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JP7578565B2 - Light-emitting device - Google Patents

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JP7578565B2
JP7578565B2 JP2021138689A JP2021138689A JP7578565B2 JP 7578565 B2 JP7578565 B2 JP 7578565B2 JP 2021138689 A JP2021138689 A JP 2021138689A JP 2021138689 A JP2021138689 A JP 2021138689A JP 7578565 B2 JP7578565 B2 JP 7578565B2
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light emitting
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彰一 新関
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Nikkiso Co Ltd
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Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device.

特許文献1には、配線層を有する基体と、配線層にフリップチップ実装された発光素子とを有する発光装置が開示されている。発光素子が配線層にフリップチップされた発光装置においては、発光素子のp側電極及びn側電極が発光素子の同じ側に形成されているとともに、発光素子から発される光が、発光素子におけるp側電極及びn側電極が形成された側と反対側に取り出される。 Patent Document 1 discloses a light-emitting device having a base having a wiring layer and a light-emitting element flip-chip mounted on the wiring layer. In a light-emitting device in which a light-emitting element is flip-chip mounted on the wiring layer, the p-side electrode and n-side electrode of the light-emitting element are formed on the same side of the light-emitting element, and light emitted from the light-emitting element is extracted on the side opposite to the side on which the p-side electrode and n-side electrode of the light-emitting element are formed.

特開2016-127056号公報JP 2016-127056 A

しかしながら、特許文献1に記載の発光装置においては、発光素子から発される光を、発光装置の外部に取り出しやすくし、光出力を向上させる観点から改善の余地がある。 However, the light-emitting device described in Patent Document 1 has room for improvement in terms of making it easier to extract the light emitted from the light-emitting element to the outside of the light-emitting device and improving the light output.

本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、光出力を向上させることができる発光装置を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a light-emitting device that can improve light output.

本発明は、前記の目的を達成するため、基材、及び前記基材の一方側の面に設けられた実装電極を有する実装基板と、前記実装電極に実装された発光素子と、前記実装基板における前記発光素子が配された側に位置する集光部材と、を備え、前記実装電極は、平板状の電極本体部と、前記電極本体部から前記基材と反対側に突出するよう形成された電極突出部とを有し、前記発光素子は、前記電極突出部に実装されており、前記集光部材は、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光し、前記集光部材は、導電性を有するリフレクタであり、前記リフレクタは、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光する反射面を有し、前記電極突出部における前記発光素子側の面は、前記反射面における前記実装基板側の端部よりも、前記基材に近い側に位置している、発光装置を提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a light-emitting device comprising: a mounting board having a substrate and a mounting electrode provided on one surface of the substrate, a light-emitting element mounted on the mounting electrode, and a light-collecting member located on the side of the mounting board on which the light-emitting element is arranged, wherein the mounting electrode has a flat electrode main body and an electrode protrusion formed to protrude from the electrode main body to the side opposite the substrate, the light-emitting element is mounted on the electrode protrusion, the light-collecting member collects light emitted by the light-emitting element toward the side opposite the mounting board of the light-emitting element, the light-collecting member is a conductive reflector, and the reflector has a reflective surface that collects light emitted by the light-emitting element toward the side opposite the mounting board of the light-emitting element, and the surface of the electrode protrusion facing the light-emitting element is located closer to the substrate than the end of the reflective surface facing the mounting board .

本発明によれば、光出力を向上させることができる発光装置を提供することが可能となる。 The present invention makes it possible to provide a light-emitting device that can improve light output.

第1の実施の形態における、発光装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment. 第1の実施の形態における、発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment. 図1の一部を拡大した図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion of FIG. 1 . 第1の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。2 is a cross-sectional view of a mounting substrate and a light-emitting element according to the first embodiment. FIG. 第1の実施の形態における、実装基板及び発光素子の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a mounting substrate and a light-emitting element according to the first embodiment. 第1の実施の形態における、実装基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a mounting board according to the first embodiment. 第1の実施の形態における、実装基板の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a mounting board according to the first embodiment. 第1の実施の形態における、リフレクタが、発光素子から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置の断面図である。4 is a cross-sectional view of the light emitting device, illustrating a schematic view of how a reflector reflects light emitted from a light emitting element in the first embodiment. FIG. 比較形態における、リフレクタが、発光素子から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置の断面図である。11 is a cross-sectional view of a light emitting device in a comparative embodiment, illustrating a state in which a reflector reflects light emitted from a light emitting element. FIG. 第2の実施の形態における、実装基板の平面図である。FIG. 11 is a plan view of a mounting board according to a second embodiment. 第3の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a mounting substrate and a light-emitting element according to a third embodiment. 第4の実施の形態における、実装基板及び発光素子の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a mounting substrate and a light-emitting element according to a fourth embodiment. 第5の実施の形態における、発光装置の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment. 第6の実施の形態における、発光装置の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a sixth embodiment.

[第1の実施の形態]
本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図8を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
[First embodiment]
A first embodiment of the present invention will be described with reference to Figures 1 to 8. Note that the embodiment described below is shown as a preferred specific example for carrying out the present invention, and while there are some parts that specifically exemplify various technical matters that are technically preferable, the technical scope of the present invention is not limited to this specific embodiment.

(発光装置1)
図1は、本形態における発光装置1の断面図である。図2は、本形態における発光装置1の平面図である。図3は、図1の一部を拡大した図である。
(Light-emitting device 1)
Fig. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device 1 according to the present embodiment. Fig. 2 is a plan view of the light emitting device 1 according to the present embodiment. Fig. 3 is an enlarged view of a part of Fig. 1.

本形態の発光装置1は、例えば発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)又は半導体レーザ(LD:Laser Diode)を構成するものとすることができる。本形態において、発光装置1は、深紫外光を発する深紫外LEDを構成するものであり、例えば殺菌(例えば空気浄化、浄水等)、医療(例えば光線治療、計測・分析等)、UVキュアリング等の分野において用いることができる。 The light emitting device 1 of this embodiment can be, for example, a light emitting diode (LED) or a semiconductor laser (LD). In this embodiment, the light emitting device 1 is a deep ultraviolet LED that emits deep ultraviolet light, and can be used in fields such as sterilization (e.g., air purification, water purification, etc.), medicine (e.g., phototherapy, measurement and analysis, etc.), and UV curing.

本形態の発光装置1は、載置基板2と、載置基板2上に配された実装基板3と、実装基板3にフリップチップ実装された発光素子4と、発光素子4から発される光を集光する集光部材としてのリフレクタ5と、リフレクタ5を取り付けるリフレクタマウント6とを備える。以後、実装基板3と発光素子4との重なり方向を上下方向という。また、上下方向の一方側であって実装基板3に対して発光素子4が配された側を上側とし、その反対側を下側とする。なお、上下の表現は便宜的なものであり、例えば発光装置1の使用時における、鉛直方向に対する発光装置1の姿勢を限定するものではない。 The light emitting device 1 of this embodiment includes a mounting substrate 2, a mounting substrate 3 arranged on the mounting substrate 2, a light emitting element 4 flip-chip mounted on the mounting substrate 3, a reflector 5 as a light collecting member that collects light emitted from the light emitting element 4, and a reflector mount 6 to which the reflector 5 is attached. Hereinafter, the overlapping direction of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4 is referred to as the vertical direction. Also, one side in the vertical direction on which the light emitting element 4 is arranged with respect to the mounting substrate 3 is referred to as the upper side, and the opposite side is referred to as the lower side. Note that the expressions "upper" and "lower" are for convenience, and do not limit the position of the light emitting device 1 in the vertical direction, for example, when the light emitting device 1 is in use.

(載置基板2)
載置基板2には、実装基板3及びリフレクタマウント6が載置されている。なお、図示は省略するが、載置基板2に、実装基板3及び発光素子4の熱を放熱するためのヒートシンクが接続されてもよい。
(Mounting Substrate 2)
The mounting substrate 3 and the reflector mount 6 are mounted on the mounting substrate 2. Although not shown, a heat sink for dissipating heat from the mounting substrate 3 and the light emitting element 4 may be connected to the mounting substrate 2.

(実装基板3)
図4は、実装基板3及び発光素子4の断面図である。図5は、実装基板3及び発光素子4の平面図である。図6は、実装基板3の平面図である。図7は、実装基板3の斜視図である。
(Mounting Board 3)
Fig. 4 is a cross-sectional view of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4. Fig. 5 is a plan view of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4. Fig. 6 is a plan view of the mounting substrate 3. Fig. 7 is a perspective view of the mounting substrate 3.

実装基板3は、サブマウントとも称されるものであり、基材31と導電部32とを備える。基材31は、平板状に形成されており、電気的絶縁性を有する。基材31は、例えば窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al)などからなるセラミック基板とすることができる。 The mounting substrate 3 is also called a submount, and includes a base material 31 and a conductive portion 32. The base material 31 is formed in a flat plate shape and has electrical insulation properties. The base material 31 can be a ceramic substrate made of, for example, aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ), or the like.

図3及び図4に示すごとく、導電部32は、基材31の下面において互いに離隔して配されたp側下面電極321及びn側下面電極322と、基材31の上面において互いに離隔して配されたp側実装電極323及びn側実装電極324とを有する。p側下面電極321は、p側実装電極323と電気的に接続されており、n側下面電極322は、n側実装電極324と電気的に接続されている。p側下面電極321とp側実装電極323との電気接続、及び、n側下面電極322とn側実装電極324との電気接続は、例えば基材31に形成された図示しないビアホールを介して行うことができる。以後、p側実装電極323とn側実装電極324とを特に区別しない場合は、「実装電極323,324」という。また、p側実装電極323とn側実装電極324との並び方向(例えば図5及び図6の左右方向)を電極並び方向という。また、上下方向と電極並び方向とのそれぞれに直交する方向(例えば図5及び図6の上下方向)を、縦方向という。 3 and 4, the conductive portion 32 has a p-side lower electrode 321 and an n-side lower electrode 322 spaced apart from each other on the lower surface of the substrate 31, and a p-side mounting electrode 323 and an n-side mounting electrode 324 spaced apart from each other on the upper surface of the substrate 31. The p-side lower electrode 321 is electrically connected to the p-side mounting electrode 323, and the n-side lower electrode 322 is electrically connected to the n-side mounting electrode 324. The electrical connection between the p-side lower electrode 321 and the p-side mounting electrode 323, and the electrical connection between the n-side lower electrode 322 and the n-side mounting electrode 324 can be made, for example, through a via hole (not shown) formed in the substrate 31. Hereinafter, when the p-side mounting electrode 323 and the n-side mounting electrode 324 are not particularly distinguished from each other, they are referred to as "mounting electrodes 323, 324". The direction in which the p-side mounting electrode 323 and the n-side mounting electrode 324 are arranged (for example, the left-right direction in FIGS. 5 and 6) is referred to as the electrode arrangement direction. The direction perpendicular to the up-down direction and the electrode arrangement direction (for example, the up-down direction in FIGS. 5 and 6) is referred to as the vertical direction.

実装電極323,324は、平板状の電極本体部325と、電極本体部325から上側に突出するよう形成された電極突出部326とを有する。図5乃至図7に示すごとく、p側実装電極323の電極本体部325と、n側実装電極324の電極本体部325とは、それぞれE字状を呈しているとともに、互いに電極並び方向に対称となる姿勢で配されている。電極本体部325は、縦方向に長尺な縦部325aと、縦部325aの両端のそれぞれから電極並び方向の一方側に延設された一対の端延設部325bと、縦部325aの中央から端延設部325bが延設された側と同じ側に延設された中央延設部325cとを有する。p側実装電極323の電極本体部325において縦部325aから端延設部325b及び中央延設部325cが延設された方向と、n側実装電極324の電極本体部325において縦部325aから端延設部325b及び中央延設部325cが延設された方向とは、互いに向かい合う方向である。p側実装電極323の電極本体部325とn側実装電極324の電極本体部325とは、互いの端延設部325b同士が電極並び方向に並んでいるとともに、互いの中央延設部325c同士が電極並び方向に並んでいる。 The mounting electrodes 323 and 324 have a flat electrode body 325 and an electrode protrusion 326 formed to protrude upward from the electrode body 325. As shown in Figures 5 to 7, the electrode body 325 of the p-side mounting electrode 323 and the electrode body 325 of the n-side mounting electrode 324 each have an E-shape and are arranged symmetrically with respect to the electrode arrangement direction. The electrode body 325 has a vertical portion 325a that is long in the vertical direction, a pair of end extension portions 325b that extend from both ends of the vertical portion 325a to one side in the electrode arrangement direction, and a central extension portion 325c that extends from the center of the vertical portion 325a to the same side as the side to which the end extension portion 325b is extended. The direction in which the end extensions 325b and the central extensions 325c extend from the vertical portion 325a in the electrode body 325 of the p-side mounting electrode 323 and the direction in which the end extensions 325b and the central extensions 325c extend from the vertical portion 325a in the electrode body 325 of the n-side mounting electrode 324 face each other. The end extensions 325b of the electrode body 325 of the p-side mounting electrode 323 and the electrode body 325 of the n-side mounting electrode 324 are aligned in the electrode arrangement direction, and the central extensions 325c of each other are aligned in the electrode arrangement direction.

中央延設部325cは、縦部325aに隣接する位置に形成された幅狭部325dと、幅狭部325dにおける縦部325aと反対側に形成されるとともに幅狭部325dよりも縦方向の両側に突出した幅広部325eとを有する。そして、幅広部325eの全体から上側にまっすぐ延設するよう、電極突出部326が形成されている。 The central extension 325c has a narrow portion 325d formed adjacent to the vertical portion 325a, and a wide portion 325e formed on the opposite side of the narrow portion 325d from the vertical portion 325a and protruding further on both sides in the vertical direction than the narrow portion 325d. An electrode protrusion 326 is formed so as to extend straight upward from the entire wide portion 325e.

電極突出部326は、縦方向に長尺な直方体状に形成されている。図4に示すごとく、電極突出部326の厚みT1は、電極本体部325の厚みT2よりも大きい。本形態において、電極突出部326の厚みT1は、電極本体部325の厚みT2の2倍以上の厚みを有する。図6に示すごとく、p側実装電極323の電極突出部326とn側実装電極324との電極突出部326とは、互いに縦方向の一方側の端面の縦方向位置が揃っており、かつ、互いに縦方向の他方側の端面の縦方向位置が揃っている。 The electrode protrusion 326 is formed in a rectangular parallelepiped shape that is long in the vertical direction. As shown in FIG. 4, the thickness T1 of the electrode protrusion 326 is greater than the thickness T2 of the electrode body 325. In this embodiment, the thickness T1 of the electrode protrusion 326 is more than twice the thickness T2 of the electrode body 325. As shown in FIG. 6, the electrode protrusion 326 of the p-side mounting electrode 323 and the electrode protrusion 326 of the n-side mounting electrode 324 are aligned in the vertical direction at one end surface, and are aligned in the vertical direction at the other end surface.

実装電極323,324は、例えば基材31の表面にめっきを施すことによって形成することができる。この場合、例えば、まず電極本体部325がめっきにより形成され、次いで、電極本体部325の幅広部325eの上側のみにめっきを施すことで電極突出部326が形成される。これにより、電極本体部325と電極突出部326とが区切りなく一体に形成される。図示は省略するが、実装電極323,324は、複数層で構成されていてもよい。この場合、例えば、実装電極323,324の母材を導電性の高い銅等によって形成し、母材の表面を、腐食等を抑制するための少なくとも1層の金属層で被覆した構成を採用することができる。 The mounting electrodes 323, 324 can be formed, for example, by plating the surface of the substrate 31. In this case, for example, the electrode body 325 is first formed by plating, and then the electrode protrusion 326 is formed by plating only the upper side of the wide portion 325e of the electrode body 325. As a result, the electrode body 325 and the electrode protrusion 326 are formed integrally without any separation. Although not shown in the figure, the mounting electrodes 323, 324 may be composed of multiple layers. In this case, for example, a configuration can be adopted in which the base material of the mounting electrodes 323, 324 is formed of highly conductive copper or the like, and the surface of the base material is coated with at least one metal layer to suppress corrosion, etc.

図4に示すごとく、p側実装電極323の電極突出部326の上面に発光素子4のp側パッド電極43が電気的に接続されており、n側実装電極324の電極突出部326の上面に発光素子4のn側パッド電極44が電気的に接続されている。図5に示すごとく、実装基板3及び発光素子4を上側から見たとき、発光素子4は、当該発光素子4の外形が、幅広部325e及び電極突出部326の外形に沿うよう配されている。このように、発光素子4を電極突出部326上に実装する際、幅広部325e及び電極突出部326の外形に発光素子4の外形を合わせることにより、発光素子4と一対の電極突出部326との間の位置決めが行いやすくなる。 As shown in FIG. 4, the p-side pad electrode 43 of the light-emitting element 4 is electrically connected to the upper surface of the electrode protrusion 326 of the p-side mounting electrode 323, and the n-side pad electrode 44 of the light-emitting element 4 is electrically connected to the upper surface of the electrode protrusion 326 of the n-side mounting electrode 324. As shown in FIG. 5, when the mounting substrate 3 and the light-emitting element 4 are viewed from above, the light-emitting element 4 is arranged so that the outer shape of the light-emitting element 4 follows the outer shape of the wide portion 325e and the electrode protrusion 326. In this way, when mounting the light-emitting element 4 on the electrode protrusion 326, the outer shape of the light-emitting element 4 is matched to the outer shape of the wide portion 325e and the electrode protrusion 326, making it easier to position the light-emitting element 4 and the pair of electrode protrusions 326.

(発光素子4)
発光素子4は、紫外光、可視光又は赤外線を発するものとすることができる。本形態において、発光素子4は、中心波長が200nm以上365nm以下の深紫外光を発することができるものであり、発光装置1は、深紫外LEDである。
(Light-emitting element 4)
The light-emitting element 4 can emit ultraviolet light, visible light, or infrared light. In this embodiment, the light-emitting element 4 can emit deep ultraviolet light having a central wavelength of 200 nm or more and 365 nm or less, and the light-emitting device 1 is a deep ultraviolet LED.

発光素子4は、透明基板41と、透明基板41上に形成された半導体積層構造42と、実装電極323,324に接続されるp側パッド電極43及びn側パッド電極44とを備える。なお、便宜上、図1においては、透明基板(図3及び図4の符号41参照)及び半導体積層構造(図3及び図4の符号42参照)の外形を表しており、これらの境界は表していない。 The light-emitting element 4 includes a transparent substrate 41, a semiconductor laminate structure 42 formed on the transparent substrate 41, and a p-side pad electrode 43 and an n-side pad electrode 44 connected to mounting electrodes 323, 324. For convenience, FIG. 1 shows the outer shapes of the transparent substrate (see reference numeral 41 in FIGS. 3 and 4) and the semiconductor laminate structure (see reference numeral 42 in FIGS. 3 and 4), but does not show the boundaries between them.

透明基板41は、例えばサファイア(Al)又は窒化アルミニウム(AlN)からなり、半導体積層構造42の発光層が発する光(本形態においては深紫外光)を透過する性質を有する。 The transparent substrate 41 is made of, for example, sapphire (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN), and has the property of transmitting light (deep ultraviolet light in this embodiment) emitted from the light emitting layer of the semiconductor laminate structure 42 .

そして、半導体積層構造42は、透明基板41上にエピタキシャル成長され、透明基板41側から順にn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を備える。なお、図3及び図4においては、半導体積層構造42の外形を模式的に表しており、半導体積層構造42の各層の境界の図示は省略している。エピタキシャル成長は、有機金属化学気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、分子線エピタキシ法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)、ハイドライド気相エピタキシ法(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)等のエピタキシャル成長法を用いることができる。発光層においては、n型半導体層から供給される電子と、p型半導体層から供給される正孔とが再結合し、発光する。透明基板41、及びその上に形成された半導体積層構造42の合計の厚みは、透明基板41の厚みが大部分を占めている。 The semiconductor laminated structure 42 is epitaxially grown on the transparent substrate 41, and includes an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer in this order from the transparent substrate 41 side. In addition, in Figures 3 and 4, the outer shape of the semiconductor laminated structure 42 is shown typically, and the boundaries of each layer of the semiconductor laminated structure 42 are omitted. For the epitaxial growth, epitaxial growth methods such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE) can be used. In the light-emitting layer, electrons supplied from the n-type semiconductor layer and holes supplied from the p-type semiconductor layer recombine to emit light. The total thickness of the transparent substrate 41 and the semiconductor laminate structure 42 formed thereon is mostly the thickness of the transparent substrate 41.

p側パッド電極43は、p側半導体層における透明基板41と反対側に接続されている。n側パッド電極44は、n側半導体層における透明基板41と反対側に接続されている。図示は省略するが、発光層及びp型半導体層の一部は、n型半導体層を透明基板41と反対側に露出させるべく除去されており、このようにしてできたn型半導体層の露出面にn側パッド電極44が接続されている。 The p-side pad electrode 43 is connected to the p-side semiconductor layer on the side opposite the transparent substrate 41. The n-side pad electrode 44 is connected to the n-side semiconductor layer on the side opposite the transparent substrate 41. Although not shown in the figure, a portion of the light-emitting layer and the p-type semiconductor layer is removed to expose the n-type semiconductor layer on the side opposite the transparent substrate 41, and the n-side pad electrode 44 is connected to the exposed surface of the n-type semiconductor layer thus created.

発光素子4は、透明基板41が実装基板3と反対側に位置する姿勢で、実装基板3にフリップチップ実装されている。p側パッド電極43がp側実装電極323の電極突出部326に接続されているとともに、n側パッド電極44がn側実装電極324の電極突出部326に接続されている。発光素子4がサブマウント(実装基板3)に搭載されたものは、チップオンサブマウント(CoS:chip on submount)とも称される。発光層において生じた光は、主に発光素子4の透明基板41から上側に取り出される。そして、図1乃至図3に示すごとく、発光装置1には、発光素子4から取り出される光を上側に向けて集光するリフレクタ5が設けられている。 The light emitting element 4 is flip-chip mounted on the mounting substrate 3 with the transparent substrate 41 positioned on the opposite side to the mounting substrate 3. The p-side pad electrode 43 is connected to the electrode protrusion 326 of the p-side mounting electrode 323, and the n-side pad electrode 44 is connected to the electrode protrusion 326 of the n-side mounting electrode 324. The light emitting element 4 mounted on the submount (mounting substrate 3) is also called chip on submount (CoS). The light generated in the light emitting layer is mainly extracted upward from the transparent substrate 41 of the light emitting element 4. As shown in Figures 1 to 3, the light emitting device 1 is provided with a reflector 5 that focuses the light extracted from the light emitting element 4 upward.

(リフレクタ5)
図8は、リフレクタ5が、発光素子4から発される光を反射する様子を模式的に示す発光装置1の断面図である。図8においては、光の進行経路の一例を一点鎖線にて示している。リフレクタ5は、実装基板3の上側に位置するとともに発光素子4が発する光を上側に向けて集光する集光部材である。リフレクタ5は、発光素子4が発する光を、上側(斜め上側を含む。)に向けて反射する反射面51を有する。リフレクタ5は、アルミニウム等のような、深紫外光を反射することができるともに導電性を有する材料からなる。図3に示すごとく、本形態のリフレクタ5は、電極本体部325との短絡を抑制すべく、電極本体部325から上側に離れた位置に配される。
(Reflector 5)
FIG. 8 is a cross-sectional view of the light-emitting device 1, which shows a schematic view of the reflector 5 reflecting the light emitted from the light-emitting element 4. In FIG. 8, an example of the path of light is shown by a dashed line. The reflector 5 is a light-collecting member located on the upper side of the mounting substrate 3 and condensing the light emitted from the light-emitting element 4 toward the upper side. The reflector 5 has a reflection surface 51 that reflects the light emitted from the light-emitting element 4 toward the upper side (including the diagonally upward side). The reflector 5 is made of a material that can reflect deep ultraviolet light and has electrical conductivity, such as aluminum. As shown in FIG. 3, the reflector 5 of this embodiment is disposed at a position away from the electrode body 325 on the upper side in order to suppress short-circuiting with the electrode body 325.

反射面51は、上側の位置程、内径が大きくなる形状を有する。図1及び図8等においては、反射面51が曲面状である例を示しているが、これに限られず例えばテーパ状であってもよい。図2に示すごとく、発光装置1を上側から見たとき、反射面51の内側の領域に、発光素子4及び一対の電極突出部326が収まっている。図3に示すごとく、反射面51の下端部511の位置は、発光素子4の上端の位置(すなわち透明基板41の上面位置)よりも下側に位置している。すなわち、発光素子4の少なくとも一部が、反射面51の内周側の領域に配されている。本形態において、発光素子4は、上下方向における透明基板41の半分以上の領域が、反射面51の内周側の領域に配されている。また、反射面51の下端部511は、電極突出部326の上面よりも上側の位置にある。図1に示すごとく、リフレクタ5は、リフレクタマウント6を介して載置基板2に取り付けられている。 The reflecting surface 51 has a shape in which the inner diameter increases toward the upper side. In FIG. 1 and FIG. 8, the reflecting surface 51 is shown as a curved surface, but the present invention is not limited thereto and may be tapered. As shown in FIG. 2, when the light-emitting device 1 is viewed from above, the light-emitting element 4 and the pair of electrode protrusions 326 are contained in the inner region of the reflecting surface 51. As shown in FIG. 3, the position of the lower end 511 of the reflecting surface 51 is located below the position of the upper end of the light-emitting element 4 (i.e., the upper surface position of the transparent substrate 41). That is, at least a part of the light-emitting element 4 is arranged in the inner region of the reflecting surface 51. In this embodiment, the light-emitting element 4 is arranged in the inner region of the reflecting surface 51 over half or more of the transparent substrate 41 in the vertical direction. In addition, the lower end 511 of the reflecting surface 51 is located above the upper surface of the electrode protrusion 326. As shown in FIG. 1, the reflector 5 is attached to the mounting substrate 2 via the reflector mount 6.

(リフレクタマウント6)
リフレクタマウント6には、上下方向に貫通した座繰り穴61が形成されている。座繰り穴61は、上側部分の内径が、下側部分の内径よりも大きくなる段状に形成されており、その上側からリフレクタ5が嵌合されている。座繰り穴61の内側に、実装基板3及び発光素子4が配置されている。
(Reflector mount 6)
The reflector mount 6 is formed with a countersunk hole 61 penetrating in the vertical direction. The countersunk hole 61 is formed in a stepped shape with the inner diameter of the upper part being larger than the inner diameter of the lower part, and the reflector 5 is fitted into it from above. The mounting substrate 3 and the light emitting element 4 are arranged inside the countersunk hole 61.

(第1の実施の形態の作用及び効果)
本形態において、実装電極323,324は、平板状の電極本体部325、及び電極本体部325から発光素子4側に突出するよう形成された電極突出部326を有する。そして、発光素子4は、電極突出部326に実装されている。それゆえ、発光素子4の位置を、電極本体部325よりも上側の位置とすることができる。これにより、発光装置1において、発光素子4に対して実装基板3が配された側と反対側(すなわち上側)から取り出される光の出力を向上させることができる。すなわち、発光素子4を、光が取り出される側に近付けることができ、発光装置1の発光出力が向上する。
(Functions and Effects of the First Embodiment)
In this embodiment, the mounting electrodes 323, 324 have a flat electrode body 325 and an electrode protrusion 326 formed to protrude from the electrode body 325 toward the light emitting element 4. The light emitting element 4 is mounted on the electrode protrusion 326. Therefore, the position of the light emitting element 4 can be set to a position above the electrode body 325. This makes it possible to improve the output of light extracted from the side opposite to the side on which the mounting substrate 3 is disposed (i.e., the upper side) of the light emitting element 4 in the light emitting device 1. In other words, the light emitting element 4 can be brought closer to the side from which light is extracted, improving the light emission output of the light emitting device 1.

また、電極突出部326の厚みT1は、電極本体部325の厚みT2よりも大きい。それゆえ、電極突出部326に実装される発光素子4の位置を、より上側の位置とすることができる。その結果、発光装置1において、上側から取り出される光の出力を一層向上させることができる。 In addition, the thickness T1 of the electrode protrusion 326 is greater than the thickness T2 of the electrode body 325. Therefore, the position of the light-emitting element 4 mounted on the electrode protrusion 326 can be positioned higher. As a result, the output of light extracted from the upper side of the light-emitting device 1 can be further improved.

また、本形態の発光装置1は、実装基板3における発光素子4が配された側(すなわち上側)に位置する集光部材(本形態においてはリフレクタ5)を備える。集光部材は、発光素子4が発する光を、発光素子4における実装基板3と反対側(すなわち上側)に向けて集光するものである。このような集光部材を備えた発光装置1においては、上側から取り出される光を増やすことができるところ、前述のごとく電極突出部326に発光素子4を実装することにより、上側から取り出される光をより一層増やすことができ、発光装置1の発光出力を一層向上させることができる。 The light emitting device 1 of this embodiment also includes a light collecting member (reflector 5 in this embodiment) located on the side of the mounting substrate 3 where the light emitting element 4 is arranged (i.e., the upper side). The light collecting member collects the light emitted by the light emitting element 4 toward the side of the light emitting element 4 opposite the mounting substrate 3 (i.e., the upper side). In a light emitting device 1 including such a light collecting member, it is possible to increase the amount of light extracted from the upper side. By mounting the light emitting element 4 on the electrode protrusion 326 as described above, it is possible to further increase the amount of light extracted from the upper side, and the light output of the light emitting device 1 can be further improved.

また、集光部材は、導電性を有するリフレクタ5である。それゆえ、リフレクタ5は、実装基板3の実装電極323,324との短絡を避けるために、実装基板3から上側に離れた位置に配される。そのため、図9に示すごとく、実装電極323,324に本形態の電極突出部がない場合は、発光素子4の位置がリフレクタ5に対してより下側の位置になりやすい。そのため、この場合は、符号Lの矢印にして示すように、リフレクタ5の下側に抜けて発光装置1から取り出されなくなる光が多くなりやすい。一方、本形態においては、図8に示すごとく、実装電極323,324に電極突出部326が設けられており、電極突出部326上に発光素子4が実装されているため、発光素子4の位置をより上側にすることができ、リフレクタ5から上側に取り出される光の出力を向上させることができる。 The light collecting member is a reflector 5 having conductivity. Therefore, the reflector 5 is arranged at a position away from the upper side of the mounting substrate 3 in order to avoid short circuit with the mounting electrodes 323, 324 of the mounting substrate 3. Therefore, as shown in FIG. 9, if the mounting electrodes 323, 324 do not have the electrode protrusions of this embodiment, the position of the light emitting element 4 is likely to be located lower than the reflector 5. Therefore, in this case, as shown by the arrow with the symbol L, more light is likely to escape to the lower side of the reflector 5 and not be extracted from the light emitting device 1. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 8, the mounting electrodes 323, 324 are provided with electrode protrusions 326, and the light emitting element 4 is mounted on the electrode protrusions 326, so that the position of the light emitting element 4 can be moved higher, and the output of the light extracted to the upper side from the reflector 5 can be improved.

また、発光素子4の少なくとも一部は、反射面51の内側の領域に配されている。つまり、発光素子4の上面は、反射面51の下端よりも上側に位置している。それゆえ、リフレクタ5から上側に取り出される光の出力をより向上させることができる。 In addition, at least a portion of the light-emitting element 4 is disposed in the inner region of the reflecting surface 51. In other words, the upper surface of the light-emitting element 4 is located above the lower end of the reflecting surface 51. This makes it possible to further improve the output of light extracted upward from the reflector 5.

また、発光素子4の透明基板41は、その厚み方向(すなわち上下方向)の半分以上の領域が、反射面51の内周側の領域に配されている。発光素子4から発される光の多くは、透明基板41の表面から発されるところ、本形態によればリフレクタ5から上側に取り出される光の出力を一層増やすことができる。 More than half of the area of the transparent substrate 41 of the light-emitting element 4 in the thickness direction (i.e., the vertical direction) is disposed in the area on the inner periphery side of the reflective surface 51. Most of the light emitted from the light-emitting element 4 is emitted from the surface of the transparent substrate 41, and according to this embodiment, the output of the light extracted upward from the reflector 5 can be further increased.

また、電極突出部326の上面は、反射面51の下端部511よりも、下側に位置している。それゆえ、例えば発光装置1の組み付け時等において、電極突出部326とリフレクタ5とが互いに干渉することを抑制することができる。 In addition, the upper surface of the electrode protrusion 326 is located below the lower end 511 of the reflecting surface 51. Therefore, for example, when assembling the light emitting device 1, it is possible to prevent the electrode protrusion 326 and the reflector 5 from interfering with each other.

以上のごとく、本形態によれば、光出力を向上させることができる発光装置を提供することができる。 As described above, this embodiment provides a light-emitting device that can improve light output.

[第2の実施の形態]
図10は、本形態における実装基板3の平面図である。
本形態は、第1の実施の形態と基本構造を同様にしつつ、電極突出部326の構成を変更した形態である。本形態においては、実装基板3を上側から見たとき、電極突出部326の外形が電極本体部325の外形よりも内側に収まるよう構成されている。実装基板3を上側から見たとき、電極突出部326は、幅広部325eの外形よりも一回り小さく形成されている。発光素子4は、上側から見たとき、発光素子4の外形が幅広部325eの外形に沿うよう配されている。
[Second embodiment]
FIG. 10 is a plan view of the mounting substrate 3 in this embodiment.
This embodiment has the same basic structure as the first embodiment, but changes the configuration of the electrode protrusion 326. In this embodiment, when the mounting substrate 3 is viewed from above, the outer shape of the electrode protrusion 326 is configured to be contained inside the outer shape of the electrode main body 325. When the mounting substrate 3 is viewed from above, the electrode protrusion 326 is formed to be one size smaller than the outer shape of the wide portion 325e. When viewed from above, the light-emitting element 4 is arranged so that the outer shape of the light-emitting element 4 follows the outer shape of the wide portion 325e.

その他は、第1の実施の形態と同様である。
なお、第2の実施の形態以降において用いた符号のうち、既出の形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
The rest is similar to the first embodiment.
In addition, among the symbols used in the second and subsequent embodiments, the same symbols as those used in the previously described embodiments represent the same components, etc. as those in the previously described embodiments, unless otherwise specified.

(第2の実施の形態の作用及び効果)
本形態においては、上側から見たとき、電極突出部326の外形が、電極本体部325の外形よりも内側に収まっている。それゆえ、一対の電極突出部326間の電気的絶縁性を確保しやすい。すなわち、例えば製造誤差により、一対の電極突出部326同士が過度に近接して形成され、一対の電極突出部326同士の間の電気的絶縁性が低下することを抑制することができる。
その他、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(Functions and Effects of the Second Embodiment)
In this embodiment, when viewed from above, the outer shape of the electrode protrusion 326 is contained inside the outer shape of the electrode main body 325. This makes it easy to ensure electrical insulation between the pair of electrode protrusions 326. In other words, it is possible to suppress a decrease in electrical insulation between the pair of electrode protrusions 326 caused by the pair of electrode protrusions 326 being formed excessively close to each other due to manufacturing errors, for example.
In addition, the second embodiment has the same effects as the first embodiment.

[第3の実施の形態]
図11は、本形態における実装基板3及び発光素子4の断面図である。
本形態は、基本構成を第1の実施の形態と同様としつつ、電極本体部325と電極突出部326とを別体にて構成した形態である。電極本体部325と電極突出部326とは、互いに接合されている。
その他は、第1の実施の形態と同様である。
[Third embodiment]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4 in this embodiment.
In this embodiment, the basic configuration is the same as that of the first embodiment, but the electrode body 325 and the electrode protrusion 326 are configured as separate bodies. The electrode body 325 and the electrode protrusion 326 are joined to each other.
The rest is similar to the first embodiment.

(第3の実施の形態の作用及び効果)
本形態においても、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(Functions and Effects of the Third Embodiment)
This embodiment also has the same effects as the first embodiment.

[第4の実施の形態]
図12は、本形態における実装基板3及び発光素子4の断面図である。
本形態は、第3の実施の形態と同様に電極突出部326を電極本体部325とは別体にしつつ、電極突出部326の構成を変更した形態である。本形態の電極突出部326は、実装基板3のような基板状に形成されており、平板状の絶縁部326aと、絶縁部326aの下面において互いに離隔して配された一対の第1電極326bと、絶縁部326aの上面において互いに離隔して配された一対の第2電極326cとを備える。一対の第1電極326bのそれぞれは、互いに異なる電極本体部325に接続されている。また、一対の第1電極326bのそれぞれは、互いに異なる第2電極326cに、絶縁部326a内に形成された図示しないビアホール等を介して接続されている。一対の第2電極326cは、p側パッド電極43又はn側パッド電極44に接続されている。
その他は、第3の実施の形態と同様である。
[Fourth embodiment]
FIG. 12 is a cross-sectional view of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4 in this embodiment.
In this embodiment, the electrode protrusion 326 is separate from the electrode body 325 as in the third embodiment, but the configuration of the electrode protrusion 326 is changed. The electrode protrusion 326 in this embodiment is formed in a substrate shape like the mounting substrate 3, and includes a flat insulating portion 326a, a pair of first electrodes 326b spaced apart from each other on the lower surface of the insulating portion 326a, and a pair of second electrodes 326c spaced apart from each other on the upper surface of the insulating portion 326a. Each of the pair of first electrodes 326b is connected to a different electrode body 325. Each of the pair of first electrodes 326b is connected to a different second electrode 326c through a via hole (not shown) formed in the insulating portion 326a. The pair of second electrodes 326c is connected to a p-side pad electrode 43 or an n-side pad electrode 44.
The rest is the same as in the third embodiment.

(第4の実施の形態の作用及び効果)
本形態においては、一対の電極本体部325と、発光素子4のp側パッド電極43及びn側パッド電極44との接続を、基板状に形成した一部材の電極突出部326を介して容易に行うことができる。
その他、第3の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(Functions and Effects of the Fourth Embodiment)
In this embodiment, the pair of electrode main bodies 325 can be easily connected to the p-side pad electrode 43 and the n-side pad electrode 44 of the light-emitting element 4 via the electrode protrusion 326 of a member formed in a substrate shape.
In addition, the second embodiment has the same effects as the third embodiment.

[第5の実施の形態]
図13は、本形態の発光装置1の断面図である。
本形態の発光装置1は、第1の実施の形態と同様の実装基板3及び発光素子4を有するとともに、発光素子4を封止する封止部材7を更に備える。封止部材7は、発光素子4を封止することにより発光素子4を保護している。封止部材7は、発光素子4から発される光を透過する材料からなる。封止部材7は、透明基板41の屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有することが、光を外部に取り出しやすくする観点から好ましい。また、発光素子4が深紫外光を発するような場合は、封止部材7は、深紫外光に対して劣化し難い材料(例えばシリコーン樹脂)から構成することが好ましい。本形態の発光装置1においては、第1の実施の形態におけるリフレクタ(図1の符号5)及びリフレクタマウント(図1の符号6)は設けられていない。封止部材7は、上側に膨らんだ半球形状を有しており、第1の実施の形態におけるリフレクタと同様に、発光素子4から発された光を上側に向けて集光する集光部材である。なお、封止部材7は半球形状に限るものではなく、発光素子4から発された光を上側に向けて集光することができれば、他の形状を採用することも可能である。
[Fifth embodiment]
FIG. 13 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 of this embodiment.
The light emitting device 1 of this embodiment has the same mounting substrate 3 and light emitting element 4 as those of the first embodiment, and further includes a sealing member 7 that seals the light emitting element 4. The sealing member 7 protects the light emitting element 4 by sealing the light emitting element 4. The sealing member 7 is made of a material that transmits light emitted from the light emitting element 4. It is preferable that the sealing member 7 has a refractive index between the refractive index of the transparent substrate 41 and the refractive index of air from the viewpoint of making it easier to extract light to the outside. In addition, when the light emitting element 4 emits deep ultraviolet light, it is preferable that the sealing member 7 is made of a material (e.g., silicone resin) that is not easily deteriorated by deep ultraviolet light. In the light emitting device 1 of this embodiment, the reflector (reference numeral 5 in FIG. 1) and the reflector mount (reference numeral 6 in FIG. 1) in the first embodiment are not provided. The sealing member 7 has a hemispherical shape that bulges upward, and is a light collecting member that collects light emitted from the light emitting element 4 toward the upper side, similar to the reflector in the first embodiment. The sealing member 7 is not limited to a hemispherical shape, and other shapes may be adopted as long as the light emitted from the light emitting element 4 can be condensed upward.

(第5の実施の形態の作用及び効果)
本形態のように、リフレクタを設けずに、集光機能を有する封止部材7を設ける構成であっても、電極突出部326上に発光素子4を実装することにより、発光素子4から発される光が実装基板3に遮られることを抑制でき、発光装置1における光の取出し効率を向上させることができる。
その他、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(Functions and Effects of the Fifth Embodiment)
Even in a configuration in which a sealing member 7 having a light-collecting function is provided without providing a reflector as in the present embodiment, by mounting the light-emitting element 4 on the electrode protrusion 326, it is possible to prevent the light emitted from the light-emitting element 4 from being blocked by the mounting substrate 3, thereby improving the light extraction efficiency of the light-emitting device 1.
In addition, the second embodiment has the same effects as the first embodiment.

[第6の実施の形態]
図14は、本形態の発光装置1の断面図である。
本形態は、気密封止された空間に発光素子4が配された、気密封止型の発光装置1である。本形態の実装基板3の基材31は、上側に開口した箱状を呈している。すなわち、基材31は、実装電極323,324が形成された矩形状の底部311と、底部311の周縁から上側に立設された矩形筒状の側部312とを有し、側部312の上側は開口している。側部312の開口部は、蓋体8によって閉塞されている。蓋体8と側部312の上面とは、接着層11を介して接着されており、これによって基材31と蓋体8とによって囲まれる空間の気密性が確保されている。蓋体8は、深紫外光を透過する材料で構成されており、例えば、石英(SiO)ガラスからなる。実装基板3及び発光素子4の構成は、第1の実施の形態と同様である。
Sixth embodiment
FIG. 14 is a cross-sectional view of the light emitting device 1 of this embodiment.
This embodiment is a hermetically sealed light emitting device 1 in which a light emitting element 4 is arranged in a hermetically sealed space. The base material 31 of the mounting substrate 3 of this embodiment has a box shape with an opening on the upper side. That is, the base material 31 has a rectangular bottom 311 on which mounting electrodes 323 and 324 are formed, and a rectangular cylindrical side 312 standing upright from the periphery of the bottom 311, and the upper side of the side 312 is open. The opening of the side 312 is closed by the lid 8. The lid 8 and the upper surface of the side 312 are bonded via an adhesive layer 11, thereby ensuring the airtightness of the space surrounded by the base material 31 and the lid 8. The lid 8 is made of a material that transmits deep ultraviolet light, for example, quartz (SiO 2 ) glass. The configurations of the mounting substrate 3 and the light emitting element 4 are the same as those of the first embodiment.

(第6の実施の形態の作用及び効果)
本形態のような気密封止型の発光装置1であっても、電極突出部326上に発光素子4を実装することにより、発光素子4を、光の取出し口となる蓋体8に近付けることができ、蓋体8から取り出される光を増やすことができる。
その他、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(Functions and Effects of the Sixth Embodiment)
Even in the case of an airtightly sealed light-emitting device 1 as in this embodiment, by mounting the light-emitting element 4 on the electrode protrusion 326, the light-emitting element 4 can be brought closer to the lid body 8, which serves as the light extraction port, and the amount of light extracted from the lid body 8 can be increased.
In addition, the second embodiment has the same effects as the first embodiment.

なお、本形態の発光装置1の蓋体8及び接着層11を除いたような構成を採用することも可能である。 It is also possible to adopt a configuration in which the lid 8 and adhesive layer 11 of the light-emitting device 1 of this embodiment are omitted.

(実施の形態のまとめ)
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
(Summary of the embodiment)
Next, the technical ideas grasped from the above-described embodiment will be described by using the reference numerals and the like in the embodiment. However, the reference numerals and the like in the following description do not limit the components in the claims to the members and the like specifically shown in the embodiment.

[1]本発明の第1の実施態様は、基材(31)、及び前記基材(31)の一方側の面に設けられた実装電極(323,324)を有する実装基板(3)と、前記実装電極(323,324)に実装された発光素子(4)とを備え、前記実装電極(323,324)は、平板状の電極本体部(325)と、前記電極本体部(325)から前記基材(31)と反対側に突出するよう形成された電極突出部(326)とを有し、前記発光素子(4)は、前記電極突出部(326)に実装されている、発光装置(1)である。
これにより、発光装置において、発光素子に対して実装基板が配された側と反対側から取り出される光の出力を向上させることができる。
[1] A first embodiment of the present invention is a light-emitting device (1) comprising a mounting board (3) having a base material (31) and mounting electrodes (323, 324) provided on one side of the base material (31), and a light-emitting element (4) mounted on the mounting electrodes (323, 324), wherein the mounting electrodes (323, 324) have a flat electrode main body portion (325) and an electrode protrusion portion (326) formed to protrude from the electrode main body portion (325) to the side opposite the base material (31), and the light-emitting element (4) is mounted on the electrode protrusion portion (326).
This makes it possible to improve the output of light extracted from the side opposite to the side on which the mounting substrate is disposed with respect to the light emitting element in the light emitting device.

[2]本発明の第2の実施態様は、第1の実施態様において、前記電極突出部(326)の厚み(T1)が、前記電極本体部(325)の厚み(T2)よりも大きいことである。
これにより、発光素子に対して実装基板が配された側と反対側から取り出される光の出力を一層向上させることができる。
[2] A second embodiment of the present invention is the first embodiment, wherein the thickness (T1) of the electrode protrusion (326) is greater than the thickness (T2) of the electrode body (325).
This makes it possible to further improve the output of light extracted from the side opposite to the side on which the mounting substrate is disposed with respect to the light emitting element.

[3]本発明の第3の実施態様は、第1又は第2の実施態様において、前記実装基板(3)における前記発光素子(4)が配された側に位置する集光部材(5,7)を更に備え、前記集光部材(5,7)は、前記発光素子(4)が発する光を、前記発光素子(4)における前記実装基板(3)と反対側に向けて集光することである。
これにより、発光装置の発光出力を一層向上させることができる。
[3] A third embodiment of the present invention is the first or second embodiment, further comprising a light collecting member (5, 7) located on the side of the mounting substrate (3) on which the light emitting element (4) is arranged, and the light collecting member (5, 7) collects light emitted by the light emitting element (4) toward the side of the light emitting element (4) opposite the mounting substrate (3).
This makes it possible to further improve the light emission output of the light emitting device.

[4]本発明の第4の実施態様は、第3の実施態様において、前記集光部材(5,7)は、導電性を有するリフレクタ(5)であり、前記リフレクタ(5)が、前記発光素子(4)が発する光を、前記発光素子(4)における前記実装基板(3)と反対側に向けて集光する反射面(51)を有することである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力を向上させることができる。
[4] A fourth embodiment of the present invention is the third embodiment, in which the light-collecting member (5, 7) is a conductive reflector (5), and the reflector (5) has a reflective surface (51) that collects light emitted by the light-emitting element (4) toward the opposite side of the light-emitting element (4) from the mounting substrate (3).
This makes it possible to improve the output of light extracted from the reflector.

[5]本発明の第5の実施態様は、第4の実施態様において、前記発光素子(4)の少なくとも一部が、前記反射面(51)の内周側の領域に配されていることである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力をより向上させることができる。
[5] A fifth embodiment of the present invention is the fourth embodiment, in which at least a part of the light-emitting element (4) is disposed in an area on the inner periphery of the reflecting surface (51).
This makes it possible to further improve the output of light extracted from the reflector.

[6]本発明の第6の実施態様は、第5の実施態様において、前記発光素子(4)が、前記発光素子(4)が発する光を透過させる透明基板(41)を有し、前記透明基板(41)におけるその厚み方向の半分以上の領域が、前記反射面(51)の内周側の領域に配されていることである。
これにより、リフレクタから取り出される光の出力をより一層向上させることができる。
[6] A sixth embodiment of the present invention is the fifth embodiment, in which the light-emitting element (4) has a transparent substrate (41) that transmits light emitted by the light-emitting element (4), and more than half of the area of the transparent substrate (41) in the thickness direction is arranged in the area on the inner periphery of the reflecting surface (51).
This makes it possible to further improve the output of light extracted from the reflector.

[7]本発明の第7の実施態様は、第4乃至第6のいずれか1つの実施態様において、前記電極突出部(326)における前記発光素子(4)側の面が、前記反射面(51)における前記実装基板(3)側の端部(511)よりも、前記基材(31)に近い側に位置していることである。
これにより、電極突出部とリフレクタとが互いに干渉することを抑制することができる。
[7] A seventh embodiment of the present invention is any one of the fourth to sixth embodiments, in which the surface of the electrode protrusion (326) facing the light-emitting element (4) is located closer to the base material (31) than the end (511) of the reflective surface (51) facing the mounting substrate (3).
This can prevent the electrode protrusion and the reflector from interfering with each other.

[8]本発明の第8の実施態様は、第1乃至第7のいずれか1つの実施態様において、前記基材(31)の一方側の面には、一対の前記実装電極(323,324)が配されており、前記一対の実装電極(323,324)の前記電極突出部(326)は、並んで配されており、前記実装基板(3)に対する前記発光素子(4)側から見たとき、前記電極突出部(326)の外形は、前記電極本体部(325)の外形よりも内側に収まっていることである。
これにより、一対の電極突出部間の電気的絶縁性を確保しやすい。
[8] An eighth embodiment of the present invention is any one of the first to seventh embodiments, in which a pair of mounting electrodes (323, 324) are arranged on one side of the base material (31), the electrode protrusions (326) of the pair of mounting electrodes (323, 324) are arranged side by side, and when viewed from the light-emitting element (4) side relative to the mounting board (3), the outer shape of the electrode protrusions (326) is contained inside the outer shape of the electrode main body (325).
This makes it easier to ensure electrical insulation between the pair of electrode projections.

(付記)
以上、本発明の実施の形態を説明したが、前述した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
(Additional Note)
Although the embodiment of the present invention has been described above, the invention according to the claims is not limited to the above embodiment. It should be noted that not all of the combinations of features described in the embodiment are essential to the means for solving the problems of the invention. The present invention can be modified appropriately without departing from the spirit of the invention.

1…発光装置
3…実装基板
31…基材
323…p側実装電極
324…n側実装電極
325…電極本体部
326…電極突出部
4…発光素子
41…透明基板
5…リフレクタ(集光部材)
51…反射面
511…反射面の下端部
7…封止部材(集光部材)
1... Light emitting device 3... Mounting substrate 31... Base material 323... P-side mounting electrode 324... N-side mounting electrode 325... Electrode body 326... Electrode protrusion 4... Light emitting element 41... Transparent substrate 5... Reflector (light collecting member)
51: Reflection surface 511: Lower end of reflection surface 7: Sealing member (light collecting member)

Claims (5)

基材、及び前記基材の一方側の面に設けられた実装電極を有する実装基板と、
前記実装電極に実装された発光素子と
前記実装基板における前記発光素子が配された側に位置する集光部材と、を備え、
前記実装電極は、平板状の電極本体部と、前記電極本体部から前記基材と反対側に突出するよう形成された電極突出部とを有し、
前記発光素子は、前記電極突出部に実装されており、
前記集光部材は、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光し、
前記集光部材は、導電性を有するリフレクタであり、
前記リフレクタは、前記発光素子が発する光を、前記発光素子における前記実装基板と反対側に向けて集光する反射面を有し、
前記電極突出部における前記発光素子側の面は、前記反射面における前記実装基板側の端部よりも、前記基材に近い側に位置している、
発光装置。
a mounting board having a base material and a mounting electrode provided on one surface of the base material;
a light emitting element mounted on the mounting electrode ;
a light collecting member located on a side of the mounting substrate on which the light emitting element is disposed ,
The mounting electrode has a flat electrode body and an electrode protrusion formed to protrude from the electrode body to a side opposite to the base material,
the light emitting element is mounted on the electrode protrusion ,
the light collecting member collects light emitted by the light emitting element toward a side of the light emitting element opposite to the mounting substrate,
the light collecting member is a reflector having electrical conductivity,
the reflector has a reflection surface that collects light emitted by the light-emitting element toward a side of the light-emitting element opposite to the mounting substrate,
a surface of the electrode protrusion on the light emitting element side is located closer to the base material than an end of the reflection surface on the mounting substrate side;
Light emitting device.
前記電極突出部の厚みは、前記電極本体部の厚みよりも大きい、
請求項1に記載の発光装置。
The thickness of the electrode protrusion is greater than the thickness of the electrode body.
The light emitting device according to claim 1 .
前記発光素子の少なくとも一部は、前記反射面の内周側の領域に配されている、
請求項1又は2に記載の発光装置。
At least a portion of the light emitting element is disposed in an area on the inner periphery of the reflecting surface.
3. A light emitting device according to claim 1 or 2 .
前記発光素子は、前記発光素子が発する光を透過させる透明基板を有し、
前記透明基板は、その厚み方向の半分以上の領域が、前記反射面の内周側の領域に配されている、
請求項に記載の発光装置。
The light emitting element has a transparent substrate that transmits light emitted by the light emitting element,
a transparent substrate having a thickness that is at least half the area of the transparent substrate, the transparent substrate being disposed on the inner peripheral side of the reflecting surface;
The light emitting device according to claim 3 .
前記基材の一方側の面には、一対の前記実装電極が配されており、
前記一対の実装電極の前記電極突出部は、並んで配されており、
前記実装基板に対する前記発光素子側から見たとき、前記電極突出部の外形は、前記電極本体部の外形よりも内側に収まっている、
請求項1乃至のいずれか1項に記載の発光装置。
A pair of the mounting electrodes is disposed on one surface of the base material,
The electrode protrusions of the pair of mounting electrodes are arranged side by side,
When viewed from the light emitting element side of the mounting substrate, an outer shape of the electrode protrusion is contained inside an outer shape of the electrode main body.
A light emitting device according to claim 1 .
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