JP7226501B1 - 粘着テープおよび粘着テープ用基材 - Google Patents

Abstract

【課題】粘着テープに貼付された部品を、突き上げた状態でピックアップする際に、突き上げに起因する、粘着テープが備える基材における破断の発生を的確に防止しつつ、優れた精度で部品をピックアップすることができる粘着テープ、および、この粘着テープを得る際に用いる粘着テープ用基材を提供すること。【解決手段】粘着テープ１００は、基材４と、粘着層２とを備え、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられるものであり、基材４は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足する。【選択図】図２

Description

本発明は、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープおよび粘着テープ用基材に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、まず、基板としての半導体基板（半導体ウエハ）に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で、半導体基板を厚さ方向に切断することで、半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープ（ダイシングテープ）について、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。かかる構成をなす粘着テープでは、上述した半導体装置の製造方法の通り、半導体基板をダイシングするダイシング工程後に、半導体素子をピックアップするピックアップ工程が実施される。すなわち、ダイシング工程後のピックアップ工程において、ニードルを用いて半導体素子を突き上げた状態とし、この状態を維持したまま、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等により、半導体素子のピックアップが実施されるようになっている。

しかしながら、この粘着テープを用いた半導体装置の製造の際に、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態として、半導体素子のピックアップを行うピックアップ工程では、以下に示すような問題があった。すなわち、ピックアップ工程において、半導体素子をピックアップするのに十分量の大きさでニードルにより半導体素子を突き上げた状態とする必要が生じるが、このニードルによる半導体素子の突き上げにより、粘着テープが備える基材において破断が生じ、その結果、ニードルの先端が粘着テープの粘着層側に到達することに起因して、半導体素子に欠陥が発生したり、半導体素子に粘着層の一部が残存する糊残りが生じると言う問題があった。

また、このような問題は、基板としての半導体基板（半導体用ウエハ）を厚さ方向に切断することで、部品としての半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板を厚さ方向に切断（個片化）して、個片化された部品を得る場合等においても同様に生じている。

特開２００９－２４５９８９号公報

本発明は、粘着テープに貼付された部品を、突き上げた状態でピックアップする際に、突き上げに起因する、粘着テープが備える基材における破断の発生を的確に防止しつつ、優れた精度で部品をピックアップすることができる粘着テープ、および、この粘着テープを得る際に用いる粘着テープ用基材を提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（９）に記載の本発明により達成される。
（１） 基材と、粘着性を有するベース樹脂を主材料として含有し、前記基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定し、その後、仮固定された前記少なくとも１種をピックアップするのに用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が、１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることを満足し、
前記基材は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを特徴とする粘着テープ。

（２） 前記基材は、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂およびポリスチレン系樹脂のうちの少なくとも１種を含有する上記（１）に記載の粘着テープ。

（３） 前記ポリオレフィン系樹脂は、ポリプロピレン、ポリエチレンコポリマーのうちの少なくとも１種である上記（２）に記載の粘着テープ。

（４） 前記粘着層は、エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記部品に対する粘着力が低下しないものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。

（５） 前記基材は、その厚さが７０μｍ以上１５０μｍ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。

（６） 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から離脱させる際に用いられるものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。

（７） 前記基材は、その前記粘着層と反対側の表面において、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２０１３）で規定される表面粗さを表すパラメータである、粗さ曲線要素の平均長さＳｍが３０μｍ以上１００μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の粘着テープ。
（８） 当該粘着テープは、前記基板および部品のうちの少なくとも前記部品を仮固定し、その後、前記部品をピックアップするのに用いられる上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の粘着テープ。

（９） 粘着テープ用基材であって、
当該粘着テープ用基材は、その一方の面に、粘着性を有するベース樹脂を主材料として含有する粘着層が積層され、該粘着層に、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定し、その後、仮固定された前記少なくとも１種をピックアップするのに用いられ、
前記粘着層は、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が、１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることを満足し、
当該粘着テープ用基材は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを特徴とする粘着テープ用基材。

本発明によれば、粘着テープが備える基材は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足している。そのため、個片化された部品を突き上げた状態としてピックアップする際に、この部品をピックアップするのに十分量の大きさで部品を突き上げた状態としたとしても、粘着テープが備える基材における破断の発生を的確に防止しつつ、優れた精度で部品をピックアップすることができる。したがって、突き上げに用いられるニードルの先端が粘着テープの粘着層側に到達することに起因した、部品における欠陥の発生、および、部品に対して粘着層の一部が残存する糊残りの発生を的確に抑制または防止することができる。

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大断面図である。 粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図５に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の粘着テープおよび粘着テープ用基材について詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープおよび粘着テープ用基材を説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物（封止材）で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

半導体チップ２０（半導体素子）は、図１に示すように、半導体チップ本体部２３（半導体素子本体部）と、半導体チップ本体部２３の下面側から突出して設けられた端子２１とを有している。半導体チップ本体部２３は、その上面側に回路（図示せず）が作り込まれており、主としてＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａ_２Ｏ_３のような半導体材料で構成されている。

かかる構成の半導体装置１０および半導体チップ２０は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図、図４は、図２中の点線で囲まれた領域［Ａ］に位置するニードルの周辺を拡大した拡大断面図である。なお、以下の説明では、図２～図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および／または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する積層体により構成された粘着テープ１００を用意し、図２（ａ）に示すように、その中心部１２２に半導体基板７（半導体用ウエハ）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体基板７を積層（貼付）する（貼付工程）。

この半導体基板７には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ２０（半導体チップ本体部２３）が備える回路が予め形成され、また、下面には端子２１が予め形成されており、半導体基板７は、回路が形成されている側の上面を粘着層２側にして粘着テープ１００に貼付されている。そのため、粘着層２には、半導体基板７の回路が形成されている側の上面、すなわち凹凸が形成されている凹凸面が接合される。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板７が積層された粘着テープ１００をダイサーテーブル２００の上に設置する。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて基板としての半導体基板７を切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化することで粘着テープ１００上に部品としての半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体基板７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体基板７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板７の個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体基板７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板７には切削水を供給しつつ、半導体基板７が切断される。

［４Ａ］次に、ウエハリング９で固定した、半導体基板７を貼付した粘着テープ１００をダイシング装置（図示せず）からピックアップ装置（図示せず）に移し、粘着層２の外周部１２１においてウエハリング９により固定した状態で、テーブル３００の外周部３２０に対して、その中心部３１０を上方に突き上げることで、粘着テープ１００を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板７すなわち部品としての半導体チップ２０同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）。

［５Ａ］次に、前記工程［４Ａ］を経ることにより、間隙が形成された状態で、ステージ４００上において、半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この半導体チップ２０のピックアップは、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程の後に、ニードル４３０（図２においては図示せず）を、図４（ａ）に示すように、エジェクターヘッド４１０に収納されている状態から、図４（ｂ）に示すように、エジェクターヘッド４１０から突出された状態とする。すなわち、ニードル４３０を、厚さ方向に突出させる。その結果、粘着テープ１００に貼付された半導体チップ２０が、ニードル４３０を用いて突き上げられ、これにより、粘着テープ１００から剥離させた状態とされ、その後、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等により、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ２０がピックアップされる。

この本工程［５Ａ］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［５Ａ］における部品としての半導体チップ２０のピックアップにおいて、粘着テープ１００として、粘着テープ１００が備える基材４における、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足しているものが用いられる。

そのため、本工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップするのに十分量の大きさでニードル４３０により半導体チップ２０を突き上げた状態としたとしても、基材４における破断の発生を的確に防止しつつ、優れた精度で半導体チップ２０をピックアップすることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

以上のような工程［１Ａ］～工程［５Ａ］を経ることにより、粘着テープ１００を用いて、半導体基板７から半導体チップ２０が分離（個片化）される。すなわち、粘着テープ１００が備える粘着層２上に、半導体基板７を固定した状態で、半導体基板７から基材４の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板７を個片化することで複数の半導体チップ２０を形成する。その後、半導体チップ２０同士の間に一定間隔の間隙を形成した後に、さらに、基材４側から半導体チップ２０を突き上げた状態として、基材４の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ２０が粘着層２から分離される。

［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の端子２１が形成された面を下側にして、半導体チップ２０（半導体素子）をインターポーザー３０（基板）上に載置する。

［７Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［８Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［９Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７（封止部）を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］～［９Ａ］を実施した後に、前記工程［４Ａ］～［９Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体基板７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ１００について説明する。

＜粘着テープ１００＞
図５は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、基材４と、粘着性を有するベース樹脂を主材料として含有し、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成され、本実施形態では、半導体基板７（基板）および半導体チップ２０（部品）を仮固定して用いられるものであり、さらに、基材４は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足するものである。

ここで、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、半導体チップ２０をピックアップするのに十分量の大きさでニードル４３０により半導体チップ２０を突き上げた状態としたとしても、粘着テープ１００が備える基材４における破断の発生を的確に防止して、半導体チップ２０をピックアップし得ることが求められる。

このように求められる粘着テープ１００の要求特性に対して、本発明者の検討により、上記の通り、粘着テープ１００が備える基材４は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下に設定されている。

この基材４の突刺し強さは、ＪＩＳ Ｚ １７０７：２０１９（食品包装用プラスチックフィルム通則）の規定に準拠して測定され、具体的には、温度（２３±２℃）、相対湿度（５０±５％ＲＨ）の雰囲気において、中央に直径１５ｍｍの開口を備える試験台上に治具を用いて試験片としての基材４を固定し、この基材４に直径１．０ｍｍ、先端形状半径０．５ｍｍの半円形の針を、５０±５ｍｍ／ｍｉｎの速度で突き刺し、針が貫通するまでの最大応力［Ｎ］として測定される。そして、基材４の突き破りまでの変位は、針が貫通したときの針の先端の試験台が備える開口からの突出量［ｍｍ］として測定される。

このようにして測定される基材４の突刺し強さ、および、基材４の突き破りまでの変位が、本発明では、それぞれ、前記範囲内に設定されている。すなわち、前記工程［５］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップするのに十分量の大きさで、かつ、この十分量の大きさとするのに必要とされる力の大きさでニードル４３０により半導体チップ２０を突き上げた状態としたとしても、基材４における破断の発生が的確に防止されていると言うことができる。

したがって、ニードル４３０の先端が粘着テープ１００の粘着層２側に到達することに起因した、半導体チップ２０における欠陥の発生、および、半導体チップ２０に対して粘着層２の一部が残存する糊残りの発生を的確に抑制または防止しつつ、半導体チップ２０の突き上げた状態を維持することができる。そのため、真空コレットまたはエアピンセットを用いた吸着等による半導体チップ２０のピックアップを優れた精度で実施することができる。

以下、このような粘着テープ１００（ダイシングテープ）が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

＜基材４＞
基材４（粘着テープ用基材）は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ１００を面方向に対して伸長するエキスパンディング工程において、その伸長を実現させるためのものである。さらに、前記工程［５Ａ］における、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップするピックアップ工程において、ニードル４３０による突き上げを、このものにおける破断の発生を的確に防止しつつ、実現させるためのものである。そして、本発明では、前述の通り、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足する。

かかる樹脂材料としては、前記突刺し強さおよび前記突き破りまでの変位がそれぞれ前記範囲内に設定し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリエステル系熱可塑性エラストマーのようなポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

特に、樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂およびポリスチレン系樹脂、または、これらの混合物を用いることが好ましい。これらの樹脂材料を用いることで、前記突刺し強さおよび前記突き破りまでの変位を、比較的容易に、それぞれ前記範囲内に設定し得る。したがって、前記ピックアップ工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、この半導体チップ２０をピックアップするのに十分量の大きさでニードル４３０により半導体チップ２０を突き上げた状態としたとしても、基材４において、破断が生じるのを的確に防止することができる。また、前記エキスパンディング工程［４Ａ］において、その伸長性（エキスパンド性）を基材４に確実に付与し得るとともに、前記工程［３Ａ］におけるダイシングの際に、基材４の切削屑により、粘着テープ１００が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。

かかるポリオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレン、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、エチレン－メタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ）や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなポリエチレンコポリマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、ポリプロピレンおよびポリエチレンコポリマーであることが好ましい。これらのポリオレフィン系樹脂を用いることで、前記突刺し強さおよび前記突き破りまでの変位を、より容易に、それぞれ前記範囲内に設定し得る。

また、ポリ塩化ビニル系樹脂は、－ＣＨ_２－ＣＨＣｌ－で表される基を繰り返し単位として、複数有するポリマーであり、具体的には、塩化ビニルの単独重合体、塩化ビニルと共重合可能なビニル系単量体（重合性モノマー）との共重合体が挙げられ、また、後塩素化塩化ビニル重合体も含まれ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、単独重合体を用いるのが一般的である。

なお、塩化ビニルと共重合可能なビニル系単量体との共重合体としては、例えば、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－エチレン共重合体、塩化ビニル－アクリル共重合体等が挙げられる。

さらに、ポリスチレン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリスチレン、ポリ（α－メチルスチレン）、ポリクロロスチレン、ポリ（ｍ－プロピルスチレン）、高耐衝撃ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリル－スチレン共重合体（ＡＳ）、スチレン－メタアクリル酸共重合体、スチレン－メタアクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン－メタアクリル酸・グリシジルエステル共重合体、スチレン－アクリル酸共重合体、スチレン－アクリル酸・アルキルエステル共重合体、スチレン－マレイン酸共重合体、スチレン－フマル酸共重合体の他、スチレン－ブタジエン共重合体、スチレン－イソプレン共重合体のようなスチレン系熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、スチレン系熱可塑性エラストマーであることが好ましい。スチレン系熱可塑性エラストマーを用いることで、前記突刺し強さおよび前記突き破りまでの変位を、より容易に、それぞれ前記範囲内に設定し得る。

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

このように、基材４が導電性材料を含有する場合、基材４の粘着層２と反対側の表面における表面抵抗率は、１．０×１０^１３（Ω／□）以下に設定されていることが好ましく、１．０×１０^１１（Ω／□）以下に設定されていることがより好ましい。これにより、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。

なお、基材４に導電性材料を含有させることなく、前記半導体チップ２０における静電気の発生を防止する場合には、導電性材料を含有する帯電防止層を、粘着層２と反対側の表面に形成してもよい。これにより、基材４に導電性材料を含有させた場合と同様の効果を得ることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

また、基材４が主材料としての樹脂材料以外の構成材料を含む場合、基材４における前記樹脂材料の含有量は、５０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、６５重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。樹脂材料の含有量を前記範囲内に設定することにより、前記突刺し強さおよび前記突き破りまでの変位を、それぞれ前記範囲内に比較的容易に設定し得るとともに、樹脂材料以外の構成材料を含有させることにより得られる効果を確実に発揮させることができる。

かかる構成をなす基材４は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足していれば良いが、前記突刺し強さは、４．３Ｎ以上８．０Ｎ以下であることが好ましく、４．５Ｎ以上７．８Ｎ以下であることがより好ましい。前記突刺し強さの大きさが、前記範囲内に設定されることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、基材４において破断が生じるのを、より的確に防止することができ、また、ニードル４３０により突き上げた状態とされた、半導体チップ２０のピックアップを、より的確に実施することができる。

さらに、前記突き破りまでの変位は、２．５ｍｍ以上７．５ｍｍ以下であることが好ましく、５．０ｍｍ以上７．０ｍｍ以下であることがより好ましい。前記突き破りまでの変位の大きさが、前記範囲内に設定されることにより、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、基材４において破断が生じるのを、より的確に防止することができる。

また、基材４の厚さは、例えば、７０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、基材４としての機能をより確実に発揮させて、前記工程［３Ａ］における半導体基板７のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。また、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をニードル４３０により突き上げた状態としてピックアップする際に、基材４において破断が生じるのを、より的確に防止することができる。そのため、前記工程［５Ａ］において、ニードル４３０により突き上げた状態とされた、個片化された半導体チップ２０のピックアップを、より優れた精度で実施することができる。

さらに、基材４は、その粘着層２と反対側の表面において、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２０１３）で規定される表面粗さを表すパラメータである、粗さ曲線要素の平均長さＳｍが、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、４０μｍ以上７０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の粗さ曲線要素の平均長さＳｍがこの範囲内であると、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップに先立って実施する前記工程［４Ａ］時の粘着テープ１００のエキスパンドの際に、粘着テープ１００とピックアップ装置が備えるテーブル３００とが接する部分の滑りが良くなることで、半導体チップ２０同士の間隔が広がり、半導体チップ２０同士の間に、一定の間隔を有する間隙を確実に形成することができる。そのため、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ時に、隣接するチップ同士が接触することを、的確に抑制または防止できるとともに、粘着テープ１００の円周方向に粘着テープ１００に対してテープ張力がかかり、基材４の全体において前記円周方向に沿った張りが生じることとなるため、半導体チップ２０のピックアップ性が向上する。

なお、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

＜粘着層２＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持し、かつ、前記工程［５Ａ］において、半導体基板７を個片化して得られた半導体チップ２０をピックアップし得る粘着性を有するものである。

このような粘着層２は、本実施形態では、粘着性を有するベース樹脂（１）を主材料として含有する樹脂組成物で構成され、粘着層２を硬化させる硬化性樹脂の添加が省略され、粘着層２に対してエネルギーを付与したとしても、その粘着力が低下しないものであり、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの粘着テープ１００を貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、２３℃の環境下で、粘着テープ１００の一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が、好ましくは１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下、より好ましくは２００ｃＮ／２０ｍｍ以上４５０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることを満足するものである。前記引き剥がし強度が前記範囲内に設定されることで、粘着テープ１００が、エネルギーの付与により、半導体基板７および半導体チップ２０に対する粘着力が低下しない粘着層２を備える構成をなし、粘着テープ１００が備える粘着層２に対するエネルギーの付与を省略したとしても、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０を確実にピックアップすることができる。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。また、ベース樹脂としてアクリル酸２－エチルヘキシル（２－エチルヘキシルアクリレート）を用いることにより、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン－酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万以上５００万以下に設定され、より好ましくは４０万以上４００万以下に設定され、さらに好ましくは５０万以上１５０万以下に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、３０万未満であると、半導体基板７等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

また、アクリル系樹脂（ベース樹脂）は、そのガラス転移点が、好ましくは－７０℃以上－５０℃以下、より好ましくは－６５℃以上－５５℃以下であるものが用いられる。ベース樹脂として、かかる範囲内のガラス転移点を有するアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の大きさを、より容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。

（２）架橋剤
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層２を適度な硬さを有するものに調整することができる。また、粘着テープ１００の前記引き剥がし強度の大きさを、より容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもエポキシ系架橋剤が好ましい。

エポキシ系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ－フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル－トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートや、その他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂等が挙げられる

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上３０重量部以下で配合されることが好ましく、０．１重量部以上２０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。

（３）可塑剤
可塑剤は、硬化性樹脂の添加が省略され、エネルギーの付与により粘着力が低下しない粘着層２において、その柔軟性を向上させることで、前記引き剥がし強度の大きさを、より容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定し得ることから、粘着層２、すなわち、樹脂組成物中に含まれることが好ましい。

この可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）、ＤＩＢＰ（ジイソブチルフタレート）、ＤＨＰ（ジヘプチルフタレート）のようなフタル酸エステル系可塑剤、ＤＯＡ（ジ－２－エチルヘキシルアジペート）、ＤＩＤＡ（ジイソデシルアジペート）、ＤＯＳ（ジ－２－エチルヘキシルセバセート）のような脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、エチレングリコールのベンゾエート類のような芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、およびＴＯＴＭ（トリオクチルトリメリテート）のようなトリメリット酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

粘着層２すなわち樹脂組成物中における可塑剤の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５．０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上３．０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層２の柔軟性を確実に向上させることができる。そのため、前記引き剥がし強度の大きさを、さらに容易に１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。

（４）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（３）の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

以上のような、粘着層２に含まれる、成分（１）（ベース樹脂）を必須成分とする各成分（１）～（４）の種類、および含有量を適宜選択することにより、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度の大きさが、１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下の範囲内に設定されていることが好ましいが、２００ｃＮ／２０ｍｍ以上４５０ｃＮ／２０ｍｍ以下であるのがより好ましく、２５０ｃＮ／２０ｍｍ以上３５０ｃＮ／２０ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。これにより、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７を厚さ方向に切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化する際に、粘着テープ１００上に半導体基板７をより安定的に固定した状態で、半導体基板７の厚さ方向に対する切断を実施することができる。また、前記工程［５Ａ］において、個片化された半導体チップ２０をピックアップする際に、粘着テープ１００が、エネルギーの付与により、半導体基板７および半導体チップ２０に対する粘着力が低下しない粘着層２を備える構成をなし、粘着テープ１００が備える粘着層２に対するエネルギーの付与を省略したとしても、個片化された半導体チップ２０から粘着テープ１００をより安定的に剥離させて、半導体チップ２０をピックアップすることができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２を、前記個片化工程［３Ａ］において、半導体基板７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程［５Ａ］において、粘着層２と半導体基板７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるものとし得る。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

さらに、基材４に粘着層２が積層された構成をなしている粘着テープ１００において、この粘着テープ１００を平面視で見たとき、基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡は、面積が１００μｍ^２以上のものの数が、１５．０個／ｍｍ^２以下であることが好ましく、０．０１個／ｍｍ^２以上７．０個／ｍｍ^２以下であることがより好ましく、０．１個／ｍｍ^２以上２．０個／ｍｍ^２以下であることがさらに好ましい。基材４と粘着層２との界面に形成されている気泡の数をコントロールして、面積が１００μｍ^２以上のものの数を上記のように設定することで、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０をピックアップして、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させる際に、半導体チップ２０に糊残りが生じるのをより的確に抑制または防止することができる。

次に、かかる構成の粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜粘着テープの製造方法＞
図６は、図５に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図６（ａ）参照。）。
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

なお、基材４の粘着層２を形成する側と反対の表面における、前記粗さ曲線要素の平均長さＳｍは、例えば、押出成形機を用いて基材４を成形する場合、押出成形機が備えるロールとして表面粗さが異なるものを用いることで、その大きさを所望の大きさに変更することができる。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図６（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図６（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図６（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１の表面にコーティングする処理や、セパレーター１の表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０°以上１８０°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の粘着テープおよび粘着テープ用基材について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

さらに、粘着層は、このものを構成する樹脂組成物に、粘着層２を硬化させる硬化性樹脂を含有し、これにより、粘着層に対するエネルギーの付与により、その粘着力が低下するものであってもよい。

また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置１０が備えるモールド部１７の形成を省略することもできる。

また、粘着テープが貼付された半導体基板を厚さ方向に切断（ダイシング）することで、切断片すなわち部品として半導体チップを得る場合に限らず、粘着テープ上に基板を仮固定した状態で、基板を厚さ方向に切断することで部品を得た後に、部品を粘着テープから剥離させる必要が生じる各種の基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板（半導体用ウエハ）の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（ポリオレフィン系樹脂１）
ポリオレフィン系樹脂１として、ポリプロピレン（ホモＰＰ、住友化学社製、「ＦＳ２０１１ＤＧ－２」、ＭＦＲ２．０）を用意した。

（ポリオレフィン系樹脂２）
ポリオレフィン系樹脂２として、ポリプロピレン（ランダムＰＰ、住友化学社製、「ＦＬ６６３２Ｇ」、ＭＦＲ７．０）を用意した。

（ポリオレフィン系樹脂３）
ポリオレフィン系樹脂３として、エチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ、三井ダウポリケミカル社製、「Ｎ０９０３ＨＣ」、ＭＦＲ３．０）を用意した。

（ポリオレフィン系樹脂４）
ポリオレフィン系樹脂４として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、住友化学社製、「スミカセンＬ７０５」、ＭＦＲ７．０）を用意した。

（ポリ塩化ビニル系樹脂１）
ポリ塩化ビニル系樹脂１として、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ、平均重合度１０００）を用意した。

（ポリスチレン系樹脂１）
ポリスチレン系樹脂１として、高衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ、ＰＳジャパン社製、「Ｈ９１５２」）を用意した。

（ポリスチレン系樹脂２）
ポリスチレン系樹脂２として、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ、旭化成ケミカルズ社製、「Ｈ１０６２」、スチレン含有率１８重量％）を用意した。

（帯電防止剤１）
帯電防止剤１として、ポリエーテル系帯電防止剤（三洋化成工業社製、「ペレクトロンＰＶＬ」）を用意した。

（ベース樹脂１）
ベース樹脂１として、アクリル酸、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸ブチルの４種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。

なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１におけるガラス転移点および重量平均分子量は、それぞれ、ガラス転移点：－３７℃、重量平均分子量：６０万であった。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（東ソー社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（可塑剤１）
可塑剤１として、ポリエステル系可塑剤（ＤＩＣ社製、品番：Ｗ－２３０Ｈ）を用意した。
（可塑剤２）
可塑剤２として、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ、東京化成工業社製）を用意した。

（安定剤１）
安定剤１として、バリウム－亜鉛系安定剤（日東化成工業社製、品番：ＰＳＬ－５５）を用意した。

２．粘着テープの作製
［実施例１］
ポリオレフィン系樹脂２（６０．０重量％）およびポリスチレン系樹脂２（４０．０ 重量％）が配合された樹脂組成物を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。

また、超深度形状測定顕微鏡（キーエンス社製、「ＶＫ９７００」）を用いて、基材４の粘着層２を形成するのと反対側の表面における、粗さ曲線要素の平均長さＳｍを測定した。Ｓｍは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２０１３）に準拠して測定した。その結果、粗さ曲線要素の平均長さＳｍは６０．０μｍであった。

次に、ベース樹脂１（１００．０重量部）、架橋剤１（１．０重量部）および可塑剤１（１．０重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に、厚さ１０．０μｍの粘着層２を形成することで、実施例１の粘着テープ１００を得た。

［実施例２～６、比較例１～２］
基材４の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層２の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表１に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表１に示すように変更して、表１に示す厚さの基材４および粘着層２を形成したこと、および基材４を成形する際に、押出成形機が備えるロールとして表面粗さが異なるものを用いて、基材４の粘着層２を形成する側と反対の表面における、粗さ曲線要素の平均長さＳｍを変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２～６、比較例１～２の粘着テープを作製した。

なお、実施例５で用いた基材４については、以下のようにして作製した。すなわち、ポリ塩化ビニル系樹脂１（７３．０重量％）と、安定剤１（３．６重量％）と、可塑剤２（２３．４重量％）とを、十分ドライブレンドした後、加圧ニーダーを用いて樹脂温度が１４０℃になるような条件で溶融混練し、その後、押し出して、ペレットを作製した。そして、このペレットからカレンダー成形によって、厚さ８０μｍの基材４を作製した。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。

３－１．基材の突刺し強さ試験
各実施例および各比較例の粘着テープ１００が備える基材４について、精密万能試験機（島津製作所社製、「オートグラフＡＧＳ－Ｘ」）および、突刺し試験治具（イマダ社製、「ＴＫＳ－２０Ｎ」）を用い、ＪＩＳ Ｚ １７０７：２０１９（食品包装用プラスチックフィルム通則）の規定に準拠して、基材４の突刺し強さおよび基材４の突き破りまでの変位を測定した。すなわち、温度（２３±２℃）、相対湿度（５０±５％ＲＨ）の雰囲気において、中央に直径１５ｍｍの開口を備える試験台上に治具を用いて試験片としての基材４を固定し、この基材４に直径１．０ｍｍ、先端形状半径０．５ｍｍの半円形の針を、５０±５ｍｍ／ｍｉｎの速度で突き刺し、針が貫通するまでの最大応力を、基材４の突刺し強さ［Ｎ］として測定した。また、この針が貫通したときに、針の先端の試験台が備える開口からの突出量を、基材４の突き破りまでの変位［ｍｍ］として測定した。

３－２．シリコンウエハからの引き剥がし強度の測定
各実施例および各比較例の幅を２０ｍｍとした粘着テープを、それぞれ、表面を＃２０００研磨したシリコンウエハの前記表面に貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、２３℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Ａ（ピール強度Ａ）を、剥離解析装置（協和界面科学社製、「ＶＰＡ－Ｈ１００」）を用いて測定した。

３－３．シリコンチップのピックアップ性および糊残り性の評価
＜１＞シリコンで構成されるシリコンウエハ（ＳＵＭＣＯ社製）を用意し、常法により削りして厚さ２３０μｍのこのシリコンウエハを得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、粘着層２をシリコンウエハ側にして固定した。その後、シリコンウエハを厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た。

＜２＞次いで、シリコンチップを、先端直径が１００μｍのニードルを用いて、ニードルの突き上げ量を４００［μｍ］、突き上げ速度を２０ｍｍ／秒として、突き上げた。

＜３＞次いで、ニードルによるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような工程＜１＞～＜３＞を経ることで、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ得られたシリコンチップについて、シリコンチップの吸着によるピックアップの成否（ピックアップ性）と、ピックアップしたシリコンチップの裏面における糊残りの有無とを観察し、これらを、以下の基準にしたがって評価した。

（ピックアップ性評価）
◎：５０個のシリコンチップについて、ピックアップすることができた
〇：４８個以上５０個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
△：４０個以上４８個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
×：４０個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた

（糊残り性評価）
ピックアップした５０個のシリコンチップのうち
◎：５０個のシリコンチップについて、
シリコンチップの裏面において糊残りが認められなかった
〇：４８個以上５０個未満のシリコンチップについて、
シリコンチップの裏面において糊残りが認められなかった
△：４５個以上４８個未満のシリコンチップについて、
シリコンチップの裏面において糊残りが認められなかった
×：４５個未満のシリコンチップについて、
シリコンチップの裏面において糊残りが認められなかった

表１に示したように、各実施例の粘着テープ１００では、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される、基材４における突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、基材４における突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足しており、シリコンチップの裏面に糊残りが生じるのを的確に抑制または防止して、優れた精度でシリコンチップをピックアップし得る結果を示した。

これに対して、各比較例の粘着テープでは、基材４における突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、基材４における突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを満足しておらず、その結果、優れた精度でシリコンチップをピックアップすることができないか、もしくは、ピックアップし得たとしても、ピックアップしたシリコンチップの裏面に糊残りが生じる結果となった。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体基板
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２３ 半導体チップ本体部
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ ダイサーテーブル
３００ テーブル
３１０ 中心部
３２０ 外周部
４００ ステージ
４１０ エジェクターヘッド
４３０ ニードル

Claims (9)

1. 基材と、粘着性を有するベース樹脂を主材料として含有し、前記基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定し、その後、仮固定された前記少なくとも１種をピックアップするのに用いられる粘着テープであって、
   前記粘着層は、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が、１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることを満足し、
   前記基材は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを特徴とする粘着テープ。
2. 前記基材は、ポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂およびポリスチレン系樹脂のうちの少なくとも１種を含有する請求項１に記載の粘着テープ。
3. 前記ポリオレフィン系樹脂は、ポリプロピレン、ポリエチレンコポリマーのうちの少なくとも１種である請求項２に記載の粘着テープ。
4. 前記粘着層は、エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記部品に対する粘着力が低下しないものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
5. 前記基材は、その厚さが７０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
6. 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から離脱させる際に用いられるものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
7. 前記基材は、その前記粘着層と反対側の表面において、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２０１３）で規定される表面粗さを表すパラメータである、粗さ曲線要素の平均長さＳｍが３０μｍ以上１００μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の粘着テープ。
8. 当該粘着テープは、前記基板および部品のうちの少なくとも前記部品を仮固定し、その後、前記部品をピックアップするのに用いられる請求項１ないし７のいずれか１項に記載の粘着テープ。
9. 粘着テープ用基材であって、
   当該粘着テープ用基材は、その一方の面に、粘着性を有するベース樹脂を主材料として含有する粘着層が積層され、該粘着層に、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定し、その後、仮固定された前記少なくとも１種をピックアップするのに用いられ、
   前記粘着層は、表面を＃２０００研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅２０ｍｍの当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、２３℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて１０００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が、１００ｃＮ／２０ｍｍ以上６００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることを満足し、
   当該粘着テープ用基材は、ＪＩＳ Ｚ １７０７に規定の突刺し強さ試験に準拠して測定される突刺し強さが４．０Ｎ以上８．０Ｎ以下であり、かつ、突き破りまでの変位が２．０ｍｍ以上８．０ｍｍ以下であることを特徴とする粘着テープ用基材。

Images