JP7581693B2

JP7581693B2 - 電流センサ

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Publication number: JP7581693B2
Application number: JP2020132252A
Authority: JP
Inventors: 智也田中; 宇史原; 拓木下
Original assignee: Aisin Seiki Co Ltd; Aisin Corp
Current assignee: Aisin Corp
Priority date: 2020-08-04
Filing date: 2020-08-04
Publication date: 2024-11-13
Anticipated expiration: 2040-08-04
Also published as: US11536748B2; CN114062755A; CN114062755B; US20220043034A1; JP2022029109A

Description

本発明は、複数の導体の夫々に流れる電流の電流値を測定する電流センサに関する。

従来、複数の導体の夫々を流れる電流の電流値を測定する電流センサが利用されてきた。このような電流センサとして、導体を流れる電流に応じて当該導体の周囲に生じる磁界の磁束密度を磁気検出素子で検出し、その検出された磁束密度に基づいて導体に印加された電流を演算して求めるものがある。このような電流センサとして、例えば下記に出典を示す特許文献１－２に記載のものがある。

特許文献１に記載の電流センサは、３本の導体の夫々に対して対向するように３つの磁気検出素子を配置する。これら３本の導体及び３つの磁気検出素子は、位置や角度を調整して配置することで、３本の導体における互いの干渉を抑制している。

特許文献２に記載の電流センサは、１本の導体に対して２つの磁気センサを配置し、夫々の磁気センサは導体からの距離が略等しく、且つ、互いの感度軸がほぼ同一方向を向くように配置される。２つの磁気センサの出力の差をとることにより、外部磁界の影響を低減し、互いの出力のオフセットを相殺してオフセットの影響を低減している。

特開２０１９－１００９２３号公報国際公開２０１３／０１１８５９号公報

特許文献１及び２に記載の技術は、導体の周囲に生じる磁界の磁束を集磁するコアを用いずにコンパクト、且つ、低コストで構成している。しかしながら、周囲に生じる磁界の影響を抑制するために、磁気検出素子を配置する際に位置、角度、距離等を考慮して行う必要があり、配置上の制約を受け、容易に構成することができない。

そこで、周囲に生じる磁界の影響を抑制し、容易に構成することが可能な電流センサが求められる。

本発明に係る電流センサの特徴構成は、第１導体、第２導体、及び第３導体の夫々に流れる電流の電流値を測定する電流センサであって、前記第２導体及び前記第３導体よりも前記第１導体側において、前記第１導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第１検出結果を出力する第１磁気検出部と、前記第１導体及び前記第３導体よりも前記第２導体側において、前記第２導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第２検出結果を出力する第２磁気検出部と、前記第１導体及び前記第２導体よりも前記第３導体側において、前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第３検出結果を出力する第３磁気検出部と、周囲の温度に基づいて予め設定された第１増幅率を補正する第１増幅率補正部と、前記温度に基づいて予め設定された第２増幅率を補正する第２増幅率補正部と、前記温度に基づいて予め設定された第３増幅率を補正する第３増幅率補正部と、補正された前記第１増幅率に基づいて前記第１検出結果を増幅し、第１増幅信号として出力する第１増幅部と、補正された前記第２増幅率に基づいて前記第２検出結果を増幅し、第２増幅信号として出力する第２増幅部と、補正された前記第３増幅率に基づいて前記第３検出結果を増幅し、第３増幅信号として出力する第３増幅部と、前記第１検出結果に対する前記第２導体及び前記第３導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第１影響度を補正する第１影響度補正部と、前記第２検出結果に対する前記第１導体及び前記第３導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第２影響度を補正する第２影響度補正部と、前記第３検出結果に対する前記第１導体及び前記第２導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第３影響度を補正する第３影響度補正部と、補正された前記第１影響度と共に、前記第２増幅信号及び前記第３増幅信号も用いて前記第１増幅信号を補正する第１補正部と、補正された前記第２影響度と共に、前記第１増幅信号及び前記第３増幅信号も用いて前記第２増幅信号を補正する第２補正部と、補正された前記第３影響度と共に、前記第１増幅信号及び前記第２増幅信号も用いて前記第３増幅信号を補正する第３補正部と、を備える点にある。

このような特徴構成とすれば、第１磁気検出部の出力に第２磁気検出部及び第３磁気検出部の出力をフィードバックし、第２磁気検出部の出力に第１磁気検出部及び第３磁気検出部の出力をフィードバックし、第３磁気検出部の出力に第１磁気検出部及び第２磁気検出部の出力をフィードバックして検出することができる。したがって、第１磁気検出部の出力に対して第２導体及び第３導体の夫々を流れる電流の影響を低減し、第２磁気検出部の出力に対して第１導体及び第３導体の夫々を流れる電流の影響を低減し、第３磁気検出部の出力に対して第１導体及び第２導体の夫々を流れる電流の影響を低減することができるので、磁束密度の検出精度を向上することが可能となる。本電流センサは、このように検出精度を向上して検出された磁束密度に基づいて電流の電流値を測定するので、精度良く電流値を測定することが可能となる。また、集磁するための部品や外乱を抑制するための部品（例えばコアやシールド板）を必要とせず、導体に流れる電流を高精度に検出することが可能となる。更には、集磁するための部品や外乱を抑制するための部品が必要ないので電流センサを小型化できる共に、低コストで実現できる。

また、前記第１影響度は、前記第１導体のみに電流を流した場合の前記第１検出結果に対して、前記第１導体と同時に前記第２導体及び前記第３導体にも電流を流した場合に前記第１磁気検出部に入力される前記第２導体及び前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標であって、前記第２影響度は、前記第２導体のみに電流を流した場合の前記第２検出結果に対して、前記第２導体と同時に前記第１導体及び前記第３導体にも電流を流した場合に前記第２磁気検出部に入力される前記第１導体及び前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標であって、前記第３影響度は、前記第３導体のみに電流を流した場合の前記第３検出結果に対して、前記第３導体と同時に前記第１導体及び前記第２導体にも電流を流した場合に前記第３磁気検出部に入力される前記第１導体及び前記第２導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標であると好適である。

このような構成とすれば、第１検出結果に対して第２導体及び第３導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を見積もり、第２検出結果に対して第１導体及び第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を見積もり、第３検出結果に対して第１導体及び第２導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を見積もることが可能となる。

また、前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体とは、夫々の軸心が互いに平行になるように設けられ、前記第１影響度は、前記第１導体と前記第２導体との間隔、前記第１導体と前記第３導体との間隔、前記第１導体の軸心から見た前記第２導体の軸心の位置、及び前記第１導体の軸心から見た前記第３導体の軸心の位置に基づいて規定され、前記第２影響度は、前記第１導体と前記第２導体との間隔、前記第２導体と前記第３導体との間隔、前記第２導体の軸心から見た前記第１導体の軸心の位置、及び前記第２導体の軸心から見た前記第３導体の軸心の位置に基づいて規定され、前記第３影響度は、前記第１導体と前記第３導体との間隔、前記第２導体と前記第３導体との間隔、前記第３導体の軸心から見た前記第１導体の軸心の位置、及び前記第３導体の軸心から見た前記第２導体の軸心の位置に基づいて規定されると好適である。

このような構成とすれば、第１影響度、第２影響度、及び第３影響度を容易に設定することが可能となる。したがって、第１補正部、第２補正部、及び第３補正部が、夫々、第１増幅信号、第２増幅信号、及び第３増幅信号を適切に補正することができる。

導体に対する電流センサの配置図である。電流センサの構成を示すブロック図である。各導体を流れる電流の波形を示す図である。各磁気検出部の検出結果を示す図である。補正後の各導体を流れる電流の波形を示す図である。

本発明に係る電流センサは、コアを用いることなくコンパクトに、且つ、周囲に生じる磁界の影響を抑制することができるように構成される。以下、本実施形態の電流センサ１について説明する。ここで、導体に電流が流れる場合には、当該電流の大きさに応じて導体を軸心として磁界が発生する（アンペールの右ネジの法則）。本電流センサ１は、このような磁界における磁束の磁束密度を検出し、検出された磁束密度に基づいて第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃの夫々に流れる電流の電流値を測定する。

図１は第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃに対する電流センサ１の配置図である。第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃは、例えば三相モータに接続される３本のバスバが相当する。より具体的には、第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃは、三相モータの３つの端子の夫々と当該三相モータを流れる電流を制御するインバータの３つの端子の夫々とを電気的に接続する。

本実施形態では第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃは、互いに隣接する隣接方向である第１方向に直交する第２方向に沿って延出する。互いに隣接する隣接方向とは、図１におけるＸ方向が相当し、第１方向に直交する第２方向とは、図１におけるＹ方向が相当する。したがって、第１導体２Ａと第２導体２Ｂと第３導体２Ｃとは、夫々の軸心が互いに平行になるように設けられる。また、第１方向及び第２方向の双方に直交する方向を第３方向（Ｚ方向）として説明する。本実施形態では、第１導体２Ａと後述する第１磁気検出部１４とが第３方向に沿って配置され、第２導体２Ｂと後述する第２磁気検出部２４とが第３方向に沿って配置され、第３導体２Ｃと後述する第３磁気検出部３４とが第３方向に沿って配置される。

電流センサ１は、第１磁電変換ユニット１１と第２磁電変換ユニット２１と第３磁電変換ユニット３１とを備えて構成される。第１磁電変換ユニット１１、第２磁電変換ユニット２１、及び第３磁電変換ユニット３１は、入力される磁束の磁束密度に応じた電気信号を出力するよう構成される。第１磁電変換ユニット１１は５本の端子１３を有し、第２磁電変換ユニット２１は５本の端子２３を有して構成される。また、第３磁電変換ユニット３１は５本の端子３３を有して構成される。本実施形態では、第１磁電変換ユニット１１は５本の端子１３を介して第１基板１２に実装され、第２磁電変換ユニット２１は５本の端子２３を介して第２基板２２に実装され、第３磁電変換ユニット３１は５本の端子３３を介して第３基板３２の夫々に実装される。

第１磁電変換ユニット１１の５本の端子１３は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子１３Ａ、第１磁電変換ユニット１１としての出力Ｖｏｕｔ１が出力される出力端子１３Ｂ、後述する第１増幅信号が出力される第１増幅信号出力端子１３Ｃ、後述する第２増幅信号及び第３増幅信号が入力される第１増幅信号入力端子１３Ｄ、基準電位が設定される基準端子１３Ｅから構成される。第２磁電変換ユニット２１の５本の端子２３は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子２３Ａ、第２磁電変換ユニット２１としての出力Ｖｏｕｔ２が出力される出力端子２３Ｂ、後述する第２増幅信号が出力される第２増幅信号出力端子２３Ｃ、後述する第１増幅信号及び第３増幅信号が入力される第２増幅信号入力端子２３Ｄ、基準電位が設定される基準端子２３Ｅから構成される。第３磁電変換ユニット３１の５本の端子３３は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子３３Ａ、第３磁電変換ユニット３１としての出力Ｖｏｕｔ３が出力される出力端子３３Ｂ、後述する第３増幅信号が出力される第３増幅信号出力端子３３Ｃ、後述する第１増幅信号及び第２増幅信号が入力される第３増幅信号入力端子３３Ｄ、基準電位が設定される基準端子３３Ｅから構成される。

図２は、第１磁電変換ユニット１１、第２磁電変換ユニット２１、及び第３磁電変換ユニット３１の構成を示すブロック図である。図２に示されるように、第１磁電変換ユニット１１は、第１磁気検出部１４、第１増幅部１５、第１補正部１６、第１影響度補正部１７、第１影響度情報格納部１８、第１増幅率補正部１９の各機能部を備えて構成され、第２磁電変換ユニット２１は、第２磁気検出部２４、第２増幅部２５、第２補正部２６、第２影響度補正部２７、第２影響度情報格納部２８、第２増幅率補正部２９の各機能部を備えて構成される。また、第３磁電変換ユニット３１は、第３磁気検出部３４、第３増幅部３５、第３補正部３６、第３影響度補正部３７、第３影響度情報格納部３８、第３増幅率補正部３９の各機能部を備えて構成される。各機能部は、磁束密度の検出に係る処理を行うために、ＣＰＵを中核部材としてハードウェア又はソフトウェア或いはその両方で構築されている。

図１に示されるように、第１磁気検出部１４は、第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃよりも第１導体２Ａ側において、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面１４Ａが設けられる。「第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃよりも第１導体２Ａ側において」とは、第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃまでの距離よりも第１導体２Ａまでの距離の方が近いことを意味する。第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線とは、第１導体２Ａを電流が流れることにより、第１導体２Ａの周囲に生じる磁界の磁力線をいう。磁束密度を検出する検出面１４Ａとは、第１磁気検出部１４が検出する磁束が入力される面であって、上記磁力線が垂直に入力されるように設けられる。本実施形態では、検出面１４Ａは第１方向に直交する面である。したがって、第１磁気検出部１４は、第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃまでの距離よりも第１導体２Ａまでの距離の方が近い位置に配置され、第１導体２Ａを電流が流れることにより、第１導体２Ａの周囲に生じる磁界の磁力線が、第１磁気検出部１４の検出面１４Ａに垂直に入力されるように設けられる。

第１磁気検出部１４は、磁束密度の検出結果として第１検出結果を出力する。第１磁気検出部１４は、検出した磁束密度に応じた検出結果として電気信号を出力するが、この電気信号は本実施形態では第１検出結果と称される。この第１検出結果は図２に示されるように、後述する第１増幅部１５に伝達される。

図１に示されるように、第２磁気検出部２４は、第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃよりも第２導体２Ｂ側において、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面２４Ａが設けられる。「第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃよりも第２導体２Ｂ側において」とは、第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃまでの距離よりも第２導体２Ｂまでの距離の方が近いことを意味する。第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線とは、第２導体２Ｂを電流が流れることにより、第２導体２Ｂの周囲に生じる磁界の磁力線をいう。磁束密度を検出する検出面２４Ａとは、第２磁気検出部２４が検出する磁束が入力される面であって、上記磁力線が垂直に入力されるように設けられる。本実施形態では、検出面２４Ａは第１方向に直交する面である。したがって、第２磁気検出部２４は、第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃまでの距離よりも第２導体２Ｂまでの距離の方が近い位置に配置され、第２導体２Ｂを電流が流れることにより、第２導体２Ｂの周囲に生じる磁界の磁力線が、第２磁気検出部２４の検出面２４Ａに垂直に入力されるように設けられる。

第２磁気検出部２４は、磁束密度の検出結果として第２検出結果を出力する。第２磁気検出部２４は、検出した磁束密度に応じた検出結果として電気信号を出力するが、この電気信号は本実施形態では第２検出結果と称される。この第２検出結果は図２に示されるように、後述する第２増幅部２５に伝達される。

図１に示されるように、第３磁気検出部３４は、第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂよりも第３導体２Ｃ側において、第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面３４Ａが設けられる。「第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂよりも第３導体２Ｃ側において」とは、第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂまでの距離よりも第３導体２Ｃまでの距離の方が近いことを意味する。第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線とは、第３導体２Ｃを電流が流れることにより、第３導体２Ｃの周囲に生じる磁界の磁力線をいう。磁束密度を検出する検出面３４Ａとは、第３磁気検出部３４が検出する磁束が入力される面であって、上記磁力線が垂直に入力されるように設けられる。本実施形態では、検出面３４Ａは第１方向に直交する面である。したがって、第３磁気検出部３４は、第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂまでの距離よりも第３導体２Ｃまでの距離の方が近い位置に配置され、第３導体２Ｃを電流が流れることにより、第３導体２Ｃの周囲に生じる磁界の磁力線が、第３磁気検出部３４の検出面３４Ａに垂直に入力されるように設けられる。

第３磁気検出部３４は、磁束密度の検出結果として第３検出結果を出力する。第３磁気検出部３４は、検出した磁束密度に応じた検出結果として電気信号を出力するが、この電気信号は本実施形態では第３検出結果と称される。この第３検出結果は図２に示されるように、後述する第３増幅部３５に伝達される。

第１増幅率補正部１９は、周囲の温度に基づいて予め設定された第１増幅率を補正する。周囲の温度とは、第１磁気検出部１４の周囲の温度である。このような周囲の温度は、例えば第１増幅率補正部１９が温度検出素子を備えて検出しても良いし、第１増幅率補正部１９とは別体で設けられた図示しない温度検出素子の検出結果を取得するように構成しても良い。予め設定された第１増幅率とは、第１磁気検出部１４の検出結果である第１検出結果を後述する第１増幅部１５が増幅する増幅率であって、第１増幅部１５に対して予め設定されている。したがって、第１増幅率補正部１９は、第１磁気検出部１４の周囲の温度に基づいて、第１増幅部１５に対して予め設定されている増幅率であって、第１磁気検出部１４の検出結果である第１検出結果を第１増幅部１５が増幅する増幅率を補正する。換言すれば、第１増幅率補正部１９は、第１磁気検出部１４の周囲の温度に基づいて、第１増幅部１５が第１磁気検出部１４の検出結果である第１検出結果を増幅する際に利用する増幅率を温度補償する。

第２増幅率補正部２９は、周囲の温度に基づいて予め設定された第２増幅率を補正する。周囲の温度とは、第２磁気検出部２４の周囲の温度である。このような周囲の温度は、例えば第２増幅率補正部２９が温度検出素子を備えて検出しても良いし、第２増幅率補正部２９とは別体で設けられた図示しない温度検出素子の検出結果を取得するように構成しても良い。予め設定された第２増幅率とは、第２磁気検出部２４の検出結果である第２検出結果を後述する第２増幅部２５が増幅する増幅率であって、第２増幅部２５に対して予め設定されている。したがって、第２増幅率補正部２９は、第２磁気検出部２４の周囲の温度に基づいて、第２増幅部２５に対して予め設定されている増幅率であって、第２磁気検出部２４の検出結果である第２検出結果を第２増幅部２５が増幅する増幅率を補正する。換言すれば、第２増幅率補正部２９は、第２磁気検出部２４の周囲の温度に基づいて、第２増幅部２５が第２磁気検出部２４の検出結果である第２検出結果を増幅する際に利用する増幅率を温度補償する。

第３増幅率補正部３９は、周囲の温度に基づいて予め設定された第３増幅率を補正する。周囲の温度とは、第３磁気検出部３４の周囲の温度である。このような周囲の温度は、例えば第３増幅率補正部３９が温度検出素子を備えて検出しても良いし、第３増幅率補正部３９とは別体で設けられた図示しない温度検出素子の検出結果を取得するように構成しても良い。予め設定された第３増幅率とは、第３磁気検出部３４の検出結果である第３検出結果を後述する第３増幅部３５が増幅する増幅率であって、第３増幅部３５に対して予め設定されている。したがって、第３増幅率補正部３９は、第３磁気検出部３４の周囲の温度に基づいて、第３増幅部３５に対して予め設定されている増幅率であって、第３磁気検出部３４の検出結果である第３検出結果を第３増幅部３５が増幅する増幅率を補正する。換言すれば、第３増幅率補正部３９は、第３磁気検出部３４の周囲の温度に基づいて、第３増幅部３５が第３磁気検出部３４の検出結果である第３検出結果を増幅する際に利用する増幅率を温度補償する。

第１増幅部１５は、補正された第１増幅率に基づいて第１検出結果を増幅し、第１増幅信号として出力する。補正された第１増幅率とは、第１増幅率補正部１９により補正された増幅率である。第１増幅部１５には第１磁気検出部１４から第１検出結果が伝達され、この第１検出結果を補正された第１増幅率で増幅する。このように増幅された第１検出結果は、第１増幅部１５から第１増幅信号として後述する第１補正部１６に伝達されると共に、第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２磁電変換ユニット２１に入力され、第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３磁電変換ユニット３１に入力される。

第２増幅部２５は、補正された第２増幅率に基づいて第２検出結果を増幅し、第２増幅信号として出力する。補正された第２増幅率とは、第２増幅率補正部２９により補正された増幅率である。第２増幅部２５には第２磁気検出部２４から第２検出結果が伝達され、この第２検出結果を補正された第２増幅率で増幅する。このように増幅された第２検出結果は、第２増幅部２５から第２増幅信号として後述する第２補正部２６に伝達されると共に、第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１磁電変換ユニット１１に入力され、第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３磁電変換ユニット３１に入力される。

第３増幅部３５は、補正された第３増幅率に基づいて第３検出結果を増幅し、第３増幅信号として出力する。補正された第３増幅率とは、第３増幅率補正部３９により補正された増幅率である。第３増幅部３５には第３磁気検出部３４から第３検出結果が伝達され、この第３検出結果を補正された第３増幅率で増幅する。このように増幅された第３検出結果は、第３増幅部３５から第３増幅信号として後述する第３補正部３６に伝達されると共に、第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１磁電変換ユニット１１に入力され、第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２磁電変換ユニット２１に入力される。

第１影響度補正部１７は、予め設定された第１影響度を補正する。第１影響度とは、第１検出結果に対する第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃの夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示すパラメータであって、本実施形態では、第１影響度情報格納部１８に予め格納されている。

具体的には、第１影響度は、第１導体２Ａのみに電流を流した場合の第１検出結果に対して、第１導体２Ａと同時に第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃにも電流を流した場合に第１磁気検出部１４に入力される第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標である。第１導体２Ａのみに電流を流した場合の第１検出結果とは、第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃに電流を流さない状態で、且つ、第１導体２Ａに電流を流した状態での第１磁気検出部１４による磁束密度の検出結果である。すなわち、第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃを流れる電流の影響がない状態での第１磁気検出部１４による磁束密度の検出結果が相当する。一方、第１導体２Ａと同時に第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃにも電流を流した場合とは、第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃに電流を流した状態である。したがって、この状態では、第１磁気検出部１４には、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界と、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界と、第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界とが入力される。このため、第１磁気検出部１４による磁束密度の検出結果に、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度だけでなく、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度も含まれる。第１影響度は、このような第１磁気検出部１４による磁束密度の検出結果に含まれる第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度の度合いを示すパラメータが相当する。

例えば、第１影響度は、第１導体２Ａと第２導体２Ｂとの間隔、第１導体２Ａと第３導体２Ｃとの間隔、第１導体２Ａの軸心から見た第２導体２Ｂの軸心の位置、及び第１導体２Ａの軸心から見た第３導体２Ｃの軸心の位置に基づいて規定することが可能である。すなわち、第１影響度は、第１導体２Ａから第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃの夫々までの距離と、第１導体２Ａを基準とした第２導体２Ｂ及び第３導体２Ｃの夫々の方向とに応じて設定される。

例えば第１影響度補正部１７は、第１導体２Ａと第１磁気検出部１４（第１磁気検出部１４の検出面１４Ａ）との間の距離に基づき第１影響度を補正する。具体的には、第１影響度補正部１７は、第１影響度を、第１磁気検出部１４（第１磁気検出部１４の検出面１４Ａ）から第２導体２Ｂまでの距離と、第１磁気検出部１４（第１磁気検出部１４の検出面１４Ａ）から第３導体２Ｃまでの距離と、第１磁気検出部１４（第１磁気検出部１４の検出面１４Ａ）から見たＸＺ平面上における第２導体２Ｂの軸心の位置（方向）、及び第１磁気検出部１４（第１磁気検出部１４の検出面１４Ａ）から見たＸＺ平面上における第３導体２Ｃの軸心の位置（方向）に基づいて規定するように補正すると良い。

第２影響度補正部２７は、予め設定された第２影響度を補正する。第２影響度とは、第２検出結果に対する第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃの夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示すパラメータであって、本実施形態では、第２影響度情報格納部２８に予め格納されている。

具体的には、第２影響度は、第２導体２Ｂのみに電流を流した場合の第２検出結果に対して、第２導体２Ｂと同時に第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃにも電流を流した場合に第２磁気検出部２４に入力される第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標である。第２導体２Ｂのみに電流を流した場合の第２検出結果とは、第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃに電流を流さない状態で、且つ、第２導体２Ｂに電流を流した状態での第２磁気検出部２４による磁束密度の検出結果である。すなわち、第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃを流れる電流の影響がない状態での第２磁気検出部２４による磁束密度の検出結果が相当する。一方、第２導体２Ｂと同時に第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃにも電流を流した場合とは、第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃに電流を流した状態である。したがって、この状態では、第２磁気検出部２４には、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界と、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界と、第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界とが入力される。このため、第２磁気検出部２４による磁束密度の検出結果に、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度だけでなく、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度も含まれる。第２影響度は、このような第２磁気検出部２４による磁束密度の検出結果に含まれる第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度の度合いを示すパラメータが相当する。

例えば、第２影響度は、第１導体２Ａと第２導体２Ｂとの間隔、第２導体２Ｂと第３導体２Ｃとの間隔、第２導体２Ｂの軸心から見た第１導体２Ａの軸心の位置、及び第２導体２Ｂの軸心から見た第３導体２Ｃの軸心の位置に基づいて規定することが可能である。すなわち、第２影響度は、第２導体２Ｂから第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃの夫々までの距離と、第２導体２Ｂを基準とした第１導体２Ａ及び第３導体２Ｃの夫々の方向とに応じて設定される。

例えば第２影響度補正部２７は、第２導体２Ｂと第２磁気検出部２４（第２磁気検出部２４の検出面２４Ａ）との間の距離に基づき第２影響度を補正する。具体的には、第２影響度補正部２７は、第２影響度を、第２磁気検出部２４（第２磁気検出部２４の検出面２４Ａ）から第１導体２Ａまでの距離と、第２磁気検出部２４（第２磁気検出部２４の検出面２４Ａ）から第３導体２Ｃまでの距離と、第２磁気検出部２４（第２磁気検出部２４の検出面２４Ａ）から見たＸＺ平面上における第１導体２Ａの軸心の位置（方向）、及び第２磁気検出部２４（第２磁気検出部２４の検出面２４Ａ）から見たＸＺ平面上における第３導体２Ｃの軸心の位置（方向）に基づいて規定するように補正すると良い。

第３影響度補正部３７は、予め設定された第３影響度を補正する。第３影響度とは、第３検出結果に対する第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂの夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示すパラメータであって、本実施形態では、第３影響度情報格納部３８に予め格納されている。

具体的には、第３影響度は、第３導体２Ｃのみに電流を流した場合の第３検出結果に対して、第３導体２Ｃと同時に第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂにも電流を流した場合に第３磁気検出部３４に入力される第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標である。第３導体２Ｃのみに電流を流した場合の第３検出結果とは、第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂに電流を流さない状態で、且つ、第３導体２Ｃに電流を流した状態での第３磁気検出部３４による磁束密度の検出結果である。すなわち、第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂを流れる電流の影響がない状態での第３磁気検出部３４による磁束密度の検出結果が相当する。一方、第３導体２Ｃと同時に第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂにも電流を流した場合とは、第１導体２Ａ、第２導体２Ｂ、及び第３導体２Ｃに電流を流した状態である。したがって、この状態では、第３磁気検出部３４には、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界と、第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界と、第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界とが入力される。このため、第３磁気検出部３４による磁束密度の検出結果に、第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度だけでなく、第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度も含まれる。第３影響度は、このような第３磁気検出部３４による磁束密度の検出結果に含まれる第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度及び第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界に基づく磁束密度の度合いを示すパラメータが相当する。

例えば、第３影響度は、第１導体２Ａと第３導体２Ｃとの間隔、第２導体２Ｂと第３導体２Ｃとの間隔、第３導体２Ｃの軸心から見た第１導体２Ａの軸心の位置、及び第３導体２Ｃの軸心から見た第２導体２Ｂの軸心の位置に基づいて規定することが可能である。すなわち、第３影響度は、第３導体２Ｃから第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂの夫々までの距離と、第３導体２Ｃを基準とした第１導体２Ａ及び第２導体２Ｂの夫々の方向とに応じて設定される。

例えば第３影響度補正部３７は、第３導体２Ｃと第３磁気検出部３４（第３磁気検出部３４の検出面３４Ａ）との間の距離に基づき第３影響度を補正する。具体的には、第３影響度補正部３７は、第３影響度を、第３磁気検出部３４（第３磁気検出部３４の検出面３４Ａ）から第１導体２Ａまでの距離と、第３磁気検出部３４（第３磁気検出部３４の検出面３４Ａ）から第２導体２Ｂまでの距離と、第３磁気検出部３４（第３磁気検出部３４の検出面３４Ａ）から見たＸＺ平面上における第１導体２Ａの軸心の位置（方向）、及び第３磁気検出部３４（第３磁気検出部３４の検出面３４Ａ）から見たＸＺ平面上における第２導体２Ｂの軸心の位置（方向）に基づいて規定するように補正すると良い。

第１補正部１６は、補正された第１影響度と第２増幅信号と第３増幅信号とに基づいて第１増幅信号を補正する。補正された第１影響度とは第１影響度補正部１７から伝達される。第２増幅信号は第２増幅部２５から出力され、第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１補正部１６に伝達される。第３増幅信号は第３増幅部３５から出力され、第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１補正部１６に伝達される。また、第１補正部１６には、第１増幅部１５から第１増幅信号が伝達される。したがって、第１補正部１６は、第１増幅部１５から伝達される第１増幅信号を、第１影響度補正部１７から伝達された第１影響度と第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１補正部１６に伝達された第２増幅信号と第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第１増幅信号入力端子１３Ｄを介して第１補正部１６に伝達された第３増幅信号とに基づいて補正する。

第２補正部２６は、補正された第２影響度と第１増幅信号と第３増幅信号とに基づいて第２増幅信号を補正する。補正された第２影響度とは第２影響度補正部２７から伝達される。第１増幅信号は第１増幅部１５から出力され、第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２補正部２６に伝達される。第３増幅信号は第３増幅部３５から出力され、第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２補正部２６に伝達される。また、第２補正部２６には、第２増幅部２５から第２増幅信号が伝達される。したがって、第２補正部２６は、第２増幅部２５から伝達される第２増幅信号を、第２影響度補正部２７から伝達された第２影響度と第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２補正部２６に伝達された第１増幅信号と第３増幅信号出力端子３３Ｃ及び第２増幅信号入力端子２３Ｄを介して第２補正部２６に伝達された第３増幅信号とに基づいて補正する。

第３補正部３６は、補正された第３影響度と第１増幅信号と第２増幅信号とに基づいて第３増幅信号を補正する。補正された第３影響度とは第３影響度補正部３７から伝達される。第１増幅信号は第１増幅部１５から出力され、第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３補正部３６に伝達される。第２増幅信号は第２増幅部２５から出力され、第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３補正部３６に伝達される。また、第３補正部３６には、第３増幅部３５から第３増幅信号が伝達される。したがって、第３補正部３６は、第３増幅部３５から伝達される第３増幅信号を、第３影響度補正部３７から伝達された第３影響度と第１増幅信号出力端子１３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３補正部３６に伝達された第１増幅信号と第２増幅信号出力端子２３Ｃ及び第３増幅信号入力端子３３Ｄを介して第３補正部３６に伝達された第２増幅信号とに基づいて補正する。

以上のように構成することにより、第１増幅部１５が温度補償された第１増幅率で第１検出結果を増幅し、更に、第１補正部１６が第１増幅信号から第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界の影響をなくすように補正した検出結果を第１磁電変換ユニット１１から出力することが可能となる。また、第２増幅部２５が温度補償された第２増幅率で第２検出結果を増幅し、更に、第２補正部２６が第２増幅信号から第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界及び第３導体２Ｃを流れる電流に応じて生じる磁界の影響をなくすように補正した検出結果を第２磁電変換ユニット２１から出力することが可能となる。また、第３増幅部３５が温度補償された第３増幅率で第３検出結果を増幅し、更に、第３補正部３６が第３増幅信号から第１導体２Ａを流れる電流に応じて生じる磁界及び第２導体２Ｂを流れる電流に応じて生じる磁界の影響をなくすように補正した検出結果を第３磁電変換ユニット３１から出力することが可能となる。換言すれば、隣接する導体や当該隣接する導体に更に隣接する導体に流れる電流に応じて生じる磁界をモニタし、これらの導体からの磁束を外乱ノイズ成分としてキャンセルする機能を付加することにより、精度良く磁束密度を検出し、これにより電流を精度良く検出することが可能となる。

また、第１磁気検出部１４、第２磁気検出部２４、及び第３磁気検出部３４は、磁気抵抗素子（ＴＭＲやＡＭＲ等）で構成せず、安価なホール素子を用いて構成できる。また、コアを備えないコアレス電流センサとして実現できる。

次に、電流センサ１の出力を示す図を用いて電流センサ１の効果について説明する。図３には、第１導体２Ａに実際に流れる電流の電流波形と、第２導体２Ｂに実際に流れる電流の電流波形と、第３導体２Ｃに実際に流れる電流の電流波形とが示される。図３では、第１導体２Ａに流れる電流をＵ相電流として示し、第２導体２Ｂに流れる電流をＶ相電流として示し、第３導体２Ｃに流れる電流をＷ相電流として示している。

この場合、図４に示されるように、第１磁気検出部１４による第１検出結果は第２導体２Ｂを流れる電流により生じる磁界及び第３導体２Ｃを流れる電流により生じる磁界の影響を受け、図３に示される第１導体２Ａに実際に流れる電流（Ｕ相電流）の電流波形に対して、振幅が小さくなり、位相がずれることがある。また、図４に示されるように、第２磁気検出部２４による第２検出結果は第１導体２Ａを流れる電流により生じる磁界及び第３導体２Ｃを流れる電流により生じる磁界の影響を受け、図３に示される第２導体２Ｂに実際に流れる電流（Ｖ相電流）の電流波形に対して、振幅が小さくなり、位相がずれることがある。更に、図４に示されるように、第３磁気検出部３４による第３検出結果は第１導体２Ａを流れる電流により生じる磁界及び第２導体２Ｂを流れる電流により生じる磁界の影響を受け、図３に示される第３導体２Ｃに実際に流れる電流（Ｗ相電流）の電流波形に対して、振幅が小さくなり、位相がずれることがある。

係る場合、第１検出結果Ｕ’、第２検出結果Ｖ’、第３検出結果Ｗ’は、第１導体２Ａを流れる電流をＵ、第２導体２Ｂを流れる電流をＶ、第３導体２Ｃを流れる電流をＷとすると、以下の（１）式で示される。

ここで、右辺第一項は上述した影響度を行列で示したものである。ここでは、隣接する導体からの影響度を０．１とし、一つ飛ばしで隣接する導体からの影響度を０．０５としている。このような影響度は、設計時に測定し、予め記憶しておくと良い。

（１）式を、Ｕ、Ｖ、Ｗについて解くと、（２）式を得る。

ここで右辺第一項は上述した影響度に係る行列の逆行列である。

この（２）式に実際に測定して得られた第１検出結果Ｕ’、第２検出結果Ｖ’、第３検出結果Ｗ’を代入して演算することで、他の導体を流れる電流の影響を低減した算定値を得ることができ、図５に示されるような電流の電流値（電流波形）を、第１磁電変換ユニット１１、第２磁電変換ユニット２１、第３磁電変換ユニット３１から出力することが可能となる。

〔その他の実施形態〕
上記実施形態では、第１基板１２と第２基板２２と第３基板３２とは別体である場合の例を挙げて説明したが、第１基板１２と第２基板２２と第３基板３２とは単一の基板で構成しても良い。

上記実施形態では、第１磁電変換ユニット１１が出力端子１３Ｂから第１磁電変換ユニット１１としての出力Ｖｏｕｔ１を出力し、第１増幅信号出力端子１３Ｃから第１増幅信号を第２磁電変換ユニット２１及び第３磁電変換ユニット３１に出力するように示したが、高応答性が必須でない場合には、伝達するタイミングをずらして同一の端子（例えば出力端子１３Ｂ）から出力Ｖｏｕｔ１を出力すると共に、第１増幅信号を出力するように構成しても良い。また、第２磁電変換ユニット２１が出力端子２３Ｂから第２磁電変換ユニット２１としての出力Ｖｏｕｔ２を出力し、第２増幅信号出力端子２３Ｃから第２増幅信号を第１磁電変換ユニット１１及び第３磁電変換ユニット３１に出力するように示したが、高応答性が必須でない場合には、伝達するタイミングをずらして同一の端子（例えば出力端子２３Ｂ）から出力Ｖｏｕｔ２を出力すると共に、第２増幅信号を出力するように構成しても良い。また、第３磁電変換ユニット３１が出力端子３３Ｂから第３磁電変換ユニット３１としての出力Ｖｏｕｔ３を出力し、第３増幅信号出力端子３３Ｃから第３増幅信号を第１磁電変換ユニット１１及び第２磁電変換ユニット２１に出力するように示したが、高応答性が必須でない場合には、伝達するタイミングをずらして同一の端子（例えば出力端子３３Ｂ）から出力Ｖｏｕｔ３を出力すると共に、第３増幅信号を出力するように構成しても良い。

上記実施形態では、第１磁電変換ユニット１１においては第２増幅信号及び第３増幅信号に基づいて第１増幅信号を補正し、第２磁電変換ユニット２１においては第１増幅信号及び第３増幅信号に基づいて第２増幅信号を補正し、第３磁電変換ユニット３１においては第１増幅信号及び第２増幅信号に基づいて第３増幅信号を補正するとして説明したが、出力変動時の第１磁電変換ユニット１１、第２磁電変換ユニット２１、及び第３磁電変換ユニット３１の消費電流や電圧等の出力変動と同期する信号を検知して行っても良い。

本発明は、複数の導体の夫々に流れる電流の電流値を測定する電流センサに用いることが可能である。

１：電流センサ
２Ａ：第１導体
２Ｂ：第２導体
２Ｃ：第３導体
１４：第１磁気検出部
１４Ａ：検出面
１５：第１増幅部
１６：第１補正部
１７：第１影響度補正部
１９：第１増幅率補正部
２４：第２磁気検出部
２４Ａ：検出面
２５：第２増幅部
２６：第２補正部
２７：第２影響度補正部
２９：第２増幅率補正部
３４：第３磁気検出部
３４Ａ：検出面
３５：第３増幅部
３６：第３補正部
３７：第３補正量設定部
３９：第３増幅率補正部

Claims

第１導体、第２導体、及び第３導体の夫々に流れる電流の電流値を測定する電流センサであって、
前記第２導体及び前記第３導体よりも前記第１導体側において、前記第１導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第１検出結果を出力する第１磁気検出部と、
前記第１導体及び前記第３導体よりも前記第２導体側において、前記第２導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第２検出結果を出力する第２磁気検出部と、
前記第１導体及び前記第２導体よりも前記第３導体側において、前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界の磁力線と直交するように配置されて磁束密度を検出する検出面が設けられ、前記磁束密度の検出結果として第３検出結果を出力する第３磁気検出部と、
周囲の温度に基づいて予め設定された第１増幅率を補正する第１増幅率補正部と、
前記温度に基づいて予め設定された第２増幅率を補正する第２増幅率補正部と、
前記温度に基づいて予め設定された第３増幅率を補正する第３増幅率補正部と、
補正された前記第１増幅率に基づいて前記第１検出結果を増幅し、第１増幅信号として出力する第１増幅部と、
補正された前記第２増幅率に基づいて前記第２検出結果を増幅し、第２増幅信号として出力する第２増幅部と、
補正された前記第３増幅率に基づいて前記第３検出結果を増幅し、第３増幅信号として出力する第３増幅部と、
前記第１検出結果に対する前記第２導体及び前記第３導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第１影響度を補正する第１影響度補正部と、
前記第２検出結果に対する前記第１導体及び前記第３導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第２影響度を補正する第２影響度補正部と、
前記第３検出結果に対する前記第１導体及び前記第２導体の夫々を流れる電流に応じて生じる磁界の影響度を示し、予め設定された第３影響度を補正する第３影響度補正部と、
補正された前記第１影響度と共に、前記第２増幅信号及び前記第３増幅信号も用いて前記第１増幅信号を補正する第１補正部と、
補正された前記第２影響度と共に、前記第１増幅信号及び前記第３増幅信号も用いて前記第２増幅信号を補正する第２補正部と、
補正された前記第３影響度と共に、前記第１増幅信号及び前記第２増幅信号も用いて前記第３増幅信号を補正する第３補正部と、
を備える電流センサ。
前記第１影響度は、前記第１導体のみに電流を流した場合の前記第１検出結果に対して、前記第１導体と同時に前記第２導体及び前記第３導体にも電流を流した場合に前記第１磁気検出部に入力される前記第２導体及び前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標であって、
前記第２影響度は、前記第２導体のみに電流を流した場合の前記第２検出結果に対して、前記第２導体と同時に前記第１導体及び前記第３導体にも電流を流した場合に前記第２磁気検出部に入力される前記第１導体及び前記第３導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標であって、
前記第３影響度は、前記第３導体のみに電流を流した場合の前記第３検出結果に対して、前記第３導体と同時に前記第１導体及び前記第２導体にも電流を流した場合に前記第３磁気検出部に入力される前記第１導体及び前記第２導体を流れる電流に応じて生じる磁界から受ける影響を示す指標である請求項１に記載の電流センサ。
前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体とは、夫々の軸心が互いに平行になるように設けられ、
前記第１影響度は、前記第１導体と前記第２導体との間隔、前記第１導体と前記第３導体との間隔、前記第１導体の軸心から見た前記第２導体の軸心の位置、及び前記第１導体の軸心から見た前記第３導体の軸心の位置に基づいて規定され、
前記第２影響度は、前記第１導体と前記第２導体との間隔、前記第２導体と前記第３導体との間隔、前記第２導体の軸心から見た前記第１導体の軸心の位置、及び前記第２導体の軸心から見た前記第３導体の軸心の位置に基づいて規定され、
前記第３影響度は、前記第１導体と前記第３導体との間隔、前記第２導体と前記第３導体との間隔、前記第３導体の軸心から見た前記第１導体の軸心の位置、及び前記第３導体の軸心から見た前記第２導体の軸心の位置に基づいて規定される請求項１又は２に記載の電流センサ。