JP7574782B2 - 制御装置、制御方法、制御プログラム - Google Patents
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Description
プロセッサ(1b)を有し、車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御する制御装置(1)であって、
プロセッサは、
光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各受光画素毎に取得することと、
光学センサからメイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各受光画素毎に取得することと、
各受光画素毎に取得されたメイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)のメイン受光強度を、当該飽和画素のサブ受光強度に基づき補完することとを、実行するように構成され、
メイン受光強度を補完することは、
メイン受光強度の真値(Irt)と上限強度との差分としてサブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、上限強度に達したメイン受光強度に加算することを、含む。
車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御するためにプロセッサ(1b)により実行される制御方法であって、
光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各受光画素毎に取得することと、
光学センサからメイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各受光画素毎に取得することと、
各受光画素毎に取得されたメイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)のメイン受光強度を、当該飽和画素のサブ受光強度に基づき補完することとを、含み、
メイン受光強度を補完することは、
メイン受光強度の真値(Irt)と上限強度との差分としてサブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、上限強度に達したメイン受光強度に加算することを、含む。
車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御するために記憶媒体(1a)に記憶され、プロセッサ(1b)に実行させる命令を含む制御プログラムであって、
命令は、
光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各受光画素毎に取得させることと、
光学センサからメイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の照射光に対して、光学センサにより検出エリアから受光された反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各受光画素毎に取得させることと、
各受光画素毎に取得されたメイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)のメイン受光強度を、当該飽和画素のサブ受光強度に基づき補完させることとを、含み、
メイン受光強度を補完させることは、
メイン受光強度の真値(Irt)と上限強度との差分としてサブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、上限強度に達したメイン受光強度に加算させることを、含む。
以上説明した本実施形態の作用効果を、以下に説明する。
以上、複数の実施形態について説明したが、本開示は、それらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において種々の実施形態及び組み合わせに適用することができる。
Claims (9)
- プロセッサ(1b)を有し、車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御する制御装置(1)であって、
前記プロセッサは、
前記光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各前記受光画素毎に取得することと、
前記光学センサから前記メイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各前記受光画素毎に取得することと、
各前記受光画素毎に取得された前記メイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)の前記メイン受光強度を、当該飽和画素の前記サブ受光強度に基づき補完することとを、実行するように構成され、
前記メイン受光強度を補完することは、
前記メイン受光強度の真値(Irt)と前記上限強度との差分として前記サブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、前記上限強度に達した前記メイン受光強度に加算することを、含む制御装置。 - 前記メイン受光強度を取得することは、
パルス発光による前記メイン照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記メイン受光強度を取得することを、含み、
前記サブ受光強度を取得することは、
連続発光による前記サブ照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記サブ受光強度を取得することを、含み、
前記メイン受光強度を補完することは、
前記連続発光の発光期間(Psl)における前記サブ受光強度を、前記パルス発光の発光タイミング(tm)における前記補完強度へ変換することを、含む請求項1に記載の制御装置。 - 前記メイン受光強度を取得することは、
前記光学センサにおいて発振状態に制御したレーザダイオード(24)による前記メイン照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記メイン受光強度を取得することを、含み、
前記サブ受光強度を取得することは、
前記光学センサにおいて未発振状態に制御した前記レーザダイオードによる前記サブ照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記サブ受光強度を取得することを、含む請求項1又は2に記載の制御装置。 - 前記メイン受光強度を取得することは、
メイン期間(Pm)に照射された前記メイン照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記メイン受光強度を取得することを、含み、
前記サブ受光強度を取得することは、
前記メイン期間とは時間の前後するサブ期間(Ps)に照射された前記サブ照射強度の前記照射光に対して、各前記受光画素毎の前記サブ受光強度を取得することを、含む請求項1~3のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記プロセッサは、
前記照射光の停止する停止期間(Pss)に、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された背景光の受光強度を、背景受光強度(Irb)として各前記受光画素毎に取得することを、さらに実行するように構成され、
前記メイン受光強度を補完することは、
前記背景受光強度により補正した前記サブ受光強度に基づき、前記上限強度に達した前記メイン受光強度を補完することを、含む請求項1~4のいずれか一項に記載の制御装置。 - 記憶媒体(1a)を有し、
前記プロセッサは、
補完された前記メイン受光強度を含む強度画像データ(Dm)を、前記記憶媒体に記憶することを、さらに実行するように構成される請求項1~5のいずれか一項に記載の制御装置。 - 前記プロセッサは、
前記メイン照射強度の前記照射光に対して前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の反射点距離を、補完された前記メイン受光強度を含む強度画像データ(Dm)に基づき、検出することを、さらに実行するように構成される請求項1~6のいずれか一項に記載の制御装置。 - 車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御するためにプロセッサ(1b)により実行される制御方法であって、
前記光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各前記受光画素毎に取得することと、
前記光学センサから前記メイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各前記受光画素毎に取得することと、
各前記受光画素毎に取得された前記メイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)の前記メイン受光強度を、当該飽和画素の前記サブ受光強度に基づき補完することとを、含み、
前記メイン受光強度を補完することは、
前記メイン受光強度の真値(Irt)と前記上限強度との差分として前記サブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、前記上限強度に達した前記メイン受光強度に加算することを、含む制御方法。 - 車両(5)の検出エリア(Ad)へ照射した照射光に対する物標(Tr)からの反射光を複数の受光画素(46)により受光する光学センサ(10)を、制御するために記憶媒体(1a)に記憶され、プロセッサ(1b)に実行させる命令を含む制御プログラムであって、
前記命令は、
前記光学センサから照射されたメイン照射強度(Iim)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、メイン受光強度(Irm)として各前記受光画素毎に取得させることと、
前記光学センサから前記メイン照射強度よりも低く照射されたサブ照射強度(Iis)の前記照射光に対して、前記光学センサにより前記検出エリアから受光された前記反射光の受光強度を、サブ受光強度(Irs)として各前記受光画素毎に取得させることと、
各前記受光画素毎に取得された前記メイン受光強度のうち、上限強度(Iru)に達した飽和画素(461)の前記メイン受光強度を、当該飽和画素の前記サブ受光強度に基づき補完させることとを、含み、
前記メイン受光強度を補完させることは、
前記メイン受光強度の真値(Irt)と前記上限強度との差分として前記サブ受光強度に応じて推定される補完強度(Irc)を、前記上限強度に達した前記メイン受光強度に加算させることを、含む制御プログラム。
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