JP7539570B2 - エアロゾル生成装置 - Google Patents

Description

本発明は、エアロゾル生成装置の電源ユニットに関する。

特許文献１には、電池及びエアロゾル発生要素を含むエアロゾル発生装置と、携帯用充電器と、を備える装置が記載されている。この装置では、携帯用充電器がエアロゾル発生装置のハウジングの温度を検知するサーミスタを有し、このサーミスタによって検知された温度が１０℃より低下すると、エアロゾル発生装置の電池の周囲にあるコイルを動作させて、この電池の温度が１０℃に低下することを防いでいる。

特許文献２には、コンパレータを用いて、過電流や過電圧の保護を図る装置が記載されている。

日本国特表２０１９－５２５７３７号公報 米国特許出願公開第２０２０／００００１４６号

エアロゾルを吸引可能に構成したエアロゾル生成装置は、その筐体内に電源やヒータ等の発熱する部品や制御用の電子部品が設けられる。こういった部品が高温環境下で発熱しないようにすることが、安全性を高めるうえで重要である。

本発明の目的は、安全性を高めたエアロゾル生成装置を提供することにある。

本発明の一態様のエアロゾル生成装置は、電源と、前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、前記エアロゾル生成装置の表面を構成するケースと、前記ケースの近傍に配置された、前記ケースの温度に関する値を出力するセンサと、を備え、前記センサの出力値に基づいて、前記電源から前記ヒータへの放電を禁止する保護制御を実行し、
前記保護制御は、終了可能な第１保護制御と、前記第１保護制御よりも終了のためにユーザの行う操作が多い終了可能な第２保護制御と、を含み、
前記出力値が、前記ケースの温度が第１閾値以上であることを示す値である場合には、前記第１保護制御が実行され、
前記出力値が、前記ケースの温度が前記第１閾値より高い第２閾値以上であることを示す値である場合には、前記第２保護制御が実行される、ものである。

本発明によれば、安全性を高めたエアロゾル生成装置を提供することができる。

非燃焼式吸引器の斜視図である。 ロッドを装着した状態を示す非燃焼式吸引器の斜視図である。 非燃焼式吸引器の他の斜視図である。 非燃焼式吸引器の分解斜視図である。 非燃焼式吸引器の内部ユニットの斜視図である。 図５の内部ユニットの分解斜視図である。 電源及びシャーシを取り除いた内部ユニットの斜視図である。 電源及びシャーシを取り除いた内部ユニットの他の斜視図である。 吸引器の動作モードを説明するための模式図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 内部ユニットの電気回路の概略構成を示す図である。 スリープモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 アクティブモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 加熱初期設定モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 加熱モードにおけるヒータの加熱時の電気回路の動作を説明するための図である。 加熱モードにおけるヒータの温度検出時の電気回路の動作を説明するための図である。 充電モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。 ＭＣＵのリセット（再起動）時の電気回路の動作を説明するための図である。 パフサーミスタを用いたＭＣＵによる吸引動作の検知処理を説明するための模式図である。 図１０に示す電気回路のうち、サーミスタと関係のある主要な電子部品を抜き出して示した要部回路図である。 図２１における破線で囲まれた範囲ＡＲの部分を抽出して示した図である。 吸引器にて行われる保護制御のパターンの具体例をまとめた図である。 スリープモードの状態で残量計ＩＣから高温通知信号が出力される場合の残量計ＩＣ及びＭＣＵの動作の一例を説明するためのフローチャートである。 図１に示す吸引器のケースサーミスタＴ４を通る切断面での断面図である。 図１に示す吸引器のケースサーミスタＴ４を通る切断面での断面図である。

以下、本発明におけるエアロゾル生成装置の一実施形態である吸引システムについて図面を参照しながら説明する。この吸引システムは、本発明の電源ユニットの一実施形態である非燃焼式吸引器１００（以下、単に、「吸引器１００」ともいう）と、吸引器１００によって加熱されるロッド５００と、を備える。以下の説明では、吸引器１００が、加熱部を着脱不能に収容した構成を例に説明する。しかし、吸引器１００に対し加熱部が着脱自在に構成されていてもよい。例えば、ロッド５００と加熱部が一体化されたものを、吸引器１００に着脱自在に構成したものであってもよい。つまり、エアロゾル生成装置の電源ユニットは、構成要素として加熱部を含まない構成であってもよい。なお、着脱不能とは、想定される用途の限りにおいて、取外しが行えないような態様を指すものとする。または、吸引器１００に設けられる誘導加熱用コイルと、ロッド５００に内蔵されるサセプタが協働して加熱部を構成してもよい。

図１は、吸引器１００の全体構成を示す斜視図である。図２は、ロッド５００を装着した状態を示す吸引器１００の斜視図である。図３は、吸引器１００の他の斜視図である。図４は、吸引器１００の分解斜視図である。また、以下の説明では、互いに直交する３方向を、便宜上、前後方向、左右方向、上下方向とした、３次元空間の直交座標系を用いて説明する。図中、前方をＦｒ、後方をＲｒ、右側をＲ、左側をＬ、上方をＵ、下方をＤ、として示す。

吸引器１００は、エアロゾル源及び香味源を含む充填物などを有する香味成分生成基材の一例としての細長い略円柱状のロッド５００（図２参照）を加熱することによって、香味を含むエアロゾルを生成するように構成される。

＜香味成分生成基材（ロッド）＞
ロッド５００は、所定温度で加熱されてエアロゾルを生成するエアロゾル源を含有する充填物を含む。

エアロゾル源の種類は、特に限定されず、用途に応じて種々の天然物からの抽出物質及び／又はそれらの構成成分を選択することができる。エアロゾル源は、固体であってもよいし、例えば、グリセリン、プロピレングリコールといった多価アルコールや、水などの液体であってもよい。エアロゾル源は、加熱することによって香味成分を放出するたばこ原料やたばこ原料由来の抽出物等の香味源を含んでいてもよい。香味成分が付加される気体はエアロゾルに限定されず、例えば不可視の蒸気が生成されてもよい。

ロッド５００の充填物は、香味源としてたばこ刻みを含有し得る。たばこ刻みの材料は特に限定されず、ラミナや中骨等の公知の材料を用いることができる。充填物は、１種又は２種以上の香料を含んでいてもよい。当該香料の種類は特に限定されないが、良好な喫味の付与の観点から、好ましくはメンソールである。香味源は、たばこ以外の植物（例えば、ミント、漢方、又はハーブ等）を含有し得る。用途によっては、ロッド５００は香味源を含まなくてもよい。

＜非燃焼式吸引器の全体構成＞
続いて、吸引器１００の全体構成について、図１～図４を参照しながら説明する。
吸引器１００は、前面、後面、左面、右面、上面、及び下面を備える略直方体形状のケース１１０を備える。ケース１１０は、前面、後面、上面、下面、及び右面が一体に形成された有底筒状のケース本体１１２と、ケース本体１１２の開口部１１４（図４参照）を封止し左面を構成するアウターパネル１１５及びインナーパネル１１８と、スライダ１１９と、を備える。

インナーパネル１１８は、ケース本体１１２にボルト１２０で固定される。アウターパネル１１５は、ケース本体１１２に収容された後述するシャーシ１５０（図５参照）に保持されたマグネット１２４によって、インナーパネル１１８の外面を覆うようにケース本体１１２に固定される。アウターパネル１１５が、マグネット１２４によって固定されることで、ユーザは好みに合わせてアウターパネル１１５を取り替えることが可能となっている。

インナーパネル１１８には、マグネット１２４が貫通するように形成された２つの貫通孔１２６が設けられる。インナーパネル１１８には、上下に配置された２つの貫通孔１２６の間に、さらに縦長の長孔１２７及び円形の丸孔１２８が設けられる。この長孔１２７は、ケース本体１１２に内蔵された８つのＬＥＤ（Light Emitting Diode） Ｌ１～Ｌ８から出射される光を透過させるためのものである。丸孔１２８には、ケース本体１１２に内蔵されたボタン式の操作スイッチＯＰＳが貫通する。これにより、ユーザは、アウターパネル１１５のＬＥＤ窓１１６を介して８つのＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８から出射される光を検知することができる。また、ユーザは、アウターパネル１１５の押圧部１１７を介して操作スイッチＯＰＳを押し下げることができる。

図２に示すように、ケース本体１１２の上面には、ロッド５００を挿入可能な開口１３２が設けられる。スライダ１１９は、開口１３２を閉じる位置（図１参照）と開口１３２を開放する位置（図２参照）との間を、前後方向に移動可能にケース本体１１２に結合される。

操作スイッチＯＰＳは、吸引器１００の各種操作を行うために使用される。例えば、ユーザは、図２に示すようにロッド５００を開口１３２に挿入して装着した状態で、押圧部１１７を介して操作スイッチＯＰＳを操作する。これにより、加熱部１７０（図５参照）によって、ロッド５００を燃焼させずに加熱する。ロッド５００が加熱されると、ロッド５００に含まれるエアロゾル源からエアロゾルが生成され、ロッド５００に含まれる香味源の香味が当該エアロゾルに付加される。ユーザは、開口１３２から突出したロッド５００の吸口５０２を咥えて吸引することにより、香味を含むエアロゾルを吸引することができる。

ケース本体１１２の下面には、図３に示すように、コンセントやモバイルバッテリ等の外部電源と電気的に接続して電力供給を受けるための充電端子１３４が設けられている。本実施形態において、充電端子１３４は、ＵＳＢ（Universal Serial Bus） Ｔｙｐｅ－Ｃ形状のレセプタクルとしているが、これに限定されるものではない。充電端子１３４を、以下では、レセプタクルＲＣＰとも記載する。

なお、充電端子１３４は、例えば、受電コイルを備え、外部電源から送電される電力を非接触で受電可能に構成されてもよい。この場合の電力伝送（Wireless Power Transfer）の方式は、電磁誘導型でもよいし、磁気共鳴型でもよいし、電磁誘導型と磁気共鳴型を組み合わせたものでもよい。別の一例として、充電端子１３４は、各種ＵＳＢ端子等が接続可能であり、且つ上述した受電コイルを有していてもよい。

図１～図４に示される吸引器１００の構成は一例にすぎない。吸引器１００は、ロッド５００を保持して例えば加熱等の作用を加えることで、ロッド５００から香味成分が付与された気体を生成させ、生成された気体をユーザが吸引することができるような、様々な形態で構成することができる。

＜非燃焼式吸引器の内部構成＞
吸引器１００の内部ユニット１４０について図５～図８を参照しながら説明する。
図５は、吸引器１００の内部ユニット１４０の斜視図である。図６は、図５の内部ユニット１４０の分解斜視図である。図７は、電源ＢＡＴ及びシャーシ１５０を取り除いた内部ユニット１４０の斜視図である。図８は、電源ＢＡＴ及びシャーシ１５０を取り除いた内部ユニット１４０の他の斜視図である。

ケース１１０の内部空間に収容される内部ユニット１４０は、シャーシ１５０と、電源ＢＡＴと、回路部１６０と、加熱部１７０と、通知部１８０と、各種センサと、を備える。

シャーシ１５０は、前後方向においてケース１１０の内部空間の略中央に配置され上下方向且つ前後方向に延設された板状のシャーシ本体１５１と、前後方向においてケース１１０の内部空間の略中央に配置され上下方向且つ左右方向に延びる板状の前後分割壁１５２と、上下方向において前後分割壁１５２の略中央から前方に延びる板状の上下分割壁１５３と、前後分割壁１５２及びシャーシ本体１５１の上縁部から後方に延びる板状のシャーシ上壁１５４と、前後分割壁１５２及びシャーシ本体１５１の下縁部から後方に延びる板状のシャーシ下壁１５５と、を備える。シャーシ本体１５１の左面は、前述したケース１１０のインナーパネル１１８及びアウターパネル１１５に覆われる。

ケース１１０の内部空間は、シャーシ１５０により前方上部に加熱部収容領域１４２が区画形成され、前方下部に基板収容領域１４４が区画形成され、後方に上下方向に亘って電源収容空間１４６が区画形成されている。

加熱部収容領域１４２に収容される加熱部１７０は、複数の筒状の部材から構成され、これらが同心円状に配置されることで、全体として筒状体をなしている。加熱部１７０は、その内部にロッド５００の一部を収納可能なロッド収容部１７２と、ロッド５００を外周または中心から加熱するヒータＨＴＲ（図１０～図１９参照）と、を有する。ロッド収容部１７２が断熱材で構成される、又は、ロッド収容部１７２の内部に断熱材が設けられることで、ロッド収容部１７２の表面とヒータＨＴＲは断熱されることが好ましい。ヒータＨＴＲは、ロッド５００を加熱可能な素子であればよい。ヒータＨＴＲは、例えば、発熱素子である。発熱素子としては、発熱抵抗体、セラミックヒータ、及び誘導加熱式のヒータ等が挙げられる。ヒータＨＴＲとしては、例えば、温度の増加に伴って抵抗値も増加するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）特性を有するものが好ましく用いられる。これに代えて、温度の増加に伴って抵抗値が低下するＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）特性を有するヒータＨＴＲを用いてもよい。加熱部１７０は、ロッド５００へ供給する空気の流路を画定する機能、及びロッド５００を加熱する機能を有する。ケース１１０には、空気を流入させるための通気口（不図示）が形成され、加熱部１７０に空気が流入できるように構成される。

電源収容空間１４６に収容される電源ＢＡＴは、充電可能な二次電池、電気二重層キャパシタ等であり、好ましくは、リチウムイオン二次電池である。電源ＢＡＴの電解質は、ゲル状の電解質、電解液、固体電解質、イオン液体の１つ又はこれらの組合せで構成されていてもよい。

通知部１８０は、電源ＢＡＴの充電状態を示すＳＯＣ（State Of Charge）、吸引時の予熱時間、吸引可能期間等の各種情報を通知する。本実施形態の通知部１８０は、８つのＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８と、振動モータＭと、を含む。通知部１８０は、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８のような発光素子によって構成されていてもよく、振動モータＭのような振動素子によって構成されていてもよく、音出力素子によって構成されていてもよい。通知部１８０は、発光素子、振動素子、及び音出力素子のうち、２以上の素子の組合せであってもよい。

各種センサは、ユーザのパフ動作（吸引動作）を検出する吸気センサ、電源ＢＡＴの温度を検出する電源温度センサ、ヒータＨＴＲの温度を検出するヒータ温度センサ、ケース１１０の温度を検出するケース温度センサ、スライダ１１９の位置を検出するカバー位置センサ、及びアウターパネル１１５の着脱を検出するパネル検出センサ等を含む。

吸気センサは、例えば、開口１３２の近傍に配置されたサーミスタＴ２を主体に構成される。電源温度センサは、例えば、電源ＢＡＴの近傍に配置されたサーミスタＴ１を主体に構成される。ヒータ温度センサは、例えば、ヒータＨＴＲの近傍に配置されたサーミスタＴ３を主体に構成される。上述した通り、ロッド収容部１７２はヒータＨＴＲから断熱されることが好ましい。この場合において、サーミスタＴ３は、ロッド収容部１７２の内部において、ヒータＨＴＲと接する又は近接することが好ましい。ヒータＨＴＲがＰＴＣ特性やＮＴＣ特性を有する場合、ヒータＨＴＲそのものをヒータ温度センサに用いてもよい。ケース温度センサは、例えば、ケース１１０の左面の近傍に配置されたサーミスタＴ４を主体に構成される。サーミスタＴ４は、ケース１１０と接する又は近接することが好ましい。カバー位置センサは、スライダ１１９の近傍に配置されたホール素子を含むホールＩＣ１４を主体に構成される。パネル検出センサは、インナーパネル１１８の内側の面の近傍に配置されたホール素子を含むホールＩＣ１３を主体に構成される。

回路部１６０は、４つの回路基板と、複数のＩＣ（Integrate Circuit）と、複数の素子と、を備える。４つの回路基板は、主に後述のＭＣＵ(Micro Controller Unit)１及び充電ＩＣ２が配置されたＭＣＵ搭載基板１６１と、主に充電端子１３４が配置されたレセプタクル搭載基板１６２と、操作スイッチＯＰＳ、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８、及び後述の通信ＩＣ１５が配置されたＬＥＤ搭載基板１６３と、カバー位置センサを構成するホール素子を含む後述のホールＩＣ１４が配置されたホールＩＣ搭載基板１６４と、を備える。

ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、基板収容領域１４４において互いに平行に配置される。具体的に説明すると、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、それぞれの素子配置面が左右方向及び上下方向に沿って配置され、ＭＣＵ搭載基板１６１がレセプタクル搭載基板１６２よりも前方に配置される。ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２には、それぞれ開口部が設けられる。ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２は、これら開口部の周縁部同士の間に円筒状のスペーサ１７３を介在させた状態で前後分割壁１５２の基板固定部１５６にボルト１３６で締結される。即ち、スペーサ１７３は、ケース１１０の内部におけるＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２の位置を固定し、且つ、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２とを機械的に接続する。これにより、ＭＣＵ搭載基板１６１とレセプタクル搭載基板１６２が接触し、これらの間で短絡電流が生じることを抑制できる。

便宜上、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２の前方を向く面を、それぞれの主面１６１ａ、１６２ａとし、主面１６１ａ、１６２ａの反対面をそれぞれの副面１６１ｂ、１６２ｂとすると、ＭＣＵ搭載基板１６１の副面１６１ｂと、レセプタクル搭載基板１６２の主面１６２ａとが、所定の隙間を介して対向する。ＭＣＵ搭載基板１６１の主面１６１ａはケース１１０の前面と対向し、レセプタクル搭載基板１６２の副面１６２ｂは、シャーシ１５０の前後分割壁１５２と対向する。ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２に搭載される素子及びＩＣについては後述する。

ＬＥＤ搭載基板１６３は、シャーシ本体１５１の左側面、且つ上下に配置された２つのマグネット１２４の間に配置される。ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面は、上下方向及び前後方向に沿って配置されている。換言すると、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２それぞれの素子配置面と、ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面とは、直交している。このように、ＭＣＵ搭載基板１６１及びレセプタクル搭載基板１６２それぞれの素子配置面と、ＬＥＤ搭載基板１６３の素子配置面とは、直交に限らず、交差している（非平行である）ことが好ましい。なお、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８とともに通知部１８０を構成する振動モータＭは、シャーシ下壁１５５の下面に固定され、ＭＣＵ搭載基板１６１に電気的に接続される。

ホールＩＣ搭載基板１６４は、シャーシ上壁１５４の上面に配置される。

＜吸引器の動作モード＞
図９は、吸引器１００の動作モードを説明するための模式図である。図９に示すように、吸引器１００の動作モードには、充電モード、スリープモード、アクティブモード、加熱初期設定モード、加熱モード、及び加熱終了モードが含まれる。

スリープモードは、主にヒータＨＴＲの加熱制御に必要な電子部品への電力供給を停止して省電力化を図るモードである。

アクティブモードは、ヒータＨＴＲの加熱制御を除くほとんどの機能が有効になるモードである。吸引器１００は、スリープモードにて動作している状態にて、スライダ１１９が開かれると、動作モードをアクティブモードに切り替える。吸引器１００は、アクティブモードにて動作している状態にて、スライダ１１９が閉じられたり、操作スイッチＯＰＳの無操作時間が所定時間に達したりすると、動作モードをスリープモードに切り替える。

加熱初期設定モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御を開始するための制御パラメータ等の初期設定を行うモードである。吸引器１００は、アクティブモードにて動作している状態にて、操作スイッチＯＰＳの操作を検出すると、動作モードを加熱初期設定モードに切り替え、初期設定が終了すると、動作モードを加熱モードに切り替える。

加熱モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御（エアロゾル生成のための加熱制御と、温度検出のための加熱制御）を実行するモードである。吸引器１００は、動作モードが加熱モードに切り替わると、ヒータＨＴＲの加熱制御を開始する。

加熱終了モードは、ヒータＨＴＲの加熱制御の終了処理（加熱履歴の記憶処理等）を実行するモードである。吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ヒータＨＴＲへの通電時間又はユーザの吸引回数が上限に達したり、スライダ１１９が閉じられたりすると、動作モードを加熱終了モードに切り替え、終了処理が終了すると、動作モードをアクティブモードに切り替える。吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ＵＳＢ接続がなされると、動作モードを加熱終了モードに切り替え、終了処理が終了すると、動作モードを充電モードに切り替える。図９に示したように、この場合において、動作モードを充電モードに切り替える前に、動作モードをアクティブモードへ切り替えてもよい。換言すれば、吸引器１００は、加熱モードにて動作している状態にて、ＵＳＢ接続がなされると、動作モードを加熱終了モード、アクティブモード、充電モードの順に切り替えてもよい。

充電モードは、レセプタクルＲＣＰに接続された外部電源から供給される電力により、電源ＢＡＴの充電を行うモードである。吸引器１００は、スリープモード又はアクティブモードにて動作している状態にて、レセプタクルＲＣＰに外部電源が接続（ＵＳＢ接続）されると、動作モードを充電モードに切り替える。吸引器１００は、充電モードにて動作している状態にて、電源ＢＡＴの充電が完了したり、レセプタクルＲＣＰと外部電源との接続が解除されたりすると、動作モードをスリープモードに切り替える。

＜内部ユニットの回路の概略＞
図１０、図１１、及び図１２は、内部ユニット１４０の電気回路の概略構成を示す図である。図１１は、図１０に示す電気回路のうち、ＭＣＵ搭載基板１６１に搭載される範囲１６１Ａ（太い破線で囲まれた範囲）と、ＬＥＤ搭載基板１６３に搭載される範囲１６３Ａ（太い実線で囲まれた範囲）とを追加した点を除いては、図１０と同じである。図１２は、図１０に示す電気回路のうち、レセプタクル搭載基板１６２に搭載される範囲１６２Ａと、ホールＩＣ搭載基板１６４に搭載される範囲１６４Ａとを追加した点を除いては、図１０と同じである。

図１０において太い実線で示した配線は、内部ユニット１４０の基準となる電位（グランド電位）と同電位となる配線（内部ユニット１４０に設けられたグランドに接続される配線）であり、この配線を以下ではグランドラインと記載する。図１０では、複数の回路素子をチップ化した電子部品を矩形で示しており、この矩形の内側に各種端子の符号を記載している。チップに搭載される電源端子ＶＣＣ及び電源端子ＶＤＤは、それぞれ、高電位側の電源端子を示す。チップに搭載される電源端子ＶＳＳ及びグランド端子ＧＮＤは、それぞれ、低電位側（基準電位側）の電源端子を示す。チップ化された電子部品は、高電位側の電源端子の電位と低電位側の電源端子の電位の差分が、電源電圧となる。チップ化された電子部品は、この電源電圧を用いて、各種機能を実行する。

図１１に示すように、ＭＣＵ搭載基板１６１（範囲１６１Ａ）には、主要な電子部品として、吸引器１００の全体を統括制御するＭＣＵ１と、電源ＢＡＴの充電制御を行う充電ＩＣ２と、コンデンサ、抵抗器、及びトランジスタ等を組み合わせて構成されたロードスイッチ（以下、ＬＳＷ）３，４，５と、ＲＯＭ（Read Only Memory）６と、スイッチドライバ７と、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８（図では、昇降圧ＤＣ／ＤＣ８と記載）と、オペアンプＯＰ２と、オペアンプＯＰ３と、フリップフロップ（以下、ＦＦ）１６，１７と、吸気センサを構成するサーミスタＴ２と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ２）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ２を記載）と、ヒータ温度センサを構成するサーミスタＴ３と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ３）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ３を記載）と、ケース温度センサを構成するサーミスタＴ４と電気的に接続されるコネクタＣｎ（ｔ４）（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ４を記載）と、ＵＳＢ接続検出用の分圧回路Ｐｃと、が設けられている。

充電ＩＣ２、ＬＳＷ３、ＬＳＷ４、ＬＳＷ５、スイッチドライバ７、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８、ＦＦ１６、及びＦＦ１７の各々のグランド端子ＧＮＤは、グランドラインに接続されている。ＲＯＭ６の電源端子ＶＳＳは、グランドラインに接続されている。オペアンプＯＰ２及びオペアンプＯＰ３の各々の負電源端子は、グランドラインに接続されている。

図１１に示すように、ＬＥＤ搭載基板１６３（範囲１６３Ａ）には、主要な電子部品として、パネル検出センサを構成するホール素子を含むホールＩＣ１３と、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８と、操作スイッチＯＰＳと、通信ＩＣ１５と、が設けられている。通信ＩＣ１５は、スマートフォン等の電子機器との通信を行うための通信モジュールである。ホールＩＣ１３の電源端子ＶＳＳ及び通信ＩＣ１５のグランド端子ＧＮＤの各々は、グランドラインに接続されている。通信ＩＣ１５とＭＣＵ１は、通信線ＬＮによって通信可能に構成されている。操作スイッチＯＰＳの一端はグランドラインに接続され、操作スイッチＯＰＳの他端はＭＣＵ１の端子Ｐ４に接続されている。

図１２に示すように、レセプタクル搭載基板１６２（範囲１６２Ａ）には、主要な電子部品として、電源ＢＡＴと電気的に接続される電源コネクタ（図では、この電源コネクタに接続された電源ＢＡＴを記載）と、電源温度センサを構成するサーミスタＴ１と電気的に接続されるコネクタ（図では、このコネクタに接続されたサーミスタＴ１を記載）と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９（図では、昇圧ＤＣ／ＤＣ９と記載）と、保護ＩＣ１０と、過電圧保護ＩＣ１１と、残量計ＩＣ１２と、レセプタクルＲＣＰと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳ３～スイッチＳ６と、オペアンプＯＰ１と、ヒータＨＴＲと電気的に接続される一対（正極側と負極側）のヒータコネクタＣｎと、が設けられている。

レセプタクルＲＣＰの２つのグランド端子ＧＮＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のグランド端子ＧＮＤと、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＳＳと、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＳＳと、過電圧保護ＩＣ１１のグランド端子ＧＮＤと、オペアンプＯＰ１の負電源端子は、それぞれ、グランドラインに接続されている。

図１２に示すように、ホールＩＣ搭載基板１６４（範囲１６４Ａ）には、カバー位置センサを構成するホール素子を含むホールＩＣ１４が設けられている。ホールＩＣ１４の電源端子ＶＳＳは、グランドラインに接続されている。ホールＩＣ１４の出力端子ＯＵＴは、ＭＣＵ１の端子Ｐ８に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ８に入力される信号により、スライダ１１９の開閉を検出する。

図１１に示すように、振動モータＭと電気的に接続されるコネクタは、ＭＣＵ搭載基板１６１に設けられている。

＜内部ユニットの回路の詳細＞
以下、図１０を参照しながら各電子部品の接続関係等について説明する。

レセプタクルＲＣＰの２つの電源入力端子Ｖ_ＢＵＳは、それぞれ、ヒューズＦｓを介して、過電圧保護ＩＣ１１の入力端子ＩＮに接続されている。レセプタクルＲＣＰにＵＳＢプラグが接続され、このＵＳＢプラグを含むＵＳＢケーブルが外部電源に接続されると、レセプタクルＲＣＰの２つの電源入力端子Ｖ_ＢＵＳにＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが供給される。

過電圧保護ＩＣ１１の入力端子ＩＮには、２つの抵抗器の直列回路からなる分圧回路Ｐａの一端が接続されている。分圧回路Ｐａの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐａを構成する２つの抵抗器の接続点は、過電圧保護ＩＣ１１の電圧検出端子ＯＶＬｏに接続されている。過電圧保護ＩＣ１１は、電圧検出端子ＯＶＬｏに入力される電圧が閾値未満の状態では、入力端子ＩＮに入力された電圧を出力端子ＯＵＴから出力する。過電圧保護ＩＣ１１は、電圧検出端子ＯＶＬｏに入力される電圧が閾値以上（過電圧）となった場合には、出力端子ＯＵＴからの電圧出力を停止（ＬＳＷ３とレセプタクルＲＣＰとの電気的な接続を遮断）することで、過電圧保護ＩＣ１１よりも下流の電子部品の保護を図る。過電圧保護ＩＣ１１の出力端子ＯＵＴは、ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮと、ＭＣＵ１に接続された分圧回路Ｐｃ（２つの抵抗器の直列回路）の一端と、に接続されている。分圧回路Ｐｃの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐｃを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１７に接続されている。

ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮには、２つの抵抗器の直列回路からなる分圧回路Ｐｆの一端が接続されている。分圧回路Ｐｆの他端はグランドラインに接続されている。分圧回路Ｐｆを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮに接続されている。ＬＳＷ３の制御端子ＯＮには、バイポーラトランジスタＳ２のコレクタ端子が接続されている。バイポーラトランジスタＳ２のエミッタ端子はグランドラインに接続されている。バイポーラトランジスタＳ２のベース端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１９に接続されている。ＬＳＷ３は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力された電圧を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ３の出力端子ＶＯＵＴは、充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳに接続されている。ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされていない間は、バイポーラトランジスタＳ２をオンにする。これにより、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮはバイポーラトランジスタＳ２を介してグランドラインへ接続されるため、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにはローレベルの信号が入力される。
ＬＳＷ３に接続されたバイポーラトランジスタＳ２は、ＵＳＢ接続がなされると、ＭＣＵ１によってオフされる。バイポーラトランジスタＳ２がオフすることで、分圧回路Ｐｆによって分圧されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢがＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される。このため、ＵＳＢ接続がなされ且つバイポーラトランジスタＳ２がオフされると、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮには、ハイレベルの信号が入力される。これにより、ＬＳＷ３は、ＵＳＢケーブルから供給されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢを出力端子ＶＯＵＴから出力する。なお、バイポーラトランジスタＳ２がオフされていない状態でＵＳＢ接続がなされても、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮは、バイポーラトランジスタＳ２を介してグランドラインへ接続されている。このため、ＭＣＵ１がバイポーラトランジスタＳ２をオフしない限り、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにはローレベルの信号が入力され続ける点に留意されたい。

電源ＢＡＴの正極端子は、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＤＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮと、充電ＩＣ２の充電端子ｂａｔと、に接続されている。したがって、電源ＢＡＴの電源電圧Ｖ_ＢＡＴは、保護ＩＣ１０と、充電ＩＣ２と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９とに供給される。電源ＢＡＴの負極端子には、抵抗器Ｒａと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳａと、ＭＯＳＦＥＴで構成されたスイッチＳｂと、抵抗器Ｒｂと、がこの順に直列接続されている。抵抗器ＲａとスイッチＳａの接続点には、保護ＩＣ１０の電流検出端子ＣＳが接続されている。スイッチＳａとスイッチＳｂの各々の制御端子は、保護ＩＣ１０に接続されている。抵抗器Ｒｂの両端は、残量計ＩＣ１２に接続されている。

保護ＩＣ１０は、電流検出端子ＣＳに入力される電圧から、電源ＢＡＴの充放電時において抵抗器Ｒａに流れる電流値を取得し、この電流値が過大になった場合（過電流）に、スイッチＳａとスイッチＳｂの開閉制御を行って、電源ＢＡＴの充電又は放電を停止させることで、電源ＢＡＴの保護を図る。より具体的には、保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの充電時に過大な電流値を取得した場合には、スイッチＳｂをオフすることで、電源ＢＡＴの充電を停止させる。保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの放電時に過大な電流値を取得した場合には、スイッチＳａをオフすることで、電源ＢＡＴの放電を停止させる。また、保護ＩＣ１０は、電源端子ＶＤＤに入力される電圧から、電源ＢＡＴの電圧値が異常になった場合（過充電又は過電圧の場合）に、スイッチＳａとスイッチＳｂの開閉制御を行って、電源ＢＡＴの充電又は放電を停止させることで、電源ＢＡＴの保護を図る。より具体的には、保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの過充電を検知した場合には、スイッチＳｂをオフすることで、電源ＢＡＴの充電を停止させる。保護ＩＣ１０は、電源ＢＡＴの過放電を検知した場合には、スイッチＳａをオフすることで、電源ＢＡＴの放電を停止させる。

電源ＢＡＴの近傍に配置されたサーミスタＴ１と接続されるコネクタには抵抗器Ｒｔ１が接続されている。抵抗器Ｒｔ１とサーミスタＴ１の直列回路は、グランドラインと、残量計ＩＣ１２のレギュレータ端子ＴＲＥＧとに接続されている。サーミスタＴ１と抵抗器Ｒｔ１の接続点は、残量計ＩＣ１２のサーミスタ端子ＴＨＭに接続されている。サーミスタＴ１は、温度の増加に従い抵抗値が増大するＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタであってもよいし、温度の増加に従い抵抗値が減少するＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタでもよい。

残量計ＩＣ１２は、抵抗器Ｒｂに流れる電流を検出し、検出した電流値に基づいて、電源ＢＡＴの残容量、充電状態を示すＳＯＣ（State Of Charge）、及び健全状態を示すＳＯＨ（State Of Health）等のバッテリ情報を導出する。残量計ＩＣ１２は、レギュレータ端子ＴＲＥＧに接続される内蔵レギュレータから、サーミスタＴ１と抵抗器Ｒｔ１の分圧回路に電圧を供給する。残量計ＩＣ１２は、この分圧回路によって分圧された電圧をサーミスタ端子ＴＨＭから取得し、この電圧に基づいて、電源ＢＡＴの温度に関する温度情報を取得する。残量計ＩＣ１２は、シリアル通信を行うための通信線ＬＮによってＭＣＵ１と接続されており、ＭＣＵ１と通信可能に構成されている。残量計ＩＣ１２は、導出したバッテリ情報と、取得した電源ＢＡＴの温度情報を、ＭＣＵ１からの要求に応じて、ＭＣＵ１に送信する。なお、シリアル通信を行うためには、データ送信用のデータラインや同期用のクロックラインなどの複数の信号線が必要になる。図１０－図１９では、簡略化のため、１本の信号線のみが図示されている点に留意されたい。

残量計ＩＣ１２は、通知端子１２ａを備えている。通知端子１２ａは、ＭＣＵ１の端子Ｐ６と、後述するダイオードＤ２のカソードと、に接続されている。残量計ＩＣ１２は、電源ＢＡＴの温度が過大になった等の異常を検出すると、通知端子１２ａからローレベルの信号を出力することで、その異常発生をＭＣＵ１に通知する。このローレベルの信号は、ダイオードＤ２を経由して、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子にも入力される。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のスイッチング端子ＳＷには、リアクトルＬｃの一端が接続されている。このリアクトルＬｃの他端は昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮに接続されている。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、スイッチング端子ＳＷに接続された内蔵トランジスタのオンオフ制御を行うことで、入力された電圧を昇圧して、出力端子ＶＯＵＴから出力する。なお、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮは、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の高電位側の電源端子を構成している。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、イネーブル端子ＥＮに入力される信号がハイレベルとなっている場合に、昇圧動作を行う。ＵＳＢ接続されている状態においては、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮに入力される信号は、ＭＣＵ１によってローレベルに制御されてもよい。若しくは、ＵＳＢ接続されている状態においては、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮに入力される信号をＭＣＵ１が制御しないことで、イネーブル端子ＥＮの電位を不定にしてもよい。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴには、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ４のソース端子が接続されている。スイッチＳ４のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１５と接続されている。スイッチＳ４のドレイン端子には、抵抗器Ｒｓの一端が接続されている。抵抗器Ｒｓの他端は、ヒータＨＴＲの一端と接続される正極側のヒータコネクタＣｎに接続されている。スイッチＳ４と抵抗器Ｒｓの接続点には、２つの抵抗器からなる分圧回路Ｐｂが接続されている。分圧回路Ｐｂを構成する２つの抵抗器の接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１８と接続されている。スイッチＳ４と抵抗器Ｒｓの接続点は、更に、オペアンプＯＰ１の正電源端子と接続されている。

昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴとスイッチＳ４のソース端子との接続ラインには、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ３のソース端子が接続されている。スイッチＳ３のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１６と接続されている。スイッチＳ３のドレイン端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。このように、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の出力端子ＶＯＵＴとヒータコネクタＣｎの正極側との間には、スイッチＳ３を含む回路と、スイッチＳ４及び抵抗器Ｒｓを含む回路とが並列接続されている。スイッチＳ３を含む回路は、抵抗器を有さないため、スイッチＳ４及び抵抗器Ｒｓを含む回路よりも低抵抗の回路である。

オペアンプＯＰ１の非反転入力端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。オペアンプＯＰ１の反転入力端子は、ヒータＨＴＲの他端と接続される負極側のヒータコネクタＣｎと、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ６のドレイン端子と、に接続されている。スイッチＳ６のソース端子はグランドラインに接続されている。スイッチＳ６のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１４と、ダイオードＤ４のアノードと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮと、に接続されている。ダイオードＤ４のカソードは、ＦＦ１７のＱ端子と接続されている。オペアンプＯＰ１の出力端子には抵抗器Ｒ４の一端が接続されている。抵抗器Ｒ４の他端は、ＭＣＵ１の端子Ｐ９と、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ５のドレイン端子と、に接続されている。スイッチＳ５のソース端子は、グランドラインに接続されている。スイッチＳ５のゲート端子は、抵抗器Ｒｓと正極側のヒータコネクタＣｎとの接続ラインに接続されている。

充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳは、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８の各々のアノードに接続されている。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８の各々のカソードは、電流制限ための抵抗器を介して、ＭＣＵ１の制御端子ＰＤ１～ＰＤ８に接続されている。すなわち、入力端子ＶＢＵＳには、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８が並列接続されている。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８は、レセプタクルＲＣＰに接続されたＵＳＢケーブルから供給されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢと、電源ＢＡＴから充電ＩＣ２を経由して供給される電圧と、のそれぞれによって動作可能に構成されている。ＭＣＵ１には、制御端子ＰＤ１～制御端子ＰＤ８の各々とグランド端子ＧＮＤとに接続されたトランジスタ（スイッチング素子）が内蔵されている。ＭＣＵ１は、制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタをオンすることでＬＥＤ Ｌ１に通電してこれを点灯させ、制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタをオフすることでＬＥＤ Ｌ１を消灯させる。制御端子ＰＤ１と接続されたトランジスタのオンとオフを高速で切り替えることで、ＬＥＤ Ｌ１の輝度や発光パターンを動的に制御できる。ＬＥＤ Ｌ２～Ｌ８についても同様にＭＣＵ１によって点灯制御される。

充電ＩＣ２は、入力端子ＶＢＵＳに入力されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢに基づいて電源ＢＡＴを充電する充電機能を備える。充電ＩＣ２は、不図示の端子や配線から、電源ＢＡＴの充電電流や充電電圧を取得し、これらに基づいて、電源ＢＡＴの充電制御（充電端子ｂａｔから電源ＢＡＴへの電力供給制御）を行う。また、充電ＩＣ２は、残量計ＩＣ１２からＭＣＵ１に送信された電源ＢＡＴの温度情報を、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によってＭＣＵ１から取得し、充電制御に利用してもよい。

充電ＩＣ２は、更に、Ｖ_ＢＡＴパワーパス機能と、ＯＴＧ機能とを備える。Ｖ_ＢＡＴパワーパス機能は、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴと略一致するシステム電源電圧Ｖｃｃ０を、出力端子ＳＹＳから出力する機能である。ＯＴＧ機能は、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られるシステム電源電圧Ｖｃｃ４を、入力端子ＶＢＵＳから出力する機能である。充電ＩＣ２のＯＴＧ機能のオンオフは、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によって、ＭＣＵ１により制御される。なお、ＯＴＧ機能においては、充電端子ｂａｔに入力される電源電圧Ｖ_ＢＡＴを、入力端子ＶＢＵＳからそのまま出力してもよい。この場合において、電源電圧Ｖ_ＢＡＴとシステム電源電圧Ｖｃｃ４は略一致する。

充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳは、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮに接続されている。充電ＩＣ２のスイッチング端子ＳＷにはリアクトルＬａの一端が接続されている。リアクトルＬａの他端は、充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳに接続されている。充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）は、抵抗器を介して、ＭＣＵ１の端子Ｐ２２に接続されている。更に、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）には、バイポーラトランジスタＳ１のコレクタ端子が接続されている。バイポーラトランジスタＳ１のエミッタ端子は、後述のＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴに接続されている。バイポーラトランジスタＳ１のベース端子は、ＦＦ１７のＱ端子に接続されている。更に、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）には、抵抗器Ｒｃの一端が接続されている。抵抗器Ｒｃの他端は、ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴに接続されている。

昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮとイネーブル端子ＥＮには抵抗器が接続されている。充電ＩＣ２の出力端子ＳＹＳから、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮにシステム電源電圧Ｖｃｃ０が入力されることで、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８のイネーブル端子ＥＮに入力される信号はハイレベルとなり、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は昇圧動作又は降圧動作を開始する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は、リアクトルＬｂに接続された内蔵トランジスタのスイッチング制御により、入力端子ＶＩＮに入力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ０を昇圧又は降圧してシステム電源電圧Ｖｃｃ１を生成し、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴは、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８のフィードバック端子ＦＢと、ＬＳＷ４の入力端子ＶＩＮと、スイッチドライバ７の入力端子ＶＩＮと、ＦＦ１６の電源端子ＶＣＣ及びＤ端子と、に接続されている。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給される配線を電源ラインＰＬ１と記載する。

ＬＳＷ４は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ１を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ４の制御端子ＯＮと電源ラインＰＬ１は、抵抗器を介して接続されている。このため、電源ラインＰＬ１にシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給されることで、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮにはハイレベルの信号が入力される。ＬＳＷ４が出力する電圧は、配線抵抗等を無視すればシステム電源電圧Ｖｃｃ１と同一であるが、システム電源電圧Ｖｃｃ１と区別するために、ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴから出力される電圧を、以下ではシステム電源電圧Ｖｃｃ２と記載する。

ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴは、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤと、ＬＳＷ５の入力端子ＶＩＮと、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＤＤと、ＲＯＭ６の電源端子ＶＣＣと、バイポーラトランジスタＳ１のエミッタ端子と、抵抗器Ｒｃと、ＦＦ１７の電源端子ＶＣＣと、に接続されている。ＬＳＷ４の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ２が供給される配線を電源ラインＰＬ２と記載する。

ＬＳＷ５は、制御端子ＯＮに入力される信号がハイレベルになると、入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ２を出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ５の制御端子ＯＮは、ＭＣＵ１の端子Ｐ２３と接続されている。ＬＳＷ５が出力する電圧は、配線抵抗等を無視すればシステム電源電圧Ｖｃｃ２と同一であるが、システム電源電圧Ｖｃｃ２と区別するために、ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力される電圧を、以下ではシステム電源電圧Ｖｃｃ３と記載する。ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ３が供給される配線を電源ラインＰＬ３と記載する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ２と抵抗器Ｒｔ２の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ２はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ２と抵抗器Ｒｔ２は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ２１と接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ２１に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ２の温度変動（抵抗値変動）を検出し、その温度変動量によって、パフ動作の有無を判定する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ３はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１３と、オペアンプＯＰ２の反転入力端子と、に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１３に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ３の温度（ヒータＨＴＲの温度に相当）を検出する。

電源ラインＰＬ３には、サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４の直列回路が接続され、抵抗器Ｒｔ４はグランドラインに接続されている。サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４は分圧回路を構成しており、これらの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１２と、オペアンプＯＰ３の反転入力端子と、に接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される電圧に基づいて、サーミスタＴ４の温度（ケース１１０の温度に相当）を検出する。

電源ラインＰＬ２には、ＭＯＳＦＥＴにより構成されたスイッチＳ７のソース端子が接続されている。スイッチＳ７のゲート端子は、ＭＣＵ１の端子Ｐ２０に接続されている。スイッチＳ７のドレイン端子は、振動モータＭが接続される一対のコネクタの一方に接続されている。この一対のコネクタの他方はグランドラインに接続されている。ＭＣＵ１は、端子Ｐ２０の電位を操作することでスイッチＳ７の開閉を制御し、振動モータＭを特定のパターンで振動させることができる。スイッチＳ７に代えて、専用のドライバＩＣを用いてもよい。

電源ラインＰＬ２には、オペアンプＯＰ２の正電源端子と、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続されている分圧回路Ｐｄ（２つの抵抗器の直列回路）と、が接続されている。分圧回路Ｐｄを構成する２つの抵抗器の接続点は、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ２は、ヒータＨＴＲの温度に応じた信号（サーミスタＴ３の抵抗値に応じた信号）を出力する。本実施形態では、サーミスタＴ３としてＮＴＣ特性を持つものを用いているため、ヒータＨＴＲの温度（サーミスタＴ３の温度）が高いほど、オペアンプＯＰ２の出力電圧は低くなる。これは、オペアンプＯＰ２の負電源端子はグランドラインへ接続されており、オペアンプＯＰ２の反転入力端子に入力される電圧値（サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３による分圧値）が、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に入力される電圧値（分圧回路Ｐｄによる分圧値）より高くなると、オペアンプＯＰ２の出力電圧の値は、グランド電位の値と略等しくなるためである。つまり、ヒータＨＴＲの温度（サーミスタＴ３の温度）が高温になると、オペアンプＯＰ２の出力電圧はローレベルになる。
なお、サーミスタＴ３としてＰＴＣ特性を持つものを用いる場合には、オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に、サーミスタＴ３及び抵抗器Ｒｔ３の分圧回路の出力を接続し、オペアンプＯＰ２の反転入力端子に、分圧回路Ｐｄの出力を接続すればよい。

電源ラインＰＬ２には、オペアンプＯＰ３の正電源端子と、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続されている分圧回路Ｐｅ（２つの抵抗器の直列回路）と、が接続されている。分圧回路Ｐｅを構成する２つの抵抗器の接続点は、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続されている。オペアンプＯＰ３は、ケース１１０の温度に応じた信号（サーミスタＴ４の抵抗値に応じた信号）を出力する。本実施形態では、サーミスタＴ４としてＮＴＣ特性を持つものを用いているため、ケース１１０の温度が高いほど、オペアンプＯＰ３の出力電圧は低くなる。これは、オペアンプＯＰ３の負電源端子はグランドラインへ接続されており、オペアンプＯＰ３の反転入力端子に入力される電圧値（サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４による分圧値）が、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に入力される電圧値（分圧回路Ｐｅによる分圧値）より高くなると、オペアンプＯＰ３の出力電圧の値は、グランド電位の値と略等しくなるためである。つまり、サーミスタＴ４の温度が高温になると、オペアンプＯＰ３の出力電圧が、ローレベルになる。
なお、サーミスタＴ４としてＰＴＣ特性を持つものを用いる場合には、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に、サーミスタＴ４及び抵抗器Ｒｔ４の分圧回路の出力を接続し、オペアンプＯＰ３の反転入力端子に、分圧回路Ｐｅの出力を接続すればよい。

オペアンプＯＰ２の出力端子には抵抗器Ｒ１が接続されている。抵抗器Ｒ１には、ダイオードＤ１のカソードが接続されている。ダイオードＤ１のアノードは、オペアンプＯＰ３の出力端子と、ＦＦ１７のＤ端子と、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子と、に接続されている。抵抗器Ｒ１とダイオードＤ１との接続ラインには、電源ラインＰＬ１に接続された抵抗器Ｒ２が接続されている。また、この接続ラインには、ＦＦ１６のＣＬＲ（￣）端子が接続されている。

ダイオードＤ１のアノード及びオペアンプＯＰ３の出力端子の接続点と、ＦＦ１７のＤ端子との接続ラインには、抵抗器Ｒ３の一端が接続されている。抵抗器Ｒ３の他端は電源ラインＰＬ２に接続されている。更に、この接続ラインには、残量計ＩＣ１２の通知端子１２ａと接続されているダイオードＤ２のアノードと、ダイオードＤ３のアノードと、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子と、が接続されている。ダイオードＤ３のカソードは、ＭＣＵ１の端子Ｐ５に接続されている。

ＦＦ１６は、ヒータＨＴＲの温度が過大となり、オペアンプＯＰ２から出力される信号が小さくなって、ＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルになると、Ｑ（￣）端子からハイレベルの信号をＭＣＵ１の端子Ｐ１１に入力する。ＦＦ１６のＤ端子には電源ラインＰＬ１からハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ１が供給されている。このため、ＦＦ１６では、負論理で動作するＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルにならない限り、Ｑ（￣）端子からはローレベルの信号が出力され続ける。

ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子に入力される信号は、ヒータＨＴＲの温度が過大となった場合と、ケース１１０の温度が過大となった場合と、残量計ＩＣ１２の通知端子１２ａから異常検出を示すローレベルの信号が出力された場合のいずれかの場合に、ローレベルとなる。ＦＦ１７は、ＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルになると、Ｑ端子からローレベルの信号を出力する。このローレベルの信号は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１０と、スイッチＳ６のゲート端子と、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮと、充電ＩＣ２に接続されたバイポーラトランジスタＳ１のベース端子と、にそれぞれ入力される。スイッチＳ６のゲート端子にローレベルの信号が入力されると、スイッチＳ６を構成するＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート－ソース間電圧が閾値電圧未満となるため、スイッチＳ６がオフになる。昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮにローレベルの信号が入力されると、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮは正論理であるため、昇圧動作が停止する。バイポーラトランジスタＳ１のベース端子にローレベルの信号が入力されると、バイポーラトランジスタＳ１がオンになる（コレクタ端子から増幅された電流が出力される）。バイポーラトランジスタＳ１がオンになると、充電ＩＣ２のＣＥ（￣）端子にバイポーラトランジスタＳ１を介してハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ２が入力される。充電ＩＣ２のＣＥ（￣）端子は負論理であるため、電源ＢＡＴの充電が停止される。これらにより、ヒータＨＴＲの加熱と電源ＢＡＴの充電が停止される。なお、ＭＣＵ１が端子Ｐ２２から充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力しようとしても、バイポーラトランジスタＳ１がオンされると、増幅された電流が、コレクタ端子からＭＣＵ１の端子Ｐ２２および充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に入力される。これにより、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）にはハイレベルの信号が入力される点に留意されたい。

ＦＦ１７のＤ端子には電源ラインＰＬ２からハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ２が供給されている。このため、ＦＦ１７では、負論理で動作するＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルにならない限り、Ｑ端子からハイレベルの信号が出力され続ける。オペアンプＯＰ３の出力端子からローレベルの信号が出力されると、オペアンプＯＰ２の出力端子から出力される信号のレベルに拠らず、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子にはローレベルの信号が入力される。オペアンプＯＰ２の出力端子からハイレベルの信号が出力される場合には、オペアンプＯＰ３の出力端子から出力されるローレベルの信号は、ダイオードＤ１によってこのハイレベルの信号の影響を受けない点に留意されたい。また、オペアンプＯＰ２の出力端子からローレベルの信号が出力される場合には、オペアンプＯＰ３の出力端子からハイレベルの信号が出力されたとしても、ダイオードＤ１を介してこのハイレベルの信号はローレベルの信号に置き換わる。

電源ラインＰＬ２は、ＭＣＵ搭載基板１６１からＬＥＤ搭載基板１６３及びホールＩＣ搭載基板１６４側に向けて更に分岐している。この分岐した電源ラインＰＬ２には、ホールＩＣ１３の電源端子ＶＤＤと、通信ＩＣ１５の電源端子ＶＣＣと、ホールＩＣ１４の電源端子ＶＤＤと、が接続されている。

ホールＩＣ１３の出力端子ＯＵＴは、ＭＣＵ１の端子Ｐ３と、スイッチドライバ７の端子ＳＷ２と、に接続されている。アウターパネル１１５が外れると、ホールＩＣ１３の出力端子ＯＵＴからローレベルの信号が出力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ３に入力される信号により、アウターパネル１１５の装着有無を判定する。

ＬＥＤ搭載基板１６３には、操作スイッチＯＰＳと接続された直列回路（抵抗器とコンデンサの直列回路）が設けられている。この直列回路は、電源ラインＰＬ２に接続されている。この直列回路の抵抗器とコンデンサの接続点は、ＭＣＵ１の端子Ｐ４と、操作スイッチＯＰＳと、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と、に接続されている。操作スイッチＯＰＳが押下されていない状態では、操作スイッチＯＰＳは導通せず、ＭＣＵ１の端子Ｐ４とスイッチドライバ７の端子ＳＷ１にそれぞれ入力される信号は、システム電源電圧Ｖｃｃ２によりハイレベルとなる。操作スイッチＯＰＳが押下されて操作スイッチＯＰＳが導通状態になると、ＭＣＵ１の端子Ｐ４とスイッチドライバ７の端子ＳＷ１にそれぞれ入力される信号は、グランドラインへ接続されるためローレベルとなる。ＭＣＵ１は、端子Ｐ４に入力される信号により、操作スイッチＯＰＳの操作を検出する。

スイッチドライバ７には、リセット入力端子ＲＳＴＢが設けられている。リセット入力端子ＲＳＴＢは、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮに接続されている。スイッチドライバ７は、端子ＳＷ１と端子ＳＷ２に入力される信号のレベルがいずれもローレベルとなった場合（アウターパネル１１５が外されており、且つ、操作スイッチＯＰＳが押下された状態）には、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力することで、ＬＳＷ４の出力動作を停止させる。つまり、本来はアウターパネル１１５の押圧部１１７を介して押し下げられる操作スイッチＯＰＳが、アウターパネル１１５が外れた状態でユーザによって直接押し下げられると、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と端子ＳＷ２に入力される信号のレベルがいずれもローレベルになる。

＜吸引器の動作モード毎の動作＞
以下、図１３～図１９を参照して、図１０に示す電気回路の動作を説明する。図１３は、スリープモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１４は、アクティブモードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１５は、加熱初期設定モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１６は、加熱モードにおけるヒータＨＴＲの加熱時の電気回路の動作を説明するための図である。図１７は、加熱モードにおけるヒータＨＴＲの温度検出時の電気回路の動作を説明するための図である。図１８は、充電モードにおける電気回路の動作を説明するための図である。図１９は、ＭＣＵ１のリセット（再起動）時の電気回路の動作を説明するための図である。図１３～図１９の各々において、チップ化された電子部品の端子のうち、破線の楕円で囲まれた端子は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴ、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢ、及びシステム電源電圧等の入力又は出力がなされている端子を示している。

いずれの動作モードにおいても、電源電圧Ｖ_ＢＡＴは、保護ＩＣ１０の電源端子ＶＤＤと、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の入力端子ＶＩＮと、充電ＩＣ２の充電端子ｂａｔに入力されている。

＜スリープモード：図１３＞
ＭＣＵ１は、充電ＩＣ２のＶ_ＢＡＴパワーパス機能を有効とし、ＯＴＧ機能と充電機能を無効とする。充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳにＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが入力されないことで、充電ＩＣ２のＶ_ＢＡＴパワーパス機能は有効になる。通信線ＬＮからＯＴＧ機能を有効にするための信号がＭＣＵ１から充電ＩＣ２へ出力されないため、ＯＴＧ機能は無効になる。このため、充電ＩＣ２は、充電端子ｂａｔに入力された電源電圧Ｖ_ＢＡＴからシステム電源電圧Ｖｃｃ０を生成して、出力端子ＳＹＳから出力する。出力端子ＳＹＳから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ０は、昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の入力端子ＶＩＮ及びイネーブル端子ＥＮに入力される。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８は、正論理であるイネーブル端子ＥＮにハイレベルのシステム電源電圧Ｖｃｃ０が入力されることでイネーブルとなり、システム電源電圧Ｖｃｃ０からシステム電源電圧Ｖｃｃ１を生成して、出力端子ＶＯＵＴから出力する。昇降圧ＤＣ／ＤＣコンバータ８の出力端子ＶＯＵＴから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ１は、ＬＳＷ４の入力端子ＶＩＮと、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮと、スイッチドライバ７の入力端子ＶＩＮと、ＦＦ１６の電源端子ＶＣＣ及びＤ端子と、にそれぞれ供給される。

ＬＳＷ４は、制御端子ＯＮにシステム電源電圧Ｖｃｃ１が入力されることで、入力端子ＶＩＮに入力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ１を、出力端子ＶＯＵＴからシステム電源電圧Ｖｃｃ２として出力する。ＬＳＷ４から出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ２は、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤと、ＬＳＷ５の入力端子ＶＩＮと、ホールＩＣ１３の電源端子ＶＤＤと、通信ＩＣ１５の電源端子ＶＣＣと、ホールＩＣ１４の電源端子ＶＤＤと、に入力される。更に、システム電源電圧Ｖｃｃ２は、残量計ＩＣ１２の電源端子ＶＤＤと、ＲＯＭ６の電源端子ＶＣＣと、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に接続された抵抗器Ｒｃ及びバイポーラトランジスタＳ１と、ＦＦ１７の電源端子ＶＣＣと、オペアンプＯＰ３の正電源端子と、分圧回路Ｐｅと、オペアンプＯＰ２の正電源端子と、分圧回路Ｐｄと、にそれぞれ供給される。充電ＩＣ２に接続されているバイポーラトランジスタＳ１は、ＦＦ１７のＱ端子からローレベルの信号が出力されない限りはオフとなっている。そのため、ＬＳＷ４で生成されたシステム電源電圧Ｖｃｃ２は、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）にも入力される。充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）は負論理のため、この状態では、充電ＩＣ２による充電機能はオフとなる。

このように、スリープモードにおいては、ＬＳＷ５はシステム電源電圧Ｖｃｃ３の出力を停止しているため、電源ラインＰＬ３に接続される電子部品への電力供給は停止される。また、スリープモードにおいては、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能は停止しているため、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８への電力供給は停止される。

＜アクティブモード：図１４＞
ＭＣＵ１は、図１３のスリープモードの状態から、端子Ｐ８に入力される信号がハイレベルとなり、スライダ１１９が開いたことを検出すると、端子Ｐ２３からＬＳＷ５の制御端子ＯＮにハイレベルの信号を入力する。これにより、ＬＳＷ５は入力端子ＶＩＮに入力されているシステム電源電圧Ｖｃｃ２を、システム電源電圧Ｖｃｃ３として、出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ３は、サーミスタＴ２と、サーミスタＴ３と、サーミスタＴ４と、に供給される。

更に、ＭＣＵ１は、スライダ１１９が開いたことを検出すると、通信線ＬＮを介して、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能を有効化する。これにより、充電ＩＣ２は、充電端子ｂａｔから入力された電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られるシステム電源電圧Ｖｃｃ４を、入力端子ＶＢＵＳから出力する。入力端子ＶＢＵＳから出力されたシステム電源電圧Ｖｃｃ４は、
ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給される。

＜加熱初期設定モード：図１５＞
図１４の状態から、端子Ｐ４に入力される信号がローレベルになる（操作スイッチＯＰＳの押下がなされる）と、ＭＣＵ１は、加熱に必要な各種の設定を行った後、端子Ｐ１４から、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮにハイレベルのイネーブル信号を入力する。これにより、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、電源電圧Ｖ_ＢＡＴを昇圧して得られる駆動電圧Ｖ_ｂｓｔを出力端子ＶＯＵＴから出力する。駆動電圧Ｖ_ｂｓｔは、スイッチＳ３とスイッチＳ４に供給される。この状態では、スイッチＳ３とスイッチＳ４はオフとなっている。また、端子Ｐ１４から出力されたハイレベルのイネーブル信号によってスイッチＳ６はオンされる。これにより、ヒータＨＴＲの負極側端子がグランドラインに接続されて、スイッチＳ３をＯＮにすればヒータＨＴＲを加熱可能な状態になる。ＭＣＵ１の端子Ｐ１４からハイレベルの信号のイネーブル信号が出力された後、加熱モードに移行する。

＜加熱モード時のヒータ加熱：図１６＞
図１５の状態において、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１６に接続されたスイッチＳ３のスイッチング制御と、端子Ｐ１５に接続されたスイッチＳ４のスイッチング制御を開始する。これらスイッチング制御は、上述した加熱初期設定モードが完了すれば自動的に開始されてもよいし、さらなる操作スイッチＯＰＳの押下によって開始されてもよい。具体的には、ＭＣＵ１は、図１６のように、スイッチＳ３をオンし、スイッチＳ４をオフして、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔをヒータＨＴＲに供給し、エアロゾル生成のためのヒータＨＴＲの加熱を行う加熱制御と、図１７のように、スイッチＳ３をオフし、スイッチＳ４をオンして、ヒータＨＴＲの温度を検出する温度検出制御と、を行う。

図１６に示すように、加熱制御時においては、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔは、スイッチＳ５のゲートにも供給されて、スイッチＳ５がオンとなる。また、加熱制御時には、スイッチＳ３を通過した駆動電圧Ｖ_ｂｓｔが、抵抗器Ｒｓを介して、オペアンプＯＰ１の正電源端子にも入力される。抵抗器Ｒｓの抵抗値は、オペアンプＯＰ１の内部抵抗値と比べると無視できるほど小さい。そのため、加熱制御時において、オペアンプＯＰ１の正電源端子に入力される電圧は、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔとほぼ同等になる。

なお、抵抗器Ｒ４の抵抗値は、スイッチＳ５のオン抵抗値よりも大きくなっている。加熱制御時にもオペアンプＯＰ１は動作するが、加熱制御時にはスイッチＳ５がオンになる。スイッチＳ５がオンの状態では、オペアンプＯＰ１の出力電圧が、抵抗器Ｒ４とスイッチＳ５の分圧回路によって分圧されて、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される。抵抗器Ｒ４の抵抗値がスイッチＳ５のオン抵抗値よりも大きくなっていることで、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される電圧は十分に小さくなる。これにより、オペアンプＯＰ１からＭＣＵ１に対して大きな電圧が入力されるのを防ぐことができる。

＜加熱モード時のヒータ温度検出：図１７＞
図１７に示すように、温度検出制御時には、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔがオペアンプＯＰ１の正電源端子に入力されると共に、分圧回路Ｐｂに入力される。分圧回路Ｐｂによって分圧された電圧は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１８に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１８に入力される電圧に基づいて、温度検出制御時における抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲの直列回路に印加される基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐを取得する。

また、温度検出制御時には、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔ（基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐ）が、抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲの直列回路に供給される。そして、この駆動電圧Ｖ_ｂｓｔ（基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐ）を抵抗器ＲｓとヒータＨＴＲによって分圧した電圧Ｖ_ｈｅａｔが、オペアンプＯＰ１の非反転入力端子に入力される。抵抗器Ｒｓの抵抗値はヒータＨＴＲの抵抗値よりも十分に大きいため、電圧Ｖ_ｈｅａｔは、駆動電圧Ｖ_ｂｓｔよりも十分に低い値である。温度検出制御時には、この低い電圧Ｖ_ｈｅａｔがスイッチＳ５のゲート端子にも供給されることで、スイッチＳ５はオフされる。オペアンプＯＰ１は、反転入力端子に入力される電圧と非反転入力端子に入力される電圧Ｖ_ｈｅａｔの差を増幅して出力する。

オペアンプＯＰ１の出力信号は、ＭＣＵ１の端子Ｐ９に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ９に入力された信号と、端子Ｐ１８の入力電圧に基づいて取得した基準電圧Ｖ_ｔｅｍｐと、既知の抵抗器Ｒｓの電気抵抗値と、に基づいて、ヒータＨＴＲの温度を取得する。ＭＣＵ１は、取得したヒータＨＴＲの温度に基づいて、ヒータＨＴＲの加熱制御（例えばヒータＨＴＲの温度が目標温度となるような制御）を行う。

なお、ＭＣＵ１は、スイッチＳ３とスイッチＳ４をそれぞれオフにしている期間（ヒータＨＴＲへの通電を行っていない期間）においても、ヒータＨＴＲの温度を取得することができる。具体的には、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１３に入力される電圧（サーミスタＴ３と抵抗器Ｒｔ３から構成される分圧回路の出力電圧）に基づいて、ヒータＨＴＲの温度を取得する。

また、ＭＣＵ１は、任意のタイミングにて、ケース１１０の温度の取得も可能である。具体的には、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される電圧（サーミスタＴ４と抵抗器Ｒｔ４から構成される分圧回路の出力電圧）に基づいて、ケース１１０の温度を取得する。

＜充電モード：図１８＞
図１８は、スリープモードの状態でＵＳＢ接続がなされた場合を例示している。ＵＳＢ接続がなされると、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢが過電圧保護ＩＣ１１を介してＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮに入力される。ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、ＬＳＷ３の入力端子ＶＩＮに接続された分圧回路Ｐｆにも供給される。ＵＳＢ接続がなされた直後の時点では、バイポーラトランジスタＳ２がオンとなっているため、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される信号はローレベルのままとなる。ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、ＭＣＵ１の端子Ｐ１７に接続された分圧回路Ｐｃにも供給され、この分圧回路Ｐｃで分圧された電圧が端子Ｐ１７に入力される。ＭＣＵ１は、端子Ｐ１７に入力された電圧に基づいて、ＵＳＢ接続がなされたことを検出する。

ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、端子Ｐ１９に接続されたバイポーラトランジスタＳ２をオフする。バイポーラトランジスタＳ２のゲート端子にローレベルの信号を入力すると、分圧回路Ｐｆによって分圧されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢがＬＳＷ３の制御端子ＯＮに入力される。これにより、ＬＳＷ３の制御端子ＯＮにハイレベルの信号が入力されて、ＬＳＷ３は、ＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢを出力端子ＶＯＵＴから出力する。ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、充電ＩＣ２の入力端子ＶＢＵＳに入力される。また、ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢは、そのままシステム電源電圧Ｖｃｃ４として、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給される。

ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、更に、端子Ｐ２２から、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力する。これにより、充電ＩＣ２は、電源ＢＡＴの充電機能を有効化し、入力端子ＶＢＵＳに入力されるＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢによる電源ＢＡＴの充電を開始する。

なお、アクティブモードの状態でＵＳＢ接続がなされた場合には、ＭＣＵ１は、ＵＳＢ接続がなされたことを検出すると、端子Ｐ１９に接続されたバイポーラトランジスタＳ２をオフし、更に、端子Ｐ２２から、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）に対してローレベルのイネーブル信号を出力し、更に、通信線ＬＮを利用したシリアル通信によって、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能をオフする。これにより、ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給されるシステム電源電圧Ｖｃｃ４は、充電ＩＣ２のＯＴＧ機能で生成されていた電圧（電源電圧Ｖ_ＢＡＴに基づく電圧）から、ＬＳＷ３から出力されたＵＳＢ電圧Ｖ_ＵＳＢに切り替わる。ＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８は、ＭＣＵ１によって内蔵トランジスタのオン制御がなされない限りは作動しない。このため、ＯＴＧ機能のオンからオフへの過渡期における不安定な電圧がＬＥＤ Ｌ１～Ｌ８に供給されるのは防がれる。

図１８では、充電モードにおけるシステム電源電圧の供給状態は、スリープモードと同じとしている。しかし、充電モードにおけるシステム電源電圧の供給状態は、図１４に示したアクティブモードと同じにすることが好ましい。すなわち、充電モードにおいては、後述する温度管理のために、サーミスタＴ２～Ｔ４にシステム電源電圧Ｖｃｃ３が供給された状態となっていることが好ましい。

＜ＭＣＵのリセット：図１９＞
アウターパネル１１５が外されてホールＩＣ１３の出力がローレベルとなり、操作スイッチＯＰＳのオン操作がなされてＭＣＵ１の端子Ｐ４に入力される信号がローレベルになると、スイッチドライバ７の端子ＳＷ１と端子ＳＷ２が共にローレベルとなる。これにより、スイッチドライバ７は、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力する。リセット入力端子ＲＳＴＢから出力されたローレベルの信号はＬＳＷ４の制御端子ＯＮに入力される。これにより、ＬＳＷ４は、出力端子ＶＯＵＴからのシステム電源電圧Ｖｃｃ２の出力を停止する。システム電源電圧Ｖｃｃ２の出力が停止されることで、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤにシステム電源電圧Ｖｃｃ２が入力されなくなるため、ＭＣＵ１は停止する。

スイッチドライバ７は、リセット入力端子ＲＳＴＢからローレベルの信号を出力している時間が既定時間に達するか、端子ＳＷ１と端子ＳＷ２のいずれかに入力される信号がハイレベルになると、リセット入力端子ＲＳＴＢから出力する信号をハイレベルに戻す。これにより、ＬＳＷ４の制御端子ＯＮがハイレベルとなり、システム電源電圧Ｖｃｃ２が各部に供給される状態に復帰する。

以下では理解を容易にするために、前述してきたサーミスタＴ１を電源サーミスタＴ１とも記載し、前述してきたサーミスタＴ２をパフサーミスタＴ２とも記載し、前述してきたサーミスタＴ３をヒータサーミスタＴ３とも記載し、前述してきたサーミスタＴ４をケースサーミスタＴ４とも記載する。

（吸引検知の詳細）
図２０は、パフサーミスタＴ２を用いたＭＣＵ１による吸引動作の検知処理を説明するための模式図である。図２０に示すように、ＭＣＵ１の内部には、オペアンプ１Ａと、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）１Ｂと、フィルタ回路１Ｃと、遅延回路１Ｄと、減算器１Ｅと、比較器１Ｆと、が設けられている。

オペアンプ１Ａの非反転入力端子は端子Ｐ２１に接続されている。オペアンプ１Ａの反転入力端子には基準電圧Ｖ_Ｒｅｆが入力される。基準電圧Ｖ_Ｒｅｆは、ＭＣＵ１の電源端子ＶＤＤに入力されるシステム電源電圧Ｖｃｃ２から生成されてよい。パフサーミスタＴ２は、図２０の例ではＮＴＣ特性を持つものとしている。端子Ｐ２１には、システム電源電圧Ｖｃｃ３をパフサーミスタＴ２と抵抗器Ｒｔ２で分圧した信号が入力される。したがって、端子Ｐ２１に入力される信号は、パフサーミスタＴ２の温度が高いほど、大きい値となる。オペアンプ１Ａは、パフサーミスタＴ２に印加された電圧を増幅して出力する。ＡＤＣ１Ｂは、オペアンプ１Ａの出力信号をデジタル値に変換する。フィルタ回路１Ｃは、ＡＤＣ１Ｂから出力されたデジタル信号にハイパスフィルタやローパスフィルタやバンドパスフィルタ等のフィルタ処理を施す。フィルタ回路１Ｃでフィルタ処理後のデジタル信号は、減算器１Ｅの＋側に入力される。このデジタル信号は、遅延回路１Ｄで遅延されて減算器１Ｅの－側に入力される。したがって、減算器１Ｅからは、任意の時刻ｔ（ｎ）で得られたパフサーミスタＴ２の温度に相当するデジタル信号と、時刻ｔ（ｎ）の遅延時間前の時刻ｔ（ｎ－１）で得られたパフサーミスタＴ２の温度に相当するデジタル信号との差分値が出力される。時刻ｔ（ｎ－１）から時刻ｔ（ｎ）にかけてパフサーミスタＴ２の温度が低下した場合には、減算器１Ｅの出力値が負の値となって比較器１Ｆの出力がローレベルとなる。時刻ｔ（ｎ－１）から時刻ｔ（ｎ）にかけてパフサーミスタＴ２の温度が増加した場合には、減算器１Ｅの出力値は正の値となって、比較器１Ｆの出力がハイレベルとなる。

加熱初期設定モードから加熱モードに移行すると、ＭＣＵ１は、ヒータＨＴＲの予熱を開始する。図６及び図７に示したように、パフサーミスタＴ２は加熱部１７０の近傍に配置されている。したがって、この予熱によってヒータＨＴＲの温度が上昇すると、パフサーミスタＴ２の温度もそれに合わせて上昇することになる。この状態で、ユーザが吸引を行うと、ケース１１０内部の気体の流れによって、パフサーミスタＴ２の温度が若干低下する。つまり、ヒータＨＴＲの予熱中に吸引が行われると、減算器１Ｅの出力が負の値となり、比較器１Ｆからローレベルの信号が出力される。ＭＣＵ１は、比較器１Ｆからローレベルの信号が出力された場合に、吸引動作がなされたと判定する。

（保護制御）
吸引器１００では、電源サーミスタＴ１の抵抗値（出力値）によって電源ＢＡＴの温度（以下、電源温度Ｔ_ＢＡＴと記載）を取得可能であり、ヒータサーミスタＴ３の抵抗値（出力値）によってヒータＨＴＲの温度（以下、ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲと記載）を取得可能であり、ケースサーミスタＴ４の抵抗値（出力値）によってケース１１０の温度（以下、ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥと記載）を取得可能である。そして、吸引器１００は、電源温度Ｔ_ＢＡＴ、ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲ、及びケース温度Ｔ_ＣＡＳＥの少なくともいずれかが、吸引器１００の使用される推奨環境下での値とかけ離れた状態になった場合に、電源ＢＡＴの充電及び電源ＢＡＴからヒータＨＴＲへの放電（以下、充放電とも記載）を禁止する保護制御を実行して、安全性を高めるように構成されている。この保護制御は、ＭＣＵ１とＦＦ１７によって行われる。

充放電を禁止する保護制御とは、充放電が不可となるように電子部品を制御することを言う。電源ＢＡＴからヒータＨＴＲへの放電を不可とするためには、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９のイネーブル端子ＥＮにローレベルの信号を入力して（或いはイネーブル端子ＥＮの電位を不定にして）昇圧動作を停止させ、且つ、スイッチＳ６のゲート端子にローレベルの信号を入力して（或いはゲート端子の電位を不定にして）負極側のヒータコネクタＣｎ（－）とグランドとの接続を遮断すればよい。なお、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の昇圧動作の停止と、ヒータコネクタＣｎ（－）とグランドとの接続遮断のうち一方のみを行うことでも、電源ＢＡＴからヒータＨＴＲへの放電を不可とすることは可能である。電源ＢＡＴの充電を不可とするためには、充電ＩＣ２の充電イネーブル端子ＣＥ（￣）にハイレベルの信号が入力されるようにして、充電ＩＣ２の充電動作を停止させればよい。
以下では、保護制御として充放電を禁止する例を説明するが、保護制御は、安全性の向上という観点から、充電のみを禁止する制御としてもよいし、放電のみを禁止する制御としてもよい。

保護制御が行われた場合に、動作モードの制限が更に行われることが好ましい。以下では、保護制御が行われると、動作モードが制限されるものとする。ただし、動作モードの管理はＭＣＵ１が行うため、ＭＣＵ１が何らかの理由で作動していない状態においては、動作モードの制限は行われなくてもよい。

吸引器１００にて行われる保護制御には、ユーザ操作によってＭＣＵ１のリセットがなされることで終了可能な手動復帰保護制御と、ＭＣＵ１のリセットを必要とせず、温度環境の改善によって自動的に終了可能な自動復帰保護制御と、終了不能な非復帰保護制御と、が含まれる。吸引器１００の動作モードには、図９にて説明したものに加えて、エラーモードと、永久エラーモードと、がある。本明細書において、”吸引器の全ての動作モード“と記載するときは、これらエラーモードと永久エラーモードを除く全ての動作モード（図９に示した全ての動作モード）のことを意味する。

手動復帰保護制御又は自動復帰保護制御が行われた場合には、吸引器１００はエラーモードに移行し、他の動作モードへの移行は不可となる。なお、エラーモードでは、直前の動作モードにおける電源電圧の状態（システム電源電圧の供給状態）が維持されるものとする。すなわち、エラーモードにおいては、充放電を除く、直前の動作モードにて実行可能な機能（例えば温度情報の取得等）が実行可能となる。エラーモードにおいて、ＭＣＵ１のリセットがなされると、手動復帰保護制御は終了される。エラーモードにおいて、温度環境の改善がなされると、自動復帰保護制御は終了される。手動復帰保護制御又は自動復帰保護制御が終了されると、動作モードの制限は解除され、動作モードはスリープモードに移行する。それ以降は、ユーザ操作等による動作モードの変更が可能となる。

非復帰保護制御が行われた場合には、吸引器１００は永久エラーモードに移行する。永久エラーモードでは、吸引器１００のすべての機能が使用不可となり、吸引器１００は、修理又は廃棄が必要になる。

ＭＣＵ１は、端子Ｐ１４からローレベルの信号を出力して、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の昇圧動作の停止及び負極側のヒータコネクタＣｎ（－）とグランドとの接続遮断を行うと共に、端子Ｐ２２からハイレベルの信号を出力して、充電ＩＣ２の充電動作を停止することで、保護制御を行う。充電のみ禁止する場合には端子Ｐ１４からローレベルの信号を出力する必要はなく、放電のみ禁止する場合には端子Ｐ２２からハイレベルの信号を出力する必要はない。

ＦＦ１７は、Ｑ端子からローレベルの信号を出力して、昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ９の昇圧動作の停止、負極側のヒータコネクタＣｎ（－）とグランドとの接続遮断、及びバイポーラトランジスタＳ１のオンによる充電ＩＣ２の充電動作の停止を行うことで、ＭＣＵ１を介さずに、保護制御を行う。

ＦＦ１７は、ＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がハイレベルからローレベルに切り替わると、Ｑ端子からローレベルの信号を出力する。このローレベル信号は、ＭＣＵ１のＰ１０端子にも入力される。端子Ｐ１０にローレベル信号が入力されている間は、ＭＣＵ１はＦＦ１７の不図示のＣＬＫ端子に入力される信号をローレベルからハイレベルに切替えない。換言すれば、端子Ｐ１０にローレベル信号が入力されている間は、ＦＦ１７のＣＬＫ信号が立ち上がらない。また、ＭＣＵ１が例えばフリーズしている状態では、ＦＦ１７の不図示のＣＬＫ端子に入力される信号はローレベルのままとなる。したがって、ＭＣＵ１が正常動作している状態とフリーズしている状態のどちらの状態であっても、ＦＦ１７のＱ端子からローレベルの信号が出力された後、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子に入力される信号がローレベルからハイレベルに切り替わっても、ＦＦ１７のＱ端子からはローレベルの信号が出力され続ける。図１９にて説明したようにＭＣＵ１のリセットを行うと、ＦＦ１７が再起動する（システム電源電圧Ｖｃｃ２の再投入が行われる）。リセットされたＭＣＵ１はスリープモードで動作するため、ヒータサーミスタＴ３及びケースサーミスタＴ４にはシステム電源電圧Ｖｃｃ３が投入されず、オペアンプＯＰ２の出力とオペアンプＯＰ３の出力が共にハイレベルになる。これにより、ＦＦ１７のＤ端子とＣＬＲ（￣）端子にはハイレベルの信号が入力される。このタイミングにおいては、ＦＦ１７の再起動によって、端子Ｐ１０にローレベルの信号が入力されていないため、ＭＣＵ１は、ＦＦ１７のＣＬＫ信号を立ち上がらせる。これにより、ＦＦ１７のＱ端子の出力をハイレベルに戻すことが可能である。ＦＦ１７のＱ端子の出力がハイレベルに戻ることで、ＦＦ１７による保護制御は終了される。

上述した通り、ＦＦ１７のＱ端子から出力された信号は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１０にも入力される。このため、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１０に入力されたローレベルの信号によって、ＦＦ１７が保護制御を行ったことを検知可能である。ＭＣＵ１は、ＦＦ１７が保護制御を行ったことを検知すると、ＭＣＵ１のリセット要求通知を通知部１８０に行わせて、エラーモードに移行することが好ましい。

吸引器１００では、温度判定のための閾値（以下、温度閾値と記載）として、下記に示すものが設定されている。この各温度閾値における括弧内の数値及び大小関係は、好ましい例を示しており、これに限定されるものではない。以下では、各温度閾値が括弧内の値であるものとして説明する。
温度閾値ＴＨＨ０（３４０℃）
温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）
温度閾値ＴＨＨ２（６５℃）
温度閾値ＴＨＨ３（６０℃）
温度閾値ＴＨＨ４（５５℃）
温度閾値ＴＨＨ５（５１℃）
温度閾値ＴＨＨ６（４８℃）
温度閾値ＴＨＨ７（４７℃）
温度閾値ＴＨＨ８（４５℃）
温度閾値ＴＨＬ１（０℃）
温度閾値ＴＨＬ２（－５℃）

次に、保護制御の説明に必要な回路構成について説明する。
図２１は、図１０に示す電気回路のうち、サーミスタＴ１～Ｔ４と関係のある主要な電子部品を抜き出して示した要部回路図である。図２２は、図２１における破線で囲まれた範囲ＡＲの部分を抽出して示した図である。なお、図２２には、図２１では図示されていなかった電子部品として、システム電源電圧Ｖｃｃ３を生成するＬＳＷ５が示されている。

図２１には、図１０では図示を省略していた電子部品及びノードとして、コンデンサＣｕ、コンデンサＣｔ３、抵抗器Ｒｈ、コンデンサＣｔ４、コンデンサＣｈ、コンデンサＣｔ２、ノードＮｕ、ノードＮｔ２、ノードＮｔ３、ノードＮｔ４、及びノードＮｂが示されている。コンデンサＣｕ、コンデンサＣｔ３、抵抗器Ｒｈ、コンデンサＣｔ４、コンデンサＣｈ、及びコンデンサＣｔ２は、それぞれ、ノイズを低減（信号を平滑化）する目的で設けられている。また、図１０では単一の端子とされていた残量計ＩＣ１２の通知端子１２ａが、図２１では、第一通知端子１２ａａと第二通知端子１２ａｂとで分けて図示されている。

図２２に示すように、ノードＮｕは、ＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴと、パフサーミスタＴ２が接続されるコネクタＣｎ（ｔ２）の正極側とを接続している。ノードＮｕとＬＳＷ５の出力端子ＶＯＵＴとの接続ラインには、コンデンサＣｕの一端が接続されている。コンデンサＣｕの他端はグランドに接続されている。コンデンサＣｕの容量は一例として１μＦである。ノードＮｕには、ケースサーミスタＴ４が接続されるコネクタＣｎ（ｔ４）の正極側と、ヒータサーミスタＴ３が接続されるコネクタＣｎ（ｔ３）の正極側とがそれぞれ接続されている。

ノードＮｔ２は、コネクタＣｎ（ｔ２）の負極側と、抵抗器Ｒｔ２の一端とを接続している。抵抗器Ｒｔ２の他端はグランドに接続されている。ノードＮｔ２とコネクタＣｎ（ｔ２）の負極側との接続ラインには、コンデンサＣｔ２の一端が接続されている。コンデンサＣｔ２の他端は、グランドに接続されている。コンデンサＣｔ２の容量は一例として０．０１μＦである。ノードＮｔ２は、ＭＣＵ１の端子Ｐ２１に接続されている。

ノードＮｔ４は、コネクタＣｎ（ｔ４）の負極側と、抵抗器Ｒｔ４の一端とを接続している。抵抗器Ｒｔ４の他端はグランドに接続されている。ノードＮｔ４とコネクタＣｎ（ｔ４）の負極側との接続ラインには、コンデンサＣｔ４の一端が接続されている。コンデンサＣｔ４の他端は、グランドに接続されている。コンデンサＣｔ４の容量は一例として０．１μＦである。ノードＮｔ４は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１２に接続されている。ノードＮｔ４とＭＣＵ１の端子Ｐ１２との接続ラインには、オペアンプＯＰ３の反転入力端子が接続されている。

ノードＮｔ３は、コネクタＣｎ（ｔ３）の負極側と、抵抗器Ｒｔ３の一端とを接続している。抵抗器Ｒｔ３の他端はグランドに接続されている。ノードＮｔ３とコネクタＣｎ（ｔ３）の負極側との接続ラインには、コンデンサＣｔ３の一端が接続されている。コンデンサＣｔ３の他端は、グランドに接続されている。コンデンサＣｔ３の容量は一例として０．１μＦである。ノードＮｔ３には、抵抗器Ｒｈの一端が接続されている。抵抗器Ｒｈの他端は、ＭＣＵ１の端子Ｐ１３に接続されている。抵抗器Ｒｈの他端とＭＣＵ１の端子Ｐ１３との接続ラインには、コンデンサＣｈの一端が接続されている。コンデンサＣｈの他端はグランドに接続されている。コンデンサＣｈの容量は一例として０．０１μＦである。抵抗器ＲｈとコンデンサＣｈは、一次ＲＣ直列回路によるフィルタ回路ＲＣ１を構成している。

ノードＮｂは、抵抗器Ｒｈの一端とノードＮｔ３とを接続している。ノードＮｂには、オペアンプＯＰ２の反転入力端子が接続されている。

（コンデンサの好ましい構成）
コンデンサＣｕ、コンデンサＣｔ３、コンデンサＣｔ４、コンデンサＣｈ、及びコンデンサＣｔ２の容量は、次の（Ａ）～（Ｃ）の関係になっていることが望ましい。

（Ａ）コンデンサＣｕの容量は、コンデンサＣｔ３、コンデンサＣｔ４、及びコンデンサＣｔ２のそれぞれの容量よりも大きい
図２２に示したように、コンデンサＣｕは、パフサーミスタＴ２及び抵抗器Ｒｔ２の分圧回路と、ケースサーミスタＴ４及び抵抗器Ｒｔ４の分圧回路と、ヒータサーミスタＴ３及び抵抗器Ｒｔ３の分圧回路との３つの分圧回路よりも上流側（高電位側）に設けられる。この位置に大容量のコンデンサＣｕがあることで、各分圧回路に不安的な電源が供給されにくくなるため、サーミスタＴ２～Ｔ４の出力信号を安定にし、吸引器１００を安定的に動作させることができる。また、大容量のコンデンサＣｕが上流側に存在することで、下流側に設けられるコンデンサＣｔ２、コンデンサＣｔ３、及びコンデンサＣｔ４の容量を下げることができる。このため、回路基板の面積を有効活用でき、吸引器１００のコストやサイズを低減できる。なお、コンデンサＣｕを設けることで、スライダ１１９の開閉やＭＣＵ１のリセット等に応じて間欠的にＯＮされるＬＳＷ５のＯＮ／ＯＦＦ時に生じ得る過渡的な電圧を平滑化する効果も得られる。

（Ｂ）コンデンサＣｔ２の容量は、コンデンサＣｔ３及びコンデンサＣｔ４のそれぞれの容量よりも小さい
ＭＣＵ１は、端子Ｐ２１、端子Ｐ１２、及び端子Ｐ１３のそれぞれに入力される信号のうち、端子Ｐ２１に入力される信号に対してのみ、図２０にて説明したように、フィルタ処理を実行する。また、ＭＣＵ１は、端子Ｐ２１に入力される信号の変化に基づいて、吸引動作の検知を行う。したがって、端子Ｐ２１に入力される信号がその入力前に大きく平滑化されるのは好ましくない。コンデンサＣｔ２の容量を小さくすることで、パフサーミスタＴ２の出力から適度にノイズを除去しつつ、フィルタ処理の結果に影響を与えにくくなる。これにより吸引検知を高精度に行うことができる。
一方、コンデンサＣｔ３とコンデンサＣｔ４については、大きめの容量とすることで、十分に平滑化された信号をオペアンプＯＰ２とオペアンプＯＰ３に入力可能となる。これにより、オペアンプＯＰ２とオペアンプＯＰ３が誤動作する虞が低減し、ヒータサーミスタＴ３とケースサーミスタＴ４の出力値をＭＣＵ１が高精度に取得可能となる。

（Ｃ）コンデンサＣｈの容量は、コンデンサＣｔ３の容量よりも小さい
ＲＣフィルタ回路ＲＣ１を設けることで、コンデンサＣｔ３で平滑化しきれなかったスパイクノイズを除去する効果を得られる。つまり、ＲＣフィルタ回路ＲＣ１は、コンデンサＣｔ３の補助的な役割を果たすが、このような補助的なＲＣフィルタ回路ＲＣ１に、コンデンサＣｔ３よりも小容量のコンデンサを用いることで、ＲＣフィルタ回路ＲＣ１によるヒータサーミスタＴ３の出力信号の遅延を抑制できる。この結果、ＭＣＵ１は、ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲの取得を高速且つ低ノイズで行うことができる。
なお、ヒータサーミスタＴ３の出力信号は、オペアンプＯＰ２にも入力されるが、オペアンプＯＰ２の入力端子は、ノードＮｔ３とＲＣフィルタ回路ＲＣ１の間に接続されている。このため、オペアンプＯＰ２に入力されるヒータサーミスタＴ３の出力信号がＲＣフィルタ回路ＲＣ１によって遅延されることは防がれる。

図２１に示すように、残量計ＩＣ１２の第一通知端子１２ａａは、ダイオードＤ２のカソードに接続されている。残量計ＩＣ１２の第二通知端子１２ａｂは、ＭＣＵ１の端子Ｐ６に接続されている。

残量計ＩＣ１２は、電源温度Ｔ_ＢＡＴを定期的なタイミング（例えば１秒毎）で取得して内蔵レジスタに保持する。残量計ＩＣ１２は、ＭＣＵ１が省電力化を図っているスリープモード以外の動作モードにおいては、通信線ＬＮによってＭＣＵ１と相互通信可能である。残量計ＩＣ１２は、通信線ＬＮを介してＭＣＵ１から電源温度Ｔ_ＢＡＴの送信要求を受けると、その送信要求に応じて、電源温度Ｔ_ＢＡＴをＭＣＵ１に送信する。

残量計ＩＣ１２は、スリープモードにおいては、電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温条件（温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）以上の状態が複数回連続するという条件）を満たした場合（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）に、高温通知信号ＳＩＧ２ａを第二通知端子１２ａｂから出力する。スリープモードにおいては、ＭＣＵ１は通信線ＬＮによって残量計ＩＣ１２とは相互通信不能である。従って、高温通知信号ＳＩＧ２ａは、ＭＣＵ１に対する割込み信号ともいえる。

残量計ＩＣ１２は、全ての動作モードにおいて、電源温度Ｔ_ＢＡＴが低温条件（温度閾値ＴＨＬ２（－５℃）以下になるという条件）を満たした場合（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）に、低温通知信号ＳＩＧ２ｂを第二通知端子１２ａｂから出力する。残量計ＩＣ１２は、全ての動作モードにおいて、電源温度Ｔ_ＢＡＴが低温解除条件（温度閾値ＴＨＬ１（０℃）以上になるという条件）を満たした場合（電源サーミスタＴ１の出力値が正常である場合）に、低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃを第二通知端子１２ａｂから出力する。図２１では、高温通知信号ＳＩＧ２ａと低温通知信号ＳＩＧ２ｂと低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃを併せて通知信号ＳＩＧ２と表記している。低温通知信号ＳＩＧ２ｂと低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃは、通信線ＬＮによるＭＣＵ１からの要求を待たずに出力される。低温通知信号ＳＩＧ２ｂと低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃも、ＭＣＵ１に対する割込み信号ともいえる。

スリープモードで動作している状態のＭＣＵ１は、その機能を、操作スイッチＯＰＳの操作検知、スライダ１１９の開検知、アウターパネル１１５の脱着検知、ＵＳＢ接続の検知、残量計ＩＣ１２からの通知の検知、及び残量計ＩＣ１２からの通知に基づく保護制御の実行等に絞ることで省エネ化を図っている。

スリープモードで動作中のＭＣＵ１は、スライダ１１９が開いたことを契機として起動（全ての機能を有効化）し、吸引器１００の動作モードをアクティブモードに移行させるのは前述したとおりである。これに加え、ＭＣＵ１は、スリープモードにおいて、高温通知信号ＳＩＧ２ａを残量計ＩＣ１２から端子Ｐ６にて受信した場合（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）にも起動し、吸引器１００の動作モードをアクティブモードに移行させる。

また、ＭＣＵ１は、スリープモードにおいて、低温通知信号ＳＩＧ２ｂを残量計ＩＣ１２から端子Ｐ６にて受信した場合（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）には、自動復帰保護制御を実行し、吸引器１００の動作モードをエラーモードに移行させる。この自動復帰保護制御の実行後、ＭＣＵ１は、低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃを端子Ｐ６にて受信した場合（電源サーミスタＴ１の出力値が正常である場合）には、自動復帰保護制御を終了して、スリープモードに戻る。

残量計ＩＣ１２は、電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温条件（温度閾値ＴＨＨ３（６０℃）以上になるという条件）を満たした場合（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）には、ローレベルの高温通知信号ＳＩＧ１を第一通知端子１２ａａから出力する。第一通知端子１２ａａからローレベルの高温通知信号ＳＩＧ１が出力されると、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子がローレベルとなる。つまり、ＦＦ１７のＱ端子の出力がローレベルになって、手動復帰保護制御が実行されることになる。高温通知信号ＳＩＧ１に基づく保護制御の実行が可能なのは、全ての動作モードである。

オペアンプＯＰ２の非反転入力端子に接続される分圧回路Ｐｄは、ヒータサーミスタＴ３の温度が温度閾値ＴＨＨ０（３４０℃）以上になった場合（ヒータサーミスタＴ３の出力値が異常である場合）に、オペアンプＯＰ２の出力がローレベルとなるよう、抵抗値が決められている。ヒータサーミスタＴ３の温度が温度閾値ＴＨＨ０（３４０℃）に近い高温になるのは加熱モードのときである。したがって、加熱モードにおいて、オペアンプＯＰ２からローレベルの信号が出力されると、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子がローレベルとなる。つまり、ＦＦ１７のＱ端子の出力がローレベルとなって、手動復帰保護制御が実行されることになる。オペアンプＯＰ２の出力に基づく保護制御の実行が可能なのは、ヒータサーミスタＴ３に電源が供給されている動作モード（換言すると、スリープモード以外の動作モード）である。

オペアンプＯＰ３の非反転入力端子に接続される分圧回路Ｐｅは、ケースサーミスタＴ４の温度が温度閾値ＴＨＨ３（６０℃）以上になった場合（ケースサーミスタＴ４の出力値が異常である場合）に、オペアンプＯＰ３の出力がローレベルとなるよう、抵抗値が決められている。オペアンプＯＰ３からローレベルの信号が出力されると、ＦＦ１７のＣＬＲ（￣）端子がローレベルとなる。つまり、ＦＦ１７のＱ端子の出力がローレベルになって、手動復帰保護制御が実行されることになる。オペアンプＯＰ３の出力に基づく保護制御の実行が可能なのは、ケースサーミスタＴ４に電源が供給されている動作モード（換言すると、スリープモード以外の動作モード）である。

このように、ＦＦ１７は、ＭＣＵ１を介さずに保護制御を実行できるため、ＭＣＵ１がスリープモードにて省電力化を図っていたり、ＭＣＵ１が何らかの理由で正常に動作していなかったりした場合であっても、電源温度Ｔ_ＢＡＴ、ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲ、及びケース温度Ｔ_ＣＡＳＥのいずれかの温度に基づいて、充放電を禁止することができる。これにより吸引器１００の安全性を高めることができる。

なお、スリープモードにおいては、サーミスタＴ２～Ｔ４には電源電圧（システム電源電圧Ｖｃｃ３）が供給されていない。このため、ＦＦ１７は、ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲ及びケース温度Ｔ_ＣＡＳＥのいずれかの温度に基づく充放電の禁止を行うことはできない。これに対し、電源サーミスタＴ１には、全ての動作モードにおいて電源電圧が供給されている。このため、全ての動作モードにおいて、ＦＦ１７による保護制御の実行は可能である。

ＭＣＵ１は、主に、スリープモード以外の動作モードにおいて保護制御を行う。以下、図２３を参照して具体的に説明する。図２３は、吸引器１００にて行われる保護制御のパターンの具体例をまとめた図である。図２３には、理解のために、図中の温度と温度閾値との関係を併記している。

（保護制御のパターン）
図２３に示すように、電源温度Ｔ_ＢＡＴのみに基づいて行われる保護制御にはパターンＰＴ１～ＰＴ４が存在する。ヒータ温度Ｔ_ＨＴＲのみに基づいて行われる保護制御にはパターンＰＴ５が存在する。ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥのみに基づいて行われる保護制御にはパターンＰＴ６とパターンＰＴ７が存在する。電源温度Ｔ_ＢＡＴ及びケース温度Ｔ_ＣＡＳＥに基づいて行われる保護制御にはパターンＰＴ８が存在する。以下、各パターンについて説明する。

（パターンＰＴ１）
保護制御を実行するのはＭＣＵ１であり、保護制御の種別は自動復帰保護制御である。ＭＣＵ１は、スリープモードからアクティブモードへの移行期間（すべての機能を有効化する起動処理が終了するまでの期間）と加熱初期設定モードのそれぞれで自動復帰保護制御を実行可能である。ＭＣＵ１は、上記移行期間と加熱初期設定モードのそれぞれにおいて、通信線ＬＮを介して、残量計ＩＣ１２に電源温度Ｔ_ＢＡＴの取得要求を定期的に行う。ＭＣＵ１は、この取得要求に応じて残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温側の温度閾値ＴＨＨ５（５１℃）以上となった場合には、電源サーミスタＴ１の出力値が異常であると判断して、自動復帰保護制御を実行する。自動復帰保護制御を実行した後、ＭＣＵ１は、残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが、温度閾値ＴＨＨ５未満の温度閾値ＴＨＨ８（４５℃）以下になると、電源サーミスタＴ１の出力値が正常であると判断して、自動復帰保護制御を終了し、スリープモードへと移行する。

（パターンＰＴ２）
保護制御を実行するのはＭＣＵ１であり、保護制御の種別は手動復帰保護制御である。ＭＣＵ１は、加熱モードと充電モードのそれぞれで手動復帰保護制御を実行可能である。ＭＣＵ１は、加熱モードと充電モードのそれぞれにおいて、通信線ＬＮを介して、残量計ＩＣ１２に電源温度Ｔ_ＢＡＴの取得要求を定期的に行う。加熱モードにて動作中のＭＣＵ１は、残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温側の温度閾値ＴＨＨ４（５５℃）以上となった場合には、電源サーミスタＴ１の出力値が異常であると判断して、手動復帰保護制御を行う。充電モードにて動作中のＭＣＵ１は、残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが温度閾値ＴＨＨ４（５５℃）以上になった場合と、残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが低温側の温度閾値ＴＨＬ１（０℃）未満になった場合のいずれかの場合に、電源サーミスタＴ１の出力値が異常であると判断して、手動復帰保護制御を行う。

（パターンＰＴ３）
保護制御を実行するのはＦＦ１７であり、保護制御の種別は手動復帰保護制御である。ＦＦ１７は、全ての動作モードにおいて手動復帰保護制御を実行可能である。ＦＦ１７は、全ての動作モードにおいて、残量計ＩＣ１２からの通知信号ＳＩＧ１（電源温度Ｔ_ＢＡＴが温度閾値ＴＨＨ３（６０℃）以上になったことを示す信号）をＣＬＲ端子（￣）にて受けると（電源サーミスタＴ１の出力値が異常である場合）、手動復帰保護制御を行う。

（パターンＰＴ４）
保護制御を実行するのはＭＣＵ１であり、保護制御の種別は自動復帰保護制御である。ＭＣＵ１は、全ての動作モードにおいて自動復帰保護制御を実行可能である。ＭＣＵ１は、低温通知信号ＳＩＧ２ｂを残量計ＩＣ１２から端子Ｐ６にて受信した場合に、電源サーミスタＴ１の出力値が異常であると判断して、自動保護制御を実行する。この自動復帰保護制御の実行後、ＭＣＵ１は、低温解除通知信号ＳＩＧ２ｃを端子Ｐ６にて受信した場合に、電源サーミスタＴ１の出力値が正常であると判断して、自動保護制御を終了する。

（パターンＰＴ５）
保護制御を実行するのはＦＦ１７であり、保護制御の種別は手動復帰保護制御である。ＦＦ１７は、スリープモード以外の動作モードにおいて手動復帰保護制御を実行可能である。ＦＦ１７は、オペアンプＯＰ２からローレベルの信号をＣＬＲ（￣）端子にて受けると（ヒータサーミスタＴ３の出力値が異常である場合）、手動復帰保護制御を行う。加熱モード以外の動作モードにおいては、ヒータサーミスタＴ３の温度が温度閾値ＴＨＨ０（３４０℃）に近くなる可能性は極めて低い。このため、図２３では、この手動復帰保護制御が行われる動作モードを加熱モードのみとして示している。

（パターンＰＴ６）
保護制御を実行するのはＭＣＵ１であり、保護制御の種別は自動復帰保護制御である。ＭＣＵ１は、アクティブモードと加熱初期設定モードにおいて自動復帰保護制御を実行可能である。これら動作モードにて動作中のＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される信号（ケースサーミスタＴ４の抵抗値に応じた信号）に基づくケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ６（４８℃）以上である場合に、ケースサーミスタＴ４の出力値が異常であると判断して、自動復帰保護制御を実行する。自動復帰保護制御の実行後、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される信号に基づくケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ６未満の温度閾値ＴＨＨ７（４７℃）以下になった場合に、ケースサーミスタＴ４の出力値が正常であると判断して、自動復帰保護制御を終了する。
なお、パターンＰＴ６では充電モードと加熱モードで保護制御が実行不能になっているが、どちらか一方では保護制御を実行可能にしてもよい。

（パターンＰＴ７）
保護制御を実行するのはＦＦ１７であり、保護制御の種別は手動復帰保護制御である。ＦＦ１７は、スリープモード以外の動作モードにおいて手動復帰保護制御を実行可能である。ＦＦ１７は、これら動作モードにおいて、オペアンプＯＰ３からローレベルの信号（ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ３（６０℃）以上であることを示す信号）をＣＬＲ（￣）端子にて受けると（ケースサーミスタＴ４の出力が異常である場合）、手動復帰保護制御を行う。

（パターンＰＴ８）
保護制御を実行するのはＭＣＵ１であり、保護制御の種別は非復帰保護制御である。非復帰保護制御は、スリープモードにおいて、残量計ＩＣ１２から高温通知信号ＳＩＧ２ａが出力された場合に実行可能となる。スリープモードにて動作中のＭＣＵ１は、高温通知信号ＳＩＧ２ａを受信すると、アクティブモードに移行し、電源サーミスタＴ１とケースサーミスタＴ４のそれぞれの出力値が異常であるか否かを判断する１次チェックを実行する。具体的には、ＭＣＵ１は、通信線ＬＮを介して残量計ＩＣ１２から送信されてきた電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温側の温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）以上となり、且つ、端子Ｐ１２に入力される信号（ケースサーミスタＴ４の抵抗値に応じた信号）に基づくケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ２（６５℃）以上である場合に、電源サーミスタＴ１とケースサーミスタＴ４のそれぞれの出力値が異常であると判断して、非復帰保護制御を実行する。

なお、パターンＰＴ８の保護制御は非復帰保護制御としているが、これに代えて手動復帰保護制御としてもよい。電源サーミスタＴ１とケースサーミスタＴ４のそれぞれの出力値が異常である状況は、吸引器１００に異常が強く生じていると推定される状況である。このような状況では、非復帰保護制御や手動復帰保護制御によって、保護制御が自動的に終了されないようにすることで、吸引器１００の安全性を向上させることができる。

図２４は、スリープモードの状態で残量計ＩＣ１２から高温通知信号ＳＩＧ２ａが出力される場合の残量計ＩＣ１２及びＭＣＵ１の動作の一例を説明するためのフローチャートである。

残量計ＩＣ１２は、例えば１秒間隔で電源温度Ｔ_ＢＡＴを取得して内蔵レジスタへ格納する（ステップＳ１）。残量計ＩＣ１２は、ステップＳ１の処理と並行して、例えば１分間隔で電源温度Ｔ_ＢＡＴの異常判定を行う。具体的には、残量計ＩＣ１２は、最後の異常判定を行ってから１分が経過したか否かを判定する（ステップＳ２）。残量計ＩＣ１２は、ステップＳ２の判定がｙｅｓであれば、内蔵レジスタに格納されている最新の電源温度Ｔ_ＢＡＴが温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）以上か否かを判定する（ステップＳ３）。残量計ＩＣ１２は、ステップＳ３の判定がｎｏであれば、内蔵カウンタの数値ｎを初期値の０にリセットし（ステップＳ４）、ステップＳ２に処理を戻す。

残量計ＩＣ１２は、ステップＳ３の判定がｙｅｓであれば、内蔵カウンタの数値ｎを１つ増やす（ステップＳ５）。その後、残量計ＩＣ１２は、数値ｎが２未満であれば（ステップＳ６：ｎｏ）、ステップＳ２に処理を戻し、数値ｎが２以上であれば（ステップＳ６：ｙｅｓ）、高温通知信号ＳＩＧ２ａをＭＣＵ１に送信する（ステップＳ７）。なお、ステップＳ６における判定閾値（＝２）は一例に過ぎず、１以上の自然数であれば任意のものを用いてよい。

スリープモードで動作中のＭＣＵ１は、ステップＳ７にて送信された高温通知信号ＳＩＧ２ａを受信する（ステップＳ１１）と、内蔵カウンタの数値ｍを初期値の０にリセットし（ステップＳ１２）、動作モードをアクティブモードに変更する（ステップＳ１３）。その後、ＭＣＵ１は、電源温度Ｔ_ＢＡＴとケース温度Ｔ_ＣＡＳＥの異常判定を開始する。

具体的には、ＭＣＵ１は、１秒が経過すると（ステップＳ１４：ｙｅｓ）、通信線ＬＮを介して、残量計ＩＣ１２に対し、電源温度Ｔ_ＢＡＴの送信を要求する（ステップＳ１５）。残量計ＩＣ１２は、この要求を受信する（ステップＳ８）と、電源温度Ｔ_ＢＡＴを取得し、通信線ＬＮを介してＭＣＵ１に送信する（ステップＳ９）。ＭＣＵ１は、ステップＳ９にて残量計ＩＣ１２から送信された電源温度Ｔ_ＢＡＴを受信して取得する（ステップＳ１６）。

ＭＣＵ１は、ステップＳ１５及びステップＳ１６の処理と並行して、ステップＳ１７の処理を行う。ステップＳ１７において、ＭＣＵ１は、端子Ｐ１２に入力される信号に基づいて、ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥを取得する。ステップＳ１６及びステップＳ１７の後、ＭＣＵ１は、ステップＳ１６にて取得した電源温度Ｔ_ＢＡＴが温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）以上であり、且つ、ステップＳ１７にて取得したケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ２（６５℃）以上であるか否かを判定する（ステップＳ１８）。

ＭＣＵ１は、ステップＳ１８の判定がｎｏの場合には、ステップＳ１４に処理を戻す。若しくは、ＭＣＵ１は、ステップＳ１８の判定がｎｏの場合には、処理を終了してもよい。ＭＣＵ１は、ステップＳ１８の判定がｙｅｓの場合には、数値ｍを１つ増やす（ステップＳ１９）。その後、ＭＣＵ１は、数値ｍが５以上か否かを判定する（ステップＳ２０）。ＭＣＵ１は、ステップＳ２０の判定がｎｏの場合には、ステップＳ１４に処理を戻す。ＭＣＵ１は、ステップＳ２０の判定がｙｅｓの場合には、端子Ｐ１４からローレベルの信号を出力し且つ端子Ｐ２２からハイレベルの信号を出力して充放電を禁止する保護制御を行う（ステップＳ２１）。ステップＳ２１の後、ＭＣＵ１は、動作モードを永久エラーモードに遷移させる（ステップＳ２２）。なお、ステップＳ２０における判定閾値（＝５）は一例に過ぎず、１以上の自然数であれば任意のものを用いてよい。

図２３に示したように、吸引器１００では、保護制御の主体が異なったり、保護制御種別が異なったり、保護制御の実行判定に使用する信号の種類が異なったり、実行可能な動作モードが異なったりする複数のパターンで保護制御が実行される。このように、温度測定対象や状況に応じて適切に保護制御を実行できるため、吸引器１００の安全性を向上させることができる。

上述した実施形態においては、パターンＰＴ８の保護制御は、残量計ＩＣ１２から出力される高温通知信号ＳＩＧ２ａを契機として実行された。本実施形態に代えて、パターンＰＴ８の保護制御は、高温通知信号ＳＩＧ２ａを契機とせずに実行されてもよい。つまり、レセプタクルＲＣＰに外部電源が接続（ＵＳＢ接続）されたり、スライダ１１９が開かれたりすることで、スリープモードから他のモードへ正常に遷移した後、ＭＣＵ１は、電源温度Ｔ_ＢＡＴが高温側の温度閾値ＴＨＨ１（８５℃）以上となり、且つ、ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥが温度閾値ＴＨＨ２（６５℃）以上である場合に、非復帰保護制御を実行してもよい。このようなパターンＰＴ８の保護制御は、図２４に示されるフローチャートにおいて、ステップＳ２からＳ７とステップＳ１１からＳ１３を省略することで実現される。

（ケースサーミスタＴ４の好ましい配置）
図２５及び図２６は、図１に示す吸引器１００のケースサーミスタＴ４を通る切断面での断面図である。図２５は、前後方向に垂直な切断面での断面図である。図２６は、上下方向に垂直な切断面での断面図である。

ケース１１０内部のシャーシ１５０には、ヒータＨＴＲを含む加熱部１７０と、電源ＢＡＴと、ケースサーミスタＴ４とが固定されている。図２６に示すように、加熱部１７０と電源ＢＡＴは前後方向に並んで配置されており、ケースサーミスタＴ４は、前後方向において、加熱部１７０と電源ＢＡＴの間に位置するようにシャーシ１５０へ固定されている。図２５及び図２６に示すように、シャーシ１５０は、電源ＢＡＴとケースサーミスタＴ４の間に位置する部分Ｐｂと、加熱部１７０とケースサーミスタＴ４の間に位置する部分Ｐａと、を含む。

このように、ケースサーミスタＴ４は、別の電子部品を固定するために用いているシャーシ１５０によって位置が固定される。このため、吸引器１００の製造コストの増大を回避しつつ、ケースサーミスタＴ４がケース１１０の温度を正確に取得できるようになる。また、図２６に示すように、前後方向における端の方へケースサーミスタＴ４が位置しないことで、ケース１１０をユーザが把持した際のユーザの手の熱がケースサーミスタＴ４に影響を与えにくくなる。また、部分Ｐａや部分Ｐｂの存在により、電源ＢＡＴやヒータＨＴＲで発生した熱がケースサーミスタＴ４に伝わりにくくなる。このため、ケースサーミスタＴ４の出力値から、吸引器１００が置かれている環境をより正確に把握できるようになる。

なお、シャーシ１５０の部分Ｐａと部分Ｐｂの一方を省略しても、部分Ｐａと部分Ｐｂの他方の存在によって、電源ＢＡＴ又はヒータＨＴＲで発生した熱がケースサーミスタＴ４に伝わりにくくなる効果を得ることはできる。

以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本明細書には少なくとも以下の事項が記載されている。なお、括弧内には、上記した実施形態において対応する構成要素等を示しているが、これに限定されるものではない。

（１）
エアロゾル生成装置の電源ユニット（吸引器１００）であって、
電源（電源ＢＡＴ）と、
上記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータ（ヒータＨＴＲ）が接続されるヒータコネクタ（ヒータコネクタＣｎ）と、
上記電源ユニットの表面を構成するケース（ケース１１０）と、
上記ケースの近傍に配置された、上記ケースの温度に関する値を出力するセンサ（ケースサーミスタＴ４）と、備え、
上記センサの出力値に基づいて、上記電源の充電と上記電源から上記ヒータへの放電の一方又は両方を禁止する保護制御（図２３のパターンＰＴ６、パターンＰＴ７の保護制御）を実行する、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

エアロゾル生成装置の電源ユニットが高温などの推奨されない環境に放置された場合には、ケースの温度は異常値を示すことになる。（１）によれば、このケースの温度に関する値に基づき、電源の充電とヒータへの電源の放電の少なくとも一方（以下、充電及び放電の少なくとも一方と記載）を禁止できる。このため、エアロゾル生成装置の安全性を向上させることができる。

（２）
（１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記保護制御は、終了可能である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（２）によれば、ケースの温度に関する値に基づいて、充電及び放電の少なくとも一方は一時的に禁止される。例えば、保護制御が実行された場合でも、エアロゾル生成装置の状況が改善した場合には、保護制御を終了することで、充電及び放電の少なくとも一方が可能になる。このため、エアロゾル生成装置を、安全性が確保された状態で再度使用することができ、ユーザの満足度が向上する。

（３）
（２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記電源から上記ヒータへの電力の供給を制御するように構成されるコントローラ（ＭＣＵ１）を、備え、
上記コントローラは、
上記センサの出力値に基づき、上記ケースの温度（ケース温度Ｔ_ＣＡＳＥ）を取得し、
上記ケースの温度が第１閾値（温度閾値ＴＨＨ６：４８℃）以上の場合に上記保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）を実行し、
上記ケースの温度が上記第１閾値未満の第２閾値（温度閾値ＴＨＨ７：４７℃）以下の場合に、上記保護制御を終了可能に構成される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（３）によれば、充電及び放電の少なくとも一方を禁止した温度より低い温度までケースの温度が低下しない限り、充電及び放電の少なくとも一方は許可されない。このため、充電及び放電の少なくとも一方が可能になった直後に再び保護制御が実行されて充電及び放電の少なくとも一方が禁止されることが回避され、エアロゾル生成装置の使い勝手が向上する。

（４）
（３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記コントローラは、上記ケースの温度が上記第２閾値以下になると、上記保護制御を終了するように構成される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（４）によれば、保護制御の実行を終了するのにユーザの操作が不要であるため、エアロゾル生成装置の利便性が向上する。

（５）
（１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記保護制御は、終了可能な第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）と、上記第１保護制御よりも終了のためにユーザの行う操作が多い終了可能な第２保護制御（図２３のパターンＰＴ７の保護制御）と、を含み、
上記出力値が、上記ケースの温度が第１閾値（温度閾値ＴＨＨ６：４８℃）以上であることを示す値である場合には、上記第１保護制御が実行され、
上記出力値が、上記ケースの温度が上記第１閾値より高い第２閾値（温度閾値ＴＨＨ３：６０℃）以上であることを示す値である場合には、上記第２保護制御が実行される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（５）によれば、第１保護制御の実行により、ケースの温度が第２閾値以上になるのを防げるが、何らかの異常によってケースの温度が第２閾値以上になると、第２保護制御が実行される。この第２保護制御は、第１保護制御よりも終了に多くの操作が必要になっているので、簡単には第２保護制御が終了されない。これにより、エアロゾル生成装置の安全性が向上する。

（６）
（５）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
複数のモードで動作可能であり、
上記複数のモードのうち上記第２保護制御（図２３のパターンＰＴ７の保護制御）が実行可能なモード（アクティブモード、加熱初期設定モード、加熱モード、加熱終了モード、充電モード）の数は、上記複数のモードのうち上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）が実行可能なモード（アクティブモード、加熱初期設定モード）の数より多い、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（６）によれば、ケースの温度がより高温の場合に実行される第２保護制御を、より多くのモードで実行可能となっていることで、第１保護制御を実行可能なモードを減らしつつ、第２保護制御による保護をより強固にできる。同時に、第１保護制御を実行可能なモードの数が少ないことで、第１保護制御を実行するか否かを判定するために消費する電力を削減できる。

（７）
（５）又は（６）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記電源から上記ヒータへの電力の供給を制御するように構成されるＭＣＵ（ＭＣＵ１）を、備え、
上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）は、上記ＭＣＵによって実行され、
上記第２保護制御（図２３のパターンＰＴ７の保護制御）は、上記ＭＣＵを介さずに実行される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

第１閾値よりも高い第２閾値までケースの温度が到達する状況では、ＭＣＵが正常に動作しない可能性がある。（７）によれば、このような状況でも、ＭＣＵを介さずに第２保護制御を実行できる。このため、第２保護制御を実行すべき状況で第２保護制御が実行できないような事態を回避し、エアロゾル生成装置の安全性を向上できる。

（８）
（５）から（７）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
複数のモードで動作可能であり、
上記複数のモードは、上記電源を充電する充電モードと、上記電源から上記ヒータへ放電する加熱モードとを含み、
上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）は、上記充電モードと上記加熱モードの一方又は両方において実行されない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

充電モードや加熱モードでは、電源ユニット内の電源を含む電子部品が発熱しやすい。このようなモードでは、ケースの温度は電源ユニットが置かれた環境を反映しにくくなる。（８）によれば、充電モードや加熱モードにおいては第１保護制御が実行されない。このため、充電及び放電の少なくとも一方が停止しにくくなり、エアロゾル生成装置の利便性が向上する。一方で、ケースの温度が第１閾値より高い第２閾値以上になった場合には第２保護制御が実行されることで、安全性は確保される。

（９）
（８）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）は、上記充電モードと上記加熱モードの両方において実行されない、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（９）によれば、充電モードと加熱モードにおいては第１保護制御が実行されないため、充電及び放電の少なくとも一方が停止しにくくなり、エアロゾル生成装置の利便性が向上する。

（１０）
（８）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記複数のモードは、スリープモードと、上記スリープモードから上記加熱モードへ遷移させるために経由する必要がある加熱前モード（アクティブモード及び加熱初期設定モード）と、を含み、
上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）は、上記加熱前モードにおいて実行可能である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１０）によれば、エアロゾルを生成する前に、エアロゾル生成装置が安全な状況に置かれているか否かを判定できる。このため、適切な（推奨される）環境で、エアロゾルを生成できる。

（１１）
（１０）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記第１保護制御（図２３のパターンＰＴ６の保護制御）は、上記加熱前モードにおいてのみ実行可能である、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１１）によれば、第１保護制御を実行するか否かを判定するために消費する電力を削減しつつ、適切な（推奨される）環境で、エアロゾルを生成できる。

（１２）
（１）から（１１）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記ヒータと、
上記電源と上記ヒータと上記センサとを固定するシャーシ（シャーシ１５０）と、を備える、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１２）によれば、センサとは別の電子部品を固定するために用いているシャーシによって、センサの位置が併せて固定される。このため、電源ユニットの製造コストの増大を回避しつつ、センサがケースの温度を正確に取得できるようになる。

（１３）
（１２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記ヒータと上記電源は第１方向（前後方向）に並んで配置されており、
上記センサは、上記第１方向において、上記ヒータと上記電源の間に位置するように上記シャーシへ固定される、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１３）によれば、第１方向における端の方へセンサが位置しないことで、ケースをユーザが把持した際のユーザの手の熱がセンサに影響を与えにくくなる。このため、センサの出力値から、エアロゾル生成装置が置かれている環境をより正確に把握できるようになる。

（１４）
（１２）又は（１３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
上記シャーシは、上記電源と上記センサの間に位置する部分（部分Ｐｂ）と、上記ヒータと上記センサの間に位置する部分（部分Ｐａ）の一方又は両方を含む、
エアロゾル生成装置の電源ユニット。

（１４）によれば、電源やヒータで発生した熱がシャーシによりセンサに伝わりにくくなる。このため、センサの出力値から、エアロゾル生成装置が置かれている環境をより正確に把握できるようになる。

以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。

なお、本出願は、２０２１年５月１０日出願の日本特許出願（特願２０２１－０７９９０３）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。

１００ 吸引器
１１０ ケース
１１９ スライダ
１５０ シャーシ
１７０ 加熱部
１ ＭＣＵ
２ 充電ＩＣ
９ 昇圧ＤＣ／ＤＣコンバータ
１２ 残量計ＩＣ
１７ フリップフロップ
ＨＴＲ ヒータ
ＢＡＴ 電源
Ｃｎ ヒータコネクタ
Ｔ１ 電源サーミスタ
Ｔ２ パフサーミスタ
Ｔ３ ヒータサーミスタ
Ｔ４ ケースサーミスタ
Ｃｈ、Ｃｕ、Ｃｔ２、Ｃｔ３、Ｃｔ４ コンデンサ
Ｎｔ１、Ｎｔ２、Ｎｔ３、Ｎｔ４、Ｎｕ、Ｎｂ ノード
ＯＰＳ 操作スイッチ
ＰＴ１～ＰＴ８ パターン

Claims (13)

1. エアロゾル生成装置であって、
   電源と、
   前記電源から供給される電力を消費してエアロゾル源を加熱するヒータが接続されるヒータコネクタと、
   前記エアロゾル生成装置の表面を構成するケースと、
   前記ケースの近傍に配置された、前記ケースの温度に関する値を出力するセンサと、を備え、
   前記センサの出力値に基づいて、前記電源から前記ヒータへの放電を禁止する保護制御を実行し、
   前記保護制御は、終了可能な第１保護制御と、前記第１保護制御よりも終了のためにユーザの行う操作が多い終了可能な第２保護制御と、を含み、
   前記出力値が、前記ケースの温度が第１閾値以上であることを示す値である場合には、前記第１保護制御が実行され、
   前記出力値が、前記ケースの温度が前記第１閾値より高い第２閾値以上であることを示す値である場合には、前記第２保護制御が実行される、
   エアロゾル生成装置。
2. 請求項１に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記第１保護制御と前記第２保護制御では、前記センサの出力値に基づいて、前記電源の充電をさらに禁止する、
   エアロゾル生成装置。
3. 請求項１又は２に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記電源から前記ヒータへの電力の供給を制御するように構成されるコントローラを、備え、
   前記コントローラは、
   前記センサの出力値に基づき、前記ケースの温度を取得し、
   前記ケースの温度が前記第１閾値以上の場合に前記第１保護制御を実行し、
   前記ケースの温度が前記第１閾値未満の第３閾値以下の場合に、前記保護制御を終了可能に構成される、
   エアロゾル生成装置。
4. 請求項３に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記コントローラは、前記第１保護制御を実行しているときに前記ケースの温度が前記第３閾値以下になると、前記第１保護制御を終了するように構成される、
   エアロゾル生成装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置であって、
   複数のモードで動作可能であり、
   前記複数のモードのうち前記第２保護制御が実行可能なモードの数は、前記複数のモードのうち前記第１保護制御が実行可能なモードの数より多い、
   エアロゾル生成装置。
6. 請求項１又は２に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記電源から前記ヒータへの電力の供給を制御するように構成されるＭＣＵを、備え、
   前記第１保護制御は、前記ＭＣＵによって実行され、
   前記第２保護制御は、前記ＭＣＵを介さずに実行される、
   エアロゾル生成装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置であって、
   複数のモードで動作可能であり、
   前記複数のモードは、前記電源を充電する充電モードと、前記電源から前記ヒータへ放電する加熱モードとを含み、
   前記第１保護制御は、前記充電モードと前記加熱モードの一方又は両方において実行されない、
   エアロゾル生成装置。
8. 請求項７に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記第１保護制御は、前記充電モードと前記加熱モードの両方において実行されない、
   エアロゾル生成装置。
9. 請求項７又は８に記載のエアロゾル生成装置であって、
   前記複数のモードは、スリープモードと、前記スリープモードから前記加熱モードへ遷移させるために経由する必要がある加熱前モードと、を含み、
   前記第１保護制御は、前記加熱前モードにおいて実行可能である、
   エアロゾル生成装置。
10. 請求項９に記載のエアロゾル生成装置であって、
    前記第１保護制御は、前記加熱前モードにおいてのみ実行可能である、
    エアロゾル生成装置。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置であって、
    前記ヒータと、
    前記電源と前記ヒータと前記センサとを固定するシャーシと、を備える、
    エアロゾル生成装置。
12. 請求項１１に記載のエアロゾル生成装置であって、
    前記ヒータと前記電源は第１方向に並んで配置されており、
    前記センサは、前記第１方向において、前記ヒータと前記電源の間に位置するように前記シャーシへ固定される、
    エアロゾル生成装置。
13. 請求項１１又は１２に記載のエアロゾル生成装置であって、
    前記シャーシは、前記電源と前記センサの間に位置する部分と、前記ヒータと前記センサの間に位置する部分の一方又は両方を含む、
    エアロゾル生成装置。

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