JP7628861B2 - 塩素バイパス設備、セメントクリンカ製造装置、セメントクリンカの製造方法、塩素バイパス設備の運転方法、および塩素含有廃棄物処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、塩素バイパス設備、セメントクリンカ製造装置、セメントクリンカの製造方法、塩素バイパス設備の運転方法、および塩素含有廃棄物処理方法に関する。

セメントクリンカの製造装置では、各種廃棄物を原料および熱エネルギーとして用いることの取り組みが進められている。このような事情から、セメントキルンに持ち込まれる塩素量は増加する傾向にある。多くのセメントクリンカ製造装置にはセメントキルン内の塩素を低減するために塩素バイパス設備が設置されており、この塩素バイパス設備で抽気された抽気ガスから効率的に塩素を除去する技術が検討されている。特許文献１では、キルン排ガス流路から抽気した抽気ガスの温度を７７０℃以上に維持した状態で抽気ガスから粗粉を分級装置において分離し、その後、６００℃以下に冷却して塩素バイパスダストを分離する技術が提案されている。

特開２０１９－５５９００号公報

特許文献１に記載の方法では、抽気した抽気ガスの温度を７７０℃以上に維持して分級装置に導入するため、分級装置までの抽気管を断熱する必要がある。このような抽気管内では、抽気管内へ冷却風を導入することによって原料ダストの堆積を抑制することができないため、抽気管が閉塞しやすいという問題があった。

本開示は上記を鑑みてなされたものであり、抽気管の閉塞の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る塩素バイパス設備は、セメントキルンの窯尻、ライジングダクト又はこれらの間からキルン排ガスを抽気する抽気口と、前記抽気口から抽気された抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級部と、前記抽気口と前記分級部との間を接続し、断熱部材によって断熱された抽気管と、前記抽気管の内部の温度低下を抑制しながら、前記抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去部と、を有する。

上記の塩素バイパス設備では、断熱部材によって断熱された抽気管の内部へ堆積ダスト除去部によって気体が吐出されることで、抽気管内のダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

前記堆積ダスト除去部は、前記抽気管の内部に間欠的に高圧気体を噴射する態様であってもよい。抽気管の内部に間欠的に高圧気体を噴射することで、抽気管内の温度低下を防ぎながら、堆積ダストの除去ができる。

前記堆積ダスト除去部は、前記抽気管の内壁に沿うように、前記高圧気体を噴射する態様であってもよい。上記のように抽気管の内壁に沿うように高圧気体を噴射することで、内壁に対してダストが付着することが効果的に防がれる。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生がさらに抑制される。

前記抽気管は、その延在方向に直交する前記抽気ガスの流路の断面が円形であって、前記堆積ダスト除去部は、前記抽気管の前記内壁の周方向に沿って、前記高圧気体を噴射する態様であってもよい。抽気ガスの流路の断面が円形である場合に、周方向に沿って高圧気体を噴射する構成とすることで、流路の内壁に滞留するダストを効果的に除去することができる。

前記抽気管は平坦面を有し、前記堆積ダスト除去部は、前記抽気管の前記平坦面に沿って前記高圧気体を噴射する態様であってもよい。抽気管の平坦面に沿って高圧気体を噴射する構成とすることで、抽気管の平坦面周辺に滞留するダストを効果的に除去することができる。

前記堆積ダスト除去部は、前記抽気管の内部への前記高圧気体の吐出口が、長尺状であるか、または、所定の方向に並んだ複数のピンホールである、態様であってもよい。上記の構成とすることで、抽気管の内部のより広範囲に向けて高圧気体を噴射することが可能となり、ダストの除去をより効率よく行うことができる。

前記抽気管の内部に堆積するダストの堆積量を測定するダスト測定部をさらに有し、前記堆積ダスト除去部は、前記ダスト測定部により測定された前記ダストの堆積量に基づいて、前記堆積ダスト除去部の運転状況を調整する態様であってもよい。この場合、ダストの堆積量に応じて、堆積ダスト除去部の運転状況を調整することが可能となり、堆積したダストの除去を効率良く行うことができる。

本開示の一側面に係るセメントクリンカ製造装置は、上述のいずれかの塩素バイパス設備を有する。上記のセメントクリンカ製造装置は、上述の塩素バイパス設備を含むため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

本開示の一側面に係るセメントクリンカの製造方法は、上記のセメントクリンカ製造装置を用いてセメントクリンカを製造する。上記のセメントクリンカの製造方法は、上述の塩素バイパス設備を用いてセメントクリンカを製造するため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

本開示の一態様に係る塩素バイパス設備の運転方法は、セメント原料をセメントキルンで焼成する際に発生するキルン排ガスを抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、前記抽気工程で得られた抽気ガスを、断熱部材によって断熱された抽気管を介して導入し、前記抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、前記抽気管の内部の温度低下を抑制しながら、前記抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去するダスト除去工程と、を含む。

上記の塩素バイパス設備の運転方法によれば、断熱部材によって断熱された抽気管の内部へ堆積ダスト除去部によって気体が吐出されることで、抽気管内のダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

本開示の一態様に係る塩素含有廃棄物処理方法は、セメントクリンカ製造装置によって塩素含有廃棄物を処理する方法であって、前記塩素含有廃棄物を、セメント原料および／またはセメント焼成の熱エネルギーとしてセメントキルンへ投入する投入工程と、前記セメントキルンの窯尻、ライジングダクトまたはこれらの間からキルン排ガスを得る抽気工程と、前記抽気工程で得られた抽気ガスを、断熱部材によって断熱された抽気管を介して導入し、前記抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、前記抽気管の内部の温度低下を抑制しながら、前記抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去するダスト除去工程と、を含む。

上記の塩素含有廃棄物処理方法によれば、断熱部材によって断熱された抽気管の内部へ堆積ダスト除去部によって気体が吐出されることで、抽気管内のダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。さらに、上記のセメントクリンカ製造装置で塩素含有廃棄物を処理することで、塩素バイパス設備を安定的に運転できるため、塩素を効率よく大量に処理することができる。

本開示によれば、抽気管の閉塞の発生を抑制することが可能な技術が提供される。

図１は、一実施形態に係る塩素バイパス設備とこれを備えるセメントクリンカ製造装置を示す図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）は、抽気管の周辺の構成を説明する模式図である。 図３（ａ）、図３（ｂ）は、抽気管の周辺の別の構成を説明する模式図である。 図４は、冷却ガス導入部が接続される導出ガスの流路の径方向断面を示す断面図である。

以下、場合により図面を参照して、本開示の一実施形態について説明する。ただし、以下の実施形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用い、場合により重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、各要素の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

［セメントクリンカ製造装置］
図１は、一実施形態に係る塩素バイパス設備とこれを備えるセメントクリンカ製造装置を示す図である。塩素バイパス設備９０は、セメントクリンカ製造装置１００の予熱仮焼部４０のライジングダクト４２に接続される。塩素バイパス設備９０は、セメントクリンカ製造装置１００内の塩素分等の揮発分をクリンカダストとして回収し、セメントクリンカ製造装置１００内の塩素分を低減する。なお、セメントクリンカ製造装置１００は、制御部１０を含んで構成されていてもよい。

塩素バイパス設備９０は、ライジングダクト４２からガスを抽気する抽気口２１Ａと、抽気口２１Ａから抽気された、原料ダストを含む抽気ガスが流通する抽気管２１とを有する。また、塩素バイパス設備９０は、抽気管２１から接続され、導入した抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離して、当該粗粉よりも小さい原料ダストの微粉を含む導出を得る分級部２２と、導出ガスが流通する流路２４と、流路２４に旋回流が生じるように冷却ガスを導入する冷却ガス導入部８０と、を備える。

抽気管２１は、抽気口２１Ａから抽気された抽気ガスを分級部２２に供給する機能を有する。

抽気口２１Ａから抽気された抽気ガスは、原料ダストおよびガス状の塩素分を含む。抽気ガスは抽気管２１を流通し分級部２２に導入される。抽気管２１は、抽気プローブと称されるものであってもよい。分級部２２に導入される際の抽気ガスの温度は、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等の揮発した塩素分が単独で析出し、または原料ダストの表面に析出し、クリンカダストとして分級部２２に付着することを抑制する観点から、好ましくは７７０℃を超え、より好ましくは８２０℃以上であり、さらに好ましくは８６０℃以上である。

抽気管２１には、その抽気管２１の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去部が設けられる。図１では、堆積ダスト除去部の一例として、高圧気体を間欠的に抽気管２１内に導入する高圧気体噴射部３０が設けられる。さらに、抽気管２１には、その内部のダストの堆積量を測定するためのダスト測定部３５が設けられる。

図２を参照しながら、抽気管２１および高圧気体噴射部３０について説明する。図２は、抽気管２１およびその周辺の構成を説明する図である。図２（ａ）は、高圧気体噴射部３０が抽気管２１に対して取り付けられた状態を示す断面図であり、図２（ｂ）は、抽気管２１の内部を模式的に示す斜視図である。図２（ｂ）は、抽気管２１の一部として、高圧気体噴射部３０が存在する近傍を切り出した図であり、抽気管２１の内部（管壁２１１の内側）の空間のみを模式的に示している。また、抽気管２１内での抽気ガスの流れを矢印Ｆ１で示し、高圧気体の流れを矢印Ｆ２で示している。

図２（ａ）に示すように、抽気管２１は、流路の断面（抽気管２１の延在方向に対して直交する断面）の形状が例えば円形状である、円筒状の配管とされる。また、抽気管２１は、高い断熱性能を有する部材によって管壁２１１が構成され得る。抽気管２１を構成する断熱性能を有する部材としては、例えば、耐火レンガ等が用いられる。また、抽気管２１の周囲を囲うように、さらに別の断熱部材やヒーター等の保温装置が配置されていてもよい。

また、抽気管２１には、管の内外を連通する開口２１２が設けられる。開口２１２は、図２（ｂ）に示すように、管壁２１１（およびその周囲に断熱部材が設けられている場合には断熱部材）を貫通するように設けられる。この開口２１２は、抽気管２１の内部へ高圧気体を吐出する際の吐出口として機能し得る。開口２１２は、例えば、図２（ｂ）に示すように長尺状とすることができる。開口２１２が長尺状である場合、その長手方向の延在方向は特に限定されないが、図２（ｂ）に示すように、抽気管２１の延在方向に沿って延びるように開口２１２が形成されていてもよい。

高圧気体噴射部３０は、開口２１２から抽気管２１内に高圧気体を噴射する。高圧気体噴射部３０としては、例えば、エアーブラスタとコンプレッサとを組み合わせたエアー噴射装置等を用いることができる。図２（ａ）では、高圧気体噴射部３０として、エアーブラスタ３１を例示している。エアーブラスタ３１の先端を開口２１２内に挿入した状態で、エアーブラスタ３１から高圧気体を噴射すると、開口２１２から抽気管２１内へ高圧気体が吐出される。

開口２１２は、上述のように管壁２１１を貫通するように形成されるので、高圧気体噴射部３０を構成するエアーブラスタ３１の吐出口３１ａは、例えば、開口２１２の内部へ挿入されてもよい。ただし、抽気ガスＦ１の流れを阻害しない観点から、管壁２１１から吐出口３１ａが突出しないほうが好ましい。この状態で、エアーブラスタ３１から高圧気体を噴射すると、開口２１２の延在方向に沿って高圧気体が移動し、そのまま抽気管２１内に高圧気体が噴射される。

一例として、高圧気体の噴射方向は、図２（ａ）に示すように、抽気管２１の管壁２１１の内壁の周方向に沿って、且つ、抽気ガスＦ１の流路の下方へ向かう方向としてもよい。

図２（ｂ）に示すように、高圧気体Ｆ２は、抽気ガスＦ１の影響により断面が円形の抽気管２１の内部を内壁に沿って螺旋状に移動し得る。抽気ガスＦ１の進行方向に沿った成分を有するように、高圧気体の噴射方向を調整した場合、より下流側まで螺旋状を維持できるため、下流のダストＤを飛散させることができる。また、図２に示すように、開口２１２を長尺状（扁平形状）にした場合、開口２１２からより広範囲に高圧気体を噴射することができる。

高圧気体を流路の下方へ向けて噴射することで、抽気管２１の底部に堆積したダストＤを飛散させることができる。高温の抽気ガスを導入する抽気管２１内は、断熱部材による断熱の結果、高温（例えば、７７０℃以上）に維持されている。そのため、抽気管２１内に存在するダストＤは、付着性が低い。そのため、高圧気体を噴射すると、高圧気体を噴射された領域のダストＤは飛散し得る。飛散したダストＤは、抽気ガスＦ１の流れに沿って下流側（分級部２２側）へ移動し得る。この結果、抽気管２１内でのダストＤの滞留・堆積を減らすことができる。

ダストＤは、抽気管２１の底部に堆積し得る。したがって、高圧気体を抽気管２１の底部に沿った方向に噴射すると、高圧気体は直進せずに底部に沿った方向で流通するため、高圧気体による気流の影響を受けるダストＤの量が増大すると考えられる。高圧気体による気流の通る領域に堆積するダストＤが存在するように、高圧気体の噴射方向を調整することで、高圧気体によるダストＤの飛散を促進することができる。なお、高圧気体噴射部３０による高圧気体の噴射方向を制御する方法としては、開口２１２の延在方向を調整する方法のほか、例えば、エアーブラスタ３１の吐出口３１ａの方向を調整する方法を用いることもできる。高圧気体噴射部３０の構成等に応じても、噴射方向を調整する手法は適宜変更され得る。

高圧気体噴射部３０によって抽気管２１内に噴射される高圧気体の圧力は、ダストＤが飛散可能な程度に調整されていればよい。また、高圧気体は、間欠的に供給されていてもよい。上述のように、ダストＤを飛散可能な程度に高圧気体が噴射されればよい。この観点で、例えば、高圧気体の噴射時間を０．１秒～１秒程度とし、この高圧気体の噴射を１回行うか、または、数秒ごとに数回繰り返すことで、ダストＤを飛散させることとしてもよい。高圧気体の噴射時間を短時間とし、さらに噴射回数も減らすことで、高圧気体の噴射による抽気管２１内の温度低下を抑制することができる。

高圧気体噴射部３０は、抽気管２１内の複数の場所に設置してもよい。高圧気体の噴射は、ダストＤの飛散を目的として実施され得る。したがって、ダストＤが堆積しやすいと予想される場所に、開口２１２を形成し、高圧気体噴射部３０による高圧気体の噴射を行うことが可能な構成とする。これにより、ダストＤの堆積によって管内が閉塞する可能性を低減することができる。ダストＤが堆積しやすい場所とは、例えば、抽気管２１のうち、抽気口２１Ａの近傍、流路が曲がる部分（曲がり部）、分級部２２の近傍等、抽気ガスＦ１の流れが変化し得る場所が挙げられる。このような場所に、高圧気体噴射部３０を設けて、高圧気体を噴射する構成とすることで、ダストＤによる流路の閉塞リスクを低減することができる。

また、高圧気体の噴射がダストＤの飛散のために実施され得るということは、換言すると、ダストＤが滞留していない状態では、高圧気体の噴射を省略してもよいということを意味する。したがって、抽気管２１内のダストＤの滞留状況に応じて高圧気体の噴射を行う構成としてもよい。例えば、抽気管２１内を抽気ガスが流れている期間は、所定の間隔（例えば、１分～数時間毎）で、定期的に高圧気体の噴射を行うこととしてもよい。

また、ダスト測定部３５（図１参照）を用いて、ダストの堆積量を検出し、その結果に応じて、高圧気体の噴射を行うこととしてもよい。ダストの堆積量を検出する方法としては、例えば、抽気管２１の内部または外部の温度を測定する方法が挙げられる。ダストＤが抽気管２１内に堆積していると、ダストＤの存在によってその領域の温度が低下する。したがって、ダスト測定部３５として、抽気管２１の管壁２１１の内表面または外面等に温度センサを取り付けて、温度測定を行うことによって、ダストＤの堆積量を検出する構成としてもよい。

なお、ダスト測定部３５によるダストＤの堆積量の検出結果に基づいて、高圧気体の噴射を自動的に行う構成としてもよい。その場合、制御部１０によって、ダスト測定部３５による測定結果を収集し、高圧気体の噴射要否を判断し、高圧気体の噴射が必要な場合には、高圧気体噴射部３０に対して高圧気体の噴射を行うための制御信号を送信する構成としてもよい。また、ダスト測定部３５は、ダストＤの堆積量を正確に把握する必要はない。すなわち、ダスト測定部３５によるダストの堆積量の測定精度とは、例えば、ダストの堆積量が高圧気体の噴射が必要な程度であるか否かを判定可能な程度の精度であればよい。また、ダスト測定部３５の検出結果を用いて、オペレーターが手動で高圧気体の噴射要否を判断してもよい。なお、ダスト測定部３５は温度センサに限られない。例えば、超音波（エコー）、Ｘ線等を用いた抽気管２１内のダストＤの堆積状況を測定可能な装置、または、圧力センサ等のダストＤの堆積状況によって変化する数値を測定可能な装置等をダスト測定部３５として用いてもよい。

なお、抽気管２１および高圧気体噴射部３０の構成は上記の例に限られない。図３を参照しながら，変形例に係る抽気管２１Ｘおよび抽気管２１Ｘの内部への高圧気体噴射部３０による高圧気体の噴射について説明する。図３（ａ）は、抽気管２１Ｘの底面を模式的に示す断面図であり、図３（ｂ）は、高圧気体の噴射方向の一例を示す図である。図３（ｂ）は、抽気管２１Ｘの一部を切り出した図であり、抽気管２１の内部（管壁２１１の内側）の空間のみを模式的に示している。また、抽気管２１内での抽気ガスの流れを矢印Ｆ１で示し、高圧気体の流れを矢印Ｆ２で示している。

図３（ｂ）に示すように、変形例に係る抽気管２１Ｘは、流路の断面（抽気管２１Ｘの延在方向に対して直交する断面）の形状が例えば矩形である、四角筒状の配管とされる。また、抽気管２１Ｘの底面２１３は平坦面とされている。

抽気管２１Ｘでは、ダストＤは平坦面である底面２１３に堆積し得る。この場合、ダストＤを除去するためには、高圧気体を噴射するための開口２１４を底面２１３に設けてもよい。この場合、底面２１３に設けられた開口２１４からダストＤを巻き上げるように高圧気体Ｆ２を噴射することができる。

なお、開口２１４は、図２で示した長尺状であってもよいが、図３（ａ）、図３（ｂ）で示すように、複数のピンホール２１４ａ（小さな開口）が所定の方向に複数配列した構成であってもよい。図３（ａ）、図３（ｂ）で示す例では、抽気ガスＦ１の流れる方向（流路の延在方向）に対して直交する方向に４つのピンホール２１４ａが並んでいる。また、ピンホール２１４ａそれぞれから高圧気体Ｆ２が内部に噴射されているが、その噴射方向は、底面２１３に対して垂直な方向ではなく、抽気ガスＦ１の流れる方向に沿って傾斜した方向になっていてもよい。すなわち、抽気管２１Ｘの底面２１３に沿って、高圧気体を噴射するように構成されていてもよい。この場合、高圧気体がより広範囲のダストＤを飛散させ、除去させることができる。抽気管２１Ｘ内での抽気ガスＦ１の流れる方向と高圧気体を噴射する方向とのなす角度を例えば４５°以下とした場合、高圧気体がより広範囲のダストＤを飛散させることができる。ダストＤの堆積が多い箇所では、抽気管２１Ｘの抽気ガスＦ１の流れる方向と高圧気体を噴射する方向とのなす角度を４５°～９０°とすることで、高圧噴射した箇所のダストＤを精度よく除去することができる。また、開口２１４内にダストＤが大量に流入し、高圧噴射不可になることを抑制するため、抽気管２１Ｘの抽気ガスＦ１の流れる方向と高圧気体を噴射する方向とのなす角度は９０°以下であることが好ましい。

なお、図３に示すように複数のピンホール２１４ａが一列に並んでいる場合、それぞれからの高圧気体の噴射方向は、図３に示すように互いに平行であってもよい。この場合、各ピンホール２１４ａから噴射される高圧気体が互いに干渉することを抑制することができ、より広範囲のダストＤを飛散させることができる。

図３では、底面２１３が平坦面である場合について説明したが、平坦面は、抽気管の底面以外の内面を構成する場合がある。例えば、抽気管の側面や上面等が平坦面によって形成され、当該面に対してダストＤが堆積し得る。このような場合、平坦面に沿って、高圧気体を噴射するように高圧気体噴射部が設けられていてもよい。さらに、抽気管の形状の内部の形状によっては、平坦ではない側面等にもダストＤが堆積する可能性がある。その場合、ダストＤの堆積が想定される位置に応じて、高圧気体噴射部の構成を適宜追加・変更してもよい。

図１に戻り、分級部２２は、抽気ガスを導入して分級を行うことで、原料ダストの粗粉を分離する。分級部２２は例えばサイクロンであってよい。分級部２２において、上記の温度範囲の抽気ガスの分級を行うことで、塩素分が気相に含まれている状態で、原料ダストの粗粉を抽気ガスから分離することができる。そのため、揮発した塩素分が単独で析出すること、または原料ダストの表面に析出することによりコーチングが発生し、分級部２２が閉塞することが抑制される。また、塩素が析出した原料ダストがセメントキルン側に循環流路で戻ることを抑制することができる。

分級部２２で抽気ガスから分離される原料ダストの粗粉に塩素分が析出することを抑制する観点から、分級部２２において原料ダストの粗粉を分離する際の抽気ガスの温度は、７７０℃以上にされる。抽気ガスの温度は、好ましくは８２０℃以上、より好ましくは８６０℃以上とすることができる。分級部２２から導出される導出ガスの温度についても、７７０℃以上でされる。また、導出ガスの温度は、好ましくは８２０℃以上、より好ましくは８６０℃以上とすることができる。

なお、分級部２２において、燃焼炉からの排ガスを抽気ガスと混合してもよい。この場合、分級部２２において、抽気ガスと排ガスとを含む混合ガスが得られる。なお、排ガスを生成する燃焼炉としては、例えば、廃プラスチック脱塩設備における燃焼炉が挙げられる。燃焼炉は、廃プラスチックを含む原料を熱処理して生じる熱分解ガスに含まれるタールを燃焼する炉である。燃焼炉の排ガスを分級部２２に導入して抽気ガスと混合する場合、抽気ガス単独の場合と比べて、分級部２２において混合されたガスの温度を安定的に高くすることができる。また、燃焼炉からの排ガスと抽気ガスとを合流した場合、分級部２２において混合したガスの流速を大きくすることができる。そのため、分級部２２における分級性能を向上し、原料ダストの粗粉を、より高い精度で混合ガスから分離することができる。

なお、塩素バイパス設備９０で抽気ガスに合流する排ガスは廃プラスチック脱塩設備の燃焼炉からの排ガスに限定されず、廃プラスチック脱塩設備の燃焼炉とは異なる燃焼炉からの排ガスであってもよい。例えば、排ガスとして、バイオマスペレット炭化設備に備えられる燃焼炉、アンモニアガス化炉、硫黄燃焼炉、或いは、これらとは異なる燃焼炉または溶融炉からの高温排ガスを用いてもよい。これらの一種の排ガスを単独で用いてもよいし、複数の排ガスを組み合わせて用いてもよい。

原料ダストの粗粉の粒径は、例えば、１８μｍ以上であってよく、好ましくは１６μｍ以上であってよく、より好ましくは１４μｍ以上であってもよい。原料ダストの粗粉が１４μｍ以上となるように分級を行うことによって、揮発分を十分に低減することができる。

分級部２２で抽気ガスから分離された原料ダストの粗粉は、セメントクリンカの原料となるものであるため、原料ダストの粗粉は循環流路２７を流通してセメントキルン５０の窯尻５２に導入される。このように、抽気口２１Ａから抽気された原料ダストの粗粉を窯尻５２に戻すことによって、原料ダストの粗粉をセメントクリンカの製造に用いることができる。なお、原料ダストの粗粉は窯尻５２ではなく、ライジングダクト４２、サイクロンＣ４と窯尻５２を接続するシュート、仮焼炉４４、またはキルン本体５６に戻してもよい。また、循環流路２７を複数設けて原料ダストの粗粉を複数箇所に戻してもよい。

分級部２２から導出される導出ガスには、分級部２２で回収されなかった原料ダストの粗粉および微粉が含まれる。また、分級部２２に排ガスを導入する場合、この分級部２２で回収されなかった原料ダストに含まれるＣａ分と、排ガス中のＨＣｌ等の塩素分が反応して固体状のＣａＣｌ_２が発生する場合がある。このような塩素分も、塩素バイパス設備９０においてクリンカダストとして回収することができる。

分級部２２において抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離することによって得られる、原料ダストの微粉とガス状の塩素分を含む導出ガスは、分級部２２に接続された流路２４を流通し冷却ガス導入部８０で冷却される。冷却ガス導入部８０では、円管２６で構成される流路２４に冷却ガスの流路８１が接続され、原料ダストの微粉および塩素分を含む導出ガスが冷却ガスと混合され冷却される。冷却後、導出ガスを含むガスは、流路２４を流通し冷却部７０に導入される。

冷却ガスは、常温の空気でもよいし、また、工場等で発生する２００℃以下、好ましくは１００℃以下の排気ガスを含むものであってもよい。排気ガスとしては、例えば、セメント製造工場に持ち込まれた下水汚泥等の含水汚泥の受け入れ、貯蔵および発酵時に発生する臭気ガス、後述の吸引部７４（図１参照）および他工程の吸引部から排出される排出ガス等が挙げられる。これらの一種を単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。一例として、図１では、上記の冷却ガスの流路８１に常温の空気（外気）が導入される構成を示している。

冷却ガス導入部８０において、導出ガスは冷却ガスと混合され冷却される。冷却後の導出ガスを含むガス（導出ガスと冷却ガスの混合ガス）の温度は、設備の耐熱性の観点から６００℃以下であってよく、５００℃以下であってもよい。

冷却ガス導入部８０において、冷却ガスは、原料ダストの微粉および塩素分を含む導出ガスが流通する流路２４の内壁面の周方向に沿うように導入される。これによって、流路２４に旋回流が生じ、流路２４の内壁面にクリンカダストが付着してコーチングが発生することを抑制することができる。このような旋回流は、流路２４の外周部にエアーカーテンを形成し、高温の導出ガスから流路２４を構成する円管２６の内壁面を保護することができる。

図４は、冷却ガス導入部が接続される導出ガスの流路２４の径方向断面を示す断面図である。原料ダストの粗粉が分離され、塩素分および原料ダストの微粉を含む導出ガスが流通する流路２４は円管２６によって構成される。図４に示すような流路２４（円管２６）の径方向断面で見たときに、冷却ガス導入部８０の流路８１を形成する流路壁２８は、円管２６の接線方向と平行方向に伸びるように、円管２６に接続されている。円管２６に接続された冷却ガス導入部８０は、流路８１内を流通する冷却ガスＧを流路２４内に導入する。導入された冷却ガスＧは、流路２４において導出ガスと合流しながら旋回流ＳＦを形成する。旋回流ＳＦの旋回軸は、円管２６で構成される流路２４の中心軸Ｐと一致する。

導出ガスは中心軸Ｐの軸方向に沿って流路２４の中央部を流通し、冷却ガスＧは流路２４を構成する円管２６の内壁面２６Ｗに沿って旋回流ＳＦとして流通する。このように、流路２４では導出ガスと冷却ガスＧの流通路が異なるようにガスを流通させる。導出ガスの流通路と冷却ガスＧの流通路の境界では微量のクリンカダストができるが、旋回流ＳＦがエアーカーテンとなって、クリンカダストが内壁面２６Ｗに付着しコーチングとなることを抑制することができる。

さらに、塩素バイパス設備９０は、冷却ガス導入部８０の下流に導出ガスを含むガスを冷却する冷却部７０と、導出ガスを含むガスに含まれるダスト（クリンカダスト）を導出ガスを含むガスから回収する回収部７２と、導出ガスを吸引する吸引部７４とを備える。冷却部７０は水冷式または空冷式の熱交換器であってよい。吸引部７４としては、シロッコファンおよびターボファンなどの通常の吸引ファンが挙げられる。

冷却部７０は、冷却ガスＧと導出ガスが合流して得られる導出ガスを含むガスを、例えば２６０℃未満、好ましくは２００℃未満に冷却する。この導出ガスを含むガスはクリンカダストを含んでいるため、回収部７２に導入される。回収部７２は、バグフィルタであってよく、湿式スクラバ等の湿式集塵器であってもよい。回収部７２で回収されたクリンカダストは、水洗処理がなされた後、セメント組成物に配合してもよいし、セメント原料として用いてもよい。

図１のセメントクリンカ製造装置１００は、塩素バイパス設備９０と、セメント原料を予熱および仮焼する予熱仮焼部４０と、予熱および仮焼されたセメント原料を焼成してセメントクリンカを得るセメントキルン５０と、セメントキルン５０で得られたセメントクリンカを冷却するクリンカクーラ６０とを備える。予熱仮焼部４０は、４つのサイクロンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４（プレヒータ）と仮焼炉４４とを有する。

セメントキルン５０の窯尻５２と予熱仮焼部４０の仮焼炉４４とは、ライジングダクト４２で接続されている。ライジングダクト４２と窯尻５２の接続部近傍には、セメントキルン５０で発生するキルン排ガスを抽気して、キルン排ガスに含まれるダストを回収する塩素バイパス設備９０の抽気口２１Ａが設けられている。抽気口２１Ａには、抽気管２１が接続されている。セメントクリンカ製造装置１００は、塩素バイパス設備９０を備えることによって、セメントクリンカ製造装置１００内の塩素分を低減することができる。

サイクロンＣ１とサイクロンＣ２との接続部から導入されるセメント原料は、サイクロンＣ１、サイクロンＣ２、サイクロンＣ３、ライジングダクト４２、仮焼炉４４、およびサイクロンＣ４を流通してセメントキルン５０の窯尻５２に導入される。セメントキルン５０では、予熱および仮焼されたセメント原料が、窯尻５２とは反対側に設けられたバーナ５４の燃焼によって加熱されセメントクリンカとなる。得られたセメントクリンカは、クリンカクーラ６０で冷却される。クリンカクーラ６０によって冷却された後、セメントクリンカが得られる。

制御部１０は、上述のように、ダスト測定部３５による測定結果に基づいて、抽気管２１のダストの堆積状況（堆積量）を把握し、これに基づいて、高圧気体噴射部３０による抽気管２１内への高圧気体の噴射を制御する機能を有していてもよい。制御部１０による高圧気体の噴射の制御としては、例えば、高圧気体噴射部３０の運転及び停止、高圧気体の噴射時間、高圧気体の噴射量等を調整することが挙げられる。

また、制御部１０は、高圧気体噴射部３０に限らず上記のセメントクリンカ製造装置１００の各部を制御してもよい。制御部１０は、セメントクリンカ製造装置１００の各部に設けられた計測部において計測された情報に基づいて、セメントクリンカ製造装置１００を制御してもよい。計測部が計測する運転情報としては、温度、圧力、ガスの成分、ガスの流速、ダスト濃度および画像等が挙げられる。塩素バイパスを例として挙げると、具体的には、抽気管２１、分級部２２および流路２４の内部または表面の温度、ライジングダクト４２および窯尻５２におけるキルン排ガスの温度、抽気口２１Ａから抽気管２１内に流入するキルン排ガスの温度、キルン排ガスおよび抽気ガスの圧力、キルン排ガスおよび抽気ガスのガス成分、キルン排ガスおよび抽気ガスに含まれるダスト濃度、並びに、抽気管２１および分級部２２内部の画像等が挙げられる。計測部としては、例えば、温度センサ、圧力センサ、ガス成分センサ、流速センサ、およびカメラ等が挙げられる。

制御部１０は、上記の計測部で計測された運転情報に基づいて、各部を制御するための制御信号を出力してもよい。制御部は、通常のコンピュータシステムであってよく、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）および入出力インターフェイスなどを備えてよい。

なお、制御部１０は、燃焼炉からの排ガスの流量についても自動で制御する機能を有してもよい。例えば、分級部２２から導出される導出ガスの温度を計測部で計測し、その計測結果に応じて抽気ガスに合流する排ガスの流量が増加するように制御してもよい。これによって、分級部２２の温度が下がり過ぎることを回避できる。

セメントクリンカ製造装置１００は、塩素バイパス設備９０を備えるため、安定的に運転することが可能であり、安定的にセメントクリンカを製造することができる。また、原料ダストを有効利用して、セメントクリンカの収量を増やすことができる。また、クリンカダストが低減され、クリンカダストの処理コストを低減することができる。

［セメントクリンカの製造方法］
一実施形態に係るセメントクリンカの製造方法は、セメントクリンカ製造装置１００を用いて行うことができる。これらの方法は、予熱仮焼部４０でセメント原料を予熱および仮焼する予熱仮焼工程と、予熱および仮焼されたセメント原料を、窯尻５２からキルン本体５６に導入し、セメントクリンカを製造する焼成工程（投入工程）と、焼成工程で発生するキルン排ガスを抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、断熱部材によって断熱された抽気管２１を介して抽気ガスを導入し、抽気ガスから分級部２２で原料ダストの粗粉を分離する分級工程と、抽気管２１の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去工程と、分級部２２から導出される、原料ダストの粗粉が低減された導出ガスが流通する流路に旋回流が生じるように冷却ガスを導入する冷却ガス導入工程と、導出ガスを含むガスを冷却する冷却工程と、冷却工程で冷却された導出ガスを含むガスに含まれるクリンカダストを回収するダスト回収工程とを有していてもよい。セメントおよび／またはセメント焼成の熱エネルギーには塩素含有廃棄物が含まれ得る。したがって、焼成工程は、セメント原料および／またはセメント焼成の熱エネルギーをセメントキルンに投入する投入工程ということもできる。また、分級工程で分離された原料ダストの粗粉をセメントキルン５０側に戻す循環工程と、を有してもよい。また、焼成工程で得られたセメントクリンカを、クリンカクーラ６０で冷却するクリンカ冷却工程を有してもよい。

予熱仮焼工程では、セメント原料がサイクロンＣ１とサイクロンＣ２の間の流路から導入される。セメント原料は、サイクロンＣ１、サイクロンＣ２およびサイクロンＣ３を流通して予熱される。その後、仮焼炉４４に導入され、仮焼される。仮焼炉４４には、石炭等の熱エネルギー源を燃焼するバーナや廃プラスチックを投入するバーナが設けられていてよい。仮焼炉４４で仮焼されたセメント原料（仮焼原料）は、サイクロンＣ４に導入され加熱される。

焼成工程（投入工程）では、サイクロンＣ４で加熱された仮焼原料が窯尻５２に導入される。その後、キルン本体５６において焼成されセメントクリンカとなる。

抽気工程では、焼成工程で発生するキルン排ガスを抽気口２１Ａから抽気する。また、分級工程では、断熱部材によって断熱された抽気管２１を介して前記抽気ガスを導入し分級を行う。塩素分が抽気ガスに気相として含まれている状態で、原料ダストの粗粉を分離することができる。したがって、揮発した塩素分が単独で析出して、または原料ダストの表面に析出することによりコーチングが発生し、分級部２２が閉塞することを抑制できる。また、塩素が析出した原料ダストをセメントキルン側に循環流路で戻すことを抑制することができる。

堆積ダスト除去工程では、抽気管２１の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する。抽気管２１の内部に堆積し得るダストＤを気体によって飛散させることで、管内の閉塞が発生する可能性を低減することができる。

循環工程では、分級部２２で分級された粗粉をセメントキルン５０の窯尻５２に戻すことによって、セメントクリンカの生産量を効率よく増やすことができる。また、冷却ガス導入工程では、分級部２２から導出される導出ガスに冷却ガスを合流させて導出ガスを冷却する。

また、円管２６で構成される導出ガスを含むガスの流路２４の内壁面の周方向に沿って冷却ガスを導入することによって、旋回流を生じさせてもよい。これによって、流路２４にクリンカダストが付着してコーチングが発生することを抑制できる。冷却ガス導入工程で冷却ガスＧを混合することによって冷却された導出ガスを含むガスの温度は、設備の耐熱性の観点から６００℃以下であってよく、５００℃以下であってもよい。導出ガスがこのように冷却されることによって、揮発した塩素分が単独で析出して、または原料ダストの表面に析出してクリンカダストができる。

冷却工程では、例えば熱交換器を備える冷却部７０において導出ガスを含むガスを例えば２６０℃未満、好ましくは２００℃未満に冷却する。ダスト回収工程では、回収部７２において冷却された導出ガスを含むガスに含まれるダストを回収する。このようにして回収されるダストはクリンカダストと称される。この製造方法によって、塩素バイパス設備９０およびセメントクリンカ製造装置１００を安定的に運転することができる。また、原料ダストを有効利用して、セメントクリンカを効率よく製造することができる。また、分級工程で原料ダストの粗粉を分離したことでクリンカダストの量が低減され、クリンカダストの処理コストを低減することができる。

［バイパス設備の運転方法］
一実施形態に係る塩素バイパス設備の運転方法は、上述の抽気工程、分級工程、堆積ダスト除去工程、混合工程、冷却工程およびダスト回収工程を有してよい。また、上述の循環工程を有していてもよいし、上述のセメントクリンカの製造方法のいずれかの工程をさらに有していてもよい。この運転方法はセメントクリンカ製造装置１００に備えらえる塩素バイパス設備９０を用いて行うことができる。したがって、各工程の内容は、上述のセメントクリンカの製造方法における内容と同様であってよい。

［廃棄物処理方法］
上記のセメントクリンカの製造方法は、塩素含有廃棄物の処理方法ということもできる。すなわち、一実施形態に係る塩素含有廃棄物の処理方法は、上述のセメントクリンカ製造装置１００において塩素含有廃棄物を処理する方法であり、上述の投入工程、抽気工程、分級工程、堆積ダスト除去工程を含んでいてもよい。さらに、冷却工程、ダスト回収工程を有してよい。また、上述の循環工程を有していてもよいし、上述のセメントクリンカの製造方法のいずれかの工程をさらに有していてもよい。塩素含有廃棄物としては、例えば、セメント原料で用いる焼却灰や、セメント焼成の熱エネルギーとして用いられる廃プラスチックなどが挙げられる。

［作用］
以上の例によれば、塩素バイパス設備９０においては、断熱部材によって断熱された抽気管２１の内部へ、抽気管２１の内部の温度低下を抑制しながら、堆積ダスト除去部として機能する高圧気体噴射部３０によって気体が吐出される。これにより、抽気管２１内のダストＤが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管２１の閉塞の発生が抑制される。

従来から、７７０℃以上の導出ガスが排出される条件で抽気ガスの分級を行うことが検討されている。このとき、抽気口２１Ａにおいて抽気された抽気ガスを分級部２２まで高温のまま移動させることが求められるため、抽気管２１は断熱構造とする必要がある。しかしながら、断熱構造を採用した場合、従来の塩素バイパス設備のように、抽気管内に多量の冷却風を導入してダストを吹き飛ばす構造は、抽気ガスの温度を低下させてしまうため、採用できない。そのため、抽気管２１内部がダストＤによって閉塞する可能性が生じ得る。これに対して、上記の構成では、抽気管２１の内部に、抽気管２１の内部の温度低下を抑制しながら、抽気管２１の内部に気体を吐出することによって、堆積するダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管２１の閉塞の発生が抑制される。また、抽気管２１内部の温度低下も抑制されつつ気体が吐出される。このため、内部を流れる抽気ガスの温度低下も抑制される。

堆積ダスト除去部は、抽気管２１の内部に間欠的に高圧気体を噴射する態様であってもよい。抽気管２１の内部に間欠的に高圧気体を噴射することで、気体の供給量が少なくともダストＤの除去が可能となるため、抽気管２１内の温度低下を防ぎながら、堆積ダストの除去ができる。

堆積ダスト除去部は、抽気管２１の内壁に沿うように、高圧気体を噴射してもよい。このような構成とすることで、内壁に対してダストが付着することが効果的に防がれる。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生がさらに抑制される。

抽気管２１は、その延在方向に直交する抽気ガスの流路の断面が円形であってもよい。この場合、堆積ダスト除去部は、抽気管２１の内壁の周方向に沿って、高圧気体を噴射してもよい。流路の断面が円形である場合に、周方向に沿って高圧気体を噴射する構成とすることで、抽気管の内壁に滞留するダストを効果的に除去することができる。

抽気管２１Ｘのように、抽気管２１Ｘの抽気ガスの流路の底面２１３が平坦であって、堆積ダスト除去部は、抽気管２１Ｘの底面２１３に沿って、高圧気体を噴射する態様であってもよい。平坦な流路の底面に沿って、高圧気体を噴射する構成とすることで、抽気管２１Ｘの底面に滞留するダストの効果的に除去することができる。

また、堆積ダスト除去部は、抽気管２１の内部への高圧気体の吐出口が、長尺状であるか、または、所定の方向に並んだ複数のピンホールであってもよい。上記の構成とすることで、抽気管２１の内部のより広範囲に向けて高圧気体を噴射することが可能となり、ダストの除去をより効率よく行うことができる。

また、抽気管２１の内部に堆積するダストの堆積量を測定するダスト測定部３５をさらに有し、堆積ダスト除去部は、ダスト測定部３５により測定されたダストの堆積量に基づいて、堆積ダスト除去部の運転状況を調整してもよい。この場合、ダストの堆積量に応じて、堆積ダスト除去部の運転状況を調整することが可能となり、堆積したダストの除去を効率良く行うことができる。

上記の例において、セメントクリンカ製造装置１００は、上述のいずれかの塩素バイパス設備９０を有する。上記のセメントクリンカ製造装置１００は、上述の塩素バイパス設備９０を含むため、ダストの堆積による抽気管２１の閉塞の発生が抑制される。

また、上記のセメントクリンカの製造方法は、上記のセメントクリンカ製造装置１００を用いてセメントクリンカを製造する。上記のセメントクリンカの製造方法は、上述の塩素バイパス設備９０を用いてセメントクリンカを製造するため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

上記の塩素バイパス設備９０の運転方法は、セメント原料をセメントキルンで焼成する際に発生するキルン排ガスを抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、断熱部材によって断熱された抽気管を介して抽気ガスを導入し、抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去工程と、を含む。この塩素バイパス設備の運転方法によれば、断熱部材によって断熱された抽気管の内部へ気体が吐出されることで、抽気管内のダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。

また、上記の塩素含有廃棄物処理方法は、セメントクリンカ製造装置１００によって塩素含有廃棄物を処理する方法であって、塩素含有廃棄物を、セメント原料および／またはセメント焼成の熱エネルギーとしてセメントキルンへ投入する投入工程と、セメントキルンの窯尻、ライジングダクトまたはこれらの間からキルン排ガスを得る抽気工程と、抽気工程で得られた抽気ガスを、断熱部材によって断熱された抽気管を介して導入し、抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去工程と、を含む。この塩素含有廃棄物処理方法によれば、断熱部材によって断熱された抽気管の内部へ気体が吐出されることで、抽気管内のダストが除去される。そのため、ダストの堆積による抽気管の閉塞の発生が抑制される。さらに、上記のセメントクリンカ製造装置１００で塩素含有廃棄物を処理することで、塩素バイパス設備を安定的に運転できるため、塩素を効率よく大量に処理することができる。

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

上記実施形態では、抽気口２１Ａがライジングダクト４２に設けられているが、これに限定されない。例えば、抽気口２１Ａは窯尻５２に設けられてもよく、窯尻５２とライジングダクト４２の間（または境界部）に設けられてもよい。

また、燃焼炉から生じる排ガスを用いる場合、抽気ガスとの合流位置は分級部２２に限定されない。例えば、分級部２２と抽気口２１Ａの間、例えば、抽気管２１内の流路において、抽気ガスと排ガスとが合流して混合ガスとなってもよい。また、別の変形例として、排ガスの流路を分岐して、排ガスを複数箇所に分けて抽気ガスまたは混合ガスと合流するようにしてもよい。この場合、複数の合流部において合流する排ガスの流量を個別に調節可能な構成としてもよい。

また、上記実施形態では、図２に示す抽気管２１および開口２１２と、図３に示す抽気管２１Ｘおよび開口２１４と、について説明した。しかしながら、これらの組み合わせに限定されるわけではない。例えば、抽気管２１に対して長尺状の開口２１２を設けることに代えて、ピンホール２１４ａから構成された開口２１４を設けてもよい。また、抽気管２１に対して、開口２１２および開口２１４の両方を設けて、両方の開口２１２，２１４から高圧気体を内部に供給する構成としてもよい。

上述の塩素バイパス設備９０およびセメントクリンカ製造装置１００に関する説明内容は、上述のセメントクリンカの製造方法および塩素バイパス設備の運転方法の説明内容にも適用される。また、上記製造方法および運転方法の説明内容も、上述の塩素バイパス設備９０およびセメントクリンカ製造装置１００の説明内容に適用される。

以上、本開示の幾つかの実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、分級部２２で分離された原料ダストの粗粉は循環流路２７を介してセメントキルン５０側に戻していたがこれに限定されない。例えば、セメント原料のタンクに入れてセメント原料として予熱仮焼部４０に供給されてもよい。また、導出ガスの流路２４を構成する円管２６は水平に配置されずに、水平方向に対して傾斜して配置されてもよい。塩素バイパス設備は、冷却ガス導入部８０と冷却部７０の間に混合チャンバを有していてもよい。

１０…制御部、２１，２１Ｘ…抽気管、２１Ａ…抽気口、２２…分級部、２４…流路、２６…円管、２７…循環流路、３０…高圧気体噴射部、３１…エアーブラスタ、３５…ダスト測定部、４０…予熱仮焼部、４２…ライジングダクト、４４…仮焼炉、５０…セメントキルン、５２…窯尻、７０…冷却部、７２…回収部、７４…吸引部、８０…冷却ガス導入部、８１…流路、９０…塩素バイパス設備、１００…セメントクリンカ製造装置、Ｆ１…抽気ガス、Ｆ２…高圧気体。

Claims (8)

1. セメントキルンの窯尻、ライジングダクト又はこれらの間からキルン排ガスを抽気する抽気口と、
   前記抽気口から抽気された抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級部と、
   前記抽気口と前記分級部との間を接続し、断熱部材によって断熱され、その延在方向に直交する前記抽気ガスの流路の断面が円形である抽気管と、
   前記抽気管の内部へ高圧気体を吐出する吐出口を有し、当該吐出口から前記高圧気体を前記抽気管の内壁の周方向に沿って間欠的に噴射するように構成され、前記抽気管の内部の温度低下を抑制しながら前記抽気管内に堆積するダストを除去する高圧気体噴射部と、
   を有する、塩素バイパス設備。
2. セメントキルンの窯尻、ライジングダクト又はこれらの間からキルン排ガスを抽気する抽気口と、
   前記抽気口から抽気された抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級部と、
   前記抽気口と前記分級部との間を接続し、断熱部材によって断熱され、内壁に平坦面を有する抽気管と、
   前記抽気管の内部へ高圧気体を吐出する吐出口を有し、当該吐出口から前記高圧気体を前記抽気管の前記平坦面に沿って間欠的に噴射するように構成され、前記抽気管の内部の温度低下を抑制しながら前記抽気管内に堆積するダストを除去する高圧気体噴射部と、
   を有する、塩素バイパス設備。
3. 前記高圧気体噴射部における、前記抽気管の内部への前記高圧気体の前記吐出口は、長尺状であるか、または、所定の方向に並んだ複数のピンホールである、請求項１又は２に記載の塩素バイパス設備。
4. 前記抽気管の内部に堆積するダストの堆積量を測定するダスト測定部と、
   前記ダスト測定部により測定された前記ダストの堆積量に基づいて、前記高圧気体噴射部による前記抽気管内への前記高圧気体の噴射の有無を制御する制御部と、
   をさらに有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の塩素バイパス設備。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の塩素バイパス設備を有するセメントクリンカ製造装置。
6. 請求項５に記載のセメントクリンカ製造装置を用いてセメントクリンカを製造するセメントクリンカの製造方法。
7. セメントキルンの窯尻、ライジングダクトまたはこれらの間の抽気口からキルン排ガスを抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、
   前記抽気口に接続された抽気管の内部の温度低下を抑制しながら、前記抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去工程と、
   前記ダストを前記抽気ガスとともに、断熱部材によって断熱された前記抽気管を介して分級部に導入し、前記抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、
   を含む、塩素バイパス設備の運転方法。
8. セメントクリンカ製造装置によって塩素含有廃棄物を処理する方法であって、
   前記塩素含有廃棄物を、セメント原料および／またはセメント焼成の熱エネルギーとしてセメントキルンへ投入する投入工程と、
   前記セメントキルンの窯尻、ライジングダクトまたはこれらの間の抽気口からキルン排ガスを抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、
   前記抽気口に接続された抽気管の内部の温度低下を抑制しながら、前記抽気管の内部に気体を吐出することで堆積するダストを除去する堆積ダスト除去工程と、
   前記ダストを前記抽気ガスとともに、断熱部材によって断熱された前記抽気管を介して分級部に導入し、前記抽気ガスから原料ダストの粗粉を分離し、前記原料ダストの微粉を含む７７０℃以上の温度を有する導出ガスを得る分級工程と、
   を含む、塩素含有廃棄物処理方法。

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