JP7612651B2 - 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法に関する。

最近のスマートフォンや携帯電話、ＰＣ（Personal Computer）などの電子機器では、表示パネルの額縁（ベゼル）に、カメラなどの種々のセンサを搭載している。その一方で、画面サイズに影響を与えずに電子機器の外形サイズをできるだけコンパクトにしたい要求があり、ベゼル幅は狭まる傾向にある。このような背景から、表示パネルの真下にカメラモジュールを配置して、表示パネルを通過した被写体光をカメラモジュールで撮影する技術が提案されている。

米国特許公開公報２０１８／００６９０６０

表示パネルには、外部からの水分等の混入を防止するための封止材が必要であり、封止材には一般にポリイミドが用いられる。ポリイミドは、耐熱性にも優れており、ＴＦＴを形成する際の熱処理工程にも耐えることができる。

しかしながら、ポリイミドは可視光透過率が低いため、上述したように、表示パネルを通してカメラモジュールで撮影を行うと、撮影画質が悪くなる。

ポリイミドを透明化する開発も進められているが、ポリイミドを透明化すると、一般には耐熱性が悪くなり、表示パネルに形成されるＴＦＴの電気的特性が劣化するおそれがある。

そこで、本開示では、表示品質を損なうことなく、透過率を向上させることができる表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本開示によれば、基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有する、表示装置が提供される。

前記第２表示領域は、前記基板上の表示面と反対の面側に配置されるセンシング装置と対向する領域であってもよい。

前記第１表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第１透過率を有する第１膜を備えてもよい。

前記第２表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第２透過率を有する第２膜を備えてもよい。

前記第２膜は、前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を含む前記第２表示領域の少なくとも一部の領域における前記表示面と反対の面側に配置されてもよい。

前記第２表示領域内の発光領域の面積に対して、前記第２膜の面積は３０％以上であってもよい。

前記第２膜は、赤外光をカットする機能を有してもよい。

前記第２膜は、前記第１膜の一部を除去した開口部に配置され、
前記第１膜及び前記第２膜の境界部分の透過率は、前記第１膜から前記第２膜にかけて連続的又は段階的に異なっていてもよい。

前記第１膜は、ポリイミドを含有し、
前記第２膜は、前記第１膜のポリイミドよりも透過率の高い材料を含有してもよい。

前記第２膜は、凹部及び凸部の少なくとも一方を有してもよい。

前記第２膜を用いて構成される光学レンズを有してもよい。

前記第２膜を用いて構成されるモスアイ構造層を有してもよい。

前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を除く少なくとも一部には前記第１膜が設けられ、
前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分には前記第１膜の開口部が設けられてもよい。

前記第１透過率は、波長４００ｎｍの可視光に対して０～５０％の透過率を有し、
前記第２透過率は、前記可視光に対して５１～１００％の透過率を有してもよい。

本開示によれば、表示装置と、
前記表示装置の表示面とは反対側に配置されるセンシング装置と、を備え、
前記表示装置は、
基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有する
、電子機器が提供される。

前記センシング装置は、撮像センサを有してもよい。

前記センシング装置は、生体情報検出センサを有してもよい。

前記第２表示領域は、前記表示面の複数箇所に設けられ、
複数箇所の前記第２表示領域に対応づけて、複数の前記センシング装置が配置されてもよい。

複数箇所の前記第２表示領域のうち少なくとも二つの前記第２表示領域の前記第２透過率は、それぞれ異なっていてもよい。

本開示によれば、第１支持基板の上に、第１透過率の第１膜を形成する工程と、
前記第１膜の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に、第２支持基板を形成する工程と、
前記第１支持基板を除去する工程と、
センシング装置の配置場所に合わせて前記第１膜に開口部を形成する工程と、を備える表示装置の製造方法が提供される。

前記開口部に、前記第１透過率よりも高い第２透過率の第２膜を形成してもよい。

本開示によれば、支持基板の上に、第１透過率の第１膜を形成する工程と、
センシング装置の配置場所に合わせて前記第１膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に絶縁部材を充填する工程と、
前記第１膜の上に、第１保護膜を形成する工程と、
前記第１保護膜の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、第２保護膜を形成する工程と、
前記絶縁部材を除去して、前記第１膜に前記開口部を形成する工程と、を備える、製造方法が提供される。

前記絶縁部材を除去して形成された前記開口部に、前記第１膜よりも透過率の高い第２膜を形成する工程を備えてもよい。

第１の実施形態による表示装置を搭載した電子機器の模式的な外観図。 第２表示領域の一部を示す模式的な断面図。 第１表示領域の一部を示す模式的な断面図。 第１表示領域及び第２表示領域を有する表示装置の模式的な断面図。 第２表示領域に第１膜と第２膜を配置した表示装置の模式的な断面図。 第１の実施形態による表示装置の製造工程を示す断面図。 図３Ａに続く工程断面図。 図３Ｂに続く工程断面図。 図３Ｃに続く工程断面図。 図３Ｄに続く工程断面図。 図３Ｅに続く工程断面図。 透過部材の中心から周縁にかけて、透過率の低い領域の密度が段階的に大きくなる例を示す図。 透過部材の中心から周縁にかけて、透過率が連続的に変化する例を示す図。 透過部材にレンズを形成する工程を示す断面図。 図５Ａに続く工程断面図。 図５Ｂに続く工程断面図。 図５Ｃに続く工程断面図。 図５Ｄに続く工程断面図。 図５Ｅに続く工程断面図。 インプリント工程の手順の一例を模式的に説明する図。 図６Ａに続く工程断面図。 第２の実施形態による表示装置の製造工程を示す断面図。 図７Ａに続く工程断面図。 図７Ｂに続く工程断面図。 図７Ｃに続く工程断面図。 図７Ｄに続く工程断面図。 図７Ｅに続く工程断面図。 第３の実施形態による表示装置の製造工程を示す断面図。 図８Ａに続く工程断面図。 図８Ｂに続く工程断面図。 図８Ｃに続く工程断面図。 図８Ｄに続く工程断面図。 図８Ｅに続く工程断面図。 第４の実施形態による表示装置の製造工程を示す断面図。 図９Ａに続く工程断面図。 図９Ｂに続く工程断面図。 図９Ｃに続く工程断面図。 図９Ｄに続く工程断面図。 図９Ｅに続く工程断面図。 図９Ｆに続く工程断面図。 図９Ｂ及び図９Ｃの代わりに実施される工程の断面図。 図１０Ａに続く工程断面図。 図１０Ｂに続く工程断面図。 第５の実施形態による表示装置の製造工程を示す断面図。 図１１Ａに続く工程断面図。 図１１Ｂに続く工程断面図。 図１１Ｃに続く工程断面図。 図１１Ｄに続く工程断面図。 図１１Ｅに続く工程断面図。 図１１Ｆに続く工程断面図。 図１１Ｇに続く工程断面図。 図１１Ｈに続く工程断面図。 図１１Ｉに続く工程断面図。 第６の実施形態による電子機器の平面図。 第７の実施形態による電子機器に搭載されるカメラモジュールの撮像部の断面構造を示す図。 第１～第７の実施形態の電子機器をカプセル内視鏡に適用した場合の平面図。 第１～第７の実施形態の電子機器をデジタル一眼レフカメラに適用した場合の背面図。 第１～第７の実施形態の電子機器２をＨＭＤに適用した例を示す平面図。 現状のＨＭＤを示す図。

以下、図面を参照して、表示装置の実施形態について説明する。以下では、表示装置の主要な構成部分を中心に説明するが、表示装置１には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。

（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態による表示装置１を搭載した電子機器２の模式的な外観図である。図１の電子機器２は、スマートフォンや携帯電話、タブレット、ＰＣなど、表示機能と撮影機能を兼ね備えた任意の電子機器２である。図１の電子機器２は、表示装置１の表示面１ａとは反対側に配置されるカメラモジュール（撮像部）３を備えている。図１では、カメラモジュール３の配置場所を破線で示している。このように、図１Ａの電子機器２は、表示装置１の表示面１ａの裏側にカメラモジュール３を設けている。したがって、カメラモジュール３は、表示装置１を通して撮影を行うことになる。本明細書では、表示装置１の表示面１ａ側を表（おもて）面、カメラモジュール３が配置される側を裏面と呼ぶ。

本実施形態は、表示装置１の裏面側のカメラモジュール３の配置場所と重なる一部の表示領域の透過率を高くしている。

本実施形態による表示装置１は、基板上に配置される第１表示領域Ｄ１及び第２表示領域Ｄ２を備えている。第１表示領域Ｄ１においては、基板は第１透過率を有する。第２表示領域Ｄ２においては、基板は第１透過率よりも高い第２透過率を有する。第２表示領域Ｄ２は、基板上の表示面と反対の面側に配置されるカメラモジュール３等のセンシング装置と対向する領域でありうる。

図２Ａは第２表示領域Ｄ２の一部を示す模式的な断面図、図２Ｂは第１表示領域Ｄ１の一部を示す模式的な断面図、図２Ｃは第１表示領域Ｄ１及び第２表示領域Ｄ２を有する表示装置１の模式的な断面図である。図２Ａ及び図２Ｂには、隣接する３画素の領域が示されている。各画素は上部電極４、発光層５及び下部電極６を有する。実際には、複雑な層構成を有するが、図２Ａ及び図２Ｂでは簡略化して示している。図２Ａ及び図２Ｂの上面が表示面１ａであり、下面側にカメラモジュール３が配置される。

図２Ｂに示すように、第１表示領域Ｄ１の下部電極６の下には、ベースフィルム７が配置されている。このベースフィルム７は、透過率の低い不透明なポリイミドで形成されている。ベースフィルム７の透過率が低いと、表示面１ａ側からの光がベースフィルム７で遮断されて、カメラモジュール３に入射される光量が少なくなる。そこで、本実施形態では、第２表示領域Ｄ２については、図２Ａに示すように、下部電極６の下に、ベースフィルム７を配置していない。図２Ａ及び図２Ｂでは、ベースフィルム７を第１膜７ｂと呼び、第２表示領域Ｄ２における下部電極６の下に、ベースフィルム７（第１膜７ｂ）よりも透過率の高い第２膜７ｃを配置した例を示している。図２Ｃに示すように、第２表示領域Ｄ２は、表示装置１の基板上の表示面１ａと反対の面１ｂ側に配置されるカメラモジュール３と対向する領域である。

図２Ｂでは、第２表示領域Ｄ２の全域にわたって、下部電極６の下に第２膜７ｃを配置する例を示しているが、図２Ｄに示すように、第２表示領域Ｄ２の下部電極６の下に第１膜７ｂを配置するとともに、第１膜７ｂに部分的に開口部７ａを設け、開口部７ａ内に第２膜７ｃを配置してもよい。図２Ｄにおける第２膜７ｃは、第２表示領域Ｄ２内の隣接する画素の境界部分を含む第２表示領域Ｄ２の少なくとも一部の領域における表示面１ａと反対の面１ｂ側に配置されている。

開口部７ａは、少なくとも画素の境界部分に設けられている。カメラモジュール３に十分な光が入射されるには、第２表示領域Ｄ２内の発光領域の面積に対して、開口部７ａ又は第２膜７ｃの面積は３０％以上が望ましい。

後述するように、第２膜７ｃは赤外光をカットする機能を有していてもよい。また、第１膜７ｂ及び第２膜７ｃの境界部分の透過率は、第１膜７ｂから第２膜７ｃにかけて連続的又は段階的に相違していてもよい。

第１透過率は、例えば波長４００ｎｍの可視光に対して０～５０％の透過率を有し、第２透過率は、例えば可視光に対して５１～１００％の透過率を有する。

一方、第１表示領域Ｄ１については、図２Ｂに示すように、画素の境界部分にもベースフィルム７が配置されており、開口部は設けられていない。

これにより、カメラモジュール３の配置場所と重なる第２表示領域Ｄ２のカメラモジュール３側の透過率をより高くすることができ、カメラモジュール３に入射される光量を増やせることから、撮影画像の画質を向上できる。

本実施形態による表示装置１は、上述した第２表示領域Ｄ２のカメラモジュール３側の透過率をより高くしたことに特徴がある。以下では、本実施形態による表示装置１の構成及びその製造工程を説明する。本実施形態による表示装置１は、自発光を行う有機ＥＬ素子を備えた表示装置１に適用可能であるが、液晶表示装置１にも適用可能である。

通常のカメラモジュール３は、主に可視光を撮像するため、可視光に対する透過率が低いものを不透明と呼ぶことが多いが、表示装置１の裏面側に配置されるカメラモジュール３が例えば赤外光を撮像するものである場合、赤外光に対する透過率が低いものが不透明になる。

このように、透明か不透明かの基準や、透過率の値は、表示装置１の裏面側に配置されるカメラモジュール３が検出感度を有する光の波長との兼ね合いで決まる。以下では、主に、可視光を検出又は撮像するカメラモジュール３を表示装置１の裏面側に配置することを前提に、可視光透過率の高いものを透明、可視光透過率の低いものを不透明と呼ぶ。

図３Ａ～図３Ｆは第１の実施形態による表示装置１の製造工程を示す断面図である。図３Ａ～図３Ｆは、図２の第２表示領域Ｄ２の一部の断面構造を示している。図３Ａ～図３Ｆでは、本実施形態による表示装置１の特徴部分に関連のある層構成を示しており、実際の表示装置１には、図示されていない層が存在しうる。例えば、最近の表示装置１の大半は、タッチパネル方式を採用しており、表示装置１の層構成の中にタッチセンサ層が設けられるが、図３Ａ～図３Ｆでは省略している。また、図３Ａ～図３Ｆでは、有機ＥＬ素子を発光させる発光層５をＥＬ層１５として図示しているが、実際には発光層５は複数の層で構成されうる。また、有機ＥＬ素子の発光を制御する複数のＴＦＴをＴＦＴ層１４として図示しているが、実際にはＴＦＴ層１４は複数の層で構成されうる。

まず、図３Ａに示すように、ガラス基板１１上に、ベースフィルム１２、第１保護膜１３、ＴＦＴ層１４、ＥＬ層１５、第２保護膜１６、及び透明フィルム１７を順に形成する。ベースフィルム１２は、封止材として機能し、通常は耐熱性に優れた不透明なポリイミドで形成される。第１保護膜１３は、ＳｉＮ又はＳｉＯ_２等の透過性の高い絶縁膜で形成される。ＴＦＴ層１４は、ドレイン領域及びソース領域等に不純物イオンを注入して熱拡散させて形成される。ＥＬ層１５は、実際には、電子注入層、電子輸入層、発光層５、正孔輸送層、電荷発生層、電子輸入層などの複数の層からなる。第２保護膜１６は、ＳｉＮ又はＳｉＯ_２等の透過性の高い絶縁膜で形成される。図３Ａの工程は、通常の有機ＥＬ表示装置１の工程と同じである。

図３Ａに示す各層のうち、不透明な層はベースフィルム１２であり、その他の層（犠牲層を除く）は、ベースフィルム１２よりも透過率が高い材料で形成されている。

次に、図３Ｂに示すように、透明フィルム１７の上に、犠牲層１８を介してガラス基板１９を形成する。犠牲層１８は、後の工程でレーザリフトオフによりガラス基板１９を剥離する際に、レーザ光を吸収してガラス基板１９を剥離しやすくする目的で設けられる。

次に、図３Ｃに示すように、ベースフィルム１２上のガラス基板１１を除去して、ベースフィルム１２を露出させる。ガラス基板１１の除去は、ＢＧＲやＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）で行ってもよいし、レーザリフトオフによりガラス基板１１を剥離してもよい。

次に、図３Ｄに示すように、表裏を逆にして、露出されたベースフィルム１２の上にレジスト１０を塗布して、リソグラフィによりレジスト１０をパターニングする。より具体的には、カメラモジュール３の配置場所と重なる場所に合わせて、レジスト１０に開口部１２ａを設ける。そして、レジスト１０をマスクにして、レジスト１０の開口部１２ａに位置するベースフィルム１２の一部をエッチングする。

次に、図３Ｅに示すように、レジスト１０を剥離してベースフィルム１２を露出させる。ベースフィルム１２の一部（カメラモジュール３の配置場所と重なる領域）は、上述したエッチングにより削られて開口部１２ａが形成されている。この開口部１２ａには透過部材２０が形成される。透過部材２０は、例えば透明ポリイミドでもよい。なお、透過部材２０は図２の第２膜７ｃに該当し、ベースフィルム１２は第１膜７ｂに該当する。

上述したように、透明ポリイミドは、不透明の既存のポリイミドよりも、耐熱性に劣ることが多い。ただし、本実施形態では、カメラモジュール３と重なる部分のみ、限定的に透明ポリイミドを形成している。ベースフィルム１２自体は耐熱性を備えているため、高熱をかけて拡散工程を行うことができることから、ＴＦＴ層１４に形成されるＴＦＴの電気的特性が低下するおそれはない。

図３Ｅの工程の後に、図３Ｆに示すように、レーザリフトオフによりガラス基板１９を剥離する。ガラス基板１９に照射されたレーザ光は犠牲層１８で吸収され、犠牲層１８の上に形成されたガラス基板１９を容易に剥離することができる。これにより、可撓性に優れたフレキシブル基板形状の表示装置１が得られる。表示装置１は、湾曲形状にして使うこともできるため、利用価値が高くなる。

図３Ｆの工程の後に、ベースフィルム１２の一部に形成された透過部材２０に対向させてカメラモジュール３を取り付けることができる。なお、後述するように、本実施形態による表示装置１の裏面側には、カメラモジュール３以外の種々のセンサモジュールを取り付けてもよい。例えば、指紋センサ等の種々の生体情報検出センサを、ベースフィルム１２の透過部材２０に対向して配置してもよい。以下では、カメラモジュール３を含む任意の種類のセンシングを行う構造体を総称して、センシング装置と呼ぶ。

図３Ａ～図３Ｆの製造工程にて作製される表示装置１では、ベースフィルム１２の一部に形成された透過部材２０のセンシング装置側の透過率（第２透過率）は、ベースフィルム１２のセンシング装置側の透過率（第１透過率）よりも高くしている。ベースフィルム１２の一部に形成される透過部材２０は、表示装置１の画素の境界部分に形成することができる。本明細書では、センシング装置に対向しない表示領域を第１表示領域Ｄ１と呼び、センシング装置に対向する表示領域を第２表示領域Ｄ２と呼ぶ。第１表示領域Ｄ１内の表示面１ａと反対の面側の透過率が第１透過率であり、第２表示領域Ｄ２内の表示面１ａと反対の面側（センシング装置側）の透過率が、第１透過率よりも高い第２透過率である。

透過部材２０は、ベースフィルム１２よりも透過率が高いだけでなく、赤外光をカットする機能を備えていてもよい。透過部材２０が赤外光をカットする機能を持っていれば、センシング装置側に赤外光カットフィルム等を設けなくて済み、センシング装置の構成を簡略化できる。

ベースフィルム１２と透過部材２０の透過率が大きく異なる場合には、ベースフィルム１２と透過部材２０との境界が表示面１ａを通して視認されるおそれがある。そこで、図４Ａ又は図４Ｂに示すように、ベースフィルム１２及び透過部材２０の境界部分の透過率を、ベースフィルム１２から透過部材２０にかけて連続的又は段階的に相違させてもよい。図４Ａ及び図４Ｂでは、透過率が低い箇所を黒色で表している。図４Ａは、透過部材２０の中心から周縁にかけて、透過率の低い領域の密度が段階的に大きくなる例を示している。図４Ｂは、透過部材２０の中心から周縁にかけて、透過率が連続的に変化する例を示している。

図３Ａ～図３Ｅの工程で製造した透過部材２０には、例えばカメラモジュール３用のレンズを形成することができる。図５Ａ～図５Ｆは透過部材２０にレンズを形成する工程を示す断面図である。図５Ａは、図３Ｅと同様の断面構造を示している。次に、図５Ｂに示すように、ベースフィルム１２の一部に形成された透過部材２０の一部を除去して凹部２０ａを形成する。この凹部２０ａは、例えばエッチングやインプリントなどにより形成可能である。図６Ａ及び図６Ｂはインプリント工程の手順の一例を模式的に説明する図である。まず、図６Ａに示すように、透過部材２０の表面に、インプリントの原盤２１を押圧して熱をかけるか、光を照射し、原盤２１の外形形状を透過部材２０に転写する。次に、原盤２１を離型させて、熱処理や光照射等を行う。これにより、透過部材２０の表面形状を、レンズの外形形状に見合った形状にすることができる。

このように、インプリント工程を行うことで、透過部材２０の表面に、凹部と凸部の少なくとも一方を形成することができる。

図５Ｂの工程が終わると、次に、図５Ｃに示すように、ＣＭＯＳイメージセンサのオンチップレンズの製造工程と同様の工程にて、上述した凹部２０ａの内部も含めて、ベースフィルム１２の上に透明樹脂層２２を形成する。

次に、図５Ｄに示すように、透明樹脂層２２の上にレジスト２３を塗布してパターニングし、透過部材２０の直上のみにレジスト２３を残す。次に、図５Ｅに示すように、レジスト２３をマスクにして、透明樹脂層２２を部分的にエッチングにより除去し、その後にレジスト２３を除去する。これにより、透過部材２０の一部に、透明樹脂層２２でレンズ２４が形成される。このレンズ２４は、例えば凸レンズである。レンズ２４の外形形状に合わせて、図５Ｂで透過部材２０の表面加工と、図５Ｄのレジスト２３のパターニングを行うことで、所望の外形形状のレンズを形成できる。

次に、図５Ｆに示すように、図３Ｆと同様に、例えばレーザリフトオフによりガラス基板１９を剥離することで、フレキシブル基板形状のレンズ付きの表示装置１が得られる。このレンズは、カメラモジュール３等のセンシング装置に光を集光させるために使用できる。

図５Ａ～図５Ｆでは、透過部材２０の表面を加工して凸レンズを形成する例を説明したが、例えばインプリント工程を用いることで、透過部材２０を種々の形状に加工できる。例えば、透過部材２０を加工して、微細な凹凸を有するモスアイ構造層を形成することも可能である。モスアイ構造層は、反射を抑制する機能を有するため、例えば、発光層５とカメラモジュール３のレンズとの間にモスアイ構造層を配置することで、レンズに入射される光の光量を増やすことができ、撮影画質を向上できる。

このように、第１の実施形態では、不透明なポリイミドで形成されるベースフィルム１２の一部に、カメラモジュール３等のセンシング装置の配置場所に合わせて開口部１２ａを設けて、この開口部１２ａに透過部材２０を形成するため、透過部材２０を通して十分な光をセンシング装置に導くことができ、センシング装置の検出感度を向上できる。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａに透過部材２０を形成したが、開口部１２ａのままにしておいてもよい。開口部１２ａのまま、すなわち、開口部１２ａの内部に透過部材２０を配置しなくても、開口部１２ａのセンシング装置側の透過率は、ベースフィルム１２のセンシング装置側の透過率よりも高くなる。このため、開口部１２ａに対向してセンシング装置を配置することで、センシング装置に入射される光の量を増やすことができる。

図７Ａ～図７Ｆは第２の実施形態による表示装置１の製造工程を示す断面図である。図７Ａ～図７Ｄは、図３Ａ～図３Ｄと同じである。図３Ｅでは、露出されたベースフィルム１２に、センシング装置の配置場所に合わせて開口部１２ａを形成し、この開口部１２ａに透過部材２０を形成したが、図７Ｅでは、開口部１２ａを形成したままにし、開口部１２ａ内には透過部材２０を形成しない。次に、図７Ｆに示すように、レーザリフトオフによりガラス基板１９を剥離することで、フレキシブル基板形状の可撓性に優れた表示装置１が得られる。

図７Ｆの工程の後、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａに対向させてカメラモジュール３等のセンシング装置を配置してもよいし、ベースフィルム１２を保護するために、開口部１２ａを残したままで、ベースフィルム１２の表面を透過性の保護膜で覆ってもよい。この場合、開口部１２ａは、ベースフィルム１２と保護膜で封止された空隙部となり、高い透過性が維持される。

このように、第２の実施形態では、ベースフィルム１２の一部に、センシング装置の配置場所に合わせて開口部１２ａを形成するため、開口部１２ａを通してセンシング装置に十分な光を入射させることができる。開口部１２ａに他の部材を形成する工程を省略できるため、第１の実施形態よりも製造工程を簡略化できる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態は、表示装置１を作製する際に熱をかける工程が終了した後に、ポリイミドからなるベースフィルム１２を除去するものである。

表示装置１のベースフィルム１２として不透明なポリイミドを用いる理由は、耐熱性に優れているためである。表示装置１では、ポリシリコン等を用いてＴＦＴ層１４を形成する必要があるが、ＴＦＴ層１４の形成には、不純物イオンの拡散処理が欠かせない。拡散処理では、熱処理が行われるため、例えば透明ポリイミドをベースフィルム１２として用いた場合は、あまり高い熱をかけられないために、ＴＦＴの電気的特性が悪くなるおそれがある。

そこで、本実施形態では、表示装置１の熱をかける工程が終わるまでは、不透明なポリイミドを用いたベースフィルム１２を形成しておき、熱をかける工程が終了すると、ベースフィルム１２を剥離する。

図８Ａ～図８Ｆは第３の実施形態による表示装置１の製造工程を示す断面図である。図８Ａ～図８Ｃは、図３Ａ～図３Ｃと同じである。図８Ｄに示すように、ガラス基板１１を除去（剥離）してベースフィルム１２を露出させた段階では、ＴＦＴ層１４とＥＬ層１５の形成はすでに終わっており、その後に高熱をかける工程は存在しない。そこで、図８Ｅに示すように、ベースフィルム１２をエッチング等により除去する。このとき、ＳｉＮ等からなる保護膜をエッチングストッパ層として用いる。次に、図８Ｆに示すように、レーザリフトオフにより、ガラス基板１９を剥離する。

ベースフィルム１２を除去したことで、表示装置１の保護機能及び封止機能が不十分になる場合には、透明樹脂層２２などを保護膜の上に配置してもよい。

このように、第３の実施形態では、表示装置１を作製する際の熱をかける工程が終わるまでは、不透明なポリイミドからなるベースフィルム１２を形成しておき、熱をかける工程が終わると、ベースフィルム１２を除去する。これにより、第２表示領域Ｄ２の全域の透過率を高くすることができ、十分な光をセンシング装置に入射させることができる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態は、ベースフィルム１２の一部に開口部１２ａを形成する工程順序が、第１～第３の実施形態とは異なるものである。

図９Ａ～図９Ｇは第４の実施形態による表示装置１の製造工程を示す断面図である。まず、図９Ａに示すように、ガラス基板１１の上に不透明なポリイミドからなるベースフィルム１２を形成し、センシング装置の配置場所に合わせて、ベースフィルム１２に開口部１２ａを形成する。ここでは、例えば、ベースフィルム１２の上にレジストを塗布してパターニングし、エッチングにより開口部１２ａを形成する。

次に、図９Ｂに示すように、開口部１２ａの内部を含めて、ベースフィルム１２の上面をＳｉＯ_２やＳｉＮ等の透過性の高い絶縁膜２５で覆う。次に、図９Ｃに示すように、ベースフィルム１２の上面に形成された絶縁膜２５を例えばＣＭＰにより除去し、ベースフィルム１２と開口部１２ａ内の絶縁膜２５を露出させる。

次に、図９Ｄに示すように、ベースフィルム１２の上に、第１保護膜１３、ＴＦＴ層１４、ＥＬ層１５、第２保護膜１６、及び透明フィルム１７を順に形成する。

次に、図９Ｅに示すように、エッチングやレーザリフトオフ等によりガラス基板１１を除去（剥離）し、ベースフィルム１２を露出させる。

次に、図９Ｆに示すように、ベースフィルム１２の開口部１２ａの内部に形成された絶縁膜２５を例えばエッチングにより除去する。このとき、ベースフィルム１２の下の第２保護膜１６がエッチングストッパ層として機能する。

次に、図９Ｇに示すように、開口部１２ａの内部を含めてベースフィルム１２の上面の全体を透過部材２０で覆う。これにより、フレキシブル基板形状の表示装置１が得られる。

図９Ａ～図９Ｇでは、表示装置１の製造工程の初期段階でベースフィルム１２内に開口部１２ａを形成して、この開口部１２ａ内に耐熱性の高い絶縁膜２５を形成した状態で、表示装置１の各層を順に形成し、最後に、開口部１２ａ内の絶縁膜２５を本来の透過部材２０に置換する。

上述した図９Ｃの工程では、絶縁膜２５をＣＭＰ等で除去して、ベースフィルム１２と開口部１２ａ内の絶縁膜２５を露出させているが、予めベースフィルム１２の上面にストッパ層を設けておいてもよい。

図１０Ａ～図１０Ｃは、図９Ｂ及び図９Ｃの代わりに実施される工程の断面図である。まず、図９Ａに示すように、ベースフィルム１２の一部に開口部１２ａを形成した後、図１０Ａに示すように、開口部１２ａの内壁部分を含めて、ベースフィルム１２の上面をストッパ層２６で覆う。ストッパ層２６は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により、形成される。

次に、図１０Ｂに示すように、ストッパ層２６の上に絶縁膜２５を形成する。次に、エッチングにより、ストッパ層２６の上の絶縁膜２５を除去し、ストッパ層２６と開口部１２ａ内の絶縁層２５を露出させる。

このように、第４の実施形態では、表示装置１の製造工程の初期段階でベースフィルム１２に開口部１２ａを形成するため、ベースフィルム１２の下にエッチングストッパ層２６などを配置する必要がなく、開口部１２ａを簡易に形成できる。また、開口部１２ａには、耐熱性の高い仮の絶縁膜２５を形成し、最終段階で絶縁膜２５を透過部材２０に置換するため、表示装置１の製造時に高熱をかけることができ、電気的特性に優れた表示装置１を作製できる。

（第５の実施形態）
上述した第１～第４の実施形態による表示装置１では、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａに対向させて、種々のセンシング装置を配置することができる。以下では、生体情報を検出するセンシング装置の一例として、レンズを必要としない指紋センサを配置する例を説明する。

図１１Ａ～図１１Ｊは第５の実施形態による表示装置１の製造工程を示す断面図である。図１１Ａ～図１１Ｅは図７Ａ～図７Ｅと同様である。ただし、本実施形態では、指紋センサ３１を配置することを想定しているため、ベースフィルム１２の一部に形成される開口部１２ａの開口サイズは、指紋センサ３１の外形形状に合致するサイズになる。より具体的には、開口部１２ａの開口サイズは、指紋センサ３１の外形サイズよりも大きくする必要がある。

次に、図１１Ｆに示すように、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａ内に指紋センサ３１を形成する。指紋センサ３１は、外側にはレンズを必要としないが、指紋センサ３１の内部にはインナーレンズ３１ａが設けられている。

上述したように、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａの開口サイズは、指紋センサ３１の外形サイズよりも大きいため、開口部１２ａの内部に指紋センサ３１を配置すると、開口部１２ａの内壁面と指紋センサ３１の外壁面との間には隙間が形成される。そこで、図１１Ｇに示すように、この隙間を含めて、ベースフィルム１２の上面の全体に接着層又は絶縁膜３２を形成する。この場合の絶縁膜３２は、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮなどである。

次に、図１１Ｈに示すように、接着層又は絶縁膜３２をＣＭＰやエッチング等により除去し、ベースフィルム１２を露出させる。これにより、開口部１２ａの内壁面と指紋センサ３１の外壁面の間には、接着層又は絶縁膜３２が充填される。

次に、図１１Ｉに示すように、指紋センサ３１のパッド部３３の上に形成された接着層又は絶縁膜３２をリソグラフィ及びエッチングにて除去し、パッド部３３を露出させる。次に、図１１Ｊに示すように、指紋センサ３１のパッド部３３にボンディングワイヤ３４を接続し、配線接続を行う。

このように、第５の実施形態では、ベースフィルム１２の一部に形成された開口部１２ａに直接センシング装置を配置することができる。

（第６の実施形態）
第６の実施形態は、表示装置１の表示面１ａとは反対側に複数のセンシング装置を配置するものである。

図１２は第６の実施形態による電子機器２の平面図である。図１２の電子機器２は、表示装置１の表示面１ａとは反対側に３つのセンシング装置３０を配置している。なお、センシング装置３０の数は３個に限定されない。また、センシング装置３０が検知する対象も任意である。例えば、３つのセンシング装置３０がいずれもカメラモジュールで、それぞれ焦点距離が異なっていてもよい。あるいは、カメラモジュールと２つの生体情報検出センシング装置とを組み合わせて配置してもよい。

表示装置１のベースフィルム１２には、各センシング装置３０に対応づけて、開口部１２ａが形成されている。開口部１２ａには、透過部材２０が配置されていてもよいし、開口のままでもよい。センシング装置３０の種類によって、入射光の最適な光量が異なる可能性があるため、開口部１２ａに透過部材２０を配置する場合には、透過部材２０の透過率を各センシング装置３０に応じた値に設定するのが望ましい。

このように、第６の実施形態では、表示装置１の裏面側に複数種類のセンシング装置３０を配置し、各センシング装置３０と重なる場所に配置される透過部材２０の透過率を個別に最適化するため、すべてのセンシング装置３０の検出感度を向上させることができる。

（第７の実施形態）
第７の実施形態による電子機器２は、カメラモジュール３の光学系が第１～第６の実施形態とは異なるものである。

図１３は第７の実施形態による電子機器２に搭載されるカメラモジュール３の撮像部の断面構造を示す図である。図１３の撮像部は、単一のレンズ又は単一のレンズを光軸方向に並べたレンズ群ではなく、マイクロレンズアレイ６４を有する。

より詳細には、図１３の撮像部は、筐体６３の底面に沿って配置される光電変換部４ａと、光電変換部４ａの上方に配置されるマイクロレンズアレイ６４と、隣接するマイクロレンズ６５の間に配置される複数の遮光体６６と、マイクロレンズアレイ６４の上方に配置される導光板６７とを有する。図１３の撮像部は、上述した第１～第８の実施形態のいずれにも適用可能である。

（第８の実施形態）
上述した第１～第７の実施形態で説明した構成を備えた電子機器２の具体的な候補としては、種々のものが考えられる。例えば、図１４は第１～第７の実施形態の電子機器２をカプセル内視鏡５０に適用した場合の平面図である。図１４のカプセル内視鏡５０は、例えば両端面が半球状で中央部が円筒状の筐体５１内に、体腔内の画像を撮影するためのカメラ（超小型カメラ）５２、カメラ５２により撮影された画像データを記録するためのメモリ５３、および、カプセル内視鏡５０が被験者の体外に排出された後に、記録された画像データをアンテナ５４を介して外部へ送信するための無線送信機５５を備えている。

また、筐体５１内には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）５６およびコイル（磁力・電流変換コイル）５７が設けられている。ＣＰＵ５６は、カメラ５２による撮影、およびメモリ５３へのデータ蓄積動作を制御するとともに、メモリ５３から無線送信機５５による筐体５１外のデータ受信装置（図示せず）へのデータ送信を制御する。コイル５７は、カメラ５２、メモリ５３、無線送信機５５、アンテナ５４および後述する光源５２ｂへの電力供給を行う。

さらに、筐体５１には、カプセル内視鏡５０をデータ受信装置にセットした際に、これを検知するための磁気（リード）スイッチ５８が設けられている。ＣＰＵ５６は、このリードスイッチ５８がデータ受信装置へのセットを検知し、データの送信が可能になった時点で、コイル５７からの無線送信機５５への電力供給を行う。

カメラ５２は、例えば体腔内の画像を撮影するための対物光学系を含む撮像素子５２ａ、体腔内を照明する複数の光源５２ｂを有している。具体的には、カメラ５２は、光源５２ｂとして、例えばLED（Light Emitting Diode）を備えたCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサやCCD（Charge Coupled Device）等によって構成される。

第１～第７の実施形態の電子機器２における表示装置１は、図１４の光源５２ｂのような発光体を含む概念である。図１４のカプセル内視鏡５０では、例えば２個の光源５２ｂを有するが、これらの光源５２ｂを、複数の光源部を有する表示パネルや、複数のＬＥＤを有するＬＥＤモジュールで構成可能である。この場合、表示パネルやＬＥＤモジュールの下方にカメラ５２の撮像部を配置することで、カメラ５２のレイアウト配置に関する制約が少なくなり、より小型のカプセル内視鏡５０を実現できる。

また、図１５は第１～第７の実施形態の電子機器２をデジタル一眼レフカメラ６０に適用した場合の背面図である。デジタル一眼レフカメラ６０やコンパクトカメラは、レンズとは反対側の背面に、プレビュー画面を表示する表示装置１を備えている。この表示装置１の表示面とは反対側にカメラモジュール３を配置して、撮影者の顔画像を表示装置１の表示面１ａに表示できるようにしてもよい。第１～第７の実施形態による電子機器２では、表示装置１と重なる領域にカメラモジュール３を配置できるため、カメラモジュール３を表示装置１の額縁部分に設けなくて済み、表示装置１のサイズを可能な限り大型化することができる。

図１６Ａは第１～第７の実施形態の電子機器２をヘッドマウントディスプレイ（以下、ＨＭＤ）６１に適用した例を示す平面図である。図１６ＡのＨＭＤ６１は、ＶＲ（Virtual Reality）、ＡＲ（Augmented Reality）、ＭＲ（Mixed Reality）、又はＳＲ（Substituional Reality）等に利用されるものである。現状のＨＭＤは、図１６Ｂに示すように、外表面にカメラ６２を搭載しており、ＨＭＤの装着者は、周囲の画像を視認することができる一方で、周囲の人間には、ＨＭＤの装着者の目や顔の表情がわからないという問題がある。

そこで、図１６Ａでは、ＨＭＤ６１の外表面に表示装置１の表示面を設けるとともに、表示装置１の表示面の反対側にカメラモジュール３を設ける。これにより、カメラモジュール３で撮影した装着者の顔の表情を表示装置１の表示面に表示させることができ、装着者の周囲の人間が装着者の顔の表情や目の動きをリアルタイムに把握することができる。

図１６Ａの場合、表示装置１の裏面側にカメラモジュール３を設けるため、カメラモジュール３の設置場所についての制約がなくなり、ＨＭＤ６１のデザインの自由度を高めることができる。また、カメラを最適な位置に配置できるため、表示面に表示される装着者の目線が合わない等の不具合を防止できる。

このように、第８の実施形態では、第１～第７の実施形態による電子機器２を種々の用途に用いることができ、利用価値を高めることができる。

なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有する、表示装置。
（２）前記第２表示領域は、前記基板上の表示面と反対の面側に配置されるセンシング装置と対向する領域である、（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第１透過率を有する第１膜を備える、（２）に記載の表示装置。
（４）前記第２表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第２透過率を有する第２膜を備える、（３）に記載の表示装置。
（５）前記第２膜は、前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を含む前記第２表示領域の少なくとも一部の領域における前記表示面と反対の面側に配置される、（４）に記載の表示装置。
（６）前記第２表示領域内の発光領域の面積に対して、前記第２膜の面積は３０％以上である、（４）又は（５）に記載の表示装置。
（７）前記第２膜は、赤外光をカットする機能を有する、（４）乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
（８）前記第２膜は、前記第１膜の一部を除去した開口部に配置され、
前記第１膜及び前記第２膜の境界部分の透過率は、前記第１膜から前記第２膜にかけて連続的又は段階的に異なっている、（４）乃至（７）のいずれか一項に記載の表示装置。
（９）前記第１膜は、ポリイミドを含有し、
前記第２膜は、前記第１膜のポリイミドよりも透過率の高い材料を含有する、（４）乃至（８）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１０）前記第２膜は、凹部及び凸部の少なくとも一方を有する、（４）乃至（９）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１１）前記第２膜を用いて構成される光学レンズを有する、（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記第２膜を用いて構成されるモスアイ構造層を有する、（１０）に記載の表示装置。
（１３）前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を除く少なくとも一部には前記第１膜が設けられ、
前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分には前記第１膜の開口部が設けられる、（３）乃至（１２）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１４）前記第１透過率は、波長４００ｎｍの可視光に対して０～５０％の透過率を有し、
前記第２透過率は、前記可視光に対して５１～１００％の透過率を有する、（１）乃至（１３）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１５）表示装置と、
前記表示装置の表示面とは反対側に配置されるセンシング装置と、を備え、
前記表示装置は、
基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有する、電子機器。
（１６）前記センシング装置は、撮像センサを有する、（１５）に記載の電子機器。
（１７）前記センシング装置は、生体情報検出センサを有する、（１５）に記載の電子機器。
（１８）前記第２表示領域は、前記表示面の複数箇所に設けられ、
複数箇所の前記第２表示領域に対応づけて、複数の前記センシング装置が配置される、（１５）乃至（１７）のいずれか一項に記載の電子機器。
（１９）複数箇所の前記第２表示領域のうち少なくとも二つの前記第２表示領域の前記第２透過率は、それぞれ異なる、（１８）に記載の電子機器。
（２０）第１支持基板の上に、第１透過率の第１膜を形成する工程と、
前記第１膜の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に、第２支持基板を形成する工程と、
前記第１支持基板を除去する工程と、
センシング装置の配置場所に合わせて前記第１膜に開口部を形成する工程と、を備える表示装置の製造方法。
（２１）前記開口部に、前記第１透過率よりも高い第２透過率の第２膜を形成する、（２０）に記載の表示装置の製造方法。
（２２）支持基板の上に、第１透過率の第１膜を形成する工程と、
センシング装置の配置場所に合わせて前記第１膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に絶縁部材を充填する工程と、
前記第１膜の上に、第１保護膜を形成する工程と、
前記第１保護膜の上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、第２保護膜を形成する工程と、
前記絶縁部材を除去して、前記第１膜に前記開口部を形成する工程と、を備える、製造方法。
（２３）前記絶縁部材を除去して形成された前記開口部に、前記第１膜よりも透過率の高い第２膜を形成する工程を備える、（２２）に記載の表示装置の製造方法。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１ 表示装置、１ａ 表示面、２ 電子機器、３ カメラモジュール、４ 上部電極、５ 発光層、６ 下部電極、７ ベースフィルム、７ａ 開口部、７ｂ 第１膜、７ｃ 第２膜、１０ レジスト、１１ ガラス基板、１２ ベースフィルム、１３ 第１保護膜、１４ ＴＦＴ層、１５ ＥＬ層、１６ 第２保護膜、１７ 透明フィルム、１８ 犠牲層、１９ ガラス基板、２０ 透過部材、２０ａ 凹部、２１ 原盤、２２ 透明樹脂層、２３ レジスト、２４ レンズ、２５ 絶縁膜、２６ ストッパ層、３１ 指紋センサ、３１ａ インナーレンズ、３２ 接着層又は絶縁膜、３３ パッド部、３４ ボンディングワイヤ、５０ カプセル内視鏡、５１ 筐体、５２ カメラ、５３ メモリ、５４ アンテナ、５５ 無線送信機、６０ デジタル一眼カメラ、６１ ヘッドマウントディスプレイ、６４ マイクロレンズアレイ、６５ マイクロレンズ、６６ 遮光体

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
   前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
   前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有し、
   前記第２表示領域は、前記基板上の表示面と反対の面側に配置されるセンシング装置と対向する領域であり、
   前記第１表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第１透過率を有する第１膜を備え、
   前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を除く少なくとも一部には前記第１膜が設けられ、
   前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分には前記第１膜の開口部が設けられる、
   表示装置。
2. 前記第２表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第２透過率を有する第２膜を備える、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２膜は、前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を含む前記第２表示領域の少なくとも一部の領域における前記表示面と反対の面側に配置される、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２膜は、前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を含む前記第２表示領域の少なくとも一部の領域における前記表示面と反対の面側に配置される、
   請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記第２膜は、赤外光をカットする機能を有する、
   請求項２乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記第２膜は、前記第１膜の一部を除去した開口部に配置され、前記第１膜及び前記第２膜の境界部分の透過率は、前記第１膜から前記第２膜にかけて連続的又は段階的に異なっている、
   請求項２乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
7. 前記第１膜は、ポリイミドを含有し、
   前記第２膜は、前記第１膜のポリイミドよりも透過率の高い材料を含有する、
   請求項２乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記第２膜は、凹部及び凸部の少なくとも一方を有する、
   請求項２乃至７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記第２膜を用いて構成される光学レンズを有する、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第２膜を用いて構成されるモスアイ構造層を有する、
    請求項８に記載の表示装置。
11. 前記第１透過率は、波長４００ｎｍの可視光に対して０～５０％の透過率を有し、
    前記第２透過率は、前記可視光に対して５１～１００％の透過率を有する、
    請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置。
12. 表示装置と、
    前記表示装置の表示面とは反対側に配置されるセンシング装置と、を備え、
    前記表示装置は、
    基板と、
    前記基板上に配置され、それぞれ複数の画素を有する第１表示領域及び第２表示領域と、を備え、
    前記第１表示領域においては、前記基板は第１透過率を有し、
    前記第２表示領域においては、前記基板は前記第１透過率よりも高い第２透過率を有し、
    前記第２表示領域は、前記センシング装置と対向する領域であり、
    前記第１表示領域内の前記表示面と反対の面側に配置され、前記第１透過率を有する第１膜を備え、
    前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分を除く少なくとも一部には前記第１膜が設けられ、
    前記第２表示領域内の隣接する画素の境界部分には前記第１膜の開口部が設けられる、
    電子機器。
13. 前記センシング装置は、撮像センサを有する、
    請求項１２に記載の電子機器。
14. 前記センシング装置は、生体情報検出センサを有する、
    請求項１２に記載の電子機器。
15. 前記第２表示領域は、前記表示面の複数箇所に設けられ、複数箇所の前記第２表示領域に対応づけて、複数の前記センシング装置が配置される、
    請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の電子機器。
16. 複数箇所の前記第２表示領域のうち少なくとも二つの前記第２表示領域の前記第２透過率は、それぞれ異なる、
    請求項１５に記載の電子機器。
17. 第１支持基板の上に、第１透過率の第１膜を形成する工程と、
    前記第１膜の上に、発光層を形成する工程と、
    前記発光層の上に、保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜の上に、第２支持基板を形成する工程と、
    前記第１支持基板を除去する工程と、
    センシング装置の配置場所に合わせて前記第１膜に開口部を形成する工程と、を備え、
    前記センシング装置と対向する領域内の隣接する画素の境界部分を除く少なくとも一部に前記第１膜を形成し、
    前記センシング装置と対向する領域内の隣接する画素の境界部分に前記第１膜の開口部を形成する、
    表示装置の製造方法。
18. 前記開口部に、前記第１透過率よりも高い第２透過率の第２膜を形成する、
    請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

Images