JP7595621B2 - イオン伝導性物質、電解質、及び電池 - Google Patents
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Description
[1]アルカリ金属元素、4価の金属元素M、ハロゲン元素、ドーパント元素X、及び酸素元素を含有し、ドーパント元素Xの含有量は金属元素Mの含有量に対して50モル%以下であり、25℃においてCuKα線を用いて測定して得られたX線回折チャートにおいて、2θ角が10~20°の範囲に半値幅が2.0~10°である回折ピークを有する、イオン伝導性物質。
[2]アモルファス相と、当該アモルファス相に分散された結晶子とを含むと共に、アルカリ金属元素、4価の金属元素M、ハロゲン元素、ドーパント元素X、及び酸素元素を含有し、前記結晶子の平均円相当径が20nm以下である、イオン伝導性物質。
[3]前記ドーパント元素が、P及びSの少なくとも一方である、[1]又は[2]のイオン伝導性物質。
[4]前記イオン伝導性物質中に含まれる原子の総量に対して、アルカリ金属元素の含有量が20~30モル%であり、元素Mの含有量が5~20モル%であり、ハロゲン元素の含有量が40~60モル%であり、ドーパント元素Xの含有量が0.05~5モル%である、[1]~[3]のいずれか一つのイオン伝導性物質。
[5][1]~[4]のいずれか一つのイオン伝導性物質を含む、電解質。
[6][5]に記載の電解質を含む、電池。
(1)25℃においてCuKα線を用いて測定したX線回折チャートにおいて、2θ角が10~20°の範囲に半値幅が2.0~10°である回折ピークを有する。
(2)アモルファス相と、当該アモルファス相に分散された結晶子とを含み、結晶子の平均粒子径が20nm以下である。
イオン伝導性物質におけるドーパント元素Xの含有量は、4価の金属元素Mの含有量の50モル%以下であり、1~30モル%であってよく、1~20モル%であってよく、2~10モル%であってよい。イオン伝導性物質におけるドーパント元素Xの含有量は、4価の金属元素Mの含有量の20モル%以下であってよく、15モル%以下であってよく、10モル%以下であってよく、8モル%以下であってよい。
イオン伝導性物質におけるドーパント元素Xの含有量は、酸素元素の含有量の1~10モル%であってよく、2~6モル%であってよい。
AαMβXγZδEηOε・・・(1)
(式中、Aはアルカリ金属元素であり、Mは上述の4価の金属元素M、Xは上述のドーパント元素X、Zはハロゲン元素であり、1.5≦α≦3、0.5≦β≦2、0.005≦γ≦0.5、3≦δ≦6、0.5≦ε≦2である。)
αは、1.8≦α≦2.5であってよく、1.9≦α≦2.3であってよく、1.95≦α≦2.2であってよい。αについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
βは、0.7≦β≦1.4であってよく、0.8≦β≦1.2であってよく0.9≦β≦1.1であってよい。βについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
γは、0.01≦γ≦0.2であってよく、0.02≦γ≦0.15であってよく、0.025≦γ≦0.10であってよい。γについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
δは、3.5≦δ≦5であってよく、3.7≦δ≦4.3であってよく、3.8≦δ≦4.1であってよい。δについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
εは、0.7≦ε≦1.5であってよく、0.8≦ε≦1.3であってよく、0.9≦ε≦1.1であってよい。εについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
Eは、A、M、X、及びZ以外の元素であって、必須元素以外に添加又は混入した元素であってよい。Eとしては、例えば、C、B、N等が挙げられる。ηは0~0.1であってよく、0~0.01であってよく、0~0.001であってよく、実質的に0であってもよい。
AαMβM2 ζXγZδEηOε・・・(2)
(式中、Aはアルカリ金属元素であり、Mは上述の4価の金属元素M、M2は4価以外の金属元素M2(ただしアルカリ金属元素を除く)であり、Xは上述のドーパント元素X、Zはハロゲン元素である。)
式(2)におけるα、β、γ、δ及びεのそれぞれについて好ましい範囲は、式(1)においてα、β、γ、δ及びεの範囲として例示したものと同様の範囲であってよい。
ζは、0.01≦ζ≦0.3であってよく、0.03≦ζ≦0.2であってよく、0.05≦ζ≦0.15であってよい。ζについての上限と下限とは任意に組み合わせることができる。
Eは、A、M、X、及びZ以外の元素であって、必須元素以外に添加又は混入した元素であってよい。Eとしては、例えば、C、B、N等が挙げられる。ηは0~0.1であってよく、0~0.01であってよく、0~0.001であってよく、実質的に0であってもよい。
式:σT=Aexp(-Ea/kbT)
ここで、σはイオン伝導度(S/cm)、Tは絶対温度(K)、Aは頻度因子、Eaは活性化エネルギー、kbはボルツマン定数を表す。
また、縦軸にσ、横軸に1000/T(Tは絶対温度)を取ったグラフ(アレーニウスプロット)を作成することができる。
ボールミルに用いるボールとしては、特に限定はされないが、ジルコニアボールを用い得ることができる。用いるボールの大きさとしては特に限定はされないが、2mm~10mmのボールを用いることができる。
ボールミルを上記の時間で行うことで充分に各原料が混合され、メカノケミカル反応が促進されることによって、得られる化合物のイオン伝導度を向上させることが可能である。
リチウムイオン電池の正極としては、特に限定されず、正極活物質を含み、且つ必要に応じて導電助剤、結合剤等を含むものであってよい。
正極は、これらの材料を含む層が集電体上に形成されたものであってよい。正極活物質としては、例えば、リチウム(Li)と、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cuからなる群から選択される少なくとも1種の遷移金属とを含むリチウム含有複合金属酸化物が挙げられる。このようなリチウム複合金属酸化物としては、例えば、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、Li2MnO3、LiNixMnyCo1-x-yO2[0<x+y<1])、LiNixCoyAl1-x-yO2[0<x+y<1])、LiCr0.5Mn0.5O2、LiFePO4、Li2FeP2O7、LiMnPO4、LiFeBO3、Li3V2(PO4)3、Li2CuO2、Li2FeSiO4、Li2MnSiO4などが挙げられる。
・ボールミル
-70℃以下の露点を有するアルゴン雰囲気中(以下、乾燥アルゴン雰囲気と記載する)で、Li2Оを0.1334g、ZrCl4を1.0407g、Li3PО4を0.0259g秤量し、原料を用意した。
下記の遊星ボールミル用の50mlの容積のジルコニアポットに上記原料を入れ、直径4mmのジルコニアボールを65g投入した。24時間、300rpmの条件でメカノケミカル的に反応するように処理することにより、実施例1のイオン伝導性物質を得た。
ボールミルは、10分間回転させる毎に、インターバルとして1分間停止させ、回転方向を時計回りと反時計回り交互に切り替えるモードで実施した。得られたイオン伝導性物質(リチウム含有塩化物)の仕込み組成は、Li2。15ZrCl4О(PО4)0.05である。
遊星ボールミル装置:ヴァーダー・サイエンティフィック株式会社製 PM 400
ボールミルを48時間行ったこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
Li3PO4に代えてLi2SO4を使用し、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、Li2О、ZrCl4、HfCl4、及びLi3PО4を用いて、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、Li2О、ZrCl4、MgCl2、及びLi3PО4を用いて、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、Li2О、ZrCl4、MgCl2、及びLi3PО4を用いて、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、LiCl、及びZrCl4を用いて、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、LiCl、Li2O及びZrCl4を用いて、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
原料として、Li2O及びZrCl4を用いて、表2の仕込み組成となるように配合比を調整した原料にボールミルを行って得られた生成物に200℃で5時間アニーリングを行ったこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
Li3PO4に代えてLi2SO4を使用し、表2の仕込み組成となるように原料の配合比を変更したこと以外は、実施例1と同様にイオン伝導性物質を製造した。
得られたイオン伝導性物質について、25℃での粉末X線回折測定により、2θで10~20°の範囲内に観測された回折ピークの評価を行った。結果を表2に示す。粉末X線回折測定の測定条件について、下記の条件にて実施した。
測定装置: Ultima IV (株式会社 リガク 製)
X線発生器: CuKα線源 電圧40kV、電流40mA
X線検出器: シンチレーションカウンター又は半導体検出器
測定範囲: 回折角2θ=5°~80°
スキャンスピード:4°/分
図1は実施例1~6及び比較例1~3のイオン伝導性物質について得られたX線回折チャートを示す図である。
ピークの半値幅はバックグラウンドシグナルを除去し、フィッティングを行うことで求めた。
枠型、パンチ下部及びパンチ上部を備える加圧成形ダイスを用意した。なお、枠型は、絶縁性ポリカーボネートから形成されていた。また、パンチ上部及びパンチ下部は、いずれも、電子伝導性のステンレスから形成されており、インピーダンスアナライザー(Solatron Analytical社製 Sl1260)の端子にそれぞれ電気的に接続されていた。
σ=(RSE×S/t)-1・・・(III)
ここで、
σはイオン伝導度であり、
Sは、イオン伝導性物質のパンチ上部との接触面積(枠型の中空部の断面積に等しい)であり、
RSEは、インピーダンス測定における固体電解質材料の抵抗値であり、
tは、圧力が印加された際のイオン伝導性物質の厚みである。
装置:分析電子顕微鏡 ARM200F 日本電子株式会社製
測定条件: 加速電圧 200kV
試料調整:集束イオンビーム(FIB)により、クライオスタットによる冷却を行いながら、不活性雰囲気中で加工
図3に、実施例3のイオン伝導性物質のTEM像を示す。図3に示すように、島構造を結晶相とし、それを取り囲むようにアモルファス相の海構造が形成された、海島構造が形成されていることが分かった。ここで、透過型電子顕微鏡観察で得られる電子回折図形において、回折斑点が制限視野の絞り内に存在する結晶について結像させることによって、特定の回折斑点に対応する結晶を、実空間上で周囲のアモルファス相よりも明るく結像させることができる。これにより実空間上における結晶相の分布が分かる。図3において、白い丸で囲んだ部分が結晶相である。
図3において、明るく結像した部分が明確になるように画像に着色を行い、各結晶相についてナンバリングした。このようにして結晶相の空間分布について調べた。
また、結晶相について、図中の視野中の合計51個の結晶粒について解析を行ったところ、結晶相の平均円相当径は4.5nmであった。
以下に説明するとおり、サイクリックボルタンメトリー用セルの作製を行った。なお、サイクリックボルタンメトリー用セルの作製は、不活性気体で置換したグローブボックス内で行った。
まず、内径10mmの絶縁性の筒の中に実施例1のイオン伝導性物質を入れた。当該イオン伝導性物質に、370MPaの圧力を印加し、固体電解質層(上記イオン伝導性物質の層)が形成された。
次に、60mgのIn箔を固体電解質層に接触し且つ覆うように配置し、さらにLi箔2mgをIn箔と接触し且つ覆うように配置し、積層体を得た。当該積層体に370MPaの圧力を印加し、固体電解質層上にLi-In合金からなる参照電極が形成された。
さらに、ステンレス鋼から成る直径10mm、厚み0.1mmの円板状の板を第1の固体電解質層に接触し且つ覆うように配置し、積層体を得た。得られた積層体に370MPaの圧力を印加し、固体電解質層上にステンレス鋼からなる作用電極が形成された。
ステンレス鋼で形成された集電体が参照電極及び作用電極に取り付けられ、次いで、当該集電体にリード線が取り付けられた。全ての部材は、グローブボックス内で密閉されたデシケータ中に配置された。このようにしてサイクリックボルタンメトリー用セルが得られた。
上記のサイクリックボルタンメトリー用セルについて、参照電極と作用電極とをインピーダンスアナライザーSl1260、及びポテンショスタットSl1287Aとに電気的に接続し、以下の条件でサイクリックボルタンメトリー試験を実施した。
すなわち、サイクリックボルタンメトリー試験では、掃引速度を1mV/sとし、参照電極(Li+/Li-In)に対して作用電極の電位を変化させた際に流れる電流値を計測した。
まず、参照電極に対して作用電極の電位を、開回路電圧を始点として5.5Vまで昇圧した後に折り返し、0Vまで降圧した。
なお、サイクリックボルタンメトリー試験は、室温(25℃)で行った。0.5μA以上の還元電流が観測された電位を計測し、電気化学的安定性の指標とした。結果を表2に示す。
図4は、実施例1~5、及び比較例1のサイクリックボルタンメトリーの結果を示すグラフである。比較例1と比べて実施例1及び2のイオン伝導性物質は、低電位側に電位窓が拡張しており、安定性が向上していると言える。
内径10mmの絶縁性の筒の中で、実施例1のイオン伝導性物質を100mg、上記の混合物を15mgを順に積層して、積層体を得た。積層体に370MPaの圧力を印加し、第1電極(上記混合物の層)及び第1の固体電解質層(上記イオン伝導性物質の層)が形成された。
次に、第1の固体電解質層に、硫化物固体電解質Li6PS5Clを接触させるようにして60mg入れ、積層体を得た。積層体に370MPaの圧力を印加し、第2の固体電解質層が形成された。第1の固体電解質層は、第1の電極と第2の固体電解質層に挟まれていた。
次に、第二の固体電解質層にIn箔60mg、を接触させるようにして入れ、さらにLi箔2mgをIn箔と接触させるように入れ、積層体を得た。積層体に370MPaの圧力を印加し、第2電極が形成された。
ステンレス鋼で形成された集電体が第1電極及び第2電極に取り付けられ、次いで、当該集電体にリード線が取り付けられた。全ての部材はデシケータ中に配置され、密閉されており、このようにして実施例1の二次電池が得られた。
充放電試験機としては、下記の製品を用いて実施した。
充放電試験機:東洋システム株式会社 TOSCAT-3100
25℃において、0.1C、1C及び3Cの3通りのCレートで充放電試験を実施した。
それぞれのCレートにおける放電容量は、表1の通りである。
定電流定電圧(CCCV充電)で、それぞれのCレートに対応した電流密度で3.7Vまで充電を行った。それぞれのCレートに対応した電流密度を表1に示す。
放電は、それぞれのCレートに対応した電流密度で、1.9Vまで放電した。
図5に実施例1の充放電試験結果を、表1に、実施例1の各Cレートにおける放電容量を示す。
実施例1において、いずれのCレートにおいても高い放電容量が得られた。
Claims (6)
- アルカリ金属元素、4価の金属元素M、ハロゲン元素、ドーパント元素X、及び酸素元素を含有し、ドーパント元素Xの含有量は金属元素Mの含有量に対して50モル%以下であり、
前記アルカリ金属元素はLiを含み、
前記4価の金属元素MはZr及びHfの少なくとも一方を含み、
前記ハロゲン元素がClを含み、
前記ドーパント元素XがS及びPの少なくとも一方を含み、
25℃においてCuKα線を用いて測定して得られたX線回折チャートにおいて、2θ角が10~20°の範囲に半値幅が2.0~10°である回折ピークを有する、イオン伝導性物質。 - アモルファス相と、当該アモルファス相に分散された結晶子とを含むと共に、アルカリ金属元素、4価の金属元素M、ハロゲン元素、ドーパント元素X、及び酸素元素を含有するイオン伝導性物質であって、
前記アルカリ金属元素はLiを含み、
前記4価の金属元素MはZr及びHfの少なくとも一方を含み、
前記ハロゲン元素がClを含み、
前記ドーパント元素XがS及びPの少なくとも一方を含み、
前記イオン伝導性物質中に含まれる原子の総量に対して
アルカリ金属元素の含有量が20~30モル%であり、
元素Mの含有量が5~20モル%であり、
ハロゲン元素の含有量が40~60モル%であり、
ドーパント元素Xの含有量が0.05~5モル%であり、
前記結晶子の平均円相当径が20nm以下である、イオン伝導性物質。 - 前記ドーパント元素が、P及びSの少なくとも一方である、請求項1又は2に記載のイオン伝導性物質。
- 前記イオン伝導性物質中に含まれる原子の総量に対して
アルカリ金属元素の含有量が20~30モル%であり、
元素Mの含有量が5~20モル%であり、
ハロゲン元素の含有量が40~60モル%であり、
ドーパント元素Xの含有量が0.05~5モル%である、請求項1に記載のイオン伝導性物質。 - 請求項1又は2に記載のイオン伝導性物質を含む、電解質。
- 請求項5に記載の電解質を含む、電池。
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