JP7567175B2 - 光デバイス及び光デバイスの試験方法 - Google Patents

Description

本発明は、光デバイス及び光デバイスの試験方法に関する。

図６は、従来の試験システム２００の一例を示す説明図である。図６に示す試験システム２００は、光チップ２１０と、試験装置２２０とを有する。試験装置２２０は、第１の光源２２１Ａと、第１の偏波コントローラ２２２Ａと、第２の光源２２１Ｂと、第２の偏波コントローラ２２２Ｂとを有する。

第１の光源２２１Ａは、例えば、受信光対応の第３の試験光を発光する光源である。第１の偏波コントローラ２２２Ａは、第１の光源２２１Ａからの第３の試験光を偏波し、光ファイバ２３０Ａを用いて偏波後の第３の試験光を光チップ２１０内の受信光ポート２１２に出力する。尚、第１の偏波コントローラ２２２Ａは、第３の試験光を偏波制御し、ＴＭ偏波又はＴＭ偏波の第３の試験光を生成する。第２の偏波コントローラ２２２Ｂは、第２の光源２２１Ｂからの第４の試験光を偏波し、光ファイバ２３０Ｂを用いて偏波後の第４の試験光を光チップ２１０内の局発光ポート２２１に出力する。尚、第２の偏波コントローラ２２２Ｂは、第４の試験光を偏波制御し、ＴＭ偏波又はＴＭ偏波の第４の試験光を生成する。受信光ポート２１２及び局発光ポート２１１は、光チップ２１０の側面端部に配置されるものである。

光チップ２１０は、例えば、デジタルコヒーレント受信部等の光ＩＣチップである。光チップ２１０は、ウエハから切出された光チップである。光チップ２１０は、局発光ポート２１１と、受信光ポート２１２と、ＢＳ(Beam Splitter)２１３と、ＰＢＳ(Polarization Beam Splitter)２１４と、ＰＲ（Polarization Rotator）２１５とを有する。更に。光チップ２１０は、第１の光ハイブリッド回路２１６Ａと、第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂと、第１～第４のＰＤ(Photo Diode)２１７Ａ～２１７Ｄと、第１～第４の出力ポート２１８Ａ～２１８Ｄとを有する。

局発光ポート２１１は、光チップ２１０内の側面端部に形成され、例えば、局発光又は局発光対応の第４の試験光を入力するポートである。尚、局発光ポート２１１は、ウエハをチップ化することで、光チップ２１０の側面端部に表出することになる。受信光ポート２１２は、光チップ２１０内の側面端部に形成され、例えば、受信光又は受信光対応の第３の試験光を入力するポートである。尚、受信光ポート２１２は、ウエハをチップ化することで、光チップ２１０の側面端部に表出することになる。ＢＳ２１３は、局発光ポート２１１からの局発光を分離して第１の光ハイブリッド回路２１６Ａ及び第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂに出力する。ＰＢＳ２１４は、受信光ポート２１２から入力した受信光を直交する２つの偏波状態、例えば、Ｘ偏波成分及びＹ偏波成分に分離する。尚、Ｘ偏波成分は水平偏波成分、Ｙ偏波成分は垂直偏波成分である。ＰＢＳ２１４は、受信光からＸ偏波成分を第１の光ハイブリッド回路２１６Ａに出力する。更に、ＰＲ２１５は、ＰＢＳ２１４からの受信光からＹ偏波成分を第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂに出力する。

第１の光ハイブリッド回路２１６Ａは、受信光のＸ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。尚、Ｉ成分は同相軸成分、Ｑ成分は直交軸成分である。第１の光ハイブリッド回路２１６Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第１のＰＤ２１７Ａに出力する。第１の光ハイブリッド回路２１６Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第２のＰＤ２１７Ｂに出力する。

第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂは、受信光のＹ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第３のＰＤ２１７Ｃに出力する。第２の光ハイブリッド回路２１６Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第４のＰＤ２１７Ｄに出力する。

第１のＰＤ２１７Ａは、第１の光ハイブリッド回路２１６ＡからのＸ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第１の出力ポート２１８Ａに出力する。第２のＰＤ２１７Ｂは、第１の光ハイブリッド回路２１６ＡからのＸ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第２の出力ポート２１８Ｂに出力する。

第３のＰＤ２１７Ｃは、第２の光ハイブリッド回路２１６ＢからのＹ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第３の出力ポート２１８Ｃに出力する。第４のＰＤ２１７Ｄは、第２の光ハイブリッド回路２１６ＢからのＹ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第４の出力ポート２１８Ｄに出力する。

従来の光チップ２１０の試験方法では、ウエハから光チップ２１０を切り出し、単一の光チップ２１０毎にステージに載せる。更に、試験装置２２０の第１の偏波コントローラ２２２Ａの出力と光チップ２１０の側面端部にある受信光ポート２１２との間を光ファイバ２３０Ａで接続する。更に、第２の偏波コントローラ２２２Ｂと光チップ２１０の側面端部にある局発光ポート２１１との間を光ファイバ２３０Ｂで接続する。そして、図示せぬパワーメータを用いて第３の試験光のパワー及び第４の試験光のパワーが計測し、その計測結果から計測評価可能になる。

米国特許第９４５９１７７号明細書 米国特許第１０３６５４３５号明細書

しかしながら、従来の光チップ２１０の試験方法では、光チップ２１０毎に、受信光ポート２１２と光ファイバ２３０Ａとの光軸、局発光ポート２１１と光ファイバ２３０Ｂとの光軸を合せる調芯作業が必要となる。その結果、光チップ２１０と試験装置との間を光接続して入力光に対する試験光のパワーを計測する際の作業負荷が大となる。

また、光チップ２１０をチップ化する前にウエハ状態で試験できると作業効率が高くなることも考えられるが、ウエハ状態で試験を行う場合、ウエハ表面方向から光ファイバで光を入力する必要もある。

一つの側面では、光チップと試験装置との間を光接続して入力光に対する試験光のパワーを計測する際の作業効率の向上を図る光デバイス等を提供することを目的とする。

一つの態様の光デバイスは、光回路と、当該光回路と光接続する試験回路とを有する。前記試験回路は、試験光を入力する第１のグレーティングカプラと、当該第１のグレーティングカプラを通過した前記試験光を参照光として出力する第２のグレーティングカプラと、前記第１のグレーティングカプラの出力と接続する第１の分岐カプラとを有する。前記第１の分岐カプラは、一方の出力を前記光回路の入力に接続し、前記第１のグレーティングカプラからの試験光を前記光回路に分岐出力する。前記第１の分岐カプラは、他方の出力を前記第２のグレーティングカプラの入力に接続し、前記第１のグレーティングカプラからの試験光を前記第２のグレーティングカプラに分岐出力する。

一つの側面によれば、光チップと試験装置との間を光接続して入力光に対する試験光のパワーを計測する際の作業効率の向上を図る。

図１は、本実施例の試験システムの一例を示す説明図である。 図２は、光チップが形成されたウエハの一例を示す平面図である。 図３は、試験装置の一例を示す説明図である。 図４は、光ファイバアレイの一例を示す説明図である。 図５は、光チップを搭載した光通信デバイスの一例を示すブロック図である。 図６は、従来の試験システムの一例を示す説明図である。

以下、図面に基づいて、本願の開示する試験システム等の実施例を詳細に説明する。尚、各実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。

図１は、本実施例の試験システム１の一例を示す説明図である。試験システム１は、複数の光チップ１０が形成された、例えば、シリコン等のウエハ２と、試験装置３とを有する。図２は、光チップ１０が形成されたウエハ２の一例を示す平面図である。

図２に示すウエハ２には、複数の光チップ１０が格子状に配列した状態で形成されている。光チップ１０は、光回路１１と、試験回路１２と、光回路１１と試験回路１２との間で切断可能なダイシングライン１３とを有する光デバイスである。試験回路１２は、複数のＧＣ（Grating Coupler）を有する。

光回路１１は、局発光ポート２１と、受信光ポート２２と、ＢＳ(Beam Splitter)２３と、ＰＢＳ(Polarization Beam Splitter)２４と、ＰＲ（Polarization Rotator）２５とを有する。光回路１１は、第１及び第２の光ハイブリッド回路２６と、第１～第４のＰＤ(Photo Diode)２７と、第１～第４の出力ポート２８とを有する。

局発光ポート２１は、例えば、局発光源から発光された局発光ＬＯを入力するポートである。受信光ポート２２は、例えば、受信光Ｒｘ－Ｓｉｇを入力するポートである。ＢＳ２３は、局発光ポート２１からの局発光を分離して第１の光ハイブリッド回路２６Ａ及び第２の光ハイブリッド回路２６Ｂに出力する。ＰＢＳ２４は、受信光ポート２２から入力した受信光を直交する２つの偏波状態、例えば、ＴＥ(Transverse Electric)偏波のＸ偏波成分及びＴＭ（Transverse Magnetic）偏波のＹ偏波成分に分離する。尚、Ｘ偏波成分は水平偏波成分、Ｙ偏波成分は垂直偏波成分である。ＰＢＳ２４は、受信光からＸ偏波成分を第１の光ハイブリッド回路２６Ａに出力する。更に、ＰＲ２５は、ＰＢＳ２４からの受信光からＹ偏波成分を偏波し、偏波後のＹ偏波成分を第２の光ハイブリッド回路２６Ｂに出力する。

第１の光ハイブリッド回路２６Ａは、受信光のＸ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。尚、Ｉ成分は同相軸成分、Ｑ成分は直交軸成分である。第１の光ハイブリッド回路２６Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第１のＰＤ２７Ａに出力する。第１の光ハイブリッド回路２６Ａは、Ｘ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第２のＰＤ２７Ｂに出力する。

第２の光ハイブリッド回路２６Ｂは、受信光のＹ偏波成分に局発光を干渉させてＩ成分及びＱ成分の光信号を取得する。第２の光ハイブリッド回路２６Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｉ成分の光信号を第３のＰＤ２７Ｃに出力する。第２の光ハイブリッド回路２６Ｂは、Ｙ偏波成分の内、Ｑ成分の光信号を第４のＰＤ２７Ｄに出力する。

第１のＰＤ２７Ａは、第１の光ハイブリッド回路２６ＡからのＸ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第１の出力ポート２８Ａに出力する。第２のＰＤ２７Ｂは、第１の光ハイブリッド回路２６ＡからのＸ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第２の出力ポート２８Ｂに出力する。

第３のＰＤ２７Ｃは、第２の光ハイブリッド回路２６ＢからのＹ偏波成分のＩ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第３の出力ポート２８Ｃに出力する。第４のＰＤ２７Ｄは、第２の光ハイブリッド回路２６ＢからのＹ偏波成分のＱ成分の光信号を電気変換して利得調整し、利得調整後の電気信号を第４の出力ポート２８Ｄに出力する。

試験装置３は、第１及び第２の光源４１と、第１及び第２の偏波コントローラ４２と、第１及び第２の光スイッチ４３と、パワーメータ４４と、光ファイバアレイ４５とを有する。第１の光源４１Ａは、受信光対応の第１の試験光を発光するＬＤである。第１の偏波コントローラ４２Ａは、第１の光源４１Ａからの第１の試験光を偏波する。尚、第１のＧＣ３１Ａ及び第２のＧＣ３１Ｂの入力光がＴＭ偏波の入力光の場合は、結合損失が大きくなる傾向にあるため、入力光はＴＥ偏波であることが望ましい。そこで、第１の偏波コントローラ４２Ａは、第１の光源４１Ａからの第１の試験光をＴＥ偏波してＴＥ偏波の第１の試験光を出力する。第１の光スイッチ４３Ａは、第１の偏波コントローラ４２ＡからのＴＥ偏波の第１の試験光をウエハ２上の光チップ１０内の試験回路１２上の第１のＧＣ３１Ａ又は第２のＧＣ３１Ｂに切替出力する。

第２の光源４１Ｂは、局発光対応の第２の試験光を発光するＬＤである。第２の偏波コントローラ４２Ｂは、第２の光源４１Ｂからの第２の試験光を偏波する。尚、第６のＧＣ３１Ｆの入力光がＴＭ偏波の入力光の場合は、結合損失が大きくなる傾向にあるため、入力光はＴＥ偏波であることが望ましい。そこで、第２の偏波コントローラ４２Ｂは、第２の光源４１Ｂからの第２の試験光をＴＥ偏波してＴＥ偏波の第２の試験光を出力する。第２の光スイッチ４３Ｂは、パワーメータ４４の入力と接続すると共に、試験回路１２内の第３～第５のＧＣ３１Ｃ、３１Ｄ及び３１Ｅの出力と接続し、第３～第５のＧＣ３１Ｃ、３１Ｄ及び３１Ｅからの試験光に対する参照光をパワーメータ４４に出力する。パワーメータ４４は、第２の光スイッチ４３Ｂの切替動作に応じて各参照光のパワーを計測する。

図３は、試験装置３の一例を示す説明図である。第１及び第２の光源４１、第１及び第２の偏波コントローラ４２、第１及び第２の光スイッチ４３及びパワーメータ４４は、例えば、ラック等に搭載されているものとする。

図４は、光ファイバアレイ４５の一例を示す説明図である。図４に示す光ファイバアレイ４５は、第１～第６の光ファイバ４５Ａ～４５Ｆを内蔵し、第１の光ファイバ４５Ａと第１のＧＣ３１Ａとの間を光接続する。更に、光ファイバアレイ４５は、第２の光ファイバ４５Ｂと第２のＧＣ３１Ｂとの間、第３の光ファイバ４５Ｃと第３のＧＣ３１Ｃとの間を光接続する。光ファイバアレイ４５は、第４の光ファイバ４５Ｄと第４のＧＣ３１Ｄとの間、第５の光ファイバ４５Ｅと第５のＧＣ３１Ｅとの間、第６の光ファイバ４５Ｆと第６のＧＣ３１Ｆとの間を光接続する。光ファイバアレイ４５は、ＧＣ３１と光ファイバとの間を調芯作業なく自動的に光接続できる部品である。尚、光ファイバアレイ４５は、ウエハプローバ４との間で所定距離を離間した状態でウエハプローバ４上に固定し、ウエハプローバ４上に搭載されたウエハ２が上下左右に移動する。

第１の光ファイバ４５Ａは、第１の光スイッチ４３Ａの一方の出力と第１のＧＣ３１Ａの入力との間を光接続する光ファイバである。第２の光ファイバ４５Ｂは、第１の光スイッチ４３Ａの他方の出力と第２のＧＣ３１Ｂの入力との間を光接続する光ファイバである。第３の光ファイバ４５Ｃは、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と第３のＧＣ３１Ｃの出力との間を光接続する光ファイバである。第４の光ファイバ４５Ｄは、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と第４のＧＣ３１Ｄの出力との間を光接続する光ファイバである。第５の光ファイバ４５Ｅは、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と第５のＧＣ３１Ｅの出力との間を光接続する光ファイバである。第６の光ファイバ４５Ｆは、第２の偏波コントローラ４２Ｂの出力と第６のＧＣ３１Ｆの入力との間を光接続する光ファイバである。

試験回路１２は、第１～第６のＧＣ３１と、第１～第６の分岐カプラ３２と、第１～第３の結合分離部３３と、第１～第３の偏波回転部（ＰＲ:Polarization Rotator）３４とを有する。第１～第６のＧＣ３１は、試験回路１２上に所定間隔で整列配置されている。第１のＧＣ３１Ａは、受信光ポート２２の入力と光導波路で接続し、光ファイバアレイ４５内の第１の光ファイバ４５Ａからの第１の試験光を光導波路に結合するデバイスである。第２のＧＣ３１Ｂは、受信光ポート２２の入力と光導波路で接続し、光ファイバアレイ４５内の第２の光ファイバ４５Ｂからの第１の試験光を光導波路に結合するデバイスである。第６のＧＣ３１Ｆは、局発光ポート２１の入力と光導波路で接続し、光ファイバアレイ４５内の第６の光ファイバ４５Ｆからの第２の試験光を光導波路に結合するデバイスである。第３のＧＣ３１Ｃは、光導波路と接続し、光導波路からの第１の参照光を光ファイバアレイ４５内の第３の光ファイバ４５Ｃに結合するデバイスである。第４のＧＣ３１Ｄは、光導波路と接続し、光導波路からの第１の参照光を光ファイバアレイ４５内の第４の光ファイバ４５Ｄに結合するデバイスである。第５のＧＣ３１Ｅは、光導波路と接続し、光導波路からの第２の参照光を光ファイバアレイ４５内の第５の光ファイバ４５Ｅに結合するデバイスである。ＧＣ３１は、例えば、光ファイバに出射光を導くためのグレーティング部を有する。第１～第６のＧＣ３１は、ほぼ同一の光損失量である。第１～第６の分岐カプラ３２は、１×２の入出力ポートを備え、出力ポート比が１：１の対称カプラである。第１～第６の分岐カプラ３２は、ほぼ同一の光損失量である。

第１～第３の結合分離部３３は、２×２の入出力ポートを備えた、例えば、ＰＢＳ(Polarization Beam Splitter)／ＰＢＣ(Polarization Beam Combiner)である。第１～第３の結合分離部３３は、ほぼ同一の光損失量である。第１～第３のＰＲ３４は、１×１の入出力ポートを備え、例えば、入力光がＴＥ偏波の受信光の場合、ＴＥ偏波の受信光をＴＭ偏波の受信光に偏波すると共に、入力光がＴＭ偏波の受信光の場合、ＴＭ偏波の受信光をＴＥ偏波の受信光に偏波する。第１～第３のＰＲ３４は、ほぼ同一の光損失量である。

第１のＧＣ３１Ａから第３のＧＣ３１Ｃまでの光導波路と、第１のＧＣ３１Ａから受信光ポート２２までの光導波路との所定距離単位の伝搬損失は、ほぼ同一とする。第１のＧＣ３１Ａから第３のＧＣ３１Ｃまでの光導波路の距離は、第１のＧＣ３１Ａから受信光ポート２２までの光導波路の距離の２倍とする。

第２のＧＣ３１Ｂから第４のＧＣ３１Ｄまでの光導波路と、第２のＧＣ３１Ｂから受信光ポート２２までの光導波路との所定距離単位の伝搬損失は、ほぼ同一とする。第２のＧＣ３１Ｂから第４のＧＣ３１Ｄまでの光導波路の距離は、第２のＧＣ３１Ｂから受信光ポート２２までの光導波路の距離の２倍とする。

第６のＧＣ３１Ｆから第５のＧＣ３１Ｅまでの光導波路と、第６のＧＣ３１Ｆから局発光ポート２１までの光導波路との所定距離単位の伝搬損失は、ほぼ同一とする。第６のＧＣ３１Ｆから第５のＧＣ３１Ｅまでの光導波路の距離は、第６のＧＣ３１Ｆから局発光ポート２１までの光導波路の距離の２倍とする。

第１のＧＣ３１Ａは、試験装置３の第１の光スイッチ４３Ａの出力と接続し、第１の光スイッチ４３Ａからの受信光対応の第１の試験光を入力する。尚、第１のＧＣ３１Ａの受信光対応の第１の試験光は、ＴＥ偏波の受信光を評価する際に使用する試験光である。第２のＧＣ３１Ｂは、試験装置３の第１の光スイッチ４３Ａの出力と接続し、第１の光スイッチ４３Ａからの第１の試験光を入力する。尚、第２のＧＣ３１Ｂの受信光対応の第１の試験光は、ＴＭ偏波の受信光を評価する際に使用する試験光である。第１の光スイッチ４３Ａは、試験装置３からの第１の試験光を第１のＧＣ３１Ａ又は第２のＧＣ３１Ｂに切替出力するスイッチである。

第３のＧＣ３１Ｃは、試験装置３内の第２の光スイッチ４３Ｂの入力と接続し、第１のＧＣ３１Ａ対応の第１の試験光に対する第１の参照光を第２の光スイッチ４３Ｂに出力する。尚、第３のＧＣ３１Ｃの受信光対応の第１の参照光は、ＴＥ偏波の受信光を評価するための参照光である。第４のＧＣ３１Ｄは、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と接続し、第２のＧＣ３１Ｂ対応の第１の試験光に対する第１の参照光を第２の光スイッチ４３Ｂに出力する。尚、第４のＧＣ３１Ｄの受信光対応の第１の参照光は、ＴＭ偏波の受信光を評価するための参照光である。第２の光スイッチ４３Ｂは、参照光を切替出力するスイッチである。

第６のＧＣ３１Ｆは、試験装置３内の第２の偏波コントローラ４２Ｂの出力と接続し、第２の偏波コントローラ４２Ｂからの局発光対応の第２の試験光を入力する。尚、第６のＧＣ３１Ｆの局発光対応の第２の試験光は、局発光を評価する際に使用する試験光である。第５のＧＣ３１Ｅは、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と接続し、第６のＧＣ３１Ｆ対応の第２の試験光に対する第２の参照光を第２の光スイッチ４３Ｂに出力する。尚、第５のＧＣ３１Ｅの局発光対応の第２の参照光は、局発光を評価するための参照光である。

第１の分岐カプラ３２Ａは、第１のＧＣ３１Ａの出力と接続し、第１のＧＣ３１Ａからの第１の試験光を入力する。第１の分岐カプラ３２Ａは、第１の結合分離部３３Ａの入力及び第２の結合分離部３３Ｂの入力と接続し、第１のＧＣ３１Ａからの第１の試験光を第１の結合分離部３３Ａ及び第２の結合分離部３３Ｂに分岐出力する。尚、第１の分岐カプラ３２Ａの出力分岐比は、１：１である。

第２の分岐カプラ３２Ｂは、第２のＧＣ３１Ｂの出力と接続し、第２のＧＣ３１Ｂからの第１の試験光を入力する。第２の分岐カプラ３２Ｂは、第１のＰＲ３４Ａの入力及び第２のＰＲ３４Ｂの入力と接続し、第２のＧＣ３１Ｂからの第１の試験光を第１のＰＲ３４Ａ及び第２のＰＲ３４Ｂに分岐出力する。尚、第２の分岐カプラ３２Ｂの出力分岐比は、１：１である。

第１のＰＲ３４Ａは、第２の分岐カプラ３２Ｂの一方の出力と接続し、第２の分岐カプラ３２Ｂから分岐出力された第１の試験光をＴＭ偏波する。第１のＰＲ３４Ａは、第１の結合分離部３３Ａの入力と接続し、ＴＭ偏波の第１の試験光を第１の結合分離部３３Ａに出力する。

第１の結合分離部３３Ａは、第１の分岐カプラ３２Ａの出力と接続し、第１の分岐カプラ３２Ａから分岐出力されたＴＥ偏波の第１の試験光を入力する。第１の結合分離部３３Ａは、第１のＰＲ３４Ａの出力と接続し、第１のＰＲ３４Ａから出力されたＴＭ偏波の第１の試験光を入力する。更に、第１の結合分離部３３Ａは、光回路１１内の受信光ポート２２と接続し、第１の分岐カプラ３２ＡからのＴＥ偏波の第１の試験光と第１のＰＲ３４ＡからのＴＭ偏波の第１の試験光とを結合する。第１の結合分離部３３Ａは、結合後の第１の試験光を受信光ポート２２に出力する。

第２のＰＲ３４Ｂは、第２の分岐カプラ３２Ｂの他方の出力と接続し、第２の分岐カプラ３２Ｂから分岐出力されたＴＥ偏波の第１の試験光をＴＭ偏波する。第２のＰＲ３４Ｂは、第２の結合分離部３３Ｂの入力と接続し、ＴＭ偏波の第１の試験光を第２の結合分離部３３Ｂに出力する。

第２の結合分離部３３Ｂは、第１の分岐カプラ３２Ａの他方の出力と接続し、第１の分岐カプラ３２Ａから分岐出力されたＴＥ偏波の第１の試験光を入力する。第２の結合分離部３３Ｂは、第２のＰＲ３４Ｂの出力と接続し、第２のＰＲ３４Ｂから出力された偏波後のＴＭ偏波の第１の試験光を入力する。そして、第２の結合分離部３３Ｂは、第３の結合分離部３３Ｃの入力と接続し、ＴＥ偏波の第１の試験光とＴＭ偏波の第１の試験光とを結合し、結合後の第１の試験光を第３の結合分離部３３Ｃに出力する。

第３の結合分離部３３Ｃは、第２の結合分離部３３Ｂの出力と接続し、第２の結合分離部３３Ｂからの第１の試験光を入力する。第３の結合分離部３３Ｃは、第３の分岐カプラ３２Ｃの入力及び第３のＰＲ３４Ｃの入力と接続し、第２の結合分離部３３Ｂからの第１の試験光をＴＥ偏波の第１の試験光及びＴＭ偏波の第１の試験光に分離する。そして、第３の結合分離部３３Ｃは、ＴＥ偏波の第１の試験光を第３の分岐カプラ３２Ｃに出力すると共に、ＴＭ偏波の第１の試験光を第３のＰＲ３４Ｃに出力する。第３のＰＲ３４Ｃは、第３の結合分離部３３Ｃの他方の出力と接続し、第３の結合分離部３３Ｃから分離出力されたＴＭ偏波の第１の試験光を入力し、ＴＭ偏波の第１の試験光をＴＥ偏波する。第３のＰＲ３４Ｃは、第４の分岐カプラ３２Ｄの入力と接続し、ＴＥ偏波の第１の試験光を第４の分岐カプラ３２Ｄに出力する。

第３の分岐カプラ３２Ｃは、第３の結合分離部３３Ｃの一方の出力と接続し、第３の結合分離部３３Ｃから分離出力されたＴＥ偏波の第１の試験光を入力する。第３の分岐カプラ３２Ｃは、第３のＧＣ３１Ｃの入力と接続し、ＴＥ偏波の第１の試験光を第１の参照光として第３のＧＣ３１Ｃに出力する。第４の分岐カプラ３２Ｄは、第３のＰＲ３４Ｃの出力と接続し、第３のＰＲ３４ＣからのＴＥ偏波の第１の試験光を第４のＧＣ３１Ｄに出力する。

第６の分岐カプラ３２Ｆは、第６のＧＣ３１Ｆの出力と接続し、第６のＧＣ３１Ｆからの局発光対応の第２の試験光を入力する。第６の分岐カプラ３２Ｆは、第５の分岐カプラ３２Ｅの入力及び光回路１１内の局発光ポート２１と接続し、第２の試験光を第５の分岐カプラ３２Ｅ及び局発光ポート２１に分岐出力する。尚、第６の分岐カプラ３２Ｆの出力分岐比は、１：１である。

第５の分岐カプラ３２Ｅは、第６の分岐カプラ３２Ｆの他方の出力と接続し、第５の分岐カプラ３２Ｅから分岐出力された第２の試験光を入力すると共に、第５のＧＣ３１Ｅの入力と接続し、第２の試験光を第２の参照光として第５のＧＣ３１Ｅに入力する。そして、第５のＧＣ３１Ｅは、第５の分岐カプラ３２Ｅの出力と接続し、第２の参照光を入力すると共に、第２の光スイッチ４３Ｂの入力と接続し、第２の参照光を第２の光スイッチ４３Ｂに出力する。

第２の光スイッチ４３Ｂは、第３のＧＣ３１Ｃからの第１のＧＣ３１Ａ対応の第１の参照光、第４のＧＣ３１Ｄからの第２のＧＣ３１Ｂ対応の第１の参照光、第５のＧＣ３１Ｅからの第６のＧＣ３１Ｆ対応の第２の参照光をパワーメータ４４に切替出力する。パワーメータ４４は、第２の光スイッチ４３Ｂの切替動作に応じて、第１のＧＣ３１Ａ対応の第１の参照光、第２のＧＣ３１Ｂ対応の第１の参照光及び第６のＧＣ３１Ｆ対応の第２の参照光のパワーを計測できる。

次に本実施例の試験システム１の動作について説明する。先ず、ウエハプローバ４上にウエハ２を載置する。そして、ウエハ２上の光チップ１０内の試験回路１２が移動することで、試験回路１２内の第１～第６のＧＣ３１Ａ～３１Ｆと光ファイバアレイ４５内の第１～第６の光ファイバ４５Ａ～４５Ｆとの間で光接続した状態で試験動作を開始することになる。

第１の偏波コントローラ４２Ａは、第１の光源４１Ａからの第１の試験光をＴＥ偏波し、ＴＥ偏波の第１の試験光を第１の光スイッチ４３Ａに入力する。第１の光スイッチ４３Ａは、切替動作に応じて、ＴＥ偏波の第１の試験光を第１のＧＣ３１Ａ及び第２のＧＣ３１Ｂに入力する。ＴＥ偏波の第１の試験光を第１のＧＣ３１Ａ又は第２のＧＣ３１Ｂに入力するため、結合損失を小さくすることができる。

先ず、第１のＧＣ３１Ａは、入力したＴＥ偏波の第１の試験光を第１の分岐カプラ３２Ａに出力する。第１の分岐カプラ３２Ａは、ＴＥ偏波の第１の試験光を第１の結合分離部３３Ａ及び第２の結合分離部３３Ｂに分岐出力する。第２のＧＣ３１Ｂは、入力したＴＥ偏波の第１の試験光を第２の分岐カプラ３２Ｂに出力する。第２の分岐カプラ３２Ｂは、ＴＥ偏波の第１の試験光を第１のＰＲ３４Ａ及び第２のＰＲ３４Ｂに分岐出力する。第１のＰＲ３４Ａは、第２の分岐カプラ３２Ｂから分岐出力されたＴＥ偏波の第１の試験光をＴＭ偏波し、ＴＭ偏波の第１の試験光を第１の結合分離部３３Ａに出力する。そして、第１の結合分離部３３Ａは、第１の分岐カプラ３２ＡからのＴＥ偏波の第１の試験光と、第１のＰＲ３４ＡからのＴＭ偏波の第１の試験光とを結合し、結合後の第１の試験光を光回路１１内の受信光ポート２２に出力する。

第２のＰＲ３４Ｂは、第２の分岐カプラ３２Ｂから分岐出力されたＴＥ偏波の第１の試験光をＴＭ偏波し、ＴＭ偏波の第１の試験光を第２の結合分離部３３Ｂに出力する。第２の結合分離部３３Ｂは、第１の分岐カプラ３２ＡからのＴＥ偏波の第１の試験光と第２のＰＲ３４ＢからのＴＭ偏波の第１の試験光とを結合し、結合後の第１の試験光を第３の結合分離部３３Ｃに出力する。

第３の結合分離部３３Ｃは、第２の結合分離部３３Ｂからの第１の試験光を偏波分離し、偏波分離後のＴＥ偏波の第１の試験光を第３の分岐カプラ３２Ｃに出力すると共に、偏波分離後のＴＭ偏波の第１の試験光を第３のＰＲ３４Ｃに出力する。第３のＰＲ３４Ｃは、第３の結合分離部３３ＣからのＴＭ偏波の第１の試験光をＴＥ偏波し、ＴＥ偏波の第１の試験光を第４の分岐カプラ３２Ｄに出力する。

第３の分岐カプラ３２Ｃは、第３の結合分離部３３ＣからのＴＥ偏波の第１の試験光を第３のＧＣ３１Ｃに出力する。尚、第３のＧＣ３１Ｃは、第１のＧＣ３１Ａ対応の第１の試験光に対する第１の参照光を出力することになる。また、第４の分岐カプラ３２Ｄは、第３のＰＲ３４ＣからのＴＥ偏波の第１の試験光を第４のＧＣ３１Ｄに出力する。尚、第４のＧＣ３１Ｄは、第２のＧＣ３１Ｂ対応の第１の試験光に対する第１の参照光を出力することになる。

また、第２の偏波コントローラ４２Ｂは、第２の光源４１Ｂからの局発光対応の第２の試験光をＴＥ偏波し、ＴＥ偏波の第２の試験光を第６の光ファイバ４５Ｆを通じて第６のＧＣ３１Ｆに出力する。第６のＧＣ３１Ｆは、ＴＥ偏波の第２の試験光を第６の分岐カプラ３２Ｆに出力する。第６の分岐カプラ３２Ｆは、ＴＥ偏波の第２の試験光を光回路１１の局発光ポート２１及び第５の分岐カプラ３２Ｅに分岐出力する。第５の分岐カプラ３２Ｅは、第６の分岐カプラ３２ＦからのＴＥ偏波の第２の試験光を第５のＧＣ３１Ｅに出力する。尚、第５のＧＣ３１Ｅは、第６のＧＣ３１Ｆ対応の第２の試験光に対する第２の参照光を出力することになる。

つまり、第３のＧＣ３１Ｃは、第１のＧＣ３１Ａ対応の第１の参照光を出力し、第４のＧＣ３１Ｄは、第２のＧＣ３１Ｂ対応の第１の参照光を出力し、第５のＧＣ３１Ｅは、第６のＧＣ３１Ｆ対応の第２の参照光を出力する。第２の光スイッチ４３Ｂは、切替動作に応じて、第３のＧＣ３１Ｃから第１の参照光、第４のＧＣ３１Ｄから第１の参照光、第５のＧＣ３１Ｅから第２の参照光をパワーメータ４４に切替出力する。

パワーメータ４４は、第２の光スイッチ４３Ｂの切替動作に応じて、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の参照光、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の参照光及び局発光対応の第２の参照光の出力パワーを計測できる。

そして、ウエハ２上の光チップ１０毎の参照光のパワー、例えば、図２の左から右への列単位で光チップ１０毎の参照光のパワーを計測し、計測結果から評価する。列単位の全光チップ１０の参照光のパワーの計測及び評価動作が完了した場合、列単位の全光チップ１０のダイシングライン１３に沿ってダイシングする。そして、次の列単位の光チップ１０毎の参照光のパワーの計測動作を開始し、ウエハ２上の全ての光チップ１０の計測動作が完了するまで続けることになる。また、ウエハ２の光チップ１０毎のダイシングライン１３に沿ってダイシングすることで、光チップ１０内の光回路１１と試験回路１２とを分断し、光回路１１のみの光チップ１０を取得できる。

図５は、光通信デバイス１００の一例を示す説明図である。図５に示す光通信デバイス１００は、ＬＤ１０１と、光通信パッケージ１０２と、ＤＳＰ１０３とを有する。ＬＤ１０１は、局発光を発光するローカル光源である。光通信パッケージ１０２は、例えば、デジタルコヒーレント送受信器である。光通信パッケージ１０２は、信号光を送信する送信部１０２Ａと、信号光を受信する受信部１０２Ｂとを有する。受信部１０２Ｂは、例えば、デジタルコヒーレント受信器等の試験回路１２を切断した後の光チップ１０である。ＤＳＰ１０３は、受信部１０２Ｂ内の第１～第４の出力ポート２８Ａ～２８Ｄから入力した各電気信号をデジタル変換する。ＤＳＰ１０３は、デジタル変換後のＸ偏波成分内のＩ成分及びＱ成分と、Ｙ偏波成分内のＩ成分及びＱ成分に対してデジタル信号処理を施し、Ｘ偏波成分及びＹ偏波成分を復調信号に復調する。

尚、ＧＣを用いる場合はＧＣの結合損失を考慮する必要があるので、ＧＣに入力した試験光の一部をタップカプラで分岐した後、ＧＣで取り出し、パワーメータで計測した値を参照光とすることも考えられる。参照光の値からタップカプラの分岐による損失と光導波路の伝搬損失を引いたものがＧＣ２個分の損失となる。

しかしながら、タップ導波路の出力分岐比が偏波により異なるためにＴＥ光とＴＭ光で参照光のパワーが異なる。また、タップ導波路の出力分岐比が波長依存性をもつため、両偏波の光が全ての波長範囲で計測に必要とされる出力分岐比で分岐されるようにタップ導波路を設計する必要がある。また、ＧＣを使った計測では、ＧＣから光チップまでの損失を校正データとし、実測の損失から校正データを引いたものを光チップの損失とする。タップカプラの出力分岐比、光導波路の伝搬損失等を考慮して計測値を校正する必要があるため、校正が複雑となり、計測精度が悪くなる。

これに対して本実施例では、タップ導波路ではなく、第１のＧＣ３１Ａ、第２のＧＣ３１Ｂ及び第６のＧＣ３１Ｆ等の入力用ＧＣ３１の出力段に、第１の分岐カプラ３２Ａ、第２の分岐カプラ３２Ｂ及び第６の分岐カプラ３２Ｆ等の分岐カプラ３２を配置する。更に、例えば、第３のＧＣ３１Ｃ、第４のＧＣ３１Ｄ及び第５のＧＣ３１Ｅ等の参照用ＧＣ３１の入力段に、例えば、第３の分岐カプラ３２Ｃ、第４の分岐カプラ３２Ｄ及び第５の分岐カプラ３２Ｅ等の分岐カプラ３２を配置する。更に、入力用ＧＣ３１から参照用ＧＣ３１までの光導波路の総延長が、入力用ＧＣ３１から光回路１１までの光導波路の総延長の２倍となるようにする。その結果、第１～第６の分岐カプラ３１は１×２の入出力ポートを使用するため、出力分岐比の波長依存性がなくなるため、計測精度が向上する。さらに、タップカプラを使用しなくても、参照用ＧＣ３１の前にも同じ分岐カプラ３２を挿入することで、校正が容易となり、計測精度が上がる。しかも、偏波多重信号を扱う光チップ１０の試験をウエハ２の状態で精度よく行うことができる。

本実施例の光チップ１０は、入力用ＧＣ３１に分岐カプラ３２が接続され、分岐カプラ３２の２出力の一方が光回路１１に接続され、他方が参照用ＧＣ３１に接続される。例えば、第６のＧＣ３１Ｆに第６の分岐カプラ３２Ｆが接続され、第６の分岐カプラ３２Ｆの２出力の一方が局発光ポート２１に接続され、他方が第５のＧＣ３１Ｅに接続される。第１のＧＣ３１Ａに第１の分岐カプラ３２Ａが接続され、第１の分岐カプラ３２Ａの２出力の一方が受信光ポート２２に接続され、他方が第３のＧＣ３１Ｃに接続される。第２のＧＣ３１Ｂに第２の分岐カプラ３２Ｂが接続され、第２の分岐カプラ３２Ｂの２出力の一方が受信光ポート２２に接続され、他方が第４のＧＣ３１Ｄに接続される。つまり、分岐カプラ３２は全ての波長、ＴＥ、ＴＭ両偏波で出力分岐比は１：１であるので、波長、偏波によらず計測対象である光回路１１への入力光パワーと参照用ＧＣ３１に入る光パワーとが等しくなる。その結果、校正が容易となり、また計測精度が向上する。

例えば、第２の試験光は、第６のＧＣ３１Ｆと局発光ポート２１との間で１個の分岐カプラ３２（第６の分岐カプラ３２Ｆ）を通過する。これに対して、第２の試験光に対する第２の参照光は、第６のＧＣ３１Ｆと第５のＧＣ３１Ｅとの間で２個の分岐カプラ３２（第５の分岐カプラ３２Ｅ及び第６の分岐カプラ３２Ｆ）を通過する。すなわち、第２の試験光の損失は、第２の参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

例えば、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第１のＧＣ３１Ａと受信光ポート２２との間で１個の分岐カプラ３２（第１の分岐カプラ３２Ａ）を通過する。これに対して、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光に対する第１の参照光は、第１のＧＣ３１Ａと第３のＧＣ３１Ｃとの間で２個の分岐カプラ３２（第１の分岐カプラ３２Ａ及び第３の分岐カプラ３２Ｃ）を通過する。すなわち、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

例えば、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第２のＧＣ３１Ｂと受信光ポート２２との間で１個の分岐カプラ３２（第２の分岐カプラ３２Ｂ）を通過する。これに対して、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光に対する第１の参照光は、第２のＧＣ３１Ｂと第４のＧＣ３１Ｄとの間で２個の分岐カプラ３２（第２の分岐カプラ３２Ｂ及び第４の分岐カプラ３２Ｄ）を通過する。すなわち、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

例えば、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第１のＧＣ３１Ａと受信光ポート２２との間で１個の結合分離部３３（第１の結合分離部３３Ａ）を通過する。これに対して、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光に対する第１の参照光は、第１のＧＣ３１Ａと第３のＧＣ３１Ｃとの間で２個の結合分離部３３（第２の結合分離部３３Ｂ及び第３の結合分離部３３Ｃ）を通過する。すなわち、結合分離部３３の損失が無視できない場合でも、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

例えば、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第１のＧＣ３１Ａと受信光ポート２２との間で１個のＰＲ３４（第１のＰＲ３４Ａ）を通過する。これに対して、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光に対する第１の参照光は、第１のＧＣ３１Ａと第３のＧＣ３１Ｃとの間で２個のＰＲ３４（第２のＰＲ３４Ｂ及び第３のＰＲ３４Ｃ）を通過する。すなわち、ＰＲ３４の損失が無視できない場合でも、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

第１のＧＣ３１Ａから第３のＧＣ３１Ｃまでの光導波路の距離は、第１のＧＣ３１Ａから受信光ポート２２までの光導波路の距離の２倍とする。第２のＧＣ３１Ｂから第４のＧＣ３１Ｄまでの光導波路の距離は、第２のＧＣ３１Ｂから受信光ポート２２までの光導波路の距離の２倍とする。また、第６のＧＣ３１Ｆから第５のＧＣ３１Ｅまでの光導波路の距離は、第６のＧＣ３１Ｆから局発光ポート２１までの光導波路の距離の２倍とする。その結果、光導波路の伝搬損失が無視できない場合でも、試験光の損失は、参照光の損失の半分を校正データとすることができる。

試験回路１２は、試験回路１２の表面から、第１の試験光を入力する第１のＧＣ３１Ａと、試験回路１２の表面から、第１の試験光を第１の参照光として出力する第３のＧＣ３１Ｃとを有する。つまり、試験回路１２の表面にＧＣ３１を配置したので、光チップ１０の試験をウエハ２の状態で精度よく行うことができる。

例えば、局発光対応の第２の試験光ＬＯ―ｉｎに対する第２の参照光は、第６のＧＣ３１Ｆと第５のＧＣ３１Ｅとの間で２個の分岐カプラ３２（第６の分岐カプラ３２Ｆ及び第５の分岐カプラ３２Ｅ）を通過する。これに対して、局発光対応の第２の試験光は、第６のＧＣ３１Ｆと局発光ポート２１との間で１個の分岐カプラ３２（第６の分岐カプラ３２Ｆ）を通過する。その結果、局発光対応の第２の試験光の損失は、第２の参照光の損失を半分にしたものが校正データとなる。

また、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光Ｒｘ－ＴＥ－ｉｎの第１の参照光は、第１のＧＣ３１Ａと第３のＧＣ３１Ｃとの間で２個の分岐カプラ３２（第１の分岐カプラ３２Ａ及び第３の分岐カプラ３２Ｃ）及び２個の結合分離部３３（第２の結合分離部３３Ｂ及び第３の結合分離部３３Ｃ）を通過する。これに対して、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第１のＧＣ３１Ａと受信光ポート２２との間で１個の分岐カプラ３２（第１の分岐カプラ３２Ａ）及び１個の結合分離部３３（第１の結合分離部３３Ａ）を通過する。その結果、ＴＥ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失を半分にしたものが校正データとなる。

また、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光Ｒｘ－ＴＭ－ｉｎの第１の参照光は、第２のＧＣ３１Ｂと第４のＧＣ３１Ｄとの間で２個の分岐カプラ３２（第２の分岐カプラ３２Ｂ及び第４の分岐カプラ３２Ｄ）、２個のＰＲ３４（第２のＰＲ３４Ｂ及び第３のＰＲ３４Ｃ）及び２個の結合分離部３３（第２の結合分離部３３Ｂ及び第３の結合分離部３３Ｃ）を通過する。これに対して、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光は、第２のＧＣ３１Ｂと受信光ポート２２との間で１個の分岐カプラ３２（第２の分岐カプラ３２Ｂ）、１個のＰＲ３４（第１のＰＲ３４Ａ）及び１個の結合分離部３３（第１の結合分離部３３Ａ）を通過する。その結果、ＴＭ偏波の受信光対応の第１の試験光の損失は、第１の参照光の損失を半分にしたものが校正データとなる。

試験回路１２は、第１のＧＣ３１Ａ、第２のＧＣ３１Ｂ、第３のＧＣ３１Ｃ及び第４のＧＣ３１Ｄが試験回路１２の表面に等間隔に配置される。その結果、試験回路１２内にＧＣ３１を使用するため、ウエハ表面方向から光ファイバアレイ４５をＧＣ３１に近づけて試験光を入射し、光回路１１に試験光を入力できるので、ウエハ状態での試験が可能となる。光ファイバアレイ４５を用いた評価が可能となり、評価時の光軸の調整がしやすくなる。

尚、説明の便宜上、第２の分岐カプラ３２Ｂと第１の結合分離部３３Ａとの間に第１のＰＲ３４Ａ、第２の分岐カプラ３２Ｂと第２の結合分離部３３Ｂとの間に第２のＰＲ３４Ｂ、第３の分岐カプラ３２Ｃと第３の結合分離部３３Ｃとの間に第３のＰＲ３４Ｃを配置する場合を例示したが、これら第１のＰＲ３４Ａ、第２のＰＲ３４Ｂ及び第３のＰＲ３４Ｃを配置しなくても良く、適宜変更可能である。

また、光ファイバアレイ４５は、ウエハプローバ４上に固定し、ウエハプローバ４上に搭載されたウエハ２が光ファイバアレイ４５に対して上下左右に移動する場合を例示した。しかしながら、光ファイバアレイ４５がウエハ２上を上下左右に移動しても良く、適宜変更可能である。

また、光回路１１は、デジタルコヒーレント光受信回路を例示したが、デジタルコヒーレント方式に限定されるものではなく、他の方式の光受信回路でも良く、適宜変更可能である。また、光回路１１は、光受信回路に限定されるものではなく、光送信回路でも良く、適宜変更可能である。

また、図示した各部の各構成要素は、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各部の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。

更に、各装置で行われる各種処理機能は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（又はＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）等のマイクロ・コンピュータ）上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良い。また、各種処理機能は、ＣＰＵ（又はＭＰＵ、ＭＣＵ等のマイクロ・コンピュータ）で解析実行するプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良いことは言うまでもない。

３ 試験装置
１０ 光チップ
１１ 光回路
１２ 試験回路
２１ 局発光ポート
２２ 受信光ポート
３１Ａ～３１Ｆ 第１～第６のＧＣ
３２Ａ～３２Ｆ 第１～第６の分岐カプラ
３３Ａ～３３Ｃ 第１～第３の結合分離部
３４Ａ～３４Ｃ 第１～第３のＰＲ

Claims (8)

1. 光回路と、当該光回路と光接続する試験回路とを有し、
   前記試験回路は、
   試験光を入力する入力用グレーティングカプラと、
   当該入力用グレーティングカプラを通過した前記試験光を参照光として出力する参照用グレーティングカプラと、
   前記入力用グレーティングカプラの出力と接続する入力用分岐カプラと、
   前記参照用グレーティングカプラの入力と接続する参照用分岐カプラと、を有し、
   前記入力用分岐カプラは、
   一方の出力を前記光回路の入力に接続し、前記入力用グレーティングカプラからの試験光を前記光回路に分岐出力すると共に、他方の出力を前記参照用グレーティングカプラの入力に接続し、前記入力用グレーティングカプラからの試験光を前記参照用グレーティングカプラに分岐出力すると共に、
   前記参照用分岐カプラは、
   前記入力用分岐カプラの他方の出力と接続し、前記入力用分岐カプラからの試験光を前記参照用グレーティングカプラに出力する
   ことを特徴とする光デバイス。
2. 光回路と、当該光回路と光接続する試験回路とを有し、
   前記試験回路は、
   第１の偏波の試験光を入力する第１の入力用グレーティングカプラ及び第２の入力用グレーティングカプラと、
   前記第１の入力用グレーティングカプラ又は前記第２の入力用グレーティングカプラを通過した前記第１の偏波の試験光を参照光として出力する第１の参照用グレーティングカプラ及び第２の参照用グレーティングカプラと、
   前記第１の入力用グレーティングカプラの出力と接続する第１の入力用分岐カプラと、
   前記第２の入力用グレーティングカプラの出力と接続する第２の入力用分岐カプラと、
   前記第１の参照用グレーティングカプラの入力と接続する第１の参照用分岐カプラと、
   前記第２の参照用グレーティングカプラの入力と接続する第２の参照用分岐カプラと、
   前記第２の入力用分岐カプラの一方の出力と接続し、前記第２の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光を第２の偏波の試験光に偏波する第１の偏波回転部と、
   前記第２の入力用分岐カプラの他方の出力と接続し、前記第２の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光を第２の偏波の試験光に偏波する第２の偏波回転部と、
   前記第１の入力用分岐カプラの一方の出力と接続すると共に、前記第１の偏波回転部の出力と接続し、前記第１の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光と、前記第１の偏波回転部からの第２の偏波の試験光とを結合して前記光回路に出力する第１の結合分離部と、
   前記第１の入力用分岐カプラの他方の出力と接続すると共に、前記第２の偏波回転部の出力と接続し、前記第１の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光と前記第２の偏波回転部からの前記第２の偏波の試験光とを結合して出力する第２の結合分離部と、
   前記第２の結合分離部の出力と接続し、前記第２の結合分離部からの前記試験光を前記第１の偏波の試験光と前記第２の偏波の試験光とに分離して出力する第３の結合分離部と、
   前記第３の結合分離部の他方の出力と接続し、前記第３の結合分離部からの前記第２の偏波の試験光を前記第１の偏波の試験光に偏波して前記第２の参照用分岐カプラに出力する第３の偏波回転部と、
   前記第３の結合分離部の一方の出力と接続し、前記第３の結合分離部からの前記第１の偏波の試験光を前記第１の参照用グレーティングカプラに出力する前記第１の参照用分岐カプラと、有し、
   前記第１の入力用グレーティングカプラから前記第１の参照用グレーティングカプラまでの光導波路の距離は、
   前記第１の入力用グレーティングカプラから前記光回路までの光導波路の距離の２倍とすると共に、
   前記第２の入力用グレーティングカプラから前記第２の参照用グレーティングカプラまでの光導波路の距離は、
   前記第２の入力用グレーティングカプラから前記光回路までの光導波路の距離の２倍とする
   ことを特徴とする光デバイス。
3. 前記入力用グレーティングカプラから前記参照用グレーティングカプラまでの光導波路の距離は、
   前記入力用グレーティングカプラから前記光回路までの光導波路の距離の２倍とすることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
4. 前記試験回路は、
   前記試験回路の表面から、前記試験光を入力する前記入力用グレーティングカプラと、
   前記試験回路の表面から、前記試験光を前記参照光として出力する前記参照用グレーティングカプラと
   を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
5. 前記試験回路は、
   前記試験回路の表面から、前記試験光を入力する前記第１の入力用グレーティングカプラ及び前記第２の入力用グレーティングカプラと、
   前記試験回路の表面から、前記試験光を前記参照光として出力する前記第１の参照用グレーティングカプラ及び前記第２の参照用グレーティングカプラと
   を有することを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
6. 前記第１の入力用グレーティングカプラ、前記第２の入力用グレーティングカプラ、前記第１の参照用グレーティングカプラ及び前記第２の参照用グレーティングカプラが前記試験回路の表面に等間隔に配置されることを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
7. 光回路と、当該光回路と光接続する試験回路とを有する光デバイスの試験方法を実行する試験装置は、
   当該試験装置からの試験光を前記試験回路内の入力用グレーティングカプラに入力し、
   前記試験回路内の入力用分岐カプラを用いて前記入力用グレーティングカプラからの試験光を前記光回路及び、前記試験回路内の参照用分岐カプラに分岐出力し、
   前記参照用分岐カプラを用いて前記入力用分岐カプラからの試験光を参照光として前記試験回路内の参照用グレーティングカプラに出力し、
   前記参照用グレーティングカプラで出力した参照光のパワーを計測する
   処理を実行することを特徴とする光デバイスの試験方法。
8. 光回路と、当該光回路と光接続する試験回路とを有する光デバイスの試験方法を実行する試験装置は、
   当該試験装置からの第１の偏波の試験光を前記試験回路内の第１の入力用グレーティングカプラ及び第２の入力用グレーティングカプラに入力し、
   前記試験回路内の第１の入力用分岐カプラを用いて前記第１の入力用グレーティングカプラからの前記第１の偏波の試験光を前記試験回路内の第１の結合分離部及び第２の結合分離部に分岐出力し、
   前記試験回路内の第２の入力用分岐カプラを用いて前記第２の入力用グレーティングカプラからの前記第１の偏波の試験光を前記試験回路内の第１の偏波回転部及び第２の偏波回転部に分岐出力し、
   前記第１の偏波回転部を用いて前記第２の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光を第２の偏波の試験光に偏波し、
   前記第２の偏波回転部を用いて前記第２の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光を第２の偏波の試験光に偏波し、
   前記第１の結合分離部を用いて、前記第１の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光と、前記第１の偏波回転部からの前記第２の偏波の試験光とを結合して前記光回路に出力し、
   前記第２の結合分離部を用いて、前記第１の入力用分岐カプラからの前記第１の偏波の試験光と、前記第２の偏波回転部からの前記第２の偏波の試験光とを結合して前記試験回路内の第３の結合分離部に出力し、
   前記第３の結合分離部を用いて前記第２の結合分離部の出力から前記第１の偏波の試験光及び前記第２の偏波の試験光を分離し、分離された前記第１の偏波の試験光を参照光として前記試験回路内の第１の参照用グレーティングカプラに出力すると共に、分離された前記第２の偏波の試験光を前記試験回路内の第３の偏波回転部に出力し、
   前記第３の偏波回転部を用いて前記第２の偏波の試験光を前記第１の偏波の試験光に偏波し、前記第１の偏波の試験光を参照光として前記試験回路内の第２の参照用グレーティングカプラに出力し、
   前記第１の参照用グレーティングカプラ及び前記第２の参照用グレーティングカプラから出力した参照光のパワーを計測し、
   前記第１の入力用グレーティングカプラから前記第１の参照用グレーティングカプラまでの光導波路の距離を、前記第１の入力用グレーティングカプラから前記光回路までの光導波路の距離の２倍とし、
   前記第２の入力用グレーティングカプラから前記第２の参照用グレーティングカプラまでの光導波路の距離を、前記第２の入力用グレーティングカプラから前記光回路までの光導波路の距離の２倍とする
   処理を実行することを特徴とする光デバイスの試験方法。

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