JP7595598B2 - Ｒｆ電力損失を補償するためのシステムおよび方法 - Google Patents

Description

本実施形態は、高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのシステムおよび方法に関する。

本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示するためのものである。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。

ウエハは、プラズマツールを用いてエッチングされる。プラズマツールは、高周波（ＲＦ）発生器と、整合回路網または整合器と、プラズマチャンバと、を備える。ＲＦ発生器は、同軸ケーブルを介して整合器に接続されており、整合器は、伝送線路を介してプラズマチャンバに接続されている。ウエハは、プラズマチャンバ内に配置される。

ウエハが配置されると、ＲＦ発生器は、整合器および伝送線路を介してプラズマチャンバへＲＦ電力を提供するために、オンにされる。また、処理ガスが、プラズマチャンバに供給される。処理ガスがＲＦ電力によって点火されると、プラズマが、プラズマチャンバ内で点火される。プラズマは、ウエハをエッチングするために用いられる。

本開示に記載の実施形態は、このような背景において生まれたものである。

本開示の実施形態は、高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのシステム、装置、方法、および、コンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、処理、装置、システム、ハードウェア、または、コンピュータ読み取り可能な媒体に記録された方法など、種々の形態で実施できることを理解されたい。以下に、いくつかの実施形態を記載する。

一部の半導体処理ツール（導体エッチング（ＣＥ）ツールなど）は、電圧制御モードで、そして一部は、電力制御モードで、サブシステムバイアスを実行する。電圧制御モードは、電力補償動作を利用しない。電力制御モードにおいて、寄生電力損失のチャンバ間での差が、プラズマ負荷へ結合される電力のばらつきを生み出す。最適なチャンバ整合性能を提供するために、結合される電力のばらつきは最小化される。

本明細書に記載のシステムおよび方法は、チャンバ間の結合電力のばらつきを抑えるように補正動作を達成するための補償方法を提供する。システムおよび方法は、バイアスサブシステムのためのチャンバ整合電力補償スキームに関する。補償スキームは、電力制御モードで動作するバイアスサブシステムに適用される。補償スキームは、バイアス整合回路網の出力に配置された電流プローブを利用する。電流プローブから受信された電流測定値が、バイアス整合回路網からプラズマに至るまでの寄生電力損失をリアルタイムで算出することを可能にし、または、電力損失を補償するために用いられる。これらの寄生電力損失は、ＲＦ発生器の電力設定点を連続的に更新する変形制御ループを用いて取り除かれる。補正動作は、リアルタイムでＲＦ供給経路に沿った寄生電力損失と等しいオフセットを電力設定点に提供する。

いくつかの実施形態において、バイアス整合回路網およびＲＦ供給アセンブリの寄生電力損失を考慮するために、２工程の手順が実施される。手順は、プローブ（電流プローブ、電圧・電流プローブ、インピーダンス測定プローブ、または、インピーダンス走査プローブ、など）を利用する。プローブは、バイアス整合回路網の出力に配置されている。第１に、二乗平均（ＲＭＳ）電流が、無プラズマ試験（ＮＰＴ）中にプローブによって測定される。バイアス整合回路網およびアセンブリ全体の等価直列抵抗（ＥＳＲ）の値が、測定されたＲＭＳ電流の二乗およびＲＦ発生器によって送出された電力に線形回帰を実行することによって算出される。ＥＳＲ値は、ホストコンピュータによって格納され、システム定数として利用される。

第２に、制御アルゴリズムが、上で測定されたＥＳＲ値を用いて、ＲＦ発生器のレシピ電力設定点（例えば、Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃ）にリアルタイムの補正動作を提供するために導入される。レシピステップが実行されている時に、電力損失（例えば、Ｐ＿ｌｏｓｓ）が、以下の式を用いて、各時間増分または時間ステップｉに算出されうる。
Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）＝ＥＲＳ＊（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ））^２・・・（１）
ここで、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）は、時間増分ｉにプローブによって読み取られたＲＭＳ電流である。現在の時間ステップの電力損失は繰り越され、更新された発生器電力設定点（例えば、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ）を決定するために、ＲＦ発生器のレシピ電力設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃに追加され、ここで、「ｓｐ」は設定点を表し、「ｇｅｎ」はＲＦ発生器を表す。以下の式は、その時間増分における更新された発生器電力設定点を示す。
Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ）＝Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃ＋Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ－１）・・・（２）
手順は、補正オフセットＰ＿ｌｏｓｓ（ｉ）が測定損失Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ－１）と等しくなるまで繰り返される。この時点で、寄生電力損失は考慮される。

ＲＦ電力損失（寄生電力損失など）を補償するための本明細書に記載のシステムおよび方法のいくつかの利点は、１または複数の基板を処理する際にチャンバ再現性を達成することを含む。ＲＦ発生器は、プラズマチャンバ内の電極にＲＦ電力を供給する。ＲＦ電力は、ＲＦ経路を介してＲＦ発生器から電極へ伝送される。ＲＦ経路の構成要素の特性に起因して、ＲＦ経路上でのＲＦ電力の一部の損失が生じる。構成要素の例は、ＲＦケーブル、インピーダンス整合回路、および、ＲＦ伝送線路を含む。ＲＦケーブルは、ＲＦ発生器をインピーダンス整合回路（バイアス整合回路網など）に接続している。また、ＲＦ伝送線路は、インピーダンス整合回路をプラズマチャンバに接続している。ＲＦ経路におけるＲＦ電力損失を考慮するために、ＲＦ発生器によって送出される電力が調整される。ＲＦ発生器によって送出される電力は、ＲＦ電力損失が安定するまで調整される。ＲＦ電力損失の安定後、ＲＦ発生器は、同じまたは実質的に同じ量の送出電力を送出するように制御される。同じまたは実質的に同じ量の電力がＲＦ発生器によって送出されると、１または複数の基板は、均一に処理される。例えば、複数の基板を処理する際に、均一なエッチング速度または均一な蒸着速度が達成される。別の例として、基板は、エッチング速度または蒸着速度を達成するために望ましく処理される。

添付の図面を参照して行う以下の詳細な説明から、別の態様が明らかになる。

実施形態は、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照することによって理解される。

基板を処理する前に実行される無プラズマ試験を説明するために、システムの一実施形態を示す図。

インピーダンス整合回路の出力に関連付けられている抵抗（等価直列抵抗（ＥＳＲ）など）の決定を説明するために、グラフの一実施形態を示す図。

インピーダンス整合回路および伝送線路に関連付けられている電力の損失を考慮する目的で、高周波（ＲＦ）発生器によって生成および送出される電力の量を決定する際に、抵抗を利用することを説明するために、システムの一実施形態を示す図。

基板の処理中に、プロセッサが、インピーダンス整合回路の出力に関連付けられている電力損失の量に基づいて、ＲＦ発生器によって送出される電力の量を修正し続ける方法を説明するために、テーブルの一実施形態を示す図。

ＲＦ発生器によって送出される電力が、インピーダンス整合回路の出力で送出される電力の損失を考慮して変化することを説明するために、グラフの一実施形態を示す図。

送出電力の損失を補償するための方法の応用例を説明するために、システムの一実施形態を示す図。

図４に関して説明した方法を適用することによって決定された送出電力量が、別の基板を処理するために維持されることを説明するために、システムの一実施形態を示す図。

以下の実施形態は、高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのシステムおよび方法について記載するものである。本実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能であることが明らかである。また、本実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。

図１は、基板を処理する前に実行される無プラズマ試験を説明するために、システム１００の一実施形態を示す図である。システム１００は、ＲＦ発生器１０２、インピーダンス整合回路１０４、電流センサ１０６、プラズマチャンバ１０８、および、ホストコンピュータデバイス１１０など、複数の構成要素を備える。

ＲＦ発生器１０２の例は、キロヘルツ（ｋＨｚ）ＲＦ発生器またはメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ発生器を含む。ｋＨｚＲＦ発生器の例は、４００ｋＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器である。ＭＨｚＲＦ発生器の例は、１ＭＨｚＲＦ発生器または２ＭＨｚＲＦ発生器または１３．５６ＭＨｚＲＦ発生器または２７ＭＨｚＲＦ発生器または６０ＭＨｚＲＦ発生器の動作周波数を有するＲＦ発生器を含む。ＲＦ発生器１０２は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）などのプロセッサと、ドライバ／増幅器回路と、ＲＦ電源と、を備える。プロセッサは、ドライバ／増幅器回路に接続されており、ドライバ／増幅器回路は、ＲＦ電源に接続されている。ＲＦ電源の例は、ＲＦオシレータを含む。

インピーダンス整合回路１０４の例は、互いに直列または並列に接続された回路構成要素のネットワークを有する回路を含む。回路構成要素の例は、抵抗器、インダクタ、および、キャパシタを含む。例えば、回路構成要素は、シャントキャパシタまたは直列キャパシタである。

プラズマチャンバ１０８は、平行板プラズマチャンバ（例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）チャンバ）である。プラズマチャンバ１０８は、チャック１１２と、チャック１１２に対向する上側電極１１４と、を備える。チャック１１２の例は、下側電極と下側電極の上部に配置されたセラミックプレートとを備えた静電チャック（ＥＳＣ）を含む。チャック１１２および上側電極１１４の各々は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属から形成されている。上側電極１１４は、接地電位に接続されている。

電流センサ１０６の例は、電圧・電流（ＶＩ）プローブまたは電流プローブまたはインピーダンスセンサまたはインピーダンススキャナまたはインピーダンスプローブを含む。ホストコンピュータデバイス１１０の例は、コンピュータおよびサーバを含む。コンピュータは、デスクトップコンピュータまたはラップトップコンピュータまたはスマートフォンまたはタブレットであってよい。ホストコンピュータデバイス１１０は、プロセッサ１２０およびメモリデバイス１２２を備える。本明細書で利用されるプロセッサの例は、中央処理装置（ＣＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）、コントローラ、マイクロプロセッサ、および、マイクロコントローラを含む。メモリデバイスの例は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）およびリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）を含む。例えば、メモリデバイスは、フラッシュメモリまたは独立ディスク冗長アレイ（ＲＡＩＤ）である。メモリデバイス１２２は、シリアル転送接続、パラレル転送接続、バス、または、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）接続などの接続を介して、プロセッサ１２０に接続されている。

ＲＦ発生器１０２は、ＲＦケーブル１１６を介してインピーダンス整合回路に接続されている。例えば、ＲＦ発生器１０２のＲＦ電源の出力Ｏ１が、ＲＦケーブル１１６を介してインピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２に接続されている。また、インピーダンス整合回路１０４は、ＲＦ伝送線路１１８を介して、チャック１１２の下側電極に接続されている。例えば、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２が、ＲＦ伝送線路１１８を介して、下側電極に接続されている。ＲＦ伝送線路１１８は、プラズマシステム１００の構成要素の別の例であり、ＲＦロッド、絶縁体、および、スリーブを備える。絶縁体は、ＲＦロッドを包み込んでおり、スリーブは、絶縁体を取り巻く保護カバーを形成する。

プロセッサ１２０は、シリアル転送ケーブル、パラレル転送ケーブル、イーサネットケーブル、または、ＵＳＢケーブルなどの接続ケーブル１２５を介して、ＲＦ発生器１０２の入力Ｉ１に接続されている。例えば、プロセッサ１２０は、接続ケーブル１２５を介してＲＦ発生器１０２のプロセッサに接続されている。電流センサ１０６は、ＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に接続され、接続ケーブル１２１を介してプロセッサ１２０に接続されている。接続ケーブルの例については、上述した。

無プラズマ試験中、プラズマチャンバ１０８内でプラズマは生成されない。例えば、プラズマチャンバ１０８内でプラズマを点火するために、１または複数の処理ガス（フッ素含有ガスまたは酸素含有ガスなど）がプラズマチャンバ１０８に供給されることがない。また、この例では、処理のためにチャック１１２の上面に基板が配置されることがない。

プロセッサ１２０は、１または複数の変数（周波数および送出電力など）の量を有する命令信号を、接続ケーブル１２５および入力Ｉ１を介して、ＲＦ発生器１０２へ提供する。送出電力は、供給電力と、ＲＦケーブル１１６内で起きる電力損失との合計である。供給電力は、送出電力の量を有する命令信号を受信することなしに、ＲＦ発生器１０２によって生成される電力である。例えば、供給電力は、ＲＦケーブル１１６内での電力の損失が考慮されていない場合に、ＲＦ発生器１０２によって出力Ｏ１で供給される電力である。変数の量は、プロセッサ１２０によるアクセスに向けて、メモリデバイス１２２に格納されている。

ＲＦ発生器１０２は、変数の量を有する命令信号を受信し、ＲＦ信号１２４を生成する。例えば、ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、変数の量を有する命令信号をプロセッサ１２０から受信し、それらの量を有する信号を生成する。ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、ＲＦ発生器１０２のドライバ／増幅器回路にその信号を提供する。ドライバ／増幅器回路のドライバ（１または複数のトランジスタなど）は、ＲＦ発生器１０２のプロセッサからの信号を受信すると、電流信号を生成する。ドライバ／増幅器回路の増幅器は、電力信号を増幅して、増幅電流信号を出力し、増幅電流信号をＲＦ発生器１０２のＲＦ電源へ送信する。ＲＦ電源は、変数の量を有するＲＦ信号１２４を生成するように振動する。ＲＦ信号１２４は、出力Ｏ１、ＲＦケーブル１１６、および、入力Ｉ２を介して、ＲＦ発生器１０２によってインピーダンス整合回路１０４へ供給される。

インピーダンス整合回路１０４は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に接続されている負荷のインピーダンスを、インピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２に接続されているソースのインピーダンスと整合させて、出力Ｏ２で変調ＲＦ信号１２６を出力する。負荷の例は、ＲＦ伝送線路１１８およびプラズマチャンバ１０８を含む。ソースの例は、ＲＦケーブル１１６およびＲＦ発生器１０２を含む。

変調ＲＦ信号１２６は、ＲＦ伝送線路１１８を介してチャック１１２の下側電極に伝送される。変調ＲＦ信号１２０が無プラズマ試験中に出力Ｏ２で提供または供給されている間に、電流センサ１０６は、出力Ｏ２で供給されている電流の量（二乗平均電流（Ｉｒｍｓ）など）を測定する。電流は、パラメータの一例である。電流センサ１０６によって測定される電流の各量は、出力Ｏ２で供給される電流の複数の量の二乗平均平方根（ｒｍｓ）である。電流センサ１０６は、出力Ｏ２における電流の量（Ｉｒｍｓなど）の測定値を、接続ケーブル１２１を介してプロセッサ１２０へ提供する。

プロセッサ１２０は、電流の量の測定値を受信し、電流の量と、電流の量Ｉｒｍｓが測定された送出電力の量との間の対応関係を含むデータベース（テーブルまたはリストなど）を生成する。例えば、プロセッサ１２０が、量Ｐｄｅｌ１の送出電力を有するＲＦ信号１２４を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御した時に、電流センサ１０６は、出力Ｏ２で供給される電流の量Ｉｒｍｓ１を測定する。送出電力は、パラメータの別の例である。プロセッサ１２０は、量Ｐｄｅｌ１とＩｒｍｓ１と間の対応関係（一対一の関係、つながり、関連、または、マッピング、など）をデータベースに格納し、データベースは、メモリデバイス１２２に格納される。同様に、プロセッサ１２０が、別の量Ｐｄｅｌ２の送出電力を有するＲＦ信号１２４を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御した時に、電力センサ１０６は、出力Ｏ２で供給される電流の別の量Ｉｒｍｓ２を測定し、接続ケーブル１２１を介してプロセッサ１２０へ量Ｉｒｍｓ２を提供する。プロセッサ１２０は、量Ｐｄｅｌ２およびＩｒｍｓ２の間の対応関係をデータベースに格納する。このように、期間ｔにわたって、ＲＦ発生器１０２によってＲＦ信号１２４で供給された電力の量と、出力Ｏ２で測定された電流の量との間の複数の対応関係が、プロセッサ１２０によって作成または決定され、データベースに格納される。

プロセッサ１２０は、出力Ｏ１でＲＦ発生器１０２によって送出される電力Ｐ＿ｄｅｌの量（Ｐ＿ｄｅｌ１、Ｐ＿ｄｅｌ２、など）を決定するために、ＲＦ発生器１０２を較正することに注意されたい。例えば、ＲＦ発生器１０２は、ＲＦケーブル１１６を介して、５０オームの抵抗を有する負荷である５０オーム負荷など、擬似負荷に接続されている。擬似負荷は、本明細書では、既知の負荷とも呼ぶ。測定装置（電圧および電流のセンサ、もしくは、電力センサ、など）が、擬似負荷の入力に接続され、プロセッサ１２０に接続されている。プロセッサ１２０は、出力Ｏ１でＲＦ信号を供給するようにＲＦ発生器１２０を制御するための命令信号を生成する。命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２は、ＲＦ信号を生成し、出力Ｏ１およびＲＦケーブル１１６を介して擬似負荷へＲＦ信号を供給する。測定装置は、擬似負荷の入力における電力の量を測定する。入力において測定された電力の量から、ＲＦケーブル１１６での電力損失の量がわかる。プロセッサ１２０は、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量を決定するために、測定された電力の量を受信し、ＲＦ発生器１０２によって供給された電力の量と、擬似負荷の入力において測定された電力の量との間の対応関係を決定する。例えば、プロセッサ１２０は、出力Ｏ１においてＲＦ発生器１０２によって供給された電力の量と、擬似負荷の入力において測定された電力の量との間の差を決定する。その差は、ＲＦケーブル１１６における電力損失の量に等しい。プロセッサ１２０は、ＲＦ発生器１２０によって供給された電力量に対してその差を加えて、ＲＦ発生器１２０によって送出される電力の量（Ｐｄｅｌ１など）を算出する。プロセッサ１２０は、ＲＦケーブル１１６における電力損失を考慮するために、ＲＦ発生器１２０によって供給された電力の量（Ｐｓｕｐ１など）と、ＲＦ発生器１２２によって送出された電力の量（Ｐｄｅｌ１など）との間の対応関係（一対一の関係、つながり、関連、または、マッピング、など）をデータベースに格納する。このように、出力Ｏ１における送出電力の複数の量（Ｐｄｅｌ１、Ｐｄｅｌ２、など）を有すると共に、出力Ｏ１における供給電力の複数の量（Ｐｓｕｐ１、Ｐｓｕｐ２、など）を有するデータベースが、プロセッサ１２０によって作成される。データベースは、出力Ｏ１においてＲＦ発生器１０２によって供給された電力の量と、出力Ｏ１においてＲＦ発生器１０２によって送出された電力の量との間の対応関係を含む。

出力Ｏ１で送出される電力Ｐ＿ｄｅｌは、ＲＦケーブル１１６での電力損失を考慮するように較正されているので、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で送出される電力Ｐ＿ｄｅｌは、本明細書においてインピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２で送出される電力と呼ばれることもあることに注意されたい。

一実施形態において、インピーダンス整合回路は、本明細書において、整合器、整合ネットワーク、インピーダンス整合回路網、または、整合ハウジングと呼ばれることもあり、これらの用語は、本明細書において交換可能に用いられる。

一実施形態において、上側電極１１４が接地電位に接続される代わりに、下側電極が接地電位に接続され、上側電極１１４はＲＦ伝送線路に接続される。ＲＦ伝送線路１１８は、変調ＲＦ信号１２６を受信するために、インピーダンス整合回路１１８の出力Ｏ２に接続されている。

一実施形態において、プロセッサ１２０の代わりに、複数のプロセッサが用いられる。例えば、プロセッサ１２０によって実行される本明細書に記載の機能は、代わりに、複数のプロセッサによって分散的に実行される。さらに、メモリデバイス１２２の代わりに、複数のメモリデバイスが用いられる。例えば、メモリデバイス１２２に格納される情報は、複数のメモリデバイスの間に分散されて格納される。

一実施形態において、プロセッサ１２０とＲＦ発生器１０２のプロセッサとによって実行される本明細書に記載の機能は、代わりに、プロセッサ１２０またはＲＦ発生器１０２のプロセッサによって、もしくは、３以上のプロセッサによって実行される。

一実施形態において、ＲＦ発生器１０２に加えて、１または複数のさらなるＲＦ発生器が、インピーダンス整合回路１０４に接続される。例えば、ＲＦ発生器１０２は、ｋＨｚＲＦ発生器であり、さらなるＲＦ発生器は、２つのＭＨｚＲＦ発生器を含む。別の例として、ＲＦ発生器１０２は、ＭＨｚＲＦ発生器であり、さらなるＲＦ発生器は、２つのＭＨｚＲＦ発生器を含む。１または複数のさらなるＲＦ発生器は、対応する１または複数のさらなるＲＦケーブルを介して、インピーダンス整合回路１０４の対応する１または複数のさらなる入力に接続される。１または複数のさらなるＲＦ発生器は、対応する１または複数のさらなるＲＦ信号を生成し、対応する１または複数のさらなるＲＦケーブルを介してインピーダンス整合回路１０４へ１または複数のさらなるＲＦ信号を提供する。インピーダンス整合回路１０４は、負荷のインピーダンスを、入力Ｉ２に接続されているソースのインピーダンスと、インピーダンス整合回路１０４の対応する１または複数のさらなる入力とに整合させて、出力Ｏ２で変調ＲＦ信号を出力する。入力Ｉ２と、インピーダンス整合回路１０４の対応する１または複数のさらなる入力とに接続されるソースの例は、１または複数のさらなるＲＦケーブル、ＲＦケーブル１１６、ＲＦ発生器１０２、ならびに、１または複数のさらなるＲＦ発生器を含む。

一実施形態において、出力Ｏ２に接続される代わりに、電流センサ１０６は、ＲＦ伝送線路１０８上の任意の点に接続され、もしくは、チャック１１２の入力Ｉ３に接続されることで、その点または入力Ｉ３で送出されている電流の量を測定する。この実施形態では、ＲＦ発生器１２０の出力Ｏ１からＲＦ伝送路１０８上のその点または入力Ｉ３までに生じる電力損失の量が特定されて、補償される。

図２は、インピーダンス整合回路１０４（図１）の出力Ｏ２に関連付けられている抵抗（等価直列抵抗（ＥＳＲ）など）の決定を説明するためのグラフ２００の一実施形態である。出力Ｏ２に関連付けられている抵抗は、一定であり、ＲＦケーブル１１６の抵抗およびインピーダンス整合回路１０４の回路構成要素の抵抗の組みあわせ（合計など）である。インピーダンス整合回路１０４の回路構成要素は、インピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２および出力Ｏ２の間に接続されている。

グラフ２００は、プロット２０２において、ｙ軸上のＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で送達された電力と、ｘ軸上の送出電力に対応する出力Ｏ２で測定された電流の量の二乗（図１）をプロットしている。出力Ｏ１での送出電力は、ワット（Ｗ）で測定される。無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ１での送出電力の量（例えば、Ｐｄｅｌ１、Ｐｄｅｌ２、など）にアクセスする（読み出し、または、取得する）。例えば、基板を処理する前に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ１での送出電力の量にアクセスする。電流の量の二乗は、Ｉｒｍｓ^２としてｘ軸上にプロットされており、Ｉｒｍｓは、電流センサ１０６によってアンペアで測定されたものである。また、無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、さらに、メモリデバイス１２０において、量（Ｉｒｍｓ１、Ｉｒｍｓ２、など）にアクセスする。アクセスされる量は、メモリデバイス１２２からプロセッサ１２０によってアクセスされる送出電力の量に対応する。無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、データベースに格納された測定電流の量から出力Ｏ２で送出された電流の量の二乗を算出して、グラフ２００にプロットする。

また、無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、グラフ２００において、出力Ｏ２で送出された電流の量Ｉｒｍｓ１の二乗Ｉｒｍｓ１^２に対して、出力Ｏ１で送出された電力の量Ｐｄｅｌ１をプロットし、出力Ｏ２で送出された電力の量Ｉｒｍｓ２の二乗Ｉｒｍｓ２^２に対して、出力Ｏ２で送出された電力の量Ｐｄｅｌ２をプロットする。例えば、グラフ２００内の点２０４Ａは、量Ｐｄｅｌ１およびＩｒｍｓ１^２を表し、グラフ２００内の別の点２０４Ｂは、量Ｐｄｅｌ２およびＩｒｍｓ２^２を表している。同様に、グラフ２００は、他の点２０４Ｃ、２０４Ｄ、２０４Ｅ、および、２０４Ｆを含んでおり、点２０４Ｃ、２０４Ｄ、２０４Ｅ、および、２０４Ｆの各々は、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で送出された電力の量と、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２で送出された電流の量の二乗とに対応する。

無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、点２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ、２０４Ｄ、２０４Ｅ、および、２０４Ｆからプロット２０２を生成する。例えば、プロセッサ１２０は、点２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ、２０４Ｄ、２０４Ｅ、および、２０４Ｆを通るように直線を適合させるために、線形回帰分析を実行する。各点２０４Ａ～２０４Ｆは、出力Ｏ２で送出された電流の量の二乗に対して、出力Ｏ１における送出電力の量をプロットする。

さらに、無プラズマ試験の間または後に、プロセッサ１２０は、プロット２０２の傾きを算出する。例えば、プロセッサ１２０は、プロット２０２上に位置する複数の点２０４Ｇおよび２０４Ｈを特定し、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での送出電力の量Ｐ＿ｄｅｌＢを決定するためにｙ軸に向かって水平に点２０４Ｇを投影し、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での送出電力の量Ｐ＿ｄｅｌＡを決定するためにｙ軸に向かって水平に点２０４Ｈを投影し、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での電流の量ＩｒｍｓＡの二乗ＩｒｍｓＡ^２を決定するためにｘ軸に向かって垂直に点２０４Ｇを投影し、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での電流の量ＩｒｍｓＢの二乗ＩｒｍｓＢ^２を決定するためにｘ軸に向かって垂直に点２０４Ｈを投影する。プロセッサ１２０は、量Ｐ＿ｄｅｌＢおよびＰ＿ｄｅｌＡの間の第１差と、量ＩｒｍｓＢ^２およびＩｒｍｓＡ^２の間の第２差を算出し、第１差および第２差の比を算出して、プロット２０２の傾きを決定する。プロセッサ１２０は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に関連付けられている抵抗ＥＳＲとして、その傾きを格納する。

図３は、ＲＦケーブル１１６およびインピーダンス整合回路１０４に関連付けられている電力の損失を考慮する目的で、ＲＦ発生器１０２によって生成および送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を決定する際に、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に関連付けられている抵抗ＥＳＲを利用することを説明するために、システム３００の一実施形態を示す図である。システム３００は、図１のシステム１００と構造が同じである。例えば、システム３００は、システム１００と同じ構成要素を備えている。例えば、システム３００は、ＲＦ発生器１０２と、ＲＦケーブル１１６と、インピーダンス整合回路１０４と、ＲＦ伝送線路１１８と、プラズマチャンバ１０８と、電流センサ１０６と、ホストコンピュータデバイス１１０と、を備える。

プラズマチャンバ１０８は、処理される基板Ｓ１（半導体ウエハなど）を含む。基板処理の例は、基板への１または複数の材料の蒸着、基板のエッチング、基板のスパッタリング、および、基板の洗浄を含む。基板Ｓ１は、処理に向けてチャック１１２の上面に配置されている。

整数ｉで表される第１期間中、プロセッサ１２０は、ＲＦ発生器１０２によって生成されて出力Ｏ１で出力または供給される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを有する命令信号を生成する。期間、時間増分、および、時間ステップという用語は、本明細書では交換可能に用いられる。量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃは、本明細書において、ＲＦ発生器１０２の動作のレシピ設定点とも呼ばれ、ここで、「ｓｐ」は設定点を指し、「ｒｅｃ」はレシピを指す。プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃにアクセスする（読み出す、など）。動作のレシピ設定点は、ホストコンピュータデバイス１１０の入力デバイス（マウス、キーボード、または、キーパッドなど）を介して、ユーザによってプロセッサ１２０に提供される。入力デバイスは、接続ケーブルを介してプロセッサ１２０に接続されている。

さらに、第１期間中、プロセッサ１２０は、接続ケーブル１２５および入力Ｉ１を介してＲＦ発生器１０２へ、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを有する命令信号を送信する。命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃの電力を有するＲＦ信号３０２を生成し、出力Ｏ１およびＲＦケーブル１１６および入力Ｉ２を介してインピーダンス整合回路１０４へ、ＲＦ信号３０２を供給する。第１期間中、ＲＦ信号３０２は、ＲＦ信号１２４（図１）が生成されるのと同じ方法で生成される。例えば、ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを有する命令信号を受信し、その量を有する信号を生成する。ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、ＲＦ発生器１０２のドライバ／増幅器回路に、その量を有する信号を提供する。ドライバ／増幅器回路のドライバは、ＲＦ発生器１０２のプロセッサからの信号を受信すると、電流信号を生成する。ドライバ／増幅器回路の増幅器は、電力信号を増幅して、増幅電流信号を出力し、増幅電流信号をＲＦ発生器１０２のＲＦ電源へ送信する。ＲＦ電源は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃの電力を有するＲＦ信号３０２を生成して供給するように振動する。

第１期間内に、インピーダンス整合回路１０４は、入力Ｉ２でＲＦ信号３０２を受信し、出力Ｏ２に接続されている負荷のインピーダンスを、入力Ｉ２に接続されているソースのインピーダンスと整合させて、出力Ｏ２で変調ＲＦ信号３０４を出力する。インピーダンス整合回路１０４は、出力Ｏ２およびＲＦ伝送線路１１８を介してチャック１１２の下側電極へ、変調ＲＦ信号３０４を提供する。さらに、１または複数の処理ガスが、プラズマチャンバ１０８へ供給される。１または複数の処理ガスがプラズマチャンバ１０８に供給され、変調ＲＦ信号３０４がプラズマチャンバ１０８の下側電極によって受信されると、プラズマがプラズマチャンバ１０８内で点火されて維持され、そのプラズマは基板Ｓ１を処理する。

変調ＲＦ信号３０４が第１期間中に出力Ｏ２で提供されている間に、電流センサ１０６は、出力Ｏ２で送出された電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）を測定し、ここで、ｉは、ゼロ以上の整数である。量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）は、出力Ｏ２で送出された電流の複数の量の二乗平均平方根である。電流センサ１０６は、接続ケーブル１２１を介してプロセッサ１２０へ、電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）を提供する。基板Ｓ１が処理されている間に、プロセッサ１２０は、量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）をメモリデバイス１２２に格納し、メモリデバイス１２２から、量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）にアクセス（読み出しまたは取得など）し、第１期間中の電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）の二乗Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）^２を算出する。プロセッサ１２０は、二乗Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）^２もメモリデバイス１２２に格納する。また、基板Ｓ１がプラズマ処理チャンバ１０８内で処理されている第１期間中に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２に関連付けられている抵抗ＥＳＲの量と値Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）^２とにアクセス（読み出しまたは取得など）し、抵抗ＥＳＲに電流の量の二乗Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）^２を乗じて、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２でのＲＦ電力の損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）を算出または決定する。量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）は、ＲＦケーブル１１６内のまたはＲＦケーブル１１６による電力の損失と、インピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２および出力Ｏ２の間のインピーダンス整合回路１０４の回路構成要素内のまたは回路構成要素による電力の損失とを合わせた量である。第１期間内に、プロセッサ１２０は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃと出力Ｏ２に関連付けられている電力の量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）との合計Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を算出し、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を出力し、ここで、「ｇｅｎ」は、ＲＦ発生器１０２を指す。

基板Ｓ１が処理されている第２期間中に、電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを有する命令信号を生成し続ける代わりに、プロセッサ１２０は、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する命令信号を生成し、接続ケーブル１２５および入力Ｉ１を介してＲＦ発生器１０２へ命令信号を送信することで、ＲＦ発生器１０２の動作のレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを調整（変更または修正など）する。一例として、第２期間は、第１期間の次の期間（第１期間に連続する期間など）である。例えば、第１期間と第２期間との間には期間がない。別の例として、第２期間は、或る程度の時間の後に第１期間に続く。

さらに、第２期間中に、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２は、出力Ｏ１での送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有するＲＦ信号３０２を生成する。ＲＦ発生器１０２は、電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを有するＲＦ信号３０２を出力するための上述の方法と同じ方法で、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有するＲＦ信号３０２を出力するために、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する命令信号を処理する。例えば、第２期間中に、プロセッサ１２０は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を達成するようにレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを調整（修正または変更など）し、接続ケーブル１２５を介してＲＦ発生器１０２へ、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する命令信号を提供する。命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する信号を生成して、ＲＦ発生器１０２のドライバ／増幅器回路へ送信する。量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有する信号を受信すると、ドライバ／増幅器回路は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）に基づいて電流信号を生成し、ＲＦ発生器１０２の電源へ電流信号を提供する。ＲＦ発生器１０２の電源は、電流信号に従って振動することで、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有するＲＦ信号３０２を出力する。

送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有するＲＦ信号３０２は、ＲＦ発生器１０２によって、出力Ｏ１、ＲＦケーブル１１６、および、入力Ｉ２を介してインピーダンス整合回路１０４へ供給される。インピーダンス整合回路１０４は、出力Ｏ２に接続されている負荷のインピーダンスを、入力Ｉ２に接続されているソースのインピーダンスと整合して、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）を有するＲＦ信号３０２を変調することで、変調ＲＦ信号３０４を出力する。下側電極は、基板Ｓ１を処理するために、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）に基づいて出力された変調ＲＦ信号３０４を受信する。変調ＲＦ信号３０４は、出力Ｏ２およびＲＦ伝送線路１１８を介して下側電極によって受信される。

再び第２期間中に、電流センサ１０６は、出力Ｏ２で送出された電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）を測定し、接続ケーブル１２１を介してプロセッサ１２０へ、その量を提供する。プロセッサは、量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）をメモリデバイス１２２に格納する。第２期間中に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）にアクセス（取得または読み出しなど）し、量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）の二乗と出力Ｏ２に関連付けられている抵抗ＥＳＲとを乗じることによって出力Ｏ２での送出電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋１）を決定または算出する。さらに、第２期間中に、プロセッサ１２０は、電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃと電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋１）との合計を算出して、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を出力する。

基板Ｓ１が処理されている第３期間中に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ１で供給される電力のレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを調整するために、送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を有するＲＦ信号３０２を生成するよう、ＲＦ発生器１０２を制御する。例えば、第３期間中に、プロセッサ１２０は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を達成するようにレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを調整（修正または変更など）し、接続ケーブル１２５を介してＲＦ発生器１０２へ、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を有する命令信号を提供する。プロセッサ１２０から命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２のプロセッサは、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を有する信号をＲＦ発生器１０２のドライバ／増幅器回路へ送信する。量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を有する信号を受信すると、ドライバ／増幅器回路は、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）に基づいて電流信号を生成し、電源へ電流信号を提供する。電源は、電流信号に従って振動することで、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）を有するＲＦ信号３０２を出力する。第３期間は、第２期間に連続する期間である。同様の方法で、基板Ｓ１が処理されているさらなる期間中に、プロセッサ１２０は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に関連付けられている電力損失（例えば、出力Ｏ２における電力損失、など）を考慮または補償するために、ＲＦ信号３０２の送出電力の量を変更するよう、ＲＦ発生器１０２を制御し続ける。

図４は、基板Ｓ１または別の基板の処理中に、プロセッサ１２０が、インピーダンス整合回路１０４（図３）の出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量に基づいて、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での送出電力の量を修正し続ける方法を説明するために、テーブル４００の一実施形態を示す図である。テーブル４００は、時間ステップのリストと、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃに適用される補正オフセットのリストと、発生器設定点と、出力Ｏ２に関連付けられている電力の損失Ｐ＿ｌｏｓｓと、プラズマチャンバ１０８（図１）内のプラズマに結合された電力の量と、次の時間ステップの補正オフセットと、を含む。電力の損失Ｐ＿ｌｏｓｓの例は、Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）およびＰ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋１）を含む。電力の損失Ｐ＿ｌｏｓｓは、電力の損失の量が、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃに追加される時に、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを調整するために用いられる。補正オフセット、発生器設定点、電力の損失、プラズマに結合された電力の量、および、次の時間の補正オフセットは、ワット（Ｗ）で測定される。

時間ステップの例は、第１期間、第２期間、および、第３期間を含む。例えば、第１期間は時間ステップ０の例であり、第２期間は時間ステップ１の例であり、第３期間は時間ステップ２の例である。別の例として、第１期間は時間ステップ４の例であり、第２期間は時間ステップ５の例であり、第３期間は時間ステップ６の例である。例えば、第１期間は時間ステップ３の例であり、第２期間は時間ステップ４の例であり、第３期間は時間ステップ５の例である。

発生器設定点の例は、初期発生器レシピ設定点としての量Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃと、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）と、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）と、を含む。さらに、出力Ｏ２に関連付けられている電力の損失の例は、量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）および量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋１）を含む。各時間ステップの間、出力Ｏ２に関連付けられている電力の損失は、次の時間ステップの補正オフセットと同じである。例えば、補正オフセットは、時間ステップ２の間に５Ｗであり、時間ステップ１の間の５Ｗの電力の損失と同じである。

時間ステップ０の間に、プロセッサ１２０は、５００Ｗの量を有するＲＦ信号３０２（図３）を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。量５００Ｗは、電力のレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃの例である。さらに、時間ステップ０の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２に関連付けられている送出電力の損失の量５Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量５Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）は、時間ステップ０中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ０の間に、４９５Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９５Ｗは、ＲＦ信号３０２の電力の量５００Ｗと、出力Ｏ２での電力損失の量５Ｗとの間の差である。時間ステップ０の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量５Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量５Ｗを決定する。

時間ステップ１の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ０の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット５Ｗとの合計を算出し、合計である量５０５Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。量５０５Ｗは、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１でＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）の例である。さらに、時間ステップ１の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２での送出電力の損失の量８Ｗにアクセスする。送出電力の損失の量８Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）は、時間ステップ１中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ１の間に、４９７Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９７Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５０５Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量８Ｗとの間の差である。時間ステップ１の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量８Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量８Ｗを決定する。

時間ステップ２の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ１の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット８Ｗとの合計を算出し、合計である量５０８Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。時間ステップ２は、時間ステップに連続する時間ステップである。量５０８Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）の例である。さらに、時間ステップ２の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２での送出電力の損失の量９Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量９Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋２）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋２）は、プロセッサ１２０によってメモリデバイス１２２に格納される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋２）は、時間ステップ２中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ２の間に、４９９Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９９Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５０８Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量９Ｗとの間の差である。時間ステップ２の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量９Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量９Ｗを決定する。

時間ステップ３の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ２の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット９Ｗとの合計を算出し、合計である量５０９Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。時間ステップ３は、時間ステップ２に連続しまたは続く時間ステップである。量５０９Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋３）の例である。さらに、時間ステップ３の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋３）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。量１０Ｗは、電流センサ１０６によって測定され、プロセッサ１２０に提供される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋３）は、時間ステップ３中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ３の間に、４９９Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９９Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５０９Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０Ｗとの間の差である。時間ステップ３の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量１０Ｗを決定する。

時間ステップ４の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ３の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット１０Ｗとの合計を算出し、合計である量５１０Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。時間ステップ４は、時間ステップ３に連続しまたは続く時間ステップである。量５１０Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋４）の例である。さらに、時間ステップ４の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０．５Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０．５Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋４）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋４）は、時間ステップ４中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ４の間に、４９９．５Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９９．５Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５１０Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．５Ｗとの間の差である。時間ステップ４の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．５Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量１０．５Ｗを決定する。

時間ステップ５の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ４の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット１０．５Ｗとの合計を算出し、合計である量５１０．５Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。時間ステップ５は、時間ステップ４に連続しまたは続く時間ステップである。量５１０．５Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋５）の例である。さらに、時間ステップ５の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２に関連付けられている送出電力の損失の量１０．６Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０．６Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋５）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋５）など）は、時間ステップ５中に電流センサ１０６によって測定される。また、時間ステップ５の間に、４９９．９Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量４９９．９Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５１０．５Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．６Ｗとの間の差である。時間ステップ５の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．６Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量１０．６Ｗを決定する。

時間ステップ６の間に、プロセッサ１２０は、レシピ設定点５００Ｗと、時間ステップ５の間に決定された次の時間ステップの補正オフセット１０．６Ｗとの合計を算出し、合計である量５１０．６Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成するように、ＲＦ発生器１０２を制御する。時間ステップ６は、時間ステップ５に連続しまたは続く時間ステップである。量５１０．６Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋６）の例である。さらに、時間ステップ６の間に、プロセッサ１２０は、メモリデバイス１２２から、出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０．６Ｗにアクセスする。出力Ｏ２での送出電力の損失の量１０．６Ｗは、電流センサ１０６（図３）によって測定された電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋６）など）の二乗と、抵抗ＥＳＲとを乗じることによって、プロセッサ１２０によって算出される。電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＿６）は、時間ステップ６中に電流センサ１０６によって測定される。電流量Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋６）は、プロセッサ１２０によってメモリデバイス１２２に格納され、プロセッサ１２０によってメモリデバイス１２２からアクセス（読み出しまたは取得など）される。また、時間ステップ６の間に、５００Ｗの量の送出電力が、基板Ｓ１を処理するために用いられるプラズマに結合される。量５００Ｗは、ＲＦ信号３０２の送出電力の量５１０．６Ｗと、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．６Ｗとの間の差である。時間ステップ６の間に、プロセッサ１２０は、出力Ｏ２に関連付けられている電力損失の量１０．６Ｗに等しくなるように、次の時間ステップの補正オフセットの量１０．６Ｗを決定する。

このように、プロセッサ１２０は、電力損失量が補償されるまで、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２で測定された電力損失量に基づいて、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１でＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量を制御し続ける。電力損失量は、電力損失量が安定した時に補償される。例えば、時間ステップ５および６の間に、プロセッサ１２０は、電流センサ１０６によって測定された出力Ｏ２での送出電流の量と、出力Ｏ２に関連付けられている抵抗ＥＳＲとに基づいて、同じ量の電力損失１０．６Ｗが発生したと判定する。電力損失量が安定していると判定すると、プロセッサ１２０は、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１でＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量を変化させないように、ＲＦ発生器１０２を制御する。例えば、時間ステップ６の後、プロセッサ１２０は、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で量５１０．６Ｗの電力を送出するように、ＲＦ発生器１０２を制御し、量５１０．６Ｗを変化させないさらに例を挙げると、時間ステップ６の後、電流センサ１０６は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２から切り離される。出力Ｏ２での送出電力損失の量を決定するために、出力Ｏ２で電流を測定し続ける必要はない。

一実施形態において、２つの連続した時間ステップに対して同じ電力損失量であると判定する代わりに、プロセッサ１２０は、２つの連続した時間ステップ中の電力損失量が、互いから所定の範囲内にあると判定することで、２つの時間ステップの後者の電力損失量が安定していると判定する。例えば、時間ステップ５の間の電力損失量が、１０．６Ｗではなく１０．６１Ｗであると仮定し、時間ステップ６の間の電力損失量が１０．６Ｗであるとすると、プロセッサ１２０は、量１０．６Ｗおよび１０．６１Ｗが、互いから０．１Ｗまたは０．２Ｗの所定の範囲内にあると判定して、電力損失量１０．６Ｗが時間ステップ６中に安定していると判定する。別の例として、時間ステップ５の間の電力損失量が、１０．６Ｗではなく１０．６２Ｗであると仮定し、時間ステップ６の間の電力損失量が１０．６Ｗであるとすると、プロセッサ１２０は、量１０．６Ｗおよび１０．６２Ｗが、互いから０．２Ｗまたは０．３Ｗの所定の範囲内にあると判定して、時間ステップ６の間の電力損失量１０．６Ｗが安定していると判定する。

一実施形態において、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２での電流を測定し、電流の測定値および抵抗ＥＳＲからインピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２での電力損失の量を決定し、電力損失の量およびＲＦ発生器１０２のレシピ設定点からＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量を決定する方法の反復は、５０ヘルツ（Ｈｚ）～１ｋＨｚの範囲の速さで行われる。例えば、出力Ｏ２での電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）など）の測定、測定値Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）および抵抗ＥＳＲからの量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）の決定、ならびに、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃおよび量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）からの量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）の決定は、毎秒５０回、毎秒１０００回、または、毎秒５０回～毎秒１０００回の間の回数、反復的に繰り返される。別の例として、５０または１０００の時間ステップ（時間ステップの例は、テーブル４００に関して上記に提供されている）が、１秒間に発生する。各時間ステップの間に、電流の量（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）など）が、出力Ｏ２で測定され、量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）が、測定値Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）および抵抗ＥＳＲから決定され、量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）が、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃおよび量Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）から決定される。

一実施形態において、量５１０Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ）の例であり、量５１０．５Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）の例であり、量５１０．６Ｗは、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）の例である。

図５は、出力Ｏ１でＲＦ発生器１０２（図３）によって送出される電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎが、インピーダンス整合回路１０４（図３）の出力Ｏ２で送出される電力の損失Ｐ＿ｌｏｓｓを考慮して変化することを説明するために、グラフ５００の一実施形態を示す図である。用語「Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ」における「ｓｐ」は設定点を表し、用語「Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ」における「ｇｅｎ」はＲＦ発生器１０２を表すことに注意されたい。グラフ５００は、時刻ｔに対して、ＲＦ発生器１０２によって送出される電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎをプロットしている。グラフ５００は、プロット５０２、別のプロット５０４、および、さらに別のプロット５０６を含む。プロット５０２は、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１での送出電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅ示している。さらに、プロット５０４は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２で送出される電力の損失Ｐ＿ｌｏｓｓを示し、プロット５０６は、一定量であるレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃを示している。

グラフ５００に示すように、時間ｔと共に送出電力の損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓ（Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ）、Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋１）、Ｐ＿ｌｏｓｓ（ｉ＋２）、など）が増加すると、時間ｔと共に送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（例えば、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋２）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋３）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋４）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋５）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋６）、など）が増加する。送出電力Ｐ＿ｌｏｓｓの損失を考慮することによって、基板Ｓ１（図４）または別の基板の処理における均一性が、時間ｔと共に達成される。送出電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎおよびレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃの間の差は、本明細書では設定点オフセットと呼ばれることに注意されたい。

図６は、送出電力の損失を補償するための方法の応用例を説明するために、システム６００の一実施形態を示す図である。システム６００は、比較器６０２と、コントローラ６０４と、加算器６０６と、ＲＦ発生器１０２と、インピーダンス整合回路１０４と、プラズマチャンバ１０８と、電流センサ１０６と、遅延回路６０８と、フィルタ６１０と、コントローラ６１１と、比較器６１２と、を備える。

コントローラ６０４の例は、プロセッサ１２０（図３）、ＡＳＩＣ、ＰＬＤ、ＣＰＵ、マイクロプロセッサ、および、マイクロコントローラを含む。コントローラ６０４の別の例は、プロセッサ１２０とＲＦ発生器１０２のプロセッサとの組みあわせを含む。比較６０２または比較器６１２の例は、コントローラ、プロセッサ、ＰＬＤ、ＣＰＵ、マイクロプロセッサ、および、マイクロコントローラを含む。加算器６０６、遅延回路６０８、および、フィルタ６１０の各々は、コントローラ、プロセッサ、ＰＬＤ、ＣＰＵ、マイクロプロセッサ、および、マイクロコントローラを用いて実装されてよい。フィルタ６１０の例は、電流Ｉ＿ＲＭＳの高周波数をフィルタアウトするローパスフィルタを含む。

比較器６０２は、コントローラ６０４に接続され、コントローラ６０４は、加算器６０６に接続されている。加算器６０６は、接続ケーブルを介してＲＦ発生器１０２に接続されている。また、遅延回路６０８は、接続ケーブルを介して電流センタ１０６に接続されている。遅延回路６０８は、フィルタ６１０接続され、フィルタ６１０は、コントローラ６１１に接続されている。コントローラ６１１は、比較器６１２に接続され、比較器６１２は、比較器６０２に接続されている。

電力センサ１０６は、基板の処理中に測定される電流の量Ｉ＿ＲＭＳ（Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ）、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋１）、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋２）、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋３）、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋４）、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋５）、または、Ｉ＿ＲＭＳ（ｉ＋６）、など）もしくは無プラズマ試験中に測定される電流の量Ｉｒｍｓを測定して、遅延回路６０８に提供する。遅延回路６０８は、基板の処理中に測定された電流Ｉ＿ＲＭＳに関連しまたは無プラズマ試験中に測定された電流Ｉｒｍｓに関連付けられている時間遅延に対処（低減または除去など）する。例えば、遅延回路６０８は、プロセッサ１２０によって電流センサ１０６から電流の量Ｉ＿ＲＭＳを受信する際の時間遅延と、インピーダンス整合回路１０２の出力Ｏ２での電力損失Ｐ＿ｌｏｓｓを決定するために電流の測定値Ｉ＿ＲＭＳおよび抵抗ＥＳＲをプロセッサ１２０によって処理する際の時間遅延と、電力損失Ｐ＿ｌｏｓｓおよびレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃから送出電力の量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎをプロセッサ１２０によって決定する際の時間遅延と、を低減または除去する。別の例として、遅延回路６０８は、プロセッサ１２０によって電流センサ１０６から電流の量Ｉｒｍｓを受信する際の時間遅延を低減または除去する。遅延回路６０８は、電流Ｉ＿ＲＭＳに関連付けられている時間遅延および電流Ｉｒｍｓに関連付けられている時間遅延を低減または除去し、電流の測定値Ｉ＿ＲＭＳまたは電流の測定値Ｉｒｍｓ（例えば、量など）をフィルタ６１０に提供する。

フィルタ６１０は、電流センサ１０６によって測定される電流量Ｉ＿ＲＭＳまたは電流量Ｉｒｍｓの高周波数成分を除去（フィルタリングなど）する。コントローラ６１１は、グラフ２００（図２）に示した、電流センサ１０６によって測定される電流の量Ｉｒｍｓと送出電力の量Ｐ＿ｄｅｌとの間の関係性から、抵抗ＥＳＲの値を決定する。また、コントローラ６１１は、抵抗ＥＳＲおよび電流Ｉ＿ＲＭＳの二乗から電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓを決定し、送出電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓを比較器６１２に提供する。

比較器６１２は、プラズマチャンバ１０８内のプラズマに結合される送出電力の量Ｐ＿ｃｏｕｐｌｅｄを決定するために、インピーダンス整合回路１０４の入力Ｉ２に送出される電力の量を、送出電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓと比較する。入力Ｉ２に送出される電力は、Ｐ＿ｄｅｌと表されている。比較器６１２は、プラズマに結合される送出電力の量Ｐ＿ｃｏｕｐｌｅｄを比較器６０２に提供する。

さらに、比較器６０２は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２での送出電力損失の量Ｐ＿ｌｏｓｓを決定するために、プラズマチャンバ１０８内のプラズマに結合される電力の量Ｐ＿ｃｏｕｐｌｅｄを、レシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃと比較する。コントローラ６０４は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２での送出電力損失量Ｐ＿ｌｏｓｓを比較器６０２から受信し、その損失量を加算器６０６に提供する。加算器６０６は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２での送出電力損失量Ｐ＿ｌｏｓｓをレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃに加算して、合計設定点または総設定点を生成し、それは、接続ケーブルを介してＲＦ発生器１０２へ入力として提供される。ＲＦ発生器１０２は、送出電力の合計設定点を生成して、ＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で提供するように動作される。

一実施形態において、遅延回路６０８、フィルタ６１０、コントローラ６１１、比較器６１２、比較器６０２、コントローラ６０４、および、加算器６０６は、プロセッサ１２０内に実装される。例えば、遅延回路６０８、フィルタ６１０、コントローラ６１１、比較器６１２、比較器６０２、コントローラ６０４、および、加算器６０６は、プロセッサ１２０の一部である。

一実施形態において、フィルタ６１０は、任意選択的であり、システム６００において用いられなくてもよい。例えば、遅延回路６０８は、フィルタ６１０に接続されずに、コントローラ６１１に接続される。

一実施形態において、遅延回路６０８、フィルタ６１０、コントローラ６１１、比較器６１２、比較器６０２、コントローラ６０４、および、加算器６０６によって実行される本明細書に記載の機能は、１または複数のプロセッサによって実行される。例えば、遅延回路６０８、フィルタ６１０、および、コントローラ６１１によって実行される本明細書に記載の機能が、或るプロセッサによって実行され、比較器６１２、比較器６０２、コントローラ６０４、および、加算器６０６によって実行される本明細書に記載の機能が、別のプロセッサ（プロセッサ１２０など）によって実行される。

図７は、図３または図４に関して説明した方法を適用することによって決定された送出電力量Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎが、基板Ｓ１の処理後に別の基板Ｓ２を処理するために維持されることを説明するために、システム７００の一実施形態を示す図である。システム７００は、システムが電流センサ１０６を備えないことを除けば、システム３００と同じ構成要素を備えている。電流センサ１０６は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２に接続されていない。例えば、電流センサ１０６は、インピーダンス整合回路１０４の出力Ｏ２から切り離されている。さらに、チャック１１２の上面に配置された基板Ｓ１は、プラズマチャンバ１０８から取り出され、基板Ｓ１が取り出された後、基板Ｓ２が、処理に向けて上面に配置されている。

プロセッサ１２０は、電力損失量Ｐ＿ｌｏｓｓが複数の時間ステップ（複数の期間など）にわたって所定の範囲内にあるような、ＲＦ発生器１０２によって供給される送出電力の量（Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１）、Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎ（ｉ＋１０）、または、５１０．６Ｗ（図４）、など）を一旦決定すると、ＲＦ発生器１０２によって供給される送出電力の量を変更しない。例えば、プロセッサ１２０は、図４の時間ステップ６の後の各時間ステップ中に、量５１０．６Ｗの送出電力を有するＲＦ信号３０２を生成するために、量５１０．６Ｗを有する命令信号をＲＦ発生器１０２へ提供する。量５１０．６Ｗを有する命令信号を受信すると、ＲＦ発生器１０２は、量５１０．６Ｗを有するＲＦ信号３０２を生成し、出力Ｏ１および入力Ｉ２を介してインピーダンス整合回路１０４へ、ＲＦ信号３０２を提供する。

ＲＦ信号３０２を受信すると、インピーダンス整合回路１０４は、出力Ｏ２に接続されている負荷のインピーダンスを、入力Ｉ２に接続されているソースのインピーダンスと整合させて、変調ＲＦ信号３０４を出力する。１または複数の処理ガスがプラズマチャンバ１０８に供給され、変調ＲＦ信号３０４がチャック１１２の下側電極に供給され、プラズマが、プラズマチャンバ１０８内で点火または維持される。プラズマチャンバ１０８内のプラズマは、プラズマチャンバ１０８内に配置された基板Ｓ２を処理する。

一実施形態において、基板Ｓ２を処理するためにＲＦ発生器１０２の出力Ｏ１で同じ量の送出電力を提供するようにＲＦ発生器１０２を制御する代わりに、インピーダンス整合回路の出力Ｏ２で電流Ｉ＿ＲＭＳを測定し、電流Ｉ＿ＲＭＳおよび抵抗ＥＳＲから出力Ｏ２での電力損失Ｐ＿ｌｏｓｓを決定し、電力損失Ｐ＿ｌｏｓｓおよびレシピ設定点Ｐ＿ｓｐ＿ｒｅｃに基づいてＲＦ発生器１０４に適用される送出電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎを決定する、図３および図４に関して説明した方法は、基板Ｓ１の処理後に１または複数の時間ステップで基板Ｓ２に対して繰り返される。次いで、基板Ｓ２に対して決定された送出電力Ｐ＿ｓｐ＿ｇｅｎは、さらなる時間ステップで基板Ｓ２に適用される。

一実施形態において、ＲＦ電力損失を補償するための本明細書に記載の方法は、誘導結合プラズマ（ＩＣ）ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ツール、または、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）ツールなど、他のタイプの半導体処理ツールに適用される。例えば、ＣＣＰプラズマチャンバ１０８の代わりに、ＩＣＰプラズマチャンバ、ＥＣＲプラズマチャンバ、または、ＰＥＣＶＤプラズマチャンバが用いられる。例えば、ＲＦ伝送線１１８は、ＩＣＰプラズマチャンバの下側電極に接続される。この例では、ＩＣＰプラズマチャンバのトランス結合プラズマ（ＴＣＰ）コイルが、接地電位に接続され、もしくは、インピーダンス整合回路を介してまた１または複数のＲＦ発生器に接続される。別の例として、ＲＦ伝送線路１１８は、ＰＥＣＶＤプラズマチャンバのペデスタルに接続される。さらに別の例として、ＲＦ伝送線路１１８は、ＩＣＰプラズマチャンバのＴＣＰコイルに接続される。この例では、ＩＣＰプラズマチャンバの下側電極が、接地電位に接続され、もしくは、インピーダンス整合回路を介してまた１または複数のＲＦ発生器に接続される。プラズマチャンバ１０８は、或るタイプの半導体処理ツールであることに注意されたい。

本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなど、様々なコンピュータシステム構成で実施されてもよい。本明細書に記載の実施形態は、コンピュータネットワークを通して接続された遠隔処理ハードウェアユニットによってタスクが実行される分散コンピューティング環境で実施されてもよい。

一部の実施形態において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。システムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備える。システムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化される。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／またはシステムに接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の任意の処理を制御するようにプログラムされる。

概して、様々な実施形態において、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義される。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ＡＳＩＣとして定義されるチップ、ＰＬＤ、１または複数のマイクロプロセッサ、もしくは、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含む。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられる命令であり、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための処理を実行するための動作パラメータを定義する。動作パラメータは、一部の実施形態において、ウエハの１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部である。

コントローラは、一部の実施形態において、コンピュータの一部であるか、または、コンピュータに接続されており、かかるコンピュータは、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、または、それらの組み合わせでシステムに結合されている。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあるか、もしくは、ウエハ処理のためのリモートアクセスを可能にするファブホストコンピュータシステムの全部または一部である。コントローラは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べる。

一部の実施形態では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、コンピュータネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含む）を介してシステムに処理レシピを提供する。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備え、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。一部の例において、コントローラは、ウエハを処理するための設定の形態で命令を受信する。設定は、ウエハに対して実行される処理のタイプ、ならびに、コントローラがインターフェースをとるまたは制御するツールのタイプに固有であることを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の遂行処理など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散される。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルで、または、リモートコンピュータの一部として、リモートに配置されている、など）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路を含む。

限定はしないが、様々な実施形態において、プラズマシステムは、プラズマエッチングチャンバ、蒸着チャンバ、スピンリンスチャンバ、金属メッキチャンバ、洗浄チャンバ、ベベルエッジエッチングチャンバ、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバ、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ、イオン注入チャンバ、トラックチャンバ、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連付けられているかまたは利用される任意のその他の半導体処理システムを含む。

また、上述の動作は、平行板プラズマチャンバに関して説明されているが、いくつかの実施形態において、上述の動作は、その他のタイプのプラズマチャンバ、例えば、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）リアクタ、誘電体ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを備えたプラズマチャンバなど、に適用されることに注意されたい。ＴＣＰリアクタの例は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタを含む。ＴＣＰリアクタの別の例は、導体ツールを含む。時に、リアクタおよびプラズマチャンバという用語は、本明細書では交換可能に用いられる。

上述のように、ツールによって実行される処理動作に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信する。

上述の実施形態を念頭に置いて、実施形態の一部は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータによって実行される様々な動作を用いることを理解されたい。コンピュータによって実行される動作は、物理量を扱う動作である。

実施形態の一部は、さらに、これらの動作を実行するためのハードウェアユニットまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成される。専用コンピュータとして規定された場合、コンピュータは、特定の目的に含まれない他の処理、プログラム実行、または、ルーチンを実行しつつ、特定の目的のために動作することができる。

一部の実施形態において、本明細書に記載された動作は、コンピュータメモリに格納されたまたはコンピュータネットワークを介して取得された１または複数のコンピュータプログラムによって選択的にアクティベートまたは構成されたコンピュータで処理される。データがコンピュータネットワークを介して取得されると、そのデータは、コンピュータネットワーク（例えば、コンピューティングリソースのクラウド）上の他のコンピュータによって処理されてもよい。

本明細書に記載の１または複数の実施形態は、非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体上にコンピュータ読み取り可能なコードとして製造されてもよい。非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体は、データを格納する任意のデータ記憶ハードウェアユニット（例えば、メモリデバイスなど）であり、データは、その後、コンピュータシステムによって読み出される。非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスク－ＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤ－レコーダブル（ＣＤ－Ｒ）、ＣＤ－リライタブル（ＣＤ－ＲＷ）、磁気テープ、および、その他の光学式および非光学式のデータ記憶ハードウェアユニットが挙げられる。一部の実施形態において、非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続されたコンピュータシステム上に分散されたコンピュータ読み取り可能なタンジブル媒体を含む。

上述したいくつかの方法動作は、特定の順序で提示されているが、様々な実施形態において、その他のハウスキーピング処理が方法動作の合間に実行される、もしくは、方法動作が、若干異なる時間に実行される、様々な間隔で方法動作が起きることを許容するシステムに方法動作が分散される、または、上述したのと異なる順序で実行されるように調整されることを理解されたい。

さらに、一実施形態において、本開示に記載された様々な実施形態に記載された範囲を逸脱することなしに、本明細書に記載の任意の実施形態の１または複数の特徴が、任意の他の実施形態の１または複数の特徴と組み合わされることに注意されたい。

理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
［適用例１］高周波（ＲＦ）電力損失を補償するための方法であって、
プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
前記ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定すること、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定すること、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を修正すること含む複数の工程を、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すこと、
を備える、方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、複数のＲＦ電力損失量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量は前記ＲＦ電力損失を補償している、方法。
［適用例３］適用例１に記載の方法であって、前記複数の測定値の取得、および、前記抵抗の決定は、無プラズマ試験の間または後に実行される、方法。
［適用例４］適用例１に記載の方法であって、前記値の取得、前記ＲＦ電力損失の量の決定、前記設定点の調整、および、前記繰り返しは、基板の処理中に実行される、方法。
［適用例５］適用例１に記載の方法であって、前記プラズマシステムの前記構成要素は、インピーダンス整合回路である、方法。
［適用例６］適用例１に記載の方法であって、前記ＲＦ電力損失の量を決定することは、前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値の二乗とを乗じることを備える、方法。
［適用例７］適用例１に記載の方法であって、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために実行され、
前記繰り返しは、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを備え、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整すること、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために実行される、方法。
［適用例８］適用例１に記載の方法であって、前記設定点を調整することは、前記ＲＦ電力損失量を前記設定点に加えることを含む、方法。
［適用例９］ 高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのコントローラであって、
プロセッサであって、
プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
前記ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定し、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定し、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すよう構成されている、プロセッサと、
前記複数のパラメータの前記複数の測定値を格納するために前記プロセッサに接続されているメモリデバイスと、
を備える、コントローラ。
［適用例１０］適用例９に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、複数のＲＦ電力損失量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償していると判定する、コントローラ。
［適用例１１］適用例９に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、無プラズマ試験の間または後に、前記複数の測定値を取得し、前記抵抗を決定する、コントローラ。
［適用例１２］適用例９に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、基板の処理中に、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値を取得し、前記ＲＦ電力損失量を決定し、前記設定点を調整し、前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返す、コントローラ。
［適用例１３］適用例９に記載のコントローラであって、前記プラズマシステムの前記構成要素は、インピーダンス整合回路である、コントローラ。
［適用例１４］適用例９に記載のコントローラであって、前記ＲＦ電力損失の量を決定するために、前記プロセッサは、前記抵抗と、前記パラメータの内の前記１パラメータの前記値の二乗とを乗じるよう構成されている、コントローラ。
［適用例１５］適用例９に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成され、
前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返すために、前記コントローラは、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されており、
前記プロセッサは、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されている、コントローラ。
［適用例１６］適用例９に記載のコントローラであって、前記設定点を調整するために、前記プロセッサは、前記ＲＦ電力損失量および前記設定点を合計するよう構成されている、コントローラ。
［適用例１７］高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのプラズマシステムであって、
ＲＦ信号を生成するよう構成されている高周波（ＲＦ）発生器と、
前記ＲＦ信号を受信するために前記ＲＦ発生器に接続されているインピーダンス整合回路と、
前記ＲＦ発生器に接続されているコンピュータと、
を備え、
前記コンピュータは、
前記プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
前記ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定し、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定し、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すよう構成されている、プラズマシステム。
［適用例１８］適用例１７に記載のプラズマシステムであって、前記コンピュータは、複数のＲＦ電力損失量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償していると判定する、プラズマシステム。
［適用例１９］適用例１７に記載のプラズマシステムであって、前記コンピュータは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整し、
前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返すために、前記コンピュータは、
前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されており、
前記コンピュータは、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されている、プラズマシステム。
［適用例２０］適用例１７に記載のプラズマシステムであって、前記コンピュータは、複数のＲＦ電力損失量が互いから所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償していると判定する、プラズマシステム。

Claims (16)

1. 高周波（ＲＦ）電力損失を補償するための方法であって、
   プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
   前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
   前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
   前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
   前記ＲＦ電力損失量に基づいてＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
   前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定すること、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定すること、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を修正すること含む複数の工程を、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すこと、
   を備え、
   前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量は、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量を含み、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量は前記ＲＦ電力損失を補償する、方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記複数の測定値の取得、および、前記抵抗の決定は、無プラズマ試験の間または後に実行される、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、前記値の取得、前記ＲＦ電力損失の量の決定、前記設定点の調整、および、前記繰り返しは、基板の処理中に実行される、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、前記プラズマシステムの前記構成要素は、インピーダンス整合回路である、方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、前記ＲＦ電力損失の量を決定することは、前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値の二乗とを乗じることを備える、方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために実行され、
   前記繰り返しは、
   前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
   前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
   前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを備え、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整すること、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために実行される、方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、前記設定点を調整することは、前記ＲＦ電力損失量を前記設定点に加えることを含む、方法。
8. 高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのコントローラであって、
   プロセッサであって、
   プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
   前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
   前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
   前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
   前記ＲＦ電力損失量に基づいてＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
   前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定し、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定し、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すよう構成され、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量は、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量を含み、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量は前記ＲＦ電力損失を補償する、プロセッサと、
   前記複数のパラメータの前記複数の測定値を格納するために前記プロセッサに接続されているメモリデバイスと、
   を備える、コントローラ。
9. 請求項８に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、無プラズマ試験の間または後に、前記複数の測定値を取得し、前記抵抗を決定する、コントローラ。
10. 請求項８に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、基板の処理中に、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値を取得し、前記ＲＦ電力損失量を決定し、前記設定点を調整し、前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返す、コントローラ。
11. 請求項８に記載のコントローラであって、前記プラズマシステムの前記構成要素は、インピーダンス整合回路である、コントローラ。
12. 請求項８に記載のコントローラであって、前記ＲＦ電力損失の量を決定するために、前記プロセッサは、前記抵抗と、前記パラメータの内の前記１パラメータの前記値の二乗とを乗じるよう構成されている、コントローラ。
13. 請求項８に記載のコントローラであって、前記プロセッサは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成され、
    前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返すために、前記コントローラは、
    前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
    前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
    前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されており、
    前記プロセッサは、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されている、コントローラ。
14. 請求項８に記載のコントローラであって、前記設定点を調整するために、前記プロセッサは、前記ＲＦ電力損失量および前記設定点を合計するよう構成されている、コントローラ。
15. 高周波（ＲＦ）電力損失を補償するためのプラズマシステムであって、
    ＲＦ信号を生成するよう構成されているＲＦ発生器と、
    前記ＲＦ信号を受信するために前記ＲＦ発生器に接続されているインピーダンス整合回路と、
    前記ＲＦ発生器に接続されているコンピュータと、
    を備え、
    前記コンピュータは、
    前記プラズマシステムの構成要素に関連付けられている複数のパラメータの複数の測定値を取得し、
    前記複数のパラメータの前記複数の測定値から、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている抵抗を決定し、
    前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の１パラメータの値を取得し、
    前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記値とから、前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記ＲＦ電力損失の量を決定し、
    前記ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の設定点を調整し、
    前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの１または複数のさらなる値を決定し、前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量を決定し、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整することを、前記設定点に適用される調整の量が前記ＲＦ電力損失を補償するまで繰り返すよう構成され、
    前記ＲＦ電力損失の１または複数のさらなる量は、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量を含み、前記ＲＦ電力損失の２または複数のさらなる量がそれぞれ所定の範囲内に収まった時、前記設定点に適用されている前記調整の量は前記ＲＦ電力損失を補償する、プラズマシステム。
16. 請求項１５に記載のプラズマシステムであって、前記コンピュータは、第２設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整し、
    前記１または複数のさらなる値の取得と、前記ＲＦ電力損失の前記１または複数のさらなる量の決定と、前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点の調整とを繰り返すために、前記コンピュータは、
    前記プラズマシステムの前記構成要素に関連付けられている前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの第２値を取得し、
    前記抵抗と、前記複数のパラメータの内の前記１パラメータの前記第２値とから、第２ＲＦ電力損失量を決定し、
    前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されており、
    前記コンピュータは、第３設定点で動作するように前記ＲＦ発生器を制御するために、前記第２ＲＦ電力損失量に基づいて前記ＲＦ発生器の動作の前記設定点を調整するよう構成されている、プラズマシステム。

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