会社 Coating equipment
JP2005222962A (en) * 2000-04-20 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd Heat treatment equipment and method
US7445446B2 (en) * 2006-09-29 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers
JP6125783B2 (en) * 2012-09-24 2017-05-10 東レエンジニアリング株式会社 Coating apparatus and coating method
US20180204743A1 (en) * 2015-08-18 2018-07-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment device
JP6689595B2 (en) 2015-11-20 2020-04-28 Aiメカテック株式会社 Coating device and coating method
KR101958636B1 (en) * 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate
JP6887265B2 (en) * 2017-02-28 2021-06-16 株式会社Screenホールディングス Board processing equipment
JP7312008B2 (en) * 2018-06-29 2023-07-20 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7220537B2 (en) * 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007118007A (en) 2001-09-19 2007-05-17 Tokyo Electron Ltd Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
JP2004186577A (en) 2002-12-05 2004-07-02 Shimadzu Corp Slit coater system
JP2016036797A (en) 2014-08-11 2016-03-22 東京エレクトロン株式会社 Substrate treatment apparatus
JP2018114487A (en) 2017-01-21 2018-07-26 東レエンジニアリング株式会社 Coating apparatus and coating method
JP2021072449A (en) 2019-10-31 2021-05-06 セメス カンパニー,リミテッド Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102745592B1 (en) 2024-12-23
JP2023045818A (en) 2023-04-03
KR20230042631A (en) 2023-03-29
TWI846004B (en) 2024-06-21
CN115910842A (en) 2023-04-04
TW202313207A (en) 2023-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102753390B1 (en) Heat treatment method and heat treatment apparatus
US8262300B2 (en) Coating and developing apparatus, developing method and non-transitory medium
KR101878992B1 (en) Hydrophobizing device, hydrophobizing method and recordable medium for computer
US11322371B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP4421501B2 (en) Heating device, coating, developing device and heating method
US7050710B2 (en) Thermal treatment equipment and thermal treatment method
JP2004207573A (en) Coating processor
US20170372926A1 (en) Substrate treating unit, baking apparatus including the same, and substrate treating method using baking apparatus
JP4148346B2 (en) Heat treatment equipment
JPH11260718A (en) Method and apparatus for development
JP3180048U (en) Heat treatment equipment
JP7702320B2 (en) Substrate Processing Equipment
JP5216713B2 (en) Coating processing apparatus, coating processing method, program, and computer storage medium
US20230393483A1 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method, and recording medium
JP3909574B2 (en) Resist coating device
JP4807749B2 (en) Exposure and development processing methods
US20080199617A1 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and storage medium
KR102600411B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
US20250062125A1 (en) Substrate processing method, manufacturing method, and substrate processing apparatus
JP7742438B2 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium
JP7158549B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM
KR102819641B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
US20240222165A1 (en) Substrate treating apparatus
US20250218821A1 (en) Substrate processing apparatus
JP7138493B2 (en) Substrate liquid processing method, storage medium and substrate liquid processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240617

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20250314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250527

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250623

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7702320

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150