[go: up one dir, main page]

JP7588215B2 - 折り畳み式基板およびその製造方法 - Google Patents

折り畳み式基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7588215B2
JP7588215B2 JP2023514026A JP2023514026A JP7588215B2 JP 7588215 B2 JP7588215 B2 JP 7588215B2 JP 2023514026 A JP2023514026 A JP 2023514026A JP 2023514026 A JP2023514026 A JP 2023514026A JP 7588215 B2 JP7588215 B2 JP 7588215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
central
substrate
foldable
thickness
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023514026A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023540935A (ja
Inventor
クリッピンガー アラン，ダグラス
ジョン デイネカ，マシュー
ジン，ユィホイ
リー，シンホア
カイエド カラウシュ，ユスフ
シュィ，ティンガァ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of JP2023540935A publication Critical patent/JP2023540935A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7588215B2 publication Critical patent/JP7588215B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B1/00—Layered products having a non-planar shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

本開示は、広く、折り畳み式基板およびその製造方法に関し、より詳しくは、複数の部分を含む折り畳み式基板および折り畳み式基板を製造する方法に関する。
ガラス系基板が、例えば、表示装置、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などに、よく使用されている。
ディスプレイの折り畳み式のもの、並びに折り畳み式ディスプレイ上に載置される折り畳み式保護カバーを開発することが望ましい。折り畳み式ディスプレイおよびカバーは、良好な耐衝撃性および穿刺抵抗を有するべきである。それと同時に、折り畳み式ディスプレイおよびカバーは、小さい最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル（ｍｍ）以下）を有するべきである。しかしながら、小さい最小曲げ半径を有するプラスチック製ディスプレイおよびカバーの耐衝撃性および／または穿刺抵抗は、不十分である傾向にある。さらに、世間一般の見解では、小さい最小曲げ半径を有する極薄ガラス系シート（例えば、約７５マイクロメートル（μｍまたはミクロン）以下の厚さ）の耐衝撃性および／または穿刺抵抗は、不十分である傾向にあると言われている。さらに、耐衝撃性および／または穿刺抵抗が良好な、より厚いガラス系シート（例えば、１２５マイクロメートル超）は、比較的大きい最小曲げ半径（例えば、約３０ミリメートル以上）を有する傾向にある。
その結果、小さい最小曲げ半径および良好な耐衝撃性および穿刺抵抗を有する折り畳み式装置を開発する必要がある。
第１の部分と第２の部分を有する折り畳み式基板、折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置、並びに折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置と折り畳み式基板を製造する方法が、ここに述べられている。それらの部分は、良好な寸法安定性、機械的不安定性の発生率の低下、良好な耐衝撃性、および／または良好な穿刺抵抗を提供することができる、ガラス系および／またはセラミック系部分を含み得る。第１の部分および／または第２の部分は、さらに向上した耐衝撃性および／または向上した穿刺抵抗をさらに提供できる、１つ以上の圧縮応力領域を含むガラス系および／またはセラミック系部分を含み得る。ガラス系および／またはセラミック系基板を含む基板を提供することによって、その基板は、さらに向上した耐衝撃性および／または穿刺抵抗も提供できると同時に、良好な折り畳み性能を促進させることができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さは、耐衝撃性および穿刺抵抗をさらに向上させるのに十分に大きく（例えば、約８０マイクロメートル（ミクロンまたはμｍ）から約２ミリメートル）あり得る。基板厚さ（例えば、第１の部分の第１の厚さおよび／または第２の部分の第２の厚さ）より小さい中央厚さを有する中央部分を含む折り畳み式基板を提供することにより、その中央部分における減少した厚さに基づいて、小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル以下）を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、複数の凹部、例えば、第１の距離だけ第１の主面から窪んだ第１の中央表面区域、および第２の距離だけ第２の主面から窪んだ第２の中央表面区域を有し得る。第１の凹部を第２の凹部の反対に設けることによって、基板厚さより小さい中央厚さを提供することができる。さらに、第１の凹部を第２の凹部の反対に設けることによって、例えば、中央部分と第１の部分および／または第２の部分との間で、折り畳み式装置の最大曲げ誘発歪みを減少させることができる。それは、中央厚さを有する中央部分が、凹部が１つだけ設けられた場合よりも、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の中立軸により近くにあり得るからである。それに加え、第２の距離と実質的に等しい第１の距離を設けることによって、折り畳み式基板は、基板厚さと中央厚さの中点を有する面に対して対称であるので、例えば、中央部分における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。さらに、第１の凹部を第２の凹部の反対に設けることによって、第１の距離と第２の距離の合計だけ窪んだ表面を有する単一凹部と比べて、第１の凹部および／または第２の凹部に配置された材料の曲げ誘発歪みを減少させることができる。第１の凹部および／または第２の凹部に配置された材料の曲げ誘発歪みを減少させることによって、その材料の歪み要件が減少したために、様々な材料を使用することが可能になる。例えば、より堅いおよび／またはより剛性の材料を第１の凹部に配置することができ、これにより、折り畳み式装置の耐衝撃性、穿刺抵抗、耐摩耗性、および／または引っ掻き抵抗を改善することができる。それに加え、第１の凹部に配置された第１の材料および第２の凹部に配置された第２の材料の性質を制御することにより、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の中立軸の位置を制御することができ、これにより、機械的不安定性、装置の疲労、および／または装置の破壊の発生率を低下させる（例えば、軽減する、なくす）ことができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、中央部分を第１の部分に取り付ける第１の移行部分および／または中央部分を第２の部分に取り付ける第２の移行領域を含み得る。移行領域に連続して増加する厚さを設けることによって、その移行領域における応力集中を減少させることができる、および／または光学的歪みを避けることができる。十分な長さ（例えば、約１ｍｍ以上）の移行領域を設けることによって、折り畳み式基板の厚さにおける急な階段状の変化によりそうでなければ存在するかもしれない光学的歪みを避けることができる。十分に小さい長さ（例えば、約５ｍｍ以下）の移行領域を設けることによって、減少した耐衝撃性および／または減少した穿刺抵抗を有するかもしれない中間厚さを有する折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の量を減少させることができる。さらに、中央部分の中央引張応力領域の最大引張応力より大きい最大引張応力を有する引張応力領域を第１の移行部分および／または第２の移行部分に設けることによって、折り畳み中の第１の部分または第２の部分と第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。さらに、第１の部分の第１の引張応力領域および／または第２の部分の第２の引張応力領域の最大引張応力より大きい最大引張応力を有する引張応力領域を第１の移行部分および／または第２の移行部分に設けることによって、折り畳み中の中央部分と第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。
本開示の実施の形態の装置および方法は、化学強化の結果として折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の異なる部分の膨張の差を制御（例えば、制限、減少、等化）することによって、機械的不安定性、装置の疲労、および／または装置の破壊の発生率を低下させる（例えば、軽減する、なくす）ことができる。異なる部分の膨張の差を制御することによって、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板が臨界座屈歪み（例えば、機械的不安定性の兆候）に到達する前に、より大きい折り畳み誘発歪みを促進し得る折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の複数の部分の間の化学強化誘発歪みを減少させることができる。さらに、機械的不安定性および／またはコア層と第１の外側層および／または第２の外側層との間の差、または中央部分と第１の部分および／または第２の部分との間の差を減少させることによって、例えば、そのような差から折り畳み式装置および／または折り畳み式基板内に歪みにより生じる、光学的歪みを減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、積層体を含む折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を設けることによって、１つの化学強化過程において、第１の部分、第２の部分、および中央部分の間の膨張の差を制御することができる。例えば、第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の性質により、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の実質的に均一な膨張を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、コア層の密度は、第１の外側層および／または第２の外側層の密度より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層の熱膨張係数は、第１の外側層および／または第２の外側層の熱膨張係数より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層の網状構造膨張係数(network dilation coefficient)は、第１の外側層および／または第２の外側層の網状構造膨張係数より小さいことがあり得る。さらに、第１の外側層および／または第２の外側層に対する関係をコア層に設けることによって、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を折り畳む力を減少させる（例えば、最小にする）ことができる。
中央部分の１種類以上のアルカリ金属の濃度に近い１種類以上のアルカリ金属の平均濃度（例えば、酸化物基準の１００百万分率、１０百万分率以内）を有する第１の部分および／または第２の部分を設けることによって、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の膨張差を最小にすることができる。実質的に均一な膨張により、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
中央部分の対応する比に近い（例えば、０．５％以内、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する層の深さの比を与えることにより化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の表面近くの膨張の差を最小にすることができる。表面近くの膨張の差を最小にすることにより、第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の中央表面区域の面における応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、さらに、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
中央部分の対応する比に近い（例えば、０．５％以内、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する圧縮深さの比を与えることによって、中央部分に対する第１の部分および／または第２の部分における化学強化により誘発された歪みの間の差を最小にすることができる。化学強化により誘発された歪みの差を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の中央表面区域内の応力および／または歪みを最小にすることによって、応力誘起光学的歪みを減少させることができる。また、そのような応力を最小にすることにより、穿刺抵抗および／または耐衝撃性を向上させることができる。また、そのような応力を最小にすることを、中心線に沿った光学的遅れの小さい差（例えば、約２ナノメートル以下）に関連付けることができる。さらに、そのような応力を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
本開示の方法は、上述した利益の内の１つ以上を有する折り畳み式基板の製造を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、本開示の方法、例えば、折り畳み式基板に関連する時間、設備、空間、および人件費を減少させることができる、積層体を含む折り畳み式基板を製造する方法は、１つの化学強化工程で上述した利益を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の任意の化学強化の前に、既存の凹部（例えば、第１の主面から窪んだ既存の第１の中央表面区域、第２の主面から窪んだ既存の第２の中央表面区域）を設ける、または形成することができ、これにより、他のやり方で達成できるであろうよりも深い凹部（例えば、より大きい第１の距離、より大きい第２の距離）を有する折り畳み式装置にとって上述した利益を提供することができる。いくつかの実施の形態において、上述した利益は、折り畳み式基板を化学的に強化し、折り畳み式基板の中央部分をエッチングし（例えば、既存の第１の中央表面区域をエッチングして、新たな第１の中央表面区域を形成し、既存の第２の中央表面区域をエッチングして、新たな第２の中央表面区域を形成し）、次いで、折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程によって与えることができる。さらなる実施の形態において、上述した利益は、さらなる化学強化の第２の期間に対する最初の化学強化の期間を、および／または中央部分からエッチングされる厚さを制御することによって、与えることができる。折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程を設けることによって、機械的変形および／または機械的不安定性に遭遇せずに、より大きい圧縮応力を達成することができ、このより大きい圧縮応力は、折り畳み式基板の耐衝撃性および／または穿刺抵抗をさらに向上させることができる。
本開示のいくつかの例示の実施の形態が、様々な実施の形態の特徴のいずれを、単独で、または互いとの組合せで使用してもよいという了解の下で、下記に記載されている。
実施の形態１．折り畳み式基板は、第１の主面と、第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する。この基板厚さは、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある。折り畳み式基板は、第１の主面およびこの第１の主面の反対にある第１の内面を有する第１の外側層を有する。第１の外側厚さが、第１の主面と第１の内面との間に規定される。第１の外側層は、第１の最小距離だけ隔てられた第１の部分および第２の部分を含む。第１の部分は第１の主面および第１の内面を有する。第２の部分は第１の主面および第１の内面を有する。折り畳み式基板は、第２の主面およびこの第２の主面の反対にある第２の内面を有する第２の外側層を有する。第２の外側層は、第２の主面と第２の内面との間に規定された第２の外側厚さを有する。第２の外側層は、第２の最小距離だけ隔てられた第３の部分と第４の部分を含む。第３の部分は第２の主面および第２の内面を有する。第４の部分は第２の主面および第２の内面を有する。折り畳み式基板は、第３の内面およびこの第３の内面の反対にある第４の内面を有するコア層を含む。中央厚さが、第３の内面と第４の内面との間に規定されている。中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にある。コア層は、第１の外側層と第２の外側層との間に位置付けられている。第３の内面は第１の部分の第１の内面および第２の部分の第１の内面に接触している。第１の中央表面区域が、第１の外側層の第１の部分と第１の外側層の第２の部分との間に位置付けられている。第４の内面は、第３の部分の第２の内面および第４の部分の第２の内面に接触している。第２の中央表面区域が、第２の外側層の第３の部分と第２の外側層の第４の部分との間に位置付けられている。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。第２の中央表面区域は、第２の距離だけ第２の主面から窪んでいる。
実施の形態２．コア層が、第１の外側層の第１の熱膨張係数より大きいコア熱膨張係数を有する、実施の形態１の折り畳み式基板。コア熱膨張係数は、第２の外側層の第２の熱膨張係数より大きい。
実施の形態３．第１の熱膨張係数が第２の熱膨張係数と実質的に等しい、実施の形態２の折り畳み式基板。
実施の形態４．コア熱膨張係数が、第１の熱膨張係数より約１０×１０－７／℃から約７０×１０－７／℃大きい、実施の形態２～３のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態５．コア層のコア密度が第１の外側層の第１の密度より大きい、実施の形態１～４のいずれか１つの折り畳み式基板。コア密度は、第２の外側層の第２の密度より大きい。
実施の形態６．コア密度が、第１の密度より約０．０１から約０．０５グラム毎立方センチメートル（ｇ／ｃｍ３）大きい、実施の形態５の折り畳み式基板。
実施の形態７．第１の密度が、第２の密度と実質的に等しい、実施の形態５～６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態８．コア層のコア網状構造膨張係数が、第１の外側層の第１の網状構造膨張係数より小さい、実施の形態１～７のいずれか１つの折り畳み式基板。コア網状構造膨張係数は、第２の外側層の第２の網状構造膨張係数より小さい。
実施の形態９．第１の網状構造膨張係数が、第２の網状構造膨張係数と実質的に等しい、実施の形態８の折り畳み式基板。
実施の形態１０．第１の最小距離が、約５ミリメートルから約５０ミリメートルの範囲にある、実施の形態１～９のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１１．第１の最小距離が、第２の最小距離と実質的に等しい、実施の形態１～１０のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１２．第１の外側厚さが、第２の外側厚さと実質的に等しい、実施の形態１～１１のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１３．基板厚さが、約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、実施の形態１～１２のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１４．中央厚さが、約２５マイクロメートルから約６０マイクロメートルの範囲にある、実施の形態１～１３のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１５．第１の外側層がガラス系基板から作られる、実施の形態１～１４のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１６．第１の外側層がセラミック系基板から作られる、実施の形態１～１４のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１７．コア層がガラス系基板から作られる、実施の形態１～１６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１８．コア層がセラミック系基板から作られる、実施の形態１～１６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態１９．第１の主面上に配置され、第１の中央表面区域と第１の主面により画成される第一面との間に画成される凹部を満たすコーティングをさらに含む、実施の形態１～１７のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態２０．第１の外側層が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み、第２の外側層が、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に位置付けられたコア層の中央部分が、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１～１９のいずれか１つの折り畳み式基板。カリウムの第１の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差が、約１００百万分率以下である。
実施の形態２１．カリウムの第２の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差が、約１００百万分率以下である、実施の形態２０の折り畳み式基板。
実施の形態２２．第１の主面で第１の外側層の第１の部分から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域をさらに含む、実施の形態１～２１のいずれか１つの折り畳み式基板。この折り畳み式基板は、第２の主面で第２の外側層の第３の部分から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を含む。この折り畳み式基板は、第１の主面で第１の外側層の第２の部分から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む。この折り畳み式基板は、第２の主面で第２の外側層の第４の部分から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を含む。この折り畳み式基板は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。この折り畳み式基板は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を含む。
実施の形態２３．基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２２の折り畳み式基板。
実施の形態２４．基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２２～２３のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態２５．基板厚さの百分率としての第２の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２２～２４のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態２６．基板厚さの百分率としての第４の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態２２～２５のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態２７．第１の部分が、第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有する、実施の形態２２～２６のいずれか１つの折り畳み式基板。第３の部分は、第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有する。第２の部分は、第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有する。第４の部分は、第４の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有する。中央部分は、第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有する。中央部分は、第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である。
実施の形態２８．基板厚さの百分率としての第３の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態２７の折り畳み式基板。
実施の形態２９．基板厚さの百分率としての第２の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態２７～２８のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態３０．基板厚さの百分率としての第４の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態２７～２９のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態３１．第２の中央表面区域が、第２の距離だけ第２の主面から窪んでいる、実施の形態１～３０のいずれか１つの折り畳み式基板。第２の距離は、基板厚さの約５％から約２０％である。
実施の形態３２．第１の距離が第２の距離と実質的に等しい、実施の形態３１の折り畳み式基板。
実施の形態３３．折り畳み式基板は、第１の主面と、この第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する。基板厚さは、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を含む。第１の部分は、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む。第１の部分は、第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を含む。第１の部分は、第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有する。第１の部分は、第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有する。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を含む。第２の部分は、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む。第２の部分は、第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を含む。第２の部分は、第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有する。第２の部分は、第４の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有する。折り畳み式基板は、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられた中央部分を含む。中央部分は、第１の中央表面区域とこの第１の中央表面区域の反対にある第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する。中央部分は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。中央部分は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を含む。中央部分は、第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有する。中央部分は、第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有する。中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にある。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である。
実施の形態３４．基板厚さの百分率としての第３の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態３３の折り畳み式基板。
実施の形態３５．基板厚さの百分率としての第２の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態３３～３４のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態３６．基板厚さの百分率としての第４の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態３３～３５のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態３７．第１の部分が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み、第２の部分が、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み、中央部分が、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含む、実施の形態３３～３６のいずれか１つの折り畳み式基板。カリウムの第１の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態３８．折り畳み式基板は、第１の主面と、この第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する。基板厚さは、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を含む。第１の部分は、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含む。第１の部分は、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む。第１の部分は、第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を含む。第２の部分は、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含む。第２の部分は、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む。第２の部分は、第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられた中央部分を含む。中央部分は、第１の中央表面区域とこの第１の中央表面区域の反対にある第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する。中央部分は、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含む。中央部分は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。中央部分は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を含む。中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にある。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。カリウムの第１の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態３９．カリウムの第２の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差が、約１００百万分率以下である、実施の形態３７～３８のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４０．基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態３３～３９のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４１．折り畳み式基板は、第１の主面と、この第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する。基板厚さは、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第１の部分を含む。第１の部分は、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む。第１の部分は、第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、基板厚さを有する第２の部分を含む。第２の部分は、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を含む。第２の部分は、第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と、この第１の中央表面区域の反対にある第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する中央部分を含む。中央部分は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を含む。中央部分は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を含む。中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にある。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられている。基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である。
実施の形態４２．基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である実施の形態４０～４１のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４３．基板厚さの百分率としての第２の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である実施の形態４０～４２のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４４．基板厚さの百分率としての第４の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である実施の形態４０～４３のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４５．基板厚さが約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、実施の形態３３～４４のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４６．中央厚さが、約２５マイクロメートルから約６０マイクロメートルの範囲にある、実施の形態３３～４５のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４７．折り畳み式基板がガラス系基板を含む、実施の形態３３～４６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４８．折り畳み式基板がセラミック系基板を含む、実施の形態３３～４６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態４９．第２の中央表面区域が、第２の距離だけ第２の主面から窪んでいる、実施の形態３３～４８のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態５０．第２の距離が基板厚さの約５％から約２０％である、実施の形態４９の折り畳み式基板。
実施の形態５１．第１の距離が第２の距離と実質的に等しい、実施の形態４９～５０のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態５２．第２の主面が、第２の中央表面区域を構成する、実施の形態４９～５１のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態５３．第１の圧縮応力領域が、約７００メガパスカル以上の第１の最大圧縮応力を有する、実施の形態２２～５２のいずれか１つの折り畳み式基板。第２の圧縮応力領域は第２の最大圧縮応力を有する。第３の圧縮応力領域は、約７００メガパスカル以上の第３の最大圧縮応力を有する。第４の圧縮応力領域は、第４の最大圧縮応力を有する。第１の中央圧縮応力領域は、約７００メガパスカル以上の第１の中央最大圧縮応力を有する。第２の中央圧縮応力領域は、第２の中央最大引張応力を有する。
実施の形態５４．第２の最大圧縮応力が、約７００メガパスカル以上である、実施の形態５３の折り畳み式基板。第４の最大圧縮応力は、約７００メガパスカル以上である。第２の中央最大引張応力は、約７００メガパスカル以上である。
実施の形態５５．第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けられた第１の部分の第１の引張応力領域をさらに含む、実施の形態２２～５３のいずれか１つの折り畳み式基板。第１の引張応力領域は第１の最大引張応力を有する。折り畳み式基板は、第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けられた第２の部分の第２の引張応力領域を含む。第２の引張応力領域は、第２の最大引張応力を有する。折り畳み式基板は、第１の中央圧縮応力領域と第２の中央圧縮応力領域との間に位置付けられた中央部分の中央引張応力領域を含む。中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有する。中央最大引張応力と第１の最大引張応力との間の絶対差は、約１０メガパスカル以下である。
実施の形態５６．中央最大引張応力と第２の最大引張応力との間の絶対差が、約１０メガパスカル以下である、実施の形態５５の折り畳み式基板。
実施の形態５７．第１の最大引張応力が、第２の最大引張応力と実質的に等しい、実施の形態５５～５６のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態５８．中央部分が、第１の中央表面区域の一部と第２の中央表面区域の一部との間に位置付けられた中央部分の中央引張応力領域をさらに含む、実施の形態２２～５７のいずれか１つの折り畳み式基板。中央引張応力領域が中央最大引張応力を有する。中央部分は、第１の中央主面を第１の部分に取り付ける第１の移行部分を含む。第１の移行部分は、第１の移行最大引張応力を有する第１の移行引張応力領域を含む。中央部分は、第１の中央主面を第２の部分に取り付ける第２の移行部分を含む。第２の移行部分は、第２の移行最大引張応力を有する第２の移行引張応力領域を含む。第１の移行最大引張応力は、中央最大引張応力よりも大きい。
実施の形態５９．第２の移行最大引張応力が、中央最大引張応力よりも大きい、実施の形態５８の折り畳み式基板。
実施の形態６０．第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けられた第１の部分の第１の引張応力領域をさらに含む、実施の形態５８～５９のいずれか１つの折り畳み式基板。第１の引張応力領域は第１の最大引張応力を有する。第１の移行最大引張応力は、第１の最大引張応力よりも大きい。
実施の形態６１．第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けられた第２の部分の第２の引張応力領域をさらに含む、実施の形態５８～６０のいずれか１つの折り畳み式基板。折り畳み式基板は、第２の最大引張応力を有する第２の引張応力領域を含む。第２の移行最大引張応力は、第２の最大引張応力よりも大きい。
実施の形態６２．第１の距離が、基板厚さの約２０％から約４５％である、実施の形態１～６１のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態６３．基板厚さが、中央厚さの約４倍より少なくとも７１マイクロメートル大きい、実施の形態１～６２のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態６４．基板が５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、実施の形態１～６３のいずれか１つの折り畳み式基板。
実施の形態６５．実施の形態１～６４のいずれか１つの折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置。折り畳み式装置は、第１の接触面およびこの第１の接触面の反対にある第２の接触面を有する接着剤を含む。この接着剤の少なくとも一部は、第２の中央表面区域と第２の主面により画成された第二面との間に画成された凹部内に位置付けられている。
実施の形態６６．実施の形態１～６４のいずれか１つの折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置。折り畳み式装置は、第２の中央表面区域と第２の主面により画成された第二面との間に位置付けられた高分子系部分を含む。この折り畳み式装置は、第１の接触面およびこの第１の接触面の反対にある第２の接触面を有する接着剤を含む。
実施の形態６７．高分子系部分が、約５％から約１０％の範囲の降伏歪みを有する、実施の形態６６の折り畳み式装置。
実施の形態６８．折り畳み式基板の屈折率と、高分子系部分の屈折率との間の差の大きさが、約０．１以下である、実施の形態６６～６７のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態６９．基板の屈折率と、接着剤の屈折率との間の差の大きさが、約０．１以下である、実施の形態６５～６８のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態７０．接着剤の第２の接触面に取り付けられた表示装置をさらに含む、実施の形態６５～６９のいずれか１つの折り畳み式装置。
実施の形態７１．消費者向け電気製品は、前面、背面、および側面を有する筐体を備える。消費者向け電気製品は、少なくとも部分的に筐体内にある電気部品を含む。その電気部品は、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含む。そのディスプレイは、筐体の前面にある、またはそれに隣接している。この消費者向け電気製品は、ディスプレイを覆って配置されたカバー基板を含む。筐体の一部またはカバー基板の少なくとも一方は、実施の形態１～６４のいずれか１つの折り畳み式基板から作られる。
実施の形態７２．第１の外側層および第２の外側層の間に位置付けられ、それらと接触するコア層を含む折り畳み式基板を製造する方法。基板厚さが、第１の主面と第２の主面の間に規定されている。第１の外側層は第１の主面を画成し、第２の外側層は、第１の主面と反対にある第２の主面を画成する。この方法は、第１の主面の一部をエッチングして、コア層の第１の中央表面区域を形成する工程を含む。この方法は、第２の主面の一部をエッチングして、コア層の第２の中央表面区域を形成する工程を含む。中央部分が、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する。中央部分におけるコア層の第１の中央表面区域は、第１の外側層の第１の部分と第１の外側層の第２の部分との間に位置付けられている。中央部分におけるコア層の第２の中央表面区域は、第２の外側層の第３の部分と第２の外側層の第４の部分との間に位置付けられている。
実施の形態７３．折り畳み式基板を製造する方法は、コア層を延伸成形する工程を含む。この方法は、第１の外側層および第２の外側層を延伸成形する工程を含む。この方法は、コア層の第３の内面に第１の外側層を積層する工程、およびコア層の第４の内面に第２の外側層を積層する工程を含む。第１の外側層は第１の主面を画成し、第２の外側層は、第１の主面と反対にある第２の主面を画成する。基板厚さが、第１の主面と第２の主面との間に規定される。積層中、第１の外側層は、第１の外側層の軟化点より高い第１の温度を有し、第２の外側層は、第２の外側層の軟化点より高い第２の温度を有し、コア層は、コア層の軟化点より高い第３の温度を有する。次に、この方法は、第１の主面の一部をエッチングして、コア層の第１の中央表面区域を形成する工程を含む。この方法は、第２の主面の一部をエッチングして、コア層の第２の中央表面区域を形成する工程を含む。折り畳み式基板は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する中央部分を含む。第１の中央表面区域は、第１の外側層の第１の部分と第１の外側層の第３の部分との間に位置付けられている。第２の中央表面区域は、第２の外側層の第２の部分と第２の外側層の第４の部分との間に位置付けられている。
実施の形態７４．第１の外側層が、酸化物基準で第１の既存の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態７２～７３のいずれか１つの方法。コア層は、酸化物基準でコア既存の平均濃度のカリウムを含む。カリウムのコア既存の平均濃度は、カリウムの第１の既存の平均濃度よりも約１０百万分率以上大きい。
実施の形態７５．第２の外側層が、酸化物基準で第２の既存の平均濃度のカリウムを含み、カリウムのコア既存の平均濃度が、カリウムの第２の既存の平均濃度よりも約１０百万分率以上大きい、実施の形態７４の方法。
実施の形態７６．第１の外側層が、酸化物基準で第１の既存の平均濃度のリチウムを含み、コア層が、酸化物基準でコア既存の平均濃度のリチウムを含み、リチウムの第１の既存の平均濃度が、リチウムのコア既存の平均濃度よりも約１０百万分率以上大きい、実施の形態７２～７５のいずれか１つの方法。
実施の形態７７．第１の主面の一部をエッチングする工程、および第２の主面の一部をエッチングする工程の後に、折り畳み式基板を化学的に強化する工程をさらに含む、実施の形態７２～７６のいずれか１つの方法。
実施の形態７８．
第１の外側層および第２の外側層の間に位置付けられ、それらと接触するコア層を含む折り畳み式基板を製造する方法。基板厚さが、第１の外側層の第１の主面と第２の外側層の第２の主面の間に規定されている。コア層は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する中央部分を含む。中央部分におけるコア層の第１の中央表面区域は、第１の外側層の第１の部分と第１の外側層の第２の部分との間に位置付けられている。中央部分におけるコア層の第２の中央表面区域は、第２の外側層の第３の部分と第２の外側層の第４の部分との間に位置付けられている。この方法は、折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。
実施の形態７９．化学的に強化する工程の前に、第１の外側層が、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の拡散率を有する、実施の形態７７～７８のいずれか１つの方法。コア層は、１種類以上のアルカリ金属イオンのコア拡散率を有し、第１の拡散率はコア拡散率より大きい。
実施の形態８０．第１の比が、第１の主面と第１の外側層の第１の内面との間に規定された第１の厚さで除算された第１の拡散率の平方根からなる、実施の形態７９の方法。コア比は、中央厚さで除算されたコア拡散率の平方根からなり、第１の比とコア比との間の絶対差は、約０．０１ｓ－０．５以下である。
実施の形態８１．第２の比が、第２の主面と第２の部分の第２の内面との間に規定された第２の厚さで除算された第２の外側層の１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の拡散率の平方根からなる、実施の形態８０の方法。第２の比とコア比との間の絶対差は、約０．０１ｓ－０．５以下である。
実施の形態８２．化学的に強化する工程の後、第１の外側層が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態７７～８１のいずれか１つの方法。第２の外側層は、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含む。中央部分が、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に位置付けられており、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度とカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態８３．化学的に強化する工程が、第１の主面で第１の外側層の第１の部分から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を形成する工程を含む、実施の形態７７～８２のいずれか１つの方法。この方法は、第２の主面で第２の外側層の第３の部分から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を形成する工程を含む。この方法は、第１の主面で第１の外側層の第２の部分から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を形成する工程を含む。この方法は、第２の主面で第２の外側層の第４の部分から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を形成する工程を含む。この方法は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を形成する工程を含む。この方法は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を形成する工程を含む。
実施の形態８４．基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態８３の方法。
実施の形態８５．基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態８３～８４のいずれか１つの方法。
実施の形態８６．基板厚さの百分率としての第２の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態８３～８５のいずれか１つの方法。
実施の形態８７．基板厚さの百分率としての第４の圧縮深さと中央厚さの百分率としての第２の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態８３～８６のいずれか１つの方法。
実施の形態８８．第１の部分が、第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有する、実施の形態８３～８７のいずれか１つの方法。第３の部分は、第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有する。第２の部分は、第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有する。第４の部分は、第４の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有する。中央部分は、第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有する。中央部分は、第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である。
実施の形態８９．基板厚さの百分率としての第３の層の深さと中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態８８の方法。
実施の形態９０．基板厚さの百分率としての第２の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態８８～８９のいずれか１つの方法。
実施の形態９１．基板厚さの百分率としての第４の層の深さと中央厚さの百分率としての第２の中央の層の深さとの間の絶対差が、約０．５％以下である、実施の形態８８～８９のいずれか１つの方法。
実施の形態９２．コア層が、第１の外側層の第１の熱膨張係数より大きいコア熱膨張係数を有する、実施の形態７２～９１のいずれか１つの方法。コア熱膨張係数は、第２の外側層の第２の熱膨張係数より大きい。
実施の形態９３．コア層のコア密度が、第１の外側層の第１の密度より大きい、実施の形態７２～９２のいずれか１つの方法。コア密度は、第２の外側層の第２の密度より大きい。
実施の形態９４．コア層のコア網状構造膨張係数が、第１の外側層の第１の網状構造膨張係数より小さい、実施の形態７２～９３のいずれか１つの方法。コア網状構造膨張係数は、第２の外側層の第２の網状構造膨張係数より小さい。
実施の形態９５．第１の主面と、この第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する折り畳み式基板を製造する方法。この方法は、第１の期間に亘り折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。次に、この方法は、第１の主面の一部をエッチングして、第１の中央表面区域を形成する工程を含む。この方法は、第２の主面の一部をエッチングして、第２の中央表面区域を形成する工程を含む。次に、この方法は、第２の期間に亘り折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程を含む。中央部分は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられている。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。第２の中央表面区域は、第２の距離だけ第２の主面から窪んでいる。さらに化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板は、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の部分の第１の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第３の部分の第２の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第２の部分の第３の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の部分の第４の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する中央部分の第１の中央圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する中央部分の第２の中央圧縮応力領域を含む。
実施の形態９６．第１の主面と、この第１の主面と反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さを有する折り畳み式基板を製造する方法。この方法は、第１の期間に亘り折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む。次に、この方法は、既存の第１の中央表面区域をエッチングして、第１の中央表面区域を形成する工程を含む。既存の第１の中央表面区域は、第１の主面と同一平面上にはない。この方法は、既存の第２の中央表面区域をエッチングして、第２の中央表面区域を形成する工程を含む。次に、この方法は、第２の期間に亘り折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程を含む。中央部分は、第１の中央表面区域と第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有する。中央部分は、第１の部分と第２の部分との間に位置付けられている。第１の中央表面区域は、第１の距離だけ第１の主面から窪んでいる。さらに化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板は、第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第３の部分の第２の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第２の部分の第３の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の部分の第４の圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する中央部分の第１の中央圧縮応力領域を含む。折り畳み式基板は、第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する中央部分の第２の中央圧縮応力領域を含む。
実施の形態９７．第１の中央表面区域をエッチングする工程の前に、既存の第１の中央表面区域は、基板厚さの約１０％から約７５％に及ぶ第１の既存の距離だけ第１の主面から窪んでいる、実施の形態９６の方法。
実施の形態９８．既存の第２の中央表面区域をエッチングする工程の前に、既存の第２の中央表面区域は、第２の主面と実質的に同一平面上にある、実施の形態９６～９７のいずれか１つの方法。
実施の形態９９．既存の第２の中央表面区域をエッチングする工程の前に、既存の第２の中央表面区域は、約１％から約５０％に及ぶ第２の既存の距離だけ第２の主面から窪んでいる、実施の形態９６～９７のいずれか１つの方法。
実施の形態１００．第２の中央表面区域が、第２の距離だけ第２の主面から窪んでいる、実施の形態９６～９９のいずれか１つの方法。
実施の形態１０１．既存の第２の中央表面区域をエッチングする工程の前に、既存の第２の中央表面区域が第２の主面から突出している、実施の形態９７～９８のいずれか１つの方法。
実施の形態１０２．既存の第２の中央表面区域をエッチングする工程の後、第２の中央表面区域が第２の主面と実質的に同一平面上にある、実施の形態１０１の方法。
実施の形態１０３．第１の距離が第２の距離と実質的に等しい、実施の形態９５または実施の形態１００の方法。
実施の形態１０４．第２の距離が、基板厚さの約５％から約２０％である、実施の形態９５または実施の形態１００の方法。
実施の形態１０５．第１の距離が、基板厚さの約２０％から約４５％である、実施の形態９５～１０４のいずれか１つの方法。
実施の形態１０６．第１の期間に対する第２の期間の比の平方根が、基板厚さと中央厚さとの間の差で除算された中央厚さの１０％以内である、実施の形態９５～１０５のいずれか１つの方法。
実施の形態１０７．第１の期間に対する第２の期間の比の平方根が、基板厚さと中央厚さとの間の差で除算された中央厚さと実質的に等しい、実施の形態１０６の方法。
実施の形態１０８．第２の期間が第１の期間の約２％から約５０％である、実施の形態９５～１０７のいずれか１つの方法。
実施の形態１０９．化学的に強化する工程の後であるが、さらに化学的に強化する工程の前に、第１の部分が、第１の中間圧縮深さまで延在する第１の中間圧縮応力領域を含む、実施の形態９５～１０８のいずれか１つの方法。基板厚さで除算された第１の中間圧縮深さは、約１０％から約２０％の範囲にある。
実施の形態１１０．化学的に強化する工程の後であるが、さらに化学的に強化する工程の前に、第１の部分が、化学強化中に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の中間圧縮応力領域および第１の中間層の深さを含む、実施の形態９５～１０８のいずれか１つの方法。基板厚さで除算された第１の中間層の深さは、約１０％から約２０％の範囲にある。
実施の形態１１１．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第１の部分が、化学的に強化する工程および／またはさらに化学的に強化する工程の最中に第１の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第１の層の深さを有する、実施の形態９５～１１０のいずれか１つの方法。中央部分が、さらに化学的に強化する工程の最中に中央部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央表面区域からの第１の中央の層の深さを有する。基板厚さの百分率としての第１の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である。
実施の形態１１２．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板が、化学的に強化する工程および／またはさらに化学的に強化する工程の最中に第２の部分に導入された１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の主面からの第３の層の深さをさらに有する、実施の形態１１１の方法。基板厚さの百分率としての第３の層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である。
実施の形態１１３．１種類以上のアルカリ金属イオンが、カリウムイオンを含む、実施の形態１１１～１１２のいずれか１つの方法。
実施の形態１１４．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第１の部分が、酸化物基準の第１の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態９５～１１３のいずれか１つの方法。中央部分は、酸化物基準の中央平均濃度のカリウムを含む。カリウムの第１の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１１５．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、第２の部分が、酸化物基準の第２の平均濃度のカリウムを含む、実施の形態１１４の方法。カリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である。
実施の形態１１６．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、基板厚さの百分率としての第１の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態９５～１１５のいずれか１つの方法。
実施の形態１１７．折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程の後、基板厚さの百分率としての第３の圧縮深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施の形態１１６の方法。
実施の形態１１８．化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板が、第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けられた第１の部分の第１の引張応力領域をさらに含む、実施の形態９５～１１７のいずれか１つの方法。第１の引張応力領域は第１の最大引張応力を有する。折り畳み式基板は、第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けられた第２の部分の第２の引張応力領域をさらに含む。第２の引張応力領域は、第２の最大引張応力を有する。折り畳み式基板は、第１の中央圧縮応力領域と第２の中央圧縮応力領域との間に位置付けられた中央部分の中央引張応力領域をさらに含む。中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有する。中央最大引張応力と第１の最大引張応力との間の絶対差は、約１０メガパスカル以下である。
実施の形態１１９．中央最大引張応力と第２の最大引張応力との間の絶対差が、約１０メガパスカル以下である、実施の形態１１８の方法。
実施の形態１２０．第１の最大引張応力が、第２の最大引張応力と実質的に等しい、実施の形態１１８～１１９のいずれか１つの方法。
実施の形態１２１．化学的に強化する工程の後、中央部分が、第１の中央表面区域の一部と第２の中央表面区域の一部との間に位置付けられた中央部分の中央引張応力領域をさらに含む、実施の形態９５～１２０のいずれか１つの方法。中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有する。中央部分は、第１の中央表面区域を第１の部分に取り付ける第１の移行部分を含む。第１の移行部分は、第１の移行最大引張応力を有する第１の移行引張応力領域を含む。中央部分は、第１の中央表面区域を第２の部分に取り付ける第２の移行部分を含む。第２の移行部分は、第２の移行最大引張応力を有する第２の移行引張応力領域を含む。第１の移行最大引張応力は、中央最大引張応力よりも大きい。
実施の形態１２２．第２の移行最大引張応力が、中央最大引張応力よりも大きい、実施の形態１２１の方法。
実施の形態１２３．化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板は、第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けられた第１の部分の第１の引張応力領域をさらに含む、実施の形態１２１～１２２のいずれか１つの方法。第１の引張応力領域は、第１の最大引張応力を有する。第１の移行最大引張応力は、第１の最大引張応力よりも大きい。
実施の形態１２４．化学的に強化する工程の後、折り畳み式基板は、第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けられた第２の部分の第２の引張応力領域をさらに含む、実施の形態１２１～１２３のいずれか１つの方法。第２の引張応力領域は、第２の最大引張応力を有する。第２の移行最大引張応力は、第２の最大引張応力よりも大きい。
実施の形態１２５．第１の主面上にコーティングを配置する工程をさらに含み、そのコーティングが、第１の中央表面区域と第１の主面により画成された第一面との間に画成された凹部を満たす、実施の形態７８～１２４のいずれか１つの方法。
実施の形態１２６．折り畳み式基板の第２の主面上に接着剤を配置する工程をさらに含む、実施の形態７８～１２５のいずれか１つの方法。この接着剤は、第１の接触面およびこの第１の接触面の反対にある第２の接触面を有する。
実施の形態１２７．接着剤の少なくとも一部が、第２の中央表面区域と第２の主面により画成された第二面との間に画成された凹部内に位置付けられている、実施の形態１２６の方法。
実施の形態１２８．基板の屈折率と接着剤の屈折率との間の差の大きさが、約０．１以下である、実施の形態１２６～１２７のいずれか１つの方法。
実施の形態１２９．表示装置を接着剤の第２の接触面に取り付ける工程をさらに含む、実施の形態１２６～１２８のいずれか１つの方法。
本開示の実施の形態の先と他の特徴および利点は、以下の詳細な説明が添付図面を参照して読まれたときに、よりよく理解される。
折り畳み形態の概略図が図９に示されたように見えるであろう、いくつかの実施の形態による平らな形態にある例示の折り畳み式装置の概略図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 いくつかの実施の形態による、図１の線２－２に沿った折り畳み式装置の断面図 平らな形態の概略図が図１に示されたように見えるであろう、折り畳み形態にある本開示の実施の形態の例示の折り畳み式装置の概略図 例示の改良型折り畳み式装置の有効最小曲げ半径を決定するための試験装置の断面図 例示の改良型折り畳み式装置の有効最小曲げ半径を決定するための試験装置の断面図 折り畳み形態にある本開示の実施の形態の例示の折り畳み式装置の概略図 いくつかの実施の形態による例示の消費者向け電子機器の概略平面図 図１３の例示の消費者向け電子機器の概略斜視図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 本開示の実施の形態にしたがう折り畳み式装置を製造する例示の方法を示す流れ図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 折り畳み式基板および／または折り畳み式装置を製造する方法における工程を示す概略図 ガラス系基板の厚さの関数としてのガラス系基板の主面上の最大主応力を示す、ガラス系基板のペン落下試験の実験結果を示すグラフ 基板厚さおよび中央厚さの関数としての、折り畳み式装置に観察された機械的不安定性のタイプを示すグラフ 本開示のいくつかの実施の形態に関する結果を示すプロット 本開示のいくつかの実施の形態に関する結果を示すプロット 本開示のいくつかの実施の形態に関する結果を示すプロット 本開示の実施の形態の折り畳み式基板に関する光学的遅れの測定値を示す概略図 本開示の実施の形態の折り畳み式基板に関する光学的遅れの測定値を示す概略図 本開示を通じて、特定の態様を強調するために、図面が使用される。それゆえ、特に明記のない限り、図面に示された異なる領域、部分、および基板の相対的サイズは、実際の相対的サイズに比例すると考えるべきではない。
ここで、例示の実施の形態が示されている、添付図面を参照して、以下に、実施の形態をより詳しく説明する。できるときはいつでも、図面に亘り、同じまたは同様の部分を指すために、同じ参照番号が使用される。しかしながら、請求項は、様々な実施の形態の多くの異なる態様を包含することができ、ここに述べられた実施の形態に限定されると解釈されるべきではない。
図１～９および１１～１２は、本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７を備えた折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および１２０１および／または試験用折り畳み式装置１１０２の図を示す。特に明記のない限り、１つの折り畳み式装置の実施の形態の特徴に関する議論は、本開示のどの実施の形態の対応する特徴にも等しく適用できる。例えば、本開示に亘る同一の部品番号は、いくつかの実施の形態において、特定された特徴は互いに同一であること、および特に明記のない限り、１つの実施の形態の特定された特徴に関する議論は、本開示の他の実施の形態のいずれかの特定された特徴にも等しく適用できることを示すことができる。
図２～３および６は、折り畳まれていない（例えば、平らな）形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０６を備えた折り畳み式装置１０１、３０１、および６０１の例示の実施の形態を概略示しており、一方で、図１１は、折り畳まれた形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板２０６を備えた試験用折り畳み式装置１１０２の例示の実施の形態を示している。折り畳み式基板２０６は、第１の外側層２１３と第２の外側層２１５との間に位置付けられたコア層２０７を含む積層体を含む。図４～５および７は、折り畳まれていない（例えば、平らな）形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板４０７を備えた折り畳み式装置４０１、５０１、および７０１の例示の実施の形態を概略示しており、一方で、図１２は、折り畳まれた形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板４０７を備えた試験用折り畳み式装置１２０１を示している。図８は、折り畳まれていない（例えば、平らな）形態にある本開示の実施の形態による、折り畳み式基板８０７を備えた折り畳み式装置８０１を概略示している。
折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および１２０１は、第１の部分２２１、４２１、または８２１、第２の部分２３１、４３１、または８３１、および第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間に位置する中央部分２８１、４８１、または８８１を含む。図２および４に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１または４０１は、剥離ライナー２７１を備えることができるが、さらなる実施の形態において、図示された剥離ライナー２７１よりむしろ、他の基板（例えば、本出願を通じて議論されるガラス系基板および／またはセラミック系基板）が使用されることがある。図１～５および１１～１２に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、および１２０１または試験用折り畳み式装置１１０２は、コーティング２５１を備えることができる。図１～５および１２に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、および１２０１は、接着剤層２６１を備えることができる。図２、５、および１２に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、５０１、および１２０１は、高分子系部分２４１を備えることができる。図１～１２に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７は、第１の凹部２３４、４３４、または８３４を備えることができる。図１～７および１０～１２に示されるような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０６または４０７は、第２の凹部２４４または４４４をさらに備えることができる。本開示の折り畳み式装置のいずれも、第２の基板（例えば、ガラス系基板および／またはセラミック系基板）、剥離ライナー２７１、表示装置３０７、コーティング２５１、接着剤層２６１、および／または高分子系部分２４１を備えることができることを理解すべきである。
本開示を通じて、図１を参照して、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、および／または８０１の幅１０３は、この折り畳み式装置の褶曲軸１０２の方向１０４に、折り畳み式装置の互いに反対のエッジの間に取られた折り畳み式装置の寸法と考えられ、この方向１０４は幅１０３の方向も構成する。さらに、本開示を通じて、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、および／または８０１の長さ１０５は、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、および／または８０１の褶曲軸１０２に垂直な方向１０６における折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、および／または８０１の互いに反対のエッジの間に取られた折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、および／または８０１の寸法と考えられる。図１～５に示されるような、いくつかの実施の形態において、本開示のいずれの実施の形態の折り畳み式装置も、折り畳み式装置が平らな形態（例えば、図１参照）にあるときに、褶曲軸１０２および基板厚さ２１１、４１１、または８１１の方向を含む褶曲面１０９を有し得る。この面１０９は、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置の中心軸１０７を含むことがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、幅１０３の方向１０４に延在する褶曲軸１０２の周りで方向１１１（例えば、図１参照）に折り畳んで、折り畳まれた形態（例えば、図９および１１～１２）を形成することができる。図から分かるように、折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、２つに折り畳めるように１つの褶曲軸を含むことがあり、ここで、例えば、折り畳み式装置を半分に折り畳むことができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置は、各々の褶曲軸が、ここに述べられた中央部分２８１、４８１、または８８１と類似か同一の対応する中央部分を含む、２つ以上の褶曲軸を含むことがある。例えば、２つの褶曲軸を設けることにより、折り畳み式装置を３つに折り畳むことができ、ここで、例えば、折り畳み式装置を、第１の部分２２１、４２１、または８２１、第２の部分２３１、４３１、または８３１、およびこの第１の部分または第２の部分と類似か同一の第３の部分を、それぞれ、第１の部分と第２の部分との間、および第２の部分と第３の部との間にある、中央部分２８１、４８１、または８８１およびその中央部分と類似か同一の別の中央部分を介して重ねて、折り畳むことができる。
折り畳み式基板２０６を備えた折り畳み式装置１０１、３０１、または６０１は、第１の外側層２１３と第２の外側層２１５との間に位置付けられたコア層２０７を備えることができる。折り畳み式装置４０１、５０１、７０１、または８０１は、折り畳み式基板４０７または８０７を備えることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、８Ｈ以上、例えば、９Ｈ以上の鉛筆硬度を有するガラス系基板および／またはセラミック系基板で構成することができる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、ガラス系基板で構成することができる。ここに用いられているように、「ガラス系」とは、ガラスとガラスセラミックの両方を含み、ここで、ガラスセラミックは、１つ以上の結晶相および非晶質の残留ガラス相を有する。ガラス系材料（例えば、ガラス系基板）は、非晶質材料（例えば、ガラス）および必要に応じて、１種類以上の結晶質材料（例えば、セラミック）で構成されることがある。非晶質材料およびガラス系材料は、強化されることがある。ここに用いられているように、「強化される」という用語は、例えば、下記に述べられるように、基板の表面にあるより小さいイオンをより大きいイオンとイオン交換することによって、化学的に強化された材料を称することがある。しかしながら、他の強化方法、例えば、熱的調質、または圧縮応力領域と中央引張領域を作るために基板の複数の部分の間の熱膨張係数の不一致を利用して、強化基板を形成してもよい。リチアを含んでも含まなくてもよい、例示のガラス系材料は、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルカリ含有ホウケイ酸ガラス、アルカリ含有アルミノホウケイ酸塩ガラス、アルカリ含有リンケイ酸塩ガラス、およびアルカリ含有アルミノリンケイ酸塩ガラスで構成される。１つ以上の実施の形態において、ガラス系材料は、モルパーセント（モル％）で、約４０モル％から約８０モル％の範囲のＳｉＯ２、約５モル％から約３０モル％の範囲のＡｌ２Ｏ３、０モル％から約１０モル％の範囲のＢ２Ｏ３、０モル％から約５モル％の範囲のＺｒＯ２、０モル％から約１５モル％の範囲のＰ２Ｏ５、０モル％から約２モル％の範囲のＴｉＯ２、０モル％から約２０モル％の範囲のＲ２Ｏ、および０モル％から約１５モル％の範囲のＲＯを含むことがある。ここに用いられているように、Ｒ２Ｏは、アルカリ金属酸化物、例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、およびＣｓ２Ｏを称することができる。ここに用いられているように、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、およびＺｎＯを称することができる。いくつかの実施の形態において、ガラス系基板は、必要に応じて、Ｎａ２ＳＯ４、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ２ＳＯ４、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、ＭｎＯ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｍｎ２Ｏ７の各々を０モル％から約２モル％の範囲でさらに含むことがある。「ガラスセラミック」は、ガラスの制御された結晶化により生成された材料を含む。いくつかの実施の形態において、ガラスセラミックは、約１％から約９９％の結晶化度を有する。適切なガラスセラミックの例としては、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系（すなわち、ＬＡＳ系）ガラスセラミック、ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系（すなわち、ＭＡＳ系）ガラスセラミック、ＺｎＯ×Ａｌ２Ｏ３×ｎＳｉＯ２系（すなわち、ＺＡＳ系）ガラスセラミック、および／またはβ－石英固溶体、β－スポジュメン、コージエライト、葉長石、および／または二ケイ酸リチウムを含む主結晶相を有するガラスセラミックが挙げられるであろう。そのガラスセラミック基板は、化学強化過程を使用して強化されることがある。１つ以上の実施の形態において、ＭＡＳ系のガラスセラミック基板は、Ｌｉ２ＳＯ４溶融塩中で強化することができ、それによって、２Ｌｉ＋のＭｇ２＋との交換が起こり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、セラミック系基板で構成することができる。ここに用いられているように、「セラミック系」は、セラミックおよびガラスセラミックの両方を含み、ここで、ガラスセラミックは、１つ以上の結晶相および非晶質の残留ガラス相を有する。セラミック系材料は、強化（例えば、化学強化）されることがある。いくつかの実施の形態において、セラミック系材料は、ガラス系材料を加熱して、セラミック（例えば、結晶質）部分を形成することによって、形成することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系材料は、結晶相の形成を促進させることができる１種類以上の核形成剤を含むことがある。いくつかの実施の形態において、セラミック系材料は、１種類以上の酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、ホウ化物、および／またはケイ化物を含み得る。セラミック酸化物の例示の実施の形態としては、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ４）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ））、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ））、チタニア（ＴｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化鉄、酸化ベリリウム、酸化バナジウム（ＶＯ２）、溶融石英、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の組合せを含む鉱物）、およびスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）が挙げられる。セラミック窒化物の例示の実施の形態としては、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ３Ｎ２）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化バナジウム、アルカリ土類金属窒化物（例えば、窒化マグネシウム（Ｍｇ３Ｎ２））、窒化ニッケル、および窒化タンタルが挙げられる。酸窒化セラミックの例示の実施の形態としては、酸窒化ケイ素、酸窒化アルミニウム、およびＳｉＡｌＯＮ（アルミナと窒化ケイ素の組合せであり、化学式、例えば、Ｓｉ１２－ｍ－ｎＡｌｍ＋ｎＯｎＮ１６－ｎ、Ｓｉ６－ｎＡｌｎＯｎＮ８－ｎ、またはＳｉ２－ｎＡｌｎＯ１＋ｎＮ２－ｎを有し得、式中、ｍ、ｎ、および結果としての下付文字は全て、自然数である）。炭化物および炭素ガラスセラミックの例示の実施の形態としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化鉄、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、アルカリ金属炭化物（例えば、炭化リチウム（Ｌｉ４Ｃ３））、アルカリ土類金属炭化物（例えば、炭化マグネシウム（Ｍｇ２Ｃ３））、およびグラファイトが挙げられる。ホウ化物の例示の実施の形態としては、ホウ化クロム（ＣｒＢ２）、ホウ化モリブデン（Ｍｏ２Ｂ５）、ホウ化タングステン（Ｗ２Ｂ５）、ホウ化鉄、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ２）、ホウ化バナジウム（ＶＢ２）、ホウ化ニオブ（ＮｂＢ２）、およびホウ化ランタン（ＬａＢ６）が挙げられる。ケイ化物の例示の実施の形態としては、二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）、二ケイ化タングステン（ＷＳｉ２）、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ２）、ケイ化ニッケル（ＮｉＳｉ）、アルカリ金属ケイ化物（例えば、ケイ化ナトリウム（ＮａＳｉ））、アルカリ土類金属ケイ化物（例えば、ケイ化マグネシウム（Ｍｇ２Ｓｉ））、二ケイ化ハフニウム（ＨｆＳｉ２）、およびケイ化白金（ＰｔＳｉ）が挙げられる。
本開示を通じて、高分子材料（例えば、接着剤、高分子系部分）の引張強度、極限伸び（例えば、破断点歪み）、および降伏点は、２３℃および５０％の相対湿度で、Ｉ型の犬用の骨形試料を用いて、引張試験装置、例えば、Ｉｎｓｔｒｏｎ ３４００またはＩｎｓｔｒｏｎ ６８００を使用し、ＡＳＴＭ Ｄ６３８を使用して決定される。本開示を通じて、弾性率（例えば、ヤング率）および／またはポアソン比は、ＩＳＯ ５２７－１：２０１９を使用して測定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、約１ギガパスカル（ＧＰａ）以上、約３ＧＰａ以上、約５ＧＰａ以上、約１０ＧＰａ以上、約１００ＧＰａ以下、約８０ＧＰａ以下、約６０ＧＰａ以下、または約２０ＧＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７は、約１ＧＰａから約１００ＧＰａ、約１ＧＰａから約８０ＧＰａ、約３ＧＰａから約８０ＧＰａ、約３ＧＰａから約６０ＧＰａ、約５ＧＰａから約６０ＧＰａ、約５ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１０ＧＰａから約２０ＧＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある弾性率を有し得る。さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、約１０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約４０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約６０ＧＰａから約１００ＧＰａ、約６０ＧＰａから約８０ＧＰａ、約８０ＧＰａから約１００ＧＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある弾性率を有するガラス系部分および／またはセラミック系部分を含み得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７、第１の外側層２１３、第２の外側層２１５、および／またはコア層２０７は、光学的に透明であり得る。ここに用いられているように、「光学的に透明な」または「光学的に透き通った」は、１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において７０％以上の平均透過率を意味する。いくつかの実施の形態において、「光学的に透明な材料」または「光学的に透き通った材料」は、１．０ｍｍ厚の材料片を通る４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲において、７５％以上、８０％以上、８５％以上、または９０％以上、９２％以上、９４％以上、９６％以上の平均透過率を有することがある。４００ｎｍから７００ｎｍの波長範囲における平均透過率は、４００ｎｍから７００ｎｍの整数波長の透過率を測定し、その測定値を平均化することによって、計算される。
図２～３、６、および１１に示されるように、折り畳み式装置１０１、３０１、および６０１、並びに試験用折り畳み式装置１１０２は、折り畳み式基板２０６を備える。この折り畳み式基板は、第１の主面２０３および第１の主面２０３と反対にある第２の主面２０５を有し得る。図２～３および６に示されるように、第１の主面２０３は、第一面２０４ａに沿って延在し得る。第２の主面２０５は、第二面２０４ｂに沿って延在し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第二面２０４ｂは、第一面２０４ａと平行であり得る。ここに用いられているように、基板厚さ２１１は、第一面２０４ａと第二面２０４ｂとの間の距離として、第１の主面２０３と第２の主面２０５との間に規定することができる。
図２～３、６、および１１に示されるように、折り畳み式基板２０６は、第１の外側層２１３を備えることができる。図から分かるように、第１の外側層２１３は、第１の主面２０３および第１の主面２０３と反対にある第１の内面２１４を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、および／または６０１が平らな形態にあるときに、第１の内面２１４は、第三面２０４ｃに沿って延在し得る。ここに用いられているように、第１の外側層２１３の第１の外側厚さ２１７は、第一面２０４ａと第三面２０４ｃとの間の距離として、第１の主面２０３と第１の内面２１４との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１は、約１０マイクロメートル（μｍ）以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約６０μｍ以上、約８０μｍ以上、約１００μｍ以上、約１２５μｍ以上、約１５０μｍ以上、約２ミリメートル（ｍｍ）以下、約１ｍｍ以下、約８００μｍ以下、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１８０μｍ以下、または約１６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１は、約１０μｍから約２ｍｍ、約２５μｍから約２ｍｍ、約４０μｍから約２ｍｍ、約６０μｍから約２ｍｍ、約８０μｍから約２ｍｍ、約１００μｍから約２ｍｍ、約１００μｍから約１ｍｍ、約１００μｍから約８００μｍ、約１００μｍから約５００μｍ、約１２５μｍから約５００μｍ、約１２５μｍから約３００μｍ、約１２５μｍから約２００μｍ、約１５０μｍから約２００μｍ、約１５０μｍから約１６０μｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
ここで、第１の外側層２１３を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、第１の外側層２１３のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図３、６、および１１に示された折り畳み式装置３０１および／または６０１、試験用折り畳み式装置１１０２、および／または折り畳み式基板２０６にも適用できるという了解の下でである。図２に示されるように、第１の外側層２１３は、第１の部分２１３ａおよび第２の部分２１３ｂを含み得る。第１の最小距離２１０が、第１の外側層２１３の第１の部分２１３ａと第１の外側層２１３の第２の部分２１３ｂとの間に規定され得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側層２１３の第１の部分２１３ａは、第１の主面２０３の第１の表面区域２２３および第１の表面区域２２３と反対にある第１の内面２１４の第１の内面区域２１４ａを含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側層２１３の第２の部分２１３ｂは、第１の主面２０３の第３の表面区域２３３および第３の表面区域２３３と反対にある第１の内面２１４の第２の内面区域２１４ｂを含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の表面区域２２３および第３の表面区域２３３は、第一面２０４ａに沿って延在し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の内面区域２１４ａおよび第２の内面区域２１４ｂは、第三面２０４ｃに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側層２１３の第１の部分２１３ａは、第１の外側厚さ２１７を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の外側厚さ２１７は、その対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６における）および／またはその対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４における）に亘り、第１の表面区域２２３と第１の内面区域２１４ａとの間で実質的に均一であることがある。いくつかの実施の形態において、第１の外側層２１３の第２の部分２１３ｂは、第１の外側厚さ２１７を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の外側厚さ２１７は、その対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６における）および／またはその対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４における）に亘り、第３の表面区域２３３と第２の内面区域２１４ｂとの間で実質的に均一であることがある。
図２～３、６、および１１に示されるように、折り畳み式基板２０６は、第２の外側層２１５を備えることができる。図から分かるように、第２の外側層２１５は、第２の主面２０５および第２の主面２０５と反対にある第２の内面２１６を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、および／または６０１が平らな形態にあるときに、第２の内面２１６は、第四面２０４ｄに沿って延在し得る。ここに用いられているように、第２の外側層２１５の第２の外側厚さ２３７は、第二面２０４ｂと第四面２０４ｄとの間の距離として、第２の主面２０５と第２の内面２１６との間に規定することができる。
ここで、第２の外側層２１５を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、第２の外側層２１５のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図３、６、および１１に示された折り畳み式装置３０１および／または６０１、試験用折り畳み式装置１１０２、および／または折り畳み式基板２０６にも適用できるという了解の下でである。図２に示されるように、第２の外側層２１５は、第１の部分２１５ａおよび第２の部分２１５ｂを含み得る。第２の最小距離２２０が、第２の外側層２１５の第１の部分２１５ａと第２の外側層２１５の第２の部分２１５ｂとの間に規定され得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側層２１５の第１の部分２１５ａは、第２の主面２０５の第２の表面区域２２５および第２の表面区域２２５と反対にある第２の内面２１６の第１の内面区域２１６ａを含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側層２１５の第２の部分２１５ｂは、第２の主面２０５の第４の表面区域２３５および第４の表面区域２３５と反対にある第２の内面２１６の第４の内面区域２１６ｂを含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の表面区域２２５および第４の表面区域２３５は、第二面２０４ｂに沿って延在し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第３の内面区域２１６ａおよび第４の内面区域２１６ｂは、第四面２０４ｄに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側層２１５の第１の部分２１５ａは、第２の外側厚さ２３７を有し得る。さらなる実施の形態において、第２の外側厚さ２３７は、その対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６における）および／またはその対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４における）に亘り、第２の表面区域２２５と第３の内面区域２１６ａとの間で実質的に均一であることがある。いくつかの実施の形態において、第２の外側層２１５の第２の部分２１５ｂは、第２の外側厚さ２３７を有し得る。さらなる実施の形態において、第２の外側厚さ２３７は、その対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６における）および／またはその対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４における）に亘り、第４の表面区域２３５と第４の内面区域２１６ｂとの間で実質的に均一であることがある。
図２～３、６、および１１に示されるように、折り畳み式基板２０６は、コア層２０７を備えることができる。図から分かるように、コア層２０７は、第３の内面２０８および第３の内面２０８と反対にある第４の内面２１８を有し得る。いくつかの実施の形態において、第３の内面２０８は、第三面２０４ｃに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、第４の内面２１８は、第四面２０４ｄに沿って延在し得る。ここに用いられているように、コア層２０７の中央厚さ２２７は、第三面２０４ｃと第四面２０４ｄとの間の距離として、第３の内面２０８と第４の内面２１８との間に規定することができる。
いくつかの実施の形態において、第１の外側厚さ２１７、第２の外側厚さ２３７、および／または中央厚さ２２７は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約８０μｍ以上、約１００μｍ以上、約１２５μｍ以上、約１５０μｍ以上、約１ｍｍ以下、約８００μｍ以下、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１８０μｍ以下、または約１６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側厚さ２１７、第２の外側厚さ２３７、および／または中央厚さ２２７は、約１μｍから約１ｍｍ、約１μｍから約８００μｍ、約５μｍから約８００μｍ、約５μｍから約５００μｍ、約１０μｍから約５００μｍ、約１０μｍから約３００μｍ、約２５μｍから約３００μｍ、約２５μｍから約２００μｍ、約４０μｍから約２００μｍ、約８０μｍから約２００μｍ、約８０μｍから約２００μｍ、約１００μｍから約２００μｍ、約１２５μｍから約２００μｍ、約１２５μｍから約１８０μｍ、約１２５μｍから約１６０μｍ、約１２５μｍから約１５０μｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２２７は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約１００μｍ以下、約８０μｍ以下、約６０μｍ以下、または約５０μｍ以下であり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２２７は、約１μｍから約１００μｍ、約５μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約８０μｍ、約２５μｍから約８０μｍ、約２５μｍから約６０μｍ、約４０μｍから約６０μｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側厚さ２１７は、第２の外側厚さ２３７と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側厚さ２１７は、第２の外側厚さ２３７より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側厚さ２３７が第１の外側厚さ２１７より大きいことがあり得る。
ここで、コア層２０７を、図２の折り畳み式装置１０１を参照して説明する。これは、コア層２０７のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図３、６、および１１に示された折り畳み式装置３０１および／または６０１、試験用折り畳み式装置１１０２、および／または折り畳み式基板２０６にも適用できるという了解の下でである。図２に示されるように、コア層２０７は、第１の外側層２１３と第２の外側層２１５との間に位置付けることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第３の内面２０８は、第１の外側層２１３の第１の部分２１３ａの第１の内面２１４の第１の内面区域２１４ａと接触し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第３の内面２０８は、第１の外側層２１３の第２の部分２１３ｂの第１の内面２１４の第２の内面区域２１４ｂと接触し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第４の内面２１８は、第２の外側層２１５の第１の部分２１５ａの第２の内面２１６の第３の内面区域２１６ａと接触し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第４の内面２１８は、第２の外側層２１５の第２の部分２１５ｂの第４の内面区域２１６ｂと接触し得る。
図２に示されるように、第３の内面２０８は、第１の外側層２１３の第１の部分２１３ａの第１の内面２１４の第１の内面区域２１４ａと、第１の外側層２１３の第２の部分２１３ｂの第１の内面２１４の第２の内面区域２１４ｂとの間の第１の中央表面区域２０９を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第１の中央表面区域２０９は、第１の距離だけ第１の主面２０３から窪んでいることがあり得、この第１の距離は、第１の外側厚さ２１７と実質的に等しいか、またはそれより大きいことがあり得る。第１の凹部２３４が、第一面２０４ａと第１の中央表面区域２０９との間に画成され得る。
図２に示されるように、第４の内面２１８は、第２の外側層２１５の第１の部分２１５ａの第２の内面２１６の第３の内面区域２１６ａと、第２の外側層２１５の第２の部分２３１の第２の内面２１６の第４の内面区域２１６ｂとの間の第２の中央表面区域２１９を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、コア層２０７の第２の中央表面区域２１９は、第２の距離だけ第２の主面２０５から窪んでいることがあり得、この第２の距離は、第２の外側厚さ２３７と実質的に等しいか、またはそれより大きいことがあり得る。第２の凹部２４４が、第二面２０４ｂと第２の中央表面区域２１９との間に画成され得る。
第１の中央表面区域２０９の幅は、第１の最小距離２１０と実質的に等しいことがあり得、第２の中央表面区域２１９の幅は、第２の最小距離２２０と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最小距離２１０および／または第２の最小距離２２０は、約１ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以上、約８ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約１５ｍｍ以上、約２０ｍｍ以上、約１００ｍｍ以下、約６０ｍｍ以下、約５０ｍｍ以下、約４０ｍｍ以下、約３５ｍｍ以下、約３０ｍｍ以下、または約２５ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最小距離２１０および／または第２の最小距離２２０は、約１ｍｍから約１００ｍｍ、約３ｍｍから約１００ｍｍ、約３ｍｍから約６０ｍｍ、約５ｍｍから約６０ｍｍ、約５ｍｍから約５０ｍｍ、約８ｍｍから約５０ｍｍ、約８ｍｍから約４０ｍｍ、約１０ｍｍから約４０ｍｍ、約１０ｍｍから約３５ｍｍ、約１５ｍｍから約３５ｍｍ、約１５ｍｍから約３０ｍｍ、約２０ｍｍから約３０ｍｍ、約２０ｍｍから約２５ｍｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最小距離２１０は、第２の最小距離２２０と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最小距離２１０は、第２の最小距離２２０より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の最小距離２２０は、第１の最小距離２１０より大きいことがあり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての第１の中央表面区域２０９が第一面２０４ａから窪んでいる第１の距離（例えば、第１の外側厚さ２１７）および／または基板厚さ２１１の百分率としての第２の中央表面区域２１９が第二面２０４ｂから窪んでいる第２の距離（例えば、第２の外側厚さ２３７）は、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約１５％以上、約２０％以上、約２５％以上、約７５％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、約３５％以下、または約３０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての第１の距離および／または第２の距離は、約１％から約７５％、約１％から約６０％、約５％から約６０％、約５％から約５０％、約１０％から約５０％、約１０％から約４０％、約１５％から約４０％、約１５％から約３５％、約２０％から約３５％、約２０％から約３０％、約２５％から約３０％の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の距離は、第２の距離と実質的に等しいことがあり得る。第１の距離を第２の距離と実質的に等しくすることにより、例えば、中央部分における機械的不安定性の発生をさらに減少させることができる。何故ならば、折り畳み式基板が、基板厚さと中央厚さの中点を含む面に対して対称であるからである。いくつかの実施の形態において、第２の距離が第１の距離より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の距離が第２の距離より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての第２の中央表面区域２１９が第二面２０４ｂから窪んでいる第２の距離（例えば、第２の外側厚さ２３７）は、約１％以上、約２％以上、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１５％以下であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての第２の中央表面区域２１９が第二面２０４ｂから窪んでいる第２の距離（例えば、第２の外側厚さ２３７）は、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約２％から約２５％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１５％の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての中央厚さ２２７は、約０．５％以上、約１％以上、約２％以上、約５％以上、約６％以上、約２０％以下、約１３％以下、約１０％以下、または約８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１の百分率としての中央厚さ２２７は、約０．５％から約２０％、約０．５％から約１３％、約１％から約１３％、約１％から約１０％、約２％から約１０％、約２％から約８％、約５％から約８％、約６％から約８％の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
第１の外側層２１３は第１の熱膨張係数を有し得、第２の外側層２１５は第２の熱膨張係数を有し得、コア層２０７はコア熱膨張係数を有し得る。本開示を通じて、折り畳み式基板または折り畳み式基板の層の熱膨張係数は、温度に基づく線膨張率を称し、２５℃でのＡＳＴＭ Ｅ２２８－１７にしたがって測定される。いくつかの実施の形態において、第１の熱膨張係数、第２の熱膨張係数、および／またはコア熱膨張係数は、約５×１０－７／℃以上、約１０×１０－７／℃以上、約２０×１０－７／℃以上、約３０×１０－７／℃以上、約４０×１０－７／℃以上、約５０×１０－７／℃以上、約６０×１０－７／℃以上、約５００×１０－７／℃以下、約３００×１０－７／℃以下、約２００×１０－７／℃以下、約１５０×１０－７／℃以下、約１００×１０－７／℃以下、約９０×１０－７／℃以下、約８０×１０－７／℃以下、または約７０×１０－７／℃以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の熱膨張係数、第２の熱膨張係数、および／またはコア熱膨張係数は、約５×１０－７／℃から約５００×１０－７／℃、約５×１０－７／℃から約３００×１０－７／℃、約１０×１０－７／℃から約３００×１０－７／℃、約１０×１０－７／℃から約２００×１０－７／℃、約２０×１０－７／℃から約２００×１０－７／℃、約２０×１０－７／℃から約１００×１０－７／℃、約３０×１０－７／℃から約１００×１０－７／℃、約３０×１０－７／℃から約９０×１０－７／℃、約４０×１０－７／℃から約９０×１０－７／℃、約４０×１０－７／℃から約８０×１０－７／℃、約５０×１０－７／℃から約８０×１０－７／℃、約５０×１０－７／℃から約７０×１０－７／℃、約６０×１０－７／℃から約７０×１０－７／℃の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の熱膨張係数は、第２の熱膨張係数と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア熱膨張係数は、第１の熱膨張係数および／または第２の熱膨張係数より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、コア熱膨張係数は、約５×１０－７／℃以上、約１０×１０－７／℃以上、約２０×１０－７／℃以上、約３０×１０－７／℃以上、約４０×１０－７／℃以上、約５０×１０－７／℃以上、約１００×１０－７／℃以下、約８０×１０－７／℃以下、約７０×１０－７／℃以下、または約６０×１０－７／℃以下だけ第１の熱膨張係数および／または第２の熱膨張係数より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、コア熱膨張係数が第１の熱膨張係数および／または第２の熱膨張係数より大きくあり得る量は、約５×１０－７／℃から約１００×１０－７／℃、約５×１０－７／℃から約８０×１０－７／℃、約１０×１０－７／℃から約８０×１０－７／℃、約１０×１０－７／℃から約７０×１０－７／℃、約２０×１０－７／℃から約７０×１０－７／℃、約２０×１０－７／℃から約６０×１０－７／℃、約３０×１０－７／℃から約６０×１０－７／℃、約３０×１０－７／℃から約５０×１０－７／℃、約４０×１０－７／℃から約６０×１０－７／℃、約４０×１０－７／℃から約５０×１０－７／℃の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。本明細書のどこかに述べたように、第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の熱膨張係数の差、もしくは第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の熱膨張係数の差を制御することにより、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板が臨界座屈歪み（例えば、機械的不安定性の兆候）に到達する前の大きい折り畳み誘発歪みを促進し得る折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の層間および／または部分間の化学強化誘発膨張および／または歪みを減少させることができ、また光学的歪みの発生を減少させることができる。
第１の外側層２１３は第１の密度を有し得、第２の外側層２１５は第２の密度を有し得、コア層２０７はコア密度を有し得る。本開示の全体に亘り、密度は、２５℃でＡＳＴＭ Ｃ６９３－９３（２０１９）にしたがって測定される。いくつかの実施の形態において、第１の密度、第２の密度、および／またはコア密度は、約２グラム毎立方センチメートル（ｇ／ｃｍ３）以上、約２．２ｇ／ｃｍ３以上、約２．３ｇ／ｃｍ３以上、約２．４ｇ／ｃｍ３以上、約２．４２ｇ／ｃｍ３以上、約２．４５ｇ／ｃｍ３以上、約２．４７ｇ／ｃｍ３以上、約３ｇ／ｃｍ３以下、約２．８ｇ／ｃｍ３以下、約２．７ｇ／ｃｍ３以下、約２．６５ｇ／ｃｍ３以下、約２．６ｇ／ｃｍ３以下、約２．５８ｇ／ｃｍ３以下、約２．５５ｇ／ｃｍ３以下、約２．５２ｇ／ｃｍ３以下、または約２．５ｇ／ｃｍ３以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の密度、第２の密度、および／またはコア密度は、約２ｇ／ｃｍ３から約３ｇ／ｃｍ３、約２ｇ／ｃｍ３から約２．８ｇ／ｃｍ３、約２．２ｇ／ｃｍ３から約２．８ｇ／ｃｍ３、約２．２ｇ／ｃｍ３から約２．７ｇ／ｃｍ３、約２．３ｇ／ｃｍ３から約２．７ｇ／ｃｍ３、約２．４ｇ／ｃｍ３から約２．７ｇ／ｃｍ３、約２．４２ｇ／ｃｍ３から約２．７ｇ／ｃｍ３、約２．４２ｇ／ｃｍ３から約２．６８ｇ／ｃｍ３、約２．４５ｇ／ｃｍ３から約２．６８ｇ／ｃｍ３、約２．４５ｇ／ｃｍ３から約２．６５ｇ／ｃｍ３、約２．４８ｇ／ｃｍ３から約２．６５ｇ／ｃｍ３、約２．４８ｇ／ｃｍ３から約２．５２ｇ／ｃｍ３、約２．４８ｇ／ｃｍ３から約２．５ｇ／ｃｍ３の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の密度は第２の密度と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア密度は、第１の密度および／または第２の密度より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、コア密度は、約０．００５ｇ／ｃｍ３以上、約０．０１ｇ／ｃｍ３以上、約０．０１５ｇ／ｃｍ３以上、約０．０２ｇ／ｃｍ３以上、約０．０２５ｇ／ｃｍ３以上、約０．０５５ｇ／ｃｍ３以下、約０．０５ｇ／ｃｍ３以下、約０．０４５ｇ／ｃｍ３以下、約０．０４ｇ／ｃｍ３以下、約０．３５ｇ／ｃｍ３以下、または約０．３ｇ／ｃｍ３以下だけ、第１の密度および／または第２の密度より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、コア密度が第１の密度および／または第２の密度より大きいことがあり得る量は、約０．００５ｇ／ｃｍ３から約０．０５５ｇ／ｃｍ３、約０．００５ｇ／ｃｍ３から約０．０５ｇ／ｃｍ３、約０．０１ｇ／ｃｍ３から約０．０５ｇ／ｃｍ３、約０．０１ｇ／ｃｍ３から約０．０４５ｇ／ｃｍ３、約０．０１５ｇ／ｃｍ３から約０．０４５ｇ／ｃｍ３、約０．０１５ｇ／ｃｍ３から約０．０４ｇ／ｃｍ３、約０．０２ｇ／ｃｍ３から約０．０４ｇ／ｃｍ３、約０．０２ｇ／ｃｍ３から約０．０３５ｇ／ｃｍ３、約０．０２５ｇ／ｃｍ３から約０．０３５ｇ／ｃｍ３、約０．０２５ｇ／ｃｍ３から約０．３０ｇ／ｃｍ３の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。本明細書のどこかに述べたように、第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の密度の差、もしくは第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の密度の差を制御することにより、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板が臨界座屈歪み（例えば、機械的不安定性の兆候）に到達する前の大きい折り畳み誘発歪みを促進し得る折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の層間および／または部分間の化学強化誘発膨張および／または歪みを減少させることができ、また光学的歪みの発生を減少させることができる。
第１の外側層２１３は第１の網状構造膨張係数を有し得、第２の外側層２１５は第２の網状構造膨張係数を有し得、コア層２０７はコア網状構造膨張係数を有し得る。本開示の全体を通じて、網状構造膨張係数（例えば、格子膨張係数）は、アルカリ金属イオンが材料（例えば、ガラス系材料、セラミック系材料）中に交換されるときに、アルカリ金属イオンの増加のモル％当たりで材料の体積が増加する割合を称する。いくつかの実施の形態において、網状構造膨張係数は、酸化物基準のカリウムに関するものであり得る。いくつかの実施の形態において、網状構造膨張係数は、酸化物基準のナトリウムに関するものであり得る。いくつかの実施の形態において、第１の網状構造膨張係数、第２の網状構造膨張係数、および／またはコア網状構造膨張係数は、約３００×１０－６／モル％以上、約５００×１０－６／モル％以上、約７００×１０－６／モル％以上、約８００×１０－６／モル％以上、約９００×１０－６／モル％以上、約２０００×１０－６／モル％以下、約１５００×１０－６／モル％以下、約１２００×１０－６／モル％以下、約１１００×１０－６／モル％以下、または約１０００×１０－６／モル％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の網状構造膨張係数、第２の網状構造膨張係数、および／またはコア網状構造膨張係数は、約３００×１０－６／モル％から約２０００×１０－６／モル％、約３００×１０－６／モル％から約１５００×１０－６／モル％、約５００×１０－６／モル％から約１５００×１０－６／モル％、約５００×１０－６／モル％から約１２００×１０－６／モル％、約７００×１０－６／モル％から約１２００×１０－６／モル％、約７００×１０－６／モル％から約１１００×１０－６／モル％、約８００×１０－６／モル％から約１１００×１０－６／モル％、約８００×１０－６／モル％から約１０００×１０－６／モル％、約９００×１０－６／モル％から約１０００×１０－６／モル％の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の網状構造膨張係数は、第２の網状構造膨張係数と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア網状構造膨張係数は、第１の網状構造膨張係数および／または第２の網状構造膨張係数より小さいことがあり得る。先に述べたように、第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の網状構造膨張係数の差、もしくは第１の部分および／または第２の部分に対する中央部分の網状構造膨張係数の差を制御することにより、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板が臨界座屈歪み（例えば、機械的不安定性の兆候）に到達する前の大きい折り畳み誘発歪みを促進し得る折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の層間および／または部分間の化学強化誘発膨張および／または歪みを減少させることができ、また光学的歪みの発生を減少させることができる。
図４～５および７に示されるように、折り畳み式基板４０７は、第１の主面４０３および第１の主面４０３と反対にある第２の主面４０５を有し得る。図４～５および７に示されるように、第１の主面４０３は、第一面４０４ａに沿って延在し得る。第２の主面４０５は、第二面４０４ｂに沿って延在し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第二面４０４ｂは、第一面４０４ａと平行であり得る。ここに用いられているように、基板厚さ４１１は、第一面４０４ａと第二面４０４ｂとの間の距離として、第１の主面４０３と第２の主面４０５との間に規定することができる。基板厚さ４１１は、基板厚さ２１１に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。
図４～５および７に示されるように、折り畳み式基板４０７は、第１の表面区域４２３および第１の表面区域４２３と反対にある第２の表面区域４２５を有する第１の部分４２１も含み得る。これから、第１の部分４２１を図４の折り畳み式装置４０１を参照して説明する。これは、第１の部分４２１のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図５および７に示された折り畳み式装置５０１および７０１および／または折り畳み式基板４０７にも適用できるという了解の下でである。図４に示されるように、第１の部分４２１は、第１の表面区域４２３および第１の表面区域４２３と反対にある第２の表面区域４２５を有し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の部分４２１の第２の表面区域４２５は、平面を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の表面区域４２５は、第１の表面区域４２３と平行であり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面４０３は第１の表面区域４２３を構成し得、第２の主面４０５は第２の表面区域４２５を構成し得る。さらなる実施の形態において、第１の表面区域４２３は、第一面４０４ａに沿って延在し得る。さらなる実施の形態において、第２の表面区域４２５は、第二面４０４ｂに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１は、第１の部分４２１の第１の表面区域４２３と第１の部分４２１の第２の表面区域４２５との間の距離に相当し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１は、第１の表面区域４２３に亘り実質的に均一であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の表面区域４２３と第２の表面区域４２５との間に規定された第１の厚さは、基板厚さ２１１または４１１に関して先に述べられた範囲の１つ以上に含まれ得る。さらなる実施の形態において、第１の厚さは基板厚さ４１１を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の部分４２１の第１の厚さは、対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６）および／または対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４）に亘り、第１の表面区域４２３と第２の表面区域４２５との間で、実質的に均一であることがある。
図４～５および７に示されるように、折り畳み式基板４０７は、第３の表面区域４３３および第３の表面区域４３３と反対にある第４の表面区域４３５を含む第２の部分４３１も含み得る。ここで、第２の部分４３３を、図４の折り畳み式装置４０１を参照して説明する。これは、第２の部分４３１のそのような説明が、特に明記のない限り、本開示の任意の実施の形態、例えば、図５および７に示された折り畳み式装置５０１および／または７０１および／または折り畳み式基板４０７にも適用できるという了解の下でである。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分４３１の第３の表面区域４３３は、平面を構成し得る。さらなる実施の形態において、第２の部分４３１の第３の表面区域４３３は、第１の部分４２１の第１の表面区域４２３と共通の面内にあり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分４３１の第４の表面区域４３５は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第４の表面区域４３５は、第３の表面区域４３３と平行であり得る。さらなる実施の形態において、第２の部分４３１の第４の表面区域４３５は、第１の部分４２１の第２の表面区域４２５と共通の面内にあり得る。第２の厚さは、第２の部分４３１の第３の表面区域４３３と、第２の部分４３１の第４の表面区域４３５との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ２１１または４１１に関して先に述べられた範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ４１１を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ４１１（例えば、第１の厚さ）と実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分４３１の第２の厚さは、第３の表面区域４３３と第４の表面区域４３５との間で実質的に均一であることがある。
図４～５および７に示されるように、折り畳み式基板４０７は、第１の部分４２１と第２の部分４３１との間に位置する中央部分４８１を含み得る。いくつかの実施の形態において、中央部分４８１は、第１の中央表面区域４０９および第１の中央表面区域４０９と反対にある第２の中央表面区域４１９を含み得る。さらなる実施の形態において、中央部分４８１は、第１の表面区域４２３と第３の表面区域４３３との間に位置する第１の中央表面区域４０９を含み得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の中央表面区域４０９は、第１の距離４１７だけ第１の主面４０３から窪み得る。この第１の距離４１７は、折り畳み式基板２０６に関する第１の距離（例えば、第１の外側厚さ２１７）に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の中央表面区域４０９は、折り畳み式装置４０１、５０１、および／または７０１が平らな形態にある場合、第三面４０４ｃに沿って延在し得、一方で、第１の中央表面区域４０９は、さらなる実施の形態において、非平面区域として設けられてもよい。第１の凹部４３４が、第１の中央表面区域４０９（例えば、第三面４０４ｃ）と第一面４０４ａとの間に画成され得る。さらなる実施の形態において、第三面４０４ｃは、第一面４０４ａおよび／または第二面４０４ｂと実質的に平行であり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分４８１は、第２の表面区域４２５と第４の表面区域４３５との間に位置する第２の中央表面区域４１９を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の中央表面区域４１９は、第２の距離４３７だけ第２の主面４０５から窪み得る。この第２の距離４３７は、折り畳み式基板２０６に関する第２の距離（例えば、第２の外側厚さ２３７）に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第２の中央表面区域４１９は、折り畳み式装置４０１、５０１、および／または７０１が平らな形態にある場合、第四面４０４ｄに沿って延在し得、一方で、第２の中央表面区域４１９は、さらなる実施の形態において、非平面区域として設けられてもよい。第２の凹部４４４が、第２の中央表面区域４１９（例えば、第四面４０４ｄ）と第二面４０４ｂとの間に画成され得る。第１の中央表面区域が第１の主面から窪んでいる第１の距離を、第２の中央表面区域が第２の主面から窪んでいる第２の距離と実質的に等しくすることにより、例えば、中央部分における機械的不安定性の発生をさらに減少させることができる。何故ならば、折り畳み式基板が、基板厚さと中央厚さの中点を含む面に対して対称であるからである。
中央厚さ４２７は、第１の中央表面区域４０９と第２の中央表面区域４１９との間に規定することができ、これは、第三面４０４ｃと第四面４０４ｄとの間の距離として測定することができる。いくつかの実施の形態において、中央厚さ４２７は、折り畳み式基板２０６の中央厚さ２２７について上述した範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての中央厚さ４２７は、折り畳み式基板２０６の基板厚さ２１１の百分率として中央厚さ２２７について上述した範囲の１つ以上に入り得る。第三面４０４ｃに沿って延在する中央部分４８１の第１の中央表面区域４０９を、第四面４０４ｄに沿って延在する中央部分４８１の第２の中央表面区域４１９に平行に設けることによって、中央厚さ４２７について所定の厚さで向上した折り畳み性能を提供できる均一な中央厚さ４２７が、中央部分４８１に亘り延在することがある。中央部分４８１に亘る均一な中央厚さ４２７は、中央部分４８１の一部が中央部分４８１の残りより薄い場合に生じるであろう応力集中を防ぐことによって、折り畳み性能を改善することができる。
図４～５に示されるような、いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域４０９と第１の表面区域４２３および／または第３の表面区域４３３との間の移行部は、実質的に急勾配である（例えば、第一面４０４ａおよび／または第三面４０４ｃに垂直な真っ直ぐな面と似ているほど十分に狭い）ことがあり得る。図４～５に示されるような、いくつかの実施の形態において、第２の中央表面区域４１９と第２の表面区域４２５および／または第４の表面区域４３５との間の移行部は、実質的に急勾配である（例えば、第二面４０４ｂおよび／または第四面４０４ｄに垂直な真っ直ぐな面と似ているほど十分に狭い）ことがあり得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、折り畳み式基板４０７は、例えば、図８における第１の移行部分８５３に似ていることがあり得る、第１の表面区域と第１の中央表面区域との間および／または第２の表面区域と第２の中央表面区域との間に第１の移行部を含み得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、折り畳み式基板４０７は、例えば、図８における第２の移行部分８５５に似ていることがあり得る、第３の表面区域と第１の中央表面区域との間および／または第４の表面区域と第２の中央表面区域との間に第２の移行部を含み得る。
図７に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置７０１は、折り畳み式基板４０７の対応する部分と似ている、または同一の第１の部分４２１および／または第２の部分４３１を含み得る折り畳み式基板７０７を備えることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７は、第１の部分４２１と、第三面４０４ｃを構成する中央部分７８１の部分（例えば、第１の中央表面区域７０９）との間に位置付けられた第１の移行部分７５３を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の移行部分７５３は、第１の移行部分の厚さが連続的に変化する、第１の部分４２１から延在する第１の移行部分７５３の部分および急激に変化し得る第三面４０４ｃから延在する部分を含む。またさらなる実施の形態において、急激な変化の移行深さ７２７は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１２μｍ以上、約５０μｍ以下、約３０μｍ以下、約２５μｍ以下、約２０μｍ以下、約１８μｍ以下、または約１５μｍ以下であり得る。またさらなる実施の形態において、急激な変化の移行深さ７２７は、約１μｍから約５０μｍ、約１μｍから約３０μｍ、約２μｍから約３０μｍ、約２μｍから約２５μｍ、約５μｍから約２５μｍ、約５μｍから約２０μｍ、約１０μｍから約２０μｍ、約１０μｍから約１８μｍ、約１２μｍから約１８μｍ、約１２μｍから約１５μｍの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。図７に示されるような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７は、第２の部分４３１と、第三面４０４ｃを構成する中央部分７８１の部分（例えば、第１の中央表面区域７０９）との間に位置付けられた第２の移行部分７５５を含み得る。さらなる実施の形態において、第２の移行部分７５５は、第２の移行部分の厚さが連続的に変化する、第２の部分４３１から延在する第２の移行部分７５５の部分および急激に変化し得る第三面４０４ｃから延在する部分を含む。またさらなる実施の形態において、第２の移行部分における急激な変化の移行深さ７２７は、第１の移行部分における急激な変化の移行深さ７２７について上述した範囲の１つ以上に入り得る。またさらなる実施の形態において、第２の移行部分における急激な変化の移行深さ７２７は、第１の移行部分における急激な変化の移行深さ７２７と実質的に等しいことがあり得る。
図８に示されるように、折り畳み式装置８０１は、折り畳み式基板８０７を備えることができる。この折り畳み式基板は、第１の主面８０３および第１の主面８０３と反対にある第２の主面８０５を有し得る。図８に示されるように、第１の主面８０３は、第一面８０４ａに沿って延在し得る。第２の主面８０５は、第二面８０４ｂに沿って延在し得る。図示されたようないくつかの実施の形態において、第二面８０４ｂは第一面８０４ａに対して平行であり得る。ここに用いられているように、基板厚さ８１１は、第一面８０４ａと第二面４０４ｂとの間の距離として第１の主面８０３と第２の主面８０５との間に規定され得る。基板厚さ８１１は、基板厚さ２１１または４１１に関して上述した範囲の１つ以上に入り得る。
図８に示されるように、折り畳み式基板８０７は、第１の表面区域８２３および第１の表面区域８２３と反対にある第２の表面区域８２５を有する第１の部分８２１も含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の部分８２１の第２の表面区域８２５は、平面を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の表面区域８２５は、第１の表面区域８２３と平行であり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面８０３は第１の表面区域８２３を構成し得、第２の主面８０５は第２の表面区域８２５を構成し得る。さらなる実施の形態において、第１の表面区域８２３は第一面８０４ａに沿って延在し得る。さらなる実施の形態において、第２の表面区域８２５は第二面８０４ｂに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１は、第１の部分８２１の第１の表面区域８２３と第１の部分８２１の第２の表面区域８２５との間の距離に相当し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１は、第１の表面区域８２３に亘り実質的に均一であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の表面区域８２３と第２の表面区域８２５との間に規定された第１の厚さは、基板厚さ２１１、４１１、または８１１に関して先に述べられた範囲の１つ以上に含まれ得る。さらなる実施の形態において、第１の厚さは基板厚さ８１１を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の部分８２１の第１の厚さは、対応する長さ（すなわち、折り畳み式装置の長さ１０５の方向１０６）および／または対応する幅（すなわち、折り畳み式装置の幅１０３の方向１０４）に亘り、第１の表面区域８２３と第２の表面区域８２５との間で、実質的に均一であることがある。
図８に示されるように、折り畳み式基板８０７は、第３の表面区域８３３および第３の表面区域８３３と反対にある第４の表面区域８３５を含む第２の部分８３１も含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分８３１の第３の表面区域８３３は、平面を構成し得る。さらなる実施の形態において、第２の部分８３１の第３の表面区域８３３は、第１の部分８２１の第１の表面区域８２３と共通の面内にあり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の部分８３１の第４の表面区域８３５は、平面を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第４の表面区域８３５は、第３の表面区域８３３と平行であり得る。さらなる実施の形態において、第２の部分８３１の第４の表面区域８３５は、第１の部分８２１の第２の表面区域８２５と共通の面内にあり得る。第２の厚さは、第２の部分８３１の第３の表面区域８３３と、第２の部分８３１の第４の表面区域８３５との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ２１１、４１１、または８１１に関して先に述べられた範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ８１１を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の厚さは、基板厚さ８１１（例えば、第１の厚さ）と実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分８３１の第２の厚さは、第３の表面区域８３３と第４の表面区域８３５との間で実質的に均一であることがある。
図８に示されるように、折り畳み式基板８０７は、第１の部分８２１と第２の部分８３１との間に位置する中央部分８８１を含み得る。いくつかの実施の形態において、中央部分８８１は、第１の中央表面区域８０９および第１の中央表面区域８０９と反対にある第２の中央表面区域８１９を含み得る。さらなる実施の形態において、中央部分８８１は、第１の表面区域８２３と第３の表面区域８３３との間に位置する第１の中央表面区域８０９を含み得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の中央表面区域８０９は、第１の距離８１７だけ第１の主面８０３から窪み得る。第１の距離８１７は、折り畳み式基板２０６に関して第１の距離（例えば、第１の外側厚さ２１７）について上述した範囲の１つ以上に入り得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第１の中央表面区域８０９は、折り畳み式装置８０１が平らな形態にある場合、第三面８０４ｃに沿って延在し得、一方で、第１の中央表面区域８０９は、さらなる実施の形態において、非平面区域として設けられてもよい。第１の凹部８３４が、第１の中央表面区域８０９（例えば、第三面８０４ｃ）と第一面８０４ａとの間に画成され得る。さらなる実施の形態において、第三面８０４ｃは、第一面８０４ａおよび／または第二面８０４ｂと実質的に平行であり得る。さらなる実施の形態において、中央部分８８１は、第２の表面区域８２５と第４の表面区域８３５との間に位置付けられた第２の中央表面区域８１９を含み得る。図示されたような、またさらなる実施の形態において、第２の主面８０５は、第２の中央表面区域８１９を構成し得る。またさらなる実施の形態において、図示されていないが、この第２の中央表面区域の一部は、第二面から窪んでいても差し支えない。またさらなる実施の形態において、図示されていないが、折り畳み式基板は、折り畳み式基板の第２の主面に、第２の中央表面区域を露出する別の凹部を含んでいても差し支えない。
中央部分８８１の中央厚さ８２７は、第１の中央表面区域８０９と第２の中央表面区域８１９との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域８０９は、折り畳み式装置８０１が平らな形態にあるときに、第三面８０４ｃに沿って延在することがあるが、第１の中央表面区域８０９は、さらなる実施の形態において、非平面区域として設けられることがある。さらなる実施の形態において、第三面８０４ｃは、第一面８０４ａおよび／または第二面８０４ｂと実質的に平行であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ８２７は、折り畳み式基板２０６の中央厚さ２２７について上述した範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１の百分率としての中央厚さ８２７は、折り畳み式基板２０６の基板厚さ２１１の百分率としての中央厚さ２２７について上述した範囲の１つ以上に入り得る。第三面８０４ｃに沿って延在する中央部分８８１の第１の中央表面区域８０９を第二面８０４ｂに平行に設けることによって、中央厚さ８２７の所定の厚さで向上した折り畳み性能を与えることのできる均一な中央厚さ８２７が、中央部分８８１に亘り延在することがある。中央部分８８１に亘る均一な中央厚さ８２７は、中央部分８８１の一部が中央部分８８１の残りよりも薄い場合に生じるであろう応力集中を防ぐことによって、折り畳み性能を改善することができる。
図８に示されるように、中央部分８８１は、第１の移行部分８５３を含み得る。第１の移行部分８５３は、第１の部分８２１を、中央厚さ８２７を有する中央部分８８１の領域に取り付けることができる。第１の移行部分８５３の厚さは、第二面８０４ｂと第１の中央表面区域８０９との間に規定することができる。図８に示されるように、第１の移行部分８５３の厚さは、第１の中央表面区域８０９（例えば、中央厚さ８２７）から第１の部分８２１（例えば、基板厚さ８１１）に連続して増加し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の移行部分８５３の厚さは、第１の中央表面区域８０９から第１の部分８２１へと定率で増加し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分８５３の厚さは、第１の移行部分８５３の中央よりも、第１の中央表面区域８０９が第１の移行部分８５３と交わるところで、一層徐々に増加することがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分８５３の厚さは、第１の移行部分８５３の中央よりも、第１の部分８２１が第１の移行部分８５３と交わるところで、一層徐々に増加することがある。いくつかの実施の形態において、図８に示されていないが、中央部分は、第１の移行部分を構成しないことがある図４の中央部分４８１に似ていても差し支えない。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分８５３は、例えば、第２の中央表面区域が第二面から窪んでいる場合、第２の表面区域から第２の中央表面区域まで移行し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の移行部分は、第１の移行部分の厚さが連続的に変化する第１の部分から延在する部分、および急激に変化し得る第三面８０４ｃから延在する部分を含み得る（例えば、図７参照）。
中央部分８８１は、第２の移行部分８５５を含み得る。図８に示されるように、第２の移行部分８５５は、第２の部分８３１を、中央厚さ８２７を有する中央部分８８１の領域（例えば、第１の中央表面区域８０９を構成する領域）に取り付けることができる。第２の移行部分８５５の厚さは、第二面８０４ｂと第１の中央表面区域８０９との間に規定することができる。図８に示されるように、第２の移行部分８５５の厚さは、第１の中央表面区域８０９（例えば、中央厚さ８２７）から第２の部分８３１（例えば、基板厚さ８１１）に連続して増加し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の移行部分８５５の厚さは、第１の中央表面区域８０９から第２の部分８３１へと定率で増加し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分８５５の厚さは、第２の移行部分８５５の中央よりも、第１の中央表面区域８０９が第２の移行部分８５５と交わるところで、一層徐々に増加することがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分８５５の厚さは、第２の移行部分８５５の中央よりも、第２の部分８３１が第２の移行部分８５５と交わるところで、一層徐々に増加することがある。図８に示されるような、いくつかの実施の形態において、中央部分８８１は、第２の移行部分を構成することがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、中央部分は、第２の移行部分を構成しないことがある図４の中央部分４８１に似ていても差し支えない。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分８５５は、例えば、第２の中央表面区域が第二面から窪んでいる場合、第４の表面区域から第２の中央表面区域まで移行し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の移行部分は、例えば、図７に示されたものと同様に、第２の移行部分の厚さが連続的に変化する第２の部分から延在する部分、および急激に変化し得る第三面８０４ｃから延在する部分を含み得る。
図８に示されるように、第１の移行部分８５３の幅は、折り畳み式装置８０１の長さ１０５の方向１０６において中央厚さ８２７を構成する中央部分８８１の部分（例えば、第三面８０４ｃ）と第１の部分８２１との間に規定することができる。第２の移行部分８５５の幅は、折り畳み式装置８０１の長さ１０５の方向１０６において中央厚さ８２７を構成する中央部分８８１の部分（例えば、第三面８０４ｃ）と第２の部分８３１との間に規定することができる。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分８５３の幅および／または第２の移行部分８５５の幅は、そうでなければ、第１の厚さと中央厚さとの間の段状移行または小さい移行幅（例えば、１ｍｍ未満）で起こるであろう光学的歪みを避けるのに十分に大きい（例えば、１ｍｍ以上）ことがあり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の穿刺抵抗を向上させつつ、光学的歪みも避けるために、第１の移行部分８５３の幅および／または第２の移行部分８５５の幅は、約１ｍｍ以上、約２ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、または約３ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の移行部分８５３の幅および／または第２の移行部分８５５の幅は、約１ｍｍから約５ｍｍ、約１ｍｍから約４ｍｍ、約１ｍｍから約３ｍｍ、約２ｍｍから約５ｍｍ、約２ｍｍから約４ｍｍ、約２ｍｍから約３ｍｍ、約３ｍｍから約５ｍｍ、約３ｍｍから約４ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
ここに用いられているように、第１の層および／または構成部材が、第２の層および／または構成部材「を覆って配置された」と記載されている場合、第１の層および／または構成部材と、第２の層および／または構成部材との間に、他の層が存在してもしなくてもよい。さらに、ここに用いられているように、「を覆って配置された」とは、重力に関する相対的な位置を称するものではない。例えば、第１の層および／または構成部材が、第２の層および／または構成部材の下、上、またはその片側に位置している場合、例えば、第１の層および／または構成部材は、第２の層および／または構成部材「を覆って配置された」と考えることができる。ここに用いられているように、第２の層および／または構成部材「に結合された」と記載されている第１の層および／または構成部材は、それらの層および／または構成部材が、それら２つの層および／または構成部材の間の直接接触および／または結合、もしくは接着層を介して、のいずれかで、互いに結合されていることを意味する。ここに用いられているように、第２の層および／または構成部材と「接触している」または「接触する」と記載されている第１の層および／または構成部材は、直接的な接触を称し、それらの層および／または構成部材が互いに結合されている状況を含む。
図２～５および１２に示されるように、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、および／または１２０１は、接着剤層２６１を備え得る。図から分かるように、接着剤層２６１は、第１の接触面２６３および第１の接触面２６３と反対にあり得る第２の接触面２６５を有し得る。図２～５に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、平面を構成し得る。図２および５に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、平面を構成し得る。接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、第１の接触面２６３と第２の接触面２６５との間の最小距離として規定することができる。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１００μｍ以下、約６０μｍ以下、約３０μｍ以下、または約２０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の接着剤厚さ２６７は、約１μｍから約１００μｍ、約５μｍから約１００μｍ、約５μｍから約６０μｍ、約５μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約２０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
図２および４に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、剥離ライナー２７１（下記に記載されている）の第１の主面２７３に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、剥離ライナー２７１の第１の主面２７３と接触し得る。図３、５、および１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、表示装置３０７の第１の主面３０３に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第２の接触面２６５は、表示装置３０７の第１の主面３０３と接触し得る。
図２～５および１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、第１の部分２２１または４２１の第２の表面区域２２５または４２５に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、第１の部分２２１または４２１の第２の表面区域２２５または４２５に接触し得る。図２～５および１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、第２の部分２３１または４３１の第４の表面区域２３５または４３５に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、第２の部分２３１または４３１の第４の表面区域２３５または４３５に接触し得る。図２～５および１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、中央部分２８１または４８１の第２の中央表面区域２１９または４１９に面し得る。図３～４に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、中央部分２８１または４８１の第２の中央表面区域２１９または４１９に接触し得る。図３～４に示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、第２の凹部２４４または４４４中に延在し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、この第２の凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械デバイスの入る余地を残すために、完全には満たされていないことがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、例えば、接着剤層２６１と似た、別の接着剤層が、第１の主面（例えば、第１の表面区域、第３の表面区域）を覆って配置され得るおよび／またはそれと接触し得る、および／または第１の凹部中に延在し得るが、第１の凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械デバイスの入る余地を残すために、完全には満たされていないことがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、ポリオレフィン、ポリアミド、ハロゲン化物含有高分子（例えば、ポリ塩化ビニルまたはフッ素含有高分子）、エラストマー、ウレタン、フェノール樹脂、パリレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の内の１つ以上を含み得る。ポリオレフィンの例示の実施の形態としては、低分子量ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高分子量ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）が挙げられる。フッ素含有高分子の例示の実施の形態としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ペルフルオロポリエーテル（ＰＥＰＥ）、ペルフルオロスルホン酸（ＰＦＳＡ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）ポリマー、およびエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）ポリマーが挙げられる。エラストマーの例示の実施の形態としては、ゴム（例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ニトリルゴム）およびブロック共重合体（例えば、スチレン・ブタジエン、耐衝撃性ポリスチレン）、ポリ（ジクロロホスファゼン））が挙げられる。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、光学的に透明な接着剤を含み得る。またさらなる実施の形態において、その光学的に透明な接着剤は、１種類以上の光学的に透明な高分子：アクリル（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ））、エポキシ、シリコーンおよび／またはポリウレタンを含み得る。エポキシの例としては、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ、脂環式エポキシ、およびグリシジルアミン系エポキシが挙げられる。またさらなる実施の形態において、光学的に透明な接着剤としては、以下に限られないが、アクリル接着剤、例えば、３Ｍ ８２１２接着剤、または光学的に透明な液体接着剤、例えば、ＬＯＣＴＩＴＥ光学的に透明な液体接着剤が挙げられる。光学的に透明な接着剤の例示の実施の形態としては、透明なアクリル、エポキシ、シリコーン、およびポリウレタンが挙げられる。例えば、光学的に透明な液体接着剤は、全てがＨｅｎｋｅｌから入手できる、ＬＯＣＴＩＴＥ ＡＤ ８６５０、ＬＯＣＴＩＴＥ ＡＡ ３９２２、ＬＯＣＴＩＴＥ ＥＡ Ｅ－０５ＭＲ、ＬＯＣＴＩＴＥ ＵＫ Ｕ－０９ＬＶの内の１つ以上を含み得る。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、約０．００１メガパスカル（ＭＰａ）以上、約０．０１ＭＰａ以上、約０．１ＭＰａ以上、約１ＭＰａ以下、約０．５ＭＰａ以下、約０．１ＭＰａ以下、または約０．０５ＭＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、約０．００１ＭＰａから約１ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約１ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．０５ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．００１ＭＰａから約０．５ＭＰａ、約０．００１ＭＰａから約０．０１ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、この接着剤層は、高分子系部分２４１の弾性率について先に述べられた範囲の内の１つ上に入る弾性率を有し得る。
図２、５、および１２に示されたように、折り畳み式装置１０１、４０１、および／または１２０１の高分子系部分２４１は、第１の部分２２１または４２１と第２の部分２３１または４３１との間に位置付けることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、第２の凹部２４４または４４４内に少なくとも部分的に位置付けることができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、第２の凹部２４４または４４４を満たすことができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の凹部は、例えば、電子デバイスおよび／または機械デバイスの入る余地を残すために、完全には満たされていないことがある。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、例えば、高分子系部分２４１と似た、別の高分子系部分が、第１の凹部中に延在し得る、および／または第１の凹部を満たし得る。図２～５および１２に示されるように、高分子系部分２４１は、第３の接触面２４５と反対の第４の接触面２４７を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第４の接触面２４７は、平面を構成し得る。さらなる実施の形態において、第４の接触面２４７は、第２の表面区域２２５まちは４２５および第４の表面区域２３５または４３５と実質的に同一平面上にある（例えば、共通の面、第二面２０４ｂまたは４０４ｂに沿って延在する）ことがある。いくつかの実施の形態において、第３の接触面２４５は、平面を構成し得る。いくつかの実施の形態において、第４の接触面２４７が第２の表面区域２２５または４２５および第４の表面区域２３５または４３５と実質的に同一平面上にあることに加え、第３の接触面２４５は、第２の中央表面区域２１９または４１９と実質的に同一平面上にあり（例えば、共通の面、第四面２０４ｄに沿って延在し）得る。図２および５に示されたような、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、高分子系部分２４１の第４の接触面２４７に面し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の第１の接触面２６３は、高分子系部分２４１の第４の接触面２４７接触し得る。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は高分子（例えば、光学的に透明な高分子）を含む。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、光学的な透明な：アクリル（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ））、エポキシ、シリコーン、および／またはポリウレタンの１つ以上を含み得る。エポキシの例としては、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ、脂環式エポキシ、およびグリシジルアミン系エポキシが挙げられる。さらなる実施の形態において、高分子系部分２４１は、ポリオレフィン、ポリアミド、ハロゲン化物含有高分子（例えば、ポリ塩化ビニルまたはフッ素含有高分子）、エラストマー、ウレタン、フェノール樹脂、パリレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の内の１つ以上を含み得る。ポリオレフィンの例示の実施の形態としては、低分子量ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高分子量ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）、およびポリプロピレン（ＰＰ）が挙げられる。フッ素含有高分子の例示の実施の形態としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ペルフルオロポリエーテル（ＰＥＰＥ）、ペルフルオロスルホン酸（ＰＦＳＡ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）ポリマー、およびエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）ポリマーが挙げられる。エラストマーの例示の実施の形態としては、ゴム（例えば、ポリブタジエン、ポリイソプレン、クロロプレンゴム、ブチルゴム、ニトリルゴム）およびブロック共重合体（例えば、ポリスチレン、ポリジクロロホスファゼン、およびポリ（５－エチリデン－２－ノルボルネン）の内の１つ以上を含む、例えば、スチレン・ブタジエン、耐衝撃性ポリスチレン、ポリ（ジクロロホスファゼン））が挙げられる。いくつかの実施の形態において、その高分子系部分は、ゾルゲル材料を含むことがある。ポリウレタンの例示の実施の形態としては、熱硬化性ポリウレタン、例えば、Ｉｎｃｏｒｅｚから入手できるＤｉｓｐｕｒｅｚ １０２および熱可塑性ポリウレタン、例えば、Ｈｕｎｔｓｍａｎから入手できるＫｒｙｓｔａｌＦｌｅｘ ＰＥ５０５が挙げられる。またさらなる実施の形態において、第２の部分は、エチレン酸共重合体を含み得る。エチレン酸共重合体の例示の実施の形態としては、Ｄｏｗから入手できるＳＵＲＬＹＮ（例えば、Ｓｕｒｌｙｎ ＰＣ－２０００、Ｓｕｒｌｙｎ ８９４０、Ｓｕｒｌｙｎ ８１５０）が挙げられる。第２の部分の追加の例示の実施の形態としては、１質量％から２質量％の架橋剤を含む、Ａｘａｌｔａから入手できるＥｌｅｇｌａｓｓ ｗ８０２－ＧＬ０４４が挙げられる。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、ナノ粒子、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、シリカナノ粒子、または高分子から作られたナノ粒子をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分は、高分子・繊維複合体を形成するために繊維をさらに含み得る。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し得る。ここに用いられているように、熱膨張係数は、－２０℃と４０℃の間でＰｉｃｏｓｃａｌｅ Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒを使用して、ＡＳＴＭ Ｅ２８９－１７にしたがって測定される。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、酸化銅、β石英、タングステン酸塩、バナジウム酸塩、ピロリン酸塩、および／またはニッケルチタン合金の内の１つ以上の粒子を含み得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約－２０×１０－７１／℃以上、約－１０×１０－７１／℃以上、約－５×１０－７１／℃以上、約－２×１０－７１／℃以上、約１０×１０－７１／℃以下、約５×１０－７１／℃以下、約２×１０－７１／℃以下、約１×１０－７１／℃以下、または０ １／℃以下のＣＴＥを有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約－２０×１０－７１／℃から約１０×１０－７１／℃、約－２０×１０－７１／℃から約５×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から約－５×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から約２×１０－７１／℃、約－１０×１０－７１／℃から０ １／℃、約－５×１０－７１／℃から約０ １／℃、約－２×１０－７１／℃から約０ １／℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内のＣＴＥを有し得る。低い（例えば、負の）熱膨張係数を有する高分子系部分を設けることにより、高分子系部分の硬化中の体積変化により生じる反りを軽減することができる。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約０．０１メガパスカル（ＭＰａ）以上、約１ＭＰａ以上、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以上、約２００ＭＰａ以上、約１，０００ＭＰａ以上、約５，０００ＭＰａ以下、約３，０００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、約５００ＭＰａ以下、または約２００ＭＰａ以下の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、約０．００１ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約５００ＭＰａ、約０．０１ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約２００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約２００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約２００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約５，０００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３，０００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約１，０００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の弾性率を有し得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、約１ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１ＧＰａから約１８ＧＰａ、約１ＧＰａから約１０ＧＰａ、約１ＧＰａから約５ＧＰａ、約１ＧＰａから約３ＧＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。高分子系部分２４１に約０．０１ＭＰａから約３，０００ＭＰａの範囲内（例えば、約２０ＭＰａから約３ＧＰａの範囲内）の弾性率を与えることによって、破損しない折り畳み式装置の折り畳みを促進することができる。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の弾性率より大きい弾性率を有し、この構成により、穿刺抵抗の性能が改善される。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の弾性率よりも小さいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、この段落において先に挙げた範囲内の弾性率を有することがある。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１は、高分子系部分２４１の弾性率と実質的に同じ弾性率を有することがある。さらなる実施の形態において、接着剤層２６１の弾性率は、約１ＧＰａから約２０ＧＰａ、約１ＧＰａから約１８ＧＰａ、約１ＧＰａから約１０ＧＰａ、約１ＧＰａから約５ＧＰａ、約１ＧＰａから約３ＧＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、第１の部分２２１、４２１、または８２１の弾性率より小さいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の弾性率は、第２の部分２３１、４３１、または８３１の弾性率より小さいことがあり得る。
図２～５および１１～１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６または４０７の第１の主面２０３を覆って、コーティング２５１を配置することができる。さらなる実施の形態において、コーティング２５１は、第１の部分２２１または４２１、第２の部分２３１または４３１、および中央部分２８１または４８１を覆って配置することができる。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１は、第３の主面２５３および第３の主面２５３と反対にある第４の主面２５５を有し得る。さらなる実施の形態において、コーティング２５１（例えば、第４の主面２５５）は、折り畳み式基板２０６または４０７（例えば、第１の主面２０３または４０３）と接触し得る。さらなる実施の形態において、コーティング２５１の少なくとも一部は、第１の凹部２３４または４３４中に位置付けることができる。またさらなる実施の形態において、コーティング２５１は、第１の凹部２３４または４３４を満たすことができる。さらなる実施の形態において、コーティング２５１は、第３の主面２５３と第４の主面２５５との間に規定されたコーティング厚さ２５７を有し得る。さらなる実施の形態において、コーティング厚さ２５７は、約０．１μｍ以上、約１μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１５μｍ以上、約２０μｍ以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約５０μｍ以上、約６０μｍ以上、約７０μｍ以上、約８０μｍ以上、約９０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下、約３０μｍ以下、約２５μｍ以下、約２０μｍ以下、約２０μｍ以下、約１５μｍ以下、または１０約μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、コーティング厚さ２５７は、約０．１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約２００μｍ、約１０μｍから約２００μｍ、約５０μｍから約２００μｍ、約０．１μｍから約１００μｍ、約１μｍから約１００μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約２０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約４０μｍから約１００μｍ、約５０μｍから約１００μｍ、約６０μｍから約１００μｍ、約７０μｍから約１００μｍ、約８０μｍから約１００μｍ、約９０μｍから約１００μｍ、約０．１μｍから約５０μｍ、約１μｍから約５０μｍ、約１０μｍから約５０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、コーティング厚さ２５７は、約０．１μｍから約５０μｍ、約０．１μｍから約３０μｍ、約０．１μｍから約２５μｍ、約０．１μｍから約２０μｍ、約０．１μｍから約１５μｍ、約０．１μｍから約１０μｍ、約１μｍから約３０μｍ、約１μｍから約２５μｍ、約１μｍから約２０μｍ、約１μｍから約１５μｍ、約１μｍから約１０μｍ、約５μｍから約３０μｍ、約５μｍから約２５μｍ、約５μｍから約２０μｍ、約５μｍから約１５μｍ、約５μｍから約１０μｍ、約１０μｍから約３０μｍ、約１０μｍから約２５μｍ、約１０μｍから約２０μｍ、約１０μｍから約１５μｍ、約１５μｍから約３０μｍ、約１５μｍから約２５μｍ、約１５ｍから約２０μｍ、約２０μｍから約３０μｍ、約２０μｍから約２５μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分および／または接着剤層は、降伏歪みを有し得る。第１の凹部を第２の凹部の反対に設けることによって、凹部中の高分子系部分または他の材料（例えば、接着剤層）が経験する歪みを減少させることができる（例えば、０％から５０％の減少）。その結果、高分子系部分の降伏歪みの要件を緩和することができる。いくつかの実施の形態において、高分子系部分および／または接着剤層の降伏歪みは、約３％以上、約４％以上、約５％以上、約６％以上、約７％以上、約５００％以下、約１００％以下、約５０％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約９％以下、または約８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、高分子系部分および／または接着剤層の降伏歪みは、約１％から約５００％、約１％から約１００％、約２％から約１００％、約２％から約５０％、約３％から約５０％、約３％から約２０％、約４％から約２０％、約４％から約１５％、約５％から約１５％、約５％から約１０％、約５％から約９％、約６％から約９％、約６％から約８％、約７％から約８％の範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
いくつかの実施の形態において、コーティング２５１は、高分子硬質コーティングを構成し得る。さらなる実施の形態において、この高分子硬質コーティングは、エチレン酸共重合体、ポリウレタン系高分子、アクリル樹脂、およびメルカプトエステル樹脂の内の１つ以上から作られ得る。エチレン酸共重合体の例示の実施の形態としては、エチレンアクリル酸共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体、エチレンアクリルメタクリル酸三元重合体（例えば、ＤｕＰｏｎｔにより製造されている、Ｎｕｃｒｅｌ）、エチレン酸共重合体のイオノマー（例えば、ＤｕＰｏｎｔにより製造されている、Ｓｕｒｌｙｎ）、およびエチレンアクリル酸共重合体アミンディスパージョン（例えば、ＢＹＫにより製造されている、Ａｑｕａｃｅｒ）が挙げられる。ポリウレタン系高分子の例示の実施の形態としては、水性変性ポリウレタンディスパージョン（例えば、Ａｘａｌｔａにより製造されている、Ｅｌｅｇｌａｓ（登録商標））が挙げられる。紫外線硬化性であり得るアクリル樹脂の例示の実施の形態としては、アクリル樹脂（例えば、Ａｌｌｉｎｅｘにより製造されている、Ｕｖｅｋｏｌ（登録商標）樹脂）、シアノアクリレート接着剤（例えば、Ｋｒａｙｄｅｎにより製造されている、Ｐｅｒｍａｂｏｎｄ（登録商標））、およびＵＶラジカルアクリル樹脂（例えば、Ｕｌｔｒａｂｏｎｄフロントガラス修復樹脂、例えば、Ｕｌｔｒａｂｏｎｄ（４５ＣＰＳ））が挙げられる。メルカプトエステル樹脂の例示の実施の形態としては、メルカプトエステルトリアリルイソシアヌレート（例えば、Ｎｏｒｌａｎｄ光学接着剤ＮＯＡ ６１）が挙げられる。さらなる実施の形態において、高分子硬質コーティングは、エチレンアクリル酸共重合体およびエチレンメタクリル酸共重合体を含み得、これは、典型的に、アルカリ金属イオン、例えば、ナトリウムおよびカリウムのイオン、また亜鉛によるカルボン酸残基の中和によって、イオノマー樹脂を形成するようにイオノマー化されることがある。そのようなエチレンアクリル酸イオノマーおよびエチレンメタクリル酸イオノマーは、水中に分散され、基板上に被覆されて、イオノマーコーティングを形成することがある。あるいは、そのような酸共重合体は、アンモニアにより中和されることがあり、これは、被覆および乾燥の後に、アンモニアを遊離して、コーティングとして酸共重合体を再形成する。高分子コーティングから作られたコーティングを設けることにより、折り畳み式装置は、低エネルギー破壊を有し得る。
いくつかの実施の形態において、前記コーティングは、光学的に透明な高分子ハードコート層を含む高分子硬質コーティングを構成し得る。光学的に透明な高分子ハードコート層に適した材料としては、以下に限られないが、硬化アクリル樹脂材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート、シロキサン系ハイブリッド材料、およびナノ複合材料、例えば、ナノシリケートを有するエポキシおよびウレタン材料が挙げられる。いくつかの実施の形態において、光学的に透明な高分子ハードコート層は、これらの材料の１種類以上から実質的になることがある。いくつかの実施の形態において、光学的に透明な高分子ハードコート層は、これらの材料の１種類以上からなることがある。ここに用いられているように、「無機有機ハイブリッド高分子材料」は、無機成分と有機成分を有する単量体から作られた高分子材料を意味する。無機有機ハイブリッド高分子は、無機基と有機基を有する単量体の間の重合反応によって得られる。無機有機ハイブリッド高分子は、別々の無機と有機の成分または相、例えば、有機基質内に分散した無機微粒子を含むナノ複合材料ではない。より具体的に、光学的に透明な高分子（ＯＴＰ）ハードコート層に適した材料としては、以下に限られないが、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、および脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートが挙げられる。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、もしくは脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートから実質的になることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ポリイミド、有機高分子材料、無機有機ハイブリッド高分子材料、もしくは脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートからなることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ナノ複合材料を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、ナノシリケートと、エポキシおよびウレタン材料の少なくとも一方と含むことがある。そのようなＯＴＰハードコート層に適した組成物が、ここに全て引用により含まれる、米国特許出願公開第２０１５／０１１０９９０号明細書に記載されている。ここに用いられているように、「有機高分子材料」は、有機成分のみを有する単量体から作られた高分子材料を意味する。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、グンゼ株式会社により製造されている、９Ｈの硬度を有する有機高分子材料、例えば、グンゼの「Ｈｉｇｈｌｙ Ｄｕｒａｂｌｅ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｆｉｌｍ」から構成されることがある。ここに用いられているように、「無機有機ハイブリッド高分子材料」は、無機成分と有機成分を有する単量体から作られた高分子材料を意味する。無機有機ハイブリッド高分子は、無機基と有機基を有する単量体の間の重合反応によって得られる。無機有機ハイブリッド高分子は、別々の無機と有機の成分または相、例えば、有機基質内に分散した無機微粒子を含むナノ複合材料ではない。いくつかの実施の形態において、無機有機ハイブリッド高分子材料は、無機ケイ素系基を含む重合単量体、例えば、シルセスキオキサン高分子を含むことがある。シルセスキオキサン高分子は、例えば、以下の化学構造：（ＲＳｉＯ１．５）ｎを有するアルキル－シルセスキオキサン、アリール－シルセスキオキサン、またはアリールアルキル－シルセスキオキサンであることがあり、式中、Ｒは、有機基、例えば、以下に限られないが、メチルまたはフェニルである。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、有機基質と組み合わされたシルセスキオキサン高分子、例えば、日鉄ケミカル＆マテリアルにより製造されている、シルプラス（登録商標）から作られることがある。いくつかの実施の形態において、８Ｈ以上の硬度を有するＯＴＰハードコート層は、９０質量％から９５質量％の芳香族六官能性ウレタンアクリレート（例えば、Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．により製造されている、ＰＵ６６２ＮＴ（芳香族六官能性ウレタンアクリレート））および１０質量％から５質量％の光開始剤（例えば、Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎにより製造されている、Ｄａｒｏｃｕｒ（登録商標）１１７３）を含むことがある。いくつかの実施の形態において、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレートでできているＯＴＰハードコート層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上にその層を回転塗布し、ウレタンアクリレートを硬化させ、ＰＥＴ基板からウレタンアクリレート層を取り除くことによって、独立した層として形成されることがある。ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、１μｍから１５０μｍの範囲内のコーティング厚さ（例えば、コーティング厚さ２５７）を有することがある。例えば、コーティング厚さ（例えば、コーティング厚さ２５７）は、１０μｍから１４０μｍ、２０μｍから１３０μｍ、３０μｍから１２０μｍ、４０μｍから１１０μｍ、５０μｍから１００μｍ、６０μｍから９０μｍ、７０μｍから８０μｍ、２μｍから１４０μｍ、４μｍから１３０μｍ、６μｍから１２０μｍ、８μｍから１１０μｍ、１０μｍから１００μｍ、１０μｍから９０μｍ、１０μｍから８０ｍ、１０μｍから７０μｍ、１０μｍから６０μｍ、１０μｍから５０μｍの範囲内、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、単一のモノリス層であることがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、８０μｍから１２０μｍの範囲の厚さを有する無機有機ハイブリッド高分子材料層または有機高分子材料層であることがある。例えば、無機有機ハイブリッド高分子材料または有機高分子材料から作られたＯＴＰハードコート層は、８０μｍから１１０μｍ、９０μｍから１００μｍ、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内の厚さを有することがある。いくつかの実施の形態において、ＯＴＰハードコート層は、部分的範囲を含む、１０μｍから６０μｍの範囲の厚さを有する脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート材料層であることがある。例えば、脂肪族または芳香族六官能性ウレタンアクリレート材料から作られたＯＴＰハードコート層は、１０μｍから５５μｍ、１０μｍから５０μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから４５μｍ、１０μｍから４０μｍ、１０μｍから３５μｍ、１０μｍから３０μｍ、１０μｍから２５μｍ、１０μｍから２０μｍ、または端点としてこれらの値の内の任意の２つを有する範囲内の厚さを有することがある。
いくつかの実施の形態において、コーティング２５１は、設けられた場合、洗浄し易いコーティング、低摩擦コーティング、油分を弾くコーティング、ダイヤモンド様コーティング、耐引掻性コーティング、または耐摩耗性コーティングの１つ以上も含むことがある。耐引掻性コーティングは、酸窒化物、例えば、約５００マイクロメートル以上の厚さを有する酸窒化アルミニウムまたは酸窒化ケイ素から作られることがある。そのような実施の形態において、耐摩耗性層は、耐引掻性層と同じ材料から作られることがある。いくつかの実施の形態において、低摩擦コーティングは、高度にフッ素化されたシランカップリング剤、例えば、オキシメチル基がケイ素原子に結合したアルキルフルオロシランから作られることがある。そのような実施の形態において、洗浄し易いコーティングは、低摩擦コーティングと同じ材料から作られることがある。他の実施の形態において、洗浄し易いコーティングは、プロトン化可能な基、例えば、アミン、例えば、オキシメチル基がケイ素原子に結合したアルキルアミノシランから作られることがある。そのような実施の形態において、油分を弾くコーティングは、洗浄し易いコーティングと同じ材料から作られることがある。いくつかの実施の形態において、ダイヤモンド様コーティングは、炭素から作られ、炭化水素プラズマの存在下で高電位を印加することによって、作られることがある。
第１の凹部を第２の凹部の反対に設けることによって、第１の距離と第２の距離の合計だけ窪んだ表面を持つ単一の凹部と比べて、第１の凹部および／または第２の凹部中に位置付けられた材料の曲げ誘発歪みを減少させることができる。第１の凹部および／または第２の凹部中に位置付けられた材料の曲げ誘発歪みを減少させることによって、その材料の歪みの要件が減少したために、より幅広い材料を使用することが可能になる。例えば、第１の凹部内により硬いおよび／またはより剛性の材料（例えば、コーティング２５１）を位置付けることができ、これにより、折り畳み式装置の耐衝撃性、穿刺抵抗、耐摩耗性、および／または引っ掻き抵抗を改善することができる。それに加え、第１の凹部内に位置付けられた第１の材料（例えば、コーティング２５１）および第２の凹部内に位置付けられた第２の材料の性質を制御することによって、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の中立軸の位置を制御することができ、これにより、機械的不安定性、装置の疲労、および／または装置の破壊の発生率を低下させる（例えば、軽減する、なくす）ことができる。
図２および４に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１および４０１は、剥離ライナー２７１を含み得るが、さらなる実施の形態において、図示された剥離ライナー２７１よりむしろ、他の基板（例えば、本明細書を通じて述べられるガラス系基板および／またはセラミック系基板）が用いられることがある。図示されたような、さらなる実施の形態において、剥離ライナー２７１、または別の基板を、接着剤層２６１を覆って配置することができる。図示されたような、またさらなる実施の形態において、剥離ライナー２７１、または別の基板は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５と直接接触し得る。剥離ライナー２７１、または別の基板は、第１の主面２７３および第１の主面２７３と反対にある第２の主面２７５を有し得る。図から分かるように、剥離ライナー２７１、または別の基板は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５を剥離ライナー２７１の第１の主面２７３、または別の基板に取り付けることによって、接着剤層２６１上に配置することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、剥離ライナー２７１の第１の主面２７３、または別の基板は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、剥離ライナー２７１の第２の主面２７５、または別の基板は、平面を構成し得る。剥離ライナー２７１を含む基板は、紙および／または高分子から作ることができる。紙の例示の実施の形態としては、クラフト紙、マシン・フィニッシュド紙、ポリコート紙（例えば、高分子被覆、グラシン紙、シリコン処理紙）、またはクレーコート紙が挙げられる。高分子の例示の実施の形態としては、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ））およびポリオレフィン（例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ））が挙げられる。
図３、５、および１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置３０１、５０１、および１２０１は、表示装置３０７を備え得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、表示装置３０７は、接着剤層２６１を覆って配置することができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、表示装置３０７は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５に接触し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置３０１、５０１、および１２０１に似た折り畳み式装置の製造は、図２および４の折り畳み式装置１０１または４０１の剥離ライナー２７１を除去し、表示装置３０７を接着剤層２６１の第２の接触面２６５に取り付けることによって、行われることがある。あるいは、折り畳み式装置３０１は、表示装置３０７を接着剤層２６１の第２の接触面２６５に取り付ける前に、剥離ライナー２７１を除去する余計な工程を行わずに、例えば、剥離ライナー２７１が接着剤層２６１の第２の接触面２６５に施されていない場合、製造されることがある。表示装置３０７は、第１の主面３０３および第１の主面３０３と反対にある第２の主面３０５を有し得る。図から分かるように、表示装置３０７は、接着剤層２６１の第２の接触面２６５を表示装置３０７の第２の主面３０５に取り付けることによって、接着剤層２６１上に配置することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、表示装置３０７の第１の主面３０３は、平面を構成し得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、表示装置３０７の第１の主面３０３は、平面を構成し得る。表示装置３０７は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を含み得る。いくつかの実施の形態において、表示装置３０７は、携帯型電子機器、例えば、消費者向け電子製品、スマートフォン、タブレット、ウェアラブル機器、またはラップトップ型コンピュータの一部であり得る。
本開示の実施の形態は、消費者向け電子製品を含み得る。その消費者向け電子製品は、前面、背面、および側面を有し得る。この消費者向け電子製品は、筐体内に少なくとも部分的にある電気部品をさらに含み得る。その電気部品は、制御装置、メモリ、およびディスプレイを含み得る。このディスプレイは、筐体の前面に、またはそれに隣接してあり得る。消費者向け電子製品は、ディスプレイを覆って配置されたカバー基板を備え得る。いくつかの実施の形態において、筐体の一部またはカバー基板の少なくとも一方は、本開示を通じて述べられている折り畳み式装置を構成する。
ここに開示された折り畳み式装置は、別の物品、例えば、ディスプレイを有する物品（またはディスプレイ物品）（例えば、携帯電話、タブレット、コンピュータ、ナビゲーションシステム、ウェアラブル機器（例えば、腕時計）などを含む消費者向け電子機器）、建築物品、輸送物品（例えば、自動車、列車、航空機、船舶など）、電気器具物品、もしくはある程度の透明性、耐引掻性、耐摩耗性またはその組合せの恩恵を受けることのある任意の物品に組み込まれることがある。ここに開示された折り畳み式装置のいずれかを組み込んだ例示の物品が、図１３～１４に示されている。詳しくは、図１３～１４は、前面１３０４、背面１３０６、および側面１３０８を有する筐体１３０２；筐体内に少なくとも部分的にある、または完全に中にある、少なくとも制御装置、メモリ、および筐体の前面にまたはそれに隣接してあるディスプレイ１３１０を含む電気部品（図示せず）；およびディスプレイを覆ってあるように筐体の前面にまたはそれを覆ってあるカバー基板１３１２を含む消費者向け電子機器１３００を示す。いくつかの実施の形態において、カバー基板１３１２または筐体１３０２の一部の少なくとも一方は、ここに開示された折り畳み式装置、例えば、折り畳み式基板のいずれかを含むことがある。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板で構成することができ、第１の部分２２１、４２１、または８２１、第２の部分２３１、４３１、または８３１、および／または中央部分２８１、４８１、または８８１は、１つ以上の圧縮応力領域を含み得る。いくつかの実施の形態において、圧縮応力領域は、化学強化によって作られることがある。化学強化は、表面層内のイオンが、同じ価数または酸化状態を有するより大きいイオンにより置換される－すなわち交換される－イオン交換過程を含むことがある。化学強化する方法は、後述されている。理論で束縛されることは意図していないが、第１の部分２２１、４２１、または８２１、第２の部分２３１、４３１、または８３１、および／または中央部分２８１、４８１、または８８１を化学強化することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗（例えば、約１５センチメートル（ｃｍ）以上、約２０ｃｍ以上、約５０ｃｍ以上のペン落下高さの破損に抵抗する）を可能にすることができる。理論で束縛されることは意図していないが、第１の部分２２１、４２１、または８２１、第２の部分２３１、４３１、または８３１、および／または中央部分２８１、４８１、または８８１を化学強化すると、この化学強化により生じる圧縮応力が、基板の最表面の曲げ誘起引張応力に対抗できるので、小さい（例えば、約１０ｍｍより小さい）曲げ半径を可能にすることができる。圧縮応力領域は、圧縮深さと呼ばれる深さだけ、第１の部分および／または第２の部分の一部に延在することがある。ここに用いられているように、圧縮深さは、ここに記載された化学強化された基板および／または部分中の応力が圧縮応力から引張応力に変化する深さを意味する。圧縮深さは、イオン交換処理および測定される物品の厚さに応じて、圧縮応力計または散乱光偏光器（ＳＣＡＬＰ、ここに報告された値は、エストニア国のＧｌａｓｓｔｒｅｓｓ Ｃｏ．により製造されたＳＣＡＬＰ－５を使用して測定した）により測定することができる。基板および／または部分内の応力が、カリウムイオンを基板中に交換することによって生じている場合、圧縮深さを測定するために、圧縮応力計、例えば、ＦＳＭ－６０００（株式会社折原製作所（日本国））が使用される。特に明記のない限り、圧縮応力（表面ＣＳを含む）は、市販の機器、例えば、折原製作所により製造されたＦＳＭ－６０００を使用して圧縮応力計（ＦＳＭ）により測定される。表面応力測定は、ガラスの複屈折に関連する、応力光学係数（ＳＯＣ）の精密測定に依存する。特に明記のない限り、ＳＯＣは、その内容がここに全て引用される、「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient」と題する、ＡＳＴＭ基準Ｃ７７０－１６に記載されている、手順Ｃ（ガラスディスク法）にしたがって測定される。応力が、ナトリウムイオンを基板中に交換することによって生じており、測定される物品が約４００μｍより厚い場合、圧縮深さおよび中央張力（ＣＴ）を測定するために、ＳＣＡＬＰが使用される。基板および／または部分内の応力が、カリウムイオンとナトリウムイオンの両方をその基板および／または部分中に交換することによって生じており、測定される物品が約４００μｍより厚い場合、圧縮深さおよびＣＴは、ＳＣＡＬＰによって測定される。理論で束縛されることは意図されていないが、ナトリウムイオンの交換深さは圧縮深さを表し、一方で、カリウムイオンの交換深さは、圧縮応力の大きさの変化（しかし、圧縮から引張への応力の変化ではない）を表す。応力プロファイルのグラフ表示を導くために、屈折近視野（ＲＮＦ；ＲＮＦ法は、引用によりここに全て含まれる、「Systems and methods for measuring a profile characteristic of a glass sample」と題する米国特許第８８５４６２３号明細書に記載されている）法が使用されることもある。応力プロファイルのグラフ表示を導くために、ＲＮＦ法が利用される場合、ＳＣＡＬＰにより与えられる最大中央張力値が、ＲＮＦ法に利用される。ＲＮＦにより導かれる応力プロファイルのグラフ表示は、ＳＣＡＬＰ測定によって与えられる最大中央張力値に対して力平衡され、較正される。ここに用いられているように、「層の深さ（ＤＯＬ）」は、イオン（例えば、ナトリウム、カリウム）が基板および／または部分中に交換された深さを意味する。本開示を通じて、最大中央張力がＳＣＡＬＰにより直接測定できない場合（測定される物品が約４００μｍより薄い場合など）、最大中央張力は、基板の厚さと圧縮深さの２倍との間の差で割った、最大圧縮応力と圧縮深さの積により近似することができ、ここで、圧縮応力および圧縮深さは、ＦＳＭで測定される。
いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた第１の部分２２１、４２１、または８２１は、第１の表面区域２２３、４３２、または８２３から第１の圧縮深さまで延在し得る第１の表面区域２２３、４２３、または８２３での第１の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた第１の部分２２１、４２１、または８２１は、第２の表面区域２２５、４２５、または８２５から第２の圧縮深さまで延在し得る第２の表面区域２２５、４２５、または８２５での第２の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲であり得る。
さらなる実施の形態において、第１の圧縮深さは、第２の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。第１の厚さの約１％から約３０％の範囲にある第１の圧縮深さおよび／または第２の圧縮深さを含む第１のガラス系および／またはセラミック系部分から構成される第１の部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮応力領域は、第１の最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮応力領域は、第２の最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第１の最大圧縮応力および／または第２の最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１は、第１の圧縮応力領域および第１の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１は、第２の圧縮応力領域および第２の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有し得る。ここに用いられているように、１種類以上のアルカリ金属イオンの層の深さの１種類以上のアルカリ金属イオンは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、および／またはフランシウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第１の層の深さおよび／または第２の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１は、第１の引張応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その第１の引張応力領域は、第１の圧縮応力領域と第２の圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、第１の引張応力領域は、第１の最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の最大引張応力は、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約３０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以下、約８０ＭＰａ以下、または約６０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の最大引張応力は、約１０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約１０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約３０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約６０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１０ＭＰａから約１００ＭＰａの範囲内の第１の最大引張応力を提供することにより、下記に記載されるように、低エネルギー破壊を与えつつ、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１は、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み得る。ここに用いられているように、「酸化物基準」は、成分が、化合物中の非酸素成分が特定の酸化物形態か、または特定の酸化物形態が特定されない場合には、完全に酸化された酸化物に変換されたかのように測定されることを意味する。例えば、酸化物基準のナトリウム（Ｎａ）は、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）に関する量を称し、一方で、酸化物基準のカリウムは、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）に関する量を称する。それゆえ、成分は、その成分が「酸化物基準」の量で計数されるために、実際に、特定の酸化物形態または完全に酸化された酸化物形態にある必要はない。それゆえ、酸化物基準で濃度を計算する前に、特定の酸化物形態が特定されない場合、特定成分に関する「酸化物基準」の測定は、特定成分の非酸素元素を含む材料を、特定の酸化物形態または完全に酸化された酸化物に概念的に変換する工程を含む。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。理論で束縛されることは意図していないが、平均濃度のカリウムは、化学強化により導入されたカリウムおよび形成されたままの折り畳み式基板中のカリウムを含む。
いくつかの実施の形態において、第２のガラス系および／またはセラミック系部分から作られた第２の部分２３１、４３１、または８３１は、第３の表面区域２３３、４３３、または８３３から第３の圧縮深さまで延在し得る第３の表面区域２３３、４３３、または８３３での第３の圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、第２のガラス系および／またはセラミック系部分から作られた第２の部分２３１、４３１、または８３１は、第４の表面区域２３５、４３５、または８３５から第４の圧縮深さまで延在し得る第４の表面区域２３５、４３５、または８３５での第４圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、第３の圧縮深さは、第４の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さの約１％から約３０％の範囲にある第３の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さを含むガラス系および／またはセラミック系部分をから構成される第２の部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第３の圧縮応力領域は、第３の最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第４の圧縮応力領域は、第４の最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第３の最大圧縮応力および／または第４の最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１、４３１、または８３１は、第３の圧縮応力領域および第３の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１は、第４の圧縮応力領域および第４の圧縮層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第４の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての第３の層の深さおよび／または第４の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さ２１１、４１１、または８１１の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１、４３１、または８３１は、第２の引張応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、その第２の引張応力領域は、第３の圧縮応力領域と第４の圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、第２の引張応力領域は、第２の最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第２の最大引張応力は、約１０ＭＰａ以上、約２０ＭＰａ以上、約３０ＭＰａ以上、約１００ＭＰａ以下、約８０ＭＰａ以下、または約６０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第２の最大引張応力は、約１０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約１０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約１０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約２０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約２０ＭＰａから約６０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約１００ＭＰａ、約３０ＭＰａから約８０ＭＰａ、約３０ＭＰａから約６０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１０ＭＰａから約１００ＭＰａの範囲内の第２の最大引張応力を提供することにより、下記に記載されるように、低エネルギー破壊を与えつつ、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第２の部分２３１、４３１、または８３１は、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さは、第３の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮深さは、第４の圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最大圧縮応力は、第３の最大圧縮応力と等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の最大圧縮応力は、第４の最大圧縮応力と等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さは、１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さは、１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度は、カリウムの第２の平均濃度と実質的に等しくあり得る。
いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた中央部分２８１、４８１、または８８１は、第１の中央表面区域２０９、４０９、または８０９から第１の中央圧縮深さまで延在し得る第１の中央表面区域２０９、４０９、または８０９での第１の中央圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、ガラス系部分および／またはセラミック系部分から作られた中央部分２８１、４８１、または８８１は、第２の中央表面区域２１９、４１９、または８１９から第２の中央圧縮深さまで延在し得る第２の中央表面区域２１９、４１９、または８１９での第２の中央圧縮応力領域を含むことがある。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１％から約３０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１０％以上、例えば、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１５％から約２５％、約１５％から約２０％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
さらなる実施の形態において、第１の中央圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。中央厚さの約１％から約３０％の範囲にある第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さを含む第１のガラス系および／またはセラミック系部分から構成される中央部分を設けることにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の中央圧縮応力領域は、第１の中央最大圧縮応力を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の中央圧縮応力領域は、第２の中央最大圧縮応力を有し得る。さらなる実施の形態において、第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力は、約１００メガパスカル（ＭＰａ）以上、約３００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、約６００ＭＰａ以上、約７００ＭＰａ以上、約１，５００ＭＰａ以下、約１，２００ＭＰａ以下、約１，０００ＭＰａ以下、または約８００ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力は、約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａ、約１００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ、約３００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約５００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約６００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約１，０００ＭＰａ、約７００ＭＰａから約８００ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内にあり得る。約１００ＭＰａから約１，５００ＭＰａの範囲内の第１の中央最大圧縮応力および／または第２の中央最大圧縮応力を提供することにより、良好な耐衝撃性および／または穿刺抵抗を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１は、第１の中央圧縮応力領域および第１の中央の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１は、第２の中央圧縮応力領域および第２の中央の層の深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有し得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリイオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリイオンの第２の中央の層の深さの１種類以上のアルカリイオンは、カリウムを含む。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％以上、約５％以上、約１０％以上、約４０％以下、約３５％以下、約３０％以下、約２５％以下、または約２０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さは、約１％から約４０％、約１％から約３５％、約１％から約３０％、約１％から約２５％、約１％から約２０％、約５％から約３０％、約５％から約２５％、約５％から約２０％、約１０％から約３０％、約１０％から約２５％、約１０％から約２０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、中央厚さ２２７、４２７、または８２７の百分率としての１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１０％以下、例えば、約１％から約１０％、約１％から約８％、約３％から約８％、約５％から約８％、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍ以上、約１０μｍ以上、約３０μｍ以上、約５０μｍ以上、約２００μｍ以下、約１５０μｍ以下、約１００μｍ以下、または約６０μｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さおよび／または１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さは、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１５０μｍ、約１０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約１００μｍ、約３０μｍから約６０μｍ、約５０μｍから約６０μｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さおよび／または第３の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮深さおよび／または第４の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の層の深さおよび／または第３の層の深さは、第１の中央の層の深さより大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の層の深さおよび／または第４の層の深さは、第２の中央の層の深さより大きくあり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１は、中央引張応力領域を有することがある。いくつかの実施の形態において、その中央引張応力領域は、第１の中央圧縮応力領域と第２の中央圧縮応力領域との間に位置付けることができる。いくつかの実施の形態において、その中央引張応力領域は、中央最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、その中央最大引張応力は、約１２５ＭＰａ以上、約１５０ＭＰａ以上、約２００ＭＰａ以上、約３７５ＭＰａ以下、約３００ＭＰａ以下、または約２５０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、中央最大引張応力は、約１２５ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約２５０ＭＰａの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。約１２５ＭＰａから約３７５ＭＰａの範囲内の中央最大引張応力を提供することにより、小さい最小曲げ半径を可能にすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の最大引張応力は、第２の最大引張応力と実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の最大引張応力および第２の最大引張応力は、中央最大引張応力より小さいことがあり得る。中央部分における中央最大引張応力より小さい第１の最大引張応力および第２の最大引張応力を提供することにより、低エネルギー破壊を可能にすることができると同時に、より小さい最小曲げ半径を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、中央最大引張応力と第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力との間の絶対差は、０ＭＰａ以上、約１ＭＰａ以上、約５ＭＰａ以上、約５０ＭＰａ以下、約２０ＭＰａ以下、約１０ＭＰａ以下、または約８ＭＰａ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央最大引張応力と第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力との間の絶対差は、０ＭＰａから約５０ＭＰａ、約１ＭＰａから約５０ＭＰａ、約１ＭＰａから約２０ＭＰａ、約５ＭＰａから約２０ＭＰａ、約５ＭＰａから約１０ＭＰａ、約５ＭＰａから約８ＭＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
いくつかの実施の形態において、第１の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さと実質的に等しいことがあり得る。またさらなる実施の形態において、第３の圧縮深さは、第１の中央圧縮深さと実質的に等しいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しいことがあり得る。またさらなる実施の形態において、第４の圧縮深さは、第２の中央圧縮深さと実質的に等しいことがあり得る。先に述べたように、中央厚さは基板厚さより小さいことがあり得（例えば、約０．５％から約１３％の範囲で）、これにより、第１の部分、第２の部分、および中央部分に関する圧縮深さが実質的に同じであることがあっても、中央最大中央張力を第１の最大中央張力および第２の最大中央張力より大きくすることができる。
いくつかの実施の形態において、第１の移行部分（例えば、第１の移行部分８５３）および／または第２の移行部分は、移行引張応力領域を含み得る。この移行引張応力領域は、移行最大引張応力を有し得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、約１２５ＭＰａ以上、約１５０ＭＰａ以上、約２００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以下、約３７５ＭＰａ以下、約３００ＭＰａ以下、または約２５０ＭＰａ以下であり得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、約１２５ＭＰａから約５００ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１２５ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約３００ＭＰａ、約１５０ＭＰａから約２５０ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３７５ＭＰａ、約２００ＭＰａから約３００ＭＰａ、約２００ＭＰａから約２５０ＭＰａの範囲、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、中央最大引張応力より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力より大きいことがあり得る。中央最大引張応力より大きい移行最大引張応力を提供することによって、折り畳み中の第１の部分または第２の部分と第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力よりも大きい移行最大引張応力を提供することによって、折り畳み中の中央部分と、第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。
いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１は、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、約１０百万分率（ｐｐｍ）以上、約５０ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以上、約１，０００ｐｐｍ以上、約２，０００ｐｐｍ以上、約３００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、約５０，０００ｐｐｍ以下、約２０，０００ｐｐｍ以下、約１０，０００ｐｐｍ以下、または約５，０００ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、約１０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約３００，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍ、約５００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約１，０００ｐｐｍから約２０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約２，０００ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
折り畳み式基板（例えば、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７）は、様々なタイプの機械的不安定性に曝され得る。本開示を通じて、機械的不安定性は、局部機械的不安定性並びに全体機械的不安定性を含む。ここに用いられているように、局部機械的不安定性は、全体として表面をゆがめずに、例えば、座屈および／またはしわなく、表面（例えば、第１の中央表面区域）の面からの偏差（例えば、複数の偏差）として現れる。ここに用いられているように、全体機械的不安定性は、面からの全表面の歪み、例えば、反りとして現れる。図５４に示されるように、横軸５４０１（例えば、Ｘ軸）は中央厚さ（例えば、中央厚さ２２７、４２７、または８２７）を構成し、縦軸５４０３（例えば、Ｙ軸）は基板厚さ２１１、４１１、または８１１を構成する。図５４にプロットされた形状は、その位置での中央厚さと基板厚さの組合せに観察された機械的不安定性の１つ（または複数）のタイプに対応する。菱形５４０９は座屈に対応する。円形５４０７は座屈としわに対応する。三角形５４１３は反りとしわに対応する。正方形５４１１は反りに対応する。曲線５４０４および５４０５は、局部不安定性が生じる中央厚さと基板厚さの組合せとは対照的に、広い不安定性（例えば、反り）のみが生じる中央厚さと基板厚さの組合せを区切るものである。曲線５４０５は、基板厚さが、中央厚さの約４倍から７１マイクロメートルを減算したものより大きい場合に、局部不安定性が観察されるであろうことを示す線である。より詳しくは、曲線５４０５は、基板厚さが、中央厚さの約４．１倍から７１．３７マイクロメートルを減算したものより大きい場合に、局部不安定性が観察されるであろうことを示す。曲線５４０４および５４０５は、より薄い折り畳み式基板（曲線５４０４および／または５４０５より上）が被ったいくつかの不安定性（例えば、局部機械的不安定性）は、より厚い折り畳み式基板（曲線５４０４および／または５４０５より下）が被ったいくつかの不安定性と異なり得ることを示す。
折り畳み式基板の一部（例えば、中央部分）の臨界歪み（例えば、臨界座屈歪み）を超えた場合、機械的不安定性（例えば、局部機械的不安定性）の兆候が生じるであろう。例えば、２０ｍｍの中央部分８８１の幅を有する図８の折り畳み式基板８０７に似た中央部分の臨界座屈歪みは、中央厚さの二乗を１０６倍したものから中央厚さの２３倍を減算したものに０．０００６を加算することによって、近似することができる。例えば、理論で束縛されることは意図していないが、３０μｍの中央厚さ８２７を有する図８の折り畳み式基板８０７に似た中央部分の臨界座屈歪みは、中央部分８８１の幅の二乗で除算された３×１０－７により近似することができる。
折り畳み式基板を化学強化することにより生じた折り畳み式基板の中央部分の化学強化により誘発された圧縮歪みは、ネットワーク膨張係数(the network dilation coefficient)（Ｂ）、濃度差（Ｃ）、および中央厚さで除算された中央部分の層の深さと、基板厚さで除算された第１の部分（または第２の部分）の層の深さとの間の差の積に比例し得る。いくつかの実施の形態において、中央部分の化学強化により誘発された圧縮歪みの圧縮歪みは、濃度差を最小にすることにより、および／または中央厚さで除算された中央部分の層の深さと、基板厚さで除算された第１の部分（または第２の部分）の層の深さとの間の差を最小にすることにより、減少させる（例えば、臨界座屈歪みより低いレベルまで）ことができる。ここに用いられているように、ネットワーク膨張係数は、基板中に交換された１種類以上のアルカリイオンの濃度の増加の結果として（例えば、化学強化の結果として）、折り畳み式基板（例えば、第１の部分、第２の部分、中央部分）の体積がどれだけ膨張するかを称する。いくつかの実施の形態において、第１の部分のネットワーク膨張係数および／または第２の部分のネットワーク膨張係数は、例えば、第１の部分および／または第２の部分および中央部分の全てが、化学強化前に同じ材料から作られている場合、中央部分のネットワーク膨張係数と実質的に等しくあり得る。
ここに用いられているように、ある部分の濃度差は、その部分の表面での濃度と、その部分の内部の濃度との間の差を称する。特に明記のない限り、濃度および濃度差は、化学強化および／または圧縮応力領域に関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を称する。いくつかの実施の形態において、濃度および／または濃度差は、酸化物基準のカリウムの濃度を称し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分の内部の濃度および／または第２の部分の内部の濃度は、例えば、第１の部分および／または第２の部分および中央部分が、化学強化前に同じ材料から作られている場合、および／またはある部分の層の深さが、対応する部分の厚さの約４５％未満である場合、中央部分の内部の濃度と実質的に等しくあり得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分の酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度は、第１の部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の部分の酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度は、第２の部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。いくつかの実施の形態において、中央部分の酸化物基準のカリウムの中央平均濃度は、中央部分の内部における酸化物基準のカリウムの濃度より大きくあり得る。
ここに用いられているように、複数の部分の間の濃度差は、ある平均濃度と、別の平均濃度との間の差を意味する。特に明記のない限り、濃度および濃度差は、化学強化および／または圧縮応力領域に関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度を称する。いくつかの実施の形態において、濃度および／または濃度差は、酸化物基準のカリウムの濃度を称し得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍ以上、約１０ｐｐｍ以上、約２０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約７０ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以下、約２００ｐｐｍ以下、約１００ｐｐｍ以下、または約８５ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約８５ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍ以上、約１０ｐｐｍ以上、約２０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約７０ｐｐｍ以上、約５００ｐｐｍ以下、約２００ｐｐｍ以下、約１００ｐｐｍ以下、または約８５ｐｐｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、約１ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約２００ｐｐｍ、約２０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約１００ｐｐｍ、約７０ｐｐｍから約８５ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、平均濃度間の絶対差が約７５ｐｐｍ以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第１の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、７０ｐｐｍ未満、例えば、約０．１ｐｐｍから約６０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約５０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約４０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約３０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約１ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、酸化物基準のカリウムの第２の平均濃度と、酸化物基準のカリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、７０ｐｐｍ未満、例えば、約０．１ｐｐｍから約５０ｐｐｍ、約０．１ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約２０ｐｐｍ、約０．５ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約１ｐｐｍから約１０ｐｐｍ、約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。酸化物基準のカリウムの、第１の平均濃度および／または第２の平均濃度と、中央平均濃度との間に絶対差を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の層の深さと、中央厚さで除算された第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．０８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、基板厚さで除算された第１の部分または第２の部分に関連する層の深さと、中央厚さで除算された中央部分に関連する層の深さとの間の絶対差が約０．０７５％以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、０．０７％未満、例えば、約０．００１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０５％、約０．０１％から約０．０２％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さで除算された第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、および／または第４の層の深さと、中央厚さで除算された第１の中央の層の深さおよび／または第２の中央の層の深さとの間の絶対差（例えば、カリウムの層の深さ）を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
圧縮深さは、対応する層の深さに比例し得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第３の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第２の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％以上、約０．００２％以上、約０．００５％以上、約１％以下、約０．２％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、または約０．００８％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約０．００１％から約１％、約０．００２％から約１％、約０．００２％から約０．２％、約０．００５％から約０．２％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．１％、約０．００５％から約０．０５％、約０．００５％から約０．０１％、約０．００５％から約０．００８％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、化学強化により誘発された歪みは、基板厚さで除算された第１の部分または第２の部分に関連する圧縮深さと、中央厚さで除算された中央部分に関連する圧縮深さとの間の絶対差が約０．０７５％以下である場合、３０μｍの中央厚さおよび２０ｍｍの中央幅を有する折り畳み式基板について、臨界座屈歪みより小さくあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さで除算された第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、０．０７％未満、例えば、約０．００１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０７％、約０．０１％から約０．０５％、約０．０１％から約０．０２％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。基板厚さで除算された第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、および／または第４の圧縮深さと、中央厚さで除算された第１の中央圧縮深さおよび／または第２の中央圧縮深さとの間の絶対差を設けることにより、化学強化により誘発された歪みを減少させる（例えば、臨界座屈歪み未満に）、および／または折り畳み式基板および／または折り畳み式装置における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。 いくつかの実施の形態において、化学強化により誘発された歪みおよび／または応力を、折り畳み式基板の光学的遅れプロファイルに観察することができる。ここに用いられているように、光学的遅れプロファイルは、折り畳み式基板を通る約５５３ｎｍの光波長を有する緑色ＬＥＤから放出された光を検出するグレーフィールド旋光計を使用して測定される。理論で束縛されることは意図していないが、光学的遅れにおける空間的差異は、例えば、応力誘起複屈折として、折り畳み式基板における応力の差（例えば、面内歪み）に対応し得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分と第２の部分との中間の中心線に沿った中央部分の光学的遅れ、その中心線に沿った光学的遅れの最大値とその中心線に沿った光学的遅れの最小値との間の絶対差は、約０．１ｎｍ以上、約０．５ｎｍ以上、約１ｎｍ以上、約３ｎｍ以下、約２ｎｍ以下、または約１．５ｎｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中心線に沿った光学的遅れの最大値とその中心線に沿った光学的遅れの最小値との間の絶対差は、約０．１ｎｍから約３ｎｍ、約０．１ｎｍから約２ｎｍ、約０．５ｎｍから約２ｎｍ、約０．５ｎｍから約１．５ｎｍ、約１ｎｍから約１．５ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１の光学的遅れと、第１の部分２２１、４２１、または８２１および／または第２の部分２３１、４３１、または８３１の最小光学的遅れとの間の最大差は、約０．１ｎｍ以上、約０．５ｎｍ以上、約１ｎｍ以上、約２ｎｍ以上、約３ｎｍ以上、約８ｎｍ以下、約６ｎｍ以下、約５ｎｍ以下、または約４ｎｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、中央部分２８１、４８１、または８８１の光学的遅れと、第１の部分２２１、４２１、または８２１および／または第２の部分２３１、４３１、または８３１の最小光学的遅れとの間の最大差は、約０．１ｎｍから約８ｎｍ、約０．１ｎｍから約６ｎｍ、約０．５ｎｍから約６ｎｍ、約０．５ｎｍから約５ｎｍ、約１ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約５ｎｍ、約２ｎｍから約４ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。例えば、中央部分２８１、４８１、または８８１の光学的遅れと、第１の部分２２１、４２１、または８２１および／または第２の部分２３１、４３１、または８３１の最小光学的遅れとの間の最大差が約４．６ｎｍ以下である場合、約３０μｍの中央厚さを有する折り畳み式基板は、機械的不安定性を避けることができる。例えば、中央部分２８１、４８１、または８８１の光学的遅れと、第１の部分２２１、４２１、または８２１および／または第２の部分２３１、４３１、または８３１の最小光学的遅れとの間の最大差が約５．９ｎｍ以下である場合、約４０μｍの中央厚さを有する折り畳み式基板は、機械的不安定性を避けることができる。
いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１は、光学的に透明であり得る。高分子系部分２４１は、第１の屈折率を有し得る。この第１の屈折率は、光学的に透明な接着剤を通過する光の波長の関数であることがある。第１の波長の光について、材料の屈折率は、真空中の光の速度と、対応する材料中の光の速度との間の比として定義される。理論で束縛されることは意図していないが、光学的に透明な接着剤の屈折率は、第１の角度のサイン対第２の角度のサインの比を使用して決定することができ、この第１の波長の光は、第１の角度で、光学的に透明な接着剤の表面に空気から入射し、第２の角度で光学的に透明な接着剤の表面で屈折して、光学的に透明な接着剤内に光を伝搬させる。第１の角度と第２の角度の両方とも、光学的に透明な接着剤の表面の法線に対して測定される。ここに用いられているように、屈折率は、ＡＳＴＭ Ｅ１９６７－１９にしたがって測定され、ここで、第１の波長は５８９ｎｍを含む。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の第１の屈折率は、約１以上、約１．３以上、約１．４以上、約１．４５以上、約１．４９以上、約３以下、約２以下、約１．７以下、約１．６以下、または約１．５５以下であることがある。いくつかの実施の形態において、高分子系部分２４１の第１の屈折率は、約１から約３、約１から約２、約１から約１．７、約１．３から約１．７、約１．４から約１．７、約１．４から約１．６、約１．４５から約１．５５、約１．４９から約１．５５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７は、第２の屈折率を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率は、約１以上、約１．３以上、約１．４以上、約１．４５以上、約１．４９以上、約３以下、約２以下、約１．７以下、約１．６以下、または約１．５５以下であることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率は、約１から約３、約１から約２、約１から約１．７、約１．３から約１．７、約１．４から約１．７、約１．４から約１．６、約１．４５から約１．５５、約１．４９から約１．５５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率と、高分子系部分２４１の第１の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、第３の屈折率を有し得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率に関して先に述べた範囲の内の１つ以上の範囲内にあり得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率と、高分子系部分２４１の第１の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率と、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率との間の差の絶対値と等しい差異は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差異は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内である。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１の第３の屈折率は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、コーティング２５１は第４の屈折率を有し得る。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率について上述した範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率と、高分子系部分２４１の第１の屈折率との間の差の絶対値と等しい差は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、高分子系部分２４１の第１の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率と、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率との間の差の絶対値と等しい差は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の屈折率より小さいことがある。
いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率と、接着剤層２６１の第３の屈折率との間の差の絶対値と等しい差は、約０．１以下、約０．０７以下、約０．０５以下、約０．００１以上、約０．０１以上、または約０．０２以上であり得る。いくつかの実施の形態において、その差は、約０．００１から約０．１、約０．００１から約０．０７、約０．００１から約０．０５、約０．０１から約０．１、約０．０１から約０．０７、約０．０１から約０．０５、約０．０２から約０．１、約０．０２から約０．０７、約０．０２から約０．０５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、接着剤層２６１の第３の屈折率より大きいことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング２５１の第４の屈折率は、接着剤層２６１の第３の屈折率より小さいことがある。
折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、低エネルギー破壊または高エネルギー破壊と記載することができる破壊モードを有することがある。折り畳み式基板の破壊モードは、図１０の平行板装置１００１を使用して測定することができる。有効最小曲げ半径について下記に記載されるように、目標平行板距離１００７が達成されるまで、平行な剛性ステンレス鋼板１００３、１００５を、５０μｍ／秒の速度で共に動かす。目標平行板距離１００７は、４ｍｍ、または折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の有効最小曲げ半径の２倍の大きい方である。次に、炭化タングステン製の鋭い接触プローブを、折り畳み式基板２０６の最も外側の外周面から３０ｍｍの距離１００９にある衝撃位置１０１１で折り畳み式基板２０６に衝突させる。ここに用いられているように、粒子が、１メートル毎秒（ｍ／ｓ）以上で破砕中に折り畳み式基板２０６から放出され、その破砕により、２を超える亀裂の枝分かれを生じた場合、破砕は高エネルギーである。ここに用いられているように、破砕により、２以下の亀裂の枝分かれしか生じないか、または１ｍ／ｓ以上で、破砕中に折り畳み式基板２０６から粒子が放出されない場合、破砕は低エネルギーである。放出された粒子の平均速度は、鋭い接触プローブが衝撃位置に接触したときから、その後の５，０００ミリ秒まで、折り畳み式基板の高速ビデオを記録することによって、測定されることがある。
図９および１１～１２は、折り畳み形態にある本開示の実施の形態による試験用折り畳み式装置１１０２および／または折り畳み式装置１２０１のいくつかの実施の形態を概略示す。図１１に示されるように、試験用折り畳み式装置１１０２は、折り畳み式基板２０６の第２の主面２０５が折り畳まれた試験用折り畳み式装置１１０２の内側にあるように折り畳まれている。図１１に示された折り畳み形態において、ユーザは、折り畳み式基板２０６を通じてＰＥＴシート１１０７の代わりに表示装置３０７を視聴し、それゆえ、第２の主面２０５の側に位置しているであろう。図１２に示されるように、折り畳み式装置４０１は、折り畳み式基板４０７の第２の主面４０５が折り畳まれた折り畳み式装置１２０１の外側にあるように折り畳まれている。図１２において、ユーザは、折り畳み式基板４０７を通じて表示装置３０７を視聴し、それゆえ、第２の主面２０５の側に位置しているであろう。図１１～１２に示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、試験用折り畳み式装置１１０２または折り畳み式装置１２０１（例えば、第１の主面２０３または４０３、第１の中央表面区域２０９または４０９）を覆って配置されたコーティング２５１を含み得る。さらなる実施の形態において、ユーザは、そのコーティングを通じて、表示装置３０７を視聴するであろう。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、高分子系部分２４１および／または接着剤層２６１は、追加の基板（例えば、剥離ライナー２７１またはＰＥＴシート１１０７の代わりにガラス系基板および／またはセラミック系基板）を覆って配置することができ、その追加の基板を、表示装置３０７を覆って配置することができる。
ここに用いられているように、「折り畳み式」は、完全な折り畳み、ある程度の折り畳み、曲げ、屈曲、または多数の機能性を含む。ここに用いられているように、「破損する」、「破損」などの用語は、折損、破壊、剥離、または亀裂伝搬を称する。折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り「Ｘ」半径に保持されたときに破損に抵抗した場合、「Ｘ」の有効曲げ半径を達成する、または「Ｘ」の有効曲げ半径を有する、または「Ｘ」の有効曲げ半径を備える。同様に、折り畳み式装置は、折り畳み式装置が、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り「Ｘ」の平行板距離に保持されたときに破損に抵抗した場合、「Ｘ」の平行板距離を達成する、または「Ｘ」の平行板距離を有する、または「Ｘ」の平行板距離を備える。
ここに用いられているように、折り畳み式装置の「有効最小曲げ半径」および「平行板距離」は、第１の 剛性ステンレス鋼板１１０３および第２の剛性ステンレス鋼板１１０５から構成された一対の平行な剛性ステンレス鋼板１１０３、１１０５を備えた平行板装置１１０１（図１１参照）を使用した、以下の試験構成および過程により測定される。「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定する場合、試験用接着剤層１１０９は、５０μｍの厚さを有する（例えば、図２～５における接着剤層２６１の代わりに）。「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定する場合、試験は、図２および４の剥離ライナー２７１または図３および５に示された表示装置３０７ではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート１１０７に行われる。それゆえ、折り畳み式装置のある形態の「有効最小曲げ半径」または「平行板距離」を測定するための試験中、試験用折り畳み式装置１１０２は、図２および４の剥離ライナー２７１または図３および５に示された表示装置３０７ではなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート１１０７を使用することにより、製造される。試験用折り畳み式装置１１０２を調製するときに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の１００μｍ厚のシート１１０７を、剥離ライナー２７１を、図２および４に示されるように接着剤層２６１の第２の接触面２６５に貼り付ける、または表示装置３０７を、図３および５に示されるように接着剤層２６１の第２の接触面２６５に貼り付けるのと同じやり方で、試験用接着剤層１１０９に貼り付ける。図６～８の折り畳み式装置６０１、７０１、および／または８０１を試験するために、試験用接着剤層１１０９およびシート１１０７を、同様に、図１２の形態に示されるように取り付けて、試験用折り畳み式装置１１０２に試験を行うことができる。試験用折り畳み式装置１１０２は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７が、図１１に示された形態と似た、曲げの内側にあるように、一対の平行な剛性ステンレス鋼板１１０３、１１０５の間に配置される。「平行板距離」を決定するために、これらの平行板の間の距離は、平行板距離１１１１が、試験されるべき「平行板距離」と等しくなるまで、５０μｍ／秒の速度で減じられる。次に、平行板は、この「平行板距離」に保持されて、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り試験される。ここに用いられているように、「最小平行板距離」は、折り畳み式装置が上述した条件および形態の下で破損せずに耐えられる最小の平行板距離である。「有効最小曲げ半径」を決定するために、平行板の間の距離は、平行板距離１１１１が、試験されるべき「有効最小曲げ半径」の２倍と等しくなるまで、５０μｍ／秒の速度で減じられる。次に、平行板は、その有効最小曲げ半径の２倍に保持されて、約８５℃および約８５％の相対湿度で２４時間に亘り試験される。ここに用いられているように、「有効最小曲げ半径」は、折り畳み式装置が上述した条件および形態の下で破損せずに耐えられる最小の有効曲げ半径である。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および／または１２０１、および／または試験用折り畳み式装置１１０２は、２００ｍｍ以下、１００ｍｍ以下、５０ｍｍ以下、２０ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、または３ｍｍ以下の平行板距離を達成することができる。さらなる実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および／または１２０１、および／または試験用折り畳み式装置１１０２は、５０ミリメートル（ｍｍ）、または２０ｍｍ、または１０ｍｍ、または５ｍｍ、または３ｍｍの平行板距離を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および／または１２０１、および／または試験用折り畳み式装置１１０２は、約４０ｍｍ以下、約２０ｍｍ以下、約１０ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約１ｍｍ以上、約３ｍｍ以上、約５ｍｍ以上、または約１０ｍｍ以上の最小平行板距離を有し得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および／または１２０１、および／または試験用折り畳み式装置１１０２は、約１ｍｍから約４０ｍｍ、約１ｍｍから約２０ｍｍ、約１ｍｍから約１０ｍｍ、約１ｍｍから約５ｍｍ、約１ｍｍから約３ｍｍ、約３ｍｍから約４０ｍｍ、約３ｍｍから約４０ｍｍ、約３ｍｍから約２０ｍｍ、約３ｍｍから約１０ｍｍ、約３ｍｍから約５ｍｍ、約５ｍｍから約１０ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の有効最小曲げ半径を有し得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、長さ１０５の方向１０６に第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間に規定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、第１の部分２２１、４２１、または８２１から第２の部分２３１、４３１、または８３１まで延在し得る。いくつかの実施の形態において、長さ１０５の方向１０６において第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間に規定された折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、有効最小曲げ半径の約２．８倍以上、約３倍以上、約４倍以上、約６倍以下、約５倍以下、または約４倍以下であり得る。いくつかの実施の形態において、有効最小曲げ半径の倍数としての中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、約２．８倍から約６倍、約２．８倍から約５倍、約２．８倍から約４倍、約３倍から約６倍、約３倍から約５倍、約３倍から約４倍、約４倍から約６倍、約４倍から約５倍の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。理論で束縛されることは意図していないが、平行板の間の円形形態にある曲げ部分の長さは、平行板距離１１１１の約１．６倍以上（例えば、有効最小曲げ半径の約３倍、有効最小曲げ半径の約３．２倍）であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、約２．８ｍｍ以上、約６ｍｍ以上、約９ｍｍ以上、約６０ｍｍ以下、約４０ｍｍ以下、または約２４ｍｍ以下であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の中央部分２８１、４８１、および／または８８１の幅は、約２．８ｍｍから約６０ｍｍ、約２．８ｍｍから約４０ｍｍ、約２．８ｍｍから約２４ｍｍ、約６ｍｍから約６０ｍｍ、約６ｍｍから約４０ｍｍ、約６ｍｍから約２４ｍｍ、約９ｍｍから約６０ｍｍ、約９ｍｍから約４０ｍｍ、約９ｍｍから約２４ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。中央部分（例えば、第１の部分と第２の部分との間）の上述した範囲内の幅を設けることにより、破損しない折り畳み式装置の折り畳みを促進することができる。
折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および１２０１は、「ペン落下試験」にしたがって測定されたときに、あるペン落下高さ（例えば、５センチメートル（ｃｍ）以上、１０センチメートル以上、２０ｃｍ以上）での破損を避けるために、折り畳み式装置のある領域（例えば、第１の部分２２１、４２１、または８２１を含む領域、第２の部分２３１、４３１、または８３１を含む領域、高分子系部分２４１および／または中央部分２８１、４８１、または８８１を含む領域）の能力により規定される耐衝撃性を有することがある。ここに用いられているように、「ペン落下試験」は、折り畳み式装置の試料が、図３および５に示された表示装置３０７または図２および４に示された剥離ライナー２７１の代わりに、５０μｍの厚さを有する試験用接着剤層１１０９に貼り付けられたＰＥＴの１００μｍ厚のシート１１０７に関する平行板試験におけるように構成された主面（例えば、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の主面２０５、４０５、または８０５）に荷重（すなわち、特定の高さから落とされたペンからの）が与えられて試験されるように行われる。このように、ペン落下試験におけるＰＥＴ層は、折り畳み式電子表示装置（例えば、ＯＬＥＤ装置）をシミュレーションすることが意図されている。試験中、ＰＥＴ層に結合された折り畳み式装置を、ＰＥＴ層をアルミニウム板と接触させて、アルミニウム板（４００グリットの研磨紙で、ある表面粗さに研磨された６０６３アルミニウム合金）上に置く。アルミニウム板上に載置された試料の面に、テープは使用していない。
ペンを折り畳み式装置の外面に導くためにペン落下試験に管が使用される。図２～８および１１～１２に示された折り畳み式装置１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、および１２０１および／または試験用折り畳み式装置１１０２について、ペンを折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の主面２０５、４０５、または８０５に導き、重力の方向に延在する管の縦軸が第２の主面２０５、４０５、または８０５に対して実質的に垂直になるように、管を折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７の第２の主面２０５、４０５、または８０５と接触するように配置する。その管は、１インチ（２．５４ｃｍ）の外径、９／１６インチ（１．４ｃｍ）の内径、および９０ｃｍの長さを有する。アクリロニトリルブタジエン（ＡＢＳ）シムを用いて、このペンを各試験について所定の高さに保持する。各落下後、管を試料に対して再配置して、そのペンを試料上の異なる衝撃位置に導く。ペン落下試験に利用されるペンは、直径０．７ｍｍ（０．６８ｍｍ）の炭化タングステン製ボールペンのペン先を備え、キャップを含む質量が５．７３グラム（ｇ）（キャップを含まないと、４．６８ｇ）のＢＩＣ Ｅａｓｙ Ｇｌｉｎｄｅ ＰｅｎのＦｉｎｅである。
ペン落下試験について、ボールペンのペン先が試験試料と相互作用できるように、上端（すなわち、ペン先と反対の端部）にキャップを取り付けたペンを落下させる。ペン落下試験による落下順序において、あるペンの落下は、１ｃｍの初期高さで行われ、０．５ｃｍずつ２０ｃｍまで増加させて、連続して落下させ、次に、２０ｃｍに到達したら、試験試料が破損するまで、２ｃｍずつ増加させる。各落下を行った後、試料に対する任意の観察できる破砕、破損、または他の損傷の証拠の存在を、特定のペン落下高さと共に記録する。ペン落下試験を使用すると、同じ落下順序にしたがって、多数の試料を試験して、統計的精度が改善された母集団を生成することができる。ペン落下試験について、ペンは、５回の落下毎に、試験される各新たな試料について、新たなペンに交換すべきである。それに加え、全てのペン落下は、試料の中心で、またはその近くで、試料の無作為位置で行われ、試料のエッジまたはその近くにペン落下は行われなかった。
ペン落下試験の目的のために、「破損」は、積層体における目に見える機械的欠陥の形成を意味する。機械的欠陥は、亀裂または塑性変形（例えば、表面圧痕）であることがある。亀裂は、表面亀裂または貫通亀裂であることがある。亀裂は、積層体の内部または外部表面上に形成されることがある。亀裂は、折り畳み式基板２０６、４０７、または８０７および／またはコーティングの全てまたは一部に広がることがある。目に見える機械的欠陥は、０．２ｍｍ以上の最小寸法を有する。
図５３は、ガラス系基板の第２の主面上への２ｃｍのペン落下高さに基づくガラス系基板のマイクロメートルで表される厚さ５３０１の関数としてのガラス系基板の第１の主面上のメガパスカル（ＭＰａ）で表された最大主応力５３０３の曲線５３０５を示す。図５３に示されるように、ガラス系シートの第１の主面上の最大主応力は、６５μｍ辺りで最大である。このことは、ペン落下性能は、６５μｍ辺りの厚さを避けることにより、例えば、約５０μｍ未満または約８０μｍ超の厚さにすることにより、改善することができることを示唆している。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、１０センチメートル（ｃｍ）、１２ｃｍ、１４ｃｍ、１６ｃｍ、または２０ｃｍのペン落下高さで、第１の部分２２１、４２１、または８２１または第２の部分２３１、４３１、または８３１を含む領域におけるペン落下の破損に抵抗することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置が、第１の部分２２１、４２１、または８２１または第２の部分２３１、４３１、または８３１を含む領域に亘り破損せずに耐えられる最大ペン落下高さは、約１０ｃｍ以上、約１２ｃｍ以上、約１４ｃｍ以上、約１６ｃｍ以上、約４０ｃｍ以下、または約３０ｃｍ以下、約２０ｃｍ以下、約１８ｃｍ以下であることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置が、第１の部分２２１、４２１、または８２１または第２の部分２３１、４３１、または８３１を含む領域に亘り破損せずに耐えられる最大ペン落下高さは、約１０ｃｍから約４０ｃｍ、約１２ｃｍから約４０ｃｍ、約１２ｃｍから約３０ｃｍ、約１４ｃｍから約３０ｃｍ、約１４ｃｍから約２０ｃｍ、約１６ｃｍから約２０ｃｍ、約１８ｃｍから約２０ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置は、１ｃｍ、２ｃｍ、３ｃｍ、４ｃｍ、５ｃｍ、またはそれより大きいペン落下高さで、第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間の高分子系部分２４１を含む領域（例えば、中央部分２８１、４８１、または８８１）におけるペン落下の破損に抵抗することができる。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間の高分子系部分２４１を含む領域に亘り破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍ以上、約２ｃｍ以上、約３ｃｍ以上、約４ｃｍ以上、約２０ｃｍ以下、約１０ｃｍ以下、約８ｃｍ以下、または約６ｃｍ以下であることがある。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間の高分子系部分２４１を含む領域に亘り破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍから約２０ｃｍ、約２ｃｍから約２０ｃｍ、約２ｃｍから約１０ｃｍ、約３ｃｍから約１０ｃｍ、約３ｃｍから約８ｃｍ、約４ｃｍから約８ｃｍ、約４ｃｍから約６ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分２２１、４２１、または８２１と第２の部分２３１、４３１、または８３１との間の高分子系部分２４１を含む領域が破損せずに折り畳み式装置が耐えられる最大ペン落下高さは、約１ｃｍから約１０ｃｍ、約１ｃｍから約８ｃｍ、約１ｃｍから約５ｃｍ、約２ｃｍから約５ｃｍ、約３ｃｍから約５ｃｍ、約４ｃｍから約５ｃｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
折り畳み式装置に関する所定の平行板距離を達成するために、最小力が使用されることがある。本開示の実施の形態の折り畳み式装置の「畳み力(closing force)」を測定するために、先に記載された図１１の平行板装置１１０１が使用される。所定の平行板距離を含む、平らな形態（例えば、図１参照）から曲げ（例えば、折り畳まれた）形態（例えば、図９および１１～１２参照）になるための力が測定される。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約２０ニュートン（Ｎ）以下、１５Ｎ以下、約１２Ｎ以下、約１０Ｎ以下、約０．１Ｎ以上、約０．５Ｎ以上、約１Ｎ以上、約２Ｎ以上、約５Ｎ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約０．１Ｎから約２０Ｎ、約０．５Ｎから約２０Ｎ、約０．５Ｎから約１５Ｎ、約１Ｎから約１５Ｎ、約１Ｎから約１２Ｎ、約２Ｎから約１２Ｎ、約２Ｎから約１０Ｎ、約５Ｎから約１０Ｎの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約１０Ｎ以下、約８Ｎ以下、約６Ｎ以下、約４Ｎ以下、約３Ｎ以下、約０．０５Ｎ以上、約０．１Ｎ以上、約０．５Ｎ以上、約１Ｎ以上、約２Ｎ以上、約３Ｎ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げる力は、約０．０５Ｎから約１０Ｎ、約０．１Ｎから約１０Ｎ、約０．１Ｎから約８Ｎ、約０．５Ｎから約８Ｎ、約０．５Ｎから約６Ｎ、約１Ｎから約６Ｎ、約１Ｎから約４Ｎ、約２Ｎから約４Ｎ、約２Ｎから約３Ｎの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から１０ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約２０ニュートン毎ミリメートル（Ｎ／ｍｍ）以下、０．１５Ｎ／ｍｍ以下、約０．１２Ｎ／ｍｍ以下、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０５Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から０．１０／ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．２０Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１５Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１２Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．０５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．１０Ｎ／ｍｍ以下、約０．０８Ｎ／ｍｍ以下、約０．０６Ｎ／ｍｍ以下、約０．０４Ｎ／ｍｍ以下、約０．０３Ｎ／ｍｍ以下、約０．０００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．００１Ｎ／ｍｍ以上、約０．００５Ｎ／ｍｍ以上、約０．０１Ｎ／ｍｍ以上、約０．０２Ｎ／ｍｍ以上、約０．０３Ｎ／ｍｍ以上であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置を平らな形態から３ｍｍの平行板距離まで曲げるための折り畳み式装置の幅１０３当たりの力は、約０．０００５Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．１０Ｎ／ｍｍ、約０．００１Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０８Ｎ／ｍｍ、約０．００５Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０６Ｎ／ｍｍ、約０．０１Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０４Ｎ／ｍｍ、約０．０２Ｎ／ｍｍから約０．０３Ｎ／ｍｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
コーティングを設けることにより、小さい平行板距離を達成するための小さい力を可能にすることができる。理論で束縛されることは意図していないが、折り畳み式基板の弾性率より小さい弾性率を有するコーティングは、ガラス系基板および／またはセラミック系基板が使用された場合よりも、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板の中立軸をもたらすことができる。理論で束縛されることは意図していないが、約２００μｍ以下の厚さを有するコーティングを設けることにより、より厚い基板が使用された場合よりも、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板の中立軸をもたらすことができる。理論で束縛されることは意図していないが、コーティング（例えば、ユーザに面する表面）から離れて移された折り畳み式基板部分の中立軸は、小さい平行板距離を達成するための小さい力を可能にすることができる。何故ならば、これにより、引張応力の集中と、引張応力が折り畳み式基板のより広い部分に広がっているために、折り畳み式基板の一部の結果としての変形とが減少するからである。
本開示の実施の形態による折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を製造する方法の実施の形態が、図１５～１８における流れ図、並びに図１９～５２に示された例示の方法の工程を参照して説明されている。
ここで、図２～３、６、および１１～１２に示された、折り畳み式装置１０１、３０１、６０１、および／または１２０１、試験用折り畳み式装置１１０２、および／または折り畳み式基板２０６を製造する例示の実施の形態を、図１９～２４および５０～５２、並びに図１５の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１５０１において、方法は、折り畳み式基板２０６を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。先に述べたように、折り畳み式基板２０６は、第１の外側層２１３と第２の外側層２１５との間に位置付けられたコア層２０７を含み得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６のコア層２０７、第１の外側層２１３、および／または第２の外側層２１５は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板２０６は、ある面に沿って延在し得る第２の主面２０５（図２０～２１参照）を有することがある。第２の主面２０５は、第１の主面２０３と反対にあり得る。
例えば、図１９に示されるように、折り畳み式基板２０６を製造するために、積層フュージョンドロー装置１９０１を使用することができる。図から分かるように、積層フュージョンドロー装置１９０１は、下側成形装置１９０４の上方に位置付けられた上側成形装置１９０２を備えることができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、上側成形装置１９０２は、第１の溶融材料１９０６を受け入れるように作られた第１の樋１９１０を備えることができ、下側成形装置１９０４は、第２の溶融材料１９０８を受け入れるように作られた第２の樋１９１２を備えることができる。いくつかの実施の形態において、第２の溶融材料１９０８は、第２の樋１９１２から溢れ、下側成形装置１９０４の対応する外側成形面１９１６および１９１８の上を流れることができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、外側成形面１９１６および１９１８は、下側成形装置１９０４の基部１９２０で集束して、冷却されるとコア層２０７を形成できるコア溶融層１９３２を形成することができる。いくつかの実施の形態において、第１の溶融材料１９０６は、第１の樋１９１０から溢れ、上側成形装置１９０２の対応する外面１９２２および１９２４の上を流れることができる。さらなる実施の形態において、第１の溶融材料１９０６は、第２の溶融材料が下側成形装置１９０４の対応する外側成形面１９１６および１９１８の上を流れるときに、第１の溶融材料１９０６が下側成形装置１９０４の周りを流れ、第２の溶融材料１９０８と接触するように上側成形装置１９０２によりそらされ得る。またさらなる実施の形態において、第１の溶融材料１９０６は、冷却されると第１の外側層２１３を形成できる第１の溶融外側層１９３４を形成することができ、第１の溶融材料１９０６は、冷却されると第２の外側層２１５を形成できる第２の溶融外側層１９３６を形成することができる。図示されたような、またさらなる実施の形態において、コア溶融層１９３２を、基部１９２０の下方で、第１の溶融外側層１９３４と第２の溶融外側層１９３６との間に位置付けることができる。またさらなる実施の形態において、基部１９２０で第１の溶融外側層１９３４および第２の溶融外側層１９３６を構成する第１の溶融材料１９０６の温度は、第１の溶融外側層１９３４および第２の溶融外側層１９３６を構成する第１の溶融材料１９０６の軟化点より高いことがあり得る。またさらなる実施の形態において、基部１９２０でコア溶融層１９３２を構成する第２の溶融材料１９０８の温度は、コア溶融層１９３２を構成する第２の溶融材料１９０８の軟化点より高いことがあり得る。またさらなる実施の形態において、第１の溶融外側層１９３４を、コア溶融層１９３２に積層させて（例えば、図２～３および６において、第１の外側層２１３をコア層２０７の第３の内面２０８に積層することができる）、および／または第２の溶融外側層１９３６をコア溶融層１９３２に積層させて（例えば、図２～３および６において、第２の外側層２１５をコア層２０７の第４の内面２１８に積層させることができる）、図２０～２１に示された折り畳み式基板２０６を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、コア層２０７のコア密度は、第１の外側層２１３の第１の密度および／または第２の外側層２１５の第２の密度よりも大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層２０７の網状構造膨張係数は、第１の外側層２１３の網状構造膨張係数および／または第２の外側層２１５の網状構造膨張係数よりも小さいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層２０７の熱膨張係数は、第１の外側層２１３の熱膨張係数および／または第２の外側層２１５の熱膨張係数より大きいことがあり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１５０１において、折り畳み式基板２０６に、コア層２０７の第１の中央表面区域２０９を露出する折り畳み式基板２０６の第１の主面２０３における第１の凹部２３４および／またはコア層２０７の第２の中央表面区域２１９を露出する折り畳み式基板２０６の第２の主面２０５における第２の凹部２４４を設けることができる。さらなる実施の形態において、凹部（例えば、第１の凹部２３４、第２の凹部２４４）は、第１の主面２０３および／または第２の主面２０５をエッチング、レーザアブレーション、または機械加工することによって、形成することができる。例えば、エッチング過程は、下記に記載される工程１５０３、１５０５、および１５０７に似ているであろう。例えば、折り畳み式基板２０６を機械加工する工程は、下記に記載される工程１５１７に似ているであろう。
工程１５０１の後、いくつかの実施の形態において、コア層２０７は、酸化物基準でコア既存平均濃度のカリウムおよび／または酸化物基準でコア既存平均濃度のリチウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側層２１３は、酸化物基準で第１の既存平均濃度のカリウムおよび／または酸化物基準で第１の既存平均濃度のリチウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側層２１５は、酸化物基準で第２の既存平均濃度のカリウムおよび／または酸化物基準で第２の既存平均濃度のリチウムを含み得る。いくつかの実施の形態において、カリウムのコア既存平均濃度は、カリウムの第１の既存平均濃度および／またはカリウムの第２の既存平均濃度より約１０百万分率以上大きい。いくつかの実施の形態において、リチウムの第１の既存平均濃度および／またはリチウムの第２の既存平均濃度は、リチウムのコア既存平均濃度より約１０百万分率以上大きいことがあり得る。理論で束縛する意図はないが、コア層により大きい既存平均濃度のカリウムを提供することによって、化学強化過程の結果としてのコア層の膨張が減少するであろう、および／または第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の化学強化の程度が減少するであろう。理論で束縛する意図はないが、第１の外側層および／または第２の外側層により大きい既存平均濃度のリチウムを提供することによって、化学強化の程度が増加するであろう、および／またはコア層に対して、化学強化過程の結果としての対応する層の膨張が増加するであろう。
工程１５０１の後（例えば、折り畳み式基板２０６を化学的に強化する工程を含む工程１５０９の前）、いくつかの実施の形態において、コア層は、１種類以上のアルカリ金属イオンのコア拡散率を有し得る。いくつかの実施の形態において、第１の外側層は、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の拡散率を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の外側層は、１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の拡散率を有し得る。いくつかの実施の形態において、第１の拡散率および／または第２の拡散率は、コア拡散率より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、その拡散率は、ナトリウムイオンのものであり得る。いくつかの実施の形態において、その拡散率は、カリウムのものであり得る。理論で束縛する意図はないが、第１の外側層および／または第２の外側層に、コア層における関連する拡散率より小さい１種類以上のアルカリ金属イオンの拡散率を設けることによって、コア層に対する第１の外側層および／または第２の外側層における化学強化の程度を増加させることができる。さらなる実施の形態において、第１の比は、第１の外側層２１３の第１の厚さ（例えば、第１の外側厚さ２１７）で除算された第１の拡散率の平方根と定義することができる。さらなる実施の形態において、第２の比は、第２の外側層２１５の第２の厚さ（例えば、第２の外側厚さ２３７）で除算された第２の拡散率の平方根と定義することができる。さらなる実施の形態において、コア比は、コア層２０７の中央厚さ（例えば、中央厚さ２２７）で除算されたコア拡散率の平方根と定義することができる。さらなる実施の形態において、第１の比とコア比との間の差は、約０．０１ｓ－０．５以下であり得る。またさらなる実施の形態において、第１の比は、コア比と実質的に等しいことがあり得る。さらなる実施の形態において、第２の比とコア比との間の差は、約０．０１ｓ－０．５以下であり得る。またさらなる実施の形態において、第２の比は、コア比と実質的に等しいことがあり得る。さらなる実施の形態において、第１の比および／または第２の比と、コア比との間の差は、約０．００００１ｓ－０．５以上、約０．０００１ｓ－０．５以上、約０．００１ｓ－０．５以上、約０．００３ｓ－０．５以上、約０．１ｓ－０．５以下、約０．０５ｓ－０．５以下、約０．０２ｓ－０．５以下、約０．０１ｓ－０．５以下、または約０．００８ｓ－０．５以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の比および／または第２の比と、コア比との間の差は、約０．００００１ｓ－０．５から約０．１ｓ－０．５、約０．０００１ｓ－０．５から約０．０５ｓ－０．５、約０．００１ｓ－０．５から約０．０２ｓ－０．５、約０．００１ｓ－０．５から約０．０１ｓ－０．５、約０．００３ｓ－０．５から約０．０１ｓ－０．５、約０．００３ｓ－０．５から約０．００５ｓ－０．５の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。理論で束縛する意図はないが、化学強化による層の深さは、対応する厚さで除算された拡散率の平方根に比例する。第１の比、第２の比、および／またはコア比を設けることによって、対応する厚さの百分率として実質的に等しい層の深さを提供することができ、これにより、折り畳み式基板における化学強化誘発歪みを減少させることができる。
工程１５０１の後、いくつかの実施の形態において、方法は、折り畳み式基板２０６の第１の主面２０３および／または第２の主面２０５を機械加工することによって、第１の凹部内２３４および／または第２の凹部２４４を形成する工程を含む工程１５１７に進むことができる。折り畳み式基板２０６の第１の主面２０３に、コア層２０７の第１の中央表面区域２０９を露出する第１の凹部２３４を形成することができる。折り畳み式基板２０６の第２の主面２０５に、コア層２０７の第２の中央表面区域２１９を露出する第２の凹部２４４を形成することができる。例えば、第１の主面２０３および／または第２の主面２０５は、ダイヤモンド彫刻によって機械加工されて、ガラス系基板および／またはセラミック系基板に非常に精密なパターンを生成することがある。図２０に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用して、折り畳み式基板２０６の第１の主面２０３に第１の凹部２３４を作ることができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ２００１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置２００３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の凹部２３４の反対にあることがある第２の凹部２４４を形成するために、同様の過程を使用することができる。凹部を形成する他の方法、例えば、リソグラフィーおよびレーザアブレーションを使用できることが理解されよう。
工程１５０１の後、いくつかの実施の形態において、方法は、折り畳み式基板２０６の１つ以上の部分を覆ってマスクを配置する工程を含む工程１５０３に進むことができる。図２１に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１５０３は、折り畳み式基板２０６の１つ以上の部分を覆って第１の液体２１０７を配置する工程を含むことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板２０６の１つ以上の部分を覆って第１の液体２１０７を配置するために、容器２１０１（例えば、導管、可撓管、マイクロピペット、または注射器）を使用することができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の液体２１０７は、第１の液体堆積物２１０３として第１の表面区域２２３を覆って、また第２の液体堆積物２１０５として第３の表面区域２３３を覆って配置することができる。図示されていないが、第２の表面区域および／または第４の表面区域を覆って、同様の液体堆積物を形成できることを理解すべきである。さらなる実施の形態において、液体堆積物（例えば、図２１に示された第１の液体堆積物２１０３および第２の液体堆積物２１０５）を硬化させて、マスク（例えば、図２２に示された第１のマスク２２０５および第３のマスク２２０９）を形成することができる。第１の液体を硬化させる工程は、第１の液体２１０７を加熱する工程、第１の液体２１０７に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待機する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、別の方法（例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ支援ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸発、分子線エピタキシー、イオンメッキ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、スパッタリング、噴霧熱分解、化学浴析出法、ゾルゲル堆積）を使用して、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）を形成してもよい。図２２に示されるように、工程１５０３の結果として、第１の表面区域２２３を覆って配置された第１のマスク２２０５、第２の表面区域２２５を覆って配置された第２のマスク２２０７、第３の表面区域２３３を覆って配置された第３のマスク２２０９、および／または第４の表面区域２３５を覆って配置された第４のマスク２２１１が形成され得る。いくつかの実施の形態において、マスクの材料は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、および／またはその組合せを含み得るが、他の実施の形態において、マスクに他の材料を使用しても差し支えない。
工程１５０３の後、図２２に示されるように、方法は、折り畳み式基板２０６をエッチングする工程を含む工程１５０５に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、折り畳み式基板２０６をエッチング液２２０３に曝露する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチング液２２０３は、エッチング液浴２２０１内に収容されたエッチング液であり得る。またさらなる実施の形態において、エッチング液は、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、第１の主面２０３の中央部分２８１をエッチングして、第１の中央表面区域２０９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の中央表面区域２０９は、第３の内面２０８の一部を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより、第一面２０４ａと第１の中央表面区域２０９との間に第１の凹部２３４を形成することができる。いくつかの実施の形態において、第１の凹部２３４の深さは、第１の外側層２１３の第１の外側厚さ２１７と実質的に等しいことがあり得る（例えば、図２～３および５参照）。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の凹部の深さは、第１の外側層の第１の厚さより大きいことがあり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、第２の主面２０５の中央部分２８１をエッチングして、第２の中央表面区域２１９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の中央表面区域２１９は、第４の内面２１８の一部を構成し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより、第二面２０４ｂと第２の中央表面区域２１９との間に第２の凹部２４４を形成することができる。いくつかの実施の形態において、第２の凹部２４４の深さは、第１の外側層２１３の第２の外側厚さ２３７と実質的に等しいことがあり得る（例えば、図２～３および５参照）。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第２の凹部の深さは、第２の外側層の第２の厚さより大きいことがあり得る。
工程１５０５の後、図２３に示されるように、方法は、マスクを除去する工程を含む工程１５０７に進むことができる。図示されたようないくつかの実施の形態において、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）を除去する工程は、表面（例えば、第３の表面区域２３３）に亘り方向２３０２に研削工具２３０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具の使用は、掃引、削取り、研削、プッシング(pushing)などを含むことがある。さらなる実施の形態において、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）は、表面（例えば、第１の表面区域２２３、第２の表面区域２２５、第３の表面区域２３３、第４の表面区域２３５）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。いくつかの実施の形態において、マスクを除去する工程は、それぞれ、第１の表面区域２２３、第２の表面区域２２５、第３の表面区域２３３、および第４の表面区域２３５からマスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１を除去する工程を含み得る。
それに加え、またはそれに代えて、工程１５０１、１５０７、または１５１７は、折り畳み式基板２０６の第２の主面２０５から副層を除去して、図２～３および６に示された第２の主面２０５を構成し得る新たな第２の主面を露出する（例えば、機械加工により、エッチングにより、リソグラフィーにより、アブレーションにより）ことによって、折り畳み式基板２０６の厚さを減少させる工程を含み得る。第１の主面と第２の主面の両方から副層を除去すると、折り畳み式基板２０６の対応する層の下層の内側部分よりも一貫していない光学的性質を有するであろう折り畳み式基板２０６の外側副層を除去することができる。その結果、折り畳み式基板２０６の対応する層の長さと幅の全体に亘る全厚は、折り畳み式基板２０６の全体に亘り歪みがほとんどまたは全くない、一貫した光学性能を与えるより一貫した光学的性質を有するであろう。第１の主面２０３から副層を、および／または第２の主面２０５から副層を除去することは、第１の凹部２３４および／または第２の凹部２４４の形成中に生じる表面欠陥を除去するのに有益であり得る。例えば、第１の凹部２３４および／または第２の凹部２４４を生成するために第１の主面２０３および／または第２の主面２０５を機械加工する（例えば、ダイヤモンドチッププローブで）と、折り畳む際に、折り畳み式基板２０６の破滅的破壊が生じることのある弱点を示し得る微小亀裂表面傷または他の欠陥が生じることがある。それゆえ、第１の主面２０３から副層をおよび／または第２の主面２０５から副層を除去することによって、第１の凹部２３４および／または第２の凹部２４４の形成中に副層に生成された表面欠陥が除去されることがあり、ここで、表面欠陥がより少ない新たな第１の主面および／または新たな第２の主面を提示することができる。より少ない表面欠陥しか存在しないので、折り畳み式基板を破損させずに、より小さい曲げ半径が達成されるであろう。例えば、折り畳み式基板のある加工は、折り畳み式基板の中央部分よりも、折り畳み式基板の第１の主面および第２の主面で、ガラス系材料特性および／またはセラミック系材料特性の差を示すことがある。例えば、ダウンドロー法の最中に、それらの主面でのガラス系材料および／またはセラミック系材料の性質は、中央部分と異なることがある。
工程１５０１、１５０７、または１５１７の後、図２４に示されるように、前記方法は、折り畳み式基板２０６を化学強化する工程を含む工程１５０９に進むことができる。イオン交換による折り畳み式基板２０６（例えば、第１の外側層、第２の外側層、および／またはコア層のガラス系基板および／またはセラミック系基板）の化学強化は、折り畳み式基板２０６の表面からある深さにある第１の陽イオンが、この第１の陽イオンより大きい半径を有する、溶融塩または塩溶液２４０３内の第２の陽イオンと交換されるときに行うことができる。例えば、折り畳み式基板２０６の表面からその深さにあるリチウム陽イオンは、塩溶液２４０３内のナトリウム陽イオンまたはカリウム陽イオンと交換され得る。その結果、リチウム陽イオンは、塩溶液２４０３内にある交換されるナトリウム陽イオンまたはカリウム陽イオンの半径より小さい半径を有するので、折り畳み式基板２０６の表面は、圧縮状態におかれ、それによって、イオン交換過程によって化学強化される。折り畳み式基板２０６を化学強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板２０６の少なくとも一部を、硝酸カリウム、リン酸カリウム、塩化カリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、および／またはリン酸ナトリウムを含む塩溶液２４０３を収容する塩浴２４０１と接触させ、それによって、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンが折り畳み式基板２０６から、塩浴２４０１中に収容された塩溶液２４０３に拡散する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３の温度は、約３００℃以上、約３６０℃以上、約４００℃以上、約５００℃以下、約４６０℃以下、または約４４０℃以下であり得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３の温度は、約３００℃から約５００℃、約３６０℃から約５００℃、約４００℃から約５００℃、約３００℃から約４６０℃、約３６０℃から約４６０℃、約４００℃から約４６０℃、約３００℃から約４００℃、約３６０℃から約４００℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６は、約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、または約８時間以下に亘り、塩溶液２４０３と接触させられ得る。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２０６は、約１５分から約４８時間、約１時間から約４８時間、約３時間から約４８時間、約１５分から約２４時間、約１時間から約２４時間、約３時間から約４８時間、約３時間から約２４時間、約３時間から約８時間の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の時間に亘り塩溶液２４０３と接触させられ得る。
折り畳み式基板２０６を化学強化する工程は、第１の中央表面区域２０９を化学強化する工程、第１の表面区域２２３を化学強化する工程、第３の表面区域２３３を化学強化する工程、第２の表面区域２２５を化学強化する工程、第４の表面区域２３５を化学強化する工程、および第２の中央表面区域２１９を化学強化する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、化学強化する工程は、第１の部分２２１を第１の主面２０３の第１の表面区域２２３から第１の圧縮深さまで化学強化する工程、第１の部分２２１を第２の主面２０５の第２の表面区域２２５から第２の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第１の主面２０３の第３の表面区域２３３から第３の圧縮深さまで化学強化する工程、第２の部分２３１を第２の主面２０５の第４の表面区域２３５から第４の圧縮深さまで化学強化する工程、中央部分２８１を第１の中央表面区域２０９から第１の中央圧縮深さまで化学強化する工程、および／または中央部分２８１を第２の中央表面区域２１９から第２の中央圧縮深さまで化学強化する工程を含み得る。
工程１５０９の後、折り畳み式基板２０６は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を有し得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つの層の深さと、中央厚さで除算された、第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度またはカリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。
工程１５０９の後、図５０に示されるように、本開示の方法は、第１の主面２０３を覆っておよび／または第１の凹部２３４内にコーティング２５１を配置する工程を含む工程１５１１に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３を覆って第２の液体４７０３を配置することができる。さらなる実施の形態において、第１の部分２２１の第１の表面区域２２３および第２の部分２３１の第３の表面区域２３３を覆って第２の液体４７０３を配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３は、第１の中央表面区域２０９を覆って配置することができる、および／または第１の凹部２３４を満たすことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３を配置するために、容器４７０１（例えば、導管、可撓管、マイクロピペット、または注射器）を使用してもよい。いくつかの実施の形態において、第２の液体４７０３は、コーティング前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含むことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング前駆体は、制限なく、単量体、促進剤、硬化剤、エポキシ、および／またはアクリレートの１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、接着促進剤の溶媒は、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）を含むことがある。第２の液体４７０３は、図５１に示されるように、硬化させて、コーティング２５１を形成することができる。第２の液体４７０３を硬化させる工程は、第２の液体４７０３を加熱する工程、第２の液体４７０３に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待機する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、別の方法（例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ支援ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸発、分子線エピタキシー、イオンメッキ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、スパッタリング、噴霧熱分解、化学浴析出法、ゾルゲル堆積）を使用して、コーティング２５１を形成してもよい。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、コーティング２５１は、第１の主面２０３（例えば、第１の表面区域２２３、第３の表面区域２３３）と接触せずに、第１の凹部２３４内に配置する（例えば、第１の凹部２３４を満たす）ことができる。
工程１５０９または１５１１の後、図５１に示されるように、本開示の方法は、第２の凹部２４４内に材料を配置する工程を含む工程１５１３に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の凹部２４４内に第３の液体４８０３を配置することができる。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３は、前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第３の液体４８０３は、容器４８０１から第２の凹部２４４に配置することができるが、第１の凹部および／または第２の液体に関して先に述べたように、第２の凹部内に第３の液体または他の材料を堆積させるために、他の方法を使用してもよい。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３を硬化させて（例えば、第３の液体を加熱する、第３の液体を照射する、特定の時間に亘り待機する）、図５２に示されたように第２の凹部２４４内に高分子系部分２４１を形成することができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第３の液体を硬化させて、第２の凹部２４４内に配置された、例えば、接着剤層２６１と似た、接着剤層を形成することができる。
工程１５１１または１５１３の後、本開示の方法は、折り畳み式基板２０６を使用して折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１５１５に進むことができる。図５２に示されるように、工程１５１５は、第２の主面２０５の第２の表面区域２２５および第２の主面２０５の第４の表面区域２３５と接触するように接着剤層２６１を施す工程を含み得る。例えば、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、接着剤の１つ以上のシートを含み得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１および／または第２の凹部内に配置される材料（例えば、高分子系部分２４１）を含む１つ以上のシート間に一体界面があり得、これにより、シート間で光が進むときの光回折および／または光学的不連続性を低下させる（例えば、避ける）ことができる。何故ならば、その１つ以上のシートは、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るからである。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、接着剤層の少なくとも一部を第２の凹部内に配置することができる。いくつかの実施の形態において、剥離ライナー（例えば、図２および４における剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３および５における表示装置３０７を参照のこと）が接着剤層２６１（例えば、第１の接触面２６３）上に配置されることがある。工程１５１５の後、折り畳み式装置を製造する図１５の流れ図にしたがう本開示の方法は、工程１５１９で完了することができる。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１５の流れ図の工程１５０１、１５０３、１５０５、１５０７、１５０９、１５１１、１５１３、１５１５、および１５１９に沿って進むことができる。図１５に示されるような、いくつかの実施の形態において、例えば、１つまたは複数の凹部を折り畳み式基板２０６内に、この折り畳み式基板を機械加工する（例えば、凹部を形成するために折り畳み式基板を化学的にエッチングする代わりに）ことによって形成すべき場合、工程１５０１から、工程１５０３を省いて、矢印１５０２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式装置が工程１５０１の終わりに凹部を含む場合、工程１５０１から、折り畳み式基板を化学的に強化する工程を含む工程１５０９へと、矢印１５０６に従うことができる。いくつかの実施の形態において、工程１５０９から、第２の凹部内に材料を配置する工程を含む工程１５１３へと、矢印１５０８に従うことができる。さらなる実施の形態において、方法は、工程１５１３から、第１の主面を覆って、および／または第１の凹部２３４内にコーティング２５１を配置する工程を含む工程１５１１へと、矢印１５１２に従うことができる。さらなる実施の形態において、例えば、折り畳み式装置が工程１５１３の終わりに完全に組み立てられている場合、または別の材料を第１の凹部内に、第１の主面を覆って、および／または第２の主面を覆って配置すべき場合、工程１５１３から工程１５１９へと、矢印１５１８に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式基板２０６が所望の製品（例えば、第１の凹部または第２の凹部内に材料を含まない）である場合、工程１５０９から工程１５１９へと、矢印１５１０に従うことができる。本開示の実施の形態にしたがって折り畳み式装置を製造するために、上記選択肢のいずれを組み合わせてもよい。
ここで、図４～５、７、および１２に示された、折り畳み式装置４０１、５０１、および／または１２０１、および／または折り畳み式基板４０７を製造する例示の実施の形態を、図２５～３４および４７～４９、並びに図１６の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１６０１において、方法は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５（図２５～２７参照）を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５は、ある面に沿って延在し得る第２の主面４０５（図２７参照）を有することがある。第２の主面４０５は、第１の主面４０３と反対にあり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１６０１において、折り畳み式基板４０７に、中央部分４８１において折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第１の中央表面区域４０９を露出する第１の凹部４３４を折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第１の主面４０３に設けることができる。いくつかの実施の形態において、工程１６０１において、折り畳み式基板４０７に、中央部分４８１において折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第２の中央表面区域４１９を露出する第２の凹部４４４を折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第２の主面４０５に設けることができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第１の中央表面区域４０９および／または第２の中央表面区域４１９は、移行領域（例えば、移行領域８５３および／または８５５に似ている）を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の主面４０３および／または第２の主面４０５をエッチング、レーザアブレーション、または機械加工することによって、凹部（例えば、第１の凹部４３４、第２の凹部４４４）を形成してもよい。例えば、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５を機械加工する工程は、下記に述べられる工程１６０３に似ているであろう。いくつかの実施の形態において、工程１６０１において、折り畳み式基板４０７に、例えば、工程１６０５に関して下記に述べられる性質の１つ以上を有する、１つ以上の初期圧縮応力領域を設けることができる。
工程１６０１の後、いくつかの実施の形態において、方法は、第１の凹部４３４および／または第２の凹部４４４を形成する工程を含む工程１６０３に進むことができる。いくつかの実施の形態において、凹部は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第１の主面４０３および／または第２の主面４０５を機械加工することによって、形成することができる。中央部分４８１の第１の中央表面区域４０９を露出する第１の凹部４３４を、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第１の主面４０３に形成することがある。中央部分４８１の第２の中央表面区域４１９を露出する第２の凹部４４４を、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第２の主面４０５に形成することがある。例えば、第１の主面４０３および／または第２の主面４０５は、ダイヤモンド彫刻によって機械加工されて、ガラス系基板および／またはセラミック系基板に非常に精密なパターンを生成することがある。図２６に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用して、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第１の主面４０３に第１の凹部４３４を作ることができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ２００１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置２００３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第１の凹部４３４と反対にあることがある第２の凹部４４４を形成するために、類似の過程を使用することができる。凹部を形成する他の方法、例えば、リソグラフィーおよびレーザアブレーションを使用して差し支えないことを理解すべきである。工程１６０３の後、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２５０５は、第１の凹部４３４および／または第２の凹部４４４を含む折り畳み式基板４０７を構成することができる。
いくつかの実施の形態において、工程１６０３は、第１の凹部および／または第２の凹部を形成するためのエッチング過程（例えば、上述した１５０３、１５０５、および１５０７と似た、マスキング、エッチング、およびマスクの除去）を含み得る。図２７に示されるような、さらなる実施の形態において、工程１６０３は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の１つ以上の部分を覆うマスクを配置する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、工程１６０３は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の１つ以上の部分を覆う第１の液体２１０７を配置する工程を含み得る。工程１５０３を参照して、図示され、先に述べられたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の１つ以上の部分を覆って第１の液体２１０７を配置するために、容器２１０１が使用されることがある。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の液体２１０７は、第１の液体堆積物２１０３として第１の表面区域４２３を覆って、また第２の液体堆積物２１０５として第３の表面区域４３３を覆って配置することができる。図示されていないが、第２の表面区域および／または第４の表面区域を覆って、同様の液体堆積物を形成できることを理解すべきである。さらなる実施の形態において、液体堆積物（例えば、図２７に示された第１の液体堆積物２１０３および第２の液体堆積物２１０５）を硬化させて、マスク（例えば、図２８に示された第１のマスク２２０５および第３のマスク２２０９）を形成することができる。第１の液体を硬化させる工程は、第１の液体２１０７を加熱する工程、第１の液体２１０７に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間に亘り待機する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、上述したような、別の方法を使用して、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）を形成してもよい。図２８に示されるように、第１のマスク２２０５を、第１の表面区域４２３を覆って配置することができる、第２のマスク２２０７を、第２の表面区域４２５を覆って配置することができる、第３のマスク２２０９を、第３の表面区域４３３を覆って配置することができる、および／または第４のマスク２２１１を、第４の表面区域４３５を覆って配置することができる。図２８に示されるような、さらなる実施の形態において、工程１６０３は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５をエッチングする工程をさらに含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５をエッチング液２２０３（例えば、１種類以上の鉱酸）に曝露する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチング液２２０３は、エッチング液浴２２０１内に収容されたエッチング液であり得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、第１の主面４０３の中央部分４８１をエッチングして、第１の中央表面区域４０９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより、第一面４０４ａと第１の中央表面区域４０９との間に第１の凹部４３４を形成することができる。またさらなる実施の形態において、第１の凹部４３４は、第１の距離４１７だけ第一面４０４ａおよび／または第１の主面４０３から窪み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、第２の主面４０５の中央部分４８１をエッチングして、第２の中央表面区域４１９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより、第二面４０４ｂと第２の中央表面区域４１９との間に第２の凹部４４４を形成することができる。またさらなる実施の形態において、第２の凹部４４４は、第２の距離４３７だけ第二面４０４ｂおよび／または第２の主面４０５から窪み得る。またさらなる実施の形態において、工程１６０３は、マスクを除去する工程をさらに含み得る。図２９に示されるような、いくつかの実施の形態において、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）を除去する工程は、表面（例えば、第３の表面区域４３３）に亘り方向２３０２に研削工具２３０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具の使用は、掃引、削取り、研削、プッシング(pushing)などを含むことがある。さらなる実施の形態において、マスク（例えば、マスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１）は、表面（例えば、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、第４の表面区域４３５）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。いくつかの実施の形態において、マスクを除去する工程は、それぞれ、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、および第４の表面区域４３５からマスク２２０５、２２０７、２２０９、および２２１１を除去する工程を含み得る。工程１６０３の後、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板２２０５は、第１の凹部４３４および／または第２の凹部４４４を含む折り畳み式基板４０７を構成し得る。
それに加え、またはそれに代えて、工程１６０１および／または１６０３は、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の第２の主面２０５から副層を除去して、図４～５および７に示された第２の主面２０５を構成し得る新たな第２の主面を形成する（例えば、機械加工により、エッチングにより、リソグラフィーにより、アブレーションにより）ことによって、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の厚さを減少させる工程を含み得る。先に述べたように、第１の主面と第２の主面の両方から副層を除去すると、例えば、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の全体に亘り歪みがほとんどまたは全くなく、一貫した光学的性能を提供するためにより一貫した光学的性質を有する、折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の対応する層の下層の内側部分よりも一貫していない光学的性質を有することのある折り畳み式基板４０７および／または折り畳み式基板２５０５の外側副層を除去し、凹部の形成中に生成された表面欠陥を除去することができる。
工程１６０１または１６０３の後、図２５および３０に示されるように、方法は、折り畳み式基板４０７を化学的に強化する工程を含む工程１６０５に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７を化学的に強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板４０７の少なくとも一部を、塩溶液２４０３を含む塩浴２４０１と接触させる工程を含み得、この塩溶液は、工程１５０９に関して塩溶液２４０３について上述した成分の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３の温度および／または折り畳み式基板４０７が塩溶液２４０３と接触し得る時間は、工程１５０９に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、工程１６０５において折り畳み式基板４０７を化学的に強化する工程は、第１の中央表面区域４０９を化学的に強化して、第１の中央表面区域４０９から初期の第１の中央圧縮深さまで延在する初期の第１の中央圧縮応力領域を形成する工程、第１の表面区域４２３を化学的に強化して、第１の表面区域４２３から初期の第１の圧縮深さまで延在する初期の第１の圧縮応力領域を形成する工程、第３の表面区域４３３を化学的に強化して、第３の表面区域４３３から初期の第３の圧縮深さまで延在する初期の第３の圧縮応力領域を形成する工程、第２の表面区域４２５を化学的に強化して、第２の表面区域４２５から初期の第２の圧縮深さまで延在する初期の第２の圧縮応力領域を形成する工程、第４の表面区域４３５を化学的に強化して、第４の表面区域４３５から初期の第４の圧縮深さまで延在する初期の第４の圧縮応力領域を形成する工程、および第２の中央表面区域４１９を化学的に強化して、第２の中央表面区域４１９から初期の第２の中央圧縮深さまで延在する初期の第２の中央圧縮応力領域を形成する工程を含み得る。
工程１６０１または１６０５の後、折り畳み式基板４０７は、初期圧縮深さおよび／または関連する初期層の深さを有する１つ以上の初期圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央圧縮応力領域）を含み得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４０７の対応する層の深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
工程１６０５の後、図示されていないが、方法は、折り畳み式基板をエッチングして、既存の第１の中央表面区域および／または既存の第２の中央表面区域から副層を除去する工程を含む工程１６０７を含み得る。工程１５０３、１５０５、および１５０７に関して先に述べたような、または工程１７０７、１７０９、および１７１１に関して下記に述べるような、いくつかの実施の形態において、工程１６０５は、折り畳み式基板４７０（例えば、既存の第１の中央表面区域および／または既存の第２の中央表面区域）をエッチング液（例えば、エッチング液２２０３）に曝露する（その後でマスクを除去することができる）前に、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、および／または第４の表面区域４３５を覆ってマスクを配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、中央部分４８１（例えば、第１の中央表面区域、第２の中央表面区域）から除去された深さは、対応する圧縮応力領域が対応する表面から延在する対応する層の深さおよび／または圧縮深さと実質的に等しいことがあり得る。さらなる実施の形態において、中央部分４８１（例えば、第１の中央表面区域、第２の中央表面区域）から除去された深さは、対応する圧縮応力領域が対応する表面から延在する対応する層の深さおよび／または圧縮深さより大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、中央部分４８１（例えば、第１の中央表面区域、第２の中央表面区域）から除去された深さは、対応する圧縮応力領域が対応する表面から延在する対応する層の深さおよび／または圧縮深さより小さいことがあり得る。
工程１６０１、１６０３、１６０５、または１６０７の後、図３１に示されるように、方法は、アルカリ金属イオンを含むペーストを第１の部分４２１および第２の部分４３１に施す工程を含む工程１６０９に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１６０９は、供給源３１０１から、第１の部分４２１上に第１の塩ペースト３１０３を、第２の部分４３１上に第１の塩ペースト３１０５を配置する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の塩ペースト３１０３は、第１の部分４２１の第１の表面区域４２３に施すことができ、第１の塩ペースト３１０５は、第２の部分４３１の第３の表面区域４３３に施すことができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第１の塩ペースト（例えば、第１の塩ペースト３１０３および／または３１０５）を、第１の部分４２１の第２の表面区域４２５および第２の部分４３１の第４の表面区域４３５に施すことができる。いくつかの実施の形態において、供給源３１０１は、導管（例えば、可撓管、マイクロピペット、または注射器）、噴射ノズル、または容器（例えば、ビーカー）を備えることがある。第１の塩ペースト３１０３は、第１の部分４２１および第２の部分４３１上に配置し、硬化させて、図３２～３３に示されるような、第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１を形成することができる。
ここに用いられているように、塩ペーストは、カリウムおよび／またはナトリウムを含有する。いくつかの実施の形態において、第１の塩ペースト３１０３および３１０５は、硝酸カリウム、リン酸カリウム、塩化カリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、および／またはリン酸ナトリウムの内の１つ以上を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、硝酸カリウムおよびリン酸カリウムを含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、アルカリ土類金属（例えば、アルカリ土類金属イオン、アルカリ土類金属含有化合物）を実質的に含まないことがあり得る。ここに用いられているように、アルカリ土類金属には、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、およびラジウムがある。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、約１，０００ｐｐｍ以上、約５，０００ｐｐｍ以上、約１０，０００ｐｐｍ以上、約２５，０００ｐｐｍ以上、約５００，０００ｐｐｍ以下、約２００，０００ｐｐｍ以下、約１００，０００ｐｐｍ以下、または約５０，０００ｐｐｍ以下の、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含有し得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストは、約１，０００ｐｐｍから約５００，０００ｐｐｍ、約５，０００ｐｐｍから約５００，０００ｐｐｍ、約５，０００ｐｐｍから約２００，０００ｐｐｍ、約１０，０００ｐｐｍから約２００，０００ｐｐｍ、約１０，０００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２５，０００ｐｐｍから約１００，０００ｐｐｍ、約２５，０００ｐｐｍから約５０，０００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含有し得る。
いくつかの実施の形態において、第１の塩ペースト３１０３および３１０５は、有機結合剤または溶媒を含み得る。その有機結合剤は、セルロース、セルロース誘導体、疎水的に改質されたエチレンオキシドウレタン改質剤（ＨＵＥＲ）、およびエチレンアクリル酸の内の１つ以上を含み得る。セルロース誘導体の例としては、エチルセルロース、メチルセルロース、およびＡＱＵＡＺＯＬ（登録商標）（ポリ（２－エチル－２－オキサジン））が挙げられる。溶媒としては、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）が挙げられる。いくつかの実施の形態において、第１の塩ペーストは、その溶媒および／または有機結合剤を除去することによって、硬化させて、第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１を形成することができる。さらなる実施の形態において、溶媒および／または有機結合剤は、８時間以上に亘り室温（約２０℃から約３０℃）で第１の塩ペースト３１０３および３１０５を乾燥させることによって、除去することができる。さらなる実施の形態において、溶媒および／または有機結合剤は、約８分から約３０分、または約８分から約２０分、または約８分から約１５分の範囲の期間に亘り、約１００℃から約１４０℃または約１００℃から約１２０℃の範囲の温度で第１の塩ペースト３１０３および３１０５を乾燥させることによって、除去することができる。
図３２に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１６０９は、アルカリ金属イオンを含むペーストを中央部分２８１に施す工程を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１６０９は、容器３２０１から中央部分４８１の第１の中央表面区域４０９上に第２の塩ペースト３２０３を配置する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第２の塩ペースト（例えば、第２の塩堆積物３３０３）を中央部分４８１の第２の中央表面区域４１９に施すことができる。いくつかの実施の形態において、供給源３１０１は、供給源３１０１に関して先に記載された構造のいずれを有してもよい。第２の塩ペースト３２０３を中央部分４８１上に配置し、それを硬化させて、図３３に示されたような第２の塩堆積物３３０３、および／または３３０５を形成することができる。図３２～３３に示されたような、さらなる実施の形態において、第２の塩ペースト３２０３を、第１の塩ペースト３１０３および／または３１０５と併用して、折り畳み式基板４０７上に配置された第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１、および第２の塩堆積物３３０３および／または３３０５を形成することができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第２の塩堆積物は、第１の塩堆積物を配置せずに、折り畳み式基板上に配置されてもよい。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト３２０３は、第１の塩ペースト３１０３および３１０５に関して先に述べられたカリウム含有化合物および／またはナトリウム含有化合物の内の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の塩堆積物３２０３は、第１の塩ペースト３１０３および／または３１０５と同じ組成を有し得る。いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト３２０３は、第１の塩ペースト３１０３および３１０５に関して先に述べられたものを含む、有機結合剤または溶媒を含み得る。いくつかの実施の形態において、第２の塩ペーストは、例えば、室温（例えば、約８時間以上に亘り）、もしくはある期間（例えば、約８分から約３０分、または約８分から約２０分、または約８分から約１５分の範囲内）に亘り高温（例えば、約１００℃から約１４０℃または約１００℃から約１２０℃の範囲内）で、第２の塩ペースト３２０３を乾燥させることにより、溶媒および／または有機結合剤を除去することによって、乾燥させて、第２の塩堆積物３３０３および／または３３０５を形成することができる。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト３２０３は、第１の塩ペーストの対応する濃度より小さい、酸化物基準の濃度のカリウムおよび／またはナトリウムを含み得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストの対応する濃度の百分率としての、酸化物基準のカリウムおよび／またはナトリウムの濃度は、約１０％以上、約２０％以上、約２５％以上、約８０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、または約３０％以下であり得る。さらなる実施の形態において、第１の塩ペーストの対応する濃度の百分率としての、酸化物基準のカリウムおよび／またはナトリウムの濃度は、約１０％から約８０％、約１０％から約６０％、約２０％から約６０％、約２０％から約５０％、約２５％から約５０％、約２５％から約４０％、約２５％から約３０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
いくつかの実施の形態において、第２の塩ペースト３２０３は、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、アルカリ土類金属イオン、アルカリ土類金属含有化合物）を含み得る。さらなる実施の形態において、その第２の塩ペースト中の１種類以上のアルカリ土類金属は、カルシウム（例えば、カルシウムイオン、塩化カルシウム、硝酸カルシウム、炭酸カルシウム）を含み得る。理論で束縛されることは意図していないが、塩ペースト中に１種類以上のアルカリ土類金属を提供することにより、例えば、塩ペースト中のアルカリ金属と競合する（これにより、折り畳み式基板中のイオンと、塩ペースト中のアルカリ金属イオンとの間の交換速度が低下する）ことによって、化学強化の程度を減少させることができる。理論で束縛されることは意図していないが、塩ペースト中の１種類以上のアルカリ土類金属としてカルシウムを提供することにより、カリウムイオンとカルシウムイオンとの間のイオン半径および質量の類似性のために、他のアルカリ土類金属よりも、カリウムとより効果的に競合することができる。さらなる実施の形態において、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、カルシウム）の濃度は、約１０ｐｐｍ以上、約５０ｐｐｍ以上、約１００ｐｐｍ以上、約２００ｐｐｍ以上、約４００ｐｐｍ以上、約１０，０００ｐｐｍ以下、約５，０００ｐｐｍ以下、約２，０００ｐｐｍ以下、約１，０００ｐｐｍ以下、約７５０ｐｐｍ以下、または約５００ｐｐｍ以下であり得る。さらなる実施の形態において、１種類以上のアルカリ土類金属（例えば、カルシウム）の濃度は、約１０ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍ、約１０ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約５，０００ｐｐｍ、約５０ｐｐｍから約２，０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍから約２，０００ｐｐｍ、約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍ、約２００ｐｐｍから約７５０ｐｐｍ、約４００ｐｐｍから約７５０ｐｐｍ、約４００ｐｐｍから約５００ｐｐｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内であり得る。
工程１６０９の後、図３３に示されるように、本開示の方法は、折り畳み式基板４０７を加熱する工程を含む工程１６１１に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、オーブン３３０１内に配置することができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、複数の第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１、および１つ以上の第２の塩堆積物３３０３および／または３３０５を含み得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、工程１６０９において加熱されている（例えば、オーブン３３０１内で）折り畳み式基板４０７は、第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１を含み得るが、どのような第２の塩堆積物３３０３および／または３３０５も含み得ず、その逆も同様である。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、約３００℃以上、約３６０℃以上、約４００℃以上、約５００℃以下、約４６０℃以下、または約４００℃以下の温度で加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、約３００℃から約５００℃、約３６０℃から約５００℃、約４００℃から約５００℃、約３００℃から約４６０℃、約３６０℃から約４６０℃、約４００℃から約４６０℃、約３００℃から約４００℃、約３６０℃から約４００℃の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の温度で加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、約１５分以上、約１時間以上、約３時間以上、約４８時間以下、約２４時間以下、または約８時間以下に亘り加熱することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４０７は、約１５分から約４８時間、約１時間から約４８時間、約３時間から約４８時間、約１５分から約２４時間、約１時間から約２４時間、約３時間から約４８時間、約３時間から約２４時間、約３時間から約８時間の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の時間に亘り加熱することができる。折り畳み式基板４０７が加熱された後、折り畳み式基板４０７は、化学強化された第１の部分４２１、第２の部分４３１、および／または中央部分４８１を含むことがあり、これらの部分は、上述したように、関連する圧縮深さおよび／または層の深さを有する圧縮応力領域を含み得、これらは、上述した関係（例えば、基板厚さの百分率としての第１の表面区域、第２の表面区域、第３の表面区域、および／または第４の表面区域からの圧縮深さおよび／または層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央表面区域および／または第２の中央表面区域からの対応する深さとの間の絶対差）のいずれかおよび／または全てをさらに含み得る。
工程１６１１の後、図３４に示されるように、本開示の方法は、塩ペースト（例えば、塩堆積物）を除去する工程を含む工程１６１３に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、ペースト（例えば、第１の塩堆積物３２０９）を除去する工程は、表面（例えば、第３の表面区域４３３）に亘り方向３４０２に研削工具３４０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具を使用する工程は、掃引、削取り、研削、プッシングを含むことがある。さらなる実施の形態において、ペースト（例えば、第１の塩堆積物３２０５、３２０７、３２０９、および／または３２１１）は、表面（例えば、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、第４の表面区域４３５）を溶媒で洗浄することによって、除去することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、ペースト（例えば、第２の塩堆積物３３０３）を除去する工程は、表面（例えば、第１の中央表面区域４０９）に亘り方向３４０４に研削工具３４０３を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具を使用する工程は、掃引、削取り、研削、プッシングなどを含むことがある。さらなる実施の形態において、ペースト（例えば、第２の塩堆積物３３０３および／または３３０５）は、表面（例えば、第１の中央表面区域４０９および／または第２の中央表面区域４１９）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。
工程１６１３の後、本開示の方法は、折り畳み式基板４０７をさらに化学強化する工程を含む工程１６１５に進むことができる。図３０に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１６１５において折り畳み式基板４０７をさらに化学強化する工程は、上述した工程１６０５において化学強化する工程と類似または同一であり得る。図３０示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１６１５は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板４０７の少なくとも一部を、工程１６１５または１５０９に関して先に述べられたアルカリ金属イオンおよび／またはアルカリ金属含有化合物の内の１つ以上を含む塩溶液２４０３を収容する塩浴２４０１と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３は、工程１６１５または１５０９に関して先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内の温度を有し得る。工程１６１５の後、折り畳み式基板４０７は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べられた１つ以上の範囲内の圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を含み得る。
いくつかの実施の形態において、工程１６１３または１６１５は、折り畳み式基板４０７を化学的にエッチングする工程をさらに含み得る。上述したように、折り畳み式基板４０７を化学的にエッチングする工程は、折り畳み式基板４０７を、エッチング浴中に収容されたエッチング液と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の主面４０３および第１の中央表面区域４０９がエッチングされる。いくつかの実施の形態において、第２の主面４０５および第２の中央表面区域４１９がエッチングされる。さらなる実施の形態において、第１の主面４０３、第１の中央表面区域４０９、第２の主面４０５、および／または第２の中央表面区域４１９がエッチングされる。化学的にエッチングする工程は、工程１６１３および／または１６１５において存在する場合、折り畳み式基板４０７を化学強化することにより残されることのある表面欠陥を除去するように設計することができる。実際に、化学強化する工程により、折り畳み式基板４０７の強度および／または光学的品質に影響し得る表面欠陥が生じることがある。工程１６１３および／または１６１５中にエッチングすることにより、化学強化中に生じた表面欠陥を除去することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍ以上、約５ｎｍ以上、約２μｍ以下、約１μｍ以下、約５００ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、または約１０ｎｍ以下の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。いくつかの実施の形態において、そのようなエッチングは、約１ｎｍから約２μｍ、約１ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約１μｍ、約５ｎｍから約５００ｎｍ、約５ｎｍから約１００ｎｍ、約５ｎｍから約５０ｎｍ、約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲内の深さを有する層の一部を除去するように設計することができる。そのようなエッチングは、折り畳み式基板４０７の厚さ、または化学強化中に達成される表面圧縮を実質的に変えることを避けるであろう。
工程１６１３または１６１５の後、本開示の方法は、折り畳み式基板４０７を使用して折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１６１７に進むことができる。図４７に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１６１７は、第１の主面４０３を覆っておよび／または第１の凹部４３４内にコーティング２５１を配置する工程を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面４０３を覆って第２の液体４７０３を配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３を、第１の部分４２１の第１の表面区域４２３および第２の部分４３１の第３の表面区域４３３を覆って配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３を、第１の中央表面区域４０９を覆って配置することができる、および／または第１の凹部４３４を満たすことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３を配置するために、容器４７０１（例えば、導管、可撓管、マイクロピペット、または注射器）を使用することができる。いくつかの実施の形態において、第２の液体４７０３は、コーティング前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含むことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング前駆体は、工程１５１１に関して上述したように、制限なく、単量体、促進剤、硬化剤、エポキシ、および／またはアクリレートの１つ以上を含み得る。第２の液体４７０３は、図４８に示されたように、硬化させて、コーティング２５１を形成することができる。第２の液体４７０３を硬化させる工程は、第２の液体４７０３を加熱する工程、第２の液体４７０３に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待機する工程を含み得る。工程１５１１に関して上述したような、いくつかの実施の形態において、別の方法を使用して、コーティング２５１を形成してもよい。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、コーティング２５１は、第１の主面４０３（例えば、第１の表面区域４２３、第３の表面区域４３３）と接触せずに、第１の凹部４３４内に配置する（例えば、第１の凹部４３４を満たす）ことができる。
図４８に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１６１７は、第２の凹部４４４内に材料を配置する工程を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、第３の液体を第２の凹部４４４内に配置することができる。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３は、コーティング前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第３の液体４８０３は、容器４８０１から第２の凹部４４４内に配置することができるが、工程１５１１に関して第１の凹部および／または第２の液体について先に述べたように、第２の凹部内に第３の液体または他の材料を堆積させるために、他の方法を使用してもよい。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３を硬化させて（例えば、第３の液体を加熱する、第３の液体を照射する、特定の時間に亘り待機する）、図４９に示されたように第２の凹部４４４内に高分子系部分２４１を形成することができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第３の液体を硬化させて、第２の凹部４４４内に配置された、例えば、接着剤層２６１と似た、接着剤層を形成することができる。
工程１６１３または１６１５の後、図４９に示されるように、方法は、折り畳み式基板４０７を使用して、折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１６１９に進むことができる。図４９に示されたように、工程１６１７は、第２の主面４０５の第２の表面区域４２５および第２の主面４０５の第４の表面区域４３５と接触するように接着剤層２６１を施す工程を含み得る。例えば、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、接着剤の１つ以上のシートを含み得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１および／または第２の凹部内に配置される材料（例えば、高分子系部分２４１）を含む１つ以上のシート間に一体界面があり得、これにより、シート間で光が進むときの光回折および／または光学的不連続性を低下させる（例えば、避ける）ことができる。何故ならば、その１つ以上のシートは、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るからである。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、接着剤層の少なくとも一部を第２の凹部内に配置することができる。いくつかの実施の形態において、剥離ライナー（例えば、図２および４における剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３および５における表示装置３０７を参照のこと）が接着剤層２６１（例えば、第１の接触面４６３）上に配置されることがある。工程１６１７の後、折り畳み式装置を製造する図１６の流れ図にしたがう本開示の方法は、工程１６１９で完了することができる。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１６の流れ図の工程１６０１、１６０３、１６０５、１６０７、１６０９、１６１１、１６１３、１６１５、１６１７、および１６１９に沿って進むことができる。図１６に示されるような、いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板４０７が１つまたは複数の凹部をすでに含んでいる場合、工程１６０１から、工程１６０３を省いて、矢印１６０２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式装置が工程１６０１の終わりに凹部を含み、折り畳み式基板４０７が初期圧縮応力領域を既に含むか、または折り畳み式基板４０７を、工程１６０９の後まで、化学的に強化すべきではない場合、工程１６０１から、折り畳み式基板上にマスクを配置する工程を含む工程１６０９へと、矢印１６０４に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板４０７が初期圧縮応力領域を既に含むか、または折り畳み式基板４０７を、工程１６０９の後まで、化学的に強化すべきではない場合、工程１６０３から、折り畳み式基板４０７上にマスクを配置する工程を含む工程１６０９へと、矢印１６０８に従うことができる。さらなる実施の形態において、方法は、例えば、コーティング２５１を第１の凹部４３４内および／または第１の主面４０３を覆って配置すべきではなく、高分子系部分２４１を第２の凹部４４４内に配置すべきではない場合、工程１６１３から、折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１６１７へと、矢印１６１２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式基板４０７が所望の製品（例えば、第１の凹部または第２の凹部内に材料を含まない）である場合、工程１６１３から工程１６１９へと、矢印１６１４に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式装置が剥離ライナー２７１、表示装置３０７、および／または接着剤層２６１を含むべきではない場合、工程１６１５から工程１６１９へと、矢印１６１８に従うことができる。本開示の実施の形態にしたがって折り畳み式装置を製造するために、上述した選択肢のいずれを組み合わせてもよい。
ここで、図７に示された折り畳み式装置７０１に似た折り畳み式装置および／または折り畳み式基板７０７に似た折り畳み式基板を製造する例示の実施の形態を、図３５～３９および４７～４９、並びに図１７の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１７０１において、方法は、折り畳み式基板７０７を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板７０７は、ある面に沿って延在し得る第２の主面４０５（図３５参照）および／またはある面に沿って延在し得る第１の主面４０３と反対にある第２の主面４０５を有することがある。さらなる実施の形態において、第１の凹部３５３４は、第１の主面４０３をエッチング、レーザアブレーション、または機械加工することによって、形成することができる。例えば、折り畳み式基板７０７を機械加工する工程は、上述した工程１６０３に似ているであろう。いくつかの実施の形態において、工程１７０１において、折り畳み式基板７０７に、例えば、工程１６０５に関して上述した性質の１つ以上を有する、１つ以上の初期圧縮応力領域を設けることができる。
いくつかの実施の形態において、工程１７０１では、折り畳み式基板７０７に、図３５に示されるように、中央部分７８１において折り畳み式基板７０７の既存の第１の中央表面区域３６０９を露出する第１の凹部３５３４を折り畳み式基板７０７の第１の主面４０３に設けることができる。さらなる実施の形態において、既存の第１の中央表面区域３６０９の一部は、第一中心面３７０４ａに沿って延在し得る。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、折り畳み式基板に、中央部分における折り畳み式基板の第２の中央表面区域を露出する第２の凹部を折り畳み式基板の第２の主面に設けることができる。図３５に示されたような、いくつかの実施の形態において、既存の第１の中央表面区域３６０９は、第１の移行部分３５５３（例えば、図８における第１の移行部分８５３と似た）および／または第２の移行部分３５５５（例えば、図８における第２の移行部分８５５と似た）を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の移行部分３５５３の厚さは、第一中心面３７０４ａを構成する既存の第１の中央表面区域３６０９の一部から第１の部分４２１まで連続的に増加し得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の移行部分３５５５の厚さは、第一中心面３７０４ａを構成する既存の第１の中央表面区域３６０９の一部から第２の部分４３１まで連続的に増加し得る。
工程１７０１の後、図３５に示されるように、方法は、折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程を含む工程１７０３に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板７０７の少なくとも一部を、塩溶液２４０３を含む塩浴２４０１と接触させる工程を含み得、この塩溶液は、工程１７１３に関して塩溶液２４０３について上述した成分の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３の温度および／または折り畳み式基板７０７が塩溶液２４０３と接触できる時間は、工程１５０９に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、工程１７０３において折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程は、第１の主面４０３を化学的に強化して、第１の部分４２１の第１の主面４０３から初期の第１の圧縮深さまで延在する初期の第１の圧縮応力領域を形成する工程、第１の主面４０３を化学的に強化して、第２の部分４３１の第１の主面４０３から初期の第３の圧縮深さまで延在する初期の第３の圧縮応力領域を形成する工程、第２の主面４０５を化学的に強化して、第１の部分４２１の第２の主面４０５から初期の第２の圧縮深さまで延在する初期の第２の圧縮応力領域を形成する工程、第２の主面４０５を化学的に強化して、第２の部分４３１の第２の主面４０５から初期の第４の圧縮深さまで延在する初期の第４の圧縮応力領域を形成する工程、既存の第１の中央表面区域３６０９を化学的に強化して、既存の第１の中央表面区域３６０９から初期の第１の中央圧縮深さまで延在する初期の第１の中央圧縮応力領域を形成する工程、および第２の主面４０５を化学的に強化して、中央部分７８１における第２の主面４０５から初期の第２の中央圧縮深さまで延在する初期の第２の中央圧縮応力領域を形成する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板７０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板７０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ４１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板７０７の対応する層の深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板７０７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
工程１７０１または１７０３の後、図３６に示されるように、方法は、折り畳み式基板７０７の１つ以上の部分を覆ってマスクを配置する工程を含む工程１７０７に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１７０７は、折り畳み式基板７０７の１つ以上の部分を覆って第１の液体２１０７を配置する工程を含み得る。図示され、工程１５０３に関して先に記載されたような、さらなる実施の形態において、折り畳み式基板７０７の１つ以上の部分を覆って第１の液体２１０７を配置するために、容器２１０１が使用されることがある。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の液体２１０７は、第１の液体堆積物３６０３として第１の部分４２１の第１の主面４０３および既存の第１の中央表面区域３６０９の第１の移行部分３５５３を覆って、また第２の液体堆積物３６０５として第２の部分４３１の第１の主面４０３および既存の第１の中央表面区域３６０９の第２の移行部分３５５５を覆って配置することができる。図示されていないが、第１の部分の第２の主面および／または第２の部分の第２の主面を覆って、同様の液体堆積物を形成できることを理解すべきである。さらなる実施の形態において、液体堆積物（例えば、図３６に示された第１の液体堆積物３６０３および第２の液体堆積物３６０５）を硬化させて、マスク（例えば、図３７に示された第１のマスク３７０５および第３のマスク３７０９）を形成することができる。第１の液体を硬化させる工程は、第１の液体２１０７を加熱する工程、第１の液体２１０７に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間に亘り待機する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、上述したような、別の方法を使用して、マスク（例えば、マスク３７０５、３７０７、３７０９、および３７１１）を形成してもよい。図３７に示されるように、第１のマスク３７０５を、第１の部分４２１の第１の主面４０３および既存の第１の中央表面区域３６０９の第１の移行部分３５５３を覆って配置することができる、第３のマスク３７０９を、第２の部分４３１の第１の主面４０３および既存の第１の中央表面区域３６０９の第２の移行部分３５５５を覆って配置することができる、第２のマスク３７０７を、第１の部分４２１の第２の主面を覆って配置することができる、および／または第４のマスク３７１１を、第２の部分４３１の第２の主面４０５を覆って配置することができる。
工程１７０７の後、図３７に示されるように、方法は、折り畳み式基板７０７をエッチングする工程を含む工程１７０９に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、折り畳み式基板７０７をエッチング液２２０３（例えば、１種類以上の鉱酸）に曝露する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチング液２２０３は、エッチング液浴２２０１内に収容されたエッチング液であり得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、中央部分７８１の一部（例えば、既存の第１の中央表面区域３６０９のマスキングされていない部分）をエッチングして、第１の中央表面区域７０９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより形成された第１の中央表面区域７０９は、移行深さ７２７だけ第一中心面３７０４ａから窪み得る。さらなる実施の形態において、エッチングにより形成された第１の中央表面区域７０９は、移行深さ７２７を有する対応する移行部分の厚さに急激な変化を有する第１の移行部分７５３および／または第２の移行部分７５５を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより、第２の主面４０５と第２の中央表面区域７１９との間に第２の凹部４４４を形成することができる。
工程１７０９の後、図３８に示されるように、方法は、マスクを除去する工程を含む工程１７１１に進むことができる。図３８に示されたようないくつかの実施の形態において、マスク（例えば、マスク３７０５、３７０７、３７０９、および３７１１）を除去する工程は、表面（例えば、第３の表面区域４３３）に亘り方向３８０２に研削工具３８０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具の使用は、掃引、削取り、研削、プッシングなどを含むことがある。さらなる実施の形態において、マスク（例えば、マスク３７０５、３７０７、３７０９、および３７１１）は、表面（例えば、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、第４の表面区域４３５）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。いくつかの実施の形態において、マスクを除去する工程は、それぞれ、第１の表面区域４２３、第２の表面区域４２５、第３の表面区域４３３、および第４の表面区域４３５からマスク３７０５、３７０７、３７０９、および３７１１を除去する工程を含み得る。
工程１７０３の後、方法は、折り畳み式基板７０７を機械加工する工程を含む工程に進むことができる。工程１７０７の効果と同様に、工程１７０５は、第一中心面３７０４ａを構成する既存の第１の中央表面区域３６０９および／または第２の主面４０５の中央部分７８１から材料を除去することができる。折り畳み式基板７０７を機械加工する工程は、工程１５１７を参照して上述した技術のいずれを含んでも差し支えない。
工程１７１１または１７０５の後、図３９に示されるように、方法は、折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程を含む工程１７１３に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板７０７の少なくとも一部を、塩溶液２４０３を含む塩浴２４０１と接触させる工程を含み得、この塩溶液は、工程１５０９に関して塩溶液２４０３について上述した成分の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液２４０３の温度および／または折り畳み式基板７０７が塩溶液２４０３と接触できる時間は、工程１５０９に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、工程１７１３において折り畳み式基板７０７を化学的に強化する工程は、第１の表面区域４２３を化学的に強化して、第１の表面区域４２３から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を形成する工程、第２の表面区域４２５を化学的に強化して、第２の表面区域４２５から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を形成する工程、第３の表面区域４３３を化学的に強化して、第３の表面区域４３３から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を形成する工程、第４の表面区域４３５を化学的に強化して、第４の表面区域４３５から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を形成する工程、第１の中央表面区域７０９を化学的に強化して、第１の中央表面区域７０９から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を形成する工程、および第２の中央表面区域７１９を化学的に強化して、第２の中央表面区域７１９から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を形成する工程を含み得る。工程１７１３の後、折り畳み式基板は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べた１つ以上の範囲内に入る圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を有し得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、または第４の層の深さの内の１つの層の深さと、中央厚さで除算された、第１の中央の層の深さまたは第２の中央の層の深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、基板厚さで除算された、第１の圧縮深さ、第２の圧縮深さ、第３の圧縮深さ、または第４の圧縮深さの内の１つと、中央厚さで除算された、第１の中央圧縮深さまたは第２の中央圧縮深さとの間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。さらなる実施の形態において、カリウムの第１の平均濃度またはカリウムの第２の平均濃度と、カリウムの中央平均濃度との間の絶対差は、先に述べられた範囲の内の１つ以上の範囲内であり得る。
工程１７１３の後、第１の移行部分および／または第２の移行部分は、移行最大引張応力を有する移行引張応力領域を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の部分は、第１の最大引張応力を有する第１の引張応力領域を含み得、第２の部分は、第２の最大引張応力を有する第２の引張応力領域を含み得、中央部分は、中央最大引張応力を有する中央引張応力領域を含み得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、中央最大引張応力より大きいことがあり得る。さらなる実施の形態において、移行最大引張応力は、第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力より大きいことがあり得る。例えば、工程１７０５および１７０７において第１の移行部分および／または第２の移行部分をマスキングすると、対応する初期の圧縮応力領域の除去を防ぐことができ、これにより、工程１７１３の後に、第１の移行部分および／または第２の移行部分が、中央部分より大きい最大引張応力を有することができる。同様に、第１の部分および／または第２の部分に対する第１の移行部分および／または第２の移行部分の減少した厚さと組み合わされた、工程１７０５および１７０７を通じて維持された第１の移行部分および／または第２の移行部分の初期の圧縮応力領域により、移行最大引張応力を、第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力より大きくすることができる。移行最大引張応力を中央最大引張応力より大きくすることによって、折り畳み中の、第１の部分または第２の部分と、第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。移行最大引張応力を、第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力より大きくすることによって、折り畳み中の、中央部分と、第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。
工程１７１３の後、本開示の方法は、第１の主面４０３を覆って、および／または第１の凹部内にコーティング２５１を配置する工程を含む工程１７１５に進むことができる。折り畳み式基板４０７について図４７に示されたような、いくつかの実施の形態において、第１の主面２０３を覆って第２の液体４７０３を配置することができる。さらなる実施の形態において、第１の部分４２１の第１の表面区域４２３および第２の部分４３１の第３の表面区域４３３を覆って第２の液体４７０３を配置することができる。さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３は、第１の中央表面区域４０９を覆って配置することができる、および／または第１の凹部４３４を満たすことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の液体４７０３を配置するために、容器４７０１（例えば、導管、可撓管、マイクロピペット、または注射器）を使用してもよい。いくつかの実施の形態において、第２の液体４７０３は、コーティング前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含むことがある。いくつかの実施の形態において、コーティング前駆体は、制限なく、単量体、促進剤、硬化剤、エポキシ、および／またはアクリレートの１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、接着促進剤の溶媒は、極性溶媒（例えば、水、アルコール、酢酸エステル、アセトン、ギ酸、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキソン、ニトロメタン、プロピレンカーボネート、ポリ（エーテルエーテルケトン））、および／または非極性溶媒（例えば、ペンタン、１，４－ジオキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン）を含むことがある。第２の液体４７０３は、図４８～４９に示されるように、硬化させて、コーティング２５１を形成することができる。第２の液体４７０３を硬化させる工程は、第２の液体４７０３を加熱する工程、第２の液体４７０３に紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間（例えば、約３０分から２４時間、約１時間から約８時間）待機する工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、別の方法（例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ支援ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸発、分子線エピタキシー、イオンメッキ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、スパッタリング、噴霧熱分解、化学浴析出法、ゾルゲル堆積）を使用して、コーティング２５１を形成してもよい。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、コーティング２５１は、第１の主面４０３（例えば、第１の表面区域４２３、第３の表面区域４３３）と接触せずに、第１の凹部４３４内に配置する（例えば、第１の凹部４３４を満たす）ことができる。
工程１７１３または１７１５の後、本開示の方法は、第２の凹部４４４内に材料を配置する工程を含む工程１７１７に進むことができる。折り畳み式基板４０７について図４８に示されたような、いくつかの実施の形態において、第２の凹部４４４内に第３の液体４８０３を配置することができる。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３は、前駆体、溶媒、粒子、ナノ粒子、および／または繊維を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第３の液体４８０３は、容器４８０１から第２の凹部４４４に配置することができるが、第１の凹部および／または第２の液体に関して先に述べたように、第２の凹部内に第３の液体または他の材料を堆積させるために、他の方法を使用してもよい。いくつかの実施の形態において、第３の液体４８０３を硬化させて（例えば、第３の液体を加熱する、第３の液体を照射する、特定の時間に亘り待機する）、図４９に示されたように第２の凹部４４４内に高分子系部分２４１を形成することができる。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、第３の液体を硬化させて、第２の凹部４４４内に配置された、例えば、接着剤層２６１と似た、接着剤層を形成することができる。
工程１７１５または１７１７の後、本開示の方法は、折り畳み式基板７０７を使用して折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１７１９に進むことができる。折り畳み式基板４０７について図４９に示されたように、工程１７１９は、第２の主面４０５の第２の表面区域４２５および第２の主面４０５の第４の表面区域４３５と接触するように接着剤層２６１を施す工程を含み得る。例えば、いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１は、接着剤の１つ以上のシートを含み得る。いくつかの実施の形態において、接着剤層２６１および／または第２の凹部内に配置される材料（例えば、高分子系部分２４１）を含む１つ以上のシート間に一体界面があり得、これにより、シート間で光が進むときの光回折および／または光学的不連続性を低下させる（例えば、避ける）ことができる。何故ならば、その１つ以上のシートは、いくつかの実施の形態において、実質的に同じ屈折率を有し得るからである。いくつかの実施の形態において、図示されていないが、接着剤層の少なくとも一部を第２の凹部内に配置することができる。いくつかの実施の形態において、剥離ライナー（例えば、図２および４における剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３および５における表示装置３０７を参照のこと）が接着剤層２６１（例えば、第１の接触面２６３）上に配置されることがある。工程１７１９の後、折り畳み式装置を製造する図１７の流れ図にしたがう本開示の方法は、工程１７２１で完了することができる。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１７の流れ図の工程１７０１、１７０３、１７０７、１７０９、１７１１、１７１３、１７１５、１７１７、１７１９、および１７２１に沿って進むことができる。図１７に示されるような、いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板７０７が、工程１７０１の後、１つ以上の圧縮応力領域を含む場合、工程１７０１から、工程１７０３を省いて、矢印１７０２に従うことができる。さらなる実施の形態において、工程１７０７、１７０９、および１７１１によって折り畳み式基板を化学的に強化する代わりに、工程１７０３から、折り畳み式基板７０７を機械加工する工程を含む工程１７０５へと、矢印１７０８に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板７０７が、工程１７０１の後に１つ以上の圧縮応力領域を含む場合、工程１７０１から工程１７０７へと、矢印１７０４に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板７０７が所望の凹部を既に含む場合、工程１７０１から、折り畳み式基板を化学的に強化することを含む工程１７１３へと、矢印１７０６に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、工程１７１３から、第２の凹部４４４中に材料を配置する工程を含む工程１７１７へと、矢印１７１４に従うことができる。さらなる実施の形態において、方法は、工程１７１７から、第１の主面を覆って、および／または第１の凹部４３４内にコーティング２５１を配置する工程を含む工程１７１５へと、矢印１７１６に従うことができる。またさらなる実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式装置がコーティング２５１および高分子系部分２４１を既に含む、または１つ以上の凹部内に別の材料を配置すべき場合、工程１７１５から、折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１７１９へと、矢印１７１８に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式装置が工程１７１５の終わりに完全に組み立てられている場合、または第１の凹部内および／または第１の主面を覆って、および／または第２の主面を覆って、別の材料を配置すべき場合、工程１７１５から工程１７２１へと、矢印１７２０に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式装置が工程１７１７の終わりに完全に組み立てられている場合、または第２の凹部内および／または第２の主面を覆って、別の材料を配置すべき場合、工程１７１７から工程１７２１へと、矢印１７２２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式基板７０７が所望の製品（例えば、第１の凹部または第２の凹部内に材料を含まない）である場合、工程１７１３から工程１７２１へと、矢印１７１２に従うことができる。本開示の実施の形態にしたがって折り畳み式装置を製造するために、上述した選択肢のいずれを組み合わせてもよい。
ここで、図８に示された折り畳み式装置８０１に似た折り畳み式装置を製造する例示の実施の形態を、図４０～４９、並びに図１８の流れ図を参照して説明する。本開示の方法の第１の工程１８０１において、方法は、折り畳み式基板４００７を提供することで始めることができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４００７は、基板を購入するか、他のやり方で得る、もしくは折り畳み式基板を成形することによって、提供されることがある。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４００７は、ガラス系基板および／またはセラミック系基板から構成され得る。さらなる実施の形態において、ガラス系基板および／またはセラミック系基板は、様々なリボン成形過程、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、圧搾ロール法、リドロー法またはフロート法によってそれらを成形することによって、提供することができる。さらなる実施の形態において、セラミック系基板は、ガラス系基板を加熱して、１種類以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、提供することができる。折り畳み式基板４００７は、ある面に沿って延在し得る既存の第２の主面４００５（図４０参照）を有することがある。既存の第２の主面４００５は、第１の主面４００３の反対にあり得る。
いくつかの実施の形態において、工程１８０１では、折り畳み式基板４００７に、中央部分４０８１において折り畳み式基板４００７の既存の第１の中央表面区域４００９を露出する第１の凹部８３４を、折り畳み式基板４００７の第１の主面４００３に設けることができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、既存の第１の中央表面区域４００９は移行領域（例えば、移行領域８５３および／または８５５に似た）を含み得る。さらなる実施の形態において、第１の凹部８３４は、第１の主面４００３をエッチング、レーザアブレーションまたは機械加工することによって、形成されることがある。例えば、折り畳み式基板４００７を機械加工する工程は、上述した工程１６０３に似ているであろう。いくつかの実施の形態において、工程１８０１では、折り畳み式基板４００７に、例えば、工程１６０５に関して上述した性質の１つ以上を有する、１つ以上の圧縮応力領域を設けることができる。
工程１８０１の後、いくつかの実施の形態において、方法は、既存の第２の主面４００５を機械加工する工程を含む工程１８０３に進むことができる（図４１参照）。いくつかの実施の形態において、工程１８０３は、既存の第２の主面４００５の第１の部分８２１を除去して、第１の部分８２１の第２の表面区域８２５を露出させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、工程１８０３は、既存の第２の主面４００５の第２の部分８３１を除去して、第２の部分８３１の第４の表面区域８３５を露出させる工程を含み得る。図４１に示されるように、第２の表面区域８２５および／または第４の表面区域は、第２の主面８０５を構成し得る。図４１に示されるように、面４１０４に沿って延在する既存の第２の主面４００５は、第２の表面区域８２５および／または第４の表面区域８３５を露出するように改質することができる。例えば、折り畳み式基板４０４に関して図２６に示されるように、ダイヤモンド彫刻を使用することができ、ここで、ダイヤモンドチッププローブ２００１は、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）装置２００３を使用して制御することができる。ＣＮＣ装置による彫刻に、ダイヤモンド以外の材料を使用しても差し支えない。凹部を形成する他の方法、例えば、リソグラフィーおよびレーザアブレーションを使用して差し支えないことを理解すべきである。
工程１８０１の後、図４０に示されるように、方法は、折り畳み式基板４００７の１つ以上の部分を覆ってマスクを配置する工程を含む工程１８０５に進むことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、工程１８０５は、中央部分４０８１において既存の第２の主面４００５上に第１の液体堆積物４０１１を配置する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の液体堆積物４０１１を配置するために、容器３２０１を使用することができる。さらなる実施の形態において、第１の液体堆積物４０１１は、上述した第１の液体２１０７を含み得る。さらなる実施の形態において、液体堆積物（例えば、図４０に示された第１の液体堆積物４０１１）を硬化させて、マスク（例えば、図４１に示された第１のマスク４１０３）を形成することができる。第１の液体堆積物を硬化させる工程は、それを加熱する工程、それに紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間に亘り待機する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、マスクを形成するために、上述したような、別の方法を使用してもよい。
工程１８０５の後、方法は、折り畳み式基板４００７の少なくとも既存の第２の主面４００５をエッチングする工程を含む工程１８０７に進むことができる。さらなる実施の形態において、エッチングは、折り畳み式基板４００７をエッチング液（例えば、１種類以上の鉱酸）に曝露する工程を含み得る。図４１に示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、面４１０４に沿って延在する既存の第２の主面４００５の第１の部分８２１をエッチングして、第１の部分８２１の第２の表面区域８２５を露出する工程を含み得る。図４１に示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングは、面４１０４に沿って延在する既存の第２の主面４００５の第２の部分８３１をエッチングして、第２の部分８３１の第４の表面区域８３５を露出する工程を含み得る。図４１に示されたような、さらなる実施の形態において、エッチングにより露出された第２の表面区域８２５および／または第４の表面区域８３５は、第２の主面８５０を構成し得る。
工程１８０７の後、図４１に示されるように、方法は、マスク４１０３を除去する工程を含む工程１８０９に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、マスク４１０３を除去する工程は、表面（例えば、中央部分４０８１における既存の第２の主面４００５）に亘り方向４１０２に研削工具４１０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具の使用は、掃引、削取り、研削、プッシングなどを含むことがある。さらなる実施の形態において、マスク４１０３は、表面（例えば、中央部分４０８１ににおける既存の第２の主面４００５）を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。いくつかの実施の形態において、マスクを除去する工程は、中央部分４０８１において既存の第２の主面４００５からマスク４１０３を除去する工程を含み得る。
工程１８０３または１８０９の後、図４２に示されるように、方法は、折り畳み式基板４００７を化学的に強化する工程を含む工程１８１１に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板４００７を化学的に強化する工程は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板４００７の少なくとも一部を、塩溶液４２０３を含む塩浴４２０１と接触させる工程を含み得、この塩溶液は、工程１５０９に関して塩溶液２４０３について上述した成分の１つ以上を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液４２０３の温度および／または折り畳み式基板４００７が塩溶液４２０３と接触できる時間は、工程１５０９に関して先に述べた範囲の１つ以上に入り得る。いくつかの実施の形態において、工程１８１１において折り畳み式基板４００７を化学的に強化する工程は、既存の第１の中央表面区域４００９を化学的に強化して、既存の第１の中央表面区域４００９から初期の第１の中央圧縮深さまで延在する初期の第１の中央圧縮応力領域を形成する工程、第１の表面区域８２３を化学的に強化して、第１の表面区域８２３から初期の第１の圧縮深さまで延在する初期の第１の圧縮応力領域を形成する工程、第３の表面区域８３３を化学的に強化して、第３の表面区域８３３から初期の第３の圧縮深さまで延在する初期の第３の圧縮応力領域を形成する工程、第２の表面区域８２５を化学的に強化して、第２の表面区域８２５から初期の第２の圧縮深さまで延在する初期の第２の圧縮応力領域を形成する工程、第４の表面区域８３５を化学的に強化して、第４の表面区域８３５から初期の第４の圧縮深さまで延在する初期の第４の圧縮応力領域を形成する工程、および既存の第２の主面４００５を化学的に強化して、既存の第２の主面４００５から初期の第２の中央圧縮深さまで延在する初期の第２の中央圧縮応力領域を形成する工程を含み得る。
工程１８１１の後、折り畳み式基板４００７は、初期圧縮深さおよび／または関連する初期層の深さを有する１つ以上の初期圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央圧縮応力領域）を含み得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１の百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４００７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４００７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の圧縮深さ、初期の第２の圧縮深さ、初期の第３の圧縮深さ、および／または初期の第４の圧縮深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％以上、約１０％以上、約１２％以上、約１４％以上、約２５％以下、約２０％以下、約１８％以下、または約１６％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、基板厚さ８１１の百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５％から約２５％、約８％から約２５％、約８％から約２０％、約１０％から約２０％、約１０％から約１８％、約１２％から約１８％、約１２％から約１６％、約１４％から約１６％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４００７の対応する層の深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％以上、約６０％以上、約６５％以上、約６８％以上、約８０％以下、約７５％以下、約７２％以下、または約７０％以下であり得る。いくつかの実施の形態において、完成した折り畳み式基板４００７の対応する圧縮深さの百分率としての初期の第１の層の深さ、初期の第２の層の深さ、初期の第３の層の深さ、および／または初期の第４の層の深さは、約５０％から約８０％、約６０％から約８０％、約６０％から約７５％、約６５％から約７５％、約６５％から約７２％、約６８％から約７２％、約６８％から約７０％の範囲内、もしくはそれらの間の任意の範囲または部分的範囲にあり得る。
図４２に示されたような、いくつかの実施の形態において、工程１８１１の後（例えば、工程１８１５において折り畳み式基板４００７をエッチングする前）、既存の第２の主面４００５を構成する既存の第２の中央表面区域は、第２の主面８０５から突出し得る。先に述べたように、第２の表面区域８２５および第４の表面区域８３５は、第２の主面８０５を構成することができる。さらなる実施の形態において、既存の第２の主面４００５を構成する既存の第２の中央表面区域が第２の主面８０５から突出する距離は、工程１８１１において作られた初期の第２の中央圧縮深さと実質的に等しいか、またはそれより大きいことがあり得る。
工程１８１１の後、図４３～４４に示されるように、方法は、折り畳み式基板４００７を覆ってマスクを配置する工程を含む工程１８１３に進むことができる。図４３に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１８１３は、第２の表面区域８２５を覆って第１の液体堆積物４３０３を配置する工程、および第４の表面区域８３５を覆って第２の液体堆積物４３０５を配置する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第１の液体堆積物４３０３および第２の液体堆積物４３０５を構成する液体を配置するために、容器３２０１（例えば、導管、可撓管、マイクロピペット、または注射器）を使用することができる。さらなる実施の形態において、図示されていないが、第１の表面区域８２３を覆って、第３の液体堆積物を配置することができる、および／または第３の表面区域８３３を覆って、第４の液体堆積物を配置することができる。さらなる実施の形態において、液体堆積物（例えば、第１の液体堆積物４３０３および第２の液体堆積物４３０５）を硬化させて、マスク（例えば、図４４に示された第２のマスク４４０５および／または第４のマスク４４０９）を形成することができる。液体堆積物を硬化させる工程は、それを加熱する工程、それに紫外（ＵＶ）線を照射する工程、および／または所定の時間に亘り待機する工程を含み得る。さらなる実施の形態において、上述したような、別の方法を使用して、マスクを形成してもよい。図４４に示されるように、工程１８１３によって、第１のマスク４４０７を、第１の表面区域８２３を覆って配置することができる、第２のマスク４４０５を、第２の表面区域８２５を覆って配置することができる、第３のマスク４４１１を、第３の表面区域８３３を覆って配置することができる、および／または第４のマスク４４０９を、第４の表面区域８３５を覆って配置することができる。
工程１８１３の後、図４４に示されるように、方法は、折り畳み式基板４００７をエッチングする工程を含む工程１８１５に進むことができる。図示されたような、さらなる実施の形態において、エッチング液４４０３は、エッチング液浴４４０１内に収容されたエッチング液であり得る。またさらなる実施の形態において、エッチング液４４０３は、１種類以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３）を含み得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、面４１０４に沿って延在する既存の第２の主面４００５の中央部分４０８１をエッチングして、第２の中央表面区域８１９を形成する工程を含み得る。図示されたような、さらなる実施の形態において、第２の中央表面区域８１９は、第２の表面区域８２５および／または第４の表面区域８３５と同一平面上にあり得る。図示されたような、いくつかの実施の形態において、エッチングは、既存の第１の中央表面区域４００９（図４２参照）を構成する中央部分４０８１（例えば、別の面４４０６に沿って延在する）をエッチングして、第２の中央表面区域４５０９を露出させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、第１の中央表面区域を露出するために除去された材料の深さは、初期の第１の中央圧縮深さと実質的に等しい、それより小さい、またはそれより大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、第２の中央表面区域を露出するために除去された材料の深さは、初期の第２の中央圧縮深さと実質的に等しい、それより小さい、またはそれより大きいことがあり得る。
工程１８１５の後、図４５に示されるように、本開示の方法は、マスクを除去する工程を含む工程１８１７に進むことができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、マスク（例えば、第４のマスク４４０９）を除去する工程は、表面（例えば、第４の表面区域８３５）に亘り方向４５０２に研削工具４５０１を動かす工程を含み得る。またさらなる実施の形態において、工具の使用は、掃引、削取り、研削、プッシング(pushing)などを含むことがある。さらなる実施の形態において、マスクは、折り畳み式基板の表面を溶剤で洗浄することによって、除去することができる。図示されたような、いくつかの実施の形態において、マスクを除去する工程は、（例えば、研削工具４５０１で）第１の表面区域８２３から第１のマスク４４０７を除去する工程、第２の表面区域８２５から第２のマスク４４０５を除去する工程、第３の表面区域８３３から第３のマスク４４１１を除去する工程、および／または第４の表面区域から第４のマスク４４０９を除去する工程を含み得る。
工程１８１７の後、本開示の方法は、折り畳み式基板４００７をさらに化学的に強化する工程を含む工程１８１９に進むことができる。図４６に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１８１９において折り畳み式基板４００７をさらに化学的に強化する工程は、上述した工程１６０５、１６１５、または１８１１における化学的に強化する工程と似ている、または同一であり得る。図４６に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１８１９は、リチウム陽イオンおよび／またはナトリウム陽イオンを含む折り畳み式基板４００７の少なくとも一部を、工程１８１１、１６１５、または１５０９に関して上述したアルカリ金属イオンおよび／またはアルカリ金属含有化合物の１つ以上を含む塩溶液４６０３を収容する塩浴４６０１と接触させる工程を含み得る。いくつかの実施の形態において、塩溶液４６０３は、工程１８１１、１６１５、または１５０９に関して上述した範囲の１つ以上に入る温度を有し得る。工程１８１９の後、折り畳み式基板４００７は、対応する圧縮応力領域に関して先に述べた１つ以上の範囲内に入る圧縮深さおよび／または関連する層の深さを有する１つ以上の圧縮応力領域（例えば、第１の、第２の、第３の、第４の、第１の中央の、および／または第２の中央の圧縮応力領域）を有し得、これらは、上述した関係（例えば、基板厚さの百分率としての第１の表面区域、第２の表面区域、第３の表面区域、および／または第４の表面区域からの圧縮深さおよび／または層の深さと、中央厚さの百分率としての第１の中央表面区域および／または第２の中央表面区域からの対応する深さとの間の絶対差）のいずれかおよび／または全てをさらに含み得る。
工程１８１９の後、本開示の方法は、第１の主面８０３を覆って、および／または第１の凹部８３４内に材料（例えば、コーティング２５１、高分子系部分２４１、接着剤層２６１）を配置する工程を含む工程１８２１に進むことができる。いくつかの実施の形態において、コーティングを配置する工程は、上述した工程１７１３または１７１５と同一または実質的に類似であり得る。
工程１８１７または１８１９の後、本開示の方法は、折り畳み式基板４００７を使用して折り畳み式装置を組み立てる工程を含む工程１８２１に進むことができる。工程１８２１は、折り畳み式基板の第１の主面または第２の主面と接触するように接着剤層を施す工程を含み得る。さらに、工程１８２１は、接着剤層上に剥離ライナー（例えば、図２および４における剥離ライナー２７１を参照のこと）または表示装置（例えば、図３および５における表示装置３０７を参照のこと）を配置する工程を含み得る。工程１８２１の後、折り畳み式装置を製造する図１８の流れ図にしたがう本開示の方法は、工程１８２３で完了することができる。
いくつかの実施の形態において、本開示の実施の形態による折り畳み式装置を製造する方法は、上述したように、連続して、図１８の流れ図の工程１８０１、１８０５、１８０７、１８０９、１８１１、１８１３、１８１５、１８１７、１８１９、１８２１、１８２３、および１８２５に沿って進むことができる。図１８に示されるような、いくつかの実施の形態において、工程１８０１から、折り畳み式基板を機械加工して、第１の主面の中央部分から材料を除去する工程を含む工程１８０３へと、矢印１８０２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、例えば、折り畳み式基板が、工程１８０１の終わりに第１の凹部を既に含む場合、工程１８０１から工程１８１１へと、矢印１８０４に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式装置が工程１８２１の終わりに完全に組み立てられている場合、または別の材料を第１の凹部内および／または第２の主面を覆って配置すべき場合、工程１８２１から工程１８２５へと、矢印１８１２に従うことができる。いくつかの実施の形態において、方法は、例えば、折り畳み式基板４００７が所望の製品（例えば、第１の凹部または第２の凹部内に材料を含まない）である場合、工程１８１９から工程１８２５へと、矢印１８０８に従うことができる。本開示の実施の形態にしたがって折り畳み式装置を製造するために、上記選択肢のいずれを組み合わせてもよい。
以下の実施例によって、様々な実施の形態がさらに明白になるであろう。実施例Ａ～Ｃは、図４～５および７～８に示された折り畳み式基板４０７または８０１を備えた折り畳み式装置４０１、５０１、７０１、または８０１を形成するための本開示の実施の形態の例示の方法を実証する。実施例Ｄ～Ｅの第１の凹部内の材料の歪み、実施例Ｄ～Ｅの第１の中央表面区域での歪み、および実施例Ｄ～Ｅを折り畳む力が、図５５～５７に示されている。数値シミュレーションに基づく面外反りが、実施例Ｆ～Ｇについて、図５８～５９に示されている。
表１において、第１の部分と第２の部分の厚さ、中央部分の厚さ、第１の部分と第２の部分の平均の層の深さ（ＤＯＬ）、および中央部分の平均の層の深さ（ＤＯＬ）が、説明された方法の異なる段階での実施例Ａ～Ｃについて提示されている。
Figure 0007588215000001
実施例Ａは、１００μｍの基板厚さ（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ）および５８μｍの中央厚さを有するガラス系基板を最初に備えていた。最初の化学強化過程において、全ての表面から、１４μｍの実質的に均一な層の深さ（ＤＯＬ）が生じた。次に、中央部分をエッチングすることによって、既存の第１の中央表面区域から１４μｍが除去され、既存の第２の中央表面区域から１４μｍが除去された。これにより、それらの表面から実質的に全てのＤＯＬが除去されて、中央厚さが３０μｍとなり、一方で、第１の部分と第２の部分はそのまま残された。第２の化学強化過程において、第１の中央表面区域および第２の中央表面区域について、６μｍのＤＯＬが生じるほど十分に、全ての表面が強化され、この過程により、第１の部分と第２の部分において表面のＤＯＬが６μｍだけ増加した。全体として、この過程により、２０μｍのＤＯＬ（１００μｍの基板厚さの２０％）を有する第１の部分と第２の部分、および６μｍのＤＯＬ（３０μｍの中央部分の２０％）を有する中央部分が生じた。
実施例Ｂは、１５０μｍの基板厚さ（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ）および７８μｍの中央厚さを有するガラス系基板を最初に備えていた。最初の化学強化過程において、全ての表面から、２４μｍの実質的に均一な層の深さ（ＤＯＬ）が生じた。次に、中央部分をエッチングすることによって、既存の第１の中央表面区域から２４μｍが除去され、既存の第２の中央表面区域から２４μｍが除去された。これにより、それらの表面から実質的に全てのＤＯＬが除去されて、中央厚さが３０μｍとなり、一方で、第１の部分と第２の部分はそのまま残された。第２の化学強化過程において、第１の中央表面区域および第２の中央表面区域について、６μｍのＤＯＬを生じるほど十分に、全ての表面が強化され、この過程により、第１の部分と第２の部分において表面のＤＯＬが６μｍだけ増加した。全体として、この過程により、３０μｍのＤＯＬ（１５０μｍの基板厚さの２０％）を有する第１の部分と第２の部分、および６μｍのＤＯＬ（３０μｍの中央部分の２０％）を有する中央部分が生じた。
実施例Ｃは、２００μｍの基板厚さ（例えば、第１の厚さ、第２の厚さ）および９８μｍの中央厚さを有するガラス系基板を最初に備えていた。最初の化学強化過程において、全ての表面から、３４μｍの実質的に均一な層の深さ（ＤＯＬ）が生じた。次に、中央部分をエッチングすることによって、既存の第１の中央表面区域から３４μｍが除去され、既存の第２の中央表面区域から３４μｍが除去された。これにより、それらの表面から実質的に全てのＤＯＬが除去されて、中央厚さが３０μｍとなり、一方で、第１の部分と第２の部分はそのまま残された。第２の化学強化過程において、第１の中央表面区域および第２の中央表面区域について、６μｍのＤＯＬを生じるほど十分に、全ての表面が強化され、この過程により、第１の部分と第２の部分において表面のＤＯＬが６μｍだけ増加した。全体として、この過程により、４０μｍのＤＯＬ（２００μｍの基板厚さの２０％）を有する第１の部分と第２の部分、および６μｍのＤＯＬ（３０μｍの中央部分の２０％）を有する中央部分が生じた。
実施例Ａ～Ｃは、異なる基板厚さに関する、中央厚さの百分率としての中央部分の平均の層の深さ（例えば、第１の中央の層の深さ、第２の中央の層の深さ）と実質的に等しいことがあり得る、基板厚さの百分率としての第１の部分（例えば、第１の層の深さ、第２の層の深さ）および／または第２の部分（例えば、第３の層の深さ、第４の層の深さ）の平均の層の深さを達成するための方法を実証している。実施例Ａ～Ｃにおいて、第１の化学強化過程により、基板厚さの１４％のＤＯＬ（最終ＤＯＬの７０％）が達成され、次いで、中央部分の各表面からＤＯＬがエッチングされ、最後に、さらなる化学強化過程を使用して、最終ＤＯＬを達成した。対応する厚さの百分率としての異なる基板厚さ、異なる中央厚さ、および異なるＤＯＬの折り畳み式基板を製造するために、類似の方法を使用できることを理解すべきである。
実施例Ｄ～Ｅは、ガラス系基板（６３．６モル％のＳｉＯ２、１５．７モル％のＡｌ２Ｏ３、１０．８モル％のＮａ２Ｏ、６．２モル％のＬｉ２Ｏ、１．１６モル％のＺｎＯ、０．０４モル％のＳｎＯ２、および２．５モル％のＰ２Ｏ５の公称組成を有する組成物１）、１５０μｍの基板厚さ、３０μｍの中央厚さ、および移行部分がない２０ｍｍの中央部分の幅を有する。実施例Ｄは、１２０μｍだけ第１の主面から窪んだ第１の中央表面区域を有する第１の凹部を含むが、第１の凹部の反対側に第２の凹部はない。実施例Ｅは、６０μｍだけ第１の主面から窪んだ第１の中央表面区域を有する第１の凹部および第１の凹部と反対側にある第２の凹部を含み、第２の中央表面区域は６０μｍだけ第２の主面から窪んでいる。
図５５において、横軸５５０１（例えば、Ｘ軸）は平行板距離（ｍｍ）であり、縦軸５５０３（例えば、Ｙ軸）は第１の凹部内に位置する材料（例えば、高分子系部分、接着剤、コーティング）に対する歪みである。実施例Ｄの結果が曲線５５０５で示され、実施例Ｅの結果が曲線５５０７で示されている。図から分かるように、ただ１つの第１の凹部を含む実施例Ｄは、図示された全ての平行板距離について、第１の凹部と第２の凹部の両方を含む実施例Ｅの対応する材料よりも大きい歪みを第１の凹部内に位置付けられた材料に対して有する。実際に、実施例Ｅの歪みは、実施例Ｄの歪みの約半分である。
図５６において、横軸５６０１（例えば、Ｘ軸）は平行板距離（ｍｍ）であり、縦軸５６０３（例えば、Ｙ軸）は第１の中央表面区域に対する歪みである。実施例Ｄの結果が曲線５６０５で示され、実施例Ｅの結果が曲線５６０７で示されている。図から分かるように、ただ１つの第１の凹部を含む実施例Ｄは、図示された全ての平行板距離について、第１の凹部と第２の凹部の両方を含む実施例Ｅの対応する第１の中央表面区域よりも大きい歪みを第１の中央表面区域に対して有する。実際に、少なくとも１２ｍｍより大きい平行板距離について、実施例Ｅの歪みは、実施例Ｄの歪みの約半分である。
図５７において、横軸５７０１（例えば、Ｘ軸）は平行板距離（ｍｍ）であり、縦軸５７０３（例えば、Ｙ軸）は、折り畳み式基板を所定の平行板距離に折り畳むための力（ニュートン（Ｎ））である。実施例Ｄの結果が曲線５７０５で示され、実施例Ｅの結果が曲線５７０７で示されている。図から分かるように、実施例Ｄを約１０ｍｍ以下の平行板距離に折り畳む力は、実施例Ｅを同じ平行板距離に折り畳む対応する力よりも大きい。
図５５～５７は、１つだけの凹部ではなく、互いに反対にある２つの凹部を使用することにより、凹部内に位置付けられた材料に対する歪みを約半分に減少させ、折り畳み式基板（例えば、第１の中央表面区域）に対する歪みを約半分に減少させ、折り畳み式基板を曲げる力を減少させることができることを示す。
図５８～５９は、実施例Ｆ～Ｇの数値シミュレーションに基づく折り畳み式装置の面外変形を図示している。実施例Ｆ～Ｇは両方とも、１５０μｍの基板厚さ、３０μｍの中央厚さ、および２０ｍｍの中央部分の幅を有する。実施例Ｆにおいて、第２の中央表面区域は第２の主面と同一平面上にあり、一方で、第１の中央表面区域は１２０μｍだけ第１の主面から窪んでいる。対照的に、実施例Ｇにおいて、第１の中央表面区域は６５μｍだけ第１の主面から窪んでおり、第２の中央表面区域は６５μｍだけ第２の主面から窪んでいる。実施例Ｆ～Ｇにおいて、第１の部分と第２の部分は、２１５２０×１０－７／℃の疑似熱膨張係数（artificial coefficient of thermal expansion）を有し、一方で、中央部分は、４３００×１０－７／℃の疑似熱膨張係数を有し、折り畳み式基板は、第１の部分、第２の部分、および中央部分が規定寸法を有する温度から１℃加熱した。ここに用いられているように、疑似熱膨張係数は、０．４６１、網状構造膨張係数、表面と内部での１種類以上のアルカリ金属イオンの濃度差、および対応する厚さで除算された表面からの圧縮応力領域の層の深さの積と等しい。
理論で束縛する意図はないが、実施例Ｆ～Ｇにおける疑似熱膨張係数の差から引き起こされる機械的不安定性は、折り畳み式基板を化学的に強化することにより生じる異なる部分における異なる圧縮深さおよび／または層の深さに基づく異なる膨張から生じる機械的不安定性に対応し得る。例えば、実施例Ｆ～Ｇにおける疑似熱膨張係数の差は、７００×１０－６／モル％の網状構造膨張係数および各部分の表面と内部との間の２０モル％の濃度差、９３３×１０－６／モル％の網状構造膨張係数および各部分の表面と内部との間の１５モル％の濃度差、または１４００×１０－６／モル％の網状構造膨張係数および各部分の表面と内部との間の１０モル％の濃度差について、基板厚さの百分率としての第１の部分および／または第２の部分の層の深さ（例えば、第１の層の深さ、第２の層の深さ、第３の層の深さ、第４の層の深さ）と、中央厚さの百分率としての中央部分の層の深さ（例えば、第１の中央の層の深さ、第２の中央の層の深さ）との間の約２３％の差に対応し得るであろう。例えば、実施例Ｆ～Ｇにおける疑似熱膨張係数の差は、各部分が０．２２のポアソン比および７１ＧＰａの弾性率を有する場合、第１の最大引張応力および／または第２の最大引張応力と中央最大引張応力との間の約１４０ＭＰａの差に対応し得るであろう。例えば、実施例Ｆ～Ｇにおける疑似熱膨張係数の差は、各部分が０．２２のポアソン比および７１ＧＰａの弾性率を有する場合、第１の部分および／または第２の部分の最大圧縮応力（例えば、第１の最大引張応力、第２の最大引張応力、第３の最大圧縮応力、第４の最大圧縮応力）と中央部分の最大圧縮応力（例えば、第１の中央最大圧縮応力、第２の中央最大圧縮応力）との間の約１４０ＭＰａの差に対応し得るであろう。
実施例Ｆを示す図５８において、中央部分が中心にあり、領域５８１１の最大幅部分にほぼ対応する幅を有する。領域５８０５は、最大の正の変形（例えば、約８０μｍ）に対応し、主に、中央部分と隣接部分における折り畳み式基板の上縁と底縁に位置している。上部と底部では、領域５８０７が領域５８０５に隣接しており、領域５８０７は、領域５８０５よりわずかに小さい正の変形に対応する。領域５８０９が領域５８０７に隣接しており、領域５８０９は、負の変形（例えば、約－４５０μｍ）に対応する。
対照的に、領域５８２１が、最大の負の変形（例えば、約－８５０μｍ）に対応し、中央部分の中心線に沿って位置している。領域５８２３が、より穏やかな負の変形（例えば、約－３５０μｍ）を有する領域５８１５に隣接している。中央部分は、上部から底部に、領域５８０５、５８１５、５８１１、５８１３、５８１５、５８２３、５８１５、５８２３、５８１５、５８１３、５８１５、５８１５、および５８０５を含む、おおよそバンド状区画を含む。実際に、これらのバンドは、１つおきに領域５８１５と交互になっており、残りのバンドは、領域５８２３を含む図５８の中央に向かっている。領域５８１３は、領域５８０９と領域５８１５の負の変形の中間の負の変形に対応する。領域５８１７は、バンド状領域（例えば、領域５８１５および５８２３）の中心に隣接し、領域５８２３ほど極端ではない負の変形（例えば、－７００μｍ）に対応する。右端と左端に位置する領域５８１９は、領域５８１７ほど極端ではない負の変形（例えば、－６００μｍ）に対応する。
実施例Ｇを示す、図５９において、中央部分が中心にあり、領域５９０５の最大幅部分にほぼ対応する幅を有する。領域５９０７は、最大の正の変形（例えば、１ピコメートル未満）に対応し、これは、実施例Ｆについて図５８で引き起こされた大きさより少なくとも６桁小さい大きさである。領域５９０５が、領域５９０５より小さい正の変形に対応する領域５９０９に隣接している。領域５９０９は、ほぼ無変形に対応する領域５９１１に隣接している。中央部分の中心線に沿って位置する領域５９０５は、領域５９１１と領域５９０９との間の中間の変形に対応する。左端と右端に位置する領域５９１７は、最大の負の変形（例えば、－１ピコメートル未満）に対応し、これは、実施例Ｆについて図５８で引き起こされた大きさより少なくとも６桁小さい大きさである。領域５９１７は、領域５９１７より小さい負の変形に対応する領域５９１５に隣接している。領域５９１３が、領域５９１１と５９１５との間に位置し、領域５９１３は、領域５９１１と５９１５の変形の中間の変形に対応する。
図５８～５９に示された実施例Ｆ～Ｇの結果に基づいて、第１の主面と第２の主面の両方から窪んだ中央部分を含む実施例Ｇは、実施例Ｆで引き起こされた大きさより少なくとも１０桁小さい大きさの変形を示した。さらに、実施例Ｇにおけるように、第１の中央表面区域が第１の主面から窪んだ第１の距離が、第２の中央表面区域が第２の主面から窪んだ第２の距離と実質的に等しくなるように中央部分を位置付けることにより、変形がさらに減少する。
上述した観察結果を組み合わせて、小さい有効最小曲げ半径、高い耐衝撃性、低い畳み力、向上した耐久性、および低下した疲労を有する折り畳み式基板を提供することができる。前記部分は、ガラス系および／またはセラミック系部分から構成することができ、これは、良好な寸法安定性、減少した機械的不安定性の発生率、良好な耐衝撃性、および／または良好な穿刺抵抗を提供することができる。第１の部分および／または第２の部分は、１つ以上の圧縮応力領域を含むガラス系および／またはセラミック系部分から構成することができ、これは、向上した耐衝撃性および／または向上した穿刺抵抗をさらに提供することができる。ガラス系および／またはセラミック系基板から構成された基板を提供することによって、その基板は、向上した耐衝撃性および／または穿刺抵抗も提供すると同時に、良好な折り畳み性能を促進することができる。いくつかの実施の形態において、基板厚さは、耐衝撃性および穿刺抵抗をさらに向上させるために十分に大きい（例えば、８０マイクロメートル（μｍ）から約２マイクロメートル）ことがあり得る。基板厚さ（例えば、第１の部分の第１の厚さおよび／または第２の部分の第２の厚さ）より小さい中央厚さを有する中央部分を含む折り畳み式基板を提供することにより、その中央部分の減少した厚さに基づいて、小さい有効最小曲げ半径（例えば、約１０ミリメートル以下）を可能にできる。
いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、複数の凹部、例えば、第１の距離だけ第１の主面から窪んだ第１の中央表面区域および第２の距離だけ第２の主面から窪んだ第２の中央表面区域を含み得る。第１の凹部を第２の凹部の反対側に設けると、中央厚さを基板厚さより小さくすることができる。中央厚さを有する中央部分が、凹部を１つだけ設けた場合よりも、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の中立軸により近くなり得るので、第１の凹部を第２の凹部の反対側に設けることによって、例えば、中央部分と第１の部分および／または第２の部分との間の、折り畳み式装置の最大曲げ誘発歪みを減少させることができる。それに加え、折り畳み式基板は、基板厚さおよび中央厚さにおける中点を有する面に対して対称であるので、第１の距離を第２の距離と実質的に等しくすることによって、例えば、中央部分における機械的不安定性の発生率を減少させることができる。さらに、第１の凹部を第２の凹部の反対側に設けることによって、第１の距離と第２の距離の合計だけ窪んだ表面を持つ１つの凹部と比べて、第１の凹部および／または第２の凹部内に位置付けられた材料の曲げ誘発歪みを減少させることができる。第１の凹部および／または第２の凹部内に位置付けられた材料の曲げ誘発歪みを減少させることにより、材料の歪み要件が減少したために、様々な材料を使用することが可能になる。例えば、より堅いおよび／またはより剛性の材料を第１の凹部に配置することができ、これにより、折り畳み式装置の耐衝撃性、穿刺抵抗、耐摩耗性、および／または引っ掻き抵抗を改善することができる。それに加え、第１の凹部に配置された第１の材料および第２の凹部に配置された第２の材料の性質を制御することにより、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の中立軸の位置を制御することができ、これにより、機械的不安定性、装置の疲労、および／または装置の破壊の発生率を低下させる（例えば、軽減する、なくす）ことができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板は、中央部分を第１の部分に取り付ける第１の移行領域および／または中央部分を第２の部分に取り付ける第２の移行領域を含み得る。連続して増加する厚さを有する移行領域を設けることにより、移行領域における応力集中を減少させる、および／または光学的歪みを避けることができる。十分な長さの移行領域（例えば、約１ｍｍ以上）を設けることにより、そうでなければ、折り畳み式基板の厚さにおける急な階段状の変化のために存在するかもしれない光学的歪みを避けることができる。十分に小さい長さの移行領域（例えば、約５ｍｍ以下）を設けることにより、低下した耐衝撃性および／または低下した穿刺抵抗を有するであろう中間厚さを有する折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の量を減少させることができる。さらに、第１の移行部分および／または第２の移行部分に、中央部分の中央引張応力領域の最大引張応力よりも大きい最大引張応力を有する引張応力領域を設けることによって、折り畳み中の第１の部分または第２の部分と、第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。さらに、第１の移行部分および／または第２の移行部分に、第１の部分の第１の引張応力領域および／または第２の部分の第２の引張応力領域の最大引張応力よりも大きい最大引張応力を有する引張応力領域を設けることによって、折り畳み中の中央部分と、第１の移行部分および／または第２の移行部分との間の歪みを相殺することができる。
本開示の実施の形態の装置および方法は、化学強化の結果としての折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の異なる部分の膨張の差を制御（例えば、制限、減少、均等化）することによって、機械的不安定性、装置の疲労、および／または装置の破壊の発生率を低下させる（例えば、軽減する、なくす）ことができる。異なる部分の膨張の差を制御することによって、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板が臨界座屈歪み（例えば、機械的不安定性の兆候）に到達する前に、より大きい折り畳み誘発歪みを促進し得る折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の複数の部分の間の化学強化誘発歪みを減少させることができる。さらに、機械的不安定性および／またはコア層と第１の外側層および／または第２の外側層との間の差、または中央部分と第１の部分および／または第２の部分との間の差を減少させることによって、例えば、そのような差から折り畳み式装置および／または折り畳み式基板内に歪みにより生じる、光学的歪みを減少させることができる。
いくつかの実施の形態において、積層体を含む折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を設けることによって、１つの化学強化過程において、第１の部分、第２の部分、および中央部分の間の膨張の差を制御することができる。例えば、第１の外側層および／または第２の外側層に対するコア層の性質により、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板の実質的に均一な膨張を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、コア層の密度は、第１の外側層および／または第２の外側層の密度より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層の熱膨張係数は、第１の外側層および／または第２の外側層の熱膨張係数より大きいことがあり得る。いくつかの実施の形態において、コア層の網状構造膨張係数は、第１の外側層および／または第２の外側層の網状構造膨張係数より小さいことがあり得る。さらに、第１の外側層および／または第２の外側層に対する関係をコア層に設けることによって、折り畳み式装置および／または折り畳み式基板を折り畳む力を減少させる（例えば、最小にする）ことができる。
中央部分の１種類以上のアルカリ金属の濃度に近い（例えば、酸化物基準の１００百万分率以内、１０百万分率以内）平均濃度の１種類以上のアルカリ金属を有する第１の部分および／または第２の部分を設けることにより、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の膨張差を最小にすることができる。実質的に均一な膨張により、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。中央部分の対応する比に近い（例えば、０．５％以内、０．１％以内、０．０１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する層の深さの比を与えることにより、化学強化の結果として、中央部分と比べた第１の部分および／または第２の部分の表面近くの膨張の差を最小にすることができる。表面近くの膨張の差を最小にすることにより、第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の表面区域の面における応力および／または歪みを減少させることができ、これにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率をさらに減少させることができる。中央部分の対応する比に近い（例えば、１％以内、０．５％以内、０．１％以内）第１の部分および／または第２の部分の厚さに対する圧縮深さの比を設けることにより、中央部分に対する第１の部分および／または第２の部分における化学強化により誘発された歪みの間の差を最小にすることができる。化学強化により誘発された歪みの差を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。第１の主面、第２の主面、第１の中央表面区域、および／または第２の表面区域の応力および／または歪みを最小にすることにより、応力により誘発された光学的歪みを減少させることができる。また、そのような応力を最小にすることにより、穿刺抵抗および／または耐衝撃性を向上させることができる。また、そのような応力を最小にすることを、中心線に沿った光学的遅れの小さい差（例えば、約２ナノメートル以下）と関連付けることができる。さらに、そのような応力を最小にすることにより、化学強化の結果としての機械的変形および／または機械的不安定性の発生率を減少させることができる。
本開示の方法は、上述した利益の内の１つ以上を有する折り畳み式基板の製造を可能にすることができる。いくつかの実施の形態において、本開示の方法、例えば、折り畳み式基板に関連する時間、設備、空間、および人件費を減少させることができる、積層体を含む折り畳み式基板を製造する方法は、１つの化学強化工程で上述した利益を達成することができる。いくつかの実施の形態において、折り畳み式基板の任意の化学強化の前に、既存の凹部（例えば、第１の主面から窪んだ既存の第１の中央表面区域、第２の主面から窪んだ既存の第２の中央表面区域）を設ける、または形成することができ、これにより、他のやり方で達成できるであろうよりも深い凹部（例えば、より大きい第１の距離、より大きい第２の距離）を有する折り畳み式装置にとって上述した利益を提供することができる。いくつかの実施の形態において、上述した利益は、折り畳み式基板を化学的に強化し、折り畳み式基板の中央部分をエッチングし（例えば、既存の第１の中央表面区域をエッチングして、新たな第１の中央表面区域を形成し、既存の第２の中央表面区域をエッチングして、新たな第２の中央表面区域を形成し）、次いで、折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程によって与えることができる。さらなる実施の形態において、上述した利益は、さらなる化学強化の第２の期間に対する最初の化学強化の期間を、および／または中央部分からエッチングされる厚さを制御することによって、与えることができる。折り畳み式基板をさらに化学的に強化する工程を設けることによって、機械的変形および／または機械的不安定性に遭遇せずに、より大きい圧縮応力を達成することができ、このより大きい圧縮応力は、折り畳み式基板の耐衝撃性および／または穿刺抵抗をさらに向上させることができる。
ここに用いられている方向を示す用語－例えば、上、下、右、左、前、後、上部、底部－は、描かれた図面に関してのみ使用され、絶対的な向きを暗示する意図はない。
様々な開示された実施の形態は、その実施の形態に関して記載された特徴、要素、または工程を含むことがあることが認識されよう。また、特徴、要素、または工程は、ある実施の形態に関して記載されているけれども、様々な説明されていない組合せまたは順列で、代わりの実施の形態と交換されても、または組み合わされてもよいことも認識されよう。
ここに用いられているように、名詞は、「少なくとも１つ」の対象を指し、特に明記のない限り、「ただ１つ」の対象に限定されるべきではないことも理解すべきである。例えば、「成分」に対する言及は、文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除いて、そのような成分を２つ以上有する実施の形態を含む。同様に、「複数」は、「１つより大きい」を示す意図がある。
ここに用いられているように、「約」という用語は、量、サイズ、配合、パラメータ、および他の数量と特徴が、正確ではなく、正確である必要はないが、必要に応じて、許容差、変換係数、丸め、測定誤差など、並びに当業者に公知の他の要因を反映して、近似であるおよび／またはそれより大きいか小さいことがあることを意味する。範囲が、「約」ある特定値から、および／または「約」別の特定値まで、とここに記載することができる。そのような範囲が表された場合、実施の形態は、そのある特定値から、および／または他方の特定値まで、を含む。同様に、値が、先行詞「約」を使用して、近似として表されている場合、その特定値は、別の実施の形態を形成することが理解されよう。明細書において数値または範囲の端点に「約」が付いていようとなかろうと、その数値または範囲の端点は、「約」により修飾されたものと、「約」により修飾されていないものの２つの実施の形態を含むことが意図されている。範囲の各々の端点は、他方の端点に関してと、他方の端点とは関係なくの両方において有意であることがさらに理解されよう。
ここに用いられているように、「実質的」、「実質的に」という用語、およびその変形は、記載された特徴が、ある値または記載と等しいか、またはほぼ等しいことを示す意図がある。例えば、「実質的に平らな」表面は、平らか、または実質的に平らな表面を示す意図がある。さらに、先に定義されたように、「実質的に類似」は、２つの値が、等しいか、またはほぼ等しいことを示す意図がある。いくつかの実施の形態において、「実質的に類似」は、互いの約１０％以内、例えば、互いの約５％以内、または互いの約２％以内の値を示すことがある。
特に明記のない限り、ここに記載されたどの方法も、その工程が特定の順序で行われることを必要とすると解釈されることは、決して意図されていない。したがって、方法の請求項が、その工程がしたがうべき順序を実際に列挙していない場合、もしくは請求項または説明に、工程が特定の順序に限定されるべきことが他の具体的に述べられていない場合、どの特定の順序も暗示されることは、決して意図されていない。
特定の実施の形態の様々な特徴、要素または工程が、移行句「含む」を使用して開示されることがあるが、移行句「からなる」または「から実質的になる」を使用して記載されることのあるものを含む代わりの実施の形態が暗示されることを理解すべきである。それゆえ、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含む装置に対して暗示される代わりの実施の形態は、装置がＡ＋Ｂ＋Ｃからなる実施の形態、および装置がＡ＋Ｂ＋Ｃから実質的になる実施の形態を含む。ここに用いられているように、「含む」および「含んでいる」という用語、並びにその変形は、特に明記のない限り、同意語であり、制約がないと解釈されるものとする。
上記実施の形態、およびそれらの実施の形態の特徴は、例示であり、単独で提供されても、本開示の範囲から逸脱せずに、ここに与えられた他の実施の形態の任意の１つ以上の特徴と任意の組合せで提供されても差し支えない。
本開示の精神および範囲から逸脱せずに、本開示に様々な改変および変更を行えることが、当業者に明白であろう。それゆえ、本開示は、この中の実施の形態の改変および変更を、それらが付随の請求項およびその同等物に含まれるという条件で、包含することが意図されている。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態１
折り畳み式基板において、
第１の主面と、該第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さであって、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある基板厚さ、
前記第１の主面および該第１の主面の反対にある第１の内面を有し、該第１の主面と該第１の内面との間に規定された第１の外側厚さを有する第１の外側層であって、該第１の外側層は、第１の最小距離だけ隔てられた第１の部分と第２の部分を含み、該第１の部分は前記第１の主面および前記第１の内面を有し、該第２の部分は前記第１の主面および前記第１の内面を有する、第１の外側層、
前記第２の主面および該第２の主面の反対にある第２の内面を有し、該第２の主面と該第２の内面との間に規定された第２の外側厚さを有する第２の外側層であって、該第２の外側層は、第２の最小距離だけ隔てられた第３の部分と第４の部分を含み、該第３の部分は前記第２の主面および前記第２の内面を有し、該第４の部分は前記第２の主面および前記第２の内面を有する、第２の外側層、および
第３の内面および該第３の内面の反対にある第４の内面を有し、該第３の内面と該第４の内面との間に規定された中央厚さを有し、前記第１の外側層の前記第１の部分と該第１の外側層の前記第２の部分との間にある第１の中央表面区域、および前記第２の外側層の前記第３の部分と該第２の外側層の前記第４の部分との間にある第２の中央表面区域を有するコア層であって、前記中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にあり、該コア層は、前記第１の外側層と前記第２の外側層との間に位置付けられ、前記第３の内面は前記第１の部分の第１の内面および前記第２の部分の第１の内面に接触しており、前記第４の内面は前記第３の部分の第２の内面および前記第４の部分の第２の内面に接触しており、前記第１の中央表面区域は、第１の距離だけ前記第１の主面から窪んでおり、前記第２の中央表面区域は、第２の距離だけ前記第２の主面から窪んでいる、コア層、
を備えた折り畳み式基板。
実施形態２
前記コア層が、前記第１の外側層の第１の熱膨張係数より大きいコア熱膨張係数を有し、該コア熱膨張係数は、前記第２の外側層の第２の熱膨張係数より大きい、実施形態１に記載の折り畳み式基板。
実施形態３
前記コア層のコア密度が前記第１の外側層の第１の密度より大きく、該コア密度は、前記第２の外側層の第２の密度より大きい、実施形態１または２に記載の折り畳み式基板。
実施形態４
前記コア層のコア網状構造膨張係数が、前記第１の外側層の第１の網状構造膨張係数より小さく、該コア網状構造膨張係数は、前記第２の外側層の第２の網状構造膨張係数より小さい、実施形態１から３のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態５
前記第１の外側厚さが、前記第２の外側厚さと実質的に等しい、実施形態１から４のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態６
前記基板厚さが、約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、実施形態１から５のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態７
前記中央厚さが、約２５マイクロメートルから約６０マイクロメートルの範囲にある、実施形態１から６のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態８
前記第１の主面上に配置され、前記第１の中央表面区域と該第１の主面により画成される第一面との間に画成される凹部を満たすコーティングをさらに含む、実施形態１から７のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態９
前記第１の外側層が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み、前記第２の外側層が、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み、前記第１の中央表面区域と前記第２の中央表面区域との間に位置付けられた前記コア層の中央部分が、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含み、カリウムの前記第１の平均濃度とカリウムの前記中央平均濃度との間の絶対差が、約１００百万分率以下である、実施形態１から８のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態１０
前記第１の主面で前記第１の外側層の前記第１の部分から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域、
前記第２の主面で前記第２の外側層の前記第３の部分から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域、
前記第１の主面で前記第１の外側層の前記第２の部分から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域、
前記第２の主面で前記第２の外側層の前記第４の部分から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域、
前記第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域、および
前記第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域、を含む、実施形態１から９のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態１１
前記基板厚さの百分率としての前記第１の圧縮深さと、前記中央厚さの百分率としての前記第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、実施形態１０に記載の折り畳み式基板。
実施形態１２
前記第１の部分が、前記第１の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の層の深さを有し、前記第３の部分が、前記第２の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の層の深さを有し、前記第２の部分が、前記第３の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第３の層の深さを有し、前記第４の部分が、前記第４の圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第４の層の深さを有し、前記中央部分が、前記第１の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の中央の層の深さを有し、該中央部分が、前記第２の中央圧縮深さに関連する１種類以上のアルカリ金属イオンの第２の中央の層の深さを有し、前記基板厚さの百分率としての前記第１の層の深さと前記中央厚さの百分率としての前記第１の中央の層の深さとの間の絶対差は、約０．５％以下である、実施形態１０または１１に記載の折り畳み式基板。
実施形態１３
前記第２の距離が、前記基板厚さの約５％から約２０％である、実施形態１から１２のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態１４
前記第１の距離が前記第２の距離と実質的に等しい、実施形態１から１２のいずれか１つに記載の折り畳み式基板。
実施形態１５
第１の外側層および第２の外側層の間に位置付けられ、それらと接触するコア層を含み、第１の主面と第２の主面の間に規定された基板厚さを有する折り畳み式基板であって、前記第１の外側層は前記第１の主面を画成し、前記第２の外側層は、該第１の主面と反対にある前記第２の主面を画成する、折り畳み式基板を製造する方法において、
前記第１の主面の一部をエッチングして、前記コア層の第１の中央表面区域を形成する工程、および
前記第２の主面の一部をエッチングして、前記コア層の第２の中央表面区域を形成する工程、
を含み、
中央部分が、前記第１の中央表面区域と前記第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さを有し、該中央部分における前記コア層の第１の中央表面区域は、前記第１の外側層の第１の部分と該第１の外側層の第２の部分との間に位置付けられており、前記中央部分における前記コア層の第２の中央表面区域は、前記第２の外側層の第３の部分と該第２の外側層の第４の部分との間に位置付けられている、方法。
実施形態１６
前記第１の外側層が、酸化物基準で第１の既存の平均濃度のカリウムを含み、前記コア層が、酸化物基準でコア既存の平均濃度のカリウムを含み、カリウムの前記コア既存の平均濃度は、カリウムの前記第１の既存の平均濃度よりも約１０百万分率以上大きい、実施形態１５に記載の方法。
実施形態１７
前記第１の主面の一部をエッチングする工程、および前記第２の主面の一部をエッチングする工程の後に、前記折り畳み式基板を化学的に強化する工程をさらに含む、実施形態１５または１６に記載の方法。
実施形態１８
前記化学的に強化する工程の前に、前記第１の外側層が、１種類以上のアルカリ金属イオンの第１の拡散率を有し、前記コア層が、１種類以上のアルカリ金属イオンのコア拡散率を有し、前記第１の拡散率は前記コア拡散率より大きい、実施形態１７に記載の方法。
実施形態１９
前記化学的に強化する工程の後、前記第１の外側層が、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムを含み、前記第２の外側層が、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムを含み、前記中央部分が、前記第１の中央表面区域と前記第２の中央表面区域との間に位置付けられており、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムを含み、カリウムの前記第１の平均濃度とカリウムの前記中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である、実施形態１７または１８に記載の方法。
実施形態２０
前記化学的に強化する工程が、
前記第１の主面で前記第１の外側層の前記第１の部分から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域を形成する工程、
前記第２の主面で前記第２の外側層の前記第３の部分から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域を形成する工程、
前記第１の主面で前記第１の外側層の前記第２の部分から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域を形成する工程、
前記第２の主面で前記第２の外側層の前記第４の部分から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域を形成する工程、
前記第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域を形成する工程、および
前記第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域を形成する工程、
を含み、
前記基板厚さの百分率としての前記第１の圧縮深さと前記中央厚さの百分率としての前記第１の中央圧縮深さとの間の絶対差は、約１％以下である、実施形態１７から１９のいずれか１つに記載の方法。
１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、１２０１ 折り畳み式装置
２０４ａ 第一面
２０４ｂ 第二面
２０４ｃ 第三面
２０４ｄ 第四面
２０６、４０７、８０７ 折り畳み式基板
２０７ コア層
２０９、４０９、８０９ 第１の中央表面区域
２１９、４１９、８１９ 第２の中央表面区域
２１３ 第１の外側層
２１４ 第１の内面
２１５ 第２の外側層
２１３ａ、２２１、４２１、８２１ 第１の部分
２１３ｂ、２３１、４３１、８３１ 第２の部分
２２３、８２３ 第１の表面区域
２２５、８２５ 第２の表面区域
２３３、８３３ 第３の表面区域
２３４、４３４、８３４ 第１の凹部
２３５、８３５ 第４の表面区域
２４４、４４４ 第２の凹部
２４１ 高分子系部分
２５１ コーティング
２６１ 接着剤層
２７１ 剥離ライナー
２８１、４８１、８８１ 中央部分
３０７ 表示装置
１１０２ 試験用折り畳み式装置

Claims (15)

  1. 折り畳み式基板において、
    第１の主面と、該第１の主面の反対にある第２の主面との間に規定された基板厚さであって、約１００マイクロメートルから約２ミリメートルの範囲にある基板厚さと、
    前記基板厚さを有する第１の部分であって、酸化物基準で第１の平均濃度のカリウムと、前記第１の主面から第１の圧縮深さまで延在する第１の圧縮応力領域と、前記第２の主面から第２の圧縮深さまで延在する第２の圧縮応力領域とを含む第１の部分と、
    前記基板厚さを有する第２の部分であって、酸化物基準で第２の平均濃度のカリウムと、前記第１の主面から第３の圧縮深さまで延在する第３の圧縮応力領域と、前記第２の主面から第４の圧縮深さまで延在する第４の圧縮応力領域とを含む第２の部分と、
    前記第１の部分と前記第２の部分との間に位置付けられた中央部分であって、該中央部分は、第１の中央表面区域と該第１の中央表面区域の反対にある第２の中央表面区域との間に規定された中央厚さと、酸化物基準で中央平均濃度のカリウムと、前記第１の中央表面区域から第１の中央圧縮深さまで延在する第１の中央圧縮応力領域と、前記第２の中央表面区域から第２の中央圧縮深さまで延在する第２の中央圧縮応力領域とを含み、前記中央厚さは、約２５マイクロメートルから約８０マイクロメートルの範囲にあり、前記第１の中央表面区域は、第１の距離だけ前記第１の主面から窪んでおり、カリウムの前記第１の平均濃度とカリウムの前記中央平均濃度との間の絶対差は、約１００百万分率以下である、中央部分と、
    を含む、折り畳み式基板。
  2. 前記基板厚さの百分率としての前記第１の圧縮深さと前記中央厚さの百分率としての前記第１の中央圧縮深さとの間の絶対差が、約１％以下である、請求項１記載の折り畳み式基板。
  3. 前記基板厚さが約１２５マイクロメートルから約２００マイクロメートルの範囲にある、請求項１または２記載の折り畳み式基板。
  4. 前記第２の中央表面区域が、第２の距離だけ前記第２の主面から窪んでいる、請求項１から３いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  5. 前記第２の距離が前記基板厚さの約５％から約２０％である、請求項４記載の折り畳み式基板。
  6. 前記第１の距離が前記第２の距離と実質的に等しい、請求項４または５記載の折り畳み式基板。
  7. 前記第１の圧縮応力領域が約７００メガパスカル以上の第１の最大圧縮応力を有し、前記第２の圧縮応力領域が第２の最大圧縮応力を有し、前記第３の圧縮応力領域が約７００メガパスカル以上の第３の最大圧縮応力を有し、前記第４の圧縮応力領域が第４の最大圧縮応力を有し、前記第１の中央圧縮応力領域が約７００メガパスカル以上の第１の中央最大圧縮応力を有し、前記第２の中央圧縮応力領域が第２の中央最大引張応力を有する、請求項１から６いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  8. 前記第１の圧縮応力領域と前記第２の圧縮応力領域との間に位置付けられた前記第１の部分の第１の引張応力領域をさらに含み、該第１の引張応力領域は第１の最大引張応力を有し、前記折り畳み式基板は、前記第３の圧縮応力領域と前記第４の圧縮応力領域との間に位置付けられた前記第２の部分の第２の引張応力領域を含み、該第２の引張応力領域は第２の最大引張応力を有し、該折り畳み式基板は、前記第１の中央圧縮応力領域と前記第２の中央圧縮応力領域との間に位置付けられた前記中央部分の中央引張応力領域を含み、該中央引張応力領域は中央最大引張応力を有し、該中央最大引張応力と前記第１の最大引張応力との間の絶対差は約１０メガパスカル以下である、請求項１から７いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  9. 前記中央部分が、前記第１の中央表面区域の一部と前記第２の中央表面区域の一部との間に位置付けられた該中央部分の中央引張応力領域をさらに含み、該中央引張応力領域が中央最大引張応力を有し、前記中央部分は、前記第１の中央表面区域を前記第１の部分に取り付けるとともにその厚さが前記中央厚さから前記基板厚さへ連続的に変化する第１の移行部分を含み、該第１の移行部分は、第１の移行最大引張応力を有する第１の移行引張応力領域を含み、前記中央部分は、前記第１の中央表面区域を前記第２の部分に取り付けるとともにその厚さが前記中央厚さから前記基板厚さへと連続的に変化する第２の移行部分を含み、該第２の移行部分は、第２の移行最大引張応力を有する第２の移行引張応力領域を含み、前記第１の移行最大引張応力は、前記中央最大引張応力よりも大きい、請求項１から８いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  10. 前記第２の移行最大引張応力が、前記中央最大引張応力よりも大きい、請求項９記載の折り畳み式基板。
  11. 前記第１の距離が、前記基板厚さの約２０％から約４５％である、請求項１から１０いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  12. 前記折り畳み式基板が５ミリメートルの有効曲げ半径を達成する、請求項１から１１いずれか１項記載の折り畳み式基板。
  13. 請求項１から１２いずれか１項記載の折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置であって、該折り畳み式装置は、第１の接触面および該第１の接触面の反対にある第２の接触面を有する接着剤を含み、該接着剤の少なくとも一部は、前記第２の中央表面区域と前記第２の主面により画成された第二面との間に画成された凹部内に位置付けられている、折り畳み式装置。
  14. 請求項１から１２いずれか１項記載の折り畳み式基板を備えた折り畳み式装置であって、該折り畳み式装置は、前記第２の中央表面区域と前記第２の主面により画成された第二面との間に位置付けられた高分子系部分を含み、該折り畳み式装置は、第１の接触面および該第１の接触面の反対にある第２の接触面を有する接着剤を含む、折り畳み式装置。
  15. 前記高分子系部分が、約５％から約１０％の範囲の降伏歪みを有し、前記折り畳み式基板の屈折率と、該高分子系部分の屈折率との間の差の大きさが、約０．１以下である、請求項１４記載の折り畳み式装置。
JP2023514026A 2020-08-28 2020-08-28 折り畳み式基板およびその製造方法 Active JP7588215B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2020/048492 WO2022046080A1 (en) 2020-08-28 2020-08-28 Foldable substrates and methods of making

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023540935A JP2023540935A (ja) 2023-09-27
JP7588215B2 true JP7588215B2 (ja) 2024-11-21

Family

ID=72433089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023514026A Active JP7588215B2 (ja) 2020-08-28 2020-08-28 折り畳み式基板およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230309368A1 (ja)
EP (1) EP4204222A1 (ja)
JP (1) JP7588215B2 (ja)
KR (1) KR102889675B1 (ja)
CN (2) CN116367993B (ja)
WO (1) WO2022046080A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114631136B (zh) 2019-08-29 2024-11-26 康宁股份有限公司 可折叠设备、带材及其制造方法
KR20220056211A (ko) 2019-08-29 2022-05-04 코닝 인코포레이티드 폴더블 장치, 폴더블 기판 및 그 제조방법
KR102883991B1 (ko) * 2021-03-24 2025-11-10 삼성디스플레이 주식회사 커버 윈도우, 커버 윈도우의 제조 방법 및 커버 윈도우를 포함하는 표시 장치
US20250203795A1 (en) * 2022-03-14 2025-06-19 Corning Incorporated Foldable apparatus and method of making the same
CN117616488A (zh) * 2022-05-17 2024-02-27 京东方科技集团股份有限公司 盖板、显示模组和显示装置
WO2023249830A1 (en) 2022-06-21 2023-12-28 Corning Incorporated Foldable substrates and methods of making
JP2024129477A (ja) * 2023-03-13 2024-09-27 日本電気硝子株式会社 化学強化ガラス板およびその製造方法
CN117456828A (zh) * 2023-04-17 2024-01-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示模组及可折叠显示装置
WO2025057925A1 (ja) * 2023-09-15 2025-03-20 Ａｇｃ株式会社 ガラス、表示装置、及びガラスの製造方法
US12207539B1 (en) * 2023-10-25 2025-01-21 Corning Incorporated Foldable substrates having a cavity filled with a polymer and methods of making

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006162968A (ja) 2004-12-07 2006-06-22 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルの製造方法及びこの表示パネルを用いた表示装置
US20150043174A1 (en) 2013-08-07 2015-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Window panel for a display apparatus
JP2015106152A (ja) 2013-11-28 2015-06-08 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フレキシブル表示装置
JP2016539067A (ja) 2014-01-29 2016-12-15 コーニング インコーポレイテッド 屈曲可能なガラススタックアセンブリ、物品およびその製造方法
JP2017001902A (ja) 2015-06-05 2017-01-05 旭硝子株式会社 カバーガラス及びこれを有する携帯情報端末、並びにカバーガラスの製造方法
US20200264669A1 (en) 2014-02-12 2020-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1596961A (ja) * 1968-04-19 1970-06-22
JP2010168270A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Hoya Corp ガラス基材及びその製造方法
US8854623B2 (en) 2012-10-25 2014-10-07 Corning Incorporated Systems and methods for measuring a profile characteristic of a glass sample
US10273184B2 (en) * 2013-10-14 2019-04-30 Corning Incorporated Ion exchange processes and chemically strengthened glass substrates resulting therefrom
EP3057913A1 (en) 2013-10-18 2016-08-24 Corning Incorporated Methods and apparatus providing a substrate and protective coating thereon
KR102455724B1 (ko) * 2016-04-21 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
US11655184B2 (en) * 2017-10-10 2023-05-23 Corning Incorporated Glass-based articles with sections of different thicknesses
US11161782B2 (en) * 2017-11-30 2021-11-02 Corning Incorporated Method of increasing IOX processability on glass articles with multiple thicknesses

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006162968A (ja) 2004-12-07 2006-06-22 Sanyo Electric Co Ltd 表示パネルの製造方法及びこの表示パネルを用いた表示装置
US20150043174A1 (en) 2013-08-07 2015-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Window panel for a display apparatus
JP2015106152A (ja) 2013-11-28 2015-06-08 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フレキシブル表示装置
JP2016539067A (ja) 2014-01-29 2016-12-15 コーニング インコーポレイテッド 屈曲可能なガラススタックアセンブリ、物品およびその製造方法
US20200264669A1 (en) 2014-02-12 2020-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device
JP2017001902A (ja) 2015-06-05 2017-01-05 旭硝子株式会社 カバーガラス及びこれを有する携帯情報端末、並びにカバーガラスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102889675B1 (ko) 2025-11-21
WO2022046080A1 (en) 2022-03-03
US20230309368A1 (en) 2023-09-28
JP2023540935A (ja) 2023-09-27
KR20230059814A (ko) 2023-05-03
CN116367993B (zh) 2025-11-18
CN121105485A (zh) 2025-12-12
CN116367993A (zh) 2023-06-30
EP4204222A1 (en) 2023-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7588215B2 (ja) 折り畳み式基板およびその製造方法
US12481316B2 (en) Foldable apparatus, foldable substrate, and methods of making
US12426184B2 (en) Foldable apparatus, ribbons, and methods of making
US20250136501A1 (en) Foldable substrates and methods of making
US20250136497A1 (en) Foldable substrates and methods of making
US20230370535A1 (en) Foldable apparatus and methods of making
WO2022177797A1 (en) Foldable apparatus and methods of making
TWI875804B (zh) 可折疊基板及其製造方法
US20240417320A1 (en) Foldable substrates and methods of making
US20250393147A1 (en) Foldable apparatus, ribbons, and methods of making
US20250368565A1 (en) Foldable substrates and methods of making
KR20250169308A (ko) 폴더블 기판 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230825

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230825

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20241001

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20241016

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20241111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7588215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150